JPH11111780A - 半導体ｉｃ用フィルムキャリアテープおよびその製造方法 - Google Patents
半導体ｉｃ用フィルムキャリアテープおよびその製造方法Info
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- JPH11111780A JPH11111780A JP28921097A JP28921097A JPH11111780A JP H11111780 A JPH11111780 A JP H11111780A JP 28921097 A JP28921097 A JP 28921097A JP 28921097 A JP28921097 A JP 28921097A JP H11111780 A JPH11111780 A JP H11111780A
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3452—Solder masks
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＣの実装および基板に実装する際に支障が
生じない、反りの少ないＴ一ＢＧＡ用フィルムキャリア
テープ及びその製造方法を提供することにある。 【解決手段】 べーステープ上に設けられた銅回路パタ
ーン及び該銅回路パターン側表面に、該銅回路パターン
のランドに対応する半田ボール形成用の穴を開口した非
感光性のソルダーレジスト層を設けたことを特徴とする
半導体ＩＣ用フィルムキャリアテープ及びその製造方
法。
生じない、反りの少ないＴ一ＢＧＡ用フィルムキャリア
テープ及びその製造方法を提供することにある。 【解決手段】 べーステープ上に設けられた銅回路パタ
ーン及び該銅回路パターン側表面に、該銅回路パターン
のランドに対応する半田ボール形成用の穴を開口した非
感光性のソルダーレジスト層を設けたことを特徴とする
半導体ＩＣ用フィルムキャリアテープ及びその製造方
法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ＩＣ用フィル
ムキャリアテープおよびその製造方法に関し、詳しく
は、非感光性のソルダーレジストを用いて半田ボール形
成用の穴を形成した反りの少ない半導体ＩＣ用フィルム
キャリアテープ及びその製造方法に関する。
ムキャリアテープおよびその製造方法に関し、詳しく
は、非感光性のソルダーレジストを用いて半田ボール形
成用の穴を形成した反りの少ない半導体ＩＣ用フィルム
キャリアテープ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の分野において軽薄短小
化はもちろんのこと、高機能であり、かつ安価な製品が
要求されている。このような電子機器への要求を満たす
ため、半導体ＩＣパッケージ分野においてテープ系パッ
ケージ特にＴ−ＢＧＡ（Ｔａｐｅ Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ
Ａｒｒａｙ）が注目されている。ＢＧＡの特徴は、基
板との接続にアレイ状に並べた半田ボールを用いること
であり、一般部品とともに一括して組み立てられ安価に
製造できる。また接続部分を2 次元に配列しているため
従来のリードによる接続方法と較べＩＣの多ピン化に対
応可能でありながら接続ピッチがラフであり、基板が安
価である。
化はもちろんのこと、高機能であり、かつ安価な製品が
要求されている。このような電子機器への要求を満たす
ため、半導体ＩＣパッケージ分野においてテープ系パッ
ケージ特にＴ−ＢＧＡ（Ｔａｐｅ Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ
Ａｒｒａｙ）が注目されている。ＢＧＡの特徴は、基
板との接続にアレイ状に並べた半田ボールを用いること
であり、一般部品とともに一括して組み立てられ安価に
製造できる。また接続部分を2 次元に配列しているため
従来のリードによる接続方法と較べＩＣの多ピン化に対
応可能でありながら接続ピッチがラフであり、基板が安
価である。
【０００３】Ｔ−ＢＧＡ用フィルムキャリアテープは、
従来のＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎ
ｄｉｎｇ）とほぼ同じ工程、材料により製造することが
できる。Ｔ−ＢＧＡ用フィルムキャリアテープの製造方
法は次の通りである。
従来のＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎ
ｄｉｎｇ）とほぼ同じ工程、材料により製造することが
できる。Ｔ−ＢＧＡ用フィルムキャリアテープの製造方
法は次の通りである。
【０００４】まずポリイミド等のベースフィルム（樹脂
フィルム）の片面に導電層である銅箔を接着させる。こ
れを酸洗等により銅箔の脱脂整面を行い、フォトレジス
トを塗布後、任意のマスクを用い光照射により銅箔を露
光部、非露光部に分け銅箔面にパターンを露光する。次
に現像、エッチングによる薬液処理により露光部を除去
し、ベースフィルム上に銅パターンを形成する。この銅
パターン側のベースフィルム上に感光性ソルダーレジス
トを所望の厚さに塗布する。ソルダーレジストの厚みは
最適な半田ボール形成のために穴径と調和するように決
定される。次に任意のマスクを用いてソルダーレジスト
面に光照射し、ソルダーレジスト上に半田ボール形成用
の穴を開口する部分である非露光部、露光部を設け、続
く現像による薬液処理において感光性ソルダーレジスト
の非露光部を選択的に除去し、半田ボール形成用の穴を
開口する。
フィルム）の片面に導電層である銅箔を接着させる。こ
れを酸洗等により銅箔の脱脂整面を行い、フォトレジス
トを塗布後、任意のマスクを用い光照射により銅箔を露
光部、非露光部に分け銅箔面にパターンを露光する。次
に現像、エッチングによる薬液処理により露光部を除去
し、ベースフィルム上に銅パターンを形成する。この銅
パターン側のベースフィルム上に感光性ソルダーレジス
トを所望の厚さに塗布する。ソルダーレジストの厚みは
最適な半田ボール形成のために穴径と調和するように決
定される。次に任意のマスクを用いてソルダーレジスト
面に光照射し、ソルダーレジスト上に半田ボール形成用
の穴を開口する部分である非露光部、露光部を設け、続
く現像による薬液処理において感光性ソルダーレジスト
の非露光部を選択的に除去し、半田ボール形成用の穴を
開口する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようにし
て製造されたＴ−ＢＧＡ用フィルムキャリアテープは反
りが問題となる。半田ボール形成用の穴の開口及び銅パ
ターンの絶縁保護のために使用される感光性ソルダーレ
ジストは紫外線を照射後、非照射部分を薬液処理で除去
する。このような感光性ソルダーレジストを塗布した
後、オーブンでのキュアによってＴ−ＢＧＡ用フィルム
キャリアテープは、ソルダーレジスト加工面が凹となる
様に反りが生じる。ここで発生する反りはその後の製品
完成まで続く工程において除去することができないばか
りか、さらに反りが増す傾向にある。また、ここで生じ
る反りは、テープの幅方向及びテープ長手方向の両者に
それぞれＲを持つように生じるが、特にこのテープ幅方
向にＲを持つような反りが原因となり、該テープへのＩ
Ｃのインナーリードボンディング以降スティフナー接着
までの工程において、インナーリード切れ、封止樹脂の
割れ等の支障が生じる。また、テープの反りを少なくす
るような感光性ソルダーレジストは未だ開発されていな
い。
て製造されたＴ−ＢＧＡ用フィルムキャリアテープは反
りが問題となる。半田ボール形成用の穴の開口及び銅パ
ターンの絶縁保護のために使用される感光性ソルダーレ
ジストは紫外線を照射後、非照射部分を薬液処理で除去
する。このような感光性ソルダーレジストを塗布した
後、オーブンでのキュアによってＴ−ＢＧＡ用フィルム
キャリアテープは、ソルダーレジスト加工面が凹となる
様に反りが生じる。ここで発生する反りはその後の製品
完成まで続く工程において除去することができないばか
りか、さらに反りが増す傾向にある。また、ここで生じ
