JPH04321281A - Ledアレイチップとヒートシンク基板との接合方法 - Google Patents
Ledアレイチップとヒートシンク基板との接合方法Info
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- JPH04321281A JPH04321281A JP3115334A JP11533491A JPH04321281A JP H04321281 A JPH04321281 A JP H04321281A JP 3115334 A JP3115334 A JP 3115334A JP 11533491 A JP11533491 A JP 11533491A JP H04321281 A JPH04321281 A JP H04321281A
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- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、LED(発光ダイオ−
ド)アレイチップとヒートシンク基板との接合方法に関
する。
ド)アレイチップとヒートシンク基板との接合方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】コンピュ−タの架内配線として、無誘導
性、漏話防止、高密度化、長距離化を目的とした光伝送
(光通信)の検討が進められている。
性、漏話防止、高密度化、長距離化を目的とした光伝送
(光通信)の検討が進められている。
【0003】なかんづく、光パラレル伝送は、光伝送路
の増設により大容量の光伝送が可能であり、アナログ伝
送も可能であることを鑑みた場合、光シリアル伝送より
も優れている。光パラレル伝送を実現するためには、光
素子のアレイ化、特に、LEDのアレイ化が不可欠であ
り、これとともに、LEDの高密度実装も要求されるが
、LEDの場合は、これを高密度実装するほど、その発
熱問題が大きくなる。したがって、LEDアレイの製造
に際しては、LEDアレイチップとヒートシンク基板と
の接合が重要な技術的課題となる。
の増設により大容量の光伝送が可能であり、アナログ伝
送も可能であることを鑑みた場合、光シリアル伝送より
も優れている。光パラレル伝送を実現するためには、光
素子のアレイ化、特に、LEDのアレイ化が不可欠であ
り、これとともに、LEDの高密度実装も要求されるが
、LEDの場合は、これを高密度実装するほど、その発
熱問題が大きくなる。したがって、LEDアレイの製造
に際しては、LEDアレイチップとヒートシンク基板と
の接合が重要な技術的課題となる。
【0004】一般に、LEDアレイの放熱性を高めるた
めには、ヒートシンク基板に対するLEDアレイチップ
のジャンクションを下向きに接合した構造が望ましいと
されている。このようなLEDアレイにおいて、N側電
極は、駆動上、各素子が共通でもよいが、P側電極は、
これらを独立して駆動させる必要上、各電極の引き出し
がむずかしい。ちなみに、従来技術では、LEDアレイ
チップの各P側電極とヒートシンク基板の各リード電極
とを金−スズ系の蝋付合金(半田)にて溶接するとき、
隣接するP側電極相互の短絡を防止すべくヒートシンク
基板の所定箇所に溝を設け、半田が他所の電極にまで流
出するのを阻止している。
めには、ヒートシンク基板に対するLEDアレイチップ
のジャンクションを下向きに接合した構造が望ましいと
されている。このようなLEDアレイにおいて、N側電
極は、駆動上、各素子が共通でもよいが、P側電極は、
これらを独立して駆動させる必要上、各電極の引き出し
がむずかしい。ちなみに、従来技術では、LEDアレイ
チップの各P側電極とヒートシンク基板の各リード電極
とを金−スズ系の蝋付合金(半田)にて溶接するとき、
隣接するP側電極相互の短絡を防止すべくヒートシンク
基板の所定箇所に溝を設け、半田が他所の電極にまで流
出するのを阻止している。
【0005】上述した従来技術の場合、ヒートシンク基
板として、シリコン、シリコンカーバイドのごとき加工
の困難な材料を用いているので、良品の得られる歩留り
が悪く、コスト高となる。ヒートシンク基板へLEDア
レイチップを取りつけるとき、多心光ファイバに対する
光軸合わせの行ないやすい構造が望ましいが、多心光コ
ネクタ、LEDアレイチップの精度がミクロンオ−ダで
あることからすると、現状のLEDアレイチップに関す
る技術レベルでは、かかる位置合わせを精密に行なうの
が困難であり、しかも、発光出力をモニタしつつ最高出
力を検出して当該光軸合わせを行なうので、これにかな
りの時間を費やす。
板として、シリコン、シリコンカーバイドのごとき加工
の困難な材料を用いているので、良品の得られる歩留り
が悪く、コスト高となる。ヒートシンク基板へLEDア
レイチップを取りつけるとき、多心光ファイバに対する
光軸合わせの行ないやすい構造が望ましいが、多心光コ
ネクタ、LEDアレイチップの精度がミクロンオ−ダで
あることからすると、現状のLEDアレイチップに関す
る技術レベルでは、かかる位置合わせを精密に行なうの
が困難であり、しかも、発光出力をモニタしつつ最高出
力を検出して当該光軸合わせを行なうので、これにかな
りの時間を費やす。
【0006】このような問題点を解決する手段として、
あらかじめ、LEDアレイチップ下面、ヒートシンク基
板上面の一方または両方に、電極、リード電極よりも低
融点の蝋付合金(例:金−錫、鉛−錫系などの蝋付合金
)にて、複数対の位置決め用パッドを設けておき、その
後、各位置決めパッドを上記電極、リード電極の融点よ
りも低い温度で加熱溶融して、所定の各部を接合する方
法が提案されている。この方法によるとき、上下に対を
なす各位置決めパッドが、互いに接触したときの表面張
力により一つの液粒に合体するので、上下に対をなす各
位置決めパッドの中心が完全に一致していなくても、上
記液粒を介して該各位置決めパッドが中心が自動的に一
致する。したがって、格別の操作を要せずとも、液粒を
介した自動調心作用により、電極、リード電極相互の位
置合わせが行なえる。
あらかじめ、LEDアレイチップ下面、ヒートシンク基
板上面の一方または両方に、電極、リード電極よりも低
融点の蝋付合金(例:金−錫、鉛−錫系などの蝋付合金
)にて、複数対の位置決め用パッドを設けておき、その
後、各位置決めパッドを上記電極、リード電極の融点よ
りも低い温度で加熱溶融して、所定の各部を接合する方
法が提案されている。この方法によるとき、上下に対を
なす各位置決めパッドが、互いに接触したときの表面張
力により一つの液粒に合体するので、上下に対をなす各
位置決めパッドの中心が完全に一致していなくても、上
記液粒を介して該各位置決めパッドが中心が自動的に一
致する。したがって、格別の操作を要せずとも、液粒を
介した自動調心作用により、電極、リード電極相互の位
置合わせが行なえる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述した提案例の場合
、位置決めパッド用半田材を必要な目付量のチップ、た
とえば、100×100×20μmに加工してセットし
ても、目付のバラツキのため一部の電極が接合しないこ
とがあり、その分だけ良品の歩留りが低下する。半田材
を電極に付ける別の方法として、真空蒸着法、スパッタ
リング法などがあるが、これらの方法は、半田材の膜厚
を増すのが困難であるにもかかわらず、これの厚みとし
て5〜10μmが要求されるので、生産面、コスト面で
の不利が避けられない。
、位置決めパッド用半田材を必要な目付量のチップ、た
とえば、100×100×20μmに加工してセットし
ても、目付のバラツキのため一部の電極が接合しないこ
とがあり、その分だけ良品の歩留りが低下する。半田材
を電極に付ける別の方法として、真空蒸着法、スパッタ
リング法などがあるが、これらの方法は、半田材の膜厚
を増すのが困難であるにもかかわらず、これの厚みとし
て5〜10μmが要求されるので、生産面、コスト面で
の不利が避けられない。
【0008】本発明は、半田材をリード電極、電極の上
に成長させて、LEDアレイチップとヒートシンク基板
とを接合するあたり、精度面、生産面、コスト面での要
求を満足させることのできる方法を提供しようとするも
のである。
に成長させて、LEDアレイチップとヒートシンク基板
とを接合するあたり、精度面、生産面、コスト面での要
求を満足させることのできる方法を提供しようとするも
のである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は所期の目的を達
成するため、LEDアレイチップの下面にパターン形成
された各電極と、ヒートシンク基板の上面にパタ−ン形
成された各リード電極とを互いに一致させて接合する方
法において、これらLEDアレイチップ下面、ヒートシ
ンク基板上面の少なくとも一方に、上記電極、リード電
極と同等以下の融点をもつ蝋付合金にて上下に対応する
複数対の位置決め用パッドを設けること、および、該各
位置決め用パッド、これに対応するLEDアレイチップ
下面、ヒートシンク基板上面の少なくとも一つに、錫粉
混入有機酸鉛塩ペーストを塗布し、そのペーストを含む
部分を加熱溶融して、最終的に得ようとする錫−鉛合金
よりも錫含有量の多い錫リッチの錫−鉛合金を当該加熱
処理部に析出させること、および、上記LEDアレイチ
ップ下面とヒートシンク基板上面とを互いに対面させ、
上記析出部分に鉛イオン含有フラックスを接触させた後
、そのフラックスを含む部分を加熱溶融し、かつ、該溶
融金属の表面張力によりLEDアレイチップを移動させ
て、相互に接続すべき各電極と各リード電極とを位置合
わせすること、および、該溶融状態における上記錫リッ
チの錫−鉛合金と鉛イオンとの反応により、錫−鉛合金
を当該加熱処理部に析出させて、これら電極相互を溶接
することを特徴とする。
成するため、LEDアレイチップの下面にパターン形成
された各電極と、ヒートシンク基板の上面にパタ−ン形
成された各リード電極とを互いに一致させて接合する方
法において、これらLEDアレイチップ下面、ヒートシ
ンク基板上面の少なくとも一方に、上記電極、リード電
極と同等以下の融点をもつ蝋付合金にて上下に対応する
複数対の位置決め用パッドを設けること、および、該各
位置決め用パッド、これに対応するLEDアレイチップ
下面、ヒートシンク基板上面の少なくとも一つに、錫粉
混入有機酸鉛塩ペーストを塗布し、そのペーストを含む
部分を加熱溶融して、最終的に得ようとする錫−鉛合金
よりも錫含有量の多い錫リッチの錫−鉛合金を当該加熱
処理部に析出させること、および、上記LEDアレイチ
ップ下面とヒートシンク基板上面とを互いに対面させ、
上記析出部分に鉛イオン含有フラックスを接触させた後
、そのフラックスを含む部分を加熱溶融し、かつ、該溶
融金属の表面張力によりLEDアレイチップを移動させ
て、相互に接続すべき各電極と各リード電極とを位置合
わせすること、および、該溶融状態における上記錫リッ
チの錫−鉛合金と鉛イオンとの反応により、錫−鉛合金
を当該加熱処理部に析出させて、これら電極相互を溶接
することを特徴とする。
【0010】
【作用】本発明方法における溶接の第1段階では、錫粉
と鉛塩とが置換反応することにより錫リッチの錫−鉛合
金が生成され、その合金がリード電極、電極、および、
位置合わせパッド上に選択的に析出する。この場合、錫
粉混入有機酸鉛塩ペ−ストを、パッド配列部たるヒート
シンク基板上面、LEDアレイチップ下面の少なくとも
一方にベタ塗りしたとしても、錫リッチの錫−鉛合金が
析出するのは、パッドの部分だけである。
と鉛塩とが置換反応することにより錫リッチの錫−鉛合
金が生成され、その合金がリード電極、電極、および、
位置合わせパッド上に選択的に析出する。この場合、錫
粉混入有機酸鉛塩ペ−ストを、パッド配列部たるヒート
シンク基板上面、LEDアレイチップ下面の少なくとも
一方にベタ塗りしたとしても、錫リッチの錫−鉛合金が
析出するのは、パッドの部分だけである。
【0011】本発明方法における溶接の第2段階では、
錫リッチの錫−鉛合金中の錫の鉛イオンが置換反応する
ことによって所望組成の錫−鉛合金が生成させる。この
場合、鉛イオン含有フラックスをベタ塗りしたとしても
、所望組成の錫−鉛合金が析出するのは、錫リッチの錫
−鉛合金部分だけである。
錫リッチの錫−鉛合金中の錫の鉛イオンが置換反応する
ことによって所望組成の錫−鉛合金が生成させる。この
場合、鉛イオン含有フラックスをベタ塗りしたとしても
、所望組成の錫−鉛合金が析出するのは、錫リッチの錫
−鉛合金部分だけである。
【0012】したがって、本発明方法によるとき、パッ
ドの配列ピッチが細かい場合でも、ブリッジが発生する
おそれはない。
ドの配列ピッチが細かい場合でも、ブリッジが発生する
おそれはない。
【0013】最終的に得ようとする錫−鉛合金は、通常
、63wt%錫−残部鉛の共晶合金であるが、この組成
以外の合金であってもよい。鉛イオン含有フラックスと
しては、有機酸鉛塩ペ−スト、有機酸鉛塩溶液などを使
用することができる。
、63wt%錫−残部鉛の共晶合金であるが、この組成
以外の合金であってもよい。鉛イオン含有フラックスと
