TW546993B - Printed circuit boards having integrated inductor cores - Google Patents

Description

546993 五、發明説明（ 發明背t 發明領％ 本㈣於印刷電路板。特別針對具有積體· 磁心的印刷電路板。 、兒感為 相關技藝 印刷電路板在電子領域中是 爾0久括女…貝戈中疋眾所皆知’而且被廣泛地使 用於各種商業上及消費性電子應用。通常， 製造是將所希望的組態在-基板上形成金屬圖樣 以在印刷電路板的一或更多表面上形成金屬圖樣的共用傳 統：術包括提供一電介基板，用金屬覆蓋該電介基板 的或兩面，而該金屬通常為銅ό對於根據此製程而形成 的代表性的單面印刷電路板，通常使用電鍍的方法加上 銅電鍍層。接著執行遮罩步驟，丼中將抗蝕劑加至該金屬 電鍍表面。藉由在該薄膜上放置光遮罩’以成像該抗蝕劑 ，而所希望I金屬圖樣形成於該光遮罩中。光遮罩所覆莫 的抗蝕劑接著被曝光於UV光。移除該遮罩之後，將顯影劑 溶液加至該表面，以溶解該電路板不希望被金屬化區域的 抗蝕劑。顯影之後，將剩餘的抗蝕劑留下覆蓋希望的金屬 區域，而下面的銅曝光於不希望被金屬化的區域。接著已 遮罩的電路板進入#刻的步驟，其中钱刻劑開始移除未遮 罩區域的銅。 製造此項技藝中所熟知的具有積體磁性組件的印刷電路板 ’例如電感器及變換器的。其使用一種描述於International Journal of Microcircuits and Electronic Packaging ，第 23冊 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 546993

，編號1，頁數為65-66的知名製程。該製程包括形成由銅線 圈層、NiFe磁性層與鑽孔所組成的積體磁性組件。首先，準 備一基板表面’以接收一層已電沉積的NiFe。清除該表面 ’接著喷灑鈀催化劑溶液’並以熱器吹風機吹乾。因此 ㈣e不會直㈣在已受㈣化的表面上，首先必須將非電 鍍的薄鎳層均勾地沉積在該基板的表面。該鎳層對鈀形成 障礙物’因此不能賴Fe。接著在全部的表面鍍一層職 ’而且使用照相製版的成像與㈣技術組成圖樣。移除該 鎳層所有的曝光H，以產生具有積體電感_的基板。 可惜的是，由於必須執行重複的步驟，使得此些製程非 常的費時’特別是準備用以沉積舰的該基板的步驟。此 外’由於會造成大量的浪費，而使得此等製程日趨昂貴。 因此’需要存在-種更簡單、更少浪費與低成本的製程來 生產具有積體電感器的印刷電路板。 '此刻ά人意〜料地發現本發明提供一種解決上述問題的方 法。本發明提供一種形成具有積體電感器磁心之印刷電路 板的衣，5玄製程排除幾個使用於已知製程的步驟，因此 減少蝕刻的時間，並盡量減少NiFe的浪費。 根據本發明，將一薄鎳層加至一銅羯，所根據的程序描述 於wo 003568AI “Improved Meth〇d f〇r F〇rmmg T-ces and Prmted CcuUs Made Thereby^ ^ ^ ^ 入本文中。根據本發明，將該銅羯結構製成羯基板，使該錄 層能缺到該基板。接著移除該，留下該鎳層在基板上 接著才木用兩種方法之—，在該基板上形成積體電感器磁

3 五、發明説明（ 心 於弟一種方法中 么 , A將光抗钱劑加至該鎳層。今氺j二 蝕劑被成像曝光於光 螺層=亥先柷 非影像區，而'留下il亚顯影，因此移除該抗银劑的 位於光抗钱劑非影二象:;:著：層卿被沉積在該錄層 剩餘的部分。於第 ^卩分。接者移除該光抗蝕劑 層。接著將光種方法令，係將一層職沉積在該錄 光於光化韓射“:加^該咖層。該光抗钱劑被成像曝 留下影像區。從此移除該抗银劑的非影像區，而 下的部八七η 3移除N1Fe層位於抗蝕劑非影像區之 :刀，如同剩餘的光抗钱劑 ，同時移除至少一部分 裡万凌之後 積體電碭、/、s。上述製程將導致形成具有 檟版弘感為磁心之印刷電路板。 本發明提供一種形点且女i 的製程，其包括： 〃 電感器磁心之印刷電路板 積1)3,包括鋼箱的電傳導結構’而該銅落有錄層沉 b)將該電傳導結構製成 *., A4 取/自放在—電不傳導基板的第一 表面上，使_層與該基板的第—表面接觸； C)從該電傳導結構移 板的第-表面上； ^自，因此將該㈣留在該基 氣化物：以及 句移除在該鎳層上所形成的任何 e)執行步驟（i)或步驟（ii): ⑴將光抗蝕劑加在該鎳層上； 光化輻射；顯影該抗蝕劑，因 該光抗蝕劑被成像曝光於 此移除非影像區，而留下 546993 A7

