JP3177923B2 - プローブ構造およびその製造方法 - Google Patents
プローブ構造およびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基材に反りが生じにく
く、確実に導通検査が行えるカード型プローブ構造およ
びその製造方法に関する。
く、確実に導通検査が行えるカード型プローブ構造およ
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子やこれを用いた半導体
装置等の製造技術の発展がめざましく、半導体集積度お
よび実装技術の高密度化に伴って信号端子が年々微細パ
ターン化している。従来、このような微細パターンを有
する半導体素子等の検査においては、通常、針式プロー
ブ等のメカニカルプローブを用いて１か所ずつ検査を行
うことがなされていたが、パターンの微細化に伴い、上
記のようなプローブでは検査時の位置合わせが困難であ
ること、および位置合わせ時にパターンを損傷する恐れ
がある等の問題があった。このような問題を解決するた
め、絶縁性フィルム上に導電体よりなる回路が形成さ
れ、さらに該回路に被検体との接触部となる導電性突起
部が形成されてなるカード型プローブが開発され、これ
によって導通検査を一括に行えるようになった。
装置等の製造技術の発展がめざましく、半導体集積度お
よび実装技術の高密度化に伴って信号端子が年々微細パ
ターン化している。従来、このような微細パターンを有
する半導体素子等の検査においては、通常、針式プロー
ブ等のメカニカルプローブを用いて１か所ずつ検査を行
うことがなされていたが、パターンの微細化に伴い、上
記のようなプローブでは検査時の位置合わせが困難であ
ること、および位置合わせ時にパターンを損傷する恐れ
がある等の問題があった。このような問題を解決するた
め、絶縁性フィルム上に導電体よりなる回路が形成さ
れ、さらに該回路に被検体との接触部となる導電性突起
部が形成されてなるカード型プローブが開発され、これ
によって導通検査を一括に行えるようになった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなカード型
プローブにおいては、通常、該プローブの回路は絶縁体
で被覆されているが、絶縁性フィルムと該被覆層との線
膨張係数の違いにより基材に反りが生じ、確実に導通検
査を行うことが困難な場合が生じるという問題点があ
る。
プローブにおいては、通常、該プローブの回路は絶縁体
で被覆されているが、絶縁性フィルムと該被覆層との線
膨張係数の違いにより基材に反りが生じ、確実に導通検
査を行うことが困難な場合が生じるという問題点があ
る。
【０００４】本発明は、上記従来の問題に鑑みてなされ
たものであって、基材の反りが抑制され、より確実に導
通検査が行えるカード型プローブ構造を提供することを
目的とする。また本発明の他の目的は、上記構造を有す
るカード型プローブの製造方法を提供することにある。
たものであって、基材の反りが抑制され、より確実に導
通検査が行えるカード型プローブ構造を提供することを
目的とする。また本発明の他の目的は、上記構造を有す
るカード型プローブの製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は下記のおよ
びの本発明によって解決される。絶縁体層上に、導
電体層および絶縁性被覆層がこの順に積層され、該導電
体層と導通する被検査体との接触部を少なくとも片面に
有してなり、該被覆層の厚みが絶縁体層の厚みの０．１
乃至５．０倍であり、かつ該被覆層の線膨張係数が絶縁
体層の線膨張係数の０．５乃至１．５倍であるプローブ
構造。絶縁体層と導電体層とを積層し、該導電体層を
回路パターン状に形成する工程、該導電体層上に、絶縁
体層の線膨張係数の０．５乃至１．５倍の線膨張係数を
有する絶縁性被覆層を、その厚みが絶縁体層の厚みの
０．１乃至５．０倍となるように形成する工程、該絶縁
体層または絶縁性被覆層の一部を除去し導電体層を露出
させて外部回路接続用端子を形成する工程、該絶縁体層
または絶縁性被覆層に被検体との接触部形成用の貫通孔
を形成する工程、該貫通孔に導電性物質を充填して被検
体との接触部を形成する工程を有する上記のプローブ
の製造方法。
びの本発明によって解決される。絶縁体層上に、導
電体層および絶縁性被覆層がこの順に積層され、該導電
体層と導通する被検査体との接触部を少なくとも片面に
有してなり、該被覆層の厚みが絶縁体層の厚みの０．１
乃至５．０倍であり、かつ該被覆層の線膨張係数が絶縁
体層の線膨張係数の０．５乃至１．５倍であるプローブ
構造。絶縁体層と導電体層とを積層し、該導電体層を
回路パターン状に形成する工程、該導電体層上に、絶縁
体層の線膨張係数の０．５乃至１．５倍の線膨張係数を
有する絶縁性被覆層を、その厚みが絶縁体層の厚みの
０．１乃至５．０倍となるように形成する工程、該絶縁
体層または絶縁性被覆層の一部を除去し導電体層を露出
させて外部回路接続用端子を形成する工程、該絶縁体層
または絶縁性被覆層に被検体との接触部形成用の貫通孔
を形成する工程、該貫通孔に導電性物質を充填して被検
体との接触部を形成する工程を有する上記のプローブ
の製造方法。
【０００６】
【作用】本発明においては、被覆層の厚みが絶縁体層の
厚みの０．１乃至５．０倍であり、かつ該被覆層の線膨
張係数が絶縁体層の線膨張係数の０．５乃至１．５倍で
あるから、基材の反りが抑制され確実に導通検査が行え
るプローブ構造が提供される。
厚みの０．１乃至５．０倍であり、かつ該被覆層の線膨
張係数が絶縁体層の線膨張係数の０．５乃至１．５倍で
あるから、基材の反りが抑制され確実に導通検査が行え
るプローブ構造が提供される。
【０００７】次に、本発明を図面に基づきさらに詳細に
説明する。図１は本発明のプローブ構造を示す模式断面
図である。同図において、Ｐはプローブで、絶縁体層２
上に、導電体層１および絶縁性被覆層３がこの順に積層
され、該導電体層１と導通する被検査体との接触部４が
該絶縁性被覆層３の表面上に形成され、且つ導電体層１
の両端部が露出して外部回路接続端子１１となった構成
とされている。
説明する。図１は本発明のプローブ構造を示す模式断面
図である。同図において、Ｐはプローブで、絶縁体層２
上に、導電体層１および絶縁性被覆層３がこの順に積層
され、該導電体層１と導通する被検査体との接触部４が
該絶縁性被覆層３の表面上に形成され、且つ導電体層１
の両端部が露出して外部回路接続端子１１となった構成
とされている。
【０００８】上記絶縁体層２としては、電気絶縁特性を
有するものであればその材質に制限はなく、ポリエステ
ル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリスチ
レン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリアミド系樹脂、
ポリイミド系樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン−ス
チレン樹脂（ＡＢＳ樹脂）、ポリカーボネート樹脂、シ
リコーン系樹脂、フッ素系樹脂等熱硬化性樹脂や熱可塑
性樹脂を問わず使用できる。これらのうち、耐熱性や機
械的強度、また導電体層や被検査物の線膨張係数と合致
させられる等の点から、ポリイミド系樹脂を用いること
が好ましい。
有するものであればその材質に制限はなく、ポリエステ
ル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリスチ
レン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリアミド系樹脂、
ポリイミド系樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン−ス
チレン樹脂（ＡＢＳ樹脂）、ポリカーボネート樹脂、シ
リコーン系樹脂、フッ素系樹脂等熱硬化性樹脂や熱可塑
性樹脂を問わず使用できる。これらのうち、耐熱性や機
械的強度、また導電体層や被検査物の線膨張係数と合致
させられる等の点から、ポリイミド系樹脂を用いること
が好ましい。
【０００９】上記導電体層１としては、金、銀、銅、ニ
ッケル、コバルト等の各種金属またはこれらを主成分と
する各種合金等の導電性材料が使用できる。
ッケル、コバルト等の各種金属またはこれらを主成分と
する各種合金等の導電性材料が使用できる。
【００１０】上記絶縁性被覆層３としては、上記絶縁体
層２と同様の絶縁性フィルムが使用でき、耐熱性や機械
的強度、また導電体層や被検査物の線膨張係数と合致さ
せられる等の点から、ポリイミド系樹脂を用いることが
好ましい。
層２と同様の絶縁性フィルムが使用でき、耐熱性や機械
的強度、また導電体層や被検査物の線膨張係数と合致さ
せられる等の点から、ポリイミド系樹脂を用いることが
好ましい。
【００１１】本発明のプローブ構造は、上記被覆層３
が、絶縁体層２の厚みの０．１乃至５．０倍、好ましく
は０．５乃至２．０倍、より好ましくは０．７乃至１．
５倍の厚みを有し、また絶縁体層２の線膨張係数の０．
５乃至１．５倍、好ましくは０．６乃至１．３倍、より
好ましくは０．８乃至１．２倍の線膨張係数を有するこ
とを特徴とする。上記被覆層３および絶縁体層２の厚み
および線膨張係数が上記範囲に設定されることにより、
基材の反りが抑制される。
が、絶縁体層２の厚みの０．１乃至５．０倍、好ましく
は０．５乃至２．０倍、より好ましくは０．７乃至１．
５倍の厚みを有し、また絶縁体層２の線膨張係数の０．
５乃至１．５倍、好ましくは０．６乃至１．３倍、より
好ましくは０．８乃至１．２倍の線膨張係数を有するこ
とを特徴とする。上記被覆層３および絶縁体層２の厚み
および線膨張係数が上記範囲に設定されることにより、
基材の反りが抑制される。
【００１２】さらに本発明においては、上記絶縁体層
２、導電体層１および絶縁性被覆層３は、接着剤を介す
ることなく接着させることが好ましい。かくして、耐熱
性の優れたプローブ構造を得ることができる。接着剤を
介することなく接着させる手段としては後述するような
方法が例示される。
２、導電体層１および絶縁性被覆層３は、接着剤を介す
ることなく接着させることが好ましい。かくして、耐熱
性の優れたプローブ構造を得ることができる。接着剤を
介することなく接着させる手段としては後述するような
方法が例示される。
【００１３】さらに本発明においては、上記絶縁体層２
および被覆層３の少なくとも一方が感光性を有してなる
ものであることが好ましい。これによれば、光加工によ
りエッチングすることができ、後述する貫通孔の形成が
大きな面積に対しても効率よく行える。
および被覆層３の少なくとも一方が感光性を有してなる
ものであることが好ましい。これによれば、光加工によ
りエッチングすることができ、後述する貫通孔の形成が
大きな面積に対しても効率よく行える。
【００１４】上記感光性を有する絶縁体層２、被覆層３
としては、ネガ型フォトレジスト組成物であればいずれ
も使用でき、本発明においては、特に一般式（Ｉ）：
としては、ネガ型フォトレジスト組成物であればいずれ
も使用でき、本発明においては、特に一般式（Ｉ）：
【００１５】
【化６】
【００１６】（ただし、式中の矢印の結合は異性化によ
って置換可能な結合を示し、Ｒ1 およびＲ2 はそれぞれ
４価または２価の芳香族または脂肪族炭化水素残基を示
す。）にて示される構造単位を有するポリイミド前駆体
と、一般式（II）：
って置換可能な結合を示し、Ｒ1 およびＲ2 はそれぞれ
４価または２価の芳香族または脂肪族炭化水素残基を示
す。）にて示される構造単位を有するポリイミド前駆体
と、一般式（II）：
【００１７】
【化７】
【００１８】（ただし、式中のＲ3 およびＲ4 は、それ
ぞれ水素原子もしくは低級アルキル基を、Ａ1 およびＡ
2 は、それぞれシアノ基または−ＣＯＲ5 あるいは−Ｃ
ＯＲ6で表される基を、Ｒ5 およびＲ6 は、それぞれ低
級アルキル基、低級アルコキシル基、アニリノ基、トル
イジノ基、ベンジルオキシ基、アミノ基またはジ低級ア
ルキルアミノ基を、Ｘ1 、Ｘ 2 、Ｘ 3 およびＸ4 は、そ
れぞれ水素原子、フッ素原子、ニトロ基、低級アルコキ
シル基、ジ低級アルキルアミノ基、アミノ基、シアノ基
またはフッ素化低級アルキル基を示す。）にて示される
化合物を含有する感光性ポリイミド前駆体組成物が好適
であり、さらには一般式（III ）：
ぞれ水素原子もしくは低級アルキル基を、Ａ1 およびＡ
2 は、それぞれシアノ基または−ＣＯＲ5 あるいは−Ｃ
ＯＲ6で表される基を、Ｒ5 およびＲ6 は、それぞれ低
級アルキル基、低級アルコキシル基、アニリノ基、トル
イジノ基、ベンジルオキシ基、アミノ基またはジ低級ア
ルキルアミノ基を、Ｘ1 、Ｘ 2 、Ｘ 3 およびＸ4 は、そ
れぞれ水素原子、フッ素原子、ニトロ基、低級アルコキ
シル基、ジ低級アルキルアミノ基、アミノ基、シアノ基
またはフッ素化低級アルキル基を示す。）にて示される
化合物を含有する感光性ポリイミド前駆体組成物が好適
であり、さらには一般式（III ）：
【００１９】
【化８】
【００２０】〔ただし、式中のＲ7 およびＲ8 は、それ
ぞれ水素原子もしくは低級アルキル基を、Ｒ9 およびＲ
10は、それぞれ水素原子、シアノ基、アルカノイル基、
アミド基、ＣＯＯＲ11基（Ｒ11は低級アルキル基、低級
アルコキシル基、アニリノ基、トルイジノ基またはベン
ジルオキシ基を示す。）を、Ｘ5 は水素原子、フッ素原
子、低級アルキル基、フッ素化低級アルキル基またはフ
ェニル基を示す。〕にて示される化合物を含有させてな
るものが好適である。
ぞれ水素原子もしくは低級アルキル基を、Ｒ9 およびＲ
10は、それぞれ水素原子、シアノ基、アルカノイル基、
アミド基、ＣＯＯＲ11基（Ｒ11は低級アルキル基、低級
アルコキシル基、アニリノ基、トルイジノ基またはベン
ジルオキシ基を示す。）を、Ｘ5 は水素原子、フッ素原
子、低級アルキル基、フッ素化低級アルキル基またはフ
ェニル基を示す。〕にて示される化合物を含有させてな
るものが好適である。
【００２１】本明細書において、低級なる用語は、通常
は炭素数１乃至５のものをいう。一般式（Ｉ）に関し
て、Ｒ1 で示される４価の芳香族炭化水素残基として
は、例えば、ベンゼン、ナフタレン、ペリレン、ジフェ
ニル、ジフェニルエーテル、ジフェニルスルホン、ジフ
ェニルプロパン、ベンゾフェノン、ジフェニルヘキサフ
ルオロプロパン等が挙げられ、好ましくはベンゼン、ジ
フェニルまたはベンゾフェノンである。また、４価の脂
肪族炭化水素残基としては、例えば、ブタン、シクロブ
タン等が挙げられる。なお、必要に応じて、Ｒ1 として
上記にて例示した基の２種類以上を含有させることもで
きる。
は炭素数１乃至５のものをいう。一般式（Ｉ）に関し
て、Ｒ1 で示される４価の芳香族炭化水素残基として
は、例えば、ベンゼン、ナフタレン、ペリレン、ジフェ
ニル、ジフェニルエーテル、ジフェニルスルホン、ジフ
ェニルプロパン、ベンゾフェノン、ジフェニルヘキサフ
ルオロプロパン等が挙げられ、好ましくはベンゼン、ジ
フェニルまたはベンゾフェノンである。また、４価の脂
肪族炭化水素残基としては、例えば、ブタン、シクロブ
タン等が挙げられる。なお、必要に応じて、Ｒ1 として
上記にて例示した基の２種類以上を含有させることもで
きる。
【００２２】また、Ｒ2 で示される２価の芳香族炭化水
素残基としては、例えば、ジフェニルエーテル、ジフェ
ニルスルホキシド、ジフェニルスルホン、ビフェニル、
ピリジン、ベンゼン、ジフェニルチオエーテル、ベンゾ
フェノン、ジフェニルメタン、ジフェニルプロパン、ジ
フェニルヘキサフルオロプロパン等が挙げられ、好まし
くはジフェニルエーテル、ジフェニルスルホンまたはベ
ンゼンである。また、２価の脂肪族炭化水素残基として
は、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペン
チル、シクロヘキシル等が挙げられる。
素残基としては、例えば、ジフェニルエーテル、ジフェ
ニルスルホキシド、ジフェニルスルホン、ビフェニル、
ピリジン、ベンゼン、ジフェニルチオエーテル、ベンゾ
フェノン、ジフェニルメタン、ジフェニルプロパン、ジ
フェニルヘキサフルオロプロパン等が挙げられ、好まし
くはジフェニルエーテル、ジフェニルスルホンまたはベ
ンゼンである。また、２価の脂肪族炭化水素残基として
は、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペン
チル、シクロヘキシル等が挙げられる。
【００２３】一般式(II)における、Ｒ3 、Ｒ4 で示され
る低級アルキルとしては、炭素数１乃至３のアルキル基
が好ましく、例えばメチル、エチル、プロピル等が挙げ
られる。Ｒ5 、Ｒ6 で示される低級アルキルとしては、
炭素数１乃至４のアルキル基が好ましく、例えばメチ
ル、エチル、プロピル、ブチル、イソブチル等が挙げら
れる。低級アルコキシル基としては、メトキシ、エトキ
シ、プロポキシ、ブトキシ等の炭素数１乃至４のものが
好ましい。Ｘ1 、Ｘ 2 、Ｘ 3 およびＸ4 で示される低級
アルコキシル基としては、メトキシ、エトキシ、プロポ
キシ、ブトキシ等の炭素数１乃至４のものが好ましい。
る低級アルキルとしては、炭素数１乃至３のアルキル基
が好ましく、例えばメチル、エチル、プロピル等が挙げ
られる。Ｒ5 、Ｒ6 で示される低級アルキルとしては、
炭素数１乃至４のアルキル基が好ましく、例えばメチ
ル、エチル、プロピル、ブチル、イソブチル等が挙げら
れる。低級アルコキシル基としては、メトキシ、エトキ
シ、プロポキシ、ブトキシ等の炭素数１乃至４のものが
好ましい。Ｘ1 、Ｘ 2 、Ｘ 3 およびＸ4 で示される低級
アルコキシル基としては、メトキシ、エトキシ、プロポ
キシ、ブトキシ等の炭素数１乃至４のものが好ましい。
【００２４】一般式 (III)において、Ｒ7 、Ｒ8 および
Ｘ5 で示される低級アルキルとしては、炭素数１乃至３
のものが好ましく、例えばメチル、エチル、プロピル等
が挙げられる。Ｒ11で示される低級アルキル基の炭素数
は１乃至５であり、例えば、メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、第３級ブチル、ペンチル等が挙げら
れる。Ｒ11で表される低級アルコキシの炭素数は１乃至
５であり、例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、
ブトキシ、イソプロポキシ、ペンチルオキシ等が挙げら
れる。
Ｘ5 で示される低級アルキルとしては、炭素数１乃至３
のものが好ましく、例えばメチル、エチル、プロピル等
が挙げられる。Ｒ11で示される低級アルキル基の炭素数
は１乃至５であり、例えば、メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、第３級ブチル、ペンチル等が挙げら
れる。Ｒ11で表される低級アルコキシの炭素数は１乃至
５であり、例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、
ブトキシ、イソプロポキシ、ペンチルオキシ等が挙げら
れる。
【００２５】一般式（Ｉ）にて示される構造単位を有す
るポリイミド前駆体化合物としては、Ｒ1 が４価の芳香
族炭化水素残基およびＲ2 が２価の芳香族炭化水素残基
である下記式（Ｉ−１）にて示されるものが好ましい。
このとき、下記式（Ｉ−２）にて示される化合物が混在
していてもよい。また、一般式（II）にて示される化合
物としては、Ｒ3 およびＲ4 がメチル基で、Ａ1 ，Ａ2
が−ＣＯＯＣＨ3 で、Ｘ1 ，Ｘ2 ，Ｘ3 およびＸ4 が水
素原子である下記式（ＩＩ−１）にて示される化合物が
好ましい。
るポリイミド前駆体化合物としては、Ｒ1 が４価の芳香
族炭化水素残基およびＲ2 が２価の芳香族炭化水素残基
である下記式（Ｉ−１）にて示されるものが好ましい。
このとき、下記式（Ｉ−２）にて示される化合物が混在
していてもよい。また、一般式（II）にて示される化合
物としては、Ｒ3 およびＲ4 がメチル基で、Ａ1 ，Ａ2
が−ＣＯＯＣＨ3 で、Ｘ1 ，Ｘ2 ，Ｘ3 およびＸ4 が水
素原子である下記式（ＩＩ−１）にて示される化合物が
好ましい。
【００２６】
【化９】
【００２７】
【化１０】
【００２８】
【化１１】
【００２９】一般式（III ）にて示される化合物として
は、Ｘ5 が水素原子、Ｒ7 ，Ｒ8 ，Ｒ9 およびＲ10が水
素原子である化合物が好ましい。
は、Ｘ5 が水素原子、Ｒ7 ，Ｒ8 ，Ｒ9 およびＲ10が水
素原子である化合物が好ましい。
【００３０】また、本発明のプローブの製造は、絶縁体
層と導電体層とを積層し、該導電体層を回路パターン状
に形成し、該導電体層上に、絶縁体層の線膨張係数の
０．５乃至１．５倍の線膨張係数を有する絶縁性被覆層
を、その厚みが絶縁体層の厚みの０．１乃至５．０倍と
なるように、好適には接着剤を用いずに形成した後、該
絶縁体層または絶縁性被覆層の一部を除去し導電体層を
露出させて外部回路接続用端子を形成するとともに、該
絶縁体層または絶縁性被覆層に被検体との接触部形成用
の貫通孔を形成し、さらに該貫通孔に導電性物質を充填
して被検体との接触部を形成するものであり、望ましく
は該絶縁体層および絶縁性被覆層の少なくも一方が感光
性を有し、該絶縁体層または被覆層に露光、現像、硬化
を施すことにより、外部基板接続用端子および被検体と
の接触部形成用貫通孔の少なくとも一方を形成すること
によって行われる。
層と導電体層とを積層し、該導電体層を回路パターン状
に形成し、該導電体層上に、絶縁体層の線膨張係数の
０．５乃至１．５倍の線膨張係数を有する絶縁性被覆層
を、その厚みが絶縁体層の厚みの０．１乃至５．０倍と
なるように、好適には接着剤を用いずに形成した後、該
絶縁体層または絶縁性被覆層の一部を除去し導電体層を
露出させて外部回路接続用端子を形成するとともに、該
絶縁体層または絶縁性被覆層に被検体との接触部形成用
の貫通孔を形成し、さらに該貫通孔に導電性物質を充填
して被検体との接触部を形成するものであり、望ましく
は該絶縁体層および絶縁性被覆層の少なくも一方が感光
性を有し、該絶縁体層または被覆層に露光、現像、硬化
を施すことにより、外部基板接続用端子および被検体と
の接触部形成用貫通孔の少なくとも一方を形成すること
によって行われる。
【００３１】上記ネガ型フォトレジスト組成物の一例と
して示した感光性ポリイミド前駆体組成物は、該ポリイ
ミド前駆体１００重量部に対して化合物(II)を、５乃至
５０重量％、好ましくは１０乃至４０重量％配合してな
るものである。上記化合物(II)の配合量が５重量％未満
であると、露光部の耐溶解性が低下し、溶解性コントラ
ストが不鮮明となり、一方、５０重量％を越えると、溶
解保存性やパターン形成性といった特性が低下する。
して示した感光性ポリイミド前駆体組成物は、該ポリイ
ミド前駆体１００重量部に対して化合物(II)を、５乃至
５０重量％、好ましくは１０乃至４０重量％配合してな
るものである。上記化合物(II)の配合量が５重量％未満
であると、露光部の耐溶解性が低下し、溶解性コントラ
ストが不鮮明となり、一方、５０重量％を越えると、溶
解保存性やパターン形成性といった特性が低下する。
【００３２】上記ネガ型フォトレジスト組成物は、有機
極性溶媒に溶解し、通常、樹脂濃度が５乃至３０重量
％、好ましくは１０乃至２５重量％の溶液に調製する。
有機極性溶媒としては、例えばＮ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、キノリン、イ
ソキノリン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、
ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ
る。
極性溶媒に溶解し、通常、樹脂濃度が５乃至３０重量
％、好ましくは１０乃至２５重量％の溶液に調製する。
有機極性溶媒としては、例えばＮ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、キノリン、イ
ソキノリン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、
ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ
る。
【００３３】被検査体との接触部４の形成材料として
は、導電性を有するものであれば特に限定されるもので
はなく、金、銀、銅、ニッケル、コバルト、鉛、すず、
クロム、タングステン等の従来公知の導電性材料が使用
できる。
は、導電性を有するものであれば特に限定されるもので
はなく、金、銀、銅、ニッケル、コバルト、鉛、すず、
クロム、タングステン等の従来公知の導電性材料が使用
できる。
【００３４】図２は、上記のような構成のプローブの製
造工程の一例を示す模式断面図である。以下、同図に基
づき本発明のプローブの製造方法を説明する。
造工程の一例を示す模式断面図である。以下、同図に基
づき本発明のプローブの製造方法を説明する。
【００３５】まず、図２（ａ）に示すように、絶縁体層
２と導電体層１とを積層する。この積層方法としては、
絶縁体層２上にスパッタリング、ＣＶＤ法、真空蒸着等
により銅等よりなる導電体層薄膜を形成した後、メッキ
等により任意の厚みにまで成長させる方法や、銅箔等の
導電体層１上に絶縁体溶液あるいは絶縁体前駆体溶液を
塗工し、脱溶剤工程を経て絶縁体層２を形成する方法等
が挙げられる。これらのうち、導電体層１上に絶縁体前
駆体溶液を塗工し、脱溶媒工程を経て絶縁体層２を形成
する方法が導電体層１と絶縁体層２との接着力の面から
好ましく、このような積層方法のさらに具体的な例とし
ては、例えば銅箔上にポリアミック酸溶液を塗工、乾燥
した後、加熱脱水閉環してポリイミド膜とし、銅／ポリ
イミド２層基材を作製する方法が挙げられる。なおこの
際に用いる銅箔は、圧延箔でも電解箔でも構わない。
２と導電体層１とを積層する。この積層方法としては、
絶縁体層２上にスパッタリング、ＣＶＤ法、真空蒸着等
により銅等よりなる導電体層薄膜を形成した後、メッキ
等により任意の厚みにまで成長させる方法や、銅箔等の
導電体層１上に絶縁体溶液あるいは絶縁体前駆体溶液を
塗工し、脱溶剤工程を経て絶縁体層２を形成する方法等
が挙げられる。これらのうち、導電体層１上に絶縁体前
駆体溶液を塗工し、脱溶媒工程を経て絶縁体層２を形成
する方法が導電体層１と絶縁体層２との接着力の面から
好ましく、このような積層方法のさらに具体的な例とし
ては、例えば銅箔上にポリアミック酸溶液を塗工、乾燥
した後、加熱脱水閉環してポリイミド膜とし、銅／ポリ
イミド２層基材を作製する方法が挙げられる。なおこの
際に用いる銅箔は、圧延箔でも電解箔でも構わない。
【００３６】次に、図２（ｂ）に示すように、上記導電
体層１を回路パターン状に形成し、該導電体層１上に絶
縁性被覆層３を形成する。上記回路パターンの形成は、
従来既知の方法により行えばよい。また、上記絶縁性被
覆層３は、前記したようにその厚みが絶縁体層２の厚み
の０．１乃至５．０倍、その線膨張係数が絶縁体層２の
線膨張係数の０．５乃至１．５倍となるように形成す
る。なお、この絶縁性被覆層３としてポリイミドを用い
ることが好ましく、さらに、プローブのカールを防止し
接続信頼性を向上させるために、回路形成した基材上に
ポリアミック酸溶液を塗工し乾燥した後加熱脱水閉環し
てポリイミド膜とすることが特に好ましい。
体層１を回路パターン状に形成し、該導電体層１上に絶
縁性被覆層３を形成する。上記回路パターンの形成は、
従来既知の方法により行えばよい。また、上記絶縁性被
覆層３は、前記したようにその厚みが絶縁体層２の厚み
の０．１乃至５．０倍、その線膨張係数が絶縁体層２の
線膨張係数の０．５乃至１．５倍となるように形成す
る。なお、この絶縁性被覆層３としてポリイミドを用い
ることが好ましく、さらに、プローブのカールを防止し
接続信頼性を向上させるために、回路形成した基材上に
ポリアミック酸溶液を塗工し乾燥した後加熱脱水閉環し
てポリイミド膜とすることが特に好ましい。
【００３７】次いで、図２（ｃ）に示すように、絶縁性
被覆層３の一部を除去し導電体層１を露出させて外部回
路接続用端子１１を形成するとともに、該絶縁性被覆層
３に導電性突起部形成用の貫通孔３１を形成する。上記
外部回路接続用端子１１を形成するための被覆層３の除
去および貫通孔３１の形成は、機械加工、レーザー加
工、光加工、化学エッチング等の方法により行うことが
でき、なかでもエキシマレーザーの照射によれば、精度
よく穿孔加工を行うことができ好ましい。その際、４０
０ｎｍ以下、好ましくは３５０ｎｍ以下、より好ましく
は１８０乃至３２０ｎｍの発振波長をもつレーザ光を使
用することが好ましい。特に、大きな面積を加工する場
合には、被覆層３を上述のごとく感光性とさせておき、
光加工によってエッチングすることが望ましい。光加工
は、例えば次のようにして行われる。即ち、例えば感光
基を有するポリイミド前駆体溶液を回路パターン上に塗
工し、マスクを介して露光し、露光後、現像液で現像し
て貫通孔に対応する領域および外部基板接続用端子に対
応する領域の被覆層を除去し、ポリイミド前駆体をイミ
ド化することによって行われる。
被覆層３の一部を除去し導電体層１を露出させて外部回
路接続用端子１１を形成するとともに、該絶縁性被覆層
３に導電性突起部形成用の貫通孔３１を形成する。上記
外部回路接続用端子１１を形成するための被覆層３の除
去および貫通孔３１の形成は、機械加工、レーザー加
工、光加工、化学エッチング等の方法により行うことが
でき、なかでもエキシマレーザーの照射によれば、精度
よく穿孔加工を行うことができ好ましい。その際、４０
０ｎｍ以下、好ましくは３５０ｎｍ以下、より好ましく
は１８０乃至３２０ｎｍの発振波長をもつレーザ光を使
用することが好ましい。特に、大きな面積を加工する場
合には、被覆層３を上述のごとく感光性とさせておき、
光加工によってエッチングすることが望ましい。光加工
は、例えば次のようにして行われる。即ち、例えば感光
基を有するポリイミド前駆体溶液を回路パターン上に塗
工し、マスクを介して露光し、露光後、現像液で現像し
て貫通孔に対応する領域および外部基板接続用端子に対
応する領域の被覆層を除去し、ポリイミド前駆体をイミ
ド化することによって行われる。
【００３８】この後、図２（ｄ）に示すように、上記貫
通孔３１に導電性物質を充填して被検体との接触部４を
形成する。上記導電性物質の充填は、メッキ法、ＣＶＤ
法、導電性物質の溶融浴に上記被覆層３の貫通孔３１形
成部分を浸漬して引き上げることにより導電性物質を析
出させる方法等により行う。上記被検体との接触部４
は、被検体の形状が平面状であれば、図２（ｄ）に示す
ようなマッシュルーム状に、被検体の形状がマッシュル
ーム状であれば平面状に形成すると、該接触部４と被検
体との接触の確実性が向上する。
通孔３１に導電性物質を充填して被検体との接触部４を
形成する。上記導電性物質の充填は、メッキ法、ＣＶＤ
法、導電性物質の溶融浴に上記被覆層３の貫通孔３１形
成部分を浸漬して引き上げることにより導電性物質を析
出させる方法等により行う。上記被検体との接触部４
は、被検体の形状が平面状であれば、図２（ｄ）に示す
ようなマッシュルーム状に、被検体の形状がマッシュル
ーム状であれば平面状に形成すると、該接触部４と被検
体との接触の確実性が向上する。
【００３９】なお、被検体との接触部４および接続用端
子１１は同一面に形成されていてもよいが、図３のよう
にそれぞれが他方面に形成されていてもよい。
子１１は同一面に形成されていてもよいが、図３のよう
にそれぞれが他方面に形成されていてもよい。
【００４０】さらに、図４および５に示すように、被検
体との接触部４を絶縁体層２に形成してもよい。この場
合、該接触部４形成用の貫通孔は絶縁体層２に形成する
が、その穿孔方法は該接触部４を被覆層３に形成する場
合と全く同様である。なおこの場合にも、図５のように
被検体との接触部４および接続用端子１１が同一面に形
成された態様としても、あるいは図４のようにそれぞれ
が他方面に形成された態様としてもよい。
体との接触部４を絶縁体層２に形成してもよい。この場
合、該接触部４形成用の貫通孔は絶縁体層２に形成する
が、その穿孔方法は該接触部４を被覆層３に形成する場
合と全く同様である。なおこの場合にも、図５のように
被検体との接触部４および接続用端子１１が同一面に形
成された態様としても、あるいは図４のようにそれぞれ
が他方面に形成された態様としてもよい。
【００４１】
【実施例】以下に、本発明を実施例にて具体的に説明す
る。なお、本発明がこれら実施例により限定されるもの
でないことはいうまでもない。
る。なお、本発明がこれら実施例により限定されるもの
でないことはいうまでもない。
【００４２】実施例１ 厚み１８μｍの圧延銅箔上に、キャスティング法によっ
て絶縁体層となるポリイミド前駆体溶液を塗布し、加熱
によって溶媒を揮発させるとともに脱水閉環して、銅箔
とポリイミドとの積層体を作製した。この時、ポリイミ
ドの持つ線膨張係数は１．８×１０-5で厚みは２５μｍ
とした。次に、圧延銅箔表面にポジ型のフォトレジスト
を塗布し、２５０ｍＪ／ｃｍ2の露光量によってレジス
トを感光させ、専用レジスト現像液にて浸漬揺動させ
た。現像されたレジストを保護被覆として、露出した圧
延銅箔面に塩化第二鉄溶液をスプレーにて吹き付けなが
ら、圧延銅箔をエッチングし、ライン／スペースが５０
μｍ／５０μｍの銅パターン（導電体層）を得た。この
後、導電体層表面に被覆層として線膨張係数が１．５×
１０-5のポリイミドを、キャスティング法により厚み２
０μｍにて形成した。次いで、被覆層面から、銅パター
ン当接領域に直径３０μｍの貫通孔を形成するととも
に、外部基板接続用端子を形成した。ここで、貫通孔お
よび外部基板接続用端子は、発振の中心波長が２４８ｎ
ｍのエキシマレーザーによって加工を行い形成した。加
工形状は、レーザー発振機と被加工物との間に設置した
マスクを介して決定した。さらに、外部基板接続用端子
表面を絶縁性および剥離性を有した耐メッキレジストで
保護した後、貫通孔内に電気メッキによってニッケルを
充填し、被検体との接触部を形成して、プローブを得
た。なお、外部基板接続用端子表面には酸化防止および
接続信頼性向上のために金メッキを施した。
て絶縁体層となるポリイミド前駆体溶液を塗布し、加熱
によって溶媒を揮発させるとともに脱水閉環して、銅箔
とポリイミドとの積層体を作製した。この時、ポリイミ
ドの持つ線膨張係数は１．８×１０-5で厚みは２５μｍ
とした。次に、圧延銅箔表面にポジ型のフォトレジスト
を塗布し、２５０ｍＪ／ｃｍ2の露光量によってレジス
トを感光させ、専用レジスト現像液にて浸漬揺動させ
た。現像されたレジストを保護被覆として、露出した圧
延銅箔面に塩化第二鉄溶液をスプレーにて吹き付けなが
ら、圧延銅箔をエッチングし、ライン／スペースが５０
μｍ／５０μｍの銅パターン（導電体層）を得た。この
後、導電体層表面に被覆層として線膨張係数が１．５×
１０-5のポリイミドを、キャスティング法により厚み２
０μｍにて形成した。次いで、被覆層面から、銅パター
ン当接領域に直径３０μｍの貫通孔を形成するととも
に、外部基板接続用端子を形成した。ここで、貫通孔お
よび外部基板接続用端子は、発振の中心波長が２４８ｎ
ｍのエキシマレーザーによって加工を行い形成した。加
工形状は、レーザー発振機と被加工物との間に設置した
マスクを介して決定した。さらに、外部基板接続用端子
表面を絶縁性および剥離性を有した耐メッキレジストで
保護した後、貫通孔内に電気メッキによってニッケルを
充填し、被検体との接触部を形成して、プローブを得
た。なお、外部基板接続用端子表面には酸化防止および
接続信頼性向上のために金メッキを施した。
【００４３】上記実施例１において得られたプローブ
は、絶縁体層と被覆層との線膨張係数に大きな差異が無
いためプローブに反りが発生せず、また接着剤層を介さ
ないため接続信頼性および耐熱性に優れている。
は、絶縁体層と被覆層との線膨張係数に大きな差異が無
いためプローブに反りが発生せず、また接着剤層を介さ
ないため接続信頼性および耐熱性に優れている。
【００４４】実施例２ ビフェニルテトラカルボン酸２無水物とパラフェニレン
ジアミンの略等モル量を、ジメチルアセトアミド中にて
モノマー濃度２０重量％で、室温下、２４時間反応させ
て、一般式（Ｉ）にて示される構造単位を有するポリイ
ミド前駆体溶液を得た。上記にて得たポリイミド前駆体
溶液の固形分１００重量部に対して、一般式（II）中、
Ｒ3 およびＲ4 がメチル基で、Ｘ1 ，Ｘ2 ，Ｘ3 および
Ｘ4 が水素原子である化合物を３０重量部添加し、均一
に溶解した。この溶液を、実施例１と同様にして形成し
た回路パターン上に塗工し、１００℃の炉内にて予備乾
燥を行った。その後、マスクを介して４００ｍＪ／ｃｍ
2 露光を行った。露光後、１７５℃で１０分間加熱した
後、テトラアンモニウムハイドロオキサイド３重量％水
溶液／メチルアルコール（体積比２／１）からなる現像
液で２分間現像後、水でリンスを行い、貫通孔と外部基
板接続用端子領域の被覆層を除去した。この被覆層を最
終加熱温度４００℃にてイミド化したところ、最終被覆
層厚みが１５μｍであり、線膨張係数は１．２×１０-5
であった。この後実施例１と同様にして被検体との接触
部を形成し、外部基板接続用端子表面に金メッキを施し
てプローブを得た。
ジアミンの略等モル量を、ジメチルアセトアミド中にて
モノマー濃度２０重量％で、室温下、２４時間反応させ
て、一般式（Ｉ）にて示される構造単位を有するポリイ
ミド前駆体溶液を得た。上記にて得たポリイミド前駆体
溶液の固形分１００重量部に対して、一般式（II）中、
Ｒ3 およびＲ4 がメチル基で、Ｘ1 ，Ｘ2 ，Ｘ3 および
Ｘ4 が水素原子である化合物を３０重量部添加し、均一
に溶解した。この溶液を、実施例１と同様にして形成し
た回路パターン上に塗工し、１００℃の炉内にて予備乾
燥を行った。その後、マスクを介して４００ｍＪ／ｃｍ
2 露光を行った。露光後、１７５℃で１０分間加熱した
後、テトラアンモニウムハイドロオキサイド３重量％水
溶液／メチルアルコール（体積比２／１）からなる現像
液で２分間現像後、水でリンスを行い、貫通孔と外部基
板接続用端子領域の被覆層を除去した。この被覆層を最
終加熱温度４００℃にてイミド化したところ、最終被覆
層厚みが１５μｍであり、線膨張係数は１．２×１０-5
であった。この後実施例１と同様にして被検体との接触
部を形成し、外部基板接続用端子表面に金メッキを施し
てプローブを得た。
【００４５】上記実施例２において得られたプローブ
は、実施例１と同様な特性を示し、さらにエキシマレー
ザーを使用しないため、コスト低減が図れる。
は、実施例１と同様な特性を示し、さらにエキシマレー
ザーを使用しないため、コスト低減が図れる。
【００４６】実施例３ 上記実施例２にて得たポリイミド前駆体溶液の固形分１
００重量部に対して、一般式（II）中、Ｒ3 およびＲ4
がメチル基である化合物を２０重量部、一般式(III)
中、Ｘ5 がメチル基、Ｒ7 およびＲ8 がメチル基、Ｒ9
およびＲ10がシアノ基である化合物を１０重量部添加し
て、均一に溶解した。この溶液を用いた以外は実施例２
と全く同様にしてプローブを得た。
００重量部に対して、一般式（II）中、Ｒ3 およびＲ4
がメチル基である化合物を２０重量部、一般式(III)
中、Ｘ5 がメチル基、Ｒ7 およびＲ8 がメチル基、Ｒ9
およびＲ10がシアノ基である化合物を１０重量部添加し
て、均一に溶解した。この溶液を用いた以外は実施例２
と全く同様にしてプローブを得た。
【００４７】上記実施例３において得られたプローブ
は、実施例１と同様な特性を示したが、現像時間は実施
例２の場合と比べ、約１．５乃至２倍程度速かった。
は、実施例１と同様な特性を示したが、現像時間は実施
例２の場合と比べ、約１．５乃至２倍程度速かった。
【００４８】実施例４ 上記実施例１において、外部基板接続用端子部の被覆層
を、該被覆層に付与した感光特性によって除去した以外
は全く同様にしてプローブを得た。上記方法において
は、エキシマレーザー加工では難しい大面積の加工を行
うことができるとともに、加工時間の短縮が図れる。
を、該被覆層に付与した感光特性によって除去した以外
は全く同様にしてプローブを得た。上記方法において
は、エキシマレーザー加工では難しい大面積の加工を行
うことができるとともに、加工時間の短縮が図れる。
【００４９】実施例５ 上記実施例２において、被検体との接触部形成用の貫通
孔を発振波長２４８ｎｍのエキシマレーザーで加工した
以外は全く同様にしてプローブを得た。上記方法におい
ては、エキシマレーザーで加工を行うことによって高位
置精度および加工面の切り立った孔加工が行える。これ
によって、貫通孔内に形成した被検体との接触部と貫通
孔との密着性が向上し、被検体との接触部の欠落が抑止
される。
孔を発振波長２４８ｎｍのエキシマレーザーで加工した
以外は全く同様にしてプローブを得た。上記方法におい
ては、エキシマレーザーで加工を行うことによって高位
置精度および加工面の切り立った孔加工が行える。これ
によって、貫通孔内に形成した被検体との接触部と貫通
孔との密着性が向上し、被検体との接触部の欠落が抑止
される。
【００５０】実施例６ 絶縁体層として、実施例２に示した感光性を有する樹脂
を使用し、被覆層面に被検体との接触部を形成した。外
部基板接続用端子は感光特性を用いて絶縁体層面に形成
した。上記方法により得られたプローブは、被検体と接
触する他方の面で外部基板と接続でき、使用環境の拡大
が図れる。
を使用し、被覆層面に被検体との接触部を形成した。外
部基板接続用端子は感光特性を用いて絶縁体層面に形成
した。上記方法により得られたプローブは、被検体と接
触する他方の面で外部基板と接続でき、使用環境の拡大
が図れる。
【００５１】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明においては絶
縁性被覆層がその厚みおよび線膨張係数において絶縁体
層と大きな差がないように形成されているので、基材に
反りが生じにくいものとなっており、より確実に導通検
査が行えるプローブ構造が得られる。
縁性被覆層がその厚みおよび線膨張係数において絶縁体
層と大きな差がないように形成されているので、基材に
反りが生じにくいものとなっており、より確実に導通検
査が行えるプローブ構造が得られる。
【図１】本発明のプローブ構造の一実施例を示す模式断
面図である。
面図である。
【図２】本発明のプローブの製造方法の一例を示す模式
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明のプローブ構造の他の実施例を示す模式
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明のプローブ構造の他の実施例を示す模式
断面図である。
断面図である。
【図５】本発明のプローブ構造の他の実施例を示す模式
断面図である。
断面図である。
１ 導電体層 １１ 外部基板接続用端子 ２ 絶縁体層 ３ 絶縁性被覆層 ４ 被検体との接触部 Ｐ プローブ
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｇ０１Ｒ 31/26 Ｇ０１Ｒ 31/26 Ｊ (72)発明者 杉本 正和 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日 東電工株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−226430（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−55306（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−283835（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−267807（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−5995（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−281717（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/64 - 21/66
Claims (7)
- 【請求項１】 絶縁体層上に、導電体層および絶縁性被
覆層がこの順に積層され、該導電体層と導通する被検査
体との接触部を少なくとも片面に有してなり、該被覆層
の厚みが絶縁体層の厚みの０．１乃至５．０倍であり、
かつ該被覆層の線膨張係数が絶縁体層の線膨張係数の
０．５乃至１．５倍であるプローブ構造。 - 【請求項２】 絶縁体層および絶縁性被覆層の少なくと
も一方が感光性を有する樹脂を使用して形成されたもの
である請求項１記載のプローブ構造。 - 【請求項３】 感光性を有する樹脂が、一般式（Ｉ）： 【化１】 （ただし、式中の矢印の結合は異性化によって置換可能
な結合を示し、Ｒ1 およびＲ2 はそれぞれ４価または２
価の芳香族または脂肪族炭化水素残基を示す。）にて示
される構造単位を有するポリイミド前駆体と、一般式
（II）： 【化２】 （ただし、式中のＲ3 およびＲ4 は、それぞれ水素原子
もしくは低級アルキル基を、Ａ1 およびＡ2 は、それぞ
れシアノ基または−ＣＯＲ5 あるいは−ＣＯＲ6で表さ
れる基を、Ｒ5 およびＲ6 は、それぞれ低級アルキル
基、低級アルコキシル基、アニリノ基、トルイジノ基、
ベンジルオキシ基、アミノ基またはジ低級アルキルアミ
ノ基を、Ｘ1 、Ｘ 2 、Ｘ 3 およびＸ4 は、それぞれ水素
原子、フッ素原子、ニトロ基、低級アルコキシ基、ジ低
級アルキルアミノ基、アミノ基、シアノ基またはフッ素
化低級アルキル基を示す。）にて示される化合物を含有
する感光性ポリイミド前駆体組成物からなることを特徴
とする請求項２記載のプローブ構造。 - 【請求項４】 感光性を有する樹脂が、さらに一般式
（III ）： 【化３】 〔ただし、式中のＲ7 およびＲ8 は、それぞれ水素原子
もしくは低級アルキル基を、Ｒ9 およびＲ10は、それぞ
れ水素原子、シアノ基、アルカノイル基、アミド基、Ｃ
ＯＯＲ11基（Ｒ11は低級アルキル基、低級アルコキシル
基、アニリノ基、トルイジノ基またはベンジルオキシ基
を示す。）を、Ｘ5 は水素原子、フッ素原子、低級アル
キル基、フッ素化低級アルキル基またはフェニル基を示
す。〕にて示される化合物を含有してなることを特徴と
する請求項３記載のプローブ構造。 - 【請求項５】 導電体層と絶縁体層とを積層し、該導電
体層を回路パターン状に形成する工程、該導電体層上
に、絶縁体層の線膨張係数の０．５乃至１．５倍の線膨
張係数を有する絶縁性被覆層を、その厚みが絶縁体層の
厚みの０．１乃至５．０倍となるように形成する工程、
該絶縁体層または絶縁性被覆層の一部を除去し導電体層
を露出させて外部回路接続用端子を形成する工程、該絶
縁体層または絶縁性被覆層に貫通孔を形成する工程、該
貫通孔に導電性物質を充填して被検体との接触部を形成
する工程を有する請求項１記載のプローブの製造方法。 - 【請求項６】 絶縁体層および絶縁性被覆層の少なくと
も一方が感光性を有する樹脂からなり、絶縁体層または絶縁性被覆層の一部を除去して導電体層
を露出させて外部回路接続用端子を形成する工程が、絶
縁体層または絶縁性被覆層に露光、現像、硬化を施して
外部回路接続用端子を形成する工程からなり、 絶縁体層または絶縁性被覆層に貫通孔を形成する工程
が、絶縁体層または絶縁性被覆層に露光、現像、硬化を
施して貫通孔を形成する工程からなる 請求項５記載のプ
ローブの製造方法。 - 【請求項７】 絶縁体層および絶縁性被覆層の少なくと
も一方に、一般式（Ｉ）： 【化４】 （ただし、式中の矢印の結合は異性化によって置換可能
な結合を示し、Ｒ1 およびＲ2 はそれぞれ４価または２
価の芳香族または脂肪族炭化水素残基を示す。）にて示
される構造単位を有するポリイミド前駆体と、一般式
（II）： 【化５】 （ただし、式中のＲ3 およびＲ4 は、それぞれ水素原子
もしくは低級アルキル基を、Ａ1 およびＡ2 は、それぞ
れシアノ基または−ＣＯＲ5 あるいは−ＣＯＲ6で表さ
れる基を、Ｒ5 およびＲ6 は、それぞれ低級アルキル
基、低級アルコキシル基、アニリノ基、トルイジノ基、
ベンジルオキシ基、アミノ基またはジ低級アルキルアミ
ノ基を、Ｘ1 、Ｘ 2 、Ｘ 3 およびＸ4 は、それぞれ水素
原子、フッ素原子、ニトロ基、低級アルコキシ基、ジ低
級アルキルアミノ基、アミノ基、シアノ基またはフッ素
化低級アルキル基を示す。）にて示される化合物を含有
する感光性ポリイミド前駆体組成物を使用することを特
徴とする請求項６記載のプローブの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02926594A JP3177923B2 (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | プローブ構造およびその製造方法 |
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| JP02926594A JP3177923B2 (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | プローブ構造およびその製造方法 |
Publications (2)
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| JPH07240443A JPH07240443A (ja) | 1995-09-12 |
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
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| JP (1) | JP3177923B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101313841B1 (ko) | 2011-11-04 | 2013-10-01 | 구철환 | 탐침 모듈의 제조 방법 및 그의 구조 |
-
1994
- 1994-02-28 JP JP02926594A patent/JP3177923B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101313841B1 (ko) | 2011-11-04 | 2013-10-01 | 구철환 | 탐침 모듈의 제조 방법 및 그의 구조 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07240443A (ja) | 1995-09-12 |
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