TW592009B - Use of metallic treatment on copper foil to produce fine lines and replace oxide process in printed circuit board production - Google Patents

Description

592009 五、發明説明（1 ) 本發明關於具有增進之蝕刻均質性及解像度之印刷電路 板之製法，本發明之方法排除黑色氧化物處理之需要，以 改良黏附力及改良光學檢驗印刷電路板的能力。 t關技藝描述 印刷電路板於電子領域有廣泛的應用性。其有效用於大 規模之應用，例如於飛彈及工〜業控制設備，以及於小規模 裝置之應用，例如電話、收音機及個人電腦。更確切地， 當使用印刷電路時，$到高.程纟的準確性及解像度對極小 線及間隙寬度（大約100微米或更小）以確保電路的良好效 能是重要的。 製k八有極小尺度（大約1 0 0微米或更小）之準確性的能 力於]及大規模故備之製程中相當重要。當電路圖案變得 更J時，姓刻製程之精密性變得更重要。使用光微景）技術 製造具尚解像度之小特徵之印刷電路板係爲熟悉本技藝之 人士所習知。通常，將導電箔片沉積在基質上，同時接著 使光阻沉積在洛片。隨後光阻經成像曝光及顯影，形成隨 後餘刻爲導體箔片之小的線及悶隙之圖案。 通常將箔片之粗糙側層壓至基質上，主要是由於箔片之 粗糙側較粗且具有較箔片之光滑側對基質更佳之黏附力。 然而，頃發現藉由以光滑側向卞對基質層壓可得到遠爲準 崔之姓刻’同爲銅顆粒靠近粗糖側且較小側經廷長及垂直 本纸張尺度適財s S家規格(21GX297公爱) 592009 A7 B7 五、發明説明（2 ) 定向或水平蝕刻作用發生。此外，有較小之過度蝕刻的需 求以便從基質去除齒狀物結構及處理，其造成較佳的均質 性。 當層壓箔片之光滑側至基質上時，必須使表面粗糙以提 供充分的黏附力。一種達成的方法爲把結節印至銅箔的光 滑側。此種銅產物之實例係市購自Oak-Mitsui Inc. (Hoosick Falls，Ν·Υ·)之MLS。另一種已使用之方法爲沉積粗糙化層 (例如結節）於箔片之每一側，以形成’’雙處理”之箔片。依 此方式可得到較佳的抗黏附力_以及消除氧化物方法。此方 式於工業上非較佳，因爲箔片之曝光面可能使粗糙化層於 操作過程破壞。 當粗糙層不利於積層時，另一種使光滑層粗糙化之已知 的方法爲一種方法，其中銅箔藉由化學微蝕刻（使用過硫 酸鈉或硫酸/過氧化氫，其係購自Waterbury CT之 MacDermid或Marborough MA之Shipley Ronel)預粗糖化或浮 石揉擦適應（購自義大利I · S及曰本Isioki之機器）。表面接 著經化學處理以沉積一層黑色氧化銅（亦購自MacDermid及 Shipley Ronel)，使另一絕緣基質層壓於電路上。此化學處 理之順序是令人不滿意的，因爲麻煩且以所用的化學藥劑 導入廢棄物處理的問題。因此，於技藝中有必要提供不具 雙重處理導體箔片之問題的方法，且其於多層電路板處理 期間不需黑色氧化物處理，其將以高解像度及準確性蝕刻 電路線及間隙。 ‘ 於技藝中持續努力改善電路板的製造技術，因此改善這 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 592009

些特徵之準確性。例如，請參閲美國專利第5,24〇,8〇7號， 其敎示一種具有可攜帶、舒適之内建蝕刻遮光罩之光阻物 件，係用於增進像對比及具有極小尺度之再製造部件。部 分光阻下之導體箔片經選擇性蝕刻以形成電路線之圖案。 另一種方法揭示於美國專利第6,042,71 1號，其提供一種具 經改良剥離強度之金屬箔片，係具有塵樹狀沉澱物之金屬 層及金屬閃光層。此外，國際公開w〇 〇〇/〇3568揭示一種 使用銅’泊載體籍由施加粗链化之金屬層於基質上形成電路 線之方法。 在另一方法中，美國專利第5,679,23〇號提供一種用於製 造印刷電路板之銅箔。這些銅箔可用以製造多層電路板， 不需習用的黑色氧化物處理以改善黏附力。 本發明提供一種解決先前技藝之問題的方法，其中薄金 屬層沉積在基質上的導電層上。此金屬層充當導電層蝕刻 期間之蝕刻遮光罩，同時改善蝕刻準確性及解像度。經蝕 刻後，此薄金屬層保留在導電層上而排除氧化層之需要。 於本方法中使用之金屬層亦爲具高均質及反射性，使得 藉此所形成之印刷電路較先前技藝之印刷電路與自動光學 檢驗設備更能相容。再者，此中所用之金屬層具有高機械 強度，且具更耐機械破壞性，例如表面刮傷及磨損遮光 罩。 發明概要 本發明提供一種製造印刷電硌層之方法，其泡含以任一 順序實施步驟（a)及（b): -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公袭)

裝 訂

a)於基、上沉積一導電層之筮_本 面該導電層具有—粗極化之第二^面自，相對於該第—表 =:層::㈣化之第二表面上沉積-薄金屬層， 〇於金屬層上沉積一光阻層不同的耐蚀刻性質;及接著 (1)使孩光阻成像曝光及 、 層； u而路出下万邵分之該金屬 e) 去除該露出下方部分之 導電層；及 卩刀（金屬層，因而露出下方部分之該 f) 去除该露出下方部分之導 層。 1刀〈導％層，因而製造-印刷電路 本發明亦提供一種印刷電路屉 實施步驟⑷及（b)之方法其μ包含以任—順序 面 導二：士：積導電層义第-表面’相對於該第-表 面琢導电層具有一粗糙化之第二表面； 層之該粗糖化之第二表面上沉積-薄金屬層’ 具有與料電層不同的耐_^^ C)於金屬層上沉積一光阻； Γ ^伕耆 d) 使該光阻成像曝光及顯影’因而露出下方部分之 屬； e) 去除該露出，下方部分之令屬展 該導電層;及屬層，因而露出下方部分之 f) 去除該露出下方部分之導電‘層，因而，製造一印刷電路 層0

^JLSr體實施例詳沭 本發月大體上提供一 ^印刷冑&印刷電路板的 方法。 一、使本發明導電之方法中，第一步驟爲於適當的基質上 ’几積導甩金屬材料。一般的基質爲適用經處理爲印刷電 路或其他微電子元件者。供本發明用之適當的基質非專屬 地G σ以例如破璃纖維、芳族聚醯胺纖維（Kahr)、芳族 聚酿胺纖維紙(Them〇unt)、聚苯并氧酸g旨紙或其組合所強 =之聚合物。其中以玻璃纖維〜強化之環氧化物爲最佳之基 ^亦適&者爲半導體材料，例如砷化鎵、矽及含矽之組 成物(例如結晶矽、多晶矽、非結晶矽、^晶矽及二氧化 矽（Si〇2))及其混合物。基質的較佳厚度爲從約1 〇至約2⑽ 械米’更佳爲從約1 〇至約5 〇微米。 導電層較佳爲包含一種材料，例如銅、鋅、黃銅、鉻、 鎳、鋁、不銹鋼、鐵、金、銀、鈦及其組合及合金。最佳 爲，導電層爲銅箔。 \ 銅扃較佳爲藉由從溶液電沉積至旋轉的金屬輥上而製 造。緊鄰輥之銅箔側通常爲平滑或光滑側，然而另一側有 相當粗糙的表面，亦已知爲粗糙側。此轉輥通常由不銹鋼 或鈦所製，其當從溶液中沉積時充當陰極及接收銅。陽極 通常由鉛合金所構成。將約5至10伏特之電池電壓施於陽 極與陰極之間以便使銅沉積，同時氧氣在陽極釋放。接著 從轉輥移走銅箔，切割至所需的大小，且層壓至基質上。 層壓作用較佳爲在最小約175。(：下之壓軋機中進^約3〇分 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 592009 A7 B7

