JPH01117427A - 基準電圧設定回路 - Google Patents
基準電圧設定回路Info
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- JPH01117427A JPH01117427A JP27514387A JP27514387A JPH01117427A JP H01117427 A JPH01117427 A JP H01117427A JP 27514387 A JP27514387 A JP 27514387A JP 27514387 A JP27514387 A JP 27514387A JP H01117427 A JPH01117427 A JP H01117427A
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- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 241000772415 Neovison vison Species 0.000 description 1
- 244000208734 Pisonia aculeata Species 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
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- Analogue/Digital Conversion (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔腫東上の利用分野〕
本発明は基準電圧設定回路に関し、19にトリミング回
路を有する1準電圧設定回路に関する。
路を有する1準電圧設定回路に関する。
従来、この種の基準電圧設定回路蝶第4図に示す如く、
トリミング回路93を分圧回路91とバッファ回路92
とから構成されている。トリミング回路93は(この例
でl’(=4ビットのトリミング回路としている)両端
に共通パッドPAUGとトリミングパッドPAD +
(@ ”Og Z @ 2 a j )を有し切断する
ことのできるフェーズPiと、PADiにつながる電流
制限用抵抗1%匂2ユ(i=o、1,2゜3)と、更に
それにつながるゲート共通のNチャネルのMO8FET
Qzi+tと1にそれにつながるプルアップ抵抗Rs
i十1と、該ゲート共通のMO−8FBTQzi+1の
ゲートにつながるプルアップ抵抗Rzzとを有し、プル
アップ抵抗R2t、RIs1゜R32,R33,R34
の共通忙接続した部分を電源(VDD)I/c1.共通
バッドPADGeグランド(V、−に接続し、共通ゲー
ト電極をパフfpADeし、プルアラで抵抗aす2上と
MO8FET喝にとトノ接続点からトリミング出力8i
+1を得ている。
トリミング回路93を分圧回路91とバッファ回路92
とから構成されている。トリミング回路93は(この例
でl’(=4ビットのトリミング回路としている)両端
に共通パッドPAUGとトリミングパッドPAD +
(@ ”Og Z @ 2 a j )を有し切断する
ことのできるフェーズPiと、PADiにつながる電流
制限用抵抗1%匂2ユ(i=o、1,2゜3)と、更に
それにつながるゲート共通のNチャネルのMO8FET
Qzi+tと1にそれにつながるプルアップ抵抗Rs
i十1と、該ゲート共通のMO−8FBTQzi+1の
ゲートにつながるプルアップ抵抗Rzzとを有し、プル
アップ抵抗R2t、RIs1゜R32,R33,R34
の共通忙接続した部分を電源(VDD)I/c1.共通
バッドPADGeグランド(V、−に接続し、共通ゲー
ト電極をパフfpADeし、プルアラで抵抗aす2上と
MO8FET喝にとトノ接続点からトリミング出力8i
+1を得ている。
分圧回路9、l熔1,2つの基準電位vA、VBt劫と
して、2’−1個の抵抗Rj(j=1〜15)t−2つ
の基準電位間に直列に接続して分圧し、NチャネルのM
O8FETQ、〜Qts e QI O1−Ql。8゜
Q111鴫114.Q121−4122と、コンプリメ
ンタリ出力tもつバッファGOI〜GO4で構成される
1/2 選択回路に各抵抗1’Ljにより分圧さ五る電
位を入れて分圧出力51得ている。なおこの時172N
選択回路は一般的に第3表に示すように、ハミングの距
離Nのコード(例えばバイナリコード)で決められる分
圧出力51i得る。
して、2’−1個の抵抗Rj(j=1〜15)t−2つ
の基準電位間に直列に接続して分圧し、NチャネルのM
O8FETQ、〜Qts e QI O1−Ql。8゜
Q111鴫114.Q121−4122と、コンプリメ
ンタリ出力tもつバッファGOI〜GO4で構成される
1/2 選択回路に各抵抗1’Ljにより分圧さ五る電
位を入れて分圧出力51得ている。なおこの時172N
