JPH08307033A - Ｉｃチップモジュール - Google Patents
ＩｃチップモジュールInfo
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- JPH08307033A JPH08307033A JP7135928A JP13592895A JPH08307033A JP H08307033 A JPH08307033 A JP H08307033A JP 7135928 A JP7135928 A JP 7135928A JP 13592895 A JP13592895 A JP 13592895A JP H08307033 A JPH08307033 A JP H08307033A
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- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
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- H05K3/3431—Leadless components
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/368—Assembling printed circuits with other printed circuits parallel to each other
Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁基材を感光性樹脂から形成するととも
に、その感光性樹脂の露光、現像を行って接続用穴を形
成することにより、複雑な形状であっても生産性良く、
且つ、低コストをもって穴明け加工を行うことができる
ＩＣチップモジュールを提供する。 【構成】 回路基板Ｋにおける絶縁基材２２を感光性樹
脂から形成するとともに、ＩＣチップモジュール１をマ
ザーボード１１と接続したり、ＩＣチップ２４を各回路
パターン２３Ｂに接続する際に使用される接続用穴７、
２７を感光性の絶縁基材２２に対して、露光、現像を行
う通常のフォトリソグラフィ技術を使用して形成するよ
うに構成する。これにより、従来のＩＣチップモジュー
ルとは異なりドリル加工、パンチング加工、エッチング
加工、レーザー加工を行うことなく、接続用穴７、２７
が複雑な形状であっても生産性良く、且つ、低コストを
もって穴明け加工を行うことが可能となる。
に、その感光性樹脂の露光、現像を行って接続用穴を形
成することにより、複雑な形状であっても生産性良く、
且つ、低コストをもって穴明け加工を行うことができる
ＩＣチップモジュールを提供する。 【構成】 回路基板Ｋにおける絶縁基材２２を感光性樹
脂から形成するとともに、ＩＣチップモジュール１をマ
ザーボード１１と接続したり、ＩＣチップ２４を各回路
パターン２３Ｂに接続する際に使用される接続用穴７、
２７を感光性の絶縁基材２２に対して、露光、現像を行
う通常のフォトリソグラフィ技術を使用して形成するよ
うに構成する。これにより、従来のＩＣチップモジュー
ルとは異なりドリル加工、パンチング加工、エッチング
加工、レーザー加工を行うことなく、接続用穴７、２７
が複雑な形状であっても生産性良く、且つ、低コストを
もって穴明け加工を行うことが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、所定の回路パターンを
有する絶縁基材上にＩＣチップを搭載したＩＣチップモ
ジュールにおいて、回路パターンと他の基板とを接続し
たり、又は、回路パターンとＩＣチップとを相互に接続
するにつき絶縁基材に形成された接続用穴を介して接続
するようにしたＩＣチップモジュールに関し、特に、絶
縁基材を感光性樹脂から形成するとともに、その感光性
樹脂の露光、現像を行うことにより接続用穴を形成した
ＩＣチップモジュールに関するものである。
有する絶縁基材上にＩＣチップを搭載したＩＣチップモ
ジュールにおいて、回路パターンと他の基板とを接続し
たり、又は、回路パターンとＩＣチップとを相互に接続
するにつき絶縁基材に形成された接続用穴を介して接続
するようにしたＩＣチップモジュールに関し、特に、絶
縁基材を感光性樹脂から形成するとともに、その感光性
樹脂の露光、現像を行うことにより接続用穴を形成した
ＩＣチップモジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、所定の回路パターンを有する
絶縁基材上にＩＣチップ等を搭載した各種のＩＣチップ
モジュールが提案されている。この種のＩＣチップモジ
ュールでは、例えば、ＩＣチップモジュールをマザーボ
ード等の他の基板に接続するについて、回路パターンの
所定部分に対応して絶縁基材に接続用穴（回路パターン
により閉塞された、所謂、ブラインドホール）を形成す
るとともに、この接続用穴に半田等の導電性材料を充填
し、導電性材料を介してＩＣチップと他の基板とを電気
的に接続するように構成されている。また、ＩＣチップ
モジュールにおいて、ワイヤボンディング等の技術を介
して、ＩＣチップと絶縁基材上の回路パターンとを接続
する場合に、前記のような接続用穴を絶縁基材に形成し
ておき、かかる接続用穴内にワイヤや他の導電性材料を
挿通、充填してＩＣチップと回路パターンとを接続する
ようにしている。
絶縁基材上にＩＣチップ等を搭載した各種のＩＣチップ
モジュールが提案されている。この種のＩＣチップモジ
ュールでは、例えば、ＩＣチップモジュールをマザーボ
ード等の他の基板に接続するについて、回路パターンの
所定部分に対応して絶縁基材に接続用穴（回路パターン
により閉塞された、所謂、ブラインドホール）を形成す
るとともに、この接続用穴に半田等の導電性材料を充填
し、導電性材料を介してＩＣチップと他の基板とを電気
的に接続するように構成されている。また、ＩＣチップ
モジュールにおいて、ワイヤボンディング等の技術を介
して、ＩＣチップと絶縁基材上の回路パターンとを接続
する場合に、前記のような接続用穴を絶縁基材に形成し
ておき、かかる接続用穴内にワイヤや他の導電性材料を
挿通、充填してＩＣチップと回路パターンとを接続する
ようにしている。
【０００３】ここに、前記した接続用穴は、従来より、
ドリル加工、パンチング加工、エッチング加工、又は、
レーザー加工により絶縁基材に形成されているのが一般
的である。
ドリル加工、パンチング加工、エッチング加工、又は、
レーザー加工により絶縁基材に形成されているのが一般
的である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た各加工法により接続用穴を絶縁基材に形成する場合に
は、以下のような問題点が存在している。即ち、ドリル
加工は、１つの穴毎に穴明け加工を行う必要があり、従
って、穴明けコストが高くなってしまうとともに、穴明
けの生産性が低く、また、ドリル加工によって複雑な穴
明け加工を行うことは困難なものである。
た各加工法により接続用穴を絶縁基材に形成する場合に
は、以下のような問題点が存在している。即ち、ドリル
加工は、１つの穴毎に穴明け加工を行う必要があり、従
って、穴明けコストが高くなってしまうとともに、穴明
けの生産性が低く、また、ドリル加工によって複雑な穴
明け加工を行うことは困難なものである。
【０００５】また、パンチング加工は、一度に多数の穴
明けを行うことができるので穴明けの生産性に優れるも
のの、穴明け加工を行うためのツール（金型）費用が高
価なものとなり、この点で、初期費用が高くなってしま
う難点があり、また、一般に、パンチング加工を介して
０．５ｍｍ以下の径を有する穴を形成するのは困難であ
る。
明けを行うことができるので穴明けの生産性に優れるも
のの、穴明け加工を行うためのツール（金型）費用が高
価なものとなり、この点で、初期費用が高くなってしま
う難点があり、また、一般に、パンチング加工を介して
０．５ｍｍ以下の径を有する穴を形成するのは困難であ
る。
【０００６】更に、エッチング加工は、複雑な形状を有
する穴であっても一度で多数の穴明け加工を行うことが
できることから穴明けの生産性は高いものであるが、一
方、かかるエッチング加工の対象となり得る絶縁基材と
