TW587199B - Lithographic method and apparatus - Google Patents

Description

587199 發明說明（1) —----—^ 置本有關一種尤指用於微影钱刻曝光之方法和裝 脖詈之、s疋，本發明係有關一種此方法於一微影蝕刻投影 衣直連用，此裝置包括·· 用來供應一投影輻射光束之 一用氺+从 谓⑺不統， 用入失持一光罩之第一物件台； 用來失持一基材之第二物件台； 目標部份 用來將光罩之一被昭射邱价士 之投影系統。 被'，、、射μ成像於基材之 1J j，見’投影系統可於後文稱為「透鏡」；惟此用 :應廣闊解釋成涵蓋各類型投影系統，例如包含折射光 ί射^射光學及反折射系統。輻射系統亦可包含根據投影 田#束之定向、成形或控制用原理之一操作之組件，且 f等組件亦可於以下集體或個別稱為「透鏡」。此外，第 一及f二物件台可分別稱為「光罩台」及「基材台」。復 且，微影蝕刻裝置可為一種具有至少二光罩台及/或至少 ^基材台之類型。於此種「多台」裝置中，增設之物件台 可平行使用，或者，可於至少一台進行預備步驟，至少一 其他台則用於曝光。雙台型微影蝕刻裝置揭露於國際專利 申明案第W0 98/28665號及wo 98/40791號中，本文提及此 案俾供參考。 ，，钱刻投影裝置可例如用於積體電路（ICs)製造。於 此 h ^下’光罩（初縮掩膜版（re t i c 1 e ))可含有一對應

587199 五、發明說明（2) 於1C之個別層之電路圖案，且此圖案可接 一層光敏材料（抗蝕層）之基材（矽晶圓像於一塗佈 至少-晶片）上。一般說來，一單一晶 份（包括 經由初縮掩膜版連續照射之相鄰目標部份 力次一片， 一種微影#刻投影裝置中，藉由一次;‘初ς =網路。於 案對目標部份曝光，照射各目標部份；此署5 —獏版之圖 圓步進器。於另一裝置’即一般稱為步進掃；=為:¾ 由於投影光束下沿一預定參考方向（「掃描方凌置中，錯 初縮掩膜版圖案掃描，同時平行或反平行於此方向）=， 圓台掃描，照射各目標部份；由於一 :/此日日 有-放大因數M(-般⑴，晶圓台掃广二^/又影系統具 以初縮掩膜版掃描之速度。有關此虐田、又為因數M乘 、又有關此處述及之微影蝕刿驻菩 之進一步内容可見諸國際專利申請案第w〇 97/ 332 本文提及此等俾供參考。 見’ 於-種微影蝕刻法中，藉由自一具有一強度分佈之有效 光源照射在-對應於某—特定照射模式之光瞳平面， -光罩界定之特徵。被照射之光罩之影像投射於佈、 蝕層之半導體晶圓。 & ^ Μ 習知技術之問題包括，在半導體製造產業中，對越來越 小的特徵及特徵的密度加大的需要與日倶增。換古之，臨 界尺1迅速減小，且非常接近諸如上述步進器之；描器之 此技蟄曝光裝置之理論解掎度極限。此問題之一解決方荠 係提昇機器之光學能力或確實更換整部機器。帛二個可^ 性係使用包含所謂「輔助特徵」《光罩。其係小於曝光裝