しては、有機酸鉛塩ペ−スト、有機酸鉛塩溶液などを使
用することができる。
【0014】上述した第1段階と第2段階との間には、
第1段階で発生した反応残渣を洗浄する工程を入れるこ
とが、半田付け部の信頼性を向上させる上で好ましい。
第1段階で発生した反応残渣を洗浄する工程を入れるこ
とが、半田付け部の信頼性を向上させる上で好ましい。
【0015】本発明方法の場合、既述の性能を有する半
田材を用い、上記LEDアレイチップ、ヒートシンク基
板の電極、リード電極、位置合せパッドについて、LE
Dアレイチップの下面、基板上面が互いに対面した状態
でこれらを上下に位置合わせする。この場合、上下に対
をなす各位置決めパッドは、互いに重なり合うことを要
するが、該各位置決めパッドの中心が完全に一致するほ
どの精密さは、後述する理由により要求されない。
田材を用い、上記LEDアレイチップ、ヒートシンク基
板の電極、リード電極、位置合せパッドについて、LE
Dアレイチップの下面、基板上面が互いに対面した状態
でこれらを上下に位置合わせする。この場合、上下に対
をなす各位置決めパッドは、互いに重なり合うことを要
するが、該各位置決めパッドの中心が完全に一致するほ
どの精密さは、後述する理由により要求されない。
【0016】その後、電極類および各位置決めパッド上
の合金を上記電極、リード電極の融点よりも低い温度で
加熱溶融する。かかる溶融状態のとき、LEDアレイチ
ップ下面の電極、ヒートシンク基板上面のリード電極、
両位置決めパッド上の錫−鉛合金は、互いに接触した状
態での表面張力により、一つの液粒に合体する。また、
いずれか一方の位置決めパッドおよび電極の上にしか錫
−鉛合金が析出されていない場合であっても、これが溶
融した状態での表面張力により、両方の位置決めパッド
間、電極間に一つの液粒が形成される。
の合金を上記電極、リード電極の融点よりも低い温度で
加熱溶融する。かかる溶融状態のとき、LEDアレイチ
ップ下面の電極、ヒートシンク基板上面のリード電極、
両位置決めパッド上の錫−鉛合金は、互いに接触した状
態での表面張力により、一つの液粒に合体する。また、
いずれか一方の位置決めパッドおよび電極の上にしか錫
−鉛合金が析出されていない場合であっても、これが溶
融した状態での表面張力により、両方の位置決めパッド
間、電極間に一つの液粒が形成される。
【0017】したがって、上下に対をなす各位置決めパ
ッドおよび各電極は、液粒形成により、これらの中心が
自動的に一致し、その液粒を介して浮上する軽量なLE
Dアレイチップも、液粒合体時または形成時に微動して
所定の位置を確保する。このように、上下の各位置決め
パッドおよび各電極上の合金が合体されたり、上下の各
電極間に液粒が形成されてLEDアレイチップが微動し
たとき、相互に接続すべきLEDアレイチップ側の各電
極と、ヒートシンク基板側の各リード電極とが精密に位
置合わせされる。
ッドおよび各電極は、液粒形成により、これらの中心が
自動的に一致し、その液粒を介して浮上する軽量なLE
Dアレイチップも、液粒合体時または形成時に微動して
所定の位置を確保する。このように、上下の各位置決め
パッドおよび各電極上の合金が合体されたり、上下の各
電極間に液粒が形成されてLEDアレイチップが微動し
たとき、相互に接続すべきLEDアレイチップ側の各電
極と、ヒートシンク基板側の各リード電極とが精密に位
置合わせされる。
【0018】その後、これら電極、リード電極相互を所
定の温度で加熱溶融し、これらが液粒になったとき、上
位に位置する液粒状の電極と、下位に位置する液粒状の
リード電極とが互いに接触して前記と同様に合体され、
かくて、これら電極、リード電極相互が精密に溶接され
る。
定の温度で加熱溶融し、これらが液粒になったとき、上
位に位置する液粒状の電極と、下位に位置する液粒状の
リード電極とが互いに接触して前記と同様に合体され、
かくて、これら電極、リード電極相互が精密に溶接され
る。
【0019】上記加熱時の温度は、必ずしも二段階に設
定することを要せず、位置決めパッドの融点が電極類の
融点により低い場合は、たとえば、加熱源の配置、比熱
、融点など、これらを適切に設定し、位置決めパッドの
蝋付合金の溶融時間を、上記電極、リード電極における
蝋付合金の溶融時間よりも短く設定すれば、即述の場合
と同様に、電極、リード電極相互が精密に溶接される。
定することを要せず、位置決めパッドの融点が電極類の
融点により低い場合は、たとえば、加熱源の配置、比熱
、融点など、これらを適切に設定し、位置決めパッドの
蝋付合金の溶融時間を、上記電極、リード電極における
蝋付合金の溶融時間よりも短く設定すれば、即述の場合
と同様に、電極、リード電極相互が精密に溶接される。
【0020】上記錫粉混入有機酸鉛塩ペ−ストの塗布、
鉛イオン含有フラックスの接触などの処理は、LEDア
レイチップ下面、ヒートシンク基板上面のいずれか一方
または両方に行なうが、その一方だけに当該処理を施す
場合は、ヒートシンク基板上面側を選定するのが好まし
い。
鉛イオン含有フラックスの接触などの処理は、LEDア
レイチップ下面、ヒートシンク基板上面のいずれか一方
または両方に行なうが、その一方だけに当該処理を施す
場合は、ヒートシンク基板上面側を選定するのが好まし
い。
【0021】
【実施例】本発明方法の実施例につき、図面を参照して
説明する。図1は本発明方法が製造対象とするLEDア
レイの一例を示している。かかるLEDアレイ11は、
図2をも参照して明らかなように、LEDアレイチップ
21とヒートシンク基板31とを主体にして構成されて
いる。
説明する。図1は本発明方法が製造対象とするLEDア
レイの一例を示している。かかるLEDアレイ11は、
図2をも参照して明らかなように、LEDアレイチップ
21とヒートシンク基板31とを主体にして構成されて
いる。
【0022】LEDアレイチップ21は、周知の通り、
基板結晶上に活性層を含む所要の結晶層がエピタキシャ
ル成長されたものである。LEDアレイチップ21には
、その上面全域に共通のN側電極22が形成されており
、その下面中央に所要数のP側電極23がパタ−ン形成
されており、さらに、その下面両側には位置決めパッド
24a、24bが形成されている。
基板結晶上に活性層を含む所要の結晶層がエピタキシャ
ル成長されたものである。LEDアレイチップ21には
、その上面全域に共通のN側電極22が形成されており
、その下面中央に所要数のP側電極23がパタ−ン形成
されており、さらに、その下面両側には位置決めパッド
24a、24bが形成されている。
【0023】ヒートシンク基板31の上面中央には、各
P側電極23に対応した複数のリード電極32が形成さ
れ、ヒートシンク基板31の上面両側には、各位置決め
パッド24a、24bと対をなす位置決めパッド33a
、33bと、各位置決めパッド33a、33bの外側に
位置する位置合わせガイド34a、34bとが形成され
ている。
P側電極23に対応した複数のリード電極32が形成さ
れ、ヒートシンク基板31の上面両側には、各位置決め
パッド24a、24bと対をなす位置決めパッド33a
、33bと、各位置決めパッド33a、33bの外側に
位置する位置合わせガイド34a、34bとが形成され
ている。
【0024】上記において、ヒートシンク基板31は、
LEDアレイチップ21の基板結晶(例:InP系、G
aAs系)よりも熱伝導率の大きい電気絶縁性材料、た
とえば、シリコンカーバイド、チッ化アルミニウム、ア
ルミナなどの電気絶縁性材料からなる。
LEDアレイチップ21の基板結晶(例:InP系、G
aAs系)よりも熱伝導率の大きい電気絶縁性材料、た
とえば、シリコンカーバイド、チッ化アルミニウム、ア
ルミナなどの電気絶縁性材料からなる。
【0025】LEDアレイチップ21のN側電極22は
、貴金属を含む複合金属導体、たとえば、ニッケル(下
地)−金(上地)からなる。LEDアレイチップ21の
各P側電極23は、チタン、白金、金の多層薄膜電極か
らなり、ヒートシンク基板31のリード電極32は、N
iCr/金、チタン/白金/金など、表面の金の下部に
金の拡散を防ぐバイメタルを含む電極構造を有し、これ
ら各P側電極23の下部、各リード電極32の上部が、
上記複合金属導体上に析出された錫−鉛合金により構成
されている。なお、LEDアレイチップ21の下面、ヒ
ートシンク基板31の上面に、各P側電極23、各リー
ド電極32をパタ−ン成形する手段としては、公知ない
し周知のフォトリソグラフィ法が採用される。
、貴金属を含む複合金属導体、たとえば、ニッケル(下
地)−金(上地)からなる。LEDアレイチップ21の
各P側電極23は、チタン、白金、金の多層薄膜電極か
らなり、ヒートシンク基板31のリード電極32は、N
iCr/金、チタン/白金/金など、表面の金の下部に
金の拡散を防ぐバイメタルを含む電極構造を有し、これ
ら各P側電極23の下部、各リード電極32の上部が、
上記複合金属導体上に析出された錫−鉛合金により構成
されている。なお、LEDアレイチップ21の下面、ヒ
ートシンク基板31の上面に、各P側電極23、各リー
ド電極32をパタ−ン成形する手段としては、公知ない
し周知のフォトリソグラフィ法が採用される。
【0026】LEDアレイチップ21、ヒートシンク基
板31に形成された各位置決めパッド24a、24b、
33a、33bは、低融点の蝋付合金、たとえば、鉛−
錫系の半田からなる。
板31に形成された各位置決めパッド24a、24b、
33a、33bは、低融点の蝋付合金、たとえば、鉛−
錫系の半田からなる。
【0027】ヒートシンク基板31における各位置合わ
せガイド34a、34bは、一例として金属製の円筒か
らなり、これら円筒形の位置合わせガイド34a、34
bが低融点の蝋付合金、たとえば、鉛−錫系の半田を介
してヒートシンク基板31の上面に蝋付されている。
せガイド34a、34bは、一例として金属製の円筒か
らなり、これら円筒形の位置合わせガイド34a、34
bが低融点の蝋付合金、たとえば、鉛−錫系の半田を介
してヒートシンク基板31の上面に蝋付されている。
【0028】上述したLEDアレイチップ21、ヒート
シンク基板31は、各位置決めパッド24a、24b、
33a、33bと、各P側電極23および各リード電極
32とが、24a:33a、24b:33b、23:3
2のごとく溶接され、かくて図1に例示したLEDアレ
イ11が得られる。
シンク基板31は、各位置決めパッド24a、24b、
33a、33bと、各P側電極23および各リード電極
32とが、24a:33a、24b:33b、23:3
2のごとく溶接され、かくて図1に例示したLEDアレ
イ11が得られる。
【0029】以下、LEDアレイチップ21とヒートシ
ンク基板31とを接合する方法について述べる。図2(
A)の場合、LEDアレイチップ21は、その上面にN
側電極22、その下面にP側電極23、位置決めパッド
24a、24bを備えており、ヒートシンク基板31は
、その上面にリード電極32を備え、場合により、位置
合わせガイド34a、34bあるいはその位置合わせガ
イド34a、34bを溶接するための蝋付合金を備えて
いる。
ンク基板31とを接合する方法について述べる。図2(
A)の場合、LEDアレイチップ21は、その上面にN
側電極22、その下面にP側電極23、位置決めパッド
24a、24bを備えており、ヒートシンク基板31は
、その上面にリード電極32を備え、場合により、位置
合わせガイド34a、34bあるいはその位置合わせガ
イド34a、34bを溶接するための蝋付合金を備えて
いる。
【0030】第1段階では、図2(A)において、ヒー
トシンク基板31のリード電極32および位置決めパッ
ド33a、33b上に錫粉混入有機酸鉛塩ペ−ストを塗
布する。この場合、リード電極32および位置決めパッ
ド33a、33b上には、上記ペーストを個別に塗布し
てもよく、ベタ塗りしてもよい。錫粉混入有機酸鉛塩ペ
−ストとしては、たとえば、ナフテン酸鉛、ロジンに錫
粉を混入し、これを溶剤で粘度調整したものを用いる。
トシンク基板31のリード電極32および位置決めパッ
ド33a、33b上に錫粉混入有機酸鉛塩ペ−ストを塗
布する。この場合、リード電極32および位置決めパッ
ド33a、33b上には、上記ペーストを個別に塗布し
てもよく、ベタ塗りしてもよい。錫粉混入有機酸鉛塩ペ
−ストとしては、たとえば、ナフテン酸鉛、ロジンに錫
粉を混入し、これを溶剤で粘度調整したものを用いる。
【0031】上記各部に錫粉混入有機酸鉛塩ペ−ストを
塗布した後、たとえば、220℃程度の温度で2〜4分
加熱すると、リード電極32および位置決めパッド33
a、33bの表面のみに選択的に錫−鉛合金が析出する
。この錫−鉛合金は、最終的に得ようとする錫−鉛合金
よりも錫含有量の多い錫リッチの錫−鉛合金である。 この析出後、ヒートシンク基板31を洗浄して、これに
付着している反応残渣を除去することが好ましい。
塗布した後、たとえば、220℃程度の温度で2〜4分
加熱すると、リード電極32および位置決めパッド33
a、33bの表面のみに選択的に錫−鉛合金が析出する
。この錫−鉛合金は、最終的に得ようとする錫−鉛合金
よりも錫含有量の多い錫リッチの錫−鉛合金である。 この析出後、ヒートシンク基板31を洗浄して、これに
