JPH09148623A - 光受発光素子の実装方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 実装用基板の基準面から実装される光受発光
素子の光軸までの高さを超高精度に実装可能であり、従
来の半導体プロセスを応用でき低コストで実現容易な、
光受発光素子の実装方法を提供する。 【解決手段】 ヒートシンク作用を有する実装用基板１
上の基板電極３に光受発光素子２の素子電極４を固定す
る光受発光素子の実装方法であって、基板電極３を少な
くとも２層以上の多層金属層からなる基板多層金属層３
ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄを形成し、基板多層金属層の基板
最上金属層３ｄは金で形成されており、素子電極４を少
なくとも２層以上の多層金属層からなる素子多層金属層
４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄを形成し、素子多層金属層の素
子最上金属層４ｃ，４ｄは金で形成されており、基板最
上金属層３ｄと素子最上金属層４ｃ，４ｄとを所定の位
置関係に配置するとともに直接接触させ、基板最上金属
層３ｄと素子最上金属層４ｃ，４ｄの少なくとも一方を
加熱し、素子電極４を基板電極３に固定することを特徴
とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光受発光素子の実
装方法に係り、更に詳細には、実装用基板上の基板電極
に光受発光素子の素子電極を固定することにより、光受
発光素子を実装基板に実装する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】光インターコネクション回路、双方向光
通信モジュール部品等の分野において、光受発光素子
（光受光素子あるいは光発光素子）のチップあるいはア
レイが実装された基板を基板ごとに他の光受動導波路型
部品またはＭＴコネクタファイバ部品に、レンズを介在
させずにバットジョイントによる無調芯ピン嵌合によっ
て直接的に接続することがしばしば要求される。この場
合、実装の位置精度の良否が、直接、接続損失の大小に
影響するので、接続損失を少なくするためには光受発光
素子を実装基板の所定位置に超高精度に実装する必要が
ある。

【０００３】従来、光半導体能動素子の実装方法におい
ては、半田付け技術を利用した潰れ調節式チップ接合や
ダイボンディングやフリップチップ接合等が知られてい
る。一般的な従来の半田付け技術による実装方法は、素
子チップをボンディング用基板（金属ステムを含む）上
に位置決めし、チップ側の電極、即ち素子電極と基板側
の電極、即ち基板電極の間に金錫や金シリコンやＡｕＧ
ｅ等の共晶半田材、または比較的に低融点の鉛やインジ
ュムや錫等の混合半田材を介在させて両者を加熱、溶融
する方法である。この方法では、半田材の溶融および冷
却によって素子チップをボンディング用基板上に固定す
ると共に電気的に接続している。

【０００４】また、比較的に高い実装精度を必要とする
ものに関しては、予め基板側に半田バンプ（球に近い形
状を有するものと単なる平坦な薄膜形状のものとがあ
る）を蒸着あるいはメッキ等のプロセスにより形成して
おき、半田バンプを加熱、溶融し、この際の表面張力に
よるセルフアライメント効果を利用して位置合わせ精度
を高めるボンディングが行われている。

【０００５】従来の半導体のレーザダイオード（ＬＤ）
やフォトダイオード（ＰＤ）等のデバイス素子及び電子
回路部品を集積し、レンズを用いて光結合を行う半導体
モジュールでは、これまで所要実装精度は厳しくても数
μｍ程度のオーダであるとされていたので、前述の半田
付け等の従来技術を用いていても、実装精度上で特に問
題はなかった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、最近コンピ
ュータ用回路の高速化に伴い、光化インターコネクショ
ン分野が急速に発展を見せている。また、光通信分野で
は、光加入者網システムの構築等の光化が進むにつれ
て、双方向光送受信モジュール等の開発が要請されるよ
うになってきた。これらの分野では、光を伝搬する空間
を極力小さくする必要があるため、レンズ系等の長光路
型の結合方式をなるべくやめ、直接的なバットジョイン
ト方式が要求されるようになった。

【０００７】さらに、バットジョイント方式において
も、光能動素子と光受動素子との光接続損失はレンズを
用いた結合系と同程度の極めて低損失であることが要求
されている。さらに、これらのモジュール構成の低価格
化が要求されている。

