TW571105B

TW571105B - Semiconductor device

Info

Publication number: TW571105B
Application number: TW091118178A
Authority: TW
Inventors: Masaaki Mihara
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2001-09-14
Filing date: 2002-08-13
Publication date: 2004-01-11
Also published as: US20030112057A1; JP2003086700A; KR20030023476A; US6774703B2; KR100478373B1

Description

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571105 五、發明說明（2) 調節電壓之單位，控制信號S1為〇 S2為2x (Va-Vb)/15，控制信號s )/1 ’》制信號號SO 為8 X (VA-VB)/15。 x CVA-VB)/15，控制信

C:\2D-OODE\9MO\91118178.ptd 第5頁選擇電路195由N通道之M0SFETQ1〜Q16、Q101〜Q108、 Q111〜Q114、Q121〜Q122，和具有互補輸出之緩衝器g〇i 〜G04構成，對於控制信號s〇〜S3，構建成以漢明 (Hamming)距離1之碼決定基準電壓。控制信號和節點51之基準電壓之關係以表1表示。在此處以1表示高位準之信號，〇表下如未特別限定亦同。 *不低位丰之k戒’以 571105 五、發明說明（3) [表1 ] 控制信號節點51之電壓 S3 S2 S1 so 1 1 1 0 0/15(Va-Vb) 1 1 0 0 1/15(Va-Vb) 1 0 0 0 2/15(Va-Vb) 1 0 1 0 3/15(Va-Vb) 0 0 1 0 4/15(Va-Vb) 0 0 0 0 5/15(Va-Vb) 0 1 0 0 6/15(Va-Vb) 0 1 1 0 r7/15(VA-VB) 0 1 1 1 8/15(Va-Vb) 0 1 0 1 9/15(Va-Vb) 0 0 0 1 10/15(Va-Vb) 0 0 1 1 11/15(Va.Vb) 1 0 1 1 12/15(Va-Vb) 1 0 0 1 13/15(Va.Vb) 1 1 1 0 1 14/15(Va-Vb) 1 1 1 1 15/15(Va-Vb)

C:\2D-CODE\9MO\91118178.ptd 第6頁五、發明說明（4) 鄰接之碼間漢明另外，控制信號SO〜S3之組的碼如距離成為1。 ”、、’在因此，例如利用第1次之半導之基準雷厭十々々网 U 衣置之測定，確令 =基準電壓之乾圍，利用熔線之切斷 S灸大敎制k號S3、SO之後，再声沾4丨丨m , 、疋上位位元> -定筋鬥夕：度的利用半導體裝置之測定之控壓？乾圍之下位位元之控制信號S2、_來決定：準，俨，在^用第1次之測定決定控制信號以為0 一 H為！之情況日寺’利用再度之測定，可以 ’检制 w、so設定6/15(Va-Vb)至9/15(Va_Vb)間之電壓。制信號 [發明所欲解決之問題] 習知例顯示4位it之控制信號，但是近年微壓之需要性變高。〜θ M 6周整電因此，由於多個微調輪出會有多位元化之傾向，調整個數會有增加之傾向。 ^線之因此，在切斷多個熔線之情況時，變成為需要較夕間。夕之時另外，由於控制信號線之根數之位元數之增加，路面積會有增加之傾向。、泉電 $發明用來解決上述之問題，纟目的是用來縮短熔線之切斷時間和縮小熔線電路面積。 [解決問題之手段] —依照第1發明時，具備有：控制電路，連接到用以輸出預定之電壓之配線，用來輸出與預定電壓對應之第丨控制信 m C:\2D-CODE\9MO\91118178.ptd 第7頁 1571105 五、發明說明（5) ---- — 作、卢矛：二：線之有無切斷用來設定信號之第2控制 ίί出路，連接在預定之第1和第2電位間，用水％出該電位間之雷厭· < 分壓產生電路之輪出你i口選擇電路，利用控制信號選擇依照第2發明時，選擇雷\基準電壓的進行輸出。為漢明距離1。擇電路被構建成使控制信號之碼成 #擇電路被構建成使控制信號之碼成依照第3發明時為2進制碼。依照第4發明時，控制雪枚以以微小之電壓調節之制下電路之控制信號之構成包含有可元部之電壓調節之上朽^位位7^部，和可以以大於下位位號。兀部，下位位元部是第2控制信依照第5發明時’控制電路之以以微小之電壓調節 /工制指唬之構成包含有可部之電壓調節之上位位元部立；：，和可以大於下位位元號。任何一個位元是第2控制信依照第6發明時，更具備有切斷用來變化互補之第 ^電路，依照熔線之依照第7發明時，分壓輪出信號。有'、‘、有電阻值互異之具有_ 路在第1和第2電墨間包含串聯連接，以各個雷,日—、圭〈電阻值之電阻依照第δ發明時，在八、接部作為輪出。 μ “且間，具有電阻。刀I生電路和第1或第2電位間之 C:\2D^mDE\91^〇\91U8178.ptd $ 8頁 1571105 五、發明說明（6) 依照第9發明時，更具備，入到振盈電路，用來調整^電路，將基準 [發明之實施形態] |頌丰形態1 圖1是實施形態1之基準電壓產生電路。另外’為著易於說明，以下成控制信號。 κ例疋以4個位元構元件編號193是控制電路，可以進設定用來輸出控制信號，94是電位vAwB間之被分星之多個電壓中，依在=1準 I 之電壓，作為基準電壓^的進行其次，以控制電路丨93之構造來看時，其構成包含同控制信號S 3、S 2之連接在g N D们/ ^ 6〈埂接在GWD或Vcc電源線之部份，和如同控制信號si、so之連接在熔線電路294、295之部份。亦即，控制信號S3、S2可以成為被電源線固定之信號，控制信號SI、S2可以依照熔線是否被切斷用來設定^ ^。其次，以圖2表示圖1之熔線電路294之具體之電路。另外，熔線電路295亦同。在圖2中，PM1、PM2是P型M0S電晶體，NM1是N型M0S電晶體’在節點N 5 1和節點N5 2之間具有熔線，另外具有N0R閘 N0R1 、N0R2 ，矛口反才目器 INV1 。另外，熔線通常是由含有多晶矽之膜或鋁等之金屬膜所形成之配線，可以以雷射切割器等切斷，經由切斷可以使

C:\2D-00DE\91-10\91118178.ptd 第9頁 571105 五、發明說明（7) 節點N 5 1和N 5 2成為電的非導通。信號E是用以控制熔線電路2 94之活性化之活輪出信號F1和F2是依照活性化信號E和炫線之有益切斷^ 炫二：Γ94之輸出錢，當熔線電路294被活性化蚪，F 1和F 2成為互補之信號。表2用來表示炫線電路294之活性化信號£和 Fl、F2之關係。當活性化信號E為〇時，輸出信號F F 2均為〇。當活性化信號E為1，炫線被切斷時，輪出信號n為〇，輪出信號F2為1。另外，畜活性化信號E為1，熔線未被切斷時，輸出信號 F1為1，輸出信號F2為〇。 " 依照此種方式，熔線電路294可以依照熔線有盔切斷用來變化輸出信號。在圖1中，熔線電路294、29 5均是活性化信號Eai，使用各個之輸出信號F 1作為控制信號s 〇、s 1。 [表2 ] Ε=0 E=1 熔線切斷熔線非切斷 F1 0 1 F2 0 1 0 其次，以分壓電路94之構造來看時，其構成包含有：分壓產生電路194，以2個之基準電位Va、Vb作為輸入，使2ίΜ

第10 I C:\2D-C0DE\9M0\91118178.ptd 1571105 五、發明說明（8) 個之電阻β j ( j =】〜】5 )串聯連接在該2個之基準電位之間，用來輸出在各個節點N](N=1〜15)被分壓之電壓；和選擇 ίς1]〜9二被輸人有分壓產生電路1 94之輸出電塵和控制信〜 ’依照控制信號用來選擇被分壓之電壓，將盆於出到節點5〗作為基準電壓。，、輸另外，此處之選擇電路195，對控制信號s〇〜S3成為漢明距離1之碼的構造，圖3表示具體之電路厨。、由N通道MOS電晶體Q1〜Q16⑽、Qm〜 Q1 14 Q1 21〜Q122，和具有互補輸出之緩衝器G01〜G04構，，依照被輸入到節點71〜74之控制信號s〇〜s3，用來決定N通道之MOSFET之ON或OFF，節點N0〜N15任何一、壓被傳達到節點51。彳口之寬之控制信⑽〜S3和成為基準電壓之節點51 控制信號SO以（VVb)/1 5為單位，控制信號S1以2 χ (v -vb)/15為單位，控制信號32以4>< π')。控:信號S3以8x(Va-Vb)/15為單位，可以分別調節電壓， =制==〇到S3是以可調節電壓之單位較小之順序從下位位兀到上位位元之控制信號。明Ξι;:〜S3之組合之碼在鄰接之節點間，分別使漢時例：制(…為基準電壓與此相對的，在選擇從節之電壓低一階段之電壓之第11頁 C:\2D-CODE\91-10\91118178.ptd 571105 五、發明說明（9) 節點N2之電壓2/15(VA-VB)時，可以從節點N3時之碼，使SO 從0變成1。另外，在選擇從節點N 3之電壓高一階段之電壓,之節點N 4 之電壓4/15(VA-VB)時，可以從節點N3時之碼，使S2從0變成1 〇

C:\2D-CODE\9MO\9]] 18] 78.ptd 第12頁 571105 五、發明說明（ίο) [表3 ] 漢明距離1 控制信號基準電壓節點 S3 S2 S1 so 節點51之電壓 NO 0 0 0 0 0/15(Va-Vb) N1 0 0 0 1 1/15(Va-Vb) N2 0 0 1 1 2/15(Va-Vb) N3 0 0 1 0 3/15(Va-Vb) N4 0 1 1 0 4/15(Va-Vb) N5 0 1 1 1 5/15(Va-Vb) N6 0 1 0 1 6/15(Va-Vb) N7 0 1 0 0 7/15(Va-Vb) N8 1 1 0 0 8/15(Va-Vb) N9 1 1 0 1 9/15(Va-Vb) N10 1 1 1 1 10/15(Va-Vb) Nil 1 1 1 0 11/15(Va-Vb) N12 1 0 1 0 12/15(Va-Vb) N13 1 0 1 1 13/15(Va-Vb) N14 1 0 0 1 14/15(Va-Vb) N15 1 0 0 0 15/15(Va-V〇i)

C:\2D-CODE\91-10\91118178.ptd 第13頁 1571105 五、發明說明（11) 依照此種方式，在鄰接之節點電壓之間，可以使控制信號之任何一個變化。在圓1之情況，因為控制信號53、S2分別連接到電源線 GND、Vcc，所以資料成為q、j。另外，、因為控制信號S1、s〇分別連接到熔線電路、 2基94準電所利Μ表3可以以節點N4〜N7之電屢之範®，選擇勺ί右ί ί Ϊ 2本員施形態中’因為控制電路之控制卢包含有由熔線電路決中* ^、让利1口现來產生電源線等之」ί二：!伤，和預先連接到固定配線用路可以減，，炫線=齡^之部份’所以所使用之炫線電另外，從熔線電間可以縮短。可以用來減小控制带仗一部份變換成為預定之固定配線，另外，經由減少C之面積。狹。但是’當分折實際制：用來使基準電壓之選擇幅度變定範圍進行微調節，:衣k之不規則性來看時，可以以一因此，在本實施 L可以以寬範圍進行調節重要。離1 ’在一定之微調二中要使選擇電路之構造成為漢明距的變更下位位元部要未二乾圍，利用熔線可以連續 S3、S2成為固定配線:^ ^S1、SO，使上位位元部之另外，在開發初t 習知例之全體範圍可以微之階段，办可以使用如可以使用在一定範圍可以忾ς之熔線電路之方法，但是亦技術穩定之時期，放5周整之方法，在半導體之制、生

C:\2D-CODE\91-10\91118178.ptd 因為可以抑制基準電壓之不規則性衣戶 1 1571105 1 ·發明說明（12) 以如同本實施形態之方式，使用熔線電路和預先以半導體之製造步驟決定之固定配線。另外，亦可以在開發初期使用較多之熔線電路，當製造技術穩定時，使熔線電路之比率減少。電路亦可以為每-個控制信號設置，依照製 l技術之穩疋性’使用熔線電路在此種情況，溶線電路之面私$便用固疋W 造技術之穩定性變更控制信發‘：減小’但是：二：肤製段，減少切斷炼線之時間。之自由度，在製造穩疋之階另外，在圖1中是使用熔線電 π以使用輸出信號F2。電路之輸出信號η，但是亦亦即，在得知製造時分布最夕似娩A、、H埋Μ山ν a r 夕之節點電壓之情況，最好配線成遠擇輸出信號F1或F2，你^ + _ 斷熔線的實現。使見時之控制信號可以不切在此種情況，很多之晶片之烩 L # 口士 π、μ ^線不用切斷，當與上述者比較牯，可以縮短熔線之切斷時間。 ^ ^ 依照此種方式，可以取出—脅之輸出信號之電路，在切斷熔線J互補信號作為熔線電路效。、、1日可間之縮短方面非常有另外，在習知例中所示之實你 51連接到緩衝電路92，但是在^ =使輸出基準電壓之節點基準電壓之節點5 1不是連接到〜二施形態之圖1中，輸出 ,„ 疋之電路。但是，只要是使用基準電壓個。電路’亦可以連接到任何

C:\2D-OODE\9MO\91118178.ptd 第15

571105 五、發明說明（13) t施形態2 圖4是貫施形態2之基準電壓產生電路。與圖1之不同是選擇電路從195變成為196。圖2之選擇電路195和圖5所示之選擇電路丨96之不同是使 N 通道M0SFETQ1 〜Q16、Q1〇i〜q108、Q111 〜q114、Q121 〜 0^22，和具有互補輸出之緩衝器G〇1〜G〇4之連接關係成為圖1所示之選擇電路195，由表3可以漢明距離成為1。曰被構建成使與此相對的，選擇電路196被基準電壓之順皮u也on ~次口表4所不，隨著干电n ;ι負序上升，s〇〜S4所示之2進成為2進制碼。數順序的上升，在白知例中，因為利用二次之測定所於使漢明距離成為丨之構造。j决疋控制信號， 9、Λ是’在以—次之測定決定控制信號之产、w碎 2進制碼，不會成為不適合。之^况時，只要是由例如，在圖4巾，控制信號S3、S2分別為〇中二：以選擇節點N4〜N7之連續之一定=、】，在表4 Λ才工制4吕唬SO、S1決定基準電屙。

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571105 五、發明說明（14)[表4]

控制信號基準電壓節點 S3 S2 S1 so 節點51之電壓 N0 0 0 0 0 0/15(Va-Vb) N1 0 0 0 1 1/15(Va-Vb) N2 0 0 1 0 2/15(Va-Vb) N3 0 0 1 1 3/15(Va-Vb) N4 0 1 0 0 4/15(Va-Vb) N5 0 1 0 1 5/15(Va-Vb) N6 0 1 1 0 6/15(Va-Vb) N7 0 1 1 1 7/15(Va-Vb) N8 1 0 0 0 8/15(Va-Vb) N9 1 0 0 I 9/15(Va-Vb) N10 1 0 1 0 10/15(Va-Vb) Nil 1 0 1 1 11/15(Va-Vb) N12 1 1 0 0 12/15(Va-Vb) N13 1 1 0 1 13/15(Va-Vb) N14 1 1 1 0 14/15(Va-Vb) N15 1 1 1 1 15/15(Va-Vb)

C:\2D-CODE\91-10\91118178.ptd 第17頁 571105

五、發明說明（15) 依照此種方式，情況時，只要是— 壓。在使用有構成2 定之電壓範圍 $制码之選擇電路1 9 6之可以設定適當之基準電定電壓範圍之情況之下位位元部，和特別疋在晶片間之不規則性很小之— 位位時’使熔線電路尉應到可調節微小電屙使固定配線對應到可調節比；夕：厂一· 元部，此種情況非常有效。大之電壓之上另外一進制碼因為以良好之順序使碼料之切斷之判斷變為容易為其優點。馬雙化，所以熔線實施形熊3 圖6是實施形態3之基準電壓產生電路示之圖1之控制電在圖6中其不同部份是使實施形態1所路1 93成為3 93。、在圖6中，利用半導體之製造步驟所使用之配線步驟之遮次罩、’、預先決定配線之部份，控制信號S 1連接到GND配線 (貧料為0 )，控制信號S 2連接到v c c配線（資料為1 )。另外，可依照熔線有無切斷進行調節之熔線電路所決定之部份，控制信號SO、S3分別連接到熔線電路294、。在此種情況，於依照表3切斷熔線之前，可以在節點N6 〜N9之電壓範圍選擇基準電壓。 π 在實施形態中，例如在以下之情況具有效果。利用各個晶片之平均，在以表3之節點Ν7之電壓為中心具有不規則性之情況時，於實施形態1之圖1中，如表3所示’比節點Ν 7高一階段之電壓節點Ν 8之電壓，不能利用連

C:\2D^DE\9M〇\9ni8178.ptd 第18頁 1571105 五、發明說明（16) 接到熔線電路294、2 9 5之控制信號s〇、S1進行調節。與此相對的，在本實施形態中，由表3可以明白即節點 N7之電虔之前後不變’控制信號52、S1預先由配缘決定，因為構建成可以利用炫線電路294、295決定控制作號S3、 SO，所以以節點N7之電壓為中心即使有不規則性^情°況時，亦可以因應。特別是本實施形態在使用熔線電路限定控制信號數之情況，不變更選擇電路，經由變更控制電路3 93内之配線之連接，可以設定中心值前後之電壓為其優點。依照此種方式，不一定只在控制信號之下位位元部使熔線電路，而是可以依照目標之基準電壓，選擇其吁電壓，使用適當組合上位和下位之位元之熔線電路之效。与有貴施形態4 圖7是實施形態4之大於電源電壓之高電壓之高電路。〜檢蜊元件編號100是從高電壓產生電路（圖中未顯示）輪電壓VP之VP配線，在VP配線1 〇〇和電源線⑽!）之間，: 接分壓產生電路1 9 7和電阻值為r 6之電阻1 〇 2，從分承^連電路1 9 7和電阻1 〇 2之連接節點之節點N丨〇丨，輸出檢二f生壓。、』電分壓產生電路197串聯連接有電阻i〇la〜1〇lc，各電阻值為R5a、R5b、R5c。此處之電阻值具有R5b；=2 ·:之 ’ R 5 c = 3 · R 5 a 之關係。 ^ a Π C:\2D-C0DE\91-10\91118178.ptd 第19頁 1571105 五發明說明（17) 即JN1 01連接到比較器j 〇3之一另外一方之於入 a 〈輪入，比較器1 0 3之万之輸入，被施加有預定之電壓Vr5。比較态1 0 3之輸出經由反相器〗〇 8，被輸出，其作用是作為护剎古雷斤吝a為輪出化^/DE的另外，、n裡兩作為技制问電壓產生電路之信號。 ^ ^ 电路1 9 8連接到分壓產生電路1 9 7，被护制雷路11 2之控制信號s〇〜S2控制控制電路197之電阻流動，以節點Ν1 01作為輸出。換言之，分壓產生電路丨97之各個電路、强挪；电丨丑泣而疋刀壓產生電出杯 η认路198依照控制信號，在•點MW取出任何一個之輸出。元件編號114〜11卜是1)通道肋3電晶體，各個閘極被來自控制電路112之控制信號s〇〜S2控制。例如，在控制信號S 〇為〇之情況時，在p通道電晶體丨1工& 有電流流動，在電阻1〇 la大致沒有電流流動。因此，電阻1 0 1 a之兩端之電位成為大致相同。相反的，在控制信號S〇為i之情況時，在p通道電晶體 1 1 1 a沒有電流流動，只在電阻丨〇丨a有電流流動。因此’在電阻10 la之兩端會產生與電阻值R5a和電流之積相當之電位差。表5表示可利用控制信號調節之節點丨〇〇和節點N丨〇丨間之電阻值。所示者是以電阻值R5a作為單位，經由組合控制 k號S 0〜S 2可以在0〜7 X R 5 a之間進行變化。其次控制電路1 1 2是例如在圖1所示之控制電路丨9 3中，除去與控制信號S3有關之部份。

C:\2D-CODE\9MO\91118178.ptd 第2◦頁 571105 五、發明說明（18) 在該圖1當除去S3之情況時，因為S2 = Vcc、s〇線電f94、295決定，所以在表5中，可以選擇S2 = 1之電阻值為0〜3xR5a之任何一個。

另外，與忒電阻值對應之電流在分壓產生電路1 9 7、土動，成為電壓的從節點丨〇 1輪出。 /;IL

[表5]

依知、上述方式構成之分壓在被各個控制信號控制之電路和選擇電路，使連接各個電阻之電阻值成Λ X =為開關之13通道電晶體間之只貝上在電阻值為R5a、2R5a之2個時，可以利用2個之控制传味# —ρς电丨¥ %運接之丨月况但是在電阻值為R5a a技2 x R5a，3 X R5a，號沒有3個就不能設定同;;

第21頁 571105 五、發明說明（19) 依照此種方式，經由使各個電阻值具有一定之比率，在上述之實例中，可以使控制信號之位元減少丨個。另外，電阻值之比率不只限於整數倍，只要是一定之比率，在1以下之值可以優良的進行微調節。 :外：使控制信號之一部份成為固定配線，$以更一步的使炫線電路數減少，可使小㈣μ μ變大。另外在此種μ况’使控制大電阻值之電阻之上位位元之控制信號連接到固定配線，使下位位元之控制信號連接到炫線電路’可以用來進行電壓之微調整。另外在本實施形態中不是直接檢測以高電壓產生電路產生之尚電壓Vp，而是取出分壓產生電路197和電阻1〇2之分壓’以比較器1 03判定所希望之電s，利用信號/DE回饋到高電壓產生電路。亦即，分壓產生電路不是接受高電壓之全部，經由設置電阻102，在分壓產生電路19?取出高電壓之一部份之壓。因此，要進行寬廣範圍之微調整時，不一定要設置多個熔線電路等，玎以在一部份之電壓範圍内進行微調整優點。另外，在本實施形態中所示者是高於電源電壓之高電之實例，但是高電壓之微調整通常會有困難，在本實施彤態中，即使不是高電壓之低於電源電壓之電壓亦為有效。7 另外，在快閃記憶器等，亦可以使用多個高電壓，附加權重之電阻構造，或取出一部份電壓之構造可以減小各個

C:\2D-C0DE\91-10\91118178.ptd 第22頁 571105 五、發明說明（20) 高電壓用之電路面積，和可以減少熔線數非常有效。實施形態5 圖8是表示實施形態5之電壓控制振盈器。電屡控制振蘯器被輸入有例如圖〗之基準電壓產生電路之輸出之Vout，藉以輸出振盪信號Ring〇ut。在圖8中’ PM3〜PM9是P型M0S電晶體，NM3〜劃是以 M0S電晶體。 ^ 利用RING1〜RING3之奇數段之反相器構成環式振盪器，各段用來輸出其輸入信號之反相信號。例如在RING1 ’輸入化號為Rlng〇ut，輸出信號為 R i ngou 11 〇另外，由PM3和NM3構成之電路之動作變高時，使PM7〜PM9之閘極電壓下^ hup 被輸入有基準電壓Vout £下卜，在黯〜_之閉極利：：種方式’其動作是依照基準電壓v〇ut分別調整各 IK;;流=準電㈣高之情況時電流變多，在變低之邊二:：基士^爾高日寺’振盪信號…叩以之振 = “Ϊίί電壓—變低時，振盪頻率變低。之控制電路193等可以調節振盪頻率。 0斤不之ί: ’ S施形f〜5中，所示者是控制信號為4位元列，但疋位元數不論多少個均可以以同樣之方式構第23頁 C:\2D-mDE\9M0\91118178.ptd 、發明說明（21) 另外’本發明之基準電壓產 SRAM :快閃記憶器等之記憶器。電路亦可以適用在DRAM、 ^但是，特別是在快閃記憶器中，肉壓電壓，所以實施形g4所為在動作上大多使用用。 < 回電壓檢測電路非常有 [發明之效果] 依照第1發明時，因為具備有抑 f預定之電塵之配線，用來輸有出V;電二連接 “。虎’和可以依照熔線之有 2 “ i對應之弟1控 _ 控制信號，所以炫線之數目可以減定信號之第2 依照第2發明時，因為將選擇電碼成為漢明距離丨，所以可以選擇2建成使控制信號之依照第3發明時，因為將選擇電：=電壓。碼成為2進制碼，所以在一定之冓建成使控制信號之壓。 @可以選擇連續之電依照第4發明時，因為使下位位所以利用溶線可以進行電壓之微調節。卩成為第2控制信號，依照第5發明時，因為下位位元部一第1控制信號，上位位元部之任何一何個之位元疋號，所以上位位元即使在不同之電^之位元是第2控制信選擇。 t靶圍亦可以利用熔線依照第6發明時，因為具備有熔線無切斷用來變化互補之第丨和第2輪出，m線之有— 之電壓值為中心之情況時，可以減小唬，所以在以疋夕从該中心值切斷熔

C:\2D-OODE\91-10\91118l78.ptd 第24頁 571105

線0 依照第7發明時’因為使分壓產間包含有電阻值互異之具有一定比：電路在第1和第2電壓電阻串聯連接，以各個電阻之連接，之電阻值之電阻，使減少電阻之數目和炫線之數目。。卩作為輸出，所以可以依照第8發明時，因為在分壓之間具有電阻，所以可以對分壓產生^路路和施第電位間壓，可以很容易進行電壓之微調整。 ⑪口乂少之電依照第9發明時來調整振盪頻率，率〇斤以可以利用較少之熔線控制振，用頻 [元件編號之說明] 94 112 ^ 193 > 293 、 393 194 、 197 195 、 196 、 198 294 、 295 SO 、 SI 、 S2 、 S3 分壓電路控制電路么壓產生電路選擇電路熔線電路控制信號

571105 圖式簡單說明圖1是本發明之實施形態1之基準電壓產生電路。圖2是本發明之實施形態1之熔線電路。圖3是本發明之實施形態1之選擇電路。圖4是本發明之實施形態2之基準電壓產生電路。圖5是本發明之實施形態2之選擇電路。圖6是本發明之實施形態3之基準電壓產生電路。圖7是本發明之實施形態4之面電壓檢測電路。圖8是本發明之實施形態5之電壓控制振盪電路。圖9是習知之基準電壓產生電路。

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Claims

六、申請專利範圍 1 · 一種半導控制電路，出與上述之預照炫線之有無分壓產生電出上述電位間選擇電路，之輸出，作為 2 ·如申請專路被構建成使 3 ·如申請專路被構建成使 4 ·如申請專之控制信號之元部，和可以元部，上述之 5.如申請專控制電路之節之下位位元節之上位位元體裝置連接到定電壓切斷用路，連之電壓利用上基準電利範圍控制信利範圍控制信利範圍構成包以大於下位位利範圍控制信部，和部， ’其特徵是具備有：用以輸出預定之電壓之配線，用來輸對應之第1控制信號，和輸出可以依來設定信號之第2控制信號；接在預定之第1和第2電位間，用來輸 ;和述之控制信號選擇上述分壓產生電路壓的進行輸出。第1項之半導體裝置，其中該選擇電號之碼成為漢明（H a m m i n g )距離1。第1項之半導體裝置，其中該選擇電 ?虎之碼成為2進制碼。第1項之半導體裝置，其中控制電路含有可以以微小之電壓調節之下位位上述下位位元部之電壓調節之上位位元部是第2控制信號。第1項之半導體裝置，其中號之構成包含有可以以微小之電壓調可以以大於上述下位位元部之電壓調上述之下位位元部之任何一個位元是第1控制信號，上述之上位位元部之任何一個位元是第2控制信號。 6 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中更具備有 k線電路’依照線之有無切斷用來變化互補之第1和弟2

C:\2D-C0DE\91-10\9m8178.ptd 第27頁 571105 六、申請專利範圍輸出信號。 7. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中該分壓產生電路在第1和第2電壓間包含有電阻值互異之具有一定比率之電阻值之電阻，使上述之電阻串聯連接，以各個電阻之連接部作為輸出。 8. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中在分壓產生電路和第1或第2電位間之間具有電阻。 9. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中更具備有電壓控制振盪電路，將基準電壓輸入到振盪電路，用來調整振盪頻率。 _

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