KR20150042796A - 집적 회로 기기, 광학 기기, 초소형 기계 장비 및 정밀 기계 장비 제조용 조성물 - Google Patents

집적 회로 기기, 광학 기기, 초소형 기계 장비 및 정밀 기계 장비 제조용 조성물 Download PDF

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KR20150042796A
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Abstract

화학식 I 의 4 차 암모늄 화합물을 함유하는, 반도체 기판에 적용되는 포토레지스트 현상 조성물:
Figure pct00017

[식 중,
(a) R1 은 화학식 -X-CR10R11R12 (식 중, R10, R11 및 R12 은 C1 내지 C20 알킬로부터 독립적으로 선택되고, R10, R11 및 R12 중 둘 또는 셋이 함께 고리 시스템을 형성함) 의 C4 내지 C30 유기 라디칼로부터 선택되고,
R2, R3 및 R4 은 R1 또는 C1 내지 C10 알킬, C1 내지 C10 히드록시알킬 C1 내지 C30 아미노알킬 또는 C1 내지 C20 알콕시알킬로부터 선택되고, X 는 화학 결합 또는 C1 내지 C4 2 가 유기 라디칼이거나, 또는
(b) R1 및 R2 는 화학식 IIa 또는 IIb 의 유기 라디칼로부터 독립적으로 선택되고
Figure pct00018

또는
Figure pct00019

[식 중, Y1 는 C4 내지 C20 알칸디일이고, Y2 는 단환-, 이환- 또는 삼환 C5 내지 C20 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 방향족 시스템임], R3 및 R4 는 R1 또는 C1 내지 C10 알킬, C1 내지 C10 히드록시알킬, C1 내지 C30 아미노알킬, 또는 C1 내지 C20 알콕시알킬로부터 선택되고, X 는 화학 결합 또는 C1 내지 C4 2 가 유기 라디칼이고, X 는 화학 결합 또는 C1 내지 C4 2 가 유기 라디칼이거나, 또는
(c) R1, R2, R3 및 R4 중 둘 이상이 함께 포화된 단환, 이환 또는 삼환 C5 내지 C30 유기 고리 시스템을 형성하고, 나머지 R3 및 R4 은, 존재한다면, 함께 단환 C5 내지 C30 유기 고리 시스템을 형성하거나, 또는 C1 내지 C10 알킬, C1 내지 C10 히드록시알킬, C1 내지 C30 아미노알킬, 또는 C1 내지 C20 알콕시알킬로부터 선택되고, X 는 화학 결합 또는 C1 내지 C4 2 가 유기 라디칼이거나, 또는
(d) 이들의 조합임, 그리고
여기서, Z 는 카운터-이온이고, z 는 정수이며, 전체 벌키 4 차 암모늄 화합물이 전기적으로 하전되지 않도록 선택됨].

Description

집적 회로 기기, 광학 기기, 초소형 기계 장비 및 정밀 기계 장비 제조용 조성물 {COMPOSITION FOR MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUIT DEVICES, OPTICAL DEVICES, MICROMACHINES AND MECHANICAL PRECISION DEVICES}
본 발명은 집적 회로 기기, 광학 기기, 초소형 기계 장비 (micromachines) 및 정밀 기계 장비 (mechinical precision devices) 제조를 위한 프로세스에 유용한 조성물, 특히 포토레지스트 현상 조성물에 관한 것이다.
LSI, VLSI 및 ULSI 를 지닌 IC 의 제조 공정에서, 패턴형성된 포토레지스트 층과 같은 패턴형성된 재료층, 질화티탄, 탄탈 또는 질화탄탈을 포함하거나 또는 그것으로 이루어진 패턴형성된 배리어 재료층, 예를 들어 폴리실리콘 및 이산화규소 층을 교대로 지니고 있는 스택 (stack) 을 포함하거나 또는 그것으로 이루어진 패턴형성된 멀티-스택 재료층, 및 이산화규소 또는 로우-k (low-k) 또는 울트라-로우-k (ultra-low-k) 유전체를 포함하거나 또는 그것으로 이루어진 패턴형성된 유전체 층은 포토리소그래픽 기법으로 제조된다. 오늘날, 그러한 패턴형성된 재료층은 치수가 심지어 22 nm 미만인 높은 종횡비를 지닌 구조를 포함한다.
포토리소그래피 공정에서, 방사선-감광성 포토레지스트는 웨이퍼와 같은 기판에 적용된 후, 일반적으로 마스크를 통해 영상 노출이 포토레지스트에 전송된다. 사용되는 포토레지스트의 유형에 따라서, 노출은 현상제로 지칭되는 적합한 용매를 사용해 노출 영역의 용해도를 증가시키거나 또는 감소시킨다. 포지티브 포토레지스트 재료는 노출된 영역에서 더욱더 가용성으로 되는 반면, 네거티브 포토레지스트는 노출된 영역에서 덜 가용성으로 된다. 노출 후, 기판의 영역은 현상제에 의해 용해되며, 패턴형성된 포토레지스트 막에 의해 더 이상 덮여있지 않게 되며, 회로 패턴은 엣칭에 의해 또는 개방 패턴형성 영역 내 재료 퇴적에 의해 형성될 수 있다.
노출된 포토레지스트 중합체가 갈라지도록 임의의 사후-노출 베이크 (PEB) 가 종종 실시된다. 이어서, 갈라진 중합체 포토레지스트를 포함한 기판은 노출된 포토레지스트 제거를 위해 현상 챔버로 이동되는데, 그 노출 포토 레지스트는 수성 현상 조성물에 가용성이다. 일반적으로, 그러한 현상 조성물은 이에 제한되지 않으나 테트라메틸암모늄 히드록시드 (TMAH) 와 같은 테트라알킬암모늄 히드록시드를 포함하며, 노출된 포토레지스트를 현상하기 위해 퍼들 (puddle) 의 형태로 레지스트 표면에 적용된다. 이어서, 탈이온수 헹굼을 기판에 적용하여 현상 공정을 중단하고, 포토레지스트의 용해된 중합체를 제거한다. 이어서, 기판이 스핀 건조 공정 (spin drying process) 으로 보낸다. 이후, 기판을 후속 공정 단계로 이동시킬 수 있으며, 이는 포토레지스트 표면으로부터 임의의 수분을 제거하기 위한 하드 베이크 공정 (hard bake process) 을 포함할 수 있다.
치수의 수축으로 인해, 결함 감소 달성을 위한 입자 제거가 또한 중요한 요인이 된다. 이는 포토레지스트 패턴 뿐만 아니라 여타 패턴형성 재료층에도 적용되며, 이는 광학 기기, 초소형 기계 장비 및 정밀 기계 장비의 제조 동안 생성된다. 포토레지스트 현상 단계에서 포토레지스트의 팽윤은 패턴 붕괴의 위험을 증대시킬 수 있기 때문에 피해야만 하는 중요한 요인이다.
US 7214474 B2 는 제 1 중합체 계면활성제를 함유하는 세척 조성물을 개시하는데, 여기서 제 1 중합체 계면활성제는 폴리(도데실아크릴레이트-코-소듐 아크릴레이트), 폴리(스티렌-코-a-메틸스티렌-코-아크릴산), 폴리(아크릴산-코-메틸 메타크릴레이트), 소수성 수식을 지닌 폴리(아크릴산), 폴리(비닐나프틸렌-alt-말레산)-g-폴리스티렌, 및 하기 구조를 지닌 폴리소프 (polysoap) 로 이루어진 군으로부터 선택되는 중합체이다:
Figure pct00001
US 6451510 B2 는 현상된 패턴의 붕괴를 막기 위해 전자 부품 기판 상에서 포토레지스트 패턴을 현상하는 방법을 개시한다. 한 단계에서, 헹굼수 용액을 젖은 현상된 기판에 제공되는데, 그 헹굼수 용액은 탈이온수 및 패턴 붕괴 방지에 충분한 양의 음이온성 계면활성제를 함유한다. 현상제 용액은 테트라알킬암모늄 히드록시드, 특히 테트라메틸 암모늄 히드록시드 (TMAH) 및 트리메틸 2-히드록시에틸 암모늄 히드록시드, 즉 콜린을 함유할 수 있다. 여타 암모늄 히드록시드에는, 테트라에틸암모늄 히드록시드, 테트라프로필암모늄 히드록시드, 테트라부틸암모늄 히드록시드, 메틸트리에틸 암모늄 히드록시드, 트리메틸에틸암모늄 히드록시드, 디메틸디에틸암모늄 히드록시드, 트리에틸 (2-히드록시에틸)암모늄 히드록시드, 디메틸디(2-히드록시에틸)암모늄 히드록시드, 디에틸디(2-히드록시에틸) 암모늄 히드록시드, 메틸트리(2-히드록시에틸)암모늄 히드록시드, 에틸트리(2-히드록시에틸)암모늄 히드록시드 및 테트라(2-히드록시에틸)암모늄 히드록시드가 포함된다.
WO 2012/027667 A2 는 패턴 붕괴를 방지하기 위해 높은 종횡비 특성의 표면을 개질하는 방법을 개시한다. 테트라부틸암모늄 트리플루오로메탄술포네이트 및 도데실트리메틸암모늄과 같은 계면활성제가 사용된다.
US 2004/0106532 A1 는 C1 내지 C6 알킬 4 차 암모늄 화합물들을 함유하는, 10 내지 150 마이크로미터의 막 두께를 지닌 포토레지스트 패턴을 스트리핑하고 녹이기 위한 조성물의 용도를 개시한다. 테트라부틸암모늄 히드록시드 및 메틸트리부틸암모늄 히드록시드는 디메틸 술폭시드와 같은 수용성 유기 용매 및 물과 함께 조성물에 사용된다.
EP 2088468 A1 는 리소그래픽 프린팅 플레이트 및 리소그래픽 프린팅 플레이트 선구체 제조 방법을 개시한다. 결합제를 수단으로 하여, 아다만틸 또는 디시클로헥실과 같은 암모늄 염 벌키 기의 형태인 카르복실산기, 술폰산기 및 인산기를 포함하는 중합체가 포토레지스트에 도입될 수 있다. 그러나, 그곳에 사용되는 현상제는 그러한 벌키기를 포함하는 임의의 암모늄 화합물을 포함하지 않는다.
발명의 목적
요약하면, 패턴 붕괴는 일반적으로 다음과 같은 이유로 일어날 수 있다:
A. 현상 중인 상에서의 포토레지트스의 팽윤,
B. 헹굼 종료시 액체 스핀-오프 (spin-off) 동안 헹굼/세정 조성물의 모세관 작용,
C. 패턴형성된 구조물의 하층에 대한 열악한 부착,
D. 구조물의 팽윤 및 약화를 유도하는 재료 비상용성 (material incompatibility).
본 발명은 주로 Lit. A 하의 문제점, 즉 개선된 현상제 조성물의 이용에 의한 포토레지스트의 팽윤 방지를 소개한다.
본 발명의 목적은 현상된 포토레지스트의 패턴 붕괴를 피하기 위한, 반도체 웨이퍼와 같은 전자 부품 기판 상에서의 포토레지스트 패턴 현상에 사용하기 위한 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 현상된 포토레지스트의 패턴 붕괴를 피하는, 반도체 웨이퍼와 같은 전자 부품 기판 상에서 포토레지스트 패턴을 현상하는 방법을 제공하는 것이다.
발명의 개요
본 발명의 제 1 구현예는 반도체 기판에 적용되는 포토레지스트 현상을 위한 수성 조성물이며, 상기 수성 조성물은 화학식 I 의 4 차 암모늄 화합물을 함유한다:
Figure pct00002
[식 중,
(a) R1 은 화학식 -X-CR10R11R12 (식 중, R10, R11 및 R12 는 C1 내지 C20 알킬로부터 독립적으로 선택되고, R10, R11 및 R12 중 둘 또는 셋이 함께 고리 시스템을 형성할 수 있음) 의 C4 내지 C30 유기 라디칼로부터 선택되고,
R2, R3 및 R4 는 R1 또는 C1 내지 C10 알킬, C1 내지 C10 히드록시알킬, C1 내지 C30 아미노알킬 또는 C1 내지 C20 알콕시알킬로부터 독립적으로 선택되고, X 는 화학 결합 또는 C1 내지 C4 2 가 유기 라디칼이거나, 또는
(b) R1 및 R2 는 화학식 IIa 또는 IIb 의 유기 라디칼로부터 독립적으로 선택되고:
Figure pct00003
또는
Figure pct00004
[식 중, Y1 는 C4 내지 C20 알칸디일이고, Y2 는 1-, 2- 또는 삼환 C5 내지 C20 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 방향족 시스템임], R3 및 R4 는 R1 또는 C1 내지 C10 알킬, C1 내지 C10 히드록시알킬, C1 내지 C30 아미노알킬, 또는 C1 내지 C20 알콕시알킬로부터 선택되고, X 는 화학 결합 또는 C1 내지 C4 2 가 유기 라디칼이고, X 는 화학 결합 또는 C1 내지 C4 2 가 유기 라디칼이거나, 또는
(c) R1, R2, R3 및 R4 중 둘 이상이 함께 포화된 단환, 이환 또는 삼환 C5 내지 C30 유기 고리 시스템을 형성하고, 나머지 R3 및 R4 은, 존재한다면, 함께 단환 C5 내지 C30 유기 고리 시스템을 형성하거나, 또는 C1 내지 C10 알킬, C1 내지 C10 히드록시알킬, C1 내지 C30 아미노알킬, 또는 C1 내지 C20 알콕시알킬로부터 선택되고, X 는 화학 결합 또는 C1 내지 C4 2 가 유기 라디칼이거나, 또는
(d) 이들의 조합임,
여기서, Z 는 카운터-이온이고, z 는 전체 벌키 4 차 암모늄 화합물이 전기적으로 비하전되어 존재하도록 선택되는 정수임].
본 발명의 또다른 구현예는 라인-공간 치수 (line-space dimension) 가 50 nm 이하이고, 종횡비가 2 이상인 패턴형성된 포토레지스트 층을 수득하기 위해 반도체 기판에 적용되는 포토레지스트 층을 현상하기 위한 임의의 선행 청구항에 따른 조성물의 용도이다.
본 발명의 또다른 구현예는, 하기 단계를 포함하는 집적 회로 기기, 광학 기기, 소형 기기 및 기계 정밀 기기의 제조 방법이다:
(i) 기판을 제공하는 단계;
(ii) 기판에 포토레지스트 층을 제공하는 단계;
(iii) 액침액의 존재 또는 부재 하에 마스크를 통해 포토레지스트 층을 화학방사선에 노출시키는 단계;
(iii) 기판을 1 회 이상 임의의 선행 청구항에 따른 조성물과 접촉시켜 패턴형성된 포토레지스트 층을 수득하는 단계;
및
(iv) 기판과의 접촉으로부터 조성물을 제거하는 단계.
본 발명의 장점
선행기술의 관점에서, 본 발명의 목적이 본 발명에 따른 용도 또는 방법에 의해 해결될 수 있다는 점이 놀라우며 당업자가 예상하지 못했던 점이다.
이론에 구애됨 없이, 현상제 조성물에서의 벌키 알킬 암모늄 화합물의 이용은 감소되는 확산으로 인한 포토레지스트 층의 팽윤을 방지할 수 있는 것으로 보인다.
나아가, 표면 활성 벌키 암모늄 화합물을 이용하면, 현상제 조성물의 표면 장력을 낮출 수 있고, 따라서 패턴 붕괴를 더욱 줄일 수 있다.
현상 후 포토레지스트 표면은 선행기술에 따른 현상제에 비해 더욱 소수성인 알킬 치환기로 인해 더욱 소수성으로 된다. 이론에 구애됨 없이, 포토레지스트의 감소된 팽윤 및 포토레지스트의 더욱 소수성인 표면은 패턴 붕괴 감소에 유익한 것으로 여겨진다.
발명의 상세한 설명
본 발명에 따른 조성물은 기판 상에 형성된 포토레지스트 패턴을 스트리핑하고 녹이기 위해 사용된다. 현상제 조성물에서 핵심적인 구성성분은 하기 화학식 (Ia) 로 나타내는 하나 이상의 4 차 암모늄이다:
Figure pct00005
본 발명에 따른 4 차 암모늄 화합물은 하기에서 벌키 암모늄 화합물로 지칭된다.
카운터-이온 Z 는 전체 벌키 암모늄 화합물이 전기적으로 비하전되어 존재하도록 하는 양으로 존재해야 한다.
본 발명의 제 1 구현예에서, 화학식 I 의 R1 은 화학식 -X-CR10R11R12 (식 중, R10, R11 및 R12 는 C1 내지 C20 알킬로부터 독립적으로 선택되고, R10, R11 및 R12 중 둘 또는 셋이 함께 고리 시스템을 형성할 수 있음) 의 C4 내지 C30 유기 라디칼로부터 선택되고, R2, R3 및 R4 는 R1 또는 C1 내지 C10 알킬, C1 내지 C10 히드록시알킬 C1 내지 C30 아미노알킬 또는 C1 내지 C20 알콕시알킬로부터 선택되고, X 는 화학 결합 또는 C1 내지 C4 2 가 유기 라디칼이다.
상기 구현예에서, R1 은 기를 더욱 벌키하게 만들어주는 하나 이상의 3 차 탄소 원자를 포함한다.
EP 2088468 A1 에 개시되어 있는 벌키 기는 종종 포토레지스트 중합체의 일부분이기 때문에, 현상제 조성물에는 동일하거나 또는 화학적으로 유사한 벌키 기를 이용하는 것이 바람직하다.
바람직하게는, R1 의 R10, R11 및 R12 는 C1 내지 C8 알킬로부터 독립적으로 선택된다.
바람직하게는, R10, R11 및, 적용가능한 경우 R12 의 둘 이상이 함께 단환, 이환 또는 삼환고리 시스템을 형성한다. 특히 바람직한 구현예에서, R1 은 비시클로[2.2.1]헵탄(노르보르닐), 트리시클로[3.3.1.13,7]데칸 (아다만틸) 으로부터 선택된다.
바람직하게는, R2, R3 및 R4 는 저급 선형 또는 분지형 알킬, 특히 선형 C1 내지 C4 알킬로부터 독립적으로 선택된다. 더욱 바람직하게는, R2, R3 및 R4 가 메틸, 에틸 또는 프로필로부터 독립적으로 선택되며, 가장 바람직하게는 메틸이다.
본 발명의 특별한 구현예에서, R1 은 아다만틸이고, R2, R3 및 R4 는 메틸, 에틸, 프로필 또는 부틸 또는 임의의 여타 C2 내지 C4 알킬이다.
본 발명의 제 2 구현예에서, 화학식 I 의 R1 및 R2 는 화학식 IIa 또는 IIb 의 유기 라디칼로부터 독립적으로 선택된다:
Figure pct00006
또는
Figure pct00007
[식 중, Y1 는 C4 내지 C20 알칸디일이고, Y2 는 1-, 2- 또는 삼환 C5 내지 C20 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 방향족 시스템이고, R3 및 R4 는 R1 또는 C1 내지 C10 알킬, C1 내지 C10 히드록시알킬, C1 내지 C30 아미노알킬, 또는 C1 내지 C20 알콕시알킬로부터 선택되고, X 는 화학 결합 또는 C1 내지 C4 2 가 유기 라디칼이고, X 는 화학 결합 또는 C1 내지 C4 2 가 유기 라디칼임].
상기 구현예에서, 적어도 R1 및 R2 는 고리형 포화 유기기 또는 방향족 유기기로서, 더욱 벌키한 기를 만들게 되는 것을 포함한다.
Y1 는 바람직하게는 카르보시클릭 포화 유기기, 더욱 바람직하게는 C4 내지 C20 알칸디일, 더욱더 바람직하게는 C5 내지 C10 알칸디일, 가장 바람직하게는 펜탄디일이다.
Y2 는 바람직하게는, 이에 제한되지 않으나, 페닐, 나프틸과 같은 카르보시클릭 방향족 화합물로부터 선택된다.
본 발명의 특히 바람직한 구현예에서, R1 및 R2 는 시클로헥실이고, R3 및 R4 는 메틸이다.
본 발명의 제 3 구현예에서, 화학식 I 의 R1, R2, R3 및 R4 중 둘 이상이 함께 포화된 단환, 이환 또는 삼환 C5 내지 C30 유기 고리 시스템을 형성하고, 나머지 R3 및 R4 는, 존재한다면, 함께 단환 C5 내지 C30 유기 고리 시스템을 형성하거나 또는 C1 내지 C10 알킬, C1 내지 C10 히드록시알킬, C1 내지 C30 아미노알킬, 또는 C1 내지 C20 알콕시알킬로부터 선택되고, X 는 화학 결합 또는 C1 내지 C4 2 가 유기 라디칼이다.
바람직하게는, 그러한 포화된 단환, 이환 또는 삼환 C5 내지 C30 유기 고리 시스템은 (N-원자를 제외하고) 카르복실 C5 내지 C20 유기 고리 시스템이다. 더욱더 바람직하게는, 그러한 포화된 단환, 이환 또는 삼환 C5 내지 C30 유기 고리 시스템은 단환이다. 가장 바람직하게는, 그러한 포화된 단환, 이환 또는 삼환 C5 내지 C30 유기 고리 시스템은 피페리딘, 피페라진, 옥사졸리딘 및 모르폴린으로부터 선택된다.
바람직하게는, R1 및 R2 는 함께 포화된 단환, 이환 또는 삼환 C5 내지 C30 유기 고리 시스템을 형성하고, R3 및 R4 가 상기 기재된 제 1 및 제 2 구현예와 관련하여 언급된 임의의 기일 수 있다.
제 1, 제 2 및 제 3 구현예에 따른 화합물들이 또한 조합하여 사용될 수 있다는 점이 강조되어야 한다. 상기 기재된 특별한 구현예의 화합물들 중 한가지 초과한 것이 존재하는 것도 가능하다.
바람직하게는 R1, R2 는 시클로헥실, 시클로옥틸 또는 시클로데실로부터 독립적으로 선택되고, 비치환이거나 또는 C1 내지 C4 알킬로 치환될 수 있고, R3, R4 는 C1 내지 C4 알킬로부터 독립적으로 선택된다.
특별한 구현예에서, C1 내지 C30 아미노알킬은 이하로부터 선택된다:
Figure pct00008
[식 중:
X 는 각 반복 단위체 1 내지 n 에 대해 이하로부터 독립적으로 선택되는 2 가 기이고:
(a) 선형 또는 분지형 C1 내지 C20 알칸디일로서, 임의로 치환될 수 있으며, O 및 N 으로부터 선택되는 5 개 이하의 헤테로원자에 의해 임의로 개입될 수 있는 것,
(b) C5 내지 C20 시클로알칸디일로서, 임의로 치환될 수 있으며, O 및 N 으로부터 선택되는 5 개 이하의 헤테로원자에 의해 임의로 개입될 수 있는 것,
(c) 화학식 -X1-A-X2- (식 중, X1 및 X2 는 C1 내지 C7 선형 또는 분지형 알칸디일로부터 독립적으로 선택되고, A 는 C5 내지 C12 방향족 모이어티 또는 C5 내지 C30 시클로알칸디일로서, H 원자가 임의치환될 수 있고, C 원자가 O 및 N 으로부터 선택되는 5 개 이하의 헤테로원자에 의해 임의로 개입될 수 있는 것으로부터 선택됨) 의 C6 내지 C20 유기기,
(d) 화학식 III 의 폴리옥시알킬렌 디라디칼:
Figure pct00009
[식 중, p 는 0 또는 1 이고, r 은 1 내지 100 의 정수이고, R5 는 H 및 선형 또는 분지형 C1 내지 C20 알킬기로부터 선택됨];
R3 및 R4 는 선형 또는 분지형 C5 내지 C30 알킬기, C5 내지 C30 시클로알킬, C1 내지 C20 히드록시알킬, 및 C2 내지 C4 옥시알킬렌 단독 또는 공중합체로부터 독립적으로 선택되는 1 가 기이고, 이들은 전부 임의 치환될 수 있고, 여기서 짝을 이룬 R3- R4 및 인접한 R4- R4 및 R3 - R3 는 임의로 함께 2 가기 X 를 형성할 수 있고, 이는 또한 분지형성에 의해 분자의 연속체 Q 일 수 있으며, n 이 2 이상인 경우, R3, R4 또는 R3 및 R4 가 또한 수소 원자일 수 있고;
n 은 1 내지 5 의 정수이거나, 또는 X, R3 및 R4 중 하나 이상이 C2 내지 C4 폴리옥시알킬렌기를 포함하는 경우, n 은 1 내지 10000 의 정수일 수 있으며, 단 하나 이상의 Q 가 존재하기만 하면, n 은 분지 Q 의 모든 반복 단위체를 포함하고;
Q 는
Figure pct00010
이고:
n 은 1 내지 5 의 정수이고;
D 는 각 반복 단위체 1 내지 n 에 대해, 하기로부터 독립적으로 선택되는 2 가 기이고:
(a) 선형 또는 분지형 C1 내지 C20 알칸디일,
(b) C5 내지 C20 시클로알칸디일,
(c) C5 내지 C20 아릴,
(d) 화학식 -Z1-A-Z2- (식 중, Z1 및 Z2 는 C1 내지 C7 알칸디일로부터 독립적으로 선택되고, A 는 C5 내지 C12 방향족 모이어티임) 의 C6 내지 C20 아릴알칸디일,
이들 전부는 임의로 치환될 수 있고, O, S 및 N 으로부터 선택되는 하나 이상의 헤테로원자에 의해 임의로 개입될 수 있고;
R5 는 선형 또는 분지형, C1 내지 C20 알킬, C5 내지 C20 시클로알킬, C5 내지 C20 아릴, C6 내지 C20 알킬아릴 및 C6 내지 C20 아릴알킬로부터 독립적으로 선택되는, 임의로 치환될 수 있는 1 가 기이고;
중심에 1 개 초과의 질소 원자를 포함하는 제미니 (Gemini) 화합물들 및 여타 화합물들이 그러한 방식으로 형성된다. 그러한 화합물들은 본원에 참고문헌으로 포함되는 US 가출원 61/669686 에 더욱 상세하게 기재되어 있다.
바람직하게는, 조성물은 계면활성제를 추가로 함유한다. 그러한 계면활성제 또는 계면활성제들은 음이온성, 양이온성, 비이온성 또는 쯔비터이온성일 수 있다.
바람직하게는, 조성물의 pH 는 8 이상, 더욱 바람직하게는 9 내지 14 이다.
바람직하게는, 기판이 반도체 기판이다.
조성물 중의 벌키 암모늄 화합물은 패턴 붕괴 방지를 위한 양으로 이용된다. 현상제 용액 중의 벌키 암모늄 화합물 첨가제의 농도는 일반적으로 약 1.0×10-5 내지 약 1.5 N (암모늄 기 또는 상응하는 히드록시드 기준), 바람직하게는 약 1.0×10-4 내지 약 1.0 N, 더욱 바람직하게는 약 1.0×10-3 내지 약 0.8 N, 가장 바람직하게는 약 0.05 내지 약 0.7 N 의 범위이다.
Z 는 카운터-이온이며, z 는 전체 벌키 4 차 암모늄 화합물이 전기적으로 비하전되어 존재하도록 선택되는 정수이다.
4 차 암모늄 염 분야에서 일반적으로 공지되어 있는 임의의 유형의 유기 또는 무기 음이온 Z 가 화학식 I 의 양이온에 대한 카운터-이온으로 사용될 수 있다. 바람직하게는, Z 는 x 가 1, 2, 3 또는 4 로부터, 바람직하게는 1 또는 2 로부터 선택되는 음이온 Z 이다. 적합한 카운터-이온의 특별한 예시는 이에 제한됨 없이 히드록시드, 클로라이드, 브로마이드, 니트레이트, 설페이트, 모노메틸 설페이트, 포르메이트, 아세테이트 및 프로피오네이트 이온으로부터 선택된다. 가장 바람직하게는, 히드록시드 이온이 염기성 현상제 조성물 및 오염물 어디든 존재하고, 여타 음이온이 있는 오염물을 피할 수 있기 때문에 히드록시드 이온이 카운터-이온으로서 사용된다.
현상제 조성물과 관련하여, 임의의 적합한 시판 현상제 조성물이 본원에 기재된 바와 같은 벌키 암모늄 화합물을 포함하기만 한다면 본 발명에 사용될 수 있다. 현상제 조성물은 일반적으로 염기성이며, 주성분으로서 포타슘 히드록시드, 소듐 히드록시드, 소듐 실리케이트 등을 포함할 수 있으나, 오직 염기성 성분만 벌키 암모늄 화합물인 것이 매우 바람직하다.
통상적 현상제 조성물에 사용되는 광학 첨가제가 또한 본 발명의 현상제 조성물에 사용될 수 있고, 현상 후 노출 부위에 남아있을 수도 있는 포토레지스트의 잔사를 제거하기 위해 제공되는 1 가 알코올, 용해 보조제 및 안정화제를 포함한다. 그러한 광학 첨가제가 본 발명의 현상 용액에 필요에 따라 단독으로 또는 두 종류 이상 조합하여 첨가될 수 있다.
물 이외에, 네거티브 포토레지스트가 현상되는 경우 수용성 유기 용매가 존재할 수 있다. 그러한 유기 용매는 물과 혼화성인 유기 용매이며, 통상적 농도가 채용될 수 있다. 구체적 예시에는 술폭시드, 예컨대 디메틸 술폭시드; 술폰, 예컨대 디메틸술폰, 디에틸술폰, 비스(2-히드록시에틸)술폰 및 테트라메틸렌술폰 (즉, 술폴란); 아미드, 예컨대 N,N-디메틸포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸아세트아미드 및 N, N-디에틸아세트아미드; 락탐, 예컨대 N-메틸-2-피롤리디온, N-에틸-2-피롤리돈, N-프로필-2-피롤리돈, N-히드록시메틸-2-피롤리돈 및 N-히드록시에틸-2-피롤리돈; 및 다가 알코올 및 그의 유도체, 예컨대 에틸렌 글리콜, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노에틸, 여타 아세테이트, 디에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르, 및 프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르가 포함된다.
벌키 암모늄 화합물을 함유하는 현상제 조성물은 바람직하게는 수성 용액이다.
"수성" 은 용매가 물, 바람직하게는 탈이온수, 가장 바람직하게는 초순수 물을 주된 용매로서 함유함을 의미한다. 수성 조성물은 조성물의 수성 본성을 해치는 미량이라면 수혼화성 극성 유기 용매를 함유할 수도 있다. 용매는 본질적으로 물, 바람직하게는 탈이온수, 가장 바람직하게는 초순수 물로 이루어진다. 5 ppt (ng/kg) 이상, 또는 바람직하게는 음이온 농도 5 ppb (ng/g) 이상, 또는 더욱 바람직하게는 총 유기물 함량 (TOC) 50 ppb (ng/g) 이상의 농도를 지닌 초순수 물의 예시는, 10000 per ml 하에 0.2 mm 초과의 입자를 포함한다.
표면 장력 및 습윤화 능력 개선을 위해 임의의 유형의 계면활성제, 예컨대 이에 제한되지 않으나, 음이온성, 양이온성, 비이온성 또는 쯔비터이온성 계면활성제가 현상제 조성물에 이용될 수 있다. 조성물에 유용한 계면활성제의 일반적인 양은 약 10-4 내지 약 5 중량% 이다.
기판의 액침 시간은 기판 상에서 포토레지스트 패턴을 현상하기에 충분한 시간일 수 있으며, 특별히 제한되지 않으나, 일반적으로 약 5 초 내지 2 분이다. 가공 온도는 바람직하게는 약 15 내지 70℃, 특히 약 20 내지 30℃ 이다.
본 발명은 하기 단계를 포함하는 집적 회로 기기, 광학 기기, 초소형 기계 장비 및 기계 정밀 장치의 제조 방법을 추가로 제공한다:
(i) 기판을 제공하는 단계;
(ii) 기판에 포토레지스트 층을 제공하는 단계;
(iii) 액침액의 존재 또는 부재 하에 마스크를 통해 포토레지스트 층을 화학방사선에 노출시키는 단계;
(iii) 기판을 1 회 이상 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항의 조성물과 접촉시켜, 패턴형성된 포토레지스트 층을 수득하는 단계; 및
(iv) 조성물을 기판과의 접촉으로부터 제거하는 단계.
IC 장치, 광학 기기, 초소형 기계 장비 및 기계 정밀 장치 제조에 사용되는 임의의 통상적인 공지된 기판이 본 발명의 방법에 이용될 수 있다. 바람직하게는, 기판은 반도체 기판이고, 더욱 바람직하게는 IC 기기들, 특히 LSI, VLSI 및 ULSI 를 지닌 IC 를 포함하는 IC 기기 제조에 통상적으로 사용되는 웨이퍼인 실리콘-갈륨 웨이퍼를 포함한 실리콘 웨이퍼이다.
조성물은 100 nm 이하, 특별하게는 50 nm 이하, 특히 32 nm 이하, 특별히 22 nm 이하의 구조 치수를 지닌 패턴형성 재료 층, 즉 22 nm 미만의 장비 교점 (technology nodes) 을 위한 패턴형성된 재료 층을 지닌 기판 처리에 특히 적합하다. 패턴형성된 포토레지스트 층은 바람직하게는 종횡비가 2 를 초과한다.
본 발명에 따른 조성물은 임의의 재료의 기판에 제공된 포토레지스트에 적용될 수 있다. 예시로서, 기판은 다음과 같은 것일 수 있다:
(a) 루테늄, 질화티탄, 탄탈 또는 질화탄탈을 포함하거나 또는 그것으로 이루어진 배리어 재료 층,
(b) 규소, 폴리실리콘, 이산화규소, 로우-케이 (low-k) 및 울트라-로우-케이 (ultra-low-k) 재료, 하이-케이 (high-k) 재료, 규소 및 폴리실리콘 이외의 반도체 및 금속으로 이루어진 군으로부터 선택되는 둘 이상의 상이한 재료의 층을 포함하거나 또는 그것으로 이루어진 멀티-스택 재료; 및
c) 이산화규소 또는 로우-케이 또는 울트라-로우-케이 유전체를 포함하거나 또는 그것으로 이루어진 유전체 층.
임의의 통상적인 공지된 포지티브 또는 네거티브 액침 포토레지스트, EUV 포토레지스트 또는 eBeam 포토레지스트가 사용될 수 있다. 추가적으로, 액침 포토레지스트는 비이온성 계면활성제를 함유할 수 있다. 적합한 비이온성 계면활성제는 예를 들어 US 2008/0299487 A1 의 페이지 6, 문단 [0078] 에 기재되어 있다. 가장 바람직하게는, 액침 포토레지스트는 포지티브 레지스트이다. 바람직하게는 포토레지스트는 액침 포토레지스트, EUV 포토레지스트 또는 eBeam 포토레지스트이다.
포토레지스트의 현상 후, 수성 헹굼액을 이용해 현상제 조성물을 기판으로부터 제거한다. 임의의 공지된 헹굼액이 그러한 경우에 이용될 수 있다.
도면의 간단한 설명
도 1 은 팽윤 및 연화와 같은 요인과 함께 모세관 작용으로 인한 패턴 붕괴를 도식적으로 보여준다.
도 2 는 중합체 팽윤 방지와 관련하여 벌키 소수성 기의 유효성을 도식적으로 보여준다.
도 3 은 실시예 1 에 따른 트리메틸아다만틸암모늄 히드록시드를 함유하는 현상제를 이용해 현상된 포토레지스트 패턴의 프로파일을 보여준다.
도 4 는 비교예 2 에 따른 테트라메틸암모늄 히드록시드 (TMAH) 를 함유하는 현상제를 이용해 현상된 포토레지스트 패턴의 프로파일을 보여준다.
도 5 는 실시예 3 에 따른 디메틸디시클로헥실암모늄 히드록시드를 함유하는 현상제를 이용해 현상된 포토레지스트 패턴의 프로파일을 보여준다.
도 6 은 비교예 4 에 따른 테트라메틸암모늄 히드록시드 (TMAH) 를 함유하는 현상제를 이용해 현상된 포토레지스트 패턴의 프로파일을 보여준다.
실시예
실시예 1
선폭이 26 nm (형상 치수) 이며, 종횡비가 약 4 인 라인-스페이스 구조를 지닌 특성을 가진 포토레지스트를 트리메틸아다만틸암모늄 히드록시드 (D1) 를 함유하는 현상제 조성물을 이용해 현상했다. 포토레지스트 선들 사이의 공간은 52 nm 였다.
실리콘 웨이퍼에 100 nm 층 두께의 액침 포토레지스트를 제공했다. 포토레지스트 층을 액침액으로서 초순수 물을 이용하며 마스크를 통해 193 의 파장의 UV 조사에 노출시켰다. 이후, 노출된 포토레지스트 층을 베이크하고, 0.26 N 의 D1 를 포함하는 수성 현상제 용액을 이용해 현상했다. 베이크 및 현상된 포토레지스트 층을 테트라메틸암모늄 히드록시드 (TMAH) 를 함유하는 화학물 헹굼 용액을 이용한 화학물 헹굼 처리에 적용했다.
화학물 헹굼 용액은 웨이퍼 상에 퍼들 (puddle) 로서 적용했다. 이후, 실리콘 웨이퍼를 건조하게 회전시켰다.
도 3 은 D1 을 이용한 현상 및 헹굼 처리 후 AFM 에 의해 측정된 각 높이 프로파일을 보여준다. 라인-스페이스 치수가 26 nm 이며 종횡비가 약 4 인 패턴을 지닌 건조시킨 패턴형성 포토레지스트 층은 임의의 패턴 붕괴를 보여주지 않았다. 포토레지스트 중의 깊은 골은 포토레지스트의 낮은 팽윤을 나타낸다.
비교예 2
포토레지스트 현상액에서 0.26 N 테트라메틸암모늄 히드록시드 (D3) 을 계면활성제 D1 대신 사용한 것을 제외하고 실시예 1 을 반복했다.
도 4 는 TMAH 를 이용한 포토레지스트 현상 처리의 결과를 보여준다. 포토레지스트 선폭 치수가 26 nm 이며, 종횡비가 약 4 인 건조시킨 패턴형성 포토레지스트 층은 실시예 1 에 비해 현저히 증가된 패턴 붕괴를 나타낸다. 포토레지스트 중의 얕은 골은 포토레지스트의 강력한 팽윤을 나타낸다.
실시예 3
포토레지스트 현상액에서 0.26 N 디메틸디시클로헥실암모늄 히드록시드 (D2) 를 계면활성제 D1 대신 사용하고, 선폭이 40 nm 이며, 포토레지스트 라인들 사이의 공간이 80 nm 인 점을 제외하고 실시예 1 을 반복했다.
도 5 는 D2 를 이용한 현상 및 헹굼 처리 후 AFM 에 의해 측정된 각 높이 프로파일을 보여준다. 포토레지스트 선폭 치수가 40 nm 이며, 종횡비가 약 2.5 인 건조시킨 패턴형성 포토레지스트 층은 임의의 패턴 붕괴를 나타내지 않았다. 포토레지스트 중의 깊은 골은 포토레지스트의 낮은 팽윤을 나타낸다..
비교예 4
포토레지스트 현상액에서 0.26 N D3 를 D2 대신 사용한 점을 제외하고 실시예 3 을 반복했다.
도 6 은 D3 를 이용한 포토레지스트 현상 처리 결과를 보여준다. 포토레지스트 선폭 치수가 40 nm 이며, 종횡비가 약 2.5 인 건조시킨 패턴형성된 포토레지스트 층은 실시예 3 에 비해 유의하게 증가된 패턴 붕괴를 나타냈다.

Claims (17)

  1. 화학식 I 의 4 차 암모늄 화합물을 함유하는, 반도체 기판에 적용되는 포토레지스트 현상 조성물:
    Figure pct00011

    [식 중,
    (a) R1 은 화학식 -X-CR10R11R12 (식 중, R10, R11 및 R12 은 C1 내지 C20 알킬로부터 독립적으로 선택되고, R10, R11 및 R12 중 둘 또는 셋이 함께 고리 시스템을 형성함) 의 C4 내지 C30 유기 라디칼로부터 선택되고,
    R2, R3 및 R4 은 R1 또는 C1 내지 C10 알킬, C1 내지 C10 히드록시알킬 C1 내지 C30 아미노알킬 또는 C1 내지 C20 알콕시알킬로부터 선택되고, X 는 화학 결합 또는 C1 내지 C4 2 가 유기 라디칼이거나, 또는
    (b) R1 및 R2 는 화학식 IIa 또는 IIb 의 유기 라디칼로부터 독립적으로 선택되고
    Figure pct00012

    또는
    Figure pct00013

    [식 중, Y1 는 C4 내지 C20 알칸디일이고, Y2 는 단환-, 이환- 또는 삼환 C5 내지 C20 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 방향족 시스템임], R3 및 R4 는 R1 또는 C1 내지 C10 알킬, C1 내지 C10 히드록시알킬, C1 내지 C30 아미노알킬, 또는 C1 내지 C20 알콕시알킬로부터 선택되고, X 는 화학 결합 또는 C1 내지 C4 2 가 유기 라디칼이고, X 는 화학 결합 또는 C1 내지 C4 2 가 유기 라디칼이거나, 또는
    (c) R1, R2, R3 및 R4 중 둘 이상은 함께 포화된 단환, 이환 또는 삼환 C5 내지 C30 유기 고리 시스템을 형성하고, 나머지 R3 및 R4 은, 존재한다면, 함께 단환 C5 내지 C30 유기 고리 시스템을 형성하거나, 또는 C1 내지 C10 알킬, C1 내지 C10 히드록시알킬, C1 내지 C30 아미노알킬, 또는 C1 내지 C20 알콕시알킬로부터 선택되고, X 는 화학 결합 또는 C1 내지 C4 2 가 유기 라디칼이거나, 또는
    (d) 이들의 조합임, 그리고
    여기서, Z 는 카운터-이온이고, z 는 전체 벌키 4 차 암모늄 화합물이 전기적으로 하전되지 않도록 선택되는 정수임].
  2. 제 1 항에 있어서, R1 의 R10, R11 및 R12 가 C1 내지 C8 알킬로부터 독립적으로 선택되고, R2, R3 및 R4 는 C1 내지 C4 알킬로부터 독립적으로 선택되는 수성 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    R1, R2 가 시클로헥실, 시클로옥틸 또는 시클로데실로부터 독립적으로 선택되고, 비치환이거나 또는 C1 내지 C4 알킬에 의해 치환될 수 있고,
    R3, R4 가 C1 내지 C4 알킬로부터 독립적으로 선택되는 수성 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서, C1 내지 C30 아미노알킬이 하기로부터 선택되는 수성 조성물:
    Figure pct00014

    [식 중:
    X 가 하기로부터 독립적으로 선택되는, 각 반복 단위체 1 내지 n 에 대한 2 가기이고:
    (a) 임의치환될 수 있고, O 및 N 로부터 선택되는 5 개 이하의 헤테로원자가 임의로 개입될 수 있는 선형 또는 분지형 C1 내지 C20 알칸디일,
    (b) 임의로 치환될 수 있으며, O 및 N 로부터 선택되는 5 개 이하의 헤테로원자가 임의로 개입될 수 있는 C5 내지 C20 시클로알칸디일,
    (c) 화학식 -X1-A-X2- (여기서, X1 및 X2 는 C1 내지 C7 선형 또는 분지형 알칸디일로부터 독립적으로 선택되고, A 는 C5 내지 C12 방향족 모이어티 또는 C5 내지 C30 시클로알칸디일로부터 선택되며, 여기서 H 원자들은 임의로 치환가능하고, C 원자들은 O 및 N 로부터 선택되는 5 개 이하의 헤테로원자에 의해 임의로 개입될 수 있음) 의 C6 내지 C20 유기기,
    (d) 화학식 III 의 폴리옥시알킬렌 디라디칼:
    Figure pct00015

    [식 중, p 는 0 또는 1 이고, r 은 1 내지 100 의 정수이고, R5 는 H 및 선형 또는 분지형 C1 내지 C20 알킬기로부터 선택됨];
    R3 및 R4 는 선형 또는 분지형 C5 내지 C30 알킬기, C5 내지 C30 시클로알킬, C1 내지 C20 히드록시알킬 및 C2 내지 C4 옥시알킬렌 단독 또는 공중합체로부터 독립적으로 선택되는 1 가 기이고, 이들은 전부 임의로 치환될 수 있고, 여기서 짝을 이룬 R3- R4 및 인접한 R4- R4 및 R3 - R3 는 임의로 함께 2 가 기 X 를 형성할 수 있고, 이는 또한 분지형성에 의해 분자의 연속체 Q 일 수 있으며, n 이 2 이상인 경우, R3, R4 또는 R3 및 R4 가 또한 수소 원자일 수 있고;
    n 은 1 내지 5 의 정수이거나, 또는 X, R3 및 R4 중 하나 이상이 C2 내지 C4 폴리옥시알킬렌기를 포함하는 경우, n 은 1 내지 10000 의 정수이고, 단 하나 이상의 Q 가 존재하는 경우, n 은 분지 Q 의 모든 반복 단위체를 포함하고;
    Q 는
    Figure pct00016
    이고;
    n 은 1 내지 5 의 정수이고,
    D 는 각 반복 단위체 1 내지 n 에 대해, 하기로부터 독립적으로 선택되는 2 가 기이고:
    (a) 선형 또는 분지형 C1 내지 C20 알칸디일,
    (b) C5 내지 C20 시클로알칸디일,
    (c) C5 내지 C20 아릴,
    (d) 화학식 -Z1-A-Z2- (여기서, Z1 및 Z2 는 C1 내지 C7 알칸디일로부터 독립적으로 선택되고, A 는 C5 내지 C12 방향족 모이어티임) 의 C6 내지 C20 아릴알칸디일,
    이들 전부 임의로는 치환될 수 있고, O, S 및 N 으로부터 선택되는 하나 이상의 헤테로원자에 의해 임의로 개입될 수 있으며;
    R5 는 임의로 치환될 수 있는, 선형 또는 분지형의 선형 또는 분지형의 C1 내지 C20 알킬, C5 내지 C20 시클로알킬, C5 내지 C20 아릴, C6 내지 C20 알킬아릴 및 C6 내지 C20 아릴알킬로부터 독립적으로 선택되는 1 가 기임].
  5. 없음.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, R10, R11 및 R12 중 둘 이상이 함께 단환, 이환 또는 삼환 고리 시스템을 형성하는 수성 조성물.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, R1 이 비시클로[2.2.1]헵탄, 트리시클로[3.3.1.13,7]데칸으로부터 선택되고, R2, R3 및 R4 가 선형 C1 내지 C4 알킬로부터 독립적으로 선택되는 수성 조성물.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, R1 및 R2 가 C5 내지 C10 시클로알킬로부터 선택되고, R3 및 R4 가 선형 C1 내지 C4 알킬로부터 독립적으로 선택되는 수성 조성물.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 계면활성제를 추가로 함유하는 수성 조성물.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, Z 가 OH- 인 수성 조성물.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, pH 가 8 이상, 바람직하게는 pH 가 9 내지 14 인 수성 조성물.
  12. 라인-공간 치수 (line-space dimension) 가 50 nm 이하이고, 종횡비가 2 이상인 패턴형성 포토레지스트 층을 수득하기 위해 반도체 기판에 적용되는 포토레지스트 층의 현상을 위한 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항의 조성물의 용도.
  13. 하기 단계를 포함하는, 집적 회로 기기, 광학 기기, 초소형 기계 장비 및 기계 정밀 장치의 제조 방법:
    (i) 기판을 제공하는 단계;
    (ii) 기판에 포토레지스트 층을 제공하는 단계;
    (iii) 액침액의 존재 또는 부재 하에 마스크를 통해 포토레지스트 층을 화학방사선에 노출시키는 단계;
    (iii) 기판을 1 회 이상 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항의 수성 조성물과 접촉시켜, 패턴형성된 포토레지스트 층을 수득하는 단계; 및
    (iv) 조성물을 기판과의 접촉으로부터 제거하는 단계.
  14. 제 13 항에 있어서, 기판이 반도체 기판인 방법.
  15. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서, 패턴형성된 재료층의 라인-공간 치수가 50 nm 이하이고, 종횡비가 2 이상인 방법.
  16. 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서, 포토레지스트가 액침 포토레지스트, EUV 포토레지스트 또는 eBeam 포토레지스트인 방법.
  17. 제 13 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서, 집적 회로가 대규모 집적 회로 (LSI), 초대규모 집적 회로 (VLSI) 또는 극초대규모 집적 회로 (ULSI) 를 지닌 집적 회로를 포함하는 방법.
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