TW587199B - Lithographic method and apparatus - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 13
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 13
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims description 3
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 2
- 244000025254 Cannabis sativa Species 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000237858 Gastropoda Species 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000238631 Hexapoda Species 0.000 description 1
- 241001494479 Pecora Species 0.000 description 1
- 241000237503 Pectinidae Species 0.000 description 1
- 244000207667 Rumex vesicarius Species 0.000 description 1
- 235000002905 Rumex vesicarius Nutrition 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000270666 Testudines Species 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 238000001093 holography Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000008267 milk Substances 0.000 description 1
- 210000004080 milk Anatomy 0.000 description 1
- 235000013336 milk Nutrition 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 229910052704 radon Inorganic materials 0.000 description 1
- SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N radon atom Chemical compound [Rn] SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000020637 scallop Nutrition 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000000192 social effect Effects 0.000 description 1
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70125—Use of illumination settings tailored to particular mask patterns
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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Description
587199 發明說明(1) —----—^ 置本有關一種尤指用於微影钱刻曝光之方法和裝 脖詈之、s疋,本發明係有關一種此方法於一微影蝕刻投影 衣直連用,此裝置包括·· 用來供應一投影輻射光束之 一用氺+从 谓⑺不統, 用入失持一光罩之第一物件台; 用來失持一基材之第二物件台; 目標部份 用來將光罩之一被昭射邱价士 之投影系統。 被',、、射μ成像於基材之 1J j,見’投影系統可於後文稱為「透鏡」;惟此用 :應廣闊解釋成涵蓋各類型投影系統,例如包含折射光 ί射^射光學及反折射系統。輻射系統亦可包含根據投影 田#束之定向、成形或控制用原理之一操作之組件,且 f等組件亦可於以下集體或個別稱為「透鏡」。此外,第 一及f二物件台可分別稱為「光罩台」及「基材台」。復 且,微影蝕刻裝置可為一種具有至少二光罩台及/或至少 ^基材台之類型。於此種「多台」裝置中,增設之物件台 可平行使用,或者,可於至少一台進行預備步驟,至少一 其他台則用於曝光。雙台型微影蝕刻裝置揭露於國際專利 申明案第W0 98/28665號及wo 98/40791號中,本文提及此 案俾供參考。 ,,钱刻投影裝置可例如用於積體電路(ICs)製造。於 此 h ^下’光罩(初縮掩膜版(re t i c 1 e ))可含有一對應
587199 五、發明說明(2) 於1C之個別層之電路圖案,且此圖案可接 一層光敏材料(抗蝕層)之基材(矽晶圓像於一塗佈 至少-晶片)上。一般說來,一單一晶 份(包括 經由初縮掩膜版連續照射之相鄰目標部份 力次一片, 一種微影#刻投影裝置中,藉由一次;‘初ς =網路。於 案對目標部份曝光,照射各目標部份;此署5 —獏版之圖 圓步進器。於另一裝置’即一般稱為步進掃;=為:¾ 由於投影光束下沿一預定參考方向(「掃描方凌置中,錯 初縮掩膜版圖案掃描,同時平行或反平行於此方向)=, 圓台掃描,照射各目標部份;由於一 :/此日日 有-放大因數M(-般⑴,晶圓台掃广二^/又影系統具 以初縮掩膜版掃描之速度。有關此虐田、又為因數M乘 、又有關此處述及之微影蝕刿驻菩 之進一步内容可見諸國際專利申請案第w〇 97/ 332 本文提及此等俾供參考。 見’ 於-種微影蝕刻法中,藉由自一具有一強度分佈之有效 光源照射在-對應於某—特定照射模式之光瞳平面, -光罩界定之特徵。被照射之光罩之影像投射於佈、 蝕層之半導體晶圓。 & ^ Μ 習知技術之問題包括,在半導體製造產業中,對越來越 小的特徵及特徵的密度加大的需要與日倶增。換古之,臨 界尺1迅速減小,且非常接近諸如上述步進器之;描器之 此技蟄曝光裝置之理論解掎度極限。此問題之一解決方荠 係提昇機器之光學能力或確實更換整部機器。帛二個可^ 性係使用包含所謂「輔助特徵」《光罩。其係小於曝光裝
587199 五、發明說明(3) 置之解析度極限之特徵,俾不會 成像特徵會產生繞射效應,這可辦進=出,惟”接近待 徵清晰。第三個可能性係使互補才:移光罩,二:使微細特 電場振幅1 8 0度(而非如一# # 錯由對應相移 對應調變電場振幅),建立光罩情形,藉由 效用在於,;線及空間之特徵界定,其 進衫像對比度及焦深,俾線又刀佈,攸而增 ::方法均未臻理想,且亦證明所費不貲。 i:目的在於至少部份消除至少-此上述門靡 料層之基材上…,丄;=像於-設有-光敏材 一次曝光俾該圖案部份成像之步驟; :苐一次曝光俾該圖案部份成像之步驟; /、中至少該第一及第二次曝光步驟之一 偶極強度分佈之照射模式來進行。 吏用/、有大致 如使刻可藉由特徵大小減小及/或諸 處理、焦深和鄰近效應之 之光罩來^行。‘…吏用改進之光學措施及/或輔以繞射 中根二:Γ微影姓刻投影裝置之製造方法 ^ ^) t ΛΛ"/^- ^ ^ ^ ^ ( ^设皿之基材上,於此成像步驟之前,美 如主以底漆、抗蝕層塗佈及軟扭土 仃诸 基材可交付豆仙μ , 烤種種程序。於曝光後, 私序,例如後曝光(ΡΕΒ)、顯像、硬烘烤 587199 五、發明說明(4) ί成(檢驗。4-系列程序用來作為將-元 著淮t 1 別層圖案化之基礎。此一圖案化層可接 機械^光等刻:離子佈植(摻雜)、金屬化、氧化、化學 需要^ 思種長序’所有程序均旨在完成一個別層。若 而要若干層,Mac西 層。m 4 p須反復全部程序或其變化來製造各個新 諸如二或m?:出現在基材(晶圓)上。接著藉由 安裝於等元件相互隔開,㈤別元件可 =訊可例如得自彼得凡占特著,麥此等程序之進一步 造 三版之「微晶片製 出版,1997,ISBN 〇-〇7 - 067250M,Ϊ羅希爾出版公司所 本文,然特別指出本發明之方 ^ 不吕而喻,此裝置具有其他用、余、置使用於IC製造, 也光學系統,磁疇記憶體用導引及= ' 例如,其可用於積 ,、薄膜磁頭等。熟於此技藝人士二甽圖案、液晶顯示 途,本文所用「初縮掩膜版:知,按照此種不同用 日日圓,$ 「忌Μ ,諸詞 半導體加工實用導引」書籍 第 或「晶片 基#」及「目標區 杆分別代之以更泛用之「光罩 域」語詞 簡單說明 紙参考附圖,單純例示說明本發明*〜 圖1圖解離軸照射原理; 邊實施例’其中: 圖2 ( a)至2 (d)略示不同照射模式 圖3顯示有關不同照射模式之曝6強度分佈; 圖4係顯示不同照射模式之曝光* ^各度之計算結果; i各度判定之實驗結果 587199 五 、發明說明 (5)
