TW573306B - Dielectric laminate for a capacitor - Google Patents

Description

573306 五、發明說明（1) [背景技術說明] _ 本發明係有關一種電容器用之介電質積層體。更特定 ^之’ ^發明係有關一種介電質積層體，該介電質積層體 具有一介於較低電容率聚合物材料層間之介電質蕊材，該 較低電容率聚合物材料可供電容器之用。 一對可用於電子電路設計及製造工業上之多種應用之具 有尚撓性、調諧性且信賴性之介電質的需求漸增。印刷線 路板（PWB)工業對該介電質之需求特別大，在於該介電質 材料對未來P W B設計之改良上極為重要。 長久以來印刷線路板係製成積層體結構，於其上得接 _ 置或形成有多數裝置如積體電路，以使其得用於多種電子 應用上。該印刷線路板係形成有内部電源與接地層、或導 電片，各種裝置包含跡線或電性連接且同時具有電源與接 地層，以增進其運作功效。 已投入大量努力於該PWBs及佈設其上之裝置的設計， 以抵銷PWBs中電源與接地層間產生之電壓波動，特別是針 對敏感度高之裝置如積體電路，其接置或形成於板面並同 時與電源與接地層連接以供運作。該電壓波動係因積體電 路開啟以及關閉所造成。該電壓波動導致許多應用上非預 期及/或無法接受之π雜訊π。 籲

對雜訊問題之解決辦法係設置直接與積體電容器連接 之表面電容器，該積體電容器係於某些情況下直接與積體 電路連接，而於其他情況下與經選擇之鄰近積體電路之電 源與接地層連接。例如’表面電容器係形成或接置至PWB

92097.ptd 第5頁 573306 五 發明說明（2) 源 別 骏 置 或 積 期 的 電 壓 波 用 上 皆 有 裝 置 之 ’，反 、於此技蓺 而 產 生 j 謗 容 器 偶 接 之 路 或 其 他 裝 〇 該 裝 置 運 此 PWBS 與 低 迷 運 作 時 所 探 討 之 問 用 個 別 與 積 之表面上，且藉表面跡線或兹 & 4耨通孔連接而斑個別 體電路相連。 心钱肉，、们力】骏置或 效 應 m 衫響積體電路或其他裝置之 ’因其具有不僅—電容值且亦有—感應值。之， 上之工作者皆相當了解電感係因電流通過導體而產匕技藝 導體係譬如與具有該裝置或電源與接地層之 ， 跡線或連接結構。 ' ^ ^ ^ T 7 1頁胆 置係自電壓波動產生雜訊之輻射能的主要來 作於不同速度或頻率時得觀察出不同特徵。 裝置排列以及相關之電容器得設計為於高速 皆能降低雜訊。 體 ------« 1 W D S ^ 造之複雜性及成本，亦不利地影響PWB信賴性。因此，於 PWB工業上對進一步改善電容器之設計，以克服許多或上 述問題有持續需求。

Hernandez之美國專利第4, 853, 827號揭露一電容器， 其聲稱具有高電容、低電感及低當量串聯電阻（ESR)。該 電容器係應用於如高電流能量分布系統中之雜訊抑制上， 該高電流能量分布系統係用於數位電腦、電信模組、DC電

92097.ptd 第6頁 573306 五、發明說明（3) ::Γ 動過濾、等。構成電容器之介電質- ^ 枓如BaTi〇3、鈮酸鎂、鈮酸 W冤質材料係陶瓷材 呈平面狀排列之晶片 '顆粒’薄。，介電質材料係呈佈設 係填充有撓性聚合物/膠黏f，’ 广狀。介電質間之空間 質材料黏結之薄片。因此，/形成聚合物與排列介電 或薄片之側邊，而不會接觸介；：：料僅接觸顆粒、晶片 聚合物包含聚亞醯胺醚、臂 頂面與底面。使用之 電質與聚合物之外露表面係以^ ，聚酯及環氧化物。介 層而金屬化。薄金屬層可隨電Z50微英=厚之薄金屬 度。電容器t電容係以金屬 ^ =至2检爾之較高厚 粒數目而控制。 屬層或電極間之距離及介電質顆 51且：的8 : 7 利之電谷器之缺點在於電容器之厚度。電容 雷二器i女5至〇· 015英吋（〇· 013至〇· 038公分）之厚度。 電令器愈大，則電容器佔據愈多PWB之空間，留下較少空 ，使用其他板元件。因此，PWB之尺寸需夠大足以容置所 需之板兀件。板尺寸之限制意指電子工業受限於如何製成 精巧或小型的電子設備。整體工業係致力於發展精巧、且 與較大類似者相比得運作於相當或更好水準之電子設備。 較厚電容器之另一缺點係當二電極間之距離增加時，電容 會降低。由於電子工業致力於縮小電子裝置尺寸並增加運 算力（computing power)，故需要具有較高電容之較薄電 容器。因此，高度期待比該，827之電容器更薄之電容器。

Brandt等人之美國專利第6, 〇68, 782號揭露嵌設之電 容器’其係P W B或多晶片模組之整合元件。該設計使被動

1^11!酬 92097.ptd 第7頁 573306 五、發明說明（4) 元件（即電容器）得自PWB表面移除，而整合至多層板中以 縮小電子裝置之尺寸並增加運算力。其他因縮短導線而產 生之優點係改善環境穩定度及降低系統雜訊與雜訊敏感 度。該嵌設被動元件之實例為去偶合或旁通電容器。特別 於高頻率時，該功能通常困難地或不切實際地以置於板表 面上之旁通通孔或表面接置元件而施行。該’782專利所揭 露之嵌設電容器係形成於基板或PWB上之原處。電容器底 部電極與其他電路係形成於適當基板上，然後敷設可圖案 化之第一絕緣體；絕緣體進行圖案化以界定電容器介電質 之位置、區域及高度，使該圖案顯影；沉積電容器介電質 至該圖案；以及再於圖案層頂面上或其中製造電容器頂部 電極與其他電路。因此，電容器具有其電容器介電質蕊材 位於二電極間之三明治結構。介電質之厚度係聲稱於〇.；[ V至100//m之範圍。電容器係電性連接至相同及/或其他 PWB 層。 該’782專利之電容器介電質包含聚合物、聚合物/陶 瓷（金屬氧化物）組成物或陶瓷（金屬氧化物）。電容器介電 質亦可自多層不同的電容器介電質材料形成，以調諧電容 器元件之電子特性。然而，調諧具有聚合物/陶瓷（金屬氧 化物）組成物介電質層之電容器之電子特性至所期望之值 係困難且不穩定的。例如，組成物介電質之電容率係聚合 物與陶瓷之電容率的組合。該組成物之電容率係至多一近 f值。非常期待更精確的電容率值，以得到更為精確之電 各。當電容器之電容精確可知時，電容器可使用於對電子

573306 五、發明說明（5) 裝置所期望之頻率範圍中最理想地運作。因此，使用電容 器之電子裝置亦得更有效率地操作。 該’ 782專利之電容器之另一缺點係電容器以原處方法 製造。以原處製備電容器，PWB或多層PWB之製造會增加額 外步驟，使PWB之製造效率降低。再者，電容器介電質之 厚度係以可圖案化之第一絕緣體層以及電容器介電質之溶 劑含量而決定。電容器介電質材料係於溶劑中而沉積在 PWB上。溶劑會於熱處理時蒸發，導致電容器介電質收縮 至得以獲得電容之厚度。該去除溶劑用以獲得介電質特定 厚度之方法係不可信賴之方式。此技藝之工作者無法精確 ® 估計去除溶劑之特定量以獲得所期望之電容厚度。 此外，該’ 782專利容許薄膜電容器介電質自液體沉積 以於基板上獲得經控制之厚度，係非常困難、不太可能 的。構成基板如PWB之材料遭受本身的翹曲及厚度變化。 同時，用以敷設介電質之醫用刀片易於彎曲，相較於圖案 化絕緣體之邊緣，其在中段勺舀較多介電質材料。為了克 服該問題，係以限制電容器位置至小區域的方法。或者， 於大區域使用網柵，以維持刀片離PWB有一預定距離。該 方法係冗長且效率差。 微塗科技公司之歐洲專利第1 005 2 6 0 A2號揭露一薄 _ 膜嵌設電容器及以燃燒化學氣相沉積（CCVD)或控制氣氛之 燃燒化學氣相沉積（CACCVD)製造該電容器之方法。電容器 可嵌設於印刷線路板中，但無需如上述Brandt等人於板上 原處製備。電容器可作為去偶合電容器，以助於消除"雜

92097.ptd 第9頁 573306 五、發明說明（6) 訊而維持令人滿意的電信號。 CCVD方法知使薄膜均勻層形成於開放大氣中，無需任 何昂貴的熔爐、真空、或反應室。CCVD方法可形成具有小 於5 OOnm厚度之層。非常期待該薄膜均勻層，因為電容器 之層愈薄’則電容愈高。同時，增加損失。損失後的介電 質具有自約1 0」至約〗Ο」安培每cffl2之所期望的電傳導性。 該薄膜電谷器使印刷線路板得進一步縮小尺寸。

當需用不含氧環境形成均勻薄膜時，使用CACCVD，而 非CCVD。CACCVD利用不燃燒能源如熱氣體、熱管、輻射 能、微波及增能光子。於CACCVD應用上所有使用之液體及 氣體皆不含氧。 電容器具撓性使其得以彎曲成約6英吋半徑。介電質 材料包含陶瓷介電質（金屬氧化物），其係以CCVD或CACCVD 而沉積於基板上。於一實施例中，電容器係以聚合物支撐 片如聚醯胺片上之連續沉積層所組成。鎳或銅金屬層係以 CACCVD而沉積於聚醯胺片上。然後，介電質層係沉積於其 上，接著，第二金屬層以CCVD、CACCVD或電鍍沉積。電容 器可作為去偶合電容器，或第二金屬層可圖案化以適當光 阻劑/ #刻方式而產生不同電容器層。電容器之金屬層係 自約0 · 5至約3微米厚。介電質層範圍自約0 · 〇 3至約2微米 厚0 使用之介電質材料係二氧化矽及以二氧化矽為主之組 成物，包含1 〇 〇 %二氧化石夕層、非結晶及結晶，但亦包含攙 有添加劑之二氧化矽及混合有其他氧化物之二氧化石夕，如

573306 五、發明說明（7)

PbO、Li20、K20、人1 203及B203。介電質材料亦可攙有多種 元素如 Pt、B、Ba、Ca、Mg、Zn、Li ' Na、K等。用於介電 質蕊材之其他介電質材料包含BST ' SrTi03、Ta2〇5、Ti〇2、 Mn02、Y203、Sn02、氧化鋇鈦（Ba2Ti 902G)、攙有锡之氧化鋇 鈦（Ba2TiH9_x)Snx_802(); X>0)及攙有鍅之氧化鋇鈦 (Ba/TiHwZivAQ; X>0)。該介電質材料具有高電容率， 因此使小尺寸之電容器得提供高電容。 上述材料可以CCVD方式，並選擇適當化學試劑或前驅 物於前驅溶劑中而於基板上沉積成薄層。介電質層可具有 不同組成物層。例如，多層膜得為二氧化矽與石夕酸錯之交 替層，由矽酸鉛基底與矽酸鉛鋁硼頂層組成之雙声，或二 氧化矽、攙有添加劑之二氧化矽與矽酸鉛之組成^产膜。 多層可經由改變加入火焰之前驅溶劑含量，或移動^板至 連續沉積站而沉積，不同組成物層係沉積於該連續& 銅係非常適用於嵌設電容器的基板及金屬。 於旧厂C熔化，因此，在銅上進行沉積限於以CC、、VD而鋼

下Ϊ積之材料。於高至約1 0 0 0。c溫度下沉積“ :無=於：上，但必須沉積在於較高溫度炼化、二材 1 350。Λ炼之點介電質材料如鈦酸鋇鳃（BST)具有高至約土反 之介電質材：，Λ無法以CCVD沉積於銅上而結晶成所欲 w、Mo、或Sn。為择Γ所命社日，、3有Ti、Ta、Nb、Zr、 獲侍所而結晶結構，BST必須沉積於具有

573306 五、發明說明（8) 較高溶點之基板上。 此外，銅具有較高線性熱膨脹係數，遠高於許多高電 容率之介電質材料如BST、氧化鋇鈦、攙有锆之氧化鋇 鈦、及攙有錫之氧化鋇鈦。基板與以溫度高於基板下沉積 之C C V D -沉積膜間之線性熱膨脹係數上實質差異，可導致 於冷卻時沉積基板裂損。用於C C V D沉積之金屬基板較佳具 有線性熱膨脹係數低於約1 5 ppm ° C—1，更佳低於約1 2 ppm ° C-1。為避免膜裂損，基板之線性熱膨脹係數係不高過欲 沉積材料之線性熱膨脹係數之約8 0 %。較佳線性熱膨脹係 數係不高過欲沉積材料之線性熱膨脹係數之約40%，且更 佳不高過欲沉積材料之線性熱膨脹係數之約2 0 %。熱膨脹 係數愈相近，愈厚之塗覆層材料得沉積及/或可達愈高沉 積溫度而不會有塗覆層裂損。 可作為高溫度或低熱膨脹基板之特定金屬及合金包含 鎳、鎢、鐵、鈮、鉬、鈦、鎳/鉻合金、及鐵/鎳/鉻合 金，如以商標Inconel®所販售者。該材料得以承受高於 銅之溫度。因此，較高溫度之介電質材料如BST及鈦酸錯 鑭锆可沉積於該金屬上。前述金屬之較高熔點可沉積各種 無法沉積至銅上的材料，且較低熱膨脹防止層因熱膨脹差 異而造成裂損。 為使用銅或另一種低熔點材料如鋁或具有較高熔點介 電質材料之聚合物如聚亞醯胺，可形成阻障層以保護低熔 點基板。阻障層材料得以於約700 ° C溫度或低於氣體溫度 下沉積成濃稠、有黏性的塗覆層。沉積時基板溫度係低該

92097.ptd 第12頁 573306 五、發明說明（9) 於阻障層材料約200至500度。於低溫沉積阻障層材料會降 低熱膨脹差異之效應及氧化金屬基板與變形/劣化聚合物 基板之可能性。阻障層亦可為陶瓷材料，其作為與沉積成 介電質層之陶瓷材料在一起之介電質。阻障層可由氧化鎢 (W03)、氧化鳃（SrO)、混合之鎢勰氧化物如Srff04、

BaW〇4、Ce〇2、及Sr^-xBaxWO*組成。介電質層沉積至阻障層 上後，薄金屬層可沉積於介電質層上。膠黏層可沉積於介 電質層與沉積之金屬層間。膠黏層有助於薄金屬層結合至 介電質材料。膠黏層可由導電性氧化物如氧化鋅構成。膠 黏層亦可為功能性梯度材料（FGM)層，其中組成物改變整 體膠黏層。例如，二氧化矽對鉑之黏結性可以二氧化妙/ 鉑膠黏層而提昇，該二氧化矽/鉑膠黏層遞增或連續地於 組成中自一氧化碎側之尚二氧化石夕含量至翻側之高銘人； 而改變。通常，含有兩層之成分並夾置於其間的柯=量 以提昇黏結性。鑒於結構限制需要，電容器可含有僅得用 障層或僅一膠黏層。或者，膠黏及阻障層可皆置 —阻 之兩側上。 &介電質 介電質層範圍自約0.03至約2微米。阻障層範園 0.01至約0.08微米’且膠黏層範圍自約〇·〇〇!至約〇 約 米。沉積之薄金屬層範圍自約〇·5至約3微米厚。 微 雖有薄膜電容器及其製法得用於縮小印刷線路 仍需要具有撓性且得微調電容器之電容的改善介電’但 [發明概述] 買。 本發明係關於一種介電質積層體，其具有一介於一

573306 五、 發明說明 (10) 合 物 介 電 質 材 料 層 間 之 介 電 質 蕊 材 該 聚 合 物 介 電 質 材 料 具 有 低 於 介 電 質 材 之 電 容 率 值 〇 有 利 地 是 J 具 有 介 於 介 電 質 聚 合 物 層 間 之 介 電 質 蕊 材 的 介 電 質 積 層 體 結 構 J 得 精 確 或 細 微 地 調 諧 介 電 質 至 所 欲 之 電 容 率 〇 具 有 所 欲 電 容 率 之 介 電 質 可 接 者 用 於 電 容 器 結 構 中 9 以 微 調 電 容 器 至 所 欲 之 電 容 〇 聚 合 物 層 對 介 電 質 提 供 充 足 支 撐 J 因 此 介 電 質 本 身 具 支 撐 性 而 得 與 該 介 電 質 欲 用 於 其 上 之 基 板 分 離 製 備 〇 因 此 具 有 所 欲 電 容 率 之 介 電 質 可 製 備 為 散 裝 積 層 體 或 薄 片 〇 本 發 明 之 介 電 質 積 層 體 可 為 薄 膜 介 電 質 積 層 體 J 其 得 用 以 縮 小 基 板 如 印 刷 線 路 板 〇 本 發 明 之 介 電 質 積 層 體 係 以 放 置 _ _ 介 電 質 蕊 材 層 於 聚 合 物 層 上 再 放 置 另 聚 合 物 層 於 介 電 質 材 上 以 形 成 積 層 介 電 質 而 製 備 〇 介 電 質 材 可 含 有 _丨· 或 多 層 之 積 層 介 電 質 材 料 其 具 有 相 同 或 不 同 電 容 率 以 獲 得 所 欲 之 蕊 材 電 容 率 〇 有 利 地 是 > 各 層 厚 度 J 即 聚 合 物 層 與 介 電 質 蕊 材 層 J 可 於 積 層 期 間 輕 易 地 控 制 以 調 諧 介 電 質 至 所 欲 電 容 率 〇 聚 合 物 層 穩 定 介 電 質 因 此 介 電 質 本 身 之 支 撐 性 可 捲 起 而 不 會 裂 損 或 斷 裂 〇 此 外 J 聚 合 物 厚 度 有 助 於 微 調 電 容 器 之 電 容 〇 有 利 地 是 > 介 電 質 積 層 體 得 以 製 備 成 具 有 經 微 調 之 所 欲 電 容 率 j 且 大 量 儲 存 以 供 後 續 之 用 〇 具 有 所 欲 電 容 率 與 厚 度 之 整 塊 得 以 白 散 裝 薄 片 上 衝 壓 或 切 割 成 所 欲 之 尺 寸 J 且 後 用 於 電 容 器 以 微 調 電 容 器 至 所 欲 之 電 容 〇 本 發 明 之 介 電 質 積 層 體 可 積 層 至 金 屬 電 極 9 或 使 金 屬 電 極 可 電 鍍 至 聚 合 物 層 上 〇

92097.ptd 第14頁 573306 五、發明說明（11) 有利地是，本發明之介電質積層體不需於製造印刷線 路板之過程步驟中製備。該印刷線路板製程之額外步驟會 降低製造該板之整體效率。 介電質積層體可置於基板如線路板上特定位置，或介 電質積層體可覆蓋印刷線路板之整個表面。可蝕刻介電質 積層體，或如所需蝕刻覆蓋介電質之金屬電極層。本發明 之介電質可用於多層電路板結構，其中介電質可用於嵌設 之電容器。本發明之電容器可用作為多種電子裝置之電容 器，該等電子裝置如數位電腦、電信模組、DC電源中之AC 波動過濾等。該電容器可為旁通電容器或去偶合電容器，® 等。 本發明之一目的在於提供一種介電質積層體，其具有 一介於二聚合物層間之介電質蕊材，該聚合物層具有低於 介電質蕊材之電容率值。 本發明之另一目的在於提供一種介電質積層體，得以 精確地調諧電容率。 本發明之又一目的在於提供一種介電質積層體，其具 有撓性與自身支撐性。 本發明之又一目的在於提供一種薄膜介電質積層體。 本發明之又一目的在於提供一種介電質積層體，其得籲 以用於嵌設之電容器。 於詳讀詳細說明與附加之申請專利範圍後，本發明之 其他目的及優點可輕易地為熟習此技藝者所碟定。 [發明之詳細說明]

92097.ptd 第15頁 573306 五、發明說明（12) 本發明係關於一種介電質，其以一介於二聚合物層間 之介電質蕊材構成，該聚合物層具有低於介電質蕊材之電 容率值。本發明之介電質可用於電容器。有利地是，設置 具有較高電容率之介電質蕊材於二較低電容率之聚合物層 間，使整體介電質之介電質電容率得輕易地調諧至精確電 容率值。此外，藉調諧介電質至精'確電容率、，使用介電質 之電容器之電容亦可調諧至精確值。本發明之介電質係有 自身支撐性。聚合物三明治之設置提供充足結構支撐性， 因此介電質積層體不需於原處製備或於使用介電質積層體 之基板上或於其中製備。 第1圖顯示本發明之介電質積層體10。介電質蕊層12 係接合至介電質聚合物支撐層1 4。然後，第二介電質聚合 物支撐層1 6接合至介電質蕊層1 2。各層可分開製備，然後 接合至其他層。或者，各層可依序製備，亦即，一層沉積 於一先前層上。有利地是，介電質積層體之層可無需用以 黏結介電質層於一起之額外膠黏層而製備。再者，介電質 積層體之層可無需阻障層而製備。缺少該層使整體介電質 組成物之電容率得更精確地調諧。因此，可免除干擾介電 質調諧至特定電容率的非期望層。可製備層之方法於下討 論。 任何得以作為介電質之材料與具有高於聚合物層之電 容率或介電常數者，可用於實施本發明。該材料與聚合物 材料相比具有較高電容率值。蕊材之電容率值範圍自至少 約2 0。較佳者，蕊材之電容率範圍自約2 0至約1 0 0，0 0 0。

92097.ptd 第16頁 573306 五、發明說明（13) ---- 更佳者’蕊材之電容率範圍自約5 〇至約5 〇, 〇 〇 〇。 可作為介電質蕊材之適當材料的實例包含，但不限於 此：碳化合物如鑽石，及陶瓷材料如碳化矽、二氧化矽與 以二氧化矽為主之組成物，包含丨〇 〇 %二氧化矽層、非結二 與結晶’亦包含攙有添加物之二氧化矽及混合有其他氧^ 物之二氧化矽，如 Pbo、Na20、Li20、K20、儿 1 203及 b203。其 他適當陶瓷材料包含，但不限於：鈦酸鋇錄（BST)、

SrTi03、Ta20 5、Ti02、Μη02、Υ2〇3、PbZrTi03(PZT)、

LiNb03、PbMgTi03(LMT)、PbMgNb03(LMN)、Ce02、氧化鋇 欽、氧化嫣、混合之氧化鎢鳃如SrW〇4、BaW〇4、及氧化鎢 勰鋇等。 介電質說、材亦可攙有多種元素如Pt、b、Ba、Ca、

Mg、Zn、Li、Na、K、Sn、Zr等。該攙有添加物之介電質 微材實例包含，但不限於：攙有锆之氧化鋇鈦、攙有錫之 氧化鋇鈦等。本發明之介電質可具有—或多層之該高電容 率材料以構成蕊材並調諧介電質之電容率值。例如，蕊層 可含有二層不同之高電容率材料或自3至5層不同之高^容 率材料以調諸介電質積層體。各層高電容率材料之厚度亦 可如所欲地改變以適當地調諧介電質層。同時，不同的高 電容率材料可如所欲地摻合以獲得蕊材所欲之電容率值。 任何可積層至表面之聚合物地可用於實施本發明。本 發明範脅内之聚合物同時包含有機聚合物及無機聚合物。 聚合物之電容率值範圍自約1至約15。較佳者，聚合物之 電容率值範圍自約3至約10。較佳者’使用之聚合^亦具

92097.ptd 第17頁 573306 五、發明說明（14) 有撓性。該有機聚合物 熱固性、加成與縮合聚 於：聚酯、聚苯乙烯、 共聚物、衝擊改質苯乙 乙烯、苯乙烯丙烯腈共 丁烯、聚氯乙烯、聚偏 烯腈、鹼性聚丙烯酸酯 烯、乙烯乙酸乙烯酯、 聚楓、聚伸苯基硫醚、 環氧化物、聚破酸酯、 醛、酚系、聚酯碳酸酯 烯對酞酸酯、聚芳基化 聚鱗酮類、聚乙烯、高 接枝、掺合、以及其混 有高T g範圍。本發明範 佳者，Tg係至少約100。 係自約1 3 0 ° C至約1 9 0 ° 時，該T g聚合物同時供 τ g聚合物於介電質蕊材 態。聚胺基曱酸酯係具 性聚合物如乾膜光阻劑 該乾膜包含，但不限於 物、摻合、或其混合物 基之聚合物。較佳者， 之實例包含，但不限於：熱塑性 合物。說明之實例包含，但不限 高衝擊聚苯乙烯、苯乙烯 烯-丁二烯共聚物、聚 聚物、丙烯腈 一氣乙稀、聚 、鹼性聚曱基 聚醮胺、聚亞 a 聚乙烯酯、三 聚胺基甲酸g旨 、聚醚類、聚 物類、聚伸芳 歡度聚乙稀、 合物。作為介 疇内之高Tg係 c ’更佳至少 c。於使用介 機械及熱穩定 與金屬電極積 有咼T g聚合物 ，使聚合物可 :聚胺基甲酸 。較佳之有機 該乾膜光阻劑 丁二烯共聚 乙烯醇乙縮 丙烯酸酯、 醯胺、聚氧 聚氰醯胺、 、聚峻楓、 乙烯對酞酸 鱗、聚伸芳 聚丙烯、及 電質層之聚 自至少約90 約 1 3 0。C。 電質之電子 介電質。此 層時得承受 之實例。可 成像為所欲 酯、環氧樹 聚合物係具 係交聯於丙 - 丁二稀 -甲基苯 物、聚異 醛、聚丙 聚丁二 化甲烯、 乙烯酯、 聚乙縮 S旨、聚丁 基硫醚、 共聚物、 合物可具 。〇較 較佳範圍 裝置運作 外，該高 雨溫度狀 使用光敏 之圖案。 脂、共聚 有芳香族 烯酸醋、 I1H1

92097.ptd 573306 五、發明說明（15) 甲基丙烯酸酯或丙基丙烯酸酯低聚物，其具有自約 100D(道爾頓）至約5, 0 0 0D之分子量，較佳自約500D至約i 〇 〇 〇 D。本發明範疇内之低聚物係由自2至1 0 0個單體所組’ 成。其他較佳交聯劑係丙烯酸胺基甲酸酯，其具有自約 500D至約1〇〇,〇〇〇d之分子量，較佳自約1，000D至約 50, 000D 〇 其他可用於交聯本發明使用之聚合物的適當交聯劑， 包含—-、二_、四-、或更南之多官能性乙稀糸不飽和單 體。可用於本發明之交聯劑的實例係三乙烯基苯、二乙稀 基苯、二乙烯基吡啶、二乙烯基萘、及二乙烯基二甲笨； 以及如乙二醇二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二 乙二醇二乙烯基醚、三乙烯基環己烷、烯丙基甲基丙烯酸 酯（ALMA)、乙二醇二甲基丙烯酸酯（EGDMA)、二乙二醇二 甲基丙稀酸醋（DEGDMA)、丙二醇二甲基丙烯酸醋、丙二醇 二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯 （TMPTMA)、 二乙烯基苯（DVB)、縮水甘油基甲基丙浠酸醋、2,2 -二曱 基丙烷1,3 -二丙烯酸酯、1,3 -丁二醇二丙烯酸酯、1，3 -丁 二醇二甲基丙烯酸酯、1，4 -丁二醇二丙烯酸酯、二乙二 醇二丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、1,6 -己二醇二 丙烯酸酯、1，6 -己二醇二甲基丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯 酸醋、三乙二醇二甲基丙浠酸S旨、四乙二醇二丙烯酸醋、 聚乙二醇200二丙烯酸酯、四乙二醇二甲基丙烯酸酯、聚 乙二醇二甲基丙烯酸酯、乙氧基化雙酚A二丙烯酸酯、乙 氧基化雙酚 A二甲基丙烯酸酯、聚乙二醇600二甲基丙

92097.ptd 第19頁 573306 發明說明（16) 二 一 二丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸 醋、三羥甲基丙烷三乙氧三丙浠酸醋、甘油基丙氧三丙烯 酸S日季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇四甲基丙烯酸酯、 二季戊四醇單羥五丙烯酸i旨、二乙浠基矽烷、三乙浠基石夕 烷、二曱基二乙烯基矽烷乙烯基曱基矽烷、甲基三乙 煉基石夕，—苯基—乙稀基，烧、二乙烯基苯基⑨烧、三 乙烯基苯基矽烷、i乙烯基曱基苯基矽烷、㈤乙烯基矽 烷、二甲基乙烯基二矽氧烷、聚（甲基乙烯基矽氧烷）、聚 (乙烯基氫矽氧烷）、聚（笨基乙烯基矽氧烷）及其混合物。 另-較佳有機聚合物係含有丁二稀之聚合物。該聚合 物之實例包含，但不限於：聚丁二烯、苯乙烯-丁二烯共 聚物、衝擊改質苯乙烯〜丁二烯共聚物、丙烯腈丁二烯 等。其他較佳聚合物係酚系如酚醛縮合物（於此技藝上熟 知為紛駿清漆樹脂）、部份氳化之酚醛清漆及聚（乙烯酚） 樹脂。 紛酸清漆樹脂係酚與醛之熱塑性縮合產物。用於與醛 (特別是甲醛）縮合以形成酚醛清漆樹脂之適當的酚實例， 包含酴，鄰-甲紛；間-甲酴；對—甲紛；2, 4 -二甲紛； 2, 5-二甲酚；3, 4 -二甲酚；3, 5-二甲酚；百里香酚及及其 混合物。酸催化之縮合反應導致適當紛酸清漆樹脂之形 成’該酴醒：清漆樹脂之分子量可自約5〇〇至約1〇〇，〇〇〇d變 化。 聚（乙烯紛）樹脂係熱塑性材料，其可於陽離子催化劑 存在下，以對應單體之成塊聚合、乳液聚合或溶液聚合作

92097.ptd 第20頁 573306 573306 五、發明說明（17) 用而形成。用 以水解市售香 桂酸之脫羧作 基酚進行脫水 該羥肉桂酸係 生。自該乙烯 量範圍自約2, 過程亦得於美 内谷係完全併 月旨係自Mauruz 可用於酚 不限於：含有 個乙烯基醚基 及其組合。較 之材料。 於產生聚乙烯酚樹脂之乙烯基酚，例如，可 豆素或取代香豆素，然後經由所產生之羥肉 用而製備。有用的乙烯基酚可使對應之羥烷 或使羥肉桂酸進行脫羧作用而製備，其中， 自取代或非取代羥苯甲醛與丙二酸反應所產 基紛製備之聚較佳聚（乙稀紛）樹脂具有分子 0 0 0至約1 0 〇，〇 〇 〇 D。聚（乙烯酚）樹脂之形成 國專利第4，4 3 9，5 1 6號中發現，其整個揭露 入本文以資參考。許多有用的聚（乙烯酚）樹 en公司（曰本，東京）購得。 駿清漆及聚（乙烯酚）樹脂之交聯劑包含，但 胺之化合物、含有環氧之材料、含有至少二 團之化合物、烯丙基取代之芳香族化合物、 佳父聯劑包含，含有胺之化合物及含有環氧 含有胺之交聯劑包含，但不限於：三聚氰胺單體、三 聚氰胺聚合物、羥烷基甲基三聚氰胺、苯并鳥糞胺樹脂、 苯并鳥糞胺-甲醛樹脂、尿素—甲醛樹脂、甘脲甲醛樹 脂、及其組合。該樹脂可以丙烯醯胺或甲基丙烯醯胺丘 物與甲醛於含有醇之溶液中反應而製備，或者，以N— &氧 基甲基丙烯醯胺或曱基丙烯醯胺與其他適當單體之共聚人 作用而製備。以胺為主特別適當之交聯劑包含Cyte&美二 新澤西州，西Paterson)所製造之三聚氰胺，如cymelt; 3 0 0、301、3 0 3、35 0、3 70、380、1116及113〇 ;苯并鳥翼

573306 五、發明說明 胺樹脂如 1 171、及 及8 0，亦 以胺為主 三聚 基三聚氰 聚氛胺及 更多碳原 基醚可彼 可作 環氧乙烷 聚合。該 體的環氧 脂族、芳 上，每分 包含具有 縮水甘油 烯、聚環 之縮水甘 合物但通 含有 聚物至較 及取代基 任何基團 (18) CYMELTM 1123及 1125;甘脲樹脂 CYMELTM 1170、 1172;以及以尿素為主之樹脂BEETLETM 60、65、 可自Cytec(美國新澤西州，西Paterson)購得。 之多數相似化合物係自多個供應商購得。 氰胺係以胺為主之較佳交聯劑。特佳係羥烷基甲 胺樹脂。該樹脂係典型為醚類如三羥烷基甲基三 六經烧基甲基三聚氰胺。該烷基可具有自1至8或 子但較佳為曱基。根據反應環境及甲醛濃度，甲 此反應以形成更多複合單元。 ，交聯劑之含有環氧之材料係任何具有一或多個 壤^有機化合物，該環氧乙烷環係經開環而為可 材料’廣泛稱為環氧化物，包含，但不限於：單 化合物、；^取人 ^ ^ ^ 及&合的環氧化物，其可為脂肪族、環 香族或雜環# 子具有 f知。較佳環氧交聯材料通常，平均 士二译^少2個可聚合環氧基。聚合的環氧化物 末端壤氣其$ Μ χ 土之線型聚合物（如聚氧化稀二醇之二

醚）、具右凡W S外从、月幹環氧乙烧單元之聚合物（如聚丁二 乳化物）、Λ曰丄 油基甲&具有懸垂環氧基之聚合物（如共聚物

Ii立t内稀酸酿聚合物）°環氧化物可為純化 吊钩母分子4 環氧之有 有一、二或更多環氧基之混合物。 古八工曰用的材料可於低分子量之單體材料與低 同刀于蕙之平人心 本質。例 ^ 5物間變化’且可大幅改變其主鏈 ，兮其蘭如’主鏈可為任何型式，且取代基可為 & I團不冬 s任何得於室溫下與環氧乙烷環反應

第22頁 573306 五、發明說明（19) 之取代基。適當取代基包含，但不限於：鹵素、酯基團、 醚類、磺酸鹽基團、矽氧烷基團、硝基、磷酸鹽基團等。 含有環氧之特別有用的材料包含縮水甘油基醚類。實 例為以多每基紛與過量氣乙醇反應而得之多經基紛之縮水 甘油基醚，該氣乙醇如表氣乙醇（如2, 2 -雙- (2, 3 -環氧丙 氧酚）丙烷）之二縮水甘油基醚）。該縮水甘油基醚包含雙 紛A環氧化物，如雙酚A乙氧基化二環氧化物。該環氧化物 之進一步實例係述於美國專利第3, 0 1 8, 2 62號，其整個揭 露内容係於此完全併入本文以資參考。 適當環氧化物包含，但不限於：表氯乙醇、縮水甘 油、縮水甘油基甲基丙烯酸酯、對第三芳丁基紛之縮水甘 油基醚（如可得自Celanese之商品名EPI-REZ® 5014);雙 紛A之一縮水甘油基鱗（如可得自Shell化學公司之商品名 EPON®828、EPON®1004、EPON ㊣ 1010，及 DOW化學公司之 商品名DER-331㊣、DER-332®及DER-334® )、乙烯環己烷 二氧化物（如來自聯合碳化物公司之ERL_42〇6㊣）、3,4-環 氧-6 -甲基-環己基曱基- 3,4 -環氧-6-甲基環己烯碳酸酯 (如來自聯合碳化物公司之ERL-4201⑫）、雙（3,4-環氧-6-曱基環己基甲基）己二酸酯（如來自聯合碳化物公司之 £1^-4289(§))、雙（2,3-環氧環戊基）醚（如來自聯合碳化物 公司之ERL-0400®)、以聚丙二醇改質之脂肪族環氧化物 (如來自聯合碳化物公司之ERL-4050®&ERL-4269®)、二 戊烯二氧化物、阻燃性環氧樹脂（如來自D〇w化學公司之 DER-5 8 0®，溴化雙酚類環氧樹脂）、酚醛清漆之丨，4二丁

92097.ptd 第23頁 五、發明說明（20) 醇二縮水甘油基醚（如决 〇ΕΝ~438® )以及間笨二自化學公司之DEN-431®及 司之KOPOXITE®)。 -—縮水甘油基醚（如來Koppers公 含有至少二個乙烯_ 肪族、環脂族、芳香族或物包含，但不限於：脂 材料之實例包含具有^方個基二二醇之二乙稀_類。該 具有至少二個乙稀喊基U以二甲基環己烧等。 二乙稀趟、三亞甲基-i 3特二有用的化合物包含乙二醇之 一；> 一 ，3 — 一醇、二乙二醇、三乙二醇、 一丙一醇、二丙二醇、_ 、 間本一酚、雙酚Α等。 可作為父聯劑之適當、成而| 1 右一々# β迴田烯丙基取代之芳香族化合物係含 二？取代基之化合物，'亦即，芳香族化合物 s夕個裱位置以烯基之烯丙基之碳取代。適當的烯 丙基芳香族包含稀丙基苯基化合物，如烯丙基酚。烯丙基 酚交聯劑得為含有一或多個酚單元之單體或聚合物，其 中，酚單元係於一或多個環位置以烯基之烯丙基之碳^ 代。典型的浠基取代基係丙烯基，即酚具有一或多個丙烯 基取代基。較佳烯丙基酚包含酚、羥基苯甲醛與烯丙基鹵 化物如烯丙基氣之聚縮合物。數種適當稀丙基酚係可購 得’例如Kennedy 及 Klim 公司（Little Silver，N_J_)之商 品名THERMAX SH-150AR®烯丙基酚）。包含烯丙基酚之烯 丨丙基苯基化合物亦述於美國專利第4, 987, 264號，其整個 揭露内容係於此完全併入本文以資參考。 特別適當的有機交聯劑包含，含有一或多個甲氧基曱

MH 92097.ptd 第24頁 573306 五、發明說明（21) 基之試劑’如甲氧基甲基取代之三聚氰胺及曱氧基曱基取 代之甘腺。六甲氧基甲基二聚亂胺係較佳甲氧基甲基取代 之二聚氰胺。進一步較佳為有機交聯劑之一或多個氫，及 更佳為甲氧基甲基取代基之一或多個甲基氫，係以齒素取 代，較佳為氟取代。因此，較佳交聯劑包含，含有一或多 個曱氧基氟曱基及/或甲氧基二氟甲基取代基之化合物。 用以說明之較佳氟化交聯劑包含甲氧基氟甲基—與甲氧基 氣甲基取代之三聚氰胺及甘脲，如六甲氧基氟甲基三聚&氮 胺及六甲氧基二氟曱基胺。氟化環氧交聯劑亦為適當Λ。 本發明之聚合物層可僅含單一形式之交聯劑或可含 二或更多不同之交聯劑。可使用任何二或更多上述交聯 之組合。酚醛清漆樹脂及聚乙烯酚之較佳組合係含〜片 化合物與含有環氧之化合物。 、S 胺之 ^發明之另一實施例中，i少一聚合物層係無機聚合 物。較佳僅一聚合物層係無機聚合物。本發明範略 口 機聚合物係自氧化物如金屬烷氧化物及i他且二内之無 烧氧化物而衍生： ’、他具下列通式之 M(0R)n 其中，Μ為金屬、硼、磷或矽，R為線型或分 且η為1或更大之整數。較佳r為具有1至*個峻原子燒基’ 基。較佳η為2至6之整數。具有上述通式之燒氧之燒 包含，但不限於：Si(0CH山、Si(〇C2H山、Si(〇C ^實例

Si(〇C4H9)4、Si(0C2H5)3、A1(0CH3)3、A1(〇C2H5)3、3a7)4、 3、(異 _0C3H7)3、Ti(0C3H7)4、Zr(0C3H7)4、Ζγ(3〇 1(〇(^9)

573306 五、發明說明（22) ^-

Ti(0C3H7)4、Y(〇C3H7)3、Y(0C4H9)3、Fe(0C2H5)3、Fe(〇C3H7) 3、Fe(0C4H9)3、Nb(0CH3)5、Nb(〇C2H5)5、Nb(〇c3H7)5、 ?

Ta(0C3H7)5、Ta(0C4H9)4、Ti(〇c3H7)4、V(〇C4H5)3、V(〇c4H9) 3、Zn(0C2H5)2、B(0CH3)3、Ga(〇C2H5)3、Ge(〇c2H5)4、 °

Pb(0CH3)3、P(〇CH3)3、V(0C2H5)3、W(0C2H5)6、Nd(〇C2H5)3、

LiOCH3、 NaOCH3、及Ca(0CH3)2。 3 同時’本發明範疇内之烷氧化物可為陰離子。該陰離 子烷氧化物具有通式： $ M[M !(0R)n]m 其中’ Μ及R如上定義，jj 1為金屬但不同於上式中之 Μ，且m為1或更大之整數。較佳111為2至3之整數。該陰離子 烷氧化物包含，但不限於：La[Al(0R)4]3、La[Al (異一 〇C3H7)4]3、Mg[Al (異 _〇C3H7)4]2、Mg[Al(第二-〇C4H9)4]2、 Ni[Al(異-〇C3H7)4]3、（c3H70)2Zr[Al(0C3H7)4]2、及

Ba[Zr2(〇C2H5)9]2。 除上述烧氧化物外，本發明範疇内之無機聚合物可自 金屬複合化合物如三（乙醯基丙酮）鐵、二（乙醯基丙_) 鈷、雙（乙醯基丙酮）鎳、雙（乙醯基丙酮）銅等。 上述先質可經由Μ-0-Μ鍵連結在一起形成無機聚合 物。本發明範疇内之無機聚合物可以任何此技藝上習知的 適當方法製備。其一方法係此技藝上習知且施用之溶膠方 法。另一適當方法係脫碳膠方法，述於美國專利第5, 234, 5 5 6號’其整個揭露内容係於此完全併入本文以資參考。 除調譜介電質之電容率及電容器之電容外，聚合物層

92097.ptd 第26頁 573306 五、發明說明（23) 亦支撐並穩定介電質結構，因此介電質可與基板分離製 備’該基板係供介電質敷設至其上。例如，本發明範疇内 之介電質及電容器可與電子裝置中所使用製造印刷線路板 或相似設備之製程分開製備。因此，介電質可大量製備如 成一薄片。多數薄片可製備成個別具有不同之電容率值。 因聚合物層對整體介電質結構提供結構支撐，薄片可具有 一厚度範圍。介電質厚度範圍自約5/zm至約1000/ΖΠ1，較 佳自約5 0 // m至約5 0 0 # m。蕊材厚度範圍自約〇. 〇 5 # m至約 9〇〇/zm，較佳自約 〇.5//m 至約 250/zm。 聚合物層厚度範圍自約2·0//ιη至約500//m，較佳自約 至約200/zm。聚合物層具有張力強度自約〇.〇25psi 至約0_5psi，較佳自約0_075psi至約0_25psi。聚合物伸 縮性自約0 · 2 5 %伸長至約2 · 7 5 %伸長，較佳自約〇 · 7 5 %伸長 至約1 _ 5 0 %伸長。有利的是，該特性使本發明之介電質組 成物得以本身捲起如成卷形型態，而不會發生介電質組成 物裂損或撕裂。該特性使多種長度及寬度之介電質材料薄 片得以輕易地且方便地大量儲存。介電質積層體薄片可以 大量製備，以具有適當長度及寬度以方便儲存與處理。例 如，散裝薄片可自約500cra X約1000cm之範圍，較佳自約 200cm X約500cm。該具有前述尺寸之散裝薄片可輕易地以 積層設備而製備，因此散裝薄片可捲起或成形以供大量儲 存。習知乾膜設備可用於捲起薄片以供大量儲存。 有利的是，介電質積層體之小片或票券式貼片可自具 有任何所欲尺寸（即長度、寬度及形狀）之散裝薄片而衝壓

92097.ptd 第27頁 573306 五、發明說明（24) 或切割，並置於基 形或圓形。矩形片 1000/z m或約 500/z 半徑自約500//m至 切割聚合物材料之 一用以切割及使聚 射包含，但不限於 者，介電質整個薄 面。然後，介電質 形成所欲圖案。 板如印刷線路板上。例％，小片可成矩 ，例如，可具有尺寸自約i〇〇〇"m叉約 m X約50 0 /zm。圓形片，例如，可且有 約i〇〇〇"m。任何此技藝上用以成ς及 適當衝壓裝置或切割裝置皆可使用。立 合物積層體成形之方法係雷射。適當雷 :Nd: YAG、C〇2或準分子雷射等。或 片得以覆蓋基板或印刷線路板整個表 可使用罩幕或工具以適當蝕刻劑蝕刻而

本發明之另一實施例係以介電質積層體構成之 器’該介電質積層體具有一介於二層較低電容率材料間之 蕊材。第2圖顯示本發明之電容器18。介電質蕊材層2〇係 黏結於底部支撐聚合物介電質層22與頂部支撐聚合物 質層24間。底部支撐聚合物介電質層22與頂部支撐聚合物 介電質層24皆具有低於介電質蕊材層2〇之電容率值。導 性金屬底部電極2 6及導電性金屬頂部電極2 8係黏結至其對 應之聚合物層以形成具有特定電容之電容器。電容係^ 述方程式定義·· W ^

c - P (A/d) ” C”為電容器之整體電容（法拉、微法拉、奈法拉或微 微法拉），” A”為電極之表面積，且” d”為電容器之二電極 間之距離。”P”為二電極間之介電質材料之電容率或介電 常數。因此，電容器之電容可以改變任何一參數” A，，、

573306 五、發明說明（¾) --- 展^、或” P”而調譜。有利的是，介於二較低電容 層間之介電質蕊材使介電質組成物之電容率” P ”〜早來5物 同時改變使用之介電質材料與其厚度以：以微 之電各率。當蕊材之介電質實質上高於聚合 1電質 質之電容率係實質上與蕊材之電容率相同I材料’介電 介電質得確定其電容率之精確值。藉改^ ^ ’某特定 ^及維持介電質蕊材之厚度不變，電容器之電六嘈’之厚度 確地調諧至特定值，而不會改變介電質^^ f C ”可精 =各” C”亦可以微調介電質之電容率而微調。因此，因此， 備具有精確電容值之薄膜電容器。 可製 第3圖顯示本發明之另一實施例。電 質蕊材3 2構成，該介電質蕊材3 2係由一層之°古糸^由；1電 質材料34黏結至第二種高電容率材料36 ^ ” ^率介電 率材料36之電容率與高電容率介電質材料=電=電容 介電質蕊材32係黏結至底部支撐聚合物層38二不 =物ί4二該二聚合物層皆具有小於介電質蕊材：i 合率值。導電性頂部金屬層42及導電性底部金電 結至其對應之聚合物層。藉改變層數及炫 s糸黏 之電容率得以精確地調諧至所欲值。因：材；f :介電質 及” d"之值時，得以決定電容之精確值已程 :以改變底部支樓聚合物層38之厚度，或改變頂；：二 〇物層40之厚度，或兩者同時改變而調諧。改變 38、40之厚度並不會改變介電質之電容率值。Λ σ =層 器30之電容得以精確地調諧。 因此，電容

92097.ptd 第29頁 573306 五、發明說明（26) 任何可用於電容器之適當金屬可作為本發明電容器之 導電層。適當金屬包含，但不限於：銅、鎳、錫、鋁、

金、銀、鉑、鈀、鎢、鐵、鈮、鉬、鈦、鎳/鉻合金及鐵/ 鎳/鉻合金等。較佳金屬係鋼及鎳。金屬層之厚度可自約 20奈米（nm)至約1mm範圍，較佳自約i00nm至約5〇//π1。更 佳者，金屬層具有厚度自約5〇〇 nm至約5/zm。本發明之電 容器具有電容密度值小於約lOOOeF/cm2。因本發明電容 器之介電質與導電金屬層可具有厚度小至奈米範圍，電容 器可具有電容值於微法拉（#F)、奈法拉（nF)及小至微微 法拉（pF)範圍。本發明之該薄膜電容器可具有電容密度值 較佳自約50 0 // F/cm2小至約i〇0pF/cm2，更佳自約5〇nF/cm2 小至約5 0 0pF/ci^。本發明範疇内之介電質電容率值係大 於1 ’且可具有局至約15000之值。典型電容率值範圍自約 1 0 至約 1 0 0 0。 金屬層可以此技藝上任何適當方法而黏結至聚合物 層。該方法之實例包含，但不限於：機械積層；如以無電 沉積使金屬沉積於聚合物表面；繼無電沉積後之電解沉 積，物理氣相沉積（PVD)及化學氣相沉積（CVD);燃燒化學 氣相沉積（CCVD)，·控制氣氛之燃燒化學氣相沉積caccvd) 等。於聚合物上形成金屬層之較佳方法係無電沉積，及繼 無電沉積後之電解沉積。 聚合物層可以任何適當方法而製備，$方法使聚合物 層得具有用於本發明介電質積層體所欲之厚度。用以形成 聚合物層之適當方法實例包含’但不限於：擠壓、吹氣模

573306 五、發明說明（27) " ---- 壓或溶劑澆鑄。該方法係於聚合物技術上相當習知者。 介電質材料之蕊層可以任何適當方法而塗覆或積層至 聚合物層’以使蕊層得形成所欲厚度。該方法包含，、二 限於：、CCVD、CACCVD、PVD、CVD、使用醫用刀片（如膏一） 等。杈佳介電質材料之蕊層係以CCD或而塗覆於 合物上。該方法使介電質材料得以塗覆於小至上述厚产之 聚合物上。任何用於CCVD及CACCVD之適當設備可用於^ 本發明。 、 CCVD係施行於環境狀態為開放大氣中以於基板上產生 膜。較佳膜係結晶的，但可為非結晶的，根據使用之試 劑及沉積狀態而定。試劑，或化學活性化合物，係溶解或 ^含於溶劑中，如液體溶劑，如烯烴、炔烴或醇。產生之 溶液係使用富氧空氣作為推進物而自喷嘴喷灑並使其燃 燒。基板係維持在或靠近火焰端。火焰吹熄可使用熱元件 如小指示燈而防止其發生。反應物於火焰中蒸發，且沉積 於基板上成膜。產生之膜（塗層）ΚΧ_射線衍射圖案中已顯 不廣泛較佳定向，證明以異種成核現象發生之CCVD導致具 有較佳定向之膜。或者，沉積得以喷霧器供給溶液而施 行’如以針平分形成著火及燃燒喷霧之高速空細氣流。聚 合物上之金屬或蕊材之沉積速率範圍自約1〇 # m/m in至約 50//m/min’ 較佳自約 2〇//m/min至約 35/zm/min。一蕊材 沉積於另一具有不同電容率之蕊材上之速率範圍自約1·〇 // ni/inin 至約 10〇# m/miri。 火焰溫度係依據使用之試劑、溶劑、燃料及氧化劑之

573306 五、發明說明（28) '~ 種類與數罝’以及基板开> 狀與材料而定。當基板係聚合物 如縮合聚合物、熱塑性聚合物或上述之一聚合物時，火焰 溫度範圍自約1 〇 〇 ° C至約1 5 0 0。c，較佳自約4 0 0。C至約 8 〇 〇 ° C。當形成電漿用以沉積塗層時，電漿溫度可範圍自 約800° C至約2000° C，較佳自約11〇〇。c至約1700。c。 聚合物基板係以冷卻設備（如下述參見第5圖）而維持在該 較低溫度。聚合物基板可置於任何適當設備上以於塗覆時 支撐聚合物。該設備之一實例係碳化矽板。碳化矽板與聚 合物基板係於塗覆時同時維持在約相同溫度，以使塗覆之 聚合物基板得輕易自碳化矽設備卸下。該溫度係維持以防 _ 止聚合物材料熔化、燒焦或分解。因此，高Tg聚合物或具 有芳香族成分之聚合物係較佳，因該聚合物於塗覆時會維 持所欲之完整性。當蕊材或金屬係沉積於聚合物基板上 時’蕊材或金屬充分熔化聚合物以產生結構聚合物表面較 佳。聚合物材料與沉積之蕊材或金屬間，當混合材料冷卻 至低約1 0 0。c時，會形成一強鍵。較佳混合材料係冷卻至 自約1 5 C至約3 5。C。有利的是，結構介面提供高完整鍵 結’因此具有該介面之介電質得以自身捲起，而不會造成 層脫層或裂損。第4圖顯示具有聚合物層48之介電質46， 該聚合物層48塗覆有CCVD沉積蕊材50。聚合物層48係於結籲 構介面52與CCVD沉積蕊材50接合。結構介面52具有溝谷54 及頂端56 ’該溝谷54及頂端56係於CCVD蕊材50沉積於聚合 物層48上時而形成。溝谷54及頂端56形成一鎖-鑰介面， 當介電質46冷卻時，以於二層間形成高完整鍵結。

92097.ptd 第32頁 573306 五、發明說明（29) 禾J用CCVD將 材上時，火焰溫 度及蕊材基板溫 劑之種類與數量 積之特定試劑、 時’該用以塗覆 少實驗即能判定 金屬塗覆至蕊材 狀態。於塗覆蕊 使聚合物不會開 上述用於聚合物 圍，CCVD得於壓 用於蕊材或 限於：乙醯基丙 蕊材塗覆 度係於約 度係依據 ，以及基 溶劑、燃 蕊材之狀 。當蕊材 之條件即 材時，蕊 始炼化。 之範圍内 力範圍自 於另一蕊材 300° C至約 使用之試劑 板形狀與蕊 料、氧化劑 態得輕易地 係積層至聚 為用以將蕊 材與聚合物 因此，火焰 。因火焰得 約1 0陶爾至 上或將金屬 2800。 C間 、溶劑、燃 材而定。提 及其他成分 為熟習此技 合物層時， 材塗覆至聚 之積層係保 溫度及基板 以存在於寬 約1 0，0 0 0陶 塗覆於蕊 3火焰溫 料及氧化 供用於沉 與條件 藝者以較 將蕊材或 合物層之 持夠冷以 溫度係於 廣壓力範 爾下完 金屬層之適當試劑或化學先質包含，但不_鉑（？1:((：113(：0(：11(：0(：113)2)(於甲苯/甲醇 中）、鉑-(HFAC)2、二苯基—（1，5 —環辛二烯）鉑 (II)(Pt(COD)於曱苯-丙烧中）及确酸麵（於氫氧化銨水溶 液中）；環烧酸鎂、2 -乙基己酸鎂、硝酸鎂、及2, 4 -戊二 酸鎂；四乙氧基矽垸、四甲基矽院、二矽酸及間矽酸；硝 酸鎳（於水溶性風氧化銨中）、乙醯丙酮鎳、2 -乙基己酸 錄、環烧醇鎳及二碳醮鎳；琐酸銘、乙醢丙酮銘、三乙基 紹、第二丁醇銘、異丙醇鋁、及2-乙基己酸鋁；2-乙基己 酸锆、正丁醇錯、乙醢丙酮錯、正丙醇錯、及石肖酸錯；2 — 乙基己酸鋇、硝酸鋇、及乙醯丙酮鋇；乙醇鈮；異丙醇鈦

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第33頁 573306 發明說明（30) (IV)、乙醯丙_鈦（IV)、正丁醇鈦、及雙（乙醯丙酮）鈦氧 化物；氮化釔、及環烷酸釔；硝酸锶、及2 -乙基己酸鳃； 環烧酸録及硝酸鈷；氣三乙基膦金（丨）及氯三苯基膦金 (I)，二甲基硼酸鹽、及B一三甲氧基烷基硼氧烷；（2 —乙基 己酸）2銅、硝酸銅及乙醯基醋酮酸銅；硝酸鈀（於氫氧化土 銨水溶液中）、乙醯基醋酮酸鈀、及六氯鈀銨；硝酸銀（於 水中）、氟乙酸銀、及2 -乙基己酸銀；硝酸錢、及2 -乙基 己酸編；2 —乙基己酸鈮；雙（乙醯基醋酮酸）二氧化鉬； 及石肖酸錢。 第5圖顯示一種CCVD設備1 〇〇，其可用於沉積介電質蕊 材層至聚合物層上。設備100具有一壓力調節裝置u〇，' : 泵’用以於運輸溶液槽112加壓運輸溶液τ(亦稱之為先質 溶液）至第一選取壓力。運輸溶液Τ含有適當載體，其中溶 解有一或多種得反應形成選擇材料之試劑，且用以加壓之 裝置1 1 0於運輸溶液Τ之溫度下，得以維持高於運輸溶液τ 之對應液體之第一選擇壓力。液體導管12〇具有與運輸溶 液槽112相通位於液體中之輸入端122，及相對之輸出端 124’該輸出端具有輸出埠126以將導管ι2〇中之液體朝向 基板140方向導入低於第一選擇壓力之第二選擇壓力之區 域130’輸出埠126進一步含有裝置ι28用以使溶液成喷霧 狀形成溶液喷霧Ν，與液體導管12〇之輸出端124熱連通之 溫度調節裝置1 5 0，係用以調節輸出端1 2 4之溶液溫度使該 溫度南於或低於溶液超臨界溫度之5〇。C以内，氣體供應 裝置160係用以混合一或多種氣體（如氧氣）（未圖示）至溶

92097.ptd 第34頁 573306 五、發明說明（31) 液喷霧N中以形成可反應喷霧，於選擇供能點1 7 2之能源 1 7 0係用以使可反應喷霧進行反應，因此能源1 7 〇提供充足 能量以於第二選擇壓力之區域130使可反應喷霧進行反 應，以塗覆基板1 4 0。可反應喷霧係以可燃燒喷霧構成， 其具有可燃燒噴霧速度及該可燃燒喷霧速度係大於位於燃 燒點1 7 2之火源的火焰速度，且進一步含有一或多個助燃 裝置180用以燃燒可燃燒喷霧。各助燃裝置ι8〇含有一指示 燈。 能源170可為火源，且選擇供能點172係燃燒點。能源 亦可為電漿吹管。 設備1 0 0亦提供一基板冷卻裝置丨9 〇，用以冷卻基板 140。基板冷卻裝置190係一用以將水導入基板14〇之裝 置。亦可使用許多其他適當的冷卻裝置。另一適當的冷卻 裝置係利用氣體（空氣）喷淋、流或幕。該方法係對熟習此 技藝者為習知。 第6圖顯不CACCVD用之設備。一塗層先質71〇係於形成 區71 4與液體介質71 2混合，該形成區714含有一混合或容 納槽716。先質與液體介質712係形成為流動液流，其以泵 71 8加壓、以濾器72 0過濾、且經導管722注入至霧化區 724，、而後順序流經反應區726、沉積區728及阻障區73〇。 ^於塗層先質係充分細微地分於液體介質中，故無需混合 先質7 1 0與液體介質7 1 2形成真溶液。然而，形成溶液 係較佳’因其得產生較同質的塗層。 當流動液流通過霧化區724時，其會霧化。當流動液

IIM 第35頁 573306 五、發明說明（32) 流自導管722排出時，以釋放圍繞或直接鄰接流動液流的 高速霧化氣體流而使霧化產生。霧化氣體係自汽缸732、 經調節閥734、流量計736而注入導管738。導管73 8係與導 6 722同轴延伸至務化區’於霧化區之該二導管端得使高 速霧化氣體接觸流動液流，因此造成其霧化為懸浮於周^"圍 氣體/蒸氣中之細顆粒流。該流流入反應區726，以使液體 介質蒸發且使塗層先質進行反應而形成反應之塗層先質。 流動之液流/漿流至沉積區728，以使反應之塗層先質接觸 基板740而使塗層沉積於其上。 當液體介質/塗層先質流流出導管722時，可直接注入 霧化氣體流以霧化該流動液流。或者，當液流流出導管 7 2 2時’在液流處導入超音波或相似能量而完成霧化。 液體介質之蒸發及塗層先質之反應需於流動液流離開 反應區刖，將大量能量輸入至流動液流。當流動液流流經 反應區時，以燃燒與流動液流直接接觸之燃料與氧化劑而 完成能量輸入。燃料，即氫氣，係由汽缸732供應，經過 調節閥、流量計7 4 2至導管7 4 4。氧化劑，即氧氣，係由汽 缸7 4 6供應，經過調節閥7 4 8及流量計7 5 0至導管7 5 2。導管 752環繞並與導管744同軸延伸，該導管744延伸並同軸環 繞導管722及738。流出各別導管時，氫氣與氧氣燃燒產生 之燃燒產物會於反應區726與霧化之液體介質及塗層先質 混合，因而加熱並導致液體介質蒸發及塗層先質之反應。 於至少反應區起始部分周圍供有流動惰性氣體幕以隔 離存在於鄰近反應區之設備中之反應材料。一惰性氣體，

92097.ptd 第36頁 573306 五、發明說明（33)

如氬氣，係自惰性氣體汽缸7 5 4，經調節閥7 5 6及流量計 758而流至導管760。導管76 0環繞並與導管752同軸延伸。 導管760自其他導管722、738、7 44及752端之後方延伸至 接近於基板處，以與基板740作用而定義出沉積區728，使 塗層762在沉積區728沉積於基板上並呈導管760之橫切面 形狀。惰性氣體流通過導管752未端時，開始形成一個大 約延伸至反應區的流動幕，覆蓋導管760中的反應成分。 當惰性氣體進行至導管760時，其與來自反應區之氣體/聚 混合，並成為流向沉積區7 2 8之流動液流之一部份。 在沉積區728，反應之塗層先質於基板74〇上沉積塗層 7 6 2。流動液流之其餘部份自沉積區流經阻障區7 3 〇而排^ 至周圍環境或大氣中。阻障區73〇作用在於防止沉積區為 大氣成分所污染。當高速流動液流流經阻障區7 3 〇時，其 為該區之一特徵。 ” 轴環764係黏接至並自鄰近沉積區728之導管760端垂 直向外延伸。阻障區73〇係界定於軸環764與基板74〇間。 軸環係經成形以提供適應面766，其展開接近基板之表 面，並形成一較小間隙用以讓氣體自沉積區排出至大氣 適應面766與基板形成之間隙係相當小，使 :Ϊ:Ϊ: 阻障區之速度以使至少-部份氣體得流' 上與基“ΓΛ。面軸平環行76。4之適應面766係成形以使其實, 離。 運作時，轴環 軸環與基板相 764係離基板740表面約lcm或更近之距 對之表面較佳係彼此相距約2mm至約

573306 五、發明說明（34) 5mm。間隔裝置，如三個固定或可調整之釘（未圖示）， 設置於軸環上以助於維持軸環與基板間之適當距離。 用於基板之酿度條件係與用於CCVD方法者相同。如 討論，使用CACCVD較佳，且沉積時，對氧無活性之環境較 佳。CVD及PVD亦可用於形成本發明之介電質及電容器。 於CCVD與CACCVD方法，聚合物溫度係保持於如上揭露之f 度範圍内，以防止非預期之聚合物熔化現象。 酿 本發明之介電質積層體可積層於基板如印刷線路板 上，使介電質積層體作為板面之預浸材。本發明之介電# 積層體可以任何於此技藝上習知之適當方法而積層至基二 上。該方法之實例包含，但不限於··熱滾動積層、熱^積 層等。當介電質積層體積層至金屬塗覆之pWB時，金屬表 面已結構化較佳，使介電質之聚合物層得與pWB形成高完 整性鍵結。PWB表面結構化之許多方法於此技藝上為習 知，而PWB金屬表面結構化之特定方法留待此技藝之工作 者自行斟酌。 第7及8圖顯示具有本發明電容器之pWB橫切面。 PWB800係具有鋼金屬覆蓋層802之FR-4環氧/玻璃板。介電 質積層體804係製備成各別薄片，且以機械積層方法而積 層至銅金屬覆蓋層802以形成PWB之預浸材。介電質積層體 8 0 4係由聚合物層8 0 6、蕊層8 0 8及聚合物層8 1 0組成。銅金 屬層812得以無電金屬沉積方法沉積以形成電容器814。因 此，電容器814係以銅金屬802、介電質積層體8〇4及銅金 屬層812組成。一具有所欲圖案之罩幕得置於pwb上，且電

573306 五、發明說明（35) 容器814得蝕刻以形成多數不同所欲形狀與尺寸之電容 器。藉改變電容器之形狀及/或尺寸，電極之區域"A"會改 變，且電容亦會改變。因此，電容器之電容可以蝕刻方法 而如所預期地改變。 第8圖顯示具有不同電容器901及903之PWB800，該電 容器901及903係以蝕刻第7圖之電容器814表面而形成。蝕 刻方法產生隔開電容器9 0 1、9 0 3之貫孔9 0 5。貫孔9 0 5可以 無電鍍覆方法以銅金屬化，以提供PWB80 0與另一可積層於 其上之P W B間之電性連接方式。 或者，當介電質具有光敏性聚合物層時，一圖案化罩 _ 幕可置於聚合物上，聚合物層可暴露於適當波長之光，且 聚合物層可顯影並蝕刻成所欲之圖案，接者鍍覆顯影之聚 口物。可使用任何適當顯影及餘刻方法。許多適當方法於 此技藝上為習知。此技藝之各工作者可基於所使用的特定 聚合物與工作者喜好而選擇特定方法。有利的是，多層板 設計可製備成各板具有特定圖案化之電容器並使其電容器 調諧至特定電容值之佈置。該pWBs可製備成具有特定電容 器圖案及特定電容值之單一散裝板，或於運送至客戶前將 該板組裝成多層積層體。 如上討論’本發明之介電質積層體可切割成具有所欲鲁 尺寸及電容率之小片或貼片。該小片可置於基板如pwB上 之^欲位置’以形成具有多種電容率值之pWB封裝件。小 片可以任何此技藝上之適當方法而置於PWB上。可使用習 知積層技術將小片放置於PWB上。各小片或貼片可蝕刻、

第39頁 573306 五、發明說明（36) 或鍍覆然後蝕刻成上述預浸材組件。 矣有的疋，本發明之電容器可作為嵌設電容器以降低 PWB表面上之表面結構。同時，本發明之電容器可為薄膜 電容器丄並作為去偶合電容器以大幅降低於高電流能量分 布系統中非預期之雜訊。本發明之電容器可用於數位電 腦、電信模組、DC電源中之AC波動過據等。 本發明範疇内之所有數字範圍係包含且可組合的。 下述實例係意於進一步說明本發明，且非用以限定本 發明之範脅。 實施例 一 25/zm 厚 Dyna Via® 之 500cm X 50〇cm薄片（可自位於 Marlborough，MA之Shipley公司獲得之環氧介電質乾膜） 係予以吹氣模壓。Dyna Via®係作為用於CCVD沉積鈦酸鋇 錄（BST)之基板。Dyna Vi a®係置於碳化石夕裝置上以於沉 積時支撐聚合物。示於第6圖之設備係供CCVD沉積之用。 先質溶液係由0 79%(重量比）之雙（2-乙基己酸）鋇、 0.14%雙（2 -乙基己酸）錄、〇·23%之二異丙醇〜雙（乙醮基 醋酮酸）鈦、17.4%之甲苯及81_5%之丙烧所組成。於沉積 時，溶液流速、氧氣流速及冷卻氣流速係保持不變。於約 6 5psi，溶液流速係約3· 0ml/min，且氧氣流速約 3500ml/min。於約20psi，在約—2° c溫度下進行冷卻，且 氣流速係約5 L / m i η。冷卻空氣係流向具有鋼管之D y n a V i a ⑱基板，該銅管端係位於基板上方。沉積係於約5 0 0 ° C火 焰溫度下進行。火焰溫度係以Type-K熱偶測量。於氧化錄

92097.ptd 第40頁 573306 五、發明說明（37) 層沉積後，具有與第一聚合物層相同尺寸之第二Dyna Via ㊣層係積層至氧化锶層。 然後，介電質積層至覆蓋於FR-4環氧/玻璃印刷線路 板上之銅。然後以無電沉積方法鍍覆約5 0 0 μ m之銅層至外 露之Dyna Via®。銅層係蝕刻成所欲之圖案以於印刷線路 板上形成多數電容器。

92097.ptd 第41頁 573306 圖式簡單說明 [圖式簡單說明] 第1圖係一三層介電質之剖視圖，該三層介電質具有 一介於二聚合物層間之陶瓷蕊材，該聚合物層之電容率低 於陶兗蕊材之電容率； 第2圖係一五層電容器之剖視圖，該五層電容器具有 一介於二聚合物層間之陶瓷蕊材，該聚合物層之電容率低 於陶瓷及頂部與底部金屬層之電容率； 第3圖係一六層電容器之剖視圖，該六層電容器具有 二層不同電容率之陶瓷蕊材，該陶瓷蕊材介於二聚合物層 之間，該聚合物層之電容率低於陶瓷蕊材及頂部與底部金 屬層之電容率； 第4圖係一聚合物層與CCVD沉積之較高電容率材料之 剖視圖，顯示聚合物層與沉積之較高電容率材料間介面之 結構； 第5圖係一 CCVD設備之示意圖，該CCVD設備可用於沉 積薄膜層至基板上； 第6圖係一 CACCVD設備之示意圖，該CACCVD設備可用 於沉積薄膜層至基板上； 第7圖係一 FR-4環氧/玻璃線路板之剖視圖，該FR-4環 氧/玻璃線路板含有一積層至板上之電容器；以及 第8圖係一 FR-4環氧/玻璃線路板之剖視圖，該FR-4環 氧/玻璃線路板含有二電容器，該電容器係以蝕刻方式形 成並積層至板上。 [元件符號說明]

92097.ptd 第42頁 573306 圖式簡單說明 10 介 電 質 積 層 體 12 介 電 質 層 14 介 電 質 聚 合 物 支 撐 層 16 第 二 介 電 質 聚 合 物 支撐 層 18 電 容 器 20 介 電 質 蕊 材 22 底 部 支 撐 聚 合 物 介 電質 層 24 頂 部 支 撐 聚 合 物 介 電質 層 26 導 電 性 金 屬 底 部 電 極 28 導 電 性 金 屬 頂 部 電 極 30 電 容 器 32 介 電 質 蕊 材 34 高 電 容 率 介 電 質 材 料 36 電 容 率 材 料 38 底 部 支 撐 聚 合 物 層 40 頂 部 支 撐 聚 合物層 42 導 電 性 頂 部 金 屬 層 44 導 電 性 底 部 金屬層 46 介 電 質 48 聚 合 物 層 50 CCVD 沉 積 材 52 結 構 介 面 54 溝 谷 56 頂 端 100 CCVD 設 備 110 壓 力 調 節 裝 置 112 運 輸 溶 液 槽 120 液 體 導 管 122 輸 入 端 124 輸 出 端 126 輸 出 埠 128 裝 置 130 區 域 140 基 板 150 溫 度 調 節 裝 置 160 氣 體 供 應 裝 置 170 能 源 172 選 擇 供 能 點 /燃燒】 180 助 裝 置 190 基 板 冷 卻 裝 置 710 塗 層 先 質 712 液 體 介 質

92097.ptd 第43頁 573306 圖式簡單說明 7 1 4形成區 718泵 722導管 7 2 6反應區 7 3 0阻障區 734調節閥 738導管 742流量計 7 4 6汽缸 75 0流量計 754惰性氣體汽缸 7 5 8流量計 7 6 2塗層 7 6 6適應面 802銅金屬覆蓋層 8 0 6聚合物層 8 1 0聚合物層 81 4電容器 9 0 3電容器 T 運輸溶液 71 6混合或容納槽 72 0濾器 724霧化區 7 2 8沉積區 732汽缸 736流量計 740基板 744導管 748調節閥 752導管 7 5 6調節閥 76 0導管

7 6 4軸環 800 PWB 80 4介電質積層體 8 0 8蕊層 81 2銅金屬層 901電容器 9 0 5貫孔 N 溶液喷霧

92097.ptd 第44頁

Claims (1)

1. 573306 六、申請專利範圍 1. 一種介電質積層體，包括一黏結至第一聚合物層與第 二聚合物層之蕊層，該蕊層具有高於該第一聚合物層 與第二聚合物層之電容率，該第一與第二聚合物層之 設置使該介電質積層體具有自身支撐性。 2. 如申請專利範圍第1項之介電質積層體，其中，該蕊層 包括碳材料、陶瓷材料、或其混合物。 3. 如申請專利範圍第2項之介電質積層體，其中，該碳材 料包括鑽石，且該陶瓷材料包括碳化矽、二氧化矽、 二氧化矽為主之組成物、鈦酸鋇勰、氧化鋇鈦、氧化 勰鈦、氧化鎢、混合之氧化鎢锶、氧化鋇鎢、混合之 氧化嫣鹤鋇、Ce〇2、Ta205、Ti02、Μη02、Y2〇3、 PbZrTi03、LiNb03、PbMgTi03、PbMgNb03、或其混合物 ο 4. 如申請專利範圍第1項之介電質積層體，其中，該第一 與第二聚合物層包括熱塑性聚合物、熱固性聚合物、 加成聚合物、縮合聚合物或其混合物。 5. 如申請專利範圍第1項之介電質積層體，其中，該第一 或第二聚合物層包括一無機聚合物。 6. 如申請專利範圍第5項之介電質積層體，其中，該無機 聚合物係衍生自金屬複合化合物、具有通式M( OR) 化合物、或具有通式Μ[Μ〆 OR) n]m之化合物，式中，Μ為 金屬、硼、磷或矽，為與Μ不同之金屬，R為線型或 分支烷基，η為1或更大之整數，以及m為1或更大之整 數0

   92097.ptd 第45頁 573306 六、申請專利範圍 7. 如申請專利範圍第1項之介電質積層體，其中，該聚合 物層包括Tg至少90 ° C之聚合物。 8. 如申請專利範圍第1項之介電質積層體，其中，該介電 質積層體具有厚度自約至約1000//m。 9. 如申請專利範圍第1項之介電質積層體，其中，該蕊層 具有厚度自約0.05/zm至約900/zra。 10. 如申請專利範圍第1項之介電質積層體，其中，該聚合 物厚度係自約2. 0 // m至約5 0 0 // m。 11. 如申請專利範圍第1項之介電質積層體，其中，該介電 質積層體包括一自身支撐性散裝薄片。 12. 如申請專利範圍第1項之介電質積層體，復包括一相鄰 於第一聚合物層之第一金屬層，及一相鄰於第二聚合 物層之第二金屬層以形成一電容器。 13. 如申請專利範圍第12項之介電質積層體，其中，該第 一或第二金屬層包括銅、錄、錫、銘、金、銀、始、 把、鶴、鐵、铌、鉬、鈦、鎳/鉻合金、或鐵/鎳/鉻合 金。 14. 如申請專利範圍第12項之介電質積層體，其中，該電 容器之電容密度係小於約1 0 0 0 // F/cm2。 1 5.如申請專利範圍第1 2項之介電質積層體，其中，該蕊 層具有大於20之電容率。 16.如申請專利範圍第12項之介電質積層體，其中，該電 容器係嵌設於一印刷線路板中。 17· —種用以形成自身支撐性介電質之方法，包括下列步

   92097.ptd 第46頁 573306 六、申請專利範圍 驟：於第一聚合物層上沉積一介電質蕊層；以及於該 介電質蕊層之相對於第一聚合物層之表面上沉積一第 二聚合物層以形成該自身支撐性介電質，該蕊層具有 高於該第一與第二聚合物層之電容率。 18.如申請專利範圍第17項之方法，其中，該介電質蕊層 係以燃燒化學氣相沉積或控制氣氛之燃燒化學氣相沉 積方法而沉積於第一聚合物層上。 1 9.如申請專利範圍第1 8項之方法，其中，該介電質蕊層 係以具有火焰溫度自約1 0 0 ° C至約1 5 0 0 ° C之燃燒化學 氣相沉積方法而沉積於第一聚合物層上。 20.如申請專利範圍第18項之方法，其中，該介電質蕊層 係以電漿的形式以燃燒化學氣相沉積方法而沉積於第 一聚合物層上，該電漿具有溫度自約800° C至約2000 ° Ο 2 1.如申請專利範圍第1 7項之方法，其中，該介電質蕊層 包括鑽石、碳化矽、二氧化矽、二氧化矽為主之組成 物、鈇酸鎖錄、氧化鋇鈦、氧化鶴、氧化錄、氧化鋇 嫣、氧化鐫錄鋇、氧化鶴懿、氧化錘、C e 0 2、T a 2〇 5、 Y 203、PbZrTi03、LiNb03、PbMgTi03、PbMgNb03、或其 混合物。 22.如申請專利範圍第17項之方法，其中，該第一與第二 聚合物層包括熱塑性聚合物、熱固性聚合物、加成聚 合物、縮合聚合物、或其共聚物、接枝、掺合、以及 其混合物。

   92097.ptd 第47頁 573306 六、申請專利範圍 23.如申請專利範圍第17項之方法，其中，該第一或第二 聚合物層係一無機聚合物，該無機聚合物係衍生自金 屬複合化合物、具有通式M(0R)n、或MCSMORhh之化合 物，式中，Μ為金屬、硼、磷或矽，Mi為與Μ不同之金 屬，R為線型或分支烷基，η為1或更大之整數，以及m 為1或更大之整數。

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