る反りは、テープの幅方向及びテープ長手方向の両者に
それぞれＲを持つように生じるが、特にこのテープ幅方
向にＲを持つような反りが原因となり、該テープへのＩ
Ｃのインナーリードボンディング以降スティフナー接着
までの工程において、インナーリード切れ、封止樹脂の
割れ等の支障が生じる。また、テープの反りを少なくす
るような感光性ソルダーレジストは未だ開発されていな
い。
【０００６】従って、本発明の目的はインナーリード切
れ、封止樹脂の割れ等の支障が生ずることがなく、かつ
反りの少ない半導体ＩＣ用フィルムキャリアテープを提
供することにある。
れ、封止樹脂の割れ等の支障が生ずることがなく、かつ
反りの少ない半導体ＩＣ用フィルムキャリアテープを提
供することにある。
【０００７】また、本発明の別の目的はこのような反り
の少ない半導体ＩＣ用フィルムキャリアテープの製造方
法を提供することにある。
の少ない半導体ＩＣ用フィルムキャリアテープの製造方
法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記目的
を達成すべく鋭意研究した結果、ソルダーレジストとし
て非感光性のソルダーレジストを用い、その塗布面にレ
ーザー光を照射して半田ボール形成用の穴を開口するこ
とにより、半導体ＩＣ用フィルムキャリアテープの反り
が著しく改善されることを見出し、本発明を完成するに
至った。
を達成すべく鋭意研究した結果、ソルダーレジストとし
て非感光性のソルダーレジストを用い、その塗布面にレ
ーザー光を照射して半田ボール形成用の穴を開口するこ
とにより、半導体ＩＣ用フィルムキャリアテープの反り
が著しく改善されることを見出し、本発明を完成するに
至った。
【０００９】すなわち、本発明の半導体ＩＣ用フィルム
キャリアテープは、べーステープ上に設けられた銅回路
パターン及び該銅回路パターン側表面に、該銅回路パタ
ーンのランドに対応する半田ボール形成用の穴を開口し
た非感光性のソルダーレジスト層を設けたことを特徴と
するものである。
キャリアテープは、べーステープ上に設けられた銅回路
パターン及び該銅回路パターン側表面に、該銅回路パタ
ーンのランドに対応する半田ボール形成用の穴を開口し
た非感光性のソルダーレジスト層を設けたことを特徴と
するものである。
【００１０】また本発明の半導体ＩＣ用フィルムキャリ
アテープの製造方法は、べーステープ上に設けられた銅
箔上にフォトレジストを塗布後、露光、現像及びエッチ
ングにより銅回路パターンを形成する工程、該銅回路パ
ターン側表面の電極端子部を除いた全面にソルダーレジ
ストを塗布し硬化する工程および該ソルダーレジストに
半田ボール形成用の穴を開口する工程からなる半導体Ｉ
Ｃ用フィルムキャリアテープの製造方法において、前記
ソルダーレジストに非感光性ソルダーレジストを用い、
形成された非感光性ソルダーレジスト層にレーザー光を
照射して半田ボール形成用の穴を開口することを特徴と
するものである。
アテープの製造方法は、べーステープ上に設けられた銅
箔上にフォトレジストを塗布後、露光、現像及びエッチ
ングにより銅回路パターンを形成する工程、該銅回路パ
ターン側表面の電極端子部を除いた全面にソルダーレジ
ストを塗布し硬化する工程および該ソルダーレジストに
半田ボール形成用の穴を開口する工程からなる半導体Ｉ
Ｃ用フィルムキャリアテープの製造方法において、前記
ソルダーレジストに非感光性ソルダーレジストを用い、
形成された非感光性ソルダーレジスト層にレーザー光を
照射して半田ボール形成用の穴を開口することを特徴と
するものである。
【００１１】
【発明を実施するための形態】以下に本発明の半導体Ｉ
Ｃ用フィルムキャリアテープおよびその製造方法を添付
図１を用いて詳しく説明する。本発明の半導体ＩＣ用フ
ィルムキャリアテープは、図１において、ポリイミドな
どのベーステープ１の上に接着剤層２が設けられ（図１
（ａ））、このベーステープ１には、所望形状のスプロ
ケットホール及びデバイスホールが形成されている（不
図示）。この接着剤層２を介して銅箔層３が設けられ、
銅箔層３には所望の回路パターン４が形成されている
（図１（ｃ））。なお、本発明ではベーステープ１の上
に接着剤層２を介さずに銅箔層３を積層したものでも良
い。例えばスパッタリングや無電解めっきにより金属薄
膜層を形成したのち、銅電解で銅層を所定の厚みに電着
させたものでもよい。
Ｃ用フィルムキャリアテープおよびその製造方法を添付
図１を用いて詳しく説明する。本発明の半導体ＩＣ用フ
ィルムキャリアテープは、図１において、ポリイミドな
どのベーステープ１の上に接着剤層２が設けられ（図１
（ａ））、このベーステープ１には、所望形状のスプロ
ケットホール及びデバイスホールが形成されている（不
図示）。この接着剤層２を介して銅箔層３が設けられ、
銅箔層３には所望の回路パターン４が形成されている
（図１（ｃ））。なお、本発明ではベーステープ１の上
に接着剤層２を介さずに銅箔層３を積層したものでも良
い。例えばスパッタリングや無電解めっきにより金属薄
膜層を形成したのち、銅電解で銅層を所定の厚みに電着
させたものでもよい。
【００１２】この回路パターン４側の表面には、絶縁保
護層５として非感光性のソルダーレジスト層が設けられ
ている（図１（ｄ））。さらにこの絶縁保護層５には、
回路パターンのランドに対応する位置に半田ボール形成
用の開口部６が設けられている（図１（ｅ））。この開
口部６の銅回路上には、通常、スズ、金などのメッキが
施される。
護層５として非感光性のソルダーレジスト層が設けられ
ている（図１（ｄ））。さらにこの絶縁保護層５には、
回路パターンのランドに対応する位置に半田ボール形成
用の開口部６が設けられている（図１（ｅ））。この開
口部６の銅回路上には、通常、スズ、金などのメッキが
施される。
【００１３】このような構造にすることにより、本発明
の半導体ＩＣ用フィルムキャリアテープは反りが極めて
少なく、ＩＣのインナーリードボンディング工程以降、
スティフナー接着までの工程でのインナーリード切れ、
封止樹脂の割れ等の支障が生じることがない。
の半導体ＩＣ用フィルムキャリアテープは反りが極めて
少なく、ＩＣのインナーリードボンディング工程以降、
スティフナー接着までの工程でのインナーリード切れ、
封止樹脂の割れ等の支障が生じることがない。
【００１４】次に、本発明の半導体ＩＣ用テープの製造
方法を説明する。まず、ポリイミドなどのベーステープ
１の上に接着剤層２を所望の厚みに塗布する（図１
（ａ））。この場合、予めベーステープに接着剤を塗布
したものを使用しても良い。
方法を説明する。まず、ポリイミドなどのベーステープ
１の上に接着剤層２を所望の厚みに塗布する（図１
（ａ））。この場合、予めベーステープに接着剤を塗布
したものを使用しても良い。
【００１５】次に、このベーステープ１に、金型を用い
て所望形状のスプロケットホール及びデバイスホールを
形成する。ベーステープ１の上には接着剤層２を介して
銅箔層３を設け、オーブン中で５０〜２００℃、５〜２
０時間加熱して接着する（図１（ｂ））。用いる銅箔の
種類や厚みは特に限定されない。尚、ベーステープに接
着剤を使用せずにスパッタリング等で金属薄膜層を付着
し、これを銅電解等で所定の厚みに付着した市販のテー
プを使用することもできる。
て所望形状のスプロケットホール及びデバイスホールを
形成する。ベーステープ１の上には接着剤層２を介して
銅箔層３を設け、オーブン中で５０〜２００℃、５〜２
０時間加熱して接着する（図１（ｂ））。用いる銅箔の
種類や厚みは特に限定されない。尚、ベーステープに接
着剤を使用せずにスパッタリング等で金属薄膜層を付着
し、これを銅電解等で所定の厚みに付着した市販のテー
プを使用することもできる。
【００１６】このようにベーステープ１に設けられた銅
箔層３に、常法に従って銅回路パターンを形成する。
箔層３に、常法に従って銅回路パターンを形成する。
【００１７】このように所望の回路が形成された回路パ
ターン表面に絶縁保護層としてスクリーン印刷により非
感光性ソルダーレジストを好ましくは厚さ５〜５０μ
ｍ、さらに好ましくは２０〜３０μｍに塗布する（図１
（ｄ））。本発明に適用可能な非感光性ソルダーレジス
