KR0168829B1 - 복수의 개별 집적 회로를 단일 집적 회로화하는 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명의 기술은 독립된 회로들이 하나 이상의 상이한 설계 원리에 따라 배치된 경우에도 보은 회로 소자들을 하나의 칩에 결합시켜 함께 동작되도록 접속시킴으로써 단일 집적모든회로 상의 전자적 회로 소자 밀도를 증가시키는 기술을 이용한 것이다. 회로의 데이터 베이스들이 단일 데이터 베이스로 결합되기 전이나 후에, 회로 중 하나의 마스크 레이아웃 데이터 베이스를 표준 컴퓨터 소프트웨어 패키지를 이용하여 다른 회로의 마스크 레이아웃 데이터 베이스의 설계 원리와 일치하도록 한번에 전체적으로 변화시킨 다.

Description

복수의 개별집적 회로를 단일 집적 회로화 하는 방법

제1도는 본 발명의 원리를 나타내기 위하여, 단일 집적 회로로 집적화된 회로 셀들(integrated circuit cells)의 결합을 개략적으로 나타낸 개요도.

제2도는 집적 회로 셀들을 제1도에 일반적으로 도시된 방법으로 결합시키는 본 발명의 기법에 대한 일실시 예를 설명한 플로우챠트도이다.

본 발명은 일반적으로 집적 회로들의 디자인에 관한 것으로, 특히 하나 이상의 기존의 집적 회로들을 단일의 집적 회로 칩상에 결합시키기 위한 기술에 관한 것이다.

주지된 바와 같이, 많은 수의 집적 회로 칩들을 다수의 순차 공정단계에 의해서 단일의 반도체 웨이퍼상에 제작할 수 있다. 회로 층을 변경할 때 또는 형성할 때 하나 또는 그 이상의 공정(process step)들이 관련되고 있다. 수개의 층들은 다른 층의 상부에 하나씩 순차적으로 형성된다. 각층 위에서 수행되는 동작형상(shape of the operation)은 광학 마스크에 의해 한정된다.

전형적으로, 제1공정은 확산 마스크에 의해 정의된 패턴으로 반도체 웨이퍼 기판에 이온을 확산하거나 또는 주입하는 것이다. 다음, 제2공정은 다른 마스크 패턴으로 복수 실리콘 게이트(polysilicon gates)을 형성하는 것이다. 다음 공정은 복수 실리콘 및 기판 확산 영역을 가지는 접점들을 형성할 수 있으며, 그것은 또 다른 마스크에 의해 수행된다. 다음 공정은 금속 도체를 가지는 접촉 게이트 및 확산 영역들을 연결하는 것이고, 다른 마스크가 도체 상호접속을 한정하기 위해 제공된다. 상기 설명한 것이 전형적인 최소한의 공정이지만, 많은 집적 회로들은 더 많은 단계들을 요구하고 있고, 따라서 그들 단계들을 수행하는데 사용하기 위해 수개의 레이아웃 마스크를 필요로 한다. 더욱이 어떤 경우에는 상기 기술한 마스킹 단계의 순서는 상이하며, 그리고/또는 이 간단한 경우의 어떤 단계들을 수행하는 데에는 2개 이상의 마스크들을 필요로 한다.

그러한 집적 회로를 설계하는 초기에는, 회로의 개략도를 우선 준비한다. 그러한 회로도는 집적 회로 칩상에 구현될 모든 전자 부품들의 상호접속관계를 도시하고 있다. 일단 회로의 개략도가 완성되면, 이용 가능한 컴퓨터 소프트웨어를 사용하여 테스트한다. 이들 테스트 결과, 개략도에 따르는 전자회로가 원하는 대로 동작하는 것으로 결정된 후에, 이 개략도는 한 셋트의 마스크들의 각각에 다각형을 한정하는 데이터베이스로 변환된다. 다음, 이들 마스크들은 제조공정에서 사용하기 위하여 광학적으로 제작된다.

과거 수년동안 이 방법으로 설계된 매우 많은 수의 집적 회로의 결과로써, 회로 마스크 셋트용 데이터베이스는 상당한 양의 장서로 존재한다. 최근까지, 이러한 회로들은 단일한 기능을 수행하도록 현저하게 설계되었다. 예를 들면, 어떤 집적 회로 칩은 마이크로프로세서일 수 있으며, 어떤 다른 칩은 마이크로프로세서에 사용하기 위한 입출력 회로이며, 어떤 또 다른 칩은 다른 칩들과 관련되는 시스템을 위한 직접메모리악세스(direct memory access)를 수행하기 위한 것 등이다. 수년간의 기술개발에 따라서, 초기에 이들 개별적이고 독립적인 회로들을 설계하였던 경우보다는 훨씬 더 많은 회로소자들을 소정의 실리콘 기판 영역상에 형성할 수 있다. 그러므로, 2개 이상의 그런 회로들을 하나의 집적 회로 칩상에 결합하는 것이 종종 바람직하다. 그 결과, 2개 이상의 칩 대신에 단지 하나의 칩으로 제작되기 때문에 생산성에서 경제적이고, 과거에 있어서처럼 2개 이상의 칩공간을 요구하는 대신에 단지 하나의 집적 회로 패키지용 공간이 한 개의 전자부품에 제공될 것을 요구하고 있기 때문에 응용상 경제적이다.

그러나, 결합하고자 하는 회로들이 상이한 조합의 규칙으로 설계되었기 때문에 이러한 회로들을 결합하는 것이 항상 용이한 것은 아니다. 예를 들면, 어느 한 회로의 레이아웃은 라인폭이 2.0마이크론으로 설계되어 있고, 다른 회로의 레이아웃은 1.6마이크론의 라인폭을 가지는 경우, 그들을 0.9마이크론의 라인폭으로 제조된 단일의 집적 회로로 결합되기를 바랄 수 있다. 다른 예는 분리된 p형 및 n형 확산 영역 마스크로 설계된 CMOS회로이며, 그것으로 결합되기를 바라는 다른 회로는 한 확산영역을 확인하기 위한 한 확산 마스크와 어느 영역이 p형이고 어느 영역이 n형인가를 확인하기 위한 다른 마스크로 설계되었다. CMOS공정에서의 다른 변경예는 결합되고자 하는 회로 셀들 사이에서 공통적으로 마주칠 수 있다. 결과적으로, 동일한 설계규칙들을 따름으로써 2개 이상의 집적 회로 마스크셋트용 데이터베이스들을 호환성있게 하기 위하여 결합하고자 하는 데이터베이스들을 수정하는데 수많은 설계 노력이 경주되었다.

그러므로, 본 발명의 제1목적은 단일의 결합된 집적 회로 칩을 제작하기 위한 마스크 셋트를 형성하기 위하여, 상이한 설계규칙으로 존재하는 2개 이상의 집적 회로 마스크셋트 데이터베이스들을 간단히 결합하는 기법을 제공하는 것이다.

이 목적 및 부가적인 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명은 하나 이상의 마스크 층의 모든 데이터에 동시에 이용 가능한 컴퓨터 소프트웨어로써 전반적으로 변경을 가함으로써 같이 결합하고자 하는 집적 회로 셀들 중 하나의 마스크셋트 데이터베이스를 변경시키는 것에 의해 마스크 셋트 데이터베이스들의 설계 규칙상의 상이함을 간단히 제거할 수 있음을 특징으로 하고 있다. 이 데이터의 전반적인 또는 배치 모드 변경(batch mode change)은 2개의 마스크셋트 데이터베이스들이 같이 결합되기 전에 또는 그들이 같이 결합된 후에 완성되거나, 또는 상이한 변경이 각 순간에 이루어 질 수 있다. 만일 셀데이터를 같이 합체한 후에 변경이 행하여지면, 다른 셀 또는 셀들의 데이터에 영향을 미치지 않고 변경될 수 있는 하나의 셀로부터 기원하는(origination) 데이터를 격리시키기 위하여 가상 확인 마스크(phantom dentification mask)의 데이터를 소프트웨어 프로그램에 의해 사용할 수 있다.

이 합체된 집적 회로 셀들을 설계하는데 이용되는 규칙에 있어서의 각 소개차이는 상기 약술한 일반적인 공정에 의한 순차동작시 한번에 하나씩 어드레스되는 것이다. 설계 규칙에서의 이들 차이들은 CMOS 논리 소자들이 p웰, n웰 또는 pn웰 타입으로 이루어진 전형적인 구조로 형성된다라는 점에서의 차이들을 포함하고 있다. 만일 이들이 다르다면, 같이 결합될 2셀들 중의 한 셀의 확산마스크용 데이터베이스는 나머지 다른 셀의 데이터베이스로 변경되어야 하고, 이에 따라서 전체 최종적인 집적 회로는 동일한 공정으로 만들어진다. 셀들 중의 한 셀의 데이터베이스로 이러한 전반적인 변경의 다른 예는 그 크기를 감소하거나 또는 증가할 때 일어난다. 최종적인 집적 회로셀을 제작하는데 사용되는 공정기술에 맞추기 위하여, 한 셀의 하나 이상의 마스크들 위에 형성된 다각형의 단부를 바이어스 또는 보상하는 것을 다른 예로 들 수 있다. 다른 변경은 소정의 층에 같이 결합될 2개의 마스크 중의 각각의 데이터용으로 각 데이터베이스가 동일한 궁극의 집적 회로 마스크층을 특정화하는 것을 확인하는 것이다.

본 발명의 기법은 필요한 설계변경을 하는 것이 비교적 용이하도록 한다. 일반적으로, 단일의 소프트웨어 명령은 하나 이상의 마스크층의 데이터를 즉시, 적절한 대로 나머지 다른 회로의 데이터에 의해 구체화된 설계로 맞추는 것이 필요하다. 그러나 연산은 단일의 집적 회로 마스크셋트 데이터베이스 속으로 결합될 2개 이상의 데이터베이스들 사이의 상이한 각 설계규칙에 필요하다. 마스크 레이아읏 에디터 소프트웨어 패키지를 가지고 한번에 한 다각형씩 개별적인 다각형 또는 패턴 변경을 만드는 것이 너무 시간 소모가 많았고 이에 따라 비용이 많이 들었기 때문에 전에는 결합될 수 없는 집적 회로들을 이 기법에 의하여 결합시키고 있다. 그 결과, 전 셋트의 기능을 제공하는 매우 많은 수의 집적 회로들을 이용 가능하게 하며, 공정기술을 개선하여 단일 칩의 부분으로서 가능하게 하고 있다.

본 발명의 다른 목적들, 장점들 및 특성들은 첨부된 도면과 연결하여 기술되는 바람직한 실시예에 대한 이하의 설명으로부터 명백할 것이다.

제1도에 의하며, 좌측의 컬럼은 개념적으로 기존의 집적 회로를 제작할 때 사용된 5개 개별마스크(11-15)의 컴퓨터 데이터 정의 다각형을 도시하고 있다. 이것은 더 많은 마스크들이 대부분의 집적 회로들에 필요하기 때문에 분명히 단순화하여 나타내고 있으나, 본 발명의 기법을 설명하도록 할 것이다. 이들 각 마스크들의 데이터는 결합될 제1셀을 형성하고 있다.

마찬가지로, 우측편 칼럼은 제2기존 집적 회로의 한 셋트의 마스크들(16-20)의 다각형의 데이터를 도시하고 있다. 이 데이터는 완성된 집적 회로로 제2셀로서 결합될 것이다. 간단히 말하면, 단지 2개의 셀을 하나의 결합된 집적 회로로 조합하는 것은 이 예에서 설명되고 있으나, 2개 이상의 셀들로 데이터베이스를 개발할 때 사용되는 상이한 설계규칙에 의한 차이를 제거하기 위하여 데이터베이스를 편집(edit)하는데 설명되는 동일한 기법을 사용함으로써 결합될 수 있다.

제1도의 중앙의 칼럼은 최종 결합된 집적 회로의 마스크용 데이터베이스를 개념적으로 도시하고 있다. 마스크용 데이터(21)는 결합될 2셀들의 각 셀의 마스크 데이터(11 및 16)로부터 조합하는 것이다. 유사하게 마스크데이터(22)는 마스크데이터(12,17)의 조합이고, 결합마스크(23)는 마스크데이터(13,18)의 조합이며, 결합마스크데이터(24)는 데이터(14,19)의 조합이고, 끝으로 마스크데이터(25)는 2셀의 데이터의 조합이다.

