JPS62291089A - 回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明はメッキ技術及びエツチング技術を利用し、小型
モータ、小型トランス等に用いられる平面タイプの回路
基板の製造方法に関するものである。

〔従来の技術とその問題点〕

近年、特に電子機器類の小型化に対する要求が高まって
おり、それに伴い周辺電子部品の小型化も急ピンチで進
んでいる。モータ、トランス等も例外でなく、これらの
主要構成部品となるコイルを小型化することが重要な課
題となっている。そのため、従来の巻線型コイルに換え
絶縁シート上に導体により回路を形成したプリントコイ
ルと呼ばれる一種の平面タイプの回路基板が開発されて
いる。

従来、かような回路基板としては、例えば第２図（ａ）
〜（ｄ）に示すようにポリイミド、ポリエステル等の絶
縁シー）１２ｈに銅箔等の金属箔１１を設け、それにフ
ォトレジスト１３を設けてエツチングし、その移譲レジ
スト１３を除去する方法により回路を形成したものが知
られている。

近年、一層の小型化のために導体部分の多い、即ち導体
の厚さが厚く、その間隔の狭い、いわゆる高占積率の回
路基板の出現が望まれている。しかしながら、フォトレ
ジストを用いて直接エツチングする方法では、エツチン
グ時に、厚さ方向だけでなく幅方向にもエツチングされ
る。従って、導体を厚くするにつれ幅方向にも大きくエ
ツチングされるため、導体間隔が広くなる。その結果、
上記のような高占積率の回路基板を得ることができなか
った。

この欠点を解消するためエツチング液に界面活性剤等を
添加する等して、幅方向のエツチング（以下、サイドエ
ツチングという）を少なくする方法が試みられているが
、エツチング液の管理が困難である、エツチング速度が
低下する等の問題がある。さらにサイドエツチングは少
なくなったが、未だ充分とはいえず、充分に高い山積率
の回路基板を得ることはできなかった。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、導体の厚さが厚く、しかもその間隔の狭い回
路基板を得ることのできる方法に関し、（ａ）金属箔の
両面に、所望のパターンのみを残してフォトレジスト層
を形成する工程、（ｂ）上記レジスト層が被覆されてい
ない金属箔露出部分上に、金属箔とは異なる金属からな
る導電性金属層を電気メッキまたは無電解メッキにて形
成する工程、（ｃ）上記レジスト層を除去する工程、（
ｄ）上記金属層が形成された金属箔を絶縁シート上の少
なくとも片面に貼り合わす工程及び（ｅｔ）上記金属層
が形成されていない部分の金属箔を、メッキされた導電
性金属層をエツチングレジストとして選択的にエツチン
グにより除去する工程を含むことを特徴とするものであ
る。

本発明において使用される金属箔としては、アルミニウ
ム、銅、銀、ニッケル等を挙げることができるが、経済
性、製造工程の容易性等を考慮してアルミニウムを用い
るのが好ましい。その厚さは、用いる材料等により変化
するが、通常は５〜１００μｍとされる。

このような金属箔上に、所望のパターンのみを残してフ
ォトレジスト層を形成するには、まず必要とされる厚さ
のフォトレジスト層を表裏両面に形成し、不用部分のフ
ォトレジスト層を除去することにより行われる。不用部
分を除去するには、そのフォトレジストの種類により異
なる。即ち、ネガ型のフォトレジストにあっては露光さ
れた部分が現像後残存するので、フォトレジストの必要
な部分のみに光が透過するマスクを介して露光し現像を
行う。ポジ型は、ネガ型とは逆に露光されない部分が残
存するので露光する部分が全く逆になる。また、各フォ
トレジストには各々液状、固型状（ドライ型）のものが
あり、本発明ではいずれのタイプも使用することができ
る。

次に、フォトレジスト層が形成されていない金属箔露出
部分上には電気メッキまたは無電解メッキにより導電性
金属層が形成される。その金属としては上記の金属箔と
は異種の金属が用いられる。

この理由は、後述の他の工程においても説明するが、導
電性金属層は金属箔のエツチング液に対してはエソチン
ブレジスＩ・として作用する金属が選択されねばならな
いからである。この導電性金属層を電気メッキにより形
成するには、金属イオンを含んだ溶液中に金属箔を漬け
、該金属箔を陰極として電流を流すことにより行われる
。また、無電解メッキの場合は上記と同様の金属イオン
を含んだ溶液中に浸漬しておくことにより行われる。

電気メッキは無電解メッキに比べ短時間で導電性金属層
が形成されるので電気メッキで行うのが好ましい。この
導電性金属層の厚さは目的とする導体の厚さ、金属箔層
の厚さ等により変化するが通常は５〜１０００μｍとさ
れる。そして、導電性金属層とフォトレジスト層は同程
度の厚さ、あるいは導電性金属層が数１０μｍ程度厚い
厚さとされる。

次に、フォトレジスト層を除去するには、用いたフォト
レジストの種類により異なるが該レジス１・を溶解ある
いは膨潤させる溶剤中にメッキが施された（該金属層が
形成された）金属箔を浸漬することにより行われる。

さらに、メッキが施された金属箔を絶縁シート」二に貼
り合わせるにはエポキシ樹脂系、ポリエステル系等の接
着剤により接着する。

ここで、フォトレジスト層を除去する工程とメッキが施
された金属箔を絶縁基板上に貼り合わせる工程の順序は
任意であるが、フォトレジスト層を除去する工程を先に
すると該レジスト層が残存せず、その工程を後ですると
該レジスト層が残存する。従って、前者の方法が一般に
使用されるが、後者の方法では用いるフォトレジストの
種類が金属箔、接着剤及び電気特性等に悪影響を与えな
い場合に用いることができる。

次に、メッキが施されていない部分の金属箔を除去する
には、金属箔を食刻（エツチング）することができるが
、導電性金属層をエツチングしないエツチング選択性を
有するエツチング液により上記工程を経た金属箔をエツ
チングすることにより行われる。よって、金属箔と導電
性金属層とは異なる種類の金属であって、−１−記のエ
ツチング選択性を有する性質のものが使用される。かが
る好適な例としては、金属箔をアルミニウムとし導電性
金属層を銅で構成する例を挙げることができる。

本発明においては、このようにメッキにより所望のパタ
ーン状に形成された導電性金属層を金属箔のエツチング
時のエツチングレジストとしての作用も兼備させるもの
であるから、高精度の回路を効率よく作製することがで
きる。

上記のようにして作製された回路基板は、導体部分が金
属箔とその表裏両面にメッキにより形成された導電性金
属層の三層構造を成している。即ち、従来は金属箔のみ
が導体部分であったのに対し、本発明では前記の如く金
属箔に二層の導電性金属層を加えた三層が導体部分とな
る。つまり、従来と同し厚さの金属箔を用いた場合には
、同じ導体間隔で二層の導電性金属層の分だけ導体厚を
厚くできる。また、従来と同じ厚さの導体を得るには、
三層構造のため金属箔部分を薄くでき、その結果サイド
エツチングが減少し、導体間隔を狭くすることができる
。従って、本発明では従来に比べ高占積率の回路基板が
得られる等の特徴を有している。

本発明により得られた回路基板を用いて、そ−夕、トラ
ンス等を作製するには、例えば該回路基板の所要枚数を
重ねて接着剤で接着すると共に、空隙部を充填する方法
により得られる。その結果、上記回路基板を組み込んだ
モータ、トランス等は該回路基板が小型であるので、従
来のものに比べより小型化が可能であり、高精度のもの
が得られる。

〔実施例〕

以下、実施例により本発明を説明する。

実施例 まず、厚さ５０μｍのアルミニウム箔１の上にフォトレ
ジスト層２としてネガ型ドライフォトレジスト（リスト
ン１２２０、デュポン社製商品名）を５０μｍの厚さで
形成し、その上にマスクをした後、露光、現像を行い第
１図（ａ）のように、所望のパターン以外の部分に、幅
６０μｍのフォトレジスト層２を残存させる。

次に、Ｊ−記のフォトレジストを施したアルミニウム箔
１に良好なメッキを得るためメッキ前処理（亜鉛置換処
理）をして亜鉛皮膜を形成した後、硫酸銅メッキ浴に漬
け、第１図（ｂ）に示すように、フォトレジスト層２に
覆われていない部分に、フォトレジスト層２より３０μ
ｍ厚く　（即ち８０μｍ）銅メッキ層３．３′を電気メ
ッキにより形成する。

次に、第１図（ｃ）に示すようにメチレンクロライドに
よりフォトレジスト層２を除去する。

その後、第１図（ｄ）に示すようにポリエステルフィル
ムよりなる絶縁シート４の両面に、銅メッキが施された
アルミニウム箔１をエポキシ樹脂系の接着剤５により貼
り合わせる。

次に、第１図（ｅ）に示すようにアルミニウム箔１の露
出部分を塩酸によりエツチング除去する。

この際、銅メッキ層３は塩酸によってはエツチングされ
ないので、前記のように露出した部分の７ルミニウム箔
１のみがエツチングされる。

上記のようにして作製された回路基板は、銅メッキ層３
′が絶縁シート４上に接着剤５を介して埋込まれた形態
を有しており、導体６の厚みが２１０μｍ１導体６の間
隔が６０μｍであった。

〔発明の効果〕

上記のように、本発明の方法によれば導体厚みが厚く、
その間隔が狭い回路基板を作製することができる。そし
てこの回路基板をモータ、トランス等に組み込めば従来
より小型のものを作製することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（，３）は本発明の回路基板の製造方法
の概略を示す断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）は従来の回
路基板の製造方法の概略を示す断面図である。 １・・・・・・アルミニウム箔 ２・・・・・・フォトレジス１〜層 ３．３′・・・銅メッキ層 ４・・・・・・絶縁シート 図面の；′Ｉ４（内容に変更なし） ｋ２ｆｌＪ 手続釘１１正書（方式） 昭和６１年　９月１６日 １、事件の表示 昭和６１年　特　許　願　第１３４０５８号２、発明の
名称 回路基板の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係　　　特許出願人 郵便番号　５６７ 住　　所　　　　大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号名
　称（３９６）日東電気工業株式会社４、補正命令の日
付　　　　昭和６１年　８月２６日別紙の通り ！１．ｌ第１１ｆｆｉ（ｅ）を添付のとおり補正します
。 （以上）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）（ａ）金属箔の両面に、所望のパターンのみを残
   してフォトレジスト層を形成する工程、 （ｂ）上記レジスト層が被覆されていない金属箔露出部
   分上に、金属箔とは異なる金属からなる導電性金属層を
   電気メッキまたは無電解メッキにて形成する工程、 （ｃ）上記レジスト層を除去する工程、 （ｄ）上記金属層が形成された金属箔を絶縁シート上の
   少なくとも片面に貼り合わす工程 及び （ｅ）上記金属層が形成されていない部分の金属箔を、
   メッキされた導電性金属層をエッチングレジストとして
   選択的にエッチングにより除去する工程 を含む回路基板の製造方法。
2. （２）金属箔としてアルミニウムを用い、導電性金属層
   として銅を用いる特許請求の範囲第１項記載の回路基板
   の製造方法。