付着している反応残渣を除去することが好ましい。
【0032】第2段階では、錫リッチ錫−鉛合金の上に
有機酸鉛塩ペ−ストを前記第1段階と同様に塗布する。 有機酸鉛塩ペ−ストとしては、ナフテン酸鉛、ロジンを
主成分とし、これを溶剤、セルロ−スなどで粘度調整し
たものを用いる。
有機酸鉛塩ペ−ストを前記第1段階と同様に塗布する。 有機酸鉛塩ペ−ストとしては、ナフテン酸鉛、ロジンを
主成分とし、これを溶剤、セルロ−スなどで粘度調整し
たものを用いる。
【0033】その後、図2(A)のごとく、LEDアレ
イチップ21の下面とヒートシンク基板31の上面とを
互いに対面させ、上下に対をなす各位置決めパッド24
a:33a、24b:33bを互いに重ねる。LEDア
レイチップ21は、有機酸鉛塩ペ−ストの粘性によりヒ
ートシンク基板31の上に仮固定される。
イチップ21の下面とヒートシンク基板31の上面とを
互いに対面させ、上下に対をなす各位置決めパッド24
a:33a、24b:33bを互いに重ねる。LEDア
レイチップ21は、有機酸鉛塩ペ−ストの粘性によりヒ
ートシンク基板31の上に仮固定される。
【0034】なお、各位置決めパッド24a、24b、
33a、33bの融点は、各P側電極23、各リード電
極32の融点よりも10℃程度低い方が正確な位置合わ
せをする上で好ましい。
33a、33bの融点は、各P側電極23、各リード電
極32の融点よりも10℃程度低い方が正確な位置合わ
せをする上で好ましい。
【0035】このような有機酸鉛塩ペ−ストを塗布した
後、たとえば、220℃程度の温度で1〜3分加熱する
と、錫リッチ錫−鉛合金とペ−スト中の鉛イオンとが反
応して錫−鉛合金が析出し、対向する各位置決めパッド
間、各P側電極、各リード電極間が半田付けされる。錫
−鉛合金の組成は、加熱温度を一定としたとき、加熱時
間が長くなるにしたがい合金中の錫量が少なくなるので
、加熱時間により任意に調節できる。
後、たとえば、220℃程度の温度で1〜3分加熱する
と、錫リッチ錫−鉛合金とペ−スト中の鉛イオンとが反
応して錫−鉛合金が析出し、対向する各位置決めパッド
間、各P側電極、各リード電極間が半田付けされる。錫
−鉛合金の組成は、加熱温度を一定としたとき、加熱時
間が長くなるにしたがい合金中の錫量が少なくなるので
、加熱時間により任意に調節できる。
【0036】上記において、最終的に得ようとする錫−
鉛合金の組成中の錫が63wt%であるとき、当該合金
の溶融流動性が良好になり、LEDアレイチップがヒー
トシンク基板のパタ−ンの中心に移動し、所要の位置合
わせが精密かつ容易に行なわれ、ひいては、LEDアレ
イチップとヒートシンク基板との接合が満足に行なわれ
る。
鉛合金の組成中の錫が63wt%であるとき、当該合金
の溶融流動性が良好になり、LEDアレイチップがヒー
トシンク基板のパタ−ンの中心に移動し、所要の位置合
わせが精密かつ容易に行なわれ、ひいては、LEDアレ
イチップとヒートシンク基板との接合が満足に行なわれ
る。
【0037】より十分な接合を期そうとするとき、つぎ
のような処理工程を続ける。図2(B)において、各位
置決めパッド24a:33a、24b:33bは、これ
らの融点を5℃上回る温度にて加熱する。前述したよう
に、各位置決めパッドとして、各P側電極、各リード電
極よりも低融点合金を使用する場合を例にあげると、こ
の加熱により、各位置決めパット24a:33a、24
b:33bは溶融状態となるが、各P側電極23、各リ
ード電極32はまだ溶融されない。
のような処理工程を続ける。図2(B)において、各位
置決めパッド24a:33a、24b:33bは、これ
らの融点を5℃上回る温度にて加熱する。前述したよう
に、各位置決めパッドとして、各P側電極、各リード電
極よりも低融点合金を使用する場合を例にあげると、こ
の加熱により、各位置決めパット24a:33a、24
b:33bは溶融状態となるが、各P側電極23、各リ
ード電極32はまだ溶融されない。
【0038】このようにして溶融された各位置決めパッ
ド24a:33a、24b:33bは、互いに接触した
状態での表面張力により一つの液粒に合体し、かかる液
粒合体により、該各位置決めパッド24a:33a、2
4b:33bの中心が自動的に一致するとともに、これ
ら位置決めパッド24a:33a、24b:33bの液
粒を介して浮上する軽量なLEDアレイチップ21も、
その液粒合体時に微動して所定の位置を確保する。
ド24a:33a、24b:33bは、互いに接触した
状態での表面張力により一つの液粒に合体し、かかる液
粒合体により、該各位置決めパッド24a:33a、2
4b:33bの中心が自動的に一致するとともに、これ
ら位置決めパッド24a:33a、24b:33bの液
粒を介して浮上する軽量なLEDアレイチップ21も、
その液粒合体時に微動して所定の位置を確保する。
【0039】その結果、相互に接続すべき各P側電極2
3と各リード電極32とが、精密に位置合わせされる。
3と各リード電極32とが、精密に位置合わせされる。
【0040】図2(C)では、上記位置合わせ後の各P
側電極23、各リード電極32を、その融点以上の温度
で加熱する。この加熱により、各P側電極23、各リー
ド電極32が液粒になったとき、上位に位置するP側電
極23の液粒と下位に位置するリード電極32の液粒と
が互いに接触して前記と同様に合体され、かくて、相互
に接続すべきP側電極23、リード電極32は、他所へ
流出することなく精密に溶接される。
側電極23、各リード電極32を、その融点以上の温度
で加熱する。この加熱により、各P側電極23、各リー
ド電極32が液粒になったとき、上位に位置するP側電
極23の液粒と下位に位置するリード電極32の液粒と
が互いに接触して前記と同様に合体され、かくて、相互
に接続すべきP側電極23、リード電極32は、他所へ
流出することなく精密に溶接される。
【0041】上述したようにして、LEDアレイチップ
21とヒートシンク基板31とを接合する場合、P側電
極23、リード電極32相互の位置合わせが高精度に行
えるので、各P側電極23の間隔の小さくしても電極の
ブリッジ(短絡)が殆ど生じない。
21とヒートシンク基板31とを接合する場合、P側電
極23、リード電極32相互の位置合わせが高精度に行
えるので、各P側電極23の間隔の小さくしても電極の
ブリッジ(短絡)が殆ど生じない。
【0042】ちなみに、従来例でのP側電極間隔は、2
00〜300μmが限度であるが、本発明方法によると
きは、P側電極間隔を100μm程度に狭ばめても、既
述のブリッジが生じない。
00〜300μmが限度であるが、本発明方法によると
きは、P側電極間隔を100μm程度に狭ばめても、既
述のブリッジが生じない。
【0043】その結果、ヒートシンク基板31に対する
のP側電極23の接合面積を大きくすること、すなわち
、熱抵抗を低減することができ、従来例よりも、より高
い順方向電圧にて、LEDアレイ11を駆動させること
ができる。
のP側電極23の接合面積を大きくすること、すなわち
、熱抵抗を低減することができ、従来例よりも、より高
い順方向電圧にて、LEDアレイ11を駆動させること
ができる。
【0044】上記において、たとえば、ヒートシンク基
板31の上面に、位置合わせガイド34a、34bの目
安となるパッドを既述のフォトリソグラフィ法によりパ
ターン形成しておけば、LEDアレイチップ21と同時
に位置合わせガイド34a、34bをヒートシンク基板
31上に接合(蝋付)することもできる。この位置合わ
せガイド34a、34bは、LEDアレイ11を図3に
例示の多心光コネクタ(周知)と対応させるために設け
られる。
板31の上面に、位置合わせガイド34a、34bの目
安となるパッドを既述のフォトリソグラフィ法によりパ
ターン形成しておけば、LEDアレイチップ21と同時
に位置合わせガイド34a、34bをヒートシンク基板
31上に接合(蝋付)することもできる。この位置合わ
せガイド34a、34bは、LEDアレイ11を図3に
例示の多心光コネクタ(周知)と対応させるために設け
られる。
【0045】図3の多心光コネクタ41は、その両側部
にガイド孔42を有し、そのガイド孔42と密に嵌合す
るガイドピン43を備えている。かかる多心光コネクタ
41は、多心被覆光ファイバ44の端部に取りつけられ
ており、そのコネクタ突き合わせ面と面一な状態で、各
光ファイバ45の端面が露出している。図3において、
多心光コネクタ41相互は、これらのガイド孔42にガ
イドピン43を差しこんで突き合わせることにより、多
心被覆光ファイバ44相互の各光ファイバ45が光学的
に接続される。
にガイド孔42を有し、そのガイド孔42と密に嵌合す
るガイドピン43を備えている。かかる多心光コネクタ
41は、多心被覆光ファイバ44の端部に取りつけられ
ており、そのコネクタ突き合わせ面と面一な状態で、各
光ファイバ45の端面が露出している。図3において、
多心光コネクタ41相互は、これらのガイド孔42にガ
イドピン43を差しこんで突き合わせることにより、多
心被覆光ファイバ44相互の各光ファイバ45が光学的
に接続される。
【0046】図3の多心光コネクタ41が、かかる構成
を備えているとき、上述した位置合わせガイド34a、
34bは、その多心光コネクタ41の両ガイド孔42に
対応した間隔で、ヒートシンク基板31上に設けられて
おり、したがって、これらガイド34a、34b、両ガ
イド孔42に依存してLEDアレイ11と多心光コネク
タ41とを光学的に接合することができる。
を備えているとき、上述した位置合わせガイド34a、
34bは、その多心光コネクタ41の両ガイド孔42に
対応した間隔で、ヒートシンク基板31上に設けられて
おり、したがって、これらガイド34a、34b、両ガ
イド孔42に依存してLEDアレイ11と多心光コネク
タ41とを光学的に接合することができる。
【0047】その他、実装密度を向上させるべく、LE
Dアレイ駆動用のICチップなど、各種のチップを既述
の蝋付手段によりヒートシンク基板31上に直接実装し
てもよい。
Dアレイ駆動用のICチップなど、各種のチップを既述
の蝋付手段によりヒートシンク基板31上に直接実装し
てもよい。
【0048】つぎに、コンピュータ間のパラレル伝送に
おいて、多心光コネクタ付の多心被覆光ファイバ(8心
)と光学的に接続する際に用いられるLEDアレイの製
造技術、すなわち、8個のLEDを含むLEDアレイチ
ップをヒートシンク基板上に接合する技術について具体
的に説明する。
おいて、多心光コネクタ付の多心被覆光ファイバ(8心
)と光学的に接続する際に用いられるLEDアレイの製
造技術、すなわち、8個のLEDを含むLEDアレイチ
ップをヒートシンク基板上に接合する技術について具体
的に説明する。
【0049】この具体例の場合、LEDアレイと光ファ
イバとの光学的接続を考慮し、位置合わせガイドと、L
ED駆動用の各P側電極パターン(独立)、N側電極パ
ターン(共通)などを備えたLEDアレイチップとを、
ヒートシンク基板上に実装するが、上述した多心被覆光
ファイバ(8心)の場合、コア径=62.5μmφ、ク
ラッド径=125μmφであるGI型の各光ファイバが
、250μmのピッチで並んでいるので、これと対応す
るLEDアレイチップとして、8個のLEDが250μ
mのピッチでアレイ化されたものを用いた。
イバとの光学的接続を考慮し、位置合わせガイドと、L
ED駆動用の各P側電極パターン(独立)、N側電極パ
ターン(共通)などを備えたLEDアレイチップとを、
ヒートシンク基板上に実装するが、上述した多心被覆光
ファイバ(8心)の場合、コア径=62.5μmφ、ク
ラッド径=125μmφであるGI型の各光ファイバが
、250μmのピッチで並んでいるので、これと対応す
るLEDアレイチップとして、8個のLEDが250μ
mのピッチでアレイ化されたものを用いた。
【0050】LEDアレイチップをヒートシンク基板上
に接合するとき、放熱効果をよくするため、ヒートシン
ク基板に対するLEDアレイチップのジャンクションを
下向きにし、P側電極をヒートシンク基板側に接合する
。
に接合するとき、放熱効果をよくするため、ヒートシン
ク基板に対するLEDアレイチップのジャンクションを
下向きにし、P側電極をヒートシンク基板側に接合する
。
【0051】上述したLEDは、基板結晶がInPであ
り、光ファイバの伝送損失を小さくするため、中心波長
が1.3μmに設定されているほか、その光接合特性を
向上させるため、N側電極のある基板面がドライエッチ
ングにてレンズ状に加工されたモノシリック構造を有す
る。
り、光ファイバの伝送損失を小さくするため、中心波長
が1.3μmに設定されているほか、その光接合特性を
向上させるため、N側電極のある基板面がドライエッチ
ングにてレンズ状に加工されたモノシリック構造を有す
る。
【0052】電気絶縁性をもつヒートシンク基板として
は、熱膨張係数がシリコンと同程度であり、熱伝導率が
シリコンの約2倍であるシリコンカーバイドを用いた。
は、熱膨張係数がシリコンと同程度であり、熱伝導率が
シリコンの約2倍であるシリコンカーバイドを用いた。
【0053】ヒートシンク基板において、あらかじめ、
内径=0.7mmφの位置合わせガイドを蝋付するため
の位置決めパッドを設ける箇所、N側電極、P側電極の
リード電極パターンを設ける箇所、特に、LEDアレイ
チップ、位置合わせガイドを実装する箇所は、半田がよ
く拡散する、いわゆる、濡れ性のよい金メッキを施した
。
内径=0.7mmφの位置合わせガイドを蝋付するため
の位置決めパッドを設ける箇所、N側電極、P側電極の
リード電極パターンを設ける箇所、特に、LEDアレイ
チップ、位置合わせガイドを実装する箇所は、半田がよ
く拡散する、いわゆる、濡れ性のよい金メッキを施した
。
【0054】LEDアレイチップも、P側電極の表面側
に金を配し、その下地として、金の拡散を防止するチタ
ン製のバッファ層を1000A厚で形成した。
に金を配し、その下地として、金の拡散を防止するチタ
ン製のバッファ層を1000A厚で形成した。
【0055】LEDアレイチップの下面、ヒートシンク
基板の上面に備える位置決めパッドとしては、Sn−P
b−In系の半田を用い、P側電極の下部、リード電極
の上部には、それぞれ、前記のようにして63%錫−残
部鉛の合金を析出させる半田をつけた。
基板の上面に備える位置決めパッドとしては、Sn−P
b−In系の半田を用い、P側電極の下部、リード電極
の上部には、それぞれ、前記のようにして63%錫−残
部鉛の合金を析出させる半田をつけた。
【0056】これらの仕様、条件下において、前記図2
(A)(B)(C)の工程順にLEDアレイチップとヒ
ートシンク基板とを接合したところ、図2(A)の時点
でみられた100μm程度の位置ずれが、図2(B)の
階段で是正され、その後、図2(C)の工程を終えたと
き、互いに接続すべき上下一対の各P側電極、リード電
極が他所と短絡することなく精密に接合され、位置合わ
せガイドも、同時に所定位置へ±10μmの位置へ固定
された。
(A)(B)(C)の工程順にLEDアレイチップとヒ
ートシンク基板とを接合したところ、図2(A)の時点
でみられた100μm程度の位置ずれが、図2(B)の
階段で是正され、その後、図2(C)の工程を終えたと
き、互いに接続すべき上下一対の各P側電極、リード電
極が他所と短絡することなく精密に接合され、位置合わ
せガイドも、同時に所定位置へ±10μmの位置へ固定
された。
【0057】以上のようにしてコンピュ−タ間の光パラ
レル伝送用の、多心光コネクタ付の多心被覆光ファイバ
(8心)と光学的に接続する際に用いられるLEDアレ
イが製造される。
レル伝送用の、多心光コネクタ付の多心被覆光ファイバ
(8心)と光学的に接続する際に用いられるLEDアレ
イが製造される。
【0058】つぎに、本発明に係るLEDアレイチップ
とヒートシンク基板との接合方法について、その実施例
を説明する。ヒートシンク基板31のリード電極32お
よび位置決めパッド33a、33b上に錫リッチ錫−鉛
合金を析出させるまでの第1段階は、前記実施例と同じ
である。この実施例では、第2段階として、図2(A)
の状態のLEDアレイチップ21の下面とヒートシンク
基板31の上面とを互いに対面させ、上下に対をなす各
位置決めパッド24a:33a、24b:33bを互い
に重ねた後、これを有機酸鉛塩溶液に浸漬して加熱する
。これにより、錫リッチ錫−鉛合金と溶液中の鉛イオン
が反応して、錫−鉛合金が析出し、前記のように、相互
に接続すべき各P側電極23と各リード電極32とが、
精密に位置合わせされて溶接される。
とヒートシンク基板との接合方法について、その実施例
を説明する。ヒートシンク基板31のリード電極32お
よび位置決めパッド33a、33b上に錫リッチ錫−鉛
合金を析出させるまでの第1段階は、前記実施例と同じ
である。この実施例では、第2段階として、図2(A)
の状態のLEDアレイチップ21の下面とヒートシンク
基板31の上面とを互いに対面させ、上下に対をなす各
位置決めパッド24a:33a、24b:33bを互い
に重ねた後、これを有機酸鉛塩溶液に浸漬して加熱する
。これにより、錫リッチ錫−鉛合金と溶液中の鉛イオン
が反応して、錫−鉛合金が析出し、前記のように、相互
に接続すべき各P側電極23と各リード電極32とが、
精密に位置合わせされて溶接される。
【0059】この場合も、錫−鉛合金の組成は加熱条件
により調整可能である。有機酸鉛塩溶液としては、鉛含
有率9%のロジン酸鉛100gと、スクアレン80gを
混合したもの(鉛濃度5wt%)などを使用することが
できる。
により調整可能である。有機酸鉛塩溶液としては、鉛含
有率9%のロジン酸鉛100gと、スクアレン80gを
混合したもの(鉛濃度5wt%)などを使用することが
できる。
【0060】なお、この実施例の場合は、ヒートシンク
基板31のリード電極32、位置決めパッド33a、3
3b上の錫リッチ錫−鉛合金上のしたLEDアレイチッ
プ21のP側電極23と位置決めパッド24a、24b
と重ねただけでは、ヒートシンク基板31上にLEDア
レイチップ21を仮固定できないので、LEDアレイチ
ップ21を接着剤等によりヒートシンク基板31に仮固
定する必要がある。
基板31のリード電極32、位置決めパッド33a、3
3b上の錫リッチ錫−鉛合金上のしたLEDアレイチッ
プ21のP側電極23と位置決めパッド24a、24b
と重ねただけでは、ヒートシンク基板31上にLEDア
レイチップ21を仮固定できないので、LEDアレイチ
ップ21を接着剤等によりヒートシンク基板31に仮固
定する必要がある。
【0061】以上の方法でヒートシンク基板にLEDア
レイチップを実装した結果、半田付けの状態が良好で、
ブリッジの発生もない精密に位置合わせされた溶接が行
われた。
レイチップを実装した結果、半田付けの状態が良好で、
ブリッジの発生もない精密に位置合わせされた溶接が行
われた。
【0062】
【発明の効果】本発明方法は、ヒートシンク基板のリー
ド電極および位置決めパッド上だけに錫−鉛合金を選択
的に析出できるという特性を利用してLEDアレイチッ
プ側の各P側電極とヒートシンク基板側の各リード電極
とを精密に接合するから、格別の技術難度を要すること
なく、ピッチが細かい場合でも電極相互の短絡防止、熱
抵抗の抑制しながら、LEDアレイを歩留りよく製造す
ることができ、LEDアレイと光ファイバとの精密な軸
合わせに関する技術的対策も、必要に応じて容易に実施
することができ、特に、リード電極、位置決めパッド上
に析出される半田合金の量、組成が容易に制御できるこ
とから、製造歩留り、生産性が高まり、真空プロセスな
どに比べて、特性のよいものを安価に制作することがで
きる。
ド電極および位置決めパッド上だけに錫−鉛合金を選択
的に析出できるという特性を利用してLEDアレイチッ
