JPH1195072A - 光信号交換手段を備えた半導体装置 - Google Patents
光信号交換手段を備えた半導体装置Info
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- JPH1195072A JPH1195072A JP18035998A JP18035998A JPH1195072A JP H1195072 A JPH1195072 A JP H1195072A JP 18035998 A JP18035998 A JP 18035998A JP 18035998 A JP18035998 A JP 18035998A JP H1195072 A JPH1195072 A JP H1195072A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
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- G02B6/4212—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element being a coupling medium interposed therebetween, e.g. epoxy resin, refractive index matching material, index grease, matching liquid or gel
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 機械的な伝導接続を用いることなく、エミ
ッタおよびレシーバの間で光信号交換を行うことができ
る半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置は、集積回路を形成するチップ
および接続基板を備える。接点はマトリクスの形で分布
され、チップの表面および基板の表面の間に設けられ
る。基板は、接点に接続される外部接続手段を有する。
半導体装置は、２つのオプトエレクトロニクス部分から
成る少なくとも１つの光信号交換手段を備える。２つの
部分は、それぞれ少なくとも１つのエミッタおよび少な
くとも１つのレシーバを含み、これらは離れて対面し、
それらの間で光信号を交換することができる。２つの部
分のうち一方はチップに集積化されて集積回路の１つの
構成要素を構成する。２つの部分のうち他方は基板によ
り支えられて基板に外部的に接続されることができる。
ッタおよびレシーバの間で光信号交換を行うことができ
る半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置は、集積回路を形成するチップ
および接続基板を備える。接点はマトリクスの形で分布
され、チップの表面および基板の表面の間に設けられ
る。基板は、接点に接続される外部接続手段を有する。
半導体装置は、２つのオプトエレクトロニクス部分から
成る少なくとも１つの光信号交換手段を備える。２つの
部分は、それぞれ少なくとも１つのエミッタおよび少な
くとも１つのレシーバを含み、これらは離れて対面し、
それらの間で光信号を交換することができる。２つの部
分のうち一方はチップに集積化されて集積回路の１つの
構成要素を構成する。２つの部分のうち他方は基板によ
り支えられて基板に外部的に接続されることができる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロエレクト
ロニクスに関し、より具体的には集積回路および接続基
板を備える半導体装置に関する。
ロニクスに関し、より具体的には集積回路および接続基
板を備える半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、基板とチップの間に接点を設けて
基板をチップに接続することが行われている。この場
合、対向するチップの表面および基板の表面の間に基板
をチップに接続するための接続ボールまたは接点が設け
られ、マトリクスの形で分布する。基板は、前記接続ボ
ールに接続される外部接続手段を有する。
基板をチップに接続することが行われている。この場
合、対向するチップの表面および基板の表面の間に基板
をチップに接続するための接続ボールまたは接点が設け
られ、マトリクスの形で分布する。基板は、前記接続ボ
ールに接続される外部接続手段を有する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、接続されたチ
ップおよび基板において光信号交換手段を実現しようと
すると、入力／出力の機械的な伝導接続を必要とし、こ
れから派生する影響を防止するためチップに保護回路を
集積化する必要があった。従って、本発明の目的は、機
械的な伝導接続を用いることなく、エミッタとレシーバ
との間で光信号を交換することができるようにすること
である。
ップおよび基板において光信号交換手段を実現しようと
すると、入力／出力の機械的な伝導接続を必要とし、こ
れから派生する影響を防止するためチップに保護回路を
