TW580844B

TW580844B - Method for forming thin-film layer for device and organic electroluminescence device

Info

Publication number: TW580844B
Application number: TW090107373A
Authority: TW
Inventors: Hiroshi Tokairin; Yoshikazu Nagasaki
Original assignee: Idemitsu Kosan Co
Priority date: 2000-03-30
Filing date: 2001-03-28
Publication date: 2004-03-21
Also published as: US20040096694A1; KR100776101B1; CN1271238C; JP2001279429A; WO2001079581A8; US6995507B2; WO2001079581A1; EP1197576A1; US20020192499A1; KR20020025877A; US6649210B2; CN1366561A; EP1197576A4

Description

580844 A7 ____ B7 五、發明説明（彳）技術領域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明爲關於元件用薄膜層之成膜方法及有機電激發光元件（以下，稱爲有機E L元件），更詳言之，爲關於令二種以上之澱積材料以真空澱積法予以澱積，於澱積基板上形成一種或二種以上均質性優良之薄膜之元件用薄膜層之成膜方法及使用此成膜方法所製造之有機E L元件。背景技術最近，注目於顯示器所用之有機E L元件，並且進行其硏究。有機E L元件，一般爲以透明電極（陽極）、有機物所構成之發光層及對向電極（陰極）做爲基本，且再爲了提高發光特性而多具有電子注入層和空穴注入層等，並具有將此等於基板上疊層之構造。其係根據陰極注入發光層之電子、和陽極注入發光層之空穴爲於發光層內再結合並且產生發光之原理。如此類有機E L元件般將薄膜層予以疊層構造之元件，多經由真空澱積法進行各層之成膜。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製然而，若經由此真空澱積法對大畫面基板將薄膜層予以疊層，則具有無法形成均勻膜之問題。因此，無法於大面積基板內配置許多基板，即所謂的多面安裝，妨礙量產性，又若製造大型裝置，則產生發光面內之發光偏差並成爲不良品。對於此類問題，於特開平1 0 - 3 3 5 0 6 2號公報中，提案令澱積材料之澱積基板上之澱積位置與蒸氣密度 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 580844 Α7 _________ Β7 五、發明説明（2 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 之關係以c 〇 s 11 0之函數表示，且其η値爲3〜6，並且設在澱積源距離澱積基板中心之位置並進行澱積之方法。但是，即使根據此方法，亦難於大畫面基板上形成均質薄膜’依然無法解除發光性能的偏差。因此，以大畫面基板將薄膜層予以疊層構造之有機E L元件等，確保於元件內各位置中之發光性能均質性之觀點而言，則具有無法解決以下各點之問題。 (1 )將薄膜予以多層疊層時，澱積板上各位置之各膜膜厚變化大，且於有機E L元件之情況，於元件面內發生發光性能之偏差。 (2 )以有機E L元件等，與做爲澱積源之發光層的主材和摻混材共同澱積時，於元件面內之摻混劑濃度並非一定並且發生發光性能之偏差。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本發明爲由上述觀點而進行之發明，以提供即使爲大畫面之澱積基板亦可以真空澱積法形成均質的元件用薄膜層之方法，於各層疊層時，各膜於澱積板上之各位置中的膜厚變化均小，又，將複數之澱積源予以共同澱積時，於此些澱積板上之各位置中的各澱積材料濃度變化小之元件用薄膜層之成膜方法爲其目的。又，本發明爲以提供使用此類元件用薄膜層之成膜方法所製造之於元件內各位置中之發光性能偏差小之有機 E L元件爲其目的。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） _ 5 - 580844 Α7 Β7 五、發明説明（3 ) 發明之揭示本發明者等人爲了達成上述目的重覆致力硏究，結果發現將複數之澱積材料以真空澱積法予以成膜時，若將成膜澱積材料i之澱積基板上之位置與澱積膜厚之關係以 c. 〇 s 11 1 Θ之函數表示，且將此令部澱積材料之n i値控制於特定之範圍予以成膜，則可令膜厚之均勻性極度提高等’並且根據此類發現而完成本發明。因此，本發明之要旨爲如下。 (1 ) 一種元件用薄膜層之成膜方法，其爲令二種以上之澱積材料以真空澱積法予以澱積，於澱積基板上形成一種或二種以上之薄膜之成膜方法中，對於澱積材料i將澱積基板上之澱積位置與澱積膜厚之關係控制於以下述式 (1 )

Di/DoiOct^Lo/Li) 3 c 〇 s 11 1 0 ΐ...... (1) (但，L 〇爲由澱積源至澱積基板面之垂直距離，D ο i爲由澱積源至澱積基板面之垂線與澱積基板面之交點中之澱積材料i的澱積膜厚，D ,爲由澱積源至澱積基板面垂下垂線之放射角爲0 i，且由澱積源之距離爲L :之位置中之澱積材料i的澱積膜厚）近似時之各澱積材料n i値爲全部於k±〇 · 5 (但，k爲2〜5之常數）之範圍內予以澱積。 (2 )如前述（1 )記載之元件用薄膜層之成膜方法 ’其中常數k爲2〜3。 (3 )如前述（1 )記載之元件用薄膜層之成膜方法本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） · β _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 _麟· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 580844 A7 B7 五、發明説明（4 ) ，其中常數k爲2。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (4 )如前述（1 )〜（3 )任一項記載之元件用薄膜層之成膜方法，其中n i値之控制方法爲（A )保持澱積源並調整坩堝形狀之方法、及（b )調整澱積速度方法中之一種以上。 (5 )如前述（1 )〜（4 )任一項記載之元件用薄膜層之成膜方法，其爲令二種以上之澱積材料依序澱積，並且形成元件用薄膜層之層合體。 (6 )如前述（1 )〜（4 )任一項記載之元件用薄膜層之成膜方法，其爲令二種以上之澱積材料同時共同澱積，形成一個共澱積膜。 (7 )如前述（1 )〜（6 )任一項記載之元件用薄膜層之成膜方法，其爲以離心迴轉澱積法進行澱積。 (8 ) —種元件用薄膜層之成膜方法，其爲於前述（ 1 )〜（7 )任一項記載之元件用薄膜層之成膜方法中，使用具有構成有機電激發光元件之各層之有機物做爲該澱積材料，並且形成有機電激發光元件之有機層。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (9 ) 一種元件用薄膜層之成膜方法，其爲於前述（ 6 )記載之元件用薄膜層之成膜方法中，澱積材料爲發光層之主材和發光層之摻混材，令其共同澱積並且形成有機電激發光元件之發光層。 (1 0 ) —種有機電激發光元件，其爲具備經由前述 (8 )記載之元件用薄膜層之成膜方法所形成之有機層。 (1 1 ) 一種有機電激發光元件，其爲具備經由前述 ^氏張尺度適用中國國家標準( CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ 580844 A7 ______ B7 _ 五、發明説明（5 ) (9 )記載之元件用薄膜層之成膜方法所形成之發光層。 (1 2 )如前述（1 〇 )或（1 1 )記載之有機電激發光元件，其中於同一元件內之C I E發光色度X座標之偏差爲0 · 005/250mm以下，Y座標之偏差爲 0.· 02/250mm 以下。 (1 3 )如前述（1 0 )〜（1 2 )任一項記載之有機電激發光元件，其中同一元件內之電力轉換效率之偏差爲 15%/25〇mm以下。圖面之簡單說明圖1爲關於本發明之一實施態樣之以離心迴轉澱積方法之成膜方法的槪念圖。圖2爲示出以本發明實施例1及比較例1之成膜方法所得之有機E L元件之發光色度（X軸）的偏差圖。圖3爲示出以本發明實施例1及比較例1之成膜方法所得之有機E L元件之發光色度（Y軸）的偏差圖。圖4爲示出以本發明實施例1及比較例1之成膜方法所得之有機E L元件之發電轉換效率（效率）之偏差圖。主要元件對照表 1 澱櫝基板 2 澱積源台 3 澱積基板迴轉軸 4 澱積源本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） · 8 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 580844 A7 B7 五、發明説明（6 ) a 澱積源離心距離 h 澱積源台與澱積基板之距離用以實施發明之最佳型態以下，說明本發明之實施型態。本發明爲令二種以上之澱積材料以真空澱積法予以澱積，於澱積基板上形成一種或二種以上薄膜之成膜方法中 ’對於澱積材料i將澱積基板上之澱積位置與澱積膜厚之關係控制於以下述式（1 ) D./Do^CLo/L.) 3 c 〇 s 11 1 Θ i...... (1) (但，L ◦爲由澱積源至澱積基板面之垂直距離，D 〇 ,爲由澱積源至澱積基板面之垂線與澱積基板面之交點中之澱積材料i的澱積膜厚，D :爲由澱積源至澱積基板面垂下之垂線之放射角爲0 :，且由澱積源之距離爲L :之位置中之澱積材料i的澱積膜厚）近似時之各澱積材料n i値爲全部k±〇 · 5 (但，k爲2〜5之常數）之範圍內予以澱積之元件用薄膜層之成膜方法。於真空澱積法中，若假定澱積源爲點澱積源，則式（ 1 )之餘弦法側爲成立。此式中之各符號爲如上述。其中 ’ n i値爲表示由澱積源開始之蒸氣粒子擴展的正數値，本來，根據澱積材料而顯示出不同的固有値。例如，A 1 等金屬爲n i値大，且一般爲6〜1 0或其以上之數値。相對地，有機物材料若與金屬相比較，則n i値爲小。此 n i値若大，則蒸氣粒子之擴展小並且具有局部性分佈之本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐j Γ〇Τ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣. 、1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 580844 A7 B7 五、發明説明（7 ) 顧向，n i値若小，則具有擴散的（擴展）分佈之傾向。因此，於進行通常之單一材料之成膜時，此n i値爲 2〜6左右，較佳爲2〜4之値。於本發明中，控制此 n丨値，並且將複數澱積材料之n i値調整至k ± 〇 · 5 (k爲2〜5之常數）之範圍並進行真空澱積之方法。此常數k於更加提高膜之均勻性，·且抑制澱積材料擴散所造成之損失方面而言，以2〜3爲更佳，且以2左右之情況爲特佳。又，此値若爲2左右，則即使不進行後述之離心迴轉澱積法，亦可形成均勻性高之薄膜。於本發明中，控制上述n i値之方法可例示例如以下之（a )和（b )之方法。 (a )調節坩堝形狀之方法調節收藏澱積材料之器具坩堝的形狀。調節此形狀之要素例如爲坩堝之開口部直徑（d )、開口部之厚度（t )及深度（h )等，爲經由調整此些要素，控制n i値之方法。例如d / t若變大則n i値變小，又，坩堝之深度 h若變淺則n i値變小。即，若令d / t及h變化，則可將n i値調整至所欲之數値。尙，坩堝爲使用通常以石英、石墨、玻璃化碳黑、 β N (氮化硼）、氧化鋁等槪略形成圓筒狀之坩堝。 (b )令澱積速度變化之方法爲經由增減澱積速度而調整n i値之方法，若加速澱 -------^---Γ -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10- 580844 A7 B7 五、發明説明（8 ) 積速度，則n i値變小，澱積粒子爲以具有更分散擴展之舉動。此澱積速度因係根據坩堝溫度而變化，故通常令坩堝溫度增減即可調整n i値。此類n i値之控制方法可使用（a )和（b )方法之任何一種，且亦可組合使用二種以上之方法。因此，若將澱積材料固有之n i値，與上述n i値之調整方法之一種以上之方法予以組合，且令各澱積材料成膜時之n i値控制於一定範圍（k ± 0 · 5 )，則可達成本發明之目的。即，如此，將複數之澱積材料之n i値控制成大略相同並且依序澱積，形成複數之薄膜時，則可令各膜於澱積基板上之各位置中的膜厚均爲均勻，又，令複數之澱積材料同時共同澱積，且形成一個共澱積膜時，則可形成通過澱積基板全面之各澱積材料之濃度變化小之薄膜層。尙，必須令複數之澱積材料同時澱積並且成膜出共澱積膜，且調整各澱積材料之濃度，其方法較佳爲於澱積源和澱積基板之間靠近澱積源，設置所謂的斷續器（chopper )機構即可進行。即，以上述（a )和（b )之方法調整 n i値’並將其維持，且令到達澱積基板之蒸氣量調節成不多即可進行。繼續器機構之具體例可列舉例如圓筒上部爲具有圓弧形開口部，且一邊迴轉一邊以一定時間間隔予以開閉之機構。本發明之元件用薄膜層之成膜方法只要滿足上述條件 ’則可爲任何方法。例如，令澱積基板未迴轉地固定，並本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣·

