JPH05504658A - 選択的にエッチング可能な金属層を用いた印刷回路板パターン製造方法 - Google Patents

選択的にエッチング可能な金属層を用いた印刷回路板パターン製造方法

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JPH05504658A JP3507364A JP50736491A JPH05504658A JP H05504658 A JPH05504658 A JP H05504658A JP 3507364 A JP3507364 A JP 3507364A JP 50736491 A JP50736491 A JP 50736491A JP H05504658 A JPH05504658 A JP H05504658A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 及1ユ各亦 選択的にエツチング可能な金属層を用いた印刷回路板パターン製造方法 及豆旦皿玉 本発明は、金属箔を用いて製造される印刷回路板に関する。
さらに詳しくは、本発明は、印刷回路板の製造に用いられる微細線パターンを作 成する方法に関する。微細線パターンは、選択的にエツチング可能な金属層を形 成するために金属箔を用いて製造される。
!i挟五 たとえばコンビエータ、テレビ、ラジオ受信機および増幅器などのほとんどの電 子機器は、印刷回路板によって形成された電子回路を有している。英国特許第6 90.691号に開示されているように、Strong et alによる努力 から生まれた印刷回路板製造の技術は、現代社会に大きな衝撃を与えた。初期の Strong et alによる努力以来、所定の回路板表面領域に設けること のできる電気回路構成部品の数を増やすことが、印刷回路板産業にとっての継続 した目標である。
従来技術では、−片の導電性金属箔(銅(Cu)箔など)を誘電体基板または絶 縁支持板に積層し、従来技術で印刷回路積層ブランクとして知られているものを 製造するという、印刷回路板の製造方法が採用されている。一般に、誘電体基板 または絶縁支持板は、ガラスクロス強化物質にエポキシ樹脂類などの部分的に硬 化した樹脂を含浸させることによって製造される。金属箔と絶縁支持板を積層プ レスに載置することによって、金属箔は絶縁支持板に積層されるが、この積層プ レスは、箔と支持板が十分に硬化するように温度と圧力を上げ、それによって箔 を支持板に接着し、金属箔の接着された樹脂層を有する積層体を得る。
一般に、金属箔は、陽極、陰極、金属イオンを含む電解質溶液および電源を有す る電解槽において電気化学的な方法で製造される。陽極と陰極の間に電圧を印加 することによって、溶液中の金属が陰極表面上に堆積する。陰極表面に接触して いる面に対向して形成される金属箔の表面は、ツヤ消し仕上げを含有している。
金属箔を支持板に積層する工程の間、このツヤ消し面は支持板に接触している。
好ましくは、積層工程の前に、ツヤ消し面上への接着またはアンカー処理を包含 する工程を箔のツヤ消し面に行う。この処理によって箔の表面積が増加し、箔の 接着力(つまり機械的および化学的接着)が増大して、そのために支持板との接 着性が向上する。また、ツヤ消し面には、次に続く印刷回路板の工程の間、金属 箔と絶縁支持板との間の接着力が弱まることを防ぐために、遮熱層をその上にメ ッキまたは堆積させることを含む付加的処理も行い得る。印刷回路積層ブランク を製造するために銅箔が用いられる場合には、このような付加的処理は、Mor isakiの米国特許第4.049.481号に開示されているように、積層体 の樹脂支持板への銅の拡散を防止する防止層として働く、亜鉛(Zn)および錫 (Sn)からなる二成分合金の堆積またはメッキを含み得る。
積層ブランクを形成した後、それを米国特許第3.469.982号に開示され ているような感光ポリマー膜またはフォトレジストで被覆する。そして、感光ネ ガまたはポジ(以後「感光ツール」と呼ぶ)を積層体の上面にフォトレジストと 密着するように載置する。その後、フォトレジストの、感光ツールで遮弊されて いない領域に、適当な周波数の光を当てる。光を照射すると、フォトレジスト中 で反応が起こり、それによって、露出された領域が特別な液体の化学薬品または 現像液に対して不溶性になる。そして、感光ツールのパターンによってその大き さを制御または指示できる、ある領域の露出した金属箔表面を残して、フォトレ ジストが露出していない、または照射されていない部分を侵食するような現像液 に板を浸漬することによって照射された板を現像する。
その後、露出した金属箔を適当な化学エツチング溶液によって除去する。残った フォトレジストをはぎ取った後、はぼ完成した回路板は、ある所望の位置に導電 領域と絶縁領域を持つことになる。
上記の従来技術の印刷回路板製造方法には少なくとも1つの欠点がある。つまり 、絶縁支持板上に形成された導電線または経路は常に方形であるわけではない。
特に、断面から見ると、フォトレジストで保護されていない金属箔の領域を除去 するために用いられる化学エツチング溶液のアンダーカットのために、導電線は 内側に湾曲する。このアンダー力、2トの起こる程度が、樹脂層上に導電線を製 造できる最小サイズに影響を及ぼす。
エツチング溶液によるフォトレジストのアンダーカットという現象を最小限に抑 える方法は、積層ブランクの製造の際により薄い導電箔を用いることである。導 電箔を薄くすればするほど、その分解能または単位面積あたりの導電経路の数が 多(なる。しかし、導電箔が十分な電流を流せないほど薄くなった場合には、印 刷回路板の導電および絶縁領域の範囲を限定した後、許容できる厚みになるまで 、所望の金属を用いて導電領域を電気メッキする技術を用いる必要が生じる。
回路板の他の従来技術の製造方法は、Barhle et alの米国特許第4 .705.592号の「発明の背景」の項に記載されている。
この方法は、絶縁支持板または基板の両面に銅の層(総計75ミクロン)を積層 することを包含する。その後、約70ミクロンの銅をエツチングで除去する。そ して、回路板を洗浄し、フォトレジストを塗布し、現像する。銅を非電気的に堆 積し、回路板上に回路線を形成し、その後鍋を回路線上に堆積させる。残ったフ ォトレジストを除去し、錫でメッキされなかった銅をエツチング除去する。錫の 保護コーティングを除去し、完成した回路板となる。この先行技術方法の欠点の 1つは、回路線を形成するための銅の非電気的な堆積が非常に遅く高価であるこ とである。また、適切に行わないと、非電気的に堆積した銅は非常に脆いことが あり得る。さらに、基板表面に5ミクロンの銅を残すように70ミクロンの銅を 正確に除去することは難しいことがあり得る。
Barhle et alは、別のエツチングを採用した、回路板の他の従来技 術製造方法を開示している。つまり、この従来技術方法は、絶縁基板上に銅をブ ランケットスパッタリングすることを包含する。その後フォトレジストを塗布し て現像する。
そして、スパッタし露出した銅の上に銅をメッキする。残ったフォトレジストを 剥離し、別のエツチングによってスパッタし露出して銅を除去する。この従来技 術方法は、スパッタした銅を除去するために用いられる酸がメッキした銅を侵す こともあるという点でいくつかの欠点がある。また、銅のスパッタリングは、一 般にメッキや積層よりも高価であり、スパッタした銅は、冶金性に劣る(脆い、 または基板に接着しにくいなど)傾向がある。
聚匪旦!1 本発明は、約0.002インチ未満の板上に導電および絶縁領域を有する印刷回 路板の、新規で改良された製造方法を提供する。このような回路板は、より多く の電子部品を板上に装着することができる。また、本発明は、フォトレジストを 塗布する前に金属表面を前処理する必要がなく、感光撮像工程における分解能を よりよ(する。さらに、本発明は、安定して拡散しにくい回路板を製造において 、金属が使用できるので、改良された拡散防止層を有する回路板を提供する。ま た、本発明は、「銅エツチング可能」 (つまり、銅と類似の方法および速度で エツチングできる金属)であると分類されないような金属の使用を可能にする。
1つの好ましい実施態様では、本発明の原理に従って製造される印刷回路板は、 銅箔などの第二金属の層のツヤ消し面にクロム(Cr)などの第一金属の層を堆 積して合成物を製造することによって製造される。そして、該合成物を、クロム の層が銅箔と支持板との間に挟まれるように、絶縁支持板またはプレプレノブに 積層する。
積層の後、クロムの層が絶縁支持板にそのまま残るように、銅箔全体を除去する 。そしてクロムの層にフォトレジストを塗布し、該フォトレジストを感光ツール でマスクし、照射して現像する。銅などの第三金属の層を、クロムの層の保護さ れていない領域(つまり、現像中にフォトレジストが除去されたクロムの層の領 域)の上に堆積する。
そして、積層体上に残ったフォトレジスト全体を除去スる。
最後E、クロムの層の、現像されたフォトレジストの下に位置する領域を除去す ると、導電および絶縁領域がその上に形成された、微細線パターンが完成する。
完成した微細線パターンはその後回路板を製造するのに使用し得る。
本発明の前記およびその他の特徴は以後より詳しく説明し、特に特許請求の範囲 、以下の説明および本発明のある実施例となる実施態様を詳述した添付図面で指 摘するが、これらは本発明の原理を採用し得る様々な方法のいくつかを示してい るにすぎない。
図面の簡単な脱B 添付図面において: 図1は、本発明の原理に従って製造した印刷回路板の斜視図である; 図2は、選択的にエツチング可能な金属層の合成物を製造するためにクロムの層 を上部に形成した銅箔の断面の斜視図である; 図3は、金属層積層体を製造するために絶縁支持板に積層された、図2に示した 合成物の斜視図である:図4は、薄い箔の積層体を製造するために、図3に示し た積層体から銅箔の層を除去したものの斜視図である;図5は、感光撮像および 現像パターンを製造するために、図4の積層体にフォトレジストを塗布および現 像したものの斜視図である; 図6は、フォトレジストの現像の後にフォトレジストで被われていなかったクロ ムの層の一部分の上に銅の層を堆積し、現像されたフォトレジストおよび現像さ れたフォトレジストの下部に位置するクロムの層の一部分を、図5のパターンか ら除去して微細線パターンを完成したものの斜視図である。
ましい−施態 の詳細な説B 図面、まず図1を参、咳すると、本発明の原理に従って製造された印刷回路板1 0が示されている。回路板lOは、電気的導電経路または導電線14と絶縁空間 15とを有する絶縁支持板または基板12を含有する。導電経路14は、様々な 型の電子部品16を電気的に接続するよう作用する。このような電子部品16の 具体例としては、ダイオード、抵抗器、コンデンサ、および様々な型の半導体素 子が挙げられる。
1つの好ましい実施態様において、まず−片の電気的導電銅箔20を用い、約0 1から約5ミクロンの厚さのクロムの層26をその上に堆積、または好ましくは 電気メッキし、図2に示すように合成物29を製造することによって、回路板1 oを製造する。この明細書および下記の特許請求の範囲において使われる「堆積 する」または「堆積された」という文言は、付着性のある金属層を他の金属層ま たは表面の上に、例えば電気メッキ、電着、スパッタリング、非電気的な堆積お よび拡散結合または溶接などを含む様々な技術のいずれかを用いて形成すること を含み、できる限り広く解釈できるような意図で用いている。
銅箔20は、様々な製造方法のいずれを用いても製造し得る。
銅箔20は、できるかぎり薄く、厚み約35ミクロンを越えないことが好ましい 。また、銅箔2oは、約10ミクロンRtmのツヤ消し仕上げを有するツヤ消し 表面28を含有することが好ましい。
このツヤ消し仕上げ剤は、銅箔2oにクロムの電気メッキを行う間、クロムの層 26の両生表面に塗布される。
合成物29を形成した後、これを、クロムの層26が銅箔2oと基板12との間 に挟まるように基板12上に積層され、図3に示した金属層積層体31を製造す る。銅箔2oのツヤ消し仕上げ剤によってクロムの層26に伝わったツヤ消し仕 上げ剤が、クロムの層26と支持板12との間の接着を強化する。
もう1つの方法において、金属層積層体31は、合成物29を得、適当な絶縁プ ラスチック物質をクロムの層26の上にスパッタリングすることによって製造さ れ得る。
基板12として用いるのに適当な物質の具体例としては、ホルムアルデヒドと尿 素との反応物、またはホルムアルデヒド(H−CHO)とメラミン(N:C(N H2)・N・C(NH2)・N:C(NH2))との反応物から製造されるアミ ノ系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール(CaHs・OH) とホルムアルデヒドとの反応で作られるフェノール樹脂、ンリフーン、ポリアミ ド、フタル酸ジアリル、フエニシラン(ph6Bsi 1ane)樹脂、ポリベ ニノミダゾール(polybenizimidazole)、ジフェニルオキサ イド、ポリテトラフルオロエチレン(CF2・CF2)またはアルミナ(A12 03)などのセラミック、酸化ベリリウム(Bed)、珪素(Si)、窒化アル ミニウム(AIN)、二酸化珪素(Si02)または窒化ホウ素(BN)が挙げ られる。
金属層積層体31を製造するには、スパッタリング、非電気的な堆積などの様々 な技術を用いることができるが、金属層積層体31の製造に伴う費用を最低限に 抑えるためには、金属箔を用い、該肩上に電気メッキまたは電着によって金属の 層を形成することが好ましい。つまり、特に銅を用いる場合には、他の金属層形 成技術と比較すると、箔は一般に比較的安価な金属層を形成する。同様に、電気 メッキまたは電着の技術を用いて層上に金属層を形成すると、一般に、スパッタ リングまたは非電気的な堆積などの他の技術を用いる場合より、より安価になり 、時間もかからない。
金属層積層体31を形成した後、クロムの層26を除去したり損傷したすせずに 銅箔20を除去できるような、選択的なエツチング技術を用いてクロムの層26 から銅箔20を除去する。適切な酸の具体例としては、Xがフッ素、塩素、臭素 、またはヨウ素を包含するCLIX2HXと水の混合物、硝酸HNO3の希釈さ れたまたは濃縮された溶液、Xが塩素(CI)、臭素(Br)、またはヨ’)素 (1)を包含するFIXOa、)HXO3、HXO2またはHXOなどの酸化性 の酸、HMnO4、非酸化性のシアン化水素(HCN)の水溶液またはその陰イ オンの溶液、アンモニア水(NH3)、濃硫酸(H2SO4) 、氷酢酸(CH 3・C00H)中のN2O4、塩素陵線(FeC1s)の水溶液、または過硫酸 アンモニア(NH45208)水溶液が挙げられる。好ましくは、約1.2モル の塩化銅(CuCl2)の溶液を用いて、銅箔20の層を除去する。好ましくは 、塩化銅溶液は通常約1.5Nの塩化水素酸(、HCl)を含有する。
下部にあるクロムの層26をエツチング、崩壊または除去することなく、塩化銅 溶液が銅箔20を化学的に除去、またはエツチングするように、積層体31を十 分な期間の開基化銅溶液に曝して、薄い金属積層体、または特に図4に示すよう な薄い箔積層体36を製造する。好ましくは、銅箔20の層を化学的に除去する 工程は、約50°Cに保持した塩化銅溶液を用いて行われる。銅箔20がクロム の層26から除去されるのに十分な時間だけ積層体31を塩化銅溶液中に保持す るよう注意しなげればならない。
銅箔20を除去した後、薄い箔積層体36をフォトレジストの層に塗布する。ク ロムの層26が銅7320のツヤ消しによって付与された適切なツヤ消し表面を 有しているため、フォトレジストを適切に接着させるためにクロムの層26の表 面に前処置を施す必要はない。市販の様々なフォトレジストのいずれをも用い得 る。本発明に使用するのに適切なフォトレジストの具体例としては、RISTO Nの登録商標でE、 1.DuPont de Nemours & Co、、  R15ton Products Division、 Wilmingto n、 Delaware 19898より市販されている、半水性感光ポリマー 乾式膜フォトレジストがある。
フォトレジストを塗布した後、所望のパターンを持つ感光ツールを薄い箔積層体 36上に置く。ツールとフォトレジストを適当な光源で露光または照射し、感光 撮像ネガを作り、それを化学的に現像する。化学的現像の間、フォトレジストの 照射されなかった部分は現像剤に溶解し除去され、現像剤に対して不溶なフォト レジストの照射された部分はクロムの層26に定着し、図5に示すような感光撮 像ネガ不ガノでターン40になる。フォトレジストを現像するには、市販の様々 な現像剤のいずれをも用い得る。半水性フォトレジストに用いるのに適した現像 剤の具体例としては、RISTONの登録商標でE、I。
DuPont de Nemours & Coより市販されているDevel oper 200 Concentrate −Parts A and Bと いう現像剤がある。
パターン40は、フォトレジスト44の一部を除去してクロムの層26の一部を 露出させた、クロムの層26およびその上に形成されたフォトレジストの層44 を宵する基板12を含有する。
その後、クロムの層26の露出した部分の上に銅54などの導電性金属の層を約 10から約25ミクロンの厚みまで堆積し、好ましくは、電気メッキを行う。そ の後、メッキされたパターンを市販の様々なフォトレジスト除去剤のいずれかで 化学的に処理し、露出した、または残ったフォトレジスト44を除去スる。水性 または半水性フォトレジストに用いるのに適切なフォトレジスト除去剤または剥 離剤の具体例としては、40グラム/リツトルの水酸化カリウムからなる水酸化 カリウム(KOH)溶液がある。
その後、クロムの層26の、銅54でメッキされなかった領域を、好ましくは、 約40°Cの温度で硫酸約1モルなどの適当なエツチング溶液を用いて選択的に 除去する。次いで、クロムの層26がわずかに残っているパターン40を一部の 金属亜鉛を含んだエツチング溶液に浸漬し、図6に示すような完成微細線パター ン60を製造する。完成微細線パターン60は、銅54でメッキしたクロムの層 26で形成された電気的導電経路14と、基板12の非金属を有する領域によっ て形成された絶縁領域61とから成る。完成微細線パターン60は、電気部品1 6を付加することにより、図1に示した回路板10のような回路板を製造するた めに用い得る。
選択的にクロムの層26をエツチングし、微細線パターン60を製造するために 用いるのに適切な池の酸の具体例としては、Xがフッ素、塩素、臭素またはヨウ 素を包含する、希釈されたおよび濃縮されたHX、酢酸、チオ尿素(NH2・C 5−N)+2 )等の適当な錯体形成剤または還元剤の存在下での非酸化性の酸 、および酸またはアルカリ溶液中での陰極処理が挙げられる。
上記の方法を用いて製造された回路板は、約0.0016インチから約0.00 20インチの線/空間分解能(つまり、約0.0016インチの導電線14およ び約0.0020インチの絶縁空間15から成る回路パターン)を示した。この ような微細線容量によって、板上により多くの電子部品16を装着することがで き、所定の電気回路に必要な空間量を減少させることができる。
これまで説明した方法では、使用した金属箔は銅箔であるが、本発明では、例え ばアルミニウム(AI)、鉄(Fe) 、fタン(Ti)、クロム、白金(Pt )、錫、ニッケル(Nf)または銀(Au)などの様々な導電性金属またはその 組み合せまたはその合金のいずれから製造した箔をも用いられると考えられる。
また、同様に、本発明は、合成物29を形成するために、例えばアルミニウム、 鉄、銅、錫、チタン、白金、ニッケル、または銀などの様々な導電性金属のいず れがを含有する、次の金属層の堆積も考えている。
を含有し、合成物29を形成するために銅箔の上に堆積される金属はニッケルを 含有し、完成微細線パターン6oのメッキした導電層を形成するために用いられ る金属は銅を含有する。
これらの特定の金属を用いた印刷回路板を製造するためには、薄膜積層体36を 製造するためにニッケルの層から銅箔を除去する時、アンモニア含有エツチング 溶液を用いることが好ましい。このような溶液は、ニッケルではなく銅を選択的 に除去またはエツチングする。本発明に用いるのに適切なアンモニア含有溶液の 具体例は、体積比約25%の水(H2O)、体積比約50%の溶液Aおよび体積 比約25%の溶液Bの混合物である。
溶液Aは好ましくはアンモニアガスを含んだ水の混合物を含有する。このような 溶液は、水酸化アンモニウム(NH40H)および適当な表面活性剤を水に加え ることによって調製し得る。
溶液Bは、METEXという登録商標でWaterbury、 Connect icutのMacDermid Incorporatedより市販されている 、19121MU−Bと呼ばれる腐食液からなる。好ましくは、アンモニア含有 溶液は約40 ”Cの温度で用いられる。
上述のように二、ケルと銅を用いて、完成微細線パターン60を製造するために は、ニッケルの層の一部を、銅の層をその上に堆積した後で除去するために剥離 溶液を用いることが好ましい。本発明に用いるのに適切な好ましい剥離溶液の具 体例は、溶液が約18重量%のフッ素を含有する、十分な量のフッ化水素アンモ ニウム(NH4HF2)を含む140グラム/リツトル過酸化水素(H2O2) の混合物からなる。剥離溶液は約40°Cの温度で用いることが好ましい。ニッ ケルの層を除去するのに用いられる適切な他の酸の具体例としては、Xがフッ素 、塩素、臭素またはヨウ素を包含する希釈されたHX、希硫酸、燐酸(H3PO 4)および亜硫酸(5o(OH)2)が挙げられる。
他の好ましい実施態様において、合成物29を製造するために用いられる箔は銅 を含有腰銅箔の上に合成物29を製造するために堆積される金属は錫を含有し、 完成微細線パターン60のメッキした導電層を形成するのに用いられる金属は銅 を含有する。これらの特定の金属を用いて印刷回路板を製造するためには、薄膜 積層体36を製造するために錫の層から銅箔を除去する時、上記のアンモニア含 有エツチング溶液を用いることが好ましい。錫の層を除去し、これらの特定の金 属を用いて微細線パターンを製造するためには、上記の剥離溶液を用いることが 好ましい。錫の層を除去するために用いるのに適当な他の酸の具体例としては、 フッ化水素酸()IF)、Xがフッ素、塩素、臭素およびヨウ素を包含する希釈 されたおよび濃縮されたHX、希硫酸、酢酸および蟻酸(H−COOH)、ハロ ゲン置換酢酸、Rがリチウム、カリウム、ナトリウム、ルビジウム、セ/ウムを 包含するR−OHの苛性アルカリ溶液、およびXが臭素、塩素またはヨウ素を包 含するHXOa、HXO3、HXO2、またはHXOの冷たい水溶液が挙げられ る。
本発明は、ある好ましい実施態様に関して示し、説明してきたが、本明細書を読 み理解すれば、他の当業者には、同等の変更および変形が馨い浮かぶのは明かで ある。本発明は、そのような同等の変更および変形のすべてを含有し、以下の特 許請求の範囲によってのみ制限されるものである。
夏J渾1 本発明は、高密度の電子回路板(10)の製造方法を提供するものであり、その 方法は、第一金属の層(26)を箔の層(20)の上に堆積して合成物(29) を製造する工程と、該合成物(29)を絶縁基板(12)に貼着して積層体(3 1)を製造する工程とを包含する。そして、箔の層(20)を第一金属の層(2 6)から除去する。
その後、フォトレジストを第一金属の層(26)に塗布し、露光して現像する。
フォトレジストを現像している間に、フォトレジスト(44)の一部を第一金属 の層(26)から除去する。そして第三金属の層(54)を、第一金属の層(2 6)の、フォトレジスト(44)で被われていない部分の上にメッキする。残っ たフォトレジスト(44)すべてと、第一金属の層(26)の、第三金属の層( 54)に被われていない部分とは除去されて、導電領域(14)および絶縁(6 1)領域を有する完成微細線パターン(60)が得られる。完成微細線パターン (60)は回路板を製造するためにも使用し得る。
国際調査報告

Claims (30)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.回路板を製造する方法であって、 (A)第一金属の層とは異なった化学的組成を持つ第二金属の層の上に該第一金 属の層を堆積する工程と;(B)該第一金属の層が支持板と該第二金属の層とに 挟まれるように、該第一および核第二金属の層を該支持板に貼着する工程と; (C)該第二金属の層を該第一金属の層から除去して薄い金属積層体を形成する 工程と; (D)該第一金属の層にフォトレジストを塗布して、該フォトレジストの一部を 照射する工程と;(E)該フォトレジストの一部を除去して、該第一金属の層の 一部を露出しパターンを形成する工程と;(F)該第一金属の層とは異なつた化 学的組成を持つ第三金属の層を該第一金属の層の露出した部分に堆積する工程と 、を包含する方法。
  2. 2.請求項1に記載の回路板製造方法であって、前記(F)の工程に続いて、 (G)残っている該フォトレジストをすべて前記第一金属の層から除去する工程 と; (H)該第一金属の層の、上部に前記第三金属が堆積されていない部分を前記支 持板から除去して、完成微細線パターンを形成する工程と、を包含する方法。
  3. 3.前記第二金属の層が金属箔を含有する、請求項1に記載の回路板製造方法。
  4. 4.前記第二金属の層が銅(Cu)箔を含有する、請求項1に記載の回路板製造 方法。
  5. 5.前記支持板が樹脂の層を含有する、請求項1に記載の回路板製造方法。
  6. 6.前記第一金属の層がクロム(Cr)を含有する、請求項1に記載の回路板製 造方法。
  7. 7.前記第一金属の層がクロム(Cr)を含有し、前記第二金属の層が銅(Cu )箔を含有し、かつ前記(C)の工程において、該第二金属の層を該第一金属の 層から化学的に除去する、請求項1に記載の回路板製造方法。
  8. 8.前記(C)の工程において、前記第二金属の層の化学的除去が塩化銅(Cu Cl2)の溶液を用いて行われる、請求項7に記載の回路板製造方法。
  9. 9.前記第三金属の層がニッケル(Ni)を含有する、請求項1に記載の回路板 製造方法。
  10. 10.前記第一金属の層がクロム(Cr)を含有し、前記第二金属の層が鋼(C u)を含有し、かつ前記(H)の工程において該第一金属の層の一部を前記支持 板から化学的に除去する、請求項2に記載の回路板製造方法。
  11. 11.前記(H)の工程において、硫酸(H2SO4)の溶液を用いて、前記第 一金属の層にわずかな亜鉛を塗布して、該第一金属の層の露出した一部分を化学 的に除去する、請求項10に記載の回路板製造方法。
  12. 12.前記第一金属の層がニッケル(Ni)を含有する、請求項2に記載の回路 板製造方法。
  13. 13.前記(C)の工程においてアンモニア(NH3)ガスを含んだ水(H20 )を含有する溶液を用いて、前記第二金属層を除去する、請求項12に記載の回 路板製造方法。
  14. 14.前記第二金属の層が銅(Cu)を含有し、前記(H)の工程において前記 第一金属の層の一部を化学的に除去する、請求項12に記載の回路板製造方法。
  15. 15.前記(H)の工程において、過酸化水素(H2O2)とフッ化水素アンモ ニウム(NH4HF2)を含有する溶液を用いて前記第一金属の層の一部を除去 する、請求項14に記載の回路板製造方法。
  16. 16.前記第一金属の層が錫を含有する、請求項1に記載の回路板製造方法。
  17. 17.前記(C)の工程において、アンモニアガスを含んだ水(H20)を含有 するエッチング溶液を用いて前記第二金属の層を除去する、請求項16記載の回 路板製造方法。
  18. 18.前記第二金属の層が銅(Cu)を含有する、請求項15に記載の回路板製 造方法。
  19. 19.前記(H)の工程において、剥離溶液を用いて前記第一金属の層の一部を 化学的に除去する、請求項18に記載の回路板製造方法。
  20. 20.印刷回路板を製造するために用いられる、完成微細線パターンの製造方法 であって、 (A)第一金属の層を第二金属の層の上に電着して金属合成物を形成する工程と ; (B)該金属合成物を支持板に積層し、該第一金属の層が該支持板と該第二金属 の層に挟まれるように配された金属層積層体を形成する工程と; (C)該積層体から核第二金属の層を除去して薄い金属積層体を形成する工程と ; (D)該第一金属の層にフォトレジストを塗布して、該フォトレジストの一部を 照射する工程と;(E)該フォトレジストの一部を除去して該第一金属の層の一 部を露出する工程と; (F)第三金属の層を該第一金属の層の露出した部分の上に堆積する工程と; (C)残った該フォトレジストをすべて該第一金属の層から除去する工程と; (H)該第一金属の層の、上部に該第三金属が堆積されていない部分を該支持板 から除去して、導電領域と絶縁領域とを有する完成微細線パターンを製造する工 程と、を包含する方法。
  21. 21.前記支持板が絶縁樹脂基板を含有する、請求項20に記載の完成微細線パ ターンの製造方法。
  22. 22.前記(A)の工程において、前記第二金属の層が金属箔を含有し、前記完 成微細線パターンが、約0.0016インチ未満の導電線および約0.0020 インチ未満の絶縁空間から成る回路パターンを有する、請求項20に記載の完成 微細線パターンの製造方法。
  23. 23.前記(E)の工程において、前記フォトレジストの照射されていない部分 を現像溶液を用いて除去する、請求項20に記載の完成微細線パターンの製造方 法。
  24. 24.前記(G)の工程において、前記残ったフォトレジストを水酸化カリウム (KOH)の溶液を用いて除去する、請求項20に記載の完成微細線パターンの 製造方法。
  25. 25.前記第二金属の層が約10ミクロンRtmのッヤ消し仕上げされた表面を 有する銅(Cu)箔を含有する、請求項20に記載の完成微細線パターンの製造 方法。
  26. 26.前記第一金属の層が約5ミクロン未満の厚みを持つ、請求項20に記載の 完成微細線パターンの製造方法。
  27. 27.前記第二金属の層が約35ミクロン未満の厚みを持つ、請求項20に記載 の完成微細線パターンの製造方法。
  28. 28.回路板の製造に用いられる微細線パターンの製造方法であって、 (A)第一金属の層を、一部の銅(Cu)箔を含有する第二金属の層の上に堆積 し、合成物を形成する工程と;(B)該合成物を基板に積層して、該金属第一層 を該基板と該銅箔との間に配する、積層体を形成する工程と;(C)該銅箔を該 積層体から化学的に除去する工程と;(D)該第一金属の層にフォトレジストを 塗布し、該フォトレジストの一部を露出する工程と;(E)該フォトレジストの 一部を除去して、該第一金属の層の一部を露出する工程と: (F)第三金属の層を該第一金属の層の露出した部分の上に電着する工程と、を 包含する方法。
  29. 29.請求項28に記載の微細線パターンの製造方法であって、(G)前記第一 金属の層から、前記残ったフォトレジストをすべて除去する工程と; (H)該第一金属の層の、上部に該第三金属が堆積されていない部分を前記基板 から化学的に除去する工程と、を包含する方法。
  30. 30.前記第三金属が銅(Cu)を含有する、請求項28に記載の微細線パター ンの製造方法。
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