JP3178677B2 - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

技術分野 本発明は、二層以上の配線層を有する多層配線基板及び
その製造方法に関し、更に詳しくは下層の配線層に柱状
金属体を形成した後に、その柱状金属体に一部が導電接
続された上層の配線層を形成する工程を有する多層配線
基板及びその製造方法に関する。 背景技術 近年、電子機器等の小形化や軽量化に伴い、電子部品の
小形化が進められると共に、電子部品を実装するための
配線基板に対して高密度化の要求が高まっている。配線
基板を高密度化するには、配線層自体の配線密度を高く
する方法や配線層を複数積層することで多層構造とする
方法などが採られている。 このような多層配線基板を製造する方法には、複数の基
材にそれぞれ配線層を形成した上で、基材の間に絶縁シ
ートを介在させて接合等を行う接合方式と、配線パター
ンの形成された基材の上に絶縁層を形成し、この絶縁層
の上に配線パターンを形成するといった具合に、絶縁層
と配線パターンの形成を順次繰り返すことにより積層構
造を形成していくビルドアップ方式とが存在する。但
し、配線基板を高密度化する上では、後者のビルドアッ
プ方式が有利となるため、多層配線基板の製造方法の主
流となりつつある。 一方、多層配線基板では、それぞれの配線層間で回路設
計に応じた導電接続を行う必要がある。このような導電
接続には、従来、バイアホールと呼ばれる、絶縁層の開
孔部に円筒状にメッキを施した導電接続構造が採用され
てきた。しかし、バイアホールでは、開孔部の形成やメ
ッキの際に、微細加工の困難性やエアーの混入等の問題
があり、配線基板の信頼性を維持する上でサイズ的な限
界があった。また、多層に積層する際、バイアホールの
直上にバイアホールを形成するのが困難であり、積層構
造の設計に制約があるため、この点からも多層配線基板
の高密度化に限界があった。 これに対し、中実の柱状導電体によって配線層間の導電
接続を行う方法では、このような問題がないため、バイ
アホールを形成する場合に比較して、多層配線基板の更
なる高密度化が可能になる。従って、柱状導電体による
配線層間の導電接続が、今後の主流になると当業界では
予想されており、種々の方法で柱状導電体を形成する方
法が数多く提案されている。 例えば特開平９−２３０６５号公報には、下層の配線層
上に設けた絶縁層にレーザ加工等で開孔部を形成した
後、無電解メッキを行って柱状導電体を充填する方法が
開示されている。また、特開平６−３１４８７８号公報
には、下層の配線層を全面導通させた状態にした後、開
孔部を有するレジストパターンを形成し、その凹部に電
解メッキで金属を析出させることで、上記柱状導電体を
形成する方法が開示されている。 しかし、上記の方法では、いずれも柱状導電体の高さが
不均一になり易く、また、前者では無電解メッキを行う
ため、柱状導電体の形成に時間がかかるという問題が有
り、後者では孔内で電解メッキを行うため、電流密度が
高められず、同様に時間がかかるという問題が有った。
更に、レジストパターンの形成にレーザー照射等のため
の大がかりな装置が必要でコスト面でも不利となり、ま
た、開孔部の底部のレジストを確実に除去しにくいた
め、柱状導電体の導通の信頼性が低くなっていた。 そこで、本発明の目的は、簡易な設備と従来工程の組合
せで製造が行え、配線層の細線化が可能で、しかも配線
基板の信頼性が高い多層配線基板及びその製造方法を提
供することにある。 発明の開示 上記目的は、以下の如き本発明により達成できる。即
ち、本発明の多層配線基板の製造方法は、下層の配線層
に柱状金属体を形成した後に、その柱状金属体に一部が
導電接続された上層の配線層を形成する工程を有する多
層配線基板の製造方法において、前記柱状金属体の形成
工程は、その柱状金属体を構成する金属のメッキ層を形
成する工程、そのメッキ層の前記柱状金属体を形成する
表面部分にマスク層を形成する工程、及び前記メッキ層
のエッチングを行う工程を含むことを特徴とするもので
ある。 本発明の製造方法によると、開孔内でなく全面にメッキ
層を形成した後、エッチングで柱状金属体を形成するた
め、レーザー照射等を特に必要とせず、また柱状金属体
の小径化が可能となる。しかも、レジストを除去した開
孔部へのメッキでないため、下層の配線層と柱状金属体
の普通の信頼性が高くなる。その結果、簡易な設備と従
来工程の組合せで製造が行え、配線層の細線化が可能
で、しかも配線基板の信頼性が高い多層配線基板を製造
することができる。 本発明の製造方法は、以下の第１実施形態〜第３実施形
態を含むのもである。第１実施形態は、前記柱状金属体
の形成工程が、 （１ａ）その柱状金属体を構成する金属のエッチング時
に耐性を示す別の金属を、前記下層の配線層の非パター
ン部を含めた略全面に被覆して保護金属層を形成する工
程、 （１ｂ）その保護金属層の略全面に、前記柱状金属体を
構成する金属のメッキ層を電解メッキにより形成する工
程、 （１ｃ）そのメッキ層の前記柱状金属体を形成する表面
部分に、マスク層を形成する工程、 （１ｄ）前記メッキ層のエッチングを行う工程、及び （１ｅ）少なくとも前記保護金属層の浸食が可能なエッ
チングを行って、少なくとも前記非パターン部を被覆す
る保護金属層を除去する工程を含むものである。 第１実施形態の製造方法によると、上記の如き保護金属
層を設けてあるため、メッキ層のエッチング時に下層の
配線層が浸食されることなく、マスク層を形成した位置
に所望の柱状金属体を形成することができる。更に、
（１ｄ）工程後に非パターン部に残存する保護金属層
を、（１ｅ）工程により確実に除去することができ、し
かも柱状金属体の下側の保護金属層は（１ｅ）工程では
浸食されにくい。このため、パターン部間の短絡が生じ
にくく、配線基板の信頼性が高くなると共に、細線化が
可能になる。更に、保護金属層が全面に形成されている
ため、メッキ層を電解メッキにより形成することがで
き、しかも孔内でなく、全面にメッキ層を形成するた
め、電流密度を高めて短時間に所望厚さを有するメッキ
層を形成することができる。 上記において、前記（１ａ）工程が、予めパターン形成
した前記下層の配線層の非パターン部を含めた全面に無
電解メッキを行って下地導電層を形成した後、更に略全
面に電解メッキを行って前記保護金属層を形成するもの
であると共に、前記（１ｅ）工程が、前記保護金属層の
浸食が可能なエッチングを行った後、前記非パターン部
に残存する前記下地導電層をソフトエッチングで除去す
るものであることが好ましい。 この場合、予め全面に無電解メッキを行って下地導電層
を形成しているため、これをメッキ用電極とすることが
でき、電解メッキにより保護金属層を好適に形成するこ
とができる。このような電解メッキを行うのが好ましい
のは、無電解メッキでは金属以外の成分の混入等によ
り、後に保護金属層をエッチングするのが困難となる場
合があるためである。また、非パターン部に残存する下
地導電層をソフトエッチングで除去するため、パターン
部間の短絡を確実に防止して、配線基板の信頼性をより
向上させることができる。 また、前記（１ａ）工程が、絶縁層の略全面に無電解メ
ッキを行って下地導電層を形成した後にパターン形成し
た下層の配線層に対し、その略全面に電解メッキを行っ
て前記保護金属層を形成するものであると共に、前記
（１ｅ）工程が、前記保護金属層の浸食が可能なエッチ
