TW536734B - Process for manufacturing a microelectronic device - Google Patents

Process for manufacturing a microelectronic device Download PDF

Info

Publication number
TW536734B
TW536734B TW090114153A TW90114153A TW536734B TW 536734 B TW536734 B TW 536734B TW 090114153 A TW090114153 A TW 090114153A TW 90114153 A TW90114153 A TW 90114153A TW 536734 B TW536734 B TW 536734B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
photoresist
item
patent application
surfactant
solution
Prior art date
Application number
TW090114153A
Other languages
English (en)
Inventor
Ralph R Dammel
Ronald J Eakin
Mark A Spak
Original Assignee
Clariant Int Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Clariant Int Ltd filed Critical Clariant Int Ltd
Application granted granted Critical
Publication of TW536734B publication Critical patent/TW536734B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/322—Aqueous alkaline compositions

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

技術“ 本1月有關—種於基材上製造影像之方法，及使該影像 顯影之組合·物。 _背景技％ k者此等積體電路中製造極細互連物之需求，半導體 技術中積體兩A ,、 ^ %路品致密化。超細圖型一般係藉著使用微影 術於光阻塗居+ π々π 么人 g中形成圖型而產生。通常，此等方法中，光 兩 物之薄膜塗層先施加於基材上，諸如用以製造積體 会人、 '日曰口。經'至佈之基材隨之經烘烤，以蒸發該光阻 ’ 口物中疋任何溶劑，而將該塗層固定於該基材上。該基 材經烘烤之矣Λ # 7、 裝 … 衣面接耆進行輻射之成像曝光。此種輻射曝光 導致經=佈表面之曝光區中的化學轉變。可見光、紫外光 (、）％子束及X-射線能量係爲目前一般使用於微影方法 2,輻射颂型。在此成像曝光之後，經塗佈之基材使用顯 合液處理，以落解及移除該光阻經輻射曝照或非曝照 之區域。 /、缸％路之小型化需於該光阻内印刷愈來愈窄之尺寸。 “展各種用以縮小光阻尺寸之技術，該技術之實例有多 層i層k反射性塗層、相移罩幕、對愈來愈短波長具敏 感性之光阻.等。 ' 印刷較小尺寸之—重要方法係、與在光阻影像頂層形成薄 層之技術有關，其增寬該光阻影像，但縮小介於相鄰光阻 圖型之間的間隔尺寸。縮小之間隔可用以蝕刻且界定該基 材’或用以沉積材料諸如金屬。此種雙層技術可將較二 I紙張尺度適财@ g家標準(CNS) “格(21() χ -4- 寸界疋成微電子設備製程之一部分，而 光阻化學性能。頂層或縮小材料可爲無 ，或其可爲有機諸如可交聯之聚合材料。 536734 五、發明説明 不需重新調配新的 機層諸如介電材料 /電收縮材料係描述於仍5,863,7〇7中，包括二氧切、 乳化石夕、氮氧化石夕、旋塗材料或化學氣相沉積材料。有 :聚合物塗層係描述於Us 5,858,62。中，其中該塗層於酸 存在下進行交聯反應，以黏著於該光阻表如但頂部收 縮空層未交聯之部分被移除。us 5,85m2q揭示—種製造 半導k置〈万法，其中該基材具有經圖型化之光阻， 其上層塗佈有頂層，該光阻隨之曝光並加熱，使得該光 阻中又、..工感光生成之酸擴散經過該頂層，隨之使該頂層 交聯。該酸擴散穿透該頂塗層之程度決定經交聯層之： 度頂以父聯之部分係使用τ溶解該聚合物的溶液移 除。us 5,858,620揭示該頂層移除溶液係爲水或氫氧化四 甲基銨之水溶液。 、、使用頂層收縮材料製造之微電子裝置之性能的重點係爲 d光阻層中〈開口間隔在移除未交聯之材料之後需極清晰 殘田於居取置上之任何殘留物會導致缺陷且降低裝置 率。 尺 若使用、、’屯水作爲移除落液，則發現在介於該光阻圖型之 間的間隔中形成浮渣及光阻殘留物的傾向極強。另一項研 究係使用水與有機水可溶混溶劑例如異丙醇之混合物。'本 ^明中’ t外地發現界面活性劑—尤其是陰離子性界面活性 背J —足水溶液在移除頂層之不可溶部分時更具選擇性，結果 •5- 本紙張尺度適用中@ @家標準(CNS)鐵_格(2lGX297^^y
