593774 A7 ___ B7 五、發明説明（1 ) 【發明所屬之技術領域】 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明是關於氟氣產生裝置及氟氣產生方法以及氟 氣。特別是關於產生被使用在半導體等的製造工程中的不 純物極少的高純度氟氣的氟氣產生裝置及氟氣產生方法以 及藉由此裝置和方法所得到的氟氣。 【背景技術】 氟氣，例如是在半導體製造領域中所不可或缺的基本 氣體而被使用。而且，雖然也有使用氟氣本身的情況，最 近，以氟氣爲基礎，合成三氟化氮（以下稱爲N F 3氣體） 等’將此種氣體作爲半導體的淸潔氣體或乾式鈾刻用氣體 來加以使用。又，氟化氖氣體（以下稱爲NeF氣體）、 氟化氬氣體（以下稱爲A rF氣體）、氟化氪氣體（以下 稱爲K r F氣體）等，係在半導體積體電路的圖案形成時 所被使用的激元激光器（excimer 1 aser )振盪用氣體；該原 料大多使用稀有氣體和氟氣的混合氣體。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此氟氣，係在收容有由規定量的K F · H F所組成的 電解浴的電解槽中，以碳爲陽極、以鎳爲陰極，進行電解 而產生。一般而言，被收容在電解槽中的KF · HF，最 初投入規定量的K F · H F，然後適當地供給H F，成爲 KF·2HF而被使用。此時，投入成爲KF·2HF所 不足量的KF · HF，然後藉由再度供給HF，調製出規 定量的電解浴。 電解浴的成分中的K F，吸濕性高，故在調製電解浴 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -5 - 593774 Α7 Β7 五、發明説明（2 ) 時，一般是含有水分的。我先前已經提出關於不純物少的 高純度氟產生裝置的內容的申請案（w〇 01/ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 7 7 4 1 2 A 1 )。 然而，如此所產生的氟氣，初期所產生的氟氣中，含 有4 5〜5 5 %的氧。由於所產生的氟氣和電解浴中所含 有的水，如下述的反應式（1 )所示般地進行反應，通 常，氟氣中所含有的氧量減少。然而，其量難以降至 3000ppm以下。 2 F 2 + Η 2 Ο ~^F2〇 + 2HF · · · (1) 前述激元激光器振盪用氣體、或是在激元激光器的稜 鏡（C a F 2單結晶）的表面處理中，需要高純度的氟氣。 該氟氣中所含有的氧濃度，作爲前者的激元激光器振盪用 氣體，爲1 0 0 0 p p m以下；而作爲後者的激元激光器 的稜鏡（C a F 2單結晶）的表面處理用氣體，則被要求在 5〇〇ppm以下。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明的目的爲提供一種能夠安定地產生氧含量非常 少之高純度的氟氣的氟氣產生裝置及氟氣產生方法以及氟 氣。 【發明的揭示】 爲了解決前述課題之本發明的氟氣產生裝置，係將由 K F · 2 H F組成的電解浴加以電解來產生高純度氟氣之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -6 - 593774 A7 ______ B7 五、發明説明（3) 形態的氟氣產生裝置，其特徵爲具備： 將KF或KF · HF調製成KF ♦ 2HF的調製系 統、 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 將H F供給至前述電解浴和前述調製系統中的η f供 給系統、及 將藉由前述調製系統所調製出來的K F · 2 H F加以 電解來產生氟氣的氟氣產生系統。 在密閉的調製系統內由KF或KF·HF調製成 K F · 2 H F之後，將調製成的κ F · 2 H F投入與此調 製系統密閉連結的電解槽中。因此，被投入電解槽內的 K F · 2 H F，不會吸收水分，亦即可以作成氧含量少的 電解浴。藉由此手段，在將此電解浴電解所得到的氟氣中 所含有的氧量，從產生初期的階段開始，便能夠非常少。 又，本發明的氟氣產生裝置，在前述調製系統中，附 設用來除去前述KF或KF·HF中的水分的水分除去手 段。 從K F或K F ♦ H F調製K F · 2 H F時，能夠確實 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 地減少氧量。 又’本發明的氟氣產生裝置，其中所產生的氟氣中的 氧濃度爲2 %以下。 氟氣中的氧濃度減少至2 %以下，理想爲〇 . 2 %以 下（2 0 0 0 p p m以下），更理想爲〇 . 〇 2 %以下 (2 0 0 p p m以下）。因此，能夠作爲激元激光器振盪 用氣體、或是激元激光器的棱鏡（C a F 2單結晶）的表面 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） 593774 Α7 Β7 五、發明説明（4) 處理用氣體來使用。 又，本發明的氟氣產生裝置，係將由KF·2HF組 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 成的電解浴加以電解來產生氟氣之形態的氟氣產生裝置， 其特徵爲： 具備：將KF或KF·HF調製成KF·2HF的調 製系統、 將H F供給至前述電解浴和前述調製系統中的η F供 給系統、及 將藉由前述調製系統所調製出來的K F · 2 H F加以 電解來產生氟氣的氟氣產生系統； 且设置用來g周整刖述g周製系統、H F供給系統及氯氣 產生系統的各個系統或各系統全體的外部氣氛中的水分的 水分控制手段。 由於設置用來調整前述調製系統、H F供給系統及氟 氣產生系統的各個系統或各系統全體的外部氣氛中的水分 的水分控制手段，所以能夠確實地抑制氧的混入。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，本發明的氟氣產生裝置，其中前述水分控制手 段，係可以收容前述各系統或各系統全體之能夠控制內部 的氣氛的框體。 水分控制手段，由於爲可以控制氣氛的框體，所以容 易進行各系統或各系統全體的氣氛溼度的調整。藉由此手 段，能夠確實地抑制氧的混入。 又，本發明的氟氣產生方法，係將由K F · 2 H F組 成的電解浴加以電解來產生氟氣之形態的氟氣產生方法’ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -8- 593774 A7 ___B7 五、發明説明（5) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在附設有用來除去K F或K F · H F中的水分的水分除去 手段之將KF或KF·HF調製成KF·2HF的調製系 統中，以規定時間，在真空或非活性氣體氣氛下，將前述 K F或K F · H F加熱、脫氣之後，在真空或非活性氣體 氣氛下，冷卻至室溫，接著，從H F供給系統將氣化後的 H F供給至該調製系統內，在前述調製系統內使前述κ F 或KF · HF與前述HF反應，產生KF · 2HF，將該 K F · 2 H F供給至氟氣產生系統的電解槽中之後，加以 電解，產生低氧濃度的氟氣。 藉由如此的構成，可以使所產生的氟氣中的氧濃度變 少，而能夠作爲激元激光器振盪用氣體、或是激元激光器 的稜鏡（C a F 2單結晶）的表面處理用氣體來使用。 又，本發明的氟氣產生方法，其中在前述調製系統 中，以200〜300 °C加熱前述KF或KF .HF，藉 以除去前述K F或K F · H F的吸附水及結晶水。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如此，能夠確實地除去K F或K F · H F中的水分。 藉此，可以除去含在水分中的氧，而能夠使所產生的氟氣 中的氧濃度，從氟氣產生初期的階段開始，便確實地減 少。 