選択回路は一般的に第3表に示すように、ハミングの距
離Nのコード(例えばバイナリコード)で決められる分
圧出力51i得る。
バッファ回路92は負荷t−駆動するためのもので正転
アンプAOIにより構成されるが、出力αnは正転アン
プAOIのオフセット電位や直線性と抵抗R1〜R15
の相対精度の影響をうける為、PAD Cの電位を電源
電位として正転アンプ人O1の出力電位■oLとPAD
Co’IC位をグランド電位#I3表 として正転アンプ鳥!の出力電位vo■を測定し、それ
くよって正転アンプA@1の出力電位が、定めらし*
m! 圧範囲V 魯f、 V ors (例えば2.5
V±l QmV )になるよりに7ネーズF・〜F3の
切断を決めるトリミング出力のコード値Xが以下のよう
にして決められる。
アンプAOIにより構成されるが、出力αnは正転アン
プAOIのオフセット電位や直線性と抵抗R1〜R15
の相対精度の影響をうける為、PAD Cの電位を電源
電位として正転アンプ人O1の出力電位■oLとPAD
Co’IC位をグランド電位#I3表 として正転アンプ鳥!の出力電位vo■を測定し、それ
くよって正転アンプA@1の出力電位が、定めらし*
m! 圧範囲V 魯f、 V ors (例えば2.5
V±l QmV )になるよりに7ネーズF・〜F3の
切断を決めるトリミング出力のコード値Xが以下のよう
にして決められる。
・・・・・・・・・ (1)
こうしてXが決められ、該当するビットが1なら該当す
るフューズFit−切断することになる。
るフューズFit−切断することになる。
しかしながら正転アンプA@1の直線性、または抵抗R
Il〜R15の相対精度が悪いと(1)式によ、って計
算してフューズを切断しても定められた電圧範囲V・±
voDに入らない恐れがある(例えばコード値)(=7
でフューズを切断したが、実際には一正転アンプA、1
の出力電位が低くなってVo±VoDO範囲を超えコー
ド値X=8のほうがよかった場合など)。
Il〜R15の相対精度が悪いと(1)式によ、って計
算してフューズを切断しても定められた電圧範囲V・±
voDに入らない恐れがある(例えばコード値)(=7
でフューズを切断したが、実際には一正転アンプA、1
の出力電位が低くなってVo±VoDO範囲を超えコー
ド値X=8のほうがよかった場合など)。
つまり、第3表に示すようにNビットのトリミング出力
がハミングの距離Nのコード(例えばバになるよって設
定したにもかかわらずその電圧範囲内に入らない場合が
起こり得ることになる。
がハミングの距離Nのコード(例えばバになるよって設
定したにもかかわらずその電圧範囲内に入らない場合が
起こり得ることになる。
なおコンプリメンタリ出力をもつバッファG・。
〜G@4の代りにインバータ2個を直列に接続した回路
を代用しても同じである。
を代用しても同じである。
上述し友従来の基準電圧設定回路ではNビットのトリミ
ングパッド項式ングの距@Nのコード(例えばバイナリ
コード)となっている為、基準電圧設定回路の出力電圧
を定められた電圧範囲内くなるようトリミングをし友に
もかかわらず、正転アンプの直線性または抵抗の相対精
度の悪さなどから定められた電圧範囲外と、なってしま
う恐れがある。
ングパッド項式ングの距@Nのコード(例えばバイナリ
コード)となっている為、基準電圧設定回路の出力電圧
を定められた電圧範囲内くなるようトリミングをし友に
もかかわらず、正転アンプの直線性または抵抗の相対精
度の悪さなどから定められた電圧範囲外と、なってしま
う恐れがある。
〔問題点を解決するための手段〕 −
本発明の基準電圧設定回路は、切断することのできるフ
ューズと、該フューズ切断するためのトリミングパッド
と、核フ】−ズの切断状態により論理悄@を得る手段を
持つNビットのトリミング回路と、該Nビットのトリミ
ング回路の出力により2つの基準電位間で172Nにほ
ぼ均等に分圧し、そのうちの1つの電位ta択する手段
を有するNビットの分圧回路と、核Nビットの分圧回路
の出力により負荷を駆動する為のバッファ回路とを有す
る基準電圧設定回路において、該トリミング回路の出力
がハミングの距PJ1で表0されるコードであることv
i″特徴とするものである。
ューズと、該フューズ切断するためのトリミングパッド
と、核フ】−ズの切断状態により論理悄@を得る手段を
持つNビットのトリミング回路と、該Nビットのトリミ
ング回路の出力により2つの基準電位間で172Nにほ
ぼ均等に分圧し、そのうちの1つの電位ta択する手段
を有するNビットの分圧回路と、核Nビットの分圧回路
の出力により負荷を駆動する為のバッファ回路とを有す
る基準電圧設定回路において、該トリミング回路の出力
がハミングの距PJ1で表0されるコードであることv
i″特徴とするものである。
久(本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第10は本発明の基準電圧設定回路の一実施例の(ロ)
略図である。この基準電圧設定回路は、分圧回路94と
、第4図と同じトリミング回路93およびバッファ回路
92とから構成されている。
略図である。この基準電圧設定回路は、分圧回路94と
、第4図と同じトリミング回路93およびバッファ回路
92とから構成されている。
分圧回路94は2つの基準電位vAvBt−人力として
、2 個の抵抗用(j=1〜15)i2つの基準電位
間に直列に接続して分圧し、NチャネルのMO8FgT
Q、−416、Ql Ot−4t o s 、Ql 1
t 〜Q1t4Ql 21−Ql 22と、コンプリ
メンタリ出力をもつバッファGol−GO4とで構成さ
れ、ハミングの□距111#1のコードで決まる1/2
N選択回路に6鄭jより分圧される電位を入れて分圧出
力51t−得ている。トリミング出力と分圧回路94の
出力電位51との関係t−第1表に示すが、トリミング
出力の隣接するコード間食てのハミングの距離は1とな
っている。
、2 個の抵抗用(j=1〜15)i2つの基準電位
間に直列に接続して分圧し、NチャネルのMO8FgT
Q、−416、Ql Ot−4t o s 、Ql 1
t 〜Q1t4Ql 21−Ql 22と、コンプリ
メンタリ出力をもつバッファGol−GO4とで構成さ
れ、ハミングの□距111#1のコードで決まる1/2
N選択回路に6鄭jより分圧される電位を入れて分圧出
力51t−得ている。トリミング出力と分圧回路94の
出力電位51との関係t−第1表に示すが、トリミング
出力の隣接するコード間食てのハミングの距離は1とな
っている。
ここでPAD Cの電位を電源電位、グランド電位にし
て、それぞれの時の正転アンプAetの出力電位すなわ
ちバッファ回路92の出力電位V。LvoHを測定して
足められた電圧範囲V。士V。DKなるようにフユーズ
F、−,=F、の切断を決める。
て、それぞれの時の正転アンプAetの出力電位すなわ
ちバッファ回路92の出力電位V。LvoHを測定して
足められた電圧範囲V。士V。DKなるようにフユーズ
F、−,=F、の切断を決める。
・・・・・・・・・ (2)
、(2)式によってYt−求め、第1表のノ・ミンクの
距離1のコード表により、その前後の電位を与えるコー
ドとを見くらべて3つのコードの同一の状態の部分を読
みとり、該当するフューズFit−切断後。
距離1のコード表により、その前後の電位を与えるコー
ドとを見くらべて3つのコードの同一の状態の部分を読
みとり、該当するフューズFit−切断後。
第1表
再度PADCの電位をかえてバッフ7回路92の出力電
位Ift:IIII定して(21式で再計算し、再度求
めたYでもって残ったフユーズの切断場所を決めて切断
すれば、定められた電圧範囲内により入れやすくなる。
位Ift:IIII定して(21式で再計算し、再度求
めたYでもって残ったフユーズの切断場所を決めて切断
すれば、定められた電圧範囲内により入れやすくなる。
例えばY=2となった時にはトリミング出力84=@0
”、83=@1″となるようにフユーズF2t−切断し
ておき、再度測定計算後のYの値でフユーズFOとFl
の切断状態を決めることになる。
”、83=@1″となるようにフユーズF2t−切断し
ておき、再度測定計算後のYの値でフユーズFOとFl
の切断状態を決めることになる。
なpコンプリメンタリ出力をもつバフ7アGOI〜GO
4はインバータ2個t″厘列接続した回路で代用しても
同じである。
4はインバータ2個t″厘列接続した回路で代用しても
同じである。
第2図は本発明の基準電圧設定回路の他の実施例の回路
図である。この基準電圧設定回路は、第4図と同じ分圧
回路91.トリミング回路93゜バッファ回路92と、
排他的論理和の否定ゲートである一致ゲー)Gll〜G
13t−使用して構成している。これは従来と同じ分圧
回路91と1致グー)Gl 1〜G13を使用して第1
図に示す分圧回路94と同じ動作をするようにしている
もので、511表と第3表の比較により以下に示す関係
式が成立している。
図である。この基準電圧設定回路は、第4図と同じ分圧
回路91.トリミング回路93゜バッファ回路92と、
排他的論理和の否定ゲートである一致ゲー)Gll〜G
13t−使用して構成している。これは従来と同じ分圧
回路91と1致グー)Gl 1〜G13を使用して第1
図に示す分圧回路94と同じ動作をするようにしている
もので、511表と第3表の比較により以下に示す関係
式が成立している。
なお第4表のトリミング出力81.82.83゜841
−W、X、Y、ZとL、!3表O) !J l/グ出力
81,82,83,841’A、B、C,Dとしている
。
−W、X、Y、ZとL、!3表O) !J l/グ出力
81,82,83,841’A、B、C,Dとしている
。
第3図は本発明の基準電圧設定回路の更に他の実施歯の
回路図である。この基準電圧設定回路は。
回路図である。この基準電圧設定回路は。
第2表に示すハミングの距離1のコードに対応した分圧
回路95を有して匹て(2)式を以下に示す(4)式に
する。
回路95を有して匹て(2)式を以下に示す(4)式に
する。
≦V o + V o D ・・・・・・・
・・・・・ (4)それ以外は全<41図の実施例と同
じ動作をする。
・・・・・ (4)それ以外は全<41図の実施例と同
じ動作をする。
なお分圧回路のMO8FW、Tスイ、チはNチャネルタ
イプとしたが、Pチャネルタイプでも、Pチャネル、N
チャネルを温存させてもP1様の動作をさせることがで
き、トリミング回路のプリアップ抵抗はMO8PETt
−使用しても同様の動作をさせるζR34の抵抗をプル
ダクノ形式とし九場合にはNチャネルのMOSFET
Q21−呪24はPチャネル0M08FETとすれば同
様の動作をさせることができる。
イプとしたが、Pチャネルタイプでも、Pチャネル、N
チャネルを温存させてもP1様の動作をさせることがで
き、トリミング回路のプリアップ抵抗はMO8PETt
−使用しても同様の動作をさせるζR34の抵抗をプル
ダクノ形式とし九場合にはNチャネルのMOSFET
Q21−呪24はPチャネル0M08FETとすれば同
様の動作をさせることができる。
また、更に上述の説dAFiN=4ピッ)Q場合であっ
た’Bt、 Nがそれ以外の場合でも同様に動作させる
ことができる。
た’Bt、 Nがそれ以外の場合でも同様に動作させる
ことができる。
!2表
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、ハミングの距離1のコー
ドをトリミングのコードとして用いることにより、正転
アンプの出力電位t−足められ九電圧範囲内に入れやす
くなる。
ドをトリミングのコードとして用いることにより、正転
アンプの出力電位t−足められ九電圧範囲内に入れやす
くなる。
第1Eは本発明の一実施例の回路図、第2図は本発明の
他の実施例の回路図、第3図は本発明のさらに他の実施
例の回路図、第4図は従来例の回路図である。 ■ ・・・・・・第一の基準電位、VB・・・・・・第
二の基準ム 電位、A@、・・・・・・正転アンプ、IN・・・・・
・正転アンプの入力、OUT・・・・・・正転アンプの
出力、92・・・・・・2177回路、93・・・・・
・トリミング回路、94分圧回路、95・・・・・・分
圧回路、R1−R15・・・・・・同一抵抗値の抵抗1
.Qト呪16.、Q1G1〜Qtoa。 Qlt 1−Ql 1 a 、Qt 2 t〜Q122
・・・・・・NチャネルのMO3FET、Q・l〜G・
4・・・・・・コ/プリメ/タリ出力ヲ持つバッファ、
Qxt〜Q口・・・・・・NチャネルMO8FET%几
31〜几34・・・・・グルアップ抵抗、R2t・・・
・・・プルアップ抵抗、PADC・・・・・・パラl’
、PADG・・・・・・共通パッド、PADO〜3・・
・・・・トリミングパッド、几41−几44・・・・・
・電流制限用抵抗、F・〜F3・・・・・グユーズ。 代理人 弁理士 内 原 晋
他の実施例の回路図、第3図は本発明のさらに他の実施
例の回路図、第4図は従来例の回路図である。 ■ ・・・・・・第一の基準電位、VB・・・・・・第
二の基準ム 電位、A@、・・・・・・正転アンプ、IN・・・・・
・正転アンプの入力、OUT・・・・・・正転アンプの
出力、92・・・・・・2177回路、93・・・・・
・トリミング回路、94分圧回路、95・・・・・・分
圧回路、R1−R15・・・・・・同一抵抗値の抵抗1
.Qト呪16.、Q1G1〜Qtoa。 Qlt 1−Ql 1 a 、Qt 2 t〜Q122
・・・・・・NチャネルのMO3FET、Q・l〜G・
4・・・・・・コ/プリメ/タリ出力ヲ持つバッファ、
Qxt〜Q口・・・・・・NチャネルMO8FET%几
31〜几34・・・・・グルアップ抵抗、R2t・・・
・・・プルアップ抵抗、PADC・・・・・・パラl’
、PADG・・・・・・共通パッド、PADO〜3・・
・・・・トリミングパッド、几41−几44・・・・・
・電流制限用抵抗、F・〜F3・・・・・グユーズ。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 切断することのできるフューズと、該フューズを切断す
るためのトリミングパッドと、該フューズの切断状態に
より論理情報を得る手段を持つNビットのトリミング回
路と、該Nビットのトリミング回路の出力により2つの
基準電位間で1/2^Nにほぼ均等に分圧し、そのうち
の1つの電位を選択する手段を有するNビットの分圧回
路と、該Nビットの分圧回路の出力により負荷を駆動す
る為のバッファ回路とを有する基準電圧設定回路におい
て、該トリミング回路の出力がハミングの距離1で表わ
されるコードであることを特徴とする基準電圧設定回路
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27514387A JPH01117427A (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 基準電圧設定回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27514387A JPH01117427A (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 基準電圧設定回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01117427A true JPH01117427A (ja) | 1989-05-10 |
Family
ID=17551285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27514387A Pending JPH01117427A (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 基準電圧設定回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01117427A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04170820A (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-18 | Nec Kyushu Ltd | 半導体集積回路装置 |
JPH04170821A (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-18 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置 |
US6385086B1 (en) | 2000-06-13 | 2002-05-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Nonvolatile semiconductor memory device capable of high speed generation of rewrite voltage |
US6774703B2 (en) | 2001-09-14 | 2004-08-10 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
JP2009037372A (ja) * | 2007-08-01 | 2009-02-19 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 定電流・定電圧回路 |
-
1987
- 1987-10-29 JP JP27514387A patent/JPH01117427A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04170820A (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-18 | Nec Kyushu Ltd | 半導体集積回路装置 |
JPH04170821A (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-18 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置 |
US6385086B1 (en) | 2000-06-13 | 2002-05-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Nonvolatile semiconductor memory device capable of high speed generation of rewrite voltage |
US6774703B2 (en) | 2001-09-14 | 2004-08-10 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
KR100478373B1 (ko) * | 2001-09-14 | 2005-03-24 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
JP2009037372A (ja) * | 2007-08-01 | 2009-02-19 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 定電流・定電圧回路 |
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