587199 五、發明說明（3) 置之解析度極限之特徵，俾不會 成像特徵會產生繞射效應，這可辦進=出，惟”接近待 徵清晰。第三個可能性係使互補才:移光罩，二：使微細特 電場振幅1 8 0度（而非如一# # 錯由對應相移 對應調變電場振幅），建立光罩情形，藉由 效用在於，；線及空間之特徵界定，其 進衫像對比度及焦深，俾線又刀佈，攸而增 ::方法均未臻理想，且亦證明所費不貲。 i:目的在於至少部份消除至少-此上述門靡 料層之基材上…，丄；=像於-設有-光敏材 一次曝光俾該圖案部份成像之步驟； :苐一次曝光俾該圖案部份成像之步驟； /、中至少該第一及第二次曝光步驟之一 偶極強度分佈之照射模式來進行。 吏用/、有大致 如使刻可藉由特徵大小減小及/或諸 處理、焦深和鄰近效應之 之光罩來^行。‘…吏用改進之光學措施及/或輔以繞射 中根二：Γ微影姓刻投影裝置之製造方法 ^ ^) t ΛΛ"/^- ^ ^ ^ ^ ( ^设皿之基材上，於此成像步驟之前，美 如主以底漆、抗蝕層塗佈及軟扭土 仃诸 基材可交付豆仙μ , 烤種種程序。於曝光後， 私序，例如後曝光（ΡΕΒ)、顯像、硬烘烤 587199 五、發明說明（4) ί成(檢驗。4-系列程序用來作為將-元 著淮t 1 別層圖案化之基礎。此一圖案化層可接 機械^光等刻:離子佈植（摻雜）、金屬化、氧化、化學 需要^ 思種長序’所有程序均旨在完成一個別層。若 而要若干層，Mac西 層。m 4 p須反復全部程序或其變化來製造各個新 諸如二或m?:出現在基材（晶圓）上。接著藉由 安裝於等元件相互隔開，㈤別元件可 =訊可例如得自彼得凡占特著，麥此等程序之進一步 造 三版之「微晶片製 出版，1997，ISBN 〇-〇7 - 067250M，Ϊ羅希爾出版公司所 本文，然特別指出本發明之方 ^ 不吕而喻，此裝置具有其他用、余、置使用於IC製造， 也光學系統，磁疇記憶體用導引及= ' 例如，其可用於積 ，、薄膜磁頭等。熟於此技藝人士二甽圖案、液晶顯示 途，本文所用「初縮掩膜版:知，按照此種不同用 日日圓，$ 「忌Μ ,諸詞 半導體加工實用導引」書籍 第 或「晶片 基#」及「目標區 杆分別代之以更泛用之「光罩 域」語詞 簡單說明 紙参考附圖，單純例示說明本發明*〜 圖1圖解離軸照射原理； 邊實施例’其中： 圖2 ( a)至2 (d)略示不同照射模式 圖3顯示有關不同照射模式之曝6強度分佈； 圖4係顯示不同照射模式之曝光* ^各度之計算結果； i各度判定之實驗結果 587199 五 、發明說明 (5)

之圖表； 圖5顯示/使用線性偏振光來進行至少一偶極曝光之配 置； 一一 圖6顯系使用一不同偏振位向進行之偶極曝光之對比度 結果（透過線圖所作強度繪圖）；以及 圖7顯示/用來將一圖案成像於一可實施本發明之基材 之裝置。

於光學微影蝕刻方面已知使用偏軸照射，其可將較小特 徵成功成像。藉由此技術，以非垂直角度照射光罩，特別 的是，其藉由增加焦深及/或對比度增進加工寬容度。 圖1圖解輻射光束1 0相對於光軸成9 〇。 α，即傳統上垂 直地入射於光罩1 2上之原理。待成像於晶圓1 4上之光罩i 2 之特徵繞射入射光束1 0。圖1顯示零級及二個第一級繞射 光束（0，土 1 )。例如於相干之至少部份零級及第一級之— 可 光束為投影透鏡1 6捕獲且用來形成圖案在晶圓丨4上時 達成效能增進。 光罩12上特徵之間距愈小，繞射角万即愈大。若特徵

1 fi i、f*少及/或其密度增加過度，即會造成投影透鏡系 ^先瞳角也無法捕獲，繞射級以上之光束。於實用系 二決定光源之部份相干性之孔徑角α範圍，並因此 為=優質，例如曝光寬容度、焦深及鄰近效應而言， :重：：孔徑“之分佈可藉由將其視為轄射源之強度 或者相等地，視其為投影透鏡系統之光瞳平面内之

587199 五、發明說明（6) 度分佈來想像（且僅盯視零級繞射輻射 圖2顯示不同照射模式之強度分佈（或光，、罩特徵者）。 空情形）。陰影區域指示顯著輻射強度里；投影透鏡佔 土心-之距龜與入—α…有jil &域。距光曈之 圖2(a)顯示以圖式中箭頭表示之參數σ χ 6 …奶 模式。傳統上，σ值係照射強度圓盤半徑相二：：：:、射 之比且因此其值在〇與i之間。 ；先目里半徑 圖2 ( b)顯示一環形照射模式，其中侷 之入射角範圍，須知，於光瞳平面空間 '限^制離軸照射 罩平面之角度分佈有關。環形為值σ i及σ ς t佈與於光 内徑及外徑相對於光瞳半徑之比。 q汀界定’其為 圖2 ( c)顯示一四極照射模式之強度分佈， 所得成像效果一般說來優於使用環形或圖般 =種模式 統上，在使用此種四極配置時假設待投景彡‘昇式者。傳 ，軸正交之、線，且照射之位向定成，四極各罩位圖上由沿X 為X、y軸及其交點界定的四個象限中的一 ；刀別 惟，經察使用偶極照射模式可獲得較 限中。 運用此一事實。 v放月匕，且本發明 圖2(d)顯示一偶極模式之照射強度分佈之 =二極位於成像系統之光軸外。為了於以下說。此模式 2(d)所不二極位於x軸，且最好想像平行於，，稱圖 於連接二極之轴之線（右亡μ , 亦即垂古 古他丄m 、、泉（有呤候x與y軸分別稱為水平只I直 直，惟此用詞典型地與機器之位向無關）。 及垂 圖3 顯不圖 η a ua)至（d)所不四個照射模式之夂 _ D衩式所用〜

第10頁 587199 五、發明說明（7) ，良曝光寬容度指示器，即正插 就y方向之不同間距之線性 α影像對數斜率計（N丨LS) 表中，標示a、b、C及d之線：^、作计算結果。於圖3之圖 射模式。各計算假設一〇· 7(Na 1應於圖2(a)至（d)之照 統模式為σ=〇·85之值，且其於严7j=數值孔徑，其於傳 (d)模式為CT() = 〇· 85及σ^〇. 55之衣值' 、四極（c)及偶極 量可甘知7極照射/I用模擬NILS曝光寬容度所用測 H V、❿照射才莫式就遠近解析極限P。之間距所得者。 別下照射模式··環形（b)、四極（C)及偶極（㈨分 m 實驗觀察所得曝光寬容度。數值孔徑及π值 ^ "斤不之杈擬結果相同。於圖4中經觀察其傾向與圖3 目同’且顯然地’就接近解析極限之間距而言，一偶極模 式（d)顯示其具有較優曝光寬容度。 吴 士偶極照射模式之進一步優點在於其操作接近解析極限 4 ’提供一較藉由四極照射可得焦深優異之焦深。就1 : 1 光密線而言，四極照射於： σ

Center(中心）一 丄迟 lw^naJ 4

時’獲得最佳焦深，偶極照射於； -丄 σ center^ LW1^NaJ 4 時’獲得最佳焦深，其中Jcenter :( crQ+ σι)/2，NA=數值孔 徑，λ =波長，且LW=線寬。 -

第11頁 587199 五、發明說明（8) 解析線寬LW^以 接近％析極限時，可 4 LW, 义不於其，入以上式子時，四極照射需要一大於1之 °*center值^來獲付取大焦深；惟由於大於丨之值於物理 上不可月b，故就接近解析極限之構而隹 深，以偶極照射模式較佳。 巧P取人…、 實施例2 本舍明方法之一較佳實施例传传 ― 爽淮分- AI .貝他列加便用一分別垂直偶極圖荦 進仃一-人曝光。弟一次曝光用來將平行於 、 罩特徵成像，且，使用另一偶極禮 Μ 、弟方向之光 直於楚卡^ 便用另偶極杈式之第二曝光用來將垂 直於弟一方向之光罩特徵成像。 木竹ΐ 於一特定實施例中使用二不同光罩， 罩，且二光罩之影像重疊產生 吏用一種光 直之偶極照射模式之間變換以及於 二、才互垂 變換可獨立選擇各曝光所用偶極模 f 了 =曝光之間 〜及h等，俾最佳化平行於與垂直H特疋/考，例如 小之曝光。 且於弟一方向之構造大 於另一實施例中使用一單一光罩 次圖案；而後使用此等次圖案之—於^罩3有二不同 第二次圖案則用於上述第二次曝光。^弟一次曝光，而 根據上述方法，使用二偶極曝光 士 無需如此。典型地，使用一偶極照射二j連績曝光。惟其 果式沿一方向將圖案

587199 五、發明說明（9) (之圓取般重肤要特徵成像，另一曝光可使用四極、環形或傳統 當:二射模式就剩下的構造來進行。二次曝光之順序 暖;、I倒，且的確可使用至少二次曝光來建立至少二次 4。/形成早一圖案，只要其一使用一偶極照射模式即 草二其在最Λ單形式中，為了僅將水平及垂直線成像，二光 計，可使用軟體來將圖案分解：二：：：：複雜光罩設 光罩圖案之傅立葉變換 二-人，。可使用 極2射模式來進行此曝光。·.'取重要方向，且可使用-偶 本發明另一實施例使用一「 偶極曝光。一軟偶極模 彳偶極」照射模式於至少- 的某些特徵，例如對角線式別適於將包含未位於X或y方向 模式的某些例子包含如圖^曲線的圖案成像。軟偶極照射 弱一般背景照射，或具^ 所示，惟具有一亙光瞳之較 基本偶極強度分佈1 ^者:離軸極以外之一較弱同軸極之 二個強強度極及二個^ =類似於一四極照射式，惟具有 又極。 於本發明一特定實施例中 少一偶極曝光。於一特殊使用偏振電磁輻射來進行至 笔％大致垂直於連接偶極。中’電磁輕射線性偏振，俾其 接著大致垂直於待成像=f案中二（主）極）之軸；若此軸 、 特定曝光（如以上所述）之光罩

587199 反、發明說明（10) ， __ 圖案，該電場即大致 - 效率，特別是大幅姆、'fe f於此等特徵。這可大幅增進曝光 於-特定實施例c度。 射模式來進行，成像於M t第二次曝光二者使用偶極照 於第二曝光者，且用於弟一次曝光之特徵大致重直於成像 偶極）之軸大致垂直於;各曝光偶極照射模式中之連接（主） 振幅射進行曝光，且_ 4像於此曝光之特徵，接著使用偏 配置可帶來特別優異ϋ曝光之偏振方向相互垂直。此種 圖5示意圖示使用一刀 具有二極3及5之偶極照"%射模式之影像投影。使用一 光罩圖案之影像投射一=:，經由一投影系統PL，將— 案僅包含（大致）沿2方' Β曰圓W。如此處所說明，光罩圖 因此，此等特徵』直。f直於圖之平面）伸延之特徵9 ;

延）。較佳地，來自日/1+ m接—極3、5之軸7(軸7沿x方向伸 方向定向，亦即垂直輕射線性偏振’其電場沿Z 惟於此配合圖6說明俾供參考松式於發明中亚非較佳者， 圖6顯示使用一投影车 蝕刻投影裝置所得對比度社果—數值孔徑NA=0.6之微影 ㈣及kl = 0,3之投。影。此圖有關248錢（D”）， 影像平面中沿垂直於待成像之波長。此圖顯示-點探針於 之強度。沿圖6之水平車由特徵之方向掃描所測得 Λ、、、内未·定該探針之位置。二曲

$ 14頁 5S7199 五、發明說明（11) 線A、B分別指上述偏振模式Α、β。1 ^^' 對比度遠優於偏振模式6。同樣地，相H，偏振模式Α之 用=發明使用偏振满帶;照射 於本發明一特定實施例中，使 如圖1所示線-空間转饩七炎宏茲山 旱 亦即 姓入 H欲之界疋稭由對應相移電場振幅180 度^ 一對應及適當選擇之電場振幅衰減來建立之光 I!痒進行f少7,極曝光。▲了獲得最佳對比度及處理寬 =又，可遥擇該衰減。使圖丨所示零級能量及正一級繞射 ^束（〇 ’+1)大約相等或相f。例如，以0 5負載循環，藉 具有零衰減之零級相移， 度二：具有強度衰減=0.04 9 (即°.2 22之振幅衰減)之18() 建立一線—空間界定， 射光束產生相等強产。驻、蜗上於圖1之零級與正一級繞 鉻線空間圖案之“12日：：實施例消除於使用-具有二元 級繞射光束間能量差昱:j可能發生之圖1中零級與正一 iJllLG ，、之有害作用。 微影钱刻投影裝置之 ^ 件，其經常包含數十個扣=系統一般係一高精密設備組 位之個別光學元件。°，精密設計、機製、最加工及定 -般仍會受殘留光學缺s就算是最仔細料之投影系統’ 害。此等缺點造成影像二:如像散、蓉差、場曲率等之 篆力化，而這可能導致以相關微蝕刻

第15頁 587199 五、發明說明（12) 裝置製出劣等或者甚至於不合格品。結果，有一（至少局 部）修正此像差之重要誘因。於像散情形下，本發明提供 一種針對此問題之有力、有效、絕佳解決。 於此定義下，投影系統内出現像差會造成，於不同焦面 内有在一垂直於此系統光軸之物平面内成不同角度定向之 線。尤詳而言之，若一待像差投影系統投影之影像含有沿 相互垂直，不同的第一與第二方向伸延的線，供線沿第一 方向伸延之焦面即不會與供線沿第二方向伸延之焦面一 致。因此，若一含有此等線之光罩圖案於一單一步驟成像 在一基材，所有線即無法清晰聚焦於基材；這會導致影像 模糊。 本發明藉由於二不同步驟：一供線沿該第一方向伸延之 第一步驟及一供線沿該第二方向伸延之第二步驟將一光罩 圖案成像，防止此問題。可例如藉由相對於投影系統位移 或傾置基材台，或位移投影系統中至少一光學元件，使用 所提供致動器，等，於此二步驟之間，調整投影裝置之焦 點。這確保沿第一及第二方向二者伸延之線之最佳焦點， 藉此抑制像差於投影系統内之效應。 實施例7 茲參考圖7說明用以實施本發明之微影蝕刻裝置反覆地 將一光罩Μ (例如一初縮掩膜版）成像於一基材W (例如一塗 佈抗I虫層之晶圓）之情形。此處圖示之特定裝置係透射 型；惟其亦可例如為反射型或反折射型。此裝置包括一含 一輻射源之照射殼體LH以及一用來供應一照射光束I Β之照

第16頁 587199 五、發明說明（13) 射系統。此光束通過一光欄D R，且接著入射於配置在—光 罩台MT上之光罩Μ。此光罩台MT構成亦併設一投影透鏡系 統P L之投影柱列P C之一部份，此投影透鏡系統P L包括複數 透鏡元件，其僅有二個h及1^顯示於圖7中。投影透鏡系統 將光罩Μ成像於設有一光抗姓層（未圖示）之基材^上。供應、 基材於一基材支座WT上，此基材支座WT形成一例如置於: 點軸承WC之一部份。投影透鏡系統例如具有一放大率 二 毫 M=l/5，一數值孔徑NA>〇 48，以及一 米）之繞射限制像場。基材台WT例如藉一於下側閉塞 柱列PC之石墨基板BP支承。 的 ，材可藉助於基材台沿X、y及z方向位移並繞z軸旋轉。 此寻調整藉諸如一聚焦伺服系統，譬若一與基材支座合 ΐν準y之Π步儀系，統’以及一可使光罩胃記與基材°標 示於圖7中上統等種種系統來控制。此等飼服系統未圖 ΑΒι、AB2)。 ”僅圖示對準系統之對準光束（具有主射線 每二待形成於基材上之1。數成像若干次， 豕％暴材之一不同目標部份上。 _不之裝詈可田 衣罝了用二不同模式： 於步進模式Φ ^ 圖案—次（即一基本上保持光罩台WT固定，且整個光罩 WT接著沿χ及 ^次「閃光」）投影於一目標部份。基材台 I Β照射。 或丫方向位移，俾一不同目標部份可藉光束 於知描模式中 除了 一給定目標部份未於一單次「閃

第17頁 587199 五、發明說明（14) 光」 ，光 罩台ΜΤ 可 以 速 ’例如X方向） 移 時， 基材台WT 以 如 1/5)， 沿 相 同 度即 可使一 較 大 § 射過 為止。 器（未圖示） 5 其 用 οσ 一早- -光罩Μ 具 有 一 光罩 ，使該 二 圖 案 部份 可使用 第 一 光 光」中曝光外，基本上情形相同。 f沿'給定方向(所謂的「掃描方向：：：罩台^以速 動’俾投影光束IB掃描—光罩影像士例如x方合“ V·速度，其中Μ為透鏡PL之罩二 或反對方向移動。如此.大羊(例如心"5 標部份曝光。 ^覆進行此等程序迄基材所有區域照射 實施本發明之裝置進一步包括— 〇 來轉換第一與第二光罩Μ ;替代地，於—單_ 不同光罩圖案情形下，轉換器用來移動光罩 i(一束1… 罩-欠圖：，並接著轉換第一與第二光罩(或光 來-曝：U材的目標部份全部使用第二光罩(次圖案） (或井置代地，在移動基材台俾使用第—及第二光罩 一 _人圖案）將一不同目標部份成像之前，一給定目严 第一，第二光罩(或光罩次圖案)連續曝光’ / :、私且。曰刖，較佳地，使用例如菲湼耳分節透 2 ^或電腦產生之全息圖之繞射光學元件來產生偶極昭 :::可使用諸如孔徑板或插入葉片之其他裝i。較佳… !ί ΐ系統包含一旋轉三稜鏡/變焦鏡頭模組或諸如光 干貝为=之其他光學組件。·照射系統可就第一與第二曝光 於不同照射模式間切換，且較佳地，可就各曝光，獨立選 擇各模式之參數，例如σ Q與σ i。- 日3 it ；r + *明之裒置之照射系統包含用來界定偶極和其他 知、射&式之裝置。目前，軔几iL 戌m "丨，^ 一 一

587199 五、發明說明（15) 此照射系統之進一步細節例如揭露於E P - A - 0 6 8 7 9 5 6及 EP-A-0-949 541中，且本文提及此二案備供參考。 以上固然說明本發明之特定實施例，惟須知，本發明可 不依前述予以實施。

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Claims (1)

1. 587199 _案號89119139_年 J月ΖΓ日 委替換本 六、申請專利範圍 了士年3月’曰 1 . 一種將一圖案成像於一設有一能量敏感材料層之基材 之方法，包括以下步驟： 進行第一次曝光俾該圖案部份成像之步驟； 進行第二次曝光俾該圖案部份成像之步驟； 至少該第一及第二次曝光步驟之一步驟使用一具有實質 上偶極強度分佈之照射模式來進行。 2 .如申請專利範圍第1項之方法，其中該第一次及第二 次曝光步驟之其中一步驟使用一具有實質上為偶極、四 極、環形及圓盤狀之一的強度分佈。 3 .如申請專利範圍第1或2項之方法，其中使用不同光罩 來界定各該第一及第二次曝光步驟所形成之圖像。 4.如申請專利範圍第3項之方法，其進一步包括於該第 一次及第二次曝光步驟之間互換光罩之步驟。 5 .如申請專利範圍第1或2項之方法，其中使用一具有至 少二個次圖案之光罩於第一及第二次曝光，使用該等次圖 案的第一個來界定第一次曝光所形成之影像，並使用次圖 案的第二個來界定第二次曝光所形成之影像。 6 .如申請專利範圍第1項之方法，其中使用偶極照射模 式或其各個模式來將實質上垂直於連接偶極模式或其各個 模式中二極之軸的圖案中線性特徵成像。 7.如申請專利範圍第6項之方法，其中偶極照射模式曝 光或其各個曝光所用個別光罩或光罩次圖案實質上僅界定 實質上垂直於連接偶極模式或其各個模式中二極之軸的圖 案特徵。

   O:\66\66429-930325.ptc 第21頁 587199 _案號 89119139_年月日__ 六、申請專利範圍 8 .如申請專利範圍第1項之方法，其中偶極照射模式強 度分佈或其各個分佈包括二較強極，並進一步包括以下至 少一個：一較弱中心極；另二較弱極；以及一般較弱之背 景強度。 9 ·如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包括於該第 一與第二步驟之間改變極之徑向位置、大小及強度之至少 一因素之步驟。 1 0.如申請專利範圍第1項之方法，其中該第一與第二次 曝光二者使用偶極照射模式來進行，且其中二偶極模式之 軸實質上相互垂直。 1 1.如申請專利範圍第1項之方法，其中使用一具有一實 質上偶極強度分佈之照射模式之來進行之曝光或各個曝光 使用偏振電磁輻射來進行。 1 2.如申請專利範圍第1 1項之方法，其中偏振輻射線性 偏振。 1 3.如申請專利範圍第1 2項之方法，其中輻射如此偏 振，俾具有一實質上垂直於連接偶極強度分佈或其各個分 佈中二極之軸之電場分量。 1 4.如申請專利範圍第1項之方法，其申於第一次與第二 次曝光之間調整基材上之圖案之焦點，藉此確保第一與第 二次曝光二者於實質上最佳焦點進行。 1 5 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中使用一具有一實 質上為偶極強度分佈之照射模式之曝光或其各次曝光使用 一衰減相移光罩來進行。

   O:\66\66429-930325.ptc 第22頁 587199 _案號 89119139_年月日__ 六、申請專利範圍 1 6.如申請專利範圍第1 5項之方法，其中如此選擇衰 減，俾於零級與一次繞射光束自該圖案射出並為一用來將 圖案成像於基材之投影系統捕獲時，平衡其輻射能。 1 7. —種元件製造方法，包括以下步驟： 提供一至少部份為一光敏材料層覆蓋之基材之步驟； 提供至少一光罩以界定一圖案之步驟；以及 使用申請專利範圍第1至1 6項中任一項之方法，將該光 罩圖案之至少一部份成像於該基材之步驟。 1 8. —種根據申請專利範圍第1至1 7項中任一項之方法製 造之元件。 19. 一種用來將一圖案成像於一設有一能量敏感材料層 之基材之裝置，該裝置包括： 一照射系統，用來界定第一及第二照射模式； 一投影系統，用來將一光罩所界定該圖案之一部份成像 於該基材上；以及 一轉換器，用來於第一與第二光罩間變換； 至少該第一與第二照射模式之一為偶極，且該裝置配置 成藉由使用第一、第二照射模式及光罩之二次曝光將該圖 案成像。 20. —種用來將一圖案成像於一設有一光敏材料層之基 材之裝置，該裝置包括： 一照射系統，用來界定第一及第二照射模式； 一投影系統，用來將一光罩所界定該圖案之一部份成像 於該基材上；以及

   O:\66\66429-930325.ptc 第23頁 587199 _案號89119139_年月日_iMz_ 六、申請專利範圍 一用來相對於投影系統移動光罩，俾確實地將位於光罩 上不同位置之第一及第二光罩次圖案定位於自照射系統射 出之輻射光束下； 至少該第一與第二照射模式之一為偶極，且該裝置配置 成藉由使用第一、第二照射模式及光罩之二次曝光將該圖 案成像。 2 1.如申請專利範圍第1 9或2 0項之裝置，其中該照射系 統包括至少一用來界定該第一及第二照射模式之繞射光學 元件。

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