鐘。較佳爲，壓軋機係在至少2 8英吋汞柱之眞空下且維持 在壓力約150 psi。 幸父佳但非必要地於層壓前，導電箔片較佳但非必要地在 光滑側以電解處理，以便形成粗糙化之銅沉積物，且在粗 糙側以電解處理，以便沉積微結節之金屬或合金。這些結 節較佳爲銅羲銅合金，且不增加粗糙度至表面上，但確實 地提高對基質之黏附力。箔片之表面微結構係藉由輪廓計 (例如 Perthometer* model M4P或S5P，其購自 Cincinnati，〇hi〇 之Mahr Feinpmef Corporation)割量。峰谷之表面顆粒結構 之地形測量係根據工業標準IPC-TM-650，第2.2.17節 (Institute for Interconnecting and Packaging Circuits of 2115 Sanders Road，Northbrook，Illinois 60062)進行。於測量程序 中’選擇樣品表面上之測量長度I m。R z定羲爲於測量長 度Im (其中1〇爲im/5)内五個連續取樣長度之平均最大學 對谷高度—。Rt爲最大的粗糙深度，且爲於測量長度内 最大峰與最小谷:之間的最大垂直距離。r p爲最大的水平 深度，且爲於測量長度I m内最大峰之高度。r a，或平均 粗糙度’係定義爲於測量長度I m内自中心線之粗糙度分布 之所有絕對距離之算數平均値。 本發明重要的參數爲Rz及Ra。所進行的表面處理製造 具有峰及谷的表面結構，其製造粗糙度參數，其中Ra範圍 爲從約1至約1 0微米，且Rz範、圍爲從約2至約1 〇微米。 所進行的表面處理在光滑側玉製造具有峰及谷的表面結 構’其製造粗糖度參數’其中R a範圍爲從約1至約4微 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 592009 A7 ________Β7 五、發明説明（7 ) 米，較佳爲從約2至約4微米，且最佳爲從約3至約4微 米。Rz値範圍爲從約，2至約4·5微米，較佳爲從約2.5至 約4.5微米’且最佳爲從約3至約4·5微米。 所進行的表面處理在粗糙側上製造具有峰及谷的表面結 構’其製造粗糙度參數，其中Ra範圍爲從約4至約丨〇微 米，較佳爲從約4.5至約8微米，且最佳爲從約5至約7 5微 米。R z値範圍爲從約4至約1 〇微米，較佳爲從約4至約9微 米，且最佳爲從約4至約7·5微米。 較佳爲，光滑側有銅沉積物〜爲約2至4·5微米厚，以製造 平均粗糙度（R ζ )爲2微米或更大。粗糙側較佳爲具有如所 製之約4-7.5微米之粗糙度Rz。金屬或合金之微結節將具 有尺度爲約0.5微米。倘若需要可沉積其他金屬作爲微結 節，例如鋅、銦、錫、鈷、黃銅、青銅及其類似物。此方 法更冗整地描述於美國專利第5,679,23〇號；其合併於本案 以爲參考。此光滑面具有從約0·7公斤/線性公分至約1.6公 斤/線性公分，較佳爲從約〇·9公斤/線性公分至約16公斤/ 線性公分之剥離強度。粗糙面具有從約0.9公斤/線性公分 至約2公斤/線性公分，較佳爲從約1丨公斤/線性公分至約 2公斤/線性公分之剥離強度。剥離強度係根據工業標準 IPC-TM-650，第 2 · 4 · 8 節，修訂本 c。 導電層較佳爲具有從約〇·5至約2 〇 〇微米，更佳爲巧約9 至約7 0微米之厚度。導電層亦可使用任何其他已知的金屬 沉積作用，例如非電鍍沉積、塗布、滅射、蒸發或藉由層 壓作用施加至該基質上。 -10 - 本紙張尺度適財S S家標準(CNS) Α4規格(21GX297公董)

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在層壓作用前，'片較佳但非必要地 在母一《以薄金屬層電解處理。該金屬層較佳爲以泰 :::電層上。亦可藉由塗布、濺射、蒸發或藉由層壓至 導电層上使金屬層沉積至導電層上（經層壓至基質後）。較 佳爲，金屬層爲薄膜且包含一種選自例如鎳、錫、鈀、 銘、鉻、鈥、4目或及合金之材料。最佳爲，金屬層含錄及 錫。金屬層較佳爲具有從約0·01至約1〇微米，更佳爲從約 〇·2至約3微米之厚度。金屬層將作爲蝕刻遮光罩，以定義 欲蝕刻爲導電層之電路線及間，之圖案。 我 一旦金屬層沉積至導電層上時，則下一步爲選擇性地蝕 刻掉部分金屬層，以便在金屬層上形成經，蝕刻的圖案。 此經蝕刻的圖案係藉由習知之光微影技術使用光阻組成物 形成。首先將光阻直接沉積至薄金屬層上。光阻組成物爲 正工作型或負工作型且通常可從市面購得。由於其主要功 能僅爲定義薄金屬層且不需抵抗嚴苛的蝕刻條件，因此抗 蚀劑可爲非常細（5至2 0微米）。此提供遠爲更大的解像 度。適當的正工作型光阻係爲技藝中所習知且可含鄰_醌 二疊氮反應敏化劑。鄰-醌二疊氮反應敏化劑包含揭示於 美國專利第 2,797,213、3，106,465、3，148,983、3，130,〇47、 3,201，329、3,785,825 及 3,802,885 號之鄰-§昆-4-或·5-續酿_ 二疊氮。當使用鄰-醌二疊氮時，黏合樹脂包含水不溶、 水性鹼可溶或可膨脹的黏合'與脂，其較佳爲諾沃拉克 (novolak)。適合的正型光介電尜脂可市購而得，例如商標 名爲 AZ-P4620 (自 Somerville，New Jersey之Clariant Corporation) -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210χ 297公釐)

裝 訂

五、發明説明（9 及Shipley i_〗ine光阻。 光阻接著««光市購而得。 束光輕射掃描。光化輕先束'離子或中子 如自激光之光)之形式。光％或相干光(例 :液:r影…使 除，：而：ί:之下方部分金屬層藉由已知的蚀刻技術去 屬光阻下方之部分。適合的蚀刻劑非專 (車：佳，例如氣化'銅（較佳爲供蚀刻鎳）或確酸 供蚀刻踢）。亦較佳者爲氣化鐵或硫酸氧化物（含 硫故义過氧化氫）。在此步驟中，金屬層被蚀刻掉之部分 下万的導電層部分暴露出來。此有圖案的金屬層定義爲供 姓刻，電層之具高準確性及精密性之極佳品質的蚀刻罩。 接著，已暴露之下方部分的導電層藉由蝕刻去除，然而 未去除金屬層未去除部分下方之導電層部分。供去除導電 層I適合的蝕刻劑非專屬地包含鹼性溶液，例如氣化銨/ 氫氧化銨。電路板接著可沖洗及乾燥。其結果爲一種具有 極佳解像度及均質性且具有極佳效能之印刷電路板。 在另一較佳具體實施例中，其中金屬層含鎳，可實施一 道蚀刻製程。在此具體實施例中，當光阻經成像及顯影 後’則金屬層之暴露部分及下方導電層均可在氣化銅蝕刻 機中蝕刻。爲了其他金屬層（含’鎳）之蝕刻，適合的蝕刻劑 不能適當地蝕刻下方導電箔片T-同時仍然需要一個第二蝕 刻步驟。單一蝕刻步驟較佳爲供蝕刻超過約3密耳（mil)之 -12 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 592009 A7 B7 五、發明説明（1〇 ) 線及間隙。當使用單一蝕刻步驟時，提高於蝕刻機中之時 間可能爲1 0至2 5% (取決於蝕刻系統）亦是必須的。較高的 噴射壓力及溫度可完成相同的結果。當電路線及間隙通過 金屬層及導電層蚀刻後，所殘留之光阻可視情況藉由適當 的溶劑清除或者藉由已知的灰化技術灰化從金屬層去除。 光阻亦可在蚀刻金屬層後但在蝕刻導電箔片前去除。 在一個較佳的灰化製程中，在一個位於清除室上游之微 波等離子體產生器中產生等離子體同時使清除氣體通過該 產生器，因此由等離子體中的_氣體所製之反應物質進入清 除室中。等離子體離子係藉由例如從等離子基團過濾而去 除。此中所用之”基團” 一詞欲定義未帶電的顆粒，例如於 上游等離子產生器所產生之原子或分子片段。等離子體產 生器可包含技藝中已知之任何等離子體產生器。可提供基 團來源（幾乎無離子或電子）之等離子體產生器揭示於例如 美國專利第5，174,856及5,200,031號，所揭示者合併於本案 以爲參考。當任一型式傳統產生之等離子體通常可用於本 發明之實施時，較佳爲所用之等離子體係藉由微波等離子 體產生器（例如購自San Jose，Calif.之GaSonics之Model AURA等離子體產生器）所產生。另一種可提供幾含電子及 /或離子之基團來源的上游等離子體產生器爲購自Applied Materials，Inc·之Advanced Strip Passivation (ASP)室。等離子 體灰化器亦購自 Fremont，California之Mattson Technology。 亦可在蚀刻室（例如TEL DRM、5，係購自Tokyo Electron Ltd.)中經由使用當場灰化以各向異性法進行。 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

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此時，可在電路上層壓另一絕緣基質，+需額外的粗链 化步驟且不需要搭片粗糙側之黑色氧化物處理。#刻後薄 金屬層不舄去除且充當氧化物代替物及提供足夠的黏附力 乂形成多層結構。再者，金屬層較僅導電箔片更具均質及 反射性，且容易藉由使用習知之自動光學檢驗（α〇ι)設備 檢驗。 以下非限定之實例係用來説明本發明。 實例1 以銅結節處理銅箔之光滑倒J同時施加2;[(>障壁層。粗 糙層亦以結節處理，但接著以鎳處理。使箔片層壓至充滿 J衣氧化物之玻璃纖維（以光滑側對著材料）以形成基質。將 液體光阻施加至基質達厚度爲12微米，同時#υν光通過 遮光罩曝光，以便成像。使用碳酸鉀使光阻顯影，使鎳表 面曝光。使用氣化銅蝕刻去除鎳，使底部銅曝光。使用氨 爲基礎之系統蚀刻銅，以定義其圖形。使用氫氧化鈉溶液 去除光阻。在以像圖案爲基礎之基質邊緣穿孔。這些將用 以供圖像重合用。倘若需要（及可行），則使用自動光學檢 驗機檢驗及修理圖形。具經蝕刻之圖形（核心）之完整的基 質係與其他核心在環氧玻璃纖維間層壓（倘若必要），與銅 fg在外部層壓。在印刷電路板”空白處”鑽孔，藉由施加銲 料遮光罩及銲料定義及完成外部電路。試驗最終電路板且 接著組裝。 實例芝 除了層壓板之粗糙側對著基質且以Zn-Cr處理外，重複實 -14- 本紙張尺度適用中國画家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 裝 訂 592009

例1 °光滑側具有如實例1製板之結節但以鎳處理。 實例3 除了在錄處理前藉由微蝕刻使光滑表面粗糙化外，重複 實例2。 實例4 除了在鎳處理前藉由浮石揉擦適應使光滑側粗糙化外， 重複實例2。 實例5 除了光阻具有固定的本性厚^在蝕刻後未去除外，重複實 例1 〇 實例6 除了以一個步驟以氣化銅完成蝕刻外，重複實例1。 實例7 除了使用直接激光成像系統使光阻曝光外，重複實例1。 實例8 除了取代鎳鍍錫及使用硝酸完成蝕刻外，重複實例1。 實例9 根據美國專利第3,293,109號之實例I藉由從溶液電沉積銅 至旋轉金屬輥以製造銅箔。使銅溶解於硫酸中，且接著在 40-60 C下於70-105克/升銅（爲硫酸銅）、80-160克/升自由 硫酸之溶液中電沉積。使溶液與旋轉金屬輥（通常爲鈦）， 其當從溶液中沉積時充當陰板及接收銅。陽極通常由鉛合 金所構成。將約5至1 〇伏特之電池電壓施於陽極與陰極之 間以便使銅沉積，同時氧氣在陽極釋放。銅在輥上以厚度 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