【０００８】要求されるこれらの仕様を満足するために
は、レンズ系による結合接続に代わって能動素子と受動
素子とを直接的に結合するバットジョイント方式が重視
されてきており、しかも素子の組立時における光軸の接
続方法では、調芯型による光軸の位置合わせよりも無調
芯型によるピン嵌合接続が主流となりつつある。そこ
で、無調芯型接続に使われるピン嵌合用の実装基板上に
形成されている電極パッド（配線パターンを含む）上の
所定位置に、レーザダイオードやフォトダイオード等の
光能動素子を直接的にボンディングできるようにするこ
とが不可欠の開発課題となる。

【０００９】しかしながら、バットジョイント方式によ
る結合では、レンズ系の結合と異なり、レーザ素子等の
発光素子の発光面位置（光軸）が受光素子等（ＰＤ、受
動光導波路部品、ＭＴコネクタ、光ファイバ等）の光軸
から僅かにずれても、非常に大きな結合損失が生じてし
まう。このため、実装精度に許容されるズレ量は、縦方
向および横方向についてわずかに１μｍ程度以下であ
り、非常に小さい。

【００１０】これに対し、半田材による光受発光素子と
実装用基板とのボンディングの精度は高々数μｍである
という実状であり、所望の実装精度を満足することがで
きない。

【００１１】また、自動アライメントが可能である特殊
球状半田バンプの形成は、形成工程が複雑であり、バン
プの高さや幅や直径等のばらつきを制御することが困難
である。また形成コストも高く、現在求められている超
低価格の双方向通信モジュールやインターコネクション
用モジュール等に要求される製造コストに見合うことが
できない。

【００１２】さらに、もう一つの問題として、ボンディ
ング前後の光軸の高さを高精度に制御できないことがあ
る。現在のボンディング装置は、その画像処理系や、加
圧や加熱手段等の制御系等の性能が極めて進歩してい
る。例えば、画像処理系では、上下２視野光学系カメラ
や多階調処理によるパターン認識等を用いることによ
り、１μｍオーダの位置合わせ制御が可能である。ま
た、制御系では、加圧を１ｍｇオーダ、加熱を１°Ｃ以
下の精度で、加重モニタリングや熱による装置の伸び縮
みをオートキャリブレーション機能等により制御でき、
特に実装用基板を加熱するセットヒータと基板をセット
するヒータ部との平行度がよく、これらの制御により素
子チップを実装用基板の平面内のｘ，ｙ方向の位置合わ
せを超高精度に制御することができる。

【００１３】しかしながら、実装用基板の平面内のｘ，
ｙ方向の位置合わせ制御を超高精度にできるとしても、
実装用基板の基準面から光受発光素子の光軸までの高さ
の制御に関しては、半田の厚みのばらつきや半田溶融時
に発生する表面張力や半田の沈み量等に依存するため高
精度に確実に制御することができないというのが実状で
ある。また、半田による実装方法では、特に素子をアッ
プサイドダウンで実装する場合には、半田が素子のｐｎ
接合を短絡してしまうおそれがあるために、電極の膜厚
を必要以上に厚く（例えば５μｍ以上に）形成すること
が必要であり、製造コストの上昇を招いていた。

【００１４】そこで本発明の目的は、上記従来技術の有
する問題を解消し、実装用基板の基準面から実装される
光受発光素子の光軸までの高さを超高精度に実装可能で
あり、従来の半導体プロセスを応用でき低コストで実現
容易な、光受発光素子の実装方法を提供することであ
る。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による光受発光素子の実装方法は、実装用基
板の基板電極に光受発光素子の素子電極を固着させるこ
とにより、実装用基板に光受発光素子を実装する方法で
あって、金で形成された最上層を有する複数層の積層金
属層でもって前記基板電極及び前記素子電極をそれぞれ
構成し、基板電極及び素子電極の最上層同士を直接接触
させ、基板電極及び素子電極の最上層のうち少なくとも
一方を加熱して最上層同士を相互に溶融させ、これによ
り実装用基板の基板電極に光受発光素子の素子電極を固
着させることを特徴としている。

【００１６】好適には、実装用基板としてヒートシンク
作用を有する基板を使用し、基板電極の最上層の形状を
素子電極の最上層の形状にほぼ相似させ、かつその面積
寸法を少なくとも素子電極の最上層の寸法面積と同じに
する。素子電極の電極は、基本的にはオーミック電極
と、素子の実装のためにその上に形成された少なくとも
厚さ２００ｎｍの金の蒸着層とから構成される。また、
金の蒸着膜上には、基板電極との位置合わせのためのパ
ターンが形成されている。一方、基板電極の電極は、好
適には、クロム蒸着層、チタン蒸着層、白金蒸着層及び
金蒸着層の順で蒸着形成され、最上層の金蒸着層の厚さ
は少なくとも２００ｎｍで形成される。また、素子電極
の最上層を構成する金層の厚さも、少なくとも２００ｎ
ｍであることが望ましい。また、基板上には、素子電極
との位置合わせのためのパターンを設けておくのが望ま
しい。ここで、基板電極の最上層の膜厚を２００ｎｍ以
上としたのは，２００ｎｍ以上とすることで加熱固定し
た電極の固着強度、信頼性を十分高めることができるか
らである。尚、膜厚をより増加すれば、固着信頼性を益
々高めることができるが、あまりに厚くすると、材料
費、時間の面で好ましくない。また、従来のように電極
の金属層の膜厚を５μｍ以上とすることは、面内膜厚分
布を均一にすることが難しくなってくるので、かえって
好ましくない。更に、望ましくは、基板電極の最上層を
形成する金蒸着層上に金メッキ層を設ける。

【００１７】また、本発明方法の好適な実施態様は、実
装用基板の基板電極に光受発光素子の素子電極を固着さ
せるに際し、基板電極の最上層と素子電極の最上層との
位置合わせを行い、基板電極及び素子電極の最上層同士
を直接接触させ、かつその接触面に均一な分布で圧力を
印加し、次いで、接触面を加熱することを特徴としてい
る。

【００１８】更に、本発明方法の好適な実施態様は、基
板電極及び素子電極の最上層表面にそれぞれ位置合わせ
用の凹型又は凸型のパターンを形成し、基板電極の最上
層と素子電極の最上層とを相互に位置合わせする際に、
基板電極及び素子電極の位置合わせ用のパターンを画像
検出し、かつ画像処理して、基板電極の最上層と素子電
極の最上層との位置合わせを行うことを特徴としてい
る。

【００１９】また、位置合わせ用のパターンを用いて位
置合わせをする方法は、例えば、基板最上金属層と素子
最上金属層とを所定の位置関係に配置し、光受発光素子
は実装用基板の基準面平面内のｘ，ｙ方向の位置合わせ
を行い、さらに、基板最上金属層と素子最上金属層との
間に金属半田類あるいは導電性樹脂やペースト等を介在
させることなく直接接触させ、加熱して電気的に接続す
る。これにより、実装用基板の基準面から実装される光
受発光素子の光軸までの高さにおいて、超高精度に実装
することができる。

【００２０】

【実施例】以下に図面を参照して本発明に係る光受発光
素子の実装方法を説明する。実施例１ 図１は実装用基板１の基板電極３に光受発光素子２を実
装する実施例１の方法を示す斜視図であり、図２は光受
発光素子２の斜視図である。光受発光素子２は、ｐｎ接
合構造を有する埋込型のレーザダイオードチップであ
る。光受発光素子２において、ｎ型基板２ａの上にｎ型
クラッド層２ｂ、ｎ型ブロッキング層２ｃ、ｐ型クラッ
ド層２ｄ、ｐ型ギャップ層２ｅが順に層設され、ｐ型ギ
ャップ層２ｅ上にはｐ側電極４が基板電極３に接続され
る素子電極として形成され、ｎ側基板２ａの下側にはｎ
側電極５が形成され、ｎ側電極５の外側には金（Ａｕ）
からなるｎ側電極６がさらに形成されている。

【００２１】素子電極としてのｐ側電極４は、ｐ側オー
ミック電極を構成する３層の金属層４ａ、４ｂ、４ｃ
と、ｐ側オーミック電極の最外層の金属層４ｃ上に形成
された金メッキ層４ｄとから構成されている。すなわ
ち、ｐ側電極４は、ｐ型ギャップ層２ｅ上に形成された
Ｔｉ層４ａと、Ｔｉ層４ａ上に形成されたＰｔ層４ｂ
と、Ｐｔ層４ｂ上に形成されたＡｕ層４ｃとからなるｐ
側オーミック電極と、Ａｕ層４ｃに形成された金メッキ
層４ｄとから構成されており、素子最上金属層は、Ａｕ
層４ｃと金メッキ層４ｄとからなる。ここで、金属層４
ｄをメッキにより形成したのは、メッキの方が蒸着より
も平面度の良い厚膜を速く形成できるという理由からで
ある。従って、金属層４ｄを含めて、金属層を蒸着で形
成することも可能である。また、ｐ型クラッド層２ｄの
中央部の下方には、レーザ光の発光部であるＭＱＷ活性
層２ｆが形成されており、ＭＱＷ活性層２ｆの位置は光
軸の位置に相当する。金メッキ層４ｄには、位置合わせ
のための凸状あるいは凹状の位置合わせパターン７が形
成されている。

