TW550807B - Semiconductor memory device - Google Patents

Description

550807 A7 B7 五、發明説明（j 發明背景 發明領域 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明是關於一種電氣式可重寫的半導體記憶裝置。 先前技藝說明 在電氣式可寫入/可抹除的非揮發性記憶體中，使用 者將用以寫入/抹除資料的特定指令輸入到ic的輸入介 面’因而能將所要的資料寫入EEpr〇M (電氣式可抹除記 憶體）的非揮發性記憶體中。 該特定指令是一種用以經由終端來輸入電信號的輸入 信號圖樣，該終端是爲EEPROM與外部通信而準備，以 操作EEPROM使其運作。該輸入圖樣是預先爲每個 EEPROM所決定，當輸入時，EEPr〇m便執行使用者所下 達諸如寫入/抹除資料的操作。 可以執行多次想要的寫入/抹除。因此，使用者錯誤 將資料寫在已被寫入到非揮發性記憶體的資料上或錯誤將 其抹除的情形是常見的。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 照慣例，爲了不錯誤覆寫或是消除曾寫入的資料，通 常會使用用以避免不正確寫入與不正確抹除的EEPROM 保護功能。此保護功能是一種即使當用以執行資料寫入/ 抹除至EEPROM的特定指令被輸入時，也能使寫入與抹 除不會在EEPROM上執行的功能。使保護功能操作的特 定指令與特定時脈同步且被輸入以操作EEPROM。 此特定時脈是一種從外部輸入的時脈，或是在內部位 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4- 550807 A7 B7_ 五、發明説明（2) 置產生的時脈。此時脈頻率爲固定頻率。 再者，在習知技藝中，因爲該時脈頻率爲固定頻率， 所以很可能發生該頻率與特定指令所設定的頻率一致，該 指令是用以使保護功能開始操作。 照慣例，在只有執行一次將資料寫入到非揮發性記憶 體，且即使當使用者執行了寫入動作，寫入在第二次後被 禁止的情形中，通常使用到上述EEPROM的保護功能。 在此保護中，用以使保護功能開始操作的特定指令被 輸入到1C的輸入介面，以使得之後即使當使用者給予寫 入/抹除命令，1C也不會執行寫入/抹除，所以可以保 護記憶體資料使其如同執行保護操作之前一樣。或者，爲 了啓動保護功能，將特定信號提供給配置於EEPROM的 終端，以使保護功能開始操作。 然而，如上所述，爲了使保護功能得以操作，使用者 不是必須輸入特定指令就是必須輸入特定信號至某終端。 所以，便產生一個問題，在資料被寫入到EEPROM之後 ，爲了保護該資料，使用者必須輸入該信號給EEPROM， 對使用者來說是一種負擔。 再者，因爲必須正確地輸入特定指令與輸入信號以確 定保護功能開始操作，所以便產生一個問題，這樣的必要 條件會干擾使用者的目的，即被寫入到記憶體的資料須受 到可靠方式的保護。 照慣例，因爲該時脈頻率爲固定頻率，因此很有可能 發生該頻率與用以使保護功能開始操作的時脈頻率一致。 $張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -5- 550807 Α7 Β7 五、發明説明（3) 此問題可藉由增加特定指令的位元數來克服。然而，增力α 特定指令的位元數會增加電路的尺寸。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 發明槪述 爲了解決上述的問題，在本發明中，曾寫入到非揮發 性記憶體中的資料會受到可靠方式的保護而無須增加使用 者須提供信號給EEPROM的負擔。提供以下的方法來達 成此目的。 根據本發明，除了使用者記憶區域對使用者而言是能 夠寫入自由選擇資料的記憶體之外，可獨立提供寫入-資 訊儲存記憶體，其是一種用以儲存指示資料是否已被寫入 到使用者記憶區域之資訊的記憶體。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此使用者記憶區域是一種記憶陣列，可以藉由透過配 置於1C的輸入介面將特定的寫入/抹除命令輸入而使特 定資料寫入於其中。此寫入-資訊儲存記憶區域是一種用 以儲存指示使用者是否已將資料寫入到使用者記憶體之資 訊的記憶體。該寫入-資訊儲存記憶體由1位元記憶體所 組成，且例如“ 0”指示沒有資料被寫入到使用者記憶體 ，而“ Γ指示資料已向那裡寫入。 再者，藉由配置1位元的寫入-資訊儲存記憶體，其 在特定區域中與使用者記憶陣列相關，便有可能提供關於 每個使用者記憶陣列區域，用以指示資料是否已被寫入的 資訊。

根據本發明，當使用者將寫入命令輸入到1C時，1C 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -6- 550807 A7 B7 五、發明説明（4) 會自動讀取寫入-資訊儲存記憶體中的資料，該記憶體與 將寫入資料之使用者記憶體相關。根據此資料來做出是否: 有可能將資料寫入到使用者記憶體的判斷。假如沒有資米斗 被寫入到使用者記憶體的話，則1C便不能執行此寫入， 而假如資料已被寫入其上的話，則將此寫入消除以使得已 被寫入其中的該資料能夠被保護。根據上述的範例，假如 被讀出之寫入-資訊儲存記憶體中的資料指示出“ 0 ”時 ，則IC能夠執行此寫入，而假如該資料指示“ Γ時，則 取消此寫入。 在從寫入-資訊儲存記憶體讀取中，當使用者將寫入 命令輸入到1C時，1C會自動執行讀取，然後做出是否寫 入資料的判斷。所以，除了輸入寫入命令之外，使用者無 須承擔諸如發送信號的負擔。再者，1C執行是否有可能 寫入的判斷。所以，能夠在保護功能中避免例如因使用者 不正確輸入所造成資料的覆寫，而因此能加強資料的可靠 性。 根據本發明，當使用者將資料寫入到特定位址時，1C 會自動將資料寫入到對應於使用者區域在該位址的寫入-資訊儲存記憶體中。 當使用者將寫入命令輸入到1C時，資料能夠被寫入 特定記憶區域第一次，然後該寫入被取消之後’已寫入資 料之使用者區域中的資料得到維護。所以’在對沒有寫入 資料的記憶陣列執行寫入的情形中，指示出已對記憶陣列 執行寫入的資料會被自動寫入於對應該記憶陣列的寫入一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 550807 A7 B7 五、發明説明（5) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 資訊儲存記憶體，因而取消第二次及之後的寫入。當資料 被寫入到使用者區域時，會藉由1C自動執行將該資料寫 入於寫入-資訊儲存記憶體。所以，使用者除了輸入寫入 命另外，沒有發送信號的負擔。 根據本發明，因爲此寫入-資訊儲存記憶體是由非揮 發性記憶體所組成，所以，能夠保護指示是否已執行寫入 的資訊，不管電壓被開啓或關閉，所以能夠加強資料保留 的可靠性。 根據本發明，因爲該寫入-資訊儲存記憶體是由揮發 性記憶體所組成，所以當電源關閉時，所儲存的資訊會被 初始化，且該寫入-資訊儲存記憶體會被淸除，因而能夠 消除執行初始化的麻煩，且能改良使用的便利性。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 根據本發明，該寫入-資訊儲存記憶體的電路結構爲 不管使用者如何藉由發送寫入/抹除命令來重寫位址，也 不能執行對該寫入-資訊儲存記憶體的資料寫入。所以， 便可以避免因使用者的不正確命令而取消或釋放保護功倉δ 。當特定命令經由輸入介面輸入時，爲了將記憶體中的資 訊初始化而將資料寫入記憶體中，能夠將該資料寫入記憶 體中。 根據本發明，也可將寫入-資訊儲存記憶體作爲使用 者記憶體，而能夠使記憶體具有兩種功能，即使用者能夠 將自由選擇的資料寫入使用者記憶體的功能以及保護功能 。因此改良了使用上的便利性。 根據本發明，該寫入-資訊儲存記憶體是架構於與使 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -8 - 550807 A7 B7 五、發明説明（3 用者記憶體相同的位元組中。習知的EEPROM架構是將 具有複數個位元的一個記憶胞元作爲一個位元組，而資料 一次被寫入於複數個記憶胞元。在一串列EEPROM中， 一個位元組通常架構有8個記憶胞元。根據本發明，藉由 在與使用者記憶體複數個位元相同的位元組中配置一位元 的寫入-資訊儲存記憶體，當將資料寫入於使用者記憶體 時便能夠同時將資料寫入於寫入-資訊儲存記憶體。所以 ，不會有額外的寫入時間以將資料寫入到寫入-資訊儲存 記憶體。此寫入時間通常被界定爲EEPROM的規格，且 能夠消除造成額外寫入時間的缺點。 根據本發明，設有用以使保護功能開始操作的密碼認 證電路以取代用以使保護功能操作的預定指令。所以，便 能夠增加對保護狀態的設定次數。 根據本發明，用於密碼認證中的時脈頻率是可改變的 ，且該密碼認證是藉由可改變的時脈來執行。藉由上述時 脈頻率設定的可允許次數，此配置等於是增加有關特定密 碼之密碼設定的可允許次數，因而實際增加密碼設定的可 允許次數。 根據本發明，因爲時脈設定資料被架構爲非揮發性， 不管電壓被開啓或關閉都能夠保護時脈設定資料，且消除 再次設定時脈設定資料的麻煩，因此改良了使用上的便利 性。 根據本發明，因爲時脈設定資料被架構爲揮發性，當 電源關閉時該時脈設定資料會被初始化且該時脈設定資料 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -9 - 550807 A7 _ B7 五、發明説明（7) 會被淸除’且消除了將該資料初始化的麻煩，因此改良了 使用的便利性。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 根據本發明，因爲能夠從專用於此用途之外部終端來 控制該時脈設定資料’便可能在任何有需要的時候改變該 時脈設定資料，因而改良了使用上的便利性。 根據本發明，因爲用於認證的密碼被架構爲非揮發性 ，不管電壓被開啓或關閉都能夠用於認證的密碼資料，且 消除了再次設定用於認證之密碼資料的麻煩，所以改良了 使用上的便利性。 根據本發明，因爲用於認證的密碼資料被架構爲揮發 性，當電源關閉時該用於認證的密碼資料會被初始化且該 時脈設定資料會被淸除’而消除了將該資料初始化的麻煩 ，因此改良了使用的便利性。 根據本發明，因爲用於認證的密碼資料是利用外部終 端來設定，所以能夠在任何有需要的時候改變該用於認證 的密碼資料，所以能夠改良使用的便利性。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 簡單圖示說明 在以下的附圖中： 圖1顯示根據本發明實施例1之記憶電路系統的電路 結構； 圖2顯示習知1位元組記憶電路的電路結構； 圖3顯示根據本發明實施例1之電路的電路結構； 圖4顯示根據本發明實施例2之密碼認證電路的電路 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公釐Ί ~一 -1 〇 - 550807 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（$ 結構。 基本元件對照表 10 使用者記憶區域 11 寫入-資訊儲存記憶區域 12 讀取電路 13 寫入電路 14 控制邏輯電路 15 輸入介面 16 模式解碼邏輯 17 位址解碼器 20 感測線 21 位元線 22 位元組選擇電晶體 23 選擇閘電晶體 24 記憶胞元 25 字元線 31 記憶胞元位元線 32 位元組選擇電晶體 33 選擇閘電晶體 34 記憶胞元 35 字元線 36 位元線 37 選擇閘電晶體 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 11 - 550807

五、發明説明（ 38 40 41 42 43 44 45 46 47 48 記憶胞元 外部時脈輸入介面 密碼資料輸入介面 時脈設定資料保持電路 時脈產生電路 密碼認證電路 密碼資料維護電路 密碼認證時脈 時脈設定資料控制終端 密碼資料控制終端 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 較佳實施例的詳細說明 以下將參考附圖詳細說明本發明的實施例。 (實施例1 ) 以下將詳細說明根據本發明實施例1的記憶電路。圖 1顯示根據本發明實施例1之記憶電路的結構方塊圖。此 記憶電路包含：使用者記憶區域10，使用者能夠將自由 選擇的資料寫入於此區域；用以儲存被寫入到使用者記憶 體中之資料的寫入-資訊儲存記憶區域11 ;讀取電路12 ，用以讀取位於使用者記憶體及寫入-資訊儲存記憶體中 的資料；寫入電路1 3，用以將資料寫入到使用者記憶體 及寫入-資訊儲存記憶體中；以及控制邏輯電路1 4，用 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公釐） -12- 550807 A7 _ B7 五、發明説明（七 以根據從寫入-資訊儲存記憶體所讀取的資料來分析是否 執fr來自使用者的寫入命令。使用者s5 te、區域1 〇是一^種 記憶陣列，使用者能夠經由配置於1C的輸入介面1 5藉由 輸入特定的寫入/抹除命令來將自由選擇的資料寫入於此 區域。 寫入-資訊儲存記憶區域11是一種記憶儲存資訊， 其指示使用者是否已將資料寫入到由特定單元所構成的使 用者記憶體中。此寫入-資訊儲存記憶體是由1位元的記 憶單元所組成，例如其中“ 0”指示沒有資料被寫入到該 記憶體，而“ Γ指示資料已被寫入到記憶體。在以下對 寫入-資訊儲存記憶體的說明中，“ 0”指示沒有資料被 寫入到記憶體，而“ Γ指示資料已被寫入到該記憶體。 當自由選擇的資料將被寫入到EEPROM時，使用者 經由1C的輸入介面輸入對應於寫入命令的特定信號、資 料將被寫入的位址以及寫入-資訊。 典型地，當E E P R〇Μ的丨吴式解碼邏fe 1 6接收到時’ 位址解碼器1 7便經由寫入電路1 3選擇上述的位址以及上 述被寫入到該位址的資料。 在本發明中，當接收到寫入命令時，對應於該位址的 資料會從寫入-資訊儲存記憶體中被讀取，控制邏輯電路 便判斷資料是否已被寫入到該位址。 此處，當位於寫入-資訊儲存記憶體中的資料爲“ 1 ”時代表資料已被寫入到記憶體，控制邏輯電路14接收 到寫入-資訊儲存記憶體所輸出的信號並將寫入-禁止信 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝·

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -13- 550807 A7 B7_

五、發明説明（A (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 號輸出給寫入電路1 3。這會取消使用者所輸入的寫入信 號，而維護了先前所寫入的資料。因此，使用者能夠第一 次寫入到特定位址，但是第二次時寫入會被取消，而能得 到保護功能的效果。 其次，當位於寫入-資訊儲存記憶體中的資料爲“ 〇 ”時代表沒有執行資料的寫入，控制邏輯電路14接收到 寫入-資訊儲存記憶體所輸出的信號並將寫入-許可信號 輸出給寫入電路1 3。因此，1C能夠像其一般所作的將使 用者輸入的資料寫入。再者，1C同時將指示資料已被寫 入的“ 1 ”寫入到對應於上述位址的寫入-資訊儲存記憶 體，從而將資料已被寫入到上述位址記錄下來。 再者，根據本發明，寫入-資訊儲存記憶體在作爲使 用者記憶體時是一種電氣式可寫入/可抹除的半導體記憶 元件。EEPROM電路就其本身來說，能夠用於讀取寫入-資訊儲存記憶體中之資料的讀取電路，以及用於寫入資料 的寫入電路，所以具備無須額外周邊電路的特性。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者，因爲也能夠輸入特定指令及將寫入-資訊儲存 記憶體中的資料初始化，因此能夠改良對使用者的使用便 利性。 以下將說明圖1之使用者記憶段10與寫入-資訊儲 存記憶體的指定範例。 圖2顯示一習知記憶胞元的1位元組。此記憶位元組 是由一感測線20與複數個位元線2 1所組成。連接於感測 線20的是位元組選擇電晶體22，而連接於位元線2 1的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 14- 550807 A7 ___B7 五、發明説明（也 是選擇閘電晶體23及記憶胞元24。在一序列輸入 E E P R〇Μ中，位兀線通常由8位元所組成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 當輸入寫入命令時，資料將被寫入之位址的字元線 25便被選擇，且打開位元組中的選擇閘電晶體23。此時 ，對應於將被寫入之資料的電壓被施加到感測線20與位 元線2 1，從而將資料寫入到記憶體中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖3顯示根據本發明之記憶胞元的1位元組。圖3顯 示一結構，其中1位元的冗餘記憶體配置在位元組之內， 該位元組是由1位元或複數位元的使用者記憶體所組成， 且其中配合一個寫入操作能夠將資料寫入到使用者記憶體 中並同時將指示資料是否已寫入到使用者記憶體的資訊寫 入到冗餘記憶體中。在此結構中，1位元的位元線36、選 擇閘電晶體37及記憶胞元38被附加到圖2的電路圖中。 位元線36、選擇閘電晶體37及記憶胞元38對應於圖1 中的寫入-資訊儲存記憶體11。將來自寫入電路1 3與位 址解碼器17的信號輸入到位元線35與位元線36。再者 ，將來自寫入-資訊儲存記憶體的信號從位元線36輸出到 讀取電路1 2。 此處，連接於原始提供之記憶胞元位元線3 1的記憶 胞元34是一種使用者記憶體，使用者能夠藉由寫入命令 將資料寫入於其中，而連接於位元線36的記憶胞元38是 寫入-資訊儲存記憶體。 當使用者給予上述的寫入命令時，EEPROM便會自動 讀取寫入-資訊儲存記憶體中的資料。假如沒有資料被寫 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 550807 A7 ___B7 五、發明説明（h 入到將寫入資料的記憶體的話，則便對此使用者記憶體執 行寫入動作，而將指示資料已寫入到此記憶體的資料寫入 到寫入-資訊儲存記憶體。 如圖3所示，字元線35是被位元組選擇電晶體32 ' 選擇閘電晶體33與37所共享。所以，能夠同時將資料寫 入到使用者記憶體24與寫入-資訊儲存記憶體38，消除 了 EEPROM花費額外時間來將資料寫入的需要。 (實施例2 ) 接著’以下將說明在資料等之類將被使用者所寫入之 時，用以執行密碼認證與寫入許可/禁止的結構。圖4顯 示密碼認證電路的結構。 在圖4中，密碼認證電路包含：外部時脈輸入介面 40，用以輸入將用於密碼認證的基時脈；用以輸入特定密 碼的密碼資料輸入介面4 1 ;時脈設定資料保持電路42， 用以保持資料以設定用於密碼認證中的頻率；時脈產生電 路43，用以根據時脈設定資料來產生將用於密碼認證中 的時脈；密碼認證電路44，用以將輸入的密碼對所維護 的密碼進行認證；用以維護認證中所用之密碼的密碼資料 維護電路45 ;時脈設定資料控制終端47與密碼資料控制 終端48能夠架構出時脈設定資料；及能夠架構出將於認 證中使用的密碼資料。 此處’每個終端40、41、47及48皆包含於圖1的輸 入介面15中。再者，時脈設定資料保持電路42、時脈產 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ ' *- -16- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

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五、發明説明（A (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 生電路43、密碼認證電路44與密碼資料維護電路45包 含於圖1所示的控制邏輯電路14中。輸入到每個終端40 、41、47及48的信號都經由模式解碼邏輯電路丨6被輸 入到控制邏輯電路14。 接著將說明操作部份。將來自外部時脈輸入介面40 的基時脈輸入到時脈產生電路43。時脈產生電路43進一 步藉由時脈設定資料保持電路42與時脈設定資料控制終 端47，來產生根據一設定時脈頻率所架構的密碼認證時 脈46。 密碼認證時脈46被輸入到密碼認證電路44，且作爲 用以將該認證密碼資料對來自密碼資料輸入介面4 1所輸 入之密碼資料進行比較與認證的同步時脈，該認證密碼資 料是藉由密碼資料維護電路45與密碼資料控制終端48所 架構。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在時脈設定資料與將用於認證之密碼資料將從外部終 端來設定的情形下，該時脈設定資料是利用時脈設定資料 控制終端47被設定，而該認證密碼資料是利用密碼資料 控制終端48被設定。在沒有使用時脈設定資料控制終端 47與密碼資料控制終端48的情形下，會利用諸如mike ROM、EPROM、EEPROM、快閃記憶體 / EEPROM、熔線 、閘陣列或MR AM的非揮發性記憶體來儲存時脈設定資 料，而利用諸如SRAM或DRAM的非揮發性記憶體來儲存 密碼資料。 將來自密碼資料輸入介面4 1所輸入的資訊與密碼資 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）~" '^ -17- 550807 A7 _ B7 五、發明説明（4 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 料維護電路45中的資訊彼此做比較。假如密碼資訊滿足 所要的條件，則將寫入-許可信號從圖1所示的控制邏輯 電路14輸出到寫入電路13，該控制邏輯電路14包含密 碼認證電路44。 接著，假如密碼資訊無法滿足所要的條件，則將寫 入-禁止信號從圖1所示的控制邏輯電路14輸出到寫入 電路13，該控制邏輯電路14包含密碼認證電路44。 如上文所述，根據本發明，能夠無須使用保護功能也 能達成與保護功能相等的功能，且不會施加負擔給使用者 〇 再者，一旦資料被寫入，即使當使用者提供寫入命令 以寫入到已寫入資料的相同陣列，也會停止1C的寫入操 作。所以，輕易地達成加強的記憶體保護，從而改良使用 上的便利性。 再者，密碼認證電路的提供能夠增加保護。再者，用 於密碼認證的時脈是可改變的，從而能進一步改良保護， 而無須增加密碼認證中的位元數。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210'〆297公釐） -18-

Claims (1)

1. 550807 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍1 1. 一種電氣式可寫入與可抹除的半導體記憶裝置’包 含： 使用者記憶體，使用者能夠將自由選擇的資料寫入於 此記憶體中，及寫入-資訊儲存記憶體，用以儲存指示資 料是否已被寫入到使用者記憶體中的資訊； 讀取電路，用以讀取位於使用者記憶體及寫入-資訊 儲存記憶體中的資料； 寫入電路，用以將資料寫入到使用者記憶體及寫入-資訊儲存記憶體中；及 控制邏輯電路，用以根據從寫入-資訊儲存記憶體所 讀取的資料來分析是否執行來自使用者的寫入命令， 其中在資料已寫入到寫入-資訊儲存記憶體的情形下 ，控制邏輯電路便將寫入-禁止信號輸出給寫入電路。 2. 根據申請專利範圍第1項所述之半導體記憶裝置， 其中當使用者藉由設於1C的輸入介面執行用以將資料寫 入至使用者記憶體的特定寫入命令時，資料會從冗餘記憶 體中被讀取，該冗餘記憶體與將寫入資料的使用者記憶體 相關，而當作出有關資料是否已寫入到使用者記憶體的判 斷且決定該寫入已被執行時，來自使用者的寫入命令便會 被取消以維護儲存於使用者區域中的記憶資料。 3. 根據申請專利範圍第1項所述之半導體記憶裝置， 其中當使用者藉由設於1C的輸入介面執行用以將資料寫 入至使用者記憶體的特定寫入命令時，1C會自動執行操 作以將指示資料已被寫入到使用者記憶體中的資訊寫入到 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） — ^---!------裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -19- 550807 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 冗餘記憶體，該冗餘記憶體與寫入資料的使用者記憶體相 關。 4. 根據申請專利範圍第1項所述之半導體記憶裝置’ 其中儲存有指示資料是否已被寫入到使用者記憶體之資訊 的記憶體是非揮發性的，且其不管電源電壓爲開啓或關閉 都維護所儲存的資訊。 5. 根據申請專利範圍第1項所述之半導體記憶裝置’ 其中儲存有指示資料是否已被寫入到使用者記憶體之資訊 的記憶體是揮發性的，且當電源關閉時，所儲存的資訊會 被初始化以使得指示資料是否已被寫入到使用者記憶體的 資訊從電源開啓後便得到維護。 6. 根據申請專利範圍第1項所述之半導體記憶裝置， 其中使用者不能將自由選擇的資料寫入到記憶體中，該記 憶體儲存有指示資料是否已被寫入到使用者記憶體的資訊 ，且爲了初始化記憶體中之資訊的目的將資料寫入到記憶 體，可以經由輸入介面藉由輸入特定命令來執行該寫入。 7. 根據申請專利範圍第1項所述之半導體記憶裝置’ 其中使用者能夠將自由選擇的資料寫入到記憶體中，該記 憶體儲存有指示資料已被寫入到使用者記憶體的次數資訊 ，且該記憶體也能夠作爲使用者記憶體。 < 8. 根據申請專利範圍第1項所述之半導體記憶裝置’ 其中此裝置具有位元組結構，其中1位元的冗餘記憶體配 置在位元組之內，該位元組是由1位元或複數位元的使用 者記憶體所組成，且配合一個寫入操作能夠將資料寫入到 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ297公釐） -20- 550807 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 使用者記憶體中並同時將指示資料是否已寫入到使用者記 憶體的資訊寫入到冗餘記憶體中。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 9·根據申請專利範圍第1項所述之半導體記憶裝置， 其中控制邏輯電路包含密碼認證電路，用以認證經由輸入 介面輸入的密碼，藉由將其與維護於控制邏輯電路中的密 碼作比較來進行認證。 10·根據申請專利範圍第9項所述之半導體記憶裝置 其中控制邏輯電路包含時脈產生電路，用以從基時脈 產生用於密碼認證的時脈；及 其中用於密碼認證的時脈頻率可藉由時脈設定資料保 持電路來改變。 11 ·根據申請專利範圍第9項所述之半導體記憶裝置 ’其中用以設定密碼認證中所用之時脈頻率的時脈設定資 料是非揮發性的，且不管電源電壓爲開啓或關閉該時脈設 定資料都被維護。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 12·根據申請專利範圍第9項所述之半導體記憶裝置 ’其中用以設定密碼認證中所用之時脈頻率的時脈設定資 料是揮發性的，且當電源關閉時，所儲存的資訊會被初始 化以使得時脈設定資料從電源開啓後便得到維護。 1 3 ·根據申請專利範圍第9項所述之半導體記憶裝置 ’其中用以設定密碼認證中所用之時脈頻率的時脈設定資 料是從外部終端所設定。 · 14·根據申請專利範圍第9項所述之半導體記憶裝置 -21 - 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 550807 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 4 ，其中用於認證的密碼資料是非揮發性的，其與被輸入於 密碼認證中的密碼做比較來進行認證，且所儲存的資訊不 管電源電壓爲開啓或關閉都被維護。 15.根據申請專利範圍第9項所述之半導體記憶裝置 ，其中用於認證的密碼資料是揮發性的，其與被輸入於密 碼認證中的密碼做比較來進行認證，且當電源關閉時，所 儲存的資訊會被初始化以使得時脈設定資料從電源開啓後 便得到維護。 1 6.根據申請專利範圍第9項所述之半導體記憶裝置 ，其中用於認證的密碼資料是是從外部終端所設定，其與 被輸入於密碼認證中的密碼做比較來進行認證。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -22-