JP2003240652A - 出力補正回路内蔵型半導体センサ及びトーションバー式トルクセンサ - Google Patents
出力補正回路内蔵型半導体センサ及びトーションバー式トルクセンサInfo
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Abstract
期的な0点ずれなどを、センサのサイズアップ、やコス
トアップなしで実現する。 【解決手段】自身に加わるトルクをねじれ変位に変換す
る弾性部材と、N極とS極が、円周方向に交互に着磁さ
れた多極のリング磁石と、多極磁石と同軸上に配置され
た一組の磁気ヨークと、この一組の磁気ヨークの間に発
生する磁束を検出する磁気センサと、を備えるトルクセ
ンサにおいて、磁気センサとして半導体磁気センサ7G
を用い、更にこの半導体磁気センサ7Gとともに不揮発
メモリ7Nや演算回路7I、出力回路7Kなどを集積す
ることにより、保守性に優れたトーションバー式トルク
センサを提供する。
Description
型センサおよびそれを用いたトーションバー式トルクセ
ンサに関する。
ーションバー式トルクセンサにおいて、磁束発生源とし
て永久磁石を使っているので、温度変化による残留磁束
密度変動に起因して感度が変動してしまうという問題が
あった。また、用いる永久磁石の種類や種々の材料特性
のばらつきや寸法ばらつきによって感度やオフセット値
(0点出力)が変動してしまうという問題があった。
センサでは、永久磁石付近にサーミスタなどの感温素子
を設置し、検知した温度に応じて磁石減磁に対する補正
を、センサ外部の補正回路で実施していた。
ンバー式トルクセンサの外部に補正回路ユニットを設け
るか、このトーションバー式トルクセンサの出力信号を
受信してそれに基づいて制御を行う制御部にて補正処理
を行わねばならず、回路規模が大きくなり、センサのサ
イズアップ、コストアップにつながる欠点があった。ま
た、このような外部補正方式では、故障などによりセン
サを交換すると、補正が無効となってしまうため、外部
の補正回路を含むユニット全体を交換する必要があり、
メンテナンスにおける負担が大きいという問題があっ
た。
ルクセンサに限らず、センサ一般において生じていた。
あり、保守性に優れる出力補正回路内蔵型半導体センサ
およびそれを用いたトーションバー式トルクセンサを提
供することをその目的としている。
発明の出力補正回路内蔵型半導体センサは、物理量又は
化学量を電気量として検出する検出部と、自己の温度を
検出する温度検出部と、検出した前記電気量の誤差を補
正するための補正用データを書き換え可能に記憶する書
き換え可能不揮発メモリと、検出された前記温度及び前
記補正用データに基づいて前記電気量のオフセット補
正、感度補正及び温度補正を行った後、補正済み信号を
出力する補正演算部とを内蔵することを特徴としてい
る。
気量に変換する検出部の他に、温度検出部、書き換え可
能不揮発メモリ及び補正演算部を内蔵して1チップのモ
ノリシックICとして構成されるので、センサ信号の温
度補正、感度補正、オフセット補正をセンサ内部で実施
することができ、センサ交換時においてセンサ出力の補
正を顧慮することなくセンサのみを交換すればよく、保
守の手間が大幅に簡素化する。また、センサの外部に補
正のための回路装置を必要としないので、これら外部装
置の交換により、センサ補正が不適切になってしまうと
いう問題も生じない。
補正、感度補正だけを行って、温度補正を行わないこと
もでき、この場合には、温度検出部を省略し、温度補正
を省略することをできる。
及び前記補正用データを受信するとともに、受信した前
記動作指令が前記書き換え可能不揮発メモリへの前記補
正用データの書き込み指令である場合に、その後で受信
した前記補正用データを前記書き換え可能不揮発メモリ
に書き込む動作制御部を有する。このようにすれば、不
揮発メモリへの補正用データの書き込みが簡単となる。
印加される電源電圧に重畳される二値電圧信号に基づい
て前記動作指令及び前記補正用データを受信する。この
ようにすれば、センサの信号端子を減らすことができ、
回路構成を簡素化することができる。
受信した前記動作指令が前記書き換え可能不揮発メモリ
への前記補正用データの書き込み禁止指令である場合
に、その後で前記書き込み指令を受信しても前記書き換
え可能不揮発メモリへの書き込みを禁止する。このよう
にすれば、補正データ書き込み後に、ノイズなどにより
誤って偽の補正データが再度書き込まれる不具合を防止
することができ、信頼性が向上する。
前記検出部から出力されるアナログ信号電圧をデジタル
信号に変換するA/D変換部を有するCPUからなり、
前記書き換え可能不揮発メモリは、前記CPUの補正演
算用のプログラムを格納する。このようにすれば、補正
演算部以降の演算誤差や信号伝送誤差の追加を抑止し
て、信頼性を向上することができる。
式トルクセンサの好適な態様において、入力軸と出力軸
とを結合してトルクをねじれ変位に変換する弾性部材
と、所定ピッチで周方向極性交互に磁極が形成される周
面を有して前記両軸の一方に固定されるリング磁石と、
前記両軸の他方に固定されて前記リング磁石の前記周面
に所定ギャップを隔てて、かつ、互いに所定ギャップを
隔てて対面して前記リング磁石の磁束が順次に流れる一
対の磁気ヨークとを備え、前記検出部が、前記両磁気ヨ
ーク間の前記ギャップに配置されて前記両軸間の相対回
動角により変調される前記磁束を検出する。このように
すれば、保守性及び検出精度に優れたトーションバー式
トルクセンサを実現することができる。
サはアナログ出力電圧を電力増幅して外部に出力する電
流バッファを有する。
センサは、デジタル信号をシリアルに出力する。
する。 (第1の実施例) (構成)この実施例のトルクセンサの軸方向断面図を図
1に、その分解斜視図を図2に示す。
ステアリング装置に用いられるもので、ステアリングシ
ャフトを構成する入力軸2と出力軸3との間に設けら
れ、ステアリングシャフトに加わる操舵トルクを検出す
る。
4を通じて相対回転自在、トルク伝達自在に結合されて
いる。入力軸2の端部にはリング磁石5が嵌着、固定さ
れ、出力軸3の端部には一組の磁気ヨーク6が固定され
ている。
向極性交互に磁化されており、磁気ヨーク6は互いに軸
方向に所定間隔を隔てて出力軸3に固定された半磁気ヨ
ーク6A、6Bを有している。半磁気ヨーク6A、6B
は、軸方向断面において略L字状あるいは略コ字状に形
成されたリング状の軟磁性部材であって、リング磁石5
の外周面に対して所定ギャップを隔てつつ軸方向へ周方
向一定ピッチで延在する爪部と、この爪部の基端から径
方向外側へ延在する輪板部と、この輪板部の外周縁から
軸方向へ延在する円筒部とを有している。両半磁気ヨー
ク6A、6Bの爪部は周方向交互に互いに向かい合う方
向に突出している。したがって、リング磁石5のN極か
ら出た磁束は径方向外側に隣接する一方の半磁気ヨーク
の爪部に入り、この一方の半磁気ヨークの円筒部から他
方の半磁気ヨークの円筒部に入り、この他方の半磁気ヨ
ークの爪部からリング磁石5のS極に向かう磁気回路を
構成している。
軸方向隙間には、両円筒部間のギャップの磁界変化を検
出する磁気センサIC7が静止、固定されている。8は
トーションバー4を固定するためのピンである。
力軸2にトルクが加わるとトーションバー4がねじれた
後、そのトルクを出力軸3に伝達する。これにより、リ
ング磁石5と磁気ヨーク6の上記爪部との周方向相対位
置がずれるので、磁気ヨーク6の円筒部間に生ずる磁束
密度がずれ量に応じて変化する。これを、磁気センサI
C7で検出して外部に出力する。
路図を参照して以下に説明する。
D端子7B、出力端子7Cからなる3つの端子、ノイズ
等からICを守る為の保護回路7D、磁気センサ近傍の
温度を検出する温度検出器7E、IC各部に基準クロッ
クを提供する発振器7F、磁束密度を検出するホール素
子などの磁気センサ7G、磁気センサ7Gが出力するア
ナログ電圧をデジタル値に変換するA/D変換部7H、
電源端子7Aに印加される電源電圧に基づいて後述する
演算部7Iの演算動作を決定するロジック部7L、各補
正情報を記憶する不揮発メモリ7N、A/D変換部7H
がら出力するデジタル信号を不揮発メモリ7Nの記憶デ
ータに基いて補正する演算を行う演算部7I、演算結果
のデジタル値を再度アナログ電圧に変換するD/A変換
部7J、変換されたアナログ電圧を外部出力するバッフ
ァ7K、ロジック部7Lの判断結果に基づいて不揮発メ
モリ7Nへの再書き込みを不可にするロック部7Mを有
して、1チップに集積されている。
れる電圧レベルを検出し、それに基づいて通常の計測動
作か、不揮発メモリ7Nへの書き込み動作かを判断す
る。また、ロジック部7Lは、書き込み動作と判定した
場合に、電源端子7Aの電圧変化パターンを二値化して
デジタル信号を抽出し、この外部から入力されるデジタ
ル情報をロック部7Mを通じて不揮発メモリ7Nに書き
込む。なお、ロジック部7Lは、電源電圧のレベルを判
定するために、コンパレータを有している。
計測動作と判定した場合にロジック部7Lからの指令を
受けて不揮発メモリ7Nへの上記書き込みの禁止を指令
する。
ジック部7Lの論理演算回路部分は汎用の回路構成で構
成することができ、かつ、通常のハードウエアロジック
回路又はマイコンのソフトウエアで実現できることは明
らかであるので、より詳細な回路説明は省略する。
常動作電圧(たとえば5V)が印加されている場合の動
作を説明する。通常動作電圧が与えられると、温度7
E、発振器7F、磁気検出部7G、A/D変換部7H、
演算部7I、D/A変換部7J、バッファ7K、ロジッ
ク部7L、ロック部7M、不揮発メモリ7Nなどの各回
路部に、必要な電源(電圧・電流)が供給される。
クロックとして各回路に供給する。磁気検出部7Gから
出力される磁束密度情報であるアナログ電圧値は、A/
D変換部7Hでデジタル値に変換されて演算部7Iに伝
えられる。温度検出器7Eから出力される温度情報であ
る電圧値は磁気検出部7G及び演算部7Iに伝えられ
る。ロジック部7Lからは、現在は通常の計測モ−ドで
ある旨の信号が演算部7Iに伝えられる。演算部7Iで
は、これらの情報と不揮発メモリ7Nに記憶されたパラ
メータに基づいて、磁気検出部7Gで検出された磁束密
度情報を補正し、デジタル情報をD/A変換部7Jに伝
える。D/A変換部7Jでアナログ値に変換された電圧
は、電流バッファ7Kを介して、外部に出力される。
動作電圧(たとえば5V)以外の電圧(たとえば6V以
上)が所定時間以上印加された場合の動作を説明する。
と、ロジック部7Lはこれを検出してプログラムモ−ド
が指令されたと判断し、その後、電源端子7Aから入力
される電源端子7Aの二値的な電圧変化のパターン(た
とえばハイ(たとえば8V)・ロー(たとえば6V)か
らなる二値信号パターン)を読み取り、読み取った結果
に基づいて入力される外部指令を判別する。この外部指
令としては、不揮発メモリ7Nが記憶するデータを書き
換える書き換え指令や、不揮発メモリ7N内のデータを
電流バッファ7Kから外部出力するよう演算部7Iに指
令する記憶データ読み出し指定、メモリ内容の保持を意
味するロック指令などがある。ロジック部7Lは、ロッ
ク指令と判断した場合、ロック部7Mにメモリ更新禁止
を指令し、ロック部7Mはこの指令を受けて不揮発メモ
リ7Nの書き換えを禁止する。このロック部7Mの設置
は、電源端子7Aの外乱による電圧変動を正規の不揮発
メモリ7Nの書き換え指令などと誤判定した場合でも、
不揮発メモリ7Nの不正な書き換えが生じないようにす
る。
のR/W端子と不揮発メモリ7NのR/W端子との間に
設けられてトランスファゲート又はインバータ回路をな
すMOSトランジスタ71と、ヒューズROMなどの一
回のみ書き込み可能な不揮発メモリ(PROMと称する
ものとする)を通じて入力される電位状態に基づいてM
OSトランジスタ71を断続制御する回路により構成さ
れる。ロジック部7LからこのPROMを溶断などによ
りそれを回復不能なオフ状態とすれば、トランスファゲ
ートはオフのままとなってロジック部7Lから不揮発メ
モリ7Nへのその後の書き込みを禁止する。この種の回
路自体は周知であるので回路構成の詳細は省略する。な
お、紫外線消去など電圧信号によらない再度の書き換え
可能化も可能である。図4はロック部7Mの模式ブロッ
ク回路図を示す。
制御を行う従来の制御システムは、トルクセンサとメカ
ニカル部分からなるトルクセンサ装置と、その出力信号
を用いて演算した制御信号を出力するECU(電子制御
装置)とで構成され、トルクセンサの特性の補正は、E
CUに付属する調整回路を工場出荷時に調整したり、E
CUの不揮発メモリに補正情報を覚え込ませるなどEC
U側で補正していたため、センサ装置の一部又は全部が
故障した場合には、現場側で制御システム全体を取り替
えるか、あるいはその一部の部分を交換した後、ECU
側で再度の調整を行う必要があった。また、ECU側で
故障した場合も同じであった。このため、故障対応のた
めの負担が大きかった。
構成する磁気センサに不揮発メモリと各種処理回路とを
内蔵した構成を採用し、トルクセンサ側でオフセット補
正、感度補正、温特補正などを実施するため、トルクセ
ンサの故障に対してその交換を行えばよくECU側を調
整する必要がなく、故障対応が簡単となり、費用も格段
に低減可能となる。同様に、ECUの故障に対してもE
CUの交換によりトルクセンサの出力補正をECU側で
やり直す必要がなく、故障対応が簡単となり、費用も格
段に低減可能となる。また、構成部品を低減することが
できるので、信頼性の向上につながる。更に、随時、補
正情報の記憶・変更が可能であり、設定を変えるだけで
別のシステムの仕様に合わせた出力に変更することもで
きるので、使用形態の柔軟性を向上することができる。 (第2の実施例) (構成)第2の実施例について、図5を参照して以下に
説明する。
ル信号をシリアル出力する方式に変更した磁気センサI
C7のブロック回路図を示す。この場合、図3に示すD
/A変換部7Jとバッファ7Kはシリアル出力部7Oを
置換される。
IC7は、デジタル信号をシリアル出力するので、実施
例1の磁気センサIC7のアナログ電圧出力による種々
の問題、たとえば、配線抵抗に生じる電圧降下分による
誤差、電磁ノイズの影響などを格段に低減することがで
きる。また、パルス信号を受信するECU側において、
信号精度を低下させることなく受信信号を強力なローパ
スフィルタを経由させて高周波ノイズの影響を低減する
ことができる。 (第3の実施例)第3の実施例について、図7を参照し
て以下に説明する。
て、一対の集磁リング9A、9Bを追加したものであ
る。
5から発せられて一対の半磁気ヨーク6A、6B間を通
過する磁束を、集磁リング9A、9Bに導いて一ケ所に
集中させるリング状の軟磁性体からなる。集磁リング9
Aは半磁気ヨーク6Aの輪板部の外周縁に所定の小ギャ
ップを隔てて嵌着されて静止、固定され、集磁リング9
Bは半磁気ヨーク6Aの輪板部の外周縁に所定小ギャッ
プを隔てて嵌着されてて静止、固定されている。また、
集磁リング9A、9Bは、所定位置に径方向外側へ向け
て互いに所定間隔を隔てて突出する軟磁性平板からなる
集磁平板部9C、9Dを有している。集磁平板部9C、
9D間の軸方向ギャップは、集磁リング9A、9B間の
軸方向ギャップより相当に短縮されている。また、集磁
リング9A、9B間の軸方向ギャップを十分広く設定さ
れ、かつ、一対の半磁気ヨーク6A、6Bの円筒部(図
1参照)は省略されている。
方の輪板部から一方の集磁リングの一方に入った磁束は
この一方の集磁リングの平板部から他方の平板部に移
り、この他方の平板部から他方の輪板部に移ることにな
る。したがって、リング磁石5のほとんどの磁束が両平
板部間に集束され、両平板部間に介設された磁気センサ
IC7を貫通する。
従来のトルクセンサよりも感度向上、磁束の平均化によ
る軸ずれなどによる誤差の軽減などの効果を得ることが
できる。 (第4の実施例)第4の実施例について、図6を参照し
て以下に説明する。
演算回路7Pで構成した点をその特徴としている。すな
わち、アナログ演算回路7Pは、オペアンプを用いた各
種計算回路を用いて構成されており、ロジック部7Lが
指定する演算を行う。これに伴い、不揮発メモリ7Nの
出力信号は、D/A変換部7Jによりアナログ電圧に変
換されてアナログ演算回路7Pに出力される。
部を必要としないので回路構成の簡素化と演算の高速化
とを実現することができる。
る。
図である。
る。
る。
Claims (6)
- 【請求項1】物理量又は化学量を電気量として検出する
検出部と、 自己の温度を検出する温度検出部と、 検出した前記電気量の誤差を補正するための補正用デー
タを書き換え可能に記憶する書き換え可能不揮発メモリ
と、 検出された前記温度及び前記補正用データに基づいて前
記電気量のオフセット補正、感度補正及び温度補正を行
った後、補正済み信号を出力する補正演算部と、 を一体に集積してなることを特徴とする出力補正回路内
蔵型半導体センサ。 - 【請求項2】請求項1記載の出力補正回路内蔵型半導体
センサにおいて、 外部からの動作指令及び前記補正用データを受信すると
ともに、受信した前記動作指令が前記書き換え可能不揮
発メモリへの前記補正用データの書き込み指令である場
合に、その後で受信した前記補正用データを前記書き換
え可能不揮発メモリに書き込む動作制御部を有すること
を特徴とする出力補正回路内蔵型半導体センサ。 - 【請求項3】請求項2記載の出力補正回路内蔵型半導体
センサにおいて、 前記動作制御部は、 印加される電源電圧に重畳される二値電圧信号に基づい
て前記動作指令及び前記補正用データを受信することを
特徴とする出力補正回路内蔵型半導体センサ。 - 【請求項4】請求項2記載の出力補正回路内蔵型半導体
センサにおいて、 前記動作制御部は、 受信した前記動作指令が前記書き換え可能不揮発メモリ
への前記補正用データの書き込み禁止指令である場合
に、その後で前記書き込み指令を受信しても前記書き換
え可能不揮発メモリへの書き込みを禁止することを特徴
とする出力補正回路内蔵型半導体センサ。 - 【請求項5】請求項1記載の出力補正回路内蔵型半導体
センサにおいて、 前記補正演算部は、前記検出部から出力されるアナログ
信号電圧をデジタル信号に変換するA/D変換部を有す
るCPUからなり、 前記書き換え可能不揮発メモリは、前記CPUの補正演
算用のプログラムを格納することを特徴とする出力補正
回路内蔵型半導体センサ。 - 【請求項6】請求項1乃至5のいずれか記載の出力補正
回路内蔵型半導体センサを用いるトーションバー式トル
クセンサにおいて、 入力軸と出力軸とを結合してトルクをねじれ変位に変換
する弾性部材と、 所定ピッチで周方向極性交互に磁極が形成される周面を
有して前記両軸の一方に固定されるリング磁石と、 前記両軸の他方に固定されて前記リング磁石の前記周面
に所定ギャップを隔てて、かつ、互いに所定ギャップを
隔てて対面して前記リング磁石の磁束が順次に流れる一
対の磁気ヨークと、 を備え、 前記検出部は、 前記両磁気ヨーク間の前記ギャップに配置されて前記両
軸間の相対回動角により変調される前記磁束を検出する
ことを特徴とするトーションバー式トルクセンサ。
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