TWI221023B - High density column grid array connections and method thereof - Google Patents

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TWI221023B
TWI221023B TW090106809A TW90106809A TWI221023B TW I221023 B TWI221023 B TW I221023B TW 090106809 A TW090106809 A TW 090106809A TW 90106809 A TW90106809 A TW 90106809A TW I221023 B TWI221023 B TW I221023B
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TW
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tin
solder
silver
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patent application
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TW090106809A
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Mario J Interrante
Brenda Peterson
Sudipta K Ray
William E Sablinski
Amit K Sarkhel
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Ibm
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Description

1221023 A7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明() 發明領域: 本發明係關於一種新的半導體晶片載體連接,其中晶 片載體(chip carrier)及第二階段裝配(sec〇nd level assembly)是經由表面黏著技術完成的。更特定說來,本發 明包含表面黏著技術,例如球格陣列(Ball Grid Array , BGA)、柱格陣列(ColumnGridArray,CGA),其中表面黏 著技術本質上即包含非焊料(non-solder)金屬連接,例如銅 連接等。此外,本發明也與柱格陣列結構及其製程相關。 發明背景: 隨著新技術的發展,半導體元件愈變愈小且愈來愈緊 密。然而,電路密度的不斷增加將會增加晶片連接的整體 困難度,晶片製造商因此在改善其產品以符合相辅條件進 步之需求上面臨嚴厲的挑戰。雖然在晶片内連接技術中已 有明顯的改進,然而這些改善仍不足以解決所有的問題。 現今習知技術主要的創新為使用各種無鉛焊料合^ $ 來做為晶片與基底間及基底與下一階段内連接間之連才矣 物。 舉例來說,美國專利第5,328,660號(Gonya)即揭露〜 種無鉛、高溫、含錫之多成分焊料,其中此焊料合金含有 78.4重量百分比之錫,其餘則還有銀、鉍及銦。 另外,美國專利第5,41 1,703號(Gonya)亦指出—種無 錯、多成分焊料,其中此高溫焊料合金含有介於93至94 重量百分比間之錫,其餘則還有銻、鉍及銅。 LJ---^----1----------^---------7 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第2頁
1221023 五、發明說明() 然而,在美國專利第5,733,501號(Takao)揭露的卻是 一種無鉛焊料合金之疲乏測試,其中銅導線穿越玻璃環氧 基樹脂銅薄板/基底中之一孔洞,然後經由一焊料合金焊 接。 美國專利第5,874,043號(Sarkhel)揭露出另一種無錯 高錫含量之多成分焊料,其中此焊料合金含有介於70.5 至7 3 · 5重量百分比之錫,其餘則還有銀及銦。 柱格陣列(CGA)晶片載體的使用為此類技術的另一創 新’其已漸為晶片載體技術所採用,特別是當此晶片載體 是由陶资物質所製成時。此晶片載體一般是由陶瓷物質或 有機薄片物質所製成。為了提供介於兩者間之電性連接, 複數個焊料柱(solder columns)會被附加在晶片載體及下 一階段封裝之I/O(輸入/輸出)焊墊上。舉例而言,吾人可 參照 International Bussiness Machines Corporation, Armonk,New Y〇rk,USA 之美國專利第 5,324,892 號 (Granier)所揭示之内容,這些内並併入此處以供參考。該 專利所教示者為一種使用悍料柱來製造電性内連接之方 法。焊料柱是由焊料所構成,且其具有一高於約25(rc之 熔點。經由使用具有一低於約24(rc之熔點之嬋料,預先 製造的烊料柱於是可被附加至晶片載體上。這些焊料柱被 獨乂地製造及載至一熔爐固定裝置中,其稍後須對準此載 體。經由再使低溫焊料合金流動,高溫焊料柱於是得以接 附。然而,如熟習此技藝者所知,焊料柱一般具有一小直 徑且很軟,因此在晶片載體模組之製造期間,柱 第3頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21G x 297公髮- Ί. 一 ------.---.--^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^21023 五、 發明說明() 可能會輕易地受到損害或彎曲。此種問題會變得複雜,特 別是在I/O烊勢陣列上之多數位置中,一般的解決方法是 進行高成本的修正工作。此外,在電路板裝配期間,這些 柱格陣列模組可能受到處理上所造成的損害9再者,若内 連接密度增加,則焊料柱直徑將會縮小。焊料柱直徑=小 的結果將會降低這些焊料柱之彎曲強度,並且會增加處理 時這些焊料柱所受到的損害程度及可能性。 在習知技藝中可看見無鉛焊料系統的使用,但是卻沒 有任一者教示以一非焊料金屬内連接片段來連接晶片至 基底或基底至電路板的内容。同樣地,它們並未教示使用 銅心線(coPper-C〇re)柱陣列結合使用用於連接此種銅柱格 陣列至-晶片載體及—有機電路板之高炫化化啦.⑴及 低熔化(l〇w-melt)焊料合金。這些高及低熔化焊料合金可 從含鉛或無鉛的焊料合金中來選擇。再者,本發明提出一 種柱格陣列型式結構,其可緩化f知技術所碰到的問題, 並犯夠大量製造具有柱格陣列連接之晶片載體。 發明目的及概沭: 本發明在於題出一種高密度柱格陣列連接之新方法 及結構。 因此,本發明之-目的就在於提供一種結構及方法, 其將提供一種高密度柱格陣列連接。 本發明之另一目的在於提供一種非焊料金屬内連 接0 — — — — ——I — ·1111111 ^ ·11111111 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1221023 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明() 本發明之再一目的為提供一種晶片載體及電子元件 間之非焊料金屬内連接。 本發明之再一目的在於提供一種晶片載體及電子元 件間之銅内連接。 本發明之再一目的在於提供一種使用鉛為主〇ead based)附加焊料之銅内連接於晶片載體及電子元件間,例 如,用於基底面之90/10 Pb/Sn以及用於電路板面之37/63 Pb/Sn低共熔混合物。 本發明之再一目的在於提供一種無鉛焊料,例如用於 基底面之錫/銻及用於電路板面之錫/銀/銅合金,以提供電 路板及基底間之一穩固銅内連接。 因此,本發明之一樣態至少包括一種介於一第一基底 上之一第一焊墊及一第二基底上之一第二焊墊間之一金 屬電性内連接,其中該電性内連接材料為一非焊料金屬物 質。 本發明之另一樣態至少包括一種穩固一内連接至一 基底之方法,其中超過至少50%之金屬内連接材料為—非 焊料金屬物質,至少包括下列步驟: (a) 熔化該内連接之一端; (b) 放置該内連接之經熔化的一端於該基底上具有至 少一焊料之一焊墊上;及 (c) 在該熔化端及該焊塾附近,從室溫增加溫度至介於 約lOOt:至約300°C間,並且在流回該焊料之後,讓該内 連接降至室溫,藉以穩固該内連接至該基底。 第5頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) Γβ · amt ϋν ϋ ί ϋ f— n · mmmaw ί I ί i ammt n ^ ^ 0 i_l mmm§ n I —am tt§ ·ϋ I^Vi (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1221023 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明() 本發明之再一樣態至少包括一種穩固一内連接至一 印刷電路板之方法,其中該内連接超過至少50%為一非焊 料金屬物質,至少包括下列步驟: (a) 熔化該内連接之一端; (b) 放置該内連接之經熔化的一端於該印刷電路板上 具有至少一焊料之一焊墊上;及 (c) 在該熔化端及該焊墊附近,從室溫增加溫度至介於 約lOOt至約300°C間,並且在流回該焊料之後,讓該内 連接降至室溫,藉以穩固該内連接至該印刷電路板。 本發明之又一樣態至少包括一種穩固一内連接至一 第一基底及一第二基底之方法,其中該内連接是一種非焊 料金屬物質,至少包括下列步驟: (a) 溶化該内連接之一第一端; (b) 放置該内連接之該第一熔化端於該第一基底上具 有至少一第一焊料之一第一焊墊上; (c) 在該熔化端及該第一焊墊附近,從室溫增加溫度至 介於約100°C至約300°C間,並且在流回該第一焊料之後, 讓該内連接降至室溫; (d) 熔化該内連接之一第二端; (e) 放置該内連接之該第二熔化端於該第二基底上具 有至少一第二焊料之一第二焊墊上;及 (f) 在該熔化端及該第二焊墊附近,從室溫增加溫度至 介於約1 00°C至約300°C間,並且在流回該第二焊料之後, 讓該内連接降至室溫,藉以穩固該内連接至該第一基底及 第6頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公髮) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I裝 ---訂---- Φ 1221023
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖式簡單說明: 本發明之新穎特徵及本發明之零件特徵特 附加的申請專利範圍中。圖示僅用以解說目的,出在 際比例描ή外’圖中之相同的標號代表相同的:實 區。然而,本發明本身無論就其操作之組織及方法上2徵 經由參照後續之說明文字並辅以下列圖式做詳細的閣= 而更明顯易懂,其中·· ' 第1圖為本發明之一較佳實施例;及 第2圖為本發明之另一較佳實施例。 圖號對照說明: 1 ° 2〇基底 12、22輸入/輸出點焊藝 14、24 焊料物質 21 金屬鍍層 23 非焊料金屬柱 發明詳細說明: 第1圖為本發明之一較佳實施例,其中使用至少一古 溫焊料物質14將一非焊料金屬柱23(例如一銅柱23)接合 至晶片載體或基底10上之一 1/〇(輸入/輸出點)焊塾 以形成一高密度柱結構。 第2圖為本發明之另一較佳實施例,其中使用至少一 低溫焊料物質24將第1圖之高密度柱結構接合至第二階 第7頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) P--.---.----,丨丨 --------訂--------- Γ清先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1221023 A7 B7_ 五、發明說明() 段封裝或基底20(例如一印刷電路板(PCB)20)上之一 I/O 焊墊2 2。非焊料金屬柱2 3 (例如銅柱2 3)也可具有至少一 層的薄金屬鍵層21。金屬鐘層21通常是一很薄的鍵層, 且較佳的金屬物質是錫。然而,可使用其餘的金屬鍍層 2 1,例如鍊、具有添加一層或多層錫之錄、錫-銀、錫-金, 以及上述物質之合金,不過以上材料亦僅為實際上可用材 料之某些例子。 如前文所述,本發明基本上是將一非焊料金屬結構 2 3 (例如一彈性銅心線柱2 3之陣列)利用具高熔點之焊料 合金1 4接合至晶片載體1 0及利用具低熔點之焊料合金24 接合至有機板或電路板20。銅柱23以加以完全回火處理 為佳,使其具有一高延長率,以使這些銅柱23可以忍受 產品製造時與有機板接合之晶片載體通常需要進行之多 道熱疲乏循環。較佳的是,所使用之低及高熔點焊料合金 與銅心線柱相容。用來穩固銅柱之焊料合金可由含錯之产 料合金或無鉛之焊料合金所製成。 高密度柱連接2 3較佳是一經完全回火的鋼柱片段 2 3,且具有高於約3 0%之延展程度。可選擇的塗層2 ^例 如錫、錫/銀、錄或鎳/錫鍵層2 1,較佳是且有一戶电 ,、 7予度介於 約0.5 // m至約4 · 0 // m間。然而,金屬片段2 3之直π | ϋ及長 度及其相關之焊料接合平緣(fillet)幾何結構可依據模板 功能環境之特殊應力狀況被定製成具最佳疲乏壽命。對大 多數的應用來說,非焊料柱23之直徑以介於约〇 約0.5mm間為佳,這被認為是具有约〇 5mm至 、,J 1 · 2 7 m m 第8頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) • J. —.—i^——訂— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Φ 1221023 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明( 間距(pitch)之非焊料柱陣 丨平判的典型直徑。 為了將非焊料柱2 3接八s ^ 接合至PCB或基底20或晶片載 體10,這時可使用高熔化焊 -一 Λ卞针(例如鉛/錫(鉛重量百分比濃 度介於約70至約90))或椽施士 > 摻雜有鈀之低共熔鉛錫。 對無鉛系統之焊料1 4办 H水說,可從包括錫/銻(錫之重量 百分比介於約5 5至约9 5 土明、仲 <間)、錫/銀、錫/銀/銅(銀及銅 之重量百分比介於約0.5$的、 至約3.0又間)、錫/銀/鉍(銀之重 量百分比介於約2.0至约4 s 士明 、J 4 · 5之間,而鉍則介於約3 · 5至 約7.5之間)、錫/銀/銅(銀之舌田τ、 V &疋重I百分比介於約2.0至約4.5 之間,而銅則介於約〇 5 $的,λ、 w 〕至約3.0之間)之群組中選出。 對PCB或屯路板20來說,傳統上是使用低共溶錯/ 錫:!:干料24。然而’對供鉛系統之焊料24來說,可從包括 錫/銻(錫之重量百分比介於約55至約95之間)、錫/銀、 錫/銀/銅(銀及銅之重量百分比介於約〇 5至約3 〇之間)、 錫/銀/鉍(銀之重量百分比介於約2〇至約45之間,鉍則 介於約3.5至約7.5之間)、錫/銀/銅(銀之重量百分比介於 約2.0至約4.5之間,而銅則介於約〇·5至約3 〇之間)、 錫/鋅(錫之重量百分比約為9 1 )、錫/鉍(錫之重量百分比約 為42)之群組中選出。 純銅心線2 3可加以回火,以充分運用其之拉緊特質, 並且可選擇性地被(例如介於約〇 . 5 “ m至約4 · 0 // in間)覆 盍’隨後經錫覆盖(例如介於約〇. 2 # m至約0 · 5 # m間)。 為了附加非焊料柱23至I/O焊墊12,這時可使用95/5 Sn/Sb或Sn/Ag(Ag之重量百分比介於約3至約5重量百分 第9頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) -----.--一----f I --------訂---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1221023 A7 _________ B7 五、發明說明() 比之間)’其會在介於約 2 2 0 Τ' $ / ]L至約240。(:間之範圍中熔 化,這相信是屬於一種高溫無鉛焊料接合。 為了附加非焊料柱23至PCB I/O焊塾22,這時可使 用4 8/5 2 Sn/In或43/5 7 Sn/Bi,其會在介於約120°C至約 1 40 °C間之範圍中熔化,這相信是屬於一種低溫無鉛焊料 接合。 在電路板裝配期間,此種型式之焊料接合階級型式明 顯地將所有流回I/O焊料接合1 4之風險減至最小。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用 以限定本發明’任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之 精神和範圍内,當可作各種之更動與潤飾,因此本發明 之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---_-----訂---- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 貫 ο 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

1221023公告木 Β8 C8 D8 証 9a年%Λ修正 頌讀委I明示^年y月f日修正本 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 有無變更實質内容?是否隹予嗲L·? 六、申請專利範圍 1. 一種金屬電性内連接結構,用以連接一晶片載體基底上 之一第一焊墊及一有機板上之一第二焊墊,其至少包 含: 一導電柱,具有一第一端·及一第二端,該柱之材料 為一非焊料金屬物質,且該第一端連接至該晶片載體上 該第一焊墊,而該第二端連接至該有機板上之該第二焊 墊; 一第一焊料,連接該柱之第一端至該晶片載體上該 第一焊墊;及 一第二焊料,連接該柱之第二端至該有機板上該第 二焊墊; 其中該第一焊料具有一第一熔點溫度,且該第二焊 料具有一低於該第一熔點溫度之第二熔點溫度。 2. 如申請專利範圍第1項所述之内連接結構,其中該柱至 少高於50%之部份為一非焊料金屬物質。 3 ·如申請專利範圍第1項所述之内連接結構,其中該柱係 為於一包含銅片段、純銅片段及經完全回火之銅片段組 成的群組中選出者。 4.如申請專利範圍第1項所述之内連接結構,其中該柱之 物質包含一自一包含銅、鎳、及上述物質之合金及銅-錫合金之群組中選出之材料,其中該錫之重量百分比介 第1頂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規袼(210 X 297公釐) (請先-M讀背面之注意事項再填寫) 1221023 六、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於約10至約20之間。 5·如申请專利範圍第1項所述之内連接結構,*中該金屬 内連接之直徑介於約0.2mm至約0.5mm之間。 6·如申請專利範圍第i項所述之内連接結構,纟中至少一 部分之該柱具有至少一物質之至少一塗層。 7.如申請專利範圍第丨項所述之内連接結構,其中至少一 部分之該柱具有至少一物質之至少一外塗層,其係選自 一由銅、鎳、銀、錫.及上述物質之合金所組成的群組中。 8 ·如申請專利範圍第6項所述之内連接結構,其中該塗声 的厚度為約0.5vm至約4.0//m。 9·如申請專利範圍第1項所述之内連接結構,其中該柱以 一種方法固定至該晶片載體基底,該方法係從接合 (solder)及焊接(braze)所組成的群組中選出。 1 0 ·如申請專利範圍第1項所述之内連接結構,其中由—接 合及焊接之方法群組中選出一方法來將該桎穩固至該 有機板上。 11. 一種穩固一内連接至一基底之方法,其中該金屬内連接 第1頂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先·«讀背面之注意事項再填寫 ^1 — 寫^30 -線· C8 D8 1221023 六、申請專利範圍 中超過至少5 0 %為一非焊料金屬物質,至少包括下列步 驟: (a) 熔化該内連接之一端; (b) 放置該内連接之經熔化之一端於該基底上之具有 至少一焊料之一焊墊上;及 (c) 在該溶化端及該焊墊附近,從室溫增加溫度至介 於約1 00 C至約3 00。〇間,並且.在流回該焊料之後,讓 該内連接降至室溫,藉以穩固該内連接至該基底。 1 2.如申凊專利範圍第1 1項所述之方法,其中該焊料是具 有高於約200°C之熔化溫度的鉛或無鉛合金。 i卜- ----------農i (請先朋讀背面之注意事項再填寫Ht: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 13·如申請專利範圍第1 1項所述之方法,其中該焊料是| 由錫/銻(錫之重量百分比介於約55至約95之間)、锡 銀、錫/銀/銅(銀及鋼之重量百分比介於約〇 5至約 之間)、錫/銀/鉍(銀之重量百分比介於約2〇至約4.5 間,而鉍則介於約3·5至約7·5之間)及錫/銀/銅(銀之 量百分比介於約2.0至約4.5之間,而銅則介於約 至約3 . 〇之間)所組成的群組中選出。 14.如申請專利範圍第u項所述之方法,其中該金屬 接是從包含銅片段、純銅片段及經完全回火之銅片 組成的群組中選出。 從 3.0 之 重 0 内連 段所 •線· 第13頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 1221023 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 5.如申請專利範圍第1 1項所述之方法,其中該電性内連 接之物質是從由銅、鎳及上述物質之合金所組成群組中 選出,並亦可為銅-錫合金,其中錫之重量百分比介於 約10至約20之間。 1 6·如申請專利範圍第1 1項所述之方法,其中該金屬内連 接之直徑介於約0.2 m m至約0 · 5 m m之間。 1 7.如申請專利範圍第1 1項所述之方法,其中至少一部分 之該内連接具有至少一物質之至少一塗層。 18·如申請專利範圍第.11項所述之方法,其中至少一部分 之該内連接具有至少一物質之至少一塗層,且其中該至 少一物質係選自於由銅、鎳、銀、錫及上述著質組成之 合金所組成的群組。 1 9·如申請專利範圍第1 1項所述之方法,其中至少一部分 之該内連接具有至少一物質之至少一塗層,且其中該塗 層之厚度介於約〇.5/zm至約4.0/zm之間。 (請先-M讀背面之注意事項再填: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 包穩 從接 一 連 用内 使該 中 將 其^ , 法 法方 方一 之之 述出 所選 項 J中 11組 第群 圍之。 範接上 利焊底 專及基 請合該 申接至 士 含固 至 過 超 中 其 法 方 之 板 路 電 刷 印 一 至 接 >gc 内 - 固 穩 e-fhll 種 細I 本紙張尺度適甩中國國家標準(CNS)A4規袼(210 X 297公釐) 1221023 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 少5 0 %之该内連接是一非焊料金屬物質,至少包括下列 步驟: (a) 熔化該内連接之一端; (b) 放置該内連接之經溶化·的一端於該印刷電路板之 具有至少一焊料之一焊墊上;及 (c) 在該熔化端及該焊墊附近,從室溫增加溫度至介 於約1 0 0 C至約3 0 0 C之間’並且在流回該焊料之後, 讓該内連接降至室溫,藉以穩固該内連接至該印刷電路 板。 2 2 ·如申清專利範圍第.2 1項所述之方法,其中該焊料是呈 有低於約200°C之熔化溫度的鉛或無鉛合金。 2 3 ·如申請專利範圍第21項所述之方法,其中該焊料是從 一包括錫/録(錫之重量百分比介於約55至約95之間)、 锡/銀、錫/銀/銅(銀及銅之重1百分比介於約〇·5至約 3.0之間)、錫/銀/鉍(銀之重量百分比介於約2 〇至約4 5 之間,而鉍則介於約3.5至約7.5之間)、錫/銀/銅(銀之 重量百分比介於約2·0至約4.5之間,而銅則介於約〇 5 至約3·〇之間)、鍚/鋅(錫之重量百分比約為91)及鍚/銀 (錫之重量百分比約為42)之群組中所選出。 24·如申請專利範圍第21項所述之方法,其中該金屬内連 接是從一包含銅片段、純銅片段及經完全回火之銅片段 第15頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公愛) " -- ----.-----II —----- (請先朋讀背面之注意事項再填H頁) I.訂- -線· 1221023 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 之群組中選擇出來的。 25. 如申請專利範圍第2 1項所述之方法,其中該電性内連 接之物質是從一包含銅、鎳及上述物質組成之合金之群 組中選出,並可為銅-錫合金,其中錫之重量百分比介 於約10至約20之間。 26. 如申請專利範圍第21項所述之方法,其中該金屬内連 接之直徑介於約0 · 2 m m至約0 · 5 m m之間。 27. 如申請專利範圍第.21項所述之方法,其中至少一部分 之該内連接具有至少一物質之至少一塗層。 2 8 ·如申請專利範圍第2 1項所述之方法,其中至少一部分 之該内連接具有至少一物質之至少一塗層,且其中該至 少一物質是從一包含銅、鎳、銀、錫及上述物質之合金 之群組中選出。 29.如申請專利範圍第21項所述之方法,其中至少一部分 之該内連接具有至少一物質之至少一塗層,且其中該塗 層之厚度介於约〇 · 5 // m至約4 · 0 // m間。 3 〇.如申請專利範圍第2 1項所述之方法,其中使用從一包 含接合及焊接之一方法群組中選擇出之一方法使該内 第16頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 先 .閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
1221023 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 連接穩固至該印刷電路板上。 31· —種穩固一内連接至一第一基底及一第二基底之方 法,其中該内連接是一非焊料金屬物質,至少包括下列 步驟: (a) 溶化該内連接之一第一端; (b) 放置該内連接之該第一熔.化端於該第一基底之具 有至少一第一焊料之一第一焊墊上; . (c) 在談炫化端及該第一焊墊附近,從室溫增加溫度 至介於約100°C至約30(TC之間,並且在流回該第一焊 料之後,讓該内連接降至室溢; (d) 熔化該内連接之一第二端; (e) 放置該内連摻之該第二熔化端於該第二基底之具 有至少一第二焊料之一第二焊墊上;及 (f) 在該熔化端及該第二焊墊附近,從室溫增加溫度 至介於約100°C至約300°C之間,並且在流回該萆二焊 料之後’讓該内連接降至·室溫,藉以穩固該内連接至該 第一基底及該第二基底。 32·如申請專利範圍第1項所述之内連接結構,其中該第一 焊料為一熔點大於約200。(:之合金,而該第二焊料為熔 點小於約2 0 〇 °c之合金^ 3 3 ·如申請專利範圍第1項所述之内連接結構,其中該第一 第17頁 Τ i 丁 1-1 - I ) ί ί :度:,1 S Μ Κ 1U
1221023 六、申請專利範圍 焊料係選自於由錫/銻(錫之重量八 Qc 刀比介於約5 5至約 %之間)、錫/銀、錫/銀/銅(銀及 n ^ s ^之重量百分比介於約 〇·5至約3·0之間)、錫/銀/鉍(銀之 · 更®百分比介於約2.( 主、,、勺4 · 5之間’而叙則介於約3 $ λρ ( •至約7.5之間)、錫i 銀/銅(銀之重量百分比介於約2.〇 Ηϊ . 至約4.5之間,而銅 “於約°·5至約3·〇之間)所組成的群組中。 34·如申凊專利範圍第i項所述之内連接結構,其中該第二 焊料係選自於由錫/銻(錫之重量百分比介於約55至約 95之間)、錫/銀、錫/銀/銅(銀及銅之重量百分比介於約 〇·5至、力3 · 0之間)、.錫/銀/祕(叙之重量百分比介於約2 〇 至約4.5之間,而鉍則介於約3 5至約7·5之間)、錫/ 銀/銅(銀之重量百分比介於約2·〇至約4·5之間,而鋼 則介於約0.5至約3.0之間)、錫/鋅(錫之重量百分比約 為9丨)及錫/鉍(錫之重量百分比約為42)所組成之群組 中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 5 ·如申請專利範圍第}項所述之内連接結構,其 一均勻直徑。 Μ 有 3 6.如申睛專利範圍第1項所述之内連接結構,其中 焊料係選自由重量比為95/5之錫/鉛或錫/銀(銀: 百分別為3至5)組成的群組中。 中國國家標準(CNS)A4 ^ 1221023 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 7.如申請專利範圍第1項所述之内連接結構,其中該第二 焊料係選自由重量比為48/52之錫/銦或43/57之錫/鉍 組成的群組中。 (請先-M讀背面之注意事項再填寫 tr· -韓_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第19頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
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