TWI225468B - Coating solution for forming transparent conductive tin oxide film, method for producing transparent conductive tin oxide film, and transparent conductive tin oxide film - Google Patents

Description

1225468 五、發明說明（1) [發明之詳細說明] [發明所屬之技術領域] "本發明為關於在玻璃，陶瓷等基板或對象物上，形成以 乳化錫做為主體之透明導電性氧化錫膜所用之透明導電性 乳化錫膜形成用塗佈溶液及其製造方法。尚，本 於電磁波之遮蔽、紅外線之反射、太陽一一 = 、等離子體發光顯示元件（PDP)、電發光元件之電 L^冷凍陳列箱之零件、飛機用防霧電熱板玻璃之製 :雷m，具體而言’可用於LCD、PDP等透明電極、低 (m：螢光體之防止靜電、瑩光顯示管之快閃化 (吕内面塗佈）、照像管之表面電極、低速電子射線用之 表面帶雷^ 螢光”、具不s之表面電極、PDP用螢光體 ^面二電均句化、合成纖維之防止靜電等、其他、硬膜 材、利用南折射、高反射性質之各種用途 [先前之技術] 心往2晶顯示元件、等離子體發光顯示元件、電發 ί'、不7C等之顯示元件類的電極、和汽車、飛機、津s 物等窗戶玻璃之防霧D戈防止姓、k田“皁域、建杀 對於可見光具有高之發熱電阻體，乃使用 料，已知有含有錄之氧化：(= 才料。此類透明導電性材 二曰、/以1Τ〇因為電阻低等之理*，而被廣泛 =對於高溫、高電壓之安定性方面則以 為較優，故廣泛進行研穷， 孔化踢 性氧化錫膜。 奴形成可匹敵ΙΤΘ的透明導電

第5頁 1225468 五、發明說明

氧化錫膜的形成方法已知有（1)濺鍍、（2)噴霧法、 (3)CVD法。此處’（1)、（2)、（3)各方法難於具有大面積 之基板上，作成氧化錫之薄膜。於此類大面積基板上製作 均勻薄膜之方法可應用塗佈法，此方法比需要複雜且昂貴 裝置之濺鍍法等，具有可以簡單裝置製作薄膜之優點，故 已進行許多研究。 塗佈法已知為以錫之有機金屬做為原料並且塗佈製作薄 膜之方法。但是，由於塗佈液中含有許多有機化合物，故 具有在薄膜内殘留碳等之問題。

又，塗佈法中之使用溶膠-凝膠之方法為利用金屬醇鹽 水解及縮聚反應之方法。此製程較易於控制組成，並且π已 廣泛進行形成均質性優之薄膜之研究。但是，金屬醇鹽一 般為昂貴的。又，具有於製作之薄膜内殘留碳之問題。 於此類大面積基板上形成均勻薄膜之方法亦可庫用涂佈 法，但如上述，於先前法中因為薄膜内的殘留石炭，而：有 產生針孔和微細裂痕等之問題。 另外，已知錫酸為溶解於氨水溶液中（ullmann，s E^^dopedia of Industrial Chemistry，化學大辭典 荨），又，於特公平5 _ 4 3 6 4 7號公報中 ^二 於基板上塗佈，製作導電膜之方法。。、、敲鉍冷

[發明所欲解決之課題] 但疋，上述公報所揭示之導電膜 (Ω/口）。其所對應 面電二值為5x 1( 情況為呈1〇〇倍以上的：面=枯比，塗佈法所形成之 上的表面電阻值，均未到達可實用化之

