TW544879B - Mold cleaning sheet and method of producing semiconductor devices using the same - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 60
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 256
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 256
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 150
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 150
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 134
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 33
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 31
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 claims description 24
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 11
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000008029 eradication Effects 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 5
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 claims description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 9
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 9
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 4
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 241000272814 Anser sp. Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005273 aeration Methods 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005202 decontamination Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 210000003746 feather Anatomy 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/70—Maintenance
- B29C33/72—Cleaning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/1753—Cleaning or purging, e.g. of the injection unit
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Description
544879 A7 B7 五、發明説明彳) 本發明係關於半導體製造技術，特別是關於，應用在 提高淸除半導體裝置用之成型金屬模具內之淸除效果，及 提局製造性，十分有效之技術。 在樹脂封裝型之半導體裝置之樹脂封裝製程會返覆進 行多次樹脂成型，因此會在塡充封裝用樹脂之成型金屬模 具之內部，亦即，會在形成一對成型金屬模具之上模具及 下模具之模腔或澆道，凹部塊周邊等處，堆積樹脂毛邊、 油分或塵埃等污物。 這種污物會對成型品質造成不良影響，也會在從成型 模具取出製品時，使離模性降低，因此必須每隔一定作業 數，由作業員淸除成型金屬模具。 惟，由作業員淸除成型金屬模具時，因爲是用手作業 ，所需時間相當長，因此期盼有能夠在短時間完成金屬模 具之淸除作業之技術。 爲此，有一種回應這種要求之如記載於日本國特開平1 - 950 1 0號公報之技術，係將未搭載半導體晶片之引線框（以 後稱作無載引線框）夾在成型金屬模具之主面（合倂面）間， 將由三聚氰胺甲醛樹脂等形成之淸除用樹脂注入成型模具 內，令其硬化，藉此使污物附著於淸除用樹脂表面，連同 淸除用樹脂一倂去除污物之淸除方法。 同時，也有不使用無載引線框等，直接以高壓或普通 之壓力將淸除用樹脂灌進模腔內之方法。 惟，依據這種方法時，因需要使用昂貴之淸除用之無 載引線框，不僅不經濟，同時，成型金屬模具又需要使用 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）_ 4 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 544879 A7 B7 五、發明説明€ ) 適合之特定形狀之無載引線框，並將其夾在一定位置，因 此需要成型金屬模具與無載引線框之定位用之準確度。而 且，在形成於成型之淸除用樹脂之凹部部或澆道部之樹脂 ，會從引線框分離，而從成型金屬模具去除此分離之樹脂 需要相當長之時間，因此作業性不佳。同時，分離之凹部 、澆道會夾在模塑裝置之滑動部，其結果，有時成爲故障 之原因。 因此，爲了解決這種問題，而完成以下說明之技術。 即，如特開平6 - 254866號公報所記載，在開模之金屬 模具間夾裝浸泡淸除用樹脂並可令樹脂穿透之綿布（不織布） 構成之片狀構件，而在關模之成型金屬模具之模腔內塡充 溶融狀態之淸除用樹脂之製程。 如上述習知例所記載，在上下金屬模具之主面（合倂面） 間夾裝浸泡淸除用樹脂及藥品並可令其穿透之薄片之狀態 下，注入液狀之淸除用樹脂，便可以藉此收到，不僅可以 降低在成型金屬模具與薄片之間被要求之定位準確度，又 可以使淸除用樹脂及藥品滲透到被夾在上述金屬模具間之 薄片，順利淸除金屬模具之好處。 惟，在上述技術，將淸除用樹脂塡充於模腔時，薄片 狀構件會在模腔內上下移動，因此薄片狀構件對淸除用樹 脂流成爲阻礙，發生淸除用樹脂無法到達模腔之所有角落 之現象。 其結果，污穢會殘存在模腔之角落，模腔之淸除不徹 底便成爲問題。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）5 - ----7--.W.--衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 544879 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明纟) 在此’成型金屬模具之合倂面在模腔之外周部之角偶 ’形成有與此連通之流動空腔（令空氣或封裝用樹脂逸出到 此’改善從闊口捲入空氣或模腔內之封裝用樹脂之塡充平 衡）或通風孔。 然而’使用成型金屬模具淸除用薄片之成型金屬模具 之淸除，淸除用樹脂很難流到模腔之角落附近，其結果， 淸除時淸除用樹脂不進入流動空腔或通風孔，流動空腔或 通風孔未被淸除，因此會發生在淸除後模塑製品時，模腔 內之封裝用樹脂有塡充不足之問題。 而且’若封裝用樹脂未流入模腔之角偶部附近，淸除 用樹脂不會沾上成型金屬模具淸除用薄片之對應角偶部附 近之部位，因此在結束淸除後，令淸除用樹脂連同成型金 屬模具淸除用薄片一起脫離成型金屬模具之合倂面時，淸 除用樹脂也會殘留下來，從合倂面去除成型金屬模具淸除 用薄片及淸除用樹脂很費時，而成爲問題。 同時，在進行使用具有細長封裝部之SOP(Small Outline Package)或使用矩陣框之 QFN(Quad Flat Non-leaded Package)等之模塑之成型金屬模具之合倂面，模腔之外側端 部與合倂面之緣部之距離較短時（例如，1 〇 mm以下時）’在 成型金屬模具之淸除時，從模腔漏出之淸除用樹脂會從成 型金屬模具淸除用薄片溢出，附著在成型金屬模具之合倂 面到相連之側面。 這個時候，要除去附著在成型金屬模具側面之淸除用 樹脂很花時間，其結果，使成型金屬模具之淸除作業之效 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2川><297公釐）-6 (請先閲讀背面之注意事' ί4 之注意事項再填* :寫本頁) 裝· 、tr 544879 A7 B7 五、發明説明4 ) 率降低。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之目的在提供，可以提高成型金屬模具之淸除 效果、縮短淸除作業之時間、以提高製造性之成型金屬模 具淸除用薄片，及使用該薄片之半導體裝置之製造方法。 本發明係，配置在由一對第1金屬模具及第2金屬模具 構成之成型金屬模具之第1金屬模具與第2金屬模具之間， 用以淸除成型金屬模具之成型金屬模具淸除用薄片，配置 在第1金屬模具與第2金屬模具間時，可覆蓋成型金屬模具 之整個合倂面，並形成有對應成型金屬模具之模腔之貫通 孔。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 同時，本發明含有：準備，可覆蓋由一對第1金屬模具 及第2金屬模具構成之成型金屬模具之整個合倂面，形成有 對應成型金屬模具之模腔之貫通孔之成型金屬模具淸除用 薄片之製程；令貫通孔對應模腔，將成型金屬模具淸除用 薄片配置在整個上述合倂面，而用第1金屬模具與第2金屬 模具夾住成型金屬模具淸除用薄片之製程；向模腔供應淸 除用樹脂，通過成型金屬模具淸除用薄片之貫通孔將淸除 用樹脂塡充在模腔之製程；以及，在淸除用樹脂硬化後， 使淸除用樹脂及成型金屬模具淸除用薄片從成型金屬模具 離模之製程。 同時，本發明含有：（a)準備，分別具有合倂面，及形 成在合倂面之凹部之第1金屬模具及第2金屬模具之製程； (b)準備，具有貫通孔，且浸泡淸除用樹脂並可以使其 穿透之薄片之製程； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）Γ7Τ 544879 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明$ ) (c) 令上述薄片之貫通孔之位置對應上述第1及第2金屬 模具之凹部，將上述薄片夾在上述第1及第2金屬模具之合 倂面間之製程； (d) 在上述（c)製程後，將淸除用樹脂注入上述第1及第 2金屬模具之凹部內之製程； (e) 在上述（d)製程後，從上述第1及第2金屬模具去除 上述薄片及淸除用樹脂之製程； (f) 準備，主面上有多數電極之半導體晶片、導體構件 、以電氣方式連接上述半導體晶片之多數電極與上述導體 構件之多數引線之製程； (g) 在上述（e)製程後，令上述半導體晶片及多數引線 對應上述第1及第2金屬模具之凹部，將上述導體構件夾在 上述第1及第2金屬模具之合倂面間之製程；以及， (h) 在上述（g)製程後，將封裝用樹脂注入上述第1及第 2金屬模具之凹部內，封裝上述半導體晶片、多數引線及導 體構件之一部分之製程。 本發明之上述、其他目的及新穎之特徵，可以從本說 明書之記述及附圖獲得進一步之瞭解。 在以下之實施形態，除了特別需要時以外，同一或相 同之部分之說明原則上不重覆。 而且，在以下之實施形態，方便上在有必要時，擬分 成多數部分或實施形態進行說明，但，除了特別明示者以 外，該等並非互不關連，其一方與另一方之一部分或全部 係成變形例子、詳細架構、補充說明等之關係。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-8 (請先閱讀背面之注意事 4 項再填· 裝— :寫本頁) 、11 -14. 544879 A7 B7 五、發明説明6 ) 同時，在以下之實施形態，當言及要素之數目等（包含 個數、數値、量、範圍等）時’除了特別明不時及在原理上 顯然是限定爲特定數目時以外，不限定爲該特定數目’可 以是特定數目以上或以下。 茲參照附圖，詳細說明本發明之實施形態如下。再者 ，在說明實施形態用之所有圖式，具有同一功能之構件標 示同一記號，省略返覆之說明。 首先說明本發明之實施形態1，第1圖所示之傳遞模塑 裝置係多坩鍋型，例如以樹脂封裝第6圖所示之半導體晶片 24，及成電氣方式連接在此半導體晶片24之內部引線20等 時使用。 此傳遞模塑裝置備有，上模具之第1金屬模具3、與此 成一對之下模具之第2金屬模具4、備有第1金屬模具3及第2 金屬模具4之樹脂成型部5、將工作件（在此係指，例如完成 晶片搭接及引線搭接之引線框）運進樹脂成型部5之裝載機1 、及將上述工作件從樹脂成型部5取出之卸載機2，在上述 傳遞模塑裝置，搭接有半導體晶片24 (參照第6圖）之引線框 係由第1圖所示之裝載機1運進樹脂成型部5，在此樹脂成型 部5將半導體晶片24等以樹脂加以封裝。再者，結束樹脂成 型之樹脂封裝型之半導體裝置之QFP(Quad Flat PaCkage)19 則運出到卸載機2，而收容於此。 而且’在第2圖所示之樹脂成型部5設有，對應第6圖所 示QFP 19之封裝部22之形狀之模腔6、凹部7、澆道8、坩鍋9 、柱塞1 0、推出板1 1、1 5、推出梢1 2、1 6、閘口 1 3、及通氣 本紙張尺度適用中國國家標準（〇奶）八4規格（2獻297公釐)~:〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝·
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 544879 A7 B7 五、發明説明f ) 孔14。 又如第4圖所示，在成型用金屬模具28 (參照第2圖）之 第2金屬模具4之合倂面26，於多處形成有用以配置半導體 晶片24之一定形狀之模腔6 (再者，第1金屬模具3之合倂面 26也與第2金屬模具4一樣形成有模腔6 )。 在第2金屬模具4之一定位置貫穿形成有用以安置封裝 用樹脂之圓筒狀之坩鍋9，對應坩鍋9之第1金屬模具3之各 部分設有如第2圖所示之凹部7。 從此凹部7分支形成有連通多數模腔6之澆道8，而在第 1金屬模具3與第2金屬模具4成密接之狀態下，坩鍋9之上邊 被凹部7封閉，同時，經由凹部7及澆道8使坩鍋9連通於多 數模腔6。再者，模腔6之外側形成有用以令模腔6之空氣逸 出，使樹脂之塡充能夠完全之通氣孔1 4。 其次說明第3圖所示之本實施形態1之成型金屬模具淸 除用薄片（以後簡稱淸除用薄片）17。 淸除用薄片1 7係在未進行半導體晶片24之模塑時，配 置在成型用金屬模具28之第1金屬模具3與第2金屬模具4之 間，以淸除成型用金屬模具28之內部，當配置在第1金屬模 具3與第2金屬模具4之間時，覆蓋成型用金屬模具28之整個 合倂面26，同時，形成有對應成型用金屬模具28之模腔6之 貫通孔17a。 再者，本實施形態1之淸除用薄片Π形成之貫通孔17a ，其形狀大致上與模腔6之開口部6a (參照第2圖）之形狀相 同。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) M規格（210X297公釐）-10 - 裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 544879 Α7 Β7 五、發明説明$ ) 亦即，貫通孔17a係形成爲，與第1金屬模具3及第2金 屬模具4之模腔6之開口部6a之形狀、大小大致相同，或稍 小之四方形。 藉此，在淸除時，以第1金屬模具3及第2金屬模具4僅 夾住此淸除用薄片17，在此狀態下向模腔6供應第5圖所示 之淸除用樹脂25，藉此使淸除用樹脂25在模腔6內通過淸除 用薄片17之貫通孔17a ，其結果，在模腔6內淸除用樹脂25 成爲阻礙，使淸除用薄片17不會上移，完全充滿模腔6之各 個角落。 因此可以充分淸除模腔6內。 而本實施形態1之淸除用薄片1 7係如第4圖所示’具有 可以覆蓋第2金屬模具4 (第1金屬模具3也相同）之整個合倂 面26之大小、形狀。 亦即，形成爲可由設在第2金屬模具4之合倂面26之外 周各邊之上述模具之定位用突緣18引導之大小’藉此’要 將淸除用薄片1 7載置於第2金屬模具4之合倂面26上時’對 應各邊之定位用突緣1 8載置即可，不必在成型用金屬模具 28間進行高精密度之定位。 同時，本實施形態1之淸除用薄片1 7係由具耐熱性及柔 軟性之例如1 〇 〇 %之紙、布或不織布所形成’其中之以不 織布形成者最理想。 而且，淸除用薄片丨7之厚度係’例如夾在第1金屬模具 3與第2金屬模具4間時之厚度爲’例如約〇· 6 mm。 第6圖所示之QFP 1 9，係以第1圖所示之傳遞模塑裝置模 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（BOX297公釐）-11 - 請 閲 讀 背 ιέ 之 注 意 寫 本 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 544879 A7 B7 五、發明説明6 ) 塑而裝配之半導體裝置之一個例子，由電氣方式連接半導 體晶片24之電極與對應此之內部引線20之搭接線2 1，以樹 脂封裝半導體晶片24、內部引線20及搭接線21形成之封裝 部22，連繫內部引線20且從此封裝部22向外突出之外部端 子之多數外部引線23，所構成，各外部引線23形成爲鵝毛 狀。 其次說明本實施形態1之半導體裝置之製造方法。 再者，上述半導體裝置之製造方法包含：使用第1圖所 示之傳遞模塑裝置之半導體晶片24之模塑（樹脂封裝）製程； 使用第3圖所示淸除用薄片17之上述傳遞模塑裝置之之成型 用金屬模具28內部之淸除製程。 首先，在引線搭接製程，以搭接線2 1電氣方式連接半 導體晶片24與工作件之引線框之內部引線20。 然後，在模塑製程，使用第1圖所示之傳遞模塑裝置， 以封裝用樹脂封裝半導體晶片24、電氣方式連接在半導體 晶片24之內部引線20及搭接線21。 在此說明，本實施形態1之模塑製程之上述樹脂封裝（ 模塑）製程。 首先，在第2圖之柱塞10上，安置經預熱用加熱器加熱 之固體狀之封裝用樹脂，接著，將已用引線搭接半導體曰曰曰 片24與內部引線20之引線框，從第1圖所示之裝載機1，運 送到樹脂成型部5。 在此狀態下，令第2金屬模具4向第1金屬模具3移動接 近，藉此在形成成型用金屬模具28之第1金屬模具3與第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-12 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝_ 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 544879 A7 B7 五、發明説明纟0 ) 屬模具4之間形成包含模腔6之空間。然後，藉由柱塞1 〇將 溶融狀態之上述封裝用樹脂擠出凹部7，上述封裝用樹脂便 通過澆道8及閘口 1 3流入模腔6。 而且’塡充在模腔6之上述封裝用樹脂因熱及熟化而熱 硬化’然後移動第2金屬模具4使其下降，則可打開模具。 接著，令推出板1 5移動下降，同時令推出板1 1移動上 昇。藉此使推出梢1 2、1 6突出，完成開模，取出以樹脂封 裝之樹脂封裝型之QFP(半導體裝置）19。此樹脂封裝在一天 內要重複幾百次，因此會在上述塡充封裝用樹脂之成型用 金屬模具28之內部，即成型用金屬模具28之第1金屬模具3 與第2金屬模具4之合倂面（包含通氣孔14、模腔6、澆道8或 凹部7之周邊）2 6積存樹脂毛邊及油分、塵埃等之污穢（附著 物）。 因此’爲了去除上述污穢，需施加上述模塑製程之成 型用金屬模具2 8之淸除製程。 再者’對QFP 19則在此後之切斷製程進行引線框之切 斷分離，藉此完成如第6圖所示之QFP 19之裝配。 接著’說明本實施形態1之上述淸除製程（成型金屬模 具之淸除方法）。 首先準備，由不織布形成，可覆蓋整個成型用金屬模 具28之合倂面26，同時形成有對應成型用金屬模具28之模 腔6之貫通孔17a，如第3圖所示之淸除用薄片17。 接著，將成型用金屬模具28之模具溫度設定在例如 170oC 〜180oC 。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---r--;---裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 — 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 544879 Μ _ Β7 五、發明説明纟1 ) 然後，如第4圖所示，令貫通孔1 7a對應模腔6 ’將淸除 用薄片1 7配置在整個合倂面2 6，以此狀態，令第2金屬模具 4移動接近第1金屬模具3。 藉上述移動接近，以第1金屬模具3及第2金屬模具4夾 住淸除用薄片1 7，然後向模腔6供應淸除用樹脂25。 這個時候，如第5圖所示，在模腔6內令淸除用樹脂25 通過淸除用薄片17之貫通孔17a ，塡充至模腔6之各個角落 〇 接著，令淸除用樹脂25硬化，然後，令第2金屬模具4 移動下降，藉此使第1金屬模具3與第2金屬模具4分開，進 行開模。 並使推出板1 5移動下降，同時使推出板1 1移動上昇。 藉此使推出梢1 2、1 6突出，而完成開模。 此後，使淸除用樹脂25及淸除用薄片1 7離開成型用金 屬模具2 8 ◦ 亦即，取出淸除用薄片Π及樹脂成型在此薄片上之淸 除用樹脂2 5。 藉此進行成型用金屬模具28內之淸除。 再者，完成使用第3圖之淸除用薄片17淸除成型用金屬 模具28內後，再度要工作（模塑）時’可將半導體晶片24配置 在成型用金屬模具28之模腔6，然後，藉由與上述同樣之方 法，向模腔6供應封裝用樹脂，樹脂封裝半導體晶片24。 依據本實施形態1之成型金屬模具淸除用薄片及使用此 薄片之半導體裝置之製造方法時，可以收到下列效果。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）~4 _ ---Γ--5 ——II (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 544879 A7 B7 五、發明説明彳2 ) 亦即，由於在淸除用薄片17形成有對應模腔6之貫通孔 17a ，向模腔6供應淸除用樹脂25加以塡充時，淸除用樹脂 11"Ί — -J ——-0-¾衣II (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 25可以通過淸除用薄片17之貫通孔17a ，因此，不論淸除用 樹脂25所含之供料機之樹脂注入壓力如何，可以不妨礙到 模腔6內之淸除用樹脂25之流動，可以使淸除用樹脂25到達 模腔6之各個角落。 其結果，可以藉由到達模腔6之各個角落之淸除用樹脂 25去除模腔6之角落之污穢。 藉此，可以充分達成成型用金屬模具28之模腔6之淸除 ，因此可以提高淸除效果。 d 同時，由於淸除用薄片17在淸除時可以覆蓋成型用金 屬模具2 8之整個合倂面2 6，因此成爲，由模腔6、合倂面2 6 、凹部7及閘口 1 3所形成之淸除用樹脂25由淸除用薄片1 7繫 住之狀態，因而在淸除用樹脂25之硬化後’取出淸除用薄 片1 7時，不會在淸除用薄片1 7上分散，可以成一體之狀態 取出。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因此，可以很容易在成型用金屬模具28裝卸淸除用薄 片17，藉此，在淸除後之淸除用薄片Π之處理也很容易。 其結果，可以縮短使用淸除用薄片1 7之淸除作業之時 間。 同時，由於淸除用薄片17覆蓋成型用金屬模具28之整 個合倂面26，因此，在成型用金屬模具28之坦鍋9入口或凹 部7周邊，以及通氣孔14等也可以使淸除用樹脂25沾在淸除 用薄片1 7，以去除污垢，其結果可以去除樹脂毛邊，同時 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-15 - 544879 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 i、發明説明衫） 可以大幅度縮短作業時間。 而且，由於淸除用薄片17覆蓋成型用金屬模具28之整 個合倂面26，也可以淸除成型用金屬模具28之淸除用樹脂 25未接觸之處所。 同時，不論設置在成型用金屬模具2 8內之引線框之片 數如何，1片淸除用薄片即可覆蓋成型用金屬模具28之整個 口併面2 6 ’因此’淸除用薄片1 7對成型用金屬模具2 8不需 要高準確度之定位。 這個時候，若使用本實施形態1之由不織布形成之淸除 用薄片Π，便不需要如傳統之使用無載引線框時，對成型 用金屬模具2 8之定位梢之加工，或定位梢孔之加工。 因之，可以降低成型用金屬模具28之成本。 又因不使用無載引線框，不會發生因無載引線框之偏 移造成之成型偏移。 同時，因爲以1片淸除用薄片即可覆蓋成型用金屬模具 28之整個合倂面26，因此，不論模塑時設置在成型用金屬 模具2 8內之上述引線框之片數多少，只要設置1片淸除用薄 片1 7即可，其結果，可以降低淸除作業之成本。 再者，由於使用本實施形態1之淸除用薄片1 7，可以 不必使用淸除用之昂貴之無載引線框’可以達成成型用金 屬模具28之淸除作業之低成本化。 同時，因淸除用薄片Π有對應模腔6之開口部6a之貫通 孔17a ，且淸除時覆蓋成型用金屬模具28之整個合倂面26 ’ 因此可以提高淸除效果，不會降低淸除作業性。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董）-16- (請先閱讀背面之注意事_ 4 ，項再填· 裝II :寫本頁) 訂 544879 A7 B7 五、發明説明彳4 ) 請 閱 讀 背 之 注 意 事 再者，在本實施形態1之QFP19等之半導體裝置之製造 製程，由於能夠大幅度縮短成型用金屬模具28之淸除作業 之時間，有可以提高成型用金屬模具28之淸除效果’因此 可以提高上述半導體裝置之製造性。 其次，說明本發明之實施形態2 ◦ 本實施形態2係說明，在實施形態1所說明之半導體裝 置之製造製程之第2圖所示之成型用金屬模具28之淸除製程 所用之成型用金屬模具淸除用薄片之變形例子。 亦即，第7圖所示之淸除用薄片（成型用金屬模具淸除 用薄片）2 9，係與實施形態1所說明之淸除用薄片1 7同樣’在 對應成型用金屬模具28之模腔6之部位形成有貫通孔29a ， 同時在貫通孔29a之外周部之角偶形成有，開縫29b或流動 空腔用切口部29c等之缺口。 再者，貫通孔29a之大小是與成型用金屬模具28之模腔 6大致同大，或稍小。 而開縫29b及流動空腔用切口部29c係如第8圖所示，形 成在對應連通於第 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2金屬模具4之模腔6之流動空腔27(凹部）之處所，其中 ，流動空腔用切口部29c係形成爲與流動空腔27之形狀大致 相同之形狀之缺口。 在此，流動空腔2 7係用以使注入樹脂時之模腔6內之空 氣或封裝用樹脂逸出到此，以改善從閘口 Π之空氣之捲入 或模腔6內之封裝用樹脂之塡充平衡。 因此，開縫29b及流動空腔用切口部29c ，係用以在淸 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-17 - 544879 A7 B7 五、發明説明彳5 ) 除成型用金屬模具2 8時，對連通於模腔6之凹部之流動空腔 2 7或通氣孔1 4，充分塡充第5圖所示之淸除用樹脂2 5。 亦即，將淸除用樹脂2 5注入模腔6時，淸除用樹脂2 5則 通過淸除用薄片29之貫通孔29a塡充在模腔6，並且，在模 腔6之角落，使淸除用樹脂25穿過淸除用薄片29之流動空腔 用切口部29c或開縫29b，流進流動空腔27或通氣孔14。 藉此，可經由流動空腔用切口部29c或開縫29b使淸除 用樹脂25沾在淸除用薄片29，在此狀態下，可以將淸除用 樹脂25塡充在流動空腔27及通氣孔14。 其結果，可以在從成型用金屬模具28卸下淸除用薄片 29時，一倂從第2金屬模具4去除硬化後之淸除用樹脂25。 至於，缺口部是形成開縫29b或流動空腔用切口部29c ，則因配置在離第2金屬模具4之閘口 1 3較遠處之流動空腔 27，淸除用樹脂25較不易流進，因此形成流動空腔用切口 部29c較形成開縫29b理想。 同時，閘口 1 3側之流動空腔27因淸除用樹脂25較易流 進，因此在此形成開縫29b。 因之，在第7圖、第8圖所示之變形例子（第6圖所示之 QFP 19用之淸除用薄片29 )，係僅以配置在離閘口 13最遠處 之流動空腔27作爲流動空腔用切口部29c ，其餘之三處則設 開縫29b。 對此’第9圖所示之變形例子（BGA(Ball Grid Array)用 之淸除用薄片29 )，則表示在四個角偶設開縫29b之情形， 要在模腔6之那一角偶設流動空腔用切口部29c (參照第7圖） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210)097公釐） ---:---r--辦衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 544879 A7 B7 五、發明説明彳6 ) 或開縫29b ，並不特別限定，同時，開縫29b之寬度或長度 ’或者流動空腔用切口部29c之形狀，也不特別限定。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 再者，本實施形態2之淸除用薄片29之素材或厚度，與 實施形態1之淸除用薄片1 7相同。 而且，本實施形態2之淸除用薄片29之其他構造及使用 淸除用薄片29之半導體裝置之製造方法係與實施形態1所說 明之使用淸除用薄片17之半導體裝置之製造方法相同，因 此不重複說明。 依據本實施形態2之淸除用薄片29及使用此薄片之半導 體裝置之製造方法實時，在淸除第2圖所示之成型用金屬模 具28時，將淸除用樹脂25注入模腔6時，可以使淸除用樹脂 25通過淸除用薄片29之開縫29b或流動空腔用切口部29c等 之缺口部。 藉此，在淸除時，能夠將淸除用樹脂25塡充到流動空 腔27或通氣孔14等之凹部，同時，介由上述缺口部使淸除 用樹脂25沾上淸除用薄片29而附著在上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因此，在淸除用樹脂25硬化後，從第2金屬模具4剝離 淸除用薄片29，便可去除塡充在第2金屬模具4之合倂面26 之上述凹部（流動空腔27或通氣孔14)之淸除用樹脂25，因此 可以提高上述淸除效果，同時可以按各淸除用薄片2 9確實 去除淸除用樹脂25，而得很容易從上述凹部去除淸除用樹 脂25。 其結果，可以縮短使用淸除用薄片29之成型用金屬模 具2 8之淸除時間。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 19 - 544879 A7 ________B7_____ 五、發明説明彳7 ) 請 先 閲 讀 背 面 ί 再者，使面對第2金屬模具4之閘口 1 3之部位（離閘口 1 3 較遠處）之對應上述凹部之流動空腔用切口部29c或開縫29b 等之缺口部之形狀，對應此凹部之形狀，便可以進一步提 高上述凹部之淸除效果。 其次說明本發明之實施形態3。 本實施形態3係與實施形態2同樣，係說明在實施形態1 所說明之半導體製造製程之第2圖所示成型用金屬模具28之 淸除製程使用之成型用金屬模具之淸除用薄片之變形例子 〇 亦即，第10圖所示之附有框架之淸除用薄片（成型用金 屬模具之淸除用薄片）30係與實施形態1所說明之淸除用薄 片Π同樣，由可覆蓋成型用金屬模具28之整個合倂面26， 同時在對應模腔6處形成有貫通孔30b之淸除用薄片30a、可 在成型用金屬模具28之合倂面26之多數模腔6之外側，沿 合倂面26之周緣部26a配設之框狀之補強片30c，所構成。 再者，形成在淸除用薄片30a之貫通孔30b之大小係大 致上與成型用金屬模具28之模腔6同大，或稍小之大小。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在此，本實施形態3之附有框架之淸除用薄片30係如第 12圖所示，在淸除成型用金屬模具28而注入淸除用樹脂25 ( 參照第5圖）時，加大由下模具之第2金屬模具4與上模具之 第1金屬模具3夾住成型用金屬模具2 8時之模腔6外側之夾壓 力，以防止從成型用金屬模具28之合倂面26漏出淸除用樹 脂25。 亦即，如第10圖所示，附有框架之淸除用薄片30係將 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）_ 20 - 544879 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明忉） 如第1 1圖所示之對應模腔6形成有貫通孔30b之淸除用薄片 3〇a ，與在成型用金屬模具28之合倂面26之多數模腔6之外 側，沿合倂面26之周緣部26a配設之框狀之補強片30c ’黏 貼在一起而構成。 藉此，進行成型用金屬模具28之淸除時’係如第1 1圖 所示，令淸除用薄片30a之貫通孔30b對應模腔6 ’在整個合 倂面26配置淸除用薄片30a ，且在多數模腔6之外側，沿合 倂面26之周緣部26a配置框狀之補強片30c於合倂面26。 再者，本實施形態3之附有框架之淸除用薄片30係如第 10圖所示，預先將淸除用薄片30a與補強片30c黏貼在一起 ，因此進行淸除時，係將附有框架之淸除用薄片30配置在 第2金屬模具4之合倂面26上。 然後，如第12圖所示，以第1金屬模具3及第2金屬模具 4夾住淸除用薄片30a及補強片30c，再將此被夾住狀態之模 腔6，如第5圖所示注入淸除用樹脂25，在模腔6塡充淸除用 樹脂25，令淸除用樹脂25硬化後，從成型用金屬模具28之 合倂面26，連同淸除用薄片30a —起去除淸除用樹脂25，淸 除成型用金屬模具28。 再者，第10圖所示之附有框架之淸除用薄片30在，例 如在進行使用具有比較細長之封裝部22之半導體裝置（參照 第6圖，但第6圖所示之QFP19之封裝部22大置呈正方形）之 SOP，或使用矩陣框之QFN等之半導體裝置之模塑時，在 此等成型用金屬模具28之合倂面26，若模腔6之外側端部與 合倂面26之周緣部26A之距離（第11圖及第12圖所示之L)較 ----：---：---- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 d 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-21 - 544879 A7 ___B7 五、發明説明忉） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 短時（例如，L在10 mm以下時），淸除成型用金屬模具28時 ，從模腔6漏出之淸除用樹脂2 5會從淸除用薄片滲出，附著 在與成型用金屬模具28之合倂面26相連之側面，因此對上 述L會在10 mm以下之SOP或QFN用之成型用金屬模具28之 淸除更有效。 在此，框狀之補強片30c以例如厚度0. 1 mm〜0. 2 mm 左右之不織布、紙、銅或氟樹脂等形成較佳。 而且，可以如本實施形態3之附有框架之淸除用薄片3 0 ，預先黏貼淸除用薄片30a與補強片30c ，或者不預先黏貼 而分別準備雙方，在淸除時，依序配置在成型用金屬模具 28之合倂面26，進行淸除也可以。 同時，本實施形態3之附有框架之淸除用薄片3 0對使用 SOP或QFN以外之矩陣框之半導體裝置，或者使用帶狀基 板之BGA等也有效。 再者，本實施形態3之附有框架之淸除用薄片30之淸除 用薄片30a之素材或厚度，係與實施形態1之淸除用薄片17 相同。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而且，本實施形態3之使用附有框架之淸除用薄片30之 半導體裝置之製造方法，係與實施形態1所說明之使用淸除 用薄片17之半導體裝置之製造方法相同，因此不重複說明 〇 依據本實施形態3之使用附有框架之淸除用薄片3 0之半 導體裝置之製造方法時，在淸除成型用金屬模具28時，將 附有框架之淸除用薄片30之貫通孔30b對應模腔6，在整個 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-22 - 544879 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明) 合倂面26配置淸除用薄片30a ，且在多數模腔6之外側，沿 合倂面26之周緣部26a配置框狀之補強片30c ，以成型用金 屬模具28之第1金屬模具3與第2金屬模具4夾住附有框架之 淸除用薄片30，藉此可以提高成型用金屬模具28之夾壓力 ，其結果，可以防止淸除時，淸除用樹脂25從成型用金屬 模具28之合倂面26漏出。 因此，因爲可以防止在成型用金屬模具28之側面附著 淸除用樹脂25，可以免除去除此等之作業，其結果’可以 提高成型用金屬模具28之淸除作業之效率。 同時，由於使用黏貼有補強片30c之附有框架之淸除用 薄片30，可以防止淸除時，淸除用樹脂25從成型用金屬模 具28之合倂面26漏出，其結果，可以將淸除用樹脂25充分 塡充在模腔6及流動空腔用切口部29c (參照第8圖）等之凹部 ，其結果，可以提高模腔6及流動空腔用切口部29c等之凹 部之淸除效果。 再者，特別是，成型用金屬模具28之模腔6之外側端部 與合倂面26之周緣部26 A之距離較短時（例如，第Π圖所示 之距離L在10 mm以下時），具有補強片30c之附有框架之淸 除用薄片30特別有效。 而由於使用具有補強片30c之附有框架之淸除用薄片30 ，可以防止淸除時，淸除用樹脂25從成型用金屬模具28之 合倂面26漏出，因此，可以在成型用金屬模具28之合倂面 26很容易安裝及卸下附有框架之淸除用薄片30。 而且，若淸除用薄片30a是不織布時，由於使用補強片 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 23 - 544879 A7 ___ B7 五、發明説明幻) 3〇c ’可以防止淸除用薄片3〇a之伸縮，其結果，成型用金 屬模具28之淸除作業效率可以進一步提高。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以上係依據本發明之實施形態具體說明由本發明人完 成之發明，但本發明不限定如上述發明之實施形態，當然 可以在不脫離其主旨之範圍內作各種變更。 例如，在實施形態1、2、3，淸除用薄片17、29、30a 係由不織布形成，但淸除用薄片丨7、2 9、3 0 a之材質並不限 定爲不織布，紙或其他布料等其他材質也可以。 同時，淸除用薄片17、29、30a之厚度也不限定如上述 實施形態1、2、3所說明者，可以用各種不同厚度。 而且，淸除用薄片17、29、30a之大小也是只要能覆蓋 成型用金屬模具28之合倂面26之大致整面之大小便可以， 比合倂面26稍小也可以。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 同時’形成在淸除用薄片17、29、30a之貫通孔17a、 29a、30b，其形狀或形成數不限定如實施形態1、2、3，可 以是各種形成及形成數，而且，大小也可以是大致等於模 腔6之開口部6a ，或只要是淸除用樹脂25可以通過之大小， 則可以較模腔6之開口部6a大或小。 再者，上述實施形態1、2、3之成型用金屬模具28可以 是多連之引線框成一列者，或者用矩陣框架，不論那一種 ，均可以達成降低淸除作業之低成本化。 同時，在上述實施形態1、2，係說明由第1圖所示之傳 遞模塑裝置進行模塑之半導體裝置是第6圖所示之QFP19’ 但上述半導體裝置不限定爲QFP1 9，只要是由上述傳遞模 ^張又度適用中國國家標準（〇灿）八4規格(210、乂297公釐）~~- ?4 - 544879 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___B7 五、發明説明) 塑裝置進行模塑而裝配之半導體裝置，則SOP等其他半導 體裝置也可以。 而且，上述實施形態1、2、3之成型用金屬模具28，係 以第1金屬模具3做爲上模，第2金屬模具4做爲下模之例子 進行說明，但也可以與此相反，以第1金屬模具3做爲下模 ，以第2金屬模具4做爲上模。 圖式之簡單說明 第1圖係表示使用本發明實施形態1之成型金屬模具淸 除用薄片進行模塑之傳遞模塑裝置之構造之一個例子之斜 視圖。 第2圖係表示第1圖所示傳遞模塑裝置之樹脂成型部之 構造之部分截面圖。 第3圖係表示本發明實施形態1之成型金屬模具淸除用 薄片之構造之一個例子之圖，（a)係平面圖、（b)係沿（a)之A - A線之截面圖。 第4圖係表示在設於第2圖所示樹脂成型部之成型金屬 模具之第2模具之合倂面，配置成型金屬模具淸除用薄片之 狀態之一個例子之平面圖。 第5圖係表示使用第3圖所示成型金屬模具淸除用薄片 之成型金屬模具內，在淸除時之狀態之一個例子之部分截 面圖。 第6圖係以部分截面方式表不藉由本發明之半導體裝置 之製造方法製造之半導體裝置之構造之一個例子之斜視圖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-25 - -裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 d 544879 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明纟3 ) 〇 第7圖係表示本發明實施形態2之成型金屬模具淸除用 薄片之構造之一個例子之平面圖。 第8圖係表示將第7圖所示之成型金屬模具淸除用薄片 配置在成型金屬模具之合倂面之狀態之一個例子之放大部 分平面圖。 第9圖係表示第7圖所示之成型金屬模具淸除用薄片之 變形例子之成型金屬模具淸除用薄片之構造之平面圖。 第1 0圖係表示本發明實施形態3之成型金屬模具淸除用 薄片之構造之一個例子之圖，（a)係平面圖、（b)係沿（a)之B -B線之截面圖。 第11圖係表示將第1 0圖所示之成型金屬模具淸除用薄 片配置在成型金屬模具之合倂面之狀態之一個例子之平面 圖。 第1 2圖係沿第1 1圖所示之C - C線之放大部分截面圖。 主要元件對照 1 裝載機 2 卸載機 3 第1金屬模具 4 第2金屬模具 5 樹脂成型部 6 模腔 6a 開口部 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-26 - ----：—：---— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 544879 A7 B7 五、發明説明) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8 澆 道 9 坩 鍋 10 柱 塞 1卜 15 推 出 板 12、 16 推 出 梢 13 閘 □ 14 通 氣 孔 17、 29 、 30a 淸 除 用 薄 17a 、29a 、 30b 通 孔 18 疋 位 用 突 19 Q F : P 20 內 部 引 線 21 搭 接 線 22 封 裝 部 23 外 部 引 線 24 半 導 體 晶 25 淸 除 用 樹 26 合 倂 面 26a 周 緣 部 27 流 動 空 腔 2 8 成 型 用 金 29b 開 縫 29c 流 動 空 腔 30 附 有 框 架 片（成型金屬模具淸除用薄片） 緣 片 脂 屬模具 用切口部 之淸除用薄片 ----:---:--裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T -4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）-27 _ 544879 A7 B7 五、發明説明扛） 30c 補強片 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 •項再填· 裝·
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）-28 -
Claims (1)
- 544879 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 夂、申請專利範圍第9 0 1 1 5 7 9 8號專利申請案 .二 中文申請專利範圍修正本 民國9 1年1 1月18日修正 1· 一種成型金屬模具淸除用薄片，配置在由第1金屬模 具及第2金屬模具構成之一對成型金屬模具之上述第1金屬 模具與上述第2金屬模具之間，用以淸除成型金屬模具，其 特徵在於，配置在上述第1金屬模具與上述第2金屬模具間 時，可覆蓋成型金屬模具之整個合倂面，形成有對應上述 成型金屬模具之模腔之貫通孔，上述淸除用薄片係由浸泡 淸除用樹脂且可令其透過之素材形成。 2.—種半導體裝置之製造方法，使用成型金屬模具淸除 用薄片，其特徵在於，含有： 準備，以浸泡淸除用樹脂且可令其透過之素材形成， 可覆蓋由第1金屬模具及第2金屬模具構成之一對成型金屬 模具之整個合倂面，形成有對應上述成型金屬模具之模腔 之貫通孔之上述成型金屬模具淸除用薄片之製程； 令上述貫通孔對應上述模腔，將上述成型金屬模具淸 除用薄片配置在整個上述合倂面，而用上述第1金屬模具與 上述第2金屬模具夾住上述成型金屬模具淸除用薄片之製程 向上述模腔供應淸除用樹脂，通過上述成型金屬模具 淸除用薄片之貫通孔將上述淸除用樹脂塡充在上述模腔之 製程；以及， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)544879 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8々、申請專利範圍 在上述淸除用樹脂硬化後，使上述淸除用樹脂及上述 成型金屬模具淸除用薄片從上述成型金屬模具離模之製程 〇 3. —種半導體裝置之製造方法，使用成型金屬模具淸除 用薄片，其特徵在於，含有： 準備，以浸泡淸除用樹脂且可令其透過之素材形成， 可覆蓋由第1金屬模具及第2金屬模具構成之一對成型金屬 模具之整個合倂面，形成有對應上述成型金屬模具之模腔 之貫通孔之上述成型金屬具淸除用薄片之製程； · 令上述貫通孔對應上述模腔，將上述成型金屬模具淸 除用薄片配置在整個上述合倂面，而用上述第1金屬模具與 上述第2金屬模具夾住上述成型金屬模具淸除用薄片之製程 向上述模腔供應淸除用樹脂，通過上述成型金屬模具 淸除用薄片之貫通孔將上述淸除用樹脂塡充在上述模腔之 製程； · 在上述淸除用樹脂硬化後，使上述淸除用樹脂及上述 成型金屬模具淸除用薄片從上述成型金屬模具離模之製程 ;以及， 使用上述成型金屬模具淸除用薄片淸除上述成型金屬 模具內後，在上述成型金屬模具之上述模腔配置半導體晶 片，然後，向上述模腔供應封裝用樹脂，以樹脂封裝上述 半導體晶片之製程。 4. 一種半導體裝置之製造方法，使用成型金屬模具淸除 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 絲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -2 - 544879 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 用薄片，其特徵在於，含有： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 準備，以浸泡淸除用樹脂且可令其透過之素材形成 可覆蓋由第1金屬模具及第2金屬模具構成之一對成型金屬 模具之整個合倂面，形成有對應上述成型金屬模具之模腔 之貫通孔，及對應連通於上述模腔而設在其外周部之凹部 之缺口部之上述成型金屬模具淸除用薄片之製程； 令上述貫通孔對應上述模腔，同時令上述缺口對應上 述凹部，將上述成型金屬模具淸除用薄片配置在整個上述 合倂面，而用上述第1金屬模具與上述第2金屬模具夾住上 述成型金屬模具淸除用薄片之製程； 向上述模腔供應淸除用樹脂，通過上述成型金屬模具 淸除用薄片之貫通孔及上述缺口部，將上述淸除用樹脂塡 充在上述模腔及上述缺口部之製程；以及， 在上述淸除用樹脂硬化後，使上述淸除用樹脂及上述 成型金屬模具淸除用薄片從上述成型金屬模具離模之製程 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5.—種半導體裝置之製造方法，使用成型金屬模具淸除 用薄片，其特徵在於，含有： 準備，以浸泡淸除用樹脂且可令其透過之素材形成， 可覆蓋由第1金屬模具及第2金屬模具構成之一對成型金屬 模具之整個合倂面，形成有對應上述成型金屬模具之模腔 之貫通孔之上述成型金屬模具淸除用薄片，及可沿上述合 倂面周緣部配置在上述成型金屬模具之上述合倂面之多數 上述模腔外側之補強片之製程； 本^張尺度適用中國國家標準YCNS ) A4規格（210X297公釐）— -3- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 544879 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 令上述成型金屬模具淸除用薄片之上述貫通孔對應上 述模腔，將上述成型金屬模具淸除用薄片配置在整個上述 合倂面，同時沿上述合倂面周緣部將上述補強片配置在多 數上述模腔外側，而用上述第1金屬模具與上述第2金屬模 具夾住上述成型金屬模具淸除用薄片及上述補強片之製程 向上述模腔供應淸除用樹脂，通過上述成型金屬模具 淸除用薄片之貫通孔將上述淸除用樹脂塡充在上述模腔之 製程；以及， _ 在上述淸除用樹脂硬化後，使上述淸除用樹脂及上述 成型金屬模具淸除用薄片從上述成型金屬模具離模之製程 〇 6.—種半導體裝置之製造方法，其特徵在於，包含= (a) 準備，分別具有合倂面，及形成在上述合倂面之凹 部之第1金屬模具及第2金屬模具之製程； (b) 準備，具有貫通孔，且浸泡有淸除用樹脂並可以 使其穿透之薄片之製程； (c) 令上述薄片之貫通孔之位置對應上述第1金屬模具 與上述第2金屬模具之凹部，將上述薄片夾在上述第1金屬 模具與上述第2金屬模具之合倂面間之製程； (d) 在上述（c)製程後，將淸除用樹脂注入上述第1金屬 模具與上述第2金屬模具之凹部內之製程； (e) 在上述（d)製程後，將從上述第1金屬模具與上述第 2.金屬模具去除上述薄片及淸除用樹脂之製程； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)- 4- 544879 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 (〇準備，主面上有多數電極之半導體晶片、導體構件 、以電氣方式連接上述半導體晶片之多數電極與上述導體 構件之多數引線之製程； (g) 在上述（e)製程後，令上述半導體晶片及多數引線 對應上述第丨金屬模具與上述第2金屬模具之凹部，將上述 導體構件夾在上述第丨金屬模具與上述第2金屬模具之合倂 面間之製程；以及， (h) 在上述（g)製程後，將封裝用樹脂注入上述第1金屬 丰旲具與上述第2金屬模具之凹部內，封裝上述半導體晶片、 多數引線及導體構件之一部分之製程。 7·如申請專利範圍第6項之半導體裝置之製造方法，在 上述（h)製程後，進一步含有： (I) 準備，主面上有多數電極之半導體晶片、導體構件 、以電氣方式連接上述半導體晶片之多數電極及上述導體 構件之多數引線之製程； (J) 在上述⑴製程後，令上述半導體晶片及多數引線對 應上述第1金屬模具與上述第2金屬模具之凹部，將上述導 體構件夾在上述第1金屬模具與上述第2金屬模具之合倂面 間之製程；以及， (k)在上述⑴製程後，將封裝用樹脂注入上述第1金屬 模具與上述第2金屬模具之凹部內，封裝上述半導體晶片、 多數引線及導體構件之一部分之製程。 8.如申請專利範圍第6項或第7項之半導體裝置之製造方 法，上述薄片係不織布。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁}本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（ 210X297公釐） -5 544879 A8 B8 C8 D8 -------*----------- 六、申請專利範圍 9.如申請專利範圍第6或第7項之半導體裝置之製造方法 ，上述淸除用樹脂含三聚氰胺甲醛樹脂（m e 1 a m i n e 1. e s i η)。 10·如申請專利範圍第6或第7項之半導體裝置之製造方 法，上述貫通孔之寬度較上述第1金屬模具與上述第2金屬 模具之凹部之寬度小。 U.如申請專利範圍第6或第7項之半導體裝置之製造方 法，上述第1金屬模具在鄰接合倂面之凹部處，有較上述凹 部小之第2凹部，上述薄片在鄰接貫通孔處，有第2貫通孔 或缺口部，而在上述（c)製程夾住上述薄片時，令上述第2貫 通孔或缺口部對應上述第2凹部。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -6-
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000236687A JP2001191338A (ja) | 1999-10-26 | 2000-08-04 | 成形金型クリーニング用シートおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW544879B true TW544879B (en) | 2003-08-01 |
Family
ID=18728694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW090115798A TW544879B (en) | 2000-08-04 | 2001-06-28 | Mold cleaning sheet and method of producing semiconductor devices using the same |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US7384582B2 (zh) |
| JP (2) | JP3878550B2 (zh) |
| KR (3) | KR100847320B1 (zh) |
| CN (1) | CN1239305C (zh) |
| TW (1) | TW544879B (zh) |
| WO (1) | WO2002011966A1 (zh) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4769380B2 (ja) * | 2001-05-18 | 2011-09-07 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | クリーニング用シートおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| KR101135680B1 (ko) * | 2004-01-09 | 2012-04-13 | 한미반도체 주식회사 | 반도체 패키지 몰딩장치 |
| TW200830573A (en) * | 2007-01-03 | 2008-07-16 | Harvatek Corp | Mold structure for packaging light-emitting diode chip and method for packaging light-emitting diode chip |
| JP4975494B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2012-07-11 | 富士通株式会社 | 撮像装置 |
| CN101396853B (zh) * | 2007-09-26 | 2010-09-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 塑封模具清洗用框架及其清洗塑封模具的方法 |
| JP5428903B2 (ja) * | 2010-02-03 | 2014-02-26 | 第一精工株式会社 | 樹脂封止金型装置 |
| EP3078476B1 (en) * | 2011-08-04 | 2019-10-16 | Husky Injection Molding Systems Ltd. | A mold having a residue cleaning feature |
| KR101501951B1 (ko) * | 2013-01-17 | 2015-03-13 | 에스케이엘이디 주식회사 | 엘이디 모듈 제조용 사출장치 |
| JP6494975B2 (ja) | 2014-10-31 | 2019-04-03 | Nok株式会社 | 成形品の成形方法及び成形型 |
| JP2017183511A (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| EP3924378A4 (en) | 2019-02-15 | 2023-04-05 | WuXi Biologics Ireland Limited | METHODS FOR THE PRODUCTION OF ANTIBODY-DRUG CONJUGATES WITH IMPROVED HOMOGENEITY |
| DE102019104447A1 (de) * | 2019-02-21 | 2020-08-27 | Dr. Schneider Kunststoffwerke Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Kunststoffformteilen |
| KR102214048B1 (ko) * | 2020-12-04 | 2021-02-10 | (주)엠엑스앤 | 반도체 소자 제조장치용 포커싱링에 대한 쿨링시트 부착장치 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0510359Y2 (zh) * | 1987-06-26 | 1993-03-15 | ||
| JPH0195010A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-13 | Matsushita Electron Corp | 成形金型のクリーニング方法 |
| JPH01128439A (ja) * | 1987-11-11 | 1989-05-22 | Fukuoka Nippon Denki Kk | 樹脂封止金型の型掃除用リードフレーム |
| CA2016368A1 (en) * | 1989-05-22 | 1990-11-23 | Hiroshi Takasu | A cleaning resin composition |
| JPH03202327A (ja) | 1989-12-28 | 1991-09-04 | Toowa Kk | 樹脂成形用金型面のクリーニング方法とこの方法に用いられるクリーニング用シート部材及び連続自動樹脂成形方法 |
| JPH04173117A (ja) * | 1990-11-02 | 1992-06-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体樹脂封止金型のクリーニング法 |
| JPH06254866A (ja) | 1993-03-10 | 1994-09-13 | Apic Yamada Kk | 金型クリーニング方法 |
| JP3943145B2 (ja) * | 1994-11-04 | 2007-07-11 | 株式会社ルネサステクノロジ | 成形金型のクリーニング方法および半導体チップの樹脂封止方法 |
| JPH0970856A (ja) * | 1995-09-08 | 1997-03-18 | Hitachi Ltd | 半導体チップのモ−ルド方法 |
| JPH10109330A (ja) * | 1996-10-04 | 1998-04-28 | Hitachi Ltd | モールド装置およびゲート切断方法ならびに半導体集積回路装置の製造方法 |
| JPH1126488A (ja) * | 1997-07-04 | 1999-01-29 | Nec Corp | 半導体樹脂封止用金型 |
| JP4077118B2 (ja) * | 1999-06-25 | 2008-04-16 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置製造用金型 |
| JP2001062846A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-13 | Towa Corp | クリーニング用シート及び金型クリーニング方法 |
| US6436318B1 (en) * | 2000-03-30 | 2002-08-20 | Intel Corporation | Paper substrates for use in integrated circuit packaging molding processes |
-
2001
- 2001-06-28 TW TW090115798A patent/TW544879B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-06-28 CN CNB01813503XA patent/CN1239305C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-28 KR KR1020067012875A patent/KR100847320B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-06-28 WO PCT/JP2001/005547 patent/WO2002011966A1/ja active Application Filing
- 2001-06-28 KR KR1020087004768A patent/KR100855048B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-06-28 JP JP2002517285A patent/JP3878550B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-28 US US10/296,724 patent/US7384582B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-28 KR KR1020037001586A patent/KR100788769B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-05-11 US US11/431,508 patent/US7572398B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2009
- 2009-06-30 US US12/494,891 patent/US7837908B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-10-02 JP JP2009230070A patent/JP2010010702A/ja active Pending
-
2010
- 2010-10-18 US US12/906,421 patent/US8070992B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1239305C (zh) | 2006-02-01 |
| US7384582B2 (en) | 2008-06-10 |
| KR100788769B1 (ko) | 2007-12-31 |
| KR20030026996A (ko) | 2003-04-03 |
| WO2002011966A1 (fr) | 2002-02-14 |
| KR100847320B1 (ko) | 2008-07-21 |
| CN1444518A (zh) | 2003-09-24 |
| JP2010010702A (ja) | 2010-01-14 |
| KR20060089245A (ko) | 2006-08-08 |
| US20030131428A1 (en) | 2003-07-17 |
| US20060197258A1 (en) | 2006-09-07 |
| JP3878550B2 (ja) | 2007-02-07 |
| US20090263940A1 (en) | 2009-10-22 |
| KR100855048B1 (ko) | 2008-08-29 |
| US20110033984A1 (en) | 2011-02-10 |
| US8070992B2 (en) | 2011-12-06 |
| US7572398B2 (en) | 2009-08-11 |
| US7837908B2 (en) | 2010-11-23 |
| KR20080034007A (ko) | 2008-04-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |