JPH04152682A - アレイ状光素子用サブ基板の作製方法 - Google Patents
アレイ状光素子用サブ基板の作製方法Info
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- JPH04152682A JPH04152682A JP2278088A JP27808890A JPH04152682A JP H04152682 A JPH04152682 A JP H04152682A JP 2278088 A JP2278088 A JP 2278088A JP 27808890 A JP27808890 A JP 27808890A JP H04152682 A JPH04152682 A JP H04152682A
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- Y10T29/49151—Assembling terminal to base by deforming or shaping
- Y10T29/49153—Assembling terminal to base by deforming or shaping with shaping or forcing terminal into base aperture
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光通信用並列伝送光モジュール等に用いられ
るアレイ状光素子を固定するサブ基板の作製方法に関す
る。
るアレイ状光素子を固定するサブ基板の作製方法に関す
る。
［従来の技術〕
光通信は光ファイバ、半導体レーザ（ＬＤ） 、発光ダ
イオード（ＬＥＤ） 、フォトダイオード（ＰＤ）を始
めとして、光スィッチ、光変調器、アイソレータ。
イオード（ＬＥＤ） 、フォトダイオード（ＰＤ）を始
めとして、光スィッチ、光変調器、アイソレータ。
光導波路等の変動、能動素子の高性能、高機能化により
応用範囲が拡大されつつある。近年、より多くの情報を
伝達する要求が高まる中で、コンピュータ端末間、交換
器や大型コンピュータ間のデータ伝送を実時間で並列に
行う並列伝送が注目されつつある。この機能を満足する
ものとして、複数の発光あるいは受光素子と複数の光フ
ァイバとを一体化した並列伝送モジュールがある。通常
、発光（受光）素子は同一半導体基板上にモノリシック
に複数個配列したＬＥＤあるいはＬＤ、 ＰＤアレイが
用いられている（以下、発受光素子はＬＥＤアレイに代
表させる）。通常、ＬＥＤアレイの裏面には、電気コン
タクト、あるいは位置決めのために分離された電極が設
けられている。また、ＬＥＤアレイは、電極のパターン
が形成され、外部の電気回路とのインターフェイスとな
るサブ基板に実装される。第２図（ａ）は、−数的なＬ
ＥＤアレイのサブ基板であり、第２図（ｂ）はその断面
図である。図において、アルミナ（ＡＩ、Ｏ，）やＡＩ
Ｎ等のベース（サブ基板）２１上に薄膜プロセスにより
Ｃｒ／ＮｉやＣｒ／Ａｕの電気配線パターン２２が設け
られ、その先端部がＬＥＤアレイとの接続部である。第
２図（Ｃ）は、ＬＥＤアレイ２５の裏面であり、分割さ
れたＡｕ電極２６が設けられている。
応用範囲が拡大されつつある。近年、より多くの情報を
伝達する要求が高まる中で、コンピュータ端末間、交換
器や大型コンピュータ間のデータ伝送を実時間で並列に
行う並列伝送が注目されつつある。この機能を満足する
ものとして、複数の発光あるいは受光素子と複数の光フ
ァイバとを一体化した並列伝送モジュールがある。通常
、発光（受光）素子は同一半導体基板上にモノリシック
に複数個配列したＬＥＤあるいはＬＤ、 ＰＤアレイが
用いられている（以下、発受光素子はＬＥＤアレイに代
表させる）。通常、ＬＥＤアレイの裏面には、電気コン
タクト、あるいは位置決めのために分離された電極が設
けられている。また、ＬＥＤアレイは、電極のパターン
が形成され、外部の電気回路とのインターフェイスとな
るサブ基板に実装される。第２図（ａ）は、−数的なＬ
ＥＤアレイのサブ基板であり、第２図（ｂ）はその断面
図である。図において、アルミナ（ＡＩ、Ｏ，）やＡＩ
Ｎ等のベース（サブ基板）２１上に薄膜プロセスにより
Ｃｒ／ＮｉやＣｒ／Ａｕの電気配線パターン２２が設け
られ、その先端部がＬＥＤアレイとの接続部である。第
２図（Ｃ）は、ＬＥＤアレイ２５の裏面であり、分割さ
れたＡｕ電極２６が設けられている。
ＬＥＤアレイ２５はアレイ方向に細長いバー状態であり
、表面と裏面との膜構成の差異により反りが生じる。従
い、単体の素子のような２〜３ｐｍ厚み素子側のＡｕ電
極と、２〜３ＩＩＩｎ厚みのサブ基板側ＡｕＳｎ電極と
のコンタクトを完全にするには、接合時に上から加圧す
る方法がある。しかし、ＬＥＤアレイはＧａＡｓやＩｎ
Ｐ等の脆い基板からできているので、これが損傷する危
険がある。そこで、サブ基板、あるいは素子に２０〜３
０ｐｍの高さのバンブ状の接合金属２３（例えばＰｂ５
ｎやＡｕ５ｎ）を設けて反りを吸収している。また、こ
の接合金属２３は、表面張力によるセルファライン効果
もあり、高精度の位置あわせの機能をも果たしている。
、表面と裏面との膜構成の差異により反りが生じる。従
い、単体の素子のような２〜３ｐｍ厚み素子側のＡｕ電
極と、２〜３ＩＩＩｎ厚みのサブ基板側ＡｕＳｎ電極と
のコンタクトを完全にするには、接合時に上から加圧す
る方法がある。しかし、ＬＥＤアレイはＧａＡｓやＩｎ
Ｐ等の脆い基板からできているので、これが損傷する危
険がある。そこで、サブ基板、あるいは素子に２０〜３
０ｐｍの高さのバンブ状の接合金属２３（例えばＰｂ５
ｎやＡｕ５ｎ）を設けて反りを吸収している。また、こ
の接合金属２３は、表面張力によるセルファライン効果
もあり、高精度の位置あわせの機能をも果たしている。
接合金属２３の周囲は接合金属が電極全体に広がらない
ように、ポリイミド等のダム２４が設けられている。
ように、ポリイミド等のダム２４が設けられている。
上記のごとく、サブ基板２１上へのアレイ状光素子との
接合にはＰｂ５ｎやＡｕＳｎ等のバンブ２３を介して行
われる。Ｐｂ５ｎバンブは、メツキプロセスにより容易
に形成できるが、ＬＥＤ側のＡｕ＠極との接合部が僅か
に経時変化（〜１１ｃｍ）を生じ、高精度な位置合わせ
を長期的に必要とする高信頼の光デバイスの接合には、
不都合とされている。そこで、接合金属として通常Ａｕ
Ｓｎが用いられるが、ＡｕとＳｎとの混合比を正確に管
理する必要があるため、メツキプロセスは使用が困難で
あり、蒸着で成膜が行われる。しかし、蒸着で数１０ｐ
ｍの厚みを設けることは、多大な工数を必要とし、生産
性が悪い。また、ボール状のＡｕＳｎをサブ基板のバン
ブの形成位置に配置する方法もあるが、約１００ｐ ｍ
φの小さいものであり１個ずつ載せるのは実用的ではな
い。サブ基板全体に微小なＡｕＳｎボールをばらまいて
おき、不必要なＡｕＳｎボールをふるいにかけることも
考えられるが、取り残しによるパターン不良の発生の危
険性がある。
接合にはＰｂ５ｎやＡｕＳｎ等のバンブ２３を介して行
われる。Ｐｂ５ｎバンブは、メツキプロセスにより容易
に形成できるが、ＬＥＤ側のＡｕ＠極との接合部が僅か
に経時変化（〜１１ｃｍ）を生じ、高精度な位置合わせ
を長期的に必要とする高信頼の光デバイスの接合には、
不都合とされている。そこで、接合金属として通常Ａｕ
Ｓｎが用いられるが、ＡｕとＳｎとの混合比を正確に管
理する必要があるため、メツキプロセスは使用が困難で
あり、蒸着で成膜が行われる。しかし、蒸着で数１０ｐ
ｍの厚みを設けることは、多大な工数を必要とし、生産
性が悪い。また、ボール状のＡｕＳｎをサブ基板のバン
ブの形成位置に配置する方法もあるが、約１００ｐ ｍ
φの小さいものであり１個ずつ載せるのは実用的ではな
い。サブ基板全体に微小なＡｕＳｎボールをばらまいて
おき、不必要なＡｕＳｎボールをふるいにかけることも
考えられるが、取り残しによるパターン不良の発生の危
険性がある。
本発明の目的は、上記の問題点を解決し、容易なバンブ
形成が可能で生産性が高く、低コストのアレイ状光素子
用サブ基板の作製方法を提供することにある。
形成が可能で生産性が高く、低コストのアレイ状光素子
用サブ基板の作製方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明によるアレイ状光素子
用サブ基板の作製方法においては、同一半導体基板にア
レイ状に複数個作り付けられ、かつ裏面に分割された電
極を有する発光あるいは受光素子を含む光素子を、バン
ブ状の接合金属を介して固定するアレイ状光素子用サブ
基板の作製方法であって、 転写工程と、溶融工程とを有し、 転写工程は、アレイ状光素子の裏面電極と同一のピッチ
のパターンでバンプ用接合金属をサブ基板上の各電極パ
ッドに転写する工程であり、溶融工程は、バンプ用接合
金属の溶融温度以上に加熱してバンプ用接合金属をサブ
基板に固定するものである。
用サブ基板の作製方法においては、同一半導体基板にア
レイ状に複数個作り付けられ、かつ裏面に分割された電
極を有する発光あるいは受光素子を含む光素子を、バン
ブ状の接合金属を介して固定するアレイ状光素子用サブ
基板の作製方法であって、 転写工程と、溶融工程とを有し、 転写工程は、アレイ状光素子の裏面電極と同一のピッチ
のパターンでバンプ用接合金属をサブ基板上の各電極パ
ッドに転写する工程であり、溶融工程は、バンプ用接合
金属の溶融温度以上に加熱してバンプ用接合金属をサブ
基板に固定するものである。
また、接合金属は、他の基板上に設けられた凹部に仮固
定され、その後サブ基板に転写するものであり、接合金
属は、リボン状であり、微小ポンチとダイスとを用いて
打抜かれて直接又は間接にサブ基板上に転写されるもの
である。
定され、その後サブ基板に転写するものであり、接合金
属は、リボン状であり、微小ポンチとダイスとを用いて
打抜かれて直接又は間接にサブ基板上に転写されるもの
である。
本発明のアレイ状光素子用サブ基板の作製方法によれば
、接合金属のバンブは、最初、同一のアレイピッチで表
面に型を設けた他の基板（転写基板）に仮に配列され、
その後サブ基板に転写される。従って、メツキや蒸着が
難しい接合金属、基板を使用する場合にも容易にバンプ
が形成できる。
、接合金属のバンブは、最初、同一のアレイピッチで表
面に型を設けた他の基板（転写基板）に仮に配列され、
その後サブ基板に転写される。従って、メツキや蒸着が
難しい接合金属、基板を使用する場合にも容易にバンプ
が形成できる。
他の基板への接合金属の仮固定は、通常ボール状の金属
をビンセット等でハンドリングして凹部に埋め込んだり
、多量の金属ボールを凹部にふりかけた後で基板を微小
に振動させ、凹部以外の金属ボールをふるい落す方法で
行われる。
をビンセット等でハンドリングして凹部に埋め込んだり
、多量の金属ボールを凹部にふりかけた後で基板を微小
に振動させ、凹部以外の金属ボールをふるい落す方法で
行われる。
この際、リボン状の薄い材料を微小なポンチとダイスで
打ち抜き、その余力で打ち抜いた金属部材を凹部に押圧
して仮固定することにより生産性を著しく向上できる。
打ち抜き、その余力で打ち抜いた金属部材を凹部に押圧
して仮固定することにより生産性を著しく向上できる。
また、上述の打ち抜き加工においてポンチあるいは基板
を予備加熱すれば、熱圧着の形態で基板に金属を仮固定
できる。従って、転写基板を使用せずにサブ基板に直接
接合バンプを転写することができ、製作工数の低減がで
きる。
を予備加熱すれば、熱圧着の形態で基板に金属を仮固定
できる。従って、転写基板を使用せずにサブ基板に直接
接合バンプを転写することができ、製作工数の低減がで
きる。
［実施例］
以下、本発明について図面を参照して詳細に説明する。
第１図は、本発明のサブ基板の作製方法の一例である。
（ａ）、 （ｄ）は、転写基板へのバンプの仮固定、（
ｂ）は、転写、（Ｃ）は、転写工程でバンプが形成され
たサブ基板、（ｅ）は、サブ基板へ直接バンプを形成す
る要領を示している。
ｂ）は、転写、（Ｃ）は、転写工程でバンプが形成され
たサブ基板、（ｅ）は、サブ基板へ直接バンプを形成す
る要領を示している。
図において、転写基板１１にはＡｕＳｎやＰｂ５ｎの軟
ろう材が付着しない金属、例えばＡＩが用いられ、転写
基板１１の表面には、バンプ受けの１００μｍφで、深
さ１００ｐ ｍの凹部１２が設けられている。この凹部
１２には、ボール状接合金属２３、例えば約１００ｐ
ｍφのＡｕＳｎがビンセット等によって設置される。接
合金属２３が配置されたら、第１図（ｂ）のように接合
金属２３の上に電極パッド２２が位置するようにサブ基
板２１を転写基板１１に重ね合わせる。電極バッド２２
は、縦横約２００ｐｍで表面がＡｕ簿膜で構成され、バ
ンプの流れ防止のために周囲にポリイミド製のダム２４
が形成されている。続いてサブ基板２Ｉ又は転写基板１
１、あるいは全体の雰囲気を融点の２８０℃付近まで加
熱して接合金属２３を溶融させる。接合金属２３は、溶
融を始めるとサブ基板のＡｕ電極と合金を形成するので
サブ基板２１側に付着する。ＡＩ製の転写基板ＩＩはＡ
ｕＳｎとはなじまないので、冷却すると接合金属２３は
、サブ基板２Ｉに固着して転写が完了する。最後に溶融
温度の２８０℃以上に加熱して完全に溶融し、第１図（
ｃ）のように高さが２０〜３０ｐｍのバンプ２３′の形
状に成形する。このように、メツキや蒸着が困難な金属
においても容易に接合バンプを形成することができる。
ろう材が付着しない金属、例えばＡＩが用いられ、転写
基板１１の表面には、バンプ受けの１００μｍφで、深
さ１００ｐ ｍの凹部１２が設けられている。この凹部
１２には、ボール状接合金属２３、例えば約１００ｐ
ｍφのＡｕＳｎがビンセット等によって設置される。接
合金属２３が配置されたら、第１図（ｂ）のように接合
金属２３の上に電極パッド２２が位置するようにサブ基
板２１を転写基板１１に重ね合わせる。電極バッド２２
は、縦横約２００ｐｍで表面がＡｕ簿膜で構成され、バ
ンプの流れ防止のために周囲にポリイミド製のダム２４
が形成されている。続いてサブ基板２Ｉ又は転写基板１
１、あるいは全体の雰囲気を融点の２８０℃付近まで加
熱して接合金属２３を溶融させる。接合金属２３は、溶
融を始めるとサブ基板のＡｕ電極と合金を形成するので
サブ基板２１側に付着する。ＡＩ製の転写基板ＩＩはＡ
ｕＳｎとはなじまないので、冷却すると接合金属２３は
、サブ基板２Ｉに固着して転写が完了する。最後に溶融
温度の２８０℃以上に加熱して完全に溶融し、第１図（
ｃ）のように高さが２０〜３０ｐｍのバンプ２３′の形
状に成形する。このように、メツキや蒸着が困難な金属
においても容易に接合バンプを形成することができる。
第１図（ｄ）は、転写基板１１への接合金属２３の仮固
定の簡易な方法を示した図である。直径が約１２０ＩＩ
ｍの微小ポンチ１３と直径１４０ＩＬｍの微小ダイス１
４によって厚さ約５０ｐｍのリボン状のＡｕ５ｎ１５を
打ち抜いて接合金属２３を形成する。続いて、打ち抜き
の余力で接合金属２３を転写基板ＩＩ上に設けられた凹
部１２に押しつける。このとき、接合金属２３は直径が
凹部１２の径より大きいので一部が上面にはみ出して凹
部Ｉ２に固定される。従って、簡易な打ち抜き加工によ
って転写基板１１に接合基板を仮固定することができる
。ビンセット等によって微小バンプを一つ一つハンドリ
ングする通常の方法に対して、生産性を大幅に改善でき
る。
定の簡易な方法を示した図である。直径が約１２０ＩＩ
ｍの微小ポンチ１３と直径１４０ＩＬｍの微小ダイス１
４によって厚さ約５０ｐｍのリボン状のＡｕ５ｎ１５を
打ち抜いて接合金属２３を形成する。続いて、打ち抜き
の余力で接合金属２３を転写基板ＩＩ上に設けられた凹
部１２に押しつける。このとき、接合金属２３は直径が
凹部１２の径より大きいので一部が上面にはみ出して凹
部Ｉ２に固定される。従って、簡易な打ち抜き加工によ
って転写基板１１に接合基板を仮固定することができる
。ビンセット等によって微小バンプを一つ一つハンドリ
ングする通常の方法に対して、生産性を大幅に改善でき
る。
第１図（ｅ）は、直径サブ基板２１にバンプを転写形成
する方法を示す図である。サブ基板２１上には、第１図
（ｃ）と同様に表面がＡｕの電極バッド２２、バンプの
流れ防止のダム２４が形成されている。第１図（ｄ）と
同一の要領で、ポンチ１３とダイス１４を用いてリボン
上のＡｕ５ｎ１５を打ち抜いて接合金属２３を形成する
。続いて、ポンチＩ３を打ち抜いた余力でサブ基板２Ｉ
に接合金属２３を押し付ける。ここで、サブ基板２Ｉあ
るいはポンチ１３を２００℃程度に加熱すれば熱圧着に