之圖表; 圖5顯示/使用線性偏振光來進行至少一偶極曝光之配 置; 一一 圖6顯系使用一不同偏振位向進行之偶極曝光之對比度 結果(透過線圖所作強度繪圖);以及 圖7顯示/用來將一圖案成像於一可實施本發明之基材 之裝置。
於光學微影蝕刻方面已知使用偏軸照射,其可將較小特 徵成功成像。藉由此技術,以非垂直角度照射光罩,特別 的是,其藉由增加焦深及/或對比度增進加工寬容度。 圖1圖解輻射光束1 0相對於光軸成9 〇。 α,即傳統上垂 直地入射於光罩1 2上之原理。待成像於晶圓1 4上之光罩i 2 之特徵繞射入射光束1 0。圖1顯示零級及二個第一級繞射 光束(0,土 1 )。例如於相干之至少部份零級及第一級之— 可 光束為投影透鏡1 6捕獲且用來形成圖案在晶圓丨4上時 達成效能增進。 光罩12上特徵之間距愈小,繞射角万即愈大。若特徵
1 fi i、f*少及/或其密度增加過度,即會造成投影透鏡系 ^先瞳角也無法捕獲,繞射級以上之光束。於實用系 二決定光源之部份相干性之孔徑角α範圍,並因此 為=優質,例如曝光寬容度、焦深及鄰近效應而言, :重::孔徑“之分佈可藉由將其視為轄射源之強度 或者相等地,視其為投影透鏡系統之光瞳平面内之
587199 五、發明說明(6) 度分佈來想像(且僅盯視零級繞射輻射 圖2顯示不同照射模式之強度分佈(或光,、罩特徵者)。 空情形)。陰影區域指示顯著輻射強度里;投影透鏡佔 土心-之距龜與入—α…有jil &域。距光曈之 圖2(a)顯示以圖式中箭頭表示之參數σ χ 6 …奶 模式。傳統上,σ值係照射強度圓盤半徑相二::::、射 之比且因此其值在〇與i之間。 ;先目里半徑 圖2 ( b)顯示一環形照射模式,其中侷 之入射角範圍,須知,於光瞳平面空間 '限^制離軸照射 罩平面之角度分佈有關。環形為值σ i及σ ς t佈與於光 内徑及外徑相對於光瞳半徑之比。 q汀界定’其為 圖2 ( c)顯示一四極照射模式之強度分佈, 所得成像效果一般說來優於使用環形或圖般 =種模式 統上,在使用此種四極配置時假設待投景彡‘昇式者。傳 ,軸正交之、線,且照射之位向定成,四極各罩位圖上由沿X 為X、y軸及其交點界定的四個象限中的一 ;刀別 惟,經察使用偶極照射模式可獲得較 限中。 運用此一事實。 v放月匕,且本發明 圖2(d)顯示一偶極模式之照射強度分佈之 =二極位於成像系統之光軸外。為了於以下說。此模式 2(d)所不二極位於x軸,且最好想像平行於,,稱圖 於連接二極之轴之線(右亡μ , 亦即垂古 古他丄m 、、泉(有呤候x與y軸分別稱為水平只I直 直,惟此用詞典型地與機器之位向無關)。 及垂 圖3 顯不圖 η a ua)至(d)所不四個照射模式之夂 _ D衩式所用〜
第10頁 587199 五、發明說明(7) ,良曝光寬容度指示器,即正插 就y方向之不同間距之線性 α影像對數斜率計(N丨LS) 表中,標示a、b、C及d之線:^、作计算結果。於圖3之圖 射模式。各計算假設一〇· 7(Na 1應於圖2(a)至(d)之照 統模式為σ=〇·85之值,且其於严7j=數值孔徑,其於傳 (d)模式為CT() = 〇· 85及σ^〇. 55之衣值' 、四極(c)及偶極 量可甘知7極照射/I用模擬NILS曝光寬容度所用測 H V、❿照射才莫式就遠近解析極限P。之間距所得者。 別下照射模式··環形(b)、四極(C)及偶極(㈨分 m 實驗觀察所得曝光寬容度。數值孔徑及π值 ^ "斤不之杈擬結果相同。於圖4中經觀察其傾向與圖3 目同’且顯然地’就接近解析極限之間距而言,一偶極模 式(d)顯示其具有較優曝光寬容度。 吴 士偶極照射模式之進一步優點在於其操作接近解析極限 4 ’提供一較藉由四極照射可得焦深優異之焦深。就1 : 1 光密線而言,四極照射於: σ
Center(中心)一 丄迟 lw^naJ 4
時’獲得最佳焦深,偶極照射於; -丄 σ center^ LW1^NaJ 4 時’獲得最佳焦深,其中Jcenter :( crQ+ σι)/2,NA=數值孔 徑,λ =波長,且LW=線寬。 -