集積化する必要があった。従って、本発明の目的は、機
械的な伝導接続を用いることなく、エミッタとレシーバ
との間で光信号を交換することができるようにすること
である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
は、集積回路を形成するチップおよび接続基板を備え
る。接点またはボールは、マトリクスの形で分布し、チ
ップの表面および基板の表面の間に設けられる。基板
は、前記接点に接続される外部接続の手段を有する。
は、集積回路を形成するチップおよび接続基板を備え
る。接点またはボールは、マトリクスの形で分布し、チ
ップの表面および基板の表面の間に設けられる。基板
は、前記接点に接続される外部接続の手段を有する。
【０００５】本発明によると、半導体装置は２つのオプ
トエレクトロニクス(optoelectronics)部分から成る少
なくとも１つの光信号交換手段を備える。２つのオプト
エレクトロニクス部分は、それぞれ少なくとも１つのエ
ミッタおよび少なくとも１つのレシーバ(receiver)を含
み、これらは離れて対面し、それらの間で光信号を交換
することができる。２つのオプトエレクトロニクス部分
のうちの一方は、前記チップに集積化されて前記集積回
路の１つの構成要素を構成する。２つのオプトエレクト
ロニクス部分のうちの他方は前記基板により支えられ、
基板に外部的に接続されることができる。
トエレクトロニクス(optoelectronics)部分から成る少
なくとも１つの光信号交換手段を備える。２つのオプト
エレクトロニクス部分は、それぞれ少なくとも１つのエ
ミッタおよび少なくとも１つのレシーバ(receiver)を含
み、これらは離れて対面し、それらの間で光信号を交換
することができる。２つのオプトエレクトロニクス部分
のうちの一方は、前記チップに集積化されて前記集積回
路の１つの構成要素を構成する。２つのオプトエレクト
ロニクス部分のうちの他方は前記基板により支えられ、
基板に外部的に接続されることができる。
【０００６】本発明によると、前記交換手段は、接点を
有しない領域に置くことが有利である。
有しない領域に置くことが有利である。
【０００７】本発明の好ましい形態によると、前記交換
手段の前記他方の部分は、基板により支えられ、少なく
とも１つの光ファイバーから成る。光ファイバーの終端
部分は、基板を貫通するオリフィスにはめこまれ、基板
からチップを隔てるスペースを介して前記ファイバーを
前記チップに集積化された前記交換手段の前記一方の部
分に、前記ファイバーの終端が光学的および遠隔的に結
合するよう形成される。
手段の前記他方の部分は、基板により支えられ、少なく
とも１つの光ファイバーから成る。光ファイバーの終端
部分は、基板を貫通するオリフィスにはめこまれ、基板
からチップを隔てるスペースを介して前記ファイバーを
前記チップに集積化された前記交換手段の前記一方の部
分に、前記ファイバーの終端が光学的および遠隔的に結
合するよう形成される。
【０００８】本発明によると、前記オリフィスは、基板
からチップを隔てるスペースに対して垂直に伸びるのが
好ましい。
からチップを隔てるスペースに対して垂直に伸びるのが
好ましい。
【０００９】本発明によると、前記オリフィスは、オリ
フィスの壁に軸状の溝を有するのが有利である。
フィスの壁に軸状の溝を有するのが有利である。
【００１０】本発明によると、前記ファイバーの終端部
分は、前記オリフィスで基板に接着されるのが好まし
い。
分は、前記オリフィスで基板に接着されるのが好まし
い。
【００１１】本発明によると、基板からチップを隔てる
スペースに注入されるのは封着樹脂であることが好まし
く、この樹脂は前記光信号に透過性であり、基板に前記
ファイバーを接着する。
スペースに注入されるのは封着樹脂であることが好まし
く、この樹脂は前記光信号に透過性であり、基板に前記
ファイバーを接着する。
【００１２】本発明によると、前記集積回路の１つの構
成要素を構成する前記交換手段の前記一方の部分は、チ
ップの厚さ方向において、この回路の最後の構成要素で
あることが好ましい。
成要素を構成する前記交換手段の前記一方の部分は、チ
ップの厚さ方向において、この回路の最後の構成要素で
あることが好ましい。
【００１３】本発明によると、基板を接続するための手
段は、チップとは反対側の面上にマトリクスの形で分布
された外部接続パッドまたはボールを備えるのが好まし
い。
段は、チップとは反対側の面上にマトリクスの形で分布
された外部接続パッドまたはボールを備えるのが好まし
い。
【００１４】本発明によると、基板は、チップを封止す
るためパッケージの壁の一部分を構成するのが有利であ
る。
るためパッケージの壁の一部分を構成するのが有利であ
る。
【００１５】本発明は、制限されることのない例によっ
て説明され、図によって例示される半導体装置を検討す
ることにより、より明確に理解することができよう。
て説明され、図によって例示される半導体装置を検討す
ることにより、より明確に理解することができよう。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は、半導体装置１を示したも
