SE533427C2 - Katalysatorer - Google Patents
KatalysatorerInfo
- Publication number
- SE533427C2 SE533427C2 SE0801905A SE0801905A SE533427C2 SE 533427 C2 SE533427 C2 SE 533427C2 SE 0801905 A SE0801905 A SE 0801905A SE 0801905 A SE0801905 A SE 0801905A SE 533427 C2 SE533427 C2 SE 533427C2
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- tio
- oven
- layers
- sno
- carriers
- Prior art date
Links
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 title description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 claims description 8
- 239000003637 basic solution Substances 0.000 claims description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 14
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910006853 SnOz Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J35/00—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
- B01J35/30—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties characterised by their physical properties
- B01J35/39—Photocatalytic properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/14—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of germanium, tin or lead
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J21/00—Catalysts comprising the elements, oxides, or hydroxides of magnesium, boron, aluminium, carbon, silicon, titanium, zirconium, or hafnium
- B01J21/06—Silicon, titanium, zirconium or hafnium; Oxides or hydroxides thereof
- B01J21/063—Titanium; Oxides or hydroxides thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J35/00—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
-
- B01J35/004—
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
- B01J37/02—Impregnation, coating or precipitation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
- B01J37/02—Impregnation, coating or precipitation
- B01J37/0215—Coating
- B01J37/0225—Coating of metal substrates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
- B01J37/02—Impregnation, coating or precipitation
- B01J37/024—Multiple impregnation or coating
- B01J37/0244—Coatings comprising several layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
- B01J37/08—Heat treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Catalysts (AREA)
Description
25 30 533 427 Den allmänna kvantumeffekten hos TiOz-processen är vanligen under 5% och därför har mycket forskningsmöda lagts på att öka effektiviteten hos processen. Förutom den initiala substratkoncentrationen komplicerar flera andra fysiska parametrar optimeringen av den fotokatalytiska effektiviteten. Detta inkluderar bland annat det effektiva ytområdet, strålningskälla och emissionens våglängd, temperatur, stràlningsflux samt kvantumutbudet.
Olika metoder har utvecklats för att förbättra den fotokotalytiska aktiviteten (PCA). Dessa inkluderar adsorption av ädla metaller på TiOz- ytan, att öka ytarean av TiOz samt preparering av halvledarlegeringar.
Dock inkluderar en av de intressantaste metodema användandet av kopplade halvledarpartiklar. Genom en reducering av laddningsrekombinationen i fotokatalytiska system kan PCA ökas. En av de framgångsrikaste kopplade systemen är det två-komponents SnOz/TiOg- systemet. Bägge år halvledare med stor bandbredd men energin hos ledningsbandet för SnO2 är lägre än den för TiOg. Metoden är baserad på ackumulering av fotogenererade elektroner i ledningsbandet hos SnOg. Då hålen rör sig i motsatt riktning kommer de att fångas i TiOz. Därför ökar laddningsdelningen och rekombinationsgraden minskar.
Förbåttringen hos PCA i det kopplade SnOg/TiOz-systemet år en direkt konsekvens av förekomsten av fler adsorptionsstållen än de som uppvisas av de tunna TiOg filmerna själva. Det optiska bandgapet minskar med tenninnehållet och adsorptionen av större våglängder kommer att stödja genereringen av fler elektronhålpar.
KORT BESKRIVNING AV UPPFINNINGEN Ändamålet med föreliggande uppfinning år att skapa katalytiska ytor som uppvisar förbättrade egenskaper i förhållande till känd teknologi. 10 15 20 25 30 533 42? Detta ändamål uppnås med en metod enligt de oberoende patentkraven.
Föredragna utföringsformer av uppfinningen formar innehållet i underkraven.
Enligt en huvudaspekt av uppfinningen kännetecknas den av en metod att skapa fotokatalytiska ytor, innefattande stegen att skapa ett flertal skikt med TiOg och SnOq på en bärare, varvid SnOg-skikten skapas från starkt basiska lösningar.
Enligt en annan aspekt av uppfinningen har nämnda starkt basiska lösning ett pH på 14.
Enligt en annan aspekt av uppfinningen skapades skikten av TiOz genom beläggning med en Ti[OCH(CHa)2]4 - lösning.
Enligt än ytterligare aspekt av uppfinningen skapades SnOQ-skikten genom beläggning med en Sn2* - lösning.
Enligt en ytterligare aspekt av uppfinningen innefattar den vidare steget att sätta båraren i en uppvärmd ugn efter varje beläggning.
Företrädesvis är temperaturen i ugnen i området 450 - 600°C, och mest företrädesvis är temperaturen i nämnda ugn 500°C.
Enligt en annan aspekt av uppfinningen placerades bäraren i den uppvärmda ugnen i ungefär en timme för varje skikt.
Företrädesvis är det yttersta skikten Ti02.
Det år ett antal fördelar med föreliggande uppfinning. Eftersom katalysatorema formas av ett flertal skikt av TiOg och SnOz erhålles en högre fotokatalytisk aktivitet jämfört med katalysatorer som endast innehåller TiOz. Tack vare det starka pH-vårdet hos lösningarna för att 10 15 20 25 30 533 42? skapa SnOz _ skikten erhölls en god vidhåftning, vilket annars år ett problem.
Företrådesvís används en Sn2* - lösning som inte är så dyr och/ eller farlig som organiska SN - lösningar. Efter skapande av skikten, företrädesvis efter varje skikt, stoppas bärarna i en ugn vid en temperatur i området 450 - 600°C. Angående titania väljs temperaturområdet så att det kristallina polymorfa anatas bildas, vilket har en högre fotokatalytísk aktivitet än det kristallina polymorfa rutil.
Bärarna hölls företrädesvis i ugnen i ungefär en timme för att tillförsäkra den fullständiga formeringen av skikten. Det yttersta skiktet är företrädesvis TiOg eftersom det förefaller som SnOg inte är lika stabilt som ett TiOg - skikt och att det yttersta TiOg - skiktet skyddar SnOg - skiktet innanför.
Dessa och andra aspekter på och fördelar med föreliggande uppfinning kommer att framgå av den följande detaljerade beskrivningen av uppfinningen.
DETALJERAD BESKRIVNING AV UPPFINNINGEN Föreliggande uppfinning innefattar en metod att preparera fotokatalytiska ytor för att öka den katalytiska effekten. Enligt metoden prepareras bårardon såsom plattor, nät och andra lämpliga ytor på vissa sätt, såsom kommer att beskrivas. Bärardonen kan vara av metall såsom aluminium, titan, rostfritt stål och andra metallegeringar men det skall förstås att andra typer av material också kan vara lämpliga, såsom glaskeramer exempelvis, sålänge de kan tåla höga temperaturer och kemin som är inblandad, såsom kommer att beskrivas nedan.
Bärama tvättades, exempelvis i kallt vatten, och torkades för att tillförsäkra att ytorna var så rena som möjligt. Det skall förstås att andra vätskor kan användas för att tvätta bärarna. Torkningen kan 10 15 20 25 30 533 427 exempelvis göras i en torkugn. Alla bårarna förbehandlades sedan i en ugn under 1 timme vid 500°C.
Bärarna tvâttades sedan och skrubbades företrädesvis mekaniskt i kallt vatten och torkades i omgivande luft, eller exempelvis i en ugn. Efter nedkylning av bårarna doppbelades dessa i en lösning bestående av Ti[OCH(Cl-I3)2]4. Bärarna togs alla upp med en hastighet av 2 mm/ s och torkades i omgivande atmosfär i ungefär 5 minuter. Vid det laget hade en gelbelâggningsíilm formats.
Bârarna sattes i ugnen, l timme vid 500°C. Temperaturen väljs så att anatas som är den kristallina polymorfen av titania skapas. I detta avseende kan temperaturen vara i området 450 - 600°C för att skapa anatas. Efter detta tvâttades bårarna i kallt vatten och skrubbades mekaniskt för att avlägsna all lös titania. Bârarna torkades återigen i ugnen vid 500°C och kyldes i rumstemperatur innan de doppbelades igen.
Förutom ovan nämnda lösning skapades en lösning bestående av Sn2* genom att lösa upp SnClq i en starkt basisk lösning med ett pH på 14.
Bärarna doppades sedan i den tenninnehållande lösningen, stoppades i ugnen vid 500°C i en timme och kyldes sedan, tvâttades och skrubbades. Proceduren upprepades ett antal gånger för att bygga upp ett flertal skikt av TiOg och SnOz, såsom visas i figur 1 och 2. Genom denna metod erhölls kopplade halvledarsystem.
PCA hos dessa kopplade halvledarsystem har måtts och jämförts med mer konventionella fotokatalytiska don som exempelvis endast innehåller TiOg och det har visat sig att kopplade halvledarsystem var mer effektiva än endast TiOz. Det har vidare indikerats under tester att ju fler skikt med SnOz, ju högre aktivitet. Detta kan vara på grund av en laddningsseparering som sker mellan kontaktparen av TiOz och SnOg och därför kommer rekombinationsgraden att undertryckas. Det 10 15 20 25 533 42? har även indikerats att det är fördelaktigt att ha det yttersta lagret av TiOg och inte SnOz, vilket indikerar att det är möjligt att SnOg upplöses.
En alternativ metod att lägga på skikten har också utvärderats. Här tvättades bårarna innan beläggningsprocessen. Bårarna doppbelades sedan i Ti[OCH(CH3)2]4 och togs bort med en hastighet på 2 mm/ s. direkt efter detta sattes bärarna i ugnen vid 90° under 15 minuter.
Denna procedur upprepades fem gånger för fem skikt, och efter den femte belåggningen stoppades bärarna med skikten i ugnen vid 500°C i en timme. Katalysatorema borstades sedan i kallt vatten för att avlägsna all övcrflödig títania.
Det år naturligtvis även möjligt inom föreliggande uppfinning att preparera skikten hos katalysatorerna genom att använda flera andra metoder såsom fysisk ångdeposition (PVD), kemisk ångdeposition (CVD), anodisk oxidation, förstoftning, termisk komposition och bågplasmasprayning.
Inom uppfinningen år det naturligtvis möjligt att byta ut uppvärmningsstegen som inkluderar ugnen med andra vårmekållor såsom värmepistoler, infraröda värmare eller värmeslingor eller liknande uppvärmningsmetoder och -kâllon Det skall vidareförstås att metoden som beskrivits ovan skall betraktas som icke-begränsande exempel på uppfinningen och att denna kan modifieras på många sätt inom ramen för patentkravens skyddsomfång.
Claims (1)
1. Metod att skapa fotokatalytiska ytor, innefattande stegen att 10 15 20 25 skapa ett flertal skikt med TiOz och SnOQ på en bärare, varvid SnO2~skikten skapas från basiska lösningar som har ett pH på. 14. . Metod enligt krav 1, varvid skikten av TiOg skapades genom beläggning med en Ti[OCH(CH3)2]4 - lösning. '. Metod enligt något av kraven 1 till 2, varvid SnOg-skíkten skapades genom beläggning med en Sn2+ - lösning. . Metod enligt något av kraven 1 till 3, vidare innefattande steget att sätta båraren i en uppvärmd ugn efter varje beläggning. . Metod enligt krav 4, varvid temperaturen i ugnen är i området 450 - 600°C. . Metod enligt krav 4, varvid temperaturen i nämnda ugn är 500°C. . Metod enligt något av kraven 4 till 6, varvid båraren placerades i den uppvärmda ugnen i ungefär en timme. . Metod enligt något av de föregående kraven, varvid det yttersta Skiktet är TiOz.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE0801905A SE533427C2 (sv) | 2008-09-04 | 2008-09-04 | Katalysatorer |
KR1020117007813A KR20110051278A (ko) | 2008-09-04 | 2009-09-02 | SnO2 및 TiO2를 포함하는 광촉매 표면의 제조 방법 |
EP09811775A EP2326418A4 (en) | 2008-09-04 | 2009-09-02 | METHOD FOR CREATING A PHOTOCATALYTIC SURFACE COMPRISING SNO2 AND TIO2 LAYERS |
PCT/SE2009/050991 WO2010027319A1 (en) | 2008-09-04 | 2009-09-02 | A method to produce a photocatalytic surface, including layers of sno2 and tio2. |
CN2009801441297A CN102215964A (zh) | 2008-09-04 | 2009-09-02 | 制备包括SnO2和TiO2层的光催化表面的方法 |
US13/062,090 US20110236585A1 (en) | 2008-09-04 | 2009-09-02 | method to produce a photocatalytic surface, including layers of sno2 and tio2 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE0801905A SE533427C2 (sv) | 2008-09-04 | 2008-09-04 | Katalysatorer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE0801905L SE0801905L (sv) | 2010-03-05 |
SE533427C2 true SE533427C2 (sv) | 2010-09-21 |
Family
ID=41797324
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE0801905A SE533427C2 (sv) | 2008-09-04 | 2008-09-04 | Katalysatorer |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110236585A1 (sv) |
EP (1) | EP2326418A4 (sv) |
KR (1) | KR20110051278A (sv) |
CN (1) | CN102215964A (sv) |
SE (1) | SE533427C2 (sv) |
WO (1) | WO2010027319A1 (sv) |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08224481A (ja) * | 1994-11-04 | 1996-09-03 | Toto Ltd | 光触媒作用を有する部材 |
US6881505B2 (en) * | 1998-03-20 | 2005-04-19 | Glaverbel | Coated substrate with high reflectance |
JP3389187B2 (ja) * | 1998-12-31 | 2003-03-24 | エルジー電子株式会社 | フィルム型の光触媒 |
KR20000046142A (ko) * | 1998-12-31 | 2000-07-25 | 구자홍 | 필름형 광촉매 및 그 제조방법 |
JP3879334B2 (ja) * | 1999-10-29 | 2007-02-14 | 日本板硝子株式会社 | 光触媒活性を有する物品 |
JP2001210156A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-08-03 | Toyo Gosei Kogyo Kk | 透明導電性酸化スズ膜形成用塗布溶液及び透明導電性酸化スズ膜の製造方法並びに透明導電性酸化スズ膜 |
US7153579B2 (en) * | 2003-08-22 | 2006-12-26 | Centre Luxembourgeois de Recherches pour le Verre et la Ceramique S.A, (C.R.V.C.) | Heat treatable coated article with tin oxide inclusive layer between titanium oxide and silicon nitride |
TWI324530B (en) * | 2006-12-28 | 2010-05-11 | Ind Tech Res Inst | Photocatalyst composite and fabrication method thereof |
CN101003420B (zh) * | 2007-01-04 | 2010-12-15 | 上海工程技术大学 | 光电转换用纳米SnO2/TiO2复合薄膜的制备工艺 |
CN100463860C (zh) * | 2007-02-01 | 2009-02-25 | 郑州大学 | 二氧化锡空心球的制备方法 |
TW200927988A (en) * | 2007-12-19 | 2009-07-01 | Ind Tech Res Inst | Method for manufacturing high performance photocatalytic filter |
-
2008
- 2008-09-04 SE SE0801905A patent/SE533427C2/sv not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-09-02 WO PCT/SE2009/050991 patent/WO2010027319A1/en active Application Filing
- 2009-09-02 EP EP09811775A patent/EP2326418A4/en not_active Withdrawn
- 2009-09-02 US US13/062,090 patent/US20110236585A1/en not_active Abandoned
- 2009-09-02 CN CN2009801441297A patent/CN102215964A/zh active Pending
- 2009-09-02 KR KR1020117007813A patent/KR20110051278A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110236585A1 (en) | 2011-09-29 |
EP2326418A1 (en) | 2011-06-01 |
SE0801905L (sv) | 2010-03-05 |
KR20110051278A (ko) | 2011-05-17 |
EP2326418A4 (en) | 2012-01-25 |
CN102215964A (zh) | 2011-10-12 |
WO2010027319A1 (en) | 2010-03-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Zheng et al. | Nanoporous WO3 from anodized RF sputtered tungsten thin films | |
Rao et al. | A highly thermally stable Mn–Cu–Fe composite oxide based solar selective absorber layer with low thermal loss at high temperature | |
JP5775151B2 (ja) | 熱吸収材を提供する方法 | |
CN104752546B (zh) | 一种金属氧化物紫外探测器 | |
TW200935609A (en) | Electrode substrate for photoelectric conversion element, production method thereof, and photoelectric conversion element | |
Sedghi et al. | Influence of TiCl4 treatment on structure and performance of dye-sensitized solar cells | |
Wang et al. | High aspect-ratio transparent highly ordered titanium dioxide nanotube arrays and their performance in dye sensitized solar cells | |
CN105174986A (zh) | 一种碳化硅纤维基氧化镁-氧化铝双层涂层的制备方法 | |
SE535805C2 (sv) | Ett förfarande för framställning av en neutrondetektorkomponent innefattande ett borkarbidskikt för användning i en neutrondetektor | |
SE533427C2 (sv) | Katalysatorer | |
RU2016135017A (ru) | Способ локального ремонта поврежденного теплового барьера | |
KR20160113095A (ko) | 주변 온도 달성을 위한 선택적 복사열 흡수 코팅 및 이를 위한 방법 | |
JP2009040640A (ja) | 酸化亜鉛薄膜の製造方法 | |
Sohrabi et al. | Synthesis of nanostructured TiO2 coatings by Sol-Gel method: structural and morphological studies | |
Nikkanen et al. | Enhanced photoactive and photoelectrochemical properties of TiO2 sol–gel coated steel by the application of SiO2 intermediate layer | |
Senthilnathan et al. | Novel spray pyrolysis for dye-sensitized solar cell | |
Kim et al. | High‐Efficiency ZnO‐Based Ultraviolet Photodetector with Integrated Single‐Walled Carbon Nanotube Thin‐Film Heater | |
Charlot et al. | Nanocomposites derived from silica and carbon for low temperature photothermal conversion | |
CN103566915A (zh) | 一种在不锈钢丝网表面生长TiO2纳米线薄膜的方法 | |
JP5126855B2 (ja) | 多機能性皮膜を有するガラス製品及びその製造方法 | |
JP2006244727A (ja) | 電力供給機器 | |
JP2010070400A (ja) | 酸素欠損部を含む高光活性チタニアの製造方法 | |
TW201542870A (zh) | 自金屬前驅物溶液製備金屬之方法及其應用 | |
Ma et al. | Fabrication of TiO x–Si photoanode and its energetic photoelectrochemical performance | |
CN101339920B (zh) | 增强硅基成像器件紫外响应的有机金属薄膜制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NUG | Patent has lapsed |