よりサブ基板２１のＡｕパッドと接合金属２３のＡｕ５
ｎ１５が反応して合金層を形成し、接合金属２３をサブ
基板２ＩのＡｕパッドへ仮の固定が可能となる。最後に
接合金属２３を溶融温度の２８０℃まで上昇させて第１
図（Ｃ）のようなバンプ２３を形成する。従って、容易
にサブ基板２１上への接合バンプの形成ができ、製作工
数を著しく低減できる。
する方法を示す図である。サブ基板２１上には、第１図
（ｃ）と同様に表面がＡｕの電極バッド２２、バンプの
流れ防止のダム２４が形成されている。第１図（ｄ）と
同一の要領で、ポンチ１３とダイス１４を用いてリボン
上のＡｕ５ｎ１５を打ち抜いて接合金属２３を形成する
。続いて、ポンチＩ３を打ち抜いた余力でサブ基板２Ｉ
に接合金属２３を押し付ける。ここで、サブ基板２Ｉあ
るいはポンチ１３を２００℃程度に加熱すれば熱圧着に
よりサブ基板２１のＡｕパッドと接合金属２３のＡｕ５
ｎ１５が反応して合金層を形成し、接合金属２３をサブ
基板２ＩのＡｕパッドへ仮の固定が可能となる。最後に
接合金属２３を溶融温度の２８０℃まで上昇させて第１
図（Ｃ）のようなバンプ２３を形成する。従って、容易
にサブ基板２１上への接合バンプの形成ができ、製作工
数を著しく低減できる。
本実施例では接合金属としてＡｕＳｎを示したが他の金
属でもかまわない。
属でもかまわない。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、生産性が良く低コ
ストなアレイ状光素子用サブ基板の作製方法を実現でき
る効果を有する。
ストなアレイ状光素子用サブ基板の作製方法を実現でき
る効果を有する。
第１図は本発明の実施例を示す構成図であり、（ａ）は
、転写基板の構成図、（ｂ）は、バンプの転写要領を示
す図、（ｃ）は、バンプが形成された最終的サブ基板を
示す図、（ｄ）は、微小ポンチとダイスを用いた転写基
板へのバンプの仮固定要領を示す０図、（ｅ）は、サブ
基板へ直接バンプを形成する要領を示す図、第２図（ａ
）は、従来のアレイ状光素子用サブ基板の構成図、（ｂ
）は、同断面図、（ｃ）は、ＬＥＤアレイを示す図であ
る。 １１・・・転写基板 １２・・・バンプ受け１
３・・・ポンチ １４・・・ダイス１５・
・・リボン状金属 ２１・・・サブ基板２２・・・
電極 ２３・・・接合金属２３′・・・バ
ンプ ２４・・・ダム２５・・・ＬＥＤアレイ
２６・・・分割電極節 図 第 図
、転写基板の構成図、（ｂ）は、バンプの転写要領を示
す図、（ｃ）は、バンプが形成された最終的サブ基板を
示す図、（ｄ）は、微小ポンチとダイスを用いた転写基
板へのバンプの仮固定要領を示す０図、（ｅ）は、サブ
基板へ直接バンプを形成する要領を示す図、第２図（ａ
）は、従来のアレイ状光素子用サブ基板の構成図、（ｂ
）は、同断面図、（ｃ）は、ＬＥＤアレイを示す図であ
る。 １１・・・転写基板 １２・・・バンプ受け１
３・・・ポンチ １４・・・ダイス１５・
・・リボン状金属 ２１・・・サブ基板２２・・・
電極 ２３・・・接合金属２３′・・・バ
ンプ ２４・・・ダム２５・・・ＬＥＤアレイ
２６・・・分割電極節 図 第 図
Claims (3)
- （１）同一半導体基板にアレイ状に複数個作り付けられ
、かつ裏面に分割された電極を有する発光あるいは受光
素子を含む光素子を、バンプ状の接合金属を介して固定
するアレイ状光素子用サブ基板の作製方法であって、 転写工程と、溶融工程とを有し、 転写工程は、アレイ状光素子の裏面電極と同一のピッチ
のパターンでバンプ用接合金属をサブ基板上の各電極パ
ッドに転写する工程であり、溶融工程は、バンプ用接合
金属の溶融温度以上に加熱してバンプ用接合金属をサブ
基板に固定する工程であることを特徴とするアレイ状光
素子用サブ基板の作製方法。 - （２）接合金属は、他の基板上に設けられた凹部に仮固
定され、その後サブ基板に転写するものであることを特
徴とする請求項（１）項に記載のアレイ状光素子用サブ
基板の作製方法。 - （３）接合金属は、リボン状であり、微小ポンチとダイ
スとを用いて打抜かれて直接又は間接にサブ基板上に転
写されるものであることを特徴とする請求項（１）項に
