JPH1174435A - リードフレーム及びその製造方法 - Google Patents
リードフレーム及びその製造方法Info
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- JPH1174435A JPH1174435A JP9231477A JP23147797A JPH1174435A JP H1174435 A JPH1174435 A JP H1174435A JP 9231477 A JP9231477 A JP 9231477A JP 23147797 A JP23147797 A JP 23147797A JP H1174435 A JPH1174435 A JP H1174435A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- laser beam
- metal plate
- processing
- resist pattern
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 特に銅合金系材料のリードフレームにおい
て、高精度で、且つ高品質の加工ができる加工方法及び
リードフレームを提供する。 【解決手段】 金属板１の両面にフォトレジストをロー
ルコーター等により塗布し感光層を形成し、所定のパタ
ーンを焼き付け、現像処理して開口部３を有するレジス
トパターン２を形成し、レジストパターン２をマスクに
して塩化第２鉄溶液等により両面化学腐食を行い、金属
板１に開口部４を形成する。次に、レジストパターン２
を剥離して、波長６００ｎｍ以下で、開口部４の幅より
も小さい径のレーザービームを金属板１の開口部４に照
射し金属板１に貫通孔５を形成し、本発明のリードフレ
ームを得る。
て、高精度で、且つ高品質の加工ができる加工方法及び
リードフレームを提供する。 【解決手段】 金属板１の両面にフォトレジストをロー
ルコーター等により塗布し感光層を形成し、所定のパタ
ーンを焼き付け、現像処理して開口部３を有するレジス
トパターン２を形成し、レジストパターン２をマスクに
して塩化第２鉄溶液等により両面化学腐食を行い、金属
板１に開口部４を形成する。次に、レジストパターン２
を剥離して、波長６００ｎｍ以下で、開口部４の幅より
も小さい径のレーザービームを金属板１の開口部４に照
射し金属板１に貫通孔５を形成し、本発明のリードフレ
ームを得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路パ
ッケージに用いられるリードフレームに関し、特に微細
加工を要求される多ピンリードフレーム及びその製造方
法に関するものである。
ッケージに用いられるリードフレームに関し、特に微細
加工を要求される多ピンリードフレーム及びその製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の高密度化がより一層
要求されるのに伴い、その導体部品であるリードフレー
ムも多ピン化、狭ピッチ化が進んでいる。現在では、リ
ードピン数が３００ピン以上、リード間のピッチが２０
０μm 以下のリードフレームが使用されている。また、
半導体素子の高速化に伴い、高い電気伝導度を有する銅
合金系の金属材料の使用も年々増加している。
要求されるのに伴い、その導体部品であるリードフレー
ムも多ピン化、狭ピッチ化が進んでいる。現在では、リ
ードピン数が３００ピン以上、リード間のピッチが２０
０μm 以下のリードフレームが使用されている。また、
半導体素子の高速化に伴い、高い電気伝導度を有する銅
合金系の金属材料の使用も年々増加している。
【０００３】リードフレームの製造方法としては、金型
による打ち抜き法や塩化第二鉄液等のエッチング液を使
用するエッチング法の二つに大別される。一般にエッチ
ング法は打ち抜き法と比較して微細加工性に優れ、製造
に時間を要し高価である金型を使用しないため、少量多
品種の製造にも適しており、製品の多様化が進む昨今の
状況に置いても十分対応が可能である。
による打ち抜き法や塩化第二鉄液等のエッチング液を使
用するエッチング法の二つに大別される。一般にエッチ
ング法は打ち抜き法と比較して微細加工性に優れ、製造
に時間を要し高価である金型を使用しないため、少量多