第11頁 587199 五、發明說明(8) 解析線寬LW^以 接近%析極限時,可 4 LW, 义不於其,入以上式子時,四極照射需要一大於1之 °*center值^來獲付取大焦深;惟由於大於丨之值於物理 上不可月b,故就接近解析極限之構而隹 深,以偶極照射模式較佳。 巧P取人…、 實施例2 本舍明方法之一較佳實施例传传 ― 爽淮分- AI .貝他列加便用一分別垂直偶極圖荦 進仃一-人曝光。弟一次曝光用來將平行於 、 罩特徵成像,且,使用另一偶極禮 Μ 、弟方向之光 直於楚卡^ 便用另偶極杈式之第二曝光用來將垂 直於弟一方向之光罩特徵成像。 木竹ΐ 於一特定實施例中使用二不同光罩, 罩,且二光罩之影像重疊產生 吏用一種光 直之偶極照射模式之間變換以及於 二、才互垂 變換可獨立選擇各曝光所用偶極模 f 了 =曝光之間 〜及h等,俾最佳化平行於與垂直H特疋/考,例如 小之曝光。 且於弟一方向之構造大 於另一實施例中使用一單一光罩 次圖案;而後使用此等次圖案之—於^罩3有二不同 第二次圖案則用於上述第二次曝光。^弟一次曝光,而 根據上述方法,使用二偶極曝光 士 無需如此。典型地,使用一偶極照射二j連績曝光。惟其 果式沿一方向將圖案
587199 五、發明說明(9) (之圓取般重肤要特徵成像,另一曝光可使用四極、環形或傳統 當:二射模式就剩下的構造來進行。二次曝光之順序 暖;、I倒,且的確可使用至少二次曝光來建立至少二次 4。/形成早一圖案,只要其一使用一偶極照射模式即 草二其在最Λ單形式中,為了僅將水平及垂直線成像,二光 計,可使用軟體來將圖案分解:二::::複雜光罩設 光罩圖案之傅立葉變換 二-人,。可使用 極2射模式來進行此曝光。·.'取重要方向,且可使用-偶 本發明另一實施例使用一「 偶極曝光。一軟偶極模 彳偶極」照射模式於至少- 的某些特徵,例如對角線式別適於將包含未位於X或y方向 模式的某些例子包含如圖^曲線的圖案成像。軟偶極照射 弱一般背景照射,或具^ 所示,惟具有一亙光瞳之較 基本偶極強度分佈1 ^者:離軸極以外之一較弱同軸極之 二個強強度極及二個^ =類似於一四極照射式,惟具有 又極。 於本發明一特定實施例中 少一偶極曝光。於一特殊使用偏振電磁輻射來進行至 笔%大致垂直於連接偶極。中’電磁輕射線性偏振,俾其 接著大致垂直於待成像=f案中二(主)極)之軸;若此軸 、 特定曝光(如以上所述)之光罩
587199 反、發明說明(10) , __ 圖案,該電場即大致 - 效率,特別是大幅姆、'fe f於此等特徵。這可大幅增進曝光 於-特定實施例c度。 射模式來進行,成像於M t第二次曝光二者使用偶極照 於第二曝光者,且用於弟一次曝光之特徵大致重直於成像 偶極)之軸大致垂直於;各曝光偶極照射模式中之連接(主) 振幅射進行曝光,且_ 4像於此曝光之特徵,接著使用偏 配置可帶來特別優異ϋ曝光之偏振方向相互垂直。此種 圖5示意圖示使用一刀 具有二極3及5之偶極照"%射模式之影像投影。使用一 光罩圖案之影像投射一=:,經由一投影系統PL,將— 案僅包含(大致)沿2方' Β曰圓W。如此處所說明,光罩圖 因此,此等特徵』直。f直於圖之平面)伸延之特徵9 ;
延)。較佳地,來自日/1+ m接—極3、5之軸7(軸7沿x方向伸 方向定向,亦即垂直輕射線性偏振’其電場沿Z 惟於此配合圖6說明俾供參考松式於發明中亚非較佳者, 圖6顯示使用一投影车 蝕刻投影裝置所得對比度社果—數值孔徑NA=0.6之微影 ㈣及kl = 0,3之投。影。此圖有關248錢(D”), 影像平面中沿垂直於待成像之波長。此圖顯示-點探針於 之強度。沿圖6之水平車由特徵之方向掃描所測得 Λ、、、内未·定該探針之位置。二曲
$ 14頁 5S7199 五、發明說明(11) 線A、B分別指上述偏振模式Α、β。1 ^^' 對比度遠優於偏振模式6。同樣地,相H,偏振模式Α之 用=發明使用偏振满帶;照射 於本發明一特定實施例中,使 如圖1所示線-空間转饩七炎宏茲山 旱 亦即 姓入 H欲之界疋稭由對應相移電場振幅180 度^ 一對應及適當選擇之電場振幅衰減來建立之光 I!痒進行f少7,極曝光。▲了獲得最佳對比度及處理寬 =又,可遥擇該衰減。使圖丨所示零級能量及正一級繞射 ^束(〇 ’+1)大約相等或相f。例如,以0 5負載循環,藉 具有零衰減之零級相移, 度二:具有強度衰減=0.04 9 (即°.2 22之振幅衰減)之18() 建立一線—空間界定, 射光束產生相等強产。驻、蜗上於圖1之零級與正一級繞 鉻線空間圖案之“12日::實施例消除於使用-具有二元 級繞射光束間能量差昱:j可能發生之圖1中零級與正一 iJllLG ,、之有害作用。 微影钱刻投影裝置之 ^ 件,其經常包含數十個扣=系統一般係一高精密設備組 位之個別光學元件。°,精密設計、機製、最加工及定 -般仍會受殘留光學缺s就算是最仔細料之投影系統’ 害。此等缺點造成影像二:如像散、蓉差、場曲率等之 篆力化,而這可能導致以相關微蝕刻
第15頁 587199 五、發明說明(12) 裝置製出劣等或者甚至於不合格品。結果,有一(至少局 部)修正此像差之重要誘因。於像散情形下,本發明提供 一種針對此問題之有力、有效、絕佳解決。 於此定義下,投影系統内出現像差會造成,於不同焦面 内有在一垂直於此系統光軸之物平面内成不同角度定向之 線。尤詳而言之,若一待像差投影系統投影之影像含有沿 相互垂直,不同的第一與第二方向伸延的線,供線沿第一 方向伸延之焦面即不會與供線沿第二方向伸延之焦面一 致。因此,若一含有此等線之光罩圖案於一單一步驟成像 在一基材,所有線即無法清晰聚焦於基材;這會導致影像 模糊。 本發明藉由於二不同步驟:一供線沿該第一方向伸延之 第一步驟及一供線沿該第二方向伸延之第二步驟將一光罩 圖案成像,防止此問題。可例如藉由相對於投影系統位移 或傾置基材台,或位移投影系統中至少一光學元件,使用 所提供致動器,等,於此二步驟之間,調整投影裝置之焦 點。這確保沿第一及第二方向二者伸延之線之最佳焦點, 藉此抑制像差於投影系統内之效應。 實施例7 茲參考圖7說明用以實施本發明之微影蝕刻裝置反覆地 將一光罩Μ (例如一初縮掩膜版)成像於一基材W (例如一塗 佈抗I虫層之晶圓)之情形。此處圖示之特定裝置係透射 型;惟其亦可例如為反射型或反折射型。此裝置包括一含 一輻射源之照射殼體LH以及一用來供應一照射光束I Β之照
第16頁 587199 五、發明說明(13) 射系統。此光束通過一光欄D R,且接著入射於配置在—光 罩台MT上之光罩Μ。此光罩台MT構成亦併設一投影透鏡系 統P L之投影柱列P C之一部份,此投影透鏡系統P L包括複數 透鏡元件,其僅有二個h及1^顯示於圖7中。投影透鏡系統 將光罩Μ成像於設有一光抗姓層(未圖示)之基材^上。供應、 基材於一基材支座WT上,此基材支座WT形成一例如置於: 點軸承WC之一部份。投影透鏡系統例如具有一放大率 二 毫 M=l/5,一數值孔徑NA>〇 48,以及一 米)之繞射限制像場。基材台WT例如藉一於下側閉塞 柱列PC之石墨基板BP支承。 的 ,材可藉助於基材台沿X、y及z方向位移並繞z軸旋轉。 此寻調整藉諸如一聚焦伺服系統,譬若一與基材支座合 ΐν準y之Π步儀系,統’以及一可使光罩胃記與基材°標 示於圖7中上統等種種系統來控制。此等飼服系統未圖 ΑΒι、AB2)。 ”僅圖示對準系統之對準光束(具有主射線 每二待形成於基材上之1。數成像若干次, 豕%暴材之一不同目標部份上。 _不之裝詈可田 衣罝了用二不同模式: 於步進模式Φ ^ 圖案—次(即一基本上保持光罩台WT固定,且整個光罩 WT接著沿χ及 ^次「閃光」)投影於一目標部份。基材台 I Β照射。 或丫方向位移,俾一不同目標部份可藉光束 於知描模式中 除了 一給定目標部份未於一單次「閃
第17頁 587199 五、發明說明(14) 光」 ,光 罩台ΜΤ 可 以 速 ’例如X方向) 移 時, 基材台WT 以 如 1/5), 沿 相 同 度即 可使一 較 大 § 射過 為止。 器(未圖示) 5 其 用 οσ 一早- -光罩Μ 具 有 一 光罩 ,使該 二 圖 案 部份 可使用 第 一 光 光」中曝光外,基本上情形相同。 f沿'給定方向(所謂的「掃描方向:::罩台^以速 動’俾投影光束IB掃描—光罩影像士例如x方合“ V·速度,其中Μ為透鏡PL之罩二 或反對方向移動。如此.大羊(例如心"5 標部份曝光。 ^覆進行此等程序迄基材所有區域照射 實施本發明之裝置進一步包括— 〇 來轉換第一與第二光罩Μ ;替代地,於—單_ 不同光罩圖案情形下,轉換器用來移動光罩 i(一束1… 罩-欠圖:,並接著轉換第一與第二光罩(或光 來-曝:U材的目標部份全部使用第二光罩(次圖案) (或井置代地,在移動基材台俾使用第—及第二光罩 一 _人圖案)將一不同目標部份成像之前,一給定目严 第一,第二光罩(或光罩次圖案)連續曝光’ / :、私且。曰刖,較佳地,使用例如菲湼耳分節透 2 ^或電腦產生之全息圖之繞射光學元件來產生偶極昭 :::可使用諸如孔徑板或插入葉片之其他裝i。較佳… !ί ΐ系統包含一旋轉三稜鏡/變焦鏡頭模組或諸如光 干貝为=之其他光學組件。·照射系統可就第一與第二曝光 於不同照射模式間切換,且較佳地,可就各曝光,獨立選 擇各模式之參數,例如σ Q與σ i。- 日3 it ;r + *明之裒置之照射系統包含用來界定偶極和其他 知、射&式之裝置。目前,軔几iL 戌m "丨,^ 一 一
587199 五、發明說明(15) 此照射系統之進一步細節例如揭露於E P - A - 0 6 8 7 9 5 6及 EP-A-0-949 541中,且本文提及此二案備供參考。 以上固然說明本發明之特定實施例,惟須知,本發明可 不依前述予以實施。
第19頁
Claims (1)
- 587199 _案號89119139_年 J月ΖΓ日 委替換本 六、申請專利範圍 了士年3月’曰 1 . 一種將一圖案成像於一設有一能量敏感材料層之基材 之方法,包括以下步驟: 進行第一次曝光俾該圖案部份成像之步驟; 進行第二次曝光俾該圖案部份成像之步驟; 至少該第一及第二次曝光步驟之一步驟使用一具有實質 上偶極強度分佈之照射模式來進行。 2 .如申請專利範圍第1項之方法,其中該第一次及第二 次曝光步驟之其中一步驟使用一具有實質上為偶極、四 極、環形及圓盤狀之一的強度分佈。 3 .如申請專利範圍第1或2項之方法,其中使用不同光罩 來界定各該第一及第二次曝光步驟所形成之圖像。 4.如申請專利範圍第3項之方法,其進一步包括於該第 一次及第二次曝光步驟之間互換光罩之步驟。 5 .如申請專利範圍第1或2項之方法,其中使用一具有至 少二個次圖案之光罩於第一及第二次曝光,使用該等次圖 案的第一個來界定第一次曝光所形成之影像,並使用次圖 案的第二個來界定第二次曝光所形成之影像。 6 .如申請專利範圍第1項之方法,其中使用偶極照射模 式或其各個模式來將實質上垂直於連接偶極模式或其各個 模式中二極之軸的圖案中線性特徵成像。 7.如申請專利範圍第6項之方法,其中偶極照射模式曝 光或其各個曝光所用個別光罩或光罩次圖案實質上僅界定 實質上垂直於連接偶極模式或其各個模式中二極之軸的圖 案特徵。O:\66\66429-930325.ptc 第21頁 587199 _案號 89119139_年月日__ 六、申請專利範圍 8 .如申請專利範圍第1項之方法,其中偶極照射模式強 度分佈或其各個分佈包括二較強極,並進一步包括以下至 少一個:一較弱中心極;另二較弱極;以及一般較弱之背 景強度。 9 ·如申請專利範圍第1項之方法,其進一步包括於該第 一與第二步驟之間改變極之徑向位置、大小及強度之至少 一因素之步驟。 1 0.如申請專利範圍第1項之方法,其中該第一與第二次 曝光二者使用偶極照射模式來進行,且其中二偶極模式之 軸實質上相互垂直。 1 1.如申請專利範圍第1項之方法,其中使用一具有一實 質上偶極強度分佈之照射模式之來進行之曝光或各個曝光 使用偏振電磁輻射來進行。 1 2.如申請專利範圍第1 1項之方法,其中偏振輻射線性 偏振。 1 3.如申請專利範圍第1 2項之方法,其中輻射如此偏 振,俾具有一實質上垂直於連接偶極強度分佈或其各個分 佈中二極之軸之電場分量。 1 4.如申請專利範圍第1項之方法,其申於第一次與第二 次曝光之間調整基材上之圖案之焦點,藉此確保第一與第 二次曝光二者於實質上最佳焦點進行。 1 5 ·如申請專利範圍第1項之方法,其中使用一具有一實 質上為偶極強度分佈之照射模式之曝光或其各次曝光使用 一衰減相移光罩來進行。O:\66\66429-930325.ptc 第22頁 587199 _案號 89119139_年月日__ 六、申請專利範圍 1 6.如申請專利範圍第1 5項之方法,其中如此選擇衰 減,俾於零級與一次繞射光束自該圖案射出並為一用來將 圖案成像於基材之投影系統捕獲時,平衡其輻射能。 1 7. —種元件製造方法,包括以下步驟: 提供一至少部份為一光敏材料層覆蓋之基材之步驟; 提供至少一光罩以界定一圖案之步驟;以及 使用申請專利範圍第1至1 6項中任一項之方法,將該光 罩圖案之至少一部份成像於該基材之步驟。 1 8. —種根據申請專利範圍第1至1 7項中任一項之方法製 造之元件。 19. 一種用來將一圖案成像於一設有一能量敏感材料層 之基材之裝置,該裝置包括: 一照射系統,用來界定第一及第二照射模式; 一投影系統,用來將一光罩所界定該圖案之一部份成像 於該基材上;以及 一轉換器,用來於第一與第二光罩間變換; 至少該第一與第二照射模式之一為偶極,且該裝置配置 成藉由使用第一、第二照射模式及光罩之二次曝光將該圖 案成像。 20. —種用來將一圖案成像於一設有一光敏材料層之基 材之裝置,該裝置包括: 一照射系統,用來界定第一及第二照射模式; 一投影系統,用來將一光罩所界定該圖案之一部份成像 於該基材上;以及O:\66\66429-930325.ptc 第23頁 587199 _案號89119139_年月日_iMz_ 六、申請專利範圍 一用來相對於投影系統移動光罩,俾確實地將位於光罩 上不同位置之第一及第二光罩次圖案定位於自照射系統射 出之輻射光束下; 至少該第一與第二照射模式之一為偶極,且該裝置配置 成藉由使用第一、第二照射模式及光罩之二次曝光將該圖 案成像。 2 1.如申請專利範圍第1 9或2 0項之裝置,其中該照射系 統包括至少一用來界定該第一及第二照射模式之繞射光學 元件。O:\66\66429-930325.ptc 第24頁
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP99307686 | 1999-09-29 | ||
EP99203704 | 1999-11-07 | ||
EP00200184 | 2000-01-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW587199B true TW587199B (en) | 2004-05-11 |
Family
ID=27223222
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW089119139A TW587199B (en) | 1999-09-29 | 2000-09-18 | Lithographic method and apparatus |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6855486B1 (zh) |
JP (1) | JP2001126983A (zh) |
KR (1) | KR100592582B1 (zh) |
TW (1) | TW587199B (zh) |
Families Citing this family (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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SG137657A1 (en) * | 2002-11-12 | 2007-12-28 | Asml Masktools Bv | Method and apparatus for performing model-based layout conversion for use with dipole illumination |
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- 2000-09-18 TW TW089119139A patent/TW587199B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-09-28 JP JP2000297013A patent/JP2001126983A/ja active Pending
- 2000-09-28 KR KR1020000057028A patent/KR100592582B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-09-28 US US09/671,802 patent/US6855486B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001126983A (ja) | 2001-05-11 |
KR20010050706A (ko) | 2001-06-15 |
US6855486B1 (en) | 2005-02-15 |
KR100592582B1 (ko) | 2006-06-26 |
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