しては、ポリイミド等の高価な材料に限定される問題が
あり、また、エッチング加工時に使用されるエッチング
液は、人体にとって有害、且つ、危険なものが多く、そ
の取扱が容易ではない。
する穴であっても一度で多数の穴明け加工を行うことが
できることから穴明けの生産性は高いものであるが、一
方、かかるエッチング加工の対象となり得る絶縁基材と
しては、ポリイミド等の高価な材料に限定される問題が
あり、また、エッチング加工時に使用されるエッチング
液は、人体にとって有害、且つ、危険なものが多く、そ
の取扱が容易ではない。
【０００７】また、レーザー加工は、その性質上、小径
の穴明け加工ができ、ファインピッチにおける穴明け加
工に優れているが、一方、レーザー装置及びその付随設
備が高価であり、この結果、ランニングコストが高くな
るという問題がある。
の穴明け加工ができ、ファインピッチにおける穴明け加
工に優れているが、一方、レーザー装置及びその付随設
備が高価であり、この結果、ランニングコストが高くな
るという問題がある。
【０００８】本発明は前記従来の問題点を解消するため
になされたものであり、回路パターンと他の基板とを接
続したり、又は、回路パターンとＩＣチップとを相互に
接続するにつき絶縁基材に形成された接続用穴を介して
接続するようにしたＩＣチップモジュールにおいて、絶
縁基材を感光性樹脂から形成するとともに、その感光性
樹脂の露光、現像を行って接続用穴を形成することによ
り、複雑な形状であっても生産性良く、且つ、低コスト
をもって穴明け加工を行うことができるＩＣチップモジ
ュールを提供することを目的とする。
になされたものであり、回路パターンと他の基板とを接
続したり、又は、回路パターンとＩＣチップとを相互に
接続するにつき絶縁基材に形成された接続用穴を介して
接続するようにしたＩＣチップモジュールにおいて、絶
縁基材を感光性樹脂から形成するとともに、その感光性
樹脂の露光、現像を行って接続用穴を形成することによ
り、複雑な形状であっても生産性良く、且つ、低コスト
をもって穴明け加工を行うことができるＩＣチップモジ
ュールを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達せてするた
め請求項１に係るＩＣチップモジュールは、所定の回路
パターンが形成された絶縁基材の一面に搭載されたＩＣ
チップと、ＩＣチップに電気接続された回路パターンに
対応して絶縁基材に形成された接続用穴と、接続用穴に
充填されるとともに絶縁基材の他面側まで露出された導
電性材料とを有するＩＣチップモジュールにおいて、前
記絶縁基材は感光性樹脂から形成されるとともに、前記
接続用穴は感光性樹脂を露光、現像することにより形成
された構成を有する。
め請求項１に係るＩＣチップモジュールは、所定の回路
パターンが形成された絶縁基材の一面に搭載されたＩＣ
チップと、ＩＣチップに電気接続された回路パターンに
対応して絶縁基材に形成された接続用穴と、接続用穴に
充填されるとともに絶縁基材の他面側まで露出された導
電性材料とを有するＩＣチップモジュールにおいて、前
記絶縁基材は感光性樹脂から形成されるとともに、前記
接続用穴は感光性樹脂を露光、現像することにより形成
された構成を有する。
【００１０】また、請求項２に係るＩＣチップモジュー
ルは、一面に所定の回路パターンが形成された絶縁基材
の他面に搭載されたＩＣチップと、回路パターンが絶縁
基材の他面側に露出するように絶縁基材に形成された接
続用穴とを有し、ワイヤボンディングを介してワイヤを
接続用穴内で露出されている回路パターンにボンディン
グすることによりＩＣチップと回路パターンとを電気接
続したＩＣチップモジュールにおいて、前記絶縁基材は
感光性樹脂から形成されるとともに、前記接続用穴は感
光性樹脂を露光、現像することにより形成された構成を
有する。
ルは、一面に所定の回路パターンが形成された絶縁基材
の他面に搭載されたＩＣチップと、回路パターンが絶縁
基材の他面側に露出するように絶縁基材に形成された接
続用穴とを有し、ワイヤボンディングを介してワイヤを
接続用穴内で露出されている回路パターンにボンディン
グすることによりＩＣチップと回路パターンとを電気接
続したＩＣチップモジュールにおいて、前記絶縁基材は
感光性樹脂から形成されるとともに、前記接続用穴は感
光性樹脂を露光、現像することにより形成された構成を
有する。
【００１１】更に、請求項３に係るＩＣチップモジュー
ルは、一面に所定の回路パターンが形成された絶縁基材
の他面に搭載されたＩＣチップと、ＩＣチップに形成さ
れた接続バンプと、回路パターンが絶縁基材の他面側に
露出するように絶縁基材に形成された接続用穴とを有
し、接続バンプを接続用穴内に収納しつつＩＣチップと
回路パターンとを電気接続したＩＣチップモジュールに
おいて、前記絶縁基材は感光性樹脂から形成されるとと
もに、前記接続用穴は感光性樹脂を露光、現像すること
により形成された構成を有する。
ルは、一面に所定の回路パターンが形成された絶縁基材
の他面に搭載されたＩＣチップと、ＩＣチップに形成さ
れた接続バンプと、回路パターンが絶縁基材の他面側に
露出するように絶縁基材に形成された接続用穴とを有
し、接続バンプを接続用穴内に収納しつつＩＣチップと
回路パターンとを電気接続したＩＣチップモジュールに
おいて、前記絶縁基材は感光性樹脂から形成されるとと
もに、前記接続用穴は感光性樹脂を露光、現像すること
により形成された構成を有する。
【００１２】
【作用】前記構成を有する請求項１に係るＩＣチップモ
ジュールでは、所定の回路パターンが形成され、その一
面にＩＣチップが搭載された絶縁基材が、感光性樹脂か
ら形成されており、また、ＩＣチップに電気接続された
回路パターンに対応して絶縁基材に形成された接続用穴
は、絶縁基材を露光、現像することにより形成されてい
る。そして、このように形成された接続用穴内には、絶
縁基材の他面側まで露出するように導電性材料が充填さ
れ、かかる導電性材料を介してＩＣチップモジュールと
マザーボード等の他の基板との接続が行われる。
ジュールでは、所定の回路パターンが形成され、その一
面にＩＣチップが搭載された絶縁基材が、感光性樹脂か
ら形成されており、また、ＩＣチップに電気接続された
回路パターンに対応して絶縁基材に形成された接続用穴
は、絶縁基材を露光、現像することにより形成されてい
る。そして、このように形成された接続用穴内には、絶
縁基材の他面側まで露出するように導電性材料が充填さ
れ、かかる導電性材料を介してＩＣチップモジュールと
マザーボード等の他の基板との接続が行われる。
【００１３】このとき、接続用穴は、従来におけるよう
にドリル加工、パンチング加工、エッチング加工、又
は、レーザー加工を使用することなく、感光性樹脂から
なる絶縁基材の露光、現像を行う、所謂、フォトリソグ
ラフィ技術を使用して穴明け加工が行われる。従って、
接続用穴が複雑な形状であっても生産性良く、且つ、低
コストをもって穴明け加工を行うことが可能となるもの
である。
にドリル加工、パンチング加工、エッチング加工、又
は、レーザー加工を使用することなく、感光性樹脂から
なる絶縁基材の露光、現像を行う、所謂、フォトリソグ
ラフィ技術を使用して穴明け加工が行われる。従って、
接続用穴が複雑な形状であっても生産性良く、且つ、低
コストをもって穴明け加工を行うことが可能となるもの
である。
【００１４】また、請求項２に係るＩＣチップモジュー
ルでは、一面に所定の回路パターンが形成され、その他
面にＩＣチップが搭載された絶縁基材が、感光性樹脂か
ら形成されており、また、回路パターンが絶縁基材の他
面側に露出するように絶縁基材に形成された接続用穴
は、絶縁基材を露光、現像することにより形成されてい
る。そして、ワイヤボンディングを介してワイヤを接続
用穴内で露出されている回路パターンにボンディングす
ることにより、ＩＣチップと回路パターンとが電気接続
される。
ルでは、一面に所定の回路パターンが形成され、その他
面にＩＣチップが搭載された絶縁基材が、感光性樹脂か
ら形成されており、また、回路パターンが絶縁基材の他
面側に露出するように絶縁基材に形成された接続用穴
は、絶縁基材を露光、現像することにより形成されてい
る。そして、ワイヤボンディングを介してワイヤを接続