【００２２】図３は実装用基板１を示す斜視図である。
符号８は高抵抗絶縁性のＳｉ基板を示す。Ｓｉ基板８の
基準面８ａは高平坦度に形成されている。（なお、Ｓｉ
基板８は導電性の基板を用いる場合には、０．１μｍ程
度の厚みのＳｉＯ2等の絶縁膜をスパッタリングにより
Ｓｉ基板表面全面に予め形成しておくことが望まし
い。）Ｓｉ基板８上には、実装用の基板電極３が形成さ
れている。基板電極３は光受発光素子２を実装するため
に設けられた方形状の素子実装部３ｅとこれに接続され
た配線パターン部３ｆとからなる。

【００２３】基板電極３は、Ｓｉ基板８上に順に形成さ
れた厚さ５０ｎｍのＣｒ金属層３ａと、厚さ１００ｎｍ
のＴｉ金属層３ｂと、厚さ５０ｎｍ厚さのＰｔ金属層３
ｃと、基板最上金属層としての厚さ３００ｎｍのＡｕ金
属層３ｄからなる４層の金属層が蒸着されて形成されて
いる。また、Ａｕ金属層３ｄ上には、必要に応じて金メ
ッキ層が形成されており、基板電極３の表面には、凹状
あるいは凸状の位置合わせパターン９が形成されてお
り、位置合わせパターン９は蒸着層４ｄに形成された位
置合わせパターン７と同一の寸法形状で形成されてい
る。

【００２４】次に、実装用基板１に光受発光素子２を実
装する工程について説明する。図１に示すように光受発
光素子２の素子電極４をジャンクションダウン形式で実
装用基板１の基板電極３の素子実装部３ｅにボンディン
グする。この際、先ず、光学顕微鏡で観察しながらある
いは光学顕微鏡で得られた画像を画像処理データを参照
しながらアライメント治具（図示しない）によって、位
置合わせパターン９と位置合わせパターン７とが合致す
るように高精度に位置合わせをする。この結果、光受発
光素子２は基準面８ａ上で所定のｘ、ｙ座標位置に位置
決めされている。

【００２５】次に、ボンディングツールに吸着されてい
る光受発光素子２を基準面８ａに向かって降下させ、素
子最上金属層を構成するＡｕ層４ｃおよび蒸着層４ｄを
基板最上金属層を構成するＡｕ金属層３ｄに接触させ、
接触面に均一の圧力を加えつつ密着させる。この際、両
者の接触面に均一の圧力が加えられるように、ボンディ
ングツールとして使用される吸着ツールは、平面型のも
のが用いられる。

【００２６】次に、光受発光素子２を保持する素子ツー
ル側および実装用基板１を保持する基板セット側から熱
を加える。なお、この熱の印加は基板セット側からのみ
行ってもよい。この結果、Ａｕ層４ｃおよび蒸着層４ｄ
とＡｕ金属層３ｄとが加熱され、金−金同士の相互拡散
作用により金−金界面が完全に混ざり合い一体化して接
合される。光受発光素子２の素子電極４は実装用基板１
の基板電極３に必要な強度で固定される。

【００２７】ここで、ボンディング条件は、加熱温度：
３２０°Ｃ〜３５０°Ｃ程度、加重：５０〜８０ｇｍ
ｆ、接触接合時間３０〜５０秒程度に設定された。基板
電極３は、４層の金属蒸着膜（Ｃｒ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａ
ｕ）から形成されているので、基板セット側から加えた
熱は基準面８ａの平面度を崩すことなくＡｕ金属層３ｄ
に熱は伝達される。また、素子電極としてのｐ側電極４
は、３層の金属層（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）からなるｐ側オ
ーミック電極と金メッキ層４ｄとから構成されているの
で、素子ツール側あるいは基板セット側から加えられた
熱は、ｐ側オーミック電極の下層の金属層（Ｔｉ／Ｐ
ｔ）を熱的に変質させることなく、素子最上金属層を構
成するＡｕ層４ｃと蒸着層４ｄとに伝達される。そし
て、上述したように、基準面８ａの平面度を崩すことな
く、またｐ側オーミック電極を変質させることなく、金
−金同士の相互拡散作用により素子電極４と基板電極３
とを一体化して接合できるのである。また、Ａｕ金属層
３ｄ上に金メッキ層が形成されているので、接触面の平
面度がよくなるので金−金同士の相互拡散作用をさらに
有効に発生させることができる。

【００２８】次に、上述した実装方法による実装結果の
位置精度について説明する。この位置精度の検査につい
ては、実装用基板１の基準面８ａ上のｘ，ｙ平面上の横
方向の位置精度と、基準面８ａからＭＱＷ活性層２ｆに
ある光軸位置までの高さ方向の位置精度とについて調べ
た。この検査を行うために、実装用基板１の基準面８ａ
上の両サイドにＶ溝（図示しない）を形成するととも
に、基準面８ａ上の所定に凹状あるいは凸状の位置検査
用パターン（図示しない）を形成しておく。

【００２９】まず横方向の位置精度の評価は、赤外線反
射顕微鏡を用い、位置合わせパターン９と位置合わせパ
ターン７とのズレ量を測定すること、および位置合わせ
パターン７、９と位置検査用パターンとの相対的距離を
測定することによって行われた。この結果、光受発光素
子２の実装前後の横方向のズレ量は０．５μｍであり、
十分満足できる範囲にあることが確認された。

【００３０】また、高さ方向の位置精度の評価は、基準
面８ａ上の両サイドに形成したＶ溝を介したマスター光
ファイバ付きＭＴコネクタと接続した赤外線カメラを用
い、光受発光素子２の発光部光スポットの基準面８ａか
らの位置と、マスター光ファイバ付きＭＴコネクタの光
出力ポートにおける光スポットの基準面８ａからの位置
とを画像処理系により比較して行われた。この結果、光
受発光素子２の実装前後の縦方向のズレ量は０．３μｍ
であり、十分満足できる範囲にあることが確認された。

【００３１】なお、上述の実施例において、位置合わせ
パターン７および位置合わせパターン９は、任意の形状
で良く、例えば凹状あるいは凸状のいずれの凹凸形状や
いずれの平面的形状であっても、ボンディング強度や位
置ズレ等に影響がないことが確認された。以上、本実施
例の構成によれば、実装用基板１の基準面８ａから実装
された光受発光素子２のＭＱＷ活性層２ｆ（光軸）まで
の高さを超高精度に保持しつつ実装することができる。
また、従来の半導体プロセスを応用でき、この超高精度
な実装を低コストで容易に実現することができる。

【００３２】実施例２ 次に、図４を参照して、本発明の実施例２について説明
する。本実施例は、光受発光素子としてのＬＤ素子（レ
ーザダイオード）１２とＦＤ素子（フォトダイオード）
２２とを実装用基板１１上に実装することに関する。実
施例１の場合と同様に、実装用基板１１のＳｉ基板１８
上に実装されるＬＤ素子１２とＦＤ素子２２の素子電極
は、複数層の積層金属層により形成されており、素子最
上金属層は金で形成されている。また、ＬＤ素子１２と
ＦＤ素子２２が実装される基板電極も複数層の積層金属
蒸着層により形成されており、基板最上金属層は金で形
成されている。また、素子最上金属層および基板最上金
属層の面上には、位置合わせのためのパターンが形成さ
れている。

【００３３】Ｓｉ基板１８の基準面１８ａ上の両サイド
にはマスター光ファイバ付きＭＴコネクタを接続するた
めのＶ溝２３と、位置検査用パターン２４とが形成され
ている。実施例１の場合と同様に、ジャンクションダウ
ン形式に従い、まずＬＤ素子１２を加熱工程を経てボン
ディングした。次いで、同様にＰＤ素子２２を加熱工程
を経てボンディングした。

