JP2005518086A - 集積化インダクタコアを有するプリント回路板 - Google Patents
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Abstract
Description
NiCl2*6H2O 109グラム/リットル
FeCl2*4H2O 1.85グラム/リットル
H3BO3 12.5グラム/リットル
サッカリンナトリウム 0.4グラム/リットル
ラウリル硫酸ナトリウム 0.4グラム/リットル
H2O 合計で1リットルとなる量
メッキ電流密度 18.5ASF
pH=2.5
NiCl2*6H2O 109グラム/リットル
FeCl2*4H2O 1.85グラム/リットル
H3BO3 12.5グラム/リットル
サッカリンナトリウム 0.4グラム/リットル
ラウリル硫酸ナトリウム 0.4グラム/リットル
H2O 合計で1リットルとなる量
メッキ電流密度 18.5ASF
pH=2.5
Claims (39)
- 集積化インダクタコアを有するプリント回路板を形成する方法であって、
a)その上にニッケル層が堆積された銅箔を含む、導電性構造を準備するステップと、
b)導電性構造を、非導電性基板の第1の表面上に積層して、ニッケル層を基板の第1表面に接触させるステップと、
c)導電性構造から銅箔を除去し、それによって基板の第1表面にニッケル層を残すステップと、
d)ニッケル層上に形成された酸化物をすべて除去するステップと、
e)以下のステップ(i)とステップ(ii)、すなわち
(i)ニッケル層の上にフォトレジストを塗布し;フォトレジストを化学線に画像として露光させ;レジストを現像することによって、結像領域を残しながら非結像領域を除去し;除去されたフォトレジストの非結像領域の下にあるニッケル層部分の上にNiFeの層を堆積させ;残りのフォトレジストを除去し;任意選択でニッケル層の少なくとも一部を除去し;それによって基板の第1表面上に集積化インダクタコアを形成するステップ、および
(ii)ニッケル層の上にNiFe層を堆積させ;NiFe層の上にフォトレジストを塗布し;フォトレジストを化学線に画像として露光させ;レジストを現像することによって結像領域を残して非結像領域を除去し;除去されたフォトレジストの非結像領域の下にあるNiFe層部分をニッケル層から除去し;残りのフォトレジストを除去し;任意選択でニッケル層の少なくとも一部を除去し、それによって基板の第1表面上に集積化インダクタコアを形成するステップ、
のいずれかを実施するステップとを含む方法。 - 基板の反対側の第2表面の上に、1つまたは複数のインダクタを形成するステップをさらに含み、それぞれのインダクタが、基板の第1表面上のコアと実質的に位置合わせされている、請求項1に記載の方法。
- 基板の第1表面上の集積化インダクタコアの上に、第1非導電性支持体を取り付けるステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 基板の第2表面上の1つまたは複数のインダクタの上に、第2非導電性支持体を取り付けるステップをさらに含む、請求項2に記載の方法。
- 基板の第2表面上の1つまたは複数のインダクタの上に、第2非導電性支持体を取り付けるステップをさらに含む、請求項3に記載の方法。
- 第1の非導電性支持体の上に、ステップa)による別の導電性構造を積層することによって、ステップa)からe)までを反復するステップをさらに含む、請求項3に記載の方法。
- 第2の非導電性支持体の上に、ステップa)による別の導電性構造を積層することによって、ステップa)からe)までを反復するステップをさらに含む、請求項4に記載の方法。
- 第2非導電性支持体の上に、ステップa)による別の導電性構造を積層することによって、ステップa)からe)までを反復するステップをさらに含む、請求項6に記載の方法。
- 集積化インダクタコアの周辺の位置で、基板の第1表面上に回路要素を形成するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- インダクタがニッケルまたはニッケル鉄合金を含む、請求項2に記載の方法。
- 第1非導電性支持体が、グラスファイバとエポキシの組合せを含む、請求項3に記載の方法。
- 第2非導電性支持体が、グラスファイバとエポキシの組合せを含む、請求項4に記載の方法。
- 銅箔の厚さが、約5μm〜約50μmである、請求項1に記載の方法。
- ニッケル層の厚さが、約0.1μm〜約5μmである、請求項1に記載の方法。
- 基板がエポキシを含む、請求項1に記載の方法。
- 銅箔が、エッチングによって除去される、請求項1に記載の方法。
- 銅箔が、アンモニア性エッチング液を用いるエッチングによって除去される、請求項1に記載の方法。
- NiFe層が電着によって堆積される、請求項1に記載の方法。
- NiFeが、エッチングによって除去される、請求項1に記載の方法。
- NiFeが、銅酸と水酸化アンモニウム複合物を用いるエッチングによって除去される、請求項1に記載の方法。
- ニッケル層がステップ(e)において除去される、請求項1に記載の方法。
- ニッケル層が、エッチングによって除去される、請求項1に記載の方法。
- ニッケル層が、酸を用いるエッチングによって除去される、請求項1に記載の方法。
- ニッケル層が、塩化第二鉄、塩化第二銅およびその組合せからなる群から選択される、酸を用いるエッチングによって除去される、請求項1に記載の方法。
- 集積化インダクタコアを有するプリント回路板であって、
a)その上にニッケル層が堆積された銅箔を含む、導電性構造を準備するステップと、
b)導電性構造を、非導電性基板の第1表面上に積層して、ニッケル層を基板の第1の表面に接触させるステップと、
c)導電性構造から銅箔を除去し、それによって基板の第1表面にニッケル層を残すステップと、
d)ニッケル層上に形成された酸化物をすべて除去するステップと、
e)以下のステップ(i)とステップ(ii)、すなわち
(i)ニッケル層の上にフォトレジストを塗布し;フォトレジストを化学線に画像として露光させ;レジストを現像することによって、結像領域を残しながら非結像領域を除去し;除去されたフォトレジストの非結像領域の下にあるニッケル層部分の上にNiFeの層を堆積させ;残りのフォトレジストを除去し;任意選択でニッケル層の少なくとも一部を除去し;それによって基板の第1表面上に集積化インダクタコアを形成するステップ、および
(ii)ニッケル層の上にNiFe層を堆積させ;NiFe層の上にフォトレジストを塗布し;フォトレジストを化学線に画像として露光させ;レジストを現像することによって結像領域を残して非結像領域を除去し;除去されたフォトレジストの非結像領域の下にあるNiFe層部分をニッケル層から除去し;残りのフォトレジストを除去し、任意選択でニッケル層の少なくとも一部を除去し、それによって基板の第1表面上に集積化インダクタコアを形成するステップ、
のいずれかを実施するステップとを含む方法によって形成される、プリント回路板。 - 基板の反対側の第2表面の上に、1つまたは複数のインダクタを形成するステップをさらに含み、それぞれのインダクタが、基板の第1表面上のコアと実質的に位置合わせされている、請求項25に記載のプリント回路板。
- 基板の第1表面上の集積化インダクタコアの上に、第1非導電性支持体を取り付けるステップをさらに含む、請求項25に記載のプリント回路板。
- 基板の第2表面上の1つまたは複数のインダクタの上に、第2非導電性支持体を取り付けるステップをさらに含む、請求項26に記載のプリント回路板。
- 基板の第2表面上の1つまたは複数のインダクタの上に、第2非導電性支持体を取り付けるステップをさらに含む、請求項27に記載のプリント回路板。
- 第1非導電性支持体の上に、ステップa)による別の導電性構造を積層することによって、ステップa)からe)までを反復するステップをさらに含む、請求項27に記載のプリント回路板。
- 第2非導電性支持体の上に、ステップa)による別の導電性構造を積層することによって、ステップa)からe)までを反復するステップをさらに含む、請求項28に記載のプリント回路板。
- 第2非導電性支持体の上に、ステップa)による別の導電性構造を積層することによって、ステップa)からe)までを反復するステップをさらに含む、請求項30に記載のプリント回路板。
- 集積化インダクタコアの周辺の位置で、基板の第1表面上に回路要素を形成するステップをさらに含む、請求項25に記載のプリント回路板。
- インダクタがニッケルまたはニッケル鉄合金を含む、請求項26に記載のプリント回路板。
- 第1非導電性支持体が、グラスファイバとエポキシの組合せを含む、請求項27に記載のプリント回路板。
- 第2非導電性支持体が、グラスファイバとエポキシの組合せを含む、請求項28に記載のプリント回路板。
- ニッケル層がステップ(e)において除去される、請求項25に記載のプリント回路板。
- インダクタコアを形成する方法であって、
a)その上にニッケル層が堆積された銅箔を含む、導電性構造を準備するステップと、
b)導電性構造を、非導電性基板の第1表面上に積層して、ニッケル層を基板の第1の表面に接触させるステップと、
c)導電性構造から銅箔を除去し、それによって基板の第1表面にニッケル層を残すステップと、
d)ニッケル層上に形成された酸化物をすべて除去するステップと、
e)以下のステップ(i)とステップ(ii)、すなわち
(i)ニッケル層の上にフォトレジストを塗布し;フォトレジストを化学線に画像として露光させ;レジストを現像することによって、結像領域を残しながら非結像領域を除去し;除去されたフォトレジストの非結像領域の下にあるニッケル層部分の上にNiFeの層を堆積させ;残りのフォトレジストを除去し;任意選択でニッケル層の少なくとも一部を除去し;それによって基板の第1表面上に集積化インダクタコアを形成するステップ、および
(ii)ニッケル層の上にNiFe層を堆積させ;NiFe層の上にフォトレジストを塗布し;フォトレジストを化学線に画像として露光させ;レジストを現像することによって結像領域を残して非結像領域を除去し;除去されたフォトレジストの非結像領域の下にあるNiFe層部分をニッケル層から除去し;残りのフォトレジストを除去し、任意選択でニッケル層の少なくとも一部を除去し、それによって基板の第1表面上に集積化インダクタコアを形成するステップ、
のいずれかを実施するステップとを含む方法。 - インダクタコアであって、
a)その上にニッケル層が堆積された銅箔を含む、導電性構造を準備するステップと、
b)導電性構造を、非導電性基板の第1表面上に積層して、ニッケル層を基板の第1の表面に接触させるステップと、
c)導電性構造から銅箔を除去し、それによって基板の第1表面にニッケル層を残すステップと、
d)ニッケル層上に形成された酸化物をすべて除去するステップと、
e)以下のステップ(i)とステップ(ii)、すなわち
(i)ニッケル層の上にフォトレジストを塗布し;フォトレジストを化学線に画像として露光させ;レジストを現像することによって、結像領域を残しながら非結像領域を除去し;除去されたフォトレジストの非結像領域の下にあるニッケル層部分の上にNiFeの層を堆積させ;残りのフォトレジストを除去し;任意選択でニッケル層の少なくとも一部を除去し;それによって基板の第1の表面上に集積化インダクタコアを形成するステップ、および
(ii)ニッケル層の上にNiFe層を堆積させ;NiFe層の上にフォトレジストを塗布し;フォトレジストを化学線に画像として露光させ;レジストを現像することによって結像領域を残して非結像領域を除去し;除去されたフォトレジストの非結像領域の下にあるNiFe層部分をニッケル層から除去し;残りのフォトレジストを除去し、任意選択でニッケル層の少なくとも一部を除去し、それによって基板の第1表面上に集積化インダクタコアを形成するステップ、
のいずれかを実施するステップとを含む方法によって形成されるインダクタ。
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