TW580521B - An improved method of, and apparatus for delivering an organometallic compound to a plurality of epitaxial reactor sites - Google Patents

An improved method of, and apparatus for delivering an organometallic compound to a plurality of epitaxial reactor sites Download PDF

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Description

580521 年 复號8rnum__ 五、發明綱(1) " "~^L 修正^ 本發明係有關於一種運 ^- 膜反應器位址的改良方法和裝置ί ί化合物到諸多個晶 入裝有有機金屬化合物的容器遞送氣體被引 形成亂體混合⑼,然後氣體混 :金屬化合物並 或多個反應器位址中,_合物分送到-個 當需要時,也可以藉由壓力差或在在貯存器内, 應器位址。 π具二下被抽送到各個反 在半導體工業中,去,1田π Ρ 來生產電子裝置是—種普通氣= ”、(C VD ) 的)放在鼓泡器内,在使用時,#姆貝(液體或固體 浸潰管打成氣泡,並與先質浐人:=虱肽通過鼓泡器内之 體與蒸氣混合物就在控制的速率進,t,然後,遞送氣 種系統是用於生產矽和化合物半導體,:=應器内,這 利用個別的反應器來進行的。 在早d的版本中是 而隨著對半導體的需求增加, 要引用大量的分送系統,其中中央貯存,f =的領域,需 器供料’各個鼓泡器則靠近各個反應器泡 甲石夕烧(TE〇S)的供應商積極銷售S;旦是 僅止於應用在分送液體而已。 裡乐、·死也 但是,現今許多使用於生產半導體的先質,已經可以 以氣相形式從鼓泡器中被運送到反應器,至目前為止,這 種運送方式已可在個別運送的基礎下完成,但是這種運送 方式卻有顯而易見的缺點’例如:為了更換設於個別反應 器旁邊的鼓泡器時,其機器停工的時間長,以及在進行局
580521
棟取時’具所增"πν %,工可對各個 器旁邊設置控制設備之相關費用,成本高。 把先質從鼓泡器運送到反應器位址=生產 別設計,使其能夠適合用於生產半導體之具有潛 ^特 的化學品,例如··三曱基鎵、三甲基銦、三甲基鋁二二i 基鋅和三乙基鎵,這些化學品所具有的潛在危ς性之== 是它們的自燃性(即為一與空氣接觸到,就會自發性地= 火燃燒)。 本發明的主要目的,係在提供一種運送有機金屬化合 物到諸多個晶膜反應益位址的改良方法和裝置,可減少更 換個別$支泡器k其機裔停工之時間,且其他鼓泡器仍可繼 縯運作’並可降低在進行局部揀取時,其所增加的複雜性 和控制設備之費用,可降低成本者。 本發明的主要特徵係在提供一種運送有機金屬化合物 到諸多個晶膜反應器位址的改良方法,係把遞送氣體引入 1有有機金屬化合物的容器,棟取遞送該氣體中的有機金 屬化合物並形成氣體混合物,輸送該氣體混合物至貯存器 ’然後再做選擇性地分送該氣體混合物到一個或多個反應 裔位址中,此方法不包括濃縮該氣體混合物的步驟。 本發明之另一特徵是在提供一種運送有機金屬化合物 到諸多個晶膜反應器位址的改良裝置,該裝置係設有一個 可將遞送氣體引入裝有有機金屬化合物的容器内的入口, 一個用來儲存該有機金屬化合物和遞送氣體的氣體混合物 的貯存裔,和一個可選擇性地分送該氣體混合物到一個或 多個反應器位址中的出口 ,該裝置不包括用來濃縮該氣體 580521 j號8912應 五、發明說明(3) 混合物的濃縮器。 為了能夠明瞭本發明 效執行,提供下列說明及 首先,請參閱第一、 大里分送裝置,可將容器 式的有機金屬化合物運送 2 0位址,一種遞送氣體( 氣體)以大量流動 /父/貝官3流入鼓泡器1内 個晶膜反應器1 2、1 4、U 泡器1設於溫度控制油浴 ,以顯示遞送氣體流入的 氫氣2在鼓泡器1内 蒸氣相形式的氣流,會被 加入的氫氣2由另一大量 其流動速率是依據大量流 ,第二次的稀釋主要是為 =度之下,藉以確定先質 藉由加熱鼓泡器1的方法 氣相形式通過本裝置,再 以達到此目的;第二個大 動控制器4㈣,使二種 著相同的速率。 曰 修正 ’以及更清楚顯示出本發明的有 圖式作為範例以供參考: 二圖所示,本發明是在提供一種 (可設為鼓泡氣1 )内蒸氣相形 到多個反應器1 2、1 4、1 6、1 8、 一般是氫氣2 ,但也有可能是其 控制器4所設定的流動速率通過 ,遞送氣體内含有要運送到諸多 、18、20的有機金屬化合物,鼓 器5内部,並設有高度警報器6 高度。 揀取有機金屬化合物,然後形成 另一種後加入的氫氣2稀釋,後 流動控制器7設定其流動速率,
動控制器4 66、、* t I 的μ動速率來設定的 了降低蒸_、、塗$ ;;、虱/辰度使之維持在飽 月"瘵氣相形式通過本裝置,另 者,同時ΐ 化合物能以蒸 量泣動用上述二種方法也可 里/爪動控制哭7盘哲 #摻洛》 f 一苐一個大量流 遞迗虱體的冷^ 的/瓜動,彼此一直保持 580521 f號 89121074 五、發明說明(4) 輸出是以壓力控制器1 0來設定主要的氫氣2所流經大量产 動控制器4 ,流動速率,t央貯存器9内部的氣體混合= 可利用濃度監視益δ來測得其濃度,藉由在真空下或利用 麼力差,氣體混合物可自中央貯存器9 一致性ς供給到各 反應态1 2、1 4、1 6、1 8、2 0,再經各反應器! 2、1 4、1 6、 18、20的大量流動控制器12a 、Ha 、16a 、18a、2〇a所 設定的流動速率,抽送到各個反應器丨2、i 4、ι 6、i 8、% 中,·以往此種把大量物質以蒸氣相形式儲存的方 使用於運送有機金屬化合物到反應器12、14、ΐ6:ΐ8 了 = 這方面,關於此點,在習知的做法中,則是把大 液相或固相形式儲存起來。 、 、高人ί發!用ί楝取有機金屬化合物的遞送氣體可為任何 ::的水久氧體,例如氫氣2,而本發 用,運送有機金屬化合物到諸多個反應器12方:和= 位址中,這點已經很明白,但是 11二I: 量分送有機金屬化合物,包括三甲基鎵、:nt用於大 基鋁:二甲基鋅和三乙基鎵。 —甲基銦、三甲 很重要的是,本發明的方法 速率進行蒸氣式地連續性的揀取,並流動 )内僅殘留2 %的剩餘有機金屬化合物:二(鼓泡器1 、14、16、18、二=;於可運送到諸多個反應器12 2 〇位址的有機金屬化人^金 、, 所成,可以由單-氣體』視ΪΓ:;;合 相形ΐ 使屬化合物之化學物=氣 夹貝丁存益9中被運达到諸多個反應外、“ 580521 五 、發明說明(5) 1^89121074 16、18、20 位址
“类:來凌有機金屬化合物的容器最 1的樣^,遞送氣體可以經由浸潰管3 而鼓泡器1係設於、、四声扯 丁0又於/皿度控制油浴器5内 視其内先質高度的梦蓄r ll 没的衣置(此點是可以達 尚度吕報器6 、蘇舌哭a在^ _丄― 秤重器或氣體濃度監視 好疋设计為鼓泡器 引入鼓泡器1内, ’政泡器1具有監 到的’例如:利用 器8 /總量計算器 本發明所 1的個別反應 時間,更進一 增加的複雜性1 4、1 6、1 8、 本,而且,具 物的'能力,而 機金屬化合物 濃度的有機金 全性。 經由本發 屬化合物進行 動速率進行連 流動速率。 綜上所述 的,且更已解 之申請要件, 符合發明專利 提供的重要優點之一, 器 1 2、1 4、1 6、工 8、2 〇 步的優點是能夠降低在 和針對各個化學物品所 2〇旁設置的控制裝置之 有可運送蒸氣相形式的 因為與使用於大量液體 (要100 % )不同,此 屬化合物(低於5 %), 明的方法和裝置可以對 連續性的揀取,更棒的 續性的揀取,例如:每 ’本發明確實能達到所 決習用方法存在之問題 又本案於申請前更未曾 之申請要件,爰依法提 是 時 進 需 費 I 分 並 遞 B 疋 預 能夠在更 ’減少機 行局部揀 在各個反 用,可大 燃性有機 送所需的 氣氣體中 可增加本 換鼓泡器 器停工的 取時,所 應器1 2、 為降低成 金屬化合 高濃度有 僅包含低 系統的安 送氣體中的有機金 能夠以大範圍的流 分鐘〇至1 〇公升的 期之功效及使用目 實已符合發明專利 知、公用,當已能 專利申請,懇請早
第9頁 580521
第10頁
580521 _案號89121074_年月日__ 圖式簡單說明 第一圖所示係為本發明裝置之實施例中之部件示意圖。 第二圖所示係為本發明裝置之鼓泡器立體圖,鼓泡器的前 部被剖開以顯示置於其内之浸潰管。 圖式中之編號說明: 1 鼓泡器 1 0壓力控制器 1 2、1 4、1 6、1 8、2 0 反應器 1 2 a、1 4 a、1 6 a、1 8 a、2 0 a大量流動控制器
2氫氣 3浸'潰管 4、7大量流動控制器 5 溫度控制油浴器 6高度警報器 8 濃度監視器 9中央貯存器
第11頁

Claims (1)

  1. 580521
    _案號 89121Π74 六、申請專利範圍 反應裔位址。 7、如申請專利範圍第1項所述一種運送有機金屬化 合物到諸多個晶膜反應器位址的改艮方法,其中對於該遞 送氣體中的有機金屬化合物所進行的楝取,是保持連續性 的揀取。 8、 如申請專利範圍第7項所述一種運送有機金屬化 合物到諸多個晶膜反應器位址的改艮方法,其中連續性的 揀取遞送氣體中的有機金屬化合物,以每分鐘〇至i 〇公升 之大範圍流動速率來進行。 9、 如申請專利範圍第1項所述一種運送有機金屬化 合物到諸多個晶膜反應器位址的改艮方法,其中該遞送氣 體為氫氣。 10、 一種運送有機金屬化合物创諸多個晶膜反應器位 址的改良裝置,該裝置係設有一侗 < 將遞送氣體引入裝有 有機金屬化合物的容器内的入口 ,〆個用來儲存該有機金 屬化合物和遞送氣體的氣體混合物的貯存為’和一個可選 擇性地分送該氣體混合物到一個戒多個反應器位址中的出 口,該裝置不包括用來濃縮該氣H滿合濃、=器。 11、 如申請專利範圍第1 〇項所述运有機金屬化 合物到諸多個晶膜反應器位址的改良装置’其中一個或多 個大量流動控制器是用來控制通過該装置的遞送氣體以及 遞送氣體混合物之流動速率。 1 2、如申請專利範圍第11項所述,種運送有機金屬化 合物到諸多個晶膜反應器位址的改良装置,其中第一個大
    580521 __案號 89121074 六、申請專利範圍 年月曰___ ΐ流動控制器的位置可控制該遞送氣體引入容器内之流動 速率。 1 3、如申請專利範圍第1 〇項所述一種運送有機金屬化 合物到諸多個晶膜反應器位址的改良裝置,其中進一步包 含··另設有裝置可在揀取有機金屬化合物之後,將第二種 來源的遞送氣體引入該氣體混合物中。 1 4、如申請專利範圍第丨丨項或第丨3項所述一種運送有 機金屬化合物到諸多個晶膜反應器位址的改良裝置,其中
    第二個大量流動控制器是用來控制所加入的第二種來源的 遞送氣體的流動速率。 1 5、如申請專利範圍第丨丨項所述一種運送有機金屬化 合物到諸多個晶膜反應器位址的改良裝置,其中第二個大 量流動控制器與第一個大量流動控制器相連。 1 6、如申請專利範圍第丨〇項所述一種運送有機金屬化 合物到諸多個晶膜反應器位址的改良裝置,其中貯存哭# 有壓力控制器。 w <
    1 7、如申請專利範圍第1 〇項所述一種運送有機金屬化 合物到諸多個晶膜反應器位址的改良裝置,其中另設有穿 置可允許該氣體混合物在真空下或藉由壓力差,自貯存器 内被抽送到各個反應器位址。 σσ 項所述一種運送有機金屬化 的3良裝置,其中各個反應 制為可控制該氣體混合物 1 8、如申請專利範圍第1 0 合物到諸多個晶膜反應器位址 器位址擁有自己的大量流動控 進入該反應器的流動速率。
    第14頁 580521 案號 89121074 曰 修正 六、申請專利範圍 1 9、如申請專利範圍第1 0項所述一種運送有機金屬化 合物到諸多個晶膜反應器位址的改良裝置,其中裝有有機 金屬化合物的容器為鼓泡器,該遞送氣體是藉由浸潰管被 引入該鼓泡器内。 2 0、如申請專利範圍第1 9項所述一種運送有機金屬化 合物到諸多個晶膜反應器位址的改良裝置,其中該鼓泡器 係設於溫度控制油浴器内。 2 1、如申請專利範圍第1 9項所述一種運送有機金屬化 合物到諸多個晶膜反應器位址的改良裝置,其中該鼓泡器 設有高度警報器以監視其内有機金屬化合物的高度。
    第15頁
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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9929279D0 (en) 1999-12-11 2000-02-02 Epichem Ltd An improved method of and apparatus for the delivery of precursors in the vapour phase to a plurality of epitaxial reactor sites
US7124913B2 (en) 2003-06-24 2006-10-24 Air Products And Chemicals, Inc. High purity chemical container with diptube and level sensor terminating in lowest most point of concave floor
US7261118B2 (en) 2003-08-19 2007-08-28 Air Products And Chemicals, Inc. Method and vessel for the delivery of precursor materials
JP5568729B2 (ja) * 2005-09-06 2014-08-13 国立大学法人東北大学 成膜装置および成膜方法
GB2432363B (en) * 2005-11-16 2010-06-23 Epichem Ltd Hafnocene and zirconocene precursors, and use thereof in atomic layer deposition
GB2432371B (en) * 2005-11-17 2011-06-15 Epichem Ltd Improved bubbler for the transportation of substances by a carrier gas
US20070175392A1 (en) * 2006-01-27 2007-08-02 American Air Liquide, Inc. Multiple precursor dispensing apparatus
DE102006043755B4 (de) * 2006-09-13 2009-05-07 Eads Deutschland Gmbh Beschichtungssystem und Beschichtungsverfahren
TWI425110B (zh) * 2007-07-24 2014-02-01 Sigma Aldrich Co 以化學相沉積法製造含金屬薄膜之方法
TWI382987B (zh) * 2007-07-24 2013-01-21 Sigma Aldrich Co 應用於化學相沉積製程的有機金屬前驅物
EP2201149B1 (en) 2007-09-14 2013-03-13 Sigma-Aldrich Co. Methods of preparing titanium containing thin films by atomic layer deposition using monocyclopentadienyl titanium-based precursors
TWI467045B (zh) * 2008-05-23 2015-01-01 Sigma Aldrich Co 高介電常數電介質薄膜與使用鈰基前驅物製造高介電常數電介質薄膜之方法
TW200949939A (en) * 2008-05-23 2009-12-01 Sigma Aldrich Co High-k dielectric films and methods of producing using titanium-based β -diketonate precursors
TW201040306A (en) 2009-03-11 2010-11-16 Air Liquide Bubbling supply system for stable precursor supply
JP5690498B2 (ja) 2009-03-27 2015-03-25 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. 基体上に膜を堆積する方法および気化前駆体化合物を送達する装置
KR101538982B1 (ko) 2009-08-07 2015-07-23 시그마-알드리치 컴퍼니., 엘엘씨 고분자량 알킬알릴 코발트트리카르보닐 착체 및 유전체 박막 제조를 위한 그 용도
CN102597310B (zh) 2009-11-02 2015-02-04 西格玛-奥吉奇有限责任公司 固态前体输送组件以及相关方法
SG187920A1 (en) 2010-08-27 2013-03-28 Sigma Aldrich Co Llc Molybdenum (iv) amide precursors and use thereof in atomic layer deposition
JP5727596B2 (ja) 2011-05-10 2015-06-03 株式会社フジキン 流量モニタ付圧力式流量制御装置の実ガスモニタ流量初期値のメモリ方法及び実ガスモニタ流量の出力確認方法
KR20120140148A (ko) * 2011-06-20 2012-12-28 엘지이노텍 주식회사 증착 장치 및 박막 형성 방법
JP5755958B2 (ja) 2011-07-08 2015-07-29 株式会社フジキン 半導体製造装置の原料ガス供給装置
JP5652960B2 (ja) * 2011-08-01 2015-01-14 株式会社フジキン 原料気化供給装置
US8927748B2 (en) 2011-08-12 2015-01-06 Sigma-Aldrich Co. Llc Alkyl-substituted allyl carbonyl metal complexes and use thereof for preparing dielectric thin films
JP5647083B2 (ja) 2011-09-06 2014-12-24 株式会社フジキン 原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置
CN104136448B (zh) 2012-01-26 2015-12-02 辛格玛艾瑞契有限责任公司 钼烯丙基络合物和其于薄膜沉积中的用途
JP2016134569A (ja) * 2015-01-21 2016-07-25 株式会社東芝 半導体製造装置
US10443128B2 (en) 2015-04-18 2019-10-15 Versum Materials Us, Llc Vessel and method for delivery of precursor materials
US10480070B2 (en) * 2016-05-12 2019-11-19 Versum Materials Us, Llc Delivery container with flow distributor
US11166441B2 (en) 2018-07-13 2021-11-09 Versum Materials Us, Llc Vapor delivery container with flow distributor
WO2021067764A1 (en) * 2019-10-04 2021-04-08 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Supply system for low volatility precursors
KR20240024266A (ko) * 2021-07-01 2024-02-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 프로세스 챔버에 전구체를 전달하기 위한 시스템 및 방법
CN115572956A (zh) * 2022-10-14 2023-01-06 华虹半导体(无锡)有限公司 调控晶圆原子层化学沉积薄膜厚度均匀性的方法

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US206453A (en) * 1878-07-30 Improvement in jet-heaters
US339177A (en) * 1886-04-06 Natural-gas carburetor
US654378A (en) * 1899-01-12 1900-07-24 Willis J Woodward Carbureter.
US659359A (en) * 1899-11-27 1900-10-09 Edmund C Burr Carbonatation-vat.
US671042A (en) * 1900-02-19 1901-04-02 Guilford A Deitch Carbureter.
JPS5236844A (en) * 1975-09-15 1977-03-22 Syntex Inc Device of filterring* ventilating and purifying liquid in fish tank and its process
US4192255A (en) * 1978-09-07 1980-03-11 Willinger Bros., Inc. Aquarium airstone device
US4276243A (en) * 1978-12-08 1981-06-30 Western Electric Company, Inc. Vapor delivery control system and method
JPS56146916A (en) * 1980-03-28 1981-11-14 Jgc Corp Water sealing device
JPS60131973A (ja) 1983-12-19 1985-07-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機金属の気化方法
US4582480A (en) * 1984-08-02 1986-04-15 At&T Technologies, Inc. Methods of and apparatus for vapor delivery control in optical preform manufacture
JPS6251738U (zh) * 1985-09-20 1987-03-31
JPS6311598A (ja) * 1986-07-03 1988-01-19 Toyo Sutoufuaa Chem:Kk 有機金属気相成長用シリンダ−
JPH0183434U (zh) * 1987-11-09 1989-06-02
JPH082419B2 (ja) * 1989-01-21 1996-01-17 株式会社山形信越石英 バブラー体
JP2934883B2 (ja) * 1989-05-31 1999-08-16 株式会社エステック 気化方式によるガス発生装置
JPH0312400A (ja) * 1989-06-08 1991-01-21 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 化合物半導体薄膜の製造方法
JPH0331477A (ja) 1989-06-28 1991-02-12 Oki Electric Ind Co Ltd Cvd装置用バブラー
EP0420596B1 (en) * 1989-09-26 1996-06-19 Canon Kabushiki Kaisha Gas feeding device and deposition film forming apparatus employing the same
US5078922A (en) * 1990-10-22 1992-01-07 Watkins-Johnson Company Liquid source bubbler
JPH06295862A (ja) * 1992-11-20 1994-10-21 Mitsubishi Electric Corp 化合物半導体製造装置及び有機金属材料容器
JP3137488B2 (ja) * 1993-02-04 2001-02-19 信越化学工業株式会社 原料ガス供給装置及び多孔質ガラス母材の製造方法
JP2996101B2 (ja) 1994-08-05 1999-12-27 信越半導体株式会社 液体原料ガスの供給方法および装置
JP3360539B2 (ja) * 1996-07-12 2002-12-24 信越半導体株式会社 ガス供給装置及び気相成長用設備
US6077356A (en) 1996-12-17 2000-06-20 Advanced Technology Materials, Inc. Reagent supply vessel for chemical vapor deposition
US5972117A (en) * 1997-09-03 1999-10-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring generation of liquid chemical vapor
JPH11111644A (ja) * 1997-09-30 1999-04-23 Japan Pionics Co Ltd 気化供給装置
JP3560457B2 (ja) * 1997-12-24 2004-09-02 信越化学工業株式会社 気相成長用液体原料の気化容器
US6039809A (en) 1998-01-27 2000-03-21 Mitsubishi Materials Silicon Corporation Method and apparatus for feeding a gas for epitaxial growth
JP2866374B1 (ja) * 1998-01-27 1999-03-08 三菱マテリアルポリシリコン株式会社 エピタキシャル成長用ガスの供給方法及びその装置
US6135433A (en) * 1998-02-27 2000-10-24 Air Liquide America Corporation Continuous gas saturation system and method
US6123765A (en) * 1998-03-27 2000-09-26 Mitsubishi Silicon America Continuously fed single bubbler for epitaxial deposition of silicon
US5925622A (en) 1998-07-13 1999-07-20 Romark Laboratories, L.C. Synthesis of aryl glucuronide of 2-hydroxy-N- (5-nitro-2-thiazolyl) benzamide, and pharmaceutical compositions comprising same
GB9929279D0 (en) 1999-12-11 2000-02-02 Epichem Ltd An improved method of and apparatus for the delivery of precursors in the vapour phase to a plurality of epitaxial reactor sites
US6443435B1 (en) * 2000-10-23 2002-09-03 Applied Materials, Inc. Vaporization of precursors at point of use

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