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 580844 A7 B7 五、發明説明（9 ) 於其中央下方配置澱積源予以澱積之方法即可（非迴轉澱積法）。又，亦可爲令前述澱積基板迴轉之方法。更且，亦可爲令澱積基板迴轉，並且，令澱積源位於距離澱積基板迴轉中心之位置，所謂的離心迴轉澱積法亦可。此離心迴轉澱積法特別於澱積基板面積爲大時之有效方法。此離心迴轉澱積法之具體性方法例如以圖1予以槪念性表示。圖中，1爲澱積基板、2爲源積源台、3爲激積基板迴轉軸、4爲澱積源，令澱積基板1以澱積基板迴轉軸3爲中心地迴轉，並且澱積源4爲由澱積基板迴轉軸（中心）開始分開配置。此方法爲通常令澱積基板大小爲長邊2 0〜 8〇公分，澱積源台與澱積基板之距離h爲2 0〜1 〇〇公分，澱積源離心距離a爲以1 0〜4 0公分進行成膜。又，迴轉速度通常爲2〜1 0 r pm。其次，上述元件用薄膜層之成膜方法可利用例如以太陽電池、電子照相感光體、有機物作成構成要素之機能元件等，特別爲製造有機E L元件的有效方法，以後，說明關於有機E L元件製造中之薄膜層的成膜方法。即，本發明爲於上述之元件用薄膜層之成膜方法中，使用構成有機 E L元件各層之有機物做爲澱積材料，並且形成有機E L 元件之有機層之元件用薄膜層的成膜方法。根據此方法，則可取得複數膜中之各膜於元件內各位置中之膜厚變化均小之有機E L元件的有機層。其結果’ 即使爲大面積之元件，亦可於有機E L元件之元件內各位置中顯示無發光性能偏差之均勻的發光性能。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 580844 A7 B7 五、發明説明（10 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，本發明爲於上述之元件用薄膜層之成膜方法中，澱積材料爲發光層之主材和發光層之摻混材，並且令其共同澱積形成有機E L元件發光層之元件用薄膜層的成膜方法。尙，於此成膜中，摻混劑濃度可經由設置前述之繼續器機構予以調整。根據此類成膜方法，可令發光層之膜厚均勻，並且具有可令發光層內之摻混劑濃度均勻之效果。因此，即使爲大面積之元件亦可令有機E L元件之發光性能無偏差，並且顯示更加均勻的發光性能。此處，具體說明關於有機E L元件之含有發光層的有機層。本發明所用之有機E L元件通常於透明電極所構成之陽極上，至少具有再結合區域及發光區域做爲有機層。此再結合區域及發光區域因爲通常存在於發光層中，故於本發明中，僅使用發光層做爲有機層即可，且視需要，可於發光層以外，例如使用空穴注入層、電子注入層、有機半導體層等。於此些有機層之上形成陰極。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製示出本發明中所用之有機E L元件的代表性構成例。當然，並非限定於此。可列舉 (1 )透明電極（陽極）/發光層/電極（陰極） (2 )透明電極（陽極）/空穴注入層/發光層/電極（陰極） (3 )透明電極（陽極）/發光層/電子注入層/電本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） _ 13 _ ' 一 580844 A7 B7 五、發明説明（11 ) 極（陰極） (4 )透明電極（陽極）/空穴注入層/發光層/電子注入層/電極（陰極） (5 )陽極/有機半導體層/發光層/陰極 (6 )陽極/有機半導體層/電子障壁層/發光層/ 陰極 (7 )陽極/空穴注入層/發光層/附著改善層/陰極等之構造。其中，通常以（4 )之構造爲較佳使用。除此以外，可由陰極側取出發光，即陰極有時爲以透明電極所形成。或者亦可由陽、陰極雙方取出發光。〔有機E L元件之有機層的澱積材料〕 ①發光層之澱積材料構成有機E L元件發光層之澱積材料較佳使用一般式

YV (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Y:

:C = CH — Ar — CH= C (I) 所示之二苯乙烯伸芳基系化合物。此化合物爲揭示於特開平2 — 2 4 7 2 7 8號公報中。於上述一般式中，Y1〜Y4分別表示氫原子、碳數1 〜6個之烷基、碳數1〜6個之烷氧基、碳數7〜8個之本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14 - 580844 五、發明説明（12 ; 、t^取代或未取代之碳數6〜1 8個之芳基、經取、2取代之b己基、經取代或未取代之碳數^〜丄8個方氧基、碳數1〜6個之烷氧基。此處取代基爲表示碳 6個之k基、碳數丨〜6個之烷氧基、碳數7〜8 個之芳院基、碳數6〜工8個之芳氧基、碳數卜6個之 …土、碳數1〜6個之醯氧基、羧基、苯乙烯基、碳數6 、〇個之方羰基、乙烯基、苯胺鑛基、胺甲酿基、苯基、硝基、羥基或鹵素。此些取代基可爲單一或複數。又， Y 1〜Y 4可爲相同或彼此相異，且γ i和γ 2及γ 3和Y 4 ,、U皮此取代之基結合’形成經取代或未取代之飽和五員環或經取代或未取代之飽和六員環。A r爲表示經取代或未取代之碳數6〜4 0個之伸芳基，且可爲單—取代、或複數取代，且結合部分可爲鄰位、對位、間位任何一者。但，A r爲未取代伸苯基時，γ1〜γ4分別選自碳數工〜δ個之烷氧基、碳數7〜8個之芳烷基、經取代或未取代之萘基、聯苯基、環己基、芳氧基。此類二苯、乙烯伸芳基系化合物例如可列舉下述化合物。 -------；----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

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本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -15 580844 A7 B7 五、發明説明（13 CK3

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o <»<〇>· o =c OCHs 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -16- 580844 A7 ____ B7 五、發明説明（14) 又，構成其他較佳發光層之澱積材料（主材料）可列舉8 -羥基喹啉、或其衍生物的金屬錯合物。具體而言，爲含有8 -羥基喹啉（一般爲8 -喹啉酚或8 —羥基[I奎啉 )嵌合物之金屬嵌合物氧雜類化合物。此類化合物爲顯示高水準的性能，且可輕易形成薄膜型態。此氧雜類化合物之例爲滿足下述構造式者。

(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (式中’ Mt爲表不金屬，η爲1〜3之整數，z爲其各個位置爲獨立，表示令至少二個以上縮合芳香族環完成所必要之原子）。此處，M t所示之金屬可爲一價、二價或三價之金屬，例如爲鋰、鈉、鉀等之鹼金屬、鎂和鈣等之鹼土金屬、或硼或鋁等之土類金屬。一般，已知爲有用嵌合化合物之一價、二價、或三價金屬均可使用。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製又，z爲表示令至少二個以上之縮合芳香族環之一者爲形成由鸣唑或哼哄所構成之雜環的原子。此處，若需要，可於上述縮合芳香環上加成其他不同之環。又，爲了迴避無法令機能改善的膨鬆分子，較佳令z所示之原子數爲維持於1 8個以下。更且，若例示具體的嵌合化氧雜類化合物，則有三（8 -喹啉酚）鋁、雙（8 —喹啉酚）鎂、雙（苯並8 —喹啉酚）鋅、雙（2 —甲基一 8 —喹啉酸鹽 )氧化鋁、三（8 —卩奎啉酚）銦、三（5 —甲基一 8 - 〇奎本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ _ 580844 A 7 ________ B7 _ 五、發明説明（15 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 啉酚）銘、8 一鸣啉酚鋰、三（5 —氯一 8 一喹啉酚）鉀、雙（5 -氯8〜D奎啉酚）鈣、5 ，7 —二氯一 8 —喹啉酚鋁、三（5，7〜二溴_ 8 一羥基喹啉酚）鋁等。更且’特開平5 一 1 9 8 3 7 8號公報所記載之酚鹽取代8 - @基_啉之金屬錯合物爲做爲藍色發光材料的較佳物質。此酷鹽取代8 一羥基喹啉之金屬錯合物的具體例可列舉（2 —甲基〜8 —喹啉酸鹽）（酚鹽）鋁（I I I )、雙（2 —甲基〜8 —喹啉酸鹽）（鄰一甲苯酚鹽）鋁 (I I I )、雙（2 —甲基一8 — 奎啉酸鹽）（間一甲苯酚鹽）鋁（I I I )、雙（2 —甲基一 8 —喹啉酸鹽）（對一甲苯酚鹽）鋁（I I I )、雙（2 —甲基一 8 —喹啉酸鹽）（鄰一苯基酚鹽）鋁（III)、雙（2 —甲基一 8 —喹啉酸鹽）（間一甲苯酚鹽）鋁（I I I )、雙（2 一甲基一 8 —喹啉酸鹽）（對一甲苯酚鹽）鋁（I I I ) 、雙（2 —甲基一 8 —喹啉酸鹽）（2 ，3 —二甲基酚鹽 )鋁（I I I )、雙（2 —甲基一8 — _啉酸鹽）（2 ， 6 —二甲基酚鹽）鋁（I I I)、雙（2 —甲基一 8 —喹經濟部智慧財產局員工消費合作社印製啉酸鹽）（3 ，4 一二甲基酚鹽）鋁（I I I )、雙（2 一甲基一 8 — d奎啉酸鹽）（3，5 —二甲基酚鹽）鋁（ I I I)、雙（2 —甲基一8 —喹啉酸鹽）（3 ，5 —二 —第三丁基酸鹽）鋁（I I I )、雙（2 —甲基一 8 —喹啉酸鹽）（2，6 -二苯基酚鹽）鋁（I I 1 )、雙（2 一甲基_ 8 —喹啉酸鹽）（2 ，4，6 —三苯基酉分鹽）鋁 (I I I )等。此些發光材料可使用一種’且亦可組合使本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18 - 580844 A7 ________ B7 五、發明説明（16 ) 用二種以上。以下，更加具體說明。例如，形成由二層所構成之發光層時，第一發光層可使用各種公知的發光材料，且較佳之第一發光層可列舉於上述氧雜類化合物中微量添加〇· 2〜3重量％之綠色螢光色素。此處所添加之綠色螢光色素爲香豆素素、喹吖啶酮系。保有添加此螢光色素之第一發光層的元件可實現5〜2 0 ( lm/w)高效率之綠色發光。另一方面，由第一發光層中以高效率取出黃色或橙色時，可使用於氧雜類化合物添加〇 . 2〜3重量％之紅螢烯及其衍生物、二氰基吡喃衍生物、茈衍生物。此些元件爲以3〜1 0 ( lm/w)之高效率進行發光輸出。又，將綠色螢光色素和紅色螢光色素同時添加亦可變成橙色。例如，較佳爲同時使用香豆素和二氰基吡喃系色素、喹吖啶酮和茈色素、香豆素和芘色素亦可。其他特佳之第一發光層爲聚伸芳基伸乙烯基衍生物。其可令綠色或橙色以高效率輸出。又，第二發光層可使用各種公知的藍色發光材料。例如，二苯乙烯伸芳基衍生物、三苯乙烯伸芳基衍生物、烯丙氧化喹啉酸鹽金屬錯合物爲高水準的藍色發光材料。又，聚合物可列舉聚對伸苯基衍生物。關於此發光層之膜厚，並無特別限制，但較佳爲以1 11111〜1〇//111，較佳爲511111〜〇.5//111之範圍。 ②空穴注入層之澱積材料空穴注入層雖非本發明所用元件所必要者，但爲了提本紙張尺^適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -19- 580844 A7 B7 五、發明説明（17 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 高發光性能則爲使用爲佳。此空穴注入層爲幫助空穴時發光層注入之層，空穴移動度大，且離子化能量通常爲小至 5 · 5 e V以下。此類空穴注入層較佳爲於更低電場下，將空穴輸送至發光層之材料，且空穴之移動度例如於外加 1 〇 4〜1 0 6 V / c m之電場時，至少以1 0 — 6 c m 2 / V ·秒爲佳。構成此類有機E L元件之空穴注入層的澱積材料，若爲具有前述較佳性質者即可，並無特別限制，且可由先前之光傳導材料中，選擇使用慣用做爲空穴之電荷輸送材料之物質、和E L元件之空穴注入層所使用之公知材料。具體例可例舉如三唑衍生物（參照美國專利 3，1 1 2 ，1 9 7號說明書等）、鳄三唑衍生物（參照美國專利3 ，1 8 9，4 4 7號說明書等）、咪唑衍生物 (參照特公昭3 7 - 1 6 0 9 6號公報等）、聚芳基鏈烷衍生物（參照美國專利3，6 1 5，4 0 2號說明書、同第3，82〇，989號說明書、同第經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3，542，544號說明書、特公昭45 — 5 5 5號公報、同5 1 - 1 0 9 8 3號公報、特開昭 51 — 93 2 24號公報、同55 — 17105號公報、同56 — 4148號公報、同55 — 108667號公報、同 55 — 156953 號公報、同 56 — 36656 號公報等）、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物（參照美國專利第3，1 8 0，7 2 9號說明書、同第 4，2 7 8 ，7 4 6號說明書、特開昭5 5 — 8 8 0 6 4 號公報、同5 5 — 8 8 0 6 5號公報、同本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） _ 9n _ 580844 A7 B7 五、發明説明（18 ) 49—105537號公報、同55—51086號公報、同56 — 8 0 051號公報、同56 — 88141號公報、同 57 — 45545 號公報、同 54 — 112637 號公報、同5 5 - 7 4 5 4 6號公報等）、苯二胺衍生物 (.參照美國專利第3，6 1 5 ，4 0 4號說明書、特公昭 1 - 1 0 1 0 ί 5號公報、同4 6 — 3 7 1： 2號公報、同 7 - 2 5 3 3( 3號公報、特開昭5 4 - 5 ； 3 4 3 5號公報、同5 4 - 1 1 0 5 3 6號公報、同 5 4 - 1 1 9 9 2 5號公報等）、芳基胺衍生物（參照美國專利第3 ，5 6 7，4 5 0號說明書、同第 3 ， 18〇，703號說明書、同第3 ，24〇，597 號說明書、同第3，6 5 8，5 2 0號說明書、同第 4 ，232 ，1〇3號說明書、同第4 ，175 ，961 號說明書、同第4，0 1 2，3 7 6號說明書、特公昭 49 一 35702號公報、同39 — 27577號公報、特開昭5 5 — 1 4 4 2 5〇號公報、同 56 — 119132號公報、同56 — 22437號公報、西德專利第1 ，1 1 0，5 1 8號說明書等）、胺基取代苯丙烯醯苯衍生物（參照美國專利第 3 ，5 2 6 ，5 0 1號說明書等）、鸣唑衍生物（參照美國專利第3 ，2 5 7，2 0 3號說明書等中所揭示之衍生物）、芴酮衍生物（參照特開昭5 4 - 1 1 0 8 3 7號公報等）.、腙衍生物（參照美國專利第3 ，7 1 7，4 6 2 號說明書、特開昭5 4 — 5 9 1 4 2號公報、同本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210'〆297公釐) .21 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣·

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 580844 A7 __ B7_____ 五、發明説明（19 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 55一52〇63號公報、同55—52064號公報、同55 — 467 6〇號公報、同55 — 585495號公報、同5 7 — 1 1 3 5 0號公報、同 57_ 148749號公報、特開平2 — 311591號公報等）、苯乙烯蒽衍生物（參照特開昭 5 6 - 4 6 2 3 4號公報等）、芪衍生物（參照特開昭 61 — 210 363 號公報、同 61 一 228451 號公報、同61 — 14642號公報、同61 — 72255號公報、同6 2 — 47646號公報、同62 — 36674 號公報、同62-10652號公報、同 6 2 — 3〇2 5 5號公報、同6 0 — 9 3 4 4 5號公報、同60—94462號公報、同60—174749號公報、同6 〇 — 1 7 5 0 5 2號公報等）、砂氮院衍生物（參照美國專利第4 ’ 9 5 0，9 5 0號說明書）、聚矽烷系（特開平2 — 2 0 4 9 9 6號公報）、苯胺系共聚物（特開平2 — 2 8 2 2 6 3號公報）、特開平 1 一 2 1 1 3 9 9號公報所揭示之導電性高分子低聚物（經濟部智慧財產局員工消費合作社印製特別爲噻吩低聚物）等。空穴注入層之材料可使用上述材料，且可列舉卟啉化合物（特開昭6 3 — 2 9 5 6 9 6 5 號公報等中揭示之化合物）、芳香族三級胺化合物及苯乙烯胺化合物（參照美國專利第4，1 2 7，4 1 2號說明書、特開昭5 3 — 2 7 0 3 3號公報、同 5 4 — 5 8 4 4 5號公報、同5 4 — 1 4 9 6 3 4號公報、同54 — 64299號公報、同55 — 7945 0號公本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 22 - 580844 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（20) 報、同55—144250號公報、同 56 — 119132 號公報、同 61 — 295558 號公報、同 61 — 98353 號公報、同 63 — 295695 號公報等）’特別以芳香族三級胺化合物爲較佳使用。上述卟啉化合物之代表例可列舉卟啉、1，1 0，1 5， 2 0—四苯基一 21H，23H — 卟啉銅（II)、 1， 1〇，15 ，2 0—四苯基一 21H，23H —卟啉鋅（ II)、 5，1〇’ 15，20 —四（五氟苯基）一 2 1 Η ’ 2 3 Η -卟啉、聚砂氧院歌菁氧化物、氯化敝菁鋁、酞菁（無金屬）、酞菁二鋰、四甲基酞菁銅、酞菁銅、酞菁鉻、酞菁鋅、酞菁鉛、酞菁氧化鈦、酞菁鎂、八甲基酞菁銅等。又，前述芳香族三級胺化合物及苯乙烯胺化合物之代表例可列舉Ν，Ν，Ν > ，Ν / —四苯基—4， 4〆一二胺苯基、Ν，Ν/ -二苯基一Ν，Ν，一雙（3 —甲基苯基）一〔1 ，1 / —聯苯基〕_4，4，—二胺 (以下簡稱TPD)、2，2 —雙（4 一二一對一甲苯胺苯基）丙烷、1 ，1 一雙（4 一二一對一甲苯胺苯基）環己院、Ν’Ν’Ν ’ Ν —四一封一甲苯基一4 ’ 4 一二胺苯基、1 ，1—雙（4 —二—對一甲苯胺苯基）— 4 一苯基ί哀己院、雙（4 — —*甲胺基—2 —甲基苯基）苯基甲烷、Ν，Ν —二苯基一 Ν，Ν，一二（4 一甲氧苯基 )—4，4'—二胺基聯苯基、Ν，Ν，Ν^ ，Ν> —四苯基—4，4 / 一二胺苯醚、4，4 / —雙（二苯胺基）四苯基、Ν，Ν，Ν —三（對—甲苯基）胺、4 一（二— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨0><297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

580844 A7 B7 五、發明説明（21 ) — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 對一甲苯胺）一 4 — — 〔 4 一（二一對一甲苯胺基）苯乙烯基〕芪、4 一 N，N —二苯胺基一（2 一二苯基乙烯基 )苯、3 —甲氧基一 4 ，N —二苯胺基芪、N —苯經濟部智慧財產局員工消費合作社印製基咔唑、美國專利第5，〇 6 1 ，5 6 9號所記載之於分子內具有二個縮合芳香族環之例如4，4 / 一雙〔N —( 1 —萘基）一 N -苯胺基〕聯苯（以下簡稱n P D )、和特開平4 — 3 ◦ 8 6 8 8號公報所記載之三苯胺單位爲以三個星爆型（star-burst )連結之4，4 — ，4 〃 —三〔N 一（3 -甲基苯基）—N -苯胺基〕三苯胺（以下簡稱爲 MTDAT A )等。又，發光層材料除了前述之芳香族二亞甲基系化合物以外，p型—S i、ρ型S i C等之無機化合物亦可使用做爲空穴注入層之材料。空穴注入層可將上述化合物，以真空澱積法予以薄膜化則可形成。空穴注入層之fl吴厚雖無特別限制’但通常爲5 n m〜5 // πί。此空穴注入層可由上述材料之一種或二種以上所組成之一層所構成，且該空穴注入層亦可與其他化合物所構成之空穴注入層予以疊層而成。又，有機半導體層爲幫助空穴注入或電子注入發光層之層，且適當爲具有1 〇一 i〇S/cm 以上之導電率。此類有機半導體層之材料可使用含噻吩低聚物和含芳基胺低聚物等之導電性低聚物、含芳基胺樹枝晶體等之導電性樹技晶體等。 ③電子注入層之澱積材料另一方面，電子注入層爲幫助電子注入發光層之層，本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ " 580844 A7 B7 五、發明説明（22 其電子移動度大。又，附著改善層爲此電子注入層中，特別與陰極之附著佳之材料所構成之層。構成此類有機E L 元件之電子注入層之澱積材料較佳可列舉例如8 -羥基喹啉或其衍生物之金屬錯合物、或哼二唑衍生物。又，附著 ^^善層中所用之材料特別以8 -羥基喹啉或其衍生物之金屬錯合物爲適當。上述8 -羥基喹啉或其衍生物之金屬錯合物之具體例可列舉含有8 -羥基喹啉（一般爲8 -喹啉酚或8 -羥基喹啉）嵌合物之金屬嵌合物氧雜類化合物。另一方面，鳄二唑衍生物可列舉一般式（I I )、 (I I I )及（I V )所示之電子傳遞化合物。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) N^N A r*〇Af"

Arm anarn • · · (ivi 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (式中A r 1 ◦〜A r 1 3分別表示經取代或未取代之芳基、 A r 1 °和A r 1 1及A 1： 1 2和a r 1 3分別彼此相同或相異均可，A r 1 4爲表示經取代或未取代之伸芳基）。此處’ 芳基可列舉苯基、聯苯基、蒽基、茈基、芘基等，且伸芳基可列舉伸苯基、伸萘基、伸聯苯基、伸蒽基、伸茈基、伸芘基等。又，取代基可列舉碳數1〜1 〇個之烷基、碳數1〜1 0個之烷氧基或氰基等。此電子傳遞化合物較佳爲薄膜形成性之化合物。上述電子傳遞化合物之具體例可本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公羞） -25- 580844 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（23 ) 列舉。 C (CH3>3 …· (p BD Ϊ

(CH 山 ④其他之有機澱積材料有機層爲如上述之構成，且亦可再具有電子障壁層、附著改善層等。但是，其對於發光均勻性所造成之影響較小，故其成膜方法並無限定，可爲本發明之方法，且亦可爲其他公知之方法。尙’電子障壁層之澱積材料爲前述τ P D和聚苯基化合物等’附著改善層之澱積材料可列舉電子注入材料所列之A 1 q ( 8 -羥基D奎啉之金屬錯合物）等。〔有機E L元件之有機層以外的澱積材料〕於此些層之成膜上，可應用本發明元件用薄膜層之成膜方法，但並非必定依此，亦可如各說明中所述般，使用其他之成膜方法。本紙^度適用中國國家標準（CNS ) A4祕（210X297公釐）~ ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

580844 A7 ___ B7 五、發明説明（24 ) ① 透明電極（陽極）之澱積材料 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 陽極可列舉功函數大（4 e V以上）之I τ〇。陽極可依濺鑛法、離子電鍍法、電子束澱積法、C V D法、 MOCVD法、等離子體CVD等之方法形成薄膜則可製作。來自此類發光層之發光由陽極取出時，陽極對於發光之穿透率爲大於1 0%爲佳。又，陽極之薄片電阻爲數百 Ω / □以下爲佳。陽極之膜厚雖亦根據材料而異，但通常以l〇nm〜l//m、 1〇〜2〇〇11111之範圍爲佳。尙 ’於本發明中，使用通常之基板電極做爲陽極。 ② 電極（陰極）之澱積材料經濟部智慧財產局員工消費合作社印製陰極爲使用功函數小（4 e V以下）之金屬、合金、電傳遞性化合物及其混合物做爲電極物質，此類電極物質之澱積源具體可列舉鈉、鈉-鉀合金、鎂、鋰、鎂銀合金、鋁/氧化鋁（A 1 2〇3 )、鋁鋰合金、銦、稀土類金屬等。此陰極爲將此等電極物質依澱積和濺鍍等之透明電極成膜方法同樣之方法形成薄膜，則可製作。又，陰極之薄片電阻爲數百Ω/ □以下爲佳，且膜厚通常爲以1 〇 nm 〜l//m、 5 0〜2 0 0 nm之範圍爲佳。尙，本發明所用之有機E L元件中，該陽極或陰極之任一者爲透明或半透明，因爲其令發光穿透，故發光之取出效率佳，故爲較佳。本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 580844 A7 _ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（25 ) 〔有機E L元件之其他要素〕本發明所用之基板爲具有透明性，爲支撐多色發光裝置之充分硬直之材料爲佳。本發明中，經由配置基板令多色發光裝置增強並且提高耐衝擊性等之機械強度。 .具體之材料可列舉例如玻璃板、陶瓷板、塑膠板（聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、氯乙烯樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂等）等。本發明之元件用薄膜之成膜方法爲如上述，而具有以此些方法所形成之發光層和有機層之有機E L元件爲具有如下述之性能。即，有機層各膜厚之均勻性高，其結果，可提高元件發光性能的均勻性。此發光性能之均勻性能例如以無發光點爲前提，且可確認澱積基板中心開始之距離所造成的發光色度之偏差（變化量）、和澱積基板中心開始之距離所造成的電力轉換效率之偏差（變化量）等。於本發明中，澱積基板中心開始之距離所造成的發光色度之偏差取得於CIE發光色度 X 座標爲 0 · 005/250mm 以下，及〇 . 002/ 250mm以下，Y座標之偏差爲0·〇2/25〇mm 以下，及0 . 0 1 / 2 5 0 m m以下者。又，關於電力轉換效率之偏差取得1 5 %/ 2 5 0 m m以下者。因此，於大畫面元件之情形中，同一元件內之發光性能偏差取得於CIE發光色度X座標〇·005/250 mm以下，於Y座標之偏差爲0 · 0 2/2 5 0mm以下，電力轉換效率之偏差爲1 5 % / 2 5 0 m m以下之元件本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） ^8 - 請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 580844 A7 __ B7 五、發明説明（26 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施例其次，根據實施例更具體說明本發明，但本發明不被限定於此些例。實驗例1 (n i値之測定例）使用澱積基板（大小3 6 0 X 4 6 5 m m )與澱積源台之垂直距離爲5 0 0 m m，該澱積基板中心至澱積源台垂下之垂線交點距離2 5 0 m m位置設定澱積源之真空澱積裝置。澱積源爲對開口直徑25mm，厚度1.6mm ，深度7 0 m m之石墨製坩堝中，將澱積材料三（8 —喹啉酚）鋁（以下，簡稱A 1 q ) 1 · 5克於坩堝底部均勻經濟部智慧財產局員工消費合作社印製充塡。坩堝溫度爲2 8 3 °C (於基板中心位置之澱積速度爲1 · OA/s)、澱積至澱積基板中心爲2500A之膜厚爲止，且以觸針式膜厚計Dektak FPD500測定澱積基板區域內5 0點之膜厚。各膜厚依據前述式（I )進行修整，並算出n i値。此成膜中之n i値爲2 · 3 8。實驗例2〜5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） · 29 - 580844 A7 B7 五、發明説明（27 ) (澱積速度和n i値之調整例）與實驗例1同樣地，將4，4 - 一雔「v , 一 X〔 N — ( 1 —奈基）一 N —苯胺基〕聯苯（實驗例2，以下簡稱n p 〇 ) 4 ， 4 4

-三〔N (3 —甲基苯基）

胺基〕三苯胺（實驗例3，以下簡稱μ T D A T A N —苯 )、4 4 一对甲苯基）苯基〕乙烯基〕聯苯（實驗例4，以下簡稱D τ A V B i ) 4 ’ 4 > —雙（2 ’ 2 -二苯基乙烯基）聯苯（實驗例，以下簡稱D P V B i )分別澱積至基板中心之膜厚爲 2 5 0 0 °爲止。此處，將坩堝溫度分別設定爲2 5 8 260、287、230 °C並且均將澱積速度調整爲 1 · 0人/ s進行澱積。各n i値爲如以下之表1。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製表實驗例澱積溫度（°C ) n i値 2 258 3.40 3 260 3.52 4 287 2.44 5 230 2.35 實驗例fi (根據坩堝形狀之n i値的調整例）於澱積基板（大小2 1 0 X 2 6 0 ni m )和澱積源台本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -30- 580844 A 7 __ B7 __ 五、發明説明（28 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 之垂直距離爲4 0 0 m m，與該澱積基板中心至澱積源台垂下之垂線交點距離1 0 0 m m之位置，將深度不同之下述坩堝A及B相對於澱積基板面之垂直線以1 5度傾斜設置。於坩堝中，將澱積材料D T A V B i充塡並以下述條件進行澱積。其次，以觸針式膜厚計Dektak FPD 500測定澱積基板內之9點膜厚，並算出n i値。澱積條件： •澱積坩堝之形狀：A-石英製內徑20mm 0深度75mm :B -石英製內徑20mm 0 深度 3 7.5mm •澱積速度：坩堝A、B之溫度各爲2 8 3和2 9 3 t：，均於澱積基板中心以0 · 1 5 A / s進行。値 :坩渦A 2 . 8 坩堝B 5 . 8 實驗例7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (根據澱積速度之n i値的調整例）除了令DTAVB i以澱積速度〇 · 〇5A/s進行澱積以外，同實驗例1 (實驗例4 )處理，進行澱積並測定n i値。此時之澱積溫度爲2 7 5 °C，n i値爲 6.28° 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -32- 580844 A7 B7 五、發明説明（29 ) 〔實施例1〕 (控制n i値之有機E L元件之成膜及所得元件之發|件能評價I:離心迴轉澱積法 (1 )控制n i値之有機E L元件的成膜使用澱積基板與澱積源台間之垂直距離爲5 0 0 m m 、與澱積基板中心至澱積源台垂下之垂線交點距離， 2 5 0mm之位置設定澱積源之真空澱積裝置，且澱積基板之迴轉數爲4 · 8 r p m並以離心迴轉澱積法進行以下之成膜。坩堝爲使用開口直徑25mm，厚度1.6mm ’深度7 0mm之石墨製坩堝。將表面以陽極I TO成膜爲膜厚120m之玻璃基板（25X25X1 . lmm) ’於3 9 0 x 4 9 0之基板支架中安裝2 5枚（5枚X 5 枚），並將此支架於真空澱積裝置中安裝。進行真空排氣直到真空度爲2 X 1 0 4 P a以下爲止。於該坩堝中將有機E L元件之有機層澱積材料5種和無機層之電極用澱積材料1種予以同心圓狀地配置。其後，一邊變更澱積速度 ’一邊控制各成膜之n i値，並且依序進行下述a至e之成膜。但’於a〜d有機物澱積材料之成膜前，裝配有機物成膜圖型化用澱積遮蔽物（S U S製，板厚〇 . 2 n m )並且進行a〜d (成膜1〜4)之成膜，其後裝配電極成膜圖型化用澱積遮蔽物（S U S製，板厚〇 · 2 n m ) ’並進行e之無機澱積材料之成膜5，製作一枚基板之發本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

580844 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（30 ) 光區域爲4 X 8 mm之元件。 a 成膜1 澱積材料：第一空穴注入層用澱積材料爲4，4 / ， 4〃 —三〔N —（ 3 —甲基苯基）一 N —苯胺基〕三苯胺 (以下，簡稱爲Μ T D A T A ) 成膜1之澱積條件： • n i 値（η 1 値）：2 ·〇 5 •澱積速度（以澱積基板中心）：2 · 8〜3 · 0 A / s •膜厚：6 0 n m b 成膜2 澱積材料：第二空穴注入層材料爲4，4 / 一雙〔N 一（1 一萘基）一 N -苯胺基〕聯苯（以下，簡稱爲 N P D ) 成膜2之澱積條件： n i 値（η 2 値）：2.25 •膜厚：2 0 n m •澱積速度·· 2 · 2〜2 · 4人/ s c 成膜3 澱積材料：發光層澱積材料爲以發光摻混材料爲4， 4…一雙〔2 —〔4 — (N，N —二對—甲苯基）苯基〕 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -33- 580844 A7 B7 五、發明説明（31 ) 主下光以發C 及苯 ’ 聯 i 基 B 烯 V乙 A 基 T 苯 D 二爲 I 稱 2 簡，， 2 \ny 下 c i 以雙 B (IV 苯' P 聯 4 D J ，爲基 4 稱烯料簡乙材，膜成 η 件，材條材混積主摻澱 c C 之値 3 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ) 値値D Η 3 Β 2 V / A 1 T爲 D 積材面混口板摻開基令之以：間構之 C度機器値速器閉 .1 積續開 η 澱斷間 • . · 0 和 □ η 4 5 4 心中 S \ ΟΑ ο 開器堝續坩斷積置澱設之地經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 •澱積方法：二個澱積材料由鄰接的二個澱積源同時以二元同時澱積法（共澱積）進行。 •膜厚：4 0 n m d 成膜4 澱積材料：電子輸送材料三（8 一喹啉酚）鋁（以下，簡稱爲A 1 q )成膜4之澱積條件： • n i 値（η 4 値）：2.38 •殿積速度（基板中心）：1 · 〇〜1 · lA/ s •膜厚：2〇n m e 成膜5 澱積材料··陰極材料A 1和L i所構成之L i濃度 1〇a t · %之合金材料本紙張尺度適用中國國家檩準（CNS) Μ規格（2歐297公董） -34- 580844 Α7 _ Β7 五、發明説明（32 ) 成膜5之Μ積條件： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) • n i 値（η 5 値）：6 · 1 2 •澱積速度：5〜8A/s •膜厚：1 5 0 n m •澱積時真空度：1·〇χ1〇— 4pa (2 )有機E L元件之發光性能評價於上述成膜方法所得之元件中，若對基板支架中心部配置之元件外加直流6 V，則電流爲以4 . 1 6 m A / cm2流過’且察見売度3 7 8 n i t之藍色發光。此時之電子轉換效率爲4 · 7 5 lm/w，發光色度爲（〇 · 173，0 · 258)。尙，亮度及發光色度之測定爲根據Topcom公司製BM — 7進行。又，於4 x8mm 口之發光領域中，目視未觀測到無發光點，且發光均勻性均爲良好。〔比較例1〕經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (未控制_ n i値之有機E L元件的成膜）於實施例1中，除了對於發光層成膜中之摻混材料的澱積未使用斷續器機構，並且經由降低坩堝溫度而將澱積速度調整至0 . 0 5 A / S以外，與實施例1完全同樣處理進行元件製作。此摻混材料之n i値（η 3 D値）爲 6.28° -35- 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 580844 A7 __ B7 五、發明説明（33 ) 〔實施例1與比較例1之有機E L元件之發光性能的比較 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 對於實施例1和比較例1所得之有機E L元件，將澱積基板之迴轉中心開始之距離所相對之發光色度X座標及 Y.座標之變化示於圖2及圖3。實施例1之有機E L元件爲由澱積基板中心開始之距離2 5 0 m m爲止之發光色均勻，X座標及Y座標之實質變化分別約爲0 · 0 0 1和 0 · 0 1。又，圖4所示之電力轉換效率（1 m / w )相對於澱積基板中心開始之距離之變化爲同樣地於距離基板中心2 5 0mm爲止之發光效率變化爲1 0%以內，且已知爲均勻。相對地，比較例1之有機E L元件，由澱積基板中心開始距離2 5 0 m m爲止之發光色度X座標及Y座標之變化爲0 . 0 0 8和0 . 0 3 3。例如，若將基板中心與距離2 3 0 m m之元件與實施例1相比較，則比較例1之元件爲發光色度變化，且發光色爲呈綠色化。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製又，電力轉換效率（1 m / w )相對於澱積基板中心距離之變化於距離2 5 0 m m爲約2 0 %。〔實施例2〕 (控制n i値之有機E L元件之成膜及所得元件之發光性能評價I I :非迴轉澱積法）以位於下述6個澱積源正上方地迴轉，並使用可決定 -36- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 580844 A7 B7 五、發明説明（34) 位置（固定）之澱積基板和澱積源台間之垂直距離爲 5 0 0mm之真空澱積裝置，並且進行如下列有機e L元件之成膜。於澱積基板中心至澱積源台下垂之垂線交點爲中心之澱積源台上之同心圓上，配置於實施例1所用之坩堝中放入與實施例1相同之6種澱積材料之澱積源。於澱積源台之該澱積所在之點之垂線與澱積基板之交點，及澱積基板上由此交點至1 0公分中心側之位置，分別安裝 I T〇成膜爲膜厚1 2 0 n m之玻璃基板1和玻璃基板2 。進行真空排氣直到真空度爲2 X 1 0 4P a以下爲止之後，將成膜之澱積材料6種之澱積源各1個於玻璃基板1 之垂直下位置固定並且進行成膜。各成膜中之澱積條件爲與實施例1相同。因此，於成膜時，澱積基板上之玻璃基板1爲經常位於各澱積源之垂線上，玻璃基板2爲在於垂線至1 0公分中心側之位置，澱積源與玻璃基板爲以被固定之狀態進行成膜。又，成膜3爲與實施例1同樣地設置斷續器機構。更且與實施例1同樣地，亦裝配圖型化用遮蔽物。如此處理，取得發光區域爲4 X 8 m m之元件1 (澱積源之垂線上之元件）和元件2 (元件1至1 0公分中心側之元件）。兩者之有機物層之膜厚、膜厚差及其變化率示於表2，兩者之發光效率、發光效率差及其變化率示於表3 。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 580844 A7 _ B7 五、發明説明（35 ) 〔比較例3〕 (未控制η 1値之有機E L元件的成膜：非迴轉澱積法）除了令實施例2之成膜1之澱積條件如下述進行以外，.同實施例2處理，亦且根據真空澱積法，進行成膜χ〜 5之有機E L元件的成膜。但’成膜1中之澱積材料爲與實施例2相同。成膜1之澱積條件：使用開口直徑1mm、厚度〇 · 5mm、深度10m m之鉬製板材，代替開口直徑2 5 m m、厚度1 · 6 m m 、深度7〇mm之石墨製坩堝。 • n i 値（η 1 値）：4.82

•澱積速度（於澱積基板中心）：〇 . 8〜1 . 2 A / s •螺栓溫度：3 2 5 °C •膜厚：6〇n m 如此處理，取得發光區域爲4 x 8 m m之元件1 (澱 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) I裝· 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製心 ’ 中 2 分表公於 ο 示 1 率至化 1 變件其元及 C差 2 厚件膜元、表於示率化變其及差率和厚效 >膜光件之發元者、之兩率上。效線}光垂件發之元之源之者積側兩本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -38 580844 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -39· A7 B7 五、發明説明（36 ) 表2 ^_ 實施例2 比較例2 元件1之有機層膜厚：nm 139 」 140 元件2之有機層膜厚：nm 133 125 膜厚差：nm 6 15 (膜厚之變化率） (4.3%) (10.7%) 表3 實施例2 比較例2 元件1之發光效率：cd/A 9.8 」 9.7 元件2之發光效率：Cd/A 9.7 6.8 發光效率差：cd/A 0.1 2.9 (發光效率之變化率） (1.0%) (29.9%) _〔實施例2與比較例2之有機E L元件之1光性能等之比較〕由表2和表3可知，控制有機層成膜時之^ i値之實施例2以非迴轉澱積法所得之有機E L元件，即使離開 1〇公分，亦可令膜厚之變化率爲5 %以下，發光效率之變化爲1 %。相對地，成膜1之n i値爲4 · 8 2之比較例2以非迴轉澱積法所得之有機e L元件爲膜厚變化率爲本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

L 580844 A7 _____B7 五、發明説明（37 ) 1 0 %以上，且發光效率之變化約爲3 0 %。因此，控帋 n i値予以多層疊層時，可取得澱積基板上各位置之膜厚與發光效率之偏差小，且均質之元件。產業上之利用性若根據本發明之元件用薄膜層之成膜方法，則即使爲大畫面之澱積基板亦可形成均質的薄膜，且其均質性高’ 於多層疊層時，各膜於澱積基板上各位置中之膜厚變化小 ’又，將複數之澱積源予以共澱積時，可取得澱積基板上各位置中之各澱積材料的濃度變化小之薄膜。又，使用此類元件用薄膜層之成膜方法所製造的有機 E L元件，爲元件內各位置中之發光性能偏差小且均質的元件。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -40- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims

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A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍第90107373號專利申請案中文申請專利範圍修正本 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國91年8月27日修正 1 . 一種元件用薄膜層之成膜方法，其特徵爲令二種以上之澱積材料以真空澱積法予以澱積，於澱積基板上形成一種或二種以上之薄膜之成膜方法」對於由有機物所成 &之澱積材料i ，將澱積基板上之澱積位置與澱積膜厚之關 |係以下述式（1 ) I D , / D 0 , 〇c ( L 〇 / L i ) 3 c 〇 s n 1 Θ ,...... Cl ) (而L〇爲由澱積源至澱積基板面之垂直距離，D〇i爲由 |澱積源至澱積基板面之垂線與澱積基板面之交點上澱積材灯一 ί料i的澱積膜厚，D i爲由澱積源至澱積基板面垂下之垂線 ^之放射角爲0 t、且由澱積源之距離爲L i之位置上澱積材 r料i的澱積膜厚）近似時，將各澱積材料n i値控制爲全 >： (咅[5於k± 〇 · 5 (而k爲2〜5之常數）之範圍內予以澱 V.積。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 ·如申請專利範圍第1項之元件用薄膜層之成膜方法，其中常數k爲2〜3。 3 .如申請專利範圍第1項之元件用薄膜層之成膜方法，其中常數k爲2。 4 ·如申請專利範圍第1〜3項中任一項之元件用薄膜層之成膜方法，其中n i値之控制方法爲（a )保持澱積源並調整坩堝形狀之方法、及（b )調整澱積速度方法中之一種以上。本I張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X29*7公釐） 77Z ~ 580844 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5 ·如申請專利範圍第1項之元件用薄膜層之成膜方法’其爲令二種以上之澱積材料依序澱積，並且形成元件用薄膜層之層合體。 6 .如申請專利範圍第1項之元件用薄膜層之成膜方法’其爲令二種以上之澱積材料同時共同澱積，形成一個共激積膜。 7 .如申請專利範圍第1項之元件用薄膜層之成膜方法’其爲以離心旋轉澱積法進行澱積。 8 · —種元件用薄膜層之成膜方法，其爲於如申請專利範圍第1項之元件用薄膜層之成膜方法中，使用具有構成有機電激發光元件之各層之有機物做爲該澱積材料，並且形成有機電激發光元件之有機層。 9. · 一種元件用薄膜層之成膜方法，其爲於如申請專利範圍第6項之元件用薄膜層之成膜方法中，澱積材料爲發光層之主材料和發光層之摻混材H，令其共同澱積並且形成有機電激發光元件之發光層。 1 0 . —種有機電激發光元件，其爲具備經由如申請專利範圍第8項之元件用薄膜層之成膜方法所形成之有機層。 1 1 · 一種有機電激發光元件，其爲具備經由如申請專利範圍第9項之元件用薄膜層之成膜方法所形成之發光層。 1 2 .如申請專利範圍第1 0或1 1項之有機電激發光元件，其中於同一元件內之c I E發光色度X座標之偏本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -2 - ^-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 絲經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 580844 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍爲差偏之標座 Y 下以 m 。 m下 ο 以 5 m 2 m \ 〇 5 5 ο 2 ο \ • 2 ο ο 爲· 差〇 ο IX 第圍 /T-E 0 利專靑 3 I θ ο 申件下如元以.一 m 3 同111 1 中 ο 其 5 ， 2 件元光發 / 激% 電 5 機 1 有爲之差貞偏 "之率效換轉力電之 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -3-