TWI227806B - Substrate for liquid crystal display, liquid crystal display having the same, and method of manufacturing the same - Google Patents

Description

1227806 玖、發明說明： C發明所Λ 技術領域3 發明領域 本發明有關一用於資訊裝置的一顯示部分中所使用之 5液晶顯示器之基板、具有該基板之液晶顯示器及該基板之製造 方法。 C先前技術3 發明背景 10 15 近來，屬於XGA(具有1024x768解析度的延伸圖形陣列） 至UXGA(具有1600x1200解析度的超XGA)類型且具有ΐ5 23对的對角尺寸之液晶顯示器係廣泛使用在桌上型(個 人電腦）中。故加速了對於在各像素上具有一切換元件的主 動矩陣液晶顯示器之增大需求。主動矩陣液晶顯示器係具 有高於簡單矩陣型液晶顯示器之顯示特徵，其中藉由對ς 各像素提供一切換元件來防止串擾（cr〇sstalk)的發生且該 切換凡件在未選擇此像素時係賴以截止—色調(㈣訊 说。特定言之’利用薄膜電晶體(TFT)作為切換元件之液晶 顯示器就驅動能力而言係具有等同於CRT(陰極射線管）: 顯不特徵。 身又的TN (轉向列型）模歧晶顯示 器係具有一種柹一 透明基板之間的結構。一共同電極、細 板崎面膜係形成於-個透明基板中與另-基 及_ 像素電極 ;另一透明基板的相對表面上。_偏光 20 1227806 片係施加至各透明基板中相反地面對相對表面之一表面。 當提供兩偏光片使其偏振軸線彼此正交時，其能夠產生一 種在無電壓施加至基板之間時使光透射且在一電壓施加至 5基板之間時使光受到阻擒之模式，亦即-種正常為白色的 5 2式°相反地，當提供兩偏光片使其偏振軸線彼此平行時， 能夠產生一種正常為黑色的模式。 ^近來，需要具有較高效能的液晶顯示器。由於可攜式 電話、可攜式電子裝置及筆奶pc的普遍錢成了對於耗 電降低、戶外使用的容易度及戶外能見度之強烈需求。需 10要發展具有光反射像素電極且採用外部光而不需要光源裝 置以假定其可滿意地降低耗電、容易在戶外使用且具有戶 外能見度之反射型液晶顯示器。 用於反射型液晶顯示器之TFT基板係形成有由一具有 鬲反射率的金屬薄膜所構成之像素電極(反射電極）。在反射 15型液晶顯示器中’已經從一顯示螢幕側進入的自然光或電 性光（電力產生的光)係在TFT基板上反射，且利用反射光對 於液晶顯示器作為一光源。反射電極具有一不規則表面。 提前形成一在下方的一表面上具有凹部與突部之感光樹脂 膜，藉以提供反射電極的不規則表面。已經從顯示螢幕側 20 進入的光係被反射電極的不規則表面不規則地反射，以在 顯示螢幕的觀看位置（對於顯示螢幕呈一角度）如果改變時 防止可見度產生任何顯著的變化。如此可能提供一種具有 高亮度及寬廣觀看角度之反射型液晶顯示器。 JA-A-2001-194677號（下文稱為“文件1”）已經揭露一種 1227806 使一不規則阻障層形成於反射電極底下以在鋁（A1)製的反 射電極的一表面上形成凹部及突部之液晶顯示器。不規則 阻障層直接形成於TFT上。如此導致了 一項歸咎於阻劑以及 在施加阻劑前令基板成為斥水性的製程所使用的H M D S (六 5 甲基二矽氮烷）而造成TFT受到有機污染之問題。並且，因 為形成阻障層的步驟係為濕式程序，造成了一項會使濕度 及化學物滲入TFT之問題。因此，需要在TFT上形成一抗污 染保護膜以防止TFT特徵產生劣化，但這在文件1中未提及。 在文件1揭露的液晶顯示器中，不規則阻障層未形成於 10 一終端段上。因此，當終端段由一鋁型多層金屬膜構成時， 造成一項會在阻障層顯影時被侵餘之問題。下文將以文件1 中的描述作為基礎且參照第49至64圖來描述一種已經解決 上述問題之依據相關技術用於液晶顯示器之基板及該基板 之製造方法。 15 第49圖顯示根據相關技術之一反射型液晶顯示器的一 TFT基板之一組態。第5〇A圖顯示TFT基板沿著第49圖的線 X-X所取之剖面，第50B圖顯示TFT基板沿著第49圖的線 Υ-Y所取之剖面。第50C圖顯示TFT基板沿著第49圖的線z_z 所取之剖面。如第49及50A至50C圖所示，TFT基板具有形 20成於一玻璃基板11〇上之複數個閘匯流排線112使其在第49 圖的水平方向中彼此平行地延伸。形成複數個汲匯流排線 114使其在第49圖的垂直方向中彼此平行地延伸且與閘匯 流排線112相交，而具有一形成於閘匯流排線112上之絕緣 膜（閘絕緣膜）122介於其間。 1227806 TFT 120形成於閘匯流排線112及汲匯流排線114交會 位置之附近。一由非晶石夕（a-Si)製成的主動半導體層124、 一通路保護膜125及一由n+a-Si製成的n型雜質半導體層Π6 係依此次序形成於一 TFT120的閘電極（閘匯流排線）112上 5 且具有絕緣膜122介於其間。一從汲匯流排線114延伸之汲 電極128及一源電極130形成於η型雜質半導體層126上。在 及電極128與其底下的η型雜質半導體層126之間以及源電 極130與其底下的η型雜質半導體層126之間達成電性隔 離。一保護膜136形成於汲電極128及源電極130上。一具有 10 一不規則表面之阻障層152係形成於保護膜136上。 由一諸如Α1等光反射材料製成之反射型電極116係形 成於在TFT基板上以一矩陣形式設置之像素區中。反射電極 116係形成有一種遵循阻障層152的表面組態之不規則組 態。反射電極116經由接觸孔138電性連接至源電極13〇。形 15成一儲存電谷裔匯流排線118使其大致平行於閘匯流排線 112地延伸橫越各像素區。一儲存電容器電極（中間電極）132 係在儲存電谷裔匯流排線118上方形成於各像素區中且呈 有絕緣膜122介於其間。反射電極116經由接觸孔139電性連 接至儲存電容器電極132。 2 0 閘匯流排線終端14 〇形成於閘匯流排線丨丨2的一端（第 49圖的左側）上。由與反射電極116相同材料製成的保護傳 導膜141係形成於閘匯流排線終端140上。保護傳導膜i4i經 由接觸孔142電性連接至閘匯流排線終端14〇。汲匯流排線 終端144形成於汲匯流排線114的一端上（第的圖的頂部 1227806 上）、藉由”反射電極116相同材料製成之保護傳導膜I45係 線終端144上。保護傳導膜145經由接觸孔 146:性連接至&匯流排線終端144。儲存電容器匯流排線 \端㈣成於儲存電容器匯流排線118的一端上（第49圖 5的左側上)。藉由與反射電極ιΐ6相同材料製成之保護傳導 膜149係$成於儲存電容器匯流排線終端148上。保護傳導 膜14 9、”二由接觸孔丨5 〇電性連接至儲存電容器匯流排線終端 148 ° 現在參知第51至64圖描述一種根據相關技術之用於液 10晶顯示器之丁打基板之製造方法。第51、52、54、55、57、 58、60、61A、63及64圖係為顯示根據相關技術之一”丁基 板的製造步驟之程序的剖視圖且其中顯示一對應於第5〇A 圖之剖面。苐61B圖為顯示根據相關技術之丁ρτ基板的一製 造步驟之程序的剖視圖且其中顯示一對應於第5〇B圖之剖 15面。第61C圖為顯示根據相關技術之TFT基板的一製造步驟 之程序的剖視圖且其中顯示一對應於第5〇c圖之剖面。第 53、56、59及62圖為顯示根據相關技術之丁ft基板的製造步 驟，且其係為TFT基板在與基板一表面垂直之一方向的視 圖。 2〇 如第51圖所示，一金屬膜160形成於一玻璃基板11〇的 一整個頂表面上。一阻劑在整個基板施加至金屬膜160上且 利用一第一光罩予以圖案化形成一阻障圖案161。接下來， 如第52及53圖所示，利用阻障圖案161作為蝕刻遮罩來進行 蝕刻以形成閘匯流排線U2、儲存電容器匯流排線118、閘 1227806 匯流排線終端H0及儲存電容器匯流排線終端⑽。隨後移 除阻障圖案161。 接下來，如第54圖所示，一絕緣膜η〕、一 a-si層124, 及-個氮切膜(SiN膜）⑵，係依照此切形成於整個基 5板。後~正阻劑施加至整個基板。然後，利用閘匯流 排線112料料在玻喊板11G底料行背表φ暴光，且 利用帛_光罩進—步進行暴光以—種自行對準方式在問 匯流排線112上形成一阻障圖案162。接下來，如第55及56 圖所示，利用阻障圖案162作為蝕刻遮罩進行蝕刻，以形成 10通路保護膜125。隨後移除阻障圖案162。 接下來，如弟57圖所不連續地形成一 n+a-Si層126,及一 金屬膜128’。隨後將一阻劑在整個基板施加至金屬膜128, 上且利用一弟二光罩予以圖案化形成一阻障圖案163。然 後，如弟58及59圖所示，利用阻障圖案163作為餘刻遮罩來 15進行蝕刻，以形成一主動半導體層124、汲匯流排線114、 汲電極128、源電極130、汲匯流排線終端144及儲存電容器 電極132的各者。因此，形成TFT 120。隨後移除阻障圖案 163。 接下來，如第60圖所示，一由一透明絕緣膜構成的保 20 護膜136係形成於整個基板。隨後將一阻劑在整個基板施加 至保護膜136上且利用一第四光罩予以圖案化以形成一阻 障圖案164。然後，如第61A至61C及62圖所示，利用阻障 圖案164作為蝕刻遮罩來進行蝕刻，以形成接觸孔138,、 139’、142’、146’及150’各者。隨後移除阻障圖案164。 10 1227806 隨後將一正阻劑施加至整個基板。然後，為了在表面 上形成凹部及突部，利用一具有複數個圓形光屏蔽段的第 五光罩以低照明的紫外光(uv)進行暴光。然後，利用一在 接觸孔138’、139’、142’、146’及150’相關位置具有開口之 5 第六光罩以高照明的UV光進行暴光。當後續進行顯影時， 如第63圖所示，開口係形成於已經暴露於高照明的紫外光 之接觸孔138’、139’、142,、146,及150,上方的區域中，以 形成接觸孔138、139、142、146及150。相反地，在暴露於 低照明的UV光之區域中，阻障層厚度係變成小於以光屏蔽 10 段來屏蔽住預定光量之區域的厚度。這提供了一在其一表 面上形成有凹部及突部之不規則阻障層152。 接下來，如第64圖所示，一由A1製成的金屬膜116,係 在整個基板形成於不規則阻障層152上。隨後利用一第七光 罩來進行圖案化，以在各像素區中形成一反射電極116、及 15 閘匯流排線終端140上的保護傳導膜141、儲存電容器終端 148上的保護傳導膜149及汲匯流排線終端144上的保護傳 導膜145。上述步驟係完成如第49圖及第50A至50C圖所示 之一 TFT基板。 根據一上述TFT基板之製造方法，由一siN膜構成的保 20 護膜136係在元件隔離之後形成於TFT 120上，在形成不規 則阻障層152之前將且接觸孔138,、139,、142,、146,及150, 提前形成於保護膜136及絕緣膜122中。根據上述TFT基板之 製造方法，利用第五光罩形成不規則阻障層152表面上之凹 部及突部，且利用分離的第六光罩形成接觸孔138、139、 1227806 142、146及150。因此，在一反射型TFT基板的製造步驟中 需要七個光罩。因此，經由比正常以五個光罩製成的透射 型TFT基板更多之步驟數來製造此TFT基板，這將不利地導 致製造成本提高及製造良率降低。 5 【發明内容】 發明概要 本發明之一目的係提供一種可以減少的製造步驟來提 供良好顯示品質之用於液晶顯示器之基板、具有該基板之 液晶顯示器以及該基板之製造方法。 