이들 결합된 회로 마스크 다각형데이터(21-25)의 각각은 마스크들을 만드는데 사용될 수 있으며, 그로부터 회로를 제작할 수 있으나, 보통 무엇인가 더 행하여지지 않는 한 그들 사이에 상호 연결 또는 협동관계는 없을 것이다. 2개의 셀들 사이에 상호연결성을 제공하기 위하여, 경유층(접촉)(via layer)의 데이터(26)를 금속도체층의 데이터(27)와 함께 설계한다. 만일 층들(26,27)이 각 셀에 이미 존재하는 입력 또는 출력 패드들 사이에 상호 접속을 위하여만 제공되면 가장 간단하나, 2개 셀들의 상이한 회로점들을 가지는 층들(26,27)에 의하여 또한 상호접촉시킬 수 있다. 가상 마스크용 데이터(28)는 본 발명의 공정의 부분으로서 구체화되고 후에 설명될 것이다.

제1셀 및 제2셀의 데이터베이스내 상이한 설계규칙에 의하여 야기된 차이들의 실시예로서, 제1셀을 위한 확산마스크(11,12)는 p형 및 n형 확산이 집적 회로의 기층에 형성되는 곳을 분리하여 나타내는 폐다각형의 형태를 갖도록 도시되어 있다. 즉, 마스크(11)는 p형 확산이 이루어지는 회로영역을 한정하고, 마스크(12)는 n형 확산이 이루어지는 곳을 한정한다. 제1도의 제2셀은 또한 2개의 확산마스크들(16,17)을 이용하는 것으로 것을 나타내고 있으나, 2개의 확산마스크들 (16,17)은 다른 방법으로 p형 및 n형 확산영역을 특정하고 있다. 이 예에서 마스크(16)는 기판에서 확산이 이루어지는 패턴의 다각형을 포함하고 있고, 한편 마스크(17)는 어느 확산영역이 p형이고 어느 확산영역이 n형인지를 한정하고 있다. 이것은 제1 및 제2셀에 사용되는 설계규칙에서의 명백한 차이이다. 이들 셀들 중의 한 셀의 2개의 마스크층 데이터는 결합된 마스크층(21,22)에서 다른 셀들의 데이터에 적합하도록 변경될 필요가 있어서, 이 2개의 셀들은 단일 공정을 가지고 결합된 집적 회로의 부분으로서 동시에 만들어질 수 있다.

폴리실리콘층 마스크(13,18)는 폴리실리콘이 집적 회로 웨이퍼상에 부착되는 위치를 도시하는 다각형을 포함하고 있다. 이 층 뿐만 아니라 임의의 다른 층들에 존재하는 설계상 차이는 2개의 셀들의 각 데이터베이스가 이용가능한 컴퓨터 소프트웨어 패키지에 의해 사용되는 상이한 층수를 갖는 폴리실리콘 층을 구체화함으로써 그 데이터로부터 마스크를 도시할 수 있다. 분명히, 이 층들(13,18)을 단일층(23)으로 결합하기 전에, 각각의 층번호들은 동일하게 매겨지거나, 또는 모든 컴퓨터 소프트웨어가 결합된 층(23)의 데이터를 취급할 때 인정하는 공통층으로 변경되어야 한다.

동일한 종류의 층 확인 변경은 접점층(14,19)으로써 이루어질 수 있다. 이들 마스크의 데이터는 그들 아래의 폴리실리콘 또는 확산영역들이 금속으로 접촉되는 다각형을 한정하고 있다. 마스크(15,20)는 이들 접점들을 바라는 방법으로 연결하는 도체들의 다각형을 한정하여, 회로동작을 구현하고 있다.

공통으로 이용되는 3가지 기본적인 CMOS 공정이 있고, 상이한 공정들로 CMOS구조를 구현하기 위하여 설계된 임의의 마스크데이터는 같이 결합될 때 공통의 공정으로 변경될 필요가 있다. 상기 3가지 상이한 CMOS구조는 p웰, n웰 및 트윈웰형 구조이다. 상기 제1 및 2셀들이 상이한 구조형태로 CMOS를 구현한다면, 그들 중 하나의 확산마스크는 나머지 다른 것에 의해 구현되는 CMOS구조에 의하여 동일한 회로를 구현하도록 변경될 필요가 있다. 또는 선택적으로, 모든 셀들은 제3형태의 CMOS구조로 변경될 수 있다. 보통, 셀들을 합체하는 소정의 집적 회로 제조업자는 한 타입의 CMOS구조 및 공정을 사용하며, 따라서 그 공정에 의해 이루어진 최종 집적 회로를 얻는 것을 바란다.

2개 셀들의 마스크 데이터베이스들 사이에 존재하는 다른 설계규칙상의 차이는 그 다양한 확산, 접점, 도체등 디멘죤에 관한 것이다. 예를 들면, 셀들은 상이한 최소 라인폭을 갖도록 설계될 수 있고 그들을 균일하게 만드는 것이 바람직하다. 이것은 그들이 동일한 라인폭을 가질 때까지, 하나 또는 모든 마스크층들을 확대하거나 또는 축소하는 것(통상, 수축(shrink)이라 함)과 관련된다.

또한, 각 데이터베이스가 동일한 바이어싱을 갖도록 하기 위하여 셀들 중의 하나의 셀에 대해서 하나 이상의 마스크들의 다각형의 바이어싱(보상)을 보통 변경할 필요가 있다. 이것은 같이 밀접하게 있거나 또는 특정한 절대거리만큼 떨어져 있거나 다각형의 이동하는 대향 라인들을 요구하고 있다. 이러한 바이어싱은 집적 회로상에서 일어나는 다각형의 궁극적인 형상으로 다양한 처리동작의 영향을 보상해 준다. 예를 들면, 확산영역, 3마이크론의 금속도체의 접점 또는 폭이 완성된 집적 회로 제품상에 요구되면, 그 다음 그 마스크가 이용된 후에 공정단계에서 일어날 수 있는 측상확산, 에칭들을 보상하기 위한 것보다 그들 대향하는 다각형 라인들을 더 크게 또는 더 작게 하는 것이 필요하다. 다음, 그것은 원하는 디멘죤을 가지고 집적 회로상에 구성된 최종 다각형으로 이루어진다.

한 셀의 마스크 레이아웃 데이터베이스에 여러 타입의 변경을 하는 것은 보통의 마스크레이아웃 컴퓨터 소프트웨어를 이용하여 레이아웃 디자이너에 의해 수동적으로 행하여진다면 매우 어렵고 시간소모가 많이 든다. 변경하고자 하는 각 다각형의 형상은 이러한 기법을 사용하여 레이아웃 디자이너로부터의 명령에 의하여 개별적으로 변경되어야 한다. 이것은 수천의 개별명령을 각 마스크층의 데이터에 관련시킬 수 있다. 이러한 동작시 일어나는 오차 발생기회는 매우 커지므로, 많은 검사 및 확인과정을 또한 요구하게 된다. 이 공정의 부담(burden)은 집적 회로 셀들을 단일 칩상에 조합시키는 것을 기본적으로 동일한 규칙으로 설계된 셀들에 제한하였다. 이것은 결합된 회로들을 단일회사, 단일주기 등의 회로로 제한한다. 그것은 다수의 상이한 디자인군에 의해 설계된 많은 수의 회사에 존재하는 막대한 수량의 집적 회로 레이아웃 데이터베이스의 사용을 제한하며 그 모든 것은 다소 상이한 설계규칙을 사용할 수 있다.

제2도의 플로우챠트에 도시한 본 발명의 기법은 개별적인 다각형 변경 명령의 필요성을 제거해주며, 이것은 이용가능한 데이터조작 컴퓨터 소프트웨어를 사용함으로써 이루어지고, 배치모드에서 각각의 구체적인 편집 또는 변경동작을 전반적으로 수행한다. 본 발명을 수행하는데 사용하기 위해 유용한 소프트웨어 패키지의 예는 캘리포니아 멘로파크의 실바리스코(Silvar Lisco of Menlo Park, California)로부터 입수가능한 패턴생성 소프트웨어이다.

그러한 소프트웨어를 이용하는 제1단계는 제2도의 단계(31,33)에 의해 표시된 것처럼 각 셀의 데이터베이스를 개별적 전반적으로 편집하는 것이다. 전반적인 타입의 동작의 일예는 한 층으로부터의 모든 영역들이 다른 층으로 이동될 수 있음을 구체화함으로써 한 마스킹층을 위한 데이터를 편집하는 것이다. 또한, 다각형 영역들은 마스크영역들 사이에서 절환될(교환될)수 있다. 이 동작들은 전 마스크 데이터를 위하여 단일 소프트웨어 명령에 의하여 완성될 수 있다. 연속적인 공정단계들을 보상하는 바이어싱은 주어진 마스크데이터의 모든 다각형상에서 단일 명령으로 즉시 완성될 수 있다. 바이어싱은 각 마스크상에서 다른 것 같기 때문에, 이 동작은 마스크별로 한번씩 수행된다. 전 매스셋트 데이터베이스의 확대 또는 축소(수축)는 단일 명령으로 행해진다. 결합될 셀의 설계규칙의 차이 때문에 필요하게 되는 상기 설명한 편집기능의 각각은 이용가능한 소프트웨어를 사용하는 이러한 방법으로 완수될 수 있다.

소망하는 모든 전반적 편집이 2개의 셀데이터베이스의 각각에 분리적으로 완성된 후에, 다음단계(35)에서는 데이터베이스들이 단계(35)에서 서로 합체된다. 개념적으로 이것은 제1도의 좌측 및 우측 컬럼들의 마스크데이터베이스들을 제1도의 수평화살표에 따라서 중앙컬럼의 결합된 집적 회로 데이터베이스로 조합하는 것이다. 물론, 2개의 결합된 셀들의 각각은 결합된 회로 레이아웃의 분리된, 비중첩된 영역내 존재하는 결합된 데이터베이스로 지정된다.

회로셀들을 결합하는 것에 덧붙여, 일반적으로 제1도의 부가적인 마스크층(26,27)을 설계할 필요가 있고, 이것은 제2도의 단계(37)에 의해 표시된다. 앞에서 기술한 것처럼, 이것은 각 회로셀의 여러 부분을 다른 회로셀과 접속한다. 더욱이, 공통층(21-25)의 몇몇 또는 모든 것은 부가적인 회로들을 상호연결하거나 또는 가산하기 위하여 사용될 수 있다. 보통 이2개 셀들의 동작들을 완전히 합체시키는 것이 바람직하고 정상적인 방법으로 도체 및 접점 레이아웃을 설계함으로써 완성된다.

일단 그것이 완성되면 완전히 결합된 집적 회로는 구체화된다. 그러나, 단계(31,33)에서 설명된 몇몇 전반적인 편집기능들은 셀데이타베이스들이 결합된 후에까지 연기되는 것이 바람직하다. 즉, 개별적인 셀 데이터베이스들에 대해서 앞에서 설명한 전반적인 편집동작을 수행하기 전에 결합후에까지 대기하는 것이 더 바람직할 수 있다. 마지막까지 남겨져야 하는 것이 일반적으로 바람직한 그러한 편집기능은 그것이 항상 임의의 회로 마스크 레이아웃 설계에서 수행된 마지막 동작이기 때문에 바이어싱(보상) 기능이다. 부가적으로, 설계자는 단계들(31,33)에서 완성될 어떤 전반적인 편집동작을 부적절하게 생략할 수 있어서, 단계(35,37)후 바로 상기 언급한 임의의 전체 편집기능들을 수행하도록 한다.

이 순차적인 전체 편집공정의 제1단계(39)는 제1도의 가상마스크(28)의 데이터를 구체화하는 것이다. 이것은 두 셀이 단일 집적 회로로 결합될 때, 두 셀들 사이의 좌표 분할선을 지정하는 것에 불과하다. 다음, 단계(41)에서 가상마스크는 사용되는 데이터 조작 소프트웨어에 대한 적절한 명령을 가지고 마스크들(21-27)의 하나와 결합된다. 이 명령은 제1셀에 의해 점유된 집적 회로의 영역 또는 제2셀에 의해 점유된 집적 회로의 영역이 편집동작을 위하여 지정되도록 한다. 이 조합은 일반적으로 마스크들(21-25)중의 하나의 데이터로써 수행될 것이나, 수행될 전체 편집기능에 따라서 2개 이상의 마스크들의 조합일 수 있다.

다음 단계(43)는 이 결합된 데이터를 전반적으로 편집하는 것이다. 만일, 바이어싱이 완성될 전체 편집 동작이라면, 단일 명령은 특정화된 마스크들의 다각형의 선들이 절대량만큼 한 방향 또는 다른 방향으로 이동되도록 한다. 이 동작은 하나의 셀에 대해서 마스크들(21-25)을 위한 각 데이터베이스 상에서 개별적으로 완성될 수 있다. 그후, 가상마스크(28)를 위한 데이터는 다른 셀의 다각형에 전체적으로 상이한 크기의 보상을 전반적으로 적용시키기 위하여, 결합된 각 집적 회로 마스크층 데이터와 재결합된다.

일단 원하는 전체 편집동작의 전부가 완성되면, 다음 편집된 데이터베이스는 단계(45)에 표시된 것처럼 집적 회로 마스크들을 제작하고 있다. 각 마스크는 제1도에 도시된 마스크들(21-27)의 데이터베이스들에 의하여 구체화된 다각형의 2차원 도형으로 도시되어 있다. 다음, 그 데이터베이스로부터 직접 도시된 그들 커다란 마스크들은 집적 회로 처리기에 사용된다.

본 발명의 여러 태양이 그 바람직한 실시예에 대해서 기술되었지만, 본 발명은 첨부된 특허청구의 전체범위에서 보호받아야 함을 이해하여야 한다.

Claims (17)

1. 제1 및 제2 집적 회로셀들의 기능을 결합하는 단일 집적 회로용 마스크셋트를 한정하는 다각형 데이터베이스를 생성하기 위하여, 다각형 데이터에 적어도 하나의 전반적인 변경을 함으로써 제1 및 제2 집적 회로 셀들의 적어도 하나를 위한 다각형 데이터베이스들을 편집하는 단계와; 상기 제1 및 제2셀들의 데이터가 결합된 집적 회로 마스크셋트의 비중첩 제1 및 제2 각 마스크 영역을 점유하는 방법으로 다각형 데이터베이스들을 결합하는 단계를 포함함으로써 적어도 제1 및 제2 집적 회로 셀들의 마스크셋트를 한정하는 데이터베이스들을 결합하는 복수개의 개별 집적 회로를 단일 집적 회로화 하는 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 편집단계는 상기 제1 및 제2 셀들을 결합하는 단계 전에, 상기 제1 및 제2 셀들의 다각형 데이터베이스들을 편집을 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 편집단계는 결합된 집적 회로 마스크셋트 데이터베이스 상에서 편집을 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
4. 제3항에 있어서, 상기 편집단계는 추가로 상기 제1 또는 제2 회로 셀들의 마스크 영역들을 개설하는 결합된 집적 회로 마스크 레이아웃의 가상마스크의 데이터를 한정하는 단계와; 결합된 집적 회로 마스크 다각형 레이아웃 데이터의 적어도 몇몇과 가상 마스크 데이터를 합체하는 단계와; 제1 또는 제2 집적 회로 셀들 중 하나의 다각형 데이터를 전반적으로 변경하기 위하여, 그 다각형데이터에 전반적인 변경을 하는 것에 의하여 제1 또는 제2 마스크 영역중의 어느 하나에 존재하는 합체된 다각형 마스크셋트 데이터베이스의 일부분을 편집하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
5. 제1항 내지 제 4항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 편집단계는 편집된 데이터베이스의 다각형들 중의 단부를 재배치하는 것을 특징으로 하는 방법.
6. 제1항 내지 제 4항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 편집단계는 편집된 데이터베이스의 적어도 하나의 마스크 지정번호를 변경하는 것을 특징으로 하는 방법.
7. 제1항 내지 제 4항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 편집단계는 편집된 데이터베이스의 복수개의 마스크들의 크기를 동시에 변경하는 것을 특징으로 하는 방법.
8. 제1항 내지 제 4항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 편집단계는 상이한 형태의 CMOS 확산공정을 한정하기 위하여 확산 영역들을 한정하는 적어도 하나의 마스크를 변경하는 것을 특징으로 하는 방법.
9. 제1항 내지 제 4항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 편집단계는 어느 한 층의 영역을 지정하는 영역들을 타층의 영역을 지정하도록 이동시키고, 역으로 상기 타층의 영역을 지정하는 영역들을 상기 어느 한 층의 영역을 지정하도록 이동시키는 것을 특징으로 하는 방법.
10. 비중첩 영역들에서 적어도 2개의 집적 회로 셀들의 마스크 다각형 레이아웃의 데이터베이스들을 결합함으로써 형성되고, 데이터 조작 소프트웨어 프로그램을 갖는 컴퓨터상에서 수행되며, 상기 적어도 2개의 회로 셀들의 모든 것보다 적게 영역을 개설하는 결합된 집적 회로 마스크 레이아웃의 가상 마스크의 데이터를 한정하는 단계와; 결합된 집적 회로 마스크 다각형 레이아웃 데이터중의 적어도 몇몇과 가상마스크데이터를 합체하는 단계와; 적어도 2개의 집적 회로 셀들중의 하나의 다각형 데이터를 전반적으로 변경하기 위하여 그 다각형 데이터에 전반적인 변경을 함으로써, 상기 2개 회로셀들 중의 하나의 마스크 레이아웃의 합체된 다각형 데이터베이스를 편집하는 단계를 포함하여서, 하나의 집적 회로 마스크 레이아웃 데이터베이스를 편집하는 방법.
11. 제10항에 있어서, 상기 합체된 다각형 데이터베이스를 편집하는 단계는 그 다각형 모서리들을 전반적으로 재배치하는 것을 특징으로 하는 방법.
12. 제1 및 제2 집적 회로 셀들의 기능들을 결합하는 단일 집적 회로용 마스크셋트를 한정하는 다각형 데이트베이스를 생성하기 위하여, (a) 다각형 데이터에 전반적인 변경을 함으로써 제1 및 제2 집적 회로의 각각을 위해 다각형 데이터베이스들을 분리하여 편집하는 단계와; (b) 제1 및 제2 셀들의 편집된 다각형 데이터들이 결합된 집적 회로 마스크셋트의 비중첩 제1 및 제2 각 마스크 영역을 점유하는 방법으로 편집된 데이터베이스들을 결합하는 단계와; (c) 제1 또는 제2 마스크 영역중의 하나의 영역을 개설하는 결합된 집적 회로 마스크셋트의 가상마스크의 데이터를 한정하는 단계와; (d) 결합된 집적 회로 마스크셋트 데이터의 적어도 몇몇과 가상 마스크 데이터를 합체하는 단계와; (e) 제1 및 제2 마스크 영역들 중 하나의 다각형데이터를 전반적으로 변경하기 위하여, 그 다각형데이터에 전반적인 변경을 함으로써 제1 또는 제2 마스크 영역들 중의 하나의 마스크셋트의 합체된 다각형데이터베이스를 편집하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 적어도 하나의 상이한 설계규칙을 갖고 적어도 제1 및 제2 집적 회로 셀들의 마스크셋트를 한정하는 다각형 데이터베이스들을 결합하는 방법.
13. 제12항에 있어서, 상기단계(d)는 단일층을 나타내는 결합된 집적 회로 마스크데이터를 가상마스크데이터에 합체하는 단계를 포함하고 있고, 상기 단계(e)는 단일층의 합체된 데이터베이스를 편집하는 단계를 포함하고 있고, 상기 단계(e)는 단일층의 합체된 데이터베이스를 편집하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
14. 적어도 제1 및 제2의 분리된 기존의 집적 회로 칩들의 기능을 결합하기 위하여, 기존의 집적 회로들을 위한 마스크셋트 컴퓨터 데이터베이스들을 수납하는 단계와; 적어도 하나의 마스크의 데이터에 적어도 하나의 전반적인 변경을 함으로써 제1 및 제2 집적 회로 셀들의 적어도 하나를 위하여 기존 데이터베이스들을 편집하는 단계와; 제1 및 제2 셀들의 데이터가 결합된 집적 회로 마스크셋트의 비중첩된 제1 및 제2 각각의 마스크 영역들을 점유하는 방법으로 데이터베이스들을 결합하는 단계; 및 상기 결합된 데이터베이스로부터 광학마스크셋트를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단일 전자 집적 회로칩의 마스크셋트를 생성하는 방법.
15. 제14항에 있어서, 상기 편집단계는 기존 집적 회로들을 결합하는 단계 전에, 상기 기존 집적 회로의 데이터베이스상에서 편집을 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
16. 제14항에 있어서, 상기 편집단계는 결합된 집적 회로 마스크셋트 데이터베이스상에서 편집을 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
17. 제16항에 있어서, 상기 편집단계는 상기 제1 또는 제2 회로들의 마스크 영역을 개설하는 결합된 집적 회로 마스크 레이아웃의 가상 마스크의 데이터를 한정하는 단계와; 결합된 집적 회로 마스크 레이아웃 데이터의 적어도 하나의 데이터와 가상마스크를 합체하는 단계와; 그 데이터에 전반적인 변경을 함으로써 상기 제1 또는 제2 마스크 영역중의 하나에 놓여 있는 합체된 마스크 데이터베이스의 일부분을 편집하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.