裝 訂 592009 A7 B7 五、發明説明（13 ) 爲約1 8至7 0微米增進銅的連續膜，其經移走、切開至所 需的寬度且最後繞線成捲。緊鄰輥之箔片側是平滑的（”光 滑側n ) ’然而另一側有相當粗輕的表面（"粗链側"）。 根據美國專利第5,679,230號，處理銅箔樣品之光滑或者 粗縫側以製造表面結節。其他銅箔樣品之光滑或者粗糙側 以氯化銅微姓刻。測量銅樣品之表面粗縫度及剝離強度。 表垮粗糙度係根據IPC-TM-650，第2.2.17節測量，且剝離強 度根據IPC-TM-650，第2·4·8節，修訂本C測量。結果如下： 銅’冶側 處理 表®粗糙度剝離強度* ——-___(Ra，微米)(公斤/線性公分） 光滑 無 0.25 <0.18 光滑 微蝕刻 1.20 0.39 光滑 結節 3.56 1.52 粗糙 無 5.08 0.63 粗糙 微蝕刻 5.72 0.93 粗縫 結節 7.60 1.91 *剥離強度之測量係籍由將銅層壓至環氧化物預浸潰體 上。此促進最終印刷電路板之剝離強度。 本發明已藉由較佳具體實施例特別地顯示及描述，熟知 本技藝之人士將很容易地理解本案得由熟悉本技藝之人士 爲諸般改變及修飾，然皆不脱本發明之精神及範圍。如附 申叫專利範圍係解釋爲涵蓋所趫示之具體實施例、以上討 論之替代方式及其相當者。 -16- 本紙張尺度適財@ g家標^(CNS) A4規格(21() χ撕公爱y

Claims (1)

1. 09 ο 2 9 A BCD 六、申請專利範圍 ' 1 · 一種製造印刷電路層之方法，其包含以任一順施 步驟（a)及（b): 斤貫犯 a) 於一基質上沉積—導電層之第一表面，相對於該第 一表面該導電層具有一粗糙化之第二表面； b) 於該導電層之該粗糙化之第二表面上沉積一薄金屬 層，該金屬層含一種具有與該導電層不同的耐蝕刻性 質之材料；及接著 X C)於金屬層上沉積一光阻； d) 使該光阻成像曝光及顯麥，因而露出下方部分之該 金屬層； e) 去除該露出下方部分之金屬層，因而露出下方部分 之該導電層；及 f) 去除該露出下方部分之導電層，因而製造一印刷電 路層。 2 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中實施步驟a)且接著 實施步驟b)。 3 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中實施步驟b)且接著 實施步驟a)。 4 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中步驟a)之實施係首 先使該導電層之該第二表面粗糙化，接著以一第二金 屬處理，及接著使該導電層之該第一表面沉積至該基 質上。 :: 5·如申請專利範圍第1項之方法：，其中步驟3)之實施係首 先使該導電層之該第二表面粗輕化，及接著使該導電 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

   592009 A8 B8 C8 ______ D8 _ 六、申請專利範圍 層之該第一表面沉積至該基質上。 6 ·如申請專利範圍第丨項之方法，其中步驟a)之實施係首 先使該導電層之該第一表面沉積至該基質上，及接著 使該導電層之該第二表面粗糙化。 7 ·如申請專利範圍第丨項之方法，其中該導電層之該經粗 糖化之第二表面具有範圍從約1至約1 〇微米之平均粗糙 度（Ra)値。 8 ·如申請專利範圍第丨項之方法，其中該導電層之該經粗 糙化之第二表面於該經粗辁化之第二表面上或其中包 含金屬或金屬合金之微結節。 9 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該導電層之該經粗 缝化之第二表面經微蚀刻。 10· —種製造複合物的方法，其包含重複如申請專利範圍 第1項之步驟a)至步驟f)至少一次，因而製造複數印刷 電路層’及接著經由至少一中間層使該印刷電路層彼 此連接’因此形成一印刷電路板。 11·如申請專利範圍第1項之方法，於步驟e )後進一步包含 去除任何殘留的光阻之步驟。 12·如申請專利範圍第1項之方法，於步騍f)後進一步包含 去除任何殘留的光阻之步驟。 13·如申請專利範圍第1項之方法，其中該導電層包含一導 電箔片。 二， 14.如申請專利範圍第1項之方法，其中該金屬層包含一金 屬箔片。 -18 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公爱)

   專利範圍第1項之方法，其中該導電層包含一種 人、^含鋼、黃銅、不銹鋼、鋁、鎳以及其合金及組 ° <群組的材料。 17 4 2叫專利範圍第1項之方法，其中該導電層爲銅箔。 •、口申請專利範圍第Μ之方法，其中該導電層 琢基質上。 、申叫專利範圍第丨項之方法，其中該導電層係藉由電 鍵或非電鍍沉積作用沉積至該基質上。 19·如申請專利範圍第1項之方#，其中該導電層係藉由塗 布、賤射或蒸發作用沉積至該基質上。 2〇·如申請專利範圍第1項之方法，其中該金屬層包含一種 選自包含鎳、錫、鈀、鉑、鉻、鉬、鈦以及其合金及 組合之群組的材料。 21·如申请專利範圍第1項之方法，其中該金屬層含鎳。 22·如申叫專利範圍第1項之方法，其中該金屬層含錫。 士申叫專利範圍第1項之方法，其中該金屬層係層壓至 該導電層上。 24·如申请專利範圍第1項之方法，其中該金屬層係籍由電 鍍或非電鍍沉積技術沉積至該導電層上。 25·如申請專利範圍第1項之方法，其中該金屬層係藉由塗 布、濺射或蒸發作用沉積至該導電層上。 26·如申請專利範圍第1項之方·法，其中該金屬層之露出部 分係藉由酸蝕刻去除。 - 27.如申請專利範圍第1項之方法，其中該導電層之露出部 -19 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐)

   裝 訂 線 ψ 592009 A BCD 其中該基質包含一聚醯 其中該基質包含一經強 其中該基質包含一經強 六、申請專利範圍 分係藉由鹼蝕刻去除。 28.如申印專利範圍第i項之方法’其中該金屬層之露出部 分及該導電層之下方部分係藉由酸_同時去除。 29_如申請專利範圍第之方法，其中該基質包含一聚合 物膜。 30·如申請專利範圍第i項之方法 亞胺、聚酯或液晶聚合物膜。 31·如申請專利範圍第1項之方法 化之聚合物。 32·如申請專利範圍第丨項之方一 一 化之聚合物，其包含環氧化物、聚醯亞胺、氰酸酯、 B T -環氧化物或其組合。 33·如申請專利範圍第i項之方法，其中該基質包含一經強 化之聚合物，其中強化材料包含玻璃纖維或有機紙。 34. —種印刷電路層，其藉由包含以任一順序實施步驟（&) 及（b )之方法製造： a) 於一基質上沉積一導電層之第一表面，相對於該第 一表面該導電層具有一粗糙化之第二表面； b) 於該導電層之該粗糙化之第二表面上沉積—薄金屬 層，1¾金屬層含一種具有與該導電層不同的耐蝕刻性 質之材料；及接著 c )於金屬層上沉積一光阻；' d)使孩光阻成像曝光及顯影t，因而露出下方部分之該 金屬層； -20- 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS) A4規格(210 X 297公嫠）

   申請專利範固 e)去除該露出下方部分 之該導電層；及 金屬層， f)去除該露出下方部 路層。 等笔層，石 35·如申請專利範圍第34 包含一導電箔片。印刷電路^ 36·如申請專利範圉第34 包含一金屬箱片。、〈印刷電 37·如申請專利範園第34 包含-種選自包含鋼、、刷電路 合金及組合之群組的材^、5、不銹 38·如申請專利範圍第34 ° 爲銅箔。 、I7刷電路 39·如申請專利範圍第 包含一種選自包含線=印刷電路 其合金及組合之群組的材料免、銘 40·如申請專利範圍第3 包含鎳。 員<印刷電路 礼如申請專利範圍第34J貝之印刷電路 包含錫。 42. 如申請專利範圍第3 含半導體。 k印刷電路 43. 如申請專利範圍第μ,之印·_刷電路 含坤化鎵、♦、切組成物及其^ 而露出下方部分 而製造一印刷電 ’其中該導電層 ，其中該金屬層 ’其中該導電層 、鋁、鎳以及其 ’其中該導電層 ’其中該金屬層 &、鉬、鈥以及 ’其中該金屬層 ’其中該金屬層 ’其中該基質包 ，其中該基質包 -21 -