JP2003081614A - 高純度フッ素ガスおよびその製造方法並びにその用途 - Google Patents
高純度フッ素ガスおよびその製造方法並びにその用途Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エキシマレーザ用ガスとして使用することが
できる高純度フッ素ガスの製造方法、それによって得ら
れる高純度フッ素ガスおよび高純度フルオロニッケル化
合物、および高純度フッ素ガスの用途を提供する。 【解決手段】 容器に充填したフルオロニッケル化合物
を加熱してフッ素ガスを放出する工程（１）と、フッ素
ガスを放出したフルオロニッケル化合物に、フッ素ガス
を吸蔵する工程（２）を含み、工程（１）において高純
度フッ素ガスを得る高純度フッ素ガスの製造方法であっ
て、容器に充填したフルオロニッケル化合物を２５０〜
６００℃に加熱し、かつ該容器内の圧力を０．０１ＭＰ
ａ（絶対圧）以下に減圧する工程（３）とフッ素ガスを
吸蔵する工程（２）を少なくとも１回以上行った後、工
程（１）において高純度フッ素ガスを得る製造方法。
できる高純度フッ素ガスの製造方法、それによって得ら
れる高純度フッ素ガスおよび高純度フルオロニッケル化
合物、および高純度フッ素ガスの用途を提供する。 【解決手段】 容器に充填したフルオロニッケル化合物
を加熱してフッ素ガスを放出する工程（１）と、フッ素
ガスを放出したフルオロニッケル化合物に、フッ素ガス
を吸蔵する工程（２）を含み、工程（１）において高純
度フッ素ガスを得る高純度フッ素ガスの製造方法であっ
て、容器に充填したフルオロニッケル化合物を２５０〜
６００℃に加熱し、かつ該容器内の圧力を０．０１ＭＰ
ａ（絶対圧）以下に減圧する工程（３）とフッ素ガスを
吸蔵する工程（２）を少なくとも１回以上行った後、工
程（１）において高純度フッ素ガスを得る製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高純度フッ素ガスの
製造方法、それによって得られる高純度フッ素ガスおよ
び高純度フルオロニッケル化合物、および高純度フッ素
ガスの用途に関する。
製造方法、それによって得られる高純度フッ素ガスおよ
び高純度フルオロニッケル化合物、および高純度フッ素
ガスの用途に関する。
【０００２】
【従来の技術】フッ素ガスは強い酸化性をもつ支燃性ガ
スであり、また毒性と腐食性も強いため、日本において
は、特別な場合を除き、商業ベースではほとんど流通し
ていない。特表平５−５０２９８１号公報には、フッ素
(ハロゲン)を固体に吸蔵させた形状で保存し、フッ素を
使用する際にその固体を収めた容器を加熱して、フッ素
(ハロゲン)を発生するハロゲン発生器が記載されてい
る。また、同公報には、フッ素を吸蔵する物質としてＫ
3ＮｉＦ7用いた場合には、９９．７％の純度のフッ素が
継続的に供給できることが記載されている。一般的な用
途には９９．７％程度の純度のフッ素ガスを用いること
ができるが、例えば半導体製造分野においては９９．７
％以上の高純度のフッ素ガスが求められている。
スであり、また毒性と腐食性も強いため、日本において
は、特別な場合を除き、商業ベースではほとんど流通し
ていない。特表平５−５０２９８１号公報には、フッ素
(ハロゲン)を固体に吸蔵させた形状で保存し、フッ素を
使用する際にその固体を収めた容器を加熱して、フッ素
(ハロゲン)を発生するハロゲン発生器が記載されてい
る。また、同公報には、フッ素を吸蔵する物質としてＫ
3ＮｉＦ7用いた場合には、９９．７％の純度のフッ素が
継続的に供給できることが記載されている。一般的な用
途には９９．７％程度の純度のフッ素ガスを用いること
ができるが、例えば半導体製造分野においては９９．７
％以上の高純度のフッ素ガスが求められている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような背
景の下になされたものであって、本発明は、例えばエキ
シマレーザ用ガスとして使用することができる高純度フ
ッ素ガスの製造方法、それによって得られる高純度フッ
素ガスおよび高純度フルオロニッケル化合物、および高
純度フッ素ガスの用途を提供することを課題とする。
景の下になされたものであって、本発明は、例えばエキ
シマレーザ用ガスとして使用することができる高純度フ
ッ素ガスの製造方法、それによって得られる高純度フッ
素ガスおよび高純度フルオロニッケル化合物、および高
純度フッ素ガスの用途を提供することを課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記の課
題を解決すべく鋭意検討した結果、容器に充填したフル
オロニッケル化合物を加熱してフッ素ガスを放出する工
程（１）と、工程（１）を経たフルオロニッケル化合物
に、フッ素ガスを吸蔵する工程（２）を含み、工程
（１）において高純度フッ素ガスを得る高純度フッ素ガ
スの製造方法であって、容器に充填したフルオロニッケ
ル化合物を２５０〜６００℃に加熱し、かつ該容器内の
圧力を０．０１ＭＰａ（絶対圧）以下に減圧する工程
（３）とフッ素ガスを吸蔵する工程（２）を少なくとも
１回以上行った後、工程（１）において高純度フッ素ガ
スを得る製造方法を用いれば前記の課題を解決できるこ
とを見いだし、本発明を完成するに至った。本発明は以
下の〔１〕〜〔１６〕に示される高純度フッ素ガスの製
造方法、高純度フッ素ガスおよび高純度フルオロニッケ
ル化合物、並びに高純度フッ素ガスの用途に関する。
題を解決すべく鋭意検討した結果、容器に充填したフル
オロニッケル化合物を加熱してフッ素ガスを放出する工
程（１）と、工程（１）を経たフルオロニッケル化合物
に、フッ素ガスを吸蔵する工程（２）を含み、工程
（１）において高純度フッ素ガスを得る高純度フッ素ガ
スの製造方法であって、容器に充填したフルオロニッケ
ル化合物を２５０〜６００℃に加熱し、かつ該容器内の
圧力を０．０１ＭＰａ（絶対圧）以下に減圧する工程
（３）とフッ素ガスを吸蔵する工程（２）を少なくとも
１回以上行った後、工程（１）において高純度フッ素ガ
スを得る製造方法を用いれば前記の課題を解決できるこ
とを見いだし、本発明を完成するに至った。本発明は以
下の〔１〕〜〔１６〕に示される高純度フッ素ガスの製
造方法、高純度フッ素ガスおよび高純度フルオロニッケ
ル化合物、並びに高純度フッ素ガスの用途に関する。
【０００５】〔１〕容器に充填したフルオロニッケル化
合物を加熱してフッ素ガスを放出する工程（１）と、工
程（１）を経たフルオロニッケル化合物に、フッ素ガス
を吸蔵する工程（２）を含み、工程（１）において高純
度フッ素ガスを得る高純度フッ素ガスの製造方法であっ
て、容器に充填したフルオロニッケル化合物を２５０〜
６００℃に加熱し、かつ該容器内の圧力を０．０１ＭＰ
ａ（絶対圧）以下に減圧する工程（３）とフッ素ガスを
吸蔵する工程（２）を少なくとも１回以上行った後、工
程（１）において高純度フッ素ガスを得ることを特徴と
する高純度フッ素ガスの製造方法。 〔２〕容器に充填したフルオロニッケル化合物の温度を
２５０℃未満とし、かつ該容器内の圧力を０．０１ＭＰ
ａ（絶対圧）以下に減圧する工程（４）を含む上記
〔１〕に記載の高純度フッ素ガスの製造方法。 〔３〕容器に充填したフルオロニッケル化合物が、Ｋ3
ＮｉＦ5、Ｋ3ＮｉＦ6およびＫ3ＮｉＦ7からなる群から
選ばれる少なくとも１種または２種以上の混合物である
上記〔１〕または〔２〕に記載の高純度フッ素ガスの製
造方法。 〔４〕工程（１）を経たフルオロニッケル化合物が、Ｋ
3ＮｉＦ5、Ｋ3ＮｉＦ6およびＫ3ＮｉＦ7からなる群から
選ばれる少なくとも１種または２種以上の混合物である
上記〔１〕に記載の高純度フッ素ガスの製造方法。 〔５〕工程（２）において、フルオロニッケル化合物に
吸蔵するフッ素ガス中に含まれるフッ化水素の含有量が
５００ｖｏｌｐｐｍ以下である上記〔１〕〜〔４〕のい
ずれかに記載の高純度フッ素ガスの製造方法。
合物を加熱してフッ素ガスを放出する工程（１）と、工
程（１）を経たフルオロニッケル化合物に、フッ素ガス
を吸蔵する工程（２）を含み、工程（１）において高純
度フッ素ガスを得る高純度フッ素ガスの製造方法であっ
て、容器に充填したフルオロニッケル化合物を２５０〜
６００℃に加熱し、かつ該容器内の圧力を０．０１ＭＰ
ａ（絶対圧）以下に減圧する工程（３）とフッ素ガスを
吸蔵する工程（２）を少なくとも１回以上行った後、工
程（１）において高純度フッ素ガスを得ることを特徴と
する高純度フッ素ガスの製造方法。 〔２〕容器に充填したフルオロニッケル化合物の温度を
２５０℃未満とし、かつ該容器内の圧力を０．０１ＭＰ
ａ（絶対圧）以下に減圧する工程（４）を含む上記
〔１〕に記載の高純度フッ素ガスの製造方法。 〔３〕容器に充填したフルオロニッケル化合物が、Ｋ3
ＮｉＦ5、Ｋ3ＮｉＦ6およびＫ3ＮｉＦ7からなる群から
選ばれる少なくとも１種または２種以上の混合物である
上記〔１〕または〔２〕に記載の高純度フッ素ガスの製
造方法。 〔４〕工程（１）を経たフルオロニッケル化合物が、Ｋ
3ＮｉＦ5、Ｋ3ＮｉＦ6およびＫ3ＮｉＦ7からなる群から
選ばれる少なくとも１種または２種以上の混合物である
上記〔１〕に記載の高純度フッ素ガスの製造方法。 〔５〕工程（２）において、フルオロニッケル化合物に
吸蔵するフッ素ガス中に含まれるフッ化水素の含有量が
５００ｖｏｌｐｐｍ以下である上記〔１〕〜〔４〕のい
ずれかに記載の高純度フッ素ガスの製造方法。
【０００６】〔６〕容器に充填したフルオロニッケル化
合物を加熱してフッ素ガスを放出する工程（１）と、工
程（１）を経たフルオロニッケル化合物にフッ素ガスを
吸蔵する工程（２）を行った後、工程（１）において得
られる高純度フッ素ガスであって、容器に充填したフル
オロニッケル化合物を２５０〜６００℃に加熱し、かつ
該容器内の圧力を０．０１ＭＰａ（絶対圧）以下に減圧
する工程（３）とフッ化水素の含有量が５００ｖｏｌｐ
ｐｍ以下に低減されたフッ素ガスを吸蔵する工程を少な
くとも１回以上行った後、工程（１）において得ること
ができる高純度フッ素ガス。 〔７〕容器に充填したフルオロニッケル化合物を加熱し
てフッ素ガスを放出する工程（１）と、工程（１）を経
たフルオロニッケル化合物にフッ素ガスを吸蔵する工程
（２）を行った後、工程（１）において得られる高純度
フッ素ガスであって、フルオロニッケル化合物を充填し
た容器内を２５０℃未満の温度で０．０１ＭＰａ（絶対
圧）以下に減圧する工程（４）と、容器に充填したフル
オロニッケル化合物を２５０〜６００℃に加熱し、かつ
該容器内の圧力を０．０１ＭＰａ（絶対圧）以下に減圧
する工程（３）と、フッ化水素の含有量が５００ｖｏｌ
ｐｐｍ以下に低減されたフッ素ガスを吸蔵する工程とを
少なくとも１回以上行った後、工程（１）において得る
ことができる高純度フッ素ガス。 〔８〕容器に充填したフルオロニッケル化合物が、Ｋ3
ＮｉＦ5、Ｋ3ＮｉＦ6およびＫ3ＮｉＦ7からなる群から
選ばれる少なくとも１種または２種以上の混合物である
上記〔６〕または〔７〕に記載の高純度フッ素ガス。
合物を加熱してフッ素ガスを放出する工程（１）と、工
程（１）を経たフルオロニッケル化合物にフッ素ガスを
吸蔵する工程（２）を行った後、工程（１）において得
られる高純度フッ素ガスであって、容器に充填したフル
オロニッケル化合物を２５０〜６００℃に加熱し、かつ
該容器内の圧力を０．０１ＭＰａ（絶対圧）以下に減圧
する工程（３）とフッ化水素の含有量が５００ｖｏｌｐ
ｐｍ以下に低減されたフッ素ガスを吸蔵する工程を少な
くとも１回以上行った後、工程（１）において得ること
ができる高純度フッ素ガス。 〔７〕容器に充填したフルオロニッケル化合物を加熱し
てフッ素ガスを放出する工程（１）と、工程（１）を経
たフルオロニッケル化合物にフッ素ガスを吸蔵する工程
（２）を行った後、工程（１）において得られる高純度
フッ素ガスであって、フルオロニッケル化合物を充填し
た容器内を２５０℃未満の温度で０．０１ＭＰａ（絶対
圧）以下に減圧する工程（４）と、容器に充填したフル
オロニッケル化合物を２５０〜６００℃に加熱し、かつ
該容器内の圧力を０．０１ＭＰａ（絶対圧）以下に減圧
する工程（３）と、フッ化水素の含有量が５００ｖｏｌ
ｐｐｍ以下に低減されたフッ素ガスを吸蔵する工程とを
少なくとも１回以上行った後、工程（１）において得る
ことができる高純度フッ素ガス。 〔８〕容器に充填したフルオロニッケル化合物が、Ｋ3
ＮｉＦ5、Ｋ3ＮｉＦ6およびＫ3ＮｉＦ7からなる群から
選ばれる少なくとも１種または２種以上の混合物である
上記〔６〕または〔７〕に記載の高純度フッ素ガス。
〔９〕工程（１）を経たフルオロニッケル化合物が、Ｋ
3ＮｉＦ5、Ｋ3ＮｉＦ6およびＫ3ＮｉＦ7からなる群から
選ばれる少なくとも１種または２種以上の混合物である
上記〔６〕または〔７〕に記載の高純度フッ素ガス。
3ＮｉＦ5、Ｋ3ＮｉＦ6およびＫ3ＮｉＦ7からなる群から
選ばれる少なくとも１種または２種以上の混合物である
上記〔６〕または〔７〕に記載の高純度フッ素ガス。
【０００７】〔１０〕純度が９９．９ｖｏｌ％以上であ
る上記〔６〕〜
る上記〔６〕〜
〔９〕のいずれかに記載の高純度フッ素
ガス。 〔１１〕純度が９９．９９ｖｏｌ％以上である上記
〔６〕〜
ガス。 〔１１〕純度が９９．９９ｖｏｌ％以上である上記
〔６〕〜
〔９〕のいずれかに記載の高純度フッ素ガス。
〔１２〕酸素ガスの含有量が１０ｖｏｌｐｐｍ以下であ
る上記〔６〕〜〔１１〕のいずれかに記載の高純度フッ
素ガス。 〔１３〕二酸化炭素ガスの含有量が１０ｖｏｌｐｐｍ以
下である上記〔６〕〜〔１２〕のいずれかに記載の高純
度フッ素ガス。 〔１４〕上記〔６〕〜〔１３〕のいずれかに記載の高純
度フッ素ガスを含有することを特徴とするエキシマレー
ザ用ガス。 〔１５〕フッ素ガスの吸蔵と放出を繰り返し行うことが
でき、高純度フッ素ガスを放出する高純度フルオロニッ
ケル化合物であって、フルオロニッケル化合物を充填し
た容器内を２５０℃未満の温度で０．０１ＭＰａ（絶対
圧）以下に減圧する工程（４）と、容器に充填したフル
オロニッケル化合物を２５０〜６００℃に加熱し、かつ
該容器内の圧力を０．０１ＭＰａ（絶対圧）以下に減圧
する工程（３）と、フッ化水素の含有量が５００ｖｏｌ
ｐｐｍ以下に低減されたフッ素ガスを吸蔵する工程とを
少なくとも１回以上行うことにより得ることができる高
純度フルオロニッケル化合物。 〔１６〕フルオロニッケル化合物が、Ｋ3ＮｉＦ5、Ｋ3
ＮｉＦ6およびＫ3ＮｉＦ7からなる群から選ばれる少な
くとも１種または２種以上の混合物である上記〔１５〕
に記載の高純度フルオロニッケル化合物。
る上記〔６〕〜〔１１〕のいずれかに記載の高純度フッ
素ガス。 〔１３〕二酸化炭素ガスの含有量が１０ｖｏｌｐｐｍ以
下である上記〔６〕〜〔１２〕のいずれかに記載の高純
度フッ素ガス。 〔１４〕上記〔６〕〜〔１３〕のいずれかに記載の高純
度フッ素ガスを含有することを特徴とするエキシマレー
ザ用ガス。 〔１５〕フッ素ガスの吸蔵と放出を繰り返し行うことが
でき、高純度フッ素ガスを放出する高純度フルオロニッ
ケル化合物であって、フルオロニッケル化合物を充填し
た容器内を２５０℃未満の温度で０．０１ＭＰａ（絶対
圧）以下に減圧する工程（４）と、容器に充填したフル
オロニッケル化合物を２５０〜６００℃に加熱し、かつ
該容器内の圧力を０．０１ＭＰａ（絶対圧）以下に減圧
する工程（３）と、フッ化水素の含有量が５００ｖｏｌ
ｐｐｍ以下に低減されたフッ素ガスを吸蔵する工程とを
少なくとも１回以上行うことにより得ることができる高
純度フルオロニッケル化合物。 〔１６〕フルオロニッケル化合物が、Ｋ3ＮｉＦ5、Ｋ3
ＮｉＦ6およびＫ3ＮｉＦ7からなる群から選ばれる少な
くとも１種または２種以上の混合物である上記〔１５〕
に記載の高純度フルオロニッケル化合物。
【０００８】
【発明の実施の形態】フッ素ガスに含まれる主な不純物
ガスとしては、ＨＦ、Ｏ2、Ｎ2、ＣＯ2、ＣＦ4、ＳｉＦ
4等のガスが挙げられる。これらの不純物ガスのうち、
ＨＦはＮａＦを用いることにより比較的簡単に除去する
ことができる。ＣＦ4およびＳｉＦ4の濃度は比較的低
く、品質上問題となる場合は少ない。また、Ｎ2につい
ては不活性ガスであるため、ほとんどの場合許容できる
範囲内にある。上記の不純物ガスのうち、除去しにく
く、しかもその濃度が低いことが要求される不純分成分
は、Ｏ2ガスとＣＯ2ガスである。
ガスとしては、ＨＦ、Ｏ2、Ｎ2、ＣＯ2、ＣＦ4、ＳｉＦ
4等のガスが挙げられる。これらの不純物ガスのうち、
ＨＦはＮａＦを用いることにより比較的簡単に除去する
ことができる。ＣＦ4およびＳｉＦ4の濃度は比較的低
く、品質上問題となる場合は少ない。また、Ｎ2につい
ては不活性ガスであるため、ほとんどの場合許容できる
範囲内にある。上記の不純物ガスのうち、除去しにく
く、しかもその濃度が低いことが要求される不純分成分
は、Ｏ2ガスとＣＯ2ガスである。
【０００９】例えば、フッ素ガス雰囲気中で岩石にレー
ザーを照射し、その中に含まれる酸素量を定量するため
には、フッ素ガス中の酸素ガス濃度を極力小さくするこ
とが要求される。また、エキシマレーザーによる半導体
製造用の露光装置のフッ化物レンズ製造工程において、
酸素ガスを含んでいる場合には透過率が低下するため、
使用するフッ素ガスは酸素ガス濃度の低いものが求めら
れている。さらにフッ素ガスを用いたエキシマレーザー
の発光のためにも、レーザーチャンバーに充填・補給す
るフッ素ガスは酸素ガス濃度をはじめ、不純分ガスの含
有量が少ないフッ素ガスが必須となっている。
ザーを照射し、その中に含まれる酸素量を定量するため
には、フッ素ガス中の酸素ガス濃度を極力小さくするこ
