TW565881B - Lithographic method of manufacturing a device - Google Patents

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TW565881B TW091110516A TW91110516A TW565881B TW 565881 B TW565881 B TW 565881B TW 091110516 A TW091110516 A TW 091110516A TW 91110516 A TW91110516 A TW 91110516A TW 565881 B TW565881 B TW 565881B
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TW091110516A
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Peter Dirksen
Casparus Anthonius Juffermans
Johannes Van Wingerden
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Koninkl Philips Electronics Nv
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Description

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發明領域 本發明關於在至少一基板的 該方法包含以下步驟: 一疊層中製造 一裝置的方法 一光阻層中; ’該區域係由該圖 -提供一包含圖案特徵的設計圖 /、對應於要配置在該 疊層中的裝置特徵; -轉移該設計圖案於提供在該基板層上的 -移除材料或加入材料到該疊層的區域 案化的光阻層所描述; _ 一些次圖案,其每個包含該設計圖案要連續轉移在一相 對應數目的光阻層中不同的部份,其係連續地塗佈在該基 板層上。 本务明亦關於一種分配一設計圖案的圖案特徵在一此次 圖案上的方法。 本發明進一步關於一種組裝微影次遮罩在一起而形成一 虛構的設計遮罩,以配置一裝置圖案在一基板的一疊層中。 發明背景 為了執行該製造方法,係使用一光學微影投射裝置。一 微影投射裝置為製造積體電路(1C)之基本工具,其係使用遮 罩,蝕刻及植入技術。對於每個要配置的裝置層,一對應 於該疊層的該裝置特徵之包含圖案特徵之設計遮罩圖案, 係藉由這種裝置來成像在於執行該成像化步驟之前塗佈於 該疊層上的一輻射-感應層。該設計遮罩圖案為一基板層的 一圖案設計程序的結果,該程序係在該基板層配置程序之 前。該輪射-感應層,其特定地敏感於用來成像的該輻射, -4- 本紙張尺度適用中固國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 裝 訂
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五、發明説明(2 ) 其在該輻射入射的區域中改變其特性。這種疊層為一光阻 層的具體實施例,該術語亦涵蓋一敏感於一電荷粒子束的 疊層,例如一電子束。實際上,一輻射_感應層亦可敏感於 一電子束。轉移圖案可瞭解為同時代表成像一相對應的遮 罩圖案在一光阻層中,並寫入一圖案在這種層中,例如藉 由一電子束。在該裝置製造程序期間,連貫的遮罩圖案,
每一個對於另一個基板層係成像在該基板上相同的標靶上 ’例如IC區域。 該微影方法及裝置亦可用於製造其它裝置,例如像是整 合的或平面光學裝置’磁頭,或液晶顯示面板。 1 丁
一基板可暸解為代表一板材,例如矽,其為一完整的多 位準裝置,例如一 1C,所要一層一層地形成於其中,其係 藉由一些製程步驟的連續組合。每個這些組合包含一主要 製程步驟·塗佈一輻射-感應層,或光阻層在該基板上,對 準戎基板於一遮罩,成像此遮罩的該圖案在該光阻膜中, 顯影該光阻膜,經由該光阻膜蝕刻該基板,及進一步清洗 及其匕‘程步“。5亥術語基板涵蓋了在該製造程序中不同 階段之基板,例如一不具有或僅具有一位準的已經配置之 裝置特徵的基板,及一具有幾乎一位準的已經配置的裝置 特徵,及所有中間基板。 因為其需要來穩定地增加在一 IC裝置中的電子元件數目 及這種裝置的運作速率,該裝置特徵的寬度或線寬,及這 些特徵之間的距離必須不斷地降低。因此,具有逐漸較小 的圖案特徵,及這些特徵之間的較小距離之遮罩圖案必須 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公爱) 565881 A7 B7 五、發明説明(3 成像。該圖案特徵之最小尺寸,其可由一微影投射裝置成 像於所需要的品質,係根據此裝置的該投射系統之該分解 能力或解析度,及該遮罩圖案的結構。此解析度係正比於 λ/ΝΑ ’其中λ為該投射光束波長,而NA為該投射系統的數 值光圈。該數值光圈的增加及/或該波長的降低可增加該解 析度。實際上,該數值光圈的增加,其在目前的微影投射 裝置中非常大,其不是很有可能,因為此會降低該投射系 統的焦距,其正比於λ/ΝΑ2。再者,當進一步增加數值光圈 日寸’其成為太困難而無法在整個所需要的範圍中來修正該 投射系統,該深紫外光(DUV)的波長降低如同現今在發展中 的微影投射裝置中所使用,其由193 nm開始到例如157 nm ,其造成關於該投射系統之光學元件的材料及敏感於此輻 射之波長的光阻膜之新問題。其已經對於下一代的微影投 射裝置提出使用遠紫外光(EUV)輻射,其波長等級為13 nm 。事實上,使用這種輻射允許成像出一相當微細的圖案結 構’但一EUV投射裝置的設計及發展為非常具有挑戰性, 且耗時的工作。因為Euv輻射很容易被空氣吸收,該投射 光束的路徑必須在真空中,其造成特定及新的問題。一適 當及有效率的EUV轉射源並不可得,且新的敏感於請韓 射的光阻材料必須要發展。適合於裝置生產的一EUV投射 裝置將無法在近年内成為可用。 ^ 因此,其非常需要―種製造具有裝置特徵的—裝置之方 法’其相較於那些目前製造的裝置相當地小,胃方法使用 一習用的投射裝置。
•裝 訂
撕881 、發明説明( US-Α 5,716,758揭示一種在一半 ^ A 亍净肢基板上形成一微細週 J性線性圖案之方法,該週期齐 (功係小於該投射裝置的分解能 力。根據此方法,其形成一第一 叹弟一路遮罩,其遮罩 圖案為交錯的,及當疊置時,爷 ^ . *'7 ^ 〜一 °亥弟一圖案的長條係位在該 :二圖案的相鄰長條之間。-有機材料層,做為-反射保 瘦層’其塗佈在該基板上層,其中配置有該裝置圖案。該 ,機材料層係藉由該第來圖案化。—感光膜形成在 该圖案化的有機材料層i ’且此薄膜係藉由該第二遮罩來 圖案化方式為該感光膜圖案的每個特徵係插入在該有 機材料層圖案的兩個相鄰特徵之間。由該#機層圖案之特 徵及該感光薄膜圖案的該插入特徵所組成的該整體結構係 做為用㈣刻該基板上層的一遮I。此上層為該唯一的處 理層,用於配置該基板的該相關層。 忒方法描述於US-Α 5,716,758,其使用兩個遮罩圖案,其 係用來印刷週期性線性圖案,並減半可用一令人滿意的方 式所成像的該圖案之週期。該特徵之整體結構顯示出一相 當大.的地形,即高度結構。在US-A 5,7 16,758中圖3的最簡 單具體實施例中,該感光膜圖案的特徵已經具有一高度大 於這些特徵及該有機層圖案的那些特徵之間的距離。在其 它使用更多疊層中的更為複雜之具體實施例,該高度對距 離比甚至更大。由於該特徵之整體結構的地形,蝕刻該基 板上層或處理層通過此結構,而具有所要的準確度是非常 困難的,如果並非不可能的話。此即使得US-A 5,7 16,758之 方法相當不實際。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 裝 訂 線 565881 五、發明説明(5 個U S A 5,7 16,7 5 8未處理的問題係關於在光學微擎中 斤使用的σ玄遮罩的貫際結構。此問題在當增加該遮罩圖 中的特徵密度時更為顯著。US_A 5,716,758的方法使用;鉻 遮罩。這種遮罩由例如石英的一透明層所構成,其係覆= 在具有-圖案化的鉻層之-側面上。在此層中的開口:: 了投射於-光阻層中的該圖案。$了降低可具有:需 要品質之成像的該最小特徵寬度,目前使用一相位-偏移= 罩,其包含透明相位-偏移元件,該遮罩可為一鉻相位 遮罩’或-無鉻相位·偏移遮罩。在—路相位·偏移遮罩中, 相位-偏移元件係配置在該鉻層與該遮罩基板之轉接處。由 於其干擾效應’這些元件修正在該鉻/基板轉接處的繞射所 ,成的該特徵寬度擴大。在—無路相位_偏移,遮罩該圖案 特徵係完全由相位.偏移元件所決定。假如—具有相位-偏移 元件的遮罩代表在此遮罩上的一疊層$面區域部份必,保 留給每個圖案特徵,其相較於不具有相位_偏移元件的」遮 罩。 另-個在該光學㉟影領i或中目前所使用的技術為該光學 近接修正(OPC)。小修正元件係配置在該遮罩圖案位置處了 例如在-圖案特徵的邊緣處,或在兩個非常接近的特徵之 間’其中造成於該光阻層中的特徵寬度擴大之不想要的繞 射將會發生。這些修正元件並未成像’即其並未由該投射 系統所分解’但的確會繞射該成像輕射,其方式為直修正 該不想要的繞射。在該遮罩圖案表面上的一些空間必須保 留改這些修正元件。 裝 訂 線
565881 A7 B7 五、發明説明( 又另-種技術用來使得較小的目案特徵要由該投射系統 成像,其可適應於該遮罩及該投射系統之照明。這種可適 合代表該投射光束並不填補該投射系統的整個孔徑,但僅 為、-部份或其部份。此可為一中央圓形部份,或一環狀部 伤或每個光瞳一半(雙極)的一部份,或每個光瞳一半的兩 個。Η刀’然而’這些照明的類型並不能使用如果一遮罩圖 案包含-給定(禁止)對稱性,該特徵的空間週期(間隔)及/或 方向’因為具有這種禁止參數的遮罩圖案不能夠成像而沒 有像差。對於每種照明有不同的禁止參數。 發明概要 —本發明的一目的在於提供裝置實質上增加一裝置圖案的 -度其可配置在一基板中,而仍使用一習用的微影投射 裝置。這些裝置同時關於該遮罩圖案及其製造,並關於該 組製程步驟來設定具有次關鍵密度的一裝置圖案,即一高 於έ玄投射系統的解析度之密度。 根據本發明,在該公開文獻中所定義的方法之特徵在於 該額外的步驟: -形成至少一第一配對的一處理層及一抗反射層之堆疊, 及一第二配對的這種疊層在該基板上; 次圖案在 -塗佈一光阻層在該上處理層上,並轉移一第一 該光阻層中; 中 -顯影該光阻層,藉此形成對應於該第一次圖案之第 間圖案; _經由該第—中間圖案蝕刻該上方處理層,藉此形成對應 -9 - 565881 A7
於該第一次圖案的一裝置特徵的第一圖案; 以一第二光阻層塗佈該裝置特徵的第一圖案 轉移一第二次圖案在該第二光阻層中; 二次圖案之第 顯影該第二光阻層 二中間圖案; 藉此形成對應於該第 -經由該交錯的第一裝置特徵圖案及第二 t 間圖幸· 6C- -tM. JL' 的该钱刻遮罩來钱刻一底部的處理層, 一 莖一 d ^回也 错此形成對應於該 弟一及弟一。人圖案之組合的一裝置特徵的第二圖案, -移除該第二光阻層及該上處理層。_處理層可瞭解為代 表-疊層,其中裝置特徵係在當進行該方法時來配置:此 術語同時涵蓋一臨時層’例如上述的第一處理層,其中該 裝置圖案的一些特徵係臨時地儲存,及一最終層,其為爷 基板的最上層,且其中該裝置圖案的所有特徵皆最後地配 置。 在本發明方法中,每個處理層係經由一相當薄的蝕刻遮 罩來蝕刻,其由一圖案化的光阻層所構成,或較佳地是由 4述之圖案化處理層及一抗反射層之配對所構成,所以 姓刻可良好地控制及準確。因為一獨立的抗反射層係對於 每個處理層存在,其在蝕刻該先前處理層期間不會被破壞 ’其可永遠得到一完整的抗反射層。該連續轉移的次圖案 不需要被交錯,但可包含重疊的區域,而該整體遮罩圖案 可具有一任意的組態。此組態可具有一非常高的密度,例 如在該基板層中相鄰裝置特徵之間的距離可小到5 0 nm。此 允许或设計圖案,除了該裝置特徵,可具有修正元件’像 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 565881 A7 B7 五、發明説明(8 是相位-偏移元件及0PC元件’而不會引起隱含在這也元件 中的上述問題。因為裝置特徵,其將構成一禁止的對稱性 ’在一設計圖案中的-禁止間距及/或-禁止方向,其可分 佈在至少兩個次圖案上,即可解決該禁止參數的問題了刀 該方法的一具體實施例進一步之特徵在於至少—第二配 對層及一抗反射層可加入到該疊層堆疊的編 ,而其中進行以下的額外步驟: -以一第三光阻層塗佈該裝置特徵的第二圖案; 轉私一第二次圖案在該第三光阻層中; -顯影該第三光阻層,藉此形成對 三中間圖案; 成淺.於“二次圖案之第 ,.工由。玄敕置特徵的共平面第二 ― 口茶及該弟二中間圖案來 蝕刻该弟二處理層’藉此形成對應於該第一,第二及第三 次圖案之組合的一裝置特徵的第三圖案;及 —一 -移除該第三光阻層及該第二處理層。區分該初始設計圖 案在二個次圖案中’並轉移這些次圖案在該相關的基板層 其可允許進-步增加該設計圖案的密度,其關連於適 田的k置特徵’但亦關於其它像是修正元件的特徵。藉由 使用一仍更大數目的次圖案及-相對應數目的處理層,曰該 密度;可甚至更為增加’提供該流量,即每個單位時間所處 理的該基板的數目,仍可接受。 本方法一第一具體實施例之特徵在於每個次圖案係藉由 光學地成像-次遮罩’包含該次圖案,在該光阻層中,來 轉移在該對應的光阻層中。 -11- 565881 A7 B7 五、發明説明- '--〜 此具粗貫施例最為接近地連結於目前的微影技術。 每個::女闾& _於 ,案,代表此圖案的該資料係直接轉換到一實㈣ 案,該遮罩圖案,其係整體成像。 ^圖 第一具體貫施例之特徵在於至少一個該次圈 係轉移到該對應的光阻層,其係利用一充電粒子束來:案 此次圖案在該光阻層中。 、、、' 利用一充電粒子束來寫入個別的圖案特徵,例如—電子 束,其可在當該次圖案包含較低數目的小粒子時成為吸引 人。 °玄第一具體實施例之進一步特徵在於所有的次遮罩圖案 皆利用相同波長範圍的輻射來成像。 該輻射可為深紫外光(DUV)輻射,例如波長為248 nm的輻 射’其目前用於微影投射裝置,或波長為193 nm。 另一個選擇是,該第一具體實施例之特徵在於至少該次 遮罩圖案之一係利用Euv輻射來成像,而另一個次圖案係 利用DUV輻射來成像。 如果一微影投射裝置,其使用遠紫外光(EUV)輻射,而成 為可用,其仍有吸引力來使用這種裝置僅在於成像最為困 難的次圖案,並用於藉由使用Duv輻射之更加習用的裝置 來成像其它的次圖案。一般而言,該次遮罩圖案不需要由 一個裝置成像,但會使用到數個裝置,不論是相同種類或 不同種類。 做為另一個選擇’該第一具體實施例之特徵在於至少一 個該次遮罩圖案係利用一充電粒子投射束來成像。 -12 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 565881
發明説明 如對於該EUV投射裝置所做成之類似的評論,可對於使 用一充電粒子束的投射裝置來做成。 方法較仏地疋其特徵在於所有配對的疊層中,該相對 應的疊層包含相同的材料,並具有相同的厚度,除了位在 該基板側之處理層,其具有大於其它處理層之厚度。 後ir私不同的次圖案到該相關基板層即可使用與處理 屬於该次圖案之堆疊層之裝置相同的設定。因為在該基板 側的該處理層不是做為一蝕刻遮罩,而該裝置特徵最後係 配置在此層中,其可以及厚於其它的處理層。 該方法較佳地是進一步之特徵在於一配對的每個疊層之 材料係抵抗於用來蝕刻該配對的另一層之蝕刻處理。 對於每個配對的疊層,此使得其有可能來使用一第一蝕 刻處理來先圖案化該配對的該抗反射層,然後使用一不同 的蝕刻處理來蝕刻該處理層,而該圖案化的抗反射層係做 為一硬遮罩。當蝕刻該處理層時,在該處理層之上的該圖 案化抗反射層,以及一該底部配對的一空白抗反射層,如 果存在的話,其並未被破壞。 该方法可進一步特徵在於所使用的該處理層為多晶矽層。 該方法的此具體實施例非常適合於配置一具有電晶體閘 極的一基板層,其中多晶矽層為一非常適合的材料。如果 一基板層必須配置導線’至少在該基板側的該處理層可為 一金屬,像是或銅。 該方法較佳地是進一步之特徵在於所使用的該抗反射層 為雙重層’其包含一抗反射薄膜及其上的一氧化膜。 • 13 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公袭:) 565881 五、發明説明(11 該氧化膜功能做為在 之上的-光阻層之二下的該抗反射層及該薄膜 層的银刻之㈣中止層。層’並亦形成防止此抗反射 該方法較佳地是進一步 料或一錐# # μ β 4 4寸谜在於一單一抗反射層的材 :&重層的该抗反射膜之材料為-無機材料。 門 %丄 、匕一人圖案的該處理層中的處理期 間’该光阻必須由始g以SL a ^ 彤& a ,曰邛份移除,因為在此處理層中 形成的該裝置特徵必須维捭 Τ 用节mu " 持 反射層來覆蓋。藉由使 用違抗反射層之無機材料, 杻^ . °亥先阻的移除,其為一有機材 科,“在該抗反射層為一有機層 )狀/兄中成為更為容易, 如在吴國專利編號5,716,758中所述的方法。 此方法的一較佳具體實施例 氧氮化㈣豕。 ^在於该無機材物 -次具體實施例之特徵在於該無機材料 此矽氧氮化物的特殊具體實施例,A 物§1]"。 朴、 再x =0, z== 1,及V二】 其為在微影中已知的抗反射材料, , 法。 其非常適合於實施本方 本方法之隶為貫際的具體實施例 阻層。 I之仏政在於其使用正光 正光阻目前為微影中最常用的光阳 廿士 ^ 阻,其亦可用於本方法 的應用中。 4乃忐 但是’在某些狀況下’其可使用-負光阻,例如當在— 大的空白場域中有一小的特徵,或當_ 田 %欲的圖案必須 轉時。 、 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) _ 裝 訂 線 • 14- 565881 A7 B7 五、發明説明 然後所使用的方法之特徵在於其使用正及負光阻層。 為了降低該基板層中該裝置特徵的寬度,該方法之特衩 在於至少一個該中間圖案的特徵係在蝕刻㈣底部處:層 中這種圖案之4藉由光阻灰化來降低尺寸。 藉由結合該新方法與已知的光阻灰化技術,該裝置特徵 與這些特徵的寬度之間的距離可降低。 ’ 本發明亦關於製造-遮罩圖案之問題的解決方案,用於 配置一高密度裝置圖案在一基板中。通常,一電子束寫入 裝置係用於寫人-遮罩圖案在—光阻層中。如果這種裝置 係用於寫入-具有非常高密度的遮罩圖案,展示在這種裝 置中的這些裝置的限制解決方案的近接效應成為清楚的f 该近接效應係由於在該電子束的小限制位置中該電子之相 互抵抗性,並造成該寫入特徵之模糊化。 根據本發明,該問題可A v^ 「J & j由以政佈一初始圖案的圖案特徵 ’其不能夠以令人滿意的方式來轉移之方法解決: 在一些次圖案上,該方法姓 乃沄之%傚在於結合了以下的散佈 規則: •該次圖案的數目儘可能地小; -f每個次圖案中’裝置特徵及其相關的特徵之配置方 為每個裝置特徵的轉移係無關於其它裝置特徵,及 "在每個次圖案中,該裝置特徵_可能均勾散佈。滿 傻者的條件代表該最佳轉移條件可設定為每個次圖案, 禁止的對稱性’週期及特徵方向將不會發生。該術語相 的^政涵蓋所有的特徵,其並不轉移到_基板層,但係
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565881 A7 B7 五 發明説明(13 轉移期間使用來最佳化_裝置特徵,或改善此特徵的轉移 相關特徵的範例為輔助特徵來控制一裝置的該寬度特徵 在基板層中,光學近接修正元件及散射柵。 4初始设计圖案的特徵係散佈在一些次圖案上,其每個 具有比该W始圖案要低的密度,而該相對應的次遮罩比包 口所有彳寸U的遮罩要容易製造。此散佈方法實際上可以 應用,由於如上述的新多重曝光方法,其係連續地成像該 次圖案在該基板上的一裝置圖案。 如果此方法係用於散佈一初始圖案,其包含一初始群組 的獨立多邊形區域,該第_規則可由以下㈣來滿足: 裝 :由該初始群組中移除該多邊形區域,其違反該第二及/或 第一規則’亚放置這些多邊形區域在新群組中,其滿足這 些規則,及 訂 -放置剩餘的初始群組及該新群組在獨立的次圖案中。 該散佈方法的—較佳具體實施例之特徵在於以下步驟: -決定那-個多邊形區域違反該第二及該第三規則; 線 /據發生在這些區域之違反的數目來評㈣初始群組的 夕邊形區域,呈中呈右异夕、五 n f八有取多逞反數目的該多邊形區域具有 农低的評等順序編號; -形成具有該最低料順序編號的—第二群組之多邊形區 域及那些具有較高評等順序 其在該第二群組中仍 滿足遠弟一及該第二規則,及 -對於在該初始群組中剩餘 #馇牛,β —寺川貝序編號來重覆該 取後步私,及形成一第三及進一 /拜組,直到在該剩餘初 -16 - 565881 14 五、發明説明( 始群組中的所有多邊形區 ,^ A 了滿足该弟二及該第三規則。 本發明亦關於一群組的科^ A 、 他士 U衫次遮罩,其係在當進行哕勒 佈方法時得到,並用於 仕田進订。玄政 :彡次遮罩共同形成一虛構的整體遮:一=配::::: 置圖案在一基板層中,复 置早衣
"中该虛構的整體遮罩具有一遮罩 圖案’其包含獨立的多邊你F $立aa ^ 邊形區域,該遮罩圖案不能以令人 满思的方式來成像,其輯料 ; 政在於该夕邊形區域係配置在該 -人遮罩的母個遮罩圖案中 地成像。 〃 使仟该久遮罩圖案可令人滿意 該群組的微影次遮罩之較廢 平乂仏具體a轭例之特徵在於JL包 含具有辅助特徵之次逆I ’、 人〜罩,其位於一裝置特徵的側面,並 具有一特定寬度來實質上、灰卞 产 、、上决疋该相關裝置特徵的該影像寬 該裝置特徵的寬度可葬由祐 猎由使用具有辅助特徵之次遮罩來 控制。 對於該種次遮罩,該群έ f、及的-人遮罩可顯不不同的具體實 施例。 该群組的微影次遮罩之第一 本 早 < 弟 具體戶、苑例之特徵在於該次 遮罩為振幅遮罩。 最為常用的振幅遮罩為一鉻遮罩,即一包含一遮罩圖案 之遮罩,其形式為在一透明基板上一圖案化的鉻層。 。玄群組的u衫次遮罩之第二具體實施例之特徵在於該次 遮罩為相位遮罩。 一相位遮罩顯示出整個遮罩圖案區域中固定的穿透率, 本紙張尺度適用巾g g家標準(CNs) A4規格(⑽χ撕公爱) -17- 565881 15 五、發明説明( 而其遮罩圖案由一相位轉換圖案所構成。 人該群組的微影次遮罩之第三具體實施例之特徵在於其勺 含振幅遮罩及相位遮罩。 、匕 泛種群組的次遮罩提供對於每個次圖案形成具有最确去 種類的遮罩之裝置特徵的可能性。 〜田 為了精製裝置特徵,該鉻次遮罩的群組可進 在於其包含具W偏移元件之次料。 政 土;相同的理由’ 3亥群組的相位遮罩之特徵在於其包含 在相位轉換位置處具有振幅元件之相位遮罩。 一振幅元件可瞭解為❹—料表面積,其改變了入射 於其上的該轄射振幅。此區域可為—吸收區域。一相位轉 換與振幅兀件的結合提供了最佳的特徵成像品質。 該群組的微影次遮罩 學修正元件之次遮罩 步…在於其包含具有光 改 不 »亥成k的遮罩特徵之品f可由熟知的光學修正元件來 善,其形式為例如截線,鎚頭’及散射柵,其很小所以 會成像。 參 本發明的這杜及复立古 —夂/、匕方面可错由非限制性的範例,及 考以下所述的具體實施例來瞭解及詳述。 圖式簡單說明 圖式說明: 圖1所示為可進行該方法的一微影投射裝置的-具體實施 例; 圖以及213所示分別為用於該新方法中具有一第一特徵的 -18- 第遮罩圖案,及具有一第二特徵的一第二遮罩之部份; 圖以到讣所示為該方法的連續製程步驟; β斤示於用於§玄方法之該疊層堆疊的具體實施例; 圖〕所示為一相位遮罩的一部份; 圖6所示為形成-相位遮罩之成像理論; 圖7所示為具有輔助特徵之相位遮罩的一部份; 二圖8所不為一印刷的裝置特徵之寬度,其為該辅助特徵的 該相互距離之函數; 圖9所不為利用該新方法及圖7之遮罩所得到的兩個裝置 特徵及其相互距離; 圖ι〇所不於具有一步進的相位轉換之相位遮罩特徵; 圖11所不為具有截線〇PC元件之遮罩特徵彎曲; 圖12所示為具有戴線〇PC元件之正方遮罩特徵; 圖13所示於具有一鎚頭〇pc元件之長條形遮罩圖案; 圖14所不為具有一散射柵之遮罩圖案之一部份; 广圖1)所不為具有戴線及散射柵之實際遮罩圖案的一小部 圖16所示為一遮罩圖案特徵之尺寸估量; 圖17所示為一正反器電路的原始設計圖案; 圖18a-18d所示為散佈此圖案的特徵在三個次圖案上; 圖19所不為用來轉移圖17之該遮罩圖案特徵在一某板 中的該疊層的堆疊; & > 及具有用 及 圖20所示為具有非常靠近的部份之圖案待徵 於產生5亥圖案知被之重璧特徵之兩個次遮罩圖案 B7
五、發明説明( 圖2 1所示為該光阻灰化的技術。 發明詳細說明 圖1的架構圖僅顯示一微影投射裝置的一具體實施例之最 重要模組。此裝置包含一投射欄,其容納_投射系統,例 如-鏡片投射系統PL。—用於承載—遮ΐΜΑ的—遮罩夹持 器ΜΗ ’其包含要成像的一遮罩圖案c,其配置在此系統之 上。該遮罩夾持器形成一遮罩台ΜΤ的一部份。一基板台 WT係配置在該投射鏡面系統之下的該投射棚中。該基板台 係具有一基板夾持器WH來夾持一基板w,例如一半導體基 板,其亦稱之為一晶圓。一輻射_感應層pR,例如一光阻層 ,其塗佈在該基板上。該遮罩圖#(:必須數次成像在該光阻 層中,每次係在另一個IC區域,或晶粒,Wd。該基板台可 在該X-及Y-方向上移動,使得在該遮罩圖案已經成像在一 1C區域中之後,下一個IC區域可位在該遮罩圖案及該投射 系統之下。 該裝置進一步包含一具有一輻射源LA之照明系統,例如 一水銀燈或一激發雷射,例如一氪氟化物(Krypt〇nFlu〇nde) 激發雪射,一鏡片系統LS,一反射器及一聚光鏡c〇。由 該照明系統所供應的一投射光束PB照明該遮罩圖案c。該 投射系統PL成像此圖案在該基板w上的一 ic區域中。 該裝置進一步具有一些量測系統。一量測系統為一對準 量測系統,用於在該XY-平面上決定該基板相對於該遮罩圖 案C之對準。另一個量測系統為一干涉計系統I f,用於量測 該X-及Y-位置,及該基板的方向。一焦點錯誤偵測系統(未 -20- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 565881 A7 ____B7__ 五、發明説明(18 ) 示出)’其亦提供用於決定該投射系統的焦點,或影像域, 及在该基板上該輪射-感應層p r之間的變異。這些量測系統 為伺服系統的部份,其包含電子信號處理,及控制電路, 及驅動器,藉此該基板及該焦點的位置及方向可利用由該 量測系統所供應的信號來修正。 該對準偵測系統在該遮罩MA中使用兩個對準標記Μι及 ’該標記係顯示在圖1之右上方區段。舉例而言,這些標記 為繞射光柵,但也可由其它標記構成,像是正方形或長條 ,其在光學上與其週遭不同。該對準標記較佳地是為二維 ’即其延伸在兩個相互垂直的方向上,即圖1的X及γ_方向 。該基板W包含至少兩個對準標記,其中兩個匕及匕示於圖 1。這些標記係位於該基板W的區域之外,其中必須形成該 遮罩圖案的該影像。該光柵標記p i及Ρ2較佳地是為相位光 柵,而該光柵標記Mi及M2為振幅光柵。該對準偵測系統可 為一雙重系統,其中使用兩個對準光束b及b,來分別偵測該 基板標Z P2相對於或遮罩標記M2之對準,及偵測該基板標 記P i相對於該遮罩標記Μ [之對準。在已經穿過該對準偵、測 乐統之’母個對準光束係分別入射在一輻射-感應偵測器 3,3 ’上。每個偵測器轉換該相關的光束到一電子信號,其 代表該基板標記對準相對於該遮罩標記之對準程度和基板 對準相對於該遮罩的程度。一雙重對準偵測系統係揭示於 美國專利US-A 4,778,275 ’其提到關於此系統的進一步細 即 ° 為了準確地決定該基板的X及Y-位置,該微影裝置包含一 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) ---
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565881 A7 B7 五、發明説明(19 ) 多軸干涉計系統,其由圖1之方塊IF來表示。一兩轴干涉計 系統係揭示於美國專利US-A 4,25 1,160,及一三軸干涉計系 統揭示於美國專利US-A 4,737,823。EP-A 0,498,499揭示一 五軸干涉計系統,藉此沿著該X及Y-軸的位移,及關於該Z-軸的旋轉,及關於該X及Y-軸的傾斜可以非常準確地量測。 如圖1所示,該干涉計系統的輸出信號Si及該對準偵測系 統的信號S3及S3 ’係供應到一信號-處理電路s P u,例如一微 電腦’其處理這些信號到一驅動器AC之控制信號Sac。此驅 動為、在該XY-平面上移動該基板夾持器WH,經由該基板台 WT。 該投射裝置進一步具有一焦點錯誤偵測系統,其未示於 圖1,用於決定該投射鏡片系統的焦點平面與該輻射-感應 層PR之平面之間的一變異。這種變異可藉由例如在方向 上將該投射鏡面系統與該基板相對於彼此移動來修正,或 藉由在Z-方向上移動一或多個該投射系統的鏡片元件。這 種焦點錯誤偵測系統,其可固定於該投射鏡片系統,其係 示於美國專利US-A 4,356,3 92。可同時偵測一焦點錯誤及該 基板的局部偏斜之偵測系統係揭示於美國專利US-A 5,191,200。 對於一裝置特徵的該細節,該寬度,或線,及該相鄰裝 置特徵之間的距離有不斷增加的需求來降低,藉以增加該 衣置的運作速率’及/或增加在這種裝置中的組件數目。該 細節的小型化,其可由圖丨所示之範例的微影投射裝置來令 人滿意地成像,其可由該成像品質來決定,並分解該投射 -22- 本紙張尺度適用中@ s家標準(CNS) A4規格(2lQ χ 297公g 一 —--- 訂
線 565881 A7 _ B7 五、發明説明(2Q ) 系統的功率。該分解的功率,或解析度在習用上係由增加 該數值光圈NA及/或降低該投射輻射的波長來改善。進一步 增加該數值光圈在實際上幾乎不可預期,而進一步降低該 投射光束的波長將造成許多新問題。 在最新的發展巾’其係利用投射系統來成像化較小的圖 案細即,其仍可製造出來,其為使用一步進及掃描微影裝 置,而非一步進微影裝置。在一步進裝置中,其使用一完 整場域照明,即整個遮罩圖案在一次作業中照明,並整體 成像在該基板的一 1C區域上。在已經曝光一第一 IC區域之 後,進行一步進到下一個1(:區域,即該基板夾持器之移動 方式為下一個1C區域係置於該遮罩圖案之下。然後,此IC 區域即曝光,依此類推,直到該基板的所有IC區域皆具有 該遮罩圖案的一影像。在一步進及掃描裝置中,僅有該遮 罩圖案的一長方形或圓形段落形狀的區域被照明,因此每 -人亦曝光該基板區域1C之相對應的一次區域。該遮罩圖案 及該基板係同步地移動通過該投射光束,並考慮到該投射 系統的放大率。在一連續製程中,該遮罩圖案的後續次區 域即每次成像在該相關IC區域的相對應次區域上。在依此 方式成像整個遮罩圖案在一 IC基板上之後,該基板夾持器 執仃一步進移動,即下一個IC的開始係移動在該投射光束 中然後έ玄遮罩係設定在例如其初始位置中,然後該下一 個1C區域即掃描曝光。因為僅有該影像域的中央部份用於 5玄步進及掃描方法中,因此僅有此部份需要對於光學像差 來G正’其可使用一相當大的數值光圈。依此方式,該裝 -23- Ϊ纸張尺度適用^ii^(CNS) Α4規;^_21GX297公爱) —
裝 -訂
565881 A7 B7 21 五、發明説明( 置特徵的寬度及其間隙,其可利用所需要的品質來成像, 其可某種程度的降低。作B ^ * ^ 此增加该裝置圖案的密度將 不足以用於1C及其它裝置之接下來的世代。再者,由於該 裝置的缺陷,例如光學像差,及由於該數值光圈所設定的 該微影製程之理論限制,該波長及該掃描原理將益法達到 實用化。 明顯增加-裝置圖案的密度之問題可藉由一新的方法來 解決,其散佈該初始裝置圖案的特徵在一實際,及有限的 數目之次圖案,並藉由新方法來疊置轉移該相對應的次遮 罩在,玄基板中。該轉移方法將參考兩個相鄰裝置特徵或長 條來解釋。每個這此具彳欠游# 二長缸形特啟形成一獨立遮罩圖案的一 部份。 圖2a所示為僅具有—第一特徵10之第一遮罩圖案。之一 非常小部份之俯視圖。在該最簡單的例子中,該遮罩為一 鉻遮罩,而該特徵10為一衝程形狀的開口在一絡層中。 圖孔所示為具有該第二特徵14之第-遮罩圖案C2,即在一 絡層16中的一衝程形狀的開口。 置^所示為該4層堆疊的—橫截面,其係用於轉移該遮 ^到該基板。在此圖中,參考編號2Q代表—基板的上 ::例如-半導體基板。疊層22為—第一處理層,例如一 父“夕層’其塗佈有一第一抗反射層24。叠層26為一第二 ’較佳地是與該第—處理層相同的㈣。 ==有-第二抗反射層28,其較佳地是與該第一抗反 射層相同的材料。 本纸張尺度格_Χ297公釐) 裝 訂 -24- 22 五、發明説明( α玄这罩特彳政1〇及14係以下述的方法來轉移到該第一處理 層22。該f層堆疊係具有一光阻層3〇,而該第一遮罩圖案 成像在此:M:層中。該光阻層係使用一輻射的衝程在對應於 遮罩圖案C1中該特徵1〇的言亥位置之位置處來照明。在顯影 該光阻及光阻剝除之後,即移除該光阻層的那些部份,其 在一正光阻的例子中並未照明,一光阻材料的一衝程”遺 Θ在X且層28之上,如圖3b所示。然後該抗反射層μ係先 J後蝕刻忒第一處理層26,其使用該光阻圖案做為 蝕刻这罩锊彳政1 0,及該第一遮罩圖案的其它特徵(未示 出),然後其已經轉移到特徵35 ,即一處理層%材料之隆起 ,如圖3c所示。在此隆起之上,仍有一抗反射材料的一衝 程34。在下-步驟中,該光阻材料的衝程^被剝除。因為 該光阻係為一有機材料,而該抗反射層係由—無機材料製 成,該光阻可簡單地移除,而不會破壞該抗反射層。如圖