プ側の各P側電極とヒートシンク基板側の各リード電極
とを精密に接合するから、格別の技術難度を要すること
なく、ピッチが細かい場合でも電極相互の短絡防止、熱
抵抗の抑制しながら、LEDアレイを歩留りよく製造す
ることができ、LEDアレイと光ファイバとの精密な軸
合わせに関する技術的対策も、必要に応じて容易に実施
することができ、特に、リード電極、位置決めパッド上
に析出される半田合金の量、組成が容易に制御できるこ
とから、製造歩留り、生産性が高まり、真空プロセスな
どに比べて、特性のよいものを安価に制作することがで
きる。
【図1】本発明方法が対象とするLEDアレイを略示し
た斜視図である。
た斜視図である。
【図2】本発明方法の要部をその工程(A)(B)(C
)順に略示した説明図である。
)順に略示した説明図である。
【図3】多心光コネクタを略示した斜視図である。
11 LEDアレイ
21 LEDアレイチップ
22 N側電極
23 P側電極
24a 位置決めパッド
24b 位置決めパッド
31 ヒートシンク基板
32 リード電極
33a 位置決めパッド
33b 位置決めパッド
34a 位置合わせガイド
34b 位置合わせガイド
Claims (1)
- 【請求項1】 LEDアレイチップの下面にパターン
形成された各電極と、ヒートシンク基板の上面にパタ−
ン形成された各リード電極とを互いに一致させて接合す
る方法において、これらLEDアレイチップ下面、ヒー
トシンク基板上面の少なくとも一方に、上記電極、リー
ド電極と同等以下の融点をもつ蝋付合金にて上下に対応
する複数対の位置決め用パッドを設けること、および、
該各位置決め用パッド、これに対応するLEDアレイチ
ップ下面、ヒートシンク基板上面の少なくとも一つに、
錫粉混入有機酸鉛塩ペーストを塗布し、そのペーストを
含む部分を加熱溶融して、最終的に得ようとする錫−鉛
合金よりも錫含有量の多い錫リッチの錫−鉛合金を当該
加熱処理部に析出させること、および、上記LEDアレ
イチップ下面とヒートシンク基板上面とを互いに対面さ
せ、上記析出部分に鉛イオン含有フラックスを接触させ
た後、そのフラックスを含む部分を加熱溶融し、かつ、
該溶融金属の表面張力によりLEDアレイチップを移動
させて、相互に接続すべき各電極と各リード電極とを位
置合わせすること、および、該溶融状態における上記錫
リッチの錫−鉛合金と鉛イオンとの反応により、錫−鉛
合金を当該加熱処理部に析出させて、これら電極相互を
溶接することを特徴とするLEDアレイチップとヒート
シンク基板との接合方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11533491A JP2825365B2 (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | Ledアレイチップとヒートシンク基板との接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11533491A JP2825365B2 (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | Ledアレイチップとヒートシンク基板との接合方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04321281A true JPH04321281A (ja) | 1992-11-11 |
JP2825365B2 JP2825365B2 (ja) | 1998-11-18 |
Family
ID=14659984
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11533491A Expired - Fee Related JP2825365B2 (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | Ledアレイチップとヒートシンク基板との接合方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2825365B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05152605A (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-18 | Nec Corp | アレイ状光素子及びその実装基板 |
JP2002270903A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-20 | Rohm Co Ltd | 裏面発光チップ型発光素子 |
JP2003110148A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光装置 |
JP2009054892A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Ledチップの実装方法 |
-
1991
- 1991-04-19 JP JP11533491A patent/JP2825365B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05152605A (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-18 | Nec Corp | アレイ状光素子及びその実装基板 |
JP2002270903A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-20 | Rohm Co Ltd | 裏面発光チップ型発光素子 |
JP2003110148A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光装置 |
JP2009054892A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Ledチップの実装方法 |
US8802460B2 (en) | 2007-08-28 | 2014-08-12 | Panasonic Corporation | Method of mounting LED chip |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2825365B2 (ja) | 1998-11-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |