JP2000208945A

JP2000208945A - コンデンサ内蔵配線基板及びその製造方法

Info

Publication number: JP2000208945A
Application number: JP11008604A
Authority: JP
Inventors: Koju Ogawa; 幸樹小川; Tetsuya Kashiwagi; 哲哉柏木
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 1999-01-18
Filing date: 1999-01-18
Publication date: 2000-07-28

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】信頼性の高い層状コンデンサ内蔵配線基板、
及びこれを容易で、歩留まりが高く、安価に製造する方
法を提供する。【解決手段】コンデンサ内蔵配線基板１００は、コア
基板１１０の表裏面にそれぞれ３層の樹脂絶縁層１２
０，１４０等、およびこれらの樹脂絶縁層間に形成され
た配線層１２１，１４１等を備え、樹脂絶縁層１４０
（誘電体層１４０Ｃ）と、配線層のうちこれを挟んで対
向する部分である電極層１２１Ｅ，１４１Ｅとで、層状
コンデンサＣ１を構成している。しかも樹脂絶縁層１４
０（誘電体層１４０Ｃ）は、エポキシ樹脂にＢａＴｉＯ
₃粉末の他、銅粉末とを多量に含む中心誘電体層１４６
と、この表面及び裏面に積層され、銅粉末の含有率が小
さい表面誘電体層１４７及び裏面誘電体層１４５とを備
える３層構造の積層誘電体層を構成している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、層状コンデンサを
内蔵するコンデンサ内蔵配線基板及びその製造方法に関
し、特に、コンデンサにおいてショート不良を生じ難い
コンデンサ内蔵配線基板及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、ＩＣチップのアース配線と電
源配線との間にノイズ除去用のデカップリングコンデン
サを設けることが行われており、例えば、配線基板の表
面や裏面等にチップコンデンサを搭載したものが用いら
れている。図９に示す配線基板４００では、コア基板４
１０の表裏面（図中上下面）にそれぞれ３層の樹脂絶縁
層４２０，４４０，４６０，４３０，４５０，４７０が
積層形成され、各層間には、配線層４１５，４２５，４
４５，４３５，４５５が形成されている。さらに、この
配線基板４００の基板裏面（図中下面）４００Ｂには、
チップキャパシタＣＣがハンダＳＬによって配線層（パ
ッド）４５５に搭載されている。この配線基板４００で
は、チップキャパシタＣＣの２つの電極ＣＣＡ，ＣＣＢ
は、各配線層４２５等およびスルーホール導体４１６を
通じて、配線基板４００の基板上面４００Ａ、即ち、配
線層（パッド）４４５まで引き出され、基板上面４００
ＡでＩＣチップ（図示しない）と接続されるようになっ
ている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなチップコンデンサを配線基板に搭載、接続すると、
そのための工数がかかる。また、基板裏面やＩＣチップ
の周囲にチップキャパシタを配置することになるため、
ＩＣチップからチップキャパシタまでの距離が長くな
り、その途中の配線にノイズが侵入する。そこで、コン
デンサを配線基板と一体に、しかもＩＣチップの近傍に
形成するため、樹脂絶縁層あるいはコア基板の一部を誘
電体層としたコンデンサを配線基板中に形成することが
考えられる。

【０００４】ところで、この誘電体層としては、樹脂や
樹脂とＢａＴｉＯ₃等の高誘電体粉末の複合物に、さら
にＣｕなどの金属粉末を混入して誘電率をより大きくす
ることがある。しかも、金属粉末を多く混入するほど誘
電率が向上するため、ある程度の絶縁抵抗を保持できる
範囲でできるだけ多くの金属粉末を混入することが望ま
しい。しかし、例えば、図９における樹脂絶縁層４２０
に代えて金属粉末を含みかつ薄い誘電体層を形成し、配
線層４１５と４２５の位置に広い面積の電極層を形成し
てコンデンサを実現しようとすると、誘電体層に混入さ
せた金属粉末によって絶縁抵抗が低下し、ショートなど
の不具合が生じやすく、配線基板の歩留まりが低下する
ことがある。

【０００５】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであって、不具合を生じ難く信頼性の高い層状コン
デンサを内蔵するコンデンサ内蔵配線基板、さらには、
製造容易で、歩留まりが高く、安価なコンデンサ内蔵配
線基板の製造方法を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段、作用及び効果】そしてそ
の解決手段は、少なくとも樹脂と導体フィラーとを含む
誘電体層と、これを挟んで対向する電極層と、から構成
される層状コンデンサを内蔵するコンデンサ内蔵配線基
板であって、上記誘電体層は、その表裏面近傍には上記
導体フィラーを含まないか、表裏面近傍の上記導体フィ
ラーの含有率がその厚さ方向中心部のそれより小さくさ
れていることを特徴とするコンデンサ内蔵配線基板であ
る。

【０００７】本発明によれば、層状コンデンサの誘電体
層のうち、表裏面近傍で導体フィラーの量が少ないの
で、表裏面近傍では誘電体層の絶縁抵抗が向上するか
ら、表裏面に形成された電極層間でショートが防止され
る。さらに、同じ表面（あるいは裏面）に形成された電
極層と他の電極層や配線層との間の絶縁抵抗も高くし
て、これらの間でのショートの発生をも防止することが
できる。したがって、中心部で導体フィラーの含有率を
高めにすることにより誘電体層の持つ誘電率を高くし
て、コンデンサの静電容量を大きくしながらも、コンデ
ンサのショート等の不具合が生じ難く、信頼性の高いコ
ンデンサ内蔵配線基板とすることができる。

【０００８】ここで、層状コンデンサとしては、誘電体
層が１層のもののみならず、誘電体層と電極層とを複数
積み重ねた多層の層状コンデンサでもあっても良い。ま
た、導体フィラーとしては、樹脂に混入可能なフィラー
のうち、導電性を有するもので有れば良く、例えば、金
属粉末のほか、メッキ等によって樹脂やセラミック等の
粉末表面に金属層を形成したもの、カーボン粉末などが
挙げられる。金属粉末としては、Ｃｕ，Ａｌ，Ａｓ，Ａ
ｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｍｏ，Ｗ等の粉末が挙げられる。さら
に、誘電体層には、高誘電率の誘電体フィラーを含んで
いても良く、例えばＴｉＯ₂，ＢａＴｉＯ₃，ＳｒＴｉＯ
₃，ＣａＴｉＯ₃，ＭｇＴｉＯ₃，ＰｂＴｉＯ₃，ＫＮｂＯ
₃，ＮａＴｉＯ₃，ＫＴａＯ₃，ＲｂＴａＯ₃，（Ｎａ_1/2
Ｂｉ_1/2）ＴｉＯ₃，Ｐｂ（Ｍｇ_1/2Ｗ_1/2）Ｏ₃，（Ｋ_1/2
Ｂｉ_1/2）ＴｉＯ₃が挙げられる。

【０００９】さらに、上記コンデンサ内蔵配線基板であ
って、前記誘電体層は、導体フィラーを含む中心誘電体
層と、この表面及び裏面に積層され、上記導体フィラー
を含まないか、上記中心誘電体層より導体フィラーの含
有率が小さい表面誘電体層及び裏面誘電体層と、を備え
る積層誘電体層であることを特徴とするコンデンサ内蔵
配線基板とすると良い。

【００１０】本発明のコンデンサ内蔵配線基板では、導
体フィラーを含む中心誘電体層のほか、その表裏面に導
体フィラーを含まないかその含有量の少ない表面誘電体
層及び裏面誘電体層を備えるので、確実にショートの発
生が防止される。なお、誘電体フィラーは中心誘電体層
の他、表面・裏面誘電体層にも含ませることができる。

【００１１】さらに、上記コンデンサ内蔵配線基板であ
って、前記積層誘電体層のうち、前記表面誘電体層およ
び裏面誘電体層の厚さが、それぞれこれに接する前記電
極層の厚さよりも厚いことを特徴とするコンデンサ内蔵
配線基板とすると良い。

【００１２】配線基板の形成時には、電極層や配線層と
樹脂絶縁層あるいは樹脂絶縁層同士を密着させるため、
熱プレスなどによって熱と共に圧力を掛けて樹脂を硬化
させるが、これにより、電極層の一部が誘電体層（誘電
体層の表裏面）に没入した状態に形成されることがあ
る。このような場合でも本発明によれば、表面誘電体層
や裏面誘電体層の厚さが電極層の厚さよりも厚いため、
電極層と導体フィラーを多く含有している中心誘電体層
とが直接接触しないので、確実にショートの発生を防止
できる。

【００１３】さらに他の解決手段は、少なくとも樹脂と
導体フィラーとを含む誘電体層と、これを挟んで対向す
る電極層と、から構成される層状コンデンサを内蔵する
コンデンサ内蔵配線基板の製造方法であって、上記導体
フィラーと半硬化の上記樹脂とを含む半硬化中心誘電体
層と、上記半硬化誘電体層の表裏面に積層され、上記導
体フィラーを含まず半硬化の上記樹脂を含む、または上
記半硬化中心誘電体層の上記導体フィラー含有率よりも
小さい含有率の上記導体フィラーと半硬化の上記樹脂と
を含む半硬化表面誘電体層及び半硬化裏面誘電体層と
を、有する半硬化積層誘電体層を用いて、上記層状コン
デンサを形成する層状コンデンサ形成工程を備えること
を特徴とするコンデンサ内蔵配線基板の製造方法であ
る。

【００１４】本発明によれば、半硬化中心誘電体層と半
硬化表面誘電体層及び半硬化裏面誘電体層とを有する半
硬化積層誘電体層を用いてコンデンサ内蔵配線基板を形
成するので、従来と同様にしてコンデンサ内蔵配線基板
を形成するだけで、ショート不良が生じ難くなる。従っ
て、比較的大きな静電容量を有しながらも層状コンデン
サがショート不良とならず、高い歩留まりで配線基板を
製造することができる。なお、半硬化積層誘電体層のは
公知の手法を用いて形成すればよいが、例えば、グリー
ンシート法により、導体フィラー含有率の異なる誘電体
ペーストを用いて３回キャスティングを行い、３層重な
った半硬化積層誘電体層のシートを作るものや、導体フ
ィラー含有率の異なる誘電体ペーストを別々にキャステ
ィングしておき、それらをラミネートして半硬化積層誘
電体層のシートを作るもの等が挙げられる。

【００１５】ここで、上記コンデンサ内蔵配線基板の製
造方法において、少なくとも前記樹脂と前記導体フィラ
ーとを含む中心用誘電体ペーストと、前記導体フィラー
を含まず前記樹脂を含む、または前記中心用誘電体ペー
ストの前記導体フィラー含有率よりも小さい含有率の導
体フィラーと前記樹脂とを含む表面用及び裏面用誘電体
ペーストとを、順次キャスティングし、裏表面用誘電体
ペースト、中心用誘電体ペースト、及び表裏面用誘電体
ペーストからなる層をこの順に有する未硬化積層誘電体
シートを形成するシート形成工程と、上記未硬化積層誘
電体シートを加熱して半硬化させて前記半硬化積層誘電
体層とする半硬化工程と、を備えることを特徴とするコ
ンデンサ内蔵配線基板の製造方法とするのが好ましい。

【００１６】各ペーストを順次キャスティングするの
で、各層間の密着性が高くなるため、配線基板の製造途
中で、あるいは製造後に中心誘電体層と表面・裏面誘電
体層との間で剥離（デラミネーション）を生じることが
無い。また層間に空気やゴミ等が閉じこめられることが
少ないため、コンデンサの誘電体層としたときに、この
空気やゴミに起因するショートなどが防止できるからよ
り信頼性の高いコンデンサ内蔵配線基板とすることが出
来る。

【００１７】さらに、上記コンデンサ内蔵配線基板の製
造方法であって、前記層状コンデンサ形成工程は、前記
電極層のうちの下層電極層を形成する下層電極層形成工
程と、上記下層電極層上に前記半硬化積層誘電体層を積
層し、前記樹脂を硬化させて積層誘電体層を形成する積
層誘電体層形成工程と、上記積層誘電体層上に、前記電
極層のうちの上層電極層を形成する上層電極層形成工程
と、を備えることを特徴とするコンデンサ内蔵配線基板
の製造方法とすると良い。

【００１８】本発明によれば、下層電極層を形成し、半
硬化積層誘電体層を積層して硬化させ、その後上層電極
層を形成する、通常のビルドアップ配線基板の製造方法
で順次層状コンデンサを形成するので、従来と同様な手
法によって、ショートの生じ難く信頼性の高いコンデン
サ内蔵配線基板が容易に形成できる。なお、必要に応じ
て誘電体層を貫通するビアホールを形成することもでき
る。

【００１９】あるいは、上記コンデンサ内蔵配線基板の
製造方法であって、前記層状コンデンサ形成工程は、前
記半硬化積層誘電体層を硬化させる積層誘電体層硬化工
程と、硬化させた上記積層誘電体層に無電解メッキ及び
電解メッキを施しエッチングして所定パターンの前記電
極層を形成する電極層形成工程と、を備えることを特徴
とするコンデンサ内蔵配線基板の製造方法とすると良
い。

【００２０】本発明によれば、硬化させた積層誘電体層
に無電解メッキ及び電解メッキを施しエッチングして所
定パターンの電極層を形成するので、その後はこれを表
裏面に所定パターンの電極層が形成された従来のコア基
板と同様にして取り扱うことができる。従って、従来と
同様な公知のビルドアップ基板の製造手法によって、シ
ョートが生じ難く信頼性の高いコンデンサ内蔵配線基板
が容易に形成できる。

【００２１】あるいは、上記コンデンサ内蔵配線基板の
製造方法であって、前記層状コンデンサ形成工程は、前
記半硬化積層誘電体層の表裏面にそれぞれ金属箔を積層
し、前記樹脂を硬化させて両面金属張り積層誘電体層を
形成する両面金属張り積層誘電体層形成工程と、上記両
面金属張り積層誘電体層の金属箔を用いて、積層誘電体
層の表裏面に前記電極層をそれぞれ形成する表裏面電極
層形成工程と、を備えることを特徴とするコンデンサ内
蔵配線基板の製造方法である。

【００２２】本発明によれば、両面金属張り積層誘電体
層を形成し、この両面金属張り積層誘電体層の金属箔を
用いて、積層誘電体層の表裏面に前記電極層をそれぞれ
形成する。これは表裏面に所定パターンの電極層が形成
された従来のコア基板と同様にして取り扱うことができ
るから、従来と同様な公知のビルドアップ基板の製造手
法によって、ショートが生じ難く信頼性の高いコンデン
サ内蔵配線基板が容易に形成できる。

【００２３】

【発明の実施の形態】（実施形態１）本発明の第１の実
施の形態を図面と共に説明する。図１に示す本実施形態
のコンデンサ内蔵配線基板（以下、単に配線基板ともい
う）１００は、コア基板の表裏面（図中上下）に樹脂絶
縁層と配線層を形成したビルドアップ配線基板の構造を
有する。具体的には、コア基板１１０と、その表裏面１
１０Ａ，１１０Ｂにそれぞれ３層ずつ積層された樹脂絶
縁層１２０，１４０，１６０，１３０，１５０，１７０
と、コア基板１１０及び樹脂絶縁層１２０等の層間に形
成されたＣｕからなる配線層１２１，１４１，１６１，
１３１，１５１，１７１と、樹脂配線層１２０等を貫通
して各配線層を接続しＣｕからなるビア導体１２２，１
４２，１６２，１３２，１５２，１７２とを備える。ま
た、コア基板１１０は、ガラス繊維−エポキシ樹脂複合
材料からなるコア基板本体１１１の表裏面（図中上下
面）にそれぞれＣｕからなる配線層１１２，１１３を備
え、配線層１１２と１１３とは、コア基板本体１１１を
貫通する貫通孔Ｈの内周面に形成されＣｕからなるスル
ーホール導体１１４によって互いに接続されている。こ
のスルーホール導体１１４内部にはエポキシ樹脂からな
るプラグ材１１５が充填されている。

【００２４】さらに、厚さ１２μｍの配線層１２１，１
４１のうち広い面積で対向する部分（図中略中央部）
は、それぞれ電極層１２１Ｅ，１４１Ｅとされ、また、
樹脂絶縁層１４０のうちこの電極層１２１，１４１に挟
まれた部分は誘電体層１４０Ｃとされて、これらで層状
コンデンサＣ１（破線で示す部分）を構成している。こ
のため、この配線基板１００では、層状コンデンサＣ１
を内蔵しているので、配線基板表面１００ＡでＩＣチッ
プ（図示しない）と接続させた場合に、ＩＣチップと極
めて近い位置にコンデンサを配置したことになるため、
ノイズを有効に除去することが出来る。

【００２５】ここで、樹脂絶縁層１４０、従って、層状
コンデンサＣ１の誘電体層１４０Ｃは、中心誘電体層１
４６とその表裏面に積層された裏面誘電体層１４５，表
面誘電体層１４７からなる３層構造を備えている。中心
誘電体層１４６は、厚さ２０μｍで、エポキシ樹脂に、
高誘電率のＢａＴｉＯ₃粉末（εｒ＝約１８０００）を
３０vol％と、Ｃｕ粉末を４０vol％とを混入した比誘電
率εｒ＝４５の複合誘電体からなる。一方、裏面誘電体
層１４５及び表面誘電体層１４７は、それぞれ電極層１
２１Ｅ，１４１Ｅ（配線層１２１，１４１）の厚さ１２
μｍより厚い１５μｍの厚さとされ、中心誘電体層と同
様のエポキシ樹脂に、ＢａＴｉＯ₃粉末を３０vol％と、
Ｃｕ粉末を中心誘電体層より少量の１０vol％とを混入
した比誘電率εｒ＝２５の複合誘電体からなる。

【００２６】このため、層状コンデンサＣ１は高い比誘
電率を有する誘電体層１４０Ｃを持つことになり、比較
的大きな静電容量を得ることが出来る。しかも、高い比
誘電率εｒを持つものの、Ｃｕ粉末を大量の混入させた
ため絶縁抵抗が低い中心誘電体層１４５を、Ｃｕ粉末の
含有量が少ないために絶縁抵抗の高い表面誘電体層１４
７、および裏面誘電体層１４５で挟んでいるため、電極
層１２１Ｅと１４１Ｅとの間、及び配線層１２１と１４
１と間でショートすることが抑制される。また、同じ配
線層１２１，１４１同士の間での絶縁抵抗の低下やショ
ートの発生も抑制される。

【００２７】一方、樹脂絶縁層１２０，１６０，１３
０，１５０，１７０はいずれもエポキシ樹脂からなる。
また、ビア導体１２２の凹部には、Ｃｕ粉末を多量に混
入した導電性樹脂からなる導電プラグ材１２３が埋め込
まれて、配線層１２１と略面一にされている。導電プラ
グ材１２３が無いと、後述する積層の際に、上述のよう
な３層構造を持つ樹脂絶縁層１４０が変形した状態でビ
ア導体１２２の凹部に充填されることになり、配線層１
２１と１４１との間でショートしやすくなるため、これ
を防止するためである。

【００２８】次いで、この配線基板１００の製造方法に
ついて説明する。まず、エポキシ樹脂ペーストに、Ｂａ
ＴｉＯ₃粉末２５vol％とＣｕ粉末８．３vol％の割合で
配合し、さらに、溶剤等で混練した複合誘電体ペースト
Ｐ１，Ｐ３、および、エポキシ樹脂ペーストに、ＢａＴ
ｉＯ₃粉末２５vol％とＣｕ粉末３３．３vol％の割合で
配合し、さらに、溶剤等で混練した複合誘電体ペースト
Ｐ２を用意する。この複合誘電体ペーストＰ１，Ｐ２，
Ｐ３を、図２（ａ）に示すように、公知のグリーンシー
ト法によって３層のシートに形成する。即ち、図中矢印
で示す方向に移動するＰＥＴからなる第１フィルムＦ１
上に、タンクＴ１，Ｔ２，Ｔ３にそれぞれ投入した複合
誘電体ペーストＰ１，Ｐ２，Ｐ３を、ドクターブレード
Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３によって層厚を調整して、順次重ねて
キャスティングする。なお、複合誘電体ペーストＰ１上
に複合誘電体ペーストＰ２を、あるいは複合誘電体ペー
ストＰ２上に複合誘電体ペーストＰ３を塗布する前に、
それぞれ８０℃、５分間程度の予備乾燥を行うと良い。
これにより、例えば、複合誘電体ペーストＰ２内のＣｕ
粉末が複合誘電体ペーストＰ１内に移行するのを防止で
きるからである。その後、ヒータＨＥで加熱してエポキ
シ樹脂を半硬化状態として、第１フィルムＦ１上に、厚
さがそれぞれ１８μｍ、２４μｍ、１８μｍの半硬化表
面誘電体層４７，半硬化中心誘電体層４６，半硬化裏面
誘電体層４５をこの順に有する半硬化積層誘電体層４０
を形成する。

【００２９】なお、図２（ｂ）に示すように、その後、
ゴミなどの異物が粘着性のある半硬化積層誘電体層４０
（裏面誘電体層４５）に付着するのを避けるため、及び
ハンドリングを容易にするため、例えばポリエステルか
らなる第２フィルムＦ２で半硬化積層誘電体層４０を覆
うと良い。

【００３０】その後、図３（ａ）に示すように、予め公
知の手法で、コア基板１１０上に樹脂絶縁層１２０及び
配線層１２１（電極層１２１Ｅ）、ビア導体１２２及び
導電プラグ材１２３を形成しておき、上記第２フィルム
Ｆ２を貼り付けた場合はこれを剥がした上で、第１フィ
ルムＦ１に裏打ちされた上記３層構造の半硬化積層誘電
体層４０を圧着しながら積層する。この際、半硬化積層
誘電体層４０のうち、半硬化裏面誘電体層４５に電極層
１２１Ｅを含めた配線層１２１が没入する状態で積層さ
れる。しかし、半硬化裏面誘電体層４５は、電極層１２
１Ｅ（配線層１２１）の厚さ１２μｍよりも厚い１８μ
ｍにされているので、電極層１２１Ｅ（及び配線層１２
１）が半硬化中心誘電体層４６と直接接触することはな
い。従って、次述するように半硬化中心誘電体層４６を
硬化させた中心誘電体層１４６とも接触することがな
い。なお、図示しないが公知の手法により、裏面側の樹
脂絶縁層１３０、配線層１３１及びビア導体１３２上に
も半硬化エポキシ樹脂からなるドライフィルムを貼り付
けて積層する（図１参照）。

【００３１】その後、加熱してエポキシ樹脂を硬化さ
せ、樹脂絶縁層１５０を形成する。この硬化の際に生じ
る収縮により、図３（ｂ）に示すように、厚さ１５μｍ
の裏面誘電体層１４５，厚さ２０μｍの中心誘電体層１
４６，厚さ１５μｍの表面誘電体層１４７をこの順に有
する樹脂絶縁層１４０を形成する。さらに、ＹＡＧレー
ザの第３高調波を用いて、所定位置にビアホール１４０
Ｖを空ける。さらに、図３（ｃ）に示すように、この樹
脂絶縁層表面１４０Ａおよびビアホール１４０Ｖ内に、
公知のセミアディティブ法により、銅からなる厚さ１２
μｍの配線層１４１及びビア導体１４２を形成する。こ
の配線層１４１のうち、広い領域で電極層１２１Ｅに対
向するように形成された部分は、電極層１４１Ｅとな
る。これにより、２つの電極層１２１Ｅ，１４１Ｅ、お
よび樹脂絶縁層１４０のうちこれらで挟まれた部分の誘
電体層１４０Ｃで構成される層状コンデンサＣ１が形成
されたことになる。

【００３２】以降は、公知のビルドアップ配線基板の製
造と同様にして、樹脂絶縁層１６０，１７０を形成し、
さらに配線層１６２，１７２及びビア導体１６２，１７
２を形成することで、コンデンサ内蔵配線基板１００が
製造できる（図１参照）。

【００３３】上述した配線基板１００の製造方法によれ
ば、半硬化表面誘電体層４７，半硬化中心誘電体層４
６，半硬化裏面誘電体層４５をこの順に有する半硬化積
層誘電体層４０を形成し、これを用いて、層状コンデン
サＣ１の誘電体層１４０Ｃを形成した。このため、この
層状コンデンサＣ１においては、高い誘電率を有する誘
電体層１４０Ｃによって静電容量を大きくすることが出
来る。その上、Ｃｕ粉末の含有量が少ないために絶縁抵
抗が高い裏面誘電体層１４５および表面誘電体層１４７
で、Ｃｕ粉末含有量の多い中心誘電体層１４６を挟んで
いるため、２つの電極層１２１Ｅ，１４１Ｅ間でのショ
ートの発生を防止することが出来る。さらに、配線層１
２１と接する裏面誘電体層１４５、および配線層１４１
と接する表面誘電体層１４７は、いずれもＣｕ粉末の含
有量が少ないために絶縁抵抗が高いので、配線層１２
１，１２１同士、あるいは配線層１４１，１４１同士
が、樹脂絶縁層１４０を通じてショートすることもな
い。

【００３４】特に、本実施形態では、半硬化裏面誘電体
層４５（裏面誘電体層１４５）の厚さを電極層１２１Ｅ
（配線層１２１）の厚さよりも厚くし、半硬化表面誘電
体層４７（裏面誘電体層１４７）の厚さを電極層１４１
Ｅ（配線層１４１）の厚さよりも厚くした。このため、
電極層１２１Ｅ，１４１Ｅ（配線層１２１，１４１）が
直接中心誘電体層１４６に接触しないので、さらにショ
ートが防止される。

【００３５】（実施形態２）次いで、本発明の第２の実
施の形態について、図面を参照しつつ説明する。上記実
施形態１では、ビルドアップ型の配線基板１００のう
ち、コア基板１１０上に積層した樹脂絶縁層１４０の一
部を誘電体層１４０Ｃとする層状コンデンサＣ１を形成
したのに対して、本実施形態では、ビルドアップ型の配
線基板２００のうち、コア基板２１０の一部を層状コン
デンサＣ２とした点で異なる。従って、異なる部分を中
心に説明し、同様な部分は説明を簡略化あるいは省略す
る。

【００３６】図４に示す本実施形態のコンデンサ内蔵配
線基板２００も、コア基板の上下に樹脂絶縁層と配線層
を形成したビルドアップ配線基板の構造を有する。具体
的には、コア基板２１０と、その表面２１０Ａ及び裏面
２１０Ｂにそれぞれ３層ずつ積層されエポキシ樹脂から
なる樹脂絶縁層２２０，２４０，２６０，２３０，２５
０，２７０と、コア基板２１０及び樹脂絶縁層２２０等
の層間に形成されたＣｕからなる配線層２２１，２４
１，２６１，２３１，２５１，２７１と、樹脂配線層２
２０等を貫通して各配線層を接続しＣｕからなるビア導
体２２２，２４２，２６２，２３２，２５２，２７２と
を備える。

【００３７】コア基板２１０は、コア基板本体２１１と
その表裏面（図中上下面）に形成されそれぞれＣｕから
なる厚さ１２μｍの配線層２１５，２１６を備え、これ
らはコア基板本体２１１を貫通する貫通孔Ｈの内周面に
形成されＣｕからなるスルーホール導体２１７によって
互いに接続されている。さらに、このスルーホール導体
２１７内部にはエポキシ樹脂からなるプラグ材２１８が
充填されている。ここで、配線層２１５と２１６のうち
広い面積で対向する部分（図中略中央部）は、電極層２
１５Ｅ，２１６Ｅとされ、また、コア基板本体２１１の
うちこの電極層２１５Ｅ，２１６Ｅに挟まれた部分は誘
電体層２１１Ｃとされて、これらで層状コンデンサＣ２
（破線で示す部分）を構成している。このため、この配
線基板２００では、層状コンデンサＣ２を内蔵している
ので、配線基板表面２００ＡにＩＣチップ（図示しな
い）を搭載した場合に、ＩＣチップとコンデンサとを近
接させられるため、ノイズを有効に除去することが出来
る。

【００３８】さらに、コア基板本体２１１は、裏面誘電
体層２１２、中心誘電体層２１３、及び表面誘電体層２
１４をこの順に有する３層構造を有する。このうち、中
心誘電体層２１３は、厚さ５００μｍで、エポキシ樹脂
に、高誘電率のＢａＴｉＯ₃粉末（εｒ＝約１８００
０）を３０vol％と、Ｃｕ粉末を４０vol％とを混入した
比誘電率εｒ＝４５の複合誘電体からなる。一方、裏面
誘電体層２１２及び表面誘電体層２１４は、それぞれ電
極層２１５Ｅ，２１６Ｅ（配線層２１５，２１６）より
厚い５０μｍの厚さとされ、中心誘電体層と同様のエポ
キシ樹脂に、ＢａＴｉＯ₃粉末を３０vol％と、Ｃｕ粉末
を中心誘電体層より少量の１０vol％とを混入した比誘
電率εｒ＝２５の複合誘電体からなる

【００３９】このため、層状コンデンサＣ２は高い比誘
電率を有する誘電体層を持つことになり、比較的大きな
静電容量を得ることが出来る。しかも、高い比誘電率ε
ｒを持つものの、Ｃｕ粉末を大量の混入させたため絶縁
抵抗が低い中心誘電体層２１３を、Ｃｕ粉末の含有量が
少ないために絶縁抵抗の高い表面誘電体層２１２、およ
び裏面誘電体層２１４で挟んでいるため、電極層２１５
Ｅと２１６Ｅ及び配線層２１５と２１６と間でショート
することが抑制される。また、同じ配線層２１５，２１
６同士の間での絶縁抵抗の低下やショートの発生も抑制
される。

【００４０】次いで、この配線基板２００の製造方法に
ついて説明する。まず、上記実施形態１と同様にして、
第１フィルムＦ１上に、厚さがそれぞれ６０μｍ、６０
０μｍ、６０μｍの半硬化表面誘電体層４７，半硬化中
心誘電体層４６，半硬化裏面誘電体層４５をこの順に有
する半硬化積層誘電体層４０を形成する（図２（ａ）参
照）。また、図２（ｂ）に示すように、第２フィルムＦ
２で半硬化積層誘電体層４０を覆うと良いのも同様であ
る。

【００４１】その後、半硬化積層誘電体４０をプレスし
つつ加熱して硬化させて、図５（ａ）に示すようなコア
基板本体２１１を形成する。この硬化の際に生じる収縮
により、このコア基板本体２１１は、厚さ５０μｍの裏
面誘電体層２１２、厚さ５００μｍの中心誘電体層２１
３、及び厚さ５０μｍの表面誘電体層２１４をこの順に
有する３層構造となる。ついで、図５（ｂ）に示すよう
に、このコア基板本体２１１の表面２１１Ａと裏面２１
１Ｂとの間を貫通する貫通孔Ｈを、ドリルによって形成
する。さらに、図５（ｃ）に示すように、このコア基板
本体２１１の表面２１１Ａ、裏面２１１Ｂ及び貫通孔Ｈ
の内周面に無電解銅メッキ及び電解銅メッキを施して、
銅層ＣＤを形成する。その後、エッチングによって、表
面２１１Ａ及び裏面２１１Ｂ上の銅層ＣＤを所定の配線
パターンに形成して、図５（ｄ）に示すように、配線層
２１５，２１６及びスルーホール導体２１７を形成し
て、コア基板２１０とする。なお、配線層２１５，２１
６のうち、広い面積で対向する部分は、電極層２１５
Ｅ，２１６Ｅとされ、これらの電極層２１５Ｅ，２１６
Ｅと、３層構造のコア基板本体２１１のうち電極層に挟
まれる部分の誘電体層２１１Ｃとは、破線で示す範囲に
おいて層状コンデンサＣ２を構成している。

【００４２】以降は、公知のビルドアップ配線基板の製
造と同様にして、コア基板２１０の表面２１０Ａと裏面
２１０Ｂにそれぞれ順次樹脂絶縁層２２０，２４０，２
６０，２３０，２５０，２７０と、配線層２２１，２４
１，２６１，２３１，２５１，２７１と、ビア導体２２
２，２４２，２６２，２３２，２５２，２７２とを形成
することで、コンデンサ内蔵配線基板２００が製造でき
る。

【００４３】上述した配線基板２００の製造方法によれ
ば、半硬化表面誘電体層４７，半硬化中心誘電体層４
６，半硬化裏面誘電体層４５をこの順に有する半硬化積
層誘電体層４０を形成し、これを用いて、層状コンデン
サＣ２の誘電体層２１１Ｃとした。このため、この層状
コンデンサＣ２においては、高い誘電率を有する誘電体
層２１１Ｃによって静電容量を大きくすることが出来
る。その上、Ｃｕ粉末の含有量が少ないために絶縁抵抗
が高い裏面誘電体層２１２および表面誘電体層２１４
で、Ｃｕ粉末含有量の多い中心誘電体層２１３を挟んで
いるため、２つの電極層２１５Ｅ，２１６Ｅ間でのショ
ートの発生を防止できる。さらに、配線層２１６と接す
る裏面誘電体層２１２、および配線層２１５と接する表
面誘電体層２１４は、いずれもＣｕ粉末の含有量が少な
いために絶縁抵抗が高いので、配線層２１６，２１６同
士、あるいは配線層２１５，２１５同士が、コア基板本
体２１１を通じてショートすることもない。

【００４４】（変形例）次いで、配線基板２００の製造
方法の変形例について説明する。上記実施形態２では、
予め半硬化積層誘電体層４０を硬化させてコア基板本体
２１１を形成したが、本変形例では、一旦、両面金属張
り基板を形成する点で異なる。即ち、図６（ａ）に示す
ように、３層構造の半硬化積層誘電体層４０の表裏面
に、それぞれ厚さ１２μｍの銅箔５１，５２を重ねて、
熱プレスする。これにより、図６（ｂ）に示すように、
裏面誘電体層２１２、中心誘電体層２１３、及び表面誘
電体層２１４をこの順に有するコア基板本体２１１の両
面２１１Ａ，２１１Ｂに、それぞれ銅箔５１，５２を有
する両面銅張り積層誘電体層５０を形成する。なお、銅
箔５１，５２のうち半硬化積層誘電体層４０と接触させ
る面を、粗化しておくと、銅箔５１，５２とコア基板本
体２１１との密着性が向上するので好ましい。

【００４５】その後、図６（ｃ）に示すように、この表
面５０Ａと裏面５０Ｂとを貫通する貫通孔Ｈをドリルに
よって形成する。以降は、無電解銅メッキ及び電解銅メ
ッキを施し、サブトラクティブ法によってコア基板本体
２１１の表裏面に配線層２１５，２１６及びスルーホー
ル導体２１７を形成して、実施形態２と同様に、層状コ
ンデンサＣ２を有するコア基板２１０を形成する（図６
（ｄ）参照）。

【００４６】上述した変形例の製造方法によれば、半硬
化表面誘電体層４７，半硬化中心誘電体層４６，半硬化
裏面誘電体層４５をこの順に有する半硬化積層誘電体層
４０を形成し、これを用いて、実施形態２と同様の層状
コンデンサＣ２を有する配線基板２００を形成できる。
また一旦、両面銅張り積層誘電体層５０を形成するの
で、公知の両面銅張り積層板を用いたビルドアップ配線
基板と同様にして配線基板２００を形成することが出来
る。また、上記実施形態２と同様に、２つの電極層２１
５Ｅ，２１６Ｅ間でのショートの発生や、配線層２１
６，２１６同士、あるいは配線層２１５，２１５同士の
ショートの発生を防止できる。

【００４７】（実施形態３）次いで、第３の実施の形態
にかかる配線基板を図面を参照しつつ説明する。上記実
施形態２の配線基板２００では、３層構造のコア基板本
体２１１を貫通する貫通孔Ｈを有し、スルーホール導体
２１７が中心誘電体層２１３と直接接するのに対して、
本実施形態では、中心誘電体層３１３の内周面とスルー
ホール導体３１７との間には、内周誘電体層３１５が介
在している点で異なる。従って、異なる部分を中心に説
明し、同様な部分は説明を簡略化あるいは省略する。

【００４８】図７に示すコンデンサ内蔵配線基板３００
も、コア基板の上下に樹脂絶縁層と配線層を形成したビ
ルドアップ配線基板の構造を有する。具体的には、コア
基板３１０と、その表裏面３１０Ａ，３１０Ｂにそれぞ
れ３層ずつ積層されエポキシ樹脂からなる樹脂絶縁層２
２０等と、コア基板３１０及び樹脂絶縁層２２０等の層
間に形成されたＣｕからなる配線層２２１等と、樹脂配
線層２２０等を貫通して各配線層を接続しＣｕからなる
ビア導体２２２等とを備える。

【００４９】コア基板３１０は、上記配線基板２００と
同様に、コア基板本体３１１とその表裏面（図中上下
面）に形成されそれぞれＣｕからなる厚さ１２μｍの配
線層２１５，２１６を備え、これらはコア基板本体３１
１を貫通する貫通孔Ｈ２の内周面に形成されＣｕからな
るスルーホール導体３１７によって互いに接続されてい
る。さらに、このスルーホール導体３１７内部にはエポ
キシ樹脂からなるプラグ材３１８が充填されている。配
線層２１５と２１６のうち広い面積で対向する部分（図
中略中央部）は、電極層２１５Ｅ，２１６Ｅとされ、ま
た、コア基板本体２１１のうちこの電極層２１５Ｅ，２
１６Ｅに挟まれた部分は誘電体層３１１Ｃとされて、こ
れらで層状コンデンサＣ３（破線で示す部分）を構成し
ている。このため、この配線基板３００でも、層状コン
デンサＣ３を内蔵しているため、搭載したＩＣチップと
コンデンサとを近接させてノイズを有効に除去すること
が出来る。

【００５０】さらに、コア基板本体３１１は、裏面誘電
体層３１２、中心誘電体層３１３、及び表面誘電体層３
１４をこの順に有する３層構造を有し、しかも、スルー
ホール導体３１７と中心誘電体層３１３との間には、内
周誘電体層３１５が介在する。このうち、中心誘電体層
３１３、表面誘電体層３１２，裏面誘電体層３１４は、
それぞれ実施形態２におけるは、中心誘電体層２１３、
表面誘電体層２１２，裏面誘電体層２１４と同様の厚さ
及び材質である。さらに、上記内周誘電体層３１５も、
表面誘電体層３１２及び裏面誘電体層３１４と同材質か
らなる。

【００５１】このため、実施形態２と同様に、層状コン
デンサＣ３は高い比誘電率を有する誘電体層を持つこと
になり、比較的大きな静電容量を得ることが出来る。し
かも、高い比誘電率εｒを持つものの、Ｃｕ粉末を大量
に混入させたため絶縁抵抗が低い中心誘電体層３１３
を、Ｃｕ粉末の含有量が少ないために絶縁抵抗の高い表
面誘電体層３１２、および裏面誘電体層３１４で挟んで
いるため、電極層３１５Ｅと３１６Ｅ及び配線層３１５
と３１６と間でショートすることが抑制される。また、
同じ配線層３１５，３１６同士の間での絶縁抵抗の低下
やショートの発生も抑制される。さらに、内周誘電体層
３１５により、スルーホール導体３１７が中心誘電体層
３１３に直接接触するのを防止するので、スルーホール
導体３１７同士の間で中心誘電体層３１３を介してショ
ートすることも防止される。

【００５２】次いで、この配線基板３００の製造方法に
ついて説明する。図８（ａ）に示すように、まず、上記
実施形態１と同組成の複合誘電体ペーストＰ２を用い
て、厚さ６００μｍの半硬化中心誘電体層８１を形成
し、所定位置にその表面８１Ａと裏面８１Ｂとを貫通す
る貫通孔Ｈ１をパンチングにより形成する。次いで、上
記実施形態１と同組成の複合誘電体ペーストＰ１（Ｐ
３）を印刷し、あるいは複合誘電体ペーストＰ１を予め
半硬化のフィルム状に形成しておきこれをラミネート
し、さらに硬化させて、図８（ｂ）に示すように、裏面
誘電体層３１２、中心誘電体層３１３、及び表面誘電体
層３１４をこの順に有する３層構造を基板３１１Ｘを形
成する。なお、貫通孔Ｈ１内にも裏面誘電体層３１２及
び表面誘電体層３１４と同じ複合誘電体が充填されてい
る。

【００５３】その後、図８（ｃ）に示すように、基板３
１１Ｘに貫通孔Ｈ１と同軸の貫通孔Ｈ２をドリルで形成
して、貫通孔Ｈ１の内周面に内周誘電体層３１５を形成
し、コア基板本体３１１とする。その後は、実施形態２
において説明したのと同様に、コア基板本体３１１の表
面３１１Ａ、裏面３１１Ｂ及び貫通孔Ｈの内周面に無電
解銅メッキ、電解銅メッキ及びエッチングにより、所定
パターンの配線層２１５，２１６を形成し、及びスルー
ホール導体３１７を形成して、コア基板２１０とする。
なお、配線層２１５，２１６のうち、広い面積で対向す
る部分は、電極層２１５Ｅ，２１６Ｅとされ、これらの
電極層２１５Ｅ，２１６Ｅと、３層構造のコア基板本体
３１１のうち電極層に挟まれる部分の誘電体層３１１Ｃ
とは、破線で示す範囲において層状コンデンサＣ３を構
成している。

【００５４】以降は、実施形態２と同じく、公知のビル
ドアップ配線基板の製造と同様にして、コア基板３１０
の表面３１０Ａと裏面３１０Ｂにそれぞれ順次樹脂絶縁
層２２０，２４０，２６０，２３０，２５０，２７０
と、配線層２２１，２４１，２６１，２３１，２５１，
２７１と、ビア導体２２２，２４２，２６２，２３２，
２５２，２７２とを形成することで、コンデンサ内蔵配
線基板３００が製造できる。

【００５５】上述した配線基板３００の製造方法によれ
ば、高い誘電率を有する誘電体層３１１Ｃにより静電容
量を大きく出来る。その上、Ｃｕ粉末の含有量が少なく
絶縁抵抗が高い裏面誘電体層３１２と表面誘電体層３１
４とで、Ｃｕ粉末含有量の多い中心誘電体層２１３を挟
んだため、電極層２１５Ｅ，２１６Ｅ間でのショートの
発生を防止できる。さらに、裏面誘電体層２１２および
表面誘電体層２１４は、いずれも絶縁抵抗が高いので、
これらに接する配線層２１６，２１６同士、あるいは配
線層２１５，２１５同士が、コア基板本体２１１を通じ
てショートすることもない。さらに、半硬化中心誘電体
層８１に貫通孔Ｈ１を穿孔し、裏面誘電体層３１２及び
表面誘電体層３１４を形成すると共に、この貫通孔Ｈ１
も穴埋めし、さらに貫通孔Ｈ２を形成することで、内周
誘電体層３１５をも形成する。このため、中心誘電体層
３１３とスルーホール導体３１７とが直接接触しない。
このため、中心誘電体層３１３を通じてスルーホール導
体３１７同士がショートすることもない。

【００５６】以上において、本発明を実施形態１〜３に
即して説明したが、本発明は上記実施形態に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更
して適用できることはいうまでもない。例えば、実施形
態１では、コア基板１１０の表裏面に形成した樹脂絶縁
層のうち、樹脂絶縁層１４０の一部のみを誘電体層１４
０Ｃとして用いた層状コンデンサＣ１を形成したが、複
数の樹脂絶縁層を誘電体層に用いた層状コンデンサを形
成しても良い。また、同様に、実施形態２，３において
は、３層構造のコア基板本体２１１，３１１の一部を誘
電体層２１１Ｃ，３１１Ｃとし、電極層２１５Ｅ，２１
６Ｅとから構成される層状コンデンサＣ２，Ｃ３を形成
したが、コア基板本体内に、それぞれ３層構造からなる
複数の誘電体層及びこれらと交互に積層された電極層を
形成した層状コンデンサを備えるようにしても良い。

【００５７】また、上記実施形態１では、コア基板１１
０の表裏面に順次、樹脂絶縁層及び配線層を形成した配
線基板を示したが、コア基板を持たない配線基板に適用
しても良いことは明らかである。また、上記実施形態１
〜３のいずれにおいても、表面誘電体層及び裏面誘電体
層にも導体フィラーを含有させたが、導体フィラーを含
まない材質で構成しても良いことは明らかである。

【００５８】さらに、上記実施形態１〜３においては、
いずれも中心誘電体層とそれより導体粉末含有量の少な
い表面誘電体層及び裏面誘電体層とからなる３層構造の
誘電体層を有する層状コンデンサを示した。しかし、電
極層と接触する表面及び裏面近傍の絶縁抵抗を高くでき
れば良く、従って、誘電体層のうち、表裏面近傍の導体
フィラー含有率が、厚さ方向中心部における導体フィラ
ー含有率よりも小さくされていればよい。また、誘電体
層のうち表裏面近傍には、導体フィラーを含まないよう
にしても良い。具体的には、中心に近づくほど導体フィ
ラー含有率を高くした３層よりも多数層の構造とするな
ど、導体フィラー含有率を中心に近づくほど徐々に高く
するように分布させても良い。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１にかかるコンデンサ内蔵配線基板の
部分拡大断面図である。

【図２】実施形態１にかかるコンデンサ内蔵配線基板の
製造方法のうち、（ａ）は半硬化積層誘電体層を形成す
る工程を説明する説明図、（ｂ）は２枚のフィルムに挟
まれた半硬化積層誘電体層の部分拡大断面図である。

【図３】実施形態１にかかるコンデンサ内蔵配線基板の
製造方法のうち、半硬化積層誘電体層を積層して層状コ
ンデンサを形成する層状コンデンサ形成工程を示す説明
図である。

【図４】実施形態２にかかるコンデンサ内蔵配線基板の
部分拡大断面図である。

【図５】実施形態２にかかるコンデンサ内蔵配線基板の
製造方法のうち、コア基板の製造方法を示す説明図であ
る。

【図６】実施形態２にかかるコンデンサ内蔵配線基板の
製造方法のうち、コア基板の他の製造方法を示す説明図
である。

【図７】実施形態３にかかるコンデンサ内蔵配線基板の
部分拡大断面図である。

【図８】実施形態３にかかるコンデンサ内蔵配線基板の
製造方法のうち、コア基板の製造方法を示す説明図であ
る。

【図９】下面にチップコンデンサを搭載した従来の配線
基板を示す部分拡大断面図である。

【符号の説明】

１００，２００，３００コンデンサ
内蔵配線基板１１０，２１０，３１０コア基板１１１，２１１，３１１コア基板本
体Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３層状コンデ
ンサ１４０Ｃ，２１１Ｃ，３１０Ｃ誘電体層１２１Ｅ，１４１Ｅ，２１５Ｅ，２１６Ｅ電極層１４６，２１３，３１３中心誘電体
層１４５，２１２，３１２裏面誘電体
層１４７，２１４，３１４表面誘電体
層４６，８１半硬化中心
誘電体層４５半硬化裏面
誘電体層４７半硬化表面
誘電体層４０半硬化積層
誘電体層１２０，１３０，１４０，１５０，１６０，１７０，２
１０，２２０，２３０，２４０，２５０，２６０，２７
０樹脂絶縁層１１２，１１３，１２１，１３１，１４１，１５１，１
６１，１７１，２１５，２１６，２２１，２３１，２４
１，２５１，２６１，２７１配線層１２２，１３２，１４２，１５２，１６２，１７２，２
２２，２３２，２４２，２５２，２６２，２７２
ビア導体１１４，２１７，３１７スルーホー
ル導体

フロントページの続きＦターム(参考） 4E351 AA03 BB03 BB22 DD41 EE16 GG06 5E082 AB03 BB02 BC36 BC38 FF14 FF15 FG06 FG26 FG34 JJ06 JJ09 JJ15 KK01 MM05 MM24 5E346 AA06 AA13 AA15 AA23 AA33 AA43 BB01 BB16 BB20 CC21 DD02 DD07 DD12 DD33 EE31 EE39 FF01 FF45 GG02 GG15 HH01 HH08 HH21

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも樹脂と導体フィラーとを含む
誘電体層と、これを挟んで対向する電極層と、から構成
される層状コンデンサを内蔵するコンデンサ内蔵配線基
板であって、上記誘電体層は、その表裏面近傍には上記導体フィラー
を含まないか、表裏面近傍の上記導体フィラーの含有率
がその厚さ方向中心部のそれより小さくされていること
を特徴とするコンデンサ内蔵配線基板。
【請求項２】請求項１に記載のコンデンサ内蔵配線基
板であって、前記誘電体層は、導体フィラーを含む中心誘電体層と、
この表面及び裏面に積層され、上記導体フィラーを含ま
ないか、上記中心誘電体層より導体フィラーの含有率が
小さい表面誘電体層及び裏面誘電体層と、を備える積層
誘電体層であることを特徴とするコンデンサ内蔵配線基
板。
【請求項３】請求項２に記載のコンデンサ内蔵配線基
板であって、前記積層誘電体層のうち、前記表面誘電体層および裏面
誘電体層の厚さが、それぞれこれに接する前記電極層の
厚さよりも厚いことを特徴とするコンデンサ内蔵配線基
板。
【請求項４】少なくとも樹脂と導体フィラーとを含む
誘電体層と、これを挟んで対向する電極層と、から構成
される層状コンデンサを内蔵するコンデンサ内蔵配線基
板の製造方法であって、上記導体フィラーと半硬化の上記樹脂とを含む半硬化中
心誘電体層と、上記半硬化誘電体層の表裏面に積層さ
れ、上記導体フィラーを含まず半硬化の上記樹脂を含
む、または上記半硬化中心誘電体層の上記導体フィラー
含有率よりも小さい含有率の上記導体フィラーと半硬化
の上記樹脂とを含む半硬化表面誘電体層及び半硬化裏面
誘電体層とを、有する半硬化積層誘電体層を用いて、上
記層状コンデンサを形成する層状コンデンサ形成工程を
備えることを特徴とするコンデンサ内蔵配線基板の製造
方法。
【請求項５】請求項４に記載のコンデンサ内蔵配線基
板の製造方法であって、前記層状コンデンサ形成工程は、前記電極層のうちの下層電極層を形成する下層電極層形
成工程と、上記下層電極層上に前記半硬化積層誘電体層を積層し、
前記樹脂を硬化させて積層誘電体層を形成する積層誘電
体層形成工程と、上記積層誘電体層上に、前記電極層のうちの上層電極層
を形成する上層電極層形成工程と、を備えることを特徴とするコンデンサ内蔵配線基板の製
造方法。
【請求項６】請求項４に記載のコンデンサ内蔵配線基
板の製造方法であって、前記層状コンデンサ形成工程は、前記半硬化積層誘電体層を硬化させる積層誘電体層硬化
工程と、硬化させた上記積層誘電体層に無電解メッキ及び電解メ
ッキを施しエッチングして所定パターンの前記電極層を
形成する電極層形成工程と、を備えることを特徴とするコンデンサ内蔵配線基板の製
造方法。
【請求項７】請求項４に記載のコンデンサ内蔵配線基
板の製造方法であって、前記層状コンデンサ形成工程は、前記半硬化積層誘電体層の表裏面にそれぞれ金属箔を積
層し、前記樹脂を硬化させて両面金属張り積層誘電体層
を形成する両面金属張り積層誘電体層形成工程と、上記両面金属張り積層誘電体層の金属箔を用いて、積層
誘電体層の表裏面に前記電極層をそれぞれ形成する表裏
面電極層形成工程と、を備えることを特徴とするコンデンサ内蔵配線基板の製
造方法。