裝 訂
、線 536734 A7 B7
五、發明説明 違開放間隔較小，而且’較使用水或水與氫氧化 U. . 四甲基録 或可與水溶混之溶劑的混合物更清潔。較 二、 乍又間隔可產生 較致密之路件，微電子裝置之切換速度較快。 本發明有關一種塗佈收縮材料於已成像光阻 2 心項邓、選 擇性地交聯該層之一部分，且使用移除溶液移除該層未六 聯之部分，以縮小介於該光阻圖型之間的間隔之方法，人 中用以移除未交聯收縮材料之溶液係包括界面活性劑〜尤其 是陰離子性界面活性劑之水溶液。意外地發現使用此種新 穎之移除溶液可改善圖型明晰度，得到較高之解析度及2 良之介於成像光阻圖型間的間隔之清晰度。 本發明有關一種製造微電子裝置之方法，包括於一基材 上提供光阻影像，使用一收縮材料塗佈該光阻影像，使得
=收縮材料與該光阻影像接觸之部分進行不溶解化，使Z 和1¾ ‘液和除该收縮材料未經不溶解化之部分，其中十亥移 除洛液係包含一界面活性劑之水溶液。較佳界面活性劑係 馬非離子性界面活性劑，更佳係陰離子性界面活性劑， 而以具有大於7個碳原子之脂族鏈的陰離子性界面活性劑 更佳。 ” •本發明有關一種製造微電子裝置之方法，包括於已成 象之光阻頂層形成收縮材料層，使用移除溶液移除可溶 邵分，其中該移除溶液係包含界面活性劑之水溶液，以 非陰離子性界面活性劑爲佳，陰離子性界面活性劑更佳 -6 - :297公釐）
裝
線 A7 B7 五、發明說明（4 ) 而具有多於7個碳原子之脂族鏈的陰離子性界面活性劑 更佳。 、 阻之成’像圖型係根據熟習該項技術者已知之方法形成 於一基材上。 光卩且可爲半導體工業使用之任何類型。有兩類光阻組合 4^7 ? g. μ. ^. «巧型及正片型。當負片型光阻組合物成像地曝照韓 射日♦，二、 、、’.孩光阻組合物曝照輻射之區域變成較不溶於顯影劑 A ’使（例如發生交聯反應），而該光阻塗層未曝光之區域保持 相對可A、人二、 · 、 岭万；孩溶液中。因此，使用顯影劑處理經曝光之負 片·^光阻可移除該光阻塗層之未曝光區域，於該塗層 生胃 座 ”片型影像，露出底層基材表面欲沉積該光阻組合物的 所需部分。 方面’ ‘正片型光阻組合物成像地曝照輪射時， ^光阻組合物曝照輻射之區域變成較易溶於該顯影劑溶 成中（例如發生重排反應），而非曝光區域則保持相對較不 易洛於該顯影劑溶液中。因此，使用顯影劑處理經曝光 足正片型光阻導致移除該塗層之已曝光區域，而於該光 阻望層中產生正片型影像。再次顯露出底層表面之所需 邵分。 正片型光阻組合物目前較優於負片型光阻，因爲前者 通常具有較佳之解析能力及圖型轉換特性。光阻解杆戶 係疋義爲在曝光及顯影之後，可於高影像邊緣準確度之 下，將該光阻組合物自該光罩幕傳送至該基材之 . 叹小圖 土。目前許多製造應用中，需要小於一微米之大小的光 本紙張尺歧财s S家料(CNS)】4規格(2ι〇χ 297公爱)— 五、 發明説明（ 陡解析度。此外，幾车 對於該基材接近垂t、二心該已㈣光^輪廊相 域之間的只眼Μ η 。孩光阻塗層之已顯影及未顯影區 "3的界限轉變成該罩蓋旦/你、佳— 基材上。因爲小型化使3型傳送至該 變得愈來愈重要。 ^上^界尺寸、，故此點 =阻通常包含—聚合物及—感光性化合物。光阻系統之 只例非限制地有酚_、’ 鹽、每保雄之m；: 4旨重氮蕃酉昆、㈣基苯乙締/鑌 此 又λ :'工土本乙缔’鐯鹽、環脂族聚合物/鐯鹽等。 可"阻係局热知使用於由436至193毫微米波長範圍者。 松形成影像之任何類型光阻。光阻係、塗佈於一基 4層= = : = : = ^有塗佈溶劑： 劑顯影。 有…波長的光，使用適當之顯影 :旦於基材上界定綠圖型，即於具有総圖型之 上塗佈-收縮材料，此材料包含一聚合物，其可在" =阻圖=之附近藉由例如於酸存在下進行之交聯反應而變 =不可落，及一溶劑’其中該溶劑溶解該聚合物，但不溶 解^光阻。可在酸存在下進行交聯之收縮材料所適用的系 =一般實例係揭示於US 5,858,620中，有聚乙晞醇縮乙醛 ，聚乙烯醇縮乙醛與甲氧基_羥甲基·脲之混合物，聚乙晞醇 、’、二乙醛與甲氧基-羥曱基三聚氰胺之混合物，甲氧基·羥甲基 -三聚氰胺與聚晞丙基-胺之混合物。可使用其他可進行酸二 X聯反應之系統。該經圖型化光阻之表面可含有足以 收縮材料中謗致交聯之酸，或若需要，則該光阻可二 本紙張尺度適用中國@家鮮(CNS) A4規格(210 X 297公釐） A7 五、發明説明（6 一、、：<附加里之§义。或泫光阻表面可於該收縮材料涂佈 =阻影像上之前先使用酸溶液處理。該收縮材料隨：經 父聯’其中'該力ϋ熱步骤（擴散烘烤）之時間及溫度係,經控制Γ 以屋生交聯劑收縮薄膜所需之厚度。