又，本發明的氟氣，係在附設有用來除去K F或 K F · H F中的水分的水分除去手段之將K F或K F · H F調製成K F · 2 H F的調製系統中，以規定時間，在 真空或非活性氣體氣氛下，將前述K F或K F · H F加 熱、脫氣之後，在真空或非活性氣體氣氛下，冷卻至室 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -9 - 593774 A7 B7 五、發明説明（6 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 溫，接著，從H F供給系統將氣化後的H F供給至該調製 系統內，在前述調製系統內使前述KF或KF · HF與前 述HF反應，產生KF ♦ 2HF，將該KF · 2HF供給 至氟氣產生系統的電解槽中之後，加以電解，所產生的氟 氣。因此，由於爲氧濃度極低的高純度氟氣，所以能夠作 爲半導體製造用的各種基本氣體來加以使用。 又，本發明的氟氣，其氧濃度在2%以下。 氟氣中的氧濃度減少至2 %以下，理想爲0 . 2 %以 下（2000ppm以下），更理想爲0.02%以下 (2 0 0 p p m以下）。因此，能夠作爲激元激光器振盪 用氣體、或是激元激光器的棱鏡（C a F 2單結晶）的表面 處理用氣體來使用。 【本發明的實施形態】 以下，根據第1圖來說明本發明的實施形態的一例。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本實施形態中的氟氣產生裝置G，係將由K F · 2 H F所組成的電解浴2 4，加以電解而產生高純度的氟氣 的裝置；其構成係具備：將KF或KF·HF調製成 K F · 2 H F的調製系統A、將H F供給至電解浴2 4和 調製系統Α中的H F供給系統Β、及將藉由調製系統Α所 調製成的KF·2HF加以電解而產生氟氣的氟氣產生系 統C。 在第1圖中，從KF或KF·HF調製成KF·2 H F的調製系統A，係由：利用收容κ F 1 0的N i製的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' ~ -10- 593774 A7 __ B7 五、發明説明（7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 容器7 a和密閉此容器7 a的上蓋7 b所構成的K F · 2 HF調製裝置7、包覆此KF · 2HF調製裝置7的容器 7 a來加熱其內部的K F 1 〇的加熱器9、冷卻用的冷卻 水用管8、被設置在上蓋7 b上而與真空排氣系統D連結 的真空配管2、非活性氣體淸除用配管3、及被插入K F 1 〇中且與H F供給系統B和氟氣產生系統C連結之H F 供給兼K F · 2 H F送出配管1，所構成。 將H F供給至此調製系統Α中的H F供給系統Β，其 被載置在測力器1 2上的H F鋼瓶1 1，被設置在框體 1 3中。此框體1 3，與未圖示的丙烯洗滌器（acrylic scrubber)連結。HF鋼瓶1 1的表面，被加熱器1 4所覆 蓋，來使H F鋼瓶1 1內能夠保持在規定的溫度。又，藉 由測力器1 2，測量H F鋼瓶1 1內的氣體量，藉以測量 供給至調製系統Α和氟氣產生系統C的H F氣體供給量。 此HF鋼瓶1 1，藉由HF送出用配管5，與調製系統A 連結。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 氟氣產生系統C，主要是由：由KF ♦ 2HF系混合 溶解鹽所組成的電解浴2 4、收容此電解浴2 4的電解槽 2 0、及將電解浴2 4電解的陽極2 2和陰極2 3，所構 成。 電解槽2 0，係利用N i、蒙乃爾合金（Monel )、純 鐵、不銹鋼等的金屬，一體地形成。電解槽2 0，係藉由 N i或蒙乃爾合金所組成的隔壁2 7，被分離成陽極室 2 8和陰極室2 9。在陽極室2 8中，配置由低極化性碳 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） "~~ -11 - 593774 A7 B7 五、發明説明（8) 所組成的陽極2 2 ;而在陰極室2 9中，配置由N i或 F e所組成的陰極2 3。在電解槽2 0的上蓋3 0，配設 從陽極室2 8所產生的氟氣的排出口 2 5、及從陰極室 29所產生的氫氣的排出口 26。又，電解槽20，設置 加熱電解槽2 0內的加熱器3 1。再者，在加熱器3 1的 周圍，設置未圖示的隔熱材。加熱器3 1可以是螺旋狀或 鎳鉻合金線等，其形態並沒有特別地限定，但是理想爲包 覆電解槽2 0整個外周的形狀。 