【００３４】ここで、ＬＤ素子１２およびＦＤ素子２２
を実装する際に生じ得るズレ量を次のように観察した。
まず、ＬＤ素子１２のボンディング前後における横方向
および高さ方向の位置ズレ量を、実施例１と同様の方法
で測定した。次に、ＰＤ素子２２をボンディング後に、
最初にボンディングされたＬＤ素子１２の位置ズレを再
度測定した。また、２回目のボンディングにより、最初
にボンディングされたＬＤ素子１２と実装用基板１１の
基板電極との間の界面に異常が発生しているかを観察し
た。

【００３５】この結果、最初にボンディングされたＬＤ
素子１２の位置ズレは、２回目のボンディングにおける
加熱工程によって何ら影響を受けず、所望のズレ量の範
囲内にあることが確認された。また、２回目のボンディ
ングにおける加熱工程は、ＬＤ素子１２と実装用基板１
１の基板電極との間の界面に何ら異常を発生させないこ
とが確認された。

【００３６】半田材による従来のボンディングでは、２
回目以降に使用する半田材は、それより以前のボンディ
ング工程で使用する半田材の融点より低い融点を有する
ように選択する必要があった。これに対して、本発明に
よる実装方法では、複数回の加熱工程を含むボンディン
グ実装工程を含む場合にあっても、後のボンディング工
程により、先のボンディング結果に影響を与えることな
く、所望の位置決め精度でＬＤ素子１２およびＦＤ素子
２２を実装用基板１１上に実装することができる。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の構成によ
れば、金属半田類あるいは導電性樹脂やペースト等を介
在させることなく直接接触させるようにしたので、実装
用基板の基準面に対し、横方向のみならず高さ方向にお
いても、従来出来なかった高精度な位置決め（１μｍか
らサブミクロンオーダーまで）で光受発光素子を実装用
基板に実装することができる。しかも、半田バンプの形
成や複雑な制御装置を必要としない。また、同一基板上
にボンディングを何回行っても以前にボンディングを行
っている部分にズレは生じない。この結果、従来の半導
体プロセスを応用でき低コストで実現容易な光受発光素
子の実装方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の実装用基板の基板電極に
光受発光素子を実装する工程を示す斜視図。

【図２】光受発光素子としての埋込型のレーザダイオー
ドチップを示す斜視図。

【図３】実装用基板を示す斜視図。

【図４】実装用基板に複数の光受発光素子を実装した本
発明の第２の実施例を示す斜視図。

【符号の説明】

１ 実装用基板 ２、１２、２２ 光受発光素子 ２ｆ ＭＱＷ活性層（光軸） ３ 基板電極 ３ｄ 基板最上金属層（Ａｕ金属層） ４ｃ，４ｄ 素子最上金属層 ７、９ 位置合わせパターンキャリア ８ Ｓｉ基板 ８ａ 基準面

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 実装用基板に光受発光素子を実装する方
   法であって、 金で形成された最上層を有する複数層の積層金属層でも
   って前記基板電極及び前記素子電極をそれぞれ構成し、 基板電極及び素子電極の最上層同士を直接接触させ、基
   板電極及び素子電極の最上層のうち少なくとも一方を加
   熱して最上層同士を相互に溶融させて、実装用基板に設
   けられた基板電極に光受発光素子の素子電極を固着させ
   ることにより、実装用基板に光受発光素子を実装するこ
   とを特徴とする光受発光素子の実装方法。
2. 【請求項２】 基板電極及び素子電極の最上層の膜厚
   が、それぞれ２００ｎｍ以上であることを特徴とする請
   求項１に記載の光受発光素子の実装方法。
3. 【請求項３】 実装用基板の基板電極に光受発光素子の
   素子電極を固着させるに際し、 基板電極の最上層と素子電極の最上層との位置合わせを
   行い、 基板電極及び素子電極の最上層同士を直接接触させ、か
   つその接触面に均一な分布で圧力を印加し、 次いで、接触面を加熱することを特徴とする請求項１又
   は２に記載の光受発光素子の実装方法。
4. 【請求項４】 基板電極及び素子電極の最上層表面にそ
   れぞれ位置合わせ用の凹型又は凸型のパターンを形成
   し、 基板電極の最上層と素子電極の最上層とを相互に位置合
   わせする際に、基板電極及び素子電極の位置合わせ用の
   パターンを画像検出し、かつ画像処理して、基板電極の
   最上層と素子電極の最上層との位置合わせを行うことを
   特徴とする請求項３に記載の光受発光素子の実装方法。