ングを行った後、前記非パターン部に残存する前記下地
導電層をソフトエッチングで除去するものであることが
好ましい。この場合も上記と同様に、保護金属層を好適
に形成することができ、また、配線基板の信頼性をより
向上させることができる。 また、前記（１ａ）工程に先立って、前記下層の配線層
の非パターン部に、その配線層のパターン部と略同じ厚
みの絶縁層を形成して表面の平坦化を行うことが好まし
い。この場合、（１ａ）工程で形成される保護金属層が
平坦化するため、（１ｅ）工程で保護金属層を除去する
際に確実に除去することができ、パターン間の短絡等を
より確実に防止することができる。 上記において、前記柱状金属体を構成する金属が銅であ
り、前記保護金属層を構成する別の金属が、金、銀、亜
鉛、パラジウム、ルテニウム、ニッケル、ロジウム、鉛
−錫系はんだ合金、又はニッケル−金合金であることが
好ましい。この場合、汎用されているエッチング法によ
り、柱状金属体を低コストで導電性が良好な銅で形成す
ることができ、しかも保護金属層を構成する上記金属
が、エッチングに対して良好な耐性を示すため、配線層
の信頼性を高く維持することができる。 なお、本発明の多層配線基板は、上記第１実施形態の製
造方法により得られるものであり、下層の配線層と、そ
の配線層の上面の一部に設けられた保護金属層と、その
保護金属層の上面の全部に設けられた柱状金属体と、そ
の柱状金属体に一部が導電接続された上層の配線層とに
より、下層の配線層と上層の配線層とが導電接続された
構造を有する。本発明の多層配線基板によると、上記の
ように、簡易な設備と従来工程の組合せで製造が行え、
配線層の細線化が可能で、しかも配線基板の信頼性が高
いものとなる。 第２実施形態の製造方法は、前記柱状金属体の形成工程
が、 （２ａ）絶縁層のほぼ全面に設けた金属パネル層の表面
に、その金属パネル層のエッチング時に耐性を有し、形
成される下層の配線層と同一パターンの導電体層を形成
する工程、 （２ｂ）その導電体層を含む前記金属パネル層のほぼ全
面に、前記金属パネル層と同時にエッチング可能な金属
のメッキ層を形成する工程、 （２ｃ）そのメッキ層の前記柱状金属体を形成する表面
部分に、マスク層を形成する工程、及び （２ｄ）前記金属パネル層と前記メッキ層とのエッチン
グを行って、前記下層の配線層と前記柱状金属体とを形
成する工程を含むものである。 第２実施形態の製造方法によると、金属パネル層の表面
にエッチングレジストとなる導電体層を形成した後、メ
ッキ層と柱状金属体形成用のマスク層とを形成してから
エッチングを行うため、金属パネル層とメッキ層が浸食
される際、柱状金属体とパターン形成された配線層と導
電体層とが残存することになる。従って、柱状金属体の
形成と配線層のパターン形成とを同時に行うことがで
き、工程数や全工程時間を減少させつつ、工程における
負荷を小さくすることができる。また、柱状金属体と下
層の配線層との間に介在する導電体層が導電性であるた
め、柱状金属体と配線層との導電接続が可能になる。 上記において、前記（２ａ）工程が、前記金属パネル層
を感光性樹脂層で被覆した後、前記導電体層を形成する
部分をパターン露光・現像して除去し、その除去した部
分に金属をメッキすることで前記導電体層を形成するこ
とが好ましい。この場合、簡易な汎用設備により、従来
の配線層を形成する場合と同様の方法にて、本発明にお
ける導電体層を形成することができる。その際、下地と
なる金属パネル層に導通が可能なため、電解メッキを行
うことができ、形成される配線層との密着性をより高め
ることができる。 また、前記金属パネル層及び前記メッキ層を構成する金
属が銅であり、前記導電体層を構成する金属が、金、
銀、亜鉛、パラジウム、ルテニウム、ニッケル、ロジウ
ム、鉛−錫系はんだ合金、又はニッケル−金合金である
ことが好ましい。この場合、汎用されているエッチング
法により、下層の配線層及び柱状金属体を、低コストで
導電性が良好な銅で形成することができ、しかも導電体
層を構成する上記金属が、エッチングに対して良好な耐
性を示すため、配線層の信頼性を高く維持することがで
きる。 本発明の別の多層配線基板は、第２実施形態の製造方法
により製造されるものであり、第１実施形態の場合と同
様に、簡易な設備と従来工程の組合せで製造が行え、配
線層の細線化が可能で、しかも配線基板の信頼性が高い
ものとなる。 第３実施形態の製造方法は、前記柱状金属体の形成工程
が、 （３ａ）その柱状金属体を形成する部分が導電体で形成
され、他の部分が絶縁体で形成された保護層を、前記下
層の配線層のほぼ全面を被覆するように形成する工程、 （３ｂ）その保護層のほぼ全面に、前記柱状金属体を構
成する金属のメッキ層を形成する工程、 （３ｃ）そのメッキ層の前記柱状金属体を形成する表面
部分に、マスク層を形成する工程、及び （３ｄ）前記メッキ層のエッチングを行う工程を含むも
のである。 第３実施形態の製造方法によると、上記の如き保護層を
設けてあるため、メッキ層のエッチング時に下層の配線
層が浸食されることなく、所望の位置に所望の形状の柱
状金属体を形成することができる。その際、保護層に導
電体部分を形成しているため、下層の配線層と柱状金属
体が導通可能となる。また、配線層のパターン形成部を
主に絶縁体で被覆するため、パターン間の短絡の可能性
が小さく、信頼性が高くなると共に、細線化が可能にな
る。また、パターンを保護するための金属を多く用いる
必要が無いため、コスト的にも有利となる。 上記において、前記（３ａ）工程が、前記下層の配線層
を感光性樹脂層で被覆した後、前記導電体を形成する部
分をパターン露光・現像して開口させ、その開口した部
分に金属をメッキすることで前記保護層を形成すること
が好ましい。この場合、比較的簡易な工程、安価な装置
にて信頼性の高い保護層を形成することができる。 また、前記開口した部分に金属をメッキするに際し、前
記下層の配線層を構成する金属を触媒とする無電解メッ
キを行うことが好ましい。この場合、開口部に選択的に
所望の厚さの導電体を形成することができる。 本発明の別の多層配線基板は、第３実施形態の製造方法
により製造されるものであり、他の実施形態の場合と同
様に、簡易な設備と従来工程の組合せで製造が行え、配
線層の細線化が可能で、しかも配線基板の信頼性が高い
ものとなる。 本発明の別の製造方法は、上記のような柱状金属体の形
成工程により、最上層の配線層に柱状金属体を形成する
工程を含む多層配線基板の製造方法である。このような
柱状金属体はチップ部品の実装等のために形成される
が、配線層間の柱状金属体の場合と同様に、簡易な設備
と従来工程の組合せで、高密度で信頼性の高い柱状金属
体を形成することができる。 また、本発明の別の多層配線基板は、上記のような柱状
金属体の形成工程により、最上層の配線層に柱状金属体
が形成された多層配線基板である。 発明を実施するための最良の形態 以下、本発明の実施形態を図面に基づき詳細に説明す
る。 〔第１実施形態〕 本実施形態では、基板の両面側に配線層を積層する際
に、柱状金属体を基板の両面側に形成する例を示す。 先ず、図１（１）に示すように、基材２１の両面上に配
線層２２をパターン形成したものを準備する。その際、
パターン形成の方法はいずれでもよく、例えば、エッチ
ングレジストを使用する方法や、パターンメッキ用レジ
ストを使用する方法等で作製したもの用いることができ
る。基材２１としては、ガラス繊維とポリイミド樹脂等