とが要求される。また、エキシマレーザーによる半導体
製造用の露光装置のフッ化物レンズ製造工程において、
酸素ガスを含んでいる場合には透過率が低下するため、
使用するフッ素ガスは酸素ガス濃度の低いものが求めら
れている。さらにフッ素ガスを用いたエキシマレーザー
の発光のためにも、レーザーチャンバーに充填・補給す
るフッ素ガスは酸素ガス濃度をはじめ、不純分ガスの含
有量が少ないフッ素ガスが必須となっている。
【００１０】以下、本発明について詳しく説明する。本
発明の製造方法を用いて得られる高純度フッ素ガスは、
純度が９９．７％以上のフッ素ガスを意味する。本発明
の高純度フッ素ガスの製造方法は、容器に充填したフル
オロニッケル化合物を加熱してフッ素ガスを放出する工
程（１）と、工程（１）を経たフルオロニッケル化合物
に、フッ素ガスを吸蔵する工程（２）を含み、工程
（１）において高純度フッ素ガスを得る高純度フッ素ガ
スの製造方法であって、容器に充填したフルオロニッケ
ル化合物を２５０〜６００℃に加熱し、かつ該容器内の
圧力を０．０１ＭＰａ（絶対圧）以下に減圧する工程
（３）とフッ素ガスを吸蔵する工程（２）を少なくとも
１回以上行った後、工程（１）において高純度フッ素ガ
スを得ることを特徴とする。
発明の製造方法を用いて得られる高純度フッ素ガスは、
純度が９９．７％以上のフッ素ガスを意味する。本発明
の高純度フッ素ガスの製造方法は、容器に充填したフル
オロニッケル化合物を加熱してフッ素ガスを放出する工
程（１）と、工程（１）を経たフルオロニッケル化合物
に、フッ素ガスを吸蔵する工程（２）を含み、工程
（１）において高純度フッ素ガスを得る高純度フッ素ガ
スの製造方法であって、容器に充填したフルオロニッケ
ル化合物を２５０〜６００℃に加熱し、かつ該容器内の
圧力を０．０１ＭＰａ（絶対圧）以下に減圧する工程
（３）とフッ素ガスを吸蔵する工程（２）を少なくとも
１回以上行った後、工程（１）において高純度フッ素ガ
スを得ることを特徴とする。
【００１１】本発明の製造方法は、容器に充填したフル
オロニッケル化合物を加熱してフッ素ガスを放出する工
程（１）と容器に充填したフルオロニッケル化合物にフ
ッ素ガスを吸蔵する工程（２）とを実施した後に、工程
（１）において高純度フッ素ガスを得ることを含む高純
度フッ素ガスの製造方法であって、前記工程（１）およ
び工程（２）と、さらに容器に充填したフルオロニッケ
ル化合物を２５０〜６００℃に加熱し、かつ前記容器内
の圧力を０．０１ＭＰａ（絶対圧）以下に減圧する工程
（３）とを、それぞれ、少なくとも１回実施し、その後
工程（１）において高純度フッ素ガスを得ることを含む
方法であることが好ましい。
オロニッケル化合物を加熱してフッ素ガスを放出する工
程（１）と容器に充填したフルオロニッケル化合物にフ
ッ素ガスを吸蔵する工程（２）とを実施した後に、工程
（１）において高純度フッ素ガスを得ることを含む高純
度フッ素ガスの製造方法であって、前記工程（１）およ
び工程（２）と、さらに容器に充填したフルオロニッケ
ル化合物を２５０〜６００℃に加熱し、かつ前記容器内
の圧力を０．０１ＭＰａ（絶対圧）以下に減圧する工程
（３）とを、それぞれ、少なくとも１回実施し、その後
工程（１）において高純度フッ素ガスを得ることを含む
方法であることが好ましい。
【００１２】ここで、フッ素ガスの吸蔵とはフッ素ガス
が金属との錯体化合物などを形成し、反応によりフッ素
化合物の状態に至る現象を意味する。フルオロニッケル
化合物がフッ素ガスを吸蔵する場合の化学的変化を、例
えば、Ｋ3ＮｉＦ6について反応式で表せば次式のように
なる。 ２Ｋ3ＮｉＦ6 ＋ Ｆ2 → ２Ｋ3ＮｉＦ7 また、フッ素ガスの放出とは、吸蔵とは逆の反応により
フッ素ガスを放出する現象を意味し、フルオロニッケル
化合物がフッ素ガスを放出する場合の化学的変化を、例
えば、Ｋ3ＮｉＦ7について反応式で表せば次式のように
なる。 ２Ｋ3ＮｉＦ7 → ２Ｋ3ＮｉＦ6 ＋ Ｆ2 また、フッ素ガス中に含まれる不純物ガスが、例えばフ
ルオロニッケル化合物に吸着する場合には、物質の表面
に結合力の弱い、主に分子間力で引きつけられた物理吸
着の状態を示し、本明細書においては、不純物ガスは
「吸着」と「放散」ということばを用いてその動向を表
す。
が金属との錯体化合物などを形成し、反応によりフッ素
化合物の状態に至る現象を意味する。フルオロニッケル
化合物がフッ素ガスを吸蔵する場合の化学的変化を、例
えば、Ｋ3ＮｉＦ6について反応式で表せば次式のように
なる。 ２Ｋ3ＮｉＦ6 ＋ Ｆ2 → ２Ｋ3ＮｉＦ7 また、フッ素ガスの放出とは、吸蔵とは逆の反応により
フッ素ガスを放出する現象を意味し、フルオロニッケル
化合物がフッ素ガスを放出する場合の化学的変化を、例
えば、Ｋ3ＮｉＦ7について反応式で表せば次式のように
なる。 ２Ｋ3ＮｉＦ7 → ２Ｋ3ＮｉＦ6 ＋ Ｆ2 また、フッ素ガス中に含まれる不純物ガスが、例えばフ
ルオロニッケル化合物に吸着する場合には、物質の表面
に結合力の弱い、主に分子間力で引きつけられた物理吸
着の状態を示し、本明細書においては、不純物ガスは
「吸着」と「放散」ということばを用いてその動向を表
す。
【００１３】本発明の高純度フッ素ガスの製造方法にお
いて、容器に充填したフルオロニッケル化合物を２５０
〜６００℃に加熱し、かつ該容器内の圧力を０．０１Ｍ
Ｐａ（絶対圧）以下に減圧する工程（３）は、加熱温度
が２８０〜５００℃であることが好ましく、さらに好ま
しくは３００〜４５０℃である。圧力は０．００１ＭＰ
ａ以下に減圧することが好ましい。
いて、容器に充填したフルオロニッケル化合物を２５０
〜６００℃に加熱し、かつ該容器内の圧力を０．０１Ｍ
Ｐａ（絶対圧）以下に減圧する工程（３）は、加熱温度
が２８０〜５００℃であることが好ましく、さらに好ま
しくは３００〜４５０℃である。圧力は０．００１ＭＰ
ａ以下に減圧することが好ましい。
【００１４】また、本発明の高純度フッ素ガスの製造方
法は、容器に充填したフルオロニッケル化合物を２５０
℃未満とし、かつ該容器内の圧力を０．０１ＭＰａ（絶
対圧）以下に減圧する工程（４）を含むことが好まし
い。工程（４）の温度は２０℃以上２５０℃未満である
ことが好ましく、さらに好ましくは１００℃以上２５０
℃未満である。圧力は０．００１ＭＰａ以下に減圧する
ことが好ましい。
法は、容器に充填したフルオロニッケル化合物を２５０
℃未満とし、かつ該容器内の圧力を０．０１ＭＰａ（絶
対圧）以下に減圧する工程（４）を含むことが好まし
い。工程（４）の温度は２０℃以上２５０℃未満である
ことが好ましく、さらに好ましくは１００℃以上２５０
℃未満である。圧力は０．００１ＭＰａ以下に減圧する
ことが好ましい。
【００１５】工程（３）および工程（４）は、フルオロ
ニッケル化合物に予め存在する不純分をフルオロニッケ
ル化合物から放散させて除去することが主な目的であ
り、加熱する温度によってはフッ素ガスの放出と共に不
純物を放散させ、除去することができる。工程（３）お
よび工程（４）を行う時間と回数は、目的に応じて適宜
選択することができる。工程（３）は２回以上行うこと
が好ましく、３回以上行うことがさらに好ましい。ま
た、工程（３）を行う時間は加熱する温度により変化す
るが、フルオロニッケル化合物がフッ素ガスを放出しな
くなるまで行うことが好ましい。また、工程（４）は２
回以上行うことが好ましく、３回以上行うことがさらに
好ましい。
ニッケル化合物に予め存在する不純分をフルオロニッケ
ル化合物から放散させて除去することが主な目的であ
り、加熱する温度によってはフッ素ガスの放出と共に不
純物を放散させ、除去することができる。工程（３）お
よび工程（４）を行う時間と回数は、目的に応じて適宜
選択することができる。工程（３）は２回以上行うこと
が好ましく、３回以上行うことがさらに好ましい。ま
た、工程（３）を行う時間は加熱する温度により変化す
るが、フルオロニッケル化合物がフッ素ガスを放出しな
くなるまで行うことが好ましい。また、工程（４）は２
回以上行うことが好ましく、３回以上行うことがさらに
好ましい。
【００１６】容器に充填するフルオロニッケル化合物
は、Ｋ3ＮｉＦ5、Ｋ3ＮｉＦ6およびＫ 3ＮｉＦ7からなる
群から選ばれる少なくとも１種または２種以上の混合物
であることが好ましい。また、工程（１）を経てフッ素
ガスを放出したフルオロニッケル化合物は、Ｋ3Ｎｉ
Ｆ5、Ｋ3ＮｉＦ6およびＫ3ＮｉＦ7からなる群から選ば
れる少なくとも１種または２種以上の混合物であること
が好ましい。
は、Ｋ3ＮｉＦ5、Ｋ3ＮｉＦ6およびＫ 3ＮｉＦ7からなる
群から選ばれる少なくとも１種または２種以上の混合物
であることが好ましい。また、工程（１）を経てフッ素
ガスを放出したフルオロニッケル化合物は、Ｋ3Ｎｉ
Ｆ5、Ｋ3ＮｉＦ6およびＫ3ＮｉＦ7からなる群から選ば
れる少なくとも１種または２種以上の混合物であること
が好ましい。
【００１７】工程（１）は、容器に充填したフルオロニ
ッケル化合物を加熱してフッ素ガスを放出する工程であ
り、加熱温度は２５０〜６００℃であることが好まし
い。フルオロニッケル化合物を充填する容器の大きさ
は、発生するフッ素ガスの量に応じて選択することがで
きる。容器の材質としては、ニッケル、モネル、ステン
レス等の耐食性の材料を用いることが好ましく、これら
の材料の表面がフッ素ガスにより予め不動態化されてい
ることがさらに好ましい。また、金属材料の表面にニッ
ケルメッキを施した後の表面をフッ素ガスにより不動態
化してもよい。
ッケル化合物を加熱してフッ素ガスを放出する工程であ
り、加熱温度は２５０〜６００℃であることが好まし
い。フルオロニッケル化合物を充填する容器の大きさ
は、発生するフッ素ガスの量に応じて選択することがで
きる。容器の材質としては、ニッケル、モネル、ステン
レス等の耐食性の材料を用いることが好ましく、これら
の材料の表面がフッ素ガスにより予め不動態化されてい
ることがさらに好ましい。また、金属材料の表面にニッ
ケルメッキを施した後の表面をフッ素ガスにより不動態
化してもよい。
【００１８】本発明の高純度フッ素ガスの製造方法は、
フルオロニッケル化合物がフッ素ガスの吸蔵と放出を繰
り返すことにより、フルオロニッケル化合物自体に存在
する不純物を除去し、発生するフッ素ガスの純度を向上
させて行くことができる。しかし、不純物であるＨＦ
は、フッ素ガスの吸蔵と放出を繰り返しても除去できな
い場合があることから、フッ化水素の含有量が５００ｖ
ｏｌｐｐｍ以下のフッ素ガスを用いることが好ましく、
フッ化水素の含有量が１００ｖｏｌｐｐｍ以下であるこ
とがさらに好ましい。フッ素ガスは別途粗精製したフッ
素ガスを用いてもよく、放出したフッ素ガスが５００ｖ
ｏｌｐｐｍ以上のＨＦを含む場合には、このフッ素ガス
を再利用してフルオロニッケル化合物に再吸蔵させるこ
とはせず、別にＨＦなどを除去した粗精製フッ素ガスを
吸蔵させることが好ましい。
フルオロニッケル化合物がフッ素ガスの吸蔵と放出を繰
り返すことにより、フルオロニッケル化合物自体に存在
する不純物を除去し、発生するフッ素ガスの純度を向上
させて行くことができる。しかし、不純物であるＨＦ
は、フッ素ガスの吸蔵と放出を繰り返しても除去できな
い場合があることから、フッ化水素の含有量が５００ｖ
ｏｌｐｐｍ以下のフッ素ガスを用いることが好ましく、
フッ化水素の含有量が１００ｖｏｌｐｐｍ以下であるこ
とがさらに好ましい。フッ素ガスは別途粗精製したフッ
素ガスを用いてもよく、放出したフッ素ガスが５００ｖ
ｏｌｐｐｍ以上のＨＦを含む場合には、このフッ素ガス
を再利用してフルオロニッケル化合物に再吸蔵させるこ
とはせず、別にＨＦなどを除去した粗精製フッ素ガスを
吸蔵させることが好ましい。
【００１９】この操作は単純にフッ素ガス中のＨＦ濃度
を低減させる目的だけでなく、Ｏ2ガスやＣＯ2ガスをは
じめとする不純物ガスの除去を容易にすることができ
る。すなわち、ＨＦがフルオロニッケル化合物に吸着
し、フルオロニッケル化合物へのフッ素ガスの吸蔵を妨
げ、あるいはＨＦが吸着したフルオロニッケル化合物は
Ｏ2ガスやＣＯ2ガスなどの物質を取り込み易くなり、そ
れらの放散除去を困難とすると考えられる。
を低減させる目的だけでなく、Ｏ2ガスやＣＯ2ガスをは
じめとする不純物ガスの除去を容易にすることができ
る。すなわち、ＨＦがフルオロニッケル化合物に吸着
し、フルオロニッケル化合物へのフッ素ガスの吸蔵を妨
げ、あるいはＨＦが吸着したフルオロニッケル化合物は
Ｏ2ガスやＣＯ2ガスなどの物質を取り込み易くなり、そ
れらの放散除去を困難とすると考えられる。
【００２０】また、工程（２）において、フルオロニッ
ケル化合物に吸蔵するフッ素ガスは希釈されていないフ
ッ素ガスであり、フッ素ガスの圧力が０．２ＭＰａ以上
であることが好ましい。フッ素ガスの圧力は０．２〜
１．０ＭＰａであることがさらに好ましく、０．３〜
０．８ＭＰａであることが特に好ましい。フッ素ガスを
吸蔵する温度は１００〜４００℃であることが好まし
い。
ケル化合物に吸蔵するフッ素ガスは希釈されていないフ
ッ素ガスであり、フッ素ガスの圧力が０．２ＭＰａ以上
であることが好ましい。フッ素ガスの圧力は０．２〜
１．０ＭＰａであることがさらに好ましく、０．３〜
０．８ＭＰａであることが特に好ましい。フッ素ガスを
吸蔵する温度は１００〜４００℃であることが好まし
い。
【００２１】図１〜４は、本発明の高純度フッ素ガスの
製造方法の工程（２）を実施するに際して使用すること
ができる装置のいくつかの態様を示す概略図である。フ
ルオロニッケル化合物は、Ｋ3ＮｉＦ6および／またはＫ
3ＮｉＦ7であり、原料に用いるフッ素ガスの違いによ
り、図1〜４の製造装置のいずれかを選択することがで
きるが、装置の構成はこれらに限定されるものではな
い。
製造方法の工程（２）を実施するに際して使用すること
ができる装置のいくつかの態様を示す概略図である。フ
ルオロニッケル化合物は、Ｋ3ＮｉＦ6および／またはＫ
3ＮｉＦ7であり、原料に用いるフッ素ガスの違いによ
り、図1〜４の製造装置のいずれかを選択することがで
きるが、装置の構成はこれらに限定されるものではな
い。
【００２２】図１において、原料フッ素ガスは、ＫＦ・
ＨＦ等の電気分解が行われる電解槽１１０で得られ、凝
縮器１１１を用いて不純物として含まれる大部分のＨＦ
を除去したものを用いる。フルオロニッケル化合物を充
填したフッ素発生容器１は、温度制御されたヒーター２
によって外部より加熱できる。ＫＦ・ＨＦ等を電気分解
する電解槽１１０より出た、数％以上のＨＦを含むフッ
素ガスを凝縮器１１１に導入してＨＦを除去し、さらに
マスフローコントローラー９でその流量を制御して、Ｎ
ａＦを充填したＮａＦカラム８に導入し、フッ素ガス中
のＨＦ濃度を５００ｖｏｌｐｐｍ以下とする。ＨＦを低
減したフッ素ガスは一旦タンク７に蓄えられるか、ある
いは連続的にタンク７を通過して、マスフローコントロ
ーラー６でその流量を制御して、バルブＶ２、Ｖ０を経
由してフッ素発生容器１に供給する。バルブＶ１はフッ
素発生容器の付け外しの際に用いるパージ用不活性ガス
ラインのバルブであり、パージされた廃ガスやフッ素発
生容器１からの廃ガスは排気ラインのバルブＶ３、真空
ポンプ４、廃ガス処理筒５を経由して排気される。
ＨＦ等の電気分解が行われる電解槽１１０で得られ、凝
縮器１１１を用いて不純物として含まれる大部分のＨＦ
を除去したものを用いる。フルオロニッケル化合物を充
填したフッ素発生容器１は、温度制御されたヒーター２
によって外部より加熱できる。ＫＦ・ＨＦ等を電気分解
する電解槽１１０より出た、数％以上のＨＦを含むフッ
素ガスを凝縮器１１１に導入してＨＦを除去し、さらに
マスフローコントローラー９でその流量を制御して、Ｎ
ａＦを充填したＮａＦカラム８に導入し、フッ素ガス中
のＨＦ濃度を５００ｖｏｌｐｐｍ以下とする。ＨＦを低
減したフッ素ガスは一旦タンク７に蓄えられるか、ある
いは連続的にタンク７を通過して、マスフローコントロ
ーラー６でその流量を制御して、バルブＶ２、Ｖ０を経
由してフッ素発生容器１に供給する。バルブＶ１はフッ
素発生容器の付け外しの際に用いるパージ用不活性ガス
ラインのバルブであり、パージされた廃ガスやフッ素発
生容器１からの廃ガスは排気ラインのバルブＶ３、真空
ポンプ４、廃ガス処理筒５を経由して排気される。
【００２３】図２において、原料フッ素ガスは、耐圧容
器に充填された、希釈していないボンベフッ素ガス２１
０である。図1に示した方法と異なるのは原料フッ素だ
けであるが、ボンベに充填されたフッ素の場合には、１
ｖｏｌ％以上のＨＦを含まない場合が多く、図２に示し
た装置はＨＦ凝縮器を使用しない構成となっている。
器に充填された、希釈していないボンベフッ素ガス２１
０である。図1に示した方法と異なるのは原料フッ素だ
けであるが、ボンベに充填されたフッ素の場合には、１
ｖｏｌ％以上のＨＦを含まない場合が多く、図２に示し
た装置はＨＦ凝縮器を使用しない構成となっている。
【００２４】図３において、原料フッ素は、すでに高純
度のフッ素ガスを吸蔵している状態にあるフルオロニッ
ケル化合物が充填されたフッ素発生容器３１０である。
図１に示した方法と異なるのは原料フッ素だけであり、
フッ素発生容器３１０はこれを加熱する温度制御された
ヒーター３１１が付属している。また、図３に示した装
置は、図２に示した装置と同様、ＨＦ凝縮器を使用しな
い構成となっている。
度のフッ素ガスを吸蔵している状態にあるフルオロニッ
ケル化合物が充填されたフッ素発生容器３１０である。
図１に示した方法と異なるのは原料フッ素だけであり、
フッ素発生容器３１０はこれを加熱する温度制御された
ヒーター３１１が付属している。また、図３に示した装
置は、図２に示した装置と同様、ＨＦ凝縮器を使用しな
い構成となっている。
【００２５】図４は、図１〜３に示した３種類のフッ素
供給源（１１０、２１０、３１０）のいずれか１つと、
フッ素発生容器１から発生したフッ素ガスをタンク４１
２に蓄えたものを使用し、異なるフッ素供給源から得ら
れるフッ素ガスを使い分けることができる方法を表して
いる。従って、フッ素供給源４１０は、図１に示したＫ
Ｆ・ＨＦ等の電気分解によりフッ素を発生する電解槽１
１０および凝縮器１１１からなる装置とすることができ
る。また、図２に示したボンベフッ素２１０とすること
ができ、図３に示したフッ素発生容器３１０とすること
ができる。
供給源（１１０、２１０、３１０）のいずれか１つと、
フッ素発生容器１から発生したフッ素ガスをタンク４１
２に蓄えたものを使用し、異なるフッ素供給源から得ら
れるフッ素ガスを使い分けることができる方法を表して
いる。従って、フッ素供給源４１０は、図１に示したＫ
Ｆ・ＨＦ等の電気分解によりフッ素を発生する電解槽１
１０および凝縮器１１１からなる装置とすることができ
る。また、図２に示したボンベフッ素２１０とすること
ができ、図３に示したフッ素発生容器３１０とすること
ができる。
【００２６】フッ素発生容器１をヒーター２で加熱する
ことにより、フッ素ガスはバルブＶ４を通してフッ素タ
ンク４１２に一旦蓄えられる。フッ素供給源４１０から
得られるフッ素ガスとフッ素タンク４１２に蓄えられた
フッ素ガスは、バルブＶ４、Ｖ５、Ｖ６を操作すること
により使い分けることができる。すなわち、Ｖ４閉、Ｖ
５閉、Ｖ６開の場合には、フッ素供給源４１０からフッ
素を供給することができ、Ｖ４閉、Ｖ５開、Ｖ６閉の場
合にはフッ素タンク４１２からＮａＦ層を通したフッ素
ガスを供給することができ、Ｖ４開、Ｖ５閉、Ｖ６閉で
はフッ素タンク４１２からＮａＦ層を通さずに供給する
ことができる。
ことにより、フッ素ガスはバルブＶ４を通してフッ素タ
ンク４１２に一旦蓄えられる。フッ素供給源４１０から
得られるフッ素ガスとフッ素タンク４１２に蓄えられた
フッ素ガスは、バルブＶ４、Ｖ５、Ｖ６を操作すること
により使い分けることができる。すなわち、Ｖ４閉、Ｖ
５閉、Ｖ６開の場合には、フッ素供給源４１０からフッ
素を供給することができ、Ｖ４閉、Ｖ５開、Ｖ６閉の場
合にはフッ素タンク４１２からＮａＦ層を通したフッ素
ガスを供給することができ、Ｖ４開、Ｖ５閉、Ｖ６閉で
はフッ素タンク４１２からＮａＦ層を通さずに供給する
ことができる。
【００２７】なお、上記の説明では、フルオロニッケル
化合物はＫ3ＮｉＦ6および／またはＫ3ＮｉＦ7と表記し
たが、Ｋ3ＮｉＦ7はフッ素を吸蔵した状態を示し、Ｋ3
ＮｉＦ6はフッ素を放出した状態を示す。但し、それぞ
れの状態は厳密にすべてがＫ3ＮｉＦ6単体、Ｋ3ＮｉＦ7
単体の状態ではなく、Ｋ3ＮｉＦ6とＫ3ＮｉＦ7の混合物
または過渡的な状態にある。例えば、フッ素を吸蔵した
状態を示すＫ3ＮｉＦ7は、５〜３０％のＫ3ＮｉＦ6を含
んでいる。
化合物はＫ3ＮｉＦ6および／またはＫ3ＮｉＦ7と表記し
たが、Ｋ3ＮｉＦ7はフッ素を吸蔵した状態を示し、Ｋ3
ＮｉＦ6はフッ素を放出した状態を示す。但し、それぞ
れの状態は厳密にすべてがＫ3ＮｉＦ6単体、Ｋ3ＮｉＦ7
単体の状態ではなく、Ｋ3ＮｉＦ6とＫ3ＮｉＦ7の混合物
または過渡的な状態にある。例えば、フッ素を吸蔵した
状態を示すＫ3ＮｉＦ7は、５〜３０％のＫ3ＮｉＦ6を含
んでいる。
【００２８】次に、本発明の高純度フッ素ガスの製造方
法について、フッ素を吸蔵したフルオロニッケル化合物
としてＫ3ＮｉＦ7を用いた例を挙げて具体的に説明す
る。 （１）フルオロニッケル化合物Ｋ3ＮｉＦ7を容器に充填
し、その充填容器を例えば１１０〜２００℃に加熱し、
０．０１ＭＰａ（絶対圧）以下に減圧し、真空乾燥す
る。フッ素共存下での水分は、ＨＦなどに変化してお
り、この操作を行うことによりＨＦ等の不純分を放散除
去することができる。尚、次の（２）の操作は（１）の
操作をより高温で行うものであるので、（１）の操作は
省略してもよい。
法について、フッ素を吸蔵したフルオロニッケル化合物
としてＫ3ＮｉＦ7を用いた例を挙げて具体的に説明す
る。 （１）フルオロニッケル化合物Ｋ3ＮｉＦ7を容器に充填
し、その充填容器を例えば１１０〜２００℃に加熱し、
０．０１ＭＰａ（絶対圧）以下に減圧し、真空乾燥す
る。フッ素共存下での水分は、ＨＦなどに変化してお
り、この操作を行うことによりＨＦ等の不純分を放散除
去することができる。尚、次の（２）の操作は（１）の
操作をより高温で行うものであるので、（１）の操作は
省略してもよい。
【００２９】（２）フルオロニッケル化合物Ｋ3ＮｉＦ7
を充填した容器を真空ポンプで連続して減圧にし、０．
０１ＭＰａ（絶対圧）以下の減圧下で外部よりヒーター
などで２５０〜６００℃に加熱してフッ素ガスを放出さ
せ、もはやこの温度でフッ素ガスが放出しない状態に至
ったことを圧力などで確認する。フッ素ガスを放出する
際に、（１）の操作で放散されず残ったＨＦをはじめと
する不純分を放散除去することができる。このとき、Ｋ
3ＮｉＦ7の大部分はフッ素ガスを放出することによりＫ
3ＮｉＦ6に変化すると考えられる。
を充填した容器を真空ポンプで連続して減圧にし、０．
０１ＭＰａ（絶対圧）以下の減圧下で外部よりヒーター
などで２５０〜６００℃に加熱してフッ素ガスを放出さ
せ、もはやこの温度でフッ素ガスが放出しない状態に至
ったことを圧力などで確認する。フッ素ガスを放出する
際に、（１）の操作で放散されず残ったＨＦをはじめと
する不純分を放散除去することができる。このとき、Ｋ
3ＮｉＦ7の大部分はフッ素ガスを放出することによりＫ
3ＮｉＦ6に変化すると考えられる。
【００３０】（３）（２）の操作で得られるＫ3ＮｉＦ6
にフッ素ガスを再吸蔵させるためのフッ素ガスを粗精製
する。これは主にＨＦを除去するためであり、例えば、
５００ｍｌ／ｍｉｎ以下の流量でフッ化ナトリウム（Ｎ
ａＦ）を充填したカラムに原料フッ素ガスを流通させる
ことによって粗精製することができる。この操作は、次
のフッ素ガスの再吸蔵操作と連続で行ってもよい。この
時に使用する原料フッ素ガスは、（２）の操作で放出し
たフッ素ガスをタンク等に一時保管したフッ素ガスや、
別のフルオロニッケル化合物Ｋ3ＮｉＦ7を充填した容器
を加熱して放出させたフッ素ガスを用いてもよい。もち
ろん、耐圧容器に充填した希釈していないフッ素ガス、
またはＫＦ・ＨＦ等の電気分解で得られたフッ素ガスを
凝縮器などで大部分のＨＦを除去して用いてもよい。
にフッ素ガスを再吸蔵させるためのフッ素ガスを粗精製
する。これは主にＨＦを除去するためであり、例えば、
５００ｍｌ／ｍｉｎ以下の流量でフッ化ナトリウム（Ｎ
ａＦ）を充填したカラムに原料フッ素ガスを流通させる
ことによって粗精製することができる。この操作は、次
のフッ素ガスの再吸蔵操作と連続で行ってもよい。この
時に使用する原料フッ素ガスは、（２）の操作で放出し
たフッ素ガスをタンク等に一時保管したフッ素ガスや、
別のフルオロニッケル化合物Ｋ3ＮｉＦ7を充填した容器
を加熱して放出させたフッ素ガスを用いてもよい。もち
ろん、耐圧容器に充填した希釈していないフッ素ガス、
またはＫＦ・ＨＦ等の電気分解で得られたフッ素ガスを
凝縮器などで大部分のＨＦを除去して用いてもよい。
【００３１】（４）フルオロニッケル化合物Ｋ3ＮｉＦ6
に再びフッ素ガスを吸蔵する。この時、用いるフッ素ガ
スは（３）で粗精製したフッ素ガスを用いるとよい。フ
ルオロニッケル化合物へフッ素ガスを吸蔵する条件とし
ては、希釈していないフッ素ガスを用い、そのフッ素ガ
スの圧力を絶対圧で０．２ＭＰａ以上とし、外部よりヒ
ーターなどで１５０〜３００℃に加熱する。
に再びフッ素ガスを吸蔵する。この時、用いるフッ素ガ
スは（３）で粗精製したフッ素ガスを用いるとよい。フ
ルオロニッケル化合物へフッ素ガスを吸蔵する条件とし
ては、希釈していないフッ素ガスを用い、そのフッ素ガ
スの圧力を絶対圧で０．２ＭＰａ以上とし、外部よりヒ
ーターなどで１５０〜３００℃に加熱する。
【００３２】（５）新たにフッ素ガスを吸蔵したフルオ
ロニッケル化合物を、例えば３００〜４５０℃に加熱す
ることにより高純度フッ素ガスを得る。以上の（１）〜
（５）の操作を行うことにより、純度が９９．７％以上
の高純度フッ素ガスを得ることができる。さらに高純度
のフッ素ガスを得るためには、必要な純度のフッ素ガス
が得られるまで（１）〜（５）の操作を繰り返し行うと
よい。但し、（１）の操作はフルオロニッケル化合物に
最初から存在するＨＦ等を放散除去する目的で行われる
ので、２回目以降は省略してもよい。例えば、９９．９
ｖｏｌ％以上の純度を有する高純度フッ素を得るには、
通常フルオロニッケル化合物へのフッ素の吸蔵と放出を
少なくとも２回以上繰り返すことが好ましい。また、９
９．９９ｖｏｌ％以上の純度を有する高純度フッ素を得
るには、通常フルオロニッケル化合物へのフッ素の吸蔵
と放出を少なくとも３回以上繰り返すことが好ましい。
ロニッケル化合物を、例えば３００〜４５０℃に加熱す
ることにより高純度フッ素ガスを得る。以上の（１）〜
（５）の操作を行うことにより、純度が９９．７％以上
の高純度フッ素ガスを得ることができる。さらに高純度
のフッ素ガスを得るためには、必要な純度のフッ素ガス
が得られるまで（１）〜（５）の操作を繰り返し行うと
よい。但し、（１）の操作はフルオロニッケル化合物に
最初から存在するＨＦ等を放散除去する目的で行われる
ので、２回目以降は省略してもよい。例えば、９９．９
ｖｏｌ％以上の純度を有する高純度フッ素を得るには、
通常フルオロニッケル化合物へのフッ素の吸蔵と放出を
少なくとも２回以上繰り返すことが好ましい。また、９
９．９９ｖｏｌ％以上の純度を有する高純度フッ素を得
るには、通常フルオロニッケル化合物へのフッ素の吸蔵
と放出を少なくとも３回以上繰り返すことが好ましい。
【００３３】また、高純度のフッ素ガスを得るため、例
えば前述の（４）の操作の後に、次の（６）の操作を行
ってもよい。（６）の操作は、（４）の操作を行った
後、２５０℃未満の温度で真空ポンプで減圧とし、Ｏ2
ガスやＣＯ2ガス等の不純物ガスを除去する。この時、
２５０℃付近ではＯ2ガスやＣＯ2ガスなどの不純物も除
去されやすいがフッ素ガスの放出も伴う。従って、フッ
素の損失も大きくなく、Ｏ 2、ＣＯ2などの不純物の除去
効果も高い１００〜２００℃で行うことが好ましい。
えば前述の（４）の操作の後に、次の（６）の操作を行
ってもよい。（６）の操作は、（４）の操作を行った
後、２５０℃未満の温度で真空ポンプで減圧とし、Ｏ2
ガスやＣＯ2ガス等の不純物ガスを除去する。この時、
２５０℃付近ではＯ2ガスやＣＯ2ガスなどの不純物も除
去されやすいがフッ素ガスの放出も伴う。従って、フッ
素の損失も大きくなく、Ｏ 2、ＣＯ2などの不純物の除去
効果も高い１００〜２００℃で行うことが好ましい。
【００３４】次に、本発明の高純度フッ素ガスについて
説明する。本発明の高純度フッ素ガスは、容器に充填し
たフルオロニッケル化合物を加熱してフッ素ガスを放出
する工程（１）と、工程（１）を経たフルオロニッケル
化合物にフッ素ガスを吸蔵する工程（２）を行った後、
工程（１）において得られる高純度フッ素ガスであっ
て、容器に充填したフルオロニッケル化合物を２５０〜
６００℃に加熱し、かつ該容器内の圧力を０．０１ＭＰ
ａ（絶対圧）以下に減圧する工程（３）とフッ化水素の
含有量が５００ｖｏｌｐｐｍ以下に低減されたフッ素ガ
スを吸蔵する工程を少なくとも１回以上行った後、工程
（１）において得ることができる。
説明する。本発明の高純度フッ素ガスは、容器に充填し
たフルオロニッケル化合物を加熱してフッ素ガスを放出
する工程（１）と、工程（１）を経たフルオロニッケル
化合物にフッ素ガスを吸蔵する工程（２）を行った後、
工程（１）において得られる高純度フッ素ガスであっ
て、容器に充填したフルオロニッケル化合物を２５０〜
６００℃に加熱し、かつ該容器内の圧力を０．０１ＭＰ
ａ（絶対圧）以下に減圧する工程（３）とフッ化水素の
含有量が５００ｖｏｌｐｐｍ以下に低減されたフッ素ガ
スを吸蔵する工程を少なくとも１回以上行った後、工程
（１）において得ることができる。
【００３５】すなわち、本発明の高純度フッ素ガスは、
容器に充填したフルオロニッケル化合物を加熱してフッ
素ガスを放出する工程（１）と容器に充填したフルオロ
ニッケル化合物にフッ素ガスを吸蔵する工程（２）とを
実施した後に工程（１）において得られる高純度フッ素
ガスであって、前記工程（２）においてフッ化水素の含
有量が５００ｖｏｌｐｐｍ以下に低減されたフッ素ガス
を吸蔵する工程と、さらに容器に充填したフルオロニッ
ケル化合物を２５０〜６００℃に加熱し、かつ前記容器
内の圧力を０．０１ＭＰａ（絶対圧）以下に減圧する工
程（３）とを、それぞれ少なくとも１回実施した後に工
程（１）において得ることができる高純度フッ素ガスで
ある。
容器に充填したフルオロニッケル化合物を加熱してフッ
素ガスを放出する工程（１）と容器に充填したフルオロ
ニッケル化合物にフッ素ガスを吸蔵する工程（２）とを
実施した後に工程（１）において得られる高純度フッ素
ガスであって、前記工程（２）においてフッ化水素の含
有量が５００ｖｏｌｐｐｍ以下に低減されたフッ素ガス
を吸蔵する工程と、さらに容器に充填したフルオロニッ
ケル化合物を２５０〜６００℃に加熱し、かつ前記容器
内の圧力を０．０１ＭＰａ（絶対圧）以下に減圧する工
程（３）とを、それぞれ少なくとも１回実施した後に工
程（１）において得ることができる高純度フッ素ガスで
ある。
【００３６】また、本発明の高純度フッ素ガスは、容器
に充填したフルオロニッケル化合物を加熱してフッ素ガ
スを放出する工程（１）と、工程（１）を経たフルオロ
ニッケル化合物にフッ素ガスを吸蔵する工程（２）を行
った後、工程（１）において得られる高純度フッ素ガス
であって、フルオロニッケル化合物を充填した容器内を
２５０℃未満の温度で０．０１ＭＰａ（絶対圧）以下に
減圧する工程（４）と、容器に充填したフルオロニッケ
ル化合物を２５０〜６００℃に加熱し、かつ該容器内の
圧力を０．０１ＭＰａ（絶対圧）以下に減圧する工程
（３）と、フッ化水素の含有量が５００ｖｏｌｐｐｍ以
下に低減されたフッ素ガスを吸蔵する工程とを少なくと
も１回以上行った後、工程（１）において得ることがで
きる。
に充填したフルオロニッケル化合物を加熱してフッ素ガ
スを放出する工程（１）と、工程（１）を経たフルオロ
ニッケル化合物にフッ素ガスを吸蔵する工程（２）を行
った後、工程（１）において得られる高純度フッ素ガス
であって、フルオロニッケル化合物を充填した容器内を
２５０℃未満の温度で０．０１ＭＰａ（絶対圧）以下に
減圧する工程（４）と、容器に充填したフルオロニッケ
ル化合物を２５０〜６００℃に加熱し、かつ該容器内の
圧力を０．０１ＭＰａ（絶対圧）以下に減圧する工程
（３）と、フッ化水素の含有量が５００ｖｏｌｐｐｍ以
下に低減されたフッ素ガスを吸蔵する工程とを少なくと
も１回以上行った後、工程（１）において得ることがで
きる。
【００３７】すなわち、本発明の高純度フッ素ガスは、
容器に充填したフルオロニッケル化合物を加熱してフッ
素ガスを放出する工程（１）と容器に充填したフルオロ
ニッケル化合物にフッ素ガスを吸蔵する工程（２）とを
実施した後に工程（１）において得られる高純度フッ素
ガスであって、前記工程（２）においてフッ化水素の含
有量が５００ｖｏｌｐｐｍ以下に低減されたフッ素ガス
を吸蔵する工程と、さらに容器に充填したフルオロニッ
ケル化合物を２５０〜６００℃に加熱し、かつ前記容器
内の圧力を０．０１ＭＰａ（絶対圧）以下に減圧する工
程（３）と、フルオロニッケル化合物を充填した容器内
を２５０℃未満の温度で０．０１ＭＰａ（絶対圧）以下
に減圧する工程（４）とを、それぞれ少なくとも１回実
施した後に工程（１）において得ることができる高純度
フッ素ガスである。
容器に充填したフルオロニッケル化合物を加熱してフッ
素ガスを放出する工程（１）と容器に充填したフルオロ
ニッケル化合物にフッ素ガスを吸蔵する工程（２）とを
実施した後に工程（１）において得られる高純度フッ素
ガスであって、前記工程（２）においてフッ化水素の含
有量が５００ｖｏｌｐｐｍ以下に低減されたフッ素ガス
を吸蔵する工程と、さらに容器に充填したフルオロニッ
ケル化合物を２５０〜６００℃に加熱し、かつ前記容器
内の圧力を０．０１ＭＰａ（絶対圧）以下に減圧する工
程（３）と、フルオロニッケル化合物を充填した容器内
を２５０℃未満の温度で０．０１ＭＰａ（絶対圧）以下
に減圧する工程（４）とを、それぞれ少なくとも１回実
施した後に工程（１）において得ることができる高純度
フッ素ガスである。
【００３８】容器に充填したフルオロニッケル化合物
は、Ｋ3ＮｉＦ5、Ｋ3ＮｉＦ6およびＫ 3ＮｉＦ7からなる
群から選ばれる少なくとも１種または２種以上の混合物
であることが好ましい。また、工程（１）を経てフッ素
ガスを放出したフルオロニッケル化合物は、Ｋ 3Ｎｉ
Ｆ5、Ｋ3ＮｉＦ6およびＫ3ＮｉＦ7からなる群から選ば
れる少なくとも１種または２種以上の混合物であること
が好ましい。
は、Ｋ3ＮｉＦ5、Ｋ3ＮｉＦ6およびＫ 3ＮｉＦ7からなる
群から選ばれる少なくとも１種または２種以上の混合物
であることが好ましい。また、工程（１）を経てフッ素
ガスを放出したフルオロニッケル化合物は、Ｋ 3Ｎｉ
Ｆ5、Ｋ3ＮｉＦ6およびＫ3ＮｉＦ7からなる群から選ば
れる少なくとも１種または２種以上の混合物であること
が好ましい。
【００３９】フッ素ガスの純度としては、９９．９ｖｏ
ｌ％以上であり、９９．９９ｖｏｌ％以上の高純度フッ
素ガスとして得ることもできる。フッ素ガス中に含まれ
る酸素ガスの含有量は１０ｖｏｌｐｐｍ以下であり、二
酸化炭素ガスの含有量は１０ｖｏｌｐｐｍ以下である。
本発明者らの実験によれば、従来のボンベフッ素ガスを
分析すると、フッ素ガスの純度は９９．６９ｖｏｌ％で
あった。また、不純物として含まれるＨＦは１５００ｖ
ｏｌｐｐｍ、Ｏ2ガスは２００ｖｏｌｐｐｍ、ＣＯ2ガス
は２５０ｖｏｌｐｐｍ、Ｎ2ガスは５００ｖｏｌｐｐ
ｍ、ＣＦ4は４００ｖｏｌｐｐｍ、ＳｉＦ4は２５０ｖｏ
ｌｐｐｍの濃度で含まれており、本発明のフッ素ガスは
不純物ガスの含有量が少ない高純度フッ素ガスであるこ
とが分かる。
ｌ％以上であり、９９．９９ｖｏｌ％以上の高純度フッ
素ガスとして得ることもできる。フッ素ガス中に含まれ
る酸素ガスの含有量は１０ｖｏｌｐｐｍ以下であり、二
酸化炭素ガスの含有量は１０ｖｏｌｐｐｍ以下である。
本発明者らの実験によれば、従来のボンベフッ素ガスを
分析すると、フッ素ガスの純度は９９．６９ｖｏｌ％で
あった。また、不純物として含まれるＨＦは１５００ｖ
ｏｌｐｐｍ、Ｏ2ガスは２００ｖｏｌｐｐｍ、ＣＯ2ガス
は２５０ｖｏｌｐｐｍ、Ｎ2ガスは５００ｖｏｌｐｐ
ｍ、ＣＦ4は４００ｖｏｌｐｐｍ、ＳｉＦ4は２５０ｖｏ
ｌｐｐｍの濃度で含まれており、本発明のフッ素ガスは
不純物ガスの含有量が少ない高純度フッ素ガスであるこ
とが分かる。
【００４０】フッ素ガス中に含まれる酸素ガス、二酸化
炭素ガス等の含有量は、例えばフッ素ガスをフルオロニ
ッケル化合物であるＫ3ＮｉＦ6に吸蔵し、吸蔵されない
酸素ガス、二酸化炭素ガス等をガスクロマトグラフを用
いて分析することにより求めることができる。フッ素ガ
スの純度は１００％からこれらの不純物の含有量を差し
引いた値から求めることができる。本発明の高純度フッ
素ガスは、例えばエキシマレーザ用ガスとして用いるこ
とができる。
炭素ガス等の含有量は、例えばフッ素ガスをフルオロニ
ッケル化合物であるＫ3ＮｉＦ6に吸蔵し、吸蔵されない
酸素ガス、二酸化炭素ガス等をガスクロマトグラフを用
いて分析することにより求めることができる。フッ素ガ
スの純度は１００％からこれらの不純物の含有量を差し
引いた値から求めることができる。本発明の高純度フッ
素ガスは、例えばエキシマレーザ用ガスとして用いるこ
とができる。
【００４１】次に、本発明の高純度フッ素ガスを製造す
ることができる高純度フルオロニッケル化合物について
説明する。本発明の高純度フルオロニッケル化合物は、
フッ素ガスの吸蔵と放出を繰り返し行うことができ、高
純度フッ素ガスを放出する高純度フルオロニッケル化合
物であって、フルオロニッケル化合物を充填した容器内
を２５０℃未満の温度で０．０１ＭＰａ（絶対圧）以下
に減圧する工程（４）と、容器に充填したフルオロニッ
ケル化合物を２５０〜６００℃に加熱し、かつ該容器内
の圧力を０．０１ＭＰａ（絶対圧）以下に減圧する工程
（３）と、フッ化水素の含有量が５００ｖｏｌｐｐｍ以
下に低減されたフッ素ガスを吸蔵する工程とを少なくと
も１回以上行うことにより得ることができる高純度フル
オロニッケル化合物である。フルオロニッケル化合物と
しては、Ｋ3ＮｉＦ5、Ｋ3ＮｉＦ6およびＫ3ＮｉＦ7から
なる群から選ばれる少なくとも１種または２種以上の混
合物であることが好ましい。
ることができる高純度フルオロニッケル化合物について
説明する。本発明の高純度フルオロニッケル化合物は、
フッ素ガスの吸蔵と放出を繰り返し行うことができ、高
純度フッ素ガスを放出する高純度フルオロニッケル化合
物であって、フルオロニッケル化合物を充填した容器内
を２５０℃未満の温度で０．０１ＭＰａ（絶対圧）以下
に減圧する工程（４）と、容器に充填したフルオロニッ
ケル化合物を２５０〜６００℃に加熱し、かつ該容器内
の圧力を０．０１ＭＰａ（絶対圧）以下に減圧する工程
（３）と、フッ化水素の含有量が５００ｖｏｌｐｐｍ以
下に低減されたフッ素ガスを吸蔵する工程とを少なくと
も１回以上行うことにより得ることができる高純度フル
オロニッケル化合物である。フルオロニッケル化合物と
しては、Ｋ3ＮｉＦ5、Ｋ3ＮｉＦ6およびＫ3ＮｉＦ7から
なる群から選ばれる少なくとも１種または２種以上の混
合物であることが好ましい。
【００４２】
【実施例】以下に実施例を用いて本発明を詳しく説明す
るが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
るが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
【００４３】（実施例１）図４に示した装置を用い、フ
ッ素供給源４１０としては耐圧容器に充填された希釈し
ていないボンベフッ素を使用した。フルオロニッケル化
合物Ｋ3ＮｉＦ7を充填した、モネル４００製のフッ素発
生容器１を外部ヒーター２により、温度１５０℃で、
０．００１ＭＰａ（絶対圧）で真空乾燥した。フッ素発
生容器１を真空ポンプ４で連続して減圧にし、０．００
１ＭＰａ（絶対圧）の減圧下、４００℃で１０時間加熱
し、フッ素ガスを放出した。次にフッ素ボンベ４１０よ
り１００ｍｌ／ｍｉｎの流量でフッ化ナトリウム（Ｎａ
Ｆ）を充填したカラム８にフッ素ガスを流通させて、Ｈ
Ｆを除去した粗精製フッ素をタンク７を経て直接フッ素
発生容器１に供給した。この時の条件としては、フッ素
圧力を０．４ＭＰａ（絶対圧）とし、外部より２５０℃
に加熱した。その後、加熱温度を２００℃とし、真空ポ
ンプ４で０．００１ＭＰａ（絶対圧）に減圧した。その
後真空ポンプによる排気を停止し、加熱温度を３５０℃
に上昇させてフッ素ガスを得た。このフッ素ガスをフッ
素ガス（実施例１）とし、その分析値を表１に示した。
ッ素供給源４１０としては耐圧容器に充填された希釈し
ていないボンベフッ素を使用した。フルオロニッケル化
合物Ｋ3ＮｉＦ7を充填した、モネル４００製のフッ素発
生容器１を外部ヒーター２により、温度１５０℃で、
０．００１ＭＰａ（絶対圧）で真空乾燥した。フッ素発
生容器１を真空ポンプ４で連続して減圧にし、０．００
１ＭＰａ（絶対圧）の減圧下、４００℃で１０時間加熱
し、フッ素ガスを放出した。次にフッ素ボンベ４１０よ
り１００ｍｌ／ｍｉｎの流量でフッ化ナトリウム（Ｎａ
Ｆ）を充填したカラム８にフッ素ガスを流通させて、Ｈ
Ｆを除去した粗精製フッ素をタンク７を経て直接フッ素
発生容器１に供給した。この時の条件としては、フッ素
圧力を０．４ＭＰａ（絶対圧）とし、外部より２５０℃
に加熱した。その後、加熱温度を２００℃とし、真空ポ
ンプ４で０．００１ＭＰａ（絶対圧）に減圧した。その
後真空ポンプによる排気を停止し、加熱温度を３５０℃
に上昇させてフッ素ガスを得た。このフッ素ガスをフッ
素ガス（実施例１）とし、その分析値を表１に示した。
【００４４】（実施例２）実施例１で用いたフッ素発生
容器１の温度を３５０℃に保持し、発生したフッ素を予
め真空にしておいたフッ素タンク４１２に分取した。次
いでバルブＶ４を閉、バルブＶ３を開とし、フッ素発生
容器１のフルオロニッケル化合物に吸蔵されたフッ素
を、３５０℃に加熱しながら真空ポンプで排気してフル
オロニッケル化合物をＫ3ＮｉＦ6の状態にした。さら
に、フッ素発生容器１を真空ポンプで連続して減圧し、
０．００１ＭＰａ（絶対圧）の減圧下、４００℃で１０
時間加熱した。次にフッ素タンク４１２より、１００ｍ
ｌ／ｍｉｎの流量でフッ化ナトリウム（ＮａＦ）を充填
したカラム８にフッ素ガスを流通させて、ＨＦを除去し
た粗精製フッ素をタンク７を経てフッ素発生容器１に２
５０℃で供給した。フッ素ガスの供給を停止し、次いで
フッ素発生容器１の加熱温度を２００℃とし、真空ポン
プで減圧にしながら、Ｏ2、ＣＯ2をはじめとする不純物
ガスの除去を行った。その後真空ポンプによる排気を停
止し、加熱温度を３５０℃に上昇させてフッ素ガスを得
た。このフッ素ガスをフッ素ガス（実施例２）とし、そ
の分析値を表１に示した。
容器１の温度を３５０℃に保持し、発生したフッ素を予
め真空にしておいたフッ素タンク４１２に分取した。次
いでバルブＶ４を閉、バルブＶ３を開とし、フッ素発生
容器１のフルオロニッケル化合物に吸蔵されたフッ素
を、３５０℃に加熱しながら真空ポンプで排気してフル
オロニッケル化合物をＫ3ＮｉＦ6の状態にした。さら
に、フッ素発生容器１を真空ポンプで連続して減圧し、
０．００１ＭＰａ（絶対圧）の減圧下、４００℃で１０
時間加熱した。次にフッ素タンク４１２より、１００ｍ
ｌ／ｍｉｎの流量でフッ化ナトリウム（ＮａＦ）を充填
したカラム８にフッ素ガスを流通させて、ＨＦを除去し
た粗精製フッ素をタンク７を経てフッ素発生容器１に２
５０℃で供給した。フッ素ガスの供給を停止し、次いで
フッ素発生容器１の加熱温度を２００℃とし、真空ポン
プで減圧にしながら、Ｏ2、ＣＯ2をはじめとする不純物
ガスの除去を行った。その後真空ポンプによる排気を停
止し、加熱温度を３５０℃に上昇させてフッ素ガスを得
た。このフッ素ガスをフッ素ガス（実施例２）とし、そ
の分析値を表１に示した。
【００４５】（実施例３）不純物ガスをさらに低減する
ため、実施例２に引き続き、フッ素発生容器１を０．０
０１ＭＰａ（絶対圧）の減圧下、２５０℃で１時間加熱
した。その後真空ポンプによる排気を停止し、加熱温度
を３５０℃に上昇させてフッ素ガスを得た。このフッ素
ガスをフッ素ガス（実施例３）とし、その分析値を表１
に示した。
ため、実施例２に引き続き、フッ素発生容器１を０．０
０１ＭＰａ（絶対圧）の減圧下、２５０℃で１時間加熱
した。その後真空ポンプによる排気を停止し、加熱温度
を３５０℃に上昇させてフッ素ガスを得た。このフッ素
ガスをフッ素ガス（実施例３）とし、その分析値を表１
に示した。
【００４６】
【表１】
【００４７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、フ
ッ素ガス中に不純物として含まれる、Ｏ2ガス、ＣＯ2ガ
ス等の濃度を低減することができ、高純度のフッ素ガス
を得ることができる。特に、従来の技術では入手困難で
あった９９．９９ｖｏｌ％以上の純度のフッ素ガスが入
手可能である。
ッ素ガス中に不純物として含まれる、Ｏ2ガス、ＣＯ2ガ
ス等の濃度を低減することができ、高純度のフッ素ガス
を得ることができる。特に、従来の技術では入手困難で
あった９９．９９ｖｏｌ％以上の純度のフッ素ガスが入
手可能である。
【図１】 本発明の高純度フッ素ガスの製造方法の工程
（２）を実施する装置の一態様を示す概略図である。
（２）を実施する装置の一態様を示す概略図である。
【図２】 本発明の高純度フッ素ガスの製造方法の工程
（２）を実施する装置の他の態様を示す概略図である。
（２）を実施する装置の他の態様を示す概略図である。
【図３】 本発明の高純度フッ素ガスの製造方法の工程
（２）を実施する装置の他の態様を示す概略図である。
（２）を実施する装置の他の態様を示す概略図である。
【図４】 本発明の高純度フッ素ガスの製造方法の工程
（２）を実施する装置のさらに他の態様を示す概略図で
ある。
（２）を実施する装置のさらに他の態様を示す概略図で
ある。
１ フッ素発生容器
２ ヒーター
３ 圧力計
４ 真空ポンプ
５ 廃ガス処理筒
６、９ マスフローコントローラー
７ フッ素タンク
８ ＮａＦカラム
１１０ 電解槽
１１１ ＨＦ凝縮器
２１０ フッ素ガスボンベ
３１０ フッ素発生容器
４１０ フッ素供給源
４１２ フッ素タンク
Ｖ０〜Ｖ６ バルブ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 星野 恭之
神奈川県川崎市川崎区扇町５−１ 昭和電
工株式会社ガス・化成品事業部生産・技術
統括部内
Claims (16)
- 【請求項１】 容器に充填したフルオロニッケル化合物
を加熱してフッ素ガスを放出する工程（１）と、工程
（１）を経たフルオロニッケル化合物に、フッ素ガスを
吸蔵する工程（２）を含み、工程（１）において高純度
フッ素ガスを得る高純度フッ素ガスの製造方法であっ
て、容器に充填したフルオロニッケル化合物を２５０〜
６００℃に加熱し、かつ該容器内の圧力を０．０１ＭＰ
ａ（絶対圧）以下に減圧する工程（３）とフッ素ガスを
吸蔵する工程（２）を少なくとも１回以上行った後、工
程（１）において高純度フッ素ガスを得ることを特徴と
する高純度フッ素ガスの製造方法。 - 【請求項２】 容器に充填したフルオロニッケル化合物
の温度を２５０℃未満とし、かつ該容器内の圧力を０．
０１ＭＰａ（絶対圧）以下に減圧する工程（４）を含む
請求項１に記載の高純度フッ素ガスの製造方法。 - 【請求項３】 容器に充填したフルオロニッケル化合物
が、Ｋ3ＮｉＦ5、Ｋ 3ＮｉＦ6およびＫ3ＮｉＦ7からなる
群から選ばれる少なくとも１種または２種以上の混合物
である請求項１または２に記載の高純度フッ素ガスの製
造方法。 - 【請求項４】 工程（１）を経たフルオロニッケル化合
物が、Ｋ3ＮｉＦ5、Ｋ3ＮｉＦ6およびＫ3ＮｉＦ7からな
る群から選ばれる少なくとも１種または２種以上の混合
物である請求項１に記載の高純度フッ素ガスの製造方
法。 - 【請求項５】 工程（２）において、フルオロニッケル
化合物に吸蔵するフッ素ガス中に含まれるフッ化水素の
含有量が５００ｖｏｌｐｐｍ以下である請求項１〜４の
いずれかに記載の高純度フッ素ガスの製造方法。 - 【請求項６】 容器に充填したフルオロニッケル化合物
を加熱してフッ素ガスを放出する工程（１）と、工程
（１）を経たフルオロニッケル化合物にフッ素ガスを吸
蔵する工程（２）を行った後、工程（１）において得ら
れる高純度フッ素ガスであって、容器に充填したフルオ
ロニッケル化合物を２５０〜６００℃に加熱し、かつ該
容器内の圧力を０．０１ＭＰａ（絶対圧）以下に減圧す
る工程（３）とフッ化水素の含有量が５００ｖｏｌｐｐ
ｍ以下に低減されたフッ素ガスを吸蔵する工程を少なく
とも１回以上行った後、工程（１）において得ることが
できる高純度フッ素ガス。 - 【請求項７】 容器に充填したフルオロニッケル化合物
を加熱してフッ素ガスを放出する工程（１）と、工程
（１）を経たフルオロニッケル化合物にフッ素ガスを吸
蔵する工程（２）を行った後、工程（１）において得ら
れる高純度フッ素ガスであって、フルオロニッケル化合
物を充填した容器内を２５０℃未満の温度で０．０１Ｍ
Ｐａ（絶対圧）以下に減圧する工程（４）と、容器に充
填したフルオロニッケル化合物を２５０〜６００℃に加
熱し、かつ該容器内の圧力を０．０１ＭＰａ（絶対圧）
以下に減圧する工程（３）と、フッ化水素の含有量が５
００ｖｏｌｐｐｍ以下に低減されたフッ素ガスを吸蔵す
る工程とを少なくとも１回以上行った後、工程（１）に
おいて得ることができる高純度フッ素ガス。 - 【請求項８】 容器に充填したフルオロニッケル化合物
が、Ｋ3ＮｉＦ5、Ｋ 3ＮｉＦ6およびＫ3ＮｉＦ7からなる
群から選ばれる少なくとも１種または２種以上の混合物
である請求項６または７に記載の高純度フッ素ガス。 - 【請求項９】 工程（１）を経たフルオロニッケル化合
物が、Ｋ3ＮｉＦ5、Ｋ3ＮｉＦ6およびＫ3ＮｉＦ7からな
る群から選ばれる少なくとも１種または２種以上の混合
物である請求項６または７に記載の高純度フッ素ガス。 - 【請求項１０】 純度が９９．９ｖｏｌ％以上である請
求項６〜９のいずれかに記載の高純度フッ素ガス。 - 【請求項１１】 純度が９９．９９ｖｏｌ％以上である
請求項６〜９のいずれかに記載の高純度フッ素ガス。 - 【請求項１２】 酸素ガスの含有量が１０ｖｏｌｐｐｍ
以下である請求項６〜１１のいずれかに記載の高純度フ
ッ素ガス。 - 【請求項１３】 二酸化炭素ガスの含有量が１０ｖｏｌ
ｐｐｍ以下である請求項６〜１２のいずれかに記載の高
純度フッ素ガス。 - 【請求項１４】 請求項６〜１３のいずれかに記載の高
純度フッ素ガスを含有することを特徴とするエキシマレ
ーザ用ガス。 - 【請求項１５】 フッ素ガスの吸蔵と放出を繰り返し行
うことができ、高純度フッ素ガスを放出する高純度フル
オロニッケル化合物であって、フルオロニッケル化合物
を充填した容器内を２５０℃未満の温度で０．０１ＭＰ
ａ（絶対圧）以下に減圧する工程（４）と、容器に充填
したフルオロニッケル化合物を２５０〜６００℃に加熱
し、かつ該容器内の圧力を０．０１ＭＰａ（絶対圧）以
下に減圧する工程（３）と、フッ化水素の含有量が５０
０ｖｏｌｐｐｍ以下に低減されたフッ素ガスを吸蔵する
工程とを少なくとも１回以上行うことにより得ることが
できる高純度フルオロニッケル化合物。 - 【請求項１６】 フルオロニッケル化合物が、Ｋ3Ｎｉ
Ｆ5、Ｋ3ＮｉＦ6およびＫ3ＮｉＦ7からなる群から選ば
れる少なくとも１種または２種以上の混合物である請求
項１５に記載の高純度フルオロニッケル化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002186745A JP4145081B2 (ja) | 2001-06-29 | 2002-06-26 | 高純度フッ素ガスおよびその製造方法並びにその用途 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001199437 | 2001-06-29 | ||
| JP2001-199437 | 2001-06-29 | ||
| JP2002186745A JP4145081B2 (ja) | 2001-06-29 | 2002-06-26 | 高純度フッ素ガスおよびその製造方法並びにその用途 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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