JP3232963B2 - 有機基板接続用鉛レスはんだ及びそれを用いた実装品 - Google Patents
有機基板接続用鉛レスはんだ及びそれを用いた実装品Info
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- Y10S228/903—Metal to nonmetal
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラスエポキシ基板に
ＬＳＩ，部品等を接続するために、最高温度２２０〜２
３０℃でのはんだ付けが可能で，かつ１５０℃の高温で
も機械的強度面で十分な信頼性を有するＰｂレスはんだ
及びそれを用いた実装品に関するものである。
ＬＳＩ，部品等を接続するために、最高温度２２０〜２
３０℃でのはんだ付けが可能で，かつ１５０℃の高温で
も機械的強度面で十分な信頼性を有するＰｂレスはんだ
及びそれを用いた実装品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に使用されているプリント基板材質
はガラスエポキシ製である。ガラスエポキシ基板の耐熱
温度はリフロー炉を用いた場合，最高２２０〜２３０℃
である。これに使用する接続用はんだは、Ｐｂ−６３％
Ｓｎ共晶はんだ(融点：１８３℃)，若しくは共晶近傍の
はんだ組成が使用されており、融点は１８３℃前後であ
るため、汎用されているガラスエポキシ基板の耐熱温度
(２３０℃)以内で十分な接続がなされてきた。また，高
温での信頼性は最高１５０℃まで保証できた。
はガラスエポキシ製である。ガラスエポキシ基板の耐熱
温度はリフロー炉を用いた場合，最高２２０〜２３０℃
である。これに使用する接続用はんだは、Ｐｂ−６３％
Ｓｎ共晶はんだ(融点：１８３℃)，若しくは共晶近傍の
はんだ組成が使用されており、融点は１８３℃前後であ
るため、汎用されているガラスエポキシ基板の耐熱温度
(２３０℃)以内で十分な接続がなされてきた。また，高
温での信頼性は最高１５０℃まで保証できた。
【０００３】最近、米国では電子部品に使用されている
プリント基板がのざらしに放置され，このはんだに含ま
れる鉛(以下，Ｐｂと記す）は酸と容易に反応して(酸性
雨等でも加速される)地下水に溶けることが公表されて
いる。そこで，Ｐｂに代わるＰｂレスはんだ合金とし
て，環境への影響が少なく，資源の涸渇の問題が少な
く，コスト面での問題も少なく，材料としての使用実績
がある，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｂｉ等が有力候補としてクローズ
アップされている。既に２元系はんだではＳｎ−３.５
％Ａｇ(融点２２１℃），Ｓｎ−５％Ｓｂ(融点２４０
℃）はＰｂレスはんだとして使用実績がある。しかし，
融点が高過ぎるためガラスエポキシ基板のはんだ付け用
には使用できない。Ｓｎ−９％Ｚｎ(融点１９９℃の共
晶）は融点は下がるが，表面が著しく酸化されやすく，
ＣｕもしくはＮｉに対するぬれ性がＳｎ−Ａｇ系，Ｓｎ
−Ｓｂ系に比べ著しく低下するため，また融点的にもガ
ラスエポキシ基板に電子部品を２２０〜２３０℃でリフ
ローできる程低い融点ではない。これまでの実績ではは
んだの融点に対して，はんだ付け温度は３０〜５０℃高
いのが経験的に知られている。例えば，Ｐｂ−６３％Ｓ
ｎ共晶はんだ(融点：183℃)の場合，炉リフローの最高
温度は２２０℃が標準である。この温度差は３７℃であ
る。短時間にはんだ付けできるウエーブソルダリングの
場合，２３５℃が標準である。この温度差は５２℃であ
る。ぬれ性の悪い場合は更にこの温度差は大きくなる。
Ｓｎ−９％Ｚｎはんだを用いた場合，一般に使用してい
るロジン系のフラックス(塩素０.２％含有)を用いて
も，２３０℃のリフロー温度ではほとんどぬれないこと
が分かっている。
プリント基板がのざらしに放置され，このはんだに含ま
れる鉛(以下，Ｐｂと記す）は酸と容易に反応して(酸性
雨等でも加速される)地下水に溶けることが公表されて
いる。そこで，Ｐｂに代わるＰｂレスはんだ合金とし
て，環境への影響が少なく，資源の涸渇の問題が少な
く，コスト面での問題も少なく，材料としての使用実績
がある，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｂｉ等が有力候補としてクローズ
アップされている。既に２元系はんだではＳｎ−３.５
％Ａｇ(融点２２１℃），Ｓｎ−５％Ｓｂ(融点２４０
℃）はＰｂレスはんだとして使用実績がある。しかし，
融点が高過ぎるためガラスエポキシ基板のはんだ付け用
には使用できない。Ｓｎ−９％Ｚｎ(融点１９９℃の共
晶）は融点は下がるが，表面が著しく酸化されやすく，
ＣｕもしくはＮｉに対するぬれ性がＳｎ−Ａｇ系，Ｓｎ
−Ｓｂ系に比べ著しく低下するため，また融点的にもガ
ラスエポキシ基板に電子部品を２２０〜２３０℃でリフ
ローできる程低い融点ではない。これまでの実績ではは
んだの融点に対して，はんだ付け温度は３０〜５０℃高
いのが経験的に知られている。例えば，Ｐｂ−６３％Ｓ
ｎ共晶はんだ(融点：183℃)の場合，炉リフローの最高
温度は２２０℃が標準である。この温度差は３７℃であ
る。短時間にはんだ付けできるウエーブソルダリングの
場合，２３５℃が標準である。この温度差は５２℃であ
る。ぬれ性の悪い場合は更にこの温度差は大きくなる。
Ｓｎ−９％Ｚｎはんだを用いた場合，一般に使用してい
るロジン系のフラックス(塩素０.２％含有)を用いて
も，２３０℃のリフロー温度ではほとんどぬれないこと
が分かっている。
【０００４】他方，Ｓｎ−Ｂｉ系はんだ(代表組成Ｓｎ
−５８％Ｂｉ；融点１３８℃），Ｓｎ−Ｉｎ系はんだ
(代表組成Ｓｎ−５２％Ｉｎ；融点１１７℃)があるが，
固相線温度が下がるため１５０℃の高温強度を保証でき
ない。従ってこれらの組成はＰｂ−６３％Ｓｎ共晶はん
だ代替用のはんだと言えるものではない。このため，新
たな組合せでの要求を満たす新はんだ材料の開発が要求
されている。
−５８％Ｂｉ；融点１３８℃），Ｓｎ−Ｉｎ系はんだ
(代表組成Ｓｎ−５２％Ｉｎ；融点１１７℃)があるが，
固相線温度が下がるため１５０℃の高温強度を保証でき
ない。従ってこれらの組成はＰｂ−６３％Ｓｎ共晶はん
だ代替用のはんだと言えるものではない。このため，新
たな組合せでの要求を満たす新はんだ材料の開発が要求
されている。
【０００５】主成分としてＳｎ−Ｚｎ−Ｂｉの３元系は
んだは融点の面から有望である。Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系は
んだは特願昭５５−８７６２７，特願昭５８−６２０１
７で権利化されている。
んだは融点の面から有望である。Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系は
んだは特願昭５５−８７６２７，特願昭５８−６２０１
７で権利化されている。
【０００６】特願昭５５−８７６２７号公報によると，
Ｚｎが５〜１０％，Ｂｉが８〜１３％，残部がＳｎから
なる耐食性に優れた低融点Ａｌ用はんだを提案してい
る。低温で強度向上を目的としたＡｌ用はんだであり，
Ｃｕ導体からなるプリント基板を接続の対象としていな
い。また，Ｚｎが５％以上であることから酸化が著し
く，かつ，酸化膜が強固なため，電子部品接続に一般に
使用されている弱いフラックス(ロジン系)では還元でき
ない。従って，強いフラックスの使用が必須である。こ
のような強いフラックスの使用は電子部品の接続には，
フラックス残渣による腐食が問題になる。例えば，コネ
クターピンの接続の時，コネクター内部に入ったフラッ
クスは洗浄で除去できず，残渣となり導体部を腐食させ
る原因となる。従って，通常はパッケージの状態では
０.２％までの塩素が入ったフラックスが使用されてき
た。これ以上強いフラックスを使用すると，洗浄しきれ
ない場合のフラックス残渣による腐食，マイグレーショ
ンの問題，電気絶縁特性の劣化等の問題が生じやすく，
使用を避けているのが実情である。
Ｚｎが５〜１０％，Ｂｉが８〜１３％，残部がＳｎから
なる耐食性に優れた低融点Ａｌ用はんだを提案してい
る。低温で強度向上を目的としたＡｌ用はんだであり，
Ｃｕ導体からなるプリント基板を接続の対象としていな
い。また，Ｚｎが５％以上であることから酸化が著し
く，かつ，酸化膜が強固なため，電子部品接続に一般に
使用されている弱いフラックス(ロジン系)では還元でき
ない。従って，強いフラックスの使用が必須である。こ
のような強いフラックスの使用は電子部品の接続には，
フラックス残渣による腐食が問題になる。例えば，コネ
クターピンの接続の時，コネクター内部に入ったフラッ
クスは洗浄で除去できず，残渣となり導体部を腐食させ
る原因となる。従って，通常はパッケージの状態では
０.２％までの塩素が入ったフラックスが使用されてき
た。これ以上強いフラックスを使用すると，洗浄しきれ
ない場合のフラックス残渣による腐食，マイグレーショ
ンの問題，電気絶縁特性の劣化等の問題が生じやすく，
使用を避けているのが実情である。
【０００７】特願昭５８−６２０１７号公報によると，
Ｚｎが５〜１５％，Ｂｉが３〜２０％，残部がＳｎから
なるはんだ合金を提案されており，ワイヤの接続におけ
る強度向上を目的としている。また，実施例の融点は高
く，ガラスエポキシ基板の耐熱温度に耐えられる２３０
℃以内でリフローできるはんだ組成とは言えない。ま
た，Ｚｎが５％以上であることから酸化が著しく，か
つ，酸化膜が強固なため，電子部品接続に一般に使用さ
れている弱いフラックス(ロジン系)では還元できない。
従って，強いフラックスの使用が必須である。このよう
な強いフラックスの使用は電子部品の接続には，フラッ
クス残渣による腐食，電気絶縁特性の劣化等が問題にな
るため使用できない。
Ｚｎが５〜１５％，Ｂｉが３〜２０％，残部がＳｎから
なるはんだ合金を提案されており，ワイヤの接続におけ
る強度向上を目的としている。また，実施例の融点は高
く，ガラスエポキシ基板の耐熱温度に耐えられる２３０
℃以内でリフローできるはんだ組成とは言えない。ま
た，Ｚｎが５％以上であることから酸化が著しく，か
つ，酸化膜が強固なため，電子部品接続に一般に使用さ
れている弱いフラックス(ロジン系)では還元できない。
従って，強いフラックスの使用が必須である。このよう
な強いフラックスの使用は電子部品の接続には，フラッ
クス残渣による腐食，電気絶縁特性の劣化等が問題にな
るため使用できない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明はＰｂを用いな
いで，Ｐｂ−Ｓｎ共晶はんだの代替用はんだを用いて，
従来の基板にＬＳＩ，部品等の電子部品を高信頼で実装
するため，２３０℃以下で，かつ弱いフラックスでＣｕ
導体上，もしくは部品のＳｎ系はんだめっき端子構成で
十分にぬれ性を確保し，リフローできることを目的とし
ている。このため，融点は固相線温度が少なくとも１６
０℃以上，望ましくは１７０℃以上(１５０℃の高温で
の使用に耐えられることも必要条件)であり，液相線温
度が最高１９５℃以下，望ましくは１９０℃以下(高く
することははんだ付け温度が高くなり，基板，部品に対
する熱影響が大きくなる)とすることを第一課題とし
た。ぬれ性確保には端子へのメタライズでカバーできる
が，材料自体の物性によるぬれの悪さを防止するため，
ぬれの悪いＺｎの量を最小限に押さえる必要がある。し
かしＺｎを入れないことには液相線温度が大きく下がら
ないので，ぬれとのバランスを保って組成を決める必要
がある。ＳｎにＺｎを９％入れた状態で１９９℃の最小
値になるが，前述した通りこれでは未だ融点が高く，ぬ
れが悪過ぎる。
いで，Ｐｂ−Ｓｎ共晶はんだの代替用はんだを用いて，
従来の基板にＬＳＩ，部品等の電子部品を高信頼で実装
するため，２３０℃以下で，かつ弱いフラックスでＣｕ
導体上，もしくは部品のＳｎ系はんだめっき端子構成で
十分にぬれ性を確保し，リフローできることを目的とし
ている。このため，融点は固相線温度が少なくとも１６
０℃以上，望ましくは１７０℃以上(１５０℃の高温で
の使用に耐えられることも必要条件)であり，液相線温
度が最高１９５℃以下，望ましくは１９０℃以下(高く
することははんだ付け温度が高くなり，基板，部品に対
する熱影響が大きくなる)とすることを第一課題とし
た。ぬれ性確保には端子へのメタライズでカバーできる
が，材料自体の物性によるぬれの悪さを防止するため，
ぬれの悪いＺｎの量を最小限に押さえる必要がある。し
かしＺｎを入れないことには液相線温度が大きく下がら
ないので，ぬれとのバランスを保って組成を決める必要
がある。ＳｎにＺｎを９％入れた状態で１９９℃の最小
値になるが，前述した通りこれでは未だ融点が高く，ぬ
れが悪過ぎる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、Ｐｂレスはんだの組合せの中で，環境への影響が少
なく，資源の枯渇の問題がなく，融点を下げることがで
きて，ぬれ性を確保できるＳｎ−Ｚｎ−Ｂｉの３元系は
んだをベースとした合金を候補として検討した。この３
元系はんだの状態図の詳細は未知で，図１に示されるよ
うに，融点(液相線温度)の概略が分かる程度である。こ
のため，融点(固相線温度，液相線温度)と組成との関
係，組成とぬれ性，物性，機械的特性等の関係等を明ら
かにする必要があった。本発明の基板接続用はんだは、
Ｚｎが３〜５％，Ｂｉが１０〜２３％，残部がＳｎのＳ
ｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系をベースとした合金，あるいはこの合
金にＩｎ，Ａｇ，Ｓｂ，Ｃｕのうち１種または２種以上
の元素を添加してぬれ性，機械的性質を良くしたことを
特徴とするものである。
に、Ｐｂレスはんだの組合せの中で，環境への影響が少
なく，資源の枯渇の問題がなく，融点を下げることがで
きて，ぬれ性を確保できるＳｎ−Ｚｎ−Ｂｉの３元系は
んだをベースとした合金を候補として検討した。この３
元系はんだの状態図の詳細は未知で，図１に示されるよ
うに，融点(液相線温度)の概略が分かる程度である。こ
のため，融点(固相線温度，液相線温度)と組成との関
係，組成とぬれ性，物性，機械的特性等の関係等を明ら
かにする必要があった。本発明の基板接続用はんだは、
Ｚｎが３〜５％，Ｂｉが１０〜２３％，残部がＳｎのＳ
ｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系をベースとした合金，あるいはこの合
金にＩｎ，Ａｇ，Ｓｂ，Ｃｕのうち１種または２種以上
の元素を添加してぬれ性，機械的性質を良くしたことを
特徴とするものである。
【００１０】
【作用】はんだ組成を上記に限定した理由は次の通りで
ある。
ある。
【００１１】Ｚｎが３％以下では液相線温度が高いた
め、２３０℃以下での接続が困難である。５％以上では
はんだの表面酸化が激しいため、電子部品はんだ付けと
して実績のあるフラックスを用いたのではぬれ性を確保
できない。このため，低温化が可能な材料で，かつ，環
境，資源，実績，コスト等の面で優れるＢｉを第三元素
として添加することで，融点を目標とする温度域に近付
けることとした。Ｓｎ−Ｚｎの２元共晶線は、Ｂｉが１
１〜２３％の範囲では、Ｚｎが４〜５％の間を通ること
から、２元共晶線から外れることは液相線と固相線の温
度差が大きくなり、接続に望ましい状態とはいえない。
またＺｎが３〜５％の範囲ならば，Ｚｎの酸化の影響を
それほど受けないのでぬれ性もある程度確保できる。か
つ，ガラスエポキシ基板への電子部品を実装できる融
点，ぬれ性の組成を見出せられる。
め、２３０℃以下での接続が困難である。５％以上では
はんだの表面酸化が激しいため、電子部品はんだ付けと
して実績のあるフラックスを用いたのではぬれ性を確保
できない。このため，低温化が可能な材料で，かつ，環
境，資源，実績，コスト等の面で優れるＢｉを第三元素
として添加することで，融点を目標とする温度域に近付
けることとした。Ｓｎ−Ｚｎの２元共晶線は、Ｂｉが１
１〜２３％の範囲では、Ｚｎが４〜５％の間を通ること
から、２元共晶線から外れることは液相線と固相線の温
度差が大きくなり、接続に望ましい状態とはいえない。
またＺｎが３〜５％の範囲ならば，Ｚｎの酸化の影響を
それほど受けないのでぬれ性もある程度確保できる。か
つ，ガラスエポキシ基板への電子部品を実装できる融
点，ぬれ性の組成を見出せられる。
【００１２】Ｂｉが１０％以下では液相線温度が２００
℃以上であるため，２２０〜２３０℃でのリフロー接続
が困難となる。Ｂｉが２３％以上では固相線温度が１５
０℃近くに下がること及びはんだ自体に延性がなくな
る。従って，高温での信頼性のマージン確保が困難であ
り，機械的特性も低下する。-５５〜１５０℃の温度サ
イクル加速試験に耐えられるには，固相線温度としては
低くても１６０℃以上が必要である。
℃以上であるため，２２０〜２３０℃でのリフロー接続
が困難となる。Ｂｉが２３％以上では固相線温度が１５
０℃近くに下がること及びはんだ自体に延性がなくな
る。従って，高温での信頼性のマージン確保が困難であ
り，機械的特性も低下する。-５５〜１５０℃の温度サ
イクル加速試験に耐えられるには，固相線温度としては
低くても１６０℃以上が必要である。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説
明する。
明する。
【００１４】表１に本発明におけるＳｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系
はんだの検討した組成の固相線温度及び液相線温度を示
す。なお，融点(液相線，固相線温度)は２℃／ｍｉｎの
昇温速度でＤＳＣを用いて測定した。得られたＤＳＣカ
ーブより液相線，固相線温度は図２に示されるようにカ
ーブのピークからそれぞれ高温部，低温部に向かって引
いた接線がカ−ブの平らな部分の延長線と交わる点の温
度とした。
はんだの検討した組成の固相線温度及び液相線温度を示
す。なお，融点(液相線，固相線温度)は２℃／ｍｉｎの
昇温速度でＤＳＣを用いて測定した。得られたＤＳＣカ
ーブより液相線，固相線温度は図２に示されるようにカ
ーブのピークからそれぞれ高温部，低温部に向かって引
いた接線がカ−ブの平らな部分の延長線と交わる点の温
度とした。
【００１５】
【表１】
【００１６】図１はＳｎ−Ｚｎ−Ｂｉの３元系はんだの
公知の状態図〔International Critical Tables,2(192
7),418〕である。全体の概略的な融点(液相線温度)は分
かるが，その液相面ですら正確な形状等は分かっていな
いのが実状である。すなわち，液相線温度と固相線温度
との関係は不明である。そこで，必要とする融点域に絞
った組成の液相線温度及び固相線温度を調べたのがそれ
ぞれ図３，４である。図３は図２の範囲を拡大し，液相
線温度を表示したものである。熱分析曲線からＳｎ−Ｚ
ｎ系の２元共晶ライン(太線で流れを示した)の谷はＢｉ
量が１１〜２３％の範囲では，Ｚｎが４〜５％の範囲を
通過していることが分かった。Ｂｉ量の下限として、１
０％以下では２元共晶ラインの谷の液相線温度が１９５
℃以上になることから，ガラスエポキシ基板を対象とす
るはんだ付けは困難のため，Ｂｉ量は１０％以上とし
た。図４は図３と同じ組成範囲の固相線温度を表示した
ものである。図４の括弧の中の値は液相線温度(図３参
照)と固相線温度との温度差を示す。一般的に接続にお
いては，温度差は少ないのが望ましいとされている。固
相線温度はＢｉが少ない範囲では要求範囲に入っている
が，Ｂｉ量が２３％以上になると１６０℃を切ることが
分かった。また，Ｂｉ量が２４％以上で固相温度が１３
０℃近くまで降下してしまう点が存在することがわかっ
た。これは，Ｂｉ量が２４％以上になると，融点の低い
Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ３元系共晶組成に近い組成をもつ相が
析出するためと考える。従って，Ｂｉの上限は２３％と
した。図２，３，４から分かるように，Ｚｎ量の変化に
よる融点の変化は著しく，Ｚｎが３％以下ではＢｉが少
ない範囲で(１６％以下)液相線温度は２００℃以上を超
えてしまう。また，Ｚｎが３％以下ではＢｉ量を問わ
ず，液相線温度と固相線温度との温度差がついてくる
(図４)ので，接続の観点から望ましくない。Ｚｎが３％
ではＢｉが２５％以下でも液相線温度は１８７℃以下で
あることから，融点の条件として１８７℃以下である必
要からＺｎが３％以上であることが必要条件である。他
方，Ｚｎが５％以上になると，液相線温度と固相線温度
との温度差は少なくなるので，接続の観点からは望まし
い。しかし，Ｚｎの酸化が著しくなり，ぬれ性が悪くな
る弊害が大きく，電子部品接続用として実用的ではな
い。また，融点的にみても，Ｚｎが５％以上では２元共
晶ラインの谷を超えているので，液相温度が上昇してい
く方向であり，Ｚｎが３〜５％のはんだに比べてメリッ
トのある組成とは言えない。更には，Ｃｕとの合金層の
成長が大になり，脆くなるためＺｎは５％以下が望まし
い。このため，Ｚｎとして３〜５％を妥当な範囲とし
た。以上は融点，はんだ付け条件から検討した結果であ
るが，ぬれ性の面から検討した結果，酸化度の状態に比
例してぬれ性も低下することが分かった。すなはち，Ｚ
ｎ量の増加と共にぬれ性は低下する。これより，ぬれ性
の点ではＺｎ量は少ない程良い。
公知の状態図〔International Critical Tables,2(192
7),418〕である。全体の概略的な融点(液相線温度)は分
かるが，その液相面ですら正確な形状等は分かっていな
いのが実状である。すなわち，液相線温度と固相線温度
との関係は不明である。そこで，必要とする融点域に絞
った組成の液相線温度及び固相線温度を調べたのがそれ
ぞれ図３，４である。図３は図２の範囲を拡大し，液相
線温度を表示したものである。熱分析曲線からＳｎ−Ｚ
ｎ系の２元共晶ライン(太線で流れを示した)の谷はＢｉ
量が１１〜２３％の範囲では，Ｚｎが４〜５％の範囲を
通過していることが分かった。Ｂｉ量の下限として、１
０％以下では２元共晶ラインの谷の液相線温度が１９５
℃以上になることから，ガラスエポキシ基板を対象とす
るはんだ付けは困難のため，Ｂｉ量は１０％以上とし
た。図４は図３と同じ組成範囲の固相線温度を表示した
ものである。図４の括弧の中の値は液相線温度(図３参
照)と固相線温度との温度差を示す。一般的に接続にお
いては，温度差は少ないのが望ましいとされている。固
相線温度はＢｉが少ない範囲では要求範囲に入っている
が，Ｂｉ量が２３％以上になると１６０℃を切ることが
分かった。また，Ｂｉ量が２４％以上で固相温度が１３
０℃近くまで降下してしまう点が存在することがわかっ
た。これは，Ｂｉ量が２４％以上になると，融点の低い
Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ３元系共晶組成に近い組成をもつ相が
析出するためと考える。従って，Ｂｉの上限は２３％と
した。図２，３，４から分かるように，Ｚｎ量の変化に
よる融点の変化は著しく，Ｚｎが３％以下ではＢｉが少
ない範囲で(１６％以下)液相線温度は２００℃以上を超
えてしまう。また，Ｚｎが３％以下ではＢｉ量を問わ
ず，液相線温度と固相線温度との温度差がついてくる
(図４)ので，接続の観点から望ましくない。Ｚｎが３％
ではＢｉが２５％以下でも液相線温度は１８７℃以下で
あることから，融点の条件として１８７℃以下である必
要からＺｎが３％以上であることが必要条件である。他
方，Ｚｎが５％以上になると，液相線温度と固相線温度
との温度差は少なくなるので，接続の観点からは望まし
い。しかし，Ｚｎの酸化が著しくなり，ぬれ性が悪くな
る弊害が大きく，電子部品接続用として実用的ではな
い。また，融点的にみても，Ｚｎが５％以上では２元共
晶ラインの谷を超えているので，液相温度が上昇してい
く方向であり，Ｚｎが３〜５％のはんだに比べてメリッ
トのある組成とは言えない。更には，Ｃｕとの合金層の
成長が大になり，脆くなるためＺｎは５％以下が望まし
い。このため，Ｚｎとして３〜５％を妥当な範囲とし
た。以上は融点，はんだ付け条件から検討した結果であ
るが，ぬれ性の面から検討した結果，酸化度の状態に比
例してぬれ性も低下することが分かった。すなはち，Ｚ
ｎ量の増加と共にぬれ性は低下する。これより，ぬれ性
の点ではＺｎ量は少ない程良い。
【００１７】図５は縦軸に温度を取り，横軸にＢｉ含有
量(mass%)を取り，液相線温度と固相線温度との関係を
示した。液相線温度と固相線温度との差は一般的には少
ない程望ましい。この差がつき過ぎると接続プロセス上
での問題が出やすい。はんだ付け最高温度は２２０〜２
３０℃と決められているので，液相線温度と固相線温度
との差がないほど高温での信頼性のマージンが広がるこ
とになる。この図から，Ｚｎ量が３,４,５％における液
相線温度と固相線温度との関係が分かる。固相線温度は
Ｂｉが２３％近くまではＺｎ量にあまり依存せずＢｉ量
の増加に伴って下降していくことがわかる。しかし，２
３％を過ぎると急激に固相線温度が低下する傾向があ
る。固相線温度が１６０℃を切らないＢｉ量はＺｎ量が
３〜５％の範囲では２３％以下の範囲である。液相線温
度もＢｉ量の増加に伴い下降していくが，Ｚｎ量にも大
きく依存しており，Ｚｎ量が３,４,５％と増加するにつ
れ，液相線温度は下がり，液相線温度と固相線温度の差
は小さくなる。図５に示されてはいないが，２元共晶ラ
インの直線部分はＺｎ量４％と５％の間を通ることが熱
分析結果によって明らかとなったので，Ｚｎ量を４％と
５％の間のある値(５％に近い)にすれば，液相線温度は
Ｚｎ量が３,４,５％のときよりも低下し，液相線温度と
固相線温度の差はさらに小さくなり接続の観点から望ま
しい状況となることがわかる。Ｚｎ量が少ないと継手の
強度は小さくなるが，電子部品継手の信頼性の点からは
強度向上を余り必要としていないのが実状である〔例え
ば 曽我:はんだ付け継手の信頼性，プリント回路学会
誌，Vol.７，No.２(1992)〕。Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系はん
だの一般的性質は，高温での強度(耐クリープ性等)が強
く，かつ，耐熱疲労性にも優れており，バランスの良い
はんだである。
量(mass%)を取り，液相線温度と固相線温度との関係を
示した。液相線温度と固相線温度との差は一般的には少
ない程望ましい。この差がつき過ぎると接続プロセス上
での問題が出やすい。はんだ付け最高温度は２２０〜２
３０℃と決められているので，液相線温度と固相線温度
との差がないほど高温での信頼性のマージンが広がるこ
とになる。この図から，Ｚｎ量が３,４,５％における液
相線温度と固相線温度との関係が分かる。固相線温度は
Ｂｉが２３％近くまではＺｎ量にあまり依存せずＢｉ量
の増加に伴って下降していくことがわかる。しかし，２
３％を過ぎると急激に固相線温度が低下する傾向があ
る。固相線温度が１６０℃を切らないＢｉ量はＺｎ量が
３〜５％の範囲では２３％以下の範囲である。液相線温
度もＢｉ量の増加に伴い下降していくが，Ｚｎ量にも大
きく依存しており，Ｚｎ量が３,４,５％と増加するにつ
れ，液相線温度は下がり，液相線温度と固相線温度の差
は小さくなる。図５に示されてはいないが，２元共晶ラ
インの直線部分はＺｎ量４％と５％の間を通ることが熱
分析結果によって明らかとなったので，Ｚｎ量を４％と
５％の間のある値(５％に近い)にすれば，液相線温度は
Ｚｎ量が３,４,５％のときよりも低下し，液相線温度と
固相線温度の差はさらに小さくなり接続の観点から望ま
しい状況となることがわかる。Ｚｎ量が少ないと継手の
強度は小さくなるが，電子部品継手の信頼性の点からは
強度向上を余り必要としていないのが実状である〔例え
ば 曽我:はんだ付け継手の信頼性，プリント回路学会
誌，Vol.７，No.２(1992)〕。Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系はん
だの一般的性質は，高温での強度(耐クリープ性等)が強
く，かつ，耐熱疲労性にも優れており，バランスの良い
はんだである。
【００１８】次に，最高２２０℃のリフロー温度で，プ
リント基板のＣｕ端子に対するはんだのぬれ性を評価し
た。使用したフラックスは０.２％の塩素が入ったロジ
ン系である。Ｚｎ量が多い程ぬれ性は低下していること
が分かった。また，同様に，Ｂｉ量によるぬれ性の影響
を調べると，Ｂｉ量が多くなるほどぬれ性は低下してく
る。しかし，Ｚｎ量の変化程には敏感ではないことが分
かった。これより，ぬれ性は，Ｚｎ量に大きく依存し，
Ｚｎが５％以下で十分ではないが，接続に必要なぬれが
得られる結果を得た。
リント基板のＣｕ端子に対するはんだのぬれ性を評価し
た。使用したフラックスは０.２％の塩素が入ったロジ
ン系である。Ｚｎ量が多い程ぬれ性は低下していること
が分かった。また，同様に，Ｂｉ量によるぬれ性の影響
を調べると，Ｂｉ量が多くなるほどぬれ性は低下してく
る。しかし，Ｚｎ量の変化程には敏感ではないことが分
かった。これより，ぬれ性は，Ｚｎ量に大きく依存し，
Ｚｎが５％以下で十分ではないが，接続に必要なぬれが
得られる結果を得た。
【００１９】図６は横軸にＺｎ量，縦軸にＢｉ量を取
り，液相線(195℃,190℃,185℃），固相線(160℃,165
℃,170℃）をパラメータにしたものである。液相線温度
と固相線温度の等温ラインは交叉する特殊なケースと考
えられる。交点の組成における液相線温度を上段に，固
相線温度を下段に示した。液相線温度は220℃ではんだ
付けする必要から高くとも195℃以下にし，固相線温度
は150℃の高温での信頼性を確保するため，低くとも160
℃以上にする必要がある。Ｚｎ量は多いとぬれ性の低下
をもたらし，酸化が激しいことから，５％以下とする。
また，Ｂｉ量は２３％以上ではさらに低温の融点(１３
０℃)をもつ新たな３元共晶組織があらわれ，かつ脆く
なり，伸びが低下するため継手として良くない。従っ
て，これらを含む組成範囲として，Ａ(85,5,10),Ｂ(72,
5,23),Ｃ(76,3,21)で囲まれた組成範囲を適正領域と決
めた。
り，液相線(195℃,190℃,185℃），固相線(160℃,165
℃,170℃）をパラメータにしたものである。液相線温度
と固相線温度の等温ラインは交叉する特殊なケースと考
えられる。交点の組成における液相線温度を上段に，固
相線温度を下段に示した。液相線温度は220℃ではんだ
付けする必要から高くとも195℃以下にし，固相線温度
は150℃の高温での信頼性を確保するため，低くとも160
℃以上にする必要がある。Ｚｎ量は多いとぬれ性の低下
をもたらし，酸化が激しいことから，５％以下とする。
また，Ｂｉ量は２３％以上ではさらに低温の融点(１３
０℃)をもつ新たな３元共晶組織があらわれ，かつ脆く
なり，伸びが低下するため継手として良くない。従っ
て，これらを含む組成範囲として，Ａ(85,5,10),Ｂ(72,
5,23),Ｃ(76,3,21)で囲まれた組成範囲を適正領域と決
めた。
【００２０】ＡＢ(Ｚｎ:５％)と液相線(１)と固相線
(６)で囲まれた領域はＺｎ５％以内で液相線１９５℃以
下，固相線１６０℃以上を満たす組成が得られる。ＡＢ
と液相線(２)と固相線(５)で囲まれた領域はＺｎ５％以
内で液相線１９０℃以下，固相線１６５℃以上を満たす
組成が得られる。同様にＡＢと液相線(３)と固相線(５)
で囲まれた領域はＺｎ５％以内で液相線１８５℃以下，
固相線１６５℃以上を満たす組成が得られる。この中で
液相線温度が１８５℃前後で，固相線温度が１６５℃以
上で，かつＢｉ量を少なくした組成としてＺｎ４.５−
Ｓｎ７６.５−Ｂｉ１９が考えられる。この組成につい
てのぬれ性，強度等の検討を行った。
(６)で囲まれた領域はＺｎ５％以内で液相線１９５℃以
下，固相線１６０℃以上を満たす組成が得られる。ＡＢ
と液相線(２)と固相線(５)で囲まれた領域はＺｎ５％以
内で液相線１９０℃以下，固相線１６５℃以上を満たす
組成が得られる。同様にＡＢと液相線(３)と固相線(５)
で囲まれた領域はＺｎ５％以内で液相線１８５℃以下，
固相線１６５℃以上を満たす組成が得られる。この中で
液相線温度が１８５℃前後で，固相線温度が１６５℃以
上で，かつＢｉ量を少なくした組成としてＺｎ４.５−
Ｓｎ７６.５−Ｂｉ１９が考えられる。この組成につい
てのぬれ性，強度等の検討を行った。
【００２１】ガラスエポキシ基板のＣｕパッド上に厚さ
１０μｍのＳｎめっきを施したサンプルに，上記組成の
はんだを直径約５０μｍのボールに作成しペースト化し
たものを，印刷により各パッド上に供給した。ペースト
には若干強めのフラックスを用い，約１８０μｍの厚さ
に印刷した。その上にＱＦＰ−ＬＳＩ(０.５ｍｍピッ
チ)を搭載した。ＬＳＩの４２アロイリードにはＳｎめ
っきが８μｍ施されている。２３０℃でリフローするこ
とによりＳｎ表面の酸化膜はフラックス中の塩素により
還元されてはんだがぬれ拡がる。なお、Ｓｎめっきの代
わりにＳｎ−Ｂｉめっきを施すことにより融点を下げ，
ぬれ拡がりを増すことができる。はんだめっき厚さは１
０μｍ以下であることから，全体の組成変化による融点
の影響は少ない。また，Ｃｕパッド上に薄くＮｉ−Ａｕ
めっきを施し，そして４２アロイリード上に同様にＮｉ
−Ａｕめっきを施すことにより表面は酸化されにくいた
め，はんだ表面の酸化膜が破られさえすればぬれ拡がり
に優れる構成をとることができる。
１０μｍのＳｎめっきを施したサンプルに，上記組成の
はんだを直径約５０μｍのボールに作成しペースト化し
たものを，印刷により各パッド上に供給した。ペースト
には若干強めのフラックスを用い，約１８０μｍの厚さ
に印刷した。その上にＱＦＰ−ＬＳＩ(０.５ｍｍピッ
チ)を搭載した。ＬＳＩの４２アロイリードにはＳｎめ
っきが８μｍ施されている。２３０℃でリフローするこ
とによりＳｎ表面の酸化膜はフラックス中の塩素により
還元されてはんだがぬれ拡がる。なお、Ｓｎめっきの代
わりにＳｎ−Ｂｉめっきを施すことにより融点を下げ，
ぬれ拡がりを増すことができる。はんだめっき厚さは１
０μｍ以下であることから，全体の組成変化による融点
の影響は少ない。また，Ｃｕパッド上に薄くＮｉ−Ａｕ
めっきを施し，そして４２アロイリード上に同様にＮｉ
−Ａｕめっきを施すことにより表面は酸化されにくいた
め，はんだ表面の酸化膜が破られさえすればぬれ拡がり
に優れる構成をとることができる。
【００２２】Ｓｎ７６.５−Ｚｎ４.５−Ｂｉ１９組成
(液相線温度１８５℃，固相線温度１６５℃)のペースト
用はんだボール(平均５０μｍ径)に２μｍのＳｎめっき
(もしくはＳｎ−Ｂｉめっき)を施した。このように表面
処理すると，はんだ付け直前の１６５℃で内部のはんだ
が溶け始め，Ｓｎめっきは内部のはんだに溶け初める。
１８５℃になると溶解し，表面のＳｎ(もしくはＳｎ−
Ｂｉ)ははんだ中に完全に溶けると同時に，隣接のはん
だボールと溶触する。この時，表面にＺｎの成分も出て
来るが，Ｎ2雰囲気であるためＺｎが酸化されないた
め，フラックス中での基板パッド，部品端子上のぬれ性
を確保できる。基板パッド，部品の端子上のＳｎめっき
のＳｎＯ2膜はフラックス中の塩酸で還元され，最高２
３０℃の温度でリフローが可能となる。基板及び部品の
端子上のＳｎ量はペースト中のはんだ量と比較して少な
いので，成分的にはＳｎ含有量が１％程度増えるだけで
ある。従って，最終的はんだ組成の融点は，ペーストは
んだの融点とほとんど変わらない。そして，はんだ付け
にはフラックスの存在とＮ2雰囲気でのリフローのた
め，Ｚｎの酸化を防止でき，Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉのリフロ
ーにおける端子上への十分なぬれ性を確保できた。比較
的液相線温度及び固相線温度の高いＳｎ８４−Ｚｎ５−
Ｂｉ１１はんだにＩｎを３％添加し，液相線温度及び固
相線温度を下げた組成をペースト用として使用した。表
面はＺｎの酸化を防止するためＳｎめっきを２〜５μｍ
施した。従ってＮ2雰囲気のリフロー中で固相線温度を
超えた１７０℃で内部のはんだと溶融を開始し，１８５
℃で完全に溶融が完了すると共に，Ｚｎの成分はＮ2の
ため酸化せず，２３０℃の最高温度で容易にはんだは端
子上にぬれ拡がることを確認した。
(液相線温度１８５℃，固相線温度１６５℃)のペースト
用はんだボール(平均５０μｍ径)に２μｍのＳｎめっき
(もしくはＳｎ−Ｂｉめっき)を施した。このように表面
処理すると，はんだ付け直前の１６５℃で内部のはんだ
が溶け始め，Ｓｎめっきは内部のはんだに溶け初める。
１８５℃になると溶解し，表面のＳｎ(もしくはＳｎ−
Ｂｉ)ははんだ中に完全に溶けると同時に，隣接のはん
だボールと溶触する。この時，表面にＺｎの成分も出て
来るが，Ｎ2雰囲気であるためＺｎが酸化されないた
め，フラックス中での基板パッド，部品端子上のぬれ性
を確保できる。基板パッド，部品の端子上のＳｎめっき
のＳｎＯ2膜はフラックス中の塩酸で還元され，最高２
３０℃の温度でリフローが可能となる。基板及び部品の
端子上のＳｎ量はペースト中のはんだ量と比較して少な
いので，成分的にはＳｎ含有量が１％程度増えるだけで
ある。従って，最終的はんだ組成の融点は，ペーストは
んだの融点とほとんど変わらない。そして，はんだ付け
にはフラックスの存在とＮ2雰囲気でのリフローのた
め，Ｚｎの酸化を防止でき，Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉのリフロ
ーにおける端子上への十分なぬれ性を確保できた。比較
的液相線温度及び固相線温度の高いＳｎ８４−Ｚｎ５−
Ｂｉ１１はんだにＩｎを３％添加し，液相線温度及び固
相線温度を下げた組成をペースト用として使用した。表
面はＺｎの酸化を防止するためＳｎめっきを２〜５μｍ
施した。従ってＮ2雰囲気のリフロー中で固相線温度を
超えた１７０℃で内部のはんだと溶融を開始し，１８５
℃で完全に溶融が完了すると共に，Ｚｎの成分はＮ2の
ため酸化せず，２３０℃の最高温度で容易にはんだは端
子上にぬれ拡がることを確認した。
【００２３】
【発明の効果】 以上のように、本発明のＳｎ−Ｚｎ−
Ｂｉ系はんだは、環境を考慮し、資源的に安定して供給
可能で涸渇の問題がなく，コスト高にならず，かつ，従
来のＰｂ−Ｓｎ共晶はんだと同等のリフロー温度で従来
から使用されている基板に，同一のリフロー装置ではん
だ付けできる。本はんだは強度が強く，特に高温での強
度，耐クリープ強度に優れる。電子部品の継手としても
従来のＰｂ−Ｓｎ共晶はんだと比べ同等の耐熱疲労性を
有するものである。
Ｂｉ系はんだは、環境を考慮し、資源的に安定して供給
可能で涸渇の問題がなく，コスト高にならず，かつ，従
来のＰｂ−Ｓｎ共晶はんだと同等のリフロー温度で従来
から使用されている基板に，同一のリフロー装置ではん
だ付けできる。本はんだは強度が強く，特に高温での強
度，耐クリープ強度に優れる。電子部品の継手としても
従来のＰｂ−Ｓｎ共晶はんだと比べ同等の耐熱疲労性を
有するものである。
【００２４】本発明はガラスエポキシ基板を対象にした
が，それ以上の耐熱性基板，例えばガラスポリイミド基
板，ＢＴ(ガラス布基材ビスマレイド・トリアジン)基
板，セラミック基板等に使用できることは言うまでもな
い。
が，それ以上の耐熱性基板，例えばガラスポリイミド基
板，ＢＴ(ガラス布基材ビスマレイド・トリアジン)基
板，セラミック基板等に使用できることは言うまでもな
い。
【図１】公知となっているＳｎ−Ｚｎ−Ｂｉ ３元系状
態図(液相線温度)である。
態図(液相線温度)である。
【図２】ＤＳＣカーブを用いた融点(液相線，固相線温
度)解析法を示す図である。
度)解析法を示す図である。
【図３】熱分析によって明らかとなった Ｚｎ：３〜５
％，Ｂｉ：１０〜２５％の範囲内の液相線温度を示す図
である。
％，Ｂｉ：１０〜２５％の範囲内の液相線温度を示す図
である。
【図４】熱分析によって明らかとなった Ｚｎ：３〜５
％，Ｂｉ：１０〜２５％の範囲内の固相線温度を示す図
である。
％，Ｂｉ：１０〜２５％の範囲内の固相線温度を示す図
である。
【図５】各Ｚｎ含有量のはんだ合金について横軸にＢｉ
含有量，縦軸に温度をとり液相線温度と固相線温度の関
係を示す図である。
含有量，縦軸に温度をとり液相線温度と固相線温度の関
係を示す図である。
【図６】横軸に含有Ｚｎ量，縦軸に含有Ｂｉ量をとった
図面上に液相線温度と固相線温度のデータを書き入れ，
請求項３，請求項４の特許請求範囲を示した図である。
図面上に液相線温度と固相線温度のデータを書き入れ，
請求項３，請求項４の特許請求範囲を示した図である。
【符号の説明】 (１)Ｓｎ−Ｚｎ２元共晶ライン (２)液相線温度１９５℃ (３)液相線温度１９０℃ (４)液相線温度１８５℃ (５)固相線温度１７０℃ (６)固相線温度１６５℃ (７)固相線温度１６０℃
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 健一 東京都小平市上水本町五丁目20番１号株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 原田 正英 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 落合 雄二 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 亀井 常彰 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 平８−192291（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−150493（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−128192（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−51883（ＪＰ，Ａ) 特公 昭48−39693（ＪＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B23K 35/22 - 35/26
Claims (12)
- 【請求項１】電子部品と基板を接続するためのはんだで
あって、該はんだの組成はＺｎ：３〜５％，Ｂｉ：１０
〜２３％，残りＳｎであることを特徴とするはんだ。 - 【請求項２】電子部品と基板を接続するための３元系は
んだであって、該はんだの組成（Sn，Zn，Bi）は、Ａ(8
5,5,10),Ｂ(72,5,23)，Ｃ(76,3,21)で囲まれた範囲にあ
ることを特徴とするはんだ。 - 【請求項３】請求項１または２に記載のはんだであっ
て、該はんだの液相線温度が195℃以下で固相線温度が1
60℃以上であることを特徴とするはんだ。 - 【請求項４】請求項１から３のいずれか１項に記載のは
んだの組成にＩｎを１〜５％含有させたことを特徴とす
るはんだ。 - 【請求項５】請求項１から４のいずれか１項に記載のは
んだであって、該はんだがペースト状であることを特徴
とするはんだ。 - 【請求項６】請求項１から５のいずれかに１項に記載の
はんだを用いて、基板と電子部品を接続したことを特徴
とする実装品。 - 【請求項７】請求項１から５のいずれかに１項に記載の
はんだを用いて、電子部品を基板に実装したことを特徴
とする実装品。 - 【請求項８】請求項６または７に記載の実装品であっ
て、該基板がプリント基板であることを特徴とする実装
品。 - 【請求項９】請求項６または７に記載の実装品であっ
て、該基板がガラスエポキシ基板であることを特徴とす
る実装品。 - 【請求項１０】請求項６または７に記載の実装品であっ
て、該基板がガラスポリイミド基板、ガラス繊維基材ビ
スマレイド・トリアジン基板およびセラミック基板のい
ずれか１つであることを特徴とする実装品。 - 【請求項１１】リード付き電子部品と、銅配線を有する
有機基板と、該電子部品と該有機基板の該銅配線を電気
的に接続するはんだを有する実装品であって、該はんだ
が請求項１から５のいずれか１項に記載のはんだである
ことを特徴とする実装品。 - 【請求項１２】請求項５に記載のはんだを基板にペース
ト印刷する工程と、該基板の電極と電子部品の端子が電
気的に接続するように該半導体装置を該基板に搭載する
工程と、該はんだをリフローする工程とを有することを
特徴とする実装品の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20305495A JP3232963B2 (ja) | 1994-10-11 | 1995-08-09 | 有機基板接続用鉛レスはんだ及びそれを用いた実装品 |
| TW084110626A TW360578B (en) | 1994-10-11 | 1995-10-07 | Lead-free solder used for connecting electronic parts on organic substrate |
| KR1019950034598A KR100255251B1 (ko) | 1994-10-11 | 1995-10-10 | 유기기판 상에 전자부품을 접속하기 위해 사용된 무연땜납 및 그것을 사용해서 제조한 전자제품 |
| CN95120505A CN1067929C (zh) | 1994-10-11 | 1995-10-11 | 用于将电子元件连接在有机基底上的无铅焊料及其应用 |
| US08/963,119 US5942185A (en) | 1994-10-11 | 1997-10-28 | Lead-free solder used for connecting electronic parts on organic substrate and electronic products made using same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24504894 | 1994-10-11 | ||
| JP6-245048 | 1994-10-11 | ||
| JP20305495A JP3232963B2 (ja) | 1994-10-11 | 1995-08-09 | 有機基板接続用鉛レスはんだ及びそれを用いた実装品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08164495A JPH08164495A (ja) | 1996-06-25 |
| JP3232963B2 true JP3232963B2 (ja) | 2001-11-26 |
Family
ID=26513720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20305495A Expired - Lifetime JP3232963B2 (ja) | 1994-10-11 | 1995-08-09 | 有機基板接続用鉛レスはんだ及びそれを用いた実装品 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5942185A (ja) |
| JP (1) | JP3232963B2 (ja) |
| KR (1) | KR100255251B1 (ja) |
| CN (1) | CN1067929C (ja) |
| TW (1) | TW360578B (ja) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3688429B2 (ja) | 1997-04-25 | 2005-08-31 | 株式会社東芝 | 電子部品実装用基板および電子部品実装基板 |
| JP3311282B2 (ja) * | 1997-10-13 | 2002-08-05 | 株式会社東芝 | 金属部材の接合方法及び接合体 |
| JP3622462B2 (ja) | 1997-12-16 | 2005-02-23 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
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