トとしては、例えば、ブタジエン系樹脂としてＡＥ−７
０−Ｍ１１（味の素（株）製）やポリイミド系樹脂とし
てユピコートＦＳ−１００Ｌ（宇部興産（株）製）など
が好ましい。その他１．３ｘ１０-4程度の線膨張係数を
有する非感光性ソルダーレジストが本発明に適用可能で
ある。
ターン表面に絶縁保護層としてスクリーン印刷により非
感光性ソルダーレジストを好ましくは厚さ５〜５０μ
ｍ、さらに好ましくは２０〜３０μｍに塗布する（図１
（ｄ））。本発明に適用可能な非感光性ソルダーレジス
トとしては、例えば、ブタジエン系樹脂としてＡＥ−７
０−Ｍ１１（味の素（株）製）やポリイミド系樹脂とし
てユピコートＦＳ−１００Ｌ（宇部興産（株）製）など
が好ましい。その他１．３ｘ１０-4程度の線膨張係数を
有する非感光性ソルダーレジストが本発明に適用可能で
ある。
【００１８】次に、このように回路パターン側表面に塗
布された非感光性ソルダーレジストをオーブン中で１４
０℃、１時間キュアした後、レーザーを用いてソルダー
レジスト層に半田ボール形成用の穴６を開口する（図１
（ｅ））。本発明に適用可能なレーザーとしては、エキ
シマレーザー及び炭酸ガスレーザーである。このレーザ
ー光の入射エネルギー、ショット数、及びマスクを変え
ることにより、任意の穴径、形状に調整するとともに、
ソルダーレジストの厚みに対して対応することができ
る。また、時間当りに開口できる穴数も１穴〜多数と対
応することができる。
布された非感光性ソルダーレジストをオーブン中で１４
０℃、１時間キュアした後、レーザーを用いてソルダー
レジスト層に半田ボール形成用の穴６を開口する（図１
（ｅ））。本発明に適用可能なレーザーとしては、エキ
シマレーザー及び炭酸ガスレーザーである。このレーザ
ー光の入射エネルギー、ショット数、及びマスクを変え
ることにより、任意の穴径、形状に調整するとともに、
ソルダーレジストの厚みに対して対応することができ
る。また、時間当りに開口できる穴数も１穴〜多数と対
応することができる。
【００１９】この後、得られたテープの露出した銅箔表
面部分にスズメッキ（無電解メッキ）を施す。最後に、
スズメッキのウイスカー防止およびＣｕ−Ｓｎ合金化の
ため、オーブン中で１００〜１６０℃、３０〜９０分間
加熱（アニール）し、半導体ＩＣ用フィルムキャリアテ
ープを得る。
面部分にスズメッキ（無電解メッキ）を施す。最後に、
スズメッキのウイスカー防止およびＣｕ−Ｓｎ合金化の
ため、オーブン中で１００〜１６０℃、３０〜９０分間
加熱（アニール）し、半導体ＩＣ用フィルムキャリアテ
ープを得る。
【００２０】
【実施例】本発明を実施例および比較例により、さらに
具体的に説明する。実施例１ ベーステープとしてテープ幅４８ｍｍ、厚さ７５μｍの
ユーピレックスＳ（宇部興産（株）製）に接着剤Ｘ( 巴
川製紙（株）製）を塗布したものを使用した。このベー
ステープに金型によりスプロケットホール及びデバイス
ホールを開口した。このテープに厚さ２５μｍ、幅４３
ｍｍの電解銅箔ＦＱ−ＶＬＰ（三井金属鉱業（株）製）
を接着し、オーブン中で１６０℃、１０時間加熱した。
具体的に説明する。実施例１ ベーステープとしてテープ幅４８ｍｍ、厚さ７５μｍの
ユーピレックスＳ（宇部興産（株）製）に接着剤Ｘ( 巴
川製紙（株）製）を塗布したものを使用した。このベー
ステープに金型によりスプロケットホール及びデバイス
ホールを開口した。このテープに厚さ２５μｍ、幅４３
ｍｍの電解銅箔ＦＱ−ＶＬＰ（三井金属鉱業（株）製）
を接着し、オーブン中で１６０℃、１０時間加熱した。
【００２１】このようにベーステープに接着剤層を介し
て設けられた銅箔層に、整面粗化、フォトレジストの塗
布、現像及びエッチングを行ない銅回路パターンを形成
した。
て設けられた銅箔層に、整面粗化、フォトレジストの塗
布、現像及びエッチングを行ない銅回路パターンを形成
した。
【００２２】このように銅回路パターンが形成された側
の表面に絶縁保護層として、スクリーン印刷により非感
光性ソルダーレジストとしてブタジエン系樹脂、ＡＥ−
７０−Ｍ１１（味の素（株）製）を厚さ２０μｍ〜３０
