JPS62185361A - 集積回路装置 - Google Patents
集積回路装置Info
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- JPS62185361A JPS62185361A JP61026902A JP2690286A JPS62185361A JP S62185361 A JPS62185361 A JP S62185361A JP 61026902 A JP61026902 A JP 61026902A JP 2690286 A JP2690286 A JP 2690286A JP S62185361 A JPS62185361 A JP S62185361A
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- inverter
- inverters
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- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Shift Register Type Memory (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、集積回路装置、特にシリアル入力信号を転送
し、外部信号によって同時並列出力すると共に、転送さ
れたシリアル信号をシリアル出力することのできる相補
型MO5集積回路(以下C−MO3Ill;という)に
関するものである。
し、外部信号によって同時並列出力すると共に、転送さ
れたシリアル信号をシリアル出力することのできる相補
型MO5集積回路(以下C−MO3Ill;という)に
関するものである。
サーマルヘッド駆動やF[lP (フラットディスプ
Vイパネル)駆動などに用いられる駆動用ICの構成の
突来例を第1図に示す、ここで、lはシリアル信号入力
端子2からのシリアル信号を転送するためのシフトレジ
スタ、3はその転送タイミングを定めるクロック信号の
入力端子である。4は、シフトレジスタ4からのパラレ
ル信号をラッチ信号入力端子5へのラッチ信号のタイミ
ングでラッチするラッチ回路である。Bは、ラッチ回路
4にラッチされているデータを、イネーブル信号入力端
子7に供給されるイネーブル信号のタイミングで取り出
すナントゲート、8はナントゲート7の各々に接続され
た並列出力用プリドライブ部、3はプリドライブ部8の
各々に接続された並列出力用ドライブ部、10はドライ
ブ部9の各々から出方を取り出す並列出力端子である。
Vイパネル)駆動などに用いられる駆動用ICの構成の
突来例を第1図に示す、ここで、lはシリアル信号入力
端子2からのシリアル信号を転送するためのシフトレジ
スタ、3はその転送タイミングを定めるクロック信号の
入力端子である。4は、シフトレジスタ4からのパラレ
ル信号をラッチ信号入力端子5へのラッチ信号のタイミ
ングでラッチするラッチ回路である。Bは、ラッチ回路
4にラッチされているデータを、イネーブル信号入力端
子7に供給されるイネーブル信号のタイミングで取り出
すナントゲート、8はナントゲート7の各々に接続され
た並列出力用プリドライブ部、3はプリドライブ部8の
各々に接続された並列出力用ドライブ部、10はドライ
ブ部9の各々から出方を取り出す並列出力端子である。
さらに、11は、シフトレジスタ1の最終段から取り出
したシリアル信号を受けるバッファインバータであり、
そのシリアル出力をこのICの出力端子12から取り出
す。この出力端子12を次段■cのシリアル信号入力端
子2に接続する。13は端子12と2との間の配線の容
量を示す。
したシリアル信号を受けるバッファインバータであり、
そのシリアル出力をこのICの出力端子12から取り出
す。この出力端子12を次段■cのシリアル信号入力端
子2に接続する。13は端子12と2との間の配線の容
量を示す。
シリアル信号入力端子2より入力されたシリアル信号、
たとえば画信号は、クロック信号入力端子3に供給され
るクロック信号に同期して、シフトレジスタ1において
順次転送される。最近は、多数ビットの並列出力を要求
されるようになってきているので、画信号の転送は、1
つのICのみの並列出力のみに止まらず、しばしば直列
に接続された複数個のICにまたがって行われ、これら
複数個のICから並列出力を取り出すことが行われてい
る。
たとえば画信号は、クロック信号入力端子3に供給され
るクロック信号に同期して、シフトレジスタ1において
順次転送される。最近は、多数ビットの並列出力を要求
されるようになってきているので、画信号の転送は、1
つのICのみの並列出力のみに止まらず、しばしば直列
に接続された複数個のICにまたがって行われ、これら
複数個のICから並列出力を取り出すことが行われてい
る。
その場合、通常は、シフトレジスタ1の最終段出力を出
力バッファ11を介してシリアル出力端子12に出力し
、このICに直列接続される次段ICのシリアル入力端
