TW556363B - Method for producing semiconductor crystal - Google Patents

Description

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556363 五、發明說明（2) 在！鑑二V本發明乃為解決上述課題而成立者，其目的 蜂e X传獨立於基底基板的優質半導體結晶。 、、承疋L為解決上述課題，以下手段非常有效。 二係在基底基板上’成長出由第m族氮化物 口物+導體所構成半導體結晶，而獲得獨立 族氮化物备f = ν'口日日衣k步驟中；其中，在層積由第皿 單二曰Λ糸化a物半導體所構成之標的半導體結晶層C的 Βθ成長步驟C之前，所實施的步驟係在對半導體結晶 二2供結晶成長面之由第瓜族氮化物系化合物半導；； = 與基底基板之間，所層積之由第 —^ σ物半導體所構成的分離層Λ，利用對此分離層八施 仃…处理而使分離層Α蒸發的分離層消失步驟α。 「二、可考慮譬如在由Mf石等所構成的基底*板，與由 a 、寻所構成的標的半導體結晶層c之間，予貝先成長出由 S :°R51等所構成的分離層A ’及由Ga" in"N等所構成的 保護層B等手段。 口 ^依…、此等的各種結構的話，因為可使分離層A熱分 1而瘵赉的溫度，變得充分低於保護層β熱分解而蒸發的 脈度因此便可利用升溫而僅使分離層a熱分解。 故，因為在半導體結晶層c成膜前，便可僅使分離層A利 用熱分解而消1 ’因此便可在防止半導體結晶層c受到源 自基底基板的應力等不良影響的前提下，成長半導體結晶 層c卩，、成長於獨立的保護層B上之半導體結晶層c，將 不致受到源自基底基板之隨晶袼常數差或熱膨脹係數差而

556363 五、發明說明（3) ：-- 所產生應力等的影響。 藉由該等作用，在形成厚膜的半導體結晶層c (譬如：GaN 膜等）之前，因為便可將基底基板從保護層β分離開，因此 便不致隨晶格常數差或熱膨脹係數差等因素，而產生錯位 或龜裂等現象，可獲得高品質的半導體結晶層c。依此所 獲得的厚膜半導體結晶層C (譬如：G aN膜等），因為可放心 的使用為如半導體元件的結晶成長基板等，因此頗具產業 上的利用價值。 再者 因此便 基板並 述製造 再者 系化合 1、0 $ 其中 係指一 「A1… 示，任 半導體 導體」

，上述製造方法，因為僅結晶成長步驟便可實施， 不再需要雷射照射、研磨等步驟。所以，因為基底 未遭受研磨或損傷等而是原狀殘留著，因此依照上 方法的話，基底基板亦可再利用。 ，第2手段係在上述第1手段中，上述第皿族氮化物 物半導體係由「A1卜x_yGayInxN 、〇gyg 1 -x-ySl」所形成。 ，此處所謂的「第Π族氮化物系化合物半導體」， 般係包括有：二元、三元、或四元之依一般式 ’GayInxN，OSx$l、〇Sy$i、〇$卜X — 所表 意混晶比的半導體。此外，添加有p型或n型雜質的

，亦包含於本說明書的「第m族氮化物系化合物半 範疇中。 再者’上述第ΙΠ族元素（A1、Ga、In)中，至少其中一部 份被硼（B)、或鉈（T1)等所取代，或者氮（N)之至^其中1 部份被磷（P)、砷（As)、銻（Sb)、鉍（Bi)等所取代的半導

556363 五、發明說明（4) 體等，仍包含於本說明堂的「馀〜e / 體」範•中。 兒月曰的弟m族氮化物系化合物半導 再者，上述P型雜質譬如可添加：鎮（Mg)、或約（c 再者，上述η型雜質嬖如可泳+ r, X Q . X . ON 寺 _ p $ 」"】、、加··矽（SO、硫（S)、 (Se)、碲（Te)、或鍺（Ge)等。 再者，言亥等雜質可同時添加二元素以上，亦可 二型（P型與η型）。 可添加 此外，在本說明中，亦有將上述「第m族氮化 物半導體」，僅稱「第m族氮化物」等的情況。糸化5 再者，第3手段係上述第丨手段或第2手段中的基 板，係採用藍寳石、尖晶石、氧化錳、氧化鎵鋰-土 (LiGa02)、硫化鉬（MoS)、矽（Si)、碳化矽（Sic)、ain

GaAs、InP、GaP、MgO、Zn〇、或MgAl2〇4 等。 即，該等基底基材的材料，僅要可承受上述分離芦 步驟α中之熱處理溫度的材料的話便可，可採：=失 料，可使用對第m族氮化物系化合物半導體的週知=立 結晶成長基板。 4任思、 再者，第4手段係在上述第丨至第3手段之任一手段 若將分離層消失步驟α的熱處理溫度設為Τχ ’將半社 晶層C的結晶成長溫度設定為1，將保護層Β的結晶^二 度設定為τΒ_ ’則便具有「TB<Txq」的大小關^長， 此分離層Α的分解溫度（Τχ)係藉由調整分離層Α或保、 Β的組成等，便可設定為保護層Β成膜溫度（I )與半 ς 晶層C成膜溫度（Tc)之間的溫度。所以，依此設定的話^

556363 五、發明說明（5) ，f半導體結晶層C開始成膜之前，因S分離層A將隨必需 也订升溫處理，而產生熱分解並必然的消失，因此便可在 自動的防止源自基底基板之應力等不良影響的前提下， 長著半導體結晶層C。 再者’第5手段係在上述第1至第4手段之任一手段中， 將保護層B的姻（In)組成比，設定為小於分離層a的又銦（In 、，且，比。即，可在半導體結晶的組成「InxGahN」中，將 保護層B的銦（In)組成比xl設定為〇·2左右，^將分離層八 的銦（In)組成比χ2設定為〇·5左右（>χ1)。譬如藉由設曰定 此種銦（In)組成比χ1，χ2，在分離層消失的步驟J中，便 可僅使分離層Α充分的消失，且優質或穩定的殘留著保護 層B。 再者，第6手段係在上述第丨至第5手段之任一手段中， 上述半導體結晶層C係使氮化鎵（GaN)在9 00 °C〜11〇〇 °c下 進行結晶成長。 半導體結晶層C的更具體組成，對半導體的結晶成長基 板等為最恰當且非常有用的氮化鎵（GaN)，在目前可認為 j於產業上最有利用價值者。此外，藉由在丨〇 〇 〇它前後結 晶成長氮化鎵（GaN)，便可獲得品質最佳的單結晶。 其中，因為相關AlGaN 、或AlGalnN等，當然在產業上 的利用價值亦頗大，因此半導體結晶層c的更具體組成亦 可選擇自該等之中。 再者，第7手段係在上述第1至第6手段之任一手段中， 保護層B係使「Gai_xlnxN(〇. 〇 $〇· 8)」進行結晶成長。

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最好保6蒦層β的銦（i n)組成χ為〇. 〇 &〜〇 · 5左右。 更佳的是雖依存於分離層Α的銦（丨η)組成比、或分離層 ^失步驟α中的熱處理溫度，但是大概可認為X值在〇. 1〜 八3左右為較理想。譬如藉由設定此種銦（I η)組成比，在 :離層消失步驟α中，便保護層Β便可優質或穩定的殘留 著。 '田 八中’保遵層Β由GaN形成的話亦充分足夠。 θ再者’保護層B的厚度最好為0 · 1〜丨〇 〇 # ^左右，更佳的 =保濩層B厚度在5〜20 左右。若厚度過於厚的話，便

^要=要以上的結晶成長時間，而非屬較佳狀況。反之， =此厚度過於薄的話，在基板取出步驟等之中，在處理保 濩層B之際，將容易造成保護層β的斷裂或損因此 較佳狀況。 魯 再者，第8手段係在上述第丨至第7手段之任 刀離層A係使「GaNxInxN(0· 05 $1· 〇)」進行結晶成長 最好分離層A的銦（In)組成x為〇· 3〜〇· 7左右。

、，更佳的是雖依存於保護層B的銦（In)組成比、或分離巧 消失步驟α中的熱處理溫度，但是大概可認為χ值在〇 · $ 0. 6左右為較理想。譬如藉由設定此種銦（Ιη)組成比，名 分離層消失步驟α中，便使分離層a充分的消失。 再者，分離層A的厚度最好為〇1〜1〇〇#m左右，更佳 是分離層A厚度在5〜20㈣左右。若厚度過於厚的話，便 要必要以上的結晶成長時間，而非屬較佳狀況。反之， 此厚度過於薄的話，將產生無法確實將基底基板（如：藍

第10頁 556363 五、發明說明（7) 石）與保護層B予以分離等情況，因此非屬較佳狀況。 、再者，第9手段係在上述第1至第8手段之任一手段中， 分離層消失步驟α中的熱處理溫度1係設定在7〇〇艺以 上’且1 1 〇 〇 t以下。 Μ此溫度Tx的最佳值雖依存於各半導體層夂B，c的組成 等，但是為縮短熱處理時間，同時維持保護層β的έ士曰 2，因此可認為將溫度Τχ設定為大致與半導體結晶層『的 ^晶成長溫度Tc相同左右、或10〇〇前後者’乃屬較佳狀 況0 再者，第1 0手段係在上述第1至第9手段之任一手段中， ίϊϊ晶成ί步驟C之後所實施的步驟，係設置使保護層B 、左熱處理而瘵發的保護層消失步驟万。 譬如，在由GaN等所形成半導體結晶層c的結晶成長之 後，若將反應室升溫至保護層B的分解溫度（如：丨丨〇〇〜 =左右）的話，便可使保護層B消失，隨此因為僅殘 :+導體結晶層C，因此可獲得由單一層所構 導體單結晶。 ）獨立牛 其中，在單結晶成長步驟C實施後，並未必一丰 保護層B。換句話說，是否將此保護層消失步驟 = 本發明之製造步驟中，僅要參照最後所形成半導/置^ 結構、機能、性能、用途、單價等等各種要件，^ 1 合性判斷的話便可。 進行綜 再者，第11手段係在上述第10手段中，將保蠖屛 驟/5中的熱處理溫度設定在9〇〇 °C以上，且j 2〇〇 γ// ν

556363 五、發明說明（8) 此熱處理溫度的最佳值雖依存於保護層β 的組成等，但是在上述溫度範圍内的〗,導肢結晶層C 結晶層C的損傷，且可使保護糾比 ；：：【半導體 =述熱處理溫度過高的話，對半 將變大，而無法獲得結晶性佳的半 ;^日日層0的如傷 述熱處理溫度過低的話’頗難使保護層β確阳反之’ #上 者消失所耗時間將過久，因此非屬較佳狀況只。肖失，或 譬如，當半導體結晶層c由GaN所形 (In)組成比X設定在〇.2前後的情況 声的銦 中的熱處理溫度最好在115〇力左右陶 便可使半導體結晶層c的結晶性維s 能皿^设定’ 保護層B充分的消失。 良好狀悲，且可使 士再^第12手段係在上述第1至第η手段之任-手段. 中，在为離層消失步驟α之前所實施的步驟， Β上預先層積在分離層消失步驟α的熱分解中，保護'著曰 護層β用之覆蓋層的覆蓋層層積步驟。 ’、 ’、 此覆蓋層的組成、成長溫度、及膜 結晶層C開始結晶成長之時點以前，此覆蓋體 作用而正好可完全消失的方式進行設定盍層嶋分解 藉^此種覆蓋層的層積與消失，在熱處理等高溫下，便 可預先將保遵層Β表面（即’半導體結晶層C的結晶成長 之結晶性充分—的維持優質狀態。所以’便可使半導體結晶 層C形成更確貫的優質單結晶。 Ba 再者’將覆蓋層的組成設定為大致略同於半導體結晶層 wl 第12頁 C:\2D-O0DE\9Ml\91119240.ptd 556363

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結晶成長法（如·· HVPE法）的話，便可在短時間内獲得結晶 性優越的厚膜（如：約1〇〇〜20〇 #m)半導體結晶。 。曰曰 再者，第1 6手段係在上述第1至第丨5手段之任一手段 中，將分離層Α之結晶成長溫度八、或保護層β之結晶成長 溫度ΤΒ，設定在4 〇 〇 〜9 0 〇 °c。 +藉由該等溫度設定，便可使對標的半導體結晶層c提供 著成長面的保護層B之結晶性變得較優越。此外，該等半 導體層A，B的結晶成長溫度最好在45(rc〜7〇()t：。 更詳言之，分離層A之成長溫度，係當分離層a之銦組成 比X為〇· 4〜〇· 6左右的情況時，最好設定在50〇它〜7〇〇它 左右。此外，保護層B之成長溫度，係當保護層B之銦組成 比X為〇· 1〜〇· 3左右的情況時，最好設定在6〇〇它〜8〇〇它 左右。藉由此種溫度設定，便可高品質的形成所需銦組成 比的單結晶膜，且在分離層消失步驟α中，亦可優越或安 定的殘留著保護層Β。 — 再者，第17手段係在上述第1至第Μ手段之任一手段 中，將分離層Α之結晶成長溫度τΑ、與保護層Β之結晶成長 溫度ΤΒ間之大小關係，設定為r 」。 即’譬如若將分離層Α之結晶成長溫度τΑ設定為5 〇 〇左 右’而將保護層β之結晶成長溫度^設定為65 0 °C左右的 話’則獲得結晶性優越之單結晶（半導體結晶層c)的情況 較少。此外，該等結晶成長溫度Ta，Tb亦可設定為較相接、斤 的溫度值。 藉由該等溫度設定，便可使保護層B結構較分離層A結

C:\2D-CODE\9Ml\9Hi9240.ptd 556363 五、發明說明（11) ，，在分離層消失步驟的熱處理過程中，呈現更安定的狀 態。 題藉由以上本發明之手段，便可有效或合理的解決上述課 【發明之較佳實施形態】 以下，根據具體實施例說明本發明。惟，本發明並不 限於下示實施例。 (第1實施例） 在本發明第！實施例中’截至層積由第瓜族氮化物系化 曰物半導體（GaN)所構成標的半導體結晶層c之單姓曰'、 步驟C中途(截至半導體結晶層C成長至約3〇㈣二： 段），均實施MOVPE：法，之後的丰m _钍θ ^〗牛 处曰厗Γ 導體結晶層C層積（半導體 二Γ施 為止的後半段），便利用隨 丰5: = = 1實施例中，截至半導體結晶層c(上述前 +段）為止的反應室溫度變化圖。此圖示中 用結=_法)層積’由第1之"族氮化物：體 以：：1 :?成分離層A的「分 JVVLrc〇B\ ^ A，η()·2()Ν：)所構成保護層B的「保護層層積步 ΐ m ^ 指利用結晶成長⑽VPE法）層積，由第3之 =「i i曰m體"p ’GaN)所構成標的半導體結晶層。 的早結日日成長步驟」。 此卜、扁號α係指使上述分離層A經熱處理（升溫）而氣

556363 五、發明說明（12) 化的「分離層消失步驟」。 圖2所示係本第1實施例申，各 化物半導體之層積構造剖視圖。要步驟前後的第皿族氮 以下，採用圖1與圖2，針對枵λΐ 口。 層C)之製造步驟，依序進行說日^&早結晶（半導體結晶 1. 洗淨步驟 首先，先將反應室進行排氣，θ益山时 板1 0 1的晶座升溫至約1 〇 〇 〇 ，俾9 :女裝有藍寶石基 成長面進行洗淨。 俾對監寶石基板m的結晶 2. M0VPE法（分離前） 丨» (1 )緩衝層成膜步驟 之：a7n所在上寶石基板1 ° 1的結晶成長面上，形成約5 0 0 A =所構成的緩衝層102 ”b時的結晶成長溫度設定為

556363 五、發明說明（13) --—

3 ·分離層消失步驟QJ ’、κ 在進行排氧後，將反應室溫度（熱處理溫度τ )升 溫至約1 0 0 0 °C，藉由使上述分離層A產生氣化，而將厚度 約1 0 // m之保護層B，從具有緩衝層丨〇 2的藍寶石基板丨〇 i上 分離出。 。此分離層A的分解溫度，因為在保護層8成膜溫度（約65〇 C )以上’且在半導體結晶層c成膜溫度（約丨〇 〇 〇)以下， 因此分離層A便將隨熱分解而消失（氣化），而保護層8則將 從基底基板（藍寶石基板1〇1)分離出。 經由以上製造步驟，便可獲得具有如圖2(b) 構的半導體結晶。 4.基底基板取出步驟 接著，藉由將反應室降溫至略常溫，俾將具有緩衝層 102之藍寶石基板1〇1(基底基板）與厚度約1〇 “^^之保護層b 予以冷卻，然後再從反應室中取出藍寶石基板1〇1。°曰 5 ·早結晶成長步驟 (1)排氣·升溫步驟 其次，將反應室進行排氣，並升溫至約丨〇 〇 〇它（ 麵 結晶層C之結晶成長溫度Tc)。 Μ

(2 )單結晶成長步驟c (前半段） 其次，利用MOVPE法，層積由GaN所構成標的半導體結 層C的其中一部份（厚度約3 〇 # m)。 νσ 1 (3 )單結晶成長步驟c (後半段） 然後，利用HVPE法（第2結晶成長法），將上述厚度約3〇

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# m的GaJ單結晶（半導體結晶層c之其中一部份）當作基 反，並貫施結晶成長截至上述半導體結晶層c成長至約15〇 為止、。此時的結晶成長溫度最好在1〇〇〇力左右。 Μ I! t =上製造步驟，便可獲得具有如圖2(c)所示剖面結 構的半導體結晶。 6 ·保護層消失步驟万 然後，藉由升溫至保護層B分解溫度（約丨丨5 〇。。左右）， 護層β經由熱分解（氣化）而消I。藉此因為僅殘留半 導肢結晶層C(GaN層），因此可獲得獨立的GaN基板。

經由以上製造步驟，便可獲得具有如圖2(d)所示剖面結 構的半導體結晶。 其中，本步驟/3亦可省略。 藉由^以上製造步驟，在形成厚膜的半導體結晶層c ( 、之别’因為可將基底基板從保護層b分離開，因此便不 致隨與基底基板（藍寶石基板丨〇1 )間之晶格常數差或熱膨 脹係數差等而所產生之應力，在厚膜的半導體結晶層c中 產生錯位或龜裂現象，可獲得高品質半導體結晶層C。 (第2實施例）

圖3所不係本第2實施例中，各主要步驟前後的第冚族 化物半導體層積結構剖視圖。 ^ ，第2實施例係以上述第1實施例之製造方法為基礎，在 保濩層層積步驟b之後，於由上述GaQ2qN所構成厚度約 1〇 的保護層B上，更於9〇〇〇c左右下，成長2〇 #mtGaN 層C’（覆蓋層C，）。然後再昇溫至100(rc左右，而使位於中 556363 五、發明說明（15) 間位置處的分離層A產生蒸發，#分離呈 101 與 A1N 緩衝層 102^M & M A t f 4 H , ^ ^ rJ ^ ^ n 斤冓成的基底基板側」，及「由GaN層 C ^保護層B所構成的新結晶成長基板側」。 Γ，、言^如，依.照如上述方法的話，藉由上述覆蓋層C，（GaN声 备作保護膜的作用，便可將在9 0 0〜1 〇 〇 〇 °c附近，隨埶 刀解專而夕J/叉到損傷的保護層B結晶性，維持於比較安 定的狀態，而可輕易的順暢或優越的開始進行結晶 導體結晶層C的單結晶成長步驟c。 ' 曰層隹「的士组成、成長溫度及厚度’係截至半導體結 a曰層C開始進行結晶成長時點之前，最好設定為此覆蓋声 Ik熱分解作用便剛剛完全消失的狀態。 θ 藉由此類覆蓋層c，的層積及消失，即便在熱處理等 ::亦可將保護層Β表面（半導體結晶射之結晶成長面二 心日日性，維持於充分的優質狀態，藉此便可將 層c更確實的形成優越單結晶。 曰曰 戈ΐ t ,如上述，一般將覆蓋層c，組成設定為大致如同丰 V體、纟D晶層C組成的方法乃屬有效的。藉此，即便覆蓋 的其中「部分未完全消失殆盡’❿—部份殘留於保護^

上的情況下，4乃可能開始或繼續高品質半導體結晶層二 結晶成長。 J 再者，覆蓋層C，係使大致略同於半導體結晶層c 族氮化物系化合物半導體，在較低於半導體結晶層c之姓 晶成長溫度Tc的成長溫度下，進行結晶成長的方法，亦； 有效的。依照此種方法的話，在半導體結晶層C之結晶成

C:\2D-C0DE\9MU9I119240.ptd 第19頁 五、發明說明（16) 長溫度Tc附近，覆蓋層〇，將 蓋層C，比較容易設定呈隨熱八較容易的消失。因此，覆 態。此外，因為半導體結晶解作用而剛剛完全消失的狀 成，因此即便霜芸a Γ，甘1曰㈢C與覆蓋層C’屬於相同組 部份殘留於保SB上的V;部分未完全消失殆 品質半導體結晶層C的結=成=，仍可能開始（或繼續）高 再者，在上述各實施例中 ^。 實施。即，亦可並未採用第，/VPE法亦可利用M0VPE法等 單一種類的結晶成長法進行社结曰晶成長法，而是始終均由 而採用上述實 亦包括涵蓋於 再者’為顯示本發明最者B成長 施例，但是本發明並不的適當例子 卜值限於上述實施例 本务明範彆内的其他變化例或應用例。 【元件編號說明】 101 藍寶石基板 10 2 緩衝層 ~ 分離層 α 分離層消失步驟 〃單結晶成長步驟 i 保護層 万 保護層消失步驟 半導體結晶層 ’ 覆蓋層 單結晶成長步驟 第20頁 C:\2D-00DE\9I-lI\91119240.ptd 556363 圖式簡單說明 圖1為本發明第1實施例中，截至單結晶成長步驟c為止 的反應室溫度變化圖。 圖2 (a)〜（d)為本發明第1實施例中，各主要步驟前後的 第ΠΙ族氮化物半導體之層積結構剖視圖。 圖3 (a)〜（d)為本發明第2實施例中，各主要步驟前後的 第ΠΙ族氮化物半導體之層積結構剖視圖。

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Claims (1)

1. 556363

   l · 一種半導體結晶之製造方法，係在基底基板上， 出由第m族氮化物系化合物半導體所構成的半導體結=I 而獲得獨立於上述基底基板的優質半導體結晶 、曰曰 °日日疋万法；其 中， 在層積由第羾族氮化物系化合物半導體所構成之枳 導體結晶層C的單結晶成長步驟c之前，户斤實施的步ς係包. 含有： ’ 在對上述半導體結晶層c提供結晶成長面之由第瓜族氮 - 化物系化合物半導體所構成保護層Β，與上述基底基板之 間，所層積之由第m族氮化物系化合物半導體1所\ 籌·±成的分 離層A，利用對该分離層A施行熱處理而使分離層a蒸發的 1 分離層消失步驟α。 ^ 2 ·如申請專利範圍第1項之半導體結晶之製造方法，其 中上述第II[族氮化物系化合物半導體，係由 A 1 卜x-y GayInxN ,〇Sx$l、〇gy$i、q$i 一 X 一所形 成。 3 ·如申請專利範圍第1項之半導體結晶之製造方法，其 中上述基底基板’係採用藍寶石、尖晶石、氧化锰、氧化 叙裡（L i G a 02 )、硫化錮（Μ 〇 S )、石夕（S i )、碳化石夕（s i C )、 AIN、GaAs、InP、GaP、MgO、ZnO、或MgAl2〇4。 · 4·如申請專利範圍第1項之半導體結晶之製4造方法，係 ’ 將上述分離層消失步驟α的上述熱處理之溫度Τχ， - 半導體結晶層C的結晶成長溫度tc，及 上述保護層B的結晶成長溫度1間之大小關係，設定為

   C:\2D-C0DE\9M]\91119240.ptd 第22頁 556363 六、申請專利範圍 「TB <TX STC」、。 5，如申請專利範圍第1項之半導體結晶之製造方法，其 中，將上述保護層B的銦（I η)組成比，設定為小於上述分 離層Α的銦（I η)組成比。 6. 如申請專利範圍第1項之半導體結晶之製造方法，其 中上述半導體結晶層C，係使氮化鎵（GaN)在9 0 0 °C〜1100 °C下進行結晶成長。 7. 如申請專利範圍第1項之半導體結晶之製造方法，其 中上述保護層B，係使「GahlnxfKO.OSxSO.S)」進行結 晶成長。 8. 如申請專利範圍第1項之半導體結晶之製造方法，其 中上述分離層A係使「Ga^InxNCO· 05 Sx $ 1 · 0)」進行結晶 成長。 9. 如申請專利範圍第1項之半導體結晶之製造方法，其 中上述分離層消失步驟α中的上述熱處理之溫度1；，係設 定在7 0 0 °C以上、且11 0 0 °C以下。 1 0.如申請專利範圍第1項之半導體結晶之製造方法，其 中在上述單結晶成長步驟c之後所實施的步驟係包含有： 使上述保護層B經熱處理而蒸發的保護層消失步驟冷。 11.如申請專利範圍第1 0項之半導體結晶之製造方法， 係將上述保護層消失步驟点中的上述熱處理之溫度，設定 在9 0 0 °C以上，且1 2 0 0 °C以下。 1 2.如申請專利範圍第1項之半導體結晶之製造方法，其 中在上述分離層消失步驟α之前所實施的步驟係包含有：

   C:\2D-C0DE\91-ll\91119240.ptd 第23頁 556363 々、申請專利範圍 献f f述保護層B上預先層積在上述分離層消失步驟α的 中’當作保護著上述保護層Β用之覆蓋層的覆蓋層 層積步驟。 其中·如申淨請^專利範圍第1 2項之半導體結晶之製造方法’ i ΤΤΤ覆蓋層’係使組成略同於上述半導體結晶層C的 無鼠化物系化合物半導體，在較低於上述半導體結晶 層^之結晶成長溫度Tc的成長溫度下，進行結晶成長。 1 Φ ·如申請專利範圍第1 2項之半導體結晶之製造方法， ^ ^述覆盖層’係使氮化鎵（GaN)在8〇(rc〜1〇〇(rc的成 長&度下進行結晶成長。

   中”’：乂，專利範圍第1 J員之半導體結晶之製造方法， 吏：：晶成長步驟c整體或最遲亦在中 ίΐ =於截至此為止所實施結晶成長法的結晶成 速^，更快速的第2結晶成長法進行實施。 曰曰成 中，將如上申：八專Μ利範圍第1項之半導體結晶之製造方法， 結晶成長二：Τ層1^；结晶成長溫度Τα、或上述保護層Β 長/皿度Τβ ’汉疋在40 0。〇 900。(： 〇 中\7.將'申Λ專:第1項之半導體結晶之製造方法，

   姓曰成县8之結晶成長溫度1、肖上述保護層Β 、，口阳成長溫度ΤΒ間之大小關係，設定為「Ά」〇

   第24 I