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546993 A7 B7 蝕劑已移除的非影像區之下的部分；移除該光抗則 剩餘的部分，·以及隨意地移除至少一部分的錄層；因 此在忒基板的第一表面上形成積體電感器磁心； (⑴將—層NlFe沉積在該鎳層上；將光抗蝕劑加至該 Fe層，β玄光彳几蝕劑被成像曝光於光化輻射；顯麥 該抗钱齊i，因此移除非影像區，而留下影像區，^ 該鎳層移除NiFe層位於該光抗银劑已移除的非影像 區之下的部分，移除該光抗钱劑剩餘的部分；以及 !地移除至少一部分的鎳層；因此在該基板的第 一表面上形成積體電感器磁心。 本發：更進一步提供一種由包括下面步驟的製程所形成 的電感态磁心，'該製程包括： a)提供一種包括銅箔的電傳導結構，而該銅箔有鎳層沉 積在其上； i傳，導結構製成羯，放在—電不傳導基板的第— 表面上，使該鎳層與該基板的第一表面接觸； c) 伙4弘傳導結構移除該銅箔，因此將該鎳層留在該基 板的第一表面上； d) 移除在該鎳層上所形成的任何氧化物；以丨 e) 執行步驟⑴或步驟（丨丨）： ()將光抗飯剤加在該鎳層上；該光抗餘劑被成像曝 光於光化輻射；顯影該抗蝕劑，因此移除非影像區 而留下影像區；將一層NiFe沉積在該鎳層位於光 抗姓劑已移除的非影像區之下的部分；移除該光抗 雀虫劑剩餘的部分；以及隨意地移除至少一部分的鎳 本紙張尺歧财® S家標準(CNS) 公釐) 546993 五、發明説明（ 層’因此在該基板的第一表面上形成積體電感器磁 〇 ⑼將1N1Fe沉積在該鎳層上；將光抗钱劑加至該職 層…玄光抗钱劑被成像曝光於光化轄射，·顯影該抗钱劑， 口此私除非#像區，而留下影像區；從^㈣層移除腳e層 位於該光抗蝕劑已移除的非影像區之下的部分；移除該光 抗蝕劑剩餘的部分；以及隨意地移除至少一部分的鎳層： 因此在該基板的第-表面上形成積體電感器磁心。 圖式之簡沭 圖1顯示本發明的製程的流程圖。 1佳實施例的#沭 本赍月種形成具有，積體電感器磁心之印刷電路板 的製程。 提供一種包括銅羯的電傳導結構，而該銅箔有鎳層沉積 在其上。根·據本發明，名詞“銅箔，，最好包含銅或銅金屬， 但也可包括含有辞、黃銅、鉻、鎳、鋁、不銹鋼、鐵、金 、銀、鈦、及其化合物與合金的銅箔。根據各特定的應用 ，而變化該銅箱的厚度。於最佳實施例中，該銅箔的厚度 大約介於5 μηι與50 μιη之間。通常使用已知的電沉積製程來 製造銅落。最佳製程包括將銅由銅鹽溶液電沉積在旋轉金 屬磁鼓上。該箔緊鄰磁鼓的面通常是平滑或發亮的，而另 外一表面是相當粗糙的，也如熟知的不光滑面。通常該磁 鼓由不銹鋼或鋁所製成，作為陰極，並接收溶液中所沉積 的銅。而陽極一般由引線合金所構成。通常在陽極與陰極 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐） -9 · 546993 五、發明説明（7 間應用大約5到！ 〇伏特的電池電壓，而導致銅被沉積，並 在陽極上釋放氧氣。接著從該磁鼓上移開銅箔。改善該 技云中热知的製程，隨意地預先製程該箔的發亮面、不 或兩面的黏著劑，可適合作為該銅箔的黏著促 進劑。 在該銅羯的某一面鋪上鎳層，因此形成一電傳導結構。 該錄層最好包括錄或一錄合金，然而也可包含其他的金屬 例如鋅、汽銅、鉻、錄、、不錄鋼、^b 1 、及其化合物與合金。可使用任何慣用的方法將鎳層加在 該銅羯上，例如使用電沉積、喷錢或非電鍍層。於最佳實 〗中4吏用弘/儿積方式沉積該鎳層。根據各特定的應用 ，以變化該鎳層的厚度。於最佳實施例中，該鎳層的厚度 大約介於0·1 μιη與5 μηι之間。 -旦已形成’在具有第一與第二相對表面之基板的第一 表面上，最好—將該電傳導結構製成落。該基板最好包含電 不傳導的材料。該基板適用的材料，不外乎包括環氧化物 、多疏亞氨、鐵敗龍與聚S旨。該基板最好包含環氧化物。 製作落最好使用熟習此項技藝者所熟知的慣用製箱技術。 在該基板的^一表面上’最好將該電傳導結構製成箱，而 使鎳層能與該基板的第一表面接觸。 尽=羯之後’最好移除該電傳導結構的銅落，因此將錄 U在该基板的第-表面上。可使用任何會移除銅落作不 會移除鎳層的慣用方法來移除該銅箱。移除該鋼落的最佳 方法為钱刻。於最佳實施例中，佶用备 只以使用虱的蝕刻劑將該銅箔 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公 546993

i虫刻消失。 一旦已移除該㈣，接著移除在言亥鎳層±所形成的任何 氧化物。可使用任何條件作用步驟來實行上述。最好，使 用描述於美國專利案動，1 17,300的陰極化製程來實行上述 ’以引用的方式併入本文中。 然後，在該基板的第一表面上形成積體電感器磁心。藉 由熟習此項技藝者所熟悉的任何方法以任何順序来實行上 述。根據本發明的最佳實施例，藉由執行下面所描述的步 驟(1)或步驟(11) ’在該基板的第一表面上形成積體電感器磁 心。 步驟⑴包括將光抗蝕劑加在該鎳層上；該光抗蝕劑被成 像曝光於光化輻射；顯影該抗蝕劑，因此移除非影像區， 而虏下心仏區，將一層NiFe沉積在鎳層位於抗姓劑已移除 的非〜i區之下的σ卩分，移除該光抗钱劑剩餘的部分；以 及隨意地移除i少一部分的鎳層；因此在該基板的第一表 面上形成積體電感器磁心。 步驟（π)包括將一層NlFe沉積在該鎳層上；將光抗蝕劑加 至該NiFe層；該光抗蝕劑被成像曝光於光化輻射；顯影該 抗飯劑，因此移除非影像區，而留下影像區；從該錄層移 除NiFe層位於抗蝕劑已移除的非影像區之下的部分；移除 該光抗I虫劑剩餘的部| ;以&隨意地移⑨至少一部分的鎳 層，因此在该基板的第一表面上形成積體電感器磁心。 此些步私中的光抗蝕劑通常為商業上可用的正作用或負 作用。於本發明的實行中，最好為正作用的光抗蝕劑。適 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公复)" --- 546993 A7 _—__B7 五、發明説明（~~) — " 合正作用的光抗蝕劑材料是此技藝中所熟知的，而且可包 含 o-quinone diazide 輻射感光劑。該〇-quinone diazide 幸畐 射感光劑包括揭露於美國專利號碼2,797,213 ; 3,106,465 ; 3，148,983 ; 3，130,047 ; 3,201，329 ; 3,785,825 及 3,802,885 中 的 o-quinone-4-或-5-sulfonyl-diazides。也可從商業上獲得 適合的正作用光抗蝕劑，例如，來自美國新澤西州，

Clariant Corporation of Somerville 的 AZ-P4620商品命名。 可藉由慣用的方法塗上該光抗蝕劑，例如旋塗佈沉積。根 據沉積的製程與參數的設定來變化該光抗蝕劑的厚度。 最好以慣用的方法成像曝光該光抗蝕劑，因此形成影像 或與非影像區。最好使用光化輻射成像曝光該光抗蝕劑， 例如可見光、'光譜通過遮罩的紫外線或紅外線區、或由電 子束、離子或中子束或X-射線輻射掃瞄。光化輻射是非光 或連貫光的形式，例如，源自雷射的光。 接著最好由慣用的方法成像顯影該光抗蝕劑，因此移除 非景》像區，而留下影像區。最好使用適合的溶媒成像顯影 該光抗蝕劑，例如水的鹼性溶液。一種最佳的溶媒顯影劑 包含碳酸鈉鹽。隨後以此技藝所熟知的慣用方法移除該光 抗姓劑剩餘的部分，例如脫膜。 於此兩步驟中，NiFe層沉積在該鎳層上。該NiFe層最好 包括鎳與鐵的合金，然而也可包含其他的金屬，例如鉻、 鈷、及其化合物與合金。該NiFe層係由任何慣用的方法如 私"L積、噴歲、或非電鍍層沉積而成。於最佳實施例中， 以電沉積來沉積該NlFe層。根據各特定的應用，而變化該 -12 - 本紙張尺度適财國國家標準(CNS) A4規格(21Gx 297公嫠y--------- 546993 A7 B7 五、發明説明（10 )

NiFe層的厚度。於最佳實施例中，該NiFe層的厚度大約介 於0.1 μπι與25 μιη之間。

Ik後使用任何慣用的方法移除部分的奶以層，該方法移 除NiFe但不移除鎳層。移除該犯卜層最好的方法是蝕刻。 於最佳實施例中，使用氫氧化銨與銅的複合物將該沁以層 餘刻消失。 取佳選擇，後續至少一部分的鎳層會被移除。可使用任 何慣用方法如㈣來移除該錄層。於最佳實施例中，以酸 性银刻來移除該鎳層。適合的酸性飯刻材料不外乎包括氯 化鐵、氣化銅、及其合成物。 完成步驟⑴或步驟（ii)，佶籍卿^ φ π _ i y ,K }便積體電感裔磁心形成在該基板 的第一表面上。 取旦已經在該基板的第一表面上形成該積體 電感器磁心’也能在該基板相對的第二表面上形成一或更 多的電感器一可使用先前描述的方法來形成該電感哭。於 最佳實施例中’該基板第二表面上所形成的每—電感器“ 乎完全與該基板第一表面上的一積體電感器磁心調準。 最佳選擇，具有第—與第二相對表面的第—電不傳導支 撐係附屬在該基板第—表面上的積體電感器磁心。於 電不傳導支撐的第一表面係屬於該基板 …表面。㉟5於該第一電不傳導支撐的材料 包括玻璃纖維、環氧化物、多疏亞氨、聚醋1塑性夠膠 、及其化合物。根據本發明可隨意地將另_電制 成箔’放置在該第一電不傳導支撐 卜、、。衣 弟一表面上。根據本 -13- 本紙張尺度_中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公 ^46993

導支撐的第二表面上形成 對表面的第二電不傳導支 或更多的電感器。於最佳 的第一表面係屬於該基板 傳導支撐的材料與厚度， 一電不傳導支撐的材料與 一電傳導結構製成箔，放 表面上。根據本發明，可 第二表面上形成更多的積 發明，可隨意地在該第一電不傳 更多的積體電感器磁心。 最佳選擇，，具有第一與第二相 撐係附屬在該基板第二表面上一 實施例中，該第二電不傳導支撐 的第一表面。適合於該第二電不 不外乎包括上面所描述用於該第 厚度。根據本發明可隨意地將另 置在該第二電不傳導支標的第二 隨意地在該第二電不傳導支撐的 體電感器磁心。 最佳選擇，寸將電路元件棑列在該基板的第一表面上， 其位置為該基板第一表面上所形成的積體電感器磁心的附 近。電路元件的範例不外乎包括電傳導線路等等。可使用 已知的微影技翁排列此類電路元件。適合此類電路元件的 材料，不外乎包括鋁、鋁合金、銅、銅合金、鈦、钽、鎢 、及其化合物。此些電路元件通常形成積體電路的導體。 此類電路元件與鄰近另一元件的區隔距離較好的情況是大 約20微米或更少，更好的情況是大約}微米或更少，而最好 的情況是大約0.05至1微米。 於最佳實施例中，根據本發明，積體電感、器磁心係形成 在基板的第一表面上。電路元件排列在該基板第一表面 上積體電感器磁心附近的位置。一或更多的電感器形成在 該基板的第二表面上，每一電感器幾乎完全與該基板第一 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 12 546993 五、發明説明（ 表面上的一磁心調準。第一電導 凰Λ ^ 得彳支撐的弟一表面係附 屬在j基扳第一表面上的藉， 妁積體電感器磁心。根據本發明將 另一電傳導結構製成箔，放晋名兮… ^ 置在该第一電不傳導支撐的第 二表面上。接著根據本發明， ^ 一 仕。哀弟一電不傳導支撐的第 一表面上，形成更多由附加的帝 σ 的I路70件所圍繞的積體電感 益磁心。弟二電不傳導支撐 文保的弟一表面係附屬在該基板第 一表面上的一或更多電咸哭。士 ^ 〇σ根據本發明形成另一電傳導 結構’並製成箔’放置在第：電不傳導支撐的第二表面上 。接者根據本發明’在該第二電不傳導支撺的第二表面上 ’形成更多由附加的電路元件所圍繞的積體電感器磁心。 根據本發明生產大量的附加電不傳導支撐，而且在Α上 形成更多的積體電感器磁心或電感器。 本發明的製程結果會形成呈古 Λ _ 曰小珉具有積體電感器磁心的印刷電 路板。 下面的範.例適合用以說明本發明，但並不限制本發明 。應瞭解本發明的變化比例及替代組件的元件，對孰采 此項技藝者而言是顯而易見的’而且是在本發明領域的 範圍内。 範例1 四將-包含有鎳層沉積在其上之銅羯的電傳導結構，加至 環氧化物基板的第一表面上，使該鎳層與該基板的第一表 面相接觸。在足以流動與乾燥該環氧化物的熱度與壓力下 ’將上述製成箔，而形成一層板。以氨蝕刻劑將該銅箔蝕 刻消失，留下錄層在該基板的第一表面上。接著使用描述 -15· 本紙張尺度通用中國國家標準(CNS) Μ規格(21() χ 297公爱)— ---- 裝 訂 546993 A7 ____ B7 五、發明説明（13 ) 於美國專利號碼6,1 17,300的陰極化製程移除在鎳層上所形 成的任何氧化物。 接著在該基板的第一表面上形成積體電感器磁心。首先 加上一層來自美國新澤西州Clariant corporation 〇f Somenalle商業上可用的正作用光抗蝕劑材料AZ_p462〇來實 行上述’並將其放在該鎳層上以保護鎳層無磁心形成的區 域。該光抗飯劑被成像曝光於使用雷射的光化輻射，而且 使用碳酸鈉鹽顯影，而移除非影像區，只留下影像區。該 非影像區為電感器磁心形成的位置。 一層NiFe鍍溶劑被電沉積在鎳層上，位於光抗餘劑已移 除的非影像區下面的部分。該NiFe鏡溶劑包括：

NiCl2*6H20 FeCl2*4H20 H3BO3 Na糖〜精 每公升10 9公克 每公升1.85公克 每公升12.5公克 每公升0.4公克 NaLauryl硫酸鹽 每公升〇4公克 H2° 補足1公升

鍍電流密度 18.5 ASF pH = 2.5 藉由脫膜移除光抗蝕劑的剩餘部分。接著使用氯化銅移 除一部分的鎳層。該結果係在環氧化物基板的第一表面上 形成積體電感器磁心。 範例2 將一包含錄層沉積在其上之銅箔的電傳導結構，加至環 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(^7297公董]------- 546993 A7 B7 五、發明説明（14) 氧化物基板的第一表面上，使該鎳層與該基板的第一表面 接觸。在足以流動與乾燥該環氧化物的熱度與壓 * 將 上述製成箔，形成一層板。以氨蝕刻劑將銅箔蝕刻消失， 留下錄層在該基板的第一表面上。接著使用描述於美國專 利號碼6，117,3〇〇的陰極化製程移除鎳層上所形成的任 化物。 接著在该基板的第一表面上形成積體電感器磁心。首先 沉積一層NiFe鍍溶劑在鎳層 上’以實行上述。該NiFe鍍溶 劑包括： NiCl2*6H20 每公升109公克 FeCl2*4H20 每公升1.85公克 H3BO3 每公升12.5公克 Na糖精· 每公升0.4公克 NaLauryl硫酸鹽 每公升0.4公克 H20… 補足1公升 鍍電流密度18.5 ASF pH = 2.5 接著，一層來自美國新澤西州Cladant c〇rp〇rati〇n 〇f Somerville，可用於商業上的 正作用光抗蝕劑材料AZ-P4620 沉積在NlFe層。該光抗姓劑被成像曝光於使用雷射的光化 輻射，而且使用碳酸納鹽顧 影’因此移除非影像區，而留 下影像區。移除該NiFe層在 光抗蝕劑已移除的非影像區下 面的邓刀藉由使用氫氧化銨與銅的複合物將所希望的 N i F e區姓刻消失。 -17- 本紙張尺度適财® S家標準(CNb) A4規格(咖><297公幻· 訂 546993 A7 B7

藉由脫膜移除光抗蝕劑的剩餘部分。接著使用氣化銅蝕 刻移除-部分的鎳層。該結果係在環氧化物基板的第一表 面上形成積體電感器磁心。 範例3 如範例1所描述，在環氧化物基板的第一表面上形成積體 電感器磁心。隨後’接著以相同的方法，㈣氧化物基板 的第二表面上形成積體電感器磁心’使第二表面上的每一 電感器磁心幾乎完全與第一表面上的一電感器磁心調準。 範例4 如範例2所描述，在環氧化物基板的第一表面上形成積體 電感器磁心。1¾後’接著以相同的方法，在環氧化物基板 的第二表面上形成積體電感器磁心，使第二表面上 一 電感器磁心幾乎完全與第一表面上的一電感器磁心調準。 範例5 如範例1所指述，在環氧化物基板的第一表面上形成積體 電感器磁心。具有第一表面與第二相對表面的第一玻璃纖 維支撐，附屬在該基板第一表面上的積體電感器磁心，使 得该第一玻埚纖維支撐的第一表面屬於該基板的第一表面 。將另一由銅箔所組成的電傳導結構製成箔，放在該第一 玻璃纖維支撐的第一表面，而該銅箔有鎳層沉積在其上。 根據範例1在該第一玻璃纖維支撐的第二表面上形成更多的 積體電感器磁心。 範例6 如範例2所描述，在環氧化物基板的第一表面上形成積體 -18- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇 X 297公着)

裝 訂

線 546993 五 、發明説明（16) 電感器磁心。具有第一表面 维支揮，附屬在該基板第一表=對表面的第-玻璃纖 得該篦一成# a 、 上的積體電感器磁心，使 。將另由4Π ::維支撐的第一表面屬於該基板的第-表面 將另一由銅箱所組成的電傳導 Μ ^ 玻璃纖維支撐的第一表 、成泊，放在該第一 根據範例2在节笛/ 落有鎳層沉積在其上。 牵U在该弟一破璃纖維支 積體電感器磁心。 一表面上形成更多吟

MlMI 4=1所描述，在環氧化物基板的第—表面上形成積體 二具有第—表面與第二相對表面的第-玻璃纖 、准支掠’附屬在該某杯楚— 板弟一表面上的積體電感器磁心，使 得該第一玻璃纖維支樓的第-表面屬於該基板的第一表面 mmi所組成的電傳導結構製成箱，放在該第一 玻璃纖維支撑的第-表面，而該銅箱有錄層沉…上。 具有第-备面與第二相對表面的第二玻璃纖維支撐，附屬 在該基板第二表面上的積體電感器磁心，使得該第二玻璃 纖維支樓的第-表面屬於該基板的第二表面。將另一由銅 箔所組成的電傳導結構製成箔，放在該第一玻璃纖維支撐 的第二表面與第二玻璃纖維支撐的第二表面，而該銅羯有 鎳層》儿積在其上。根據範例丨在該第一玻璃纖維支撐的第二 表面與第二玻璃纖維支撐的第二表面形成更多的積體電感 器磁心。 範例8 如範例2所描述，在環氧化物基板的第一表面上形成積體 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4%^(ii〇x 297/>*) 546993 五、發明説明（17) 電感為磁心。具有第一表面與第一 ^ ^ ^ ^ , /、弟一相對表面的第一玻璃纖 維支撐，其附屬在該基板第一表 衣向上的積體電感器磁心， 使得該第—玻璃纖維支料第—表面屬於該基板的第-表 面。將另一由銅箱所組成的電傳導結構製成羯，放在該第 -玻璃纖維支撐的第-表面，而該銅^錄層沉積在其上 。具有第-表面與第二相對表面的第二玻璃纖維支撑，其 附屬在該基板第二表面上的積體電感器磁心，使得該第二 玻璃纖維支撐的第一表面屬於該基板的第二表面。將另— 由銅箱社成的電傳導結構製成f|，放在該第—玻璃纖維 a支撐的第二表面與第二玻璃纖維支撐的第二表面，而該銅 :有鎳層沉積在其上。根據範例2在該第一玻璃纖維支撐的 第二表面與第二玻璃纖维支撐的第二表面形成更多的積體 電感器磁心。 ' 本發明已經特別顯示及描述相關的實施例，熟悉此項 技藝者能立·即瞭解，不需違背本發明的精神與領域，即 可進行各種的改變與修改。打算以所說明的專利範圍來 涵蓋已揭露的實施例、上面已詳述的此些替代及所有 等的事物。 -20- 裝 訂

Claims (1)

1. 546993 A8 B8

   一種用以形成具有積體電感器磁心 ，其包括· ^ P刷電路板之製程 4提供一種包括銅箔的電傳導結 沉積在其上； “銅杂有錄層 b)將該電傳導結構製成_ ’放在—電不料基板的第 -表面上’使該鎳層與該基板的第_表面接觸；， C)從該電傳導結構移除該㈣，因此將該錦層留在該 基板的第一表面上； d) 移除在該鎳層上所形成的任何氧化物；以及 e) 執行步驟⑴或步驟（ii): ⑴將光抗蝕劑加在該鎳層上；該光抗蝕劑被成 像曝光於純輻射該抗H 0此移除 非影像區’而不移除影像區；將一層犯以沉積 在該鎳層位於該光抗蝕劑已移除的非影像區之 下的部分，移除該光抗蝕劑的剩餘部分；以及 隨意地移除至少該鎳層的一部分；因此在該基 板的第一表面上形成積體電感器磁心； (η)將一層NiFe沉積在該鎳層上；將光抗蝕劑加 至该NiFe層；該光抗蝕劑被成像曝光於光化輻 射；顯影該抗蝕劑，因此移除非影像區，而保 留影像區；從該鎳層移除NiFe層位於該光抗蝕 劑已移除的非影像區之下的部分；移除該光抗 蝕劑的剩餘部分；以及隨意地移除至少該鎳層 的一部分；因此在該基板的第一表面上形成積 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公董）

   裝

   546993 A BCD 申請專利範圍 體電感器磁心。 2.如申請專利範圍第_1項之製程，進一步包括形成一或更多 的電感器在該基板的相對第二表面，每一電感器幾乎完 全與该基板第一表面上的一磁心調準。 3如申請專利範圍第1項之製程，進一步包括附加一第一電 不傳‘支撐在該基板第一表面的積體電感器磁心。 4*如申請專利範圍第2項之製程，進一步包括附加一第二電 不傳V支撐在該基板第二表面的一或更多的電感器上。 5·如申請專利範圍第3項之製程，進一步包括附加一第二電 不傳V支撐在该基板第二表面的一或更多的電感器上。 6·如申凊專利範圍第3項之製程，因將根據步驟約的另一電 傳導結構製成箔基板，放在該第二電不傳導支撐上，進 一步包括重覆步驟a)到e)。 7.如申明專利範圍第4項之製程，·因將根據步驟a)的另一電 傳導結構製成羯基板，放在該第二電不傳導支撐上，進 一步包括·重覆步驟a)到e)。 8如申請專利範圍第6項之製程，因將根據步驟a)的另一電 傳導結構製成_基板，放在該第二電不傳導支樓上，進 一步包括重覆步驟a)到e)。 9.如申請專利範圍第旧之製程，進一步包括將電路元件排 列在該基板第一表面上的積體電感器磁心附近的位置。 1〇.如申請專利範圍第2項之製程，其中該電感器包括鎳與鎳 合金。 11.如申明寸利範圍第3項之製程，其中該第一電不傳導支撐 -22- 本紙張尺度適用中㈣冢標準(CNS) Α4€2ΐ()χ挪公--- 546993 A8 B8 C8 D8 申請專利範園 包括一種玻璃纖維的化合物與一種環氧化物 ，申請專利範圍第4項之製程，其中該第二 包括一種玻璃纖維的化合物與一種環氧化物 13·如申請專利範圍第1項之製程 於 5 μιη到 50 μιη。 14.如申請專利範圍第1項之製程 於 〇· 1 μιη到 5 μιη。 1.5.如申請專利範圍第1項之製程 化物。 其中該銅箔的厚度大約A 其中該鎳層的厚度大約A 其中該基板包括一種環氧 16·如申請專利範圍第1項之製程 箔。 其中使用蝕刻來移除該銅 17.如申請專利範圍第1項之製程 來姓刻移除該銅箔。 其中藉由使用氨的蝕刻劑 18·如申請專利範圍第1項之製程 該NiFe層。 ，其中使用電沉積法來沉積 19. 如申請專利範圍第i項之製程，μ使用_來移除該 NiFe 層。20. 如申請專利範圍第1之製程，其中藉由使用氮氧化氨與 銅酸的合成物來蝕刻移除該NiFe層。 、 21·如申請專利範圍第丨項之製程，其中於步驟匀移除該鎳層。 22.如申請專利範圍第1項之製程，其中使用蝕刻來移除該鎳 層。 23·如申請專利範圍第1項之製程，其中使用一種酸來蝕刻移 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）

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   除該錄層。 24.如申晴專利範圍第 “ 表私#中使用一種酸來蝕刻移 二曰、’该酸挑選自氣化鐵、氣化銅及其化合物所組 成的群組。 25. -種由包括下面製程所形成的具有積體電感器磁心之印 刷電路板，該製程包括： )θ ί、種包括銅箔的電傳導結構，而該銅箔有鎳層 沉積在其上； '

   =將該電傳導結構製成，放在—電不傳導基板的第 一表面上，使該鎳層與該基板的第一表面接觸； C)從該電傳導結構移除該銅羯，因此將該鎳層留在該 基板的第一表面上； d) 移除在該鎳層上所形成的任何氧化物；以及 e) 執行步驟⑴或步驟⑴）··

   ⑴將一種光抗蝕劑加在該鎳層上；該光抗蝕劑 '被成像曝光於光化輻射；顯影該抗蝕劑，因此 移除非影像區，而保留影像區；將一層沁以沉 積在該鎳層位於該光抗蝕劑已移除的非影像區 之下的部分；移除該光抗蝕劑剩餘的部分；以 及隨意地移除至少該鎳層的一部分；因此在該 基板的第一表面上形成積體電感器磁心。 (ii)將一層NiFe沉積在該鎳層上；將一種光抗蝕 劑加至泫NiFe層；該光抗蝕劑被成像曝光於光 化輻射；顯影該抗蝕劑，因此移除非影像區， -24 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 546993 六、申請專利範圍 而不移除影像區；從該鎳層移除NiFe層位於該 光杬蝕剡已移除的非影像區之下的部分；移除4 ·光抗蝕劑剩餘的部分；以及隨意地移除至少 該鎳層的一部分；因此在該基板的第一表面上 形成積體電感器磁心。 26.=料利範圍第25項之印刷電路板，進—步包括形成 s更多的電感器在該基板的相對第二表面 器幾乎完全與該基板第一表面上的一磁心調準。 A如=請專利範圍第25項之印刷電路板，進—步包括附加 弟-電不傳導支樓在該基板第一表面的積體電感器磁 心上0 28_如:請專利範圍第26項之印刷電路板，進一步包括附 一f二電不傳導支撐在該基板第二表面的一或更多的 σσ JL. ° 29.如申請專利範圍第27項之印刷電路板，進一步包括附 一：二電不'傳導支掠在該基板第二表面的—或更多的 σα __1ΐ_ 0 3〇.如申請專利範圍第27項之印刷電路板，因將根據步驟『 的另一電傳導結構製成箔基板，放在該第二電不傳導支 撐上，進一步包括重覆步驟a)到e)。 31. 如申請專利範圍第28項之印刷電路板，因將根據步驟 的另電傳導結構製成箔基板，放在該第二電不傳導支 撐上，進一步包括重覆步驟a)到e)。 32. 如申請專利範圍第3〇項之印刷電路板，因將根據步驟^

   裝 加 電 加 電 a) 本紙银尺度適财gm家標準(CNS) A4規格(21GX297公 -25- 电料結構製成n基板，放在該第 。上進步包括重覆步驟勾到e) u .:申請專利範圍第25項之印 路元件排列在該基板第—表面上的積體包括將屬 的位置。 、電感裔磁心附近 :::::圍第26項之印刷電路板，該電感II包 專利範圍第27項之印刷電路板 物。 坡輛纖維的化合物與-種環氧化 利範圍第28項之印刷電路板，其中該第二電 物。、^ #包括一種破項纖維的化合物與一種環氧化 其中於步驟e)移 其包括： 而該銅箔有鎳層· 如申請專利範圍第25項之印刷電路板 除該鎳層。 種用以形-成電感磁心之印刷電路板， 〇提供一種包括銅箔的電傳導結構 沉積在其上； b)將該電傳導結構製成箔， 一* 白放在—電不傳導基板的第 衣面上’使該制與該基板的第—表面接觸； =該電傳導結構移除該銅箱’因此將 基板的第一表面上； d) 移除在該錦層上所形成的任何氣化物；以及 e) 執行步驟⑴或步驟（H): 六、申請專利範圍 (Ο將一種光抗蝕劑加在該鎳層上；該光抗蝕劑 被成像曝光於光化輻射；顯影該抗蝕劑，因此 移除非影像區，而保留影像區；將一層NiFe沉 積在該鎳層位於該光抗蝕劑已移除的非影像區 之下的部分；移除該光抗蝕劑剩餘的部分；以 及隨意地移除至少該鎳層的一部分；因此在該 基板的第一表面上形成積體電感器磁心。 (11)將一層NiFe沉積在該鎳層上；將一種光抗蝕 劊加至4 NiFe層，該光抗飯劑被成像曝光於光 化輻射；顯影該抗蝕劑，因此移除非影像區， 而不移除影像區；從該鎳層移除NiFe層位於該 光抗蝕劑已移除的非影像區之下的部分；移除 該光抗蝕劑剩餘的部分；以及隨意地移除至少 該鎳層的一部分；因此在該基板的第-表面上 形成積體電感器磁心。 39. 一種電感器磁心，由句；f壬石„ nr λ,» 田L栝如下之一製程所形成，該製程 包括： a)提供-種包括銅箱的電傳導結構，而該銅箔有錄層 沉積在其上； W將該電傳導結構製«’放在-電不傳導基板的第 一表面上，使該鎳層與該基板的第一表面接觸； 。)從。亥電傳導構移除該銅箔，因此將該鎳 基板的第一表面上； d)移除在㈣層上所形錢任何氧化物；以及 546993 A8 B8 C8 -------------D8 六、申請專利^ 一 ---- e)執行步驟⑴或步驟（H): ⑴將-種光抗㈣加在該鎳層上；該光抗餘劑 被、成像曝光於光化輻射；顯影該抗蝕劑，因此 移除非影像區，而不移除影像區；將一層NiFe /儿積在4鎳層位於該光抗蝕劑已移除的非影像 區之下的部分；移除該光抗㈣剩餘的部分； 以及隨意地移除至少該鎳層的一部分；因此在 該基板的第一表面上形成積體電感器磁心； (Π)將一層NlFe沉積在該鎳層上；將一種光抗蝕劑加 至該NiFe層；該光抗蝕劑被成像曝光於光化輻射； 顯影該抗蝕劑，因此移除非影像區，而保留影像區； 從該鎳層移除NiFe層位於該光抗蝕劑已移除的非影 k區之下的σ卩刀，移除这光抗银劑剩餘的部分；以及 隨意地移除至少該鎳層的一部分；因此在該基板的第 一表面上形成積體電感器磁心。 -28- I紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) " ' ---—