JPH06163553A - 光素子用基板の製造方法 - Google Patents
光素子用基板の製造方法Info
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- JPH06163553A JPH06163553A JP4311842A JP31184292A JPH06163553A JP H06163553 A JPH06163553 A JP H06163553A JP 4311842 A JP4311842 A JP 4311842A JP 31184292 A JP31184292 A JP 31184292A JP H06163553 A JPH06163553 A JP H06163553A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 形状、重量ともに同等な微小接合バンプを再
現性良く形成する。 【構成】 厚さ５０μｍのリボン状のＡｕＳｎ箔３を外
径５０μｍの超鋼製微小ポンチ１１と穴径６０μｍのス
テンレス製微小ダイス２の間に挿入し、ＡｕＳｎ箔３を
微小ポンチ１１で打ち抜くことにより、第１番目の微小
接合バンプ１３をＳｉ基板４上の直径６０μｍのＡｕパ
ット１６表面に形成する。次に、基板４とポンチを次の
Ａｕパット１７と新たなポンチ１２がダイス２の穴を通
して向かい合う位置まで移動させる（この時、ＡｕＳｎ
箔３も同時に移動する）。次に微小ポンチ１２を用いて
第２番目の微小接合バンプ１４を打ち抜く。ここで、ポ
ンチ１２を使用している間に、使用済みのポンチ１１に
付着したＡｕＳｎカスを窒素の噴射ガスを用いて吹き飛
ばす。次に、ＡｕＳｎカスを取り除いたポンチ１１を用
いて第３の微小接合バンプ１５を打ち抜く。
現性良く形成する。 【構成】 厚さ５０μｍのリボン状のＡｕＳｎ箔３を外
径５０μｍの超鋼製微小ポンチ１１と穴径６０μｍのス
テンレス製微小ダイス２の間に挿入し、ＡｕＳｎ箔３を
微小ポンチ１１で打ち抜くことにより、第１番目の微小
接合バンプ１３をＳｉ基板４上の直径６０μｍのＡｕパ
ット１６表面に形成する。次に、基板４とポンチを次の
Ａｕパット１７と新たなポンチ１２がダイス２の穴を通
して向かい合う位置まで移動させる（この時、ＡｕＳｎ
箔３も同時に移動する）。次に微小ポンチ１２を用いて
第２番目の微小接合バンプ１４を打ち抜く。ここで、ポ
ンチ１２を使用している間に、使用済みのポンチ１１に
付着したＡｕＳｎカスを窒素の噴射ガスを用いて吹き飛
ばす。次に、ＡｕＳｎカスを取り除いたポンチ１１を用
いて第３の微小接合バンプ１５を打ち抜く。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信用光モジュール
などに用いられる光素子を固定する基板の作製方法に関
する。
などに用いられる光素子を固定する基板の作製方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】光通信は、半導体レーザ（ＬＤ）、発光
ダイオード（ＬＥＤ）、ファトダイオード（ＰＤ）、光
変調器を始めとして、光ファイバ、光スイッチ、光アイ
ソレータ、光導波路等の能動、受動素子の高性能、高機
能化により応用範囲が拡大さるつつある。近年、この応
用範囲の一つとして一般加入者系への適用が考えられて
おり、これに伴い、光素子を搭載したモジュールの低価
格化が要求される。モジュール低価格化の有効な手段と
して、複数個の微小接合バンプを介して光素子を無調整
で基板上に実装する無調整光実装が注目されている。
ダイオード（ＬＥＤ）、ファトダイオード（ＰＤ）、光
変調器を始めとして、光ファイバ、光スイッチ、光アイ
ソレータ、光導波路等の能動、受動素子の高性能、高機
能化により応用範囲が拡大さるつつある。近年、この応
用範囲の一つとして一般加入者系への適用が考えられて
おり、これに伴い、光素子を搭載したモジュールの低価
格化が要求される。モジュール低価格化の有効な手段と
して、複数個の微小接合バンプを介して光素子を無調整
で基板上に実装する無調整光実装が注目されている。
【０００３】微小接合バンプを形成する方法は、微小ポ
ンチと微小ダイスとを用いてリボン状の接合金属を打ち
抜き、基板上に微小接合バンプを形成するもので、微小
接合バンプとして信頼性の高いＡｕＳｎバンプを用いた
ものが特開平４−１５２６８２号公報、「アレイ状光素
子用サブ基板の作製方法」に詳細に記されている。
ンチと微小ダイスとを用いてリボン状の接合金属を打ち
抜き、基板上に微小接合バンプを形成するもので、微小
接合バンプとして信頼性の高いＡｕＳｎバンプを用いた
ものが特開平４−１５２６８２号公報、「アレイ状光素
子用サブ基板の作製方法」に詳細に記されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】微小ポンチと微小ダイ
スとを用いてリボン状の接合金属を打ち抜く場合、打ち
抜いた微小ポンチには、打ち抜き時に発生するカス状の
接合金属が付着する。この接合金属カスが付着した微小
ポンチで次の接合金属を打ち抜くと、打ち抜かれた微小
接合バンプは、先に打ち抜いた微小接合バンプと形状、
重量共に異なる異形のものとなる。これにより、打ち抜
きごと微小接合バンプの高さが異なり、複数個の微小接
合バンプを介して接合された光素子は、傾き、接合不良
などの欠陥を生じ、実装歩留まりが低下するという大き
な問題があった。
スとを用いてリボン状の接合金属を打ち抜く場合、打ち
抜いた微小ポンチには、打ち抜き時に発生するカス状の
接合金属が付着する。この接合金属カスが付着した微小
ポンチで次の接合金属を打ち抜くと、打ち抜かれた微小
接合バンプは、先に打ち抜いた微小接合バンプと形状、
重量共に異なる異形のものとなる。これにより、打ち抜
きごと微小接合バンプの高さが異なり、複数個の微小接
合バンプを介して接合された光素子は、傾き、接合不良
などの欠陥を生じ、実装歩留まりが低下するという大き
な問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の光素子用基板の
製造方法は、微小ポインチと微小ダイスを用いてリボン
状の接合金属を打ち抜き、基板上に微小接合バンプを形
成する光素子用基板の製造方法において、前記微小ポン
チに付着した接合金属カスを除去する工程を設けたこと
を特徴とする。除去する工程として、噴射ガスにより前
記接合金属カスを除去する工程、または前記接合金属カ
スが付着した前記微小ポンチを、前記微小ポンチが密着
する穴を有する弾性を持つ部材に挿入し、前記接合金属
カスを除去する工程を設けた。
製造方法は、微小ポインチと微小ダイスを用いてリボン
状の接合金属を打ち抜き、基板上に微小接合バンプを形
成する光素子用基板の製造方法において、前記微小ポン
チに付着した接合金属カスを除去する工程を設けたこと
を特徴とする。除去する工程として、噴射ガスにより前
記接合金属カスを除去する工程、または前記接合金属カ
スが付着した前記微小ポンチを、前記微小ポンチが密着
する穴を有する弾性を持つ部材に挿入し、前記接合金属
カスを除去する工程を設けた。
【０００６】また、微小ポンチと微小ダイスを用いてリ
ボン状の接合金属を打ち抜き、基板状に微小接合バンプ
を形成する光素子用基板の製造方法において、前記微小
ポンチを回転させながら前記リボン状の接合金属を打ち
抜き、前記微小接合バンプを形成することによって前記
接合金属カスを除去することを特徴とする。
ボン状の接合金属を打ち抜き、基板状に微小接合バンプ
を形成する光素子用基板の製造方法において、前記微小
ポンチを回転させながら前記リボン状の接合金属を打ち
抜き、前記微小接合バンプを形成することによって前記
接合金属カスを除去することを特徴とする。
【０００７】
【作用】微小ポンチに付着した接合金属カスは、金属材
料であるため粘着力を持たない。このため、容易に噴射
ガスで吹き飛ばす事が可能である。
料であるため粘着力を持たない。このため、容易に噴射
ガスで吹き飛ばす事が可能である。
【０００８】また、微小ポンチを弾性を有する部材に挿
入する場合には、微小ポンチの側面に弾性を有する部材
が密着するため、付着した接合金属カスは容易に除去可
能である。
入する場合には、微小ポンチの側面に弾性を有する部材
が密着するため、付着した接合金属カスは容易に除去可
能である。
【０００９】また、微小ポンチを回転させながらリボン
状の接合金属を打ち抜く事により、ポンチに付着する接
合金属カスを飛び散らし、除去できる。
状の接合金属を打ち抜く事により、ポンチに付着する接
合金属カスを飛び散らし、除去できる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明似ついて、図面を参照して説明
する。図１は、本発明の第１の実施例を示す概要図であ
る。本構成では、厚さ５０μｍのリボン状のＡｕＳｎ箔
３が外径５０μｍの超鋼製微小ポンチ１１と穴径６０μ
ｍのステンレス製微小ダイス２の間に挿入されており
（図１（ａ）に示す）、ＡｕＳｎ箔３を微小ポンチ（以
下、ポンチと略す）１１により打ち抜くことにより、第
１番目の微小整合バンプ１３をＳｉ基板４上に直径６０
μｍのＡｕパット１６表面に形成する（図１（ｂ）に示
す）。次に、Ｓｉ基板４とポンチを次のＡｕパット１７
と新たなポンチ１２が微小ダイス２の穴を通して向かい
合う位置まで移動させる（この時、ＡｕＳｎ箔３も同時
に移動する）。次に微小ポンチ１２を用いて第２番目の
微小接合バンプ１４を打ち抜く。ここで、ポンチ１２を
使用している間に、使用済みのポンチ１１に付着したＡ
ｕＳｎカスを窒素の噴射ガスを用いて吹き飛ばす（図１
（ｃ）に示す）。次に、ＡｕＳｎカスを取り除いたポン
チ１１を用いて第３の微小接合バンプ１５を打ち抜く
（図１（ｄ）に示す）。ポンチ１２のＡｕＳｎカスの清