10 藉由一用於液晶顯示器之基板來達成上述目的，其特 徵為具有：像素區，其以一矩陣形式排列在一基部基板上； 複數個第一匯流排線，其彼此平行地形成於基部基板上； 一第一絕緣膜，其形成於第一匯流排線上；複數個第二匯 流排線，其彼此平行地形成使其與第一匯流排線相交且具 15有第一絕緣膜介於其間；一薄膜電晶體，其形成於各像素 區上，一第二絕緣膜，其形成於薄膜電晶體上；一褶縐狀 樹脂層，其位於第二絕緣膜上，褶續狀樹脂層在其一表面 上形成有褶縐且具有絕緣性質；一反射電極，其由一光反 、才料七成於褶頌狀樹脂層的各像素區上，反射電極的一 表面係形成有遵循褶縐狀樹脂層表面之褶縐；複數個匯流 ，線終端，其連接至各第―及第二匯流排線；及複數個保 k傳‘膜，其分別以與反射電極相同的材料形成於複數個 匯流排線終端上且分別連接至複數個匯流排線終端。 12 1227806 圖式簡單說明 以圖顯示本發明第—實行模式中根據實施例μ之一 液日日顯不器的一示意組態； 第2圖顯示本發明第一實 、广曰# — I仃拉式中根據實施例1-1之一 液日日顯不器的一基板之一組態； 弟3 Α至3 C圖係為顯示本於明 …飞 明弟一實行模式中根據實 域1之一液晶顯示器的組態之剖視圖； 第4圖為顯示本發明第一 认十 、仃杈式中根據實施例1_1用 於一液晶顯示器之基板的製造方 10 15 20 墙c 乃忐之一程序的剖視圖； 弟5圖為顯示本發明第一實 B 貝仃杈式中根據實施例Μ用 aa顯示器之基板的製造方法之—程序的剖視圖； =圖顯示本發明第-實行模式令根據實施例m用於 一液日日顯示器之基板之製造方法； 第7圖為顯示本發明第一實 n B 只仃枳式中根據實施例Μ用 於一液日日顯不器之基板的製 ^ /2:之—程序的剖視圖； 弟8圖為顯示本發明第一實 ^十 μ仃杈式中根據實施例1-1用 於一液日日顯不器之基板的製造方 # 万击之一程序的剖視圖； 弟9圖顯示本發明第一實行 、> θ μ仃杈式中根據實施例Μ用於 一液日日顯不器之基板之製造方法； 第10圖為顯示本發明第一實 貫仃杈式中根據實施例Μ 用於一液晶顯示器之基板的製造 十 、石决之一程序的剖視圖； 弟11圖為顯示本發明第一實 貫仃柄式中根據實施例Μ 用於，顯示器之基板的製造方法之-程序的剖視圖，· 苐12圖顯示本發明第一實 、丁拉式中根據實施例Μ用 13 1227806 於一液晶顯不為之基板之製造方法， 第13圖為顯示本發明第一實行模式中根據實施例1-1 用於一液晶顯示器之基板的製造方法之一程序的剖視圖； 第14圖為顯示本發明第一實行模式中根據實施例1-1 5 用於一液晶顯示器之基板的製造方法之一程序的剖視圖； 第15A至15C圖為顯示本發明第一實行模式中根據實 施例1-1用於一液晶顯示器之基板的製造方法之一程序的 剖視圖； 第16圖顯示本發明第一實行模式中根據實施例1-1用 10 於一液晶顯示器之基板之製造方法； 第17圖為顯示本發明第一實行模式中根據實施例1-1 用於一液晶顯示器之基板的製造方法之一程序的剖視圖； 第18圖為顯示本發明第一實行模式中根據實施例1-1 用於一液晶顯示器之基板的製造方法之一程序的剖視圖； 15 第19圖為顯示本發明第一實行模式中根據實施例1-2 用於一液晶顯示器之一基板的組態之剖視圖； 第20圖為顯示本發明第一實行模式中根據實施例1-2 用於一液晶顯示器之基板的製造方法之一程序的剖視圖； 第21圖為顯示本發明第一實行模式中根據實施例1-2 20 用於一液晶顯示器之基板的製造方法之一程序的剖視圖； 第22圖為顯示本發明第一實行模式中根據實施例1-2 用於一液晶顯示器之基板的製造方法之一程序的剖視圖； 第23圖為顯示本發明第一實行模式中根據實施例1-2 用於一液晶顯示器之基板的製造方法之一程序的剖視圖； 14 1227806 第24圖為顯示本發明第一實行模式中根據實施例1-2 用於一液晶顯示器之基板的製造方法之一程序的剖視圖； 第25A及25B圖為顯示根據相關技術之一反射型液晶 顯示器之製造方法的一範例之（第一）剖視圖； 5 第26A及26B圖為顯示根據相關技術之一反射型液晶 顯示器之製造方法的範例之（第二)剖視圖； 第27A及27B圖為顯示根據相關技術之一反射型液晶 顯示器之製造方法的範例之（第三）剖視圖； 第28A及28B圖為顯示根據相關技術之一反射型液晶 10 顯示器之製造方法的範例之（第四）剖視圖； 第29A及29B圖為顯示根據相關技術之一反射型液晶 顯示器之製造方法的範例之（第五）剖視圖； 第30A及30B圖為顯示根據相關技術之一反射型液晶 顯示器之製造方法的範例之（第六）剖視圖； 15 第31圖為顯示根據相關技術之一反射型液晶顯示器之 製造方法的範例之（第七）剖視圖； 第32圖為顯示本發明第二實行模式中之一反射型液晶 顯示器的方塊圖； 第33圖為顯示本發明第二實行模式中之液晶顯示器的 20 一像素之平面圖； 第34圖為沿著第33圖的線I-Ι之剖視圖； 第35A及35B圖為顯示本發明第二實行模式中根據實 施例2-1之一液晶顯示器之製造方法的（第一）剖視圖； 第36A及36B圖為顯示本發明第二實行模式中根據實 15 1227806 施例2-1之一液晶顯示器之製造方法的（第二）剖視圖； 第37A及37B圖為顯示本發明第二實行模式中根據實 施例2-1之一液晶顯示器之製造方法的（第三）剖視圖； 第38A及38B圖為顯示本發明第二實行模式中根據實 5 施例2-1之一液晶顯示器之製造方法的（第四）剖視圖； 第39A及39B圖為顯示本發明第二實行模式中根據實 施例2_1之一液晶顯示器之製造方法的（第五）剖視圖； 第40圖為顯示本發明第二實行模式中根據實施例2-1 之一液晶顯示器之製造方法的（第六）剖視圖； 10 第41A及41B圖為顯示本發明第二實行模式中根據實 施例2-2之一液晶顯示器之製造方法的（第一）剖視圖； 第42圖為顯示本發明第二實行模式中根據實施例2-2 之一液晶顯製造方法的（第二)剖視圖； 第43 A及示一通路蝕刻式TFT之製造方法的 15 剖視圖； … 第44圖為顯示將圖案設置於像素電極134上以調節褶 縐狀凹部及突部的延伸方向之一範例的平面圖； 第45圖顯示在改變的氣體物種、加速電壓、劑量及掺 雜時間下進行之褶縐狀凹部及突部的形成狀態之檢查結果 20 的（第一）表； 第46圖顯示在改變的氣體物種、加速電壓、劑量及摻 雜時間下進行之褶縐狀凹部及突部的形成狀態之檢查結果 的（第二)表； 第47A至47B圖為顯示在一阻障膜的一表面上形成之 16 1227806 褶縐狀凹部及突部的一範例之光學顯微影像，第47B圖為阻 障膜的一段之電子顯微影像； 第48A至48H圖為顯示在一阻障膜的一表面上形成之 褶縐狀凹部及突部的範例之光學顯微影像； 5 第49圖顯示根據相關技術之一用於液晶顯示器之基板 的一組態； 第50A至50C圖顯示根據相關技術之一用於液晶顯示 器之基板的組態之剖視圖； 第51圖顯示根據相關技術之一用於液晶顯示器之基板 10 的製造方法之一程序的剖視圖； 第52圖顯示根據相關技術之一用於液晶顯示器之基板 的製造方法之一程序的剖視圖； 第53圖顯示根據相關技術之一用於液晶顯示器之基板 的製造方法； 15 第54圖顯示根據相關技術之一用於液晶顯示器之基板 的製造方法之一程序的剖視圖； 第55圖顯示根據相關技術之一用於液晶顯示器之基板 的製造方法之一程序的剖視圖； 第56圖顯示根據相關技術之一用於液晶顯示器之基板 20 的製造方法； 第5 7圖顯示根據相關技術之一用於液晶顯示器之基板 的製造方法之一程序的剖視圖； 第58圖顯示根據相關技術之一用於液晶顯示器之基板 的製造方法之一程序的剖視圖； 1227806 第59圖顯示根據相關技術之—用於液晶顯示器之基板 的製造方法； 第60圖顯示根據相關技術之—用於液晶顯示器之基板 的製造方法之一程序的剖視圖； 5 帛61A至㈣圖顯示根據相關技術之—用於液晶顯示 器之基板的製造方法之一程序的刮視圖； 第62圖顯示根據相關技術之—用於液晶顯示器之基板 的製造方法； 第63圖顯示根據相關技術之_用於液晶顯示器之基板 10的製造方法之一程序的剖視圖；及 第64圖顯示根據相關技術之_用於液晶顯示器之基板的 製造方法之一程序的剖視圖。 I：實施方式】 較佳實施例之詳細說明 15 [本發明第一實行模式] (實施例1-1) 現在參照第1至18圖描述本發明第一實行模式中根據 貫施例1-1之-用於液晶顯示器之基板、一具有該基板之液 晶顯示器及一該基板之製造方法。第丨圖顯示根據本實施例 20的一液晶顯示器之示意組態。如第1圖所示，一反射型液晶 顯示器係具有-種使一具有一 TFT與一形成於各像素區上 的反射電極之TFT基板（基部基板)2以及一具有其上設有 CF(彩色濾光片）層之CF基板4以面對面關係合併且使一液 晶密封在基板2與4之間之結構。 18 1227806 TFT基板2係形成有彼此相交之複數個閘匯流排線及 複數個及匯流排線且具有一絕緣膜介於其間。提供有一裝 載有用於驅動複數個閘匯流排線的驅動1C之閘匯流排線驅 動電路70，以及一裝載有用於驅動複數個汲匯流排線的驅 5動1C之汲匯流排線驅動電路72。驅動電路70及72係藉由一 控制電路74基於預定訊號輸出將掃描訊號及資料訊號輪出 至預疋的閘匯流排線或沒匯流排線。一偏光片％係施加至 CF基板4中相反地面對一設有彩色濾光片的表面之一表面。 [] 第2圖顯示根據本實施例之一用於液晶顯示器之基板 10的一組態。第3A圖顯示用於液晶顯示器之基板沿著第2圖的 線A-A之剖面。第3B圖顯示用於液晶顯示器之基板沿著第2 圖的線B-B之剖面。第3C圖顯示用於液晶顯示器之基板沿 著第2圖的線C-C之剖面。如第2及3A至3C圖所示，TFT基板 2具有形成於一透明玻璃基板1〇上之複數個閘匯流排線12 15 且使其彼此平行地在第2圖的水平方向中延伸（第2圖顯示 兩個閘匯流排線12)。一由一SiN膜或氧化矽膜（Si0膜)構成 的絕緣膜（閘絕緣膜)22係形成於閘匯流排線12上。形成彼此 平行地在第2圖的垂直方向中延伸之複數個汲匯流排線14 且使其與閘匯流排線12相交而具有絕緣膜22介於其間（第2 2〇 圖顯示兩個沒匯流排線14)。 TFT 20形成於閘匯流排線12與汲匯流棑線14交會位置 的附近。一譬如由非晶矽(a-Si)製成的主動半導體層24、一 譬如由一 SiN膜構成的通路保護膜25及一譬如由n+a-Si構成 的η型雜質半導體層（歐姆接觸層）26係依照此次序形成於一 19 1227806 20的閘電極（閘匯流排線）丨2上且具有絕緣膜22介於其 間。一從汲匯流排線14延伸的汲電極28及一源電極30係形 成於η型雜質半導體層26上。在汲電極28與其底下的η型雜 質半導體層2 6之間以及源電極3 0與其底下的η型雜質半導 5 體層26之間達成電性隔離。一譬如由一siN膜構成且具有絕 緣性質之保護膜36係形成於汲電極28及源電極30上。一具 有一褶縐表面之褶縐狀樹脂層（阻障層）52係形成於保護膜 J 36上。褶縐狀樹座層52譬如由具有感光及絕緣性質之單一 阻障層構成 10 由一諸如鋁等光反射材料製成之反射電極16係形成於 以一矩陣形式設置在TFT基板2上之像素區中。反射電極16 形成有遵循褶縐狀樹脂層52的表面組態之褶縐。反射電極 16經由接觸孔38電性連接至源電極30。形成一儲存電容器 匯流排線18使其大致與閘匯流排線12平行地延伸橫越各像 15素區。一健存電容器電極（中間電極)32係在餘存電容器匯流 排線18上方形成於各像素區上且具有絕緣膜22介於其間。 反射電極16經由接觸孔39電性連接至儲存電容器電極32。 閘匯流排線終端4 0形成於閘匯流排線21的一端上（第2 圖的左側上）。由與反射電極16相同材料製成的保護傳導膜 2〇 41係形成於閘匯流排線終端40上。經由身為保護膜36與絕 緣膜22中的開口之接觸孔42將保護傳導膜41電性連接至閘 匯流排線終端40。汲匯流排線終端44形成於汲匯流排線14 的一端上（第2圖頂部上）。由與反射電極16相同材料製成之 保護傳導膜45係形成於汲匯流排線終端44上。經由身為保 20 1227806 護膜36中的開口之接觸孔46將保護傳導膜45電性連接至汲 匯流排線終端44。儲存電容器匯流排線終端48係形成於儲 存電谷為匯流排線18的一端上（第2圖的左側上）。由與反射 電極16相同材料製成之保護傳導膜49係形成於儲存電容器 5 匯流排線終端48上。經由身為保護膜36及絕緣膜22中的開 口之接觸孔50將保護傳導膜49電性連接至儲存電容器匯流 排線終端48。一褶縐狀樹脂層52係形成於閘匯流排線終端 40及汲匯流排線終端44周邊上。一褶縐狀樹脂層52係形成 於閘匯流排線終端48周邊上。 10 現在參照第4至18圖描述根據本實施例之一用於液晶 顯示器之基板的製造方法及具有該基板之液晶顯示器。第 4、5、7、8、10、1卜 13、14、15A、17及 18係為顯示根據 本實施例之一用於液晶顯示器之基板的製造步驟之程序的 剖視圖，且其顯示一對應於第3A圖之剖面。第15B圖為顯 15 示根據本實施例之一用於液晶顯示器之基板的製造步驟之 程序的剖視圖，且其顯示一對應於第3B圖之剖面。第15c 圖為顯示根據本實施例之用於液晶顯示器之基板的製造步 驟之程序的剖視圖，且其顯示一對應於第3C圖之剖面。第 6、9、12及12圖顯示根據本實施例之用於液晶顯示器之基 20 板的製造步驟，且其係為此TFT基板在一與基板的一表面呈 垂直之方向的視圖。 如第4圖所示，譬如利用一 PVD(物理氣相沉積）程序依 此次序在基板上形成一譬如100奈米厚度的鋁膜及一譬如 50奈米厚度的鈦(Ti)膜，藉以將一金屬膜（閘金屬層）6〇形成 21 於一玻璃基板10的一整個頂表面。金屬膜60可由一鉻(Cr) 膳、A1合金或鉬(Mo)膜構成。一阻劑（感光樹脂)在整個基板 施加至金屬膜60上且利用一弟一光罩予以圖案化以形成一 具有預定組態之阻障圖案61。 5 接下來，如第5及6圖所示，利用阻障圖案61作為蝕刻 遮罩以一氣型氣體進彳于乾餘刻。當金屬膜6〇由一 Cr膜構成 時，利用一Cr蝕刻劑進行濕蝕刻。當金屬膜6〇由一八丨合金 膜或Mo型膜構成時，利用一A1蝕刻劑來進行濕蝕刻。因 此，形成了閘匯流排線12、儲存電容器匯流排線1 $、閘匯 1〇流排線終端4〇及儲存電容器匯流排線終端48。隨後移除阻 陣圖案61。 接下來，如第7圖所示，譬如，利用一電漿cvD(化學 氣相沉積）程序將一由一透明且具有絕緣性質與譬如35〇奈 米厚度的SiN膜構成之絕緣膜22、及一譬如3〇奈米厚度的 l5 a_Sl層24’、及一具有譬如120奈米厚度的SiN膜25,依照此次 序連續地形成於整個基板。接下來，將一可溶解於一减光 部分十之正阻劑施加至整個基板。接下來，利用閘匯流排 線12作為遮罩在玻璃基板1〇的底部（第7圖的底部）進行背表 面暴光，且利用一第二光罩進一步進行暴光以一種自行對 20準方式在閘匯流排線12上形成一阻障圖案62。 接下來，如第8及9圖所示，利用阻障圖案62作為蝕刻 遮罩來進行蝕刻以在TFT20設置處的閘匯流排線12上之區 域中形成通路保護膜25。隨後移除阻障圖案62。 接下來，如第1〇圖所示，譬如，利用一PVD程序依照 22 1227806 此次序連續地形成一譬如具30奈米厚度的n+a-Si層26,及以 一譬如由一20奈米厚的Ti膜及一75奈米厚的A1膜及一20奈 米厚的Ti膜所構成之金屬膜（汲金屬層）28,。金屬膜28,可由 一A1合金膜或一含有其他低電阻金屬的多層膜所構成。隨 5 後將一阻劑在整個基板施加至金屬膜28,上且利用一第三 光罩予以圖案化以形成一具有一預定組態之阻障圖案63。 接下來，如第11及12圖所示，使用阻障圖案63作為蝕 刻遮罩一次同時進行金屬膜28,、n+a-Si層26,及a-Si層24,之 乾蝕刻。利用一採用一氣型氣體的RIE(反應性離子蝕刻）進 10行蝕刻。通路保護膜25在蝕刻期間作為蝕刻停止部，且不 蝕刻其底下的a-Si層24’。因此，形成一主動半導體層24、 汲匯流排線14、汲電極28、源電極30、汲匯流排線終端44 及儲存電容電極32各者。隨後移除阻障圖案63。 接下來，如第13圖所示，一具有透明性及絕緣性質且 15由一譬如330奈米厚的SiN膜構成之保護膜36係譬如利用一 電漿CVD程序形成於整個基板。—譬如約有3·5微米厚度的 正阻劑隨後在整個基板形成於保護膜36上且利用一第四光 罩予以圖案化以形成—具有-預定組態之阻障圖案64。 接下來，在以UV光輻照阻障圖案64表面之後，阻障圖 20案64言如以2〇〇 c的烘烤溫度予以烘烤。uv光較佳以等於 或小於i射線(波長特別位於⑺至⑽奈米的範圍⑴之輕射 波長及、、、勺30¾焦耳的輻射能進行輕射。結果，一交聯反應 只發生在阻障圖案64表面上以形成稽續狀凹部及突部，且 因此如第14圖所示提供一褶·樹脂層52。在此時，一阻 23 1227806 劑昇爭物係在烘烤阻劑時形成於區域“中。 護膜=第=職層咐^ _ 及16圖所不形成各接觸孔38、39及 =㈣刻保護膜观絕緣膜U以如第⑽及關所示 形成接觸孔42及50。此蝕刻係為使用—譬如採用一氟型 氣體的RIE程序之乾_。在6 7帕、抑〇2餐細㈣⑷ 及600瓦條件下進仃姓刻。藉由餘刻來移除形成於區域“中 之阻劑昇華物。 接下來，如第17圖所示’譬如利用一PVD程序將一譬 Η)如具有15G奈米厚度的顧在整個基板形成於褶_樹脂 層52上卩幵>成一金屬膜16,。一阻劑隨後施力口至金屬膜μ, 的-整個頂表面。然後，利用一第五光罩進行圖案化以形 成一阻Ρ早圖案65。如第18圖所示，利用阻障圖案65作為蝕 刻遮罩以磷酸、硝酸及醋酸的一混合物來進行濕蝕刻，以 15形成各像素區上之一反射電極16、各閘匯流排線終端4〇上 之一保護傳導膜41、各儲存電容器匯流排線終端48上之一 保護傳導膜49、及各沒匯流排線終端44上之一保護傳導膜 45。隨後移除阻障圖案65。經由上述步驟完成了身為根據 本實施例用於液晶顯示器的基板之一TFT基板2。隨後，TFT 20 基板2係與一 CF基板4合併以在其間密封一液晶，而完成了 根據本實施例之一液晶顯示器。 本實施例中，褶縐狀凹部及突部係形成於在保護膜36 上構成之褶縐狀樹脂52層表面上。形成於褶縐狀樹脂層52 上之反射電極16係形成有遵循褶縐狀樹脂層52表面組態之 24 1227806 褶縐。因此，已經從顯示螢幕側進入的光可被反射電極16 不規則地反射，這將可能提供一具有高亮度及寬廣觀看角 度之反射型液晶顯示器。 本實施例中，在構成褶縐狀樹脂層52之後形成接觸孔 '\J 5 38、39、42、46及50。因此，可能將形成接觸孔38、39、 42、46及50時在烘烤阻劑期間產生之阻劑的昇華物予以移 除。並且，因為當阻劑烘烤時金屬膜未露出，在金屬膜上 未形成熱氧化膜。這將可能避免由於阻劑昇華物及一熱氧 化膜致使金屬膜之間產生不良接觸。因為一SiN膜構成的保 10 護膜36係在元件隔離之後形成於TFT 20上，可防止TFT 20 被阻劑所污染。 並且’因為根據本實施例當凹部及突部形成於褶縐狀 樹脂層52表面上時並未使用光罩，比起根據相關技術的製 造步驟而言可減少一個光罩。並且，因為使用褶縐狀樹脂 15層52作為餘刻遮罩，可減少另一個光罩。因此，所需要的 光罩數從七個減至五個。這將減少一 TFT基板2的製造步 驟，故可能降低製造成本及改善製造良率。 (實施例1-2) 現在參照第19至24圖描述本發明的此實行模式中根據 20實施例1-2之一用於液晶顯示器之基板、具有該基板之液晶 顯不為及δ亥基板之製造方法。弟19圖顯示根據本實施例之 一用於液晶顯示器之基板的一部分且其對應於第3Α圖所顯 示者。具有與實施例1-1相似的功能及操作之元件係標有類 似的編號而不在此處贅述。如第19圖所示，藉由|虫刻移除 25 1227806 接觸錢連接至—反射電極16之—源電極％的一 :及^。同樣地，藉純刻移除了經由—接觸孔39連接 反射電極16之一儲存電容器電極32的_ 土表面。雖铁 t圖示’藉由關移除了經由-接觸孔辦接至—保護傳 V膜41之一閘匯流排線終端4〇的一區之表面。藉财 除了經由一接觸孔46連接至一保護傳導 S "夕 冷膜45之-汲匯流排 :，44的一區之表面。藉由姓刻移除了經由-接觸孔50

、接至-賴傳導卿之—儲存電容器匯流排線終端邮的 一區之表面。 現在參照第2 0至2 4圖描述根據本實施例用於液晶顯示 器之基板的製造方法及具有該基板之液晶顯示器。到形成 TFT 20為止之步驟因為已經參照第4至12圖描述，故不再加 以顯示及描述。如第20圖所示，譬如利用一電漿cvd程序， 對於整個基板在汲電極28、源電極3〇及儲存電容器電極32 ^成由言如33〇奈米厚的一SiN膜所構成之保護膜36。

接下來，將一阻劑在整個基板施加至保護膜36上，且利用 第四光罩予以圖案化以形成一具有預定組態之阻障圖案 64 ° 接下來，如第21圖所示，利用阻障圖案64作為蝕刻遮 2〇 m 皁一次同時蝕刻保護膜36及一絕緣膜22，以形成各接觸孔 38、39、42、46及50(接觸孔42、46及50未顯示於第21圖中）。 此處進行的蝕刻譬如係為使用一採用一氟型氣體的RIE程 序之乾蝕刻。譬如，在6.7帕、SF6/02=200/200(sccm)及600 瓦條件下進行蝕刻。隨後移除阻障圖案64。 26 1227806 接下來，如第22圖所示，將一譬如約3·5微米厚的正阻 劑（用於形成一褶縐狀樹脂層52)在整個基板施加至保護膜 36上，且利用一第五光罩進行圖案化以形成一在接觸孔 38、39、42、46及50上具有開口之阻障圖案66。可只經由 5暴光與顯影來形成接觸孔38、39、42、46及50。接下來， 在以uv光輻照阻障圖案66表面之後，以譬w2〇〇t：的烘烤 溫度來烘烤阻障圖案6^uv光較佳以等於或小於丨射線(波 長特別位於170至260奈米的範圍内）之輻射波長及約3〇毫 焦耳的輻射能進行輻射。因此，如第23圖所示，一交聯反 1〇應只發生在阻障圖案66表面上以形成褶縐狀凹部及突部， 藉此提供一褶縐狀樹脂層52。在此時，烘烤阻劑期間於金 屬膜表面上所產生的一熱氧化膜及一阻劑昇華物或者一阻 劑殘留物係留在區域α中。 接下來，如第24圖所示，利用褶縐狀樹脂層52作為蝕 15刻遮罩進行蝕刻，藉以移除已經形成接觸孔38之源電極30 區域的表面以及已經形成接觸孔39之儲存電容器電極η區 域的表面。雖然未圖示，進行餘刻以同時地移除已經形成 接觸孔42之閘匯流排線終端4〇區域的表面、已經形成接觸 孔46之汲匯流排線終端44區域的表面、及已經形成接觸孔 歡赫電容器匯流排線終端48區域的表面。純刻係為 言如利用RIE&序之乾餘刻。在6雜、见/〇2=㈣i5Q⑽㈤) 及600瓦條件下進行軸。進行㈣以歸在區細中所形 成之任何熱氧化膜及任何阻劑昇華物。 接下來，譬如利用一PVD程序，將一由一譬如15〇奈米 27 1227806 厚的A1膜所構成之金屬膜在整個基板形成於褶縐狀樹脂層 52上。隨後將一阻劑施加至金屬膜的一整個頂表面。然後 利用一第六光罩進行圖案化以形成一阻障圖案。利用阻障 圖案作為蝕刻遮罩以磷酸、硝酸及醋酸的一混合物來進行 5濕餘刻，以形成各像素區上之一反射電極16、各閘匯流排 線終端40上之一保護傳導膜41、各儲存電容器匯流排線終 端48上之一保護傳導膜的、及各汲匯流排線終端44上之一 保護傳導膜45。隨後移除阻障圖案。經由上述步驟完成了 身為根據本實施例用於液晶顯示器的基板之一TFT基板2。 10隨後’ TFT基板2係與一 CF基板4合併以在其間密封一液 晶，而完成了根據本實施例之一液晶顯示器。 本實施例中，褶縐狀凹部及突部係形成於在保護膜36 上構成之權縐狀樹脂52層表面上。形成於褶縐狀樹脂層52 上之反射電極16係形成有遵循褶縐狀樹脂層52表面組態之 15褶縐。因此，已經從顯示螢幕側進入的光可被反射電極π 不規則地反射’這將可能提供一具有高亮度及寬廣觀看角 度之反射型液晶顯示器。 本實施例中，在構成褶縐狀樹脂層52之後進行餘刻， 藉以移除在烘烤阻劑期間產生於金屬膜表面上之任何阻劑 2〇 殘留物或任何熱氧化膜及任何阻劑昇華物。因此，可能避 免由於一熱氧化膜或一阻劑昇華物致使金屬膜之間產生不 良接觸。因為一SiN膜構成的保護膜36係在元件隔離之後形 成於TFT 20上，可防止TFT 20被阻劑所污染。 並且，因為根據本實施例當凹部及突部形成於褶續狀 28 1227806 樹脂層52表面上時ji未使用光罩，比起根據相關技術的製 造步驟而言可減少一個光罩。並且，因為使用褶縐狀樹脂 層52作為蝕刻遮罩，可減少另一個光罩。因此，所需要的 光罩數從七個減至六個。這將減少一TFT基板2的製造步 5 驟，故可能降低製造成本及改善製造良率。 [本發明第二實行模式] 現在描述本發明第二實行模式中之一反射型液晶顯示 器之製造方法以及根據該製造方法製成之液晶顯示器。本 發明的此實行模式係關於一具有反射電極之反射型液晶顯 10 示器的製造方法，其中該反射電極係形成於一設有細微凹 部及突部之有機樹脂膜上，且關於一根據該製造方法製成 之反射型液晶顯示器。 申請人已經提出一利用光阻在一像素電極的一表面上 形成細微褶縐形式的凹部及突部之方法 15 (JP_A·2002-221716)。下文參照第25A至31圖描述此方法。 如第25A圖所示，一金屬膜60首先利用一噴濺程序形成 於一玻璃基板10上，且利用一光阻將一具有預定圖案的阻 障膜61形成於其上。 利用阻障層61料#刻遮罩 接下來，如第25B圖所示， 20來蝕刻金屬膜60，以形成閘匯流排線12及儲存電容哭匯流 排線18。隨後移除阻障膜61。

接下來，如第26 A同---一 閘絕緣膜22形成於基 TFT的主動層之非晶 29 1227806

SiN膜25’係順序性形成於其上。 隨後將一正光阻膜形成於siN膜25,上。經由一預定的 暴光遮罩使光阻膜在基板1〇背側暴光且進一步在基板1〇頂 側暴光，隨後進行一顯影程序藉以形成阻障膜62，其中阻 5障膜62係以自行對準方式覆蓋住閘匯流排線12上方之通路 保護膜形成區域。 接下來，如第26B圖所示，利用阻障膜62作為遮罩來蝕 刻SiN膜25以形成通路保護膜25。隨後移除阻障膜62。 接下來，如第27A圖所示，一即將變成歐姆接觸層之n+ 10型非晶矽膜26’係形成於基板1〇頂側的整個表面上。隨後， 利用一PVD程序將一金屬膜28’形成於n+型非晶矽膜26, 上。隨後利用一光阻將一具有預定圖案的阻障膜63形成於 金屬膜28’上。 接下來，如第27B圖所示，利用阻障層63作為遮罩來蝕 15刻金屬膜28’、n+型非晶矽膜26,及非晶矽膜24,，以界定即 將變成TFT的主動層之非晶矽膜24的組態以及形成資料匯 流排線(汲匯流排線）14、源電極3〇、汲電極28及儲存電容器 電極32。在此時，即將變成TFT的通路之非晶矽膜24區域係 受到通路保護膜25保護。隨後移除阻障膜63。 2〇 接下來，如第28A圖所示，一由一透明絕緣膜構成的最 後保遵膜36係形成於基板10頂側的整體表面上。最後保古雈 膜36譬如由SiN形成。然後，一在接觸孔形成位置處具有開 口之阻障膜64係形成於最後保護膜36上。 接下來，如第28B圖所示，利用阻障膜64作為遮罩來蝕 30 1227806 刻最後保護膜36以形成分別延伸到達源電極3〇及儲存電容 器電極32之接觸孔38及39。隨後移除阻障膜64。 接下來，如第29A圖所示，一正光阻膜52,形成於基板 1〇頂側的整體表面上，且進行暴光及顯影程序以形成接觸 5孔％及39露出處之開口。隨後以130至145。〇範圍的溫产進 行後烘烤，然後以UV光來輻照阻障膜52,的一表面層使得表 面層中的聚合物產生交聯。UV光在此時的劑量係為大約 1000至6000毫焦耳/平方公分的範圍。當隨後以2〇〇它或更 高溫度進行熱烘烤時，因為阻障膜52,的表面層（交聯部分） 10及一深部分（尚未發生交聯的部分）具有不同之熱變形特徵 (熱膨脹係數或熱吸收因數），如第29B圖所示，細微褶縐狀 凹部及突部係形成於阻障膜52表面上。 接下來，如第30A圖所示，將A1喷濺在基板1〇頂側上以 在阻障膜52上形成一A1製金屬膜16,。因為細微的凹部及突 15部設置於阻障膜52表面上，凹部及突部亦形成於金屬膜16, 表面上。金屬膜16,經由接觸孔38及39電性連接至 及儲存電容ϋ電極32。隨後，將―具有驗界定像素電極 的預定圖案之阻障膜65形成於金屬膜16，上。 接下來，如第30Β圖所示，利用阻障膜65作為遮罩來蝕 20刻金屬膜16，以形成可分開服務各像素之像素電極（反射電 極）16。隨後如第31圖所示移除阻障膜65。因此，形成了在 一表面上具有細微凹部及突部之像素電極16。 根據上述之一反射型液晶顯示器之製造方法，只有光 阻膜52,的表面層受到uv光輻照造成交聯，隨後進行;;熱程 31 1227806 序來在光卩且骐52上形成褶縐狀凹部及突部。在此例令，重 要的是UV光的照明及其照明分佈，且當該等參數具有變異 時凹部及突部將變得不規則。然而，難以利用uv光以高产 可複製方式均勻地全面性輻照一個大的基板。 5 根據上述方法，在光阻膜52,中形成導向接觸孔38及39 的開口之後，以130至145°C範圍的溫度進行後烘烤。已妙 顯現出’後烘烤溫度係與凹部及突部的傾斜及間距具有相 關性，且已經發現，根據上述使用UV光的方法當後烘烤溫 度為150°C或更高時，凹部及突部將無法形成於光阻膜上。 1〇 譬如，在使用於PDA的小尺寸液晶顯示器案例中，最 好係形成較粗糙的凹部及突部，在使用於筆記型pc的中尺 寸液晶顯示器案例中，最好形成較細微的凹部及突部。 在後烘烤溫度低於not的案例中，無法充分地移除阻 障膜52,中的n2，這會在uv光輻照期間造成暴光迸發 15 (exposure bursting) ° 在此等環境下，本發明的此實行模式係針對提供一反 射型液晶顯示器之製造方法，其中—阻障膜的凹部及突部 的傾斜與間距受到精確控制以設置不具有不平均凹部及突 部之反射電極，並提供根據此製造方法製成之—反射型液 20 晶顯示器。 藉由一反射型液晶顯示器之製造方法解決了上述問 題，其特徵為具有以下步驟：將一有機樹脂施加至一基板 以形成一有機樹脂膜；烘烤此有機樹脂膜，將帶電粒子施 加至有機樹脂膜而只硬化其-表面層；在有機樹脂膜上進 32 1227806 行熱^序以在其一表面上形成褶縐狀凹部及突部；及在 有機祕脂膜上形成一反射電極。 藉由一反射型液晶顯示器之製造方法解決了上述問 題其特徵為具有以下步驟：形成一有一掃描訊號供應之 〉11排線 有一顯示訊號供應之資料匯流排線及一含 #連接至閘g流排線的閘電極且含有連接至資料匯流排線 及電極之薄膜電晶體於一第一基板上；在閘匯流排線、 貝料匯流排線、及薄膜電晶體上方形成一絕緣膜；在絕緣 膜j形成一第一光阻膜；進行第一暴光及顯影以在一使第 光阻膜與薄膜電晶體的_源電極相聯結之位置中形成一 % 口 ’利用第一光阻膜作為遮罩來蝕刻絕緣膜，以形成一 導向薄膜電晶體的源電極之接觸孔；移除第一光阻膜；在 絕緣膜上形成-第二光阻膜；進行第二暴光及顯影以在一 使第一光阻膜與接觸孔聯結之位置中形成一開口；將帶電 15粒子‘入第一光阻膜的一表面層中；在第二光阻膜上進行 一熱程序以在其一表面上形成褶縐狀凹部及突部；在第二 光阻膜的-整個頂表面形成一傳導反射膜；將反射膜予以 圖案化以形成-第-電極；及一具有一包含一導體膜的第 二電極之第二基板以及第—基板㈣成為彼此相對且將一 20 液晶密封在其間。 藉由一液晶顯示器之製造方法解決了上述問題，其特 徵為具有以下步驟：形成一有一掃描訊號供應之閘匯流排 線、一有一顯示訊號供應之資料匯流排線及一含有連接至 閘匯流排線的閘電極且含有連接至資料匯流排線的沒電極 33 1227806 、專膜電晶體於一第一其士G μ ·产叫广+ 弟基板上，在閘匯流排線、資料匯法 排線、及薄膜電晶體上方 ' 机 -光阻膜n上 在絕緣膜上形成 仃*光及顯影以在一使光阻膜與 =電極相聯結之位置中形成一開口;利用光阻膜二 遮罩來_絕_，㈣成—㈣薄膜電晶㈣源電極: 接航；將帶電粒子導人絲_-表面層中，·在光阻膜 上進订&程序以在其—表面上形成褶續狀凹部及突部； 在光阻膜的-整個頂表面形成—傳導反㈣；將反射 10 以：案化以形成-第-電極;及將-具有-包含一導體膜 電極之第_基板以及第__基板排列成為彼此相對且 將一液晶密封在其間。 藉由一液晶顯示器解決了上述問題，其特徵為藉由將 一液晶密封在一對基板之間而形成且其在該對基板的任一 者上具有一有一掃描訊號供應之閘匯流排線、一有一顯示 15。域供應之資料匯流排線及_含有連接至閘匯流排線的閑 電極且含有連接至資料匯流排線的汲電極之薄膜電晶體於 一第一基板上；在閘匯流排線、資料匯流排線、及薄膜電 晶體上方形成一有機樹脂膜且在其一表面上設有褶縐狀凹 部及突部；及在有機樹脂膜上形成一反射電極且設有遵循 20有機樹脂層的凹部及突部之凹部及突部，在帶電粒子導入 其一表面層中之後進行一熱程序藉以形成有機樹脂膜的凹 部及突部。 在本發明的此實行模式中，只有一有機樹脂膜的一表 面層藉由施加T電粒子而受到硬化，且隨後進行一熱程序 34 1227806 以在有機膜的—表面上形成稽續狀凹部及突部。蓉 :，將帶電粒子施加至有機樹脂之程序係包括 一離子摻雜 私序反應性離子電漿飯刻程序、電子迴旋共振電浆程序、 ICP(感應麵合電襞)程序及Tcp(變隸合電幻程序。 5 有機樹_的帶電粒子係在有機樹脂膜的表面 層中轉換成熱能而造成一熱交聯反應。結果，只有有機樹 脂膜的表面層受到硬化。當隨後進行一熱程序時，因為有 機樹脂膜的表面層（發生交聯之部分)及其一深部分（未發生 父聯之部分）具有不同的熱變形特徵（熱膨脹係數或熱吸收 10因數），凹部及突部係形成於有機樹脂膜的表面上。 根據利用一離子摻雜程序或RIE程序將帶電粒子施加 至有機樹脂膜藉以硬化一有機樹脂膜的一表面層之方法， 即便使用一大基板時仍可將帶電粒子在一基板上均勻地全 面性施加至一有機樹脂膜。此方法亦比uv光輻照方式具有 15更好之劑量可複製性。因此，可能以高度可複製的方式將 細微褶縐狀凹部及突部均勻地形成在一阻障膜的一表面 發明人進行的一實驗已顯現出，當帶電粒子只硬化一 有機樹脂膜的一表面層時’即使以165 C供烤溫度仍可形成 20 凹部及突部。這被認為是歸咎於使用帶電粒子且因其能量 高於UV光的能量導致一硬化部分及一未硬化部分的熱變 形特徵（熱膨脹係數或熱吸收因數）之間具有大幅差異之事 實所致。亦即，本發明的此實行模式因其可使用寬廣範圍 的烘烤溫度故可能大幅改變凹部及突部的傾斜及間距。 35 1227806 現在參照圖式描述本發明的此實行模式。 (反射型液晶顯示器） 第32圖為顯不本發明的此實行模式中之一反射型液晶 顯示器的方塊圖。 液晶顯示器係由-控制電路7 4、—資料驅動器（沒匯流 排線驅動電路)72、-閘驅動器（_流排線驅動電路)7〇及 -顯示部分賴構成。將諸如料tfm(R(紅綠） 10 15 訊號及B(藍)《)等訊號、—抑同步化訊飢⑽及一垂直 同步化訊號Vsyne從-諸如電腦（未圖示）等外部裝置施加至 液晶顯示器，且將-低電壓\(譬如3 3伏特或5伏特)及一地 極電壓H«供應H(未圖示）施加至液晶顯示器。 在顯示部分8〇中，多數個像素(次像素)排列於水平及垂 直方向中。-個像素係由-TFT 2G、—連接至tft 2〇的一 源電極之顯4麟及—儲存電容㈣所構成。顯示晶胞 82係由-料極(―像素電極及—共同電極)、—位於電極之 間的液晶及一偏光片所構成。 α示口P刀8〇亦叹有在水平方向中延伸之複數個閘匯流 排線12及在垂直方向中延伸之複數個資料匯流排㈣。排 列於水平方向中之TFT 20的閘電極係連接至相同的閑匯流 20排線12,排列於垂直方向中之所2〇的汲電極係連接至相 同的資料匯流排線14。 水平同步化訊號Hsync及垂直同步化訊號係輪入至 工制電路74，控制電路74係轉而輸出一在一個水平同步化 週期的起點雙到啟動之資料起動訊號DSI、-將-個水平同 36 1227806 步化週期分成固定間隔之資料時脈DCLK、一在一個垂直同 步化週期的起點受到啟動之閘起動訊號GSI、及一將一個垂 直同步化週期分成固定間隔之閘時脈GCLK。 資料驅動器72由一偏移記錄器（shift register)72a、一位 5 準偏移器（level shiftei〇72b及一類比開關72c所構成。 偏移記錄器72a具有複數個輸出終端。偏移記錄器72a 係由資料起動訊號DSI予以初始化，且其在與資料時脈 OCLK同步之定時從輸出終端以一低電壓順序性輸出主動 訊號。 10 位準偏移器72b具有複數個輸入終端及複數個輸出終 端。其藉由偏移記錄器72a將一低電壓輸出的主動訊號轉換 成一高電壓且予以輸出。 類比開關72c亦具有複數個輸入終端及複數個輸出終 端。類比開關72c的輸出終端係連接至各別的資料匯流排線 15 14。當一主動訊號從位準偏移器72b輸入時，類比開關72c 在與已輸入主動訊號的輸入終端相關之輸出終端上輸出一 顯示訊號(R、G、B訊號的任一者）。 亦即，資料驅動器72係在一個水平同步化週期中與資 料時脈DCLK同步之定時將顯示訊號(R、g、B訊號)順序性 20輸出至顯示部分80的資料匯流排線14。 資料驅動器70由一偏移記錄器7加、一位準偏移器7〇b 及一輸出緩衝器70c所構成。 偏移記錄器70a具有複數個輸出終端。偏移記錄器7〇a 係由閘起動訊號GSI予以初始化，且其在與閘時脈GCLK同 37 1227806 步之定時從輸出終端以一低電壓順序性輸出掃描訊號。 位準偏移器7〇b具有複數個輸入終端及複數個輸出終 端。其藉由偏移記錄器70a將一低電壓輸出的掃描訊號轉換 成一高電壓且予以輸出。 5 輸出緩衝器7〇c亦具有複數個輸入終端及複數個輸出 終端。輸出緩衝器70c的輸出終端係連接至各別的閘匯流排 線12。輸出緩衝器70c從位準偏移器70b將一掃描訊號輸入 經由與輸入終端相關的輸出終端供應至一閘匯流排線12。 亦即，閘驅動器70係在一個垂直同步化週期中與閘時 10脈GCLK同步之定時將掃描訊號順序性輸出至顯示部分8〇 的閘匯流排線12。 當掃描訊號供應至閘匯流排線12時將顯示部分8〇的一 TFT 20接通。當一顯示訊號(R、〇、8訊號的任一者)在此時 供應至資料匯流排線14時，將顯示訊號寫入顯示晶胞幻及 15儲存電容器34中。在顯示晶胞82中，藉由所寫入的顯示訊 號來改變液晶分子的傾斜度，因此改變了顯示晶胞82的光 學反射率。可藉由在各像素上控制顯示晶胞82的光學反射 率來顯示一所需要的影像。 第33圖為顯示反射型液晶顯示器之一像素的平面圖， 20第34圖為沿著第33圖的線Η所取之剖視圖。 如第34圖所示，本發明的此實行模式中之液晶顯示器 係由以下各物構成··彼此相對設置之— TFT基板2與一CF基 板4、一始、封於tft基板2與CF基板4之間之液晶6、及一設 置於CF基板4上之偏光片76。 38 1227806 如第33及34圖所示，TFT基板2係由以下各物構成：_ 玻离基板10、閘匯流排線12、儲存電容器匯流排線i8、資 料匯流排線14、TFT 20、儲存電容器電㈣及形成於玻璃 基板10上之像素電極（反射電極）16。 5 >第34圖所示，細微_狀凹部及突部係設置於像素 電極I6底下的_阻障膜52上，且將遵循阻障膜2上的凹部 及突部之凹部及突部設置於像素電極16表面上。 儲存電容器匯流排線18係形成於其中存在間匯流排線 21之相同接線層中且與閘匯流排線12平行地設置。儲存電 10容器電極32形成於儲存電容器匯流排線18上且具有一絕緣 膜（閘絕緣膜)22介於其間，且儲存電容器％如第湖所示係 由儲存電容器電極32、儲存電容器匯流排線18及其間的絕 緣膜2〇構成。儲存電容器電極η經由接觸孔％電性連接至 像素電極16。 15八/並且，在本發明的實行模式中，閘匯流排線12的一部 分係作為TFT 20的閑電極；TFT 2〇的源電極如經由接觸孔 38連接至像素電極10 ;且歧電極Μ連接_至資料匯流排 線14 ’如第33圖所示。並且，一對準膜料由聚酿亞胺形成 於像素電極I6上以決定出在未施加電場時液晶分子的對準 20方向。 C F基板4係由—玻璃基板（透明絕緣基板川以及位於 _基板U —側（第34圖的底側)之一黑矩陣86、CF層88及 :共同電㈣所料。形成舰_使«蓋住鄰近像素 電極16之間的區域。在玻璃基板u底下在各像素上形成 39 1227806 了紅、綠或監任-者之-CF層88。並且共同電極卿成 於CF層88底下’且-對準膜85形成於制電極列底下。 設置TFT基板2趟基板4的方式可使得其上形成有對 準膜84及85之表面彼此㈣，且其構成—種合併了密封在 其間的液晶6之液晶面板。控制電路74、資料驅動器以閑 驅動器7〇可與液晶面板-體成型，且該等電路或者可形成 於另-基板上且可經由—撓性基板電性連接至液晶面板。 (實施例2-1) 現在描述本發明的此實行模式中根據實施例2]之一 10 反射型液晶顯示器之製造方法。 首先，描述-TFT基板2之製造方法。第似至4〇圖係 為依照步驟次序㈣根據本實_之—液晶顯示器的一 TFT基板2的製造方法之剖視圖。 首先，如第35A圖所示，利用一pVD程序將一金屬膜⑼ 15形成於一玻璃基板1〇上，且利用一光阻將一具有預定圖案 的阻障膜61形成於其上。譬如，依照下列與基板靠近程度 的次序來堆積-150奈米厚的顧、一9〇奈米厚的μ〇ν^ 化鉬）膜及一 10奈米厚的Mo膜，藉以形成金屬膜6〇。金屬膜 60可由Cr或一 A1合金或互相堆積的八丨與丁丨膜製成。 20 接下來，如第35B圖所示，利用阻障膜61作為遮罩來蝕 刻金屬膜60，以形成閘匯流排線12及儲存電容器匯流排線 18。當金屬膜60由Al、MoN及Mo形成時，譬如，利用磷酸、 硝酸及醋酸的一混合物作為蝕刻劑以進行濕蝕刻。當金屬 膜60由Cr製成時，利用一Cr蝕刻劑進行濕蝕刻。當金屬膜 40 1227806 60由一A1合金或互相堆積的八丨及丁丨膜製成時利用一氯型 氣體來進行乾敍刻。 在依上述方式形成閘匯流排線12及儲存電容器匯流排 線18之後，將阻障膜61移除。 5 然後’如第36A圖所示，利用一電漿CVD程序將一由

SiN製成的閘絕緣膜22形成於玻璃基板⑺的一整個頂表 面並且，一即將變成一TFT20的一主動層之非晶石夕膜24, 及一即將變成一通路保護膜之8^膜25，係依照所列次序形 成於閘絕緣膜22上。閘絕緣膜22的厚度譬如為35〇奈米。非 1〇晶矽膜24’的厚度譬如為30奈米，且SiN膜25,的厚度譬如為 120奈米。 隨後，將一正光阻膜形成於SiN膜25,上。然後經由一 預定的暴光遮罩使光阻膜在基板1〇底側暴光且進一步在基 板1〇頂側暴光，隨後進行一顯影程序藉以形成一阻障膜 15 62 ’其中阻障膜62係以自行對準方式覆蓋住閘匯流排線12 上方之通路保護膜形成區域。 接下來，如第36B圖所示，利用阻障膜62作為遮罩來蝕 刻SiN膜25’以形成一通路保護膜25。隨後移除阻障膜62。 接下來，如第37A圖所示，利用一PVD程序使一即將變 成歐姆接觸層之型非晶矽膜26,形成於基板10頂側的整體 表面上。隨後，利用一PVD程序將一金屬膜28，形成於^型 非晶秒膜26,上。譬如，n+型非晶矽膜26,的厚度為3〇奈米。 s如’金屬膜28’具有一種由三層組成之層結構，亦即一2〇 奈米厚的Ti膜、一75奈米厚的A1膜及一80奈米厚的Ti膜。 41 1227806 隨後，利用一光阻將一具有預定圖案的阻障膜63形成 於金屬膜28’上。 接下來，如第37B圖所示，利用阻障層63作為遮罩，根 據使用一氯型氣體的RIE程序來蝕刻金屬膜28,、n+型非晶 5石夕膜26’及非晶石夕膜24’。因此，界定了即將變成TFT 2〇的主 動層之非晶矽膜24的組態，且形成了一資料匯流排線14、 一源電極30、一汲電極28及一儲存電容器電極32。在此時， 即將變成TFT 20的通路之非晶矽膜24區域係受到通路保護 膜25保護。隨後移除阻障膜63。 10 接下來，如第38A圖所示，一由一透明絕緣膜構成的最 後保護膜36係形成於玻璃基板10頂側的整體表面上。攀如 利用一電漿CVD程序將SiN沉積至330奈米厚度，藉以形成 最後保護膜36。然後，將一具有可供構成接觸孔的開口之 阻障膜64形成於最後保護膜36上。 15 接下來，如第38B圖所示，利用阻障膜64作為遮罩經由 一採用-氟(F)型氣體的RIE程序來_最後保護膜％以形 成分別延伸到達源電極30及儲存電容器電極32之接觸孔％ 及39。隨後移除阻障膜64。 接下來，如第39A圖所示，將—正光阻在基板iq 20頂側的整體表面上形成至約3.5微米厚度以形成—阻障膜 後’在阻&膜52’上崎暴光及顯影程序以形成接觸 孔对及的露出處之開口。因此，阻障膜π具有約3微米厚 ^隨後，阻障膜52，以丨斑16沈範圍溫度受到後洪烤。 言如’阻障膜的較佳厚度（其在顯影程序後之厚度)係位於工 42 1227806 至4微米的範圍且取決於阻劑類型而定。 接下來，利用以％稀釋的二侧烧(b2h6)氣來摻雜阻障 膜52’的一表面層，而只硬化阻障膜52，的表面層。當譬如製 成一用於PDA之不佔體積的反射型液晶顯示器時，^队氣 5的流率、加速電壓及劑量分別係為35 seem、30kV及3xl〇14/ 平方公分。雖然較佳劑量與加速電壓取決於光阻膜的類塑 及帶電粒子的類型而定，劑量係位於1χ1〇13至2χ1〇15/平方公 分的範圍中且加速電壓位於1至10收¥的範圍中。為了避免 不平均的凹部及突部，劑量較佳位於5xl〇i3Slxl〇i5/平方公 1〇分的範圍中，且加速電壓較佳位於5至60kV的範圍中。 導入阻障膜52’的離子較佳至少係為一種選自包括下 列各物的群組之離子：Η(氫）、He(氦）、B、p(磷）、Ar(氬） 及As(砷）。譬如，為了將P離子導入阻障膜52,，較佳以4〇 seem氣流率及5至60kV的加速電壓及5χΐ〇13至ΐχΐ〇15/公分 15的劑量來使用經氏稀釋的磷化氫(ΡΗ3)氣體。 並且’用於將此等離子導入阻障膜52,之程序除了上述 離子摻雜程序外係包括RIE程序、電子迴旋共振電漿程序、 感應耦合電漿(ICP)程序及tCP程序。 阻障膜52’隨後以2〇〇至23〇 °c的溫度進行熱處理（烘 2〇烤）。然後’因為被離子摻雜所硬化的此層（表面層）與一未 硬化層（深部分）具有不同的熱變形特徵(熱膨脹係數或熱吸 收因數），如第39B圖所示，細微的褶縐狀凹部及突部係形 成於阻障膜52表面上。 接下來，利用一pVD·序將一A1製的金屬膜在玻璃基 43 1227806 板ίο頂側的整體表面上形成至約150奈米厚度。因為金屬膜 係形成於在其表面上具有凹部及突部之阻障膜52上，細微 的凹部及突部亦形成於金屬膜的表面上。金屬膜分別經由 接觸孔38及39電性連接至源電極3〇及儲存電容 器電極32。 5 隨後’一用於界定像素電極的組態之阻障膜係形成於 金屬膜上’且利用磷酸、硝酸及醋酸的一混合物來在金屬 膜上進行濕蝕刻，以如第4〇圖所示形成像素電極16。隨後， 在移除阻障膜之後，將一聚醯亞胺製的對準膜84形成於基 板10頂側的整體表面上。藉此完成一TFT基板2。 10 現在描述一 CF基板4之製造方法。 首先，一 Cr膜形成於一玻璃基板丨丨的一表面（第34圖的 一底表面）上，且利用光微影法將Cr膜予以圖案化以形成一 黑矩陣86。隨後，利用一紅感光樹脂、一綠感光樹脂及一 藍感光樹脂將紅、綠及藍的CF層88形成於玻璃基板Η的一 15 表面上。 接下來，將一ITO(氧化銦錫）喷濺至這些CF層88上以形 成一透明共同電極90。隨後將一由聚驢亞胺製成的對準膜 85形成於共同電極90上。因此完成一CF基板4。 然後，間隔件（未圖示）設置於TFT基板2與CF基板4之間 20 以在其間維持一固定間隔，且利用一真空射出程序或配送 器程序將一液晶6密封在TFT基板2與CF基板4之間。因此如 第33及34圖所示完成了一反射型液晶顯示器。 本實施例中，因為利用一離子摻雜程序將B離子施加至 光阻膜5 2 ’時只有光阻膜5 2 ’的表面層受到硬化，可以比藉由 44 1227806 uv光輻照來硬化光阻膜表面層之方法所能達成者更高之 均勻度來將B離子在玻璃基板上施加至整個阻障膜。這可能 以咼度可複製性在阻障膜52表面上均勻地形成凹部及突 部。 5 本實施例中，因為只有光阻膜52,的表面層受到b離子 所硬化，可使用咼達165 C的後烘烤溫度。這將改善對於凹 部及突部的傾斜與間距之控制能力。 並且，因為可藉由設定高的後烘烤溫度來充分地移除 阻P早膜52中的N2 ’可在施加B離子時防止阻障膜52,發生暴 1〇 光迸發。 (實施例2-2) 現在描述本發明的此實行模式中根據實施例2-2之一 反射型液晶顯示器之製造方法。在實施例2_2中，一已經用 來在一最後保護膜中形成接觸孔之阻障膜係留在位置中， 15 且將凹部及突部形成於阻障膜表面上。 當第38A及38B圖所示的實施例步驟將接觸孔耻列 形成於最後保護膜36中時，-般而言，接觸孔娜形成在 位於閘匯流排線12端點之閘匯流排線終端4〇上方（見第2及 3 B圖）以暴露出閘匯流排線終端4 〇的表面。除了最後保護膜 36之外必須經由關移除絕緣膜22，以形成接觸孔42。因 此，過度_齡第細圖所示發纽接觸孔财39的形成 區域中，且因此接觸孔38及39的直徑變成大於阻障膜咐 的開口直徑。若是即將變成像素電極之金屬膜形成於阻障 膜64上，因為接觸孔38及39直徑大於轉財的開口直 45 1227806 徑’阻障膜64上的金屬膜並未電性連接至源電極3〇及儲存 電容器電極32。基於此，在實施例2妨，將用於形成 接觸孔38及39之阻障膜64予以移除，且將阻障膜^，新形成 於最後保護膜36上以在阻障膜52表面上形成凹部及突部。 5 喊地，本實施例中，控龍刻條件藉以形成比一阻 障膜中的開口直徑具有更小的直徑之接觸孔。 具體言之，如第41A圖所示，藉由與實施例2-1相同的 方式在一玻璃基板ίο上形成一 SiN製成的最後保護膜36之 後，將一正光阻52’施加在最後保護膜36上。然後進行暴光 1〇及顯影程序以形成用於在光阻膜52,中構成接觸孔之開 口卩通後’利用一採用SF6/〇2氣體的RJE程序且以光阻膜52， 作為遮罩來蝕刻最後保護膜36。 在此時’當SF6氣體具有低流率且〇2氣體具有高流率 時’最後保護膜36具有低的姓刻速度且阻障膜52,具有高的 15餘刻速度。然後，形成於最後保護膜36中之接觸孔38及39 的直徑係小於阻障膜52’中之開口的直徑。譬如，SF6氣體 及〇2氣體係分別在8.0帕壓力及600瓦功率下以130sccm及 270sccm的流率而流動。

SiN中的Si含量可增加藉以形成一具有更高密度的膜 20 而使最後保護膜36更硬，故令最後保護膜36更能抵抗蝕 刻。譬如，利用240sccm流率的SiH4氣體、2100sccm流率的 N2氣體、213.3帕壓力、23°C溫度及2000瓦功率來形成一普 通的氮化物膜。利用180sccm流率的SiH4氣體及600sccm的 NH3氣體、4000sccm流率的乂氣體以及160帕壓力、230°C 46 1227806 溫度及1400瓦功率來形成一較密且較硬的氮化物膜。譬 如，或者其亦可利用240sccm流率的SiH4氣體及600sccm的 NH3氣體、4000sccm流率的N2氣體以及160帕壓力、230°C 溫度及1400瓦功率予以形成。譬如，利用I30sccm流率的SF6 5 氣體、27〇sccm流率的〇2氣體及8.0帕壓力及600瓦功率來姓 刻一依此方式形成的氮化物膜。 接下來，如第41B圖所示，以B離子來摻雜已用來形成 接觸孔38及39之阻障膜52,而只硬化了阻障膜52,的一表面 層0 阻障膜52’隨後以200至230°C的溫度進行熱處理（烘 烤）。結果，細微的凹部及突部係如第42圖所示形成於阻障 膜52表面上。像素電極16隨後形成於阻障膜52上。如上述， 製成一種具有在一表面上包含褶縐狀細微凹部及突部的像 素電極16之反射型液晶顯示器。 本貫％例中，已經用來形成接觸孔38及39的阻障膜52, 係受到帶電粒子所摻雜，且隨後進行—熱程序來在阻障膜 52表面上形成細微的褶職凹部及突部。其優點在於步驟 數及製造絲比實_2销科成者更小。 (其他實施例） 20 y ^ ^ /τ m rjEL im 9 雜帶電粒子，阻障膜52,可能^ k利用-RIE程序來摻雜帶電粒 f在阻咖2’進行糾烤之後，可彻 序在阻障膜52,上以6·〇帕屙 % 土力及300sccm的He氣流率；5 麵瓦功率及卿、處科㈣奸―邮漿料。 47 1227806 當利用一RIE程序使阻障膜52,摻雜帶電粒子時，需要 採用一可使最後保護膜36在未被阻障膜52,覆蓋的區域中 抵抗蝕刻之氣體。當最後保護膜36*SiN形成時，較佳如上 述將阻障膜52’摻雜He。可利用rie程序使阻障膜52,摻雜帶 5電粒子之氣體除了 He氣外亦包括CHF3氣體及HC1氣體。當 最後保護膜36由氮化矽製成時較佳使用CHF3氣體，而當最 後保護膜36由氧化矽製成時較佳使用HC1氣體。 雖然在實施例2-1已指出使用通路保護sTFT 2〇作為 切換元件，亦可替代性採用通路蝕刻sTFT。如下述方式形 10 成通路蝕刻式TFT。 如第43A圖所示，一即將變成主動層之非晶矽膜24，係 在一閘絕緣膜22上形成有大的厚度（譬如12〇奈米厚度"且 即將變成歐姆接觸層之!^型非晶矽膜26，隨後形成於其 上。 15 接下來，利用光微影法將非晶矽膜24及n+型非晶矽膜 26’以島狀形式進行圖案化。 接下來，如第43C圖所示，一金屬膜形成於玻璃基板1〇 頂側的整體表面上，且利用光微影法將金屬膜圖案化以形 成T電極3〇及沒電極28。在此時，在非晶石夕膜24厚度方向 20中途進行姓刻以使源電極3〇與没電極28電性隔離。藉由完 成通路蝕刻式TFT。 亚且，像素電極16可如第44圖所示設有在令間略微彎 曲且在水平方向延伸之圖案92。譬如，當在第BA及3测 二的v 刻金屬膜以形成閘匯流排線I〗及儲存電容 1227806 器匯流排線18時，提供有在中間略微彎曲且在水平方白、 伸之金屬圖案。結果，阻_52，亦形成麵循7金屬圖= 類似圖案（突部）。 當阻障膜52,受到熱處理時，阻障膜52表面上之獨續狀 凹部及突部係被圖案引導而在與圖案相同的方向中延伸。 在阻障膜52上之像素電極16表面上，形成了遵循於凹部及 突部（包括阻障膜52表面上的圖案92)之凹部及突部。結果， 光在一所需要方向中受到選擇性反射。在諸如舰等°小尺 10 15 20 寸裝置之㈣丨中，因為液晶顯示器及使用者的目光界定了 一大致固定的角度，較佳將反射光對準於— ^ 、 力问〒。本^貫 施例可使用於此場合。 、 (離子摻雜條件及烘烤條件） 現在描述研究結果以找出最佳離子摻雜條件及洪 件0 '、 (下文V二二先將—種正第一紛酸清漆型環氧樹脂光阻 冉.、、、且劑A”)施加至一玻璃基板 到L3微米厚度且將其以-預定圖案暴光及二:π ^ ri 1 ^ ^ 夂”、、貝衫，並用一熱 壓及wv:，烤。隨後，利用桃氣體以胸加速電 的-表面層量與216㈣摻料間將阻障膜 障膜予以熱=::::後以_的_^ 膜表㈣果，觸狀凹部及突料成於阻障 3士'、 中。第47八及彻圖分別顯示光學顯微鏡此 時取得之阻_結構 7"干‘,滅鏡此 膜—部分的影像。顯微鏡取得之阻障 49 1227806 述條件下’阻障膜表面上的許多區域中未形成有 凹部及突立 生^午夕\ ’且發生許多的暴光迸發及裂痕。發明人從發 暴光迸發及裂痕之事實判斷出帶電粒子的劑量過 穴0 5 隨後^，、 ’以減至10kV的加速電壓及降至lxlO14/平方公分 的劑量來逸〃、， 行一類似實驗。結果，凹部及突部可形成於基 反上的整個阻障膜而無不平均現象。 門、，“以不同的氣體物種、加速電壓、劑量及摻雜時 10型^仏貝似實驗。並且，將光阻改成一種正第二祕清漆 衣氣^脂光阻(下文稱為“阻劑B”)進行類似實驗。將阻障 、主之間的差異列入考慮，分別對於阻劑A及阻劑B採 /•3微米的膜厚度及2·〇微米的膜厚度。檢查因此產生的褶 甸狀凹°卩及突部之間距及深度，結果綜合列於第45及46圖 中。 參照標有樣本編號2、3、6、7、8及9的樣本，將金屬 膜形成於阻障膜上以提供具有受量測反射率之反射電極。 第46圖亦顯示出結果。第48A至48H圖顯示標示為樣本編號 、、6、7、8、10、11及12的樣本經由光學顯微鏡取得之 攝影影像。 2〇 第45圖中，Hp代表利用一熱板連同一顯影裝置所進行 之力共烤’且C〇代表利用一乾淨烤爐(TABAI ESPEC CORP. 氣绝）進行的烘烤。並且，以對於反射電極的法向呈3〇度的 角來輕射平行束且量測其亮度，藉以獲得反射率。依據在 热凹部及突部且正常為白色的板上之入射光在相同條件 50 1227806 下係於法向以100%強度反射之假設，將反射率顯示為相對 值。並且，低劑量模式係為一種藉由電極上的一停止器來 降低劑量之模式。如第45及46圖所示，在低劑量模式中加 速電壓為10kV且劑量為3xl013/平方公分時，根本沒有凹部 5及突部形成於一阻障膜上。當烘烤溫度為170°C時，根本沒 有凹部及突部形成於一阻障膜上。 已觀察到當加速電壓為5kV至6〇kV範圍且劑量為 5xl013至lxl〇i5/平方公分的範圍時，凹部及突部可以高的可 複製性形成於一阻障膜上而無不平均現象。亦已觀察到當 10利用PH3氣體將阻P早膜摻雜P離子時，凹部及突部可以高的 可複製性形成於一阻障膜上而無不平均現象。 處於60kV加速電壓的樣本編號8係對於3〇度入射角的 平饤束表現出最高的反射率。樣本編號8上的褶縐狀凹部及 突部係具有粗糙的間距且具有高達95·8%的反射率。 15 ^然在湘—顯影裝置的—熱板進行後烘烤之樣本編 波1至9上可以視覺觀察到歸咎於一熱板上的銷與溝槽標記 所V致之不平均現象，在一乾淨烤爐中以可變溫度進行後 烘烤的樣本編號10至13上根本沒有觀察到不平均現象。 並且，已觀察到在一乾淨烤爐中以可變溫度進行後烘 20烤的樣本編號1〇至13上之褶_可受到控制使其在高溫時 變淺。 可控制帶電粒子的輻照條件及烘烤溫度藉以大幅改變 凹部及突部的傾斜及間距。因此，本發明的此實行模式可 月b以问均勻度及可複製性製成的反射電極係包括：具有譬 51 1227806 如適合2至5吋小尺寸液晶顯示器之低度散射的一接近鏡面 的表面之反射電極，以及具有適合6至15吋中尺寸液晶顯示 器的高度散射之反射電極。其優點在於改善了一反射型液 晶顯示器的顯示特徵。 5 本發明的此貫行模式係可適用於半透反射型 (transflectiVe)液晶顯示器，其中將開口設置於反射電極的 一部分中以藉由從一背光將光線透射至一暗處中的液晶面 板來顯示一影像。 如上述，在本發明的此實行模式中，只有一有機樹脂 10膜的一表面層藉由施加帶電粒子而受到硬化；隨後進行一 熱矛王序以在有機樹脂膜的表面上形成褶縐狀凹部及突部； 且將反射電極形成於其上。因此，可能控制凹部及突部的 傾斜及間距。其優點在於改善了一反射型液晶顯示器之顯 示特徵。 15 本發明不限於本發明的上述實行模式且可以各不同方 式予以修改。 譬如，雖然在本發明的第一實行模式中褶縐狀樹脂層 52由一正阻劑形成，本發明不限於此，且褶縐狀樹脂層 可由一負阻劑形成。 20 雖然在本發明的第一實行模式中係在利用UV光來輻 照由一感光樹脂製成的阻障圖案64表面之後烘烤阻障圖案 64藉以形成褶縐狀樹脂層52，本發明不限於此。阻障圖案 64可由一種適當選擇的樹脂形成，且阻障圖案料可進行其 他程序以在其上形成褶縐狀樹脂層52。 52 Ϊ227806 如上述，本發明可能提供一以 ！ ^ ^ 夕的衣&步驟來具有良好 …員不4寸徵之液晶顯示器。 【圖式簡單說明】 第1圖顯示本發明第一實行掇 抑 杈式中根據實施例Μ之一 /夜日日"、、員示态的_示意組態； 弟2圖顯不本發明第_ ^ ^ ^ , '… 知月弟Λ仃杈式中根據實施例^之- 液日日顯示器的一基板之一組態； 苐3Α至3C圖係為顯示本發明g ^ 个知月弟一貫仃模式中根據實 10 15 20 她例1-1之一液晶顯示器的組態之剖視圖； 第4圖為顯示本發明第—實行模式中根據實施州韻 於-液晶顯示器之基板的製造方法之—程序的剖視圖； 弟5圖為顯示本發明第-實行模式中根據實施例Μ用 於-㈣顯示ϋ之基_製造方法之—程相剖視圖； 第6圖顯示本發明第一竇^ 、 — ^灵仃杈式中根據實施例Μ用於 一液晶顯示器之基板之製造方法； 第7圖為顯示本發明第—實行模式中根據實施例μ用 於一液晶顯示器之基板的製造方法之—程序的剖視圖； 第8圖為顯示本發明第一實 灵仃挺式中根據貫施例1β1用 於一液晶顯示器之基板的製诰t^ ㈣k方法之-程序的剖視圖； 弟9圖顯不本發明第一實行禮々士 α各 π仃杈式中根據實施例1-1用於 一液晶顯示器之基板之製造方法； 第10圖為顯示本發明第-實行模式中根據實施例Μ 用於-液日日日顯示ϋ之基板的製造方法之—程序的剖視圖； 第11圖為顯示本發明第—實行模式中根據實施例μ 53 1227806 用於一液晶顯示器之基板的製造方法之一程序的剖視圖； 第12圖顯示本發明第一實行模式中根據實施例1-1用 於一液晶顯示器之基板之製造方法； 第13圖為顯示本發明第一實行模式中根據實施例1-1 5 用於一液晶顯示器之基板的製造方法之一程序的剖視圖； 第14圖為顯示本發明第一實行模式中根據實施例1-1 用於一液晶顯示器之基板的製造方法之一程序的剖視圖； 第15A至15C圖為顯示本發明第一實行模式中根據實 施例1-1用於一液晶顯示器之基板的製造方法之一程序的 10 剖視圖， 第16圖顯示本發明第一實行模式中根據實施例1-1用 於一液晶顯示器之基板之製造方法； 第17圖為顯示本發明第一實行模式中根據實施例1-1 用於一液晶顯示器之基板的製造方法之一程序的剖視圖； 15 第18圖為顯示本發明第一實行模式中根據實施例1-1 用於一液晶顯示器之基板的製造方法之一程序的剖視圖； 第19圖為顯示本發明第一實行模式中根據實施例1-2 用於一液晶顯示器之一基板的組態之剖視圖； 第20圖為顯示本發明第一實行模式中根據實施例1-2 20 用於一液晶顯示器之基板的製造方法之一程序的剖視圖； 第21圖為顯示本發明第一實行模式中根據實施例1-2 用於一液晶顯示器之基板的製造方法之一程序的剖視圖； 第22圖為顯示本發明第一實行模式中根據實施例1-2 用於一液晶顯示器之基板的製造方法之一程序的剖視圖； 54 1227806 第23圖為顯示本發明第一實行模式中根據實施例1-2 用於一液晶顯示器之基板的製造方法之一程序的剖視圖； 第24圖為顯示本發明第一實行模式中根據實施例1-2 用於一液晶顯示器之基板的製造方法之一程序的剖視圖； 5 第25A及25B圖為顯示根據相關技術之一反射型液晶 顯示器之製造方法的一範例之（第一）剖視圖； 第26A及26B圖為顯示根據相關技術之一反射型液晶 顯示器之製造方法的範例之（第二)剖視圖； 第27A及27B圖為顯示根據相關技術之一反射型液晶 10 顯示器之製造方法的範例之（第三）剖視圖； 第28A及28B圖為顯示根據相關技術之一反射型液晶 顯示器之製造方法的範例之（第四）剖視圖； 第29A及29B圖為顯示根據相關技術之一反射型液晶 顯示器之製造方法的範例之（第五）剖視圖； 15 第30A及30B圖為顯示根據相關技術之一反射型液晶 顯示器之製造方法的範例之（第六）剖視圖； 第31圖為顯示根據相關技術之一反射型液晶顯示器之 製造方法的範例之（第七）剖視圖； 第32圖為顯示本發明第二實行模式中之一反射型液晶 20 顯示器的方塊圖； 第33圖為顯示本發明第二實行模式中之液晶顯示器的 一像素之平面圖； 第34圖為沿著第33圖的線I-Ι之剖視圖； 第35A及35B圖為顯示本發明第二實行模式中根據實 55 1227806 施例2-1之一液晶顯示器之製造方法的（第一）剖視圖； 第36A及36B圖為顯示本發明第二實行模式中根據實 施例2-1之一液晶顯示器之製造方法的（第二）剖視圖； 第37A及37B圖為顯示本發明第二實行模式中根據實 5 施例2-1之一液晶顯示器之製造方法的（第三）剖視圖； 第38A及38B圖為顯示本發明第二實行模式中根據實 施例2-1之一液晶顯示器之製造方法的（第四）剖視圖； 第39A及39B圖為顯示本發明第二實行模式中根據實 施例2-1之一液晶顯示器之製造方法的（第五）剖視圖； 10 第40圖為顯示本發明第二實行模式中根據實施例2-1 之一液晶顯示器之製造方法的（第六）剖視圖； 第41A及41B圖為顯示本發明第二實行模式中根據實 施例2-2之一液晶顯示器之製造方法的（第一）剖視圖； 第42圖為顯示本發明第二實行模式中根據實施例2-2 15 之一液晶?製造方法的（第二)剖視圖； 第43乂)^43^|^示一通路蝕刻式TFT之製造方法的 剖視圖； 第44圖為顯示將圖案設置於像素電極134上以調節褶 縐狀凹部及突部的延伸方向之一範例的平面圖； 20 第45圖顯示在改變的氣體物種、加速電壓、劑量及摻 雜時間下進行之褶縐狀凹部及突部的形成狀態之檢查結果 的（第一）表； 第46圖顯示在改變的氣體物種、加速電壓、劑量及摻 雜時間下進行之褶縐狀凹部及突部的形成狀態之檢查結果 56 1227806 的（第二)表； 第47A至47B圖為顯示在一阻障膜的一表面上形成之 褶縐狀凹部及突部的一範例之光學顯微影像，第47B圖為阻 障膜的一段之電子顯微影像； 5 第48A至48H圖為顯示在一阻障膜的一表面上形成之 褶縐狀凹部及突部的範例之光學顯微影像； 第49圖顯示根據相關技術之一用於液晶顯示器之基板 的一組態； 第50A至50C圖顯示根據相關技術之一用於液晶顯示 10 器之基板的組態之剖視圖； 第51圖顯示根據相關技術之一用於液晶顯示器之基板 的製造方法之一程序的剖視圖； 第52圖顯示根據相關技術之一用於液晶顯示器之基板 的製造方法之一程序的剖視圖； 15 第53圖顯示根據相關技術之一用於液晶顯示器之基板 的製造方法； 第54圖顯示根據相關技術之一用於液晶顯示器之基板 的製造方法之一程序的剖視圖； 第55圖顯示根據相關技術之一用於液晶顯示器之基板 20 的製造方法之一程序的剖視圖； 第56圖顯示根據相關技術之一用於液晶顯示器之基板 的製造方法； 第57圖顯示根據相關技術之一用於液晶顯示器之基板 的製造方法之一程序的剖視圖； 1227806 第58圖顯示根據相關技術之一用於液晶顯示器之基板 的製造方法之一程序的剖視圖； 第59圖顯示根據相關技術之一用於液晶顯示器之基板 的製造方法； 5 第60圖顯示根據相關技術之一用於液晶顯示器之基板 的製造方法之一程序的剖視圖； 第61A至61C圖顯示根據相關技術之一用於液晶顯示 器之基板的製造方法之一程序的剖視圖； 第62圖顯示根據相關技術之一用於液晶顯示器之基板 10 的製造方法； 第63圖顯示根據相關技術之一用於液晶顯示器之基板 的製造方法之一程序的剖視圖；及 第64圖顯示根據相關技術之一用於液晶顯示器之基板的 製造方法之一程序的剖視圖。 15 【圖式之主要元件代表符號表】 18，118...儲存電容器匯流排線 20,120...TFT 22，122…絕緣膜 24，124···主動半導體層 24，，124，...a-Si 層 25，125…通路保護膜 25’...SiN 膜 26，126...n型雜質半導體層 26，，126’...n+a-Si 層’ 2.. .TFT 基板 4…CF基板 6.. .液晶 10，11，110...玻璃基板 12,21，112...閘匯流排線 14.. .汲匯流排線 16.··像素電極(反射電極） 16，，28，，60，116，，128，，160··· 金屬膜 58 1227806 28，128···汲電極 72…汲匯流排線驅動電路 30，130···源電極 72c··.類比開關 32,132···儲存電容電極 74...控制電路 34…儲存電容器 76...偏光片 36，136···保護膜 80...顯示部分 38,39,42,46,50，138，138，，139，13 82…顯不晶胞 9，，142，142，，146，146，，150，150， 84,85··_對準膜 …接觸孔 86··.黑矩陣 40,140…閘匯流排線終端 88…CF層 41，45,49，141，145，149...保護傳 90...共同電極 導膜 92…圖案 44,144…汲匯流排線終端 114·.·汲匯流排線 48，148· · ·儲存電容器匯流排線 116…反射型電極 終端 125’…氮化矽膜(SiN膜） 52···褶縐狀樹脂層 152…不規則阻障層 52’.··正光阻膜 DCLK···資料時脈 61，62,63，64,65，66,161，162,163， DSI…資料起動訊號 164···阻障圖案 GCLK···閘時脈 70,72···資料驅動器 GSI…閘起動訊號 70…閘驅動器（閘匯流排線驅 Hsync···水平同步化訊號 動電路） Vgnd.··地極電壓 70a，72a…偏移記錄p VL...低電壓 70b，72b…位準偏移器 70c…輸出緩衝器 Vsync···垂直同步化訊號

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Claims (1)

1227806 拾、申請專利範圍： 1. 一種用於液晶顯示器之基板，包含： 像素區，其以一矩陣形式排列在一基部基板上； 複數個第一匯流排線，其彼此平行地形成於該基部 5 基板上； —第一絕緣膜，其形成於該等第一匯流排線上； 複數個第二匯流排線，其彼此平行地形成使其與該 等第一匯流排線相交且具有該第一絕緣膜介於其間； 一薄膜電晶體，其形成於各該等像素區中； 10 一第二絕緣膜，其形成於該薄膜電晶體上； 一褶縐狀樹脂層，其位於該第二絕緣膜上，該褶續 狀樹脂層在其一表面上形成有褶縐且具有絕緣性質； 一反射電極，其在該褶縐狀樹脂層的各像素區上由 一光反射材料形成，該反射電極的一表面形成有遵循該 15 褶縐狀樹脂層表面之褶縐； 複數個匯流排線終端，其連接至各該第一及第二匯 流排線；及 複數個保護傳導膜，其分別由與該反射電極相同的 材料形成於該等複數個匯流排線終端上且分別連接至 20 該等複數個匯流排線終端。 2. 如申請專利範圍第1項之用於液晶顯示器之基板，其中 該等複數個匯流排線終端係具有一可供該褶頌狀樹月匕 層形成於其上之周邊部分。 3·如申請專利範圍第1項之用於液晶顯示器之基板，其中 60 1227806 該褶縐狀樹脂層由一阻劑形成。 4. 如申請專利範圍第1項之用於液晶顯示器之基板，其中 該褶縐狀樹脂層包含單層。 5. 如申請專利範圍第1項之用於液晶顯示器之基板，其中 5 該第二絕緣膜為氮化矽膜或氧化矽膜。 6. 如申請專利範圍第1項之用於液晶顯示器之基板，其中 經由蝕刻移除了該連接至反射電極之薄膜電晶體的一 源電極之一區域的一表面。 7. 如申請專利範圍第1項之用於液晶顯示器之基板，其中 10 經由蝕刻移除了該連接至保護傳導膜之匯流排線終端 的一區域之一表面。 8. —種液晶顯示器，包含兩彼此相對設置之基板及一密封 在該等兩基板間之液晶’其中使用一根據申請專利範圍 第1項之用於液晶顯示器之基板作為該等兩基板的任一 15 者。 9. 一種用於液晶顯示器之基板之製造方法，包含以下步 驟： 在一基部基板上形成一第一匯流排線及一連接至 該第一匯流排線之第一匯流排線終端； 20 在該第一匯流排線及該第一匯流排線終端上形成 一第一絕緣膜； 在該第一絕緣膜上形成一第二匯流排線及一連接 至該第二匯流排線之第二匯流排線終端，並且形成一薄 膜電晶體且其中該薄膜電晶體係具有一連接至該第一 61 1227806 及第二匯流排線的任一者之閘電極及一連接至該第一 及第二匯流排線的另一者之汲電極； 在該第二匯流排線及該第二匯流排線終端上形成 一第二絕緣膜； 5 將一樹脂施加至該第二絕緣膜上且予以圖案化藉 以形成一樹脂層，其中該樹脂層係具有位於該薄膜電晶 體的一源電極上方及該第一及第二匯流排線終端上方 之開口； 在該樹脂層上進行一預定程序藉以形成一具有一 10 褶縐狀表面之褶縐狀樹脂層； 利用該褶縐狀樹脂層作為一蝕刻遮罩藉以蝕刻該 第一及第二絕緣膜； 在該褶縐狀樹脂層上形成一由一光反射材料製成 之膜且予以圖案化；及 15 形成一連接至該源電極之反射電極，其中該反射電 極具有一遵循該褶續狀樹脂層表面之褶續狀表面，且在 該第一及第二匯流排線終端上形成一保護傳導膜。 10. 如申請專利範圍第9項之用於液晶顯示器之基板之製造 方法，其中： 20 利用一CVD程序由一個氮化矽膜或氧化矽膜形成 該第二絕緣膜；及 利用一氟型氣體經由乾蝕刻來蝕刻該第一及第二 絕緣膜。 11. 如申請專利範圍第9項之用於液晶顯示器之基板之製造 62 1227806 方法，其中： 該樹脂層為一感光樹脂層；及 該預定程序係在以紫外光輻照該感光樹脂層的一 表面之後以一預定烘烤温度來烘烤該感光樹脂層。 5 12.—種用於液晶顯示器之基板之製造方法，包含以下步 驟： 在一基部基板上形成一第一匯流排線及一連接至 該第一匯流排線之第一匯流排線終端； 在該第一匯流排線及該第一匯流排線終端上形成 10 一第一絕緣膜； 在該第一絕緣膜上形成一第二匯流排線及一連接 至該第二匯流排線之第二匯流排線終端，並形成一薄膜 電晶體且其中該薄膜電晶體係具有一連接至該第一及 第二匯流排線的任一者之閘電極及一連接至該第一及 15 第二匯流排線的另一者之汲電極； 在該第二匯流排線及該第二匯流排線終端上形成 一第二絕緣膜； 將一樹脂施加至該第二絕緣膜上且予以圖案化藉 以形成一第一樹脂層，其中該第一樹脂層係具有位於該 20 薄膜電晶體的一源電極上方及該第一及第二匯流排線 終端上方之開口； 使用該第一樹脂層作為一#刻遮罩來钱刻該第一 及第二絕緣膜； 將一樹脂施加至該第二絕緣膜上且予以圖案化藉 63 1227806 以形成一第二樹脂層，其中該第二樹脂層係具有位於該 薄膜電晶體的源電極上方及該第一及第二匯流排線終 端上方之開口； 在該第二樹脂層上進行一預定程序藉以形成一具 5 有一褶縐狀表面之褶縐狀樹脂層； 當形成該褶縐狀樹脂層時使用該褶縐狀樹脂層作 為一蝕刻遮罩來進行蝕刻，藉以移除形成於該源電極及 該第一及第二匯流排線終端上之一昇華物及/或一熱氧 化物膜； 10 在該褶縐狀樹脂層上形成一由一光反射材料製成 之膜且予以圖案化；及 形成一連接至該源電極之反射電極，其中該反射電 極具有一遵循該糟續狀樹脂層表面之賴續狀表面，並在 該第一及第二匯流排線終端上形成一保護傳導膜。 15 13.如申請專利範圍第12項之用於液晶顯示器之基板之製 造方法，其中： 利用一 CVD程序由一個氮化矽膜或氧化矽膜形成 該第二絕緣膜；及 利用一氟型氣體經由乾蝕刻來蝕刻該第一及第二 20 絕緣膜或該昇華物及/或該熱氧化物膜。 14.如申請專利範圍第12項之用於液晶顯示器之基板之製 造方法，其中： 該第二樹脂層為一感光樹脂層；及 該預定程序係在以紫外光輻照該感光樹脂層的一 64 1227806 表面之後以一預定烘烤溫度來烘烤該感光樹脂層。 15. 如申請專利範圍第11項之用於液晶顯示器之基板之製 造方法，其中該烘烤溫度為200°C或更高。 16. —種反射型液晶顯示器之製造方法，包含： 5 將一有機樹脂施加在一基板上藉以形成一有機樹 脂膜； 烘烤該有機樹脂膜；及 藉由施加帶電粒子只硬化該有機樹脂膜的一表面； 在該有機樹脂膜的一表面上進行一熱程序藉以在 10 該表面上形成褶縐狀凹部及突部；及 在該有機樹脂膜上形成一反射電極。 17. 如申請專利範圍第16項之反射型液晶顯示器之製造方 法，其中使用一正光阻作為該有機樹脂。 18. 如申請專利範圍第16項之反射型液晶顯示器之製造方 15 法，其中在該烘烤步驟中以130至165°C範圍的一溫度進 行該烘烤步驟。 19. 如申請專利範圍第16項之反射型液晶顯示器之製造方 法，其中以200至230°C範圍的一溫度進行該熱程序。 20. 如申請專利範圍第16項之反射型液晶顯示器之製造方 20 法，其中在該施加帶電粒子的步驟中係將至少一種選自 包括下列各物的群組之離子施加至該有機樹脂膜：Η、 He、Β、Ρ、Ar及 As 〇 21. 如申請專利範圍第16項之反射型液晶顯示器之製造方 法，其中在該施加帶電粒子的步驟中以lkV至100kV範 65 1227806 圍的加速電壓來加速該等帶電粒子。 22.如申請專利範圍第16項之反射型液晶顯示器之製造方 法，其中在該施加帶電粒子的步驟中該等帶電粒子的劑 量位於lxlO13至2xl015/平方公分的範圍中。 5 23.如申請專利範圍第16項之反射型液晶顯示器之製造方 法，其中利用離子摻雜程序、反應性離子電漿蝕刻、電 子迴旋共振電漿程序、ICP程序及TCP程序的任一者來 將該等帶電粒子施加至該有機樹脂膜。 24.—種反射型液晶顯示器之製造方法，包含以下步驟： 10 形成一供應有一掃描訊號之閘匯流排線、一供應有 一顯示訊號之資料匯流排線、及一包含連接至該閘匯流 排線的閘電極及連接至該資料匯流排線的汲電極之薄 膜電晶體於一第一基板上； 在該閘匯流排線、該貢料匯流排線及該薄膜電晶體 15 上方形成一絕緣膜； 在該絕緣膜上形成一第一光阻膜； 進行第一暴光及顯影以在一使該第一光阻膜與該 薄膜電晶體的一源電極相聯之位置中形成一開口； 使用該第一光阻膜作為一遮罩來蝕刻該絕緣膜，以 20 形成一導向該薄膜電晶體的源電極之接觸孔； 移除該第一光阻膜； 在該絕緣膜上形成一第二光阻膜； 進行第二暴光及顯影以在一使該第二光阻膜與該 接觸孔相聯之位置中形成一開口； 66 1227806 以帶電粒子換雜該第二光阻膜的一表面層； 在該第二光阻膜的一表面上藉由進行一熱程序以 在該表面上形成褶縐狀凹部及突部； 在該第二光阻膜的一整體頂表面形成一傳導反射 5 膜； 將該反射膜圖案化藉以形成一第一電極； 將一具有一包含一鋪設的導體膜的第二電極之第 二基板及該第一基板排列成彼此相對；及 將一液晶密封在該第一及第二基板之間。 10 25.—種反射型液晶顯示器之製造方法，包含以下步驟： 形成一供應有一掃描訊號之閘匯流排線、一供應有 一顯示訊號之資料匯流排線、及一包含連接至該閘匯流 排線的閘電極及連接至該資料匯流排線的汲電極之薄 膜電晶體於一第一基板上； 15 在該閘匯流排線、該資料匯流排線及該薄膜電晶體 上方形成一絕緣膜； 在該絕緣膜上形成一光阻膜； 進行暴光及顯影以在一使該光阻膜與該薄膜電晶 體的一源電極相聯之位置中形成一開口； 20 使用該光阻膜作為一遮罩來蝕刻該絕緣膜，以形成 一導向該溥膜電晶體的源電極之接觸孔， 以帶電粒子摻雜該光阻膜的一表面層； 在該光阻膜的一表面上藉由進行一熱程序以在該 表面上形成褶縐狀凹部及突部； 67 1227806 在該光阻膜的一整體頂表面形成一傳導反射膜； 將該反射膜圖案化藉以形成一第一電極； 將一具有一包含一鋪設的導體膜的第二電極之第 二基板及該第一基板排列成彼此相對；及 5 將一液晶密封在該第一及第二基板之間。 2 6 · —種反射型液晶顯不裔’包含· 一液晶，其密封在一對基板之間； 位於該等基板的任一者上之一供應有一掃描訊號 之閘匯流排線、一供應有一顯示訊號之資料匯流排線、 10 及一包含連接至該閘匯流排線的閘電極及連接至該資 料匯流排線的没電極之薄膜電晶體， 一有機樹脂膜，其形成於該閘匯流排線、該資料匯 流排線、及該薄膜電晶體上方且在其一表面上設有褶縐 狀凹部及突部，其中在利用帶電粒子來摻雜其一表面層 15 之後進行一熱程序藉以形成該有機樹脂膜的凹部及突 部；及 一反射電極，其形成於該有機樹脂膜上且設有遵循 該有機樹脂膜的凹部及突部之凹部及突部。 27. 如申請專利範圍第26項之反射型液晶顯示器，其中該薄 20 膜電晶體為一通路保護式薄膜電晶體。 28. 如申請專利範圍第26項之反射型液晶顯示器，其中該薄 膜電晶體為一通路餘刻式薄膜電晶體。 29. 如申請專利範圍第26項之反射型液晶顯示器，包含一圖 案且其中該圖案係用於調節在與該反射電極底下的閘 1227806 電極相同的層中所形成之該等褶縐狀凹部及突部的延 伸方向。

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