TW569341B - Method and apparatus for processing organosiloxane film - Google Patents

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processing
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TW091119861A
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Shingo Hishiya
Tetsuya Sano
Manabu Sekiguchi
Michihiro Mita
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Tokyo Electron Ltd
Jsr Corp
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Description

569341 A7 B7 五、發明説明（1 ) [技術領域] 本發明係有關於一種對配置有聚矽氧烷系藥液之塗布 膜之基板進行熱處理並焙燒塗布膜，藉此來處理有機石夕氧 烷膜之方法及裝置。 [習知背景] 近年來，由於半導體元件（半導體裝置）之性能提高之要 求，因此使用低阻抗且耐電移性（耐EM性）優異之銅作為 配線材料。實現銅之多層配線之方法之一係被稱為鑲嵌製 程之製程。該製程中，於絕緣膜形成配線嵌入用之凹部， 並將銅嵌入該凹部。其次，以CMP(Chemical Mechanical Polishing)研磨基板之表面，並去除凹部以外之銅。藉由反 覆該製程，可實現多層構造。 圖案之線寬為0· 1 Ομιη世代後，一般認為使用同時地以 配線材料嵌入一配線溝及連接於該配線溝下側之導孔之雙 重镶肷製程是有效的。若配線構造更加多層化，則下層側 之膜會因其後之熱處理而反覆承受熱滯。因此，必須儘可 能地減低該熱滯之次數。又，由於有電晶體之不純物濃度 之分布等變化之虞，因此熱處理之低溫化及短時間化是必 要的。 [發明之揭示] 本發明之目的係提供一種用以於低處理溫度形成可作 為低介電常數之層間絕緣膜使用之膜之方法及裝置。 本發明之第1視點係一種有機矽氧烷膜之處理方法， 包含有：將配置有聚矽氧烷系藥液之塗布膜之基板搬入反 本紙張尺度翻巾國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •、可 .雜| -4 569341 A7 ------ B7_ 五、發明説明（^ — !~ 應容器内之程序，其中前述藥液係含有由曱基、苯基及乙 婦基所選出之官能基與矽原子之結合者；及於前述反應容 裔内對前述基板進行熱處理並焙燒前述塗布膜之程序，其 中則述熱處理係於含有混合氨與水之觸媒氣體之處理環境 氣體内，以300〜400。(：之處理溫度來進行者。 -本發明之第2視點係一種有機矽氧烷膜之處理方法， 包3有·將配置有聚石夕氧烷系藥液之塗布膜之基板搬入反 應谷器内之程序，其中前述藥液係含有由甲基、苯基及乙 烯基所選出之官能基與矽原子之結合者；及於前述反應容 裔内對前述基板進行熱處理並焙燒前述塗布膜之程序，其 中别述熱處理係於含有由一氧化二氮及氫所構成之群中選 出之觸媒氣體之處理環境氣體内，以3〇〇〜4〇〇〇c之處理溫 度來進行者。 本發明之第3視點係一種有機矽氧烷膜之處理裝置， 係對配置有聚矽氧烷系藥液之塗布膜之基板進行熱處理並 焙燒前述塗布膜，藉此來處理有機矽氧烷膜者，其中上述 藥液係含有由甲基、苯基及乙烯基所選出之官能基與石夕原 子之結合者，又，該裝置包含有：用以收納前述基板之反 應容器；用以將使用氣體供給至前述反應容器内之氣體供 給部，其中前述氣體供給部係含有氨氣之供給源者；用以 加熱前述反應容器内之前述基板之加熱器；及用以控制前 述氣體供給部及前述加熱器之控制部，且，於前述反應容 器内對前述基板進行前述熱處王里時，t述控制部係控制前 述氣體供給部及前述加熱器，使前述熱處理於含有混合氨 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?τ— 569341 五、發明説明（3 ) 與水之觸媒氣體之處理環境氣體内，以3〇〇〜4〇〇Ό之處理 溫度來進行。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 本發明之第4視點係一種有機矽氧烷膜之處理裝置， 係對配置有聚矽氧烷系藥液之塗布膜之基板進行熱處理並 =k別述塗布膜，藉此來處理有機矽氧烷膜者，其中前述 藥液係含有由甲基、苯基及乙烯基所選出之官能基與矽原 子之結合者，X，該裝置包含有：用以收納前述基板之反 μ谷器，用以將使用軋體供給至前述反應容器内之氣體供 'β ^其中刖述氣體供給部係含有由一氧化二氮及氫所構 成之群中選出之氣體之供給源者；用以加熱前述反應容器 内之別述基板之加熱器；及用以控制前述氣體供給部及前 述加熱器之控制部，且，於前述反應容器内對前述基板進 行則述熱處理時，前述控制部係控制前述氣體供給部及前 述加熱器，使前述熱處理於含有由一氧化二氮及氫所構成 之群中選出之觸媒氣體之處理環境氣體内，以3〇〇〜4〇〇t： 之處理溫度來進行。 [發明之較佳實施形態] 為了對應於元件動作速度之高速化，必須對多層配線 構造中含有之層間絕緣膜降低電容率。形成低介電常數之 層間絕緣膜之方法之一係實施將含有矽之有機系材料塗布 於半導體晶圓上，並焙燒該塗布膜之方法。發明人檢討使 用聚石夕氧烷系之藥液來作為此種有機系之材料。若藉由實 驗’則確認藉由利用旋轉塗敷將該藥液塗布於晶圓上，並 將該塗布膜於氮（NO氣環境氣體下，以4〇(rc以上之培燒 本紙張尺度適用中國國家標準（〇[S) A4規格（210 X 297公爱） 569341 A7 Γ —-----------7___ 五、發明説明（4) " — -- 溫度培燒6。分鐘以上，可得到低介電常數之層間絕緣膜。 然、而’使用聚梦氧烧系藥液時，發現若降低處理溫度 ，縮短處理時間，則有絕緣膜不易得到低介電常數之^ 題。-般認為其原因係如下述。即，培燒程序（熱處理程序） ㈣塗布有塗布液之狀態’使存在之（-SiOH)間產生反 應j並生成（—Si —〇—Si — )者。若賦予塗布膜之熱能少， 則該反應不會充分地普及至塗布膜全體。因此，（— 大量地殘存於膜中，且無法得到低介電常數。 以下，參照圖示，說明依據此見識所構成之本發明之 實施形態。 第1圖係顯不有關本發明之實施形態之縱型熱處理裝 置之縱斷側視圖。該裝置係具有由兩端開口之内管u及上 端堵塞之外f lb所構成之石英製套管構造之反應管卜於 反應S 1之周圍，配置有固定於基體2丨之筒狀之絕熱體 | 2。於該絕熱體2之内側，配置有由發熱元件所構成之加熱 構件之加熱器3，該加熱器3係呈上下地複數分割（第i圖 之例中，方便上分割為3段）者。 内管la及外管ib係下部側固持於筒狀之歧管4上。 於歧管4係配置有第丨氣體供給管$及第2氣體供給管6， 且配置為供給口向内管1 a内側之下部領域開口。本實施形 態係藉由第1氣體供給管5及氣體供給控制部5〇、55等來 構成第1氣體供給部。又，藉由第2氣體供給管6及氣體 供給控制部60等來構成第2氣體供給部。 具體而言，第1氣體供給管5係透過含有流量調節部 本紙張尺度適财國國家標準（CNS) M規格（2歡期淡）
.......................攀… (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、π_ 569341 A7 " ------ B7_ 五、發明說明(7) ~ ~^ ——- 51及閥52之氣體供給控制部（氨氣供給控制部⑼，接續於 减供給源53。。氣體供給管5亦透過含有流量調節部 6及閥57之氣體供給控制部55，接續於惰性氣體供給源 8另-方面，第2氣體供給管6係透過含有流量調節部 61及閥62之氣體供給控制部6〇,接續於水蒸氣供給源 产於歧管4亦配置有排氣管7以由内管u及外管^間 排乳。排氣管7係透過如蝶形閥所構成之壓力調節部7ι 、戈於真空泵72。本實施形態係藉由内管丨a、外管1匕及 歧管4來構成反應容器。 為了塞合歧管4之下端開口部，配置有蓋體22。蓋體 22係安裝於晶舟升降機23上。於蓋體22之上方，透過藉 由驅動部24旋轉之旋轉軸25配置有旋轉台26。於旋轉台 26上，透過由保溫筒所構成之絕熱單元27搭載有基板固 持具之晶圓晶舟28。晶圓晶舟28係構成為使多數片之晶 圓W呈層狀地固持。 又，該縱型熱處理裝置係具有控制部8。控制部8依據 儲存為其一部分之記憶之預定程式來控制加熱器3、壓力 调節部71、氣體供給控制部50、55、60。 其次，說明使用第1圖圖示之縱型熱處理裝置來進行 之有關本發明實施形態之有機矽氧烷膜之處理方法。於該 處理之對象之基板（半導體晶圓）上，配置有藉由利用如旋 轉塗敷塗布並乾燥所形成之聚矽氧烷系藥液之塗布膜。該 藥液係含有由曱基（一 CH3)、苯基（一C6H5)及乙烯基（一 CH =CH2)所選出之官能基與矽原子之結合者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21〇χ297&^) .-----·: —.......裝…… (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、一叮| 569341 A7 B7 五、發明説明（6 ) 聚矽氧烷係於觸媒之存在下或非存在下，將具有水解 性基之矽烷化合物水解並縮合者。具有水解性基之矽烷化 合物可列舉作為較佳例者如：三甲氧矽烷、三乙氧矽烷、 甲基三甲氧矽烷、甲基三乙氧矽烷、曱基三—n—丙氧矽 烷、曱基三一 iso—丙氧矽烷、乙基三甲氧矽烷、乙基三乙 氧矽烷、乙烯基三曱氧矽烷、乙烯基三乙氧矽烷、苯基三 甲氧矽烷、苯基三乙氧矽烷、二甲基二甲氧矽烷、二甲基 一乙氧矽烷、二乙基二甲氧矽烷、二乙基二乙氧矽烷、二 苯基二甲氧矽烷、二苯基二乙氧矽烷、四曱氧矽烷、四乙 氧矽烷、四一 n_丙氧矽烷、四—is〇—丙氧矽烷、四一打一 丁氧矽烷、四一 sec—丁氧矽烷、四—tert — 丁氧矽烷、四 苯氧矽烷等。 水解時可使用之觸媒可列舉如：酸、螯形化合物、鹼 等，特別係以氨、烷基胺等之鹼為佳。 聚矽氧烷之分子量係以藉由GPC法之聚苯乙烯換算之 重量平均分子量為10萬〜L000萬，較佳者為1〇萬〜9〇〇 萬，且以20萬〜800萬尤佳。若小於5萬，則無法得到充 分之介電常數及彈性係數，另一方面，若大於萬時， 則塗膜之均一性降低。 聚矽氧烷系之藥液係以滿足下式者較為理想。 〇·9- R/Yg 〇.2(R係表示聚矽氧烷中之甲基、苯基或乙 稀基之原子數，Y係表示Si之原子數） 聚矽氧烷系之藥液（塗布液）係將上述聚矽氧烷溶解於 有機溶劑者。此時所使用之具體之溶劑可列舉如：醇系溶 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- •、一t— 569341 A7 —…· B7 五、發明説明（7) " ~ -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 劑、酮系溶劑、醯胺系溶劑及酯系溶劑之群中所選出之至 少1種。又，除了聚石夕氧烧之外，亦可依需要於該塗布液 中添加界面活性劑、熱分解性聚合物等之任意成分。 依此形成有塗布膜之晶圓w係多數片如150片呈層狀 地固持於晶圓晶舟28上，並藉由升降機23上昇，搬二由 反應管1及歧管4所構成之反應容器内。反應容器内係預 先維持於將進行熱處理時之處理溫度，然而，由於因晶圓 晶舟28之搬入而溫度一度降低，因此待機至安定為處理溫 度為止。所謂該處理溫度係載置製品之晶圓w之區域之溫 度，並设定為300〜400°C之範圍，且以3〇〇〜38〇。匚之範圍 為佳。又，於反應容器内之溫度安定化為止之期間，將反 應容器内進行真空吸取，並藉由壓力調節部71作成預定之 減壓環境氣體。 接著，於反應容器内安定為處理溫度且成為預定之減 壓環境氣體後，一邊將使用氣體供給至反應容器内，一邊 進行塗布膜之焙燒（熱處理）。此時，開啟氣體供給控制部 50之閥52，並藉由流量調節部5丨調節至預定流量，將氨 氣供給至反應容器内。又，開啟氣體供給控制部60之閥 62，並藉由流量調節部61調節至預定流量，將水蒸氣供給 至反應容器内。進行預定時間熱處理後，開啟氣體供給控 制部55之閥57 ,並將如氮氣供給至反應容器内，藉此， 於反應容器内返回大氣壓力後，使蓋體22下降，並搬出晶 圓晶舟28。此一連串之動作係藉由控制部8，依照預定之 程式來進行。 本紙張尺度適用中國國家標準（哪）A4規格（210><297公釐） -10- 569341 A7 ___Β7_ 五、發明説明（8) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於上述熱處理中，存在於反應容器内之微量之水（h2〇) 與氨（NH3)進行反應，並生成nh4+與OH-。一般認為這些 NH4+、0H—與未反應之H20成為觸媒，且塗布膜中之（_ SiOH)間如下述地進行反應，產生脫水縮聚反應，並變為 一 Si — 〇 一 Si — 〇 一 SiOH + HOSi--^ — Si — Ο — Si — 於反應容器内之處理環境氣體之氨及水之濃度係基於 得到如上述之觸媒作用，及防止對被處理體之不良影響等 觀點來設定。具體而言，於處理環境氣體之氨之濃度係設 定為0.0〇4〜5.〇g/g較佳，且以0 04〜20%尤佳。又，於處 理環境氣體之水之濃度係設定為0.00005〜4.0%較佳，且 以 0.00005 〜0.15% 尤佳。 該例中係自外部供給水蒸氣，然而，由於實際上無法 完全地使反應容器内之大氣排氣，故於反應容器内存在微 量之水分。因此，即使不供給水蒸氣至反應容器内，由後 述之實驗例亦可知，可得到低介電常數之層間絕緣膜。然 而，若晶圓之分批處理片數多時，則有水分不足之虞。因 此，係以如第1圖圖示之裝置，具有可依需要將水蒸氣供 給至反應容器内之構造者為佳。 i、、、’a水蒸氣時，於熱處理環境氣體之溫度成為預定溫 度後，首先僅供給水蒸氣，接著亦可供給氨氣。僅供給水 蒸氣之時間係設定為例如3〇秒〜1〇分鐘，較佳者為工分 鐘〜5分鐘。 舉例言之，若將8英吋之晶圓w載滿於最大搭載片數 本紙張尺度適财8111家標準（CNS) A4規格（210X297公釐) -11- 569341 A7 ----- - B7 五、發明説明（9) (亦包§上下兩端部之虛設晶圓之片數）為1 7〇片之晶圓晶 舟28上並進行處理時，則反應容器之容積為1〇〇〜25扎。 相對於該反應容器，氨氣之流量係設定為〇 〇1slm〜5Slm f佳’且以0.1SLM〜2SLM尤佳。又，水蒸氣之流量係設 疋為以液體換算之流量為0.001CCM〜3CCM。 有關反應谷器内之壓力，以〇.15kPa〜90kPa變更壓力 並進行熱處理，調查對層間絕緣膜之介電常數之壓力之影 響。由於並未發現因壓力而介電常數有實質差異，因此認 為"T為減壓％;i兄氣體、常壓環境氣體、加壓環境氣體之任 -者。 、 又，於供給氨氣至反應容器内之同時，亦可供給氮氣 等之惰性氣體。於具有反應容器内大量殘存氧等之氧化成 分之虞時，若供給惰性氣體，則可得到可抑制氧化環境氣 體，並抑制塗布膜之氧化，避免因氧化環境氣體之不良影 響等優點。然而，由後述之實驗例可知，即使不與氨氣同 時地供給惰性氣體，於實驗標準中亦沒有問題。因此，惰 性氣體之供給並非絕對之要素。 又，由後述之實驗例亦可知，熱處理之時間可為如35〇 C、5分鐘以上。然而，若進行過久，則由於具有對下層 側膜之熱滯之虞，因此以60分鐘以内者為佳。 又，上述縱型熱處理裝置係使用套管構造之反應管， 然而，亦可使用例如由上部排氣組成之單管之反應管。 若藉由此種實施形態，則於焙燒聚矽氧烷系之塗布膜 並幵> 成層間絕緣膜時，氨及水（供給於反應容器内之水蒸氣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -、可| -12- 569341 A7 一， , ____g7 —__ 五、發明説明（10) ' — 1~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 或殘存於反應容器内之水分）發揮觸媒效 所必須之活性化能量降低。因此，即使熱處理溫度;：反又應 =使熱處理時間（焙燒時間）短，焙燒反應亦可充分地進 行且可得到低介電常數之層間絕緣膜。因此，可得到圖 案線寬為Ο.ΙΟμπι世代之元件之如雙重鑲嵌構造所必須之 層間絕緣膜物性，且沒有對已形成之元件構造造成因熱之 不良影響之虞。 其次，說明有關本發明之其他實施形態之有機系氧烷 膜之處理方法。該實施形態中，由第丨氣體供給管5供給 至反應管1之氣體係使用一氧化二氮（Ν2〇)氣體或氫（HJ 氣來取代氨氣。因此，用以實施該實施形態方法之縱型熱 處理裝置係將接續於第1圖圖示之縱型熱處理裝置之第工 氣體供給管5之氣體供給源53,替換為一氧化二氮氣體或 氫氣之供給源，且不需要第2氣體供給管6。 由後述之實驗例亦可知，於本實施形態中亦可得到與 使用氰氣時相同之低介電常數之層間絕緣膜。使用一氧化 二氮氣體時，酸系之一氧化二氮氣體本身為觸媒，又，使 用氫氣時，酸系之氫氣本身為觸媒，並產生前述之脫水縮 聚反應。藉由於此種條件下進行處理，可將用以得到層間 絕緣膜所需之活性能量降低。因此，即使焙燒溫度低，又， 即使培燒時間短，亦可充分地進行焙燒反應。 於反應容器内之處理環境氣體之一氧化二氮氣體或氫 氣之濃度係基於得到如上述之觸媒作用，及防止對被處理 體之不良影響等觀點來設定。具體而言，若觸媒氣體為一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公 13- 569341 A7 B7 五、發明説明（11 ) 氧化二氮時’則處理環境氣體中之_氧化二氮之濃度係設 定為0.004〜5.0%較佳，且以〇 〇4〜2 〇%尤佳。又，若觸 媒氣體為氫時，則處理環境氣體中n度係設定為 0.004〜5.0%較佳，且以〇·〇4〜2 〇%尤佳。 又，使用-氧化二氮氣體或氣氣時，熱處理條件係如 下所述。首先，焙燒溫度係設定為4〇(rc以下較佳，且以 38(TC以下尤佳。然而，若由焙燒塗布膜之觀點來看，則焙 燒溫度係設定為30CTC以上。焙燒時間係設定為5分鐘〜 60分鐘較佳，且以10分鐘〜30分鐘尤佳。於焙燒時之反 應管1内之壓力係設定為0.00039kPa〜1〇1 3kpa較佳，且 以 0.15kPa 〜90kPa 尤佳。 如前所述，收納170片8英吋之晶圓w之反應容器容 積係100〜250L·。相對於該反應容器，一氧化二氮氣體之
流係設定為0.01SLM〜5SLM較佳，且以〇 islm〜2SLM 尤佳。又，氫氣之流量係設定為〇.〇1SLM〜5SLM較佳， 且以0.1 SLM〜2SLM尤佳。一氧化二氮氣體及氫氣亦可同 時地供給。 又，將一氧化二氮氣體及氫氣供給至反應容器内時， 或供給一氧化二氮氣體及氫氣時，亦可同時地供給氮氣等 之惰性氣體。 (實施例1) 使用具有由單管所構成之反應管之縱型熱處理裝置並 進行實驗。該實驗中’於晶圓晶舟上搭載熱處理對象之2 〇 片之晶圓W。將反應容器内之壓力設定為i3.3kPa ,同時 本紙張尺度適用中國國家標準（™s) A4規格（210X297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-14- 569341 A7 £7_ 五、發明説明（12) 以2SLM之流量供給氨氣。將熱處理溫度設定為3〇〇。^、 330 C、340。(：、3 50。(：、3 80°C、420°C 之 ό 種，無論何者皆 進行30分鐘熱處理（焙燒），且不進行對反應管内之水蒸氣 之供給。 塗布於各晶圓W之藥液（塗布液）中之聚苯乙烯換算重 篁平均分子1為82萬’相對於聚石夕氧烧中之石夕原子數之甲 基之原子數之比（CHVSi)為0.5。對所得到之絕緣膜（若為 貫際之製品晶圓，則為層間絕緣膜之膜）測定電容率。結 果’熱處理溫度與電容率之關係係以第2圖之△表示之略 圖。 另，電容率之測定中，對所得到之絕緣膜形成鋁電極 圖案並形成試樣。該試樣之絕緣膜之電容率係以i〇〇kHz 之頻率，使用橫河·休雷特公司（匕二一卜V卜八V力一 κ 社）（股）製造之ΗΡ16451Β電極及ΗΡ4284Α精密LCR計， 並藉由CV法來測定。 (比較例1) 以10SLM之流量供給氮（N2)氣以取代供給氨氣。將熱 處理溫度設定為300。(：、380°C、420°C之3種，且分別於 300°C、380°C時進行30分鐘、於420°C時進行6〇分鐘之 熱處理（焙燒）。其他條件作成與實施例1相同。與實施例i 相同地對所得到之絕緣膜測定電容率。結果，熱處理溫度 與電容率之關係係以第2圖之〇表示之略圖。 (考察） 一般認為層間絕緣膜之電容率若為2.3以下則可充分 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21〇><297公楚） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-15. 569341 、發明説明（ 對應於動作速度之高速化。若藉由有關本發明之方法，則 即使為30(TC之低溫亦可確保預定之電容率。又，若僅著 眼於電容率，則於420°c之熱處理溫度中，電容率降為相 當低且可得到良好之絕緣膜。然而，若為過高之溫度，則 對已心成之几件構造造成不良影響，例如：變為無法對應 於使用雙重鑲嵌之多層構造之元件之製造。因此，一般認 為熱處理溫度必須為400°C以下。 相車乂於以在使用氮氣之情形，若使用氨氣時，則即使 於相同之熱處理溫度，若為38代以下則絕緣膜之電容率 才田J又，若使用氮氣時，為了確保2.3以下之電容率， 則必須作成4_以上之熱處理溫度。由此結果可知，有 關本發明之方法係可使熱處理溫度低溫化，且比使用氣氣 者更為優異。 (實施例2) 將熱處理溫度設定為30(rc，同時將熱處理時間設定為 3〜〇分鐘、6G分鐘之2種，並進行熱處理。其他條件作成與 實施例！相同。與實施例i相同地對所得到之絕緣膜測定 電容率。結果，培燒時間與電容率之關係係以第3圖之〇 表示之略圖。 (實施例3) 將熱處理溫度設定為3贼，同時將熱處理時間設定為 10分鐘、20分鐘、30分鐘之3種，並進行熱處理。其他 條件作成與實施例i相同。與實施例i相同地對所得到之 絕緣膜測定電容率。結果，培燒時間與電容率之關係係以 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4规格（21〇><297公爱） ------------------------裝—— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .訂· -16· 569341 五、發明説明（ 第3圖之·表示之略圖。 (實施例4) 將熱處理溫度設定為贿’同時將熱處理時間設定為 ^分鐘、3G分鐘之2種，並進行熱處理。其他條件作成與 實施例1相同。與實施例！相同地對所得到之絕緣膜測定 電容率。結果，焙燒時間與電容率之關係係以第3圖之△ 表示之略圖。 (考察） 第圖可知，即使熱處理時間相同，熱處理溫度高 者則絕緣膜之電容率低。若熱處理溫度為35代，則即使 熱處理時間為10分鐘，電容率亦可得到2.25 值。若為30(TC進行3〇分鐘，則電容率為2.29，可預測為 了得到預定之電容率，則必須比35〇〇c之情形增加熱處理 時間。然而，一般認為若熱處理溫度低，則對層間絕緣膜 下側之元件構造所造成之熱之影響減少。 (實施例5) 與氨氣同時地將水蒸氣以〇 〇〇〇1LM(01cCM)之流量 供給至反應容器内，並將熱處理溫度設定為38〇它。其他 條件作成與實施例丨相同。與實施例丨相同地對所得到之 絕緣膜測定電容率。結果，所得到之絕緣膜之電容量為 2.25 〇 由該結果可知，若於反應容器内殘留水分之條件下， 則未必需要對反應容器供給水蒸氣，過多之水分並不會對 絕緣膜之電容率帶來良好之影響。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) M規格（21〇><297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 訂i 17- 569341 A7 _____B7___ 五、發明説明（15) (實施例6) 使用具有由單管所構成之反應管之縱型熱處理裝置， 並進行實驗。於該實驗中，於晶圓晶舟上搭載熱處理對象 之20片之晶圓w。第1例中，將反應容器内之壓力設定 為13.3kPa，同時以2SLM之流量供給一氧化二氮氣體。第 2例中，將反應容器内之壓力設定為0.i5kPa，同時以2SLM 之流量供給氫氣。無論於任一者皆將熱處理溫度設定為 3 50°C，並進行30分鐘熱處理（焙燒），且不進行對反應管 内之惰性氣體之供給。 與實施例1相同地，對所得到之絕緣膜（若為實際之製 品晶圓，則為層間絕緣膜之膜）測定電容率。結果，熱處理 溫度與電容率之關係係，若為一氧化二氮氣體時則為以第 4圖之♦表示之略圖，若為氫氣時則為以第4圖之◊表示 之略圖。另，第4圖之〇表示之略圖係表示使用於比較例 1中所說明之氮氣並進行熱處理時之熱處理溫度與電容率 之關係。 (考察） 如第4圖所示，若焙燒時使用一氧化二氮氣體或氫氣 來作為供給於反應容器内之氣體（焙燒反應促進用之氣 體），則即使於350°C之低焙燒溫度，晶圓w上所形成之絕 緣膜之電容率亦比使用氮氣進行熱處理時更低。於該焙燒 溫度之絕緣膜之電容率係，於一氧化二氮氣體中為2.27， 於氫氣中為2.28,任一者皆為低於2.3之相當低之電容率。 若考慮對上述已形成之元件構造之影響時，則此低電容率 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-18 - 569341 五 、發明説明 16 可於作成較佳培燒溫度彻之狀況下得到。 有關使培燒溫度變化之情形雖未圖示，然而，第2圖 $ ’無論培燒反應促進用之氣體為氮氣、氨氣之任一者， ，著培燒以之上昇，絕緣膜之電容率皆降低。因此認為 2使用-氧化二氮或氫氣來作為觸_氣體_，則隨著培燒 ’皿度，上幵’電容率之值亦會向右降低。由此可知，於使 用:氧化二氮或氫氣作為觸媒氣體日寺，相較於使用氮氣之
If形亦可降低絕緣膜之電容率，且亦可使熱處理溫度低 溫化。 [產業上可利用性] 、、斋藉由本發明，則於對基板上所形成之聚矽氧烷系之 塗布膜施以熱處理並形成層間絕緣膜時，即使為低熱處理 溫度，亦可得到低介電常數之層間絕緣膜。 [圖式之簡單說明] 第1圖係顯示有關本發明之實施形態之縱型熱處理裝 置之縱斷側視圖。 第2圖係顯示塗布膜之焙燒溫度與所得到之層間絕緣 膜之介電常數之關係圖。 第3圖係顯示塗布膜之焙燒時間與所得到之層間絕緣 膜之介電常數之關係圖。 第4圖係顯不塗布膜之焙燒溫度與所得到之層間絕緣 膜之介電常數之關係圖。 [元件標號對照] 1 · · ·反應管
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公D -19- 569341 A7 B7 五、發明説明（17 ) la…内管 1 b...外管 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2.. .絕熱體 3.. .加熱器 4…歧管 5,6…氣體供給管 7.. .排氣管 8.. .控制部 21.. .基體 22…蓋體 23.. .晶舟升降機 24.. .驅動部 25.. .旋轉軸 26…旋轉台 27…絕熱單元 2 8…晶圓晶舟 50，55，60··.氣體供給控制部 5 1，5 6，61…流量調節部 52，57，62··.閥 53.. .氨氣供給源 58.. .惰性氣體供給源 63.. .水蒸氣供給源 71···壓力調節部 72.. .真空泵 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -20-

Claims (1)

  1. 569341 A8 Bg C8 D8 六、申請專利範圍 ~" — !· 一種有機矽氧烷膜之處理方法，包含有： 將配置有聚矽氧烷系藥液之塗布膜之基板搬入反 應谷器内之程序.，其中前述藥液係含有由甲基、苯基 及乙婦基所選出之官能基與石夕原子之結合者；及 於前述反應容器内對前述基板進行熱處理並焙燒 前述塗布膜之程序，其中前述熱處理係於含有混合氨 與水之觸媒氣體之處理環境氣體内，以3〇〇〜4〇〇ct2 處理溫度來進行者。 2·如f請專利範®第1項之方法’其中於前述處理環境 氣體之氧之濃度係0·004〜5·〇%，水之濃度係〇 〇〇〇〇5 〜4.0% 〇 3. 如申請專利範圍第Μ之方法，其中前述處理環境氣 體内之氨係來自於前述熱處理中供給於前述反應容器 内之氨氣，且前述處理環境氣體内之水係來自於前述 熱處理前存在於前述反應容器内之水。 4. 如申請專利範圍第！項之方法，其中前述處理環境氣 體内之氨及水係分別來自於前述熱處理中供給於前述 反應容器内之氨氣及水蒸氣。 5· —種有機矽氧烷膜之處理方法，包含有： 將配置有聚矽氧烷系藥液之塗布膜之基板搬入反 應容器内之程序，其中前述藥液係含有由甲基、苯基 及乙烯基所選出之官能基與矽原子之結合者；及 於前述反應容器内對前述基板進行熱處理並焙燒 則述塗布膜之程序，其中前述熱處理係於含有由一氧 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、町— -21 - 569341 A8 B8 C8 --------加 _ 六、申請專利範^ ^ ~ 化二氮及氫所構成之群中選出之觸媒氣體之處理環境 氣體内，以300〜400°C之處理溫度來進行者。 6. 如：請專利範圍第5項之方法，其中前述觸媒氣體係 一氧化二氮，且於前述處理環境氣體之一氧化二氮之 濃度為0.004〜5.0% 。 7. 如中請專利範圍第5.項之方法，纟中前述觸媒氣體係 氫，且於前述處理環境氣體之氫之濃度為〇 〇〇4〜5 〇 % 0 8·如申凊專利範圍第5項之方法，其中前述處理環境氣 體内之前述觸媒氣體係來自於前述熱處理中供給於前 述反應容器内之氣體。 9·如申請專利範圍帛13戈5項之方法，其係於前述熱處 理中供給情性氣體至前述反應容器内者。 10·如申請專利範圍第i或5項之方法，其中於前述藥液 之聚矽氧烷之分子量係以聚苯乙烯換算重量平均分子 量為10萬以上者。 U·如申請專利範圍帛i或5項之方法，#中前述藥液中 之聚矽氧烷係滿足〇.9-R/Y-0.2(R係表示聚矽氧烷 中之甲基、本基或乙稀基之原子數，γ係表示Si之原 子數）者。 ' u· —種有機矽氧烷膜之處理裝置，係對配置有聚矽氧烷 系藥液之塗布膜之基板進行熱處理並焙燒前述塗布 膜，藉此來處理有機矽氧烷膜者，其中上述藥液係含 有由甲基、苯基及乙烯基所選出之官能基與矽原子之 本紙張尺度適用中國國家標準（QfS〉A4規格（21GX297公楚) ' -
    訂· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -22- 569341 A8 B8 C8 D8 六、申請專補目 ~ ~ —— 結合者’又，該裝置包含有： 用以收納前述基板之反應容器； 用以將使用氣體供給至前述反應容器内之氣體供 給部，其中前述氣體供給部係含有氨氣之供给源者，· 用以加熱前述反應容器内之前述基板之加熱器； 及 用以控制前述氣體供給部及前述加熱器之控制 部， 且，於前述反應容器内對前述基板進行前述熱處 理時，前述控制部係控制前述氣體供給部及前述加熱 器’使則述熱處理於含有混合氨與水之觸媒氣體之處 理環境氣體内，以300〜400°C之處理溫度來進行。 13· —種有機矽氧烷膜之處理裝置，係對配置有聚矽氧烷 系藥液之塗布膜之基板進行熱處理並焙燒前述塗布 膜，藉此來處理有機矽氧烷膜者，其中前述藥液係含 有由甲基、苯基及乙烯基所選出之官能基與石夕原子之 結合者，又，該裝置包含有： 用以收納前述基板之反應容器； 用以將使用氣體供給至前述反應容器内之氣體供 給部，其中前述氣體供給部係含有由一氧化二氮及氣 所構成之群中選出之氣體之供給源者； 用以加熱前述反應容器内之前述基板之加熱器； A 4 用以控制前述氣體供給部及前述加熱器之控制 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
    -23- _清專利範園 部， 理時，前述控制部二=對前述基板進行前述熱處 器’使前述熱處理I::述氣體供給部及前述加熱 群中選出之… 氧化二氮及氫所構成之 -：：：：：：：----» -00.400 14.如申請專利範圍第12或13項之裝 供給部係含有惰性氣體之供給源，且前述=體 制f述氣體供給部，以於前述熱處理中供控 至刖述反應容器内。 、、、6隋性軋體 -24-
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4130380B2 (ja) 2003-04-25 2008-08-06 東京エレクトロン株式会社 熱処理方法及び熱処理装置
JP4217103B2 (ja) 2003-04-25 2009-01-28 東京エレクトロン株式会社 熱処理方法及び熱処理装置
KR100856953B1 (ko) * 2004-06-21 2008-09-04 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 유기 실록산막, 그것을 이용한 반도체장치, 및,평면표시장치, 및, 원료액
JP4455225B2 (ja) * 2004-08-25 2010-04-21 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP5299605B2 (ja) * 2007-11-19 2013-09-25 日揮触媒化成株式会社 低誘電率シリカ系被膜のダメージ修復方法および該方法により修復された低誘電率シリカ系被膜
US8821738B2 (en) * 2012-07-12 2014-09-02 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Thermal annealing process
US8821739B2 (en) * 2012-07-12 2014-09-02 Rohm And Haas Electronic Materials Llc High temperature thermal annealing process
WO2019049735A1 (ja) * 2017-09-11 2019-03-14 東京エレクトロン株式会社 絶縁膜の成膜方法、基板処理装置及び基板処理システム
JP7110090B2 (ja) * 2018-12-28 2022-08-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理システム

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5635250A (en) * 1985-04-26 1997-06-03 Sri International Hydridosiloxanes as precursors to ceramic products
US5336532A (en) * 1989-02-21 1994-08-09 Dow Corning Corporation Low temperature process for the formation of ceramic coatings
US5318857A (en) * 1989-11-06 1994-06-07 Dow Corning Corporation Low temperature ozonolysis of silicon and ceramic oxide precursor polymers to ceramic coatings
US5262201A (en) * 1990-06-04 1993-11-16 Dow Corning Corporation Low temperature process for converting silica precursor coatings to ceramic silica coatings by exposure to ammonium hydroxide or an environment to which water vapor and ammonia vapor have been added
US5145723A (en) * 1991-06-05 1992-09-08 Dow Corning Corporation Process for coating a substrate with silica
EP0586149A1 (en) * 1992-08-31 1994-03-09 Dow Corning Corporation Hermetic protection for integrated circuits, based on a ceramic layer
US5320868A (en) * 1993-09-13 1994-06-14 Dow Corning Corporation Method of forming SI-O containing coatings
US5441765A (en) * 1993-09-22 1995-08-15 Dow Corning Corporation Method of forming Si-O containing coatings
US5547703A (en) * 1994-04-11 1996-08-20 Dow Corning Corporation Method of forming si-o containing coatings
WO1997010282A1 (en) * 1995-09-12 1997-03-20 Gelest, Inc. Beta-substituted organosilsesquioxanes and use thereof
US6156674A (en) * 1998-11-25 2000-12-05 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing methods of forming insulative materials
JP3615979B2 (ja) * 2000-01-18 2005-02-02 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置及びその製造方法
JP3934343B2 (ja) * 2000-07-12 2007-06-20 キヤノンマーケティングジャパン株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6572923B2 (en) * 2001-01-12 2003-06-03 The Boc Group, Inc. Asymmetric organocyclosiloxanes and their use for making organosilicon polymer low-k dielectric film

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