の各種反応硬化性樹脂とからなる基材を用いることがで
き、また、配線層２２を構成する金属としては、通常、
銅、ニッケル、錫等が使用される。次に、図１（２）に
示すように、予めパターン形成した配線層２２の非パタ
ーン部を含めた全面に無電解メッキを行って下地導電層
１０を形成する。無電解メッキには、通常、銅、ニッケ
ル、錫等のメッキ液が使用されるが、これらの金属は、
配線層２２を構成する金属と同一でも異なっていてもよ
い。無電解メッキのメッキ液は、各種金属に対応して周
知であり、各種のものが市販されている。一般的には、
液組成として、金属イオン源、アルカリ源、還元剤、キ
レート剤、安定剤などを含有する。なお、無電解メッキ
に先立って、パラジウム等のメッキ触媒を沈着させても
よい。 次に、図１（３）に示すように、下層の配線層２２の非
パターン部を含めた全面を保護金属層１１で被覆すべ
く、下地導電層１０の全面に電解メッキを行って保護金
属層１１を形成する。その際、保護金属層１１を構成す
る金属としては、柱状金属体を構成する金属のエッチン
グ時に耐性を示す別の金属が使用される。具体的には、
柱状金属体を構成する金属が銅である場合、保護金属層
を構成する別の金属としては、金、銀、亜鉛、パラジウ
ム、ルテニウム、ニッケル、ロジウム、鉛−錫系はんだ
合金、又はニッケル−金合金等が使用される。但し、本
発明は、これらの金属の組合せに限らず、電解メッキ可
能な金属と、そのエッチング時に耐性を示す別の金属と
の組合せが何れも使用可能である。 上記の電解メッキは、周知の方法で行うことができる
が、一般的には、図１（２）の基板をメッキ浴内に浸漬
しながら、下地導電層１０を陰極とし、メッキする金属
の金属イオン補給源を陽極として、電気分解反応により
陰極側に金属を析出させることにより行われる。 即ち、本発明の（１ａ）工程は、柱状金属体を構成する
金属のエッチング時に耐性を示す別の金属を、下層の配
線層２２の非パターン部を含めた全面に被覆して保護金
属層１１を形成するものであるが、上述のように下地導
電層１０等が介在する状態で、保護金属層１１による被
覆を行ってもよく、また、下地導電層１０等を介在させ
ずに、直接、保護金属層１１による被覆を行ってもよ
い。 本発明の（１ｂ）工程は、図２（４）に示すように、保
護金属層１１の全面に、柱状金属体２４ａを構成する金
属のメッキ層２４を電解メッキにより形成するものであ
る。当該金属としては、通常、銅、ニッケル等が使用さ
れるが、配線層２２を構成する金属とは同一でも異なっ
ていてもよい。電解メッキは、上記と同様の方法により
行われるが、保護金属層１１が陰極として利用される。
具体的なメッキ層２４の厚みとしては、例えば２０〜２
００μｍ、或いはそれ以上のものが例示される。このよ
うに（１ｂ）工程で、電解メッキにより全面にメッキ層
２４を形成するため、メッキ層２４の高さが略等しくな
り、略均一な高さの柱状金属体２４ａを迅速に形成する
ことができる。 本発明の（１ｃ）工程は、図２（５）に示すように、上
記のメッキ層２４の柱状金属体２４ａを形成する表面部
分に、マスク層２５を形成するものである。本実施形態
では、スクリーン印刷により、散点状にマスク層２５を
印刷する例を示す。マスク層２５の個々の大きさ（面積
又は外径等）は、柱状金属体２４ａの大きさに対応して
決定され、例えば１００〜３００μｍ、或いはそれ以上
の外径を有するものが例示される。このように、（１
ｃ）工程において、マスク層２４が散点状に形成される
ため、印刷等の簡易かつ安価な方法で、マスク層２５を
形成することができる。 本発明の（１ｄ）工程は、図２（６）に示すように、メ
ッキ層２４のエッチングを行うものである。その際、エ
ッチングによる浸食量が多過ぎると、形成される柱状金
属体２４ａが小径化（アンダーカットの増大）して、後
の工程に支障をきたす場合が生じ、逆に、浸食量が少な
過ぎると、非パターン部にメッキ層２４が残存して、短
絡の原因となる場合が生じる。従って、上記のエッチン
グによる浸食の程度は、図２（６）に示す程度か、或い
はこれより多少増減する範囲内が好ましい。 エッチングの方法としては、メッキ層２４及び保護金属
層１１を構成する各金属の種類に応じた、各種エッチン
グ液を用いたエッチング方法が挙げられる。例えば、メ
ッキ層２４（即ち柱状金属体２４ａ）が銅であり、保護
金属層１１が前述の金属（金属系レジストを含む）の場
合、市販のアルカリエッチング液、過硫酸アンモニウ
ム、過酸化水素／硫酸等が使用される。上記のエッチン
グによると、図２（６）に示すように、保護金属層１１
で被覆された配線層２２（パターン部及び非パターン
部）、柱状金属体２４ａ及びマスク層２５がエッチング
されずに残ることになる。 次に、図３（７）に示すように、マスク層２５の除去を
行うが、これは薬剤除去、剥離除去など、マスク層２５
の種類に応じて適宜選択すればよい。例えば、スクリー
ン印刷により形成された感光性のインクである場合、ア
ルカリ等の薬品にて除去される。 次に、図３（８）に示すように、保護金属層１１の浸食
が可能なエッチングを行う。エッチングの方法として
は、（１ｄ）工程とは異なるエッチング液を用いたエッ
チング方法が挙げられるが、塩化物エッチング液を用い
ると金属系レジスト及び銅の両者が浸食されるため、そ
の他のエッチング液を用いるのが好ましい。具体的に
は、柱状金属体２４ａと下層の配線層２２が銅であり、
保護金属層１１が前記の金属である場合、はんだ剥離用
として市販されている、硝酸系、硫酸系、シアン系など
の酸系のエッチング液等を用いるのが好ましい。これに
より、図３（８）に示すように、柱状金属体２４ａと配
線層２２（パターン部）とに介在する保護金属層１１の
みを残存させることができる。また、非パターン部に
は、下地導電層１０のみが残存する。 次に、図３（９）に示すように、非パターン部に残存す
る下地導電層１０をソフトエッチングで除去するが、ソ
フトエッチングを行うのは、柱状金属体２４ａや、露出
する配線層２２（パターン部）を過度に浸食するのを防
止するためである。ソフトエッチングの方法としては、
下地導電層１０を構成する金属に対するエッチング液
を、低濃度で使用したり、また緩やかなエッチングの処
理条件で使用したりする方法等が挙げられる。 即ち、本発明の（１ｅ）工程は、少なくとも保護金属層
１１の浸食が可能なエッチングを行って、少なくとも非
パターン部を被覆する保護金属層１１を除去するもので
あるが、上述のように下地導電層１０を有する場合に
は、保護金属層１１と下地導電層１０を順次エッチング
して、非パターン部の保護金属層１１と下地導電層１０
とを除去する。これにより、パターン部間の陥落を確実
に防止することができる。 次に、図４（１０）に示すように、絶縁層２６を形成す
るための絶縁材２６ａの塗布を行う。絶縁材２６ａとし
ては、例えば絶縁性が良好で安価な液状ポリイミド樹脂
等の反応硬化性樹脂を用いることができ、これを各種方
法で、柱状金属体２４ａの高さよりやや厚くなるように
塗布した後、加熱又は光照射等により硬化させればよ
い。塗布方法としては、ホットプレス及び各種コーター
が用いられる。 次に、図４（１１）に示すように、硬化した絶縁材２６
ａを研削・研磨等することにより、柱状金属体２４ａの
高さと略同じ厚さを有する絶縁層２６を形成する。研削
の方法としては、ダイヤモンド製等の硬質刃を回転板の
半径方向に複数配置した硬質回転刃を有する研削装置を
使用する方法が挙げられ、当該硬質回転刃を回転させな
がら、固定支持された配線基板の上面に沿って移動させ
ることによって、上面を平坦化することができる。ま
た、研磨の方法としては、ベルトサンダ、バフ研磨等に
より軽く研磨する方法が挙げられる。 次に、図４（１２）に示すように、柱状金属体２４ａに
一部が導電接続された上層の配線層２７を形成する。こ
の配線層２７の形成は、下層の配線層２２を形成するの
と同様の方法で形成することができる。例えば、フォト
リソグラフィ技術を用いて所定のマスクを形成し、エッ
チング処理することによって、所定のパターンを持った
配線層２７を形成することができる。 以上の工程によると、更に上層に配線層を形成すること
により、例えば図６に示すような多層配線基板３０を製
造することができる。この多層配線基板３０は、基板内
に配線層３１〜３６の６層の回路構成をもつ６層基板で
ある。この内部には、バイアホールに相当する層間接続
構造３７，３８，３９が柱状金属体２４ａにより形成さ
れている。なお、層間接続構造３７は、基板の両面に配
線層を形成する場合の第１層と第２層を接続するもので
あり、層間接続構造３８は第２層と第３層を接続するも
のであり、層間接続構造３９は第１層と第３層を接続す
るものである。本発明において、第１層と第３層を接続
する場合、第１層と第２層を接続する柱状金属体２４ａ
の上方に、更に第２層と第３層を接続する柱状金属体２
４ａを形成すればよい。 本発明の多層配線基板は、以上の如き製造工程で製造さ
れるものであり、当該製造工程に応じた材料・構造を有
するものである。また、この種の製造方法で採用される
他の公知の工程が付加されている場合、当該工程の付加
に応じた材料・構造を有するものである。 即ち、本発明の多層配線基板は、図４（１２）に示すよ
うに、下層の配線層２２と、その配線層２２の上面の一
部に設けられた保護金属層１１と、その保護金属層１１
の上面の全部に設けられた柱状金属体２４ａと、その柱
状金属体２４ａに一部が導電接続された上層の配線層２
７とにより、下層の配線層と上層の配線層とが導電接続
された構造を有する。 本発明の多層配線基板は、本発明の製造方法以外の方法
で製造することも可能であり、例えば次の方法により製
造することができる。即ち、下層の配線層をパターン形
成する前の金属層である第１層と、保護金属層を構成す
る金属の第２層と、柱状金属体を構成する金属の第３層
とが積層した積層体を、圧延、メッキ等により形成し、
その積層体の第３層の表面にマスク層を設けてからエッ
チングして柱状金属体を形成する。必要により、第２層
だけを選択的に除去した後、柱状金属体が形成された第
２層側に絶縁材（熱硬化性樹脂等）を塗布した後、パタ
ーン形成された上層の配線層に対して、熱プレスするこ
とにより、柱状金属体と上層の配線層を導電接続させ
る。その後、第１層をエッチング等して下層の配線層を
パターン形成し、第２層を除去していない場合にはそれ
を除去する。 〔第１実施形態の別形態〕 以下、本発明の別の実施形態について説明する。 （１）前記の実施形態では、柱状金属体を基板の両面に
成形する例を示したが、柱状金属体を基板の片面のみに
形成するもの、即ち配線層の積層を片面のみに行うもの
であってもよい。その場合、積層しない側の基板面を強
固に支持することができるため、研削・研磨等の工程を
無理なく確実に行うことができる。その結果、得られる
多層配線基板の信頼性がより高いものとなる。 （２）前記の実施形態では、（１ａ）工程が、予めパタ
ーン形成した下層の配線層の非パターン部を含めた全面
に無電解メッキを行って下地導電層を形成した後、更に
全面に電解メッキを行って保護金属層を形成する例を示
したが、絶縁層の全面に無電解メッキを行って下地導電
層を形成した後にパターン形成した下層の配線層に対
し、その全面に電解メッキを行って前記保護金属層を形
成してもよい。その場合、下地導電層が既に存在するた
め、電解メッキを利用したパターンメッキにより下層の
配線層のパターン形成が可能になる。なお、上記の方法
は何れも、下地導電層を無電解メッキで形成している
が、スパッタリング等により形成することも可能であ
る。 （３）前記の実施形態では、マスク層を印刷により形成
する例を示したが、ドライフィルムレジスト等を用いて
マスク層を形成してもよい。その場合、ドライフィルム
レジストの熱圧着、露光、現像が行われる。また、マス
ク層の除去（剥離）には、メチレンクロライドや水酸化
ナトリウム等が用いられる。 また、マスク層をメッキ層のエッチング時に耐性を示す
金属で形成してもよい。 その場合、保護金属層と同様の金属を使用することがで
き、パターン形成と同様の方法により、所定の位置にマ
スク層を形成すればよい。マスク層を金属等の導電体で
形成する場合、それを除去することなく、柱状金属体に
導通した上層の配線層を形成することも可能である。例
えば、金属のマスク層を残したまま、銅箔付きの絶縁材
（熱硬化性樹脂等）を熱プレスして絶縁層を形成する
と、金属のマスク層と銅箔が導電接続され、銅箔をパタ
ーン形成することで上層を配線層を形成することができ
る。 （４）前記の実施形態では、絶縁材を研削・研磨等する
ことにより、柱状金属体の高さと略同じ厚さを有する絶
縁層を形成する例を示したが、絶縁材である樹脂を加熱
加圧することにより、柱状金属体の高さと略同じ厚さを
有する絶縁層を形成してもよい。その場合、柱状金属体
上に薄く残る絶縁性樹脂は、プラズマ処理等によって簡
単に除去でき、また加熱後に研磨して平坦化することも
できる。 （５）前記の実施形態では、マスク層の除去を（１ｄ）
工程と（１ｅ）工程の間で行っている例を示したが、マ
スク層の除去工程の順序はこれに限定されず、例えば、
保護金属層のエッチング工程の直後、下地導電層のソフ
トエッチング工程の直後、あるいは、絶縁材２６ａを研
削・研磨等する際に、マスク層の除去を行ってもよい。 （６）前記の実施形態では、下地導電層を有する下層の
配線層に保護金属層を被覆する例を示したが、下地導電
層を形成せずに直接、保護金属層を被覆してもよい。そ
の場合、無電解メッキ等により下層の配線層に保護金属
層を被覆すればよく、また、保護金属層の浸食が可能な
エッチングのみで、非パターン部を被覆する保護金属層
を除去して、パターン部間の陥落を防止することができ
る。 （７）前記の実施形態では、図１（１）に示すものに
（１ａ）工程を行う例を示したが、図５（１′）に示す
ように、（１ａ）工程に先立って、下層の配線層２２の
非パターン部に、その配線層２２のパターン部と略同じ
厚みの絶縁層２９を形成して表面の平坦化を行ってもよ
い。その場合、前述の絶縁層２６の形成と同様な材料、
塗布方法、硬化方法、研削・研磨方法により、絶縁層２
９を形成すればよい。その後、前述の実施形態と同様
に、メッキ層２４の形成まで行い（図５（４′）参
照）、更に、下地導電層１０の除去まで行えばよい（図
５（９′）参照）。 〔第２実施形態〕 本実施形態では、絶縁層である基材の両面側に配線層と
柱状金属体とを形成する例を示す。 先ず、図７（１）に示すような、絶縁層である基材２１
の両面のほぼ全面に金属パネル層２２ａを形成したもの
を準備する。基材２１としては、例えばガラス繊維とエ
ポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の各種反応硬化性樹脂と
からなる基材を用いることができる。また、金属パネル
層２２ａを構成する金属としては、通常、銅、ニッケ
ル、錫等が使用され、好ましくは銅が使用される。金属
パネル層２２ａはメッキや、接着剤もしくは熱圧着等に
よる積層によって形成することができる。メッキを行う
場合、無電解メッキや、無電解メッキと電解メッキとの
組み合わせが採用できる。 前記（２ａ）工程は、図７（２）に示すように、基材２
１のほぼ全面に設けた金属パネル層２２ａの表面に、そ
の金属パネル層２２ａのエッチング時に耐性を有し、形
成される配線層２２と同一パターンの導電体層２３を形
成するものである。 この（２ａ）工程は、ドライフィルム、感光性樹脂塗
料、スクリーン印刷等を用いて所望パターンのメッキレ
ジストを形成した後にメッキする方法や、全面に設けた
金属層にドライフィルム、感光性樹脂塗料、スクリーン
印刷等を用いて所望パターンのエッチングレジストを形
成した後にエッチングする方法や、導電性塗料を用いた
スクリーン印刷による印刷法や、所望のパターンでマス
クした状態でスパッタリングする方法等により、行うこ
とができる。 但し、金属パネル層２２ａを感光性樹脂層で被覆した
後、導電体層２３を形成する部分をパターン露光・現像
して除去し、その除去した部分に金属をメッキすること
で導電体層２３を形成する方法が好ましい。本実施形態
では、この方法について詳述する。 感光性樹脂層とは光により光分解、光架橋、又は光重合
を起こすような、低分子量及び／又は高分子量の成分を
含む樹脂組成物を指す。被覆には、ドライフィルムをラ
ミネートする方法や感光性樹脂組成物を塗布・硬化させ
る方法等が利用できる。ドライフィルム（フォトレジス
ト）は、有機溶剤現像タイプやアルカリ水溶液現像タイ
プが存在し、加熱圧着ロール等を有するドライフィルム
ラミネータ等を用いて、熱圧着（ラミネート）が行われ
る。感光性樹脂組成物の塗布は、各種コーターを用いて
行うことができる。 次いで、導電体層２３を形成する部分をパターン露光・
現像して除去してヌキパターンとする。パターン露光
は、フォトマスク用フィルムを介在させつつ、又はフォ
トプロッター等による直接露光により、露光機を用いて
通常、紫外線等により行われる。現像には、ドライフィ
ルムの種類に応じて現像液等が使用され、例えば有機溶
剤現像タイプに対してはトリクロロエタンやメチレンク
ロライド等、アルカリ水溶液現像タイプに対しては、炭
酸ナトリウムや水酸化ナトリウム等が使用される。 更に、除去した部分に金属をメッキすることで導電体層
２３を形成する。当該メッキには、無電解メッキを用い
ることもできるが、下地となる金属パネル層２２ａに導
通させて電解メッキを行うのが好ましく、これにより形
成される配線層２２との密着性をより高めることができ
る。メッキする金属としては、金属パネル層２２ａ及び
メッキ層２４を構成する金属が銅である場合、金属が、
金、銀、亜鉛、パラジウム、ルテニウム、ニッケル、ロ
ジウム、鉛−錫系はんだ合金、又はニッケル−金合金等
が好適に使用される。電解メッキの方法としては、これ
らの金属等が溶解したメッキ液に、メッキする基板を浸
漬し、金属パネル層２２ａを介して適宜導通を行いなが
ら、所定温度で所定時間処理する方法等が挙げられる。
その際、メッキ液としては、上記の金属に対応する市販
のものを使用することができる。 上記のようにして、配線層２２をパターン形成するため
の導電体層２３を形成することができる。また、導電体
層２３の厚みについては、エッチング時にパターン形成
部分を保護（レジスト）できる厚さであればよく、１０
〜１００μｍが好ましい。 前記（２ｂ）工程は、図７（３）に示すように、導電体
層２３を含む金属パネル層２２ａのほぼ全面に、金属パ
ネル層２２ａと同時にエッチング可能な金属のメッキ層
２４を形成するものである。当該金属としては、通常、
銅、ニッケル等が使用され、好ましくは金属パネル層２
２ａと同じ金属、特に銅を用いるのが好ましい。メッキ
層２４の形成には、無電解メッキ、又は電解メッキが採
用されるが、電解メッキを行うのが、前述の理由より好
ましい。具体的なメッキ層２４の厚みとしては、例えば
２０〜２００μｍ、或いはそれ以上のものが例示され
る。このように（２ｂ）工程では、全面にメッキ層２４
を形成するため、メッキ層２４の高さが略等しくなり、
略均一な高さの柱状金属体２４ａを形成することができ
る。 前記（２ｃ）工程は、図７（４）に示すように、上記の
メッキ層２４の柱状金属体２４ａを形成する表面部分
に、マスク層２５を形成するものである。本実施形態で
は、スクリーン印刷により、散点状にマスク層２５を印
刷する例を示す。マスク層２５の個々の大きさ（面積又
は外径等）は、柱状金属体２４ａの大きさに対応して決
定され、例えば２０μｍ以上の外径を有するものが例示
される。このように、（２ｃ）工程において、マスク層
２４が散点状に形成されるため、印刷等の簡易かつ安価
な方法で、マスク層２５を形成することができる。 前記（２ｄ）工程は、図８（５ａ），（５ｂ）に示すよ
うに、金属パネル層２２ａとメッキ層２４のエッチング
を行うものである。なお、図８（５ｂ）は、図８（５
ａ）の一部断面斜視図を示すものである。エッチングの
方法としては、金属パネル層２２ａとメッキ層２４及び
導電体層２３を構成する各金属の種類に応じた、各種エ
ッチング液を用いたエッチング方法が挙げられる。例え
ば、メッキ層２４（即ち柱状金属体２４ａ）が銅であ
り、導電体層２３が、金、銀、亜鉛、パラジウム、ルテ
ニウム、ニッケル、ロジウム、鉛−錫系はんだ合金、又
はニッケル−金合金等の場合、市販のアルカリエッチン
グ液が使用される。上記のエッチングによると、図８
（５ａ），（５ｂ）に示すように、導電体層２３が表面
に形成された配線層２２と、その上面の柱状金属体２４
ａ及びマスク層２５がエッチングされずに残ることにな
る。 次に、図８（６）に示すように、マスク層２５の除去を
行うが、これは薬剤除去、剥離除去など、マスク層２５
の種類に応じて適宜選択すればよい。例えば、スクリー
ン印刷により形成された感光性のインクである場合、ア
ルカリ等の薬品にて除去される。 次に、図９（７）に示すように、絶縁層２６を形成する
ための絶縁材２６ａの塗布を行う。絶縁材２６ａとして
は、例えば絶縁性が良好で安価な液状ポリイミド樹脂等
の反応硬化性樹脂を用いることができ、これを各種方法
で、柱状金属体２４ａの高さよりやや厚くなるように塗
布した後、加熱又は光照射等により硬化させればよい。
塗布方法としては、ホットプレス及び各種コーターが用
いられる。 次に、図９（８）に示すように、硬化した絶縁材２６ａ
を研削・研磨等することにより、柱状金属体２４ａの高
さと略同じ厚さを有する絶縁層２６を形成する。研削の
方法としては、ダイヤモンド等製の硬質刃を回転板の半
径方向に複数配置した硬質回転刃を有する研削装置を使
用する方法が挙げられ、当該硬質回転刃を回転させなが
ら、固定支持された配線基板の上面に沿って移動させる
ことによって、上面を平坦化することができる。また、
研磨の方法としては、ベルトサンダ、バフ研磨等により
軽く研磨する方法が挙げられる。 次に、図９（９）に示すように、上層の配線層を形成す
るための金属パネル層２７ａを絶縁層２６のほぼ全面に
形成する。その後、前述の工程を順次繰り返すことによ
り、下層の配線層と上層の配線層とが柱状金属体を介し
て導電接続された積層構造を更に上層に形成することが
できる。なお、最上層の配線層を形成する場合、特にそ
の上方に柱状金属体を形成る必要がないため、従来と同
様の方法でパターン形成した配線層を形成すればよい。
例えば、エッチングレジストを使用する方法や、パター
ンメッキ用レジストを使用する方法等により、所定のパ
ターンを持った配線層を形成することができる。 以上の工程によると、第１実施形態と同様に、例えば図
６に示すような多層配線基板３０を製造することができ
る。本発明の多層配線基板は、以上の如き製造工程で製
造されるものであり、当該製造工程に応じた材料・構造
を有するものである。また、この種の製造方法で採用さ
れる他の公知の工程が付加されている場合、当該工程の
付加に応じた材料・構造を有するものである。 即ち、本発明の多層配線基板は、図９（９）に示すよう
に、下層の配線層２２と、その配線層２２の上面に設け
られた同一パターンの導電体層２３と、その導電体層２
３の上面に設けられた柱状金属体２４ａと、その柱状金
属体２４ａに一部が導電接続された上層の配線層とによ
り、下層の配線層と上層の配線層とが導電接続された構
造を有する。 〔第２実施形態の別形態〕 以下、本発明の別の実施形態について説明する。 （１）前記の実施形態では、柱状金属体を基板の両面に
成形する例を示したが、柱状金属体を基板の片面のみに
形成するもの、即ち配線層の積層を片面のみに行うもの
であってもよい。その場合、積層しない側の基板面を強
固に支持することができるため、研削・研磨等の工程を
無理なく確実に行うことができる。その結果、得られる
多層配線基板の信頼性がより高いものとなる。 （２）前記の実施形態では、マスク層を印刷により形成
する例を示したが、ドライフィルムレジスト等を用いて
マスク層を形成してもよい。その場合、ドライフィルム
レジストの熱圧着、露光、現像が行われる。また、マス
ク層の除去（剥離）には、メチレンクロライドや水酸化
ナトリウム等が用いられる。 （３）前記の実施形態では、絶縁材を研削・研磨等する
ことにより、柱状金属体の高さと略同じ厚さを有する絶
縁層を形成する例を示したが、絶縁材である樹脂を加熱
加圧することにより、柱状金属体の高さと略同じ厚さを
有する絶縁層を形成してもよい。その場合、柱状金属体
上に薄く残る絶縁性樹脂は、プラズマ処理等によって簡
単に除去でき、また加熱後に研磨して平坦化することも
できる。 （４）前記の実施形態では、（２ｄ）工程において、エ
ッチングにより、表面に導電体層を有する配線層と柱状
金属体とを形成した後、当該導電体層を剥離せずに、そ
の後の工程を行う例を示したが、配線層の表面に残存す
る導電体層を剥離してから、その後の工程を行ってもよ
い。その場合、剥離方法としては、配線層と柱状金属体
とを浸食しにくいエッチング液、例えばはんだ剥離用の
酸系エッチング液を用いてソフトエッチングする方法
や、スパッタエッチング等の物理的な方法により行うこ
とができる。このような剥離を行うことにより、下地で
ある配線層の銅表面を露出させることができ、露出した
銅表面を更に表面処理して、その表面に形成される樹脂
よりなる絶縁層との密着性を高めることができる。その
際の表面処理としては、銅を酸化剤で酸化させる黒化処
理や、物理的な粗化処理等が挙げられる。 〔第３実施形態〕 本実施形態では、基板の両面側に配線層を積層する際
に、柱状金属体を基板の両面側に形成する例を示す。 先ず、図１０（１）に示すように、基材２１の両面上に
配線層２２をパターン形成したものを準備する。その
際、パターン形成の方法はいずれでもよく、例えば、エ
ッチングレジストを使用する方法や、パターンメッキ用
レジストを使用する方法等で作製したもの用いることが
できる。基材２１としては、ガラス繊維とポリイミド樹
脂等の各種反応硬化性樹脂とからなる基材を用いること
ができ、また、配線層２２を構成する金属としては、通
常、銅、ニッケル、錫等が使用される。 前記（３ａ）工程は、図１０（２）〜図１１（４）に示
すように、柱状金属体２４ａを形成する部分が導電体２
３で形成され、他の部分が絶縁体２０ｂで形成された保
護層を、配線層２２のほぼ全面を被覆するように形成す
るものである。本実施形態では、配線層２２を感光性樹
脂層２０で被覆した後、導電体２３を形成する部分をパ
ターン露光・現像して開口させ、生じる開口部２０ａに
金属をメッキすることで保護層を形成する例を示す。 まず、図１０（２）に示すように、配線層２２を感光性
樹脂層２０で被覆する。ここで、感光性樹脂層２０とは
光により光分解、光架橋、又は光重合を起こすような、
低分子量及び／又は高分子量の成分を含む樹脂組成物を
いう。被覆には、ドライフィルムをラミネートする方法
や感光性樹脂組成物を塗布・硬化させる方法等が利用で
きる。ドライフィルム（フォトレジスト）は、有機溶剤
現像タイプやアルカリ水溶液現像タイプが存在し、加熱
圧着ロール等を有するドライフィルムラミネータ等を用
いて、熱圧着（ラミネート）が行われる。感光性樹脂組
成物の塗布は、各種コーターを用いて行うことができ
る。 次いで、図１０（３）に示すように、導電体２３を形成
する部分をパターン露光・現像して開口させることによ
り開口部２０ａを形成すると共に、保護層の一部をなす
絶縁体２０ｂを残存させる。パターン露光は、フォトマ
スク用フィルムを介在させつつ、又はフォトプロッター
等による直接露光により、露光機を用いて通常、紫外線
等により行われる。現像には、ドライフィルムの種類に
応じた現像液等が使用され、例えば有機溶剤現像タイプ
に対してはトリクロロエタンやメチレンクロライド等、
アルカリ水溶液現像タイプに対しては、炭酸ナトリウム
や水酸化ナトリウム等が使用される。 更に、図１１（４）に示すように、開口部２０ａに金属
をメッキして、保護層の一部をなす導電体２３を形成す
る。当該メッキを行うに際し、下層の配線層２２（パタ
ーン形成部）を構成する金属を触媒とする無電解メッキ
を行うことが好ましく、また、柱状金属体２４ａを構成
する金属のエッチング時に耐性を示す金属をメッキする
のが好ましい。より具体的には、柱状金属体２４ａを構
成する金属が銅であり、導電体２３を構成する金属は、
例えばニッケル−金合金、又は錫−鉛系のはんだ合金等
で形成される。これらの合金は、銅を触媒とする上記の
選択的なメッキが可能であると共に、銅のエッチング時
に高い耐性を示すものであり、本発明の導電体を構成す
る金属として特に好ましい。 無電解メッキの方法としては、これらの金属等が溶解し
たメッキ液に、メッキする基板を浸漬し、所定温度で所
定時間処理する方法等が挙げられる。その際、メッキ液
組成としては、金属イオン源、アルカリ源、還元剤、及
びキレート剤等を含むものが挙げられるが、これらは市
販のものを使用することができる。 上記のようにして柱状金属体２４ａを形成する部分が導
電体２３で形成され、他の部分が絶縁体２０ｂで形成さ
れた保護層が形成される。上記において、導電体２３部
分、即ち開口部２０ａの大きさや形状は、下層の配線層
２２のパターン幅より小さく、柱状金属体２４ａとの導
電性が十分確保できる程度の大きさが好ましく、形状に
ついては円形の他、いずれの形状でもよい。また、導電
体２３部分の厚みについては、エッチング時に下層の配
線層２２を保護できる厚さであればよく、５μｍ以上が
好ましい。 前記（３ｂ）工程は、図１１（５）に示すように、前記
保護層のほぼ全面に、柱状金属体２４ａを構成する金属
のメッキ層２４を形成するものである。当該金属として
は、通常、銅、ニッケル等が使用され、無電解メッキ、
或いは無電解メッキと電解メッキの組み合わせなどのメ
ッキ方法が採用される。具体的なメッキ層２４の厚みと
しては、例えば２０〜２００μｍ、或いはそれ以上のも
のが例示される。このように（３ｂ）工程で、全面にメ
ッキ層２４を形成するため、メッキ層２４の高さが略等
しくなり、略均一な高さの柱状金属体２４ａを形成する
ことができる。 前記（３ｃ）工程は、図１１（６）に示すように、上記
のメッキ層２４の柱状金属体２４ａを形成する表面部分
に、マスク層２５を形成するものである。本実施形態で
は、スクリーン印刷により、散点状にマスク層２５を印
刷する例を示す。マスク層２５の個々の大きさ（面積又
は外径等）は、柱状金属体２４ａの大きさに対応して決
定され、例えば１００〜３００μｍ、或いはそれ以上の
外径を有するものが例示される。このように、（３ｃ）
工程において、マスク層２４が散点状に形成されるた
め、印刷等の簡易かつ安価な方法で、マスク層２５を形
成することができる。 前記（３ｄ）工程は、図１２（７）に示すように、メッ
キ層２４のエッチングを行うものである。エッチングの
方法としては、メッキ層２４及び導電体２３を構成する
各金属の種類に応じた、各種エッチング液を用いたエッ
チング方法が挙げられる。例えば、メッキ層２４（即ち
柱状金属体２４ａ）が銅であり、銅電体２３がニッケル
−金合金、又は錫−鉛系のはんだ合金の場合、市販のア
ルカリエッチング液が使用される。上記のエッチングに
よると、図１２（７）に示すように、保護層で被覆され
た配線層２２と、柱状金属体２４ａ及びマスク層２５が
エッチングされずに残ることになる。 次に、図１２（８）に示すように、マスク層２５の除去
を行うが、これは薬剤除去、剥離除去など、マスク層２
５の種類に応じて適宜選択すればよい。例えば、スクリ
ーン印刷により形成された感光性のインクである場合、
アルカリ等の薬品にて除去される。 次に、図１２（９）に示すように、絶縁層２６を形成す
るための絶縁材２６ａの塗布を行う。絶縁材２６ａとし
ては、例えば絶縁性が良好で安価な液状ポリイミド樹脂
等の反応硬化性樹脂を用いることができ、これを各種方
法で、柱状金属体２４ａの高さよりやや厚くなるように
塗布した後、加熱又は光照射等により硬化させればよ
い。塗布方法としては、ホットプレス及び各種コーター
が用いられる。 次に、図１３（１０）に示すように、硬化した絶縁材２
６ａを研削・研磨等することにより、柱状金属体２４ａ
の高さと略同じ厚さを有する絶縁層２６を形成する。研
削の方法としては、ダイヤモンド製等の硬質刃を回転板
の半径方向に複数配置した硬質回転刃を有する研削装置
を使用する方法が挙げられ、当該硬質回転刃を回転させ
ながら、固定支持された配線基板の上面に沿って移動さ
せることによって、上面を平坦化することができる。ま
た、研磨の方法としては、ベルトサンダ、バフ研磨等に
より軽く研磨する方法が挙げられる。 次に、図１３（１１）に示すように、柱状金属体２４ａ
に一部が導電接続された上層の配線層２７を形成する。
この配線層２７の形成は、下層の配線層２２を形成する
のと同様の方法で形成することができる。例えば、フォ
トリソグラフィ技術を用いて所定のマスクを形成し、エ
ッチング処理することによって、所定のパターンを持っ
た配線層２７を形成することができる。 以上の工程によると、更に上層に配線層を形成すること
により、第１実施形態と同様に、例えば図６に示すよう
な多層配線基板３０を製造することができる。本発明の
多層配線基板は、以上の如き製造工程で製造されるもの
であり、当該製造工程に応じた材料・構造を有するもの
である。また、この種の製造方法で採用される他の公知
の工程が付加されている場合、当該工程の付加に応じた
材料・構造を有するものである。 即ち、本発明な多層配線基板は、図１３（１１）に示す
ように、下層の配線層２２と、その配線層２２の上面に
設けられた導電体２３と、その導電体２３の上面にやや
大きな径で設けられた柱状金属体２４ａと、その柱状金
属体２４ａに一部が導電接続された上層の配線層とによ
り、下層の配線層と上層の配線層とが導電接続された構
造を有する。 〔第３実施形態の別形態〕 以下、本発明の別の実施形態について説明する。 （１）前記の実施形態では、柱状金属体を基板の両面に
成形する例を示したが、柱状金属体を基板の片面のみに
形成するもの、即ち配線層の積層を片面のみに行うもの
であってもよい。その場合、積層しない側の基板面を強
固に支持することができるため、研削・研磨等の工程を
無理なく確実に行うことができる。その結果、得られる
多層配線基板の信頼性がより高いものとなる。 （２）前記の実施形態では、保護層の一部をなす導電体
をメッキにより形成する例を示したが、導電性ペースト
を印刷・塗布した後、硬化させることにより導電体部分
を形成することも可能である。その場合、スクリーン印
刷等を用いることができる。 また、はんだを利用したソルダーコーティング等も可能
である。例えば、錫−鉛系のはんだ合金を用いる場合、
メッキ層（銅）のエッチング液としてアルカリエッチン
グ液を用いれば、はんだ耐性を示すことができる。更
に、スパッタリングによりクロム又はロジウムで導電体
部分を形成することも可能である。その場合、開口部以
外の部分をマスク材で覆うことにより、開口部のみに導
電体を形成すればよい。 （３）前記の実施形態では、マスク層を印刷により形成
する例を示したが、ドライフィルムレジスト等を用いて
マスク層を形成してもよい。その場合、ドライフィルム
レジストの熱圧着、露光、現像が行われる。また、マス
ク層の除去（剥離）には、メチレンクロライドや水酸化
ナトリウム等が用いられる。 （４）前記の実施形態では、絶縁材を研削・研磨等する
ことにより、柱状金属体の高さと略同じ厚さを有する絶
縁層を形成する例を示したが、絶縁材である樹脂を加熱
加圧することにより、柱状金属体の高さと略同じ厚さを
有する絶縁層を形成してもよい。その場合、柱状金属体
上に薄く残る絶縁性樹脂は、プラズマ処理等によって簡
単に除去でき、また加熱後に研磨して平坦化することも
できる。 〔本発明の別の製造方法及び多層配線基板〕 本発明の別の製造方法は、前述の第１〜３実施形態の柱
状金属体の形成工程により、最上層の配線層に柱状金属
体を形成する工程を含む多層配線基板の製造方法であ
る。また、本発明の別の多層配線基板は、前述の第１〜
３実施形態の柱状金属体の形成工程により、最上層の配
線層に柱状金属体が形成された多層配線基板である。 従って、前述の第１〜３実施形態に準じて、本発明の別
の製造方法及び多層配線基板を実施することができる
が、例えば第１実施形態に準じて実施した場合には図１
４（１２′）に示す構造の多層配線基板が得られ、第２
実施形態に準じて実施した場合には図１４（９′）に示
す構造の多層配線基板が得られる。これらは、図４（１
２）および図９（９）に示す多層配線基板に対して、各
実施形態に準じる方法により、チップ部品の実装等のた
めに使用される柱状金属体４０を形成したものである。 産業上の利用可能性 本発明は、下層の配線層と上層の配線層とを柱状金属体
により導電接続した構造を有する多層配線基板の製造方
法として特に有用である。より具体的には、簡易な設備
と従来工程の組合せで製造が行え、配線層の細線化が可
能で、しかも配線基板の信頼性が高い多層配線基板を製
造することができる。従って、本発明は産業上の利用可
能性が高いものである。 ［図面の簡単な説明］

【図１】 本発明の多層配線基板の製造方法の第１実施形態を示す
工程図（１）〜（３）である。

【図２】 第１実施形態を示す工程図（４）〜（６）である。

【図３】 第１実施形態を示す工程図（７）〜（９）である。

【図４】 第１実施形態を示す工程図（１０）〜（１２）である。

【図５】 第１実施形態の別形態を示す工程図（１′）、
（４′）、及び（９′）である。

【図６】 本発明により形成することのできる多層配線基板の一例
を示す部分断面部である。

【図７】 本発明の多層配線基板の製造方法の第２実施形態を示す
工程図（１）〜（４）である。

【図８】 第２実施形態を示す工程図（５ａ）〜（６）である。

【図９】 第２実施形態を示す工程図（７）〜（９）である。

【図１０】 本発明の多層配線基板の製造方法の第３実施形態を示す
工程図（１）〜（３）である。

【図１１】 第３実施形態を示す工程図（４）〜（６）である。

【図１２】 第３実施形態を示す工程図（７）〜（９）である。

【図１３】 第３実施形態を示す工程図（１０）〜（１１）である。

【図１４】 最上層の配線層に柱状金属体が形成された多層配線基板
の例を示す図である。

【符号の説明】

１１ 保護金属層 ２０ 感光性樹脂層 ２１ 基材 ２２ 下層の配線層 ２３ 導電体層 ２４ メッキ層 ２４ａ 柱状金属体 ２５ マスク層 ２７ 上層の配線層 ４０ 最上層の配線層に形成された柱状金属体

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−216527（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−291744（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−310857（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−135639（ＪＰ，Ａ) 特公 平７−10030（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H05K 3/46

Claims (16)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】下層の配線層に柱状金属体を形成した後
   に、その柱状金属体に一部が導電接続された上層の配線
   層を形成する工程を有する多層配線基板の製造方法にお
   いて、前記柱状金属体の形成工程は、 （１ａ）その柱状金属体を構成する金属のエッチング時
   に耐性を示す別の金属を、予めパターン形成した前記下
   層の配線層の非パターン部を含めた略全面に被覆して保
   護金属層を形成する工程、 （１ｂ）その保護金属層の略全面に、前記柱状金属体を
   構成する金属のメッキ層を電解メッキにより形成する工
   程、 （１ｃ）そのメッキ層の前記柱状金属体を形成する表面
   部分に、マスク層を形成する工程、 （１ｄ）前記メッキ層のエッチングを行う工程、及び （１ｅ）少なくとも前記保護金属層の浸食が可能なエッ
   チングを行って、少なくとも前記非パターン部を被覆す
   る保護金属層を除去する工程を含む多層配線基板の製造
   方法。
2. 【請求項２】前記（１ａ）工程が、予めパターン形成し
   た前記下層の配線層の非パターン部を含めた全面に無電
   解メッキを行って下地導電層を形成した後、更に略全面
   に電解メッキを行って前記保護金属層を形成するもので
   あると共に、 前記（１ｅ）工程が、前記保護金属層の浸食が可能なエ
   ッチングを行った後、前記非パターン部に残存する前記
   下地導電層をソフトエッチングで除去するものである請
   求項１記載の製造方法。
3. 【請求項３】前記（１ａ）工程が、絶縁層の略全面に無
   電解メッキを行って下地導電層を形成した後にパターン
   形成した下層の配線層に対し、その略全面に電解メッキ
   を行って前記保護金属層を形成するものであると共に、 前記（１ｅ）工程が、前記保護金属層の浸食が可能なエ
   ッチングを行った後、前記非パターン部に残存する前記
   下地導電層をソフトエッチングで除去するものである請
   求項１記載の製造方法。
4. 【請求項４】前記（１ａ）工程に先立って、前記下層の
   配線層の非パターン部に、その配線層のパターン部と略
   同じ厚みの絶縁層を形成して表面の平坦化を行う請求項
   １記載の製造方法。
5. 【請求項５】前記柱状金属体を構成する金属が銅であ
   り、前記保護金属層を構成する別の金属が、金、銀、亜
   鉛、パラジウム、ルテニウム、ニッケル、ロジウム、鉛
   −錫系はんだ合金、又はニッケル−金合金である請求項
   １に記載の製造方法。
6. 【請求項６】請求項１記載の製造方法によって得られる
   多層配線基板であって、下層の配線層と、その配線層の
   上面の一部に設けられた保護金属層と、その保護金属層
   の上面の全部に設けられた柱状金属体と、その柱状金属
   体に一部が導電接続された上層の配線層とにより、下層
   の配線層と上層の配線層とが導電接続された構造を有す
   る多層配線基板。
7. 【請求項７】下層の配線層に柱状金属体を形成した後
   に、その柱状金属体に一部が導電接続された上層の配線
   層を形成する工程を有する多層配線基板の製造方法にお
   いて、前記柱状金属体の形成工程は、 （２ａ）絶縁層のほぼ全面に設けた金属パネル層の表面
   に、その金属パネル層のエッチング時に耐性を有し、形
   成される下層の配線層と同一パターンの導電体層を形成
   する工程、 （２ｂ）その導電体層を含む前記金属パネル層のほぼ全
   面に、前記金属パネル層と同時にエッチング可能な金属
   のメッキ層を形成する工程、 （２ｃ）そのメッキ層の前記柱状金属体を形成する表面
   部分に、マスク層を形成する工程、及び （２ｄ）前記金属パネル層と前記メッキ層とのエッチン
   グを行って、前記下層の配線層と前記柱状金属体とを形
   成する工程を含む多層配線基板の製造方法。
8. 【請求項８】前記（２ａ）工程が、前記金属パネル層を
   感光性樹脂層で被覆した後、前記導電体層を形成する部
   分をパターン露光・現像して除去し、その除去した部分
   に金属をメッキすることで前記導電体層を形成するもの
   である請求項７記載の製造方法。
9. 【請求項９】前記金属パネル層及び前記メッキ層を構成
   する金属が銅であり、前記導電体層を構成する金属が、
   金、銀、亜鉛、パラジウム、ルテニウム、ニッケル、ロ
   ジウム、鉛−錫系はんだ合金、又はニッケル−金合金で
   ある請求項７記載の製造方法。
10. 【請求項１０】請求項７〜９いずれかに記載の製造方法
    により製造される多層配線基板。
11. 【請求項１１】下層の配線層に柱状金属体を形成した後
    に、その柱状金属体に一部が導電接続された上層の配線
    層を形成する工程を有する多層配線基板の製造方法にお
    いて、前記柱状金属体の形成工程は、 （３ａ）その柱状金属体を形成する部分が導電体で形成
    され、他の部分が絶縁体で形成された保護層を、前記下
    層の配線層のほぼ全面を被覆するように形成する工程、 （３ｂ）その保護層のほぼ全面に、前記柱状金属体を構
    成する金属のメッキ層を形成する工程、 （３ｃ）そのメッキ層の前記柱状金属体を形成する表面
    部分に、マスク層を形成する工程、及び （３ｄ）前記メッキ層のエッチングを行う工程を含む多
    層配線基板の製造方法。
12. 【請求項１２】前記（３ａ）工程が、前記下層の配線層
    を感光性樹脂層で被覆した後、前記導電体を形成する部
    分をパターン露光・現像して開口させ、その開口した部
    分に金属をメッキすることで前記保護層を形成するもの
    である請求項１１記載の製造方法。
13. 【請求項１３】前記開口した部分に金属をメッキするに
    際し、前記下層の配線層を構成する金属を触媒とする無
    電解メッキを行う請求項１２記載の製造方法。
14. 【請求項１４】請求項１１〜１３いずれかに記載の製造
    方法により製造される多層配線基板。
15. 【請求項１５】請求項１、７、又は１１に記載の柱状金
    属体の形成工程により、最上層の配線層に柱状金属体を
    形成する工程を含む多層配線基板の製造方法。
16. 【請求項１６】請求項１、７、又は１１に記載の柱状金
    属体の形成工程により、最上層の配線層に柱状金属体が
    形成された多層配線基板。