品種の製造にも適しており、製品の多様化が進む昨今の
状況に置いても十分対応が可能である。
【０００４】図４に従来のエッチング加工法で作製した
リードフレームの部分断面形状を示す。図４のリードフ
レームの構成からも明らかなように、エッチング加工法
は微細加工性に優れたエッチング加工であるが、その加
工能力にも限界があり、レジストパターン寸法やエッチ
ング条件の最適化をおこなっても、リード間のピッチは
リードフレーム板厚以下には加工できないとされてい
る。さらに、リードフレーム板厚はリードフレームの強
度を確保するためある程度の厚さが必要で、実際には１
００μｍ以下での使用は難しく、実際的には１２５μｍ
以上の板厚が使用されている。
リードフレームの部分断面形状を示す。図４のリードフ
レームの構成からも明らかなように、エッチング加工法
は微細加工性に優れたエッチング加工であるが、その加
工能力にも限界があり、レジストパターン寸法やエッチ
ング条件の最適化をおこなっても、リード間のピッチは
リードフレーム板厚以下には加工できないとされてい
る。さらに、リードフレーム板厚はリードフレームの強
度を確保するためある程度の厚さが必要で、実際には１
００μｍ以下での使用は難しく、実際的には１２５μｍ
以上の板厚が使用されている。
【０００５】また、ワイヤーボンディングエリアの確保
のため、インナーリードの先端は一定値以上（８０μｍ
以上といわれている）の平坦幅の確保が必要となり、そ
の結果上記加工限界値は更に高いものとなり、現状リー
ド間のピッチが１８０μｍであるリードフレームを精度
良く安定に量産するのは非常に困難であるという問題を
有している。
のため、インナーリードの先端は一定値以上（８０μｍ
以上といわれている）の平坦幅の確保が必要となり、そ
の結果上記加工限界値は更に高いものとなり、現状リー
ド間のピッチが１８０μｍであるリードフレームを精度
良く安定に量産するのは非常に困難であるという問題を
有している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このような状況の中
で、エッチング法のみである程度のリードフレーム板厚
及びインナーリード先端の平坦幅を保った状態で更なる
微細加工（３００ピン以上、１８０μm ピッチ以下）を
施すことは困難である。
で、エッチング法のみである程度のリードフレーム板厚
及びインナーリード先端の平坦幅を保った状態で更なる
微細加工（３００ピン以上、１８０μm ピッチ以下）を
施すことは困難である。
【０００７】そこで、エッチング法以外の加工法との併
用が考えられる。特開平４−３７４９３号公報には、金
属基板上にフォトリソ法によりレジストパターンを形成
し、レジストパターンをマスクにしてエッチング加工に
て全加工量のうち所定量だけ加工を行い開口部を形成
し、その開口部にレーザービームを照射することにより
全加工量の残量を加工するレーザー加工工程の併用が有
効な方法として挙げられている。
用が考えられる。特開平４−３７４９３号公報には、金
属基板上にフォトリソ法によりレジストパターンを形成
し、レジストパターンをマスクにしてエッチング加工に
て全加工量のうち所定量だけ加工を行い開口部を形成
し、その開口部にレーザービームを照射することにより
全加工量の残量を加工するレーザー加工工程の併用が有
効な方法として挙げられている。
【０００８】レーザー加工に用いられるレーザービーム
としては、比較的高い出力を有するＹＡＧレーザー等の
使用が考えられ、その波長は主波長である１０６４ｎｍ
が一般的である。
としては、比較的高い出力を有するＹＡＧレーザー等の
使用が考えられ、その波長は主波長である１０６４ｎｍ
が一般的である。
【０００９】しかし、近年リードフレーム材料として銅
合金系材料が使用量の半数以上を占めるようになってい
る。ここで、図３に各種金属の反射率に及ぼすレーザー
ビーム波長の影響を示したものであるが、銅材料は１０
６４ｎｍの波長域のレーザービームの反射率が高く、レ
ーザービーム吸収量はリードフレーム材料として代表的
な素材である鉄系材料の１／３以下である。このため、
銅合金系材料のレーザー加工には、多くのエネルギーが
必要となり、その結果切断カス（以下ドロスと称す）の
付着や加工速度の低下、加熱による加工部周辺の変質等
の問題を生じる。
合金系材料が使用量の半数以上を占めるようになってい
る。ここで、図３に各種金属の反射率に及ぼすレーザー
ビーム波長の影響を示したものであるが、銅材料は１０
６４ｎｍの波長域のレーザービームの反射率が高く、レ
ーザービーム吸収量はリードフレーム材料として代表的
な素材である鉄系材料の１／３以下である。このため、
銅合金系材料のレーザー加工には、多くのエネルギーが
必要となり、その結果切断カス（以下ドロスと称す）の
付着や加工速度の低下、加熱による加工部周辺の変質等
の問題を生じる。
【００１０】本発明は、上記問題点に鑑み考案されたも
ので、その目的とするところは、特に銅合金系材料のリ
ードフレームにおいて、高精度で、且つ高品質の加工が
できる加工方法及びリードフレームを提供する。
ので、その目的とするところは、特に銅合金系材料のリ
ードフレームにおいて、高精度で、且つ高品質の加工が
できる加工方法及びリードフレームを提供する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記課題
を解決するために、まず請求項１においては、金属板を
エッチングにより全加工量のうち所定量だけ加工するエ
ッチング加工工程と、このエッチング加工部の少なくと
も一部にレーザービームを照射することにより全加工量
の残量を加工するレーザービーム加工工程とで加工され
るリードフレームの製造方法において、前記レーザービ
ームの波長が6 ００ｎｍ以下であることを特徴とするリ
ードフレームの製造方法としたものである。
を解決するために、まず請求項１においては、金属板を
エッチングにより全加工量のうち所定量だけ加工するエ
ッチング加工工程と、このエッチング加工部の少なくと
も一部にレーザービームを照射することにより全加工量
の残量を加工するレーザービーム加工工程とで加工され
るリードフレームの製造方法において、前記レーザービ
ームの波長が6 ００ｎｍ以下であることを特徴とするリ
ードフレームの製造方法としたものである。
【００１２】また、請求項２においては、前記金属板が
銅又は銅合金であることを特徴とする請求項１に記載の
リードフレームの製造方法としたものである。
銅又は銅合金であることを特徴とする請求項１に記載の
リードフレームの製造方法としたものである。
【００１３】また、請求項３においては、前記レーザー
ビームのビーム径がレーザービームが照射される箇所の
エッチング加工部開口幅よりも小さいことを特徴とする
請求項１又は２に記載のリードフレームの製造方法とし
たものである。
ビームのビーム径がレーザービームが照射される箇所の
エッチング加工部開口幅よりも小さいことを特徴とする
請求項１又は２に記載のリードフレームの製造方法とし
たものである。
【００１４】さらにまた、請求項４においては、請求項
１乃至３のうちいずれか１項に記載のリードフレームの
製造方法で加工されたことを特徴とするリードフレーム
としたものである。
１乃至３のうちいずれか１項に記載のリードフレームの
製造方法で加工されたことを特徴とするリードフレーム
としたものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につき説
明する。図１（ａ）に本発明のリードフレームの平面図
を、図１（ｂ）に本発明のリードフレームのインナーリ
ード部をＡ−Ａ' 線で切断した部分断面図を、図２に本
発明のリードフレームの製造工程を示す部分断面図をそ
れぞれ示す。
明する。図１（ａ）に本発明のリードフレームの平面図
を、図１（ｂ）に本発明のリードフレームのインナーリ
ード部をＡ−Ａ' 線で切断した部分断面図を、図２に本
発明のリードフレームの製造工程を示す部分断面図をそ
れぞれ示す。
【００１６】まず、金属板１の両面にフォトレジストを
ロールコーター等により塗布し感光層を形成し、所定の
パターンを焼き付け、現像処理して開口部３を有するレ
ジストパターン２を形成する（図２（ａ）参照）。ここ
で、図３に各種金属に対する波長と反射率の関係を示し
たが、金属板１の材料としては６００ｎｍ以下の波長で
反射率が低くなっている銅系の材料が好ましい。
ロールコーター等により塗布し感光層を形成し、所定の
パターンを焼き付け、現像処理して開口部３を有するレ
ジストパターン２を形成する（図２（ａ）参照）。ここ
で、図３に各種金属に対する波長と反射率の関係を示し
たが、金属板１の材料としては６００ｎｍ以下の波長で
反射率が低くなっている銅系の材料が好ましい。
【００１７】次に、レジストパターン２をマスクにして
塩化第２鉄溶液等により両面エッチング加工を行い、金
属板１に開口部４を形成する（図２（ｂ）参照）。
塩化第２鉄溶液等により両面エッチング加工を行い、金
属板１に開口部４を形成する（図２（ｂ）参照）。
【００１８】次に、レジストパターン２を剥離して（図
２（ｃ）参照）、金属板１の開口部４にレーザービーム
を照射し金属板１に貫通孔５を形成し、本発明のリード
フレームを得ることができる（図２（ｄ）、図１（ａ）
参照）。ここで、レーザービームのビーム径は開口部４
の幅よりも小さい径のレーザービームである。更に、６
００ｎｍ以下の波長のレーザーを使用する。具体的に
は、レーザービーム発生装置としては、ＣＯ2 レーザー
やエキシマレーザー等のガスレーザー、半導体レーザー
やＹＡＧレーザー等の固体レーザーのうち、レーザービ
ーム波長が６００ｎｍ以下であるものが挙げられる。波
長と出力の関係を考慮すると、第二高調波を有するＹＡ
Ｇグリーンレーザー（レーザービーム波長５３２ｎｍ）
の使用が有効である。
２（ｃ）参照）、金属板１の開口部４にレーザービーム
を照射し金属板１に貫通孔５を形成し、本発明のリード
フレームを得ることができる（図２（ｄ）、図１（ａ）
参照）。ここで、レーザービームのビーム径は開口部４
の幅よりも小さい径のレーザービームである。更に、６
００ｎｍ以下の波長のレーザーを使用する。具体的に
は、レーザービーム発生装置としては、ＣＯ2 レーザー
やエキシマレーザー等のガスレーザー、半導体レーザー
やＹＡＧレーザー等の固体レーザーのうち、レーザービ
ーム波長が６００ｎｍ以下であるものが挙げられる。波
長と出力の関係を考慮すると、第二高調波を有するＹＡ
Ｇグリーンレーザー（レーザービーム波長５３２ｎｍ）
の使用が有効である。
【００１９】また、波長６００ｎｍ以下のレーザービー
ムでのレーザー加工においては、溶断時に必要以上に大
きなエネルギーを必要としないため、１０００ｎｍ程度
の波長域でのレーザー加工時に問題となる溶断カス（ド
ロスと呼ばれている）の発生を最小限に抑制することが
できる。
ムでのレーザー加工においては、溶断時に必要以上に大
きなエネルギーを必要としないため、１０００ｎｍ程度
の波長域でのレーザー加工時に問題となる溶断カス（ド
ロスと呼ばれている）の発生を最小限に抑制することが
できる。
【００２０】また、レーザービーム照射箇所をエッチン
グで形成された開口部４の幅よりも小さくするため、レ
ーザービーム照射時の金属表面温度の上昇等による金属
表面（特にワイヤーボンディングエリア）の表面酸化膜
形成等の金属表面の変質を抑制することができる。仮
に、表面変質が起こったとしても、２〜３重量％程度の
希塩酸や希硫酸への浸漬で簡単に除去することができ
る。
グで形成された開口部４の幅よりも小さくするため、レ
ーザービーム照射時の金属表面温度の上昇等による金属
表面（特にワイヤーボンディングエリア）の表面酸化膜
形成等の金属表面の変質を抑制することができる。仮
に、表面変質が起こったとしても、２〜３重量％程度の
希塩酸や希硫酸への浸漬で簡単に除去することができ
る。
【００２１】上記の如き本発明のリードフレーム及びそ
の製造方法によれば、高密実装に対応した狭ピッチリー
ドフレーム（３００ピン以上、１８０μm ピッチ以下）
の製造が可能となる。また、多ピン及び微細加工のみな
らず、製造工程中でエッチング残り等が発生した場合の
修正加工等にも利用でき、これにより収率の向上が計れ
る。
の製造方法によれば、高密実装に対応した狭ピッチリー
ドフレーム（３００ピン以上、１８０μm ピッチ以下）
の製造が可能となる。また、多ピン及び微細加工のみな
らず、製造工程中でエッチング残り等が発生した場合の
修正加工等にも利用でき、これにより収率の向上が計れ
る。
【００２２】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
板厚１５０μm の銅合金（ＥＦＴＥＣ６４Ｔ：古河電気
工業株式会社製）からなる金属板１の両面に、ドライフ
ィルムレジスト（ＡＱ−３０３６：旭化成製）を用いて
ドライフイルムラミネーターにてポリエチレン製保護フ
ィルムを剥離しながら、ラミネート温度１１０℃、圧力
３ｋｇ／ｃｍ2 で圧着し、感光層を形成した。
板厚１５０μm の銅合金（ＥＦＴＥＣ６４Ｔ：古河電気
工業株式会社製）からなる金属板１の両面に、ドライフ
ィルムレジスト（ＡＱ−３０３６：旭化成製）を用いて
ドライフイルムラミネーターにてポリエチレン製保護フ
ィルムを剥離しながら、ラミネート温度１１０℃、圧力
３ｋｇ／ｃｍ2 で圧着し、感光層を形成した。
【００２３】次に、感光層に所定のパターンを３ｋＷの
超高圧水銀灯を使って５０ｍｊ／ｃｍ2 の露光量で露光
した。描画パターンとしてはインナーリードピン数が３
０４ピン、ワイヤーボンディングポイントでのリードピ
ンのピッチが１５０μｍ、インナーリードの先端部が１
２０μｍであるリードフレームパターンを使用した。
超高圧水銀灯を使って５０ｍｊ／ｃｍ2 の露光量で露光
した。描画パターンとしてはインナーリードピン数が３
０４ピン、ワイヤーボンディングポイントでのリードピ
ンのピッチが１５０μｍ、インナーリードの先端部が１
２０μｍであるリードフレームパターンを使用した。
【００２４】次に、ポリエチレンテレフタレート支持フ
ィルムを剥離して、３０℃の１重量％炭酸ナトリウム水
溶液からなる現像液を４０秒間スプレー噴霧し、現像処
理を行い開口部３を有するレジストパターン２を形成し
た（図２（ａ）参照）。
ィルムを剥離して、３０℃の１重量％炭酸ナトリウム水
溶液からなる現像液を４０秒間スプレー噴霧し、現像処
理を行い開口部３を有するレジストパターン２を形成し
た（図２（ａ）参照）。
【００２５】次に、レジストパターン２をマスクにして
比重１．５０、温度7 ０℃の塩化第二鉄溶液からなるエ
ッチング液を使ってスプレー（スプレー圧５ｋｇ／ｃｍ
2 で１分間噴霧）エッチングを行い、開口部４を形成し
た（図２（ｂ）参照）。
比重１．５０、温度7 ０℃の塩化第二鉄溶液からなるエ
ッチング液を使ってスプレー（スプレー圧５ｋｇ／ｃｍ
2 で１分間噴霧）エッチングを行い、開口部４を形成し
た（図２（ｂ）参照）。
【００２６】次に、５０℃３重量％水酸化ナトリウムを
剥膜液として、スプレー圧１ｋｇ／ｃｍ2 で１分間噴霧
し、レジストパターン２を剥離した（図２（ｃ）参
照）。
剥膜液として、スプレー圧１ｋｇ／ｃｍ2 で１分間噴霧
し、レジストパターン２を剥離した（図２（ｃ）参
照）。
【００２７】次に、ＹＡＧグリーンレーザー発生装置に
より、波長５３２ｎｍ、ビーム径６０μｍのレーザービ
ームを開口部４の両面から照射し、貫通孔５を形成して
本発明のリードフレームを作製した（図１（ａ）、
（ｂ）及び図２（ｄ）参照）。貫通孔の開口幅は５０μ
ｍ、ワイヤーボンディングポイントのインナーリード先
端部の平坦幅は8 ０μｍであった。
より、波長５３２ｎｍ、ビーム径６０μｍのレーザービ
ームを開口部４の両面から照射し、貫通孔５を形成して
本発明のリードフレームを作製した（図１（ａ）、
（ｂ）及び図２（ｄ）参照）。貫通孔の開口幅は５０μ
ｍ、ワイヤーボンディングポイントのインナーリード先
端部の平坦幅は8 ０μｍであった。
【００２８】
【発明の効果】本発明のリードフレームは上記の製造方
法であるから、下記に示す如き効果がある。高密実装に
対応した狭ピッチリードフレーム（３００ピン以上、１
８０μm ピッチ以下）の製造が可能であり、インナーリ
ード先端部のワイヤーボンディングポイント平坦幅を確
保できる。また、多ピン及び微細加工のみならず、製造
工程中で発生する寸法不良、欠陥の部分修正加工にも適
用でき、これにより収率の向上に寄与することができ
る。
法であるから、下記に示す如き効果がある。高密実装に
対応した狭ピッチリードフレーム（３００ピン以上、１
８０μm ピッチ以下）の製造が可能であり、インナーリ
ード先端部のワイヤーボンディングポイント平坦幅を確
保できる。また、多ピン及び微細加工のみならず、製造
工程中で発生する寸法不良、欠陥の部分修正加工にも適
用でき、これにより収率の向上に寄与することができ
る。
【図１】（ａ）は、本発明のリードフレームの一実施例
の構成を示す部分平面図である。（ｂ）は、本発明のリ
ードフレームの一実施例の平面図をＡ−Ａ’線で切断し
た構成を示す部分断面図である。
の構成を示す部分平面図である。（ｂ）は、本発明のリ
ードフレームの一実施例の平面図をＡ−Ａ’線で切断し
た構成を示す部分断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のリードフレームの
一実施例の製造工程を示す部分断面図である。
一実施例の製造工程を示す部分断面図である。
【図３】各種金属の反射率に及ぼすレーザービーム波長
の影響を示した説明図である。
の影響を示した説明図である。
【図４】従来のリードフレームの構成を示す部分断面図
である。
である。
１……金属基板 １ａ、１１……貫通孔が形成された金属板（インナーリ
ード部） ２……レジストパターン ３……レジスト開口部 ４……エッチングで形成された開口部 ５、１２……貫通孔
ード部） ２……レジストパターン ３……レジスト開口部 ４……エッチングで形成された開口部 ５、１２……貫通孔
Claims (4)
- 【請求項１】金属板をエッチングにより全加工量のうち
所定量だけ加工するエッチング加工工程と、このエッチ
ング加工部の少なくとも一部にレーザービームを照射す
ることにより全加工量の残量を加工するレーザービーム
加工工程とで加工されるリードフレームの製造方法にお
いて、前記レーザービームの波長が6 ００ｎｍ以下であ
ることを特徴とするリードフレームの製造方法。 - 【請求項２】前記金属板が銅又は銅合金で構成されるこ
とを特徴とする請求項１に記載のリードフレームの製造
方法。 - 【請求項３】前記レーザービームのビーム径がレーザー
ビームが照射される箇所のエッチング加工部開口幅より
も小さいことを特徴とする請求項１又は２に記載のリー
ドフレームの製造方法。 - 【請求項４】請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載
のリードフレームの製造方法で加工されたことを特徴と
するリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9231477A JPH1174435A (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | リードフレーム及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9231477A JPH1174435A (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | リードフレーム及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1174435A true JPH1174435A (ja) | 1999-03-16 |
Family
ID=16924116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9231477A Pending JPH1174435A (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | リードフレーム及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1174435A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003517872A (ja) * | 1999-12-10 | 2003-06-03 | ボストン サイエンティフィック リミテッド | 管腔内ステントを製造するための異種金属をレーザー接合するためのプロセス |
-
1997
- 1997-08-27 JP JP9231477A patent/JPH1174435A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003517872A (ja) * | 1999-12-10 | 2003-06-03 | ボストン サイエンティフィック リミテッド | 管腔内ステントを製造するための異種金属をレーザー接合するためのプロセス |
| JP4708651B2 (ja) * | 1999-12-10 | 2011-06-22 | ボストン サイエンティフィック リミテッド | 管腔内ステントを製造するための異種金属をレーザー接合するためのプロセス |
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