TWI226944B - Liquid crystal display device having wiring layer and semiconductor layer crossing each other - Google Patents

Description

1226944 五、發明說明（1) 【發明背景】 1 ·發明領域 本發明係關於一種液晶顯示（LCD)裝置，尤有關於一 種/、有 上圖案（例如'^配線層）交叉於*下圖案（例如^一 半導體層）之LCD裝置。 2 ·相關技藝之說明 雖然LCD裝置粗略分類為主動型與被動型，但被廣泛 使用的係主動型LCD裝置。在主動型中，一主動元件，例 如:電晶體與一金屬-絕緣體〜金屬（MIM)元件，作為一開 關兀件，用以驅動一液晶單元。此種電晶體通常係一逆交 錯排列型薄膜電晶體（TF T )。 逆交錯排列型TFT基本上包括一閘極’形成於一基板 :二Γ璃上、—半導體層’形成於一閘極絕緣膜上，覆蓋 TFT像導素i 2畫70件)t 一像素電㉟。閘#連接於二供庠有你 TFT導電與不導電的掃描信號之掃描線。 ί、應有使 另一種TFT係眾所週知的交錯排 層與源/汲極係形成於低於閘極絕緣膜=中一半導體 極形成於閘極絕緣層上。 、、 準上，且一閘 在進行X與γ軸平面之顯示中 向上’且複數條信號線形成為互㈣平行於 1226944 五、發明說明（2) 一 T F T因此位於播ρ Λ 描與信號線藉著掃V、二號線之不同的交叉處。結果’ π 。、、，1 τ描與^號線間之一電性隔絕部而互相交 μ # & ί —恧父錯排列型之LCD裝置中，掃描與信號線分 ^了配線層與一上配線層。另一方面，在交錯排 二與信號線分別形成於為-上配線層與-下配 門二紹ΐ =文可知，掃描與信號線間之電性隔絕部係利用 I菸、座砧二而達成。為了避免於針孔形成於閘極絕緣層中 *心又叉線間之短路，故一在半導體層形成時同時圖 ^ 工用為TFT之通道區域的島半導體層插入掃描與信 現綠間。 F5:r ΐ配線層交又於下圖案例如島半導體層之邊。 i;=:二r配線材料於基板之整個表面上，隨 =:使用先心技術的選擇性蝕刻製程圖案化配線材料 而形成。此時，由於阶綠u m安々、息L ^田瓦配線材料對於下圖案之附著強度因下 劑：著下圖6案ΐ Ϊ::㊁H選擇性蝕刻製程中所用的蝕刻 分配線材料Γ在匕。=與配線材料間’而移除了部 ™^ ^ . u月况中，上配線層會毀壞崩潰。此 L ::表於TFT之A源：汲極與半導體通道層之交叉部。 2 20^0 t 解決珂述問題，曰本未實審專利公報第平 -2 083 0唬揭鉻了，由平面上看，提供

凹陷部於下圖案對上圖案 大口丨及/ A 突出部及/或凹陷部增大下圖宰口 。此對策係藉由 長度。藉著此一構成，即使\案/^圖入案广交叉邊之有效 可防止上圖案之毀壞崩潰虫刻^入上與下圖案間，仍

1226944 、發明說明（3) 更精確言之，依據前述公報之LC]) 係顯示於圖5巾，此裝置按 Λ之邛刀千面圖 衣置ί木用现父錯排列型之T F Τ 1 。士卜 Γ1 二此包描配線層卜 ;上===成於一覆蓋掃描線2之閘刚 二、一 fy成於上方以保護a-Si層3a之通道區 I/卜' 组=托電性）非晶石夕（n —a —Si)層3c，形成於a — Si 層3 a上以與電極形成歐挺抹雜 ^ . "-Si層3c上、以及一 ：=、/\=“與413，形成於 極4b。在此裝置中，掃ϋ(圖晝兀件）電極5，連接於電 電極“係從-信線出之一 、， I刀枝出。在知描與信號線2與4之交 a W q因刖、f理由’除了閘極絕緣膜以外，更設有-島 a-Sl3a、一島n_a_Siwc、以及一通道保護層扑。 姑同ί 了防^號，上圖案）之崩潰，a —Si層3a與3c皆 回案化使=其邊藉由提供有二突出部而變成—面凹一面 "亥邊上又叉有仏旒線4或電極4a與4b。藉由此圖案 織a-Si層3a對配線4或電極4&與41)之每一交叉邊線之長 4^欠大、、、口果“即使用以選擇性圖案化配線4及電極4a與 之餘刻劑沿著父又邊線浸入，仍可防止線4 極4 4b之崩潰。 兩、，所要求的LCD裝置不僅需要解決製造過程中之問題亦 :&強其顯不口口貝。增強顯示品質中之一議題係所謂的孔 :比。亦#，要求增加孔徑比。此要求藉由使不透光層之 積儘可能地小而達成。$此，在圖5所示的LCD裝置中， -己線層，例如信號線4與掃描線2，需要有小寬度以藉此增

1226944 五、發明說明（4) *---------- 加像素電極5中由此等配蠄厣」你0 配線層4與2所環繞的面積。 R &以而，本散人已經瞭解到為了增加孔徑比而減少圖 5所π示的LCD裝置之信號線4 (上配線層）之寬度所造成的下 列嚴重問題。具體而言，信號線4藉由進行於形成於基板 之整個表面上的配線材料層上之選擇性蝕刻方法而被圖案 化’而為了進行選擇性蝕刻，需要形成一遮罩層於配線材 料上。遮罩層經常藉由將設於光遮罩上之配線圖案投影在 形成於配線材料層上之一光阻層上而形成。此時，光遮罩 ί 1反：之校準會無吁避免地發生偏差。結#，信號 或左與右方向斤叹叶的t心位置’但實際上在上與下及/ 高孔徑比而使^偏離所設計的^中心位置。因此，倘若為了 套（ 1b號線4之寬度、交小’則界定信號線4之寬度 人c ·’威q 圖5中為Y軸方向上之線4之側邊）實質上符合 ；8 1 之〜突出部之邊，其邊係平行於信號線4之侧 邊。雖然二突出部設於圖5所示之LCD裝置中，但可僅提供 一突出部（或四啗部）。即便如此，前述狀態仍然容易發 生，因為在界定信號線4之寬度的一對側邊間形成有a-Si 層突出部（或ihj陷部）之箏行於該對側邊之兩邊。 圖6係沿著圖5之線A-A之剖面圖，顯示實際上朝左偏 離所設計的中心位置之信號線4。如圖所示，藉由幾乎重 疊於a-Si突出部層之側邊的信號線4之側邊，形成有一魚 劇與相對高的喈梯50於其重疊部。應注意參考符號10 :示 閘極絕緣膜。為了完成LCD裝置，保護層8與一定位層（未 圖示）隨後形戍，接著注入液晶層9。難以藉由保護與定位

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層完全覆蓋前述階梯5 Ο，使得 應於階梯5 0之部份中。液晶藉 形下之操作，電化學反應會發 9 °結果，顯示均勻度劣化及/ 應瞭解前述問題亦可發生 具有因要求高孔徑比而減小的 成前述問題之現象係取決於圖 (或凹陷部）之數目或尺寸。 上與下圖案之交叉結構存 裝置中。倘若液晶之電阻值低 然後，IPS型LCD裝置一般使用 液晶。據此，IPS型LCD裝置之 嚴重。 若干裂縫存在於此等層中對 而接觸於信號線4。在此情 生使反應金屬流入液晶層 或若干顯示瑕庇形成。 於上配線層例如信號線並未 寬度之LCD裝置中，因為造 案偏差量及/或a - Si突出部 在於平面上轉換（IPS)型LCD ’則電化學反應容易發生。 電阻值低於TN型LCD裝置之 前述問題較TN型LCD裝置更 【發明概述】 因而，本發明之一目的在於提供一種改善更多 顯示裝置。 本發明之另一目的在於提供一種液晶顯示裝置，呈有 一介於一下圖案與一上圖案間之改善的交叉結構。八 本發明之又一目的在於提供一種液晶顯示裝置，且有 一種結構防止上圖案之崩潰，可能發生於其對下圖案^交 叉部，且更解決下與上圖案互相重疊於不同方向上之 題。 依據本發明之一種液晶顯示裝置，包括一下圖案以及

第9頁 1226944 五、發明說明（6) 交又該下圖案且寬度由— ' - 該交又妹椹呈士、 +側邊所界定的 上、、〇構具有第一與第二 疋的一上圖案，使得 ^裳该ΐ圖案之該對側邊交又談^又點。在該第一交叉點 同'蠢7交又點處，該對側邊之另χ 一：Ϊ之一特定邊，且在 二ν。再者，該下圖案之具有 父又該下圖案之該相 係形成為使得從又二=一與第二交叉點之該邊 ^二—延伸線不重疊於從該度方向延伸 度方向延伸的一第二延伸線。 又又^以該上圖案之寬 在則述構成中，該下圖案之交叉誃 成或圖案化為JL右兮箆一上 人 圖案之該邊係形 &你边，丄 有鑪弟父又點作為開始點^ ^作為結束點，在從該第一交叉^忒弟一父叉 伸線不重疊於從兮篦-六7 ^ 〇) ^延伸的該第一延 至且X坆，亥弟一父又（結束）點延 之條件下。為了該下圖案之該邊具有此等開伸線 從：開始點延展的該邊線可在該開始與結束黑:間；=丄 而達致该結束點。在此例中，倘若該彎折角声々一 ^ -人 設定為直角，則該下圖案之該邊係由三線段$組$ Τ個3 謂該中心線段變成平行於界定該上圖案之該寬声。此意 # 又日、J石豕對4貝丨1 邊’且剩餘的該兩線段交叉該上圖案之該對側邊以分1 成該第一與第二交叉點。因此，該下圖案可僅具有一平， 於界定該上圖案之該寬度的該對側邊之線段。 π 該 另一方面，在圖5所示的該LCD裝置中，交又該上圖案 信號線4)的該下圖案（該a-Si層3a)之該邊之該圖案被、 定義成使得兩交叉點互相具有相同的γ座標’該兩交又點 係界定該上圖案之該寬度的該對侧邊與該下圖案之該邊交 第10頁 1226944

五、發明說明（7) ί : 5延：：:從該第一交叉點以該上圖案之寬度方向 申線重璺於從該第二交又 度方向 延伸的延# ^ m ^ 4 U上圚系I見/又 — /、 f最少形成兩線段於該下圖案之平行於界 疋该上圖案之該寬度之該對側邊之該邊。 、上在本發明中，該下圖案可形成為其一邊僅具有一平行 於該上圖、、案之該對側邊的線段。才f此了即使該圖案偏差 (遮罩校準偏差）於該上圖案之形成中發生而使其位置偏 移’該上圖案仍可免於下列情況：該上圖案之該對侧邊中 之一個重疊於該下圖案之平行於該上圖案之該側邊的一 邊再者’ 5亥下圖案之交叉該上圖案之該邊係由前述三線 段所組成’使得該可防止該上圖案毁壞崩潰。 在依據本發明另一態樣之交又結構中，該下圖案係形 成或圖案化為其邊包括延伸於一第一方向的一第一部，該 第一方向交叉一第二方向，該第二方向為該第二圖案之延 展方向’以及延伸於該第一方向且與於該第二方向上分離 於該第一部的一第二部，該第二圖案被排列成使得界定該 第二圖案之寬度的一對側邊分別交叉該第一圖案之該邊之 該第一與第二部。 本發明最好應用於主動型LCD裝置，其中複數個TFT排 列成矩陣以驅動對應的液晶單元（像素）。在此例子中，依 據本發明之交叉結構使用於掃描與信號線之每一交叉部。 尤其’在使用逆交錯排列型TFT之例子中，該下圖案係一 島半導體層且該上圖案係一信號（資料）線。扭轉向列（TN)

1226944 五、發明說明（8) 或者任何可顯示 的 =、IPS模式、垂直校準（VA)模式 核式皆可作為顯示模式。 【較佳實施例之詳細說明】 從下文附有圖示之說 、， 他目的、優點及特徵。 了更月奢本舍明之丽述輿其 ^將參照示範性實施例詳細說 :之：士 ft解可使用本發明之教導完成ΐ多iit技 二且Is明不限於等示範性質之實施例。 也 £ 1 Ο ^ Γ 、、、圖1 a與1 b，依據本發明實施例之一液晶顯干# 板或美;te雜# ^板例如一玻璃基板，作為一基部平 板。雖然未圖示，TFT係於基板"上排列成 ^ 二’對應於放置成複數條列與行 成矩 =之各個間極係連接於掃描線 連^ W ί//排列於同一行之TFT之各個汲（或源）極係 ^ 5唬（貧料）線14(僅圖示一信號線）中之對應的一、 二 =13與14中之每一條皆由導電材料例：鉻二、 . ，、類似者所形成。在此實施例中，TN模式之TFT冁

動相關聯的液晶像素。亦得採用lps模式。' FTlE 既然TFT排列成矩陣，掃描線13與信號線14互相交叉 於一 =U上。當採用逆交錯排列型TFT時，在此交又部1 5 處，信號線14變成一上配線層或圖案。尤其，盘每一打丁 之閘極同時形成於基板丨丨上的掃描線13係由一閘極絕緣膜 12所覆蓋，該閘極絕緣膜12上同時形成有每一tft之源與、 1226944 五、發明說明（9) >及極及彳§號線1 4。為了防止由閘極絕緣層1 2中之針孔所造 成的線13與14間之短路，故與用於每一 TFT之通道之半導 體層同時形成且圖案化的一島半導體區域16形成於交又部 1 5，以插入掃描與信號線1 3與1 4間。在此實施例中，半導 體區域16係由非晶矽所形成。包括TFT、像素電極、個別 線1 3與1 4、以及父叉部1 5之基板1 1之整個表面係由保護 (鈍化）層1 7所覆蓋。舉例而言，該保護（鈍化）層1 了係由氮 化矽所形成。 雖然半導體區域1 6之面積因前述目地形成為大於交叉 部1 5，但其邊依據本發明被圖案化如下。關於作為下圖案 的半導體區域1 6對作為位於掃描線1 3之上侧的上圖案之信 號線1 4之交叉邊線L，界定信號線1 4之寬度的一對側邊1 4 a 與14b分別交叉半導體區域16之邊線L於第一與第二點30a 與3〇b。如圖所示，第一與第二點30a與30b之Y座標互相不 同。再者，邊線L被圖案化成具有三線段31至33，藉以穿 過第一與第二點30a與30b。更具體言之，半導體區域16之 邊線L係由下列所組成：第一線段3 1，於信號線1 4之寬度 方向（亦即在X軸方向）上從交叉點3 0延伸至信號線1 4之中 心點、第二線段32，於第一線段31之終端點朝上彎曲成直 角且延伸至交叉點30b之Y座標平行於信號線14之線邊1 4a 與1 4b、以及第三線段33，從第二線段32之終端點延伸至 交又點30b。因此線段31與3 3之長度幾乎互相相等。藉由 此紐態，信號線1 4與半導體區域1 6之有效交叉長度變大， 而防止信號線1 4因I虫刻劑沿著邊線L浸入所造成之崩潰。

第13頁 1226944 五、發明說明（10) 應注意半導體區域1 6與信號線1 4皆被描繪成遮罩圖案以顯 示半導體區域1 6與信號線1 4間在所設計的中心位置中之相 對關係。據此，區域1 6與線1 4實際上形成為上與下及/或 左與右偏離於所設計的中心位置。此外，線段3 1與3 2之角 隅及線段3 2與3 3之角隅實際上形成為些微圓形。 既然交叉點3 0 a與3 0 b設置如前述，故半導體區域1 6之 平行於信號線1 4之邊線1 4 a與1 4 b之邊線段之數目可限制為 壹’如參考符號3 2所表示。因而，此邊線段3 2可在一遮罩 上設於信號線1 4之寬度之中心。結果，線段32與側邊1 4a 間之距離及線段3 2與侧邊1 4 b間之距離可形成為實質上大 於先前技藝LCD裝置。在此實施例中，線段3丨與33分別從 交叉點3 0 a與3 0 b起延伸了相同於線段3 1與3 3之距離，如參 考符號34與35所表示，且分別交又於界定半導體區域16之 寬度之側邊3 6與37。邊線段34與35中之一或二者的長度得 大於邊線段3 1與33中之每一個。 類似於前述之設計亦應用於半導體區域丨6之關於信號 線1 4之下側上之邊線。 因此’即使半導體區域丨6與信號線丨4間之遮罩校準發 生偏差’信號線1 4之侧邊1 4a與1 4b仍皆不重疊於半導體區 域16之線段32、36與37，該半導體區域16之線段32、36與 37係平行於信號線14之側邊14a與141)。結果，保護層丨7可 以足夠厚度覆蓋個別圖案，例如信號線丨4與半導體區域 1 6 ’之邊’如圖1 b所示，藉以防止缺陷例如裂縫發生於層 1 7中。未圖示但經由一定位膜（亦未圖示）設於保護層丨7之

1226944 五、發明說明（12) 長度設為至少2/zm。交叉點3〇a與30b之Y座標間之差異因 此被設為2 // m。 I么參照圖2 a至2 f，顯示依據本發明其他實施例之l cd 裝置之各部分，其中相同於圖丨a之組成係由相同的參考符 號所表示，以省略其說明。在此等圖示中，用於依據本發 明之半導體區域16之各種圖案。在圖2a至2C中，於區域16 之邊段中，平行於信號線14之側邊14a與14b之一或二線段 之彎曲方向不同於圖la所示之區域丨6之線段（亦即邊段 32)。另一方面，在圖2d至2f所示之半導體區域η中，其 邊線L並非被圖案化成一彎曲線，而係一傾斜線（圖2 d)、 一近似的S形線（圖2e)、或一曲線（圖2f)。 茲將說明作為本發明又一實施例之圖3與4所示的LCD 裝^ °此裝置使用所謂的包覆結構於一信號線2 〇。此外， 半導體區域2 1具有不同於圖1所示的圖案。期望降低信號 線14之電阻值。最好使用鋁（A1)作為高導電性金屬。然 而A1具有若干問題：與石夕發生合金反應、電致遷移、 以及形成小丘。因而，信號線2 〇以包覆結構方式形成，其 中，舉例而言，一A1核層22受到一由鉻（Cr)所形成的塗覆 層2 3所環繞著。 在此線20之形成中，一下Cr層與一A1層依序沉積於基 反之正個表面上，且隨後選擇性餘刻a 1層直到a 1核層2 2。 $後，一上Cr層沉積，接著其受到選擇性蝕刻以形成Cr塗 覆層2 3。 在此實施例中，“層22之寬度約為5至6 /^且(^層23

第16頁 1226944 五、發明說明（13) 之度約為9 // m。 變得符合塗覆層23 25，該邊段25係平 23之侧邊23a與23b 時，覆蓋信號線20 如前所詳細探 缺點：上圖案毀1壞 裂縫。 明顯地，本發 明之範圍與精神下 關於前文所揭 用線得取代閘極線 在遮罩圖案中，設計成核層2 2之中心線 之中心線且又符合半導體區域2丨之邊段 行於核層22之側邊22a與22b以及塗覆層 。因而，甚至當遮罩校準稍微發生偏差 之保護層中仍不會生成裂縫。 討般，依據本發明之LCD裝置不具下列 崩潰以及保護（鈍化）層中產生不需要的 明不限於前述實施例，可在不偏離 加以修改與變化。 x 露之說明，下層被解釋為閘極線，但共

第17頁 1226944 圖式簡單說明 圖1 a係顯示依據本發明實施例之LCD裝置之一部分（尤 其，掃描與信號線之一交叉部）之平面圖； 圖1 b係沿著圖1 a之線B-B之剖面圖； 圖2a至2f係顯示依據本發明其他實施例之LCD裝置之 一部分之平面圖； 圖3係顯示依據本發明又一實施例之LCD裝置之一部分 (尤其，掃描與信號線之一交叉部）之平面圖； 圖4係顯示沿著圖3之線C-C之剖面圖；

圖5係顯示依據先前技藝之LCD裝置之平面圖；以及 圖6係顯示，在半導體層（3a與3b)之邊與配線層4之邊 處於實質上重疊狀態之例子中，沿著圖5之線A - A之剖面 圖。 【符號說明】

1 TFT 2 掃描配線層

3a 本徵非晶石夕（a - S i)層 3b 通道保護層 3c 高導電性a-Si層 4a 源極 4b 汲極 5 像素電極 8 保護層 9 液晶層

第18頁 1226944 圖式簡單說明 10 液晶顯不裝置 11 基板 12 閘極絕緣膜 13 掃描線 14 信號（資料）線 14a 側邊 14b 侧邊 15 交叉部 16 島半導體區域 17 保護（鈍化）層 20 信號線 21 半導體區域 22 核層 22a 側邊 22b 侧邊 23 塗覆層 23a 侧邊 23b 側邊 25 邊段 30 交叉點 3 0a 第一點 30b 第二點 31 第一線段 32 第二線段

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1226944 圖式簡單說明 33 第三線段 34 邊線段 35 邊線段 36 侧邊 37 側邊 50 階梯

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Claims (1)

1226944 修正 t號 90125741 六、申請專利範圍 、卜1 · 一種液晶顯示裝置，在絕緣層上，將驅動液晶的 複數個電b曰體配置成矩陣狀，並在閘極線與沒極配線相交 又的閘極/汲極交又部，加上閘極絕緣膜，並設置分離圖 案，同時，以保護層覆蓋該閘極/汲極交叉部； 其特徵為： 以橫向穿過該汲極配線之該分離圖案的橫斷端面與該汲極 配線相接觸的端面線中，其與該汲極配線一方之側線交叉 的位置’以及與該汲極配線他方之側線交叉的位置，並非 位於與該汲極配線之與任何一側線略垂直相交的直線之延 長線上； 又’於該汲極配線與該分離圖案中，該汲極配線與該分離 圖案的兩個側面不成為連續的面，而係以形成一段部的方 式，使彼此之側面錯開的方式配置。 2 ·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中，使 該保護膜能夠確實地覆蓋住因錯開彼此之側面配置的方式 所形成的空白部分’不致於因為落差的緣故而中斷，亦即 具有足以緩和該汲極配線與該分離圖案落差的充足空間。 3 ·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中，該 端面線具備在該汲極配線的寬邊之中，沿著該汲極配線側 線的線段；且該線段的兩端係以相反的方向彎曲，與該汲 極配線的兩側線的一方保持交叉。 4·如申請專利範圍第3項之液晶顯示裝置，其中，該 端面線係使該彎曲角度與該交叉角度共同呈現略直角的階 段型之彎曲線。

第21頁 1226944 _案號90125741_年月日__ 六、申請專利範圍 5 ·如申請專利範圍第3項之液晶顯示裝置，其中，該 沒極配線的寬邊方向位於略中央的位置。 6. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中，該 分離圖案為半導體層。 7. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中，該 液晶係藉由使用薄膜電晶體的主動式矩陣驅動方式而驅 動。 8. 如申請專利範圍第7項之液晶顯示裝置，其中該液 晶施壓電場的方向係以與基板表面成略平行的橫電場驅動 方式進行驅動。 9. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該汲 極配線具備以塗覆層包住核層的配線包層（c 1 ad)。 10. 一種液晶顯示裝置，包含一第一圖案與一第二圖 案； 該第一圖案之邊包括：第一部，延伸於一第一方向， 該第一方向交叉一第二方向，該第二方向為該第二圖案之 延展方向；以及第二部，延伸於該第一方向，且沿該第 二方向上與該第一部分離； 該第二圖案被排列成使得界定該第二圖案之寬度的一 對側邊分別交叉該第一圖案之該邊之該第一與第二部。 11. 如申請專利範圍第1 0項之液晶顯示裝置，更包含 一液晶單元以及驅動該液晶單元的一驅動元件，該第二圖 案被伸長且連接於該驅動元件之一極。 12. 如申請專利範圍第11項之液晶顯示裝置，其中該

第22頁 1226944 _案號90125741_年月日__ 六、申請專利範圍 驅動元件包括一半導體層，受到經由該第二圖案施加至該 極的電壓所控制，並且該第一圖案係分離於該半導體層的 一島半導體區域。 13. 如申請專利範圍第1 2項之液晶顯示裝置，其中該 島半導體區域之邊係由該第一部，該第二部以及連接該第 一與第二部的一第三部所界定。 14. 如申請專利範圍第1 3項之液晶顯示裝置，其中該 第一與第二部皆約略平行於該第一方向，並且該第三部約 略平行於該第二方向。 15. 一種液晶顯示裝置，包含一像素電極、一電晶 體、一第一配線層、一第二配線層及一島區域； 該電晶體具有連接於該像素電極的一第一電極、一第 二電極與一第三電極； 該第一配線層係連接於該電晶體之該第二電極且延伸 於一第一方向； 該第二配線層係連接於該電晶體之該第三電極且延伸 於和該第一方向交叉之第二方向，該第二配線層交叉於該 第一配線層； 該島區域係設於該第一與第二配線層之一交叉部以插 入該第一與第二配線層間； 該島區域具有延伸於該第一方向的一第一邊部、延伸 於該第一方向且其於該第二方向上之座標不同於該第一邊 部的一第二邊部、以及延伸於該第二方向以連接該第一與 第二邊部的一第三邊部；且

第23頁 1226944 _案號90125741_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 該第二配線層係交叉該島圖案使得界定該第二配線層 之寬度的一對側邊分別交叉該島區域之該第一與第二邊部 於第一與第二點。 16. 如申請專利範圍第1 5項之液晶顯示裝置，其中該 電晶體包括作為該第二電極的一閘極以及覆蓋該閘極的一 閘極絕緣層，該第一配線層係連接於該閘極，且該第二配 線層係供應一資料信號至該電晶體，並且該島區域係由半 導體所形成。 17. 如申請專利範圍第1 6項之液晶顯示裝置，其中該 第一點與該第三邊部間之第一距離以及該第二點與該第三 邊部間之第二距離中之一距離至少為2 // m。 18. 如申請專利範圍第1 7項之液晶顯示裝置，其中該 第一與第二距離中之另一距離至少為0.3至0.4//m。 19. 如申請專利範圍第1 5項之液晶顯示裝置，其中該 第三邊部之長度至少為2//m。

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