用穴内で露出されている回路パターンにボンディングす
ることにより、ＩＣチップと回路パターンとが電気接続
される。
【００１５】このとき、接続用穴は、前記請求項１のＩ
Ｃチップモジュールの場合と同様、感光性樹脂からなる
絶縁基材の露光、現像を行うフォトリソグラフィ技術を
使用して穴明け加工が行われることから、接続用穴が複
雑な形状であっても生産性良く、且つ、低コストをもっ
て穴明け加工を行うことが可能となるものである。
Ｃチップモジュールの場合と同様、感光性樹脂からなる
絶縁基材の露光、現像を行うフォトリソグラフィ技術を
使用して穴明け加工が行われることから、接続用穴が複
雑な形状であっても生産性良く、且つ、低コストをもっ
て穴明け加工を行うことが可能となるものである。
【００１６】更に、請求項３に係るＩＣチップモジュー
ルでは、一面に所定の回路パターンが形成され、その他
面にＩＣチップが搭載された絶縁基材が、感光性樹脂か
ら形成されており、また、回路パターンが絶縁基材の他
面側に露出するように絶縁基材に形成された接続用穴
は、絶縁基材を露光、現像することにより形成されてい
る。そして、ＩＣチップに形成された接続バンプを接続
用穴内に収納しつつＩＣチップと回路パターンとが電気
接続される。
ルでは、一面に所定の回路パターンが形成され、その他
面にＩＣチップが搭載された絶縁基材が、感光性樹脂か
ら形成されており、また、回路パターンが絶縁基材の他
面側に露出するように絶縁基材に形成された接続用穴
は、絶縁基材を露光、現像することにより形成されてい
る。そして、ＩＣチップに形成された接続バンプを接続
用穴内に収納しつつＩＣチップと回路パターンとが電気
接続される。
【００１７】このとき、接続用穴は、前記請求項１及び
請求項２のＩＣチップモジュールの場合と同様、感光性
樹脂からなる絶縁基材の露光、現像を行うフォトリソグ
ラフィ技術を使用して穴明け加工が行われることから、
接続用穴が複雑な形状であっても生産性良く、且つ、低
コストをもって穴明け加工を行うことが可能となるもの
である。
請求項２のＩＣチップモジュールの場合と同様、感光性
樹脂からなる絶縁基材の露光、現像を行うフォトリソグ
ラフィ技術を使用して穴明け加工が行われることから、
接続用穴が複雑な形状であっても生産性良く、且つ、低
コストをもって穴明け加工を行うことが可能となるもの
である。
【００１８】
【実施例】以下、本発明に係るＩＣチップモジュールに
ついて、本発明を具体化した実施例に基づいて図面を参
照しつつ詳細に説明する。先ず、第１実施例に係るＩＣ
チップモジュールについて図１に基づき説明する。図１
は第１実施例に係るＩＣチップモジュールの断面図であ
る。
ついて、本発明を具体化した実施例に基づいて図面を参
照しつつ詳細に説明する。先ず、第１実施例に係るＩＣ
チップモジュールについて図１に基づき説明する。図１
は第１実施例に係るＩＣチップモジュールの断面図であ
る。
【００１９】図１に示すＩＣチップモジュール１におい
て、絶縁基材２はエポキシ系感光性樹脂からなり、絶縁
基材２の一面（図１中上面）には、銅箔からなる所定の
回路パターン３が形成されている。以下、絶縁基材２と
回路パターン３とを回路基板Ｋと称呼する。ここに、回
路基板Ｋは、圧延銅箔とエポキシ系感光性樹脂フィルム
とを相互に貼り合わせて銅貼り基材を作成した後、絶縁
基材２を紫外線（ＵＶ）にて硬化安定化させるととも
に、銅箔に対して通常のフォトリソグラフィ処理（銅箔
にエッチングレジストを塗布し、所定パターンを露光、
現像により形成させ、エッチング処理にて不要な銅箔を
除去した後、エッチングレジストを除去する処理）を行
い、更に、電気メッキ法により各回路パターン３上にニ
ッケル／金（Ｎｉ／Ａｕ）メッキを施すことにより作成
されるものである。尚、このような回路基板Ｋの製法に
ついては公知であるので、ここでは詳細な説明を省略す
る。
て、絶縁基材２はエポキシ系感光性樹脂からなり、絶縁
基材２の一面（図１中上面）には、銅箔からなる所定の
回路パターン３が形成されている。以下、絶縁基材２と
回路パターン３とを回路基板Ｋと称呼する。ここに、回
路基板Ｋは、圧延銅箔とエポキシ系感光性樹脂フィルム
とを相互に貼り合わせて銅貼り基材を作成した後、絶縁
基材２を紫外線（ＵＶ）にて硬化安定化させるととも
に、銅箔に対して通常のフォトリソグラフィ処理（銅箔
にエッチングレジストを塗布し、所定パターンを露光、
現像により形成させ、エッチング処理にて不要な銅箔を
除去した後、エッチングレジストを除去する処理）を行
い、更に、電気メッキ法により各回路パターン３上にニ
ッケル／金（Ｎｉ／Ａｕ）メッキを施すことにより作成
されるものである。尚、このような回路基板Ｋの製法に
ついては公知であるので、ここでは詳細な説明を省略す
る。
【００２０】前記回路パターン３において、回路パター
ン３Ａ（図１中、中央の回路パターン３）上にはＩＣチ
ップ４が搭載されており、また、ＩＣチップ４における
各接続端子と回路パターン３Ａの両側近傍に配置された
各回路パターン３Ｂとは、ワイヤボンディングを介し
て、金ワイヤ５を介してボンディングされている。ま
た、ＩＣチップ４及び金ワイヤ５は、その保護を行うべ
く通常の樹脂封止技術を使用して樹脂６により封止され
ている。例えば、トランスファーモールド法によりエポ
キシ樹脂をＩＣチップ４、金ワイヤ５の部分に射出形成
することにより、ＩＣチップ４、金ワイヤ５は樹脂封止
される。
ン３Ａ（図１中、中央の回路パターン３）上にはＩＣチ
ップ４が搭載されており、また、ＩＣチップ４における
各接続端子と回路パターン３Ａの両側近傍に配置された
各回路パターン３Ｂとは、ワイヤボンディングを介し
て、金ワイヤ５を介してボンディングされている。ま
た、ＩＣチップ４及び金ワイヤ５は、その保護を行うべ
く通常の樹脂封止技術を使用して樹脂６により封止され
ている。例えば、トランスファーモールド法によりエポ
キシ樹脂をＩＣチップ４、金ワイヤ５の部分に射出形成
することにより、ＩＣチップ４、金ワイヤ５は樹脂封止
される。
【００２１】また、絶縁基材２上に形成された各回路パ
ターン３、３Ｂに対応する位置において、絶縁基材２に
は接続用穴７（各回路パターン３、３Ｂにより閉塞され
た、所謂、ブラインドホールにされている）が形成され
ており、各接続用穴７には半田８が充填されるととも
に、半田８は絶縁基材２の他面（図１中、下面）にまで
露出されて半球状の接続部８Ａが設けられている。
ターン３、３Ｂに対応する位置において、絶縁基材２に
は接続用穴７（各回路パターン３、３Ｂにより閉塞され
た、所謂、ブラインドホールにされている）が形成され
ており、各接続用穴７には半田８が充填されるととも
に、半田８は絶縁基材２の他面（図１中、下面）にまで
露出されて半球状の接続部８Ａが設けられている。
【００２２】ここに、各接続用穴７は、前記したように
回路基板Ｋを作成するにつき感光性の絶縁基材２を硬化
させる際に、各接続用穴７に対応する部分のみ被覆して
紫外線を透過させないフォトマスクを重ねた後、紫外線
を照射して各接続用穴７を除く絶縁基材２の全体を硬化
（露光）させるとともに、未硬化状態にある絶縁基材２
の部分を除去（現像）することにより、形成される。こ
のように、第１実施例では、各接続用穴７を形成するに
つき、ドリル加工等を行うことなくフォトリソグラフィ
技術を介して形成するようにしているので、接続用穴７
が複雑な形状であっても生産性良く、且つ、低コストを
もって穴明け加工を行うことができる。
回路基板Ｋを作成するにつき感光性の絶縁基材２を硬化
させる際に、各接続用穴７に対応する部分のみ被覆して
紫外線を透過させないフォトマスクを重ねた後、紫外線
を照射して各接続用穴７を除く絶縁基材２の全体を硬化
（露光）させるとともに、未硬化状態にある絶縁基材２
の部分を除去（現像）することにより、形成される。こ
のように、第１実施例では、各接続用穴７を形成するに
つき、ドリル加工等を行うことなくフォトリソグラフィ
技術を介して形成するようにしているので、接続用穴７
が複雑な形状であっても生産性良く、且つ、低コストを
もって穴明け加工を行うことができる。
【００２３】また、前記半田８は、絶縁基材２の下面側
から各接続用穴７に半田ボールを落とし込むことによ
り、接続用穴７内に充填されるとともに、半球状の接続
部８Ａが形成される。
から各接続用穴７に半田ボールを落とし込むことによ
り、接続用穴７内に充填されるとともに、半球状の接続
部８Ａが形成される。
【００２４】次に、前記のように構成された第１実施例
に係るＩＣチップモジュール１の具体的製造方法につい
て説明する。先ず、厚さ７０μｍの圧延銅箔と厚さ８０
μｍのエポキシ系感光性樹脂フィルムとを貼り合わせて
銅貼り基材を作成する。この後、感光性樹脂フィルム側
にフォトマスク（各接続用穴７の形成部分に紫外線が照
射されないように被覆し、残余の部分には紫外線が照射
されるマスク）を重ね合わせ、感光性樹脂フィルムの全
体に紫外線を照射する。これにより、各接続用穴７に対
応する感光性樹脂フィルムの部分は硬化されず、一方、
各接続用穴７を除く感光性樹脂フィルムの残余部分は、
硬化されて安定化される。かかる銅貼り基材から未硬化
部分を除去することにより、各接続用穴７が銅貼り基材
に形成される。この時点で、感光性樹脂フィルムは絶縁
基材２となり、その絶縁基材２上には銅箔がそのまま残
存している。
に係るＩＣチップモジュール１の具体的製造方法につい
て説明する。先ず、厚さ７０μｍの圧延銅箔と厚さ８０
μｍのエポキシ系感光性樹脂フィルムとを貼り合わせて
銅貼り基材を作成する。この後、感光性樹脂フィルム側
にフォトマスク（各接続用穴７の形成部分に紫外線が照
射されないように被覆し、残余の部分には紫外線が照射
されるマスク）を重ね合わせ、感光性樹脂フィルムの全
体に紫外線を照射する。これにより、各接続用穴７に対
応する感光性樹脂フィルムの部分は硬化されず、一方、
各接続用穴７を除く感光性樹脂フィルムの残余部分は、
硬化されて安定化される。かかる銅貼り基材から未硬化
部分を除去することにより、各接続用穴７が銅貼り基材
に形成される。この時点で、感光性樹脂フィルムは絶縁
基材２となり、その絶縁基材２上には銅箔がそのまま残
存している。
【００２５】続いて、銅箔から回路パターン３、３Ａ、
３Ｂを形成すべく、銅貼り基材の銅箔面に、所定のパタ
ーン形状に従ってエッチングレジストを塗布し、エッチ
ング液によりエッチング処理を行う。これにより、回路
パターン３等として不要な銅箔が除去され、エッチング
レジストを除去すれば絶縁基材２上には所定の回路パタ
ーン３等が形成される。この後、回路パターン３等の表
面に対して、電気メッキ法によりニッケル／金（Ｎｉ／
Ａｕ）メッキを施して回路基板Ｋを作成する。
３Ｂを形成すべく、銅貼り基材の銅箔面に、所定のパタ
ーン形状に従ってエッチングレジストを塗布し、エッチ
ング液によりエッチング処理を行う。これにより、回路
パターン３等として不要な銅箔が除去され、エッチング
レジストを除去すれば絶縁基材２上には所定の回路パタ
ーン３等が形成される。この後、回路パターン３等の表
面に対して、電気メッキ法によりニッケル／金（Ｎｉ／
Ａｕ）メッキを施して回路基板Ｋを作成する。
【００２６】更に、前記のように作成された回路基板Ｋ
における回路パターン３Ａ上にＩＣチップ４を搭載し、
また、ワイヤボンディングを介してＩＣチップ４の各接
続端子と各回路パターン３Ｂとを金ワイヤ５によりボン
ディングする。このようにＩＣチップ４と各回路パター
ン３Ｂとを電気接続した後、トランスファーモールド法
を使用して、ＩＣチップ４及び金ワイヤ５の部分にエポ
キシ樹脂を注入し、各ＩＣチップ４及び金ワイヤ５を樹
脂６にて封止する。
における回路パターン３Ａ上にＩＣチップ４を搭載し、
また、ワイヤボンディングを介してＩＣチップ４の各接
続端子と各回路パターン３Ｂとを金ワイヤ５によりボン
ディングする。このようにＩＣチップ４と各回路パター
ン３Ｂとを電気接続した後、トランスファーモールド法
を使用して、ＩＣチップ４及び金ワイヤ５の部分にエポ
キシ樹脂を注入し、各ＩＣチップ４及び金ワイヤ５を樹
脂６にて封止する。
【００２７】次に、回路基板Ｋの裏面から前記のように
形成された各接続用穴７内に半田ボールを落し込み、更
に、リフロー処理を行うことにより半田８を各接続用穴
７内に充填するとともに、半球状の接続部８Ａを形成す
る。これにより、図１に示すようなＩＣチップモジュー
ル１が作成されるものである。
形成された各接続用穴７内に半田ボールを落し込み、更
に、リフロー処理を行うことにより半田８を各接続用穴
７内に充填するとともに、半球状の接続部８Ａを形成す
る。これにより、図１に示すようなＩＣチップモジュー
ル１が作成されるものである。
【００２８】続いて、第２実施例に係るＩＣチップモジ
ュールについて図２に基づき説明する。図２は第２実施
例に係るＩＣチップモジュールとマザーボードとを接続
した状態を示す断面図である。尚、図２において、第２
実施例に係るＩＣチップモジュールは、基本的に前記第
１実施例のＩＣチップモジュール１と同様の構成を有し
ており、従って、第１実施例における各要素等と同一の
要素等については同一の番号付して説明する。
ュールについて図２に基づき説明する。図２は第２実施
例に係るＩＣチップモジュールとマザーボードとを接続
した状態を示す断面図である。尚、図２において、第２
実施例に係るＩＣチップモジュールは、基本的に前記第
１実施例のＩＣチップモジュール１と同様の構成を有し
ており、従って、第１実施例における各要素等と同一の
要素等については同一の番号付して説明する。
【００２９】ここに、第２実施例のＩＣチップモジュー
ル１においては、所謂ポッティング処理によりＩＣチッ
プ４が樹脂６を介して封止されている点、ＩＣチップ４
が搭載された回路パターン３Ａの裏面側（図２中、下面
側）に銅製のヒートシンクが固着されている点、及び、
ＩＣチップモジュール１がマザーボードに接続されてい
る点で第１実施例とは異なり、以下、これらの異なる点
に主眼を置いて説明することとする。
ル１においては、所謂ポッティング処理によりＩＣチッ
プ４が樹脂６を介して封止されている点、ＩＣチップ４
が搭載された回路パターン３Ａの裏面側（図２中、下面
側）に銅製のヒートシンクが固着されている点、及び、
ＩＣチップモジュール１がマザーボードに接続されてい
る点で第１実施例とは異なり、以下、これらの異なる点
に主眼を置いて説明することとする。
【００３０】図２に示すＩＣチップモジュール１におい
て、ＩＣチップ４が搭載された回路パターン３Ａの裏面
側で、挿入穴９が絶縁基材２に形成されており、かかる
挿入穴９内には回路パターン３Ａに半田接続された銅製
のヒートシンク１０が固着されている。このヒートシン
ク１０は、絶縁基材２の厚さよりも大きく形成されてお
り、ＩＣチップ４が駆動された際に発生する熱を、後述
するマザーボード１１の放熱穴１３からＩＣチップモジ
ュール１の外方に逃がすためのものである。ここに、挿
入穴９は、前記方法と同様にして、各接続用穴７の形成
と同時に形成される。その形成方法は前記した通りであ
るので、ここでは省略する。
て、ＩＣチップ４が搭載された回路パターン３Ａの裏面
側で、挿入穴９が絶縁基材２に形成されており、かかる
挿入穴９内には回路パターン３Ａに半田接続された銅製
のヒートシンク１０が固着されている。このヒートシン
ク１０は、絶縁基材２の厚さよりも大きく形成されてお
り、ＩＣチップ４が駆動された際に発生する熱を、後述
するマザーボード１１の放熱穴１３からＩＣチップモジ
ュール１の外方に逃がすためのものである。ここに、挿
入穴９は、前記方法と同様にして、各接続用穴７の形成
と同時に形成される。その形成方法は前記した通りであ
るので、ここでは省略する。
【００３１】また、ＩＣチップ４及び金ワイヤ５は、エ
ポキシ樹脂等からなる樹脂６を介して封止されている
が、かかる樹脂封止は、第１実施例のＩＣチップ１では
トランスファーモールド法により行われているのに対し
て、ポッティング法（溶融したエポキシ樹脂をＩＣチッ
プ４及び金ワイヤ５部分に滴下した後硬化させる方法）
を介して行われている。
ポキシ樹脂等からなる樹脂６を介して封止されている
が、かかる樹脂封止は、第１実施例のＩＣチップ１では
トランスファーモールド法により行われているのに対し
て、ポッティング法（溶融したエポキシ樹脂をＩＣチッ
プ４及び金ワイヤ５部分に滴下した後硬化させる方法）
を介して行われている。
【００３２】尚、前記ＩＣチップモジュール１における
残余の構成、及び、その製造方法については、第１実施
例のモジュール１と同一であるので、ここではその説明
を省略する。
残余の構成、及び、その製造方法については、第１実施
例のモジュール１と同一であるので、ここではその説明
を省略する。
【００３３】更に、ＩＣチップモジュール１の下方に
は、マザーボード１１が配置されており、かかるマザー
ボード１１には、その上面に所定の回路パターン１２が
形成されているとともに、前記ヒートシンク１０に対応
する位置に放熱穴１３が形成されている。また、ＩＣチ
ップモジュール１に形成された各接続用穴７内に充填さ
れた半田８の接続部８Ａは、マザーボード１１の各回路
パターン１２と接続されている。
は、マザーボード１１が配置されており、かかるマザー
ボード１１には、その上面に所定の回路パターン１２が
形成されているとともに、前記ヒートシンク１０に対応
する位置に放熱穴１３が形成されている。また、ＩＣチ
ップモジュール１に形成された各接続用穴７内に充填さ
れた半田８の接続部８Ａは、マザーボード１１の各回路
パターン１２と接続されている。
【００３４】尚、回路パターン１２は、前記第１実施例
における回路パターン３等と同一の方法により形成され
る。また、マザーボード１１の絶縁基材は、感光性であ
る必要はなく、通常のガラス−エポキシ、紙−フェノー
ル等の基板でよく、更に、放熱穴１３はドリル加工等の
方法で形成されて差し支えない。
における回路パターン３等と同一の方法により形成され
る。また、マザーボード１１の絶縁基材は、感光性であ
る必要はなく、通常のガラス−エポキシ、紙−フェノー
ル等の基板でよく、更に、放熱穴１３はドリル加工等の
方法で形成されて差し支えない。
【００３５】前記のように構成されたＩＣチップモジュ
ール１とマザーボード１１とを接続するには、先ず、ヒ
ートシンク１０を半田ペーストにより挿入穴９を介して
回路パターン３Ａに仮止めした後、ＩＣチップモジュー
ル１における各半田８の接続部８Ａとマザーボード１１
の各回路パターン１２とが相互に対応するように位置決
めし、更に、この状態を保持しつつリフロー処理を行
う。これにより、ヒートシンク１０は、回路パターン３
Ａに半田接続されるとともに、各半田８の接続部８Ａと
各回路パターン１２とが半田接続される。これにより、
ＩＣチップモジュール１とマザーボード１１との接続構
造が得られるものである。
ール１とマザーボード１１とを接続するには、先ず、ヒ
ートシンク１０を半田ペーストにより挿入穴９を介して
回路パターン３Ａに仮止めした後、ＩＣチップモジュー
ル１における各半田８の接続部８Ａとマザーボード１１
の各回路パターン１２とが相互に対応するように位置決
めし、更に、この状態を保持しつつリフロー処理を行
う。これにより、ヒートシンク１０は、回路パターン３
Ａに半田接続されるとともに、各半田８の接続部８Ａと
各回路パターン１２とが半田接続される。これにより、
ＩＣチップモジュール１とマザーボード１１との接続構
造が得られるものである。
【００３６】次に、第３実施例に係るＩＣチップモジュ
ールについて図３に基づき説明する。図３は第３実施例
に係るＩＣチップモジュール断面図である。図３に示す
ＩＣチップモジュール２１において、絶縁基材２２はエ
ポキシ系感光性樹脂からなり、絶縁基材２２の一面（図
３中下面）には、銅箔からなる所定の回路パターン２３
が形成されている。以下、絶縁基材２２と回路パターン
２３とを回路基板Ｋと称呼する。ここに、回路基板Ｋ
は、電解銅箔とエポキシ系感光性樹脂フィルムとを相互
に貼り合わせて銅貼り基材を作成した後、絶縁基材２２
を紫外線（ＵＶ）にて硬化安定化させるとともに、銅箔
に対して通常のフォトリソグラフィ処理（銅箔にエッチ
ングレジストを所定パターンに塗布して硬化させ、エッ
チング処理にて不要な銅箔を除去した後、エッチングレ
ジストを除去する処理）を行い、更に、電気メッキ法に
より各回路パターン２３上にニッケル／金（Ｎｉ／Ａ
ｕ）メッキを施すことにより作成されるものである。
尚、このような回路基板Ｋの製法については公知である
ので、ここでは詳細な説明を省略する。
ールについて図３に基づき説明する。図３は第３実施例
に係るＩＣチップモジュール断面図である。図３に示す
ＩＣチップモジュール２１において、絶縁基材２２はエ
ポキシ系感光性樹脂からなり、絶縁基材２２の一面（図
３中下面）には、銅箔からなる所定の回路パターン２３
が形成されている。以下、絶縁基材２２と回路パターン
２３とを回路基板Ｋと称呼する。ここに、回路基板Ｋ
は、電解銅箔とエポキシ系感光性樹脂フィルムとを相互
に貼り合わせて銅貼り基材を作成した後、絶縁基材２２
を紫外線（ＵＶ）にて硬化安定化させるとともに、銅箔
に対して通常のフォトリソグラフィ処理（銅箔にエッチ
ングレジストを所定パターンに塗布して硬化させ、エッ
チング処理にて不要な銅箔を除去した後、エッチングレ
ジストを除去する処理）を行い、更に、電気メッキ法に
より各回路パターン２３上にニッケル／金（Ｎｉ／Ａ
ｕ）メッキを施すことにより作成されるものである。
尚、このような回路基板Ｋの製法については公知である
ので、ここでは詳細な説明を省略する。
【００３７】前記回路パターン２３中、回路パターン２
３Ａ（図３中、中央の回路パターン２３）の上側には挿
入穴２８が形成されており、かかる挿入穴２８内で回路
パターン２３Ａ上にＩＣチップ２４が搭載されている。
また、ＩＣチップ２４における各接続端子と回路パター
ン２３Ａの両側近傍に配置された各回路パターン２３Ｂ
及び２３とは、ワイヤボンディングを介して、金ワイヤ
２５を介してボンディングされている。また、ＩＣチッ
プ２４及び金ワイヤ２５は、その保護を行うべく通常の
樹脂封止技術を使用して樹脂２６により封止されてい
る。例えば、前記第２実施例の場合と同様、ポッティン
グ法により溶融したエポキシ樹脂をＩＣチップ２４、金
ワイヤ２５の部分に滴下した後硬化させることにより、
ＩＣチップ２４、金ワイヤ２５は樹脂封止される。
３Ａ（図３中、中央の回路パターン２３）の上側には挿
入穴２８が形成されており、かかる挿入穴２８内で回路
パターン２３Ａ上にＩＣチップ２４が搭載されている。
また、ＩＣチップ２４における各接続端子と回路パター
ン２３Ａの両側近傍に配置された各回路パターン２３Ｂ
及び２３とは、ワイヤボンディングを介して、金ワイヤ
２５を介してボンディングされている。また、ＩＣチッ
プ２４及び金ワイヤ２５は、その保護を行うべく通常の
樹脂封止技術を使用して樹脂２６により封止されてい
る。例えば、前記第２実施例の場合と同様、ポッティン
グ法により溶融したエポキシ樹脂をＩＣチップ２４、金
ワイヤ２５の部分に滴下した後硬化させることにより、
ＩＣチップ２４、金ワイヤ２５は樹脂封止される。
【００３８】また、絶縁基材２２上に形成された各回路
パターン２３、２３Ｂに対応する位置において、絶縁基
材２２には接続用穴２７（各回路パターン２３、２３Ｂ
により閉塞された、所謂、ブラインドホールにされてい
る）が形成されており、各回路パターン２３、２３Ｂは
各接続用穴２７内で露出されている。
パターン２３、２３Ｂに対応する位置において、絶縁基
材２２には接続用穴２７（各回路パターン２３、２３Ｂ
により閉塞された、所謂、ブラインドホールにされてい
る）が形成されており、各回路パターン２３、２３Ｂは
各接続用穴２７内で露出されている。
【００３９】ここに、各接続用穴２７は、前記したよう
に回路基板Ｋを作成するにつき感光性の絶縁基材２２を
硬化させる際に、各接続用穴２７に対応する部分のみ被
覆して紫外線を透過させないフォトマスクを重ねた後、
紫外線を照射して各接続用穴２７を除く絶縁基材２２の
全体を硬化（露光）させるとともに、未硬化状態にある
絶縁基材２２の部分を除去（現像）することにより、形
成される。このように、第３実施例では、前記各第１実
施例、第２実施例におけると同様、各接続用穴２７を形
成するにつき、ドリル加工等を行うことなくフォトリソ
グラフィ技術を介して形成するようにしているので、接
続用穴２７が複雑な形状であっても生産性良く、且つ、
低コストをもって穴明け加工を行うことができる。
に回路基板Ｋを作成するにつき感光性の絶縁基材２２を
硬化させる際に、各接続用穴２７に対応する部分のみ被
覆して紫外線を透過させないフォトマスクを重ねた後、
紫外線を照射して各接続用穴２７を除く絶縁基材２２の
全体を硬化（露光）させるとともに、未硬化状態にある
絶縁基材２２の部分を除去（現像）することにより、形
成される。このように、第３実施例では、前記各第１実
施例、第２実施例におけると同様、各接続用穴２７を形
成するにつき、ドリル加工等を行うことなくフォトリソ
グラフィ技術を介して形成するようにしているので、接
続用穴２７が複雑な形状であっても生産性良く、且つ、
低コストをもって穴明け加工を行うことができる。
【００４０】次に、前記のように構成された第３実施例
に係るＩＣチップモジュール２１の具体的製造方法につ
いて説明する。先ず、厚さ３５μｍの電解銅箔と厚さ８
０μｍのエポキシ系感光性樹脂フィルムとを貼り合わせ
て銅貼り基材を作成する。この後、感光性樹脂フィルム
側にフォトマスク（各接続用穴２７の形成部分に紫外線
が照射されないように被覆し、残余の部分には紫外線が
照射されるマスク）を重ね合わせ、感光性樹脂フィルム
の全体に紫外線を照射する。これにより、各接続用穴２
７に対応する感光性樹脂フィルムの部分は硬化されず、
一方、各接続用穴２７を除く感光性樹脂フィルムの残余
部分は、硬化されて安定化される。かかる銅貼り基材か
ら未硬化部分を除去することにより、各接続用穴２７が
銅貼り基材に形成される。この時点で、感光性樹脂フィ
ルムは絶縁基材２２となり、その絶縁基材２２上には銅
箔がそのまま残存している。
に係るＩＣチップモジュール２１の具体的製造方法につ
いて説明する。先ず、厚さ３５μｍの電解銅箔と厚さ８
０μｍのエポキシ系感光性樹脂フィルムとを貼り合わせ
て銅貼り基材を作成する。この後、感光性樹脂フィルム
側にフォトマスク（各接続用穴２７の形成部分に紫外線
が照射されないように被覆し、残余の部分には紫外線が
照射されるマスク）を重ね合わせ、感光性樹脂フィルム
の全体に紫外線を照射する。これにより、各接続用穴２
７に対応する感光性樹脂フィルムの部分は硬化されず、
一方、各接続用穴２７を除く感光性樹脂フィルムの残余
部分は、硬化されて安定化される。かかる銅貼り基材か
ら未硬化部分を除去することにより、各接続用穴２７が
銅貼り基材に形成される。この時点で、感光性樹脂フィ
ルムは絶縁基材２２となり、その絶縁基材２２上には銅
箔がそのまま残存している。
【００４１】続いて、銅箔から回路パターン２３、２３
Ａ、２３Ｂを形成すべく、銅貼り基材の銅箔面に、所定
のパターン形状に従ってエッチングレジストを塗布し、
エッチング液によりエッチング処理を行う。これによ
り、回路パターン２３等として不要な銅箔が除去され、
エッチングレジストを除去すれば絶縁基材２２上には所
定の回路パターン２３等が形成される。この後、回路パ
ターン２３等の表面に対して、電気メッキ法によりニッ
ケル／金（Ｎｉ／Ａｕ）メッキを施して回路基板Ｋを作
成する。
Ａ、２３Ｂを形成すべく、銅貼り基材の銅箔面に、所定
のパターン形状に従ってエッチングレジストを塗布し、
エッチング液によりエッチング処理を行う。これによ
り、回路パターン２３等として不要な銅箔が除去され、
エッチングレジストを除去すれば絶縁基材２２上には所
定の回路パターン２３等が形成される。この後、回路パ
ターン２３等の表面に対して、電気メッキ法によりニッ
ケル／金（Ｎｉ／Ａｕ）メッキを施して回路基板Ｋを作
成する。
【００４２】更に、前記のように作成された回路基板Ｋ
における回路パターン２３Ａ上にＩＣチップ２４を搭載
し、また、ワイヤボンディングを介してＩＣチップ２４
の各接続端子と各回路パターン２３Ｂ（各接続用穴２７
内で露出されている）とを金ワイヤ２５によりボンディ
ングする。このようにＩＣチップ２４と各回路パターン
２３Ｂとを電気接続した後、ポッティング法を使用し
て、ＩＣチップ２４及び金ワイヤ２５部分に溶融エポキ
シ樹脂を滴下した後硬化させ、各ＩＣチップ２４及び金
ワイヤ２５を樹脂２６にて封止する。これにより、図３
に示すようなＩＣチップモジュール２１が作成されるも
のである。尚、ＩＣチップモジュール２１は、リールに
巻回された感光性樹脂フィルムを連続的に搬送しなが
ら、前記各処理を行うことにより連続的に製造される。
における回路パターン２３Ａ上にＩＣチップ２４を搭載
し、また、ワイヤボンディングを介してＩＣチップ２４
の各接続端子と各回路パターン２３Ｂ（各接続用穴２７
内で露出されている）とを金ワイヤ２５によりボンディ
ングする。このようにＩＣチップ２４と各回路パターン
２３Ｂとを電気接続した後、ポッティング法を使用し
て、ＩＣチップ２４及び金ワイヤ２５部分に溶融エポキ
シ樹脂を滴下した後硬化させ、各ＩＣチップ２４及び金
ワイヤ２５を樹脂２６にて封止する。これにより、図３
に示すようなＩＣチップモジュール２１が作成されるも
のである。尚、ＩＣチップモジュール２１は、リールに
巻回された感光性樹脂フィルムを連続的に搬送しなが
ら、前記各処理を行うことにより連続的に製造される。
【００４３】次に、第４実施例に係るＩＣチップモジュ
ールについて図４に基づき説明する。図４は第４実施例
に係るＩＣチップモジュールの断面図である。尚、図４
において、第４実施例に係るＩＣチップモジュールは、
基本的に前記第３実施例のＩＣチップモジュール２１と
同様の構成を有しており、従って、第３実施例における
各要素等と同一の要素等については同一の番号付して説
明する。また、第４実施例のＩＣチップモジュール１に
おいては、感光性樹脂フィルムを使用することなく銅箔
上に液状の感光性樹脂を塗布して絶縁基材２２を作成し
ている点、及び、ＩＣチップ２４の他に抵抗等の受動素
子が搭載されている点で第３実施例とは異なり、以下、
これらの異なる点に主眼を置いて説明することとする。
ールについて図４に基づき説明する。図４は第４実施例
に係るＩＣチップモジュールの断面図である。尚、図４
において、第４実施例に係るＩＣチップモジュールは、
基本的に前記第３実施例のＩＣチップモジュール２１と
同様の構成を有しており、従って、第３実施例における
各要素等と同一の要素等については同一の番号付して説
明する。また、第４実施例のＩＣチップモジュール１に
おいては、感光性樹脂フィルムを使用することなく銅箔
上に液状の感光性樹脂を塗布して絶縁基材２２を作成し
ている点、及び、ＩＣチップ２４の他に抵抗等の受動素
子が搭載されている点で第３実施例とは異なり、以下、
これらの異なる点に主眼を置いて説明することとする。
【００４４】図４に示すＩＣチップモジュール２１にお
ける回路基板Ｋの絶縁基材２２は、液状の感光性樹脂を
銅箔上に塗布するとともに、紫外線照射を行うことによ
り、作成されている。具体的には、厚さ３５μｍの圧延
銅箔上に液状の感光性樹脂（日本ポリテック（株）製の
ＮＰＲ−８０：アルカリ型液状フォトソルダーレジス
ト）を厚さ５０μｍとなるように塗布し、この後、感光
性樹脂層側にフォトマスク（各接続用穴２７の形成部
分、及び、受動素子２９が挿入される挿入穴３０の形成
部分にに紫外線が照射されないように被覆し、残余の部
分には紫外線が照射されるマスク）を重ね合わせ、感光
性樹脂層の全体に紫外線を照射する。これにより、各接
続用穴２７及び挿入穴３０に対応する部分の感光性樹脂
層は硬化されず、一方、各接続用穴２７及び挿入穴３０
を除く残余部分の感光性樹脂層は硬化されて安定化され
る。そして、未硬化状態の感光性樹脂層を銅箔から除去
することにより、各接続用穴２７及び挿入穴３０が形成
された銅貼り基材が作成され、この時点で、感光性樹脂
層は絶縁基材２２となる。
ける回路基板Ｋの絶縁基材２２は、液状の感光性樹脂を
銅箔上に塗布するとともに、紫外線照射を行うことによ
り、作成されている。具体的には、厚さ３５μｍの圧延
銅箔上に液状の感光性樹脂（日本ポリテック（株）製の
ＮＰＲ−８０：アルカリ型液状フォトソルダーレジス
ト）を厚さ５０μｍとなるように塗布し、この後、感光
性樹脂層側にフォトマスク（各接続用穴２７の形成部
分、及び、受動素子２９が挿入される挿入穴３０の形成
部分にに紫外線が照射されないように被覆し、残余の部
分には紫外線が照射されるマスク）を重ね合わせ、感光
性樹脂層の全体に紫外線を照射する。これにより、各接
続用穴２７及び挿入穴３０に対応する部分の感光性樹脂
層は硬化されず、一方、各接続用穴２７及び挿入穴３０
を除く残余部分の感光性樹脂層は硬化されて安定化され
る。そして、未硬化状態の感光性樹脂層を銅箔から除去
することにより、各接続用穴２７及び挿入穴３０が形成
された銅貼り基材が作成され、この時点で、感光性樹脂
層は絶縁基材２２となる。
【００４５】また、前記のように形成された挿入穴３０
内には、受動素子２９が挿入されるとともに、回路基板
Ｋの下面における回路パターン２３、２３Ｂに半田接続
されている。更に、受動素子２９の上側及び下側は、溶
融したエポキシ樹脂を滴下して硬化させるポッティング
法により、樹脂３１を介して樹脂封止されている。尚、
前記ＩＣチップ２１における残余の構成、及び、その製
造方法については、第３実施例のモジュール２１と同一
であるので、ここではその説明を省略する。
内には、受動素子２９が挿入されるとともに、回路基板
Ｋの下面における回路パターン２３、２３Ｂに半田接続
されている。更に、受動素子２９の上側及び下側は、溶
融したエポキシ樹脂を滴下して硬化させるポッティング
法により、樹脂３１を介して樹脂封止されている。尚、
前記ＩＣチップ２１における残余の構成、及び、その製
造方法については、第３実施例のモジュール２１と同一
であるので、ここではその説明を省略する。
【００４６】続いて、第５実施例に係るＩＣチップモジ
ュールについて図５に基づき説明する。図５は第５実施
例に係るＩＣチップモジュールの断面図である。尚、第
５実施例のＩＣチップモジュールは、基本的に前記第４
実施例のＩＣチップモジュール２１と同様の構成を有し
ており、従って、第４実施例における各要素等と同一の
要素等については同一の番号を付して説明する。ここ
に、第５実施例のＩＣチップモジュール２１において
は、ＩＣチップ２４の一面（図５中、下面）に接続用の
半田バンプが形成されており、半田バンプを接続用穴２
７内に収納しつつ各回路パターン２３Ｂ、２３Ｂに接続
するように構成した点で、前記第４実施例とは異なり、
以下、かかる異なる点に主眼を置いて説明する。
ュールについて図５に基づき説明する。図５は第５実施
例に係るＩＣチップモジュールの断面図である。尚、第
５実施例のＩＣチップモジュールは、基本的に前記第４
実施例のＩＣチップモジュール２１と同様の構成を有し
ており、従って、第４実施例における各要素等と同一の
要素等については同一の番号を付して説明する。ここ
に、第５実施例のＩＣチップモジュール２１において
は、ＩＣチップ２４の一面（図５中、下面）に接続用の
半田バンプが形成されており、半田バンプを接続用穴２
７内に収納しつつ各回路パターン２３Ｂ、２３Ｂに接続
するように構成した点で、前記第４実施例とは異なり、
以下、かかる異なる点に主眼を置いて説明する。
【００４７】図５に示すＩＣチップモジュール２１にお
いて、ＩＣチップ２４の下面には、ＩＣチップ２４と回
路基板Ｋの各回路パターン２３Ｂとを接続するための半
田バンプ３２が形成されており、各半田バンプ３２は、
各接続用穴２７内に収納されるとともに、リフロー処理
を介して各回路パターン２３Ｂに半田接続されている。
尚、前記ＩＣチップ２１における残余の構成、及び、そ
の製造方法については、第４実施例のモジュール２１と
同一であるので、ここではその説明を省略する。
いて、ＩＣチップ２４の下面には、ＩＣチップ２４と回
路基板Ｋの各回路パターン２３Ｂとを接続するための半
田バンプ３２が形成されており、各半田バンプ３２は、
各接続用穴２７内に収納されるとともに、リフロー処理
を介して各回路パターン２３Ｂに半田接続されている。
尚、前記ＩＣチップ２１における残余の構成、及び、そ
の製造方法については、第４実施例のモジュール２１と
同一であるので、ここではその説明を省略する。
【００４８】次に、第６実施例に係るＩＣチップモジュ
ールについて図６に基づき説明する。図６は第６実施例
に係るＩＣチップモジュールの断面図である。尚、第６
実施例のＩＣチップモジュールは、基本的に前記第５実
施例のＩＣチップモジュール２１と同様の構成を有して
おり、従って、第５実施例における各要素等と同一の要
素等については同一の番号を付して説明する。ここに、
第６実施例のＩＣチップモジュール２１においては、Ｉ
Ｃチップ２４の一面（図６中、下面）に形成された接続
用の半田バンプ３２の高さが絶縁基材２２の厚さよりも
小さい場合に、各半田バンプ３２と各回路パターン２３
Ｂとの電気接続の信頼性を向上させるべく導電性接着剤
を介して、半田バンプ３２を接続用穴２７内に収納しつ
つ各回路パターン２３Ｂ、２３Ｂに接続するように構成
した点で、前記第５実施例とは異なり、以下、かかる異
なる点に主眼を置いて説明する。
ールについて図６に基づき説明する。図６は第６実施例
に係るＩＣチップモジュールの断面図である。尚、第６
実施例のＩＣチップモジュールは、基本的に前記第５実
施例のＩＣチップモジュール２１と同様の構成を有して
おり、従って、第５実施例における各要素等と同一の要
素等については同一の番号を付して説明する。ここに、
第６実施例のＩＣチップモジュール２１においては、Ｉ
Ｃチップ２４の一面（図６中、下面）に形成された接続
用の半田バンプ３２の高さが絶縁基材２２の厚さよりも
小さい場合に、各半田バンプ３２と各回路パターン２３
Ｂとの電気接続の信頼性を向上させるべく導電性接着剤
を介して、半田バンプ３２を接続用穴２７内に収納しつ
つ各回路パターン２３Ｂ、２３Ｂに接続するように構成
した点で、前記第５実施例とは異なり、以下、かかる異
なる点に主眼を置いて説明する。
【００４９】図６において、ＩＣチップ２４の下面に形
成された半田バンプ３２の高さは、回路基板Ｋの絶縁基
材２２の厚さよりも小さく、かかる場合には、各半田バ
ンプ３２を接続用穴２７内に収納した状態でリフロー処
理を行っても、各半田バンプ３２と各回路パターン２３
Ｂとを確実に電気接続できないことも考えられる。そそ
こで、第６実施例においては、各半田バンプ３２と各回
路パターン２３Ｂとを電気接続するについて、各接続用
穴２７内に導電性接着剤３３を充填するとともに、その
導電性接着剤３３を介して各半田バンプ３２と各回路パ
ターン２３Ｂとを接続するようにしたものである。これ
により、各半田バンプ３２と各回路パターン２３Ｂとの
電気接続の信頼性を向上することが可能となる。尚、前
記ＩＣチップ２１における残余の構成、及び、その製造
方法については、第５実施例のモジュール２１と同一で
あるので、ここではその説明を省略する。
成された半田バンプ３２の高さは、回路基板Ｋの絶縁基
材２２の厚さよりも小さく、かかる場合には、各半田バ
ンプ３２を接続用穴２７内に収納した状態でリフロー処
理を行っても、各半田バンプ３２と各回路パターン２３
Ｂとを確実に電気接続できないことも考えられる。そそ
こで、第６実施例においては、各半田バンプ３２と各回
路パターン２３Ｂとを電気接続するについて、各接続用
穴２７内に導電性接着剤３３を充填するとともに、その
導電性接着剤３３を介して各半田バンプ３２と各回路パ
ターン２３Ｂとを接続するようにしたものである。これ
により、各半田バンプ３２と各回路パターン２３Ｂとの
電気接続の信頼性を向上することが可能となる。尚、前
記ＩＣチップ２１における残余の構成、及び、その製造
方法については、第５実施例のモジュール２１と同一で
あるので、ここではその説明を省略する。
【００５０】以上詳細に説明した通り前記第１乃至第６
実施例に係るＩＣチップモジュール１、２１では、回路
基板Ｋにおける絶縁基材２２を感光性樹脂から形成する
とともに、ＩＣチップモジュール１をマザーボード１１
と接続したり、ＩＣチップ２４を各回路パターン２３Ｂ
に接続する際に使用される接続用穴７、２７を感光性の
絶縁基材２２に対して、露光、現像を行う通常のフォト
リソグラフィ技術を使用して形成するようにしたので、
従来のＩＣチップモジュールとは異なりドリル加工、パ
ンチング加工、エッチング加工、レーザー加工を行うこ
となく、接続用穴７、２７が複雑な形状であっても生産
性良く、且つ、低コストをもって穴明け加工を行うこと
ができる。尚、本発明は前記各実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の改
良、変形が可能であることは勿論である。
実施例に係るＩＣチップモジュール１、２１では、回路
基板Ｋにおける絶縁基材２２を感光性樹脂から形成する
とともに、ＩＣチップモジュール１をマザーボード１１
と接続したり、ＩＣチップ２４を各回路パターン２３Ｂ
に接続する際に使用される接続用穴７、２７を感光性の
絶縁基材２２に対して、露光、現像を行う通常のフォト
リソグラフィ技術を使用して形成するようにしたので、
従来のＩＣチップモジュールとは異なりドリル加工、パ
ンチング加工、エッチング加工、レーザー加工を行うこ
となく、接続用穴７、２７が複雑な形状であっても生産
性良く、且つ、低コストをもって穴明け加工を行うこと
ができる。尚、本発明は前記各実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の改
良、変形が可能であることは勿論である。
【００５１】
【発明の効果】以上説明した通り本発明は、回路パター
ンと他の基板とを接続したり、又は、回路パターンとＩ
Ｃチップとを相互に接続するにつき絶縁基材に形成され
た接続用穴を介して接続するようにしたＩＣチップモジ
ュールにおいて、絶縁基材を感光性樹脂から形成すると
ともに、その感光性樹脂の露光、現像を行って接続用穴
を形成することにより、複雑な形状であっても生産性良
く、且つ、低コストをもって穴明け加工を行うことがで
きるＩＣチップモジュールを提供することができる。
ンと他の基板とを接続したり、又は、回路パターンとＩ
Ｃチップとを相互に接続するにつき絶縁基材に形成され
た接続用穴を介して接続するようにしたＩＣチップモジ
ュールにおいて、絶縁基材を感光性樹脂から形成すると
ともに、その感光性樹脂の露光、現像を行って接続用穴
を形成することにより、複雑な形状であっても生産性良
く、且つ、低コストをもって穴明け加工を行うことがで
きるＩＣチップモジュールを提供することができる。
【図１】第１実施例に係るＩＣチップモジュールの断面
図である。
図である。
【図２】第２実施例に係るＩＣチップモジュールとマザ
ーボードとを接続した状態を示す断面図である。
ーボードとを接続した状態を示す断面図である。
【図３】第３実施例に係るＩＣチップモジュールの断面
図である。
図である。
【図４】第４実施例に係るＩＣチップモジュールの断面
図である。
図である。
【図５】第５実施例に係るＩＣチップモジュールの断面
図である。
図である。
【図６】第６実施例に係るＩＣチップモジュールの断面
図である。
図である。
１、２１ ＩＣチップモジュール ２、２２ 絶縁基材 ３、３Ａ、３Ｂ、 ２３、２３Ａ、２３Ｂ 回路パターン ４、２４ ＩＣチップ ５、２５ 金ワイヤ ６、２６ 封止樹脂 ７、２７ 接続用穴 ８ 半田 １１ マザーボード ３２ 半田バンプ ３３ 導電性接着剤
Claims (3)
- 【請求項１】 所定の回路パターンが形成された絶縁
基材の一面に搭載されたＩＣチップと、ＩＣチップに電
気接続された回路パターンに対応して絶縁基材に形成さ
れた接続用穴と、接続用穴に充填されるとともに絶縁基
材の他面側まで露出された導電性材料とを有するＩＣチ
ップモジュールにおいて、 前記絶縁基材は感光性樹脂から形成されるとともに、前
記接続用穴は感光性樹脂を露光、現像することにより形
成されていることを特徴とするＩＣチップモジュール。 - 【請求項２】 一面に所定の回路パターンが形成され
た絶縁基材の他面に搭載されたＩＣチップと、回路パタ
ーンが絶縁基材の他面側に露出するように絶縁基材に形
成された接続用穴とを有し、ワイヤボンディングを介し
てワイヤを接続用穴内で露出されている回路パターンに
ボンディングすることによりＩＣチップと回路パターン
とを電気接続したＩＣチップモジュールにおいて、 前記絶縁基材は感光性樹脂から形成されるとともに、前
記接続用穴は感光性樹脂を露光、現像することにより形
成されていることを特徴とするＩＣチップモジュール。 - 【請求項３】 一面に所定の回路パターンが形成され
た絶縁基材の他面に搭載されたＩＣチップと、ＩＣチッ
プに形成された接続バンプと、回路パターンが絶縁基材
の他面側に露出するように絶縁基材に形成された接続用
穴とを有し、接続バンプを接続用穴内に収納しつつＩＣ
チップと回路パターンとを電気接続したＩＣチップモジ
ュールにおいて、 前記絶縁基材は感光性樹脂から形成されるとともに、前
記接続用穴は感光性樹脂を露光、現像することにより形
成されていることを特徴とするＩＣチップモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7135928A JPH08307033A (ja) | 1995-05-08 | 1995-05-08 | Ｉｃチップモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7135928A JPH08307033A (ja) | 1995-05-08 | 1995-05-08 | Ｉｃチップモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08307033A true JPH08307033A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=15163132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7135928A Pending JPH08307033A (ja) | 1995-05-08 | 1995-05-08 | Ｉｃチップモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08307033A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5892288A (en) * | 1997-05-30 | 1999-04-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor integrated circuit device |
| JP2011009476A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Nec Tokin Corp | 下面電極型固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| CN109743846A (zh) * | 2018-09-27 | 2019-05-10 | 常州市武进三维电子有限公司 | 新能源汽车的镂空柔性线路板的制作工艺 |
-
1995
- 1995-05-08 JP JP7135928A patent/JPH08307033A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5892288A (en) * | 1997-05-30 | 1999-04-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor integrated circuit device |
| JP2011009476A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Nec Tokin Corp | 下面電極型固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| CN109743846A (zh) * | 2018-09-27 | 2019-05-10 | 常州市武进三维电子有限公司 | 新能源汽车的镂空柔性线路板的制作工艺 |
| CN109743846B (zh) * | 2018-09-27 | 2021-08-20 | 常州市武进三维电子有限公司 | 新能源汽车的镂空柔性线路板的制作工艺 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040430 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040608 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040806 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041019 |