記載のアレイ状光素子用サブ基板の作製方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2278088A JP2629435B2 (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | アレイ状光素子用サブ基板の作製方法 |
| US07/777,903 US5275970A (en) | 1990-10-17 | 1991-10-17 | Method of forming bonding bumps by punching a metal ribbon |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2278088A JP2629435B2 (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | アレイ状光素子用サブ基板の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04152682A true JPH04152682A (ja) | 1992-05-26 |
| JP2629435B2 JP2629435B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=17592472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2278088A Expired - Lifetime JP2629435B2 (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | アレイ状光素子用サブ基板の作製方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5275970A (ja) |
| JP (1) | JP2629435B2 (ja) |
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| CN113451490A (zh) * | 2020-04-30 | 2021-09-28 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种键合方法、显示背板及显示背板制造系统 |
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| JP2833996B2 (ja) * | 1994-05-25 | 1998-12-09 | 日本電気株式会社 | フレキシブルフィルム及びこれを有する半導体装置 |
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| US6412685B2 (en) | 1997-01-28 | 2002-07-02 | Galahad, Co. | Method and apparatus for release and optional inspection for conductive preforms placement apparatus |
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1990
- 1990-10-17 JP JP2278088A patent/JP2629435B2/ja not_active Expired - Lifetime
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1991
- 1991-10-17 US US07/777,903 patent/US5275970A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JP2629435B2 (ja) | 1997-07-09 |
| US5275970A (en) | 1994-01-04 |
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