のであり、集積回路を形成し、パッケージ３に封止され
たチップ２を備える。パッケージ３は、ホルダー４およ
び蓋５から構成される。
のであり、集積回路を形成し、パッケージ３に封止され
たチップ２を備える。パッケージ３は、ホルダー４およ
び蓋５から構成される。
【００１７】ホルダー４の底部６は、多数の接続線７を
集積化する基板を構成する。接続線７は、壁６の外面９
上に分布された外部接続ボール（接続パッド）８を、チ
ップ２の正面１３からパッケージ３の壁６の内面１２を
隔てるスペース１１に置かれている接続ボール（接点）
１０に接続する。これらのボール１０は、チップ２の集
積回路に接続されている。
集積化する基板を構成する。接続線７は、壁６の外面９
上に分布された外部接続ボール（接続パッド）８を、チ
ップ２の正面１３からパッケージ３の壁６の内面１２を
隔てるスペース１１に置かれている接続ボール（接点）
１０に接続する。これらのボール１０は、チップ２の集
積回路に接続されている。
【００１８】外部接続ボール８および内部接続ボール１
０は、マトリクスの形で分布している。しかし、パッケ
ージ３の壁６のそれぞれの側面に横たわる対応領域１４
および１５には、ボールが存在せず、壁６における内部
接続も存在しない。
０は、マトリクスの形で分布している。しかし、パッケ
ージ３の壁６のそれぞれの側面に横たわる対応領域１４
および１５には、ボールが存在せず、壁６における内部
接続も存在しない。
【００１９】ボールが存在しない領域１４および１５に
おいて、半導体装置１は、２つの部分ら成るオプトエレ
クトロニクスの光信号交換手段１６を備える。２つの部
分のうちの一方の部分１７は、チップ２における集積回
路の１つの構成要素を構成し、２つの部分のうちの他方
の部分１８は、パッケージ（ブラケット,bracket）３の
壁６により支えられている。これらの部分１７および１
８は、パッケージ３の壁６からチップ２を隔てるスペー
ス１１を介して光信号を交換することができる。
おいて、半導体装置１は、２つの部分ら成るオプトエレ
クトロニクスの光信号交換手段１６を備える。２つの部
分のうちの一方の部分１７は、チップ２における集積回
路の１つの構成要素を構成し、２つの部分のうちの他方
の部分１８は、パッケージ（ブラケット,bracket）３の
壁６により支えられている。これらの部分１７および１
８は、パッケージ３の壁６からチップ２を隔てるスペー
ス１１を介して光信号を交換することができる。
【００２０】図２の実施形態は、たとえば感光性のダイ
オードから成るオプトエレクトロニクス・レシーバを備
える一方の部分１７を示し、チップ２における集積回路
の１つの構成要素を構成する。このダイオードは、チッ
プの厚さ方向における最後の構成要素であり、二酸化シ
リコンの絶縁層２０および保護層（パシベーション層）
２１の背面に生成される。
オードから成るオプトエレクトロニクス・レシーバを備
える一方の部分１７を示し、チップ２における集積回路
の１つの構成要素を構成する。このダイオードは、チッ
プの厚さ方向における最後の構成要素であり、二酸化シ
リコンの絶縁層２０および保護層（パシベーション層）
２１の背面に生成される。
【００２１】パッケージ３の壁６により支えられている
他方の部分１８は、光ファイバー２２を備える。光ファ
イバー２２の終端部分２３は、その終端３２がチップ２
に集積化された受光ダイオード(receiving diode)１９
に向けられるような方法ではめこまれる。オリフィス２
４は、壁６を貫通しており、スペース１１に対して垂直
に壁６の厚さ方向に生成される。
他方の部分１８は、光ファイバー２２を備える。光ファ
イバー２２の終端部分２３は、その終端３２がチップ２
に集積化された受光ダイオード(receiving diode)１９
に向けられるような方法ではめこまれる。オリフィス２
４は、壁６を貫通しており、スペース１１に対して垂直
に壁６の厚さ方向に生成される。
【００２２】光ファイバー２２は、半導体装置１の外側
において開放分岐を有し、その終端は光信号エミッタに
接続するために適合することができる。光ファイバー２
２は、これらの信号をその終端２４まで伝達する。終端
２４は、パッケージ３の壁６からチップ２を隔てるスペ
ース１１を介して受光ダイオード１９に結合されるエミ
ッタを構成する。こうして、受光ダイオード１９により
捉えられた信号は、後の方で電気信号に交換され、電気
信号はチップ２に集積化された他の構成要素により処理
される。
において開放分岐を有し、その終端は光信号エミッタに
接続するために適合することができる。光ファイバー２
２は、これらの信号をその終端２４まで伝達する。終端
２４は、パッケージ３の壁６からチップ２を隔てるスペ
ース１１を介して受光ダイオード１９に結合されるエミ
ッタを構成する。こうして、受光ダイオード１９により
捉えられた信号は、後の方で電気信号に交換され、電気
信号はチップ２に集積化された他の構成要素により処理
される。
【００２３】図４に示されるように、パッケージ３の壁
６を貫通し、ファイバー２２の終端２３を受けるオリフ
ィス２４の壁は、軸状の溝２４ａを有する。パッケージ
３の壁６からチップ２を隔てるスペース１１に注入され
るのは、封着樹脂１１ａである。封着樹脂１１ａは、チ
ップ２およびパッケージ３の間の機械的な接着を強く
し、さらにファイバー２２の終端２３をパッケージ３の
壁６に固定させるようオリフィス２４およびその軸状の
溝２４ａに入る。当然、封着樹脂１１ａは、光ファイバ
ー２２および受光ダイオード１９の間で交換されている
光信号に透過性であるようなものが選ばれる。
６を貫通し、ファイバー２２の終端２３を受けるオリフ
ィス２４の壁は、軸状の溝２４ａを有する。パッケージ
３の壁６からチップ２を隔てるスペース１１に注入され
るのは、封着樹脂１１ａである。封着樹脂１１ａは、チ
ップ２およびパッケージ３の間の機械的な接着を強く
し、さらにファイバー２２の終端２３をパッケージ３の
壁６に固定させるようオリフィス２４およびその軸状の
溝２４ａに入る。当然、封着樹脂１１ａは、光ファイバ
ー２２および受光ダイオード１９の間で交換されている
光信号に透過性であるようなものが選ばれる。
【００２４】半導体装置１は、以下の方法でも作ること
ができる。まず最初に、パッケージ３の壁６のオリフィ
ス２４は、たとえば超音波エッチングにより生成するこ
とができる。チップ２は、接続ボール１０の手段により
壁６にはんだ付けされる。光ファイバー２２の終端２３
は、貫通オリフィス２４にはめられる。封着および接着
の樹脂１１ａは、パッケージ３の壁６からチップ２を隔
てるスペース１１に注入される。この樹脂が重合せられ
(polymerized)て硬化された後、パッケージ３の蓋５を
ホルダー４に固定することにより、封止が行われる。
ができる。まず最初に、パッケージ３の壁６のオリフィ
ス２４は、たとえば超音波エッチングにより生成するこ
とができる。チップ２は、接続ボール１０の手段により
壁６にはんだ付けされる。光ファイバー２２の終端２３
は、貫通オリフィス２４にはめられる。封着および接着
の樹脂１１ａは、パッケージ３の壁６からチップ２を隔
てるスペース１１に注入される。この樹脂が重合せられ
(polymerized)て硬化された後、パッケージ３の蓋５を
ホルダー４に固定することにより、封止が行われる。
【００２５】図３の実施形態において、交換手段１６の
一方の部分１７が光信号エミッタを備える。光信号エミ
ッタは、特に、GaAsのような、III−Ｖ族の物質のヘテ
ロエピタキシー(heteroepitaxy)によって得られる発光
ダイオード２５から成る。発光ダイオード２５は、二酸
化シリコンの絶縁層２６および最後の保護層（パシベー
ション層）２７の背面に、チップ２の厚さ方向において
チップ２に集積化される最後の構成要素を構成する。
一方の部分１７が光信号エミッタを備える。光信号エミ
ッタは、特に、GaAsのような、III−Ｖ族の物質のヘテ
ロエピタキシー(heteroepitaxy)によって得られる発光
ダイオード２５から成る。発光ダイオード２５は、二酸
化シリコンの絶縁層２６および最後の保護層（パシベー
ション層）２７の背面に、チップ２の厚さ方向において
チップ２に集積化される最後の構成要素を構成する。
【００２６】図２の実施形態におけるように、交換手段
１６の他方の部分１８は、光ファイバー２８を備え、そ
の終端部分２９は、パッケージ３の壁６を貫通するオリ
フィス３０にはめられて固定される。光ファイバー２８
の終端３１は隔離スペース１１にあり、チップ２に集積
化された発光ダイオード２５により発せられた光信号
を、パッケージ３の壁６からチップ２を隔てるスペース
１１を介して捉えることができる。
１６の他方の部分１８は、光ファイバー２８を備え、そ
の終端部分２９は、パッケージ３の壁６を貫通するオリ
フィス３０にはめられて固定される。光ファイバー２８
の終端３１は隔離スペース１１にあり、チップ２に集積
化された発光ダイオード２５により発せられた光信号
を、パッケージ３の壁６からチップ２を隔てるスペース
１１を介して捉えることができる。
【００２７】光ファイバー２８の固定した終端３１によ
り捉えられた光信号は、後に光ファイバー２８の他の終
端（パッケージ３の外側）まで伝達され、この終端は光
信号レシーバに接続することができる。
り捉えられた光信号は、後に光ファイバー２８の他の終
端（パッケージ３の外側）まで伝達され、この終端は光
信号レシーバに接続することができる。
【００２８】図２および図３を参照して説明してきた光
信号交換手段１６は、いかなるＤＣリンクをも持たず、
したがって通常の入力／出力の機械的な伝導接続から生
じる寄生効果は何も生成されず、通常チップ２に集積化
される保護回路の少なくともいくつかを省くことができ
ることに注意しなければならない。さらに、データの入
力および（または）出力を非常に高いレートで行うこと
を可能にする。
信号交換手段１６は、いかなるＤＣリンクをも持たず、
したがって通常の入力／出力の機械的な伝導接続から生
じる寄生効果は何も生成されず、通常チップ２に集積化
される保護回路の少なくともいくつかを省くことができ
ることに注意しなければならない。さらに、データの入
力および（または）出力を非常に高いレートで行うこと
を可能にする。
【００２９】当然、チップ２はいくつかの発光ダイオー
ドおよび（または）受光ダイオードを備え、パッケージ
３の壁６は、光学的に前記ダイオードに結合される同じ
数だけのファイバーを支える。
ドおよび（または）受光ダイオードを備え、パッケージ
３の壁６は、光学的に前記ダイオードに結合される同じ
数だけのファイバーを支える。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、機械的な伝導接続を用
いることなく、エミッタおよびレシーバとの間で光信号
を交換することができる。
いることなく、エミッタおよびレシーバとの間で光信号
を交換することができる。
【図１】本発明による半導体装置の断面図。
【図２】図１の拡大図であり、本発明による半導体装置
の第１の実施形態を示す図。
の第１の実施形態を示す図。
【図３】図１の拡大図であり、本発明による半導体装置
の第２の実施形態を示す図。
の第２の実施形態を示す図。
【図４】図２および図３の半導体装置の部分外観図。
１ 半導体装置 ２ チップ ３ パッケージ ８、１０ ボール １１ スペース １６ 交換手段 １７、１８ オプトエレクトロニクス部分 １９ 受光ダイオード ２２ 光ファイバー ２４ オリフィス ２５ 発光ダイオード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ミッシェル・マーティ フランス、エフ−38760、ヴァーセス、サ ン・ポール・ド・ヴァーセス、レ・メイン ゲ（番地なし)
Claims (10)
- 【請求項１】集積回路を形成するチップおよび接続基板
を備え、対向する前記チップの表面および前記基板の表
面の間にマトリクスの形で分布する接点が設けられ、前
記基板が前記接点に接続される外部接続手段を有する半
導体装置において、 前記半導体装置は２つのオプトエレクトロニクス部分を
備え、該オプトエレクトロニクス部分のそれぞれは、離
れて対面し、光信号を交換することのできるそれぞれ少
なくとも１つのエミッタおよび少なくとも１つのレシー
バを備え、前記２つの部分の一方は前記チップに集積化
されて前記集積回路の１つの構成要素を構成し、前記２
つの部分の他方は前記基板により支えられて前記基板に
外部的に接続されることができることを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項２】前記交換手段が、前記接点を有しない領域
に置かれた請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】前記基板により支えられる前記交換手段の
前記他方の部分が少なくとも１つの光ファイバーを備
え、該光ファイバーの終端部分が前記基板を貫通するオ
リフィスにはめこまれ、前記基板から前記チップを隔て
るスペースを介して前記チップに集積化された前記交換
手段の前記一方の部分に前記ファイバーの終端を光学的
および遠隔的に結合するよう形成される請求項１または
請求項２に記載の半導体装置。 - 【請求項４】前記オリフィスが、前記基板から前記チッ
プを隔てるスペースに対して垂直に伸びる請求項３に記
載の半導体装置。 - 【請求項５】前記オリフィスが、該オリフィスの壁に軸
状の溝を有する請求項３または請求項４に記載の半導体
装置。 - 【請求項６】前記光ファイバーの終端部分が、前記オリ
フィスで前記基板に接着される請求項３から請求項５の
いずれかに記載の半導体装置。 - 【請求項７】封着樹脂が前記基板から前記チップを隔て
るスペースに注入され、該樹脂は前記光信号に透過性で
あって、前記光ファイバーを前記基板に接着させる請求
項３から請求項６のいずれかに記載の半導体装置。 - 【請求項８】前記交換手段の前記一方の部分が、前記集
積回路の１つの構成要素を構成し、前記チップの厚さ方
向において該回路の最後の構成要素である請求項１から
請求項７のいずれかに記載の半導体装置。 - 【請求項９】前記基板を接続するための手段が、前記チ
ップとは反対側の面上にマトリクスの形で分布する外部
接続パッドを備える請求項１から請求項８のいずれかに
記載の半導体装置。 - 【請求項１０】前記基板が、前記チップを封止するため
パッケージの壁の一部分を構成する請求項１から請求項
９のいずれかに記載の半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9710429A FR2767389B1 (fr) | 1997-08-18 | 1997-08-18 | Dispositif semi-conducteur a moyen optoelectronique d'echanges a distance de signaux |
| FR9710429 | 1997-08-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1195072A true JPH1195072A (ja) | 1999-04-09 |
| JP3014045B2 JP3014045B2 (ja) | 2000-02-28 |
Family
ID=9510342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18035998A Expired - Lifetime JP3014045B2 (ja) | 1997-08-18 | 1998-06-26 | 光信号交換手段を備えた半導体装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6100595A (ja) |
| EP (1) | EP0898187B1 (ja) |
| JP (1) | JP3014045B2 (ja) |
| DE (1) | DE69836657D1 (ja) |
| FR (1) | FR2767389B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7783141B2 (en) | 2007-04-04 | 2010-08-24 | Ibiden Co., Ltd. | Substrate for mounting IC chip and device for optical communication |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001059923A (ja) * | 1999-06-16 | 2001-03-06 | Seiko Epson Corp | 光モジュール及びその製造方法、半導体装置並びに光伝達装置 |
| US6595700B2 (en) * | 2000-04-04 | 2003-07-22 | Shipley Company, L.L.C. | Optoelectronic packages having insulation layers |
| EP1384266B1 (de) * | 2001-04-30 | 2008-03-26 | Mergeoptics GmbH | Anordnung mit mindestens zwei unterschiedlichen elektronischen halbleiterschaltungen |
| DE10205127A1 (de) * | 2002-02-07 | 2003-08-28 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauteil mit Sensor- bzw. Aktoroberfläche und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE102005025754B4 (de) * | 2005-06-02 | 2019-08-08 | Infineon Technologies Ag | Halbleitersensorbauteil mit einem Sensorchip und Verfahren zur Herstellung von Halbleitersensorbauteilen |
| DE102005046008B4 (de) * | 2005-09-26 | 2007-05-24 | Infineon Technologies Ag | Halbleitersensorbauteil mit Sensorchip und Verfahren zur Herstellung desselben |
| US7781852B1 (en) * | 2006-12-05 | 2010-08-24 | Amkor Technology, Inc. | Membrane die attach circuit element package and method therefor |
| DE102008030842A1 (de) * | 2008-06-30 | 2010-01-28 | Epcos Ag | Integriertes Modul mit intrinsischem Isolationsbereich und Herstellungsverfahren |
| DE102010001759B4 (de) * | 2010-02-10 | 2017-12-14 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches System und Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Systems |
| US9024408B2 (en) * | 2010-12-29 | 2015-05-05 | Stmicroelectronics, Inc. | Double side wafer process, method and device |
| US20140029890A1 (en) * | 2012-07-25 | 2014-01-30 | LaXense, Inc. | Optical system with integrated photodetectors |
| DE102016124270A1 (de) * | 2016-12-13 | 2018-06-14 | Infineon Technologies Ag | Halbleiter-package und verfahren zum fertigen eines halbleiter-package |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4826272A (en) * | 1987-08-27 | 1989-05-02 | American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories | Means for coupling an optical fiber to an opto-electronic device |
| US5155786A (en) * | 1991-04-29 | 1992-10-13 | International Business Machines Corporation | Apparatus and a method for an optical fiber interface |
| JPH05251717A (ja) * | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Hitachi Ltd | 半導体パッケージおよび半導体モジュール |
| US5394490A (en) * | 1992-08-11 | 1995-02-28 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having an optical waveguide interposed in the space between electrode members |
| US5345529A (en) * | 1993-07-06 | 1994-09-06 | At&T Bell Laboratories | Method for assembly of an optical fiber connective device |
| US5625733A (en) * | 1995-02-09 | 1997-04-29 | Lucent Technologies Inc. | Arrangement for interconnecting an optical fiber to an optical component |
| JP3334829B2 (ja) * | 1995-03-08 | 2002-10-15 | 日本電信電話株式会社 | 光半導体モジュール |
| JPH09311253A (ja) * | 1996-05-20 | 1997-12-02 | Fujitsu Ltd | 光結合構造とその製造方法 |
-
1997
- 1997-08-18 FR FR9710429A patent/FR2767389B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-06-25 DE DE69836657T patent/DE69836657D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-25 EP EP98401560A patent/EP0898187B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-26 JP JP18035998A patent/JP3014045B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-26 US US09/105,735 patent/US6100595A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7783141B2 (en) | 2007-04-04 | 2010-08-24 | Ibiden Co., Ltd. | Substrate for mounting IC chip and device for optical communication |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0898187A2 (fr) | 1999-02-24 |
| US6100595A (en) | 2000-08-08 |
| FR2767389B1 (fr) | 1999-10-29 |
| DE69836657D1 (de) | 2007-02-01 |
| EP0898187B1 (fr) | 2006-12-20 |
| FR2767389A1 (fr) | 1999-02-19 |
| EP0898187A3 (fr) | 1999-03-10 |
| JP3014045B2 (ja) | 2000-02-28 |
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