μｍに塗布した。これをオーブン中で１４０℃、１時間
キュアした後、エキシマレーザーを用いてソルダーレジ
スト層に穴を開口した。レーザーの条件としては一穴に
対して０．６ｍｍφの穴を開けるためのマスクを用い、
エネルギー０．８Ｊ／ｃｍ2 、ショット数６５で加工を
行った。
の表面に絶縁保護層として、スクリーン印刷により非感
光性ソルダーレジストとしてブタジエン系樹脂、ＡＥ−
７０−Ｍ１１（味の素（株）製）を厚さ２０μｍ〜３０
μｍに塗布した。これをオーブン中で１４０℃、１時間
キュアした後、エキシマレーザーを用いてソルダーレジ
スト層に穴を開口した。レーザーの条件としては一穴に
対して０．６ｍｍφの穴を開けるためのマスクを用い、
エネルギー０．８Ｊ／ｃｍ2 、ショット数６５で加工を
行った。
【００２３】この後、開口部に露出した銅回路パターン
上にスズメッキを施した。スズメッキの条件は、ＬＴ−
３４溶液（シプレイ・ファーイースト（株）製）を、液
温６０℃で、７分間の無電解メッキを行い、約０．５ミ
クロンのメッキ厚とした。最後にこのスズメッキをオー
ブン中で１４０℃、６０分間アニールし、半導体ＩＣ用
フィルムキャリアテープを得た。
上にスズメッキを施した。スズメッキの条件は、ＬＴ−
３４溶液（シプレイ・ファーイースト（株）製）を、液
温６０℃で、７分間の無電解メッキを行い、約０．５ミ
クロンのメッキ厚とした。最後にこのスズメッキをオー
ブン中で１４０℃、６０分間アニールし、半導体ＩＣ用
フィルムキャリアテープを得た。
【００２４】このようにして得られた半導体ＩＣ用フィ
ルムキャリアテープの反り量の測定を以下のようにして
行った。測定機としてＭｅａｓｕｒｉｎｇ Ｆｉｎｅ
Ｓｃｏｐｅ（ＭＦ−１００：（株）ミツトヨ製）を用
い、測定サンプルは実施例１で得られた個片（１ピース
に切り離したサンプル）を用いた。
ルムキャリアテープの反り量の測定を以下のようにして
行った。測定機としてＭｅａｓｕｒｉｎｇ Ｆｉｎｅ
Ｓｃｏｐｅ（ＭＦ−１００：（株）ミツトヨ製）を用
い、測定サンプルは実施例１で得られた個片（１ピース
に切り離したサンプル）を用いた。
【００２５】先ず測定サンプルを測定機のテーブル上に
ベース材面を上にして置いた。次に、テーブル面を基準
位置（０ｍｍ）にして、デバイスホール部の湾曲した高
さを測定する。反りの高さは、Ｍｅａｓｕｒｉｎｇ Ｆ
ｉｎｅ Ｓｃｏｐｅにより、デバイスホール部の湾曲し
た最上部に焦点を合わせることにより測定し、得られた
高さを反り量とした。本実施例１のサンプルに関し４個
所について反り量を測定し、平均を求めた。得られた結
果を表１に示す。
ベース材面を上にして置いた。次に、テーブル面を基準
位置（０ｍｍ）にして、デバイスホール部の湾曲した高
さを測定する。反りの高さは、Ｍｅａｓｕｒｉｎｇ Ｆ
ｉｎｅ Ｓｃｏｐｅにより、デバイスホール部の湾曲し
た最上部に焦点を合わせることにより測定し、得られた
高さを反り量とした。本実施例１のサンプルに関し４個
所について反り量を測定し、平均を求めた。得られた結
果を表１に示す。
【００２６】実施例２ ベーステープとしてテープ幅４８ｍｍ、厚さ７５μｍの
ユーピレックスＳ（宇部興産（株）製）に接着剤を介さ
ずに厚さ１８μｍの銅層を形成したＳ’ＰＥＲＦＬＥＸ
（ 住友金属鉱山（株）製）を使用した。このテープに
パンチングによりスプロケットホールを形成し、さらに
エキシマレーザーによりデバイスホールを形成した。
ユーピレックスＳ（宇部興産（株）製）に接着剤を介さ
ずに厚さ１８μｍの銅層を形成したＳ’ＰＥＲＦＬＥＸ
（ 住友金属鉱山（株）製）を使用した。このテープに
パンチングによりスプロケットホールを形成し、さらに
エキシマレーザーによりデバイスホールを形成した。
【００２７】このようにして得られた半導体ＩＣ用フィ
ルムキャリアテープについて実施例１と同様にして、反
りを測定し、平均を求めた。得られた結果を表１に示
す。
ルムキャリアテープについて実施例１と同様にして、反
りを測定し、平均を求めた。得られた結果を表１に示
す。
【００２８】比較例１ 実施例１と同様にして、ベースフィルム上に所望の回路
を形成した後（図１（ｃ））、この回路パターンの上に
スクリーン印刷により感光性ソルダーレジストとしてＦ
ＯＣＵＳ ＣＯＡＴ ＤＰＲ−３ＦＧ（（株）アサヒ化
学研究所製）を厚さ２０μｍ〜３０μｍに塗布した。
（図１（ｄ））。これをオーブン中で１５０℃、３時間
キュアした後、任意のマスクを用いてソルダーレジスト
面に光照射し、ソルダーレジスト上に半田ボール形成用
の穴を開口する部分である非露光部、露光部を設けた。
次に、現像液として約１．５％のＮａ2 ＣＯ3 水溶液
を、液温約３５℃で、スプレー圧力約３Ｋｇ／ｃｍ2 で
約９０秒間噴霧して現像し、感光性ソルダーレジストの
非露光部を選択的に除去し、半田ボール形成用の穴をソ
ルダーレジスト層に開口した（図１（ｅ））。
を形成した後（図１（ｃ））、この回路パターンの上に
スクリーン印刷により感光性ソルダーレジストとしてＦ
ＯＣＵＳ ＣＯＡＴ ＤＰＲ−３ＦＧ（（株）アサヒ化
学研究所製）を厚さ２０μｍ〜３０μｍに塗布した。
（図１（ｄ））。これをオーブン中で１５０℃、３時間
キュアした後、任意のマスクを用いてソルダーレジスト
面に光照射し、ソルダーレジスト上に半田ボール形成用
の穴を開口する部分である非露光部、露光部を設けた。
次に、現像液として約１．５％のＮａ2 ＣＯ3 水溶液
を、液温約３５℃で、スプレー圧力約３Ｋｇ／ｃｍ2 で
約９０秒間噴霧して現像し、感光性ソルダーレジストの
非露光部を選択的に除去し、半田ボール形成用の穴をソ
ルダーレジスト層に開口した（図１（ｅ））。
【００２９】この後、実施例１と同様にして、開口部に
露出した銅パターン上にスズメッキを施し、半導体ＩＣ
用フィルムキャリアテープを得た。
露出した銅パターン上にスズメッキを施し、半導体ＩＣ
用フィルムキャリアテープを得た。
【００３０】このようにして得られた半導体ＩＣ用フィ
ルムキャリアテープについて実施例１と同様にして、反
りを測定し、平均を求めた。得られた結果を表１に示
す。
ルムキャリアテープについて実施例１と同様にして、反
りを測定し、平均を求めた。得られた結果を表１に示
す。
【００３１】比較例２ 比較として、実施例２とまったく同様にして接着剤を介
さずに銅層を形成したベーステープを用いて比較例１と
まったく同様の手順に従って半導体ＩＣ用フィルムキャ
リアテープを作成した。
さずに銅層を形成したベーステープを用いて比較例１と
まったく同様の手順に従って半導体ＩＣ用フィルムキャ
リアテープを作成した。
【００３２】このようにして得られた半導体ＩＣ用フィ
ルムキャリアテープについて実施例１と同様にして、反
りを測定し、平均を求めた。得られた結果を表１に示
す。
ルムキャリアテープについて実施例１と同様にして、反
りを測定し、平均を求めた。得られた結果を表１に示
す。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【発明の効果】本発明の半導体ＩＣ用フィルムキャリア
テープの製造法によれば、非感光性ソルダーレジストを
使用し、半田ボール形成用の穴をレーザー加工により開
口することにより、表１に示されるように従来の感光性
ソルダーレジストを使用した場合より反りが少ない半導
体ＩＣ用フィルムキャリアテープを提供でき、フィルム
キャリアテープにＩＣ実装した場合のインナーリード切
れ、封止樹脂の割れ等のトラブルを大幅に低減できる。
テープの製造法によれば、非感光性ソルダーレジストを
使用し、半田ボール形成用の穴をレーザー加工により開
口することにより、表１に示されるように従来の感光性
ソルダーレジストを使用した場合より反りが少ない半導
体ＩＣ用フィルムキャリアテープを提供でき、フィルム
キャリアテープにＩＣ実装した場合のインナーリード切
れ、封止樹脂の割れ等のトラブルを大幅に低減できる。
【図１】 本発明の半導体ＩＣ用フィルムキャリアテー
プの製造方法の工程を示す図である。
プの製造方法の工程を示す図である。
１：べーステープ、２：接着層、３：銅箔層、４：回路
パターン、５：ソルダーレジスト層、６：半田ボール形
成用の穴。
パターン、５：ソルダーレジスト層、６：半田ボール形
成用の穴。
Claims (2)
- 【請求項１】 べーステープ上に設けられた銅回路パタ
ーン及び該銅回路パターン側表面に、該銅回路パターン
のランドに対応する半田ボール形成用の穴を開口した非
感光性のソルダーレジスト層を設けたことを特徴とする
半導体ＩＣ用フィルムキャリアテープ。 - 【請求項２】 べーステープ上に設けられた銅箔上にフ
ォトレジストを塗布後、露光、現像及びエッチングによ
り銅回路パターンを形成する工程、該銅回路パターン側
表面の電極端子部を除いた全面にソルダーレジストを塗
布し硬化する工程および該ソルダーレジストに半田ボー
ル形成用の穴を開口する工程からなる半導体ＩＣ用フィ
ルムキャリアテープの製造方法において、前記ソルダー
レジストに非感光性ソルダーレジストを用い、形成され
た非感光性ソルダーレジスト層にレーザー光を照射して
半田ボール形成用の穴を開口することを特徴とする半導
体ＩＣ用フィルムキャリアテープの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28921097A JPH11111780A (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 半導体ｉｃ用フィルムキャリアテープおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28921097A JPH11111780A (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 半導体ｉｃ用フィルムキャリアテープおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111780A true JPH11111780A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17740213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28921097A Pending JPH11111780A (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 半導体ｉｃ用フィルムキャリアテープおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11111780A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001189351A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 電子部品実装用フィルムキャリアテープの反り測定装置および電子部品実装用フィルムキャリアテープの反り測定方法 |
-
1997
- 1997-10-07 JP JP28921097A patent/JPH11111780A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001189351A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 電子部品実装用フィルムキャリアテープの反り測定装置および電子部品実装用フィルムキャリアテープの反り測定方法 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040930 |
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Effective date: 20050815 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
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| A02 | Decision of refusal |
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