該擴散烘烤所需之加 ί溫度可由約10(rc至約160°C，以11CTC至約i 3(TC爲佳。經 :如疋收鈿材料的厚度係視酸之擴散長度而定。可使用該 光阻之’之照曝光以生成酸。#需要選擇性曝光，則該光阻 可經由罩幕曝光，使得僅有特定區域具有經交聯之收縮材 料’例如，该光阻之側面。該曝光劑量決定該光阻中所生 成〈酸的濃度’因此係爲決定經交聯收縮薄膜之最終厚度 的附加控制因丨。當該經交聯收縮薄膜的厚度增加時，: 於該光阻圖型間之間隔變小，使得㈣基材上界定較小之 電路幾何圖型。 收縮材料未交聯之殘留部分係使用新顆之移除溶液移除 二該新穎移除溶液係包含界面活性劑之水溶液，可另外包 :鹼及/或水可落混之溶劑。鹼之實例有氫氧化四甲基銨、 氫氧化四乙基銨、膽鹼或其混合物。水可溶混溶劑有例如 低脂族醇類諸如乙醇或異丙醇；乡官能基醇類諸如乙二醇 丙一 §予、甘油、或其單甲基醚，尤其是丙二醇單甲基醚 (PGME) e |現水洛性非離子化界面活性劑及陰離子性界 面活性劑提供良好之微影結果。非離子性界面活性劑之實 财氧化乙晞/氧化㈣聚合物，具有玦基、氟院基、或芳 族基團之末端.基。陰離子性界面活性劑亦產生優越之微影 性说’ g界面活性劑之實例有長鏈燒酸之鹽類，諸如月桂 裝 訂 .線
536734
酸鹽'硬脂酸鹽、或庚酸鹽’芳燒基續酸之鹽類“者如月 桂基續酸、或輕醯胺經不同取代之鹽，或前述化人物之 :分或完全氟化之衍生物。按、四甲基錄、四乙基按、或 其他燒基铵離子係爲可使用之配衡離子。該移除溶液之實 際’、且成係視諸如收鈿材料、尸斤需之微影性能、材料相容性 、產製規格等因素而定。已發現對特定產物az⑧㈣ c〇咖g而言，使用包含具有長燒基鏈之鹽類的移除溶液可 得到最佳結果，尤其是具有多^7個碳之貌基鏈長。尤並可 使用具有多於7個碳之脂族烴鏈，因爲此等產生較佳之例壁 輪廓，清晰之顯影及較狹窄之間隔尺寸。 裝 該移除溶液係依技藝界已知之方式施加於該基材表面上 訂 。《顯影 '浸潰顯影、噴遲顯影或此等技術之任何混合 万式皆可用於自該基材移除化學组合物。改變該移除方法 之時間及溫度以產生最佳微影性質。所期望之微影性質有 例如⑷基材在移除未交聯收縮材料之後的清晰度，即該基 材不具有不可溶之沉積物、縱紋、橋連物等，⑻垂直” ，及（C)光滑表面。. 線 在目前之解析度目標之下，期望光_型之間的間隔縮 小約70毫微米至約⑽毫微米。實際間隔寬度縮小需求與所 製造之微電子裝置的類型有密切關係。 一如4述方法所足義般地形成所需之狹窄間隔，該裝 置可視需要進-步加工。金屬可沉積於該間隔中，該基材 可經蝕刻，該光阻可經平面化等。 以下特疋貫施例係提供本發明組合物之製造及使用方法 -10- 536734
五、發明説明（8 ) 的詳細説明。然而，此等實施例絕不限制或侷限本發明之 範疇，不應視爲進行本發明所必要採用之條件、參數戈數 値。 實施例 實施例1 AZ®DXTM3200，一種市售之深紫外光（DUV)光阻，
Clariant Corporation (Somerville，New Jersey)所隹，於 13 60轉每分鐘下旋塗於6英吋晶圓上，於85°C下烘烤9〇秒， 產生760毫微米（nm)之薄膜厚度，之後於設定於να=〇·6〇& 西格馬（sigma)二 0.6 之 ASML PAS5500/300B DUV步進器上 曝光，曝光之後於115°C下烘烤90秒，於AZ®MIF300顯影劑 (2.38重量/重量百分比氫氧化四甲基銨，Clariant Corporation，Somerville，New Jersey 所售）中顯影。該光阻 顯影之後，檢視發現190毫微米相等之線及間隔結構。 該晶圓隨之於2500轉每分鐘之旋轉速度下塗佈收縮材料 AZ®R200 Coating，一種聚乙晞醇/交聯劑塗層（Clariant Corporation，Somerville，New Jersey 所售），於 85°C 下洪烤 7 0秒，再於1 1 〇 °C下烘烤7 0秒，以使該收縮材料交聯。於個 別偵測裸矽晶圓上所測定之AZ®R200層的薄膜厚度係爲75〇 毫微米。製備移除溶液2 - 5，濃度係爲於水中之1重量百分 比之各種界面活性劑，如表1所列。該晶圓使用此等移除溶 劑藉於該晶圓上手動攪煉2 0毫升該移除落液歷經6 0秒而進 行顯影，之後使用去離子水淋洗。表1比較移除溶液1 -5對 於縮小間隔寬度、顯影清晰度、及侧壁角度的效果。 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) A7 B7 五、發明説明（9 ) 祕保瘦I聚（4_搜基笨乙缔）爲底質之深紫外光光阻 、、一力於矽曰曰圓上，經由罩幕曝照Duv光，經處理以產生 =寬度由280至180¾微米之隔離間隔圖型。該晶圓隨之 ，實施m所述般地塗佈AZ，2⑼CQating，不同處係該擴 政：t、烤方法係如表2之第2欄所示。實驗移除溶液之化學組 成係列示於表3中。該方法之結果係列示於表2中。 ,此實驗之目的在發現一種可使印刷間隔寬度自約2〇〇毫微 米鈿小至約1 〇〇耄微米之移除溶液。實驗結果係列於表2中 。已發現使用市售AZ®R2顯影劑時，無法縮小至1〇〇毫微米 間1¾ I度，即使在12〇。(：下施加較高之擴散烘烤歷經7〇秒時 亦然。相同地，水無法提供所需之微影性能。 僅有含有界面活性劑且使用最佳處理條件之移除溶液提 供所需t微影性能。含有陰離子性界面活性劑之移除溶液 使其可在接近標的之處固定地印刷隔離之間隔。以擴散烘 烤函數表示之性能研究（實驗丨丨—13)顯示該方法亦具有良好 之溫度寬容度。 貫施例3 以4-羥基苯乙烯與丙烯酸第三丁酯之共聚物爲底質之深 紫外光光阻施加於矽晶圓上，經由罩幕曝照DUV光，經處 理產生由280至1 80毫微米之隔離間隔圖型。該晶圓如實施 例1所述般地塗佈AZ®R200 Coating，不同處係該烘烤方法 係如表4欄中所列，而移除溶液之組成係列於表4之第三襴 。該移除溶液之組成係列示於表3中。實驗結果係列示於 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 536734 A7 B7 五、發明説明（1Q ) 表4之其餘欄中，其中該實驗溶液係與市售AZ®R2顯影劑 比較。 實驗之目的係發現一種可使間隔寬度由200毫微米縮小至 約1 00毫微米之移除溶液及處理條件。實驗結果列於表3中 。已發現當使用AZ⑧R200 Coating與AZ⑧R2顯影劑時，唯可 得到部分程度之間隔縮小，但無法得到目標間隔縮小値1 00 毫微米間隔寬度，即使於.120°C下施加較高擴散烘烤歷經70 秒時亦然。以陰離子性界面活性劑爲底質之移除溶液A1及 A2未出現橋連物，接近標的物之單離間隔產生清晰之顯影 。當界面活性劑之濃度改變時，可能得到之間隔寬度亦改 變。該最佳界面活性劑濃度視該光阻及收縮材料之化學組 成而改變。 表1 :實施例1之不同 移除溶液的結果比對 移除溶液 界面活性劑 原始間隔 [毫微米] 最終間隔 [毫微米] 清晰度 側壁 1 AZ®R2顯影 劑 310 212 橋連物 傾斜 2 硬脂酸TMA 310 219 清晰 垂直 3 月桂酸TMA 310 227 清晰 垂直 4 ALS 310 195 清晰 垂直 5 庚酸TMA 310 178 橋連物 垂直 AZ®R2顯影劑：於水中5重量百分比之異丙醇 TMA:四曱基銨 ALS :硫酸月桂酯銨 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 536734 A7 B7 五、發明説明（11 ) 表2:實施例2之不除溶液的結果比較 實驗編號 擴散烘烤 顯影劑 影像品質 原始間隔 CD[毫微 米] 收縮間隔 CD [毫微 米] 1 120°C/70 秒 AZ®R2 橋連物 200 120 2 120 C/70秒 C3 220 190 3 120°C/70 秒 水 — ——— 4 120°C/70 秒 C1 浮渣 200 100 5 120°CT70# B3 橋連物 280 180 7 12CTC/70 秒 D3 200 100 8 120°C/70 秒 D2 橋連物 200 100 9 120°C/70 秒 D3 橋連物 280 180 11 110°C/70 秒 A3 180 121 12 115°C/70 秒 A3 180 104 1—3 120°C/70 秒 A3 190 104 表3:移之組成
名稱 移除溶液組成 A1 於水中百萬分之1，000份之溶液1 A2 於水中百萬分之50份之溶液1 A3 於水中百萬分之20,000份之溶液1 B1 於水中百萬分之50重量/重量份數之Macoll6界面活性劑 B2 於水中百萬分之1，〇〇〇重量/重量份數之Macol 16界面活性劑 B3 於水中百萬分之10,012重量/重量份數之Macol 16界面活性 劑 C1 於水中百萬分之50重量/重量份數之Surfynol 440界面活性劑 C2 於水中百萬分之1，〇〇〇重量/重量份數之Surfynol 440界面活 性劑 C3 於水中百萬分之1〇,〇〇〇重量/重量份數之Surfynol 440界面活 性劑 D1 B1:溶液2=1: 1 D2 於B3中5百分比之異丙醇 D3 於B3中10百分比之異丙醇 溶液1 於2.38重量/重量百分比TMAH水溶液中之3.5重量/重量百分 比之ALS -14- 本紙張尺度適财®W?i?(_CNS) A4規格(21〇X297公爱) 536734 A7 B7 12五、發明説明（ ）
Macol 16係 PPG Industries所售。
Surfynol 440係爲 Air Products Corp.所售 〇 表4:實施例 3之不同移除溶液的結果比較 晶圓編號 擴散烘烤 移除溶液 原始間隔CD 毫微米 收縮間隔CD 毫微米 1 110°C/70 秒 AZ ⑧ R2 180 160 2 110°C/70 秒 C3 — — 3 120°C/70 秒 AZ ⑧ R2 200 180 4 120°C/70 秒 AZ ⑧ R2 200 . 140 5 120〇C/70 秒 D1 200 150 6 120°C/70 秒 A1 · 190 111 7 120°C/70 秒 A2 190 102 8 123°C/70 秒 A3 200 144 9 123Ό/70 秒 A1 190 109 10 126Ό/70 秒 A1 190 108 11 126Ό/70 秒 A3 200 152 12 120°C/70 秒 A1 180 99 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 x 297公釐)

Claims (1)

  1. 536734 第090U4153號專利申請案 g 中文申請專利範圍修正本（91年8月）$
    六、申請專利範圍 1) 一種製造微電子裝置之方法，包括： a) 於一基材上提供一光阻影像； b) 使用收縮材料塗佈該光阻影像； c) 使得該收縮材料與光阻影像接觸之部分不溶解化； d) 使用移除么液移除該收縮材料未經不溶解化之部分 ’其中該移除溶液係包含界面活性劑之水溶液。 2) 如申請專利範圍第丨項之方法，其中該移除溶液另外包 含氫氧化物驗。 3) 如申4專利範圍第1項之方法，其中該移除溶液另外包 含水可溶混性溶劑。 4) 如申凊專利範圍第2項之方法，其中該移除溶液另外包 含水可溶混性溶劑。 5) 如申請專利範園第1項之方法，其另外包括在塗佈該光 阻影像之後，使該收縮材料曝光。 6) 如申請專利範圍第5項之方法，其另外包括使該收縮材 料成像地曝光。 7) 如中請專利範圍第5項之方法，其另外包括使該收縮材 料泛照曝光。 8) 如申請專利範圍第丨項之方法，其另外包括在使用該收 縮材料塗佈該光阻之前，使用酸溶液處理該光阻。 9) 如申清專利範圍第1項之方法，其另外包括在步騾b)之 後加熱該收縮材料，之後使部分之收縮材料不溶解化。 10) 如申請專利範圍第9項之方法，其中該加熱溫度係由 10〇〇C 至 160〇c。 536734 A8 B8 C8 _________D8__ 、申請專利範圍 11) 如申請專利範圍第1項之方法，其中該界面活性劑係為 非離子性界面活性劑。 12) 如申請專利範圍第1項之方法，其中該界面活性劑係為 陰離子性界面活性劑。 13) 如申請專利範圍第丨2項之方法，其中該陰離子性界面活 性劑具有多於7個碳原子之烷基鏈。 14) 種移除丨谷液’其特徵在於包含非離子性或陰離子性界 面活性劑。 15) 如申請專利範圍第14項之移除溶液，其中該陰離子性界 面活性劑係具有多於7個碳原子之烷基鏈。 -2 -
TW090114153A 2000-07-31 2001-06-12 Process for manufacturing a microelectronic device TW536734B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US62927900A 2000-07-31 2000-07-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW536734B true TW536734B (en) 2003-06-11

Family

ID=24522328

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW090114153A TW536734B (en) 2000-07-31 2001-06-12 Process for manufacturing a microelectronic device

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP1307785A2 (zh)
JP (1) JP2004505319A (zh)
KR (1) KR20030043914A (zh)
CN (1) CN1564969A (zh)
TW (1) TW536734B (zh)
WO (1) WO2002010858A2 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI758545B (zh) * 2017-09-22 2022-03-21 日商東京威力科創股份有限公司 使用泛照式曝光之敏化光阻的方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3850767B2 (ja) 2002-07-25 2006-11-29 富士通株式会社 レジストパターン厚肉化材料、レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法
JP3850772B2 (ja) * 2002-08-21 2006-11-29 富士通株式会社 レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの製造方法、及び半導体装置の製造方法
JP3850781B2 (ja) * 2002-09-30 2006-11-29 富士通株式会社 レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法
SI2017265T1 (sl) * 2003-06-12 2011-09-30 Abbott Lab Kondenzirane spojine za inhibicijo vaniloidnega receptorja podvrste (VR1) receptorja
WO2005013011A1 (ja) 2003-08-04 2005-02-10 Fujitsu Limited レジストパターン厚肉化材料、それを用いたレジストパターンの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP4531726B2 (ja) * 2006-06-22 2010-08-25 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 微細化されたレジストパターンの形成方法
CN106249540A (zh) * 2015-06-03 2016-12-21 陶氏环球技术有限责任公司 图案处理方法
TWI617900B (zh) * 2015-06-03 2018-03-11 羅門哈斯電子材料有限公司 圖案處理方法
JP2019078810A (ja) * 2017-10-20 2019-05-23 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ 微細パターンの製造方法およびそれを用いた表示素子の製造方法
JP2019078812A (ja) * 2017-10-20 2019-05-23 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ 高精細パターンの製造方法およびそれを用いた表示素子の製造方法
KR102011879B1 (ko) * 2018-12-28 2019-08-20 영창케미칼 주식회사 극자외선 리소그래피용 공정액 및 이를 사용한 패턴 형성 방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW329539B (en) * 1996-07-05 1998-04-11 Mitsubishi Electric Corp The semiconductor device and its manufacturing method
TW372337B (en) * 1997-03-31 1999-10-21 Mitsubishi Electric Corp Material for forming micropattern and manufacturing method of semiconductor using the material and semiconductor apparatus
US6379659B1 (en) * 1997-11-18 2002-04-30 Takasago International Corporation Keratin fiber strengthening agent and method for strengthening keratin fiber
JP3189773B2 (ja) * 1998-01-09 2001-07-16 三菱電機株式会社 レジストパターン形成方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置
JP2000058506A (ja) * 1998-08-06 2000-02-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP3728945B2 (ja) * 1998-10-30 2005-12-21 オルガノ株式会社 フォトレジスト現像廃液からの現像液の回収再利用方法及び装置
JP2001066782A (ja) * 1999-08-26 2001-03-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法並びに半導体装置
JP2001109165A (ja) * 1999-10-05 2001-04-20 Clariant (Japan) Kk パターン形成方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI758545B (zh) * 2017-09-22 2022-03-21 日商東京威力科創股份有限公司 使用泛照式曝光之敏化光阻的方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004505319A (ja) 2004-02-19
WO2002010858A3 (en) 2002-08-08
WO2002010858A2 (en) 2002-02-07
CN1564969A (zh) 2005-01-12
KR20030043914A (ko) 2003-06-02
EP1307785A2 (en) 2003-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI459146B (zh) 用於塗覆光阻圖樣之組合物
JP5698923B2 (ja) 自己整合型スペーサー多重パターニング方法
KR101829955B1 (ko) 블록 공중합체의 유도 자기조립을 위한 중성층의 조성물 및 이의 방법
JP5698926B2 (ja) 電子デバイスを形成する方法
TWI448517B (zh) 含有內醯胺供塗覆光阻圖案之組合物
EP3362404B1 (en) Compositions and processes for self-assembly of block copolymers
KR101465257B1 (ko) 포토레지스트 패턴상의 코팅을 위한 조성물
TWI617611B (zh) 光致抗蝕劑圖案修整組合物及方法
US20140186773A1 (en) Coating material and method for photolithography
TWI327683B (en) Lithographic rinse solution and resist-pattern forming method using same
JP2011109059A (ja) 電子デバイスを形成する方法
TW536734B (en) Process for manufacturing a microelectronic device
TW200804988A (en) Compositions and processes for photolithography
TW583517B (en) Surface treatment process for chemically amplified resist and the material thereof
EP2376982A1 (en) Substrate planarization with imprint materials and processes
US7517637B2 (en) Method of producing self-aligned mask in conjunction with blocking mask, articles produced by same and composition for same
TW201030054A (en) Underlayer composition having anti-reflective property
WO2007030918A1 (en) High sensitivity electron beam resist processing
US4784936A (en) Process of forming a resist structure on substrate having topographical features using positive photoresist layer and poly(vinyl pyrrolidone) overlayer
JP3001606B2 (ja) フオトレジスト構造の縮小方法
KR20150042796A (ko) 집적 회로 기기, 광학 기기, 초소형 기계 장비 및 정밀 기계 장비 제조용 조성물
US20240030029A1 (en) Patterning Method Using Secondary Resist Surface Functionalization for Mask Formation
Ting et al. An Improved Deep Ultra Violet (DUV) Multilayer Resist Process For High Resolution Lithography
KR20060074586A (ko) 감광막 패턴 수축용 조성물
JPS61162040A (ja) フオトレジストの現像方法

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees