TW564430B - Shift register and method of driving the same - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 50
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 32
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 48
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 14
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 3
- 101100421188 Caenorhabditis elegans smp-1 gene Proteins 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- KKIMDKMETPPURN-UHFFFAOYSA-N 1-(3-(trifluoromethyl)phenyl)piperazine Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(N2CCNCC2)=C1 KKIMDKMETPPURN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100286980 Daucus carota INV2 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100397045 Xenopus laevis invs-b gene Proteins 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
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Description
564430 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(彳) 枝術領域 本發明相關於移位暫存器。具體地說,本發明相關於 由薄膜電晶體(以下稱爲丁 F T )組成的移位暫存器,並 相關於驅動該移位暫存器的方法。 背景技術 接收時脈脈衝和起始脈衝以順序輸出脈衝(取樣脈衝 )的移位暫存器,被應用於各種電路中。在具有多個排列 成矩陣的像素的顯示器件中,移位暫存器被具體地用作閘 極信號線驅動電路以及用來選擇像素並將信號輸入到被選 擇的像素的閘極信號線驅動電路。 .圖5展示了一般的移位暫存器的結構例子。此移位暫 存器具有第一級到第r級(r是等於或大於3的自然數) 。各個級由第一時脈反向器CK I NV1、第二時脈反向 器CKINV2以及反向器INV組成。 第i級(i是等於或小於r的自然數)被稱爲 SR_i 。構成第i級的第一時脈反向器、第二時脈反向 器以及反向器,分別被稱爲CKINV1 — i、 CKINV2_i 和 INV— i。 在第一級S R _ 1中,起始脈衝S P從外部被輸入到 第一時脈反向器CK I NV1_1的輸入端子,且第〜時 脈反向器CKINV1_1的輸出端子被連接到反向器 INV_1的輸入端子和第二時脈反向器 CKINV2_1的輸出端子。第二時脈反向器 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇X:297公釐) k L-I.----0---1-I1T------— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -4 - 564430 A7 B7 五、發明説明(2 ) CK I NV2 一 1的輸入端子被連接到反向器I NV— 1 的輸出端子。I N V 一 1的輸出端子用作第一級s r _ 1 的輸出端子。 在第二級S R _ 2中,第一時脈反向器 c K I N V 1 _ 2的輸入端子被連接到第一級S R _ 1中 的反向器I NV_1的輸出端子,且第一時脈反向器 CKINV1一2的輸出端子被連接到反向器I 的輸入端子和第二時脈反向器CKINV2_2的輸出端 子。第二時脈反向器CK I NV2 — 2的輸入端子被連接 到反向器INV— 2的輸出端子。INV— 2的輸出端子 用作第二級S R _ 2的輸出端子。 通常,在第j級中(j是等於或大於2並等於或小於 r的自然數)中,第一時脈反向器CK I NVl_j的輸 入端子被連接到第(j 一 1 )級SR_j -1中的反向器 I NY — j — 1的輸出端子,且第一時脈反向器 CK I N. Vl_j的輸出端子被連接到反向器I NV_j 的輸入端子和第二時脈反向器C K I N V 2 _ j的輸出端 子。第二時脈反向器CK I NV2 — j的輸入端子被連接 到反向器I NV— j的輸出端子。反向器I NV— j的輸 出端子用作第j級的輸出端子。 當起始脈衝S P被輸入到第一級時,由如上所述構成 的第一級電路S R _ 1至第r級電路S R _ r組成的移位 暫存器,與時脈脈衝C K和借助於反轉時脈脈衝C K的極 性而得到的反向時脈脈衝C K B同步地從第一級電路 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 -5- 564430 A7 __B7_ 五、發明説明(3 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) S R _ 1至第r級電路S R — r的輸出端順序輸出移位元 脈衝S — 1至S _ r。時脈脈衝C K和反向時脈脈衝 C K B被輸入到第1至第r級的第一時脈反向器 CK I NV1和第二時脈反向器CK I NV2。 圖4是構成具有圖5所示結構的移位暫存器中各個級 的第一時脈反向器CKINV1、第二時脈反向器 C K I N V 2和反向器I N V的詳細電路圖的例子。 V d d表示高電源電位,而V s s表示低電源電位。 此處,高電源電位V d d被設定爲高於低電源電位V s s 。高電源電位V d d與低電源電位V s s之間的電位差相 當於移位暫存器的電源電壓。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第一時脈反向器CKINV1由p通道TFT 501a和501b以及η通道TFT 501d和 5 0 1 c組成。在本說明書中,通過其閘極接收時脈脈衝 C K或反向時脈脈衝C K B的第一時脈反向器 CKINV1的p通道TFT和η通道TFT,分別被表 示爲501a和501d°p通道TFT 501b和η 通道T F Τ 5 0 1 c的閘極則被連接到第一時脈反向器 CKINV1的輸入端子。 若要將時脈脈衝CK輸入到p通道TFT 501a 的閘極,則反向時脈脈衝C K B被輸入到η通道T F Τ 5 0 1 d的閘極。另一方面,若要將反向時脈脈衝CKB 輸入到P通道T F T 5 0 1 a的閘極,則時脈脈衝C K 被輸入到η通道丁 F T 5 0 1 d的閘極。 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -6 - 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __ B7_五、發明説明(4 ) p通道TFT 5 0 1 a的源極被保持在相同於高電 源電位Vd d的位準,而其汲極被連接到p通道TFT 501b的源極。p通道TFT 501b的汲極被連接 到η通道TFT 501c的汲極,而η通道TFT 5 0 1 c的源極被連接到η通道TFT 50 1 d的汲極 。η通道T F T 5 0 1 d的源極被保持在相同於低電源 電位Vs s的位準。p通道TFT 501b和η通道 TFT 5 0 1 c的閘極用作第一時脈反向器 CKINV1的輸入端子。p通道TFT 501b和η 通道TFT 5 0 1 c的汲極用作第一時脈反向器 CKINV1的輸出端子。 第二時脈反向器CKINV2由p通道TFT 502a和502b以及η通道TFT 502d和 5 0 2 c組成。在本說明書中,通過其閘極接收時脈脈衝 C K或反向時脈脈衝c K B的第二時脈反向器 CK I NV2的p通道TFT和η通道TFT,分別被表 示爲502a和502d。而且,p通道TFT 502 b和η通道TFT 5 0 2 c的閘極被連接到反向器 I N V的輸出端子。 若要將時脈脈衝C K輸入到構成第一時脈反向器 CKINV1的p通道TFT 5 0 1 a的閘極,則反向 時脈脈衝C K B被輸入到構成第二時脈反向器 CKINV2的p通道TFT 50 2 a的閘極,且時脈 脈衝CK被輸入到η通道TFT 5 0 2 d的閘極。另一 . 衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Μ規格(21〇><297公釐) 564430 A7 B7 五、發明説明(5 ) 方面,若要將反向時脈脈衝C K B輸入到構成第一時脈反 向器CKINV1的p通道TFT 501 a的閘極,貝[J 時脈脈衝CK被輸入到構成第二時脈反向器CKINV2 的P通道T F T 5 0 2 a的閘極.,且反向時脈脈衝 CKB被輸入到η通道TFT 502d的閘極。 p通道TF T 5 0 2 a的源極被保持在相同於高電 源電位V d d的位準,而其汲極被連接到p通道τ F 丁 502b的源極。p通道TFT 502b的汲極被連接 到η通道TFT 502c的汲極,而η通道TFT 5 02 c的源極被連接到η通道TFT 502d的汲極 。η通道T F T 5 0 2 d的源極被保持在相同於低電源 電位Vs s的位準。p通道TFT 502b和η通道 TFT 5 0 2 c的汲極用作第二時脈反向器 C K I N V 2的輸出端子。 反向器I NV由p通道TFT 5 03 a和η通道 TFT 503b組成。p通道TFT 503a的源極 被保持在相同於高電源電位V d d的位準,而p通道 TFT 503a的汲極被連接到η通道TFT 503 b的汲極。η通道T F T 5 0 3 b的源極被保持在相同 於低電源電位V s s的位準。p通道T F T 5 0 3 a和 η通道TFT 5 0 3b的閘極用作反向器I NV的輸入 端子。P通道TFT 503a和η通道TFT 503 b的汲極用作反向器I N V的輸出端子。 若第i級(i是自然數)的第一時脈反向器 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -8- 564430 A7 B7 五、發明説明(6 ) CKINV1— i的p通道TFT 501a_i的閘極 接收時脈脈衝C K,則反向時脈脈衝C K B被輸入到第( i — 1 )級的第一時脈反向器C K I N V 1 _ i - 1的 p通道TFT 501a — i — 1的閘極。 構成第i級的第一時脈反向器C K I N V 1 _ i ( i 是自然數)的P通道TFT 501 a和501b以及η 通道TFT 501c和501d,分別由501a _ i 和 5 0 1 b — i 以及 5 0 lc — i 和 5 01 d _ i 表示。 同樣,構成第i級的第二時脈反向器C K I N V 2 _ i的 P通道TFT 502a和502b以及n通道TFT 502c和502d,分別由502a_i和 502b—_i 以及 502c— i 和 502d— i 表示。構 成第i級的反向器INV— i的n通道TFT · 503a 和P通道TFT 503b,分別由503a_i和 5 0 3 b _ i 表示。 圖7是時間圖,展示了如圖4和5所示構成的移位暫 存器的理想驅動方法。下面描述其具體工作。
移位暫存器接收時脈脈衝C K、借助於反轉時脈脈衝 C K的極性而得到的反向時脈脈衝C K B、以及起始脈衝 SP。在第一級SR— 1的第一時脈反向器 C K I N V 1 — 1中’反向時脈脈衝CKB被輸入到p通 道T F T 5 0 1 a — 1的閘極,而時脈脈衝C K被輸入 到η通道T F T 5 0 1 d — 1的聞極。起始脈衝S P被 輸入到第一時脈反向器CKINV1—1的p通道TFT 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I — -I·---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -9 - 564430 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(7 ) 501b—1和η通道TFT 501c_l。 在圖7的時間圖中,展示了起始脈衝S P、時脈脈衝 C K、以及反向時脈脈衝C K B之間的關係。 起始脈衝S P被輸入到第一級S R — 1的第一時脈反 向器CK I NV 1_1的輸入端子。換言之,第一時脈反 向器CK I NV 1_1在起始脈衝SP輸入時接收、、H i 〃電位,並接收時脈脈衝C K以及反向時脈脈衝C K B。 第一時脈反向器CKINV1_1的η通道TFT 5 0 1 c — 1和5 0 1 d_l被接通。第一時脈反向器 C K I N V 1 _ 1的輸出端子的電位於是被設定爲低電源 電位V s s。亦即,第一級的第一時脈反向器 C K I N V 1 — 1的輸出S B _ 1是' L 〇 〃電位。此時 ,同一級的第二時脈反向器CK I NV2_1的p通道 TFT 502a—1和η通道TFT 502d—1被 輸入到TFT 502a—1和502d_l的閘極的時 脈脈衝C K和反向時脈脈衝C K B斷路。 另一方面,第二級的第一時脈反向器 CKINV1_2 的 p 通道 TFT 501a — 2 和 η 通 道TFT 501d_2二者被輸入到TFT 5 0 1 a _ 2和5 0 1 d _ 2的閘極的時脈脈衝C K和反 向時脈脈衝CKB斷路。 第二時脈反向器CKINV2_2的P通道TFT 502a_2和η通道TFT 502d_2都被輸入到 TFT 5 0 2 a _ 2和5 0 2 d _ 2的閘極的時脈脈衝 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) ---------0^-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T -10- 564430 A7 B7 五、發明説明(8 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) c K和反向時脈脈衝C K B接通,且A L 〇 〃電位被輸入 到第二時脈反向器C K I N V 2 _ 2的的輸入端子。因此 ,高電源電位V d d從第二時脈反向器CK I NV2_2 的輸出端子被輸出。換言之,第二時脈反向器 CKINV2 — 2 輸出'電位。 接著,時脈脈衝C K和反向時脈脈衝C K B將第一級 SR_1的第一時脈反向器CKINV1_1中的η通道 TFT 50ld_l斷路。另一方面,第二時脈反向器 CKINV2—1中的η通道TFT 502d_l被接 通。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第一時脈反向器CK I NV1_1的輸出SB_1通 過反向器INV_1被輸入到第二時脈反向器 CK I NV2_1的輸入端子。換言之,借助於將第一時 脈反向器CK I NV1 — 1的輸出SB_1的極性反向而 得到的信號,,被輸入到第二時脈反向器C K I N V 2 _ 1 的輸入端。此輸入信號將第二時脈反向器 CKINV2_1中的η通道TFT 502c — 1接通 。以這種方式,第二時脈反向器CK I NV2_1的輸出 端子被設定爲低電源電位V s s。亦即,第二 CK INV2 — 1的輸出SB— 1是&LO"電位。 另一方面,、H i 〃電位從第一級S R 一 1被輸入到 第二級的第一時脈反向器CKINV1_2的輸入端子。 時脈脈衝C K和反向時脈脈衝C K B將η通道T F T 5 0 1 d_2接通。於是,第二級的第一時脈反向器 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -11 - 564430 A7 B7____ 五、發明説明(9 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) CK I NV 1 — 2的輸出端子被設定爲低電源電位V S s ,第二級的第一時脈反向器C K I N V 1 一 2的輸出 S B _ 2就獲得、L 〇 〃電位。 時脈脈衝C K和反向時脈脈衝C K B再次將第一級的 第一時脈反向器的p通道TFT 50 1 a — 1接通。此 時,起始脈衝S P不被輸入,第一時脈反向器的p通道 TFT 501b—1因而也被接通。因此,第一級的第 一時脈反向器CK I NV 1_1的輸出端子被設定爲高電 源電位V d d,第一時脈反向器的輸出S B — 1就獲得v' H i 〃電位。 第一時脈反向器CKINV1和第二時脈反向器 C K I N V 2的輸出如上所述被改變。各個級的輸出S於 是被輸出,同時各個輸出被順序從輸入的起始脈衝S P移 位元_脈脈衝C K的半個周期。圖4所示的移位暫存器以 這種方式輸出脈衝。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 與圖4所示構造的移位暫存器相反,存在著這樣一種 移位暫存器,它輸出從相鄰各級的輸出信號S的N A N D 操作得到的脈衝。圖1 0展示了這種移位暫存器的一個例 子。在圖1 0中,與圖4中的元件相同的各個元件用相同 的參考號表示,其描述從略。 第i級電路S R _ i的輸出S — i和第(i + 1 )( (i + 1 )是等於或小於r的自然數)級電路S R _ i + 1的輸出S_i+1 ,被輸入到第i個NAND電路 NAND— i 。第i個NAND電路NAND— i輸出第 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) — ' -12- 564430 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(彳0 ) i個脈衝SMP—i 。脈衝SMP— i是移位暫存器的輸 出脈衝。 圖1 1是圖1 0所示移位暫存器的驅動方法的時間圖 。圖1 0中的操作與圖7中的操作相同,直至完成從第一 級電路S R 一 1 -第r級電路S R — r順序輸出移位元脈 衝S 一 1 一 S 一 r。然後,相鄰各級的輸出被輸入到各個 NAND 電路 NAND—l— NAND— r — 1 ,且脈衝 SMP — 1 — SMP— r — 1被順序輸出。圖1 〇所示的 移位暫存器以這種方式輸出各個脈衝。 圖4、5和1 0的移位暫存器需要少量的元件來構成 電路。因此,僅僅需要小的負載容量,高頻下的工作從而 相對容易。 通常,移位暫存器以幾乎等於時脈脈衝和起始脈衝信 號幅度的電源電壓工作。移位暫存器的電源電壓通常被設 定爲大約1 0 V。 諸如時脈脈衝和起始脈衝的待要輸入到移位暫存器的 脈衝信號,通常由製作在單晶積體電路基底上的脈衝信號 控制電路輸出。脈衝信號控制電路一般輸出電壓幅度( amplitude voltage)約爲3 · 3 V的控制信號。從脈衝信號 •發生電路輸出的脈衝信號的電壓幅度通常被位準移位元器 之類提高,以便在輸入到移位暫存器之前達到大約與移位 暫存器的電源電壓相同的位準。 現在假設待要輸入到移位暫存器的脈衝信號的信號電 壓未被位準移位元器之類提高。這相當於構成圖4的移位 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -13- 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ΒΊ_五、發明説明(Μ ) 暫存器的各個元件的電源電壓(相當於高電源電位V d d 與低電源電位V s s之間的電位差),亦即移位暫存器的 電源電位,大於起始脈衝S P和時脈脈衝C K的電壓幅度 的情況。 參照圖6的時間圖來描述移位暫存器在這種情況下的 工作。圖4是移位暫存器的電路結構。爲便於解釋,假設 移位暫存器的電源電壓爲1 0V (高電源電位Vd d爲 1 0 V,而低電源電位V s s爲〇 V ),且諸如時脈脈衝 和起始脈衝的脈衝信號的電壓幅度爲3 . 0 V。相當於〜 L 〇 〃的脈衝信號的電位(最低電位)則被設定爲3 . 5 V,而相當於> H i 〃的脈衝信號的電位(最高電位)被 設定爲6 . 5 V。 集中到第一時脈反向器CK I NV 1。考慮了這樣一 種情況,其中,時脈脈衝C K和反向時脈脈衝C K B被輸 入其中,且P通道TFT 501 a的閘極接收相當於、、 Hi〃 ,此時爲6· 5V的電位,同時η通道TFT 5 0 1 d接收相當於> L 〇 〃 ,此時爲3 . 5 V的電位。 在此情況下,p通道TFT 501a和η通道TFT 5 0 1 d二者都被理想地斷路。但由於時脈脈衝CK和反 向時脈脈衝C K B的電壓幅度小於電源電壓而産生下列問 題。 在P通道TFT 501 a中,其源極的電位超過其 閘極的電位。在此例子中,p通道T F T 5 0 1 a的源 極電位爲1 0V,即高電源電位Vdd,而其閘極電位爲 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ~ -14- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 564430 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7五、發明説明(12 ) 6 · 5 V,即時脈脈衝C K或反向時脈脈衝C K B的'' H i 〃電位,源極與閘極之間的電位差從而爲3 · 5 V。 若P通道TFT 5 0 1 a的起始電壓(ρ通道TFT中 閘極電位相對於源極電位)爲- 3 · 5 V或以上,換言之 ,若P通道T F T 5 0 1 a的起始電壓的絕對値小於 3 · 5V,則P通道TFT 501 a被不希望有地接通 ,使其源一漏導電。 同樣,在η通道TFT 50 1 d中,其源極的電位 低於其閘極的電位。在此例子中,η通道T F T 501 d的源極電位爲0 V,即低電源電位V s s,而其閘極電 位爲3 . 5V,即時脈脈衝CK或反向時脈脈衝CKB的 > L 〇 〃電位,源極與閘極之間的電位差從而爲3 . 5 V 。若η通道TFT 501d的起始電壓(η通道TFT 中閘極電位相對於源極電位)爲3 · 5 V或以下,則n通 道TFT 501d被不希望有地接通。 時間圖中由虛線表示的區域,展示了當應該斷路的 T F T由於上述問題而被接通時,移位暫存器的工作。 此時,若如時間圖所示,起始脈衝S P被輸入到第一 級S R _ 1的第一時脈反向器(clocked inverter ) CK I NV 1 — 1的輸入端子,則第一時脈反向器 CK I NV 1 — 1與時脈脈衝CK和反向時脈脈衝CKB 同步地輸出信號SB_1。 來自第一級SR— 1的反向器I NV— 1的輸出(圖 中用S—1表示),被輸入到第二級SR— 2的第一時脈 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -- -15- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(彳3 ) 反向器CK I NV1 — 2。 若從第一級S R _ 1輸出的脈衝信號S _ 1被輸入到 第二級S R_2的第一時脈反向器CK I NV 1_2的輸 入端子,且應該斷路的η通道TFT 501d_2由於 上述問題而被接通,漏電流流過η通道T F T 501c — 2和η通道TFT 501d_2。當這一漏 電流流動時,第一時脈反向器CK I NV 1_2的輸出電 位S B _ 2變得低於高電源電位V d d (在圖6中用虛線 4 0 1 η表示)。 另一方面,若從第一級S R _ 1輸出的脈衝信號 S_1不被輸入到第二級S R_2的第一時脈反向器 CK I NV 1_2的輸入端子,且應該斷路的p通道 TFT 5 0 1 a _ 2由於上述問題而被接通,漏電流流 過P通道TFT 501a_2和P通道TFT 5 0 1 b_2。當這一漏電流流動時,第一時脈反向器 CK I NV 1_2的輸出電位S B_2變得高於低電源電 fnV s s (在圖6中用虛線4 0 1 P表不)。 相似的現象發生在第三級S R _ 3及其後續各級,漏 電流引起相關於到的級的第一時脈反向器C K I N V 1的 輸出電位S B從圖7時間圖所示的理想工作起伏。 如上所述,若脈衝被輸入到第一時脈反向器 CK I NV 1的輸入端子,同時,應該斷路的p通道 TFT 501a和η通道TFT 501d被接通,則 電流流過η通道T F T 5 0 1 c和5 0 1 d (以下將此 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇Χ:297公釐) IIII^-----%1- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 f -16- 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7_五、發明説明(14 ) 電流稱爲η通道T F T的漏電流),從而輸出比預計輸出 電位V d d更低的電位。 而且,若脈衝不被輸入到第一時脈反向器 CK I NV 1的輸入端子,同時,應該斷路的TFT 50 1 a和TFT 50 1 d被接通,則電流流過TFT 5 0 1 a和5 0 1 b (以下將此電流稱爲p通道T F T的 漏電流),從而輸出比預計輸出電位V s s更高的電位。 當漏電流大時,不可能使輸出S B的脈衝移位。 以這種方式,當應該斷路的T F T被接通時,移位暫 存器無法正常執行輸出,很可能出現誤動作。 爲了防止上述原因引起的誤動作,在脈衝信號的電壓 幅度被位準移位元器提高到移位暫存器電源電壓位準之後 ,習知的移位暫存器接收諸如時脈脈衝C K和起始脈衝 S P之類的脈衝信號。 此處將帶有包括位準移位器的移位暫存器的驅動電路 的顯示器件作爲一個例子。此時的位準移位器可以被製作 在其上製作具有移位暫存器的驅動電路和接收驅動電路輸 出的信號以顯示圖像的像素部分的基底(此基底被稱爲平 板基底)上。作爲變通,位準移位器可以被製作在與平板 基底分隔開的單晶積體電路基底上。 若位準移位器被製作在與平板基底分隔開的基底上, 則像素部分週邊上的電路在顯示器件中佔據很大的面積。 此外,由於平板基底上位準移位元器與電路之間連接部分 處的佈線電容和佈線電阻大而使功率消耗也大。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇X;297公釐) I—II.----0----,——、訂------#1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -17- 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(彳5 ) 另一方面,若位準移位器被製作在平板基底上,則出 現下列問題。時脈脈衝c K和起始脈衝S P輸入到其中的 信號線的負載電容大。因此,緩衝器輸出中的諸如時脈脈 衝C K和起始脈衝S P的脈衝信號在位準移位元之後變得 遲鈍,從而由於信號延遲而引起時間偏離。爲了防止脈衝 信號變得遲鈍,必須增強緩衝器的電流供應能力。 如上所述,具有製作在平板基底上的位準移位器的移 位暫存器有諸如難以在高頻下工作、電源線中的雜訊、以 及佔據的面積大之類的問題。 爲了提高輸入的脈衝信號的電壓幅度,移位暫存器可 以採用製作在平板基底上的位準移位器或製作在與平板基 底分隔開的基底上的位準移位器。但以二者中任何一種方 式,此移位暫存器都有一些問題,包括難以在高頻下工作 、電源線中的雜訊、以及佔據的面積大。 發明之簡要敘沭 本發明的目的因而是提供一種沒有上述問題的移位暫 存器以及驅動該移位暫存器的方法。 本發明的移位暫存器接收電壓幅度小於移位暫存器電 源電壓的時脈脈衝和起始脈衝。因此,沒有必要在平板基 底外面製作用來提升時脈脈衝和起始脈衝的電壓幅度的位 準移位元器,也沒有必要將已經被位準移位元以將其電壓 幅度提升到電源電壓位準的時脈脈衝和起始脈衝輸入到平 板。因此,有可能解決平板基底上各個電路與位準移位元 I — I — ^----0---Ί-I1T------Ψ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -18- 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(16 ) 器之間的佈線電容和佈線電阻造成的功率消耗增大問題。 而且,根據本發明,沒有必要在平板基底上製作用來 提升時脈脈衝和起始脈衝的電壓幅度的位準移位元器,也 沒有必要將已經被位準移位元的時脈脈衝和起始脈衝輸入 到信號線。因此,信號線負載造成的遲鈍影響被抑制,移 位暫存器從而能夠工作於高頻。電源線雜訊的影響也能夠 被抑制。 此外,根據本發明,由於不需要位準移位元器,故安 置移位暫存器所需要的面積被減小。 以這種方式,提供了一種在高頻下功率消耗較小地驅 動移位暫存器的方法,同時解決了諸如電源線雜訊和佔據 面積大的問題。 在採用上述驅動方法的情況下,若構成移位暫存器的 第二時脈反向器具有大的電流容量,則有可能減小由於應 該斷路的第一時脈反向器的T F T處於接通狀態而使電流 (漏電流)流動所造成的第一時脈反向器的輸出電位的起 伏。構成第二時脈反向器的T F T的閘極寬度於是被設定 得寬。 在習知移位暫存器中,各級中第二時脈反向器 CKINV2的唯一任務是保持第一時脈反向器 C K I N V 1輸出的信號。因此,爲了減小第二時脈反向 器造成的負載,相對於各自的極性,構成第二時脈反向器 CKINV2的TFT,亦即p通道TFT 502a和 502b以及η通道TFT 502c和502d的閘極 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -19- 564430 A7 B7 五、發明説明(17 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 寬度,常常比構成第一時脈反向器CK I NV 1的TFT ,亦即P通道T F T 5 0 1 a和5 〇 1 b以及η通道 TFT 5 0 1 c和5 0 1 d的閘極寬度更小。例如,構 成第二時脈反向器的T F T的閘極寬度被設定爲構成第一 時脈反向器的T F T的閘極寬度的1 / 1 0。注意,所有 這些T F T都具有相同的閘極長度。 另一方面,在本發明中,移位暫存器接收電壓幅度比 移位暫存器電源電壓小的時脈脈衝和起始脈衝,從而引起 漏電流問題。因此,借助於將構成第二時脈反向器的 T F T的閘極寬度設定得比現有技術中的更寬,降低了漏 電流。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 例如,考慮了這樣一種情況,其中構成移位暫存器第 一時脈反向器的η通道T F T的源極的電位與輸入到η通 道T F Τ的閘極的時脈脈衝或反向時脈脈衝的最低電位( 相當於' L 〇 〃電位)之間的電位差的絕對値大於η通道 T F 丁的起始電壓絕對値。借助於將構成第二時脈反向器 的Ρ通道T F Τ的閘極寬度設定得寬,就有可能減小由於 應該斷路的η通道T F Τ處於接通狀態而使電流(漏電流 )流動所造成的第一時脈反向器的輸出電位的起伏。 此外,考慮了這樣一種情況,其中構成移位暫存器第 一時脈反向器的Ρ通道T F Τ的源極的電位與輸入到ρ通 道T F Τ的閘極的時脈脈衝或反向時脈脈衝.的最高電位( 相當於> H i 〃電位)之間的電位差的絕對値大於ρ通道 T F T的起始電壓絕對値。借助於將構成第二時脈反向器 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ' — -20- 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(18 ) 的η通道T F T的閘極寬度設定得寬,就有可能減小由於 應該斷路的Ρ通道T F Τ處於接通狀態而使電流(漏電流 )流動所造成的第一時脈反向器的輸出電位的起伏。 而且,另一個TFT被加入到第一時脈反向器。電源 電位通過加入的T F T的源-漏,被輸出到第一時脈反向 器的輸出端子。電壓幅度位準與移位暫存器的電源電壓相 同的信號,被輸入到加入的丁 F T的閘極。當漏電流引起 問題時,加入的T F T就被斷路。流在第一時脈反向器中 的電流(漏電流)於是被截斷。 於是得到不怕誤動作的移位暫存器。 利用上述結構,提供了一種不誤動作的並且能夠以低 電源電壓工作於高頻下的移位暫存器以及驅動此移位暫存 器的方法。 圖形之簡要敘沭 在附圖中: 圖1是電路圖,展示了根據本發明的移位暫存器的結 構; 圖2是時間圖,展示了根據本發明的移位暫存器的驅 動方法; 圖3是時間圖,展示了根據本發明的移位暫存器的驅 動方法; 圖4展示了移位暫存器的結構; 圖5展示了移位暫存器的結構; 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29*7公釐) ---------•衣----Ί--、玎------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -21 - 564430 A7 B7 五、發明説明(19 ) ® 6是時間圖,展示了習知移位暫存器的驅動方法; 圖7是時間圖,展示了移位暫存器的理想驅動方法; ® 8是電路圖,展示了根據本發明的移位暫存器的結 構; ® 9是時間圖,展示了根據本發明的移位暫存器的驅 動方法; ® 1 0是電路圖,展示了移位暫存器的結構; ® 1 1是時間圖,展示了根據本發明的移位暫.存器的 驅動方法; ® 1 2是電路圖,展示了根據本發明的移位暫存器的 結構; KI1 3是具有採用本發明的移位暫存器的驅動電路的 顯示器件的方框圖; 圖1 4A — 1 4 F展示了其中應用了具有本發明的移 位暫存器的驅動電路的顯示器件的電子設備; 圖1 5是俯視圖,展示了根據本發明的移位暫存器的 製造例子; 圖1 6是俯視圖,展示了根據本發明的移位暫存器的 製造例子; 圖1 7是剖面圖,展示了根據本發明的移位暫存器的 製造例子; 圖1 8是電路圖,展示了根據本發明的移位暫存器的 結構; 圖1 9是電路圖,展示了根據本發明的移位暫存器的 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I--------衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -22- 564430 _— _ B7 五、發明説明(2〇 ) 結構; (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖2 0是時間圖,展示了根據本發明的移位暫存器的 驅動方法; 圖2 1是電路圖,展示了根據本發明的移位暫存器的 結構; 圖2 2是電路圖,展示了根據本發明的移位暫存器的 結構; 圖2 3是電路圖,展示了根據本發明的移位暫存器的 結構; 圖2 4是電路圖,展示了根據本發明的移位暫存器的 結構; 圖2 5是電路圖,展示了根據本發明的移位暫存器的 結構; 圖2 6A — 2 6 B展示了 TFT的閘極寬度; 圖2 7是從上表面拍攝的根據本發明的移位暫存器的 照片;而 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖2 8展示了根據本發明的移位暫存器在5MHz的 頻率下工作過程中的波形。 第二時脈反向器 P通道T F T P通道T F T 基底 主要元件對照表 CKINV2 502a,502b 501a,501b 3000 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -23- 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3005 3004 3001 3002a 3002b W 502c, 502d 501c, 501d CKINV2 CKINV1 101 101 一 k CKINVl.k-2 501d—k A7 B7 五、發明説明(21 ) 半導體作用層 閘極 閘極絕緣膜 區域 閘極寬度 η通道T F T η通道T F Τ 第二時脈反向器 % —時脈反向器 η通道T F Τ a第k級中的η通道TFT 1 〇 1
第(k 一 2 )級的第一時脈反向器 η通道T F T 較佳實施例之詳細描派 〔實施例1〕 作爲現有技術例子,等效於圖4電路圖的電路圖被用 來描述根據本發明實施例1的移位暫存器。與圖4相同的 元件用相同的參考號來表示,其解釋從略。 本發明的移位暫存器接收電壓幅度小於移位暫存器的 電源電壓(相當於高電源電位V d d與低電源電位V s s 之間的電位差)的起始脈衝S P和時脈脈衝C K。 此處,移位暫存器各級具有第一時脈反向器和第二時 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T -24- 564430 A7 B7 五、發明説明(22 ) 脈反向器。第二時脈反向器CK I NV2具有P通道 TFT 502a和502b,它們的閘極寬度被設定爲 第一時脈反向器的P通道TFT 50 1 a和501b的 閘極寬度的1 / 2或更大。 此處的T F T閘極寬度指的是沿垂直於載流子運動方 向覆蓋T F T的半導體作用層的閘極部分的長度。參照圖 2 6A和2 6 B來描述閘極寬度W。沿圖2 6A中a — a ’線的剖面圖對應於圖2 6 B。3 0 0 0表示的是具有絕 緣表面的基底;3005表示半導體作用層;3004表 示閘極;而3 0 0 1表示閘極絕緣膜。半導體作用層 3 〇 〇 5具有用作源極區和汲極區的區域3 0 0 2 a和 3002b,並具有通道區3006。圖中用W來表示閘 極寬度。 移位暫存器各級由第一時脈反向器和第二時脈反向器 組成。第二時脈反向器具有η通道TFT 5 02 c和 5 0 2 d ,它們的閘極寬度被設定爲第一時脈反向器的η 通道TFT 501 c和501 d的閘極寬度的1/2或 更大。 各級電路中的第二時脈反向器CKINV2的電流容 量以這種方式被提高。利用提高了的電流容量,來自第二 時脈反向器C K I N V 2的> H i 〃電位(高電源電位 V d d )輸出能夠減小由於接收電壓幅度小於移位暫存器 電源電壓的起始脈衝S P和時脈脈衝C K的移位暫存器中 的第一時脈反向器CKINV1的η通道TFT漏電流造 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) —--------衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -25- 564430 A7 _ . _B7_ 五、發明説明(23) 成的輸出電位S B的起伏。 以相同的上述的方式,來自第二時脈反向器 C K I N V 2的、L 〇 〃電位(低電源電位V s s )輸出 能夠減小由第一時脈反向器C K I N V 1的p通道T F T 漏電流造成的輸出電位S B的起伏。 參照圖3的時間圖來描述如上所述構造的移位暫存器 的工作。虛線表示漏電流造成的輸出電位S B起伏。在圖 3中,虛線3 0 1 η展示了由流過第二級的第一時脈反向 器 CKINV1 — 2 的 η 通道 TFT 501 c 和 501 d的漏電流造成的輸出電位S B _ 2的起伏。虛線3 0 1 P展示了由流過第二級的第一時脈反向器 CKINV1—2的p通道TFT 501a和501b 的漏電流造成的輸出電位S B _ 2的起伏。 借助於增大第二時脈反向器CKINV2的p通道 T F T的閘極寬度,由於圖6所示現有技術例子的漏電流 而使輸出電位S B _ 2的起伏3 0 1 η小於起伏4 0 1 η 〇 而且,借助於增大第二時脈反向器CK I NV2的η 通道T F Τ的閘極寬度,由於圖6所示現有技術例子的漏 電流而使輸出電位S Β _ 2的起伏3 0 1 ρ小於起伏 4 0 1 ρ ° '根據上述結構,能夠減小第一時脈反向器漏電流造成 的輸出電壓的起伏。 如現有技術例子的圖4所示,移位暫存器各級中的第 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) ----------^^衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -26- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 564430 A7 B7 五、發明説明(24 ) 一時脈反向器的P通道TFT 501 a和p通道TFT 501b能夠調換位置。p通道TFT 501 a具有其 中被輸入時脈脈衝C K或反向時脈脈衝C K B的閘極。p 通道TFT 5 0 1 b具有用作第一時脈反向器輸入端子 的閘極。 此處來確定上述二個T F T裝置位置的準確調換。例 如,第一結構具有T F T 1和T F T 2,借助於調換 T F T 1和T F T 2的位置而得到第二結構。輸入到第二 結構中的T F T 1和T F T 2各個閘極的信號與第一結構 中的相同。在第二結構中,佈線被連接成使T F T 1的源 極的電連接關係與第一結構的T F T 2的源極電連接關係 相同,T F T 2的源極電連接關係與第一結構的T F T 1 源極電連接關係相同,T F T 1的汲極電連接關係與第一 結構的T F T 2的汲極電連接關係相同,T F T 2的汲極 電連接關係與第一結構的T F T 1的汲極電連接關係相同 〇 第一時脈反向器的η通道TFT 501d和η通道 TFT 501 c也能夠調換其位置。η通道TFT 5 〇 1 d具有時脈脈衝C K或反向時脈脈衝C K B被輸入 其中的閘極。η通道TFT 5 0 1 c具有用作第一時脈 反向器的輸入端子的閘極。 以相同於上述的方式,移位暫存器各級中的第二時脈 反向器的P通道TFT 5 0 1 a和p通道TFT 501b能夠調換位置。p通道TFT 501 a具有其 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇Χ;297公釐) I-------------Ί—、訂------^w— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -27 - 564430 A7 B7 五、發明説明(25 ) 中被輸入時脈脈衝c K或反向時脈脈衝C K B的閘極。p 通道TFT 5 0 1 b具有用作第二時脈反向器輸入端子
的閘極。第二時脈反向器的η通道TFT 5 0 1 d和η 通道TFT 5 0 1 c也能夠調換其位置。η通道TFT 5 〇 1 d具有時脈脈衝CK或反向時脈脈衝CKB被輸入 其中的閘極。η通道T F T 5 0 1 c具有用作第二時脈 反向器輸入端子的閘極。 在圖4中,構成移位暫存器各級的第一時脈反向器 CK I NV1 、第二時脈反向器CK I NV2、以及反向 器I Ν V的T F Τ,具有單閘極結構。但T F 丁不局限於 此,而是可以採用雙閘極結構或具有二個以上閘極的多閘 極結構。 〔實施例2〕 圖1是電路圖,展示了實施例2的移位暫存器的結構 。此移位暫存器的與圖4中相同的元件用相同的參考號表 示,其解釋從略。 本發明的移位暫存器接收電壓幅度小於移位暫存器的 電源電壓(相當於高電源電位V d d與低電源電位V s s 之間的電位差)的起始脈衝S P和時脈脈衝C K。以上引 起第一時脈反向器的漏電流。本實施例利用下述結構來減 小漏電流。 在圖1中,η通道TFT 1 0 1被加入到構成移位 暫存器的第三級和第三級之後的各級中的第一時脈反向器 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) II ί ^----Ρ! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 Ρ. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -28 - 564430 A7 __ B7 五、發明説明(26 ) CKINV1。第k (k是等於或大於3並且等於或小於 r的自然數)級中的η通道TFT .1〇1用l〇l_k II ----------%- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 表示。 η通道T F T 1 0 1 _ k的閘極被連接到第( k 一 2)級的第一時脈反向器CK I NVl_k — 2的輸 出端子。η通道TFT 1 0 l_k的源極被連接到低電 源電位V s s,而其汲極被連接到第一時脈反向器 CKINV1 — k的η通道丁 FT 501d_k的源極 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 利用上述結構,信號S B _ k - 2被輸入到第k級的 第一時脈反向器CK I NVl_k中的η通道TFT 101 — k的閘極。當η通道TFT 501 d — k應該 斷路時,信號S B _ k — 2爲、L 〇 〃電位。信號 S Β — k — 2的a L 〇 〃電位與低電源電位V s s大約相 同。因此,當信號SB 一 k 一 2的、、L 〇 〃電位被輸入到 η通道TFT 501d — k的閘極時,η通道TFT 5 0 1 d _ k就獲得大約〇 V的閘極電壓(閘極一源極電 壓V g s ),並被無誤地斷路。以這種方式,能夠在第k 級電路的第一時脈反向器CKINVl_k中避免η通道 丁 F Τ的漏電流。 圖2是用來驅動圖1的移位暫存器的時間圖。 若以時間圖所示的方式來輸入起始脈衝S Ρ,則漏電 流造成的第一級的第一時脈反向器的輸出S Β _ 1的起伏 不是問題。換言之,在第一級的第一時脈反向器中,若第 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) •29- 564430 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(27 ) 一級的第一時脈反向器CK I NV1 — 1的輸出SB_1 是借助於反轉被輸入的起始脈衝S P的極性而得到的信號 ,則漏電流造成的第一級的第一時脈反向器的輸出 S B _ 1的起伏不是問題。 第二級的第一時脈反向器的輸出S B _ 2由於漏電流 而起伏。另一方面,本實施例的結構能夠防止第三級及其 後續各級中的第一時脈反向器的輸出S B由於η通道 T F Τ的漏電流而起伏。因此,第三級及其後續各級的輸 出被認爲是移位暫存器的合理輸出。 如上所述,借助於將η通道T F Τ 1 0 1加入到第 三級及其後續各級的第一時脈反向器C Κ I Ν V 1 ,防止 了漏電流,移位暫存器就能夠正常地工作。 現在參照圖1 2來描述一種不同類型的移位暫存器。 此移位暫存器輸出從相鄰各級的輸出信號S的N A N D運 算得到的信號。各級的輸出S是圖1所示那些電位。此移 位暫存器與圖1所示相同的元件用相同的參考號表示,其 解釋從略。 若以時間圖所示的方式來輸入起始脈衝S P,則漏電 流造成的第一級的第一時脈反向器C K I N V 1 _ 1的輸 出S B _ 1的起伏不是問題。雖然第二級的第一時脈反向 器的輸出S B _ 2由於漏電流而起伏,但由於從第一和第 二級的輸出S _ 1和S _ 2的N A N D運算得到的信號被 輸出作爲取樣脈衝S Μ P _ 1 ,故此起伏不干擾移位暫存 器的工作。借助於將η通道T F Τ 1 0 1加入到第三級 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -30- 564430 A7 B7 五、發明説明(28 ) 及其後續各級的第一時脈反向器C K I N V 1 ,防止了漏 電流,移位暫存器就能夠正常地工作。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 注意,在本實施例中,沒有爲無誤地防止P通道 TFT的漏電流而加入新的p通道TFT。通常,η通道 T F Τ的特性比ρ通道T F Τ更好,因此,確保防止η通 道T F Τ的漏電流是特別重要的。因此,上述用來防止漏 電流的結構是非常有效的。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 在本實施例的移位暫存器的第一級和第二級中,其第 一時脈反向器CKINV1的ρ通道TFT 501 a和 5 0 1 b能夠調換其位置。詳細地說,如圖1和1 2所示 ,一種能夠被採用的結構將源極連接到高電源電位V d d 的TFT設定爲ρ通道TFT 501 a。在此情況下, ρ通道T F T 5 0 1 a被按此順序串聯連接到ρ通道 TFT 501b,而ρ通道TFT 501b的汲極用 作第一時脈反向器CK I NV 1的輸出端子。另一種能夠 被採用的結構將源極連接到高電源電位V d d的T F T設 定爲P通道TFT501b。在此情況下,P通道501 b被按此順序串聯連接到P通道T F T 5 0 1 a ,而P通 道TFT 501a的汲極用作第一時脈反向器 C K I N V 1的輸出端子。 如上所述,有二種在第一時脈反向器CK I NV 1中 安置P通道TFT 50 1 a和501b的方法。在二種 安置方法的每一種中,η通道TFT 501d和501 c能夠調換其位置。詳細地說,如圖1和1 2所示,一種 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -31 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 564430 A7 B7 五、發明説明(29 ) 能夠被採用的結構將源極連接到低電源電位V s s的 TFT設定爲η通道TFT 50 1 d。在此情況下,η 通道T F Τ 5 0 1 d被按此順序串聯連接到η通道 TFT 501c ,而η通道TFT 501c的汲極用 作第一時脈反向器CK I NV 1的輸出端子。另一種能夠 被採用的結構將源極連接到低電源電位V s s的T F T設 定爲η通道TFT 501 c,且此η通道TFT 5 0 1 c被按此順序串聯連接到η通道TFT 50 1 d ,而η通道TFT 5 0 1 d的汲極用作第一時脈反向器 C K I N V 1的輸出端子。 在第一級電路和第二級電路中,相似於第一時脈反向 器CKINV1 ,第二時脈反向器CKINV2的p通道 TFT 5 0 1 a和5 0 1 b能夠調換其位置。第二時脈 反向器CKINV2的η通道TFT 501d和501 c也能夠調換其位置。 在本實施例移位暫存器的第三級電路以及第三級之後 的各級的電路中,其第一時脈反向器CK I NV 1的p通 道T F T 5 0 1 a和5 0 1 b能夠調換其位置。詳細地 說’如圖1和1 2所示,一種能夠被採用的結構將源極連 接到高電源電位Vd d的TFT設定爲p通道TFT 5 0 1 a。在此情況下,p通道TFT 50 1 a被按此 順序串聯連接到p通道T F T 5 0 1 b,而p通道 TFT 5 0 1 b的汲極用作第一時脈反向器 C K I N V 1的輸出端子。另一種能夠被採用的結構將源 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) M規格(2H)X297公楚)' "—'"- -32- ----------衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7_五、發明説明(30 ) 極連接到高電源電位V d d的T F T設定爲p通道T F T 501b,在此情況下,p通道TFT 501b被按此 順序串聯連接到P通道TFT 501 a,而p通道 TFT 5 0 1 a的汲極用作第一時脈反向器 CKINV1的輸出端子。 如上所述,有二種在第一時脈反向器CK I NV 1中 安置P通道TFT 501 a和501b的方法。在二種 安置方法的每一種中,η通道TFT 101 、501d 和5 0 1 c能夠調換其位置。詳細地說,如圖1和1 2所 示,一種能夠被採用的結構將源極連接到低電源電位 Vs s的TFT設定爲η通道TFT 101。在此情況 下,η通道TFT 1 0 1被按此順序串聯連接到η通道 TFT 501d和501c,而η通道TFT 501 c的汲極用作第一時脈反向器CKINV1的輸出端子。 .另一種能夠被採用的結構將源極連接到低電源電位V s s 的T F T設定爲η通道T F T 1 0 1。在此情況下,η 通道T F Τ 1 0 1被按此順序串聯連接到η通道T F Τ 501c和501d,而η通道TFT 501d的汲極 用作第一時脈反向器CK I NV 1的輸出端子。又一種能 夠被採用的結構將源極連接到低電源電位V s s的T F T 設定爲η通道TFT 501d。在此情況下,η通道 TFT 5 0 1 d被按此順序串聯連接到η通道T F T 101和501c ,而η通道TFT 501c的汲極用 作第一時脈反向器C K I N V 1的輸出端子。再一種能夠 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -33- 564430 A7 B7 五、發明説明(31 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
被採用的結構將源極連接到低電源電位V s s的T F 丁設 定爲η通道TFT 501c。在此情況下,η通道 TFT 5 0 1 c被按此順序串聯連接到η通道T F T
101和501d,而η通道TFT 501d的汲極用 作第一時脈反向器CK I NV 1的輸出端子。再一種能夠 被採用的結構將源極連接到低電源電位V s s的T F T設 定爲η通道TFT 501d。在此情況下,η通道 TFT 5 0 1 d被按此順序串聯連接到η通道T F T 501c和101 ,而η通道TFT 101的汲極用作 第一時脈反向器CKINV1的輸出端子。再一種能夠被 採用的結構將源極連接到低電源電位V s s的T F T設定 爲η通道TFT 501 c。在此情況下,η通道TFT 5 0 1 c被按此順序串聯連接到η通道T F T 5 0 1 d 和1 0 1 ,而η通道T F T 1 0 1的汲極用作第一時脈 反向器CKINV1的輸出端子。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 相似於第一級電路和第二級電路中的第二時脈反向器 CK I NV2,第三級及其後續各級中的第二時脈反向器 CKINV2的ρ通道TFT 501 a和501b也能 夠調換其位置。第二時脈反向器CK I NV2的η通道 TFT 501d和501c也能夠調換其位置。 在圖1和1 2中,構成移位暫存器各級的第一時脈反 向器CKINV1 、第二時脈反向器CKINV2、以及 反向器I N V的T F T,具有單閘極結構。但T F T不局 限於此,而是可以採用雙閘極結構或具有二個以上閘極的 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐 -34· 564430 Α7 Β7 五、發明説明(32 ) 多閘極結構。 本實施例可以與實施例1自由組合。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔實施例3〕 本實施例描述一種不同於圖1所示實施例2所構成的 移位暫存器。參照圖8來進行描述。在圖8中,與圖1相 同的元件用相同的參考號表示,其描述從略。 本發明的移位暫存器接收電壓幅度小於移位暫存器的 電源電壓(相當於高電源電位V d d與低電源電位V s s 之間的電位差)的起始脈衝S P和時脈脈衝C K。以上引 起第一時脈反向器的漏電流。本實施例利用下述結構來減 小漏電流。 在圖8中,η通道TFT 1 0 1被加入到構成移位 暫存器的第二級和第二級之後的各級中的第一時脈反向器 CKINV1。第k (k是等於或大於2和等於或小於I* 的自然數)級中的η通道TFT 10 1用1 0 1_1^表 示。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 η通道TFT 1 0 l_k的閘極被連接到第( k 一 2)級的第一時脈反向器CK I NVl_k — 2的輸 出端子。η通道TFT 1 0 l_k的源極被連接到低電 源電位V s s,而其汲極被連接到第一時脈反向器 CKINV1 — k的η通道TFT 501 d — k的源極 ο 加入到第二級的η通道T F Τ 1 0 1 _ 2的源極, 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(2】0X297公釐) -35- 564430 A7 ____B7 五、發明説明(33 ) 被連接到低電源電位V s s ,而其汲極被連接到第一時脈 反向器CKINV1 — 2的η通道TFT 5 0 1 d _ 2 的源極。 在圖8中,第一級反向器I NV_1的輸出通過延遲 電路110被輸入到第二級η通道丁FT 101_2的 閘極。此延遲電路1 1 〇由多個縱向連接的反向器電路組 成。但本發明不局限於此,具有任何熟知結構的電路都能 夠被自由地用作延遲電路1 1 0。 利用上述結構,當要斷路η通道T F T時,借助於延 遲第一級的輸出S _ 1 (第一級反向器I Ν V _ 1的輸出 )而得到的信號,被輸入到第二級的第一時脈反向器 CK I NV1 — 2中的η通道TFT 1 01_2的閘極 。此信號在被延遲大約半個時脈脈衝周期之後被輸入。於 是防止了 η通道T F T的漏電.流在第二級電路的第一時脈 反向器CK INV1 — 2中流動。 η通道T F Τ 1 0 1 _ 2的閘極能夠接收不是借助 於使第一級反向器I Ν V _ 1的輸出S _ 1延遲半個時脈 脈衝周期而得到的信號的其他信號。例如,可以輸入借助 於反轉第一級的第一時脈.反向器C Κ I Ν V 1 _ 1的輸出 S Β _ 1的極性而得到的信號。 輸入到η通道T F Τ 1 0 1 _ 2閘極的信號不局限 於上述信號,只要當η通道T F Τ的漏電流引起問題時η 通道TFT 1 0 1_2被斷路,以及只要當第二級的η 通道TFT 501 c和501 d都被接通時η通道 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) — ^衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -36- 564430 A7 _ B7_ 五、發明説明(34 ) TFT 101 — 2被接通即可。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在第k (k = 3或以上)級電路的第一時脈反向器中 ,借助於當η通道TFT 5 0 1 d 一 k要被斷路時將信 號SB — k — 2輸入到η通道TFT 1 0 1 一 k的閘極 ,η通道TFT 1 〇 1 一 k就被斷路。於是防止了 η通 道T F Τ的漏電流在第k級的第一時脈反向器 CK I NVl__k 中流動。 右起始脈衝S P以時間圖所不的方式被輸入,則漏電 流造成的第一級的第一時脈反向器的輸出S B _ 1的起伏 不是問題。換言之,在第一級的第一時脈反向器中,若第 一級的第一時脈反向器CKINV1_1的輸出SB_1 是借助於反轉被輸入的起始脈衝S P的極性而得到的信號 ,則漏電流造成的第一級的第一時脈反向器的輸出 S B _ 1的起伏不是問題。 因此,借助於將η通道T F Τ 1 0 1加入到第二級 及其後續各級中的第一時脈反向器C Κ I Ν V 1 ,防止了 漏電流,移位暫存器從而能夠正常地工作。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 參照圖9的時間圖來描述根據此實施例的移位暫存器 的驅動方法。圖9展不了通過延遲電路110被輸入到 TFT 101_2閘極的信號S_lR〇TFT 1 0 1 _ 2被信號S — 1 R 斷路,以便避免第二級的第 一時脈反向器CK I NV1 — 2的漏電流。 爲了無誤地防止p通道T F T的漏電流,沒有加入新 的P通道TFT。通常,η通道TFT的特性比p通道 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -37- 564430 A7 B7 五、發明説明(35 ) T F T更好,.因此,確保防止η通道T F T的漏電流特別 重要。因此,上述用來防止漏電流的結構非常有效° (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在本實施例的移位暫存器的第一級中,第一時脈反向 器 CKINV1 — 1 的 ρ 通道 TFT 501 a 和 501 b能夠調換其位置。詳細地說,如圖8所示,一種能夠被 採用的結構將源極連接到高電源電位V d d的T F T設定 爲P通道TFT 501 a。在此情況下,P通道TFT 5 0 1 a被按此順序串聯連接到p通道T F T 501b ,而P通道TFT 5 0 1 b的汲極用作第一時脈反向器 C K I N V 1 _ 1的輸出端子。另一種能夠被採用的結構 將源極連接到高電源電位V d d的T F T設定爲P通道 TFT 501b,在此情況下,p通道TFT 501 b被按此順序串聯連接到p通道T F T 5 0 1 a ,而p 通道TFT 5 0 1 a的汲極用作第一時脈反向器 CKINV1—1的輸出端子。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如上所述,有二種在第一時脈反向器 CKINV1 — 1中安置p通道TFT 501 a和 5 0 1 b的方法。在二種安置方法的每一種中,n通道 TFT 5 0 1 d和5 0 1 c能夠調換其位置。詳細地說 ’如圖8所示,一種能夠被採用的結構將源極連接到低電 源電位Vs s的TFT設定爲η通道TFT 501 d。 在此情況下,η通道T F T 5 0 1 d被按此順序串聯連 接到η通道TFT 501c,而η通道TFT 501 c的汲極用作第一時脈反向器C κ〗n V 1 — 1的輸出端 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇X;297公釐) -38- 564430 A7 B7 五、發明説明(36 ) 子。另一種能夠被採用的結構將源極連接到低電源電位 V s s的 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) TFT設定爲η通道TFT 501 c。在此情況下,η 通道T F Τ 5 0 1 c被按此順序串聯連接到η通道 TFT 501d,而η通道TFT 501d的汲極用 作第一時脈反向器CKINV1_1的輸出端子。 在第一級電路中,相似於第一時脈反向器 CKINV1_1 ,第二時脈反向器CKINV2_1的 p通道TFT 50 1 a和501b能夠調換其位置。第 二時脈反向器CKINV2—1的η通道TFT 501 d和5 0 1 c也能夠調換其位置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本實施例移位暫存器的第二級電路以及第二級之後 的各級的電路中,其第一時脈反向器CK I NV 1的ρ通 道T F T 5 0 1 a和5 0 1 b能夠調換其位置。詳細地 說,如圖8所示,一種能夠被採用的結構將源極連接到高 電源電位Vdd的TFT設定爲ρ通道TFT 501a 。在此情況下,P通道T F Τ 5 0 1 a被按此順序串聯 連接到P通道TFT 501b,而ρ通道TFT 5 0 1 b的汲極用作第一時脈反向器CK I NV 1的輸出 端子。另一種能夠被採用的結構將源極連接到高電源電位 Vdd的TFT設定爲ρ通道TFT 501b。在此情 況下’ P通道T F T 5 0 1 b被按此順序串聯連接到ρ 通道TFT 501a,而ρ通道TFT 501a的汲 極用作第一時脈反向器C K I N V 1的輸出端子。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210Χ297公釐) 一 -39- 564430 A7 ___B7_ 五、發明説明(37 )
如上所述,有二種在第一時脈反向器CK I NV 1中 安置P通道丁 FT 50 1 a和50 lb的方法。在二種 安置方法的每一種中,η通道TFT 101、501d 和5 0 1 c能夠調換其位置。詳細地說,如圖8所示,一 種能夠被採用的結構將源極連接到低電源電位V s s的 TFT設定爲η通道TFT 101。在此情況下,η通 道T F Τ 1 0 1被按此順序串聯連接到η通道T F Τ 5 0 1 d和5 0 1 c,而η通道T F Τ 5 0 1 c的汲極 用作第一時脈反向器CK I NV 1的輸出端子。另一種能 夠被採用的結構將源極連接到低電源電位V s s的T F T 設定爲η通道TFT 101。在此情況下,η通道 TFT 1 0 1被按此順序串聯連接到η通道T F T 501c和501d,而η通道TFT 50 Id的汲極 用作第一時脈反向器CK I NV 1的輸出端子。又一種能 夠被採用的結構將源極連接到低電源電位V s s的T F T 設定爲η通道TFT 501d。在此情況下,n通道 TFT 5 0 1 d被按此順序串聯連接到n通道τ F T
101和501 C ,而η通道TFT 501 c的汲極用 作第一時脈反向器C K I N V 1的輸出端子。再一種能夠 被採用的結構將源極連接到低電源電位V s s的T F T設 定爲η通道TFT 501c。在此情況下,η通道 TFT 5 0 1 c被按此順序串聯連接到n通道T F T 101和501d,而η通道TFT 501d的汲極用 作第一時脈反向器CK I NV 1的輸出端子。再一種能夠 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I — I — ^-----%! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11
•I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -40- 564430 A7 ___B7 五、發明説明(38 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 被採用的結構將源極連接到低電源電位V s s的T F T設 定爲η通道TFT 5 0 1 d。在此情況下,η通道 TFT 5 0 1 d被按此順序串聯連接到η通道T F T 501c和101 ,而η通道TFT 101的汲極用作 第一時脈反向器CK I NV 1的輸出端子。再一種能夠被 採用的結構將源極連接到低電源電位V s s的T F T設定 爲η通道TFT 501 c。在此情況下,n通道TFT 5 0 1 c被按此順序串聯連接到n通道T F T 5 0 1 d 和101 ,而η通道TFT 101的汲極用作第一時脈 反向器CKINV1的輸出端子。 相似於第一級電路中的第二時脈反向器C K I N V 2 _ 1,第二級及第二級之後的各級中的第二時脈反向器 CKINV2的p通道TFT 501a和501b也能 夠調換其位置。第二時脈反向器CK I NV2的η通道 TFT 50 1 d和501 c也能夠調換其位置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在圖8中,構成移位暫存器各級的第一時脈反向器 CKINV1 、第二時脈反向器CKINV2、以及反向 器I N V的T F T,具有單閘極結構。但T F T不局限於 此,而是可以採用雙閘極結構或具有二個以上閘極的多閘 極結構。 本實施例可以與實施例1自由組合。 〔實施例4〕 本實施例描述一種不同於實施例2或3所構成的移位 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公^ ' ' _ -41 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 564430 A7 _ B7_ 五、發明説明(39 ) 暫存器。 本實施例的移位暫存器是圖1所示構造的移位暫存器 的一種修正,並借助於從具有第一時脈反向器 CK I NV1中η通道TFT 1 0 1的第三級及其後續 級的各級中淸除其中輸入時脈脈衝C K或反向時脈脈衝 CKB的η通道TFT 5 0 1 d而得到。本實施例的移 位暫存器的結構被示於圖1 8。此移位暫存器與圖1相同 的元件用相同的參考號表示,其解釋從略。例如,圖1 8 中第三級的第一時脈反向器CKINV1不具有圖1的n 通道TFT 501d_3。圖18所示構造的移位暫存 器的輸出脈衝的時刻與圖1所示構造的移位暫存器相同。 圖1 8所示的結構具有數目與習知移位暫存器所具有 的相同的構成移位暫存器的T F T。但當移位暫存器接收 電壓幅度比移位暫存器電源電壓小的時脈脈衝和起始脈衝 時,圖1 8的結構能夠減小漏電流造成的第一時脈反向器 輸出電位的起伏。這樣得到的是一種以較小功率消耗工作 於高頻下且沒有諸如電源線雜訊和佔據面積大之類問題的 移位暫存器。 借助於從具有第一時脈反向器CKINV1中n通道 TFT 1 0 1的第二級及其後續級的各級中淸除其中輸 入時脈脈衝C K或反向時脈脈衝C K B的η通道T F T 5 0 1 d,圖8所示結構的移位暫存器能夠被修正以獲得 不同的結構。此結構被示於圖1 9。此移位暫存器與圖8 相同的元件用相同的參考號表示,其解釋從略。例如,圖 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) · ' ' -- -42- II ——.----·---------、τ-----#1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 564430 A7 ___ B7_ _ 五、發明説明(4〇 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 19中第二級的第一時脈反向器CKINV1不具有圖8 的η通道T F T 5 0 1 d — 2。圖1 9所示結構的移位 暫存器的輸出脈衝的時刻與圖8所示結構的移位暫存器相 同。 圖1 9所示的結構也具有數目與習知移位暫存器所具 有的相同的構成移位暫存器的T F T。但當移位暫存器接 收電壓幅度比移位暫存器電源電壓小的時脈脈衝和起始脈 衝時,圖1 9的結構能夠減小漏電流造成的第一時脈反向 器輸出電位的起伏。這樣得到的是一種以較小功率消耗工 作於高頻下且沒有諸如電源線雜訊和佔據面積大之類問題 的移位暫存器。 本實施例可以與實施例1 - 3中任何一個自由組合。 〔實施例5〕 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本實施例展示了移位暫存器的一個例子,其中被輸入 電壓幅度小於移位暫存器電源電壓(相當於高電源電位 V d d與低電源電位V s s之間的電位差)的起始脈衝 S P和時脈脈衝C K,且利用下述結構來減小由輸入這些 脈衝所造成的第一時脈反向器的漏電流。 在本實施例中,移位暫存器被構造成使流過第一時脈 反向器的P通道TFT 501 a和501b的漏電流被 減小。 圖2 1展示了本實施例的移位暫存器的結構。圖2 0 是圖2 1所示移位暫存器的時間圖。此處用來輸入起始脈 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -43- 564430 A7 B7 五、發明説明(41 ) 衝s P和時脈脈衝c K的時刻相似於實施例1中圖1所示 的移位暫存器的時刻,其詳細描述因而從略。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 但輸入到如圖2 1所示結構的移位暫存器的起始脈衝 的極性與輸入到實施例1圖1所示結構的移位暫存器的起 始脈衝的極性相反。圖2 1的移位暫存器和圖1的移位暫 存器接收相同的時脈脈衝C K和反向的時脈脈衝C K B。 在圖2 1所示的移位暫存器中,第三級及其後續級的 各級中的第一時脈反向器CK I NV1具有p通道TFT 1 1 0 1。用1 1 0 1 — k表示第k (k是等於或大於3 且等於或小於η的自然數)級的p通道T F T 1101 。Ρ通道T F 丁 1 1 0 1閘極的電連接如圖2 1所示; 一個級的Ρ通道T F Τ 1 1 0 1的閘極接收該級前二個 級的第一時脈反向器C Κ I Ν V 1的輸出。 利用圖2 1所示的結構,移位暫存器能夠減小流過第 一時脈反向器的ρ通道TFT 501 a和50 lb的漏 電流。這樣得到的是一種以較小功率消耗工作於高頻下且 沒有諸如電源線雜訊和佔據面積大之類問題的移位暫存器 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〇 在圖2 1所示的結構中,可以將另一個ρ通道TFT 1 1 0 1加入到第二級的時脈反向器C Κ I Ν V 1。此結 構被示於圖2 2。在圖2 2所示的結構中,用相同的參考 號表示與圖2 1相同的元件,其描述從略。在圖2 2中, 1 1 0表不的是延遲電路。第一級的第一時脈反向器 C Κ I Ν V 1的輸出,通過延遲電路1 1 〇被輸入到加在 I紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -44- 564430 A7 B7 五、發明説明(42 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第二級的第一時脈反向器CKINV1中的加入的p通道 TFT 1 1 0 1 _ 2的閘極。延遲電路1 1 〇將信號延 遲大約半個時脈脈衝周期。 利用圖2 2所示的結構,移位暫存器能夠減小流過第 一時脈反向器的P通道TFT 501 a和501b的漏 電流。這樣得到的是一種以較小功率消耗工作於高頻下且 沒有諸如電源線雜訊和佔據面積大之類問題的移位暫存器 〇 在圖2 1和2 2所示結構的移位暫存器中,可以從其 中加入了一個附加的p通道TFT 1101的第一時脈 反向器CK I NV 1中淸除其中輸入時脈脈衝CK或反向 時脈脈衝CKB的p通道TFT 501a。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
亦即,在圖2 1中,可以從其中加入了一個附加的p 通道T F T 1 1 0 1的第三級及其後續級的各級中的第 一時脈反向器CK I NV 1中淸除其中輸入時脈脈衝 CK或反向時脈脈衝CKB的p通道TFT 501a。 此結構被示於圖2 3。例如,圖2 3中第三級的第一時脈 反向器CK I NV1不具有圖2 1的p通道TFT 5 0 1 a _ 3。 在圖2 2中,可以從其中加入了一個附加的p通道 TFT 1 1 0 1的第二級及其後續級的各級中的第一時 脈反向器CKI NV1淸除其中輸入時脈脈衝CK或反向 時脈脈衝CKB的p通道TFT 50 1 a。此結構被示 於圖2 4。例如,圖2 4中第二級的第一時脈反向器 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -45- 564430 A7 __Β7 _ 五、發明説明(43 ) CKI NV1不具有圖8的p通道TFT 5 0 1 a _ 2 ο (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖2 3和2 4所示的結構具有數目與習知移位暫存器 所具有的相同的構成移位暫存器的T F Τ。但當移位暫存 器接收電壓幅度比移位暫存器電源電壓小的時脈脈衝和起 始脈衝時,圖2 3和2 4的結構能夠減小漏電流造成的第 一時脈反向器輸出電位的起伏。這樣得到的是一種以較小 功率消耗工作於高頻下且沒有諸如電源線雜訊和佔據面積 大之類問題的移位暫存器。 圖2 1 - 2 4的移位暫存器可以被修正,使從相鄰各 級的輸出S的Ν 0 R操作得到的信號作爲各級的輸出信號 被輸出。圖2 5展示了借助於修正圖2 1的移位暫存器, 使從相鄰各級的輸出的Ν ◦ R操作得到的信號作爲輸出信 號被輸出而得到的移位暫存器。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 注意,在圖2 5中,若在圖2 1中起始脈衝SP以時 間圖所示的方式被輸入,則漏電流造成的第一級的第一時 脈反向器CK I NV1_1的輸出SB_1的起伏不是問 題。雖然第二級的第一時脈反向器的輸出S B_2由於漏 電流而起伏,但由於電路將從第一級和第二級的輸出 S _ 1和S _ 2的N〇R操作得到的信號作爲取樣脈衝 SMP_1 ,這一起伏不干擾移位暫存器的工作。借助於 將P通道T F Τ 1 1 0 1加入到第三級及其後續各級中 的第一時脈反向器CKINV1 ,防止了漏電流,移位暫 存器因而能夠正常地工作。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) —" -46- 564430 A7 B7 五、發明説明(44 )
本實施例可以與實施例1 - 4中任何〜個自由組A (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔實施例6〕 根據本發明的移位暫存器及其驅動方法,能夠被用於 顯示器件的驅動電路。 例如,採用E L元件的E L (電致發光)顯示器件的 驅動電路以及採用液晶元件的液晶顯示器件的驅動電路, 能夠使用根據本發明的移位暫存器及其驅動方法。利用本 發明,能夠提供尺寸小而功率消耗低的高可靠顯示器件。 E L兀件指的是一種當電壓被施加到中間夾著e L層 的一對電極(陽極和陰極)時發光的元件。EL層可以由 有機化合物或無機化合物製成,或由有機化合物與無機化 合物的混合物製成。包括含有有機化合物作爲其主要成分 的E L層的元件,此處被特別稱爲〇L E D (有機發光二 極體)元件。採用〇L E D的顯示器件被稱爲〇 L E D顯 示器件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 0 L E D元件的E L層指的是有機化合物層。有機化 合物層通常具有疊層結構。其典型的疊層結構是柯達公司 Tang等人提出的有電洞輸運層、發光層、以及電子輸運層 組成的那種。疊層結構的其他例子包括在陽極上依次層疊 電洞注入層、電洞輸運層、發光層、以及電子輸運層的那 種,以及在陽極上依次層疊電洞注入層、電洞輸運層、發 光層、電子輸運層、以及電子注入層的那種。可以用螢光 顔料之類對發光層進行摻雜。上述的電洞注入層、電洞輸 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -47- 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A 7 _B7五、發明説明(45 ) 運層、發光層、電子輸運層、電子注入層、以及其他的層 ,都被包括在有機化合物層中。給定的電壓從一對電極( 陽極和陰極)被施加到如上構造的有機化合物層,以便在 其發光層中引起載流子複合。結果,發光層就發光。 有機化合物層中的各個層不總是可以彼此淸晰地區分 ,相鄰層之間的一個有機化合物層可能具有混合了相鄰層 的材料的層。 本說明書中的〇L E D元件指的是採用單重態激發來 發光(螢光)的元件、採用三重態激發來發光(磷光)的 元件、或採用二者的元件。 圖1 3是方框圖,展示了顯示器件結構的例子。在圖 1 3中,顯示器件7 0 0由源信號線驅動電路7 0 1、閘 極信號線驅動電路7 0 2、以及像素部分7 0 3組成。源 信號線驅動電路7 0 1由移位暫存器7 0 4、第一閂鎖電 路7 0 5、以及第二閂鎖電路7 0 6組成。閘極信號線驅 動電路7 0 2由移位暫存器7 0 7組成。 在像素部分7 0 3中,信號從源信號線驅動電路 7 0 1輸入其中的多個源信號線被排列成列,而信號從閘 極信號線驅動電路7 0 2輸入其中的多個閘極信號線被排 列成行。像素被置於源信號線與閘極信號線彼此相交的各 個交點處。 若顯示器件7 0 0是〇L E D顯示器件,則各個像素 具有〇L E D元件。若顯示器件7 0 0是液晶顯示器件, 則各個像素具有液晶元件。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -48- 564430 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(46 ) 根據來自移位暫存器7 0 7的信號,閘極信號線驅動 電路7 0 2將信號順序輸出到閘極信號線,以便選擇像素 部分7 0 3的像素行。當信號從移位暫存器7 0 4被輸入 時,源信號線驅動電路7 0 1將視頻信號順序保持在第一 閂鎖電路7 0 5中。保持在第一閂鎖電路7 0 5中的視頻 信號被傳送到第二閂鎖電路7 0 6,並被輸入到源信號線 。以這種方式,信號被輸入到一行像素。這一操作對所有 的像素行重復,以顯示一個圖像。 例如,〇L E D顯示器件的各個像素由開關T F T和 〇L E D驅動T F T組成。開關T F T用作開關,用來根 據閘極信號線的信號決定是否將源信號線的信號輸入到像 素。OLED驅動TFT根據開關TFT被接通時從源信 號線輸入的信號而控制流入像素的0 L E D元件的電流。 可以自由地採用任何已知的像素結構。 根據本發明的移位暫存器及其驅動方法,能夠被用於 源信號線驅動電路7 0 1的移位暫存器7 0 4以及閘極信 號線驅動電路7 0 2的移位暫存器7 0 7。 本實施例可以與實施例1 - 5中的任何一個自由地組 合。 〔實施例7〕 本實施例描述本發明的一種實際裝配的移位暫存器。 其俯視圖被示於圖1 5。圖1 5的俯視圖展示了對應於圖 1中移位暫存器第三級及其後續各級中的一個級。圖1 5 —----------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -49- 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(47 ) 的俯視圖展示了第k ( k是等於或大於3的自然數)級 S R _ k。 第k級S R_k具有第一時脈反向器 CK I NVl_k、第二時脈反向器 CK I NV2_k、 以及反向器I NV_k。圖1 5中與圖1相同的元件用相 同的參考號表示。 第一時脈反向器CK I NV1 — k具有p通道TFT 5 0 1 a — k和50 lb — k.,在圖中分別用 pchTFT 5〇13_垃和0〇:11丁?丁 501b —k表示。第一時脈反向器CK I 還具有η通 道 TFT 501c — k、501d — k 和 l〇l_k, 在圖中分別用nchTFT 501c _ k、 nchTFT 101d_k^[] nchTFT 101 — k表示。n通道TFT 101_k被用來抗漏 電。 C K和C K B分別表示其中輸入時脈脈衝的佈線以及 其中輸入反向時脈脈衝的佈線。借助於反轉時脈脈衝的極 性而得到反向時脈脈衝。V d d表示其中輸入高電源電位 的電源線。V s s表示其中輸入低電源電位的電源線。 在圖中,A和B所表示的佈線分別被連接到前級(第 (k 一 1 )級)的A ’和B ’ 。在前級和後級(第( k — 1 )級和第(k + 1 )級)的電路中,用來將信號輸 入到T F T 5 0 1 d閘極的佈線c k i η 1 ,被連接到 佈線C Κ Β,而用來將信號輸入到τ F Τ 5 0 1 a閘極 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I ----:---IT------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -50- 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _____ B7 _五、發明説明(48 ) 的佈線C k i η 2,被連接到佈線C K。 加入到第k級第一時脈反向器CK I NV 1_1^的11 通道T F T 1 0 1 _ k的閘極,接收對應於前級(第( k — 2)級)的第一時脈反向器CK I NVl_k — 2的 輸出的信號S B _ k - 2。(注意,信號和從中輸出信號 的端子或佈線用相同的參考號表示)。在圖1 5中, SB 一 k — 2表示第(k — 2 )級的第一時脈反向器的輸 出端子和第(k - 2 )級的第二時脈反向器的輸出端子。 圖1 6是俯視圖,展示了移位暫存器的3個級結構。 圖1 6中與圖1 5相同的元件用相同的參考號表示,其解 釋從略。 圖1 6展示了移位暫存器的第k級到第(k + 2 )級 SR — k 到 SR_k + 2。第(k + 2)級 SR— k + 2 的第一時脈反向器CKINVl_k+2的η通道TFT 1 0 1 — k + 2的閘極接收從第k級S R _ k的第一時脈 反向器CK I NV 1 一 k的輸出端子輸出的信號S B — k 。在圖1 5中,SB — k表示第k級的第一時脈反向器的 輸出端子和第k級的第二時脈反向器的輸出端子。 在圖1 5和1 6所示結構的移位暫存器中,即使當輸 入的脈衝信號(時脈脈衝、反向時脈脈衝、以及起始脈衝 )的電壓幅度小於電源電壓時,η通道TFT 1 0 1也 能夠防止漏電流造成的輸出電位起伏。 本實施例可以與實施例1 - 6中的任何一個自由地組 合0 I-------------„---IT------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X:297公釐) -51 - 564430 A7 B7 五、發明説明(49 ) 〔實施例8〕 本實施例參照其剖面圖描述本發明的一種實際裝配的 移位暫存器。 沿圖1 5中a — a ’線的剖面圖被示於圖1 7。圖 1 7中與圖1 5相同的元件用相同的參考號表示,其解釋 從略。 p 通道 TFT (圖中的 pchTFT) 501a — k 和501b_k以及η通道TFT (圖中的nchTFT )501c — k、501d — k 和 101 — k,被製作在 具有絕緣表面的基底800上。801和802表示的分 別是閘極絕緣膜和層間絕緣膜。 p通道TFT 50 1 3_1^在其作用層內具有用作 源極區的雜質區8 8 1和8 8 5、用作通道區的區域 89 1和894。雜質區882和884用作汲極區。雜 質區8 8 5通過佈線8 1 0被電連接到電源線V d d。p 通道TFT 501 3_1^是雙閘極TFT,它具有電連 接在不覆蓋作用層的部分內的閘極8 0 3和8 0 6。閘極 8 0 3通過佈線C k i η 2被電連接到佈線C K B。 Ρ通道TFT 50 1 1)_1^在其作用層內具有用作 源極區的雜質區8 8 2和8 8 4、用作汲極區的雜質區 8 8 3、以及用作通道區的區域8 9 2和8 9 3。P通道 TFT 5 0 1 1^_1^是雙閘極TFT,它具有電連接在 不覆蓋作用層的部分內的閘極8 0 4和8 0 5。閘極 804被電連接到端子S_k-1。用作汲極區的雜質區 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) II-II——麵-丨 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 P. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -52- 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _;_____B7_五、發明説明(5〇 ) 8 8 3被連接到端子S B _ k。 P通道T F T 5 0 1 a — k的汲極區和p通道 TFT 5 0 1 b_k的源極區被彼此直接連接在作用層 〇 η通道TFT 5 0 1 c— k在其作用層中具有用作 汲極區的雜質區886、用作源極區的雜質區887、以 及用作通道區的區域8 9 5。用作汲極區的雜質區8 8 6 通過佈線8 1 1被連接到端子S B _ k。閘極8 0 7被連 接到端子S — k - 1。 η通道TFT 5 0 1 (1_1^在其作用層中具有用作 汲極區的雜質區8 8 7、用作源極區的雜質區8 8 8、以 及用作通道區的區域8 9 6。閘極8 0 8通過佈線 C k i η 1被連接到佈線C K。 η通道TFT 10l_k在其作用層中具有用作汲 極區的雜質區888、用作源極區的雜質區889、以及 用作通道區的區域8 9 7。閘極8 0 9被連接到端子 SB_k — 2。用作源極區的雜質區889被電連接到電 源線V s s。 η通道TFT 5 0 1 c_k的源極區和η通道 TFT 5 0 1 d_k的汲極區被彼此直接連接在作用層 。η通道TFT 50 1 d_k的源極區和η通道TFT 1 0 1_1^的汲極區被彼此直接連接在作用層。 上面給出的是對實際裝配的本發明移位暫存器剖面圖 的描述。在本發明的移位暫存器中,即使當輸入的脈衝信 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -53- 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _ _B7五、發明説明(51 ) 號(時脈脈衝、反向時脈脈衝、以及起始脈衝)的電壓幅 度小於電源電壓時,η通道T F T 1 〇 1也能夠防止漏 電流造成的輸出電位起伏。 本實施例可以與實施例1 - 7中的任何一個自由地組 合。 〔實施例9〕 在本實施例中,將在圖1 4Α - 1 4 F中描述一種利 用顯示器件的電子裝置,此顯示器件包含驅動電路,此驅 動電路包括根據本發明的移位暫存器。 圖1 4 Α是採用本發明顯示器件的攜帶型資訊終端的 示意圖。此攜帶型資訊終端包含主體2 7 0 1 a、操作開 關270 lb、電源開關2701 c、天線2701 d、 顯示單元2701 e、以及外部輸入璋270 1 f。本發 明的顯示器件能夠被用於顯示單元2 7 0 1 e。 圖1 4 B是採用本發明的顯示器件的個人電腦的示意 圖。此個人電腦包含主體2702a、機箱2702b、 顯示單元2702c、操作開關2702d、電源開關 2 7 0 2 e、以及外部輸入璋2 7 0 2 f。本發明的顯示 器件能夠被用於顯示單元2 7 0 2 c。 圖1 4 C是採用本發明的顯示器件的放像機。此放像 機包含主體2703 a、機箱2703b、記錄媒質 2703 c、顯示單元2703 d、聲音輸出單元 2703 e、以及操作開關2703 f 。本發明的顯示器 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格( 210X297公釐) !:----P! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 f -54 - 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明(52 ) 件能夠被用於顯示單元2 7 0 3 d。 圖1 4 D是採用本發明的顯示器件的電視機的示意圖 。此電視機包含主體2 7 0 4 a、機箱2 7 0 4 b、顯示 單元2 7 0 4 c、以及操作開關2 7 0 4 d。本發明的顯 示器件能夠被用於顯示單元2 7 0 4 c。 圖1 4 E是採用本發明的顯示器件的頭戴式顯示器的 示意圖。此頭戴式顯示器包含主體2705a、監視器單 元2705b、頭部固定帶2705 c、顯示單元 2 7 0 5 d、以及光學系統2 7 0 5 e。本發明的顯示系 統能夠被用於顯示單元2 7 0 5 d。 圖1 4 F是採用本發明的顯示器件的攝像機。此攝像 機包含主體2706a、機箱2706b、連接單元 2706 c、圖像接收單元2706d、目鏡單元 2706e、電池2706f、聲音輸入單元2706g 、以及顯示單元2 7 0 6 h。本發明的顯示器件能夠被用 於顯示單元2 7 0 6 h。 / 本發明的應用不局限於上述電子設備,還可以應用於 各種各樣的其他電子設備。 本實施例能夠與實施例1 - 8中的任何一個自由地組 合實施。 〔實施例1 0〕 在本實施例中,製造了在一個基底上配備有習知移位 暫存器和本發明的移位暫存器的平板。在本實施例中,將 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇Χ;297公釐) 一 -55- I — I — 卜--------,——^------Φ, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 564430 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(53 ) 描述上述平板工作的測量結果。輸入信號電壓被設定爲1 一 3 V,且只要移位暫存器正常地工作,電源電壓的幅度 就被提高。注意,此時頻率被設定爲5 Μ Η z。 習知移位暫存器在一1·5-5.5V的電源電壓範 圍內正常地工作,其電源電壓的幅度爲7 · 0V。另一方 面,本發明的移位暫存器在-5·0-7.5V的電源電 壓範圍內正常地工作,其電源電壓的幅度爲1 2 . 5V。 根據上述測量結果,由於當採用本發明的移位暫存器 時,比採用習知移位暫存器時提高了裕度,故能夠抑制 T F Τ特性不規則性的影響。而且,本發明的移位暫存器 能夠將信號從移位暫存器精確地饋送到其他電路。 〔實施例1 1〕 從上表面拍攝的根據本發明的移位暫存器的照片被示 於圖2 7。作爲具體的規格,輸入信號的電壓幅度被設定 爲3 · 0V,而電源電壓被設定爲8 · 0V。 而且,根據本發明的移位暫存器在5ΜΗ ζ頻率下工 作過程中的波形被示於與2 8。圖2 8展示了起始脈衝、 時脈脈衝、以及移位暫存器輸出的信號的波形。注意,雖 然第一級的波形在移位暫存器輸出的信號中大了半個脈衝 ,但由於利用第二級來執行N A N D操作,故不存在特別 的問題。 電壓幅度小於移位暫存器電源電壓的時脈脈衝和起衣台 脈衝被輸入到移位暫存器。提供了一種在高頻下以較小功 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I—I—r-----#! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -56- 564430 A7 __ B7__ 五、發明説明(54 ) 率消耗來驅動移位暫存器的方法,此方法不存在諸如電源 線雜訊和佔據大面積之類的問題。 借助於在使用上述驅動方法過程中將構成第二時脈反 向器的T F T的閘極寬度設定爲寬於現有技術的,減小了 漏電流。 而且,另一個TFT被加入到第一時脈反向器。電源 電位通過加入的T F T的源-漏而被輸出到第一時脈反向 器的輸出端子。電壓幅度大約與移位暫存器電源電壓相同 的信號,被輸入到加入的T F T的閘極。當漏電流引起問 題時,加入的T F T被斷路。以這種方式,流在第一時脈 反向器中的電流(漏電流)被截斷。 利用上述結構,能夠在移位暫存器中獲得低電源電壓 的高頻運行和尺寸的減小。 --------------:---訂------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -57-
Claims (1)
- 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 1 1 . 一種驅動移位暫存器的方法,此移位暫存器包含 第一和第二時脈反向器,第一和第二時脈反向器各與時脈 脈衝和借助於反轉時脈脈衝的極性而得到的反向時脈脈衝 同步地輸出信號, 其中第一時脈反向器的輸出端子被連接到第二時脈反 向器的輸出端子, 其中第二時脈反向器接收借助於反轉第一時脈反向器 的輸出信號的極性而得到的信號,且 其中時脈脈衝和反向時脈脈衝的電壓幅度小於第一時 脈反向器和第二時脈反向器的電源電壓。 2 .根據申請專利範圍第1項的驅動移位暫存器的方 法,其中第一時脈反向器和第二時脈反向器的高電源電位 與時脈脈衝和反向時脈脈衝的最高電位之間的電位差的絕 對値,大於構成第一時脈反向器的P通道T F T的起始電 壓的絕對値。 3 .根據申請專利範圍第1項的驅動移位暫存器的方 法,其中第一時脈反向器和第二時脈反向器的低電源電位 與時脈脈衝和反向時脈脈衝的最低電位之間的電位差的絕 對値,大於構成第一時脈反向器的η通道T F T的起始電 壓的絕對値。 4.一種驅動具有多個級的移位暫存器的方法,各級 包含第一和第二時脈反向器,第一和第二時脈反向器各與 時脈脈衝和借助於反轉時脈脈衝的極性而得到的反向時脈 脈衝同步地輸出信號, 本紙張尺度適用中國國家操準(CNS〉Α4規格(210X297公釐) (請先閲'«背面之注意事項再填寫本頁) -58- 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8々、申請專利範圍 2 其中第一時脈反向器的輸出端子被連接到第二時脈反 向器的輸出端子,.. 其中第二時脈反向器接收借助於反轉第一時脈反向器 的輸出信號的極性而得到的信號, 其中時脈脈衝和反向時脈脈衝的電壓幅度小於相當於 提供給第一時脈反向器和第二時脈反向器的第一電源電位 與第二電源電位之間的電位差的電源電壓, 其中第一時脈反向器的第一電源電位通過第一η通道 T F Τ和串聯連接到第一 η通道T F Τ的第二η通道 T F Τ,被提供給第一時脈反向器的輸出端子, 其中借助於反轉從前級第一時脈反向器輸出的信號的 極性而得到的信號,被輸入到第一 η通道T F Τ的閘極, 且 其中電位大約與第一電源電位具有相同水平的信號, 被輸入到第二η通道T F 丁的閘極,以斷路第二η通道 T F Τ 〇 5 . —種驅動具有多個級的移位暫存器的方法,各級. 包含第一和第二時脈反向器,第一和第二時脈反向器各與 時脈脈衝和借助於反轉時脈脈衝的極性而得到的反向時脈 脈衝同步地輸出信號, 其中第一時脈反向器的輸出端子被連接到第二時脈反 向器的輸出端子, 其中第二時脈反向器接收借助於反轉第一時脈反向器 的輸出信號的極性而得到的信號, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4*見格(210X297公釐) " -59- 564430 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、 申請專利範圍 3 其 中 時 脈脈 衝 和 反 向 時脈脈衝的電壓幅 度小 於相當於 提 供給 第 一 時脈 反 向 器 和 第二時脈反向器的 第一 電源電位 與 第二 電 源 電位 之 間 的 電 位差的電源電壓, 其 中 第 一時 脈 反 向 器 的第二電源電位通 過第 一 P通道 T FT 和 串 聯連 接 到 第 —» p通道TFT的第 二 P 通道 T FT 被 提供 給 第 一 時 脈反向器的輸出端 子, 其 中借助於反 轉 從前 級第一時脈反向器 輸出 的信號的 極 性而 得 到的信 號 , 被 輸 入到第一P通道T FT 的閘極, 且 其 中 電 位大約 與 第 二 電源電位的水平相 同的 信號,被 輸 入到 第 二 P通 道 T F T 的閘極,以斷路第 二 P 通道 T FT 〇 6 • 一 種驅 動 具 有 r (r是等於或大於 3的 自然數) 個 級的移位 暫存 器 的 方法 ,r個級中的各級 包含 第一和第 二 時脈 反 向 器, 第 一 和 第 二時脈反向器各與 時脈 脈衝和借 助於反 轉 時 脈脈 衝 的 極 性而得到的反向時脈 脈衝 同步地輸 出 信號 9 其 中 第 一時 脈 反 向 器 的輸出端子被連接 到第 二時脈反 向 器的 輸 出 端子 , 其 中 第 二時 脈 反 向 器 接收借助於反轉第 一時 脈反向器 的 輸出 信 號 的極 性而 得 到 的信號, 其 中 時 脈脈 衝 和 反 向 時脈脈衝的電壓幅 度小於相當於 提 供給 第 一 時脈 反 向 器 和 第二時脈反向器的 第一 電源電位 與 第二 電 源 電位 之 間 的 電 位差的電源電壓, (請先閲噸背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2IOX297公嫠) -60- 564430 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、 申請專利範圍 4 其 中 在 第 k ( k是 等 於或大於 3 且 等 於或小於 r 的 白 然 數 ) 級 中 第一 時脈 反 向 器的 第 — 電 源 電 位通 過 第 —k η 通 道 T F T 和 串聯 連接 到 第 一 η 通 道 Τ F Τ 的第 二 η 通 道 T F T 被 提 供給 第一 時 脈 反向 器 的 輸 出 端 子, 其 中 借助於反 轉從 第 ( k - 1 ) 級 第 一 時脈 反 向 器 輸 出 的 信 號 的 極 性而得到 的 信 號, 被 輸 入 到 第 —η 通 道 T F T 的 閘 極 ,且 其 中從 第 (k 一 2 ) 級 第一 時 脈 反 向 器 輸出 的 信 號 5 被 輸 入 到 第 二 η通 道T F T 的閘 極 〇 7 • 一 種 驅動 具有 r ( r是 等 於或大於 3的 白 然 數 ) 個 級 的 移 位 暫 存器 的方法 1 r個 級 中 的 各 級 包含 第 — 和 第 二 時 脈 反 向 器 ,第 一和 第 二 時脈 反 向 器 各 與 時脈 脈 衝 和借 助於反 轉 時 脈 脈衝 的極 性而得到 的反 向 時 脈 脈衝 同 步地 輸 出 信 號 其 中 第 —^ 時脈 反向 器 的 輸出 端 子 被 連 接 到第 二 時 脈 反 向 器 的 輸 出 端 子, 其 中 第 二 時脈 反向 器 接 收借助於反 轉 第 一時 脈 反 向 器· 的 輸 出 信 號 的 極性而得到 的 信號 j 其 中 時 脈 脈衝 和反向 時 脈脈 衝 的 電 壓 幅 度小於相 當 於 提 供 給 第 一 時 脈反 向器 和 第 二時 脈 反 向 器 的 第一 電 源 電 位 與 第 二 電 源 電 位之 間的 電 位 差的 電 源 電 壓 j 其 中在 第 j ( j是 等 於或大於 2 且 等 於或小於 r 的 白 然 數 ) 級 中 第一 時脈 反 向 器的 第 一 電 源 電 位通 Μ 第 一 η 通 道 T F T 和 串聯 連接 到 第 —η 通 道 Τ F Τ 的第 二 η 通 道 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 、1T f -61 - 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 5 T F T,被提供給第一時脈反向器的輸出端子, 其中借助於反轉從第(j - 1 )級第一時脈反向器輸 出的信號的極性而得到的信號,.被輸入到第一 η通道 T F 丁的閘極, 其中在第二級中,第二η通道T F Τ的閘極接收借助 於反轉從第一級第一時脈反向器輸出的信號的極性而得到 的並被延遲了的信號,且 其中在第k‘( k是等於或大於3且等於或小於r的自 然數)級中,從第(k - 2 )級第一時脈反向器輸出的信 號,被輸入到第二η通道T F T的閘極。 8 · —種驅動具有I* (r是等於或大於3的自然數) 個級的移位暫存器的方法,r個級中的各級包含第一和第 二時脈反向器,第一和第二時脈反向器各與時脈脈衝和借 助於反轉時脈脈衝的極性而得到的反向時脈脈衝同步地輸 出信號, 其中第一時脈反向器的輸出端子被連接到第二時脈反 向器的輸出端子, 其中第二時脈反向器接收借助於反轉第一時脈反向器 的輸出信號的極性而得到的信號, 其中時脈脈衝和反向時脈脈衝的電壓幅度小於相當於 提供給第一時脈反向器和第二時脈反向器的第一電源電位 與第二電源電位之間的電位差的電源電壓, 其中在第j ( j是等於或大於2且等於或小於r的自 然數)級中,第一時脈反向器的第一電源電位通過第一 η 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) (請先閲脅背面之注意事項再填寫本頁) -62- 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8—D8 六、申請專利範圍 6 通道T F T和串聯連接到第一 n通道T F T的第二n通道 T F Τ,被提供給第一時脈反向器的輸出端子, 其中借助於反轉從第(j - 1 )級第一時脈反向器輸 出的信號的極性而得到的信號,被輸入到第一 η通道 T F 丁的閛極, 其中在第二級中,第二η通道T F Τ的閘極接收借助 於反轉從第一級第一時脈反向器輸出的信號的極性而得到 的並被延遲了大約半個時脈脈衝和反向時脈脈衝周期的信 號,且 其中在第k (k是等於或大於3且等於或小於r的自 然數)級中,從第(k - 2 )級第一時脈反向器輸出的信 號,被輸入到第二η通道T F T的閘極。 9 · 一種驅動具有r (r是等於或大於3的自然數) 個級的移位暫存器的方法,r個級中的各級包含第一和第 二時脈反向器,第一和第二時脈反向器各與時脈脈衝和借 助於反轉時脈脈衝的極性而得到的反向時脈脈衝同步地輸 出信號, 其中第一時脈反向器的輸出端子被連接到第二時脈反 向器的輸出端子, 其中第二時脈反向器接收借助於反轉第一哮脈反向器 的輸出信號的極性而得到的信號, 其中時脈脈衝和反向時脈脈衝的電壓幅度小於相當於 提供給第一時脈反向器和第二時脈反向器的第一電源電位 與第二電源電位之間的電位差的電源電壓, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) : -63- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 _六、申請專利範圍 7 其中在第k(k是等於或大於3且等於或小於r的自 然數)級中,第一時脈反向器的第二電源電位通過第一 P 通道T F T和串聯連接到第一 p通道TF T的第二P通道 T F T,被提供給第一時脈反向器的輸出端子, 其中借助於反轉從第(k - 1 )級第一*時脈反向器輸 出的信號的極性而得到的信號,被輸入到第一 P通道 丁 F T的閘極,且 其中從第(_ k - 2 )級第一時脈反向器輸出的信號, 被輸入到第二P通道T F T的閘極。 10.—種驅動具有r (r是等於或大於3的自然數 )個級的移位暫存器的方法,r個級中的各級包含第一和 第二時脈反向器,第一和第二時脈反向器各與時脈脈衝和 借助於反轉時脈脈衝的極性而得到的反向時脈脈衝同步地 輸出信號, 其中第一時脈反向器的輸出端子被連接到第二時脈反 向器的輸出端子, 其中第二時脈反向器接收借助於反轉第一時脈反向器. 的輸出信號的極性而得到的信號, 其中時脈脈衝和反向時脈脈衝的電壓幅度小於相當於 提供給第一時脈反向器和第二時脈反向器的第一電源電位 與第二電源電位之間的電位差的電源電壓, 其中在第j ( j是等於或大於2且等於或小於r的自 然數)級中,第一時脈反向器的第二電源電位通過第一 p 通道T F T和串聯連接到第一 P通道T F T的第二p通道 氏張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲嘰背面之注意事項再填寫本頁) -64- 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 8 T F T,被提供給第一時脈反向器的輸出端子, 其中借助於反轉從第(j - 1 )級第一時脈反向器輸 出的信號的極性而得到的信號,被輸入到第一 P通道 T F T的閘極, 其中在第二級中,第二P通道T F T的閘極接收借助 於反轉從第一級第一時脈反向器輸出的信號的極性而得到 的並被延遲了的信號,且 其中在第k ( k是等於或大於3且等於或小於r的自 然數)級中,從第(k - 2 )級第一時脈反向器輸出的信 號,被輸入到第二P通道TFT的閘極。 11·一種驅動具有r (r是等於或大於3的自然數 )個級的移位暫存器的方法,r個級中的各級包含第一和 第二時脈反向器,第一和第二時脈反向器各與時脈脈衝和 借助於反轉時脈脈衝的極性而得到的反向時脈脈衝同步地 輸出信號, ’ 其中第一時脈反向器的輸出端子被連接到第二時脈反 向器的輸出端子, 其中第二時脈反向器接收借助於反轉第一時脈反向器 的輸出信號的極性而得到的信號, 其中時脈脈衝和反向時脈脈衝的電壓幅度小於相當於 提供給第一時脈反向器和第二時脈反向器的第一電源電位 與第二電源電位之間的電位差的電源電壓, 其中在第j ( j是等於或大於2且等於或小於r的自 然數)級中,第一時脈反向器的第二電源電位通過第一 p 本·^:尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格( 210X297公釐) : -65 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 564430 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 9 通道T F T和串聯連接到第一 p通道T F T的第二p通道 TFT,被提供給第一時脈反向器的輸出端子, 其中借助於反轉從第(j - 1 )級第一時脈反向器輸 出的信號的極性而得到的信號,被輸入到第一 p通道 T F T的閘極, 其中在第二級中,第二p通道T F T的閘極接收借助 於反轉從第一級第一時脈反向器輸出的信號的極性而得到 的並被延遲了大約半個時脈脈衝和反向時脈脈衝周期的信 號,且 其中在第k (k是等於或大於3且等於或小於r的自 然數)級中,從第(k - 2 )級第一時脈反向器輸出的信 號,被輸入到第二P通道TFT的閘極。 1 2 . —種採用根據申請專利範圍第1項的驅動移位 暫存器的方法的驅動電路。 1 3 . —種採用根據申請專利範圍第4項的驅動移位 暫存器的方法的驅動電路。 1 4 . 一種採用根據申請專利範圍第5項的驅動移位. 暫存器的方法的驅動電路。 1 5 . —種採用根據申請專利範圍第6項的驅動移位 暫存器的方法的驅動電路。 . 1 6 . —種採用根據申請專利範圍第7項的驅動移位 暫存器的方法的驅動電路。 1 7 . —種採用根據申請專利範圍第8項的驅動移位 暫存器的方法的驅動電路。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 1〇 1 8 . —種採用根據申請專利範圍第9項的驅動移位 暫存器的方法的驅動電路。 1 9 . 一種採用根據申請專利範圍第1 0項的驅動移 位暫存器的方法的驅動電路。 2 0 . —種採用根據申請專利範圍第1 1項的驅動移 位暫存器的方法的驅動電路。 2 1 . —種包括根據申請專利範圍第1 2項的驅動電 路的顯示器件。’ 2 2 . —種包括根據申請專利範圍第1 3項的驅動電 路的顯示器件。 2 3 . —種包括根據申請專利範圍第1 4項的驅動電 路的顯示器件。 2 4 . —種包括根據申請專利範圍第1 5項的驅動電 路的顯示器件。 2 5 . —種包括根據申請專利範圍第1 6項的驅動電 路的顯示器件。 2 6 . —種包括根據申請專利範圍第1 7項的驅動電. 路的顯示器件。 2 7 . —種包括根據申請專利範圍第1 8項的驅動電 路的顯示器件。 . 2 8 . —種包括根據申請專利範圍第1 9項的驅動電 路的顯示器件。 2 9 . —種包括根據申請專利範圍第2 0項的驅動電 路的顯示器件。 (請先閲靖背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -67- 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 11 3 0 . —種採用根據申請專利範圍第2 1項的顯示器 件的電子裝置。 3 1 · —種採用根據申請專利範圍第2 2項的顯示器 件的電子裝置。 3 2 . —種採用根據申請專利範圍第2 3項的顯示器 件的電子裝置。 3 3 . —種採用根據申請專利範圍第2 4項的顯示器 件的電子裝置。 3 4 . —種採用根據申請專利範圍第2 5項的顯示器 件的電子裝置。 3 5 . —種採用根據申請專利範圍第2 6項的顯示器 件的電子裝置。 3 6 . —種採用根據申請專利範圍第2 7項的顯示器 件的電子裝置。 3 7 . —種採用根據申請專利範圍第2 8項的顯示器 件的電子裝置。 3 8 . —種採用根據申請專利範圍第2 9項的顯示器. 件的電子裝置。 39.—種移位暫存器,它包含第一時脈反向器、第 二時脈反向器、以及反向器, 其中第一時脈反向器的輸出端子被連接到第二時脈反 向器的輸出端子, 其中第一時脈反向器的輸出端子被連接到反向器的輸 入端子,且 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) : -68 - (請先閲脅背面之注意事項再填寫本頁) 訂 f 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 12 其中構成第二時脈反向器的p通道T F T的閘極寬度 ’至少是構成第一時脈反向器的p通道T F T的閘極寬度 的 1 / 2 〇 40·—種移位暫存器,它包含第一時脈反向器、第 二時脈反向器、以及反向器, 其中第一時脈反向器的輸出端子被連接到第二時脈反 向器的輸出端子, 其中第一時脈反向器的輸出端子被連接到反向器的輸 入端子,且 其中構成第二時脈反向器的η通道T F T的閘極寬度 ,至少是構成第一時脈反向器的η通道T F Τ的閘極寬度 的 1 / 2。 41·一種包含r (r是等於或大於3的自然數)個 級的移位暫存器,各級包含: 第一和第二時脈反向器,各與時脈脈衝和借助於反轉 時脈脈衝的極性而得到的反向時脈脈衝同步地輸出信號; 以及 用來將借助於反轉來自第一時脈反向器的輸出信號的 極性而得到的信號輸入到第二時脈反向器的裝置, 其中第一時脈反向器的輸出端子被連接到第二時脈反 向器的輸出端子, 其中在第k ( k是等於或大於3且等於或小於r的自 然數)級中,保持在第一時脈反向器第一電源電位的佈線 ,通過第一η通道TFT和串聯連接到第一η通道TFT ( CNS ) A4*t^ ( 210X297^ ) : (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -69- 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 ____D8_. 六、申請專利範圍 13 的第二η通道T F T,被連接到第一時脈反向器的輸出端 子, .. 其中借助於反轉從第(k - 1 )級第一時脈反向器輸 出的信號的極性而得到的信號,被輸入到第一 η通道 T F Τ的閘極,且 其中第(k - 2)級第一時脈反向器的輸出端子被連 接到第二η通道T F T的閘極。 42·—種包含r (r是等於或大於3的自然數)個 級的移位暫存器,各級包含: 第一和第二時脈反向器,各與時脈脈衝和借助於反轉 時脈脈衝的極性而得到的反向時脈脈衝同步地輸出信號; 以及 用來將借助於反轉來自第一時脈反向器的輸出信號的 極性而得到的信號輸入到第二時脈反向器的裝置, 其中第一時脈反向器的輸出端子被連接到第二時脈反 向器的輸出端子, 其中在第j ( j是等於或大於2且等於或小於r的自 然數)級中,保持在第一時脈反向器第一電源電位的佈線 ,通過第一η通道TFT和串聯連接到第一η通道TFT 的第二η通道TFT,被連接到第一時脈反向琴的輸出端 子, 其中借助於反轉從第(j - 1 )級第一時脈反向器輸 出的信號的極性而得到的信號,被輸入到第一 η通道 T F Τ的閘極, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) ' -70- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 14 其中在第二級中,第二η通道TFT的閘極通過延遲 電路被連接到第一級第一時脈反向器的輸出端子,且 其中在第k (k是等於或大於3且等於或小於r的自 然數)級中,第(k 一 2 )級第一時脈反向器的輸出端子 被連接到第二η通道T F T的閘極。 4 3 · —種包含r ( r.是等於或大於3的自然數)個 級的移位暫存器,各級包含: 第一和第二時脈反向器,各與時脈脈衝和借助於反轉 時脈脈衝的極性而得到的反向時脈脈衝同步地輸出信號; 以及 用來將借助於反轉來自第一時脈反向器的輸出信號的 極性而得到的信號輸入到第二時脈反向器的裝置, 其中第一時脈反向器的輸出端子被連接到第二時脈反 向器的輸出端子, 其中在第k (k是等於或大於3且等於或小於r的自 然數)級中,保持在第一時脈反向器第二電源電位的佈線 ,通過第一P通道TFT和串聯連接到第一p通道TFT 的第二P通道T F T,被連接到第一時脈反向器的輸出端 子, 其中借助於反轉從第(k - 1 )·級第一時轉反向器輸 出的信號的極性而得到的信號,被輸入到第一 p通道 T F T的閘極,且 其中第(k - 2)級第一時脈反向器的輸出端子被連 接到第二P通道T F T的閘極。 本及張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲嗲背面之注意事項再填寫本頁) -71 - 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 15 44.一種包含r (r是等於或大於3的自然數)個 級的移位暫存器,各級包含: 第一和第二時脈反向器,各與時脈脈衝和借助於反轉 時脈脈衝的極性而得到的反向時脈脈衝同步地輸出信號; 以及 用來將借助於反轉來自第一時脈反向器的輸出信號的 極性而得到的信號輸入到第二時脈反向器的裝置, 其中第一時脈反向器的輸出端子被連接到第二時脈反 向器的輸出端子, 其中在第j ( j是等於或大於2且等於或小於r的自 然數)級中,保持在第一時脈反向器第二電源電位的佈線 ,通過第一P通道TFT和串聯連接到第一p通道TFT 的第二P通道T F T,被連接到第一時脈反向器的輸出端 子, 其中借助於反轉從第(j - 1 )級第一時脈反向器輸 出的信號的極性而得到的信號,被輸入到第一 P通道 T F T的閘極, 其中在第二級中,第二P通道T F T的閘極通過延遲 電路被連接到第一級第一時脈反向器的輸出端子,且 其中在第k ( k是等於或大於3.且等於或小於r的自 然數)級中,第(k - 2 )級第一時脈反向器的輸出端子 被連接到第二P通道T F T的閘極。 4 5 · —種包含r ( r是等於或大於3的自然數)個 級的移位暫存器,各級包含第一和第二時脈反向器以及反 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) : (請先閲·«背面之注意事項再填寫本頁) -72· 564430 A8 B8 C8 __ D8 六、申請專利範圍 16 向器, 其中第一時脈反向器的輸出端子被連接到第二時脈反 向器的輸出端子, 其中第一時脈反向器的輸出端子被連接到反向器的輸 入端子, 其中在第k ( k是等於或大於3且等於或小於r的自 然數)級中,保持在第一時脈反向器第一電源電位的佈線 ,通過第一 η通道T F T和串聯連接到第一 η通道T F T 的第二η通道T F Τ,被連接到第一時脈反向器的輸出端 子, 其中第一 η通道TFT的閘極被連接到第(k — 1 ) 級的反向器的輸出端子,且 其中第(k - 2 )級第一時脈反向器的輸出端子被連 接到第二η通道T F T的閘極。 4 6 . 一種包含r (r是等於或大於3的自然數) 個級的移位暫存器,各級包含第一和第二時脈反向器以及 反向器, 其中第一時脈反向器的輸出端子被連接到第二時脈反 向器的輸出端子, 其中第一時脈反向器的輸出端子被連接到g向器的輸 入端子, 其中在第j (j是等於或大於2且等於或小於r的自 然數)級中,保持在第一時脈反向器第一電源電位的佈線 ,通過第一 η通道T F T和串聯連接到第一 η通道T F T 本ϋ尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) ----------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -73- 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8々、申請專利範圍 17 的第二η通道TFT,被連接到第一時擓反向器的輸出端 子, 其中第一 η通道TFT的閘極被連接到第(j 一 1 ) 級的反向器的輸出端子, 其中在第二級中,第二η通道T F T的閘極通過延遲 電路被連接到第一級第一時脈反向器的輸出端子,且 其中在第k ( k是等於或大於3且等於或小於r的自 然數)級中,第(k - 2 )級第一時脈反向器的輸出端子 被連接到第二η通道T F T的閘極。 4 7 · —種包含r ( r是等於或大於3的自然數)個 級的移位暫存器,各級包含第一和第二時脈反向器以及反 向器, 其中第一時脈反向器的輸出端子被連接到第二時脈反 向器的輸出端子, 其中第一時脈反向器的輸出端子被連接到反向器的輸 入端子, 其中在第k (k是等於或大於3且等於或小於r的自 然數)級中,保持在第一時脈反向器第二電源電位的佈線 ,通過第一P通道TFT和串聯連接到第一p通道TFT 的第二P通道丁 F T,被連接到第一時脈反向f的輸出端 子, 其中第一 P通道TFT的閘極被連接到第(k 一 1 ) 級的反向器的輸出端子,且 其中第(k - 2 )級第一時脈反向器的輸出端子被連 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) : -74 - (請先閲脅背面之注意事項再填寫本頁) 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 18 接到第二p通道T F T的閘極。 48.—種包含j (r是等於或大於3的自然數)個 級的移位暫存器,各級包含第一和第二時脈反向器以及反 向器, 其中第一時脈反向器的輸出端子被連接到第二時脈反 向器的輸出端子, 其中第一時脈反向器的輸出端子被連接到反向器的輸 入端子, 其中在第j ( j是等於或大於2且等於或小於r的自 然數)級中,保持在第一時脈反向器第二電源電位的佈線 ,通過第一P通道TFT和串聯連接到第一p通道TFT 的第二P通道T F T,被連接到第一時脈反向器的輸出端 子, 其中第一 P通道T F T的閘極被連接到第(j 一 1 ) 級的反向器的輸出端子, 其中在第二級中,第二p通道T F T的閘極通過延遲 電路被連接到第一級第一時脈反向器的輸出端子’且 其中在第k (k是等於或大於3且等於或小於r的自 然數)級中,第(k 一 2 )級第一時脈反向器的輸出端子 被連接到第二P通道T F T的閘極。. . 4 9 · 一種包含根據申請專利範圍第3 9項的移位暫 存器的驅動電路。 5 0 · —種包含根據申請專利範圍第4 0項的移位暫 存器的驅動電路。 本银旅尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公董) !— II ——f, (請先閲部背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -75- 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 19 5 1 . —種包含根據申請專利範圍第4 1項的移位暫 存器的驅動電路。. 5 2 . —種包含根據申請專利範圍第4 2項的移位暫 存器的驅動電路。 5 3 . —種包含根據申請專利範圍第4 3項的移位暫 存器的驅動電路。 5 4 . —種包含根據申請專利範圍第4 4項的移位暫 存器的驅動電路。 5 5 . —種包含根據申請專利範圍第4 5項的移位暫 存器的驅動電路。 5 6 . —種包含根據申請專利範圍第4 6項的移位暫 存器的驅動電路。 5 7 . —種包含根據申請專利範圍第4 7項的移位暫 存器的驅動電路。 5 8 . —種包含根據申請專利範圍第4 8項的移位暫 存器的驅動電路。 5 9 . —種包括根據申請專利範圍第3 9項的驅動電. 路的顯示器件。 6 0 . —種包括根據申請專利範圍第4 0項的驅動電 路的顯示器件。 . 6 1 . —種包括根據申請專利範圍第4 1項的驅動電 路的顯示器件。 6 2 . —種包括根據申請專利範圍第4 2項的驅動電 路的顯示器件。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱脅背面之注意事項再填寫本頁) -76- 564430 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 20 6 3 . —種包括根據申請專利範圍第4 3項的驅動電 路的顯示器件。 6 4 . —種包括根據申請專利範圍第4 4項的驅動電 路的顯示器件。 6 5 . —種包括根據申請專利範圍第4 5項的驅動電 路的顯示器件。 6 6 . —種包括根據申請專利範圍第4 6項的驅動電 路的顯示器件。’ 6 7 . —種包括根據申請專利範圍第4 7項的驅動電 路的顯示器件。 6 8 . —種包括根據申請專利範圍第4 8項的驅動電 路的顯示器件。 6 9 . —種採用根據申請專利範圍第3 9項的顯示器 件的電子裝置。 7 0 . —種採用根據申請專利範圍第4 0項的顯示器 件的電子裝置。 7 1 . —種採用根據申請專利範圍第4 1項的顯示器. 件的電子裝置。 7 2 . —種採用根據申請專利範圍第4 2項的顯示器 件的電子裝置。 . 7 3 . —種採用根據申請專利範圍第4 3項的顯示器 件的電子裝置。 7 4 . —種採用根據申請專利範圍第4 4項的顯示器 件的電子裝置。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -77- 564430 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 21 7 5 . —種採用根據申請專利範圍第4 5項的顯示器 件的電子裝置。 7 6 . —種採用根據申請專利範圍第4 6項的顯示器 件的電子裝置。 7 7 . —種採用根據申請專利範圍第4 7項的顯示器 件的電子裝置。 7 8 . —種採用根據申請專利範圍第4 8項的顯示器 件的電子裝置。‘ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -78-
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2001216040 | 2001-07-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW564430B true TW564430B (en) | 2003-12-01 |
Family
ID=19050570
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW091114657A TW564430B (en) | 2001-07-16 | 2002-07-02 | Shift register and method of driving the same |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7002545B2 (zh) |
EP (2) | EP2337033B1 (zh) |
JP (2) | JP4034137B2 (zh) |
KR (1) | KR100867883B1 (zh) |
CN (1) | CN100492544C (zh) |
MY (1) | MY131750A (zh) |
SG (2) | SG103872A1 (zh) |
TW (1) | TW564430B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US10332610B2 (en) | 2009-01-16 | 2019-06-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device including the same |
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-
2002
- 2002-07-02 SG SG200203974A patent/SG103872A1/en unknown
- 2002-07-02 SG SG200508619-4A patent/SG153651A1/en unknown
- 2002-07-02 TW TW091114657A patent/TW564430B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-07-03 MY MYPI20022519A patent/MY131750A/en unknown
- 2002-07-10 EP EP10009957.1A patent/EP2337033B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-10 EP EP02015359.9A patent/EP1280162B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-15 US US10/194,260 patent/US7002545B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-15 JP JP2002205961A patent/JP4034137B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-07-16 KR KR1020020041596A patent/KR100867883B1/ko active IP Right Grant
- 2002-07-16 CN CNB021261369A patent/CN100492544C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-12-02 US US11/291,839 patent/US7589708B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-07-04 JP JP2007175730A patent/JP4974789B2/ja not_active Expired - Fee Related
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US10741138B2 (en) | 2009-01-16 | 2020-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device including the same |
US11151953B2 (en) | 2009-01-16 | 2021-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device including the same |
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US11735133B2 (en) | 2009-01-16 | 2023-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device including the same |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4034137B2 (ja) | 2008-01-16 |
US20030012330A1 (en) | 2003-01-16 |
EP2337033B1 (en) | 2014-09-24 |
EP2337033A2 (en) | 2011-06-22 |
JP2007299523A (ja) | 2007-11-15 |
EP1280162A3 (en) | 2005-07-20 |
JP4974789B2 (ja) | 2012-07-11 |
EP2337033A3 (en) | 2012-10-24 |
EP1280162B1 (en) | 2014-03-12 |
US7589708B2 (en) | 2009-09-15 |
CN100492544C (zh) | 2009-05-27 |
EP1280162A2 (en) | 2003-01-29 |
US7002545B2 (en) | 2006-02-21 |
KR20030007209A (ko) | 2003-01-23 |
SG153651A1 (en) | 2009-07-29 |
KR100867883B1 (ko) | 2008-11-10 |
CN1397956A (zh) | 2003-02-19 |
US20060082535A1 (en) | 2006-04-20 |
SG103872A1 (en) | 2004-05-26 |
JP2003141893A (ja) | 2003-05-16 |
MY131750A (en) | 2007-08-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |