WO2021181838A1 - センサ装置 - Google Patents

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松本　昌大
晃 小田部
尭生 佐藤
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日立Astemo株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a sensor device capable of adjusting sensor characteristics based on adjustment information stored in a non-volatile memory, and more particularly to a sensor device capable of preventing unauthorized writing of adjustment information stored in a non-volatile memory.
  • Patent Document 1 is an example of a sensor device capable of preventing erroneous writing and erroneous erasure of adjustment information stored in a non-volatile memory.
  • erroneous writing and illegal writing to the non-volatile memory are prevented by physically fixing the write signal to the non-volatile memory to the off state by blowing the fuse ROM.
  • Patent Document 2 As an example of an integrated circuit device capable of preventing erroneous writing of information stored in a non-volatile memory, there is a technique described in Patent Document 2.
  • Patent Document 2 erroneous writing and unauthorized reading to the non-volatile memory are prevented by protecting the writing or reading of the non-volatile memory based on the protection information stored in the non-volatile memory.
  • Patent Document 1 erroneous writing and illegal writing to the non-volatile memory are prevented by physically fixing the write signal to the non-volatile memory to the off state by blowing the fuse ROM. Since the fuse ROM is used in this patent document, a special process for constructing the fuse ROM is required, a dedicated pad for blowing the fuse ROM needs to be separately provided, or the fuse ROM is blown. Therefore, when a transistor is used, there is a problem that the size of the transistor becomes large. There is also a problem in ensuring the reliability of the blown portion of the fuse ROM.
  • Patent Document 2 erroneous writing to the non-volatile memory is prevented by protecting the writing and reading of the non-volatile memory based on the protection information stored in the non-volatile memory. Since this patent is to prevent unauthorized reading and writing of the program stored in the integrated circuit device, reading and writing of the non-volatile memory is protected, but the reuse of the non-volatile memory is considered. , Erase of non-volatile memory is basically not protected. Therefore, when this technology is used in the sensor device, there are problems that the adjustment information stored in the non-volatile memory cannot be verified and the information stored in the non-volatile memory is illegally erased.
  • the adjustment information stored in the sensor device can be illegally rewritten.
  • the malfunction of the sensor device may cause a malfunction of the entire system using the sensor device, which may cause great damage.
  • due to information security problems it is essential to take measures against unauthorized rewriting of adjustment information stored in the sensor device.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a sensor device capable of preventing unauthorized writing of adjustment information of the sensor device written in a non-volatile memory.
  • the sensor device of the present invention includes a detection unit that detects a physical quantity, a non-volatile memory that stores adjustment information, and an adjustment unit that adjusts the output signal of the detection unit based on the adjustment information.
  • An output unit that outputs the output of the adjustment unit to the outside, a communication unit that communicates with the outside, a writing unit that writes to the non-volatile memory based on information from the communication unit, and the communication unit.
  • a reading unit that reads from the non-volatile memory based on the information from the non-volatile memory and an erasing unit that erases the non-volatile memory based on the information from the communication unit are provided, and protection information is stored in the non-volatile memory.
  • An area to be stored is arranged, and the operations of the writing unit and the erasing unit are prohibited based on the protection information.
  • the present invention it is possible to provide a sensor device capable of preventing unauthorized writing of adjustment information of the sensor device written in the non-volatile memory.
  • Configuration diagram of the sensor device of the first embodiment Memory map of non-volatile memory 5 Communication command configuration Processing contents for the communication command instructing to write to the non-volatile memory 5 Processing contents for the communication command instructing to erase the non-volatile memory 5 Processing contents for the communication command instructing to read from the non-volatile memory 5 Writing flow of adjustment information 6 and protection information 7 to non-volatile memory 5
  • Configuration diagram of the sensor device of the second embodiment Configuration of communication command to erase protect information 7 Processing contents for the communication command that erases the protect information 7
  • FIG. 1 is a configuration diagram of the sensor device of the first embodiment
  • FIG. 2 is a memory map of the non-volatile memory
  • FIG. 3 is a configuration of a communication command
  • FIG. 4 is a communication instructing writing to the non-volatile memory 5.
  • the processing content for the command FIG. 5 is the processing content for the communication command instructing the erasure of the non-volatile memory
  • FIG. 6 is the processing content for the communication command instructing the reading from the non-volatile memory
  • FIG. 7 is the processing content for the non-volatile memory 5. It is a writing flow of adjustment information 6 and protection information 7.
  • the sensor device 1 of this embodiment adjusts the detection unit 2 that detects the physical quantity, the non-volatile memory 5 that stores the adjustment information 6 and the protection information 7, and the output signal of the detection unit 2 based on the contents of the adjustment information 6.
  • the output unit 4 that outputs the output of the adjusting unit 3 to the outside via the external terminal 12, the communication unit 11 that communicates with the outside of the sensor device 1 via the external terminal 13, and the communication unit 11.
  • the erasing unit 9 that performs the erasing process of the non-volatile memory 5 based on the information from the communication unit 11, and the communication unit 11. It is composed of a reading unit 10 that performs reading processing from the non-volatile memory 5.
  • An example of the detection unit 2 that detects a physical quantity is a semiconductor element such as a flow rate measuring element molded by a MEMS design.
  • the adjusting unit 3, the output unit 4, the communication unit 11, the non-volatile memory 5, the writing unit 8, the erasing unit 9, and the reading unit 10 are configured in the same integrated circuit (LSI).
  • the semiconductor element and the integrated circuit may be configured by the same semiconductor element or may be configured as different semiconductor elements.
  • the non-volatile memory 5 is composed of a flash memory or EEPROM, and as shown in FIG. 2, adjustment information 6 is arranged from address 00 to address FE, and protection information 7 is arranged in address FF. Further, the communication device 11 processes the communication command shown in FIG.
  • the communication command is composed of an operand unit 14, an address unit 15, and a data unit 16 indicating operations (reading, writing, erasing each address, erasing all, etc.) for the non-volatile memory 5.
  • the communication command sent via the external terminal 13 is processed by the communication unit 11, and when it is determined to be a write command, the write unit 8 reads the protect information 7, and when the protect information 7 is 0, the non-volatile memory 5 is predetermined. Write data to the address of.
  • the initial value of the non-volatile memory 5 is set to 0, and writing and erasing to the non-volatile memory 5 are not protected in the initial state. That is, when the protection information 7 is 0, the writing process to the non-volatile memory 5 is performed, and in other cases, the writing process is prohibited. In other words, the write process is prohibited by the protect information 7.
  • the communication command sent via the external terminal 13 is processed by the communication unit 11, and when it is determined to be an erase command, the erase unit 9 reads the protect information 7, and when the protect information 7 is 0, the non-volatile memory 5 is predetermined. Erase or erase all addresses. That is, when the protection information 7 is 0, the erasing process of the non-volatile memory 5 is performed, and in other cases, the erasing process is prohibited. In other words, the protection information 7 prohibits the erasing process.
  • the communication command sent via the external terminal 13 is processed by the communication unit 11, and when it is determined to be a read command, the read unit 10 reads data from a predetermined address of the non-volatile memory 5, and the communication unit 11 reads the data from the external terminal 13. It is output to the outside via. That is, the reading process is always executed without being protected by the protect information 7.
  • the procedure for writing to the non-volatile memory 5 in this embodiment will be described with reference to FIG.
  • the non-volatile memory 5 is written from the address 00 to the adjustment information 6 to be arranged at the address FE, and then the contents of the adjustment information 6 are read for verification.
  • the writing to the adjustment information 6 is appropriate when the content written to the adjustment information 6 and the content read from the adjustment information 6 match, and if it is appropriate, the writing of the protection information 7 is completed and it is not appropriate. In that case, the adjustment information 6 is deleted and the process is restarted from the beginning. In this way, the adjustment information 6 is first written, the adjustment information 6 is verified, and finally the protection information 7 is written to prohibit writing and erasing of the non-volatile memory 5.
  • the non-volatile memory 5 can be read even after the protection information 7 is written to protect the non-volatile memory 5. As a result, even if the contents of the non-volatile memory 5 are rewritten by any chance, the contents of the non-volatile memory 5 can be confirmed by sending a read command from the external terminal 13. Further, it is also possible to store the product identification code for ensuring the traceability of the sensor device 1 in the adjustment information 6, and this product identification code can also be confirmed even after the non-volatile memory 5 is protected. , It can contribute to the improvement of the reliability of the sensor device 1.
  • the protection information 7 for executing the protection of the non-volatile memory 5 is stored in the non-volatile memory 5, the writing unit 8, the erasing unit 9, and the reading unit 10 for writing to the adjustment information 6 are transferred to the protection information 7. It can be shared with the write and read circuits, making it possible to reduce the size and cost of the circuit.
  • FIG. 8 is a configuration diagram of the sensor device of the second embodiment.
  • the sensor device of this embodiment is basically the same as the sensor device of the first embodiment, but as shown in FIG. 8, the switch 17 that prohibits reading from the protect information 7 and the internal terminal that controls the switch 17 are controlled. 18 was added.
  • the switch 17 and the internal terminal 18 are added, and the protection of the non-volatile memory 5 can be temporarily released by controlling the switch 17 by applying a predetermined voltage to the internal terminal 18.
  • the protection information 7 can be erased and the sensor device 1 can be reused.
  • the internal terminal 18 is arranged inside the sensor device 1 so that it cannot be accessed from the outside, so that unauthorized access from the outside can be prevented.
  • the internal terminal 18 is not connected to the connector terminal for communication with the external device, and is arranged in the housing so that the internal terminal 18 cannot be accessed unless the sensor device is disassembled. I have to.
  • FIG. 9 shows the configuration of the communication command for erasing the protect information 7
  • FIG. 10 shows the processing contents for the communication command for erasing the protect information 7.
  • the sensor device of this embodiment is basically the same as the sensor device of the first embodiment, but the communication command for erasing the protect information 7 as shown in FIG. 9 and the protect information 7 shown in FIG. 10 are erased. Added processing for communication commands. As shown in FIG. 9, the communication command for erasing the protect information 7 is a hexadecimal communication command such as 3C33C in which specific values are arranged in the operand unit 14, the address unit 15, and the data unit 16. This made it difficult to access from the outside and prevented unauthorized access from the outside.
  • the communication command sent via the external terminal 13 is processed by the communication unit 11, and when the command is determined to be the protect information erasure command, the erasure unit 9 erases the protect information 7.
  • the protect information 7 can be stored even if the protect information 7 is mistakenly written on the production line of the sensor device 1. By erasing it, the sensor device 1 can be reused. As a result, even if the protection information 7 is mistakenly written on the production line, it can be reused, so that the production yield of the sensor device 1 can be improved.

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Abstract

センサ装置の調整情報を外部から書込みできるセンサ装置において、調整情報の不正書込みが生じる可能性があった。　本実施例のセンサ装置１は物理量を検出する検出部２と、調整情報６とプロテクト情報７を記憶する不揮発性メモリ５と、検出部２の出力信号を調整情報６の内容に基づいて調整する調整部３と、調整部３の出力を外部端子１２を介して外部へ出力する出力部４と、センサ装置１の外部と外部端子１３を介して通信する通信部１１と、通信部１１からの情報に基づいて不揮発性メモリ６への書込み処理を行う書込み部８と、通信部１１からの情報に基づいて不揮発性メモリ５の消去処理を行う消去部９と、通信部１１からの情報に基づいて不揮発性メモリ５からの読出し処理を行う読出し部１０により構成される。

Description

センサ装置
　本発明は不揮発性メモリに格納した調整情報に基づいてセンサ特性を調整できるセンサ装置に係り、特に、不揮発性メモリに格納した調整情報の不正書込みを防止できるセンサ装置に関する。
　不揮発性メモリに格納した調整情報の誤書込みおよび誤消去を防止できるセンサ装置の例として、特許文献１に記載された技術がある。特許文献１では、ヒューズＲＯＭを溶断することで不揮発性メモリへの書込み信号を物理的にオフ状態に固定することで不揮発性メモリへの誤書込みおよび不正書込みを防止した。
　また、不揮発性メモリに格納した情報の誤書込みを防止できる集積回路装置の例として、特許文献２に記載された技術がある。特許文献２では、不揮発性メモリに格納したプロテクト情報に基づき、不揮発性メモリの書き込み又は読み出しをプロテクトすることで不揮発性メモリへの誤書込みおよび不正読出しを防止した。
特開２００３－２４０６５２号公報 特開２００８－２６２２９４号公報
　特許文献１では、ヒューズＲＯＭを溶断することで不揮発性メモリへの書込み信号を物理的にオフ状態に固定することで不揮発性メモリへの誤書込みおよび不正書込みを防止した。本特許文献ではヒューズＲＯＭを用いている為、ヒューズＲＯＭを構成するための特別なプロセスが必要であったり、ヒューズＲＯＭを溶断する為の専用のパッドを別途設ける必要があったり、ヒューズＲＯＭの溶断の為にトランジスタを用いる場合にはこのトランジスタのサイズが大きくなるなどの課題がある。また、ヒューズＲＯＭの溶断部の信頼性の確保にも課題がある。これらのことから、ヒューズＲＯＭと不揮発性メモリ（特にフラッシュメモリ）を同一のチップに実装することは困難であり、仮に同一チップにした場合にはプロセスコストの増加、チップサイズの増加、信頼性の低下などの課題が生じる。これらのことからヒューズＲＯＭを用いた場合、センサ装置の小型化、低コスト化、信頼性などの課題が生じる。
　また、特許文献２では、不揮発性メモリに格納したプロテクト情報に基づき、不揮発性メモリの書き込みおよび読み出しをプロテクトすることで不揮発性メモリへの誤書込みを防止した。本特許は集積回路装置に格納されたプログラムの不正読出しおよび誤書込みを防止することである為、不揮発性メモリの読出しと書込みはプロテクトされるが、不揮発性メモリの再利用を考慮している為、不揮発性メモリの消去は基本的にプロテクトされない。この為、本技術をセンサ装置に使用した場合、不揮発性メモリに格納した調整情報のベリファイができないことと不揮発性メモリに格納した情報が不正に消去される課題が生じる。本技術では不揮発性メモリに格納した情報を消去できることから、センサ装置に格納した調整情報を不正に書き換えることが可能になる。この結果、センサ装置が誤動作することで、センサ装置を使用したシステム全体の誤動作を引き起こし甚大な損害を発生させる可能性がある。これらのことから、センサ装置の外部からの不正操作によりセンサ装置の調整情報が書き換えられることを防ぐ必要がある。特に、情報セキュリティの問題からセンサ装置に格納した調整情報が不正に書き換えられることに対する対策は必須になっている。
　本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり，その目的は不揮発性メモリに書き込まれたセンサ装置の調整情報の不正書込みを防止できるセンサ装置を提供することにある。
　上記課題を解決するために、本発明のセンサ装置は、物理量を検出する検出部と、調整情報を記憶する不揮発性メモリと、前記検出部の出力信号を前記調整情報に基づいて調整する調整部と、前記調整部の出力を外部へ出力する出力部と、外部と通信をする通信部と、前記通信部からの情報に基づいて前記不揮発性メモリへの書込みを行う書込み部と、前記通信部からの情報に基づいて前記不揮発性メモリから読出しを行う読出し部と、前記通信部からの情報に基づいて前記不揮発性メモリの消去を行う消去部と、を備え、前記不揮発性メモリにプロテクト情報を格納する領域を配置し、前記プロテクト情報に基づいて前記書込み部と前記消去部の動作を禁止する。
　本発明によれば、不揮発性メモリに書き込まれたセンサ装置の調整情報の不正書込みを防止できるセンサ装置を提供することが可能となる。
第１の実施例のセンサ装置の構成図 不揮発性メモリ５のメモリマップ 通信コマンドの構成 不揮発性メモリ５への書込みを指示する通信コマンドに対する処理内容 不揮発性メモリ５の消去を指示する通信コマンドに対する処理内容 不揮発性メモリ５からの読出しを指示する通信コマンドに対する処理内容 不揮発性メモリ５へ調整情報６およびプロテクト情報７の書込みフロー 第２の実施例のセンサ装置の構成図 プロテクト情報７を消去する通信コマンドの構成 プロテクト情報７を消去する通信コマンドに対する処理内容
　以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、各実施例は、矛盾しない限り組み合わせ可能である。
［第１の実施例］　まず，本発明の第１の実施例であるセンサ装置を図１から図７により説明する。なお，図１は第１の実施例のセンサ装置の構成図、図２は不揮発性メモリ５のメモリマップ、図３は通信コマンドの構成、図４は不揮発性メモリ５への書込みを指示する通信コマンドに対する処理内容、図５は不揮発性メモリ５の消去を指示する通信コマンドに対する処理内容、図６は不揮発性メモリ５からの読出しを指示する通信コマンドに対する処理内容、図７は不揮発性メモリ５へ調整情報６およびプロテクト情報７の書込みフローである。
　本実施例のセンサ装置１は物理量を検出する検出部２と、調整情報６とプロテクト情報７を記憶する不揮発性メモリ５と、検出部２の出力信号を調整情報６の内容に基づいて調整する調整部３と、調整部３の出力を外部端子１２を介して外部へ出力する出力部４と、センサ装置１の外部と外部端子１３を介して通信する通信部１１と、通信部１１からの情報に基づいて不揮発性メモリ５への書込み処理を行う書込み部８と、通信部１１からの情報に基づいて不揮発性メモリ５の消去処理を行う消去部９と、通信部１１からの情報に基づいて不揮発性メモリ５からの読出し処理を行う読出し部１０により構成される。
　なお、物理量を検出する検出部２の例として、MEMS設計で成形された流量測定素子等の半導体素子が挙げられる。また、調整部３、出力部４、通信部１１、不揮発性メモリ５、書込み部８、消去部９、読出し部１０は同一の集積回路（LSI）に構成されている。半導体素子と集積回路は、同一の半導体素子で構成してもよいし、別の半導体素子として構成してもよい。
　なお、不揮発性メモリ５はフラッシュメモリあるいはＥＥＰＲＯＭで構成され、図２に示す様にアドレス００からアドレスＦＥまでは調整情報６が配置され、アドレスＦＦにはプロテクト情報７が配置されている。また、通信装置１１は図３に示す通信コマンドを処理する。通信コマンドは不揮発性メモリ５に対する操作（読出し、書込み、アドレス毎の消去、全消去など）を示すオペランド部１４とアドレス部１５とデータ部１６により構成される。
　次に、本実施例における不揮発性メモリ５への書込みを指示する通信コマンドに対する処理内容を図４により説明する。外部端子１３を介して送られた通信コマンドは通信部１１で処理され、書込みコマンドと判断されると書込み部８はプロテクト情報７を読み込み、プロテクト情報７が０の場合は不揮発性メモリ5の所定のアドレスへデータを書込む。
なお、不揮発性メモリ5の初期値は０になる様にしており、初期状態では不揮発性メモリ5への書込みおよび消去はプロテクトされないようにしている。つまり、プロテクト情報７が０の場合は不揮発性メモリ5への書込み処理が行われ、それ以外の場合は書込み処理は禁止される。言い換えれば、プロテクト情報７によって書込み処理は禁止される。
　次に、本実施例における不揮発性メモリ５の消去を指示する通信コマンドに対する処理内容を図５により説明する。外部端子１３を介して送られた通信コマンドは通信部１１で処理され、消去コマンドと判断されると消去部９はプロテクト情報７を読み込み、プロテクト情報７が０の場合は不揮発性メモリ5の所定のアドレスを消去あるいは全消去する。つまり、プロテクト情報７が０の場合は不揮発性メモリ5の消去処理が行われ、それ以外の場合は消去処理は禁止される。言い換えれば、プロテクト情報７によって消去処理は禁止される。
　次に、本実施例における不揮発性メモリ５からの読出しを指示する通信コマンドに対する処理内容を図６により説明する。外部端子１３を介して送られた通信コマンドは通信部１１で処理され、読出しコマンドと判断されると読出し部１０は不揮発性メモリ5の所定のアドレスからデータを読出し、通信部１１によって外部端子１３を介して外部へ出力される。つまり、読出し処理はプロテクト情報７によりプロテクトされずに常に実行される。
　次に本実施例における不揮発性メモリ５への書込み手順を図７により説明する。図７に示す様に不揮発性メモリ５への書込みは、まず不揮発性メモリ５のアドレス００からアドレスＦＥに配置させる調整情報６への書込みを行い、その後ベリファイの為に調整情報６の内容を読み出し、調整情報６への書込み内容と調整情報６からの読出し内容が一致することで調整情報６への書込みが適正であると判断し、適正であればプロテクト情報７を書込み終了し、適正で無い場合は調整情報６を消去して最初からやり直す。この様に最初に調整情報６を書込み、調整情報６のベリファイを行い、最後にプロテクト情報７を書込むことで不揮発性メモリ５の書込みと消去を禁止にする。
　本実施例ではプロテクト情報７に書込みを実施した後は、不揮発性メモリ５に対する書込みおよび消去を完全に禁止できる。この結果、外部端子１３からの不正操作によりセンサ装置１の調整情報６が書き換えられることを防ぐことができ、この結果、本センサ装置の誤動作を防止することで、本センサ装置を使用したシステム全体の誤動作を防止できる。
　また、本実施例ではプロテクト情報７に書込みを実施して不揮発性メモリ５のプロテクトを実施した後でも不揮発性メモリ５の読出しを可能にしている。この結果、不揮発性メモリ５の内容が万が一書き換えられたとしても外部端子１３から読出しコマンドを送付することで不揮発性メモリ５の内容を確認できる。また、調整情報６にはセンサ装置１のトレーサビリティを確保するための製品識別コードを記憶させておくことも可能で、この製品識別コードも不揮発性メモリ５のプロテクトを実施した後でも確認することでき、センサ装置１の信頼性向上に貢献できる。
　また、不揮発性メモリ５のプロテクトを実行するプロテクト情報７を不揮発性メモリ５に格納している為、調整情報６へ書込みを行う書込み部８、消去部９、読出し部１０をプロテクト情報７への書込みおよび読出し回路と共用化でき、回路規模の小型化と低コスト化が可能にした。
［第２の実施例］　次に，本発明の第２の実施例であるセンサ装置を図８により説明する。なお，図８は第２の実施例のセンサ装置の構成図である。
　本実施例のセンサ装置は基本的には第１の実施例のセンサ装置と同じであるが、図８に示す様にプロテクト情報７からの読出しを禁止するスイッチ１７とスイッチ１７を制御する内部端子１８を付加した。
　本実施例ではスイッチ１７と内部端子１８を付加し、内部端子１８に所定の電圧を印加してスイッチ１７を制御すことで不揮発性メモリ５のプロテクトを一時的に解除できるようにした。このことで、プロテクト情報７の消去をできるようにしてセンサ装置１の再利用を可能した。このことにより、製造ラインで間違ってプロテクト情報７に書込みを行ってしまった場合でも再利用が可能になるのでセンサ装置１の製造歩留まりを向上させることができる。なお、内部端子１８はセンサ装置１の内部に配置され外部からアクセスできないようにしており、外部からの不正アクセスを防止できるようにしている。具体的には、外部装置との通信のためのコネクタ端子には、内部端子１８は接続されておらず、ハウジング内に配置されることで、センサ装置を分解しないと内部端子１８にアクセスできないようにしている。
［第３の実施例］　次に，本発明の第３の実施例であるセンサ装置を図９、図１０により説明する。なお，図９はプロテクト情報７の消去する通信コマンドの構成、図１０はプロテクト情報７を消去する通信コマンドに対する処理内容である。
　本実施例のセンサ装置は基本的には第１の実施例のセンサ装置と同じであるが、図９に示す様なプロテクト情報７を消去する通信コマンドと図１０に示すプロテクト情報７を消去する通信コマンドに対する処理を付加した。プロテクト情報７を消去する通信コマンドは図９に示す様にオペランド部１４とアドレス部１５とデータ部１６に特定の値を配置した１６進数で３Ｃ３３Ｃの様な通信コマンドにした。こうすることで外部からのアクセスを困難にして外部からの不正アクセスを防止できるようにした。
　次に、本実施例における不揮発性メモリ５のプロテクト情報７を消去する通信コマンドに対する処理内容を図１０により説明する。外部端子１３を介して送られた通信コマンドは通信部１１で処理され、プロテクト情報消去コマンドと判断されると消去部９はプロテクト情報７を消去する。
　本実施例ではプロテクト情報７の消去する通信コマンドとこれに対応する処理を付加することで、センサ装置１の製造ラインで間違ってプロテクト情報７に書込みを行ってしまった場合においてもプロテクト情報７を消去することでセンサ装置１の再利用を可能した。このことにより、製造ラインで間違ってプロテクト情報７に書込みを行ってしまった場合でも再利用が可能になるのでセンサ装置１の製造歩留まりを向上させることができる。
　１‥センサ装置、２‥検出部、３‥調整部、４‥出力部、　５‥不揮発性メモリ、６‥調整情報、７‥プロテクト情報、８‥書込み部、　９‥消去部、１０‥読出し部、１１‥通信部、１２‥外部端子、　１３‥外部端子、１４‥オペランド部、１５‥アドレス部、１６‥データ部、　１７‥スイッチ、１８‥内部端子

Claims (3)

  1. 　物理量を検出する検出部と、
    　調整情報を記憶する不揮発性メモリと、
    　前記検出部の出力信号を前記調整情報に基づいて調整する調整部と、
    　前記調整部の出力を外部へ出力する出力部と、
    　外部と通信をする通信部と、
    　前記通信部からの情報に基づいて前記不揮発性メモリへの書込みを行う書込み部と、
    　前記通信部からの情報に基づいて前記不揮発性メモリから読出しを行う読出し部と、
    　前記通信部からの情報に基づいて前記不揮発性メモリの消去を行う消去部とを有するセンサ装置において、
    　前記不揮発性メモリはプロテクト情報を格納する領域を有し、前記プロテクト情報に基づいて前記書込み部と前記消去部の動作を禁止することを特徴とするセンサ装置
  2. 　請求項１に記載のセンサ装置において，
    　前記センサ装置の内部あるいは外部に制御端子を有し、前記制御端子に所定の電圧を印加することで、前記プロテクト情報に基づいて書込み部と消去部の動作の禁止を解除することを特徴とするセンサ装置
  3. 　請求項１に記載のセンサ装置において，
    　通信部に特定のコマンドを送ることでプロテクト情報の消去を実行することを特徴とするセンサ装置
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