掃は、ポンチ１１使用時に行う。このように、ポンチを
随時清掃してＡｕＳｎカスを除去し、常にきれいなポン
チで打ち抜くため、形状、重量ともに同等な微小接合バ
ノプを再現性良く形成することができる。
する。図１は、本発明の第１の実施例を示す概要図であ
る。本構成では、厚さ５０μｍのリボン状のＡｕＳｎ箔
３が外径５０μｍの超鋼製微小ポンチ１１と穴径６０μ
ｍのステンレス製微小ダイス２の間に挿入されており
（図１（ａ）に示す）、ＡｕＳｎ箔３を微小ポンチ（以
下、ポンチと略す）１１により打ち抜くことにより、第
１番目の微小整合バンプ１３をＳｉ基板４上に直径６０
μｍのＡｕパット１６表面に形成する（図１（ｂ）に示
す）。次に、Ｓｉ基板４とポンチを次のＡｕパット１７
と新たなポンチ１２が微小ダイス２の穴を通して向かい
合う位置まで移動させる（この時、ＡｕＳｎ箔３も同時
に移動する）。次に微小ポンチ１２を用いて第２番目の
微小接合バンプ１４を打ち抜く。ここで、ポンチ１２を
使用している間に、使用済みのポンチ１１に付着したＡ
ｕＳｎカスを窒素の噴射ガスを用いて吹き飛ばす（図１
（ｃ）に示す）。次に、ＡｕＳｎカスを取り除いたポン
チ１１を用いて第３の微小接合バンプ１５を打ち抜く
（図１（ｄ）に示す）。ポンチ１２のＡｕＳｎカスの清
掃は、ポンチ１１使用時に行う。このように、ポンチを
随時清掃してＡｕＳｎカスを除去し、常にきれいなポン
チで打ち抜くため、形状、重量ともに同等な微小接合バ
ノプを再現性良く形成することができる。
【００１１】第１の実施例では窒素ガスを用いたが、こ
れに限らず、アルゴンガスや空気でもよい。
れに限らず、アルゴンガスや空気でもよい。
【００１２】図２は、本発明の第２の実施例を示す概要
図である。本構成は、第１の実施例の噴射ガスの代わり
にリング状のゴム製部材６を備えたことが異なる他は上
述の場合と同様である。すなわち、ポンチ１２を使用し
ている間に、使用済みのポンチ１１に付着した接合金属
カスを取り除くために内径４０μｍのリンク状のゴム製
部材６の穴にポンチ１１を挿入し、そのＡｕＳｎカスを
取り除く（図２（ｃ）に示す）。これにより、形状、重
量ともに同等な微小接合バンプを再現性良く形成するこ
とができる。
図である。本構成は、第１の実施例の噴射ガスの代わり
にリング状のゴム製部材６を備えたことが異なる他は上
述の場合と同様である。すなわち、ポンチ１２を使用し
ている間に、使用済みのポンチ１１に付着した接合金属
カスを取り除くために内径４０μｍのリンク状のゴム製
部材６の穴にポンチ１１を挿入し、そのＡｕＳｎカスを
取り除く（図２（ｃ）に示す）。これにより、形状、重
量ともに同等な微小接合バンプを再現性良く形成するこ
とができる。
【００１３】第２の実施例で接合金属カスを除去するた
めにリング状のゴム製部材を用いたが、リンク状ではな
くても部材微小ポンチが密着できる穴があいていればい
いし、ゴムに限らずシリコン樹脂やウレタン樹脂でもよ
い。
めにリング状のゴム製部材を用いたが、リンク状ではな
くても部材微小ポンチが密着できる穴があいていればい
いし、ゴムに限らずシリコン樹脂やウレタン樹脂でもよ
い。
【００１４】また、実施例の微小ポンチは外形が丸形の
ポンチであったが四角形や多角形のポンチを使用した時
も同じである。
ポンチであったが四角形や多角形のポンチを使用した時
も同じである。
【００１５】図３は、本発明の第３の実施例を示す概要
図である。本構成は、ＡｕＳｎ箔３を微小ポンチ１と微
小ダイス２の間に挿入する。（図３（ａ）に示す）。次
に、ポンチ１を回転させながらＡｕＳｎ箔３に打付け、
微小接合バンプ３−１をＳｉ基板４上のＡｕパット５表
面に打ち抜く（図３（ｂ）に示す）。ポンチを回転させ
る事により、打ち抜き時にポンチに付着するＡｕＳｎカ
スを飛び散らし、除去できる。これにより、常にきれい
なポンチで打ち抜けるため、形状、重量ともに同等な微
小接合バンプを再現性良く形成することができる。ま
た、ポンチが回転しているため、小さい力でＡｕＳｎ箔
３を打ち抜くことが可能であり、回転させない場合に比
べポンチの寿命が長くなる。
図である。本構成は、ＡｕＳｎ箔３を微小ポンチ１と微
小ダイス２の間に挿入する。（図３（ａ）に示す）。次
に、ポンチ１を回転させながらＡｕＳｎ箔３に打付け、
微小接合バンプ３−１をＳｉ基板４上のＡｕパット５表
面に打ち抜く（図３（ｂ）に示す）。ポンチを回転させ
る事により、打ち抜き時にポンチに付着するＡｕＳｎカ
スを飛び散らし、除去できる。これにより、常にきれい
なポンチで打ち抜けるため、形状、重量ともに同等な微
小接合バンプを再現性良く形成することができる。ま
た、ポンチが回転しているため、小さい力でＡｕＳｎ箔
３を打ち抜くことが可能であり、回転させない場合に比
べポンチの寿命が長くなる。
【００１６】以上、３つの実施例では微小ポンチの数を
２以下としたが、これに限定されず、更に多数個の微小
ポンチを用いても良い。
２以下としたが、これに限定されず、更に多数個の微小
ポンチを用いても良い。
【００１７】また、接合金属材料としてＡｕＳｎを用い
たがこれにより限定されず、例えばＰｂＳｎ、ＡｕＳｉ
等でも良い。
たがこれにより限定されず、例えばＰｂＳｎ、ＡｕＳｉ
等でも良い。
【００１８】
【発明の効果】以上述べた通り、形状、重量ともに同等
な微小接合バンプを再現性良く形成することができるた
め、実装歩留まりを向上できる。
な微小接合バンプを再現性良く形成することができるた
め、実装歩留まりを向上できる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す概略図である。
【図２】本発明の第２の実施例を示す概略図である。
【図３】本発明の第３の実施例を示す概略図である。
１ 微小ポンチ ２ 微小ダイス ３ ＡｕＳｎ箔 ４ シリコン基板 ５ Ａｕパット ６ ゴム製部材 ７ 微小接合バンプ １１ 微小ポンチ １２ 微小ポンチ １３ 微小接合バンプ １４ 微小接合バンプ １５ 微小接合バンプ １６ Ａｕパット １７ Ａｕパット １８ Ａｕパット １９ Ａｕパット
フロントページの続き (72)発明者 金山 義信 東京都港区芝五丁目７番１号日本電気株式 会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 微小ポンチと微小ダイスを用いてリボン
状の接合金属を打ち抜き、基板状に微小接合バンプを形
成する光素子用基板の製造方法において、前記微小ポン
チに付着した接合金属カスを除去する工程を設けたこと
を特徴とする光素子用基板の製造方法。 - 【請求項２】 噴射ガスにより前記接合金属カスを除去
する工程を設けたことを特徴とする請求項１記載の光素
子用基板の製造方法。 - 【請求項３】 前記接合金属カスが付着した前記微小ポ
ンチを、前記微小ポンチが密着する穴を有する弾性を持
つ部材に挿入し、前記接合金属カスを除去する工程を設
けたことを特徴とする請求項１記載の光素子用基板の製
造方法。 - 【請求項４】 微小ポンチと微小ダイスを用いてリボン
状の接合金属を打ち抜き、基板状に微小接合バンプを形
成する光素子用基板の製造方法において、前記微小ポン
チを回転させながら前記リボン状の接合金属を打ち抜
き、前記微小接合バンプを転写することによって前記接
合金属カスを除去することを特徴とする光素子用基板の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4311842A JPH06163553A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 光素子用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4311842A JPH06163553A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 光素子用基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163553A true JPH06163553A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18022064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4311842A Pending JPH06163553A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 光素子用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163553A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01289521A (ja) * | 1988-05-17 | 1989-11-21 | Ricoh Co Ltd | 打抜き金型のクリーニング方法 |
| JPH04152682A (ja) * | 1990-10-17 | 1992-05-26 | Nec Corp | アレイ状光素子用サブ基板の作製方法 |
-
1992
- 1992-11-20 JP JP4311842A patent/JPH06163553A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01289521A (ja) * | 1988-05-17 | 1989-11-21 | Ricoh Co Ltd | 打抜き金型のクリーニング方法 |
| JPH04152682A (ja) * | 1990-10-17 | 1992-05-26 | Nec Corp | アレイ状光素子用サブ基板の作製方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19951107 |