Jd所不’在移除該光阻之後’該剩餘的叠層堆疊之上係由 -抗反射層構成’其同時會在該特徵35的位置及該上表面 之其它位置。除了透過該圖案化的光阻層32來鞋刻該處理 層,其亦有可能,甚至較佳地來透過該圖案化的光阻層來 僅#刻該抗反射層’然後剝除該光阻層。然後該處理^係 經由該圖案化的抗反射層34而蝕刻,其對於該處理層:成 所謂的一硬遮罩。 7 在該第—特徵35依此方式已經轉移之後,該叠層堆疊係 塗佈-新的光阻層36’如圖3e所示。包含遮罩特制之第 二遮罩圖案係成像在此光阻層中。在顯影該光阻層%及移 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) -25- 565881
除此疊層的該曝光的部份之後,一光阻材料的衝程38遺留 在該抗反射層24上’如圖玎所示、然後蝕刻該抗反射層以 及該第-處理層22’其使用特徵35(其上具有抗反射層Μ)及 »玄光阻衝私3 8之組合結構做為—㈣遮罩。該抗反射層μ 及該第二處理層35係與該抗反射層以及第一處理層22的蝕 刻同時移除。該圖案化的光阻層38即被剝除。現在該遮罩 特徵1 0及14分別轉移到择罢4士 / J衣置4寸欲40及44。這些裝置特徵為 處理層2 2材料的隆起。氐伽爿士 / 衣置特被係分別由一衝程的抗 反射材料42及46所覆蓋,如圖㈣示。如果沒有進一步的 仏政而要轉移’ 4k反射材料的衝程42及Μ被移除,所以 兩個裝置特徵40,44形成所堂盈+ 而要的、、、吉構在該基板的上層仍保 留。 因為對應於該裝置转科β 1 μ h 、 衣置将效40及44的該遮罩特徵不需要同時 也j像a才又射乐統的解析度不再決定該特徵扣及料之間 =最小距離d。現在最小距離係由該遮罩特㈣可相對於先 前配置在該第二處理層 之故置4寸被35來定位之準確度而 定。微影投射裝置現在已可 .a ^ 仕匕了使用,其具有非常先進的對準 伺服糸統。藉由這種糸姑 ye 不、、先,可侍到一單一機器覆蓋準確度 優於10 nm,即一梦罢产 . 、 在一光阻層中相對於先前底部配置的 裝置特徵之位置誤差可小 # 」j於10 nm。错由使用具有一準確對 準伺服糸統之新方法 z : 方法了侍到在裝置特徵之間等級在50 nm 之最小距離d。兮雜士、+ —Γ* ㈣μ可對於已料用的對準賴系統之 準確性做最佳的使用。 此方法之好處在於一 士 几整的抗反射層在每次照明一光阻 •26-
:¾ 裝 訂 m 線 565881 五、發明説明(24 層期間係存在於号Γ | 、Μ先阻層之下,且用來蝕刻該處理層之钱 刻遮罩的高度維持恨小。舉例而言,一蝕刻遮罩的高度可 小到如同一抗反射層與一處理層之厚度的總和。由於該钱 刻遮罩的小南度’光學近接效應可以忽略。 兩個遮罩圖案及一對準词服系統的使用,如同在圖3a-3h 之具體貫施例中’用於實現兩個相鄰裝置特徵者,其提供 了相對於遮罩圖案設計之最大的自由度。#果該裝置圖案 為一具有小週期的-週期圖t,其有可能使用一遮罩圖案 ’並在已經配置該第-裝置特徵之後,移動此圖案一距離 等於該兩個裝置特徵之間所f要的距離。 每個k反射層24’ 28可為_抗反射膜與其上的_薄氧化層 之又重層。4氧化層形成該抗反射膜與塗佈於此雙重層上 的-光阻層之間的隔離,當該底部處理層要進行圖案化時 。再者’該氧化層形成一餘刻中止層,其防止該抗反射膜 之不想要的餘刻。 該抗反射膜係由盔機姑枓制# …拽材枓衣成,例如矽氧氮化物siz〇xNy 。此材料的一特定具體實施例,即石夕氮化物㈣,x=0及 y〜1)’其幸父佳地是用於兮·姑e直 、^抗反射脖。此材料已經用於該微 影領域,並非常適用於實施本方法。 圖4所示為包含雙重抗反射層的一疊層堆疊。參考編號2〇 代表該石夕基板,或晶圓。一非常薄的所謂問極氧化層& 其隔離了該基板與該處理層22,其可配置在此基板與該第 :處理層22之間,例如多㈣_抗反射㈣,及一上 氧化層25係配置在該第一處理層《上。該第二處理層“係 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 裝 訂 線 565881 A7 B7 五、發明説明(25 配置在®層25之上。一 SiN抗反射膜28,及一上氧化層29係 配置在該處理層26之上。一光阻層3〇塗佈在此雙重層上。 在該疊層堆疊的實際具體實施例中,該閘極氧化層21之 厚度為2 nm。該多晶矽處理層22及26之厚度分別為ι〇〇 及2〇 nm。每個抗反射膜24’,28,之厚度為23 nm,而其上方 層25^29每個厚度為12 nm。在此具體實施例中,該钱刻遮 罩之最大高度為55 nm。在該第_遮罩圖案特徵1〇已經成像 在該光阻層30中’且此層已經顯影’該上氧化層Μ即進行 乾蝕刻20秒。然後此光阻即被剥除,其使用一標準光阻剥 除’而該堆疊進行濕清洗。該第二多晶石夕處理層%係經由 該圖案化上氧化層29及抗反射膜28,所形成的該硬遮罩所蝕 刻’其係在一5_秒清洗步驟,- 10-秒主要蝕刻步驟,及一 1田〇_秒過度㈣步驟中。在此㈣期間,無光阻存在於該雄 疊上。在該第二遮罩圖案特徵14已經成像在此第二光阻層 36中’且此層已經顯影之後’該上氧化層^係利用與疊層 29相同的方式來钱刻。㉟第―多晶碎處理層22,其為^ 二處理層26的5倍厚,其經由該圖案化的氧化層^及抗㈣ 膜24’在-3〇_秒主要㈣步驟及_3〇_秒過度姓刻步驟中來姓 刻。 -裝置特徵圖案的密度並僅是由相鄰裝置特徵之間的距 一離決定’但也由該裝置特徵的寬度決定。形成在兩個相鄰 遮罩圖案特徵的-光阻層中的該影像之對比降低,而“亥 特徵之間的距離降低時,形成在一處理層中的這歧特二 寬度即增加。該對比可使用具有相位偏料件的—路遮罩 &張尺度適財@ @家標準(cAs) A4規格(摩撕公爱f 訂 線 28 565881 A7 B7 五、發明説明(26 ) 來增進,而非一習用的純鉻遮罩,其為一穿透式遮罩。改 善形成在該光學微影中之影像對比之技術首先是由 Levenson等人在以下文獻中提出··“利用相位-偏移遮罩改善 微影i虫刻之解析度 ("Improving resolution in Photolithography with a Phase-Shifting Mask··),見於 IEEE Transactions on Electron Devices,第 ED-29卷, 案號 1?, 1982年12月,第25至32頁。該習用穿透式遮罩包含一透明 的基板,例如石英基板,其由一不透明,較佳地是具有孔 徑之鉻層所覆盍。這些孔徑定義了所想要的強度圖案,以 及要印刷在該基板的一疊層中的該裝置圖案。當利用電磁 輻射來照明這種穿透式遮罩時,此輻射的電場在每個孔徑 具有相同的相位。但是,由於在該孔徑邊緣的輻射之繞射 ,及該投射鏡片系統的有限解析度,在該基板層級的電場 圖案即散開。因此-單-小遮罩孔徑可提供在基板層級的 一較寬的強度分佈。由相鄰孔徑繞射的波之間的建設性干 涉會增進在基板層級的該孔徑投射之間的電場。因為該強 度圖案係正比於該電場的平方’此兩個相鄰遮罩孔徑的圖 案係均句地展開到-相當高的程度,並且在該投射的孔徑 位置顯示出明顯的尖峰。 圖5所示為具有相位-偏移元侔 奴 '危至 呵π 仟的一鉻遮罩之一小部份。此 遮罩包含由一絡層42所覆芸的一,泰口甘 设里的透明基板40。在此層中的 孔徑44及46構成該遮罩圖案的 J网1圓将欲。该兩個孔徑之一 係忮盍有一透明的相位-偏蔣分丛^ 0 珣移几件48。此元件之厚度4為人/ 2(η-1 ),其中η為該元件材料的% 十的折射係數,而λ為該投射輻射
565881 A7 B7 27 五、發明説明( 之波長,使得傳送通過該相鄰孔徑44及46之波彼此為丨8〇。 的相位偏差。現在破壞性干涉會由該相鄰孔徑所繞射的波 之間來發生,所以該電場以及在晶圓層級之孔徑之投射之 間的強度可最小化。何投射系統將投射這種相位_偏移遮 罩的影像,相較於不具有相位_偏移器的相對應遮罩,其解 析度較佳,對比較高。 一鹆鉻相位-偏移遮罩,如EP-A 〇 68〇 624中所揭示,其 可提供對於對比及特徵寬度之類似的改善。這種遮罩的該 圖案結構’其定義了該裝置結構,其並為包含一鉻的圖案 結構,或其它不透明材料,但該圖案為一相位轉換的圖案 。圖6所示為一具有一相位轉換或遮罩特徵52之相位遮罩的 一小部份。該參考編號50代表該透明的遮罩基板。該相位 轉換為該基板的表面54與一凹陷55之間的轉換。此區域的 深度係由e代表。因為該遮罩係透明於該投射叩,該轉換為 此光束的一相位轉換。此代表該投射光束PB的部份,其已 經通過該凹陷區域55,其具有與已經通過一表面區域Μ之 光束部份不同_立。在該光束部份之間的相 度計)如下式: 二 φ = (η2-ηι).6.2π/ λ 2中,h為該遮罩基板的折射係數,ηι為該週遭媒體的折射 係數,通常n=l時伴隨空氣,而;1為該投射光束的波長,其 為一電磁輻射光束。 在已經通過該相位結構之後,該光束的電場向量e之大小 為該位置X之函數,如曲線57之變化。在此曲線中垂直斜= -30- 565881 A7 B7 28 五、發明説明( 38之位置係對應於該相位轉換52之位置。在通過該投射系 統PL之後,在圖6中所示的一單一半鏡片元件,該電場向量 E’之大小為該位置X之函數,如曲線60之變化。該曲線57的 垂直斜率58已經轉換為曲線60之傾斜斜率61。此係為事實 上該投射鏡片系統PL並非·一理想系統之故,但具有一點展 開函數。一點並未成像為一點,但其輻射或多或少會展開 橫跨一空氣圖案。如果該投射系統為理想的,該電場向量 E’將為垂直,如虛線62所示。該電場向量£,之大小代表該 投射光束的振幅,所以曲線6〇顯示該光束的振幅為在該光 阻層30P6)之平面上之位置的函數。因為該光束的強度係等 於。玄振巾田的平方(i = E,2),此強度顯示為該位置X的函數, 即曲線64的變化。該曲線6〇的邊緣61已經改變成具有 斜㈣及66之兩個邊緣,其代表㈣位_偏移❹圖案的_ 直線形相位轉換係成像在具有某個寬度飢之衝程中。 除了一穿透式圖案,也可#用一 G μ 宏式相位-偏移遮罩圖 案,即/、中该凹陷區域55的圖案及該週遭區域^ 式。在後者的例子中’該凹陷區域的最佳深度或高度传等 於該波長的四分之一。 门没1丁、寺 一相位-偏移遮罩也可在該相位轉換的位置U 件’例如絡。這種振幅元件56,如圖6之虛線所示,二: ,後者決定了該裝置特徵換及振幅元件 寬度。 片疋了此特徵的 在一實際的應用中,成傻名4上 成像在该先阻層中的該長條之寬度 本纸張尺度適用中國國豕標準(CNS) Α4規格(210X297公爱) 裝 訂 線 • 31 - 565881 A7 B7 五、發明説明(29 ) 尤其是根據該投射系·統的數值光圈,及該照明的凝聚值。 該凝聚值或σ-,其為在該投射系統的光瞳平面上該投射光 束的橫截面與此系統之光圈之比例。因此,該σ值代表該 投射系統由該投射光束填滿的程度,其通常小於丨。一裝置 捋被寬度,例如一電晶體閘極,其在顯影該光阻及蝕刻之 後形成在該基板的相關疊層中,其係根據用於該微影投射 衣置中的該曝光劑量。該曝光劑量為該投射量,或曝光, 幸田射畺,其在成像一遮罩特徵在此區域中的期間入射在一 光阻層區域。一旦該數值光圈的參數值,凝聚值及曝光劑 量已經設定,所有該相位遮罩圖案的相位轉換係轉移到該 基板層的長條中,其皆具有相同的寬度。舉例而言,在曝 光波長為248 nm下,可得到數值光圈NA=〇 63,及一凝聚值 ° 〇. 3 5,及一知'彳政I度等級為1 〇 〇 nm。但是,實際上,具 有不同寬度的裝置特徵,例如具有不同閘極長度的電晶體 閑極,皆為1C裝置所需要。再者,其需要進—步降低 徵寬度。 在加入兩個輔助特徵到一相位轉移的技術中,該裝置特 徵的最小寬度可顯著地降低,且此寬度可在一明顯的範圍 中1¾:化,而不用改變上述的參數。 圖7所示為圖6之相位轉換,其在該轉換的兩側具有 輔助特徵70及71。這些特徵具有如此小(次解析度)寬度’其 不能像是在該光阻中所成像的,但具有一繞射效應,因:: 可稱之為散射柵。其可由鉻構成,其寬度例如為3〇〜。 該柵70及71係相對於該相位轉換52來對稱地配置,也其相 -32- 565881 A7 B7 五、發明説明( 30 、為例如2.5 μπι。該栅70置於該遮罩基板的上表面54 ^。為了提供該柵71的一支撐,一遮罩基板材料的一小攔 '、、頁在田衣作5亥相位轉換時來儲存。此欄的尺寸可被最 佳化’例如濕蝕刻。 雖然屬於該相位轉換52的散射柵7〇及71並未轉移到該光 阻層,#對於該轉換的影像有影響。A射在一散射柵之曝 光輻射的一部份係導引朝向圖6的強度尖峰58,並與該原始 強度大峰的輪射相干涉’因此會修正該尖峰。加入輔助特 徵的技術係基於認知到形成在該光阻層中一特徵之影像寬 度’因此印刷在該基板層中的該裝置特徵寬度可短暫地配 置^且主要係由一對散射栅之間的相互距離所決定。此外 4政射栅的寬度,這些柵的穿透率,及由這些栅引起的 ^位偏&,皆對於形成在該綠中的該裝置特徵之影像寬 度有影響。 見 圖8所示為一印刷裝置特徵之寬度的變化,亦稱之為線寬 柵二為該散射柵之相互距離p之函數。對於此範例,該 柵的先度心該基板位準為90nm,而在該遮罩層級為36〇㈣ =果該投射系統之放大率 一電腦模财所得到的線寬,而該實線曲纟 2 所得到的線寬。這些實驗係利用— t如、由汽驗 ^ ^Μλ_α 破爪值0.35及一數值 先圈ΝΑ=0.63之步進微影裝置 0 , 4灵驗焦距大約為 〇.) Pm,亦為具有最小寬 勹 大約為10%。 ㈣试㈣光劑量的寬容度 圖8中的曲線Ve顯示如果該相互 艮p彡日加時,該印刷的 裝 訂 m 線 -33 - 565881 A7 B7 五 、發明説明(31 裝置特徵寬度WIF降低。其亦顯示出’該印刷特徵寬产 確地設定到謂臟及5〇随之間的任何數值,藉由^地改 變該散射柵之間的距離1)在250 nm&600 nm之間(在基板位 :)。因此該對柵’允許由一廣範圍中選擇一印刷裝二特: 見度,此範圍之最大寬度為該最小寬度的超過5倍大。 舉例而言,圖9所示為姓刻在該第一多晶石夕處^層中的兩 個裝置特徵80及8 i之橫載面’其中已經使用該新的雙重曝 光及具有散射拇之相位遮罩。該圖面說明裝置特徵可製造 出具有寬度大約為60 nm,及相互距離p大約為6()咖之裝置 特徵。對於印刷這些裝置特徵,其係使用圖4之疊層堆疊及 相對於此堆疊所引用之製程步驟。所使用的該投射;:置之二作 波長為248 nm,其數值光圈ΝΑ=〇 63,及_凝聚值口 = ^。 如上所述,該印刷裝置特徵之寬度主要係由J散射拇之 間的距離ρ所決定。但是,這些柵的寬度%,其穿透率,及 由該投射光束中這些.柵所引起的相位-偏移對於最终宽度有 其影響。該參數Wb,穿透率及相位可用於微調該印刷^置 特徵之寬度。 原理上,一輔助特徵也可由一相位轉換構成,而非由一 不透明才冊或長條構成。ϋ種相位轉換輔助特徵的寬度必須 非常小,藉此防止這種特徵成像是在該光阻層中的成像 此使其更為困難地來製造出一具有輔助特徵為相位轉換形 式的一遮罩圖案。 輔助特徵,在-穿透式遮罩的例子中,及其穿透率低於 其週遭,其形成了對於不透明輔助特徵之較佳的另一選擇 -34- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X297公釐) 裝 訂 _ 線 1較低穿透率的輔助特徵可稱之為細長的輔助特徵,並 相罕父於所謂的細長相位遮罩之裝置特徵。如在心專利申請 ,:〇 99/47981中所述’ 一細長的相位遮罩為一相位遮罩的 特定具體實施例,其中該遮罩圖案特徵係由具有一穿透率 的長條所構成,例如其等級為5%小於其週遭的穿透率。這 種遮罩圖案特徵同時對於該投射光束具有一相位效應及一 振幅效應。 " 本發明方法,及根據圖3及4之疊層堆疊的特定結構,立 允許使用-第三及-第四的次遮罩,並成像這些遮罩在;; 第三’ -第四等的光阻層。—第三,第四等的處理層,以 及-第三,第四等的抗反射層(圖3),或一抗反射層加上一 上氧化層,其必須加入到圖3或4之疊層堆疊。因為钱刻咳 處理層的所有钱刻遮罩具有一小的地形,而其最大高度係 等於一處理層厚度與一抗反射層之總和,蝕刻可用非常準 確的方式來執行。所使用之次遮罩所需要的數目,及因此 該疊層堆疊的連續曝光之數目,其係根據該整體遮軍圖案 之複雜度及密度。—整體遮罩圖案之複雜度及密度不僅是 由要配置在一基板層中的該裝置圖案所決定,但也藉由= 同目的來加入到該遮罩圖案之其它特徵所決定。 一遮罩圖案的最簡單遮罩結構為一穿透率,例如一鉻遮 罩。一穿透式遮罩的每個圖案特徵,亦稱之為二元化^ = ,其將被成像,並對應到要配置在該相關基板層中的該裝 置特倣之一特徵。一穿透式次遮罩的另一選擇為一反射式 次遮罩,其包含一反射式及非反射式區域的圖案。一反^ 565881
式遮罩亦屬於該二元化遮罩類別。 一遮罩圖案的更為複雜的遮罩結構為具有相位·偏移元件 之一穿透式’或反射«罩。加人相位·偏移元件代表該遮 罩圖案的密度增加。 一遮罩圖案的另一個遮罩結構為一相位遮罩,其可為一 穿透式遮罩或-反射式遮罩。—穿透式相位遮罩"已在先前 麥考圖6來討論。此圖面僅顯示一個垂直轉換,其由該遮罩 表面54到該凹陷區域55,該轉換係用來實現該光阻層的長 條形照明68。但是,用來產生此長條的該遮罩區域,及藉 此之在該基板層中的一相對應裝置特徵,其包含一第二轉 換,由該凹陷的區域55到該遮罩表面54,如圖1〇所示。在 此圖中,該第一轉換係由垂直實線53代表,而該第二轉換 係由該垂直虛線56代表。為了防止該第二轉換亦成像在該 光阻層中,造成一相位-偏移180。的轉換56可再次區分為一 些次轉換,其每個造成一較小的相位_偏移。舉例而言,每 個4 一個-人轉換59丨,592及593造成一相位-偏移6〇。,其可 存在於該凹陷區域55之蔓延邊緣。來自該次轉換之投射光 束部份具有與該次轉換區域之不同相位及輻射,其將被模 糊掉,並不會集中在一小區域中,如圖6之區域68。對於該 -人轉換’需要在該遮罩圖案中額外的空間。對於圖7之相位 遮罩中該輔助特徵,或柵7〇及7丨亦需要一些空間,其輔助 特徵係用來控制裝置特徵的寬度。 因為一光學微影投射裝置的投射系統係使用在其解析度 邊緣’遮罩圖案特徵的成像不再完美,且伴隨有像差’特 -36- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 565881 A7 ___B7 五、發明説明(34 ) 別是在這些特徵的邊緣。舉例而言,如圖丨丨所示,一特徵 之90。彎曲90可成像為一曲線的彎曲92,而一正方形特徵區 域9 6可成像為一圓形區域9 8,如圖12所示。為了修正這也匕 像差,小的,所謂的光學近接修正(〇pc)元件93及99,其分 別加入到該原始遮罩圖案。該〇PC元件93及99稱之為截線 。如圖13所示,一長條形遮罩圖案特徵的直線邊緣ι〇ι可成 像為一曲線的邊緣103。一〇PC元件1〇5,稱之為鎚頭,其 可加入到泫原始遮罩圖案,藉此得到具有一直線邊緣之影 像。如圖14所示,一些圖案特徵可配置成彼此靠近,而下 一個特徵109係位在一更大的距離。當成像這種圖案部份時 ,其可發生一人為製品形成在最後一個特徵1〇7之影像與該 特徵109之間的該光阻層中。為了防止這種人為製品,可加 入一小的散射柵110到該原始遮罩圖案。該散射柵並未成像 ,但繞射投射輻射,並由於與該輻射干涉所形成的該人為 製品’造成不會形成該人為製品。如圖丨5之範例所示,一 遮罩圖案可包含OPC元件及散射柵。此圖顯示出實際所使 用之一遮罩圖案的一小部份。所示的部份包含大量的截線 99 ’及兩個相互垂直的散射栅1 〇9。 由於該成像步驟及/或其它數個製程步驟的不完美,其可 發生在一處理層中一遮罩圖案特徵之轉移會伴隨某個收縮 ,即該印刷裝置特徵的寬度或長度會相對於該遮罩特徵較 小或較短為了修正這種收縮’該原始設計特徵之寬度或長 度可以增加已知為遮罩特徵之尺寸估量。此係示於圖 16,其中該原始設計特徵112係由虛線代表,而該尺寸估量 -37- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 565881 A7
的特徵1 14係由實線代表。 雖然在s玄遮罩圖案中0PC元件需要額外的空間,且立本身 尺寸相當+,該OPC的應用及尺寸化技術可造成_修正的 圖案特徵太靠近於-或多個相鄰特徵。此係代表該〇pc及 尺寸技術將無法應用。 上述的相位-偏移元件.,輔助特徵,OPC元件,散射柵一 般而言係代表結合於—裝置特徵或相關特徵的特徵。 -太高密度的問題,或遮罩圖案特徵之間太小的距離, 其會同時發生在—-;$ 在—兀化遮罩,-相位遮罩,-具有輔助 特徵之相位遮罩,或在每個具有〇PC元件之這些遮罩中, 柵或尺寸估量的特徵可由散佈具有其相關特徵之裝置 才寸 <政在# 一人圖案上來解決,並可疊置轉移該次圖案到該 相關的基板層’其係藉由先前所述的該特殊疊層堆疊。 该散佈方:結合於該特殊的微影疊層堆疊,其亦可用於 解決顯示某種對稱性之遮罩圖案部份,其稱之為禁止的對 稱性,其由於投射系統像差,對於這種對稱性會成為顯著 而不能用所想要的品質來成[舉例而言,如果一遮罩圖 案:份顯示沿著三軸的對稱性,此部份的影像可由於該投 射系統之三點像差而受到干擾。此種像差係在以下文獻中討論 到·· “Zennke係數··是否真的足夠?,,(" Zermke c〇effici_s
Are they really enoughr),其由 c pr〇gler等人揭示於
Proceedings of the SPIE 第 4000, 2000卷,第 40至46 頁。 再者如不&殊種類的遮罩圖案照明用於該投射裝置 中,例如一所謂的偏軸照射,例如一雙極或四極照射,遮 -38 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公爱)
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565881 A7 B7 五 發明説明(36 罩圖案部份顯示出特定的週期性,稱之為禁止的對稱性, 其不能夠具有所想要的品質來成像。舉例而言’如果一偏 軸光束’例如—具有環形橫載面之光束’其照明該遮罩圖 案’用於成像化該遮罩圖案,其僅使用以第—繞射等級所 繞射的次光束。此代表僅有第一階次光束必須完全地落在 該投射系統的光瞳内’ @第二及進_步更高階的次光束必 贫不落在此光瞳内。因為首先-較高階次光束對—遮罩圖 案之繞射角度係由在此部份内的該週期來決定,即該週期 愈小’該繞射角愈大’僅對於一給定範圍的週期能滿足該 需求。對於小於該給定範圍之圖案週期’該第一階光束將 會偏離該光瞳,而所形成的影像將不完整。對於大於那些 給定範圍之圖案週期,第二及其它較高階光束將偏移到二 光瞳中’並造成形成該影像的干擾。因此,在給定範圍之 外的週期被禁±。在四極照明的例子中,即僅有該光晴的 四個象限之部份被照明,而其它週期及該遮罩圖案中的對 稱性被禁纟。會發生在該原始設計遮罩圖案中的禁止週期 及對稱性之干擾效應可實質上降低,或甚至消❺,其係藉 由散佈此圖案的特徵在一些次遮罩圖案上。因為這些次圖 案係獨立地成像,這些次圖案之照明條件可適應於其圖案 結構,所以其可用最佳的方式來成像。 、 貫際上’延伸在該二維χ·γ圖案之χ_方向上的該圖案特徵 之最佳照明條件可以不同於延伸在該γ_方向上的圖案特徵 之那些條件。根據本發明’該X特徵與該¥_特徵可分別配置 在一第一次遮罩圖案及一第二次遮罩圖案中,且兩個圖案 -39- 565881 五、發明説明( 使用该特定的疊層堆疊即 宜置成像。最佳的照明條件可 對於该χ-特徵及該γ-特徵來選擇。 月亦提供一有效率的方法來散佈該原始遮罩圖案特 ,遮罩圖案上。有效率可瞭解為代表沒有任何的次: 罩圖案包含任何像差-敏感的圖案部份,而該次遮罩的數目 儘y能地小。該術語像差-敏感圖案部份可瞭解為代表—圖 ^ 其在虽使用所規定的照明條件之下成像時,其^ 造成-影像會受到像差影響。該像差_敏感度可由以下造成 -圖案特徵之間的最小距離’輔助特徵,0PC元件,及气 射栅,其相互之間及相對於彼此之最小距離’其在該料 乐統的解析度之觀點係太小; -在該特徵圖案中的對稱性,其為該投射系統所具有之隱 含的限制性,其可無像差地成像; … -在該特徵圖案中的空間週期’其不相容或較低相容於所 規定的該種照明,及 -在該遮罩平面中的特徵之方向,其較低相容於所規定的 該種照明。 該散佈方法的具體實施例將參考一正反器電路來說明。 該起點為一該電路的配置或設計,其形式為_標準化的檔 案例如一 GDS2-棺案。此棺案包含一長表列的遮罩特徵, 亦稱之為多邊形,其共同構成該電路。圖1 7所示為該正反 器電路的原始設計遮罩圖案之一部份。該圖案包含12個多 邊形121到132。此圖案的一共通規則為該多邊形的相鄰部 份之間的距離必須大於一給定的最小距離,其尤其是由气 -40- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 装 訂 線 565881
投射系統的解析度來決定。在該遮罩圖案中的位置,其違 反此規則,係由該斜線的小衝程135所標示。
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⑽這種位置。第一個步驟是,選擇具有最大數 的多邊形,且此多邊形,多邊形123顯示出6個違反,其係 移動到一第一次遮罩圖案120a,如圖18a所示。在下一步驟 中具有最大數目的違反之多邊形由剩餘的多邊形中選出 。此為多邊形126’其顯示出四個違反。因為多邊形126係 位於與夕邊形123具有充份的距離,其亦可移動到該第一次 遮罩圖案12〇a,而不會造成此次遮罩圖案中的違反。其餘 的原始遮罩圖案包含三個多邊形121,127及13(),其每個顯 示出3個違反。這些多邊形不能移動到該第一次遮罩圖案,、 因為其與該多邊形123及126之距離太小。該多邊形121,127 及^ 〇 口此必須移動到另一個次遮罩,因為在它們之間沒有 %生运反其可移動到一單一次遮罩。該次遮罩圖案12〇b I各有4夕邊形121,π 7及130,如圖18b所示。其餘的原始 遮罩圖案,其包含多邊形122, 124, 125, 128, 129, 13 1及132 ,其亚未顯示任何的違反,所以這些多邊形可仍留在一單 人‘罩圖案中,其為圖18c所示之第三次遮罩圖案。圖 18 d已被加入來在一視圖中顯示該三個次遮罩圖案,其彼此 係由不同的光柵來區別。 為了以一豐置的方式來成像該三個次遮罩圖案,其必須 使用包含二個處理層之疊層堆疊,如圖19所示。圖Μ的堆 疊係類似於圖4,但以-第三處理層26,,一第三抗反射層 28及第二氧化層29’來延伸。這些疊層較佳地是具有相 -41 -
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同的厚度並包含與疊層26, 28,及29相同的材料。 與刖述相同的方法’用於轉移一遮罩圖案到一基板層, ’、中夕邊形或&置特徵彼此太過於靠近,其亦可用來轉移 一遮罩圖案,*中該裝置特徵係具有-充份的距離,但對 於OPC兀件’散射柵或辅助特徵,其必須加入來做為該裝 置特徵的-準確及可靠的成像。該方法亦可用於轉移一遮 罩圖案#中裝置特徵彼此太過於靠近,且其亦包含〇PC 元件,2射栅及辅助特徵。在該次遮罩圖案上的散佈,其 必/頁使仔该OPC 牛’散射柵&輔助特徵移動到其所屬於 的《玄衣置捋ί政之次遮罩圖案。如已經註明#,該方法亦可 用於移除該遮罩圖案之禁止的對稱性及週期,纟用於防止 圖案特徵延伸於一第…向及一第二心方向來在相同的 …、月ir、件下來成像。如果僅有一圖案的χ_圖案特徵及圖 案特徵必須分別移動到_第—及_第:次料圖案,其需 要僅具有兩個處理層之疊層堆疊。 如果為於成像不同的次遮罩圖案需要—些不同的照明條 牛,、可使用相對應數目的投射裝置,其每個可適應於 由其成像的該特定次遮罩圖#。_般而言,其可使用不同 的投射裝置,^關於該照明種類,用於配置一基板層所需 要的成像該次遮罩圖案。 、目前為止,其已經假設每個次圖案的特徵係藉由光學 成像包含此圖案的—次遮罩在該光阻層中來轉移到該相 的基板層。但是,纟亦可能來藉由一投射裝置,其不是 光學投射裝置,來轉移至少一個次圖案到該光阻層,例 -42- 本紙張尺度巾g a家標準(CNS) A4_2ig χ 297公爱)
裝 4 40 565881 五、發明説明( =粒子束裝置’例如—E_光束投射裝置。除了使用一 二Φ成像化此遮罩’ 一次圖案亦可藉由寫入此圖案在該 ΓΓ來轉移到—光阻層。該寫人裝置可為—充電粒子束 :例如一電子束-寫入裝置。該至少-個次圖案的資料 “共應到該E-光束裝置’然後其直接寫入該次圖案到該最 層堆疊上的一光阻層中。該光阻層可與該疊層具有相同材 料。中遮罩圖案係光學地成像。該E_光束裝置的使用 在原始遮罩圖案包含_相當少量的小特徵及/或要製造 的该裝置數目很小時,會很吸引人。 士 f圖18到18d的範例中,該次遮罩圖案12以到i2〇c之一的 :寺徵並不具有任何與其他次遮罩圖案之一的特徵相重疊的 刀。但疋,屬於—特徵的長條,例如該特徵⑵之兩個左 方長條136及138(圖18b),其彼此太過接近。然後執行散佈 在-人特徵位準上,即屬於一個特徵之部份係散佈在不同的 次遮罩圖案上,如圖20之範例所示。一設計特徵14〇包含一 水平長條142及二個垂直長條144,146及148,其中丨46及I" 彼此太過於接近。一第一次遮罩圖案之形成包含一具有分 別對應於該長條142,144及146之長條142,,丨44,及146,之特 徵140’。在該設計圖案中,一具有長度對應於長條148之^ 條148’,其必須配置在一第二次遮罩圖案中。一基本條件 是,其在該基板層中該印刷的特徵中的長條148及142之間 沒有開口,即長條148必須結合於長條M2。藉以避免衝裎 148不結合於該印刷特徵中的長條142,該長條148,被加長 ,所以在該第二次遮罩圖案中的此長條丨48,,顯示出與該第 本紙張尺度適用中S S家標準(CNS) A4規格(210X297公爱) 裝 訂 線 -43- 五、發明説明(^ -- 遮罩圖案中的長條142,有—些重疊。這種重疊在本發 的方法中不會造成任何問題。 你、了僅使用正光阻層之外,如同在圖3a到3h之具體實施 _ ,、也可使用正光阻層與一負光阻層之組合。一般而 V 一負光阻層將用於結合-暗場域遮罩,如果在一空白 的)區域巾+特徵必須成像,且當需要一圖案的鏡 轉時。 要印刷在該相目基板層巾的特徵之間的距離可藉由結合 該特徵散佈方法及該疊層堆疊來明顯地降低。如果其需要 降低該特徵寬度,該已知的光阻灰化技術可加入成為另一 個製程步驟。圖21所示為此技術的原理,其參考到其中使 用一相位-偏移遮罩18〇之具體實施例,其在該轉換丨82處具 有鉻長條184。在利用這種遮罩來曝光之後,在該轉換位置 處由該光阻所接收的輻射強度係由曲線186所代表。該水平 線188通過該曲線186代表該顯影的臨界值。在顯影之後, 其可得到在基板190上的一光阻圖案。一光阻特徵192具有 一給定的寬度Wr及高度Hr。然後該光阻圖案利用一〇2電漿 蝕刻來蝕刻。在該光阻特徵的側面及上方,光阻材料係轉 換到一像灰狀的物質,並移除。此光阻灰化的結果為一明 顯降低的光阻特徵194。依此方式,該光阻特徵的寬度可降 低數十個百分比。光阻灰化係描述於以下文獻:“延伸Kr_F 微影到次50 nm圖案形成,,(”Extension 〇f Kr-F lithography to sub-50 nm pattern formation’’),其由 S. Nakao等人發表於 SPIE,’ 第 4000, 2000卷,第 358 頁。 -44- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公爱)

Claims (1)

  1. 565881 弟091110516號專利申請案(劃線) 中文申請專利範圍修正本(92年7月)
    1· 一種在至少一基板的一疊層中製造一裝置之方法,該方 法包含以下步驟·· -提供一包含圖案特徵的設計圖案,其對應於要配置 在該疊層中的裝置特徵; -轉移該設計圖案於提供在該基板層上的一光阻層中; -移除材料或加入材料到該疊層的區域,該區域係由 該圖案化的光阻層所描述; -複數個次圖案,其每個包含該設計圖案要連續轉移 在一相對應數目的光阻層中不同的部份,其係連續地塗 佈在該基板層上,其特徵在於以下步驟: -形成至少一第一對的一處理層及一抗反射層,及在 該基板上一第二對的這種疊層;在該上處理層塗佈一光 阻層’在該光阻層巾轉移一第—次圖案的一堆疊; -顯影該光阻層,藉此形成對應於該第一次圖案之一 第一中間圖案; -經由該第一中間圖案來蝕刻該上處理層,藉此形成 對應於該第一次圖案之裝置特徵的一第一圖案; _以一第二光阻層塗佈一裝置特徵的該第一圖案; -轉移在該第二光阻層中的一第二次圖案; -顯影該第二光阻層,藉此形成對應於該第二次圖案 之一第二中間圖案; -經由該交錯的裝置特徵的第—圖案及第二中間圖案 所構成的該蝕刻遮罩來蝕刻一底部的處理層,藉此形成 對應於認第-及第二次圖案之該組合的裝置特徵的,第
    本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公|)
    申請專利範圍 二圖案,及 移除該第一光阻層及該上處理層。 2 ·如申凊專利範圍第1項之方法,其特徵在於至少一第三配 對的處理層及一抗反射層可加入到該疊層堆叠的該基 板側,而其中進行以下的額外步驟: -以一第三光阻層塗佈裝置特徵的該第二圖案; -轉移一第三次圖案在該第三光阻層, -顯影該第三光阻層,藉此形成對應於該第三次圖案 之一第三中間圖案; -經由裝置特徵的該共平面第二圖案及該第三中間圖 案來蝕刻該第三處理層,藉此形成對應於該第一,第二 及第三次圖案之該組合的裝置特徵的一第三圖案;及 •移除該第三光阻層及該第二處理層。 3 ·如申請專利範圍第1項之方法,其特徵在於每個次圖案係 藉由光學地成像在該光阻層中包含該次圖案的一次遮罩 ,以轉移在該相對應的光阻層中。 4·如申請專利範圍第1項之方法,其特徵在於至少一個該次 圖案係藉由使用一充電粒子束在該光阻層中來寫入此次 圖案來轉移到該相對應的光阻層。 5·如申請專利範圍第3項之方法,其特徵在於所有的次遮軍 圖案皆利用相同波長範圍的輻射來成像。 6·如申請專利範圍第3項之方法,其特徵在於至少一個該次 遮罩圖案係利用EUV輻射來成像,而其它的次遮罩圖案 係利用DUV輻射來成像。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 565881 Α8 Β8 C8 ______D8 ΐ請專利範圍 ^ 7. 8· 9. 10 11 12 13 14 15 16 如申請專利範圍第3項之方法,其特徵在於至少一個該次 遮罩圖案係利用一充電粒子投影束來成像。 如申請專利範圍第1到7項中任一項之方法,其特徵在於 所有配對的疊層中,該相對應的疊層包含相同的材料, 並具有相同的厚度,除了位在該基板側之處理層,其具 有大於該其它處理層之厚度。 如申凊專利範圍第1到7項中任一項之方法,其特徵在於 一配對的每個疊層之該材料係抵抗於用於蝕刻該配對的 另一疊層之該蝕刻處理。 .如申凊專利範圍第1到7項中任一項之方法,其特徵在於 所使用的該處理層為多晶矽層。 .如申請專利範圍第1到7項中任一項之方法,其特徵在於 所使用的該抗反射層為雙重疊層,其包含一抗反射層, 及在其上的一氧化膜。 .如申凊專利範圍第1到7項中任一項之方法,其特徵在於 一單一抗反射層的材料或一雙重層的該抗反射膜之材料 為一無機材料。 •如申請專利範圍第12項之方法,其特徵在於該無機材料 為一矽氧氮化物SizOxNy 。 •如申請專利範圍第13項之方法,其特徵在於該無機材料 為一矽氮化物SiN。 .如申叫專利範圍第1到7項中任一項之方法,其特徵在於 其使用正光阻層。 •如申μ專利範圍第1到7項中任一項之方法,其特徵在於 本紙張尺度相巾g g家料(CNS) A4規格(21()X297公楚) 565881 A8 B8 C8
    其使用正及負光阻層。 如申請專利範圍篱1 ill 7¾ tWi _ TS 1、.,
    的這種圖案之前之光阻灰化來降低其尺寸
    一種散佈一初始圖案之圖案特徵之方法 令人滿意的方式來轉移在一些次圖案上 在於其結合了以下的散佈規則: -該等次圖案的數目儘可能地小; •在母個;入圖案中,裝置特徵及其相關的特徵之配置 方式為每個裝置特徵的該轉移係無關於該其它裝置特徵 -在每個次圖案中,該裝置特徵係儘可能地均勻散佈。 19.如申請專利範圍第18項之方法,其用於散佈包含獨立的 多邊形區域之一初始群組之一初始圖案,其中該第一規 則係由以下步驟所滿足: -由該初始群組中移除該多邊形區域,其達反該第二 及/或第三規則,並放置這些多邊形區域在新群組中,其 滿足這些規則,及 -放置該剩餘的初始群組及該新群組在獨立的次圖案 中0 2 0 ·如申請專利範圍第19項之方法,其特徵在於以下步驟: -決定那一個多邊形區域達反該第二及該第三規則; -根據發生於這些區域中的該達反數目來評等該初始 群組之該多邊形區域,其中具有該最高數目達反的該多 本紙張尺度適用中國國冬標準(CNS) A4規格(210 X 297公董) 565881 A BCD 中 圍 利專 邊形區域具有最低的評等順序編號; -形成一第二群組的具有該最低評等順序編號之多邊 形區域,而在該第二群組中那些具有較高評等順序編號 者仍可滿足該第一及該第二規則,及 -重複在該初始群組中剩餘的較高評等順序編號之該 取後步驟’並形成一第三及進一步的群組,直到在該剩 餘的初始群組中所有多邊形區域滿足該第二及第三規則。 21· —種微影次遮罩群組,其共同形成一虛構的整體遮罩, 用於配置一單一裝置圖案在一基板之一層中,該設計遮 罩具有包含獨立的多邊形區域之一遮罩圖案,該遮罩圖 案不能以一令人滿意的方式來成像,其特徵在於該多邊 形區域係配置在該次遮罩的每個遮罩圖案中,使得該次 遮罩圖案可令人滿意地成像。 22·如申請專利範圍第21項之微影次遮罩群組,其特徵在於 其包含提供辅助特徵之次遮罩,其位於一裝置特徵的側 面’並具有一特定寬度來實質上決定該相關裝置特徵的 該影像寬度。 23. 如申請專利範圍第21項之微影次遮罩群組,其特徵在於 該次遮罩為振幅遮罩。 24. 如申請專利範圍第21項之微影次遮罩群組,其特徵在於 该次遮罩為相位遮罩。 25. 如申請專利範圍第21項之微影次遮罩群組,其特徵在於 其包含振幅遮罩及相位遮罩。 26·如申請專利範圍第23項之微影次遮罩群組,其特徵在於 565881 A B c D 々、申請專利範圍 其包含具有相位_偏移元件之次遮罩。 27·如申請專利範圍第24項之微影次遮罩群組,其特徵在於 其包含在相位轉換位置處具有振幅元件之相位遮罩。 28·如申請專利範圍第21、22、23、24、25、26或27項中任 一項之微影次遮罩群組,其特徵在於其包含提供光學修 正元件的之次遮罩。 29· —種以微影製造之裝置,包含一基板,其中一裝置特徵 圖案利用轉移一對應至該裝置特徵所需之圖案的一遮罩 圖案而構裝形成於該基板,其中該轉移藉由申請專利範 圍第1、2、3、4、5、ό或7項中之方法而實現。 30· —種以微影製造之裝置,包含一基板,其中一裝置特徵 圖案利用轉移一對應至該裝置特徵所需之圖案的一遮罩 圖案而構裝形成於該基板,其中該遮罩圖案包括如申請 專利範圍第21、22、23、24、25、26、27或28項中之_ 次遮罩群組。 -6-
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4504622B2 (ja) 2001-05-18 2010-07-14 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ デバイスを製造するリソグラフィック方法
US20050164099A1 (en) * 2004-01-28 2005-07-28 Tito Gelsomini Method to overcome minimum photomask dimension rules
EP1756866A1 (en) * 2004-06-04 2007-02-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Improved etch method
US8304180B2 (en) * 2004-09-14 2012-11-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7460209B2 (en) * 2005-03-28 2008-12-02 Intel Corporation Advanced mask patterning with patterning layer
US20070018286A1 (en) * 2005-07-14 2007-01-25 Asml Netherlands B.V. Substrate, lithographic multiple exposure method, machine readable medium
US7867693B1 (en) * 2006-03-03 2011-01-11 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods for forming device structures on a wafer
US20070231710A1 (en) * 2006-03-30 2007-10-04 Texas Instruments Incorporated. Method and system for forming a photomask pattern
WO2007116362A1 (en) * 2006-04-07 2007-10-18 Nxp B.V. Method of manufacturing a semiconductor device
EP2092393A2 (en) 2006-11-14 2009-08-26 Nxp B.V. Double patterning for lithography to increase feature spatial density
US7754394B2 (en) * 2006-11-14 2010-07-13 International Business Machines Corporation Method to etch chrome for photomask fabrication
US8435593B2 (en) * 2007-05-22 2013-05-07 Asml Netherlands B.V. Method of inspecting a substrate and method of preparing a substrate for lithography
DE102007028800B4 (de) * 2007-06-22 2016-11-03 Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg Maskensubstrat, Photomaske und Verfahren zur Herstellung einer Photomaske
US8383324B2 (en) * 2007-07-18 2013-02-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mask registration correction
US7829266B2 (en) * 2007-08-07 2010-11-09 Globalfoundries Inc. Multiple exposure technique using OPC to correct distortion
NL1035771A1 (nl) 2007-08-20 2009-02-23 Asml Netherlands Bv Lithographic Method and Method for Testing a Lithographic Apparatus.
JP2009053605A (ja) * 2007-08-29 2009-03-12 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法およびマスク
KR100919366B1 (ko) * 2007-12-28 2009-09-25 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 패턴 형성 방법
CN101957562B (zh) * 2009-03-26 2012-11-14 上海微电子装备有限公司 一种双曝光方法
US20120148942A1 (en) * 2010-12-13 2012-06-14 James Walter Blatchford Diagonal interconnect for improved process margin with off-axis illumination
US8440371B2 (en) 2011-01-07 2013-05-14 Micron Technology, Inc. Imaging devices, methods of forming same, and methods of forming semiconductor device structures
US8465885B2 (en) 2011-02-07 2013-06-18 International Business Machines Corporation Boundary layer formation and resultant structures
NL2009056A (en) * 2011-08-09 2013-02-12 Asml Netherlands Bv A lithographic model for 3d topographic wafers.
CN102983067B (zh) * 2011-09-07 2015-10-14 中国科学院微电子研究所 混合线条的制造方法
US20130126467A1 (en) * 2011-11-18 2013-05-23 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Method for manufacturing conductive lines with small line-to-line space
CN103676474B (zh) * 2013-12-17 2016-09-21 南京理工大学 一种微压印模具分体式的制造方法
JP6492086B2 (ja) * 2013-12-21 2019-03-27 ケーエルエー−テンカー コーポレイション マスク上の構造体の位置を測定し、それによってマスク製造誤差を決定する方法
DE102016209616A1 (de) * 2016-06-01 2017-12-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Vorhersage des mit einer Maske bei Durchführung eines Lithographieprozesses erzielten Abbildungsergebnisses
JP6813666B2 (ja) 2016-08-22 2021-01-13 マジック リープ, インコーポレイテッドMagic Leap,Inc. 多層回折接眼レンズ
KR20230105178A (ko) * 2022-01-03 2023-07-11 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 제조 방법

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7606548A (nl) 1976-06-17 1977-12-20 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het uitrichten van een i.c.-patroon ten opzichte van een halfgelei- dend substraat.
NL186353C (nl) 1979-06-12 1990-11-01 Philips Nv Inrichting voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat voorzien van een opto-elektronisch detektiestelsel voor het bepalen van een afwijking tussen het beeldvlak van een projektielenzenstelsel en het substraatvlak.
NL8600639A (nl) 1986-03-12 1987-10-01 Asm Lithography Bv Werkwijze voor het ten opzichte van elkaar uitrichten van een masker en een substraat en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.
NL8601547A (nl) 1986-06-16 1988-01-18 Philips Nv Optisch litografische inrichting met verplaatsbaar lenzenstelsel en werkwijze voor het regelen van de afbeeldingseigenschappen van een lenzenstelsel in een dergelijke inrichting.
KR0168829B1 (ko) * 1989-11-06 1999-02-01 리차드 알. 피카드 복수의 개별 집적 회로를 단일 집적 회로화하는 방법
EP0433467B1 (en) * 1989-12-18 1995-08-16 International Business Machines Corporation Fabrication of complementary patterns for exposing semiconductor chips with self-supporting masks
NL9100215A (nl) 1991-02-07 1992-09-01 Asm Lithography Bv Inrichting voor het repeterend afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.
NL9100410A (nl) 1991-03-07 1992-10-01 Asm Lithography Bv Afbeeldingsapparaat voorzien van een focusfout- en/of scheefstandsdetectie-inrichting.
US5364716A (en) 1991-09-27 1994-11-15 Fujitsu Limited Pattern exposing method using phase shift and mask used therefor
WO1994017450A1 (en) 1993-01-21 1994-08-04 Sematech, Inc. Phase shifting mask structure with absorbing/attenuating sidewalls for improved imaging and method of fabricating phase shifters with absorbing/attenuating sidewalls
DE4440230C2 (de) * 1993-11-10 1999-03-18 Hyundai Electronics Ind Verfahren zur Bildung feiner Strukturen eines Halbleiterbauelements
KR950015617A (ko) * 1993-11-15 1995-06-17 김주용 반도체소자의 미세패턴 제조방법
US5472814A (en) * 1994-11-17 1995-12-05 International Business Machines Corporation Orthogonally separated phase shifted and unphase shifted mask patterns for image improvement
JP3309713B2 (ja) * 1996-06-10 2002-07-29 松下電器産業株式会社 プリント配線基板
US6156149A (en) * 1997-05-07 2000-12-05 Applied Materials, Inc. In situ deposition of a dielectric oxide layer and anti-reflective coating
AU3063799A (en) 1998-03-17 1999-10-11 Asml Masktools Netherlands B.V. Method of patterning sub-0.25 lambda line features with high transmission, "attenuated" phase shift masks
JP3904329B2 (ja) * 1998-05-20 2007-04-11 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
US6593064B1 (en) * 1998-06-19 2003-07-15 Creo Inc. High resolution optical stepper
US6433986B1 (en) * 1999-04-20 2002-08-13 Olympus Optical Co., Ltd. Device having electrical board mounted thereon and method for manufacturing apparatus having the device
JP3756723B2 (ja) * 1999-07-27 2006-03-15 松下電工株式会社 プリント配線板の加工方法
US6670695B1 (en) * 2000-02-29 2003-12-30 United Microelectronics Corp. Method of manufacturing anti-reflection layer
US6541165B1 (en) * 2000-07-05 2003-04-01 Numerical Technologies, Inc. Phase shift mask sub-resolution assist features
US6782516B2 (en) * 2000-08-07 2004-08-24 Dupont Photomasks, Inc. System and method for eliminating design rule violations during construction of a mask layout block
JP4504622B2 (ja) 2001-05-18 2010-07-14 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ デバイスを製造するリソグラフィック方法
US6807662B2 (en) * 2002-07-09 2004-10-19 Mentor Graphics Corporation Performance of integrated circuit components via a multiple exposure technique

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