JPS59160134A - 照明光学系 - Google Patents
照明光学系Info
- Publication number
- JPS59160134A JPS59160134A JP58035360A JP3536083A JPS59160134A JP S59160134 A JPS59160134 A JP S59160134A JP 58035360 A JP58035360 A JP 58035360A JP 3536083 A JP3536083 A JP 3536083A JP S59160134 A JPS59160134 A JP S59160134A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light source
- wavelength
- collimator lens
- optical system
- luminous fluxes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Light Sources And Details Of Projection-Printing Devices (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は所定のパターンを転写する為の照明光学系、特
に、ＩＣパターンをマスクからウェハーへ転写する為の
マスク照明光学系に関する。
に、ＩＣパターンをマスクからウェハーへ転写する為の
マスク照明光学系に関する。
近年、半導体集積回路は高密度化、高速度化の要求に従
って、その中に含まれる素子の寸法は微細化の傾向にあ
り、ウエノ・−上に転写する線幅も数ミクロンから１〜
２ミクロン、更にサブミクロンへ移行しつつある。
って、その中に含まれる素子の寸法は微細化の傾向にあ
り、ウエノ・−上に転写する線幅も数ミクロンから１〜
２ミクロン、更にサブミクロンへ移行しつつある。
マスクパターンの焼付方法から言えば、マスクとウェハ
ーを密着させて重ね焼きを行なうコンタクト法および、
マスクとウエノ・−を数ミクロンから数十ミクロン離し
てマスクを照明するプロキシミテイ法からマスク上のパ
ターンを投影光学系を用いてウエノ・−面へ転写するプ
ロジェクション法、さらにステップアンドリピート法へ
の移行となるが、コンタクト法、又はプロキンミテイ法
はスループットの高さ、焼付装置の完成度から現在なお
、量産用半導体素子の焼付方法として主流となっている
。
ーを密着させて重ね焼きを行なうコンタクト法および、
マスクとウエノ・−を数ミクロンから数十ミクロン離し
てマスクを照明するプロキシミテイ法からマスク上のパ
ターンを投影光学系を用いてウエノ・−面へ転写するプ
ロジェクション法、さらにステップアンドリピート法へ
の移行となるが、コンタクト法、又はプロキンミテイ法
はスループットの高さ、焼付装置の完成度から現在なお
、量産用半導体素子の焼付方法として主流となっている
。
コンタクト法の解像力は前記の焼付方法の中で最も優れ
ているものの、ウェハー及びマスクの反シ、レジスト層
塗布の不均一性から密着性に問題があり、また直接接触
させる事によって膜面の負傷が起こり易く、生産の歩留
剤りを低下させる。特にパターンが微細化するに従い、
膜面の僅かな損傷も致命的な欠陥となり得るので、微細
パターンの転写にコンタクト法を用いるのは問題が多い
。一方、プロキシミティ法はマスクとウェハーが非接触
である為に原理的にはマスク膜面の損傷は生じ無いが、
マスクとウェハーの間で生じる回折が像に悪影響を与え
解像力が不足する。
ているものの、ウェハー及びマスクの反シ、レジスト層
塗布の不均一性から密着性に問題があり、また直接接触
させる事によって膜面の負傷が起こり易く、生産の歩留
剤りを低下させる。特にパターンが微細化するに従い、
膜面の僅かな損傷も致命的な欠陥となり得るので、微細
パターンの転写にコンタクト法を用いるのは問題が多い
。一方、プロキシミティ法はマスクとウェハーが非接触
である為に原理的にはマスク膜面の損傷は生じ無いが、
マスクとウェハーの間で生じる回折が像に悪影響を与え
解像力が不足する。
プロキシミティ法によるパターン像の最小線幅Ｗは
Ｗ−１５ノＬ滲−
６・・・・曲 （１）
によって与えられる。（１ＥＥＥ、 ＥＤ−２８、扁１
１．１２６８〜１２７８）″ここで、Ｓはマスクとレジ
スト面間の距離、λは焼付波長である。（１）式からプ
ロキシミティ法の解像力を上げるだめには波長を短かく
するか、ギャップ量Ｓを小さくすれば良いことがわかる
が、ウェハー及びマスクの反りの為にギャップ量は余り
小さくはできず、焼付波長を短かくするのが望ましい。
１．１２６８〜１２７８）″ここで、Ｓはマスクとレジ
スト面間の距離、λは焼付波長である。（１）式からプ
ロキシミティ法の解像力を上げるだめには波長を短かく
するか、ギャップ量Ｓを小さくすれば良いことがわかる
が、ウェハー及びマスクの反りの為にギャップ量は余り
小さくはできず、焼付波長を短かくするのが望ましい。
実際、ブロキシミティ法に用いられる波長も３６５ ｎ
ｍ〜４３６ ｎｒｌの所ＨＮＵＶ光がら２５０ｎｍ 〜
２９０ｎｍのＤｅｅｐＵＶ光へと短かくなってきている
。しかし、光源として用いられる超高圧水４Ｊ、！ラン
プあるいはキセノン・マキユリ−ランプでは、ＵＶ領域
のエネルギーに比べ、Ｄｅｅｐ Ｕ Ｖ領域のエネルギ
ーが小さく、フォトレジストの感度もＤｅｅｐＵＶ−領
域では低い為に、ＤｅｅｐＵＶ光を用いた焼付では露光
時間が長くがかりスループットが低い。
ｍ〜４３６ ｎｒｌの所ＨＮＵＶ光がら２５０ｎｍ 〜
２９０ｎｍのＤｅｅｐＵＶ光へと短かくなってきている
。しかし、光源として用いられる超高圧水４Ｊ、！ラン
プあるいはキセノン・マキユリ−ランプでは、ＵＶ領域
のエネルギーに比べ、Ｄｅｅｐ Ｕ Ｖ領域のエネルギ
ーが小さく、フォトレジストの感度もＤｅｅｐＵＶ−領
域では低い為に、ＤｅｅｐＵＶ光を用いた焼付では露光
時間が長くがかりスループットが低い。
プロキシミティ法で効率良くパターンの転写を行なう為
には、高解像力を必要としないあらいパターンに対して
は焼付波長としてＵＶ光を用い、高い解像力を必要とす
るパターンには、Ｄｅｅｐ”Ｕ Ｖ 光を用いれば良く
、従来はＵＶ照明光学系とＤｅｅｐＵＶ照明光学系の焼
伺波長の異なる２種類の照明光学系を用いてこれを行っ
てきた。
には、高解像力を必要としないあらいパターンに対して
は焼付波長としてＵＶ光を用い、高い解像力を必要とす
るパターンには、Ｄｅｅｐ”Ｕ Ｖ 光を用いれば良く
、従来はＵＶ照明光学系とＤｅｅｐＵＶ照明光学系の焼
伺波長の異なる２種類の照明光学系を用いてこれを行っ
てきた。
本発明の目的は同一の照明光学系を用いて照度ムラを僅
少に保ちっつＵＶ領域からＤｅｅｐＵＶ領域における広
い波長域での焼付波長の選択が行なえる照明光学系を供
給することにあり、そのため２次光源発生用の多光束発
生用光学素子を光軸方向に移動（光学的に同等の作用を
持たせる場合を含む）すること、及び波長選択用素子を
入れ変えることによって、簡単に波長を変えて焼付ける
ことが可能となった。
少に保ちっつＵＶ領域からＤｅｅｐＵＶ領域における広
い波長域での焼付波長の選択が行なえる照明光学系を供
給することにあり、そのため２次光源発生用の多光束発
生用光学素子を光軸方向に移動（光学的に同等の作用を
持たせる場合を含む）すること、及び波長選択用素子を
入れ変えることによって、簡単に波長を変えて焼付ける
ことが可能となった。
以下、第１図に従って本発明の詳細な説明する。図中１
は光源、２は光源から放射された光束を効率良く集光す
る為の楕円ミラーで、その第１焦点に光源１が位置する
ように配置され、光源から放射された光束をその第２焦
点に集光している。３は多層干渉薄膜の様な波長選択用
ミラー、４は楕円ミラーの第１焦点から放射し、楕円ミ
ラー２、波長選択用ミラー３によって反射されてきた光
束をコリメートする為の発散性コリメーターレンズで、
その後側焦点は楕円ミラーの第２焦点に一致している。
は光源、２は光源から放射された光束を効率良く集光す
る為の楕円ミラーで、その第１焦点に光源１が位置する
ように配置され、光源から放射された光束をその第２焦
点に集光している。３は多層干渉薄膜の様な波長選択用
ミラー、４は楕円ミラーの第１焦点から放射し、楕円ミ
ラー２、波長選択用ミラー３によって反射されてきた光
束をコリメートする為の発散性コリメーターレンズで、
その後側焦点は楕円ミラーの第２焦点に一致している。
５はマスク面上に照射されるエネルギーを制御する為の
シャッターである。６は配光特性の均一な二次光源を形
成する為の多光束発生用光学素子で、集光性コリメータ
ーレンズ８とともにマスク面９を均一に照明するもので
ある。７は照明光学系全体をコンパクトにまとめる為の
平面ミラー、８はマスク面９を所望の集光角でムラ無く
照明する為の集光性コリメーターレンズで、該集光性コ
リメーターレンズの前側焦点位置は多光束発生用光学素
子６により形成された二次光源に一致している。９は転
写すべきパターンが描かれたマスク面、１０はマスク面
から数μ〜数十μの距離を保ち、マスク面に平行に配置
されたウェハー面より成る。
シャッターである。６は配光特性の均一な二次光源を形
成する為の多光束発生用光学素子で、集光性コリメータ
ーレンズ８とともにマスク面９を均一に照明するもので
ある。７は照明光学系全体をコンパクトにまとめる為の
平面ミラー、８はマスク面９を所望の集光角でムラ無く
照明する為の集光性コリメーターレンズで、該集光性コ
リメーターレンズの前側焦点位置は多光束発生用光学素
子６により形成された二次光源に一致している。９は転
写すべきパターンが描かれたマスク面、１０はマスク面
から数μ〜数十μの距離を保ち、マスク面に平行に配置
されたウェハー面より成る。
光源１から発散した光束は楕円ミラー２により無駄無く
集められ、波長選択用ミラー３で所望の波長域のみが取
シ出される。次に、発散性コリメーターレンズ４により
平行光束となって多光束発生用光学素子６の前側端面を
照明する。
集められ、波長選択用ミラー３で所望の波長域のみが取
シ出される。次に、発散性コリメーターレンズ４により
平行光束となって多光束発生用光学素子６の前側端面を
照明する。
第１図では多光束発生用光学素子としてオプティカルイ
ンチブレター゛を用いであるので、該多光束発生用光学
素子６の後側端面に配光特性の均一な２次光源が形成さ
れることになり、該２次光源よシ発散した光束は集光性
コリメーターレンズ８によシ平行光束となってマスク面
９を均一に照明する。
ンチブレター゛を用いであるので、該多光束発生用光学
素子６の後側端面に配光特性の均一な２次光源が形成さ
れることになり、該２次光源よシ発散した光束は集光性
コリメーターレンズ８によシ平行光束となってマスク面
９を均一に照明する。
グロキシミテイ法ではマスク面とウエノ・−面が非接触
で配置されている為、第２図に示す様に２次光源１１の
中心から発散した光線とマスク面９の法線のなす角（以
後この角を主光線の傾き角と呼ぶ）が大きい場合にはウ
エノ・−面上の像の歪みとなるので、主光線の傾き角を
小さくおさえることは設計上極めて重要な項目となって
いるが、主光線の傾き角は集光性コリメーターレンズ８
の球面収差、焦点距離及び２次光源１１と集光性コリメ
ーターレンズ８の間隔によって一意的に決まり、波長が
決まれば集光性コリメーターレンズ８の焦点距離は決定
してしまうので、広い波長域において主光線の傾き角を
小さく保つことはできない。本実施例では波長による集
光性コリメーターレンズの焦点距離の変化を補正する為
に多光束発生用光学素子６を光軸に沿って移動し、該多
光束発生用光学素子６と該集光性コリメーターレンズの
間隔を可変とすることで広い波長域で主光線り傾き角を
小さく保つことに成功している。第３図７５蔦ら第５図
にはこの作用が示しである。第３図では、例えばＵＶ領
域で主光線の傾き角を補正した状態で、簡単の為にコリ
メーターレンズ８の球面収差を零とすれば、２次光源と
コリメーターレンズ８の間隔がコリメーターレンズの焦
点距離に等しい場合に主光線の傾き角は零となる。この
状態で波長選択用ミラー３を交換し、使用波長をＤｅｅ
ｐＴＪＶにするとコリメーターレンズの焦点距離はＵＶ
の場合よりも短かくなり、主光線の傾き角は大きくなっ
てマスク上のノ（ターンは縮んでウエノ・−上に転写さ
れる。これを補正する為に多光束発生用光学素子６を光
軸に沿ってコリメーターレンズ側に移動し、コリメータ
ーレンズと２次光源の間隔をコリメーターレンズの焦点
・距離に等しくしてやれば主光線の傾き角を小さくする
ことができる。
で配置されている為、第２図に示す様に２次光源１１の
中心から発散した光線とマスク面９の法線のなす角（以
後この角を主光線の傾き角と呼ぶ）が大きい場合にはウ
エノ・−面上の像の歪みとなるので、主光線の傾き角を
小さくおさえることは設計上極めて重要な項目となって
いるが、主光線の傾き角は集光性コリメーターレンズ８
の球面収差、焦点距離及び２次光源１１と集光性コリメ
ーターレンズ８の間隔によって一意的に決まり、波長が
決まれば集光性コリメーターレンズ８の焦点距離は決定
してしまうので、広い波長域において主光線の傾き角を
小さく保つことはできない。本実施例では波長による集
光性コリメーターレンズの焦点距離の変化を補正する為
に多光束発生用光学素子６を光軸に沿って移動し、該多
光束発生用光学素子６と該集光性コリメーターレンズの
間隔を可変とすることで広い波長域で主光線り傾き角を
小さく保つことに成功している。第３図７５蔦ら第５図
にはこの作用が示しである。第３図では、例えばＵＶ領
域で主光線の傾き角を補正した状態で、簡単の為にコリ
メーターレンズ８の球面収差を零とすれば、２次光源と
コリメーターレンズ８の間隔がコリメーターレンズの焦
点距離に等しい場合に主光線の傾き角は零となる。この
状態で波長選択用ミラー３を交換し、使用波長をＤｅｅ
ｐＴＪＶにするとコリメーターレンズの焦点距離はＵＶ
の場合よりも短かくなり、主光線の傾き角は大きくなっ
てマスク上のノ（ターンは縮んでウエノ・−上に転写さ
れる。これを補正する為に多光束発生用光学素子６を光
軸に沿ってコリメーターレンズ側に移動し、コリメータ
ーレンズと２次光源の間隔をコリメーターレンズの焦点
・距離に等しくしてやれば主光線の傾き角を小さくする
ことができる。
又、照度ムラは２次光源の配光特性と、コンデンサーレ
ンズのコマ収差により決定するが、多光束発生用光学素
子により形成される２次光源の配光特性は均一であるの
で、照度ムラの原因となシ得るのはコンデンサーレンズ
のコマ収差のみである。２次光源とコンデンサーレンズ
の距離を一定に保った場合にはコンデンサーレンズのコ
マ収差は波長によシ変わるので、照度ムラも変化するが
、２次光源の位置を波長によらず常にコンデンサーレン
ズの焦点位置に配置することにより、２次光源から射出
した光束がコンデンサーレンズに入射する角度を波長に
よらず一定とすることができるのでコマ収差の変化は僅
少となシ、従って照度ムラの変化も僅少である。
ンズのコマ収差により決定するが、多光束発生用光学素
子により形成される２次光源の配光特性は均一であるの
で、照度ムラの原因となシ得るのはコンデンサーレンズ
のコマ収差のみである。２次光源とコンデンサーレンズ
の距離を一定に保った場合にはコンデンサーレンズのコ
マ収差は波長によシ変わるので、照度ムラも変化するが
、２次光源の位置を波長によらず常にコンデンサーレン
ズの焦点位置に配置することにより、２次光源から射出
した光束がコンデンサーレンズに入射する角度を波長に
よらず一定とすることができるのでコマ収差の変化は僅
少となシ、従って照度ムラの変化も僅少である。
即ち、多光束発生用光学素子を光軸に沿って移動し、コ
リメーターレンズと２次光源の間隔をコリメーターレン
ズの焦点距離になる如く配置してやれば使用波長による
照度ムラの変化を僅少に保つことができる。第６図から
第８図に焼付波長として２５０ｎｍｂ ２９０ｎｍ、４
００ｎｍを用いた場合の照度ムラの実測値を示す（１目
盛２条）。前述の理由による通り、多光束発生用光学素
子を光軸方向に動かすことにより照度ムラの変化が僅少
に保たれていることが理解できる。なお、実際に多光束
発生用光学素子を移動する替りに透光平板を着脱して光
路長を変え、見相上の移動を引起しても良く、まだ波長
選択用ミラーの交換をフィルターの交換方式に変えても
良い。他に光学素子６とコリメーターレンズ８の間に多
光束発生用光学素子がもう一段挿入される場合がある。
リメーターレンズと２次光源の間隔をコリメーターレン
ズの焦点距離になる如く配置してやれば使用波長による
照度ムラの変化を僅少に保つことができる。第６図から
第８図に焼付波長として２５０ｎｍｂ ２９０ｎｍ、４
００ｎｍを用いた場合の照度ムラの実測値を示す（１目
盛２条）。前述の理由による通り、多光束発生用光学素
子を光軸方向に動かすことにより照度ムラの変化が僅少
に保たれていることが理解できる。なお、実際に多光束
発生用光学素子を移動する替りに透光平板を着脱して光
路長を変え、見相上の移動を引起しても良く、まだ波長
選択用ミラーの交換をフィルターの交換方式に変えても
良い。他に光学素子６とコリメーターレンズ８の間に多
光束発生用光学素子がもう一段挿入される場合がある。
プロジェクション方法による焼付用の照明光学系として
も照明ムラの除去、及び主光線の傾き角は焼付性能を決
定する重要な要因であるが、本発明によれば同一の照明
光学系を用いて、プロジェクション方法においても異な
る波長での焼付が、波長選択用ミラーの交換及び多光束
発生用光学素子の光軸方向への移動のみで可能とガつた
。但し、プロジェクション方法における主光線の傾き角
は投影光学系の主光線の傾き角と一致させなければなら
ない。
も照明ムラの除去、及び主光線の傾き角は焼付性能を決
定する重要な要因であるが、本発明によれば同一の照明
光学系を用いて、プロジェクション方法においても異な
る波長での焼付が、波長選択用ミラーの交換及び多光束
発生用光学素子の光軸方向への移動のみで可能とガつた
。但し、プロジェクション方法における主光線の傾き角
は投影光学系の主光線の傾き角と一致させなければなら
ない。
本発明はコンタクト方法による焼付に用いることもでき
る。即ち、コンタクト方法では主光線の傾き角は重要な
要因では無いが、焼付波長を変えた場合の照度ムラの補
正に本発明を用いることができるものである。
る。即ち、コンタクト方法では主光線の傾き角は重要な
要因では無いが、焼付波長を変えた場合の照度ムラの補
正に本発明を用いることができるものである。
以上の如く本発明によれば、照明光学系の基本構成を変
えること無しに、波長選択用素子の交換及び多光束発生
用光学素子の光軸に沿った移動という簡単な操作によシ
照度ムシを僅少に保ったままでＵＶ領域からＤｅｅｐＵ
Ｖ領域の広い波長幅の焼付が可能となった。
えること無しに、波長選択用素子の交換及び多光束発生
用光学素子の光軸に沿った移動という簡単な操作によシ
照度ムシを僅少に保ったままでＵＶ領域からＤｅｅｐＵ
Ｖ領域の広い波長幅の焼付が可能となった。
第１図は本発明の一実施例で、多光束発生用光学素子と
してオブテイカルインテグレターを用いた光学断面図。 第２図は主光線の傾き角（θ）の定義を示す図、第３図
、第５図は集光性コリメーターレンズの前側焦点と２次
光源の位置が合致したことを示す図、第４図はコリメー
ターレンズの前側焦点と２次光源の位置が一致しない場
合を示す図である。第６図から第８図は、２次光源が光
軸に沿って変化した場合の照ｊＷムラの実測値を示す線
図である３、 図中、１は光源、２は楕円ミラー、３は波長選択用ミラ
ー、６は多光束発生用光学素子、８は集光性コリメータ
ーレンズ、９はマスク面、１０はウニ・・−面、１１は
２次光源であるＯ出願人 キャノン株式会社
してオブテイカルインテグレターを用いた光学断面図。 第２図は主光線の傾き角（θ）の定義を示す図、第３図
、第５図は集光性コリメーターレンズの前側焦点と２次
光源の位置が合致したことを示す図、第４図はコリメー
ターレンズの前側焦点と２次光源の位置が一致しない場
合を示す図である。第６図から第８図は、２次光源が光
軸に沿って変化した場合の照ｊＷムラの実測値を示す線
図である３、 図中、１は光源、２は楕円ミラー、３は波長選択用ミラ
ー、６は多光束発生用光学素子、８は集光性コリメータ
ーレンズ、９はマスク面、１０はウニ・・−面、１１は
２次光源であるＯ出願人 キャノン株式会社
Claims (1)
- 楕円ミラーと楕円ミラーの第１焦点に配置された光源と
、光源からの光束から所望の波長を選択するだめの波長
選択用素子と、楕円ミラーの第２焦点付近に配置された
多光束発生用光学素子と、多光束発生用光学素子により
形成された２次光源の位置に前側焦点を有する集光性コ
リメーターレンズとを有し、物体面を多光束にて照明す
る照明光学系において、波長選択用素子を交換可能とし
、多光束発生用光学素子を光軸方向に可動とすることを
特徴とする照明光学系。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58035360A JPS59160134A (ja) | 1983-03-04 | 1983-03-04 | 照明光学系 |
| US07/057,668 US4789222A (en) | 1983-03-04 | 1987-06-02 | Illuminating optical system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58035360A JPS59160134A (ja) | 1983-03-04 | 1983-03-04 | 照明光学系 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59160134A true JPS59160134A (ja) | 1984-09-10 |
| JPH0462062B2 JPH0462062B2 (ja) | 1992-10-05 |
Family
ID=12439712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58035360A Granted JPS59160134A (ja) | 1983-03-04 | 1983-03-04 | 照明光学系 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4789222A (ja) |
| JP (1) | JPS59160134A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6353537A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-07 | Kyodo Printing Co Ltd | 照明装置 |
| US4851978A (en) * | 1986-12-24 | 1989-07-25 | Nikon Corporation | Illumination device using a laser |
| US4947030A (en) * | 1985-05-22 | 1990-08-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Illuminating optical device |
| JPH05257290A (ja) * | 1992-03-13 | 1993-10-08 | Orc Mfg Co Ltd | 露光用光源装置 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4937619A (en) * | 1986-08-08 | 1990-06-26 | Hitachi, Ltd. | Projection aligner and exposure method |
| US4939630A (en) * | 1986-09-09 | 1990-07-03 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus |
| JPS63185023A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-07-30 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPS6461716A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-08 | Canon Kk | Illuminator |
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