CN205188435U - 一种化学气相沉积装置 - Google Patents

Abstract

一种化学气相沉积装置，包括加热炉，加热炉具有密闭的炉膛和设置在炉膛外周的加热体，炉膛中部设置有热电偶，炉膛具有气体入口和气体出口；还包括并联的载气流路和稀释气流路，二者都与炉膛的气体入口连接；载气流路中设置有汽化器，液相原料在汽化器中汽化后由载气携带进入加热炉中进行气相沉积。根据本实用新型的化学气相沉积装置，能够采用液相前驱体作为原料来进行气相沉积薄膜或涂层；结构简单，操作方便。

Description

一种化学气相沉积装置

技术领域

本实用新型涉及一种化学气相沉积装置，尤其涉及采用液相前驱体作为原料的化学气相沉积装置。

背景技术

化学气相沉积是一种制备材料的气相生长方法，它是把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基材的反应室，借助空间气相化学反应在基体表面上沉积固态薄膜的工艺技术。

在制备某些薄膜或涂层时，例如制备碳化硅薄膜，需要采用液相物质三氯甲基硅烷作为初始原料。这种情况下，就需要对原有的以气相物质作为初始原料的沉积装置进行改进。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种化学气相沉积装置，能够采用液相前驱体作为原料来进行气相沉积薄膜或涂层。

根据本实用新型的化学气相沉积装置，包括加热炉，加热炉具有密闭的炉膛和设置在炉膛外周的加热体，炉膛中部设置有热电偶，炉膛具有气体入口和气体出口；还包括并联的载气流路和稀释气流路，二者都与炉膛的气体入口连接；载气流路中设置有汽化器，液相原料在汽化器中汽化后由载气携带进入加热炉中进行气相沉积。

优选情况下，汽化器包括控温油浴锅。

优选情况下，载气流路和稀释气流路中分别设置有气体流量计。

优选情况下，还包括尾气净化装置，与炉膛的气体出口连接。

优选情况下，还包括位于炉膛中的基体支撑件。

优选情况下，还包括控制器，用来控制加热炉温度和气体流量。

根据本实用新型的化学气相沉积装置，能够采用液相前驱体作为原料来进行气相沉积薄膜或涂层；结构简单，操作方便。

附图说明

图1为根据本实用新型的化学气相沉积装置的整体示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步描述。本领域技术人员应当理解，以下描述仅用于解释本实用新型而非用于对其作出任何限制。

参见图1，根据本实用新型的化学气相沉积装置包括主要加热炉1、控制器2、载气流路14和稀释气流路13。

加热炉1具有密闭的炉膛6，在炉膛6外周设置有加热体3，加热体3外周设置有保温层17。炉膛6通常为竖直设置，中部设置有热电偶8，炉膛6具有气体入口15和气体出口16。炉膛6中设置有基体支撑件4，用来支撑待沉积的基体5。基体5可以多层布置，每层之间设置有气体分布板。

载气流路14和稀释气流路13并联设置，二者的一端都与气源连接，二者的另一端都与炉膛6的气体入口15连接。载气流路14和稀释气流路13中分别设置有气体流量计12和11。为了准确控制气体流量，气体流量计12和11优选采用质量流量计。载气流路14中设置有汽化器9，汽化器9可以是控温油浴锅，装在原料容器18中的液相原料在控温油浴锅中进行恒温汽化，然后由载气携带进入加热炉1中，并通过稀释气流路11向加热炉1中通入适量的稀释气，混合后在加热炉1中发生气相沉积反应，从而在基体5的表面沉积薄膜或涂层。

控制器2中设置有温度控制仪10，温度控制仪10与热电偶8连接。通过温度控制仪10来设定和调节加热炉1中的温度。另外，气体流量计12和11也设置在控制仪2上，分别用来调节载气和稀释气的流量。

根据本实用新型的化学气相沉积装置还可以包括尾气净化装置7，尾气净化装置7与炉膛6的气体出口16连接，用来对反应后的尾气进行净化处理。

Claims (6)

1.一种化学气相沉积装置，包括加热炉，加热炉具有密闭的炉膛和设置在炉膛外周的加热体，炉膛中部设置有热电偶，炉膛具有气体入口和气体出口；其特征在于，还包括并联的载气流路和稀释气流路，二者都与炉膛的气体入口连接；载气流路中设置有汽化器，液相原料在汽化器中汽化后由载气携带进入加热炉中进行气相沉积。

2.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，汽化器包括控温油浴锅。

3.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，载气流路和稀释气流路中分别设置有气体流量计。

4.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，还包括尾气净化装置，与炉膛的气体出口连接。

5.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，还包括位于炉膛中的基体支撑件。

6.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，还包括控制器，用来控制加热炉温度和气体流量。