真空排氣系統D，係由分子篩1 6和真空泵1 7所構 成。而且，當利用加熱器9加熱被收容在調製系統A中的 K F 1 〇時’吸引從K F 1 〇解吸（desorption，脫離）出來 的水分。 接著，說明關於以上構成的氟氣產生裝置G的動作。 預先藉由加熱器9將調製系統A以2 5 0〜3 0 0 t： 進行熱處理之後，在容器7 a內裝塡規定量的K F 1 〇。 而且，在真空或超高純度非活性氣體的淸除（purge)下，再 度加熱至200〜250 °C，更理想爲250〜300 它，保持2 4〜4 8小時，使K F 1 〇乾燥。此時，打開 真空配管閥2 a、使閥3 a和閥4 b成爲關閉狀態，利用 真空排氣系統D，將容器7 a排氣。如此，使K F 1 〇在 超高純度非活性氣體的淸除下，再度加熱至2 5 0〜 3 0 0 °C，藉由進行2 4〜4 8小時的熱處理，能夠使 K F 1 0中的吸附水和結晶水，解吸出來。 進行K F的熱重量法（Thermogravimetry，以下稱爲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） I---Γ--.---^^裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 12- 593774 A7 B7 五、發明説明（9) T G )、微差熱分析法（Differential Thermal Analysis，以 下稱爲DTA)的結果，觀察到43 · 4°C、64 . 4 °C、9 0 · 8 °C及1 5 1 . 6 °C的吸熱高峰。其中， 4 3 . 4 °C、6 4 . 4 °C、9 0 . 8 °C處的吸熱高峰係由 於吸附水’而1 5 1 · 6 t的吸熱高峰則是由於結晶水的 解吸所造成。作爲原料的K F的吸附水，被認爲會根據前 述的反應式（1 )所示的反應，而容易地被分解。但是， 對應出現在D T A的1 5 1 · 6 °C的吸熱高峰之結晶水， 由於與K F之間的相互作用強、電解浴中主要成份的H F 由於氫結合而形成網目結構，所以此結晶水若微量，被認 爲難以擴散、排除。因此，如前所述，利用將K F在超高 純度非活性氣體的淸除（purge)下，再度加熱至2 5 0〜 3 00 °C，預先進行24〜48小時，理想爲10〜30 小時的熱處理，可以使結晶水解吸。 然後，冷卻至室溫，關閉閥2 a之後，打開閥4 b和 閥3 a。此時，預先利用管線加熱器1 5，將高純度非活 性氣體用配管4，加熱至3 0〜3 5 t。而且，藉由加熱 器1 4，加熱H F鋼瓶1 1，使H F氣體化，一旦打開閥 5 a，H F緩慢地被導入調製系統Α的K F 1 0中。此 時，K F 1 0和H F的反應激烈而發熱，使水流過冷卻水 用管8來冷卻KF · 2HF調製裝置7，防止溫度超過 1 0 0°C。這是由於一旦溫度超過1 0 0°C而到達2 0 0 t時，則H F產生激烈的突沸而呈現出爆發似的狀態。 如此地將H F持續導入調製系統Α中，相對於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公楚） I--^--；---裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -13- 593774 Α7 Β7 五、發明説明（10 K F 1 0的H F，能夠提高H F的供給速度，使得比 K F · H F的莫耳比高。而且，藉由H F供給系統Β的測 力器1 2，確認規定量的H F被供應給調製系統Α中之 後，關閉閥5 a同時打開閥4 a，使高純度非活性氣體從 配管1導入，而從非活性氣體淸除用配管3排氣。這是爲 了要防止配管1中的H F，被急劇地吸收在由K F 1 0所 調製成KF·2HF的KF.2HF中，所導致的KF· 2 H F逆流固化在配管1中的情況發生。 而且，在適當時間利用非活性氣體將調製系統Α淸除 之後，關閉閥4 b。接著，從非活性氣體淸除用配管3供 給非活性氣體。與此同時，打開閥1 8和閥1 9。調製系 統A，利用從非活性氣體淸除用配管3所導入的非活性氣 體的壓力，將調製成的KF · 2HF，從配管1送至氟氣 產生系統C的電解槽2 0內。此時，電解槽2 0預先以 2 5 0〜3 5 0 °C進行熱處理，使吸附水等解吸 (desorption ) 〇 如此，在本發明的氟氣產生裝置中，能夠使水分吸附 量少的高純度K F · 2 H F，不會與空氣接觸而供給至氟 氣產生裝置的電解槽內，能夠在電解槽中形成高純度的電 解浴K F · 2 H F。藉由此手段，電解浴的氧濃度降低至 極低程度。 又，也可以做成將調製系統A、H F供給系統Β及氟 氣產生系統C的各個系統，收容在可以控制氣氛的框體 內。藉由此手段，能夠調整各系統的外部氣氛的溼度，且 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） I---^--*：----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 14- 593774 A7 ___B7___ •五、發明説明（11) 能夠抑制混入各系統內的氧。又，也能夠將各系統全體也 就是氟氣產生裝置G，收容在一個框體內。再者，利用將 這些系統全部設置在潔淨室內，能夠得到與收容在可以控 制氣氛的框體內相同的效果。如此，藉由抑制氧混入各系 統內，可以更加確實地減少所產生的氟氣中的氧濃度。 再者，關於本發明的氟氣產生裝置及氟氣產生方法， 並不被限定於上述實施形態的例子中。 (實施例） 以下，根據實施例，具體地說明關於本發明的氟氣產 生裝置。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一裝·
、1T (實施例1 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1圖所示的氟氣產生裝置G，預先藉由加熱器9將 調製系統A以2 5 0〜3 0 0 °C進行熱處理之後，將K F 10裝塡入容器7a內，以純度99.9999%的高純 度N 2氣體的淸除（purge)下，再度加熱至250〜300 °C，保持2 4〜4 8小時，使K F 1 0乾燥。然後，冷卻 至室溫，將H F導入調製系統a的κ F 1 〇中。此時，使 水流過冷卻水用管8來冷卻K F · 2 H F調製裝置7，使 溫度爲1 0 0 °C以下。而且，藉由H F供給系統Β的測力 器1 2 ’確認已經供給規定量的H F至調製系統Α之後， 利用高純度N 2氣體，以適當時間淸除調製系統a內之後， 供給高純度N 2氣體，利用其氣體壓力，將所調製的κ F · 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -15- 593774 A7 __B7 五、發明説明（ 2 H F從配管1送出至氟氣產生系統C的電解槽2 0內， 建立浴量7 <的電解浴。而且，在氟氣產生系統C中，陽 • 極使用碳電極、陰極使用N i電極，以1 〇 A/dm2的施加 電流密度，進行定電流電解。而且，在大約1 〇 〇 Ahr的 通電量的時點，利用氣相色譜儀（gas chromatography)，測 量所產生氟氣中的〇2量的結果，約爲6 5 0 p pm。 (實施例2 ) 使用與實施例1同樣的K F · 2 H F作爲電解浴，在 氟氣產生系統C中，陽極使用碳電極、陰極使用N i電 極，以1 5 A/dm2的施加電流密度，進行定電流電解。而 且，在大約1 0 0 Ahr*的通電量的時點，利用氣相色譜 '儀，測量所產生氟氣中的0 2量的結果，約爲4 5 0 ρ p m 〇 (實施例3 ) 使用與實施例1同樣的K F · 2 H F作爲電解浴，在 氟氣產生系統C中，陽極使用碳電極、陰極使用N i電 極，以2 A/dm2的施加電流密度，進行定電流電解。而 且，在大約1 0 0 Ahr的通電量的時點，利用氣相色譜 儀，測量所產生氟氣中的0 2量的結果，約爲9 5 0 p p m 〇 (實施例4 ) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -16- 593774 A7 _ B7 五、發明説明（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 使用與實施例1同樣的K F · 2 H F作爲電解浴，將 氟氣產生系統C收容在水分控制手段也就是框體內，將框 體內部的溼度控制在4 0 %，陽極使用碳電極、陰極使用 N i電極，以2 0 A/dm2的施加電流密度，進行定電流電 解。而且，在大約1 0 0 Ahr*的通電量的時點，利用氣相 色譜儀，測量所產生氟氣中的◦ 2量的結果，約爲7 0 p p m 〇 (比較例1 ) 使用以習知的方法所調製的K F · 2 H F作爲電解 浴，在氟氣產生系統C中，陽極使用碳電極、陰極使用 N i電極，以1 〇 A/dm2的施加電流密度，進行定電流電 解。而且，在大約1 0 0 Ahr的通電量的時點，利用氣相 色譜儀，測量所產生氟氣中的〇 2量的結果，約爲 30000ppm〇 (比較例2 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 使用以習知的方法所調製的K F · 2 H F作爲電解 浴，在氟氣產生系統C中，陽極使用碳電極、陰極使用 N i電極，以1 5 A/dm2的施加電流密度，進行定電流電 解。而且，在大約1 0 0 Ahr的通電量的時點，利用氣相 色譜儀，測量所產生氟氣中的〇 2量的結果，約爲 25 000ppm〇 +紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 593774 Α7 Β7 •五、發明説明（ι4 (比較例3 ) 使用與實施例1同樣的K F · 2 H F作爲電解浴，在 氟氣產生系統C中，陽極使用碳電極、陰極使用N i電 極，以1 A/dm2的施加電流密度，進行定電流電解。而 且，在大約1 0 0 Ahr的通電量的時點，利用氣相色譜 儀，測量所產生氟氣中的〇 2量的結果，約爲2 1 0 〇 〇 P P m 〇 在第2圖中，表示前述實施例1與比較例1、3的情 況的通電量、及氟氣中的〇2量的關係。 * 如第2圖所示，可知將K F乾燥使水分解吸（去吸 附）之後，將調製成K F · 2 H F使用在電解浴中的實施 例1，從氟氣產生初期開始，氟氣中的氧量少。 【產業上的利用可能性】 本發明，如以上的構成，藉由使用將K F乾燥，使表 面的吸附水和結晶水等解吸之後所調製成的K F · 2 H F，可以從氟氣產生的初期，便能夠安定地產生所含 的氧濃度非常低的氟氣。 【圖面的簡單說明】 第1圖係關於本發明的氟氣產生裝置的模式圖。 第2圖係表示實施例1及比較例1、3的情況的通電 量、與氟氣中的氧量之間的關係的圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -I ~r-I·---^^裝 11 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -18- 593774 A7 B7 五、發明説明（ 【符號說明】 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A :調製系統 B : H F供給系統 C :氟氣產生系統 D :真空排氣系統 G :氟氣產生裝置 1 : H F供給兼K F · 2 H F送出配管 2 :真空配管 2 a :真空配管閥 3 :非活性氣體淸除用配管 3a、4a、4b、5a、18、19:閥 4 :高純度非活性氣體用配管 • 5:HF送出用配管 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7:KF.2HF調製裝置 8 :冷卻水用管 9、1 4、3 1 :加熱器 1 1 : H F鋼瓶 1 2 :測力器 1 3 :框體 15:管線加熱器 1 6 :分子篩 1 7 :真空泵 ' 2 0 :電解槽 2 2 :陽極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -19- 593774 A7 B7 五、發明説明（ 2 3 :陰極 2 4 :電解浴 2 5 :氟氣的排出口 2 6 :氫氣的排出口 2 7 :隔壁 2 8 :陽極室 2 9 :陰極室 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -20-