~^ 五、發明說明（幻 階段。 本發明為鑑於此 料而可取租 、h 透明導電性氧化锡：升導 錫膜之製造方法及， 「用u知上 成&透明 L用以角午決課題之手 产解決前述課題之本： 氧化锡為主體之透明； 水及水溶性胺所組 含有锡酸做為主成分之 =聚合物溶解為其特徵 〉谷液。 事，以提供以廉價氧化錫等做為原 電性及透明性之強韌的氧化錫膜之 成用塗佈溶液、及透明導電性氧化 導電性氧化錫膜為其課題。 明的第一悲樣為經由塗佈法形成以 電性膜所用之塗佈溶液，其為於氨 中遥出至少一種化合物存在下，於 水溶液中，再令具有極性基之水溶 之透明導電性氧化錫膜形成用塗佈 本發明之第二能梯& 齒化物、_化有；美^於第一態樣中’前述錫酸為將錫之 選出之錫化合物ΐ二11錫酸鹽t ί有錫之醋所組成群中 中者為其特徵之透^解所付之虱虱化物（錫酸）溶解於水 之氯化物為ί::為於第二態樣中，前述錫化合物為錫 液' ”、、/、，#之透明導電性氧化锡膜形成用塗佈溶 % 右5:: Π:態樣為於第一〜三任-種態樣_，前述具 ° 土之7溶性聚合物為由聚乙稀醇（P V A )、聚乙烯乙 醯胺(PNVA)、聚乙烯曱醯胺(pNVF)、聚二曱基丙烯醯胺 (PDMAA)、聚丙烯醯胺（PAAM)、聚丙烯嗎啉（pAM)、羥乙基 纖維素（HEC)、羥丙基纖維素（HPC)、及羧曱基纖維^ "

1225468 五、發明說明（4) ___ (CMC)所組成群中選一 化錫膜形成用途佈溶液。〉一種為其特徵之透明導電性氧 本發明之第五態樣 f極性基之水溶性聚合物：四任-種態樣中’前述具 透明導電性氧化錫M &句 為〇.1〜5重量％為其特徵之 本發明之第:：：=第用塗佈溶液。 以上為其特徵之透明電==—種態樣t，ΡΗ為1 0 本發明之第七態樣 乳化錫膜形成用塗佈溶液。 ;'丨生胺為由氯氧化四= -種態樣[前述水 及一甲胺所組成群中 女一乙胺、三甲胺、 氧化錫膜形成用塗佈溶液。〉、一種為其特徵之透明導電性 本發明之第八態樣為於 銻、鉍及鈮中之至少二铺〜七任—種態樣中，含有 徵之透明導電性氧化 7溶性化合物做為摻混劑為其特 本發明之第塗::容液。 氟之水溶性有機化合物做 〜八任-種態樣中’含有含 氧化锡膜形成用塗佈溶=為摻混劑為其特徵之透明導電性 本發明之第十態樣/

I 至少-種化合物存在下：2及水溶性胺所組成群中選出 中，再令具有極性基之水二二有錫酸做為主成分之水溶液 進行塗佈、乾燥並且炮捧聚合物溶解之透明塗佈溶液 錫膜。 70成為其特徵之透明導電性氧化 2明之第十一態樣 之水洛性聚合物為由聚 ^ 7中，W述具有極性基 场醇（PVA)、聚乙烯乙醯胺 C:\2D-CODE\90-02\89124354.ptd 1225468 五、發明說明（5) — (PNVA)、聚乙烯甲醯 (PDMAA) ^^ϋ|.(ΡΑΑΜ)^ 纖維素（HEC)、鈽丟並处 人 烯馬啉（PAN)、羥乙義 (CMC，.. , ^ 丙基纖維素（HPC)、及羧甲美堪給丰 ^ (CMC)所組成群中選出羧甲基義維素 化錫膜。 種為，、特敛之透明導電性氧 本發明之第十二態樣為於第十 鉍及鈮之至少一籀t、、六 /十 怨樣中’含有銻、 明導電性氧化錫膜H “勿做為摻混劑為其特徵之逯 本發明之第十三態樣為於第 ί含氣之水溶性有機化合物做為摻樣中，含 電性氧化錫膜。 此”丨為其特徵之透明導 本發明之第十四態樣為於第十〜 r為小於ixi°，c “其特徵之:錫比 中選出至少：：：：：：：；於二：及水溶性胺所組成群 再令具二! 塗佈溶液之工程、及將此溶 :料成透明 化錫膜之工程為其特徵之=以明導電性氧 法。 延月ν電性乳化錫膜之製造方 溶、im六態樣為於第十五態樣中，前述透明塗佈 所組成群中選出之錫化合物予以水解所得之；i::(之： 第9頁 \\312\2d-code\90-02\89124354.ptd

I 1225468 五、發明說明（6) 酸）予以溶解者為其特徵之透明導電性氧化錫膜之製造方 法。 、 、 么Ϊ ^ ^ 5 ί十七恶樣為於第十六態樣中，前述錫化合物 為錫之虱化物為其特徵之透明導電性氧化錫膜之製造方 法° 、、 ，本^月之第十八悲樣為於第十五〜十七任一種態樣中， 前述具有極性基之水溶性聚合物為由聚乙烯醇（ρ^)、聚 乙烯乙醯胺（PNVA)、聚乙烯甲醯胺（PNVF)、聚二甲基丙烯 醯胺（PDMAA)、聚丙烯醯胺（pAAM)、聚丙烯嗎啉、羥 ,ϋΓΛ(ΗΕ〇、羥丙基纖維素(HPC)、及羧甲基纖維i (CMC)所、、且成群中選出至少一種為其特徵之 化錫膜之製造方法。 4 ^ 一本發明之.第十九態樣為於第十五〜十八任一種能樣中， 溶性聚合物含量為°，1〜5重量。/:為其 特被之透明V電性氧化錫膜之製造方法。 、，本發明之第二十態樣為於第十五〜十九任一種態樣中， 月ίι述水洛性胺為由氫氧化四甲基銨、三乙胺、二乙胺、二 ϋ卜:及：甲胺所組成群中選出至少一種為其特徵之透； 導電性氧化錫膜之製造方法。 本2明之第二十一態樣為於第十五〜二十任-種能樣 中，前述透明塗佈溶液為含有銻、鉍及鈮之至少一 &水々 性化合物做為摻混劑為其特徵之透明導電性氧化錫膜： 造方法。 、衣 本發明之第二十二態樣為於第十五〜二十一任一種態樣

\\312\2d-code\90-02\89124354.ptd 第10頁 1225468 五、發明說明（7) 中，前述透明塗佈溶液為含有含 為摻混劑為其特徵之透明導電性氧化合物做 本發明之第二十五態樣為於第十五〜二二===法。 :’將前述塗佈膜於90t〜10(rcT «^4 透明導電性氧化錫膜之製造方法。 *為/、特欲之 本發明之第二十四態樣為於第十五〜二 中’將前述塗佈膜於40(rc〜70(rc ; 透明導電性氧化錫膜之製造方法。 凡為，、特欲之 為ί依據塗佈法形成不可或缺之透明塗佈溶液而 力重後研究，結果發現將錫之氣化物等予以水解所得之 錫之氫氧化物（錫酸）所構成的沈澱物，於氨水及水溶性胺 所組成群中選出至少一種化合物存在下溶解於水中，並 且，再令具有極性基之水溶性聚合物溶解之錫酸的透明水 溶液’適合做為塗佈法所用的塗佈溶液，並且因而達成本 發明。即，雖然迄今嘗試將錫酸溶液塗佈製作導電膜（特 公平5-43647號公報），但所生成之導電膜的表面電阻為5 X 1 0 5 Ω / □左右，其所相當的導電膜為以先前塗佈法形成 日π之1 0 0倍以上的電阻值。又，將此類錫酸溶液直接塗佈 時，並無法取得強韌的塗佈膜。 因此，以往，實際上並未具有實用之導電性且並未形成 強初的導電膜，完全皆無實用化，但本發明藉由將溶解於 ρ Η1 0以上氨水和胺溶液之錫酸中，添加具有極性基之水溶 性聚合物，而初次實現具有實用之導電性且形成強韌的透 明導電性氧化錫膜。

C:\2D-CODE\90-02\89124354.ptd 第11頁 1225468 五、發明說明（8) 本發明所提供之透明導電性^ ^ ^ 明性、膜質亦為良好且高品質軋化錫膜為非常廉價，且透 法簡便地製造，故可令製造二鲁f且因為可經通常的塗佈 泛範圍。 -、用化，且可應用使用於廣 本發明之透明導電性氧化 酸及具有極性基之水溶性聚f f形成用塗佈溶液為含有錫 藉由其極性基而與基板之密二^所生成的透明導電膜可 又’不含有錫酸以外的有m為高密度膜。 塗佈於基板等，故可形成不,、’可以透明溶液型式 之透明導電性氧化錫膜。子針孔、微細裂痕、縫隙等 本發明之透明導電性氧化錫膜 要提高導電性之情形中，則非、〆成用主佈洛液，於不需 用錄、錢及鈮之至少一種有摻混劑，但亦可使 1 A n V 、’屬的氣氧化物。較佳可A於磁 =&絲或銳。若使用此類透明導電性氧化錫 成用淨 佈：液扶2形成具有良好導電性之透明導電氧化錫膜？ 又丄彳》此劑y使用成為陰離子之摻混劑，例如氟。乳可 將水浴性之含氟有機化合物添加至塗佈溶液中。 本發明之透明導電性氧化錫膜形成用溶液，若為於氨水 及水溶性胺所組成群中選取至少一種化合物存在下，令錫 酸溶解者即可，其製造方法並無限定。例如，可為水解產 生氫氧化物（錫酸）者，例如將錫之鹵化物、齒化有機基 ，、/錫酸鹽及含錫之酯所組成群中選出之錫化合物予以水 解形成錫的氫氧化物（錫酸），且視需要進行過濾後，再作 成驗性令其溶解即可。

第12頁 1225468 、發明說明（9) &此處’錫化合物較佳為使用錫之氯化物，特別為錫（I V ) 氣化物且將其水解則可輕易令錫的氫氧化物沈殿。 t舍明中’視需要進行過濾，並於其中添加氨水及水溶 胺所組成群中選出至少一種之化合物且令pH為1 〇以上、 ^佳為1^0· 8以上，則可取得令錫酸溶解的塗佈溶液。此類 ⑽=氫氧化物可在常溫下進行溶解，且視需要亦可進行加 j寺。又，亦可以一連串之工程進行水解生成錫之氫氧化 物並且溶解。 &此處，水溶性胺可列舉氫氧化四甲基銨、三乙胺、二乙

二甲胺、二甲胺等，但並非限定於此，若為具有適度 驗性度之胺類即可使用。 、但，並非必要作成鹼性不可，於形成透明導電性膜之用 逆=二若存在金屬離子則對於導電性造成不良影響，故使 用氫氧化納、氫氧化鉀則為不佳。

土氨水及水溶性胺中，氨水例如使用25%左右之氨水為 佳’但於厭惡氨水之情形中，較佳使用氫氧化四甲基銨。 ^為了於本發明之氧化錫形成用塗佈溶液中，添加^與導 電性之摻混劑時，可於錫化合物中，添加可經由銻、^及 銳等函化物之水解生成氫氧化物之化合物。其為與踢化合 物共同水解成為氫氧化物。又，亦可將錫之氫氧化物、與 另外作成為摻混劑之金屬氫氧化物共同以鹼進行溶解。 製造本發明透明導電性氧化錫膜形成用塗佈溶液所用的 錫化合物，主要以氯化錫為較佳使用，但當然並非限…於

5 άΛ Jjr /JL· 或五氯化錄A杜做為摻混劑之銻化合物，主要以三氯化銻 佳加上錄，佶二，但其他之硫酸銻等亦可使用。更真，較 為佳。#；Mb a :做為第二摻混劑之金屬化合物以鉍化合物 "站化合物較佳使用氯化鉍。 以錫：人;:Π之添加量為根據所欲之導電性而異，但若 令Sn @ 人銻化合物（B)之使用比例例示，則〆般為 i Β9Π Γ比為以A:B = 9°〜98:2〜⑺之範園，較佳 圍則不二之範圍。録之使用量…上述範 導雷j 不充分’ X，若超過此範圍，則於作成透明 得读,L ΐ „所使用之溶液中產生沈，，恐發生令所 V電性氧化錫膜之可見光線穿透率降低等之問題。 、、又亦可使用氟做為摻混劑，此時，亦可於塗佈溶液中 :加水 >谷性之含氟有機化合物。此類氟之添加量並無特別 义制，相對於錫，以1〜7莫耳0/〇之範圍為佳。 X本^發明所使用之具有極性基之水溶性聚合物可列舉聚乙 烯醇（PVA)、聚乙烯乙醯胺（PNVA)、聚乙烯甲醯胺（pNVF) 、聚二甲基丙烯醯胺（PDMAA)、聚丙烯醯胺（PAAM)、聚丙 婦嗎琳（PAM)、羥乙基纖維素（HEC)、羥丙基纖維素（HPC) 、羧甲基纖維素（CMC)等。 具有極性基之水溶性聚合物可由上述物質中適當選出最 適者，且以選擇pHIO以上僅可能為安定者為佳。即，使用 PH 1 0以上分解、且變質之水溶性聚合物，由塗佈液之安定 性方面而言為不佳。 例如，使用PVA(本發明中，包含聚乙酸乙烯酯鹼化物及 -

C:\2D-CODE\90-02\89124354.ptd 第 14 頁 1225468 五、發明說明（11) 二二乙酸則乙乙稀：驗化物)時，若使用-般所用之驗化度 令pH降低且# 4^脫離亚令虱水或水溶性胺被中和，具有 P牛低且析出錫酸之問題。 鉦m二若追加氨水或水溶性胺令pH保持於1〇以上則 ^pva ^ λ ^ ^ ^ ^ ^ ^pva ^ ^ ^ ^ ^ 存。月/ ，塗佈液之安定性為良好且可耐於長期保 物之^ iΐ11基之水溶性聚合物的添加量雖亦根據聚合 物之種類而異，但一般而言，以〇1重量％ 尚，水溶性聚合物於塗佈前添加即可。里❶左右。 本，明之透明導電性氧化錫膜用塗佈液，以 之水洛性聚合物作用為成膜 ^ - 厚’且強勒並且導電性良好之膜、又了“用之膜 制，更且，可於」：=仃先則塗佈法所困難的膜厚控 之導電膜。、 土下，形成具有5 0 0nm以上臈厚 - 明= 形成用塗佈溶液可使用於 乾燥，堯，則可塗膜後，進行 將本發明之透明導電性氧化虱化錫膜。 對象物並無特別限定，各種元#制=f用塗佈溶液之塗佈 且具有耐熱性之材料，較 衣仏所用之基板為透明 之基板、和硼矽酸玻璃、石二:^玻璃表面予以矽石塗覆 使用本發明之透明導電f玻璃板等。 電^化錫膜形成用塗佈溶液所形 C:\2D-CODE\90-02\89I24354.ptd 第15頁 麵 1225468 五 、發明說明（12) ，之氧化錫為立體之透明導電性氧化 ^水溶性聚合物作用為成膜輔助劑，、為以具有極性基 鬲之物皙，盔、未ώ π , 马強韌並且導雷性 初貝為透明度良好，與對象物之宓人 V冤性 為無針孔和微細裂痕之良質品。 ⑴口性亦良好，且 [發明之實施形態] 其次’列舉實施例及比較例更田 指稱本發明為被限定於此些實施例、。D本电明，但不能 (實施例1 ) 之三/燒f中，㈣1 2 3 4 5 6.〇克之氯化錫五水合物 中溶解。= 之氯化錄(Sbcl3)，並於35克之水 I二完鹽酸灭為°·5。充分授摔，令 物。ί人 令ρΗ成為7 8，取得沈澱 物 將此沈澱物過濾、洗淨後採集。 〇於^此沈澱物中加入9倍量蒸餾水所得之混合物中，加入 Η

\\312\2d-code\90-02\89124354.ptd 第16頁 1 ^/°氨水使其邱成為9· 7，於常溫放置24小時，則取得淡 2 黃褐色之透明溶液。 、 〆 3 若於其中再添加〇· 41克之pva、且充分攪拌，則可取得 4 具有黏性之溶液。將此溶液視為本實施例之塗佈溶液。 5 (實施例2) 6 於貫施例1中，除了使用〇 · 44克之三氯化鉍代替氯化銻 以外，同實施例1處理製造塗佈溶液。 7 (實施例3) 8 於貫施例1中，除了未添加PV Α以外，同實施例1處理製 9 造塗佈溶液。 !225468 五、發明說明（13) (實施例4 ) 將貫細例3之塗佈溶液於常溫下保存50日，則可取得黏 度上升之具有黏性的溶液。將其視為本實施例之塗佈溶 液0 (實施例5) 於 I升之—口燒瓶中，秤量7.0克之氣化錫五水合 物\且於35克之水中溶解。將此溶液一邊攪拌一邊加入 25%氨水直到pH為8為止，並將生成的沈澱物過濾，洗淨搐 如集。於此沈澱物中加入9倍量蒸餾水所得之混合物中， 加入25%氨水使其pH成為ι〇· 8，且於常溫放置24小時。 於所得之淡黃褐色透明溶液丨· 〇克中加入三氯乙醇〇. 〇 8 5

克並且充分攪拌。再加入〇· 〇3克之PVA，並將攪拌所得之 溶液視為本實施例之塗佈溶液。 (實施例6)

於氯化錫五水合物3 · 6克與氯化銻0 · 1 2 8克中加入純水3 〇 克，並以鹽酸使得P Η成為-0 · 2，令氣化物完全溶解。於其 中慢慢加入28%氨水使得pH為7，取得含有銻之錫酸沈殿 物。將其離心分離出沈澱物。將此沈澱物於純水中再分散 且離心分離重覆二次，進行洗淨。對於所得之沈澱物3. j 克加入純水4 · 0克’右再以氣氧化四甲基錢（T M A Η)使得ρ η 為1 0 · 8 ’則可令沈殿物立即溶解’取得黃褐色的透明溶 液0 於其中加入1 %聚乙稀基乙醯胺作成塗佈液。 (實施例7 )

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Claims (1)

1225468 公告本 六、申請專利範圍 1 _ 一種透明導電性氧化錫膜形成用塗佈溶液，其為經由 塗佈法形成以氧化錫為主體之透明導電性膜所用之塗佈溶 液，其特徵為： 於可使水溶液成為PH10以上之量的氨水及水溶性胺所組 成群中選出至少一種化合物存在下’將錫的鹵化物予以加 水刀解所知之氫氧化物（錫酸），再予以溶解於水中後所 得到的含有錫酸做為主成分之水溶液中，再令〇丨^重量％ j有極性基之水溶性聚合物溶解所成，纟中前述具有極 Γ性聚合物為由聚乙稀醇（PVA)、聚乙稀乙醯胺 PNVA)、斌乙烯曱醯胺（pNVF)、聚二曱基丙烯醯胺 (PDMAj)、聚丙稀醯胺（PAAM)、聚丙稀嗎琳（pAM)、羥乙基 纖維素（HEC)、㈣基纖維素（Hpc)、 (CMC)所組成群中選出至少一種。 紙本素 二K請i利範圍第1項之透明導電性氧化錫膜形成用 主佈浴液，其中前述錫的_化物為錫之氣化物。 3. 如申請專利範圍第丨或2項中任一項之透明 W-：1. 拷'

=膜形成用塗佈溶液，其中前述水溶性胺為由氫氧:二 少：=、二乙胺、三曱胺、及二甲胺所組成群中選 4. 如申請專利範圍第丨或2項中任一項之透明導電性 錫膜形成用塗佈溶液，其為含有録、叙及銳中之至種 水溶性化合物做為摻混劑。 锡5膜m i:範圍第1或2項中任一項之透明導電性氧化 錫膜形成用塗佈溶液，其為含有含氟之水溶性有機化合物

89124354(替換）-].ptd 第21頁 1225468 六、申請專利範圍 做為摻混劑。 6口：種透明導電性氧化錫膜’其特徵為於可使水 為PH1 〇以上之量的氨水及水溶性胺所組成群中選出至j 種化合物存在下，將錫的函化物予以加水分解，所得= =(錫酸），再予以溶解於水中後所得到的含 ： 為主成分之水溶液中，再令0·^重量％ 2 :聚：物溶解之透明塗佈溶液進行塗佈、謝絲么 成’其中前述具有極性基之水溶性聚合物為由聚乙心而 (PVA)、聚乙稀乙醢胺（PNVA)、聚乙烯甲醯胺（pNvF)、取 η丙浠醯胺(Ρ_、聚丙烯醯胺(PAAM)、聚丙歸； 啉(PAM)、羥乙基纖維素(HEC)、羥丙基纖維素(Hpc)、： 竣曱基纖維素（CMC)所組成群中選出至少一種。 :如申請專利範圍第6項之透明導電性氧化錫 含有銻、錢及銳之至少-種水溶性化合物做為推“為 8人=請專利範圍第6或7項之透明導電性氧化錫膜 為3有含氟之水溶性有機化合物做為摻混劑。 9.如申請專利範圍第6或7項之透明導電性 中比電阻為小於1 X 10-2 Ω · cm。 、 其 1 〇. —種透明導電性氧化錫膜之製造方法，其特徵 備於可二水溶液成為PH10以上之量的氨水及水溶性胺所、 f君:2出至少一種化合物存在下，⑥將錫的自化物予 ，分解，所得之氫氧化物(錫酸），再予以溶解於 所付到的含有錫酸做為主成分之水溶液中，再令0 量％具有極性基之水溶性聚合物溶解形成透明塗佈溶=

89124354(替換)-1.ptd 第22頁 1225468 六、申請專利範圍 τ 程 N i N及將此溶液塗佈至被對象物且形成塗佈膜之工程、 及將it卜汾7士 + 程 主佈膜乾燥並且鍛燒形成透明導電性氧化錫膜之工 (5 ’其中前述具有極性基之水溶性聚合物為由聚乙烯醇 - 、聚乙烯乙醯胺（PNVA)、聚乙烯曱醯胺（PNVF)、聚 :^基丙稀酸胺（PDMAA)、聚丙烯醯胺（PAAM)、聚丙烯嗎 _ 、經乙基纖維素（HEC)、羥丙基纖維素（Hpc)、及 久基纖維素（CMC)所組成群中選出至少一種。 造去如，申請專利範圍第1〇項之透明導電性氧化錫膜之製 '’其中前述錫化合物為錫之氯化物。 基銨、一、衣仏方法，其中丽述水溶性胺為由氫氧化四甲 出至少：二胺、：乙胺、三甲胺、及二甲胺所組成群中選 f ^ ^ ^ t -fi 衣ie方法’其中刖述透明塗佑 鉍及鈮之5 ^丨、一括^7 , 处月土师命液為含有銻、 至少一種虱氧化物做為摻混劑。 斤14 ·如申睛專利範圍第1 0或11項中任一項夕、悉 氧化錫膜之势洪太土 甘士、，i 員之透明導電性 π肤 < 衣仏方法，其中前述透明塗 之水溶性有機化合物做為摻混劑。佈-液為含有含氟 1 5·如申請專利範圍第丨〇或丨丨項 氧化錫膜之萝造方沬 # , ^ w 員之透明導電性 衣w万法，其中將前述塗佈 下進行乾燥。 < 土忡膜於90 C〜19()〇c 16.如申請專利範圍第^或丨丨項中任— 氧化錫膜之製造方法，盆+ 員之透明導電性 力在其中將則逑塗佈膜於4 1225468 六、申請專利範圍 行鍛燒。 89124354(替換），l.ptd 第24頁