f2に接続する。
力バッファ11を介してシリアル出力端子12に出力し
、このICに直列接続される次段ICのシリアル入力端
f2に接続する。
このようにして、所定のデータを順次転送し、しかるの
ちにラッチ信号をラッチ信号入力端子5よりラッチ回路
4に入力し、このラッチ回路4にシフトレジスタ1の状
態を取り込む、そして、イネーブル信号端子7の入力が
出力を指示している場合、並列出力用プリドライブ8を
ラッチ回路4のそれぞれのビット状態に応じて動作させ
、並列出力用素子3を駆動して、並列出力端子lOにそ
れぞれ所定の状態を出力する。
ちにラッチ信号をラッチ信号入力端子5よりラッチ回路
4に入力し、このラッチ回路4にシフトレジスタ1の状
態を取り込む、そして、イネーブル信号端子7の入力が
出力を指示している場合、並列出力用プリドライブ8を
ラッチ回路4のそれぞれのビット状態に応じて動作させ
、並列出力用素子3を駆動して、並列出力端子lOにそ
れぞれ所定の状態を出力する。
このような機能を有する駆動用CIの最近の動向として
は、低消費電力という特長からC−MOSによりかかる
ICを構成することが主流になりつつある。また、画信
号を高速度で転送する必要が高まっていることから、高
い転送りロック周波数も要求されている。
は、低消費電力という特長からC−MOSによりかかる
ICを構成することが主流になりつつある。また、画信
号を高速度で転送する必要が高まっていることから、高
い転送りロック周波数も要求されている。
ところで、複数の駆動用ICをPCボードなどの基板に
実装する場合、tC間の配線容量13は、ICの内部配
線容量に比較して大きいため、次段のシリアル入力端子
2を充分速く駆動するためには、出力バッファ11の出
力容量、たとえば出力バッファをG−MOS FETで
構成する場合には、この出力バッファのPチャネルおよ
びNチャネルのMOS FETのチャネル幅を大きくす
る必要があった。
実装する場合、tC間の配線容量13は、ICの内部配
線容量に比較して大きいため、次段のシリアル入力端子
2を充分速く駆動するためには、出力バッファ11の出
力容量、たとえば出力バッファをG−MOS FETで
構成する場合には、この出力バッファのPチャネルおよ
びNチャネルのMOS FETのチャネル幅を大きくす
る必要があった。
ところが、出力バッファ11に用いるC−MOS FE
Tのチャネル幅を大きくすると、このインバータの入力
容量が増大することになり、したがって、このインバー
タのゲート遅延時間が増大する。
Tのチャネル幅を大きくすると、このインバータの入力
容量が増大することになり、したがって、このインバー
タのゲート遅延時間が増大する。
この点について、第2図を用いてさらに詳しく説明する
。ここで、14および15は、それぞれ、前段および後
段のICを示す。前段IC14において、出力バッファ
10は縦続接続された2段のインバータ101および1
03を有する。102はこれらインバータ101と10
3の間の内部端子である。30はシフトレジスタ1の最
終段の構成例を示し、このシフトレジスタ段30は、4
つのトランスミッションゲ−ト31〜34および4つの
インバータ35〜38から構成される。39はそのトラ
ンスミッションゲート31と32との間の内部端子であ
り、インバータ35に接続される。39′はインバータ
37と38との間の内部端子であり、出力バッファ11
のインバータ101に接続される。40はシフトレジス
タ1の初段の構成例を示し、最終段30と同様に、4つ
のトランスミッションゲート41〜44および4つのイ
ンバータ45〜48から構成される。Cはクロック信号
、Cは反転クロック信号を示し、Qは内部端子39′か
ら取り出されるQ出力を反転した出力を示す。
。ここで、14および15は、それぞれ、前段および後
段のICを示す。前段IC14において、出力バッファ
10は縦続接続された2段のインバータ101および1
03を有する。102はこれらインバータ101と10
3の間の内部端子である。30はシフトレジスタ1の最
終段の構成例を示し、このシフトレジスタ段30は、4
つのトランスミッションゲ−ト31〜34および4つの
インバータ35〜38から構成される。39はそのトラ
ンスミッションゲート31と32との間の内部端子であ
り、インバータ35に接続される。39′はインバータ
37と38との間の内部端子であり、出力バッファ11
のインバータ101に接続される。40はシフトレジス
タ1の初段の構成例を示し、最終段30と同様に、4つ
のトランスミッションゲート41〜44および4つのイ
ンバータ45〜48から構成される。Cはクロック信号
、Cは反転クロック信号を示し、Qは内部端子39′か
ら取り出されるQ出力を反転した出力を示す。
出力パフファインバータ11は、シフトレジスタlの最
終段30からの出力を受けて前段IC14の出力端子1
2)IC外部配線容113を通して、次段ICl3の入
力端子2を駆動する。このとき、最終出力インバータ1
03の大きな入力容量を駆動するためには、その前段の
インバータ101の寸法を、シフトレジスタ最終段に含
まれるインバータ37の寸法よりも大きくするのが汀通
である。
終段30からの出力を受けて前段IC14の出力端子1
2)IC外部配線容113を通して、次段ICl3の入
力端子2を駆動する。このとき、最終出力インバータ1
03の大きな入力容量を駆動するためには、その前段の
インバータ101の寸法を、シフトレジスタ最終段に含
まれるインバータ37の寸法よりも大きくするのが汀通
である。
第2図に示したような従来構造ICにおける主要部の゛
重圧変化の様fを第3図に示す。ここで、201は最終
段14に供給されるシリアルデータ。
重圧変化の様fを第3図に示す。ここで、201は最終
段14に供給されるシリアルデータ。
202はクロック信号C,203は第2図における内部
端)38の電圧、204は内部端子39′における電圧
、205は出力端子12における電圧の各変化を表わし
ている。
端)38の電圧、204は内部端子39′における電圧
、205は出力端子12における電圧の各変化を表わし
ている。
第3図から理解できるようにシフトレジスタ1内での遅
延に比べて、出力バッファ11での遅延が大きい。
延に比べて、出力バッファ11での遅延が大きい。
以北のような理由によって、 IC14と15のように
直列接続された場合の転送りロックの最大周波数は、出
力バッファ11のゲート遅延時間により決定されてしま
う。−例として、シフトレジスタ1が最大20MHzの
速度でデータ転送しても、その出力バッファ11はl0
IIIH2以下の転送周波数しか保証できない場合もあ
る。
直列接続された場合の転送りロックの最大周波数は、出
力バッファ11のゲート遅延時間により決定されてしま
う。−例として、シフトレジスタ1が最大20MHzの
速度でデータ転送しても、その出力バッファ11はl0
IIIH2以下の転送周波数しか保証できない場合もあ
る。
そこで、本発明の目的は1以上に述べたような従来技術
の問題点、すなわち出力バッファ部における転送速度律
速を改善した集積回路装置を提供することにある。
の問題点、すなわち出力バッファ部における転送速度律
速を改善した集積回路装置を提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明は、相補型M
OSFETにより構成した複数段のシフトレジスタ段を
含むシフトレジスタを有し、シリアル入力信号をシフト
レジスタによって転送し、その転送されたデータの状態
に応じて並列出力するようになし、かつシフトレジスタ
の最終段からの出力を直接または1個以上のバッファイ
ンバータを介してシリアル出力信号として取り出すよう
にした集積回路装置において、シフトレジスタの少なく
とも最終段を構成する相補型MOSFETのゲート幅を
、シフトレジスタの残余の部分を構成する相補型MOS
FETのゲート幅より広く(好ましくは2倍以」二に)
したことを特徴とする。
OSFETにより構成した複数段のシフトレジスタ段を
含むシフトレジスタを有し、シリアル入力信号をシフト
レジスタによって転送し、その転送されたデータの状態
に応じて並列出力するようになし、かつシフトレジスタ
の最終段からの出力を直接または1個以上のバッファイ
ンバータを介してシリアル出力信号として取り出すよう
にした集積回路装置において、シフトレジスタの少なく
とも最終段を構成する相補型MOSFETのゲート幅を
、シフトレジスタの残余の部分を構成する相補型MOS
FETのゲート幅より広く(好ましくは2倍以」二に)
したことを特徴とする。
以りのようにして、本発明では、出力バッファを縦続接
続されたインバータで構成し、各インへ−夕の寸法を、
最終段インバータに向けて順次に大きくしていく力が、
それぞれのインバータの遅延時間を短かくできるが、こ
のように出力バッファを複数のインバータで構成してイ
ンバータの段数を増やせば、それだけ全体の遅延時間が
長くなるという相反する$実の改善を図る。
続されたインバータで構成し、各インへ−夕の寸法を、
最終段インバータに向けて順次に大きくしていく力が、
それぞれのインバータの遅延時間を短かくできるが、こ
のように出力バッファを複数のインバータで構成してイ
ンバータの段数を増やせば、それだけ全体の遅延時間が
長くなるという相反する$実の改善を図る。
本発明によれば、従来のこの種ドライバICの直列接続
時に転送りロックの最大周波数を決定する要因である出
力バッファ部の遅延を大幅に短縮することができるので
、かかるICを直列接続したシステム全体のクロック周
波数を高めることが可能である。
時に転送りロックの最大周波数を決定する要因である出
力バッファ部の遅延を大幅に短縮することができるので
、かかるICを直列接続したシステム全体のクロック周
波数を高めることが可能である。
以下に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
本発明では、第2図の回路において、従来、はぼ同じ大
きさのG−MOS FETで構成されていたシフトレジ
スタ1の少なくとも最終段30の最終イン/久−夕37
を構成するG−MOS FETの大きさを、残余の部分
に含まれるC−MOS FETより大きく(好ましくは
2倍以L)する、すなわち、本発明では、シフトレジス
タlの最終段30におけるインバータ37を構成するP
チャネルMOS FETおよびNチャネルMOS FE
Tのゲート幅を、そのシフトレジスタへの2倍以上に)
定める。
きさのG−MOS FETで構成されていたシフトレジ
スタ1の少なくとも最終段30の最終イン/久−夕37
を構成するG−MOS FETの大きさを、残余の部分
に含まれるC−MOS FETより大きく(好ましくは
2倍以L)する、すなわち、本発明では、シフトレジス
タlの最終段30におけるインバータ37を構成するP
チャネルMOS FETおよびNチャネルMOS FE
Tのゲート幅を、そのシフトレジスタへの2倍以上に)
定める。
このようにインバータ37を構成するにOS FETの
ゲート幅を定めることにより、あたかもこのインバータ
37も出力バッファ11中の縦続接続されたインバータ
101および103と同様に縦続接続されたインバータ
とみなすことができるので、このインバータ37が、」
二連したようにインバータのす法を入力側に向けて順次
に大きくしていくときの出力バッファ11中の初段のイ
ンバータであるかの如き挙動をするとみなすことができ
る。
ゲート幅を定めることにより、あたかもこのインバータ
37も出力バッファ11中の縦続接続されたインバータ
101および103と同様に縦続接続されたインバータ
とみなすことができるので、このインバータ37が、」
二連したようにインバータのす法を入力側に向けて順次
に大きくしていくときの出力バッファ11中の初段のイ
ンバータであるかの如き挙動をするとみなすことができ
る。
以て出力バッファ11における初段インバータ101の
ゲート遅延時間を改善し、したがって、出力八ツファ1
1全体のil!!延をも改善する。
ゲート遅延時間を改善し、したがって、出力八ツファ1
1全体のil!!延をも改善する。
次に、第4図に、第2図におけるシフトレジスタ最終段
30のインバータ37の大きさを他の部分の3倍とした
場合について、第3図と同じ個所の電圧変化を測定した
結果を示すもので、出力/くツファ11の遅延が大幅に
改善されていることがわかる。ここで、211ばシリア
ルデータ、212はクロック信1多C、213は内部端
7’39の電圧、214は内部端I39′の電圧、21
5は出力端子11の電圧を示す。
30のインバータ37の大きさを他の部分の3倍とした
場合について、第3図と同じ個所の電圧変化を測定した
結果を示すもので、出力/くツファ11の遅延が大幅に
改善されていることがわかる。ここで、211ばシリア
ルデータ、212はクロック信1多C、213は内部端
7’39の電圧、214は内部端I39′の電圧、21
5は出力端子11の電圧を示す。
以りから明らかなように1本発明によれば、従来のこの
種ドライバICの直列接続時に転送りロックの最大周波
数を決定する要因である出力バッファ部の遅延を大幅に
短縮することができるので、かかるICを直列接続した
システム全体のクロック周波数を高めることが可能であ
る。
種ドライバICの直列接続時に転送りロックの最大周波
数を決定する要因である出力バッファ部の遅延を大幅に
短縮することができるので、かかるICを直列接続した
システム全体のクロック周波数を高めることが可能であ
る。
第1図は一般の駆動用ICの一例を示すブロック図、
第2図はその駆動用ICの直列接続部の詳細例を示す回
路図、 第3図は従来法による各部の遅延波形を示す信号波形図
、 第4図は本発明による各部の遅延波形を示す信号波形図
である。 l・・・信号転送用シフトレジスタ。 2・・・シリアル信号入力端子、 3・・・クロック信号入力端子、 4・・・ラッチ回路。 5・・・ラッチ信号入力端子、 6・・・ナントゲート。 7・・・イネーブル信号入力端子。 8・・・プリドライブ部、 9・・・ドライブ部、 10・・・並列出力端子、 11・・・バッファインバータ、 12・・・出力端子。 13・・・配線容量、 14・・・重役IC1 15・・・後段IC。 30・・・最終段、 31〜34・・・トランスミッションゲート、35〜3
8・・・インバータ。 39.39′・・・内部端子 40・・・初段、 41〜44・・・トランスミッションゲート、45〜4
日・・・インバータ。 48.49’・・・内部端子。 馬巨動用XCのプロ、1.り図 第1図 第2図
路図、 第3図は従来法による各部の遅延波形を示す信号波形図
、 第4図は本発明による各部の遅延波形を示す信号波形図
である。 l・・・信号転送用シフトレジスタ。 2・・・シリアル信号入力端子、 3・・・クロック信号入力端子、 4・・・ラッチ回路。 5・・・ラッチ信号入力端子、 6・・・ナントゲート。 7・・・イネーブル信号入力端子。 8・・・プリドライブ部、 9・・・ドライブ部、 10・・・並列出力端子、 11・・・バッファインバータ、 12・・・出力端子。 13・・・配線容量、 14・・・重役IC1 15・・・後段IC。 30・・・最終段、 31〜34・・・トランスミッションゲート、35〜3
8・・・インバータ。 39.39′・・・内部端子 40・・・初段、 41〜44・・・トランスミッションゲート、45〜4
日・・・インバータ。 48.49’・・・内部端子。 馬巨動用XCのプロ、1.り図 第1図 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)相補型MOSFETにより構成した複数段のシフト
レジスタ段を含むシフトレジスタを有し、シリアル入力
信号を前記シフトレジスタによって転送し、その転送さ
れたデータの状態に応じて並列出力するようになし、か
つ前記シフトレジスタの最終段からの出力を直接または
1個以上のバッファインバータを介してシリアル出力信
号として取り出すようにした集積回路装置において、前
記シフトレジスタの少なくとも最終段を構成する相補型
MOSFETのゲート幅を、前記シフトレジスタの残余
の部分を構成する相補型MOSFETのゲート幅より広
くしたことを特徴とする集積回路装置。 2)特許請求の範囲第1項記載の集積回路装置において
、前記シフトレジスタの少なくとも最終段を構成する相
補型MOSFETのゲート幅を、前記シフトレジスタの
残余の部分を構成する相補型MOSFETのゲート幅の
2倍以上に定めたことを特徴とする集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61026902A JPS62185361A (ja) | 1986-02-12 | 1986-02-12 | 集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61026902A JPS62185361A (ja) | 1986-02-12 | 1986-02-12 | 集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62185361A true JPS62185361A (ja) | 1987-08-13 |
Family
ID=12206160
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61026902A Pending JPS62185361A (ja) | 1986-02-12 | 1986-02-12 | 集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62185361A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1280162A3 (en) * | 2001-07-16 | 2005-07-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Shift register and method of driving the same |
JP2017016718A (ja) * | 2015-06-29 | 2017-01-19 | 株式会社ニコン | 隊列進行型記憶装置及び計算機システム |
-
1986
- 1986-02-12 JP JP61026902A patent/JPS62185361A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1280162A3 (en) * | 2001-07-16 | 2005-07-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Shift register and method of driving the same |
US7002545B2 (en) | 2001-07-16 | 2006-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Shift register and method of driving the same |
US7589708B2 (en) | 2001-07-16 | 2009-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Shift register and method of driving the same |
EP2337033A3 (en) * | 2001-07-16 | 2012-10-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Shift register and method of driving the same |
JP2017016718A (ja) * | 2015-06-29 | 2017-01-19 | 株式会社ニコン | 隊列進行型記憶装置及び計算機システム |
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