TW529240B - Feedback type amplifier and driver - Google Patents

Description

529240 五、發明說明（1) [發明所屬之技術領域] 本發明有關於驅動電路用來將放大電路或電容性負載 驅動成爲所希望之電壓，尤其有關於在動態矩陣型顯示 裝置（TFT-LCD，TFT-OLED等），可以以低電力線高速 驅動電容性負載之資料線之驅動電路。 [習知之技術] 第33圖表示習知之最簡單之回授型充電裝置之電路 構造。參照第33(a)圖，其構造具備有：n通道MOS電 晶體90 3，904，成爲差動對偶，其源極共同連接然後連 接到定電流源905之一端，其閘極分別連接到輸入端子 l(Vin)，輸出端子2(Vout); P通道MOS電晶體901(電 流鏡電路之電流輸出側電晶體），其源極連接到高位側電 源VDD，閘極連接到P通道MOS電晶體902之閘極， 汲極連接到N通道MOS電晶體903之汲極；P通道MOS 電晶體902(電流鏡電路之電流輸入側電晶體），其源極 連接到高位側電源VDD，汲極和閘極共同連接然後連接 到N通道MOS電晶體904之汲極；和P通道MOS電晶 體906，在其閘極被輸入有差動對偶之輸出（N通道MOS 電晶體903之汲極），其源極連接到高位側電源VDD，汲 極連接到輸出端子2(V〇ut)和電流源907之連接點。 當Vin>Vout時，利用P通道MOS電晶體906之充電 529240 五、發明說明（2) 作用，可以以高速將輸出電壓Vout提升至Vin。另外， 假如將電流源907之電流抑制成爲很小時，可以穩定的 驅動輸出電壓Vout使其成爲與輸入電壓Vin相等之電 壓。 但是，在充電能力非常強之情況時，由於回授型構造 中之元件之寄生電容等所引起之回應延遲會產生過衝， 但是爲著要抑制電流源907之放電能力，從過衝之回復 到將Vont穩定的驅動成爲與Vin相等之電壓需要長時 間（難以高速驅動）爲其問題。 當電流源907之電流變大之情況時，因爲放電能力變 強，所以過衝和欠衝交替的重複，進行振盪。 爲著防止振盪，如第33(b)圖所示，在輸出端子2和 N通道MOS電晶體904之閘極之連接點，與P通道MOS 電晶體906之閘極端子之間設有相位補償電容908，即 使在電晶體9 0 6之充電能力和電流源9 0 7之放電能力均 很強之情況時，亦可以快速而且穩定的進彳了局速驅動。 但是因爲使相位補償電容908高速的進行充放電，所 以必需使充分之電流流到差動段之電流源905，所以會 有消耗電力增加之問題。 其次，參照第35圖，下面以日本國專利案特開2000 —3 3 846 1 號公報（特願平 1 1 - 1 45 768 號），SID00 Digest 529240 五、發明說明（3) ，pp. 146_149(發布00.5.14)，用來說明本發明人提案之 技術。參照第35圖，在電路1020’具備有P通道MOS 電晶體1 003，1 004，以其源極連接到定電流源1001， 1〇〇2(具有一端連接到高位側電源VDD)之另外一端，P 通道MOS電晶體1 003之閘極和汲極連接，和連接到定 電流源1〇〇5(具有一端連接到低位側電源VSS)之另外一 端，P通道MOS電晶體1 004之閘極連接到P通道MOS 電晶體1 003之閘極，P通道MOS電晶體1 004之汲極連 接到電源VSS，P通道MOS電晶體1003之源極連接到 變換開關10Π之一輸出端，P通道MOS電晶體1 004之 源極連接到變換開關1012之一輸入端。在電路1 03 0， 具備有N通道MOS電晶體1 007，1 008，以其源極連接 到定電流源1 009，1010(具有一端連接到電源VSS)之另 外一端，N通道MOS電晶體1 007之閘極和汲極連接， 然後連接到定電流源1〇〇6(具有一端連接到電源VDD)之 另外一端，N通道MOS電晶體1 008之閘極連接到N通 道MOS電晶體1 007之閘極，N通道MOS電晶體1008 之汲極連接到電源VDD，N通道MOS電晶體1 007之源 極連接到變換開關1011之其他之輸出端，N通道MOS 電晶體1 008之源極連接到變換開關1012之另外一方之 輸入端。變換開關1011之輸入端連接到輸入端子1，變換 529240 五、發明說明（4) 開關1 〇 1 2之輸出端連接到輸出端子2，在輸出端子2和 電流VDD之間連接有開關1 〇 1 3，在輸出端子2和電源 VSS之間連接有開關1014。 該電路是利用電晶體之源極隨動器動作進行驅動之電 路，因爲經常以源極隨動器動作進行驅動，所以當輸出 在輸出電壓範圍之高位側電壓時，利用預充電電路1 040 ，將輸出電壓Vont預充電至高位側電源電壓VDD，用 來使電路1020進行動作，當輸出具有輸出電壓範圍之 低位側電壓時，利用預充電電路1 040，將輸出電壓 Vout預充電成爲低位側電源電壓VSS，用來使電路 1 〇 3 0進行動作。 電路1020在P通道MOS電晶體1003，1004之各個 之源極，與輸入端子1和輸出端子2斷開之狀態，使P 通道MOS電晶體1 003，1 004之各個之閘極•源極間電 壓成爲相等，當以此方式設定電流源1〇〇1，1002，1005 之電流時，連接在輸入端子1和輸出端子2之電路1020 進行動作，這時利用P通道MOS電晶體1 040之源極隨 動器動作，使被預充電成爲電壓VDD之輸出端子2快 速的放電，用來使輸出電壓Vout下降至與輸入電壓相等 529240 五、發明說明（5) 之電壓，然後成爲穩定狀態。 同樣的，電路1030在N通道MOS電晶體1007，1008 之各個之源極，與輸入端子1和輸出端子2斷開之狀態 ，使N通道MOS電晶體1007，1008之各個之閘極，源 極間電壓成爲相等，當以此方式設定電流源1 〇 〇 6，1 0 0 9 ’ 1 0 1 0之電流時，連接在輸號端子1和輸出端子2之電 路1 03 0進行動作，這時利用N通道MOS電晶體1008 之源極隨動器動作，使被預充電成爲電壓VSS之輸出端 子2快速的放電，用來使輸出電壓Vout上升至與輸入 電壓相等之電壓，然後成爲穩定狀態。 依照此種方式，第3 5圖之驅動電路依照輸入電壓對 預充電電路1 040，電路1 020和電路1 030進行最佳控 制，利用源極隨動器動作可以將輸出電壓Vout快速的 驅動成爲與輸入電壓相等之電壓。 該電路利用在各個電路源稍微流動之稍微電流，可以 利用源極隨動器動作進行驅動，在小負載電容之情況時 ，可以以低消耗電力驅動，但是在大負載電容時，由於 預充電或去充電使多餘之充放電變大，所以消耗電力增 加。 另外，因爲預充電和去充電需要長時間，所以很難高 速驅動爲其問題。 [發明所欲解決之問題] 在習知之運算放大器之回授型放大電路中，因爲輸出 段之充電作用和放電作用強’在驅動至所希望之電壓後 529240 五、發明說明（6) ，由於回授之延遲重複的過衝和下衝，所以假如不設置 相位補償裝置（相位補償電容）時就不能獲得穩定之輸出。 當設置相位補償電容，要進行高速動作時，因爲必需 要有大電流用來使相位補償電容進行高速之充放電，所 以消耗電力會增加爲其問題。 因爲相位補償電容越大動作穩定性越良好，所以要高 速動作時，不僅要設置相位補償電容而且要更進一步的 增加消耗電力。 習知方式（運算放大器）之回授型放大電路不能以低消 耗電力進行高速穩定驅動。 因此，本發明之目的是提供實現高性能化之驅動電路 ，只要稍微之動作維持電流，就可以以高速將輸出電壓 Vout驅動成爲等於輸入電壓Vin之位準，因爲不會有多 餘之充放電，所以對於大容量負載可以以低消耗電力高 速的驅動。 本發明之另一目的是提供驅動電路，例如在大電容負 載之驅動時等，可以抑制驅動電路之輸出波形之振動。 本發明之更另一目的是提供驅動電路，利用源極隨動 器構造之放電電路，充電電路以外之構造，不需要相位 補償電容。 [解決問題之手段] 提供用以解決上述問題之本發明其構成組合有未具相 位補償電容之回授型充電裝置（主要的爲電壓隨動器電路） 和源極隨動器放電裝置。 529240 五、發明說明（7) 另外，本發明之構成組合有未具相位補償電容之回授 型放電裝置（主要的爲電壓隨動器電路）和源極隨動器充 電裝置。 本發明之構造亦可以在構成回授型充電裝置之差動對 偶之輸出和輸出端子之間，設置輸出波形之振動抑制用 之電容。另外，本發明亦可以構建成爲在構成回授型放 電裝置之差動對偶之輸出和輸出端子之間，設置輸出波 形之振動抑制用之電容。 另外，在本發明中亦可以構建成爲具備有回授型充電 裝置，利用輸入電壓和輸出電壓之2個輸入用來產生充 電作用藉以提升輸出電壓，亦可以利用非回授型之放電 裝置（不成爲源極隨動器構造）替換源極隨動器放電裝置 ，與回授型充電裝置獨立的動作，依照與輸入電壓對應 之所希望之電壓和輸出電壓之電壓差進行動作。同樣的 ，在回授型放電裝置（主要的爲電壓驅動器電路）和源極 隨動器充電裝置之組合中，亦可以利用不是源極隨動器 構造之非回授型之充電裝置替換源極隨動器充電裝置。 [發明之實施例] 下面說明本發明之實施例，參照第1圖，本發明具備 有：差動段（21)，用來差動輸入其端子（1)之電壓和輸出 端子（2)之電壓；和充電裝置（31)，根據該差動段之輸出 用來進行輸出端子（2)之充電作用；和具備有：回授型充 電裝置（1 1 )，進行電壓隨動器之作用；和隨動器^型放電 裝置（4 1 )，依照輸入端子電壓和輸出端子電壓之電位差 529240 五、發明說明（8) ，利用電晶體之隨動器動作用來進行輸出端子（2)之放電 作用。 參照第3圖，隨動器型放電裝置（4 1)具備有：偏壓控 制裝置（5 1 )，用來接受該輸入端子電壓藉以控制輸出偏 移電壓；和隨動器電晶體（4 12)，連接在輸出端子（2)和 低位側電源（VSS)之間，以從該偏壓控制裝置（51)輸出之 偏壓電壓作爲輸入。 參照第2圖，本發明具備有：差動段（22)，用來差動 輸入其輸入端子電壓和輸出端子電壓；和放電裝置（32) ’根據該差動段之輸出用來進行輸出端子（2)之放電作用 ;和具備有：回授型放電裝置（12)，進行電壓隨動器之 作用；和隨動器型充電裝置（42)，依照該輸入端子電壓 和該輸出端子電壓之電壓差，利用電晶體之隨動器動作 用來進行該輸出端子之充電作用。 參照第6圖，隨動器型充電裝置（42)具備有：偏壓控 制裝置（52)，用來接受該輸入端子電壓；和隨動器電晶 體（422)，連接在高位側電源（VDD)和該輸出端子之間， 以該偏壓控制裝置之偏壓電壓作爲輸入。 另外，在電容性負載之驅動時，利用回授型充電裝置 (第1圖之11)，使負載電容高速充電，與回授之回應延 遲無關的產生過衝。 在本發明中，源極隨動器放電裝置（第1圖之4 1 )，利 用與過衝對應之放電能力，使過衝之輸出電力快速的下 降到所希望之電壓，可以用來穩定的驅動所希望之電壓 -10- 529240 五、發明說明（9) 。經由具備有源極隨動器放電裝置，即使未設置有相位 補償電容，亦可以抑制振盪。 另外，在電容性負載之驅動時，利用回授型充電裝置 (第2圖之12)，使負載電容高速充電，與回授之回應延 遲無關的產生過衝。 在本發明中，源極隨動器充電裝置（第2圖之42)，利 用與欠衝對應之充電能力，使欠衝之輸出電力快速提升 到所希望之電壓，可以用來穩定的驅動所希望之電壓。 經由具備有源極隨動器充電裝置，即使未設置有相位補 償電容，亦可以抑制振盪。 在本發明中，因爲未具有相位補償電容，所以可以以 低消耗電力進行高速動作。另外，經由未具有相位補償 電容，因爲電路元件之寄生電容等只造成稍微之回應延 遲，所以即使產生過衝或欠衝亦可以將其抑制在很小之 位準。另外，利用源極隨動器動作用來抑制過衝或欠衝 ，可以快速的驅動成爲所希望之電壓。另外，要使輸出 快速的穩定在所希望之電壓時，最好使進行源極隨動器 動作之電晶體之通道幅度對通道長度之比變高，用來形 成良好之穩定性。 另外，進行源極隨動器動作之元件並不只限於特別之 電晶體，亦可以使用至少具有2個端子之元件，所具有 之特性是依照2個端子之電壓差之增加，元件電流（輸出 電流）從零增大到很大之位準’利用元件電流’使進行充 電作用或放電作用之一端連接到輸出端子’另外一端在 -1 1 - 529240 五、發明說明（1〇) 所希望之電壓輸出時被控制在最佳之一定之電壓。 下面將說明具備有作爲放電裝置之源極隨動器電晶體 之比較例和本發明之不同之部份。第34圖表示具備有 作爲放電裝置之源極隨動器電晶體之比較例。參照第34 圖，該比較例是在第3 3圖所示之構造中，使輸出段之 放電裝置成爲P通道MOS電晶體91 1之源極隨動器構 造。差動對偶之輸出（N通道MOS電晶體903之汲極）， 連接到P通道MOS電晶體906(具有源極連接到高位側 電源VDD，和汲極連接到輸出端子2)之閘極，和輸入到 P通道MOS電晶體912(具有源極連接到高位側電源VDD) 之閘極，P通道MOS電晶體9 1 2之汲極連接到定電流源 913，和連接到P通道MOS電晶體911(具有源極連接到 輸出端子2，和汲極連接到低位側電源VSS)之閘極。 在本發明中，源極隨動器放電裝置（第1圖之41)被構 建成爲與差動段（第1圖之21)和充電裝置（第1圖之31) 之動作獨立，產生獨立之作用。 在第34圖所示之比較例之構造中，成爲放電裝置之 電晶體9 1 1之閘極之電位，當與差動段之輸出（N通道 MOS電晶體903之汲極和P通道MOS電晶體901之汲 極之連接點電壓）比較例，成爲進行較大之變動。亦即， 在第34圖所示之比較例中，如本發明所示，成爲放電 裝置之P通道MOS電晶體911之閘極電壓，不被控制 成爲依照輸入電壓之一定之偏壓。 因此，在第3 4圖所示之比較例之構造中，P通道 -12- 529240 、j 五、發明說明（11) MOS電晶體91 1在Vin>Vout時成爲OFF。亦即，當輸 出端子2之電壓Vout小於輸入端子1之電壓Vin時，N 通道MOS電晶體903之汲極電壓降低，成爲充電裝置 之P通道MOS電晶體906進行ON，對輸出端子2充電 (輸出端子2之電壓Vout上升），這時，因爲P通道MOS 電晶體912亦爲ON，所以P通道MOS電晶體911之閘 極成爲高位側電源VDD側，放電裝置之P通道MOS電 晶體91 1成爲OFF。 P通道MOS電晶體91 1被構建成在Vin<Vout時成爲 ON，具有強放電能力。亦即，在Vin<Vout時，P通道 MOS電晶體912變成OFF，P通道MOS電晶體911之 閘極電壓變成爲VSS位準，成爲ON。這時，作爲充電 裝置之P通道MOS電晶體906變成爲OFF。 依照此種方式，輸出電壓Vout在Vin附近變換充電 和放電，因爲P通道MOS電晶體906之充電能力和P 通道MOS電晶體911之放電能力均變強，所以在第34 圖之比較例中，當未設置相位補償電容之情況時，會進 行振盪。 但是，在第3 4圖所示之比較例，當設有相位補償電 容之情況時，與第3 3圖所示之電路構造同樣的，會產 生消耗電力增加之問題。 與此相對的，在本發明中，源極隨動器電晶體被構建 成爲以從閘極偏壓控制裝置輸出之偏壓電壓作爲輸入， 根據輸出端子電壓和偏壓電壓之差電壓用來控制輸出電 -13- 529240 五、發明說明（12 ) 流，利用此種構造不需要設置相位補償電容。 另外，在本發明之實施例中，亦可以構建成在差動段 之輸出和輸出端子間之負載驅動時，具備有輸出波形之 振動抑制用（波形整形用）之很小之電容。例如，亦可以 構建成在第15圖之第1差動段（213，3 14)之輸出和輸出 端子（2)之間，第2差動段（223，3 24)之輸出和輸出端子 (2)之間，具備有負載驅動時之輸出波形之振動抑制用之 電容（第17圖之216，217)。 在本發明之更另一實施例中，即使在源極隨動器放電 裝置之構造外，利用大致沒有回應延遲之非回授型構造 ，可以實現不需要相位補償電容之回授型放大電路或驅 動電路。下面參照第47圖用來說明本實施形態之一實 例，其中具備有：差動段（2 1 )，用來差動段輸入其輸入 端子電壓和輸出端子電壓；充電裝置（311)，根據該差動 段（2 1)之輸出，用來進行該輸出端子之充電作用；和具 備有回授型充電裝置（11;與第1圖之11之構造相同）， 進行電壓隨動器之作用，用來使該輸出端子電壓與該輸 入端子電壓成爲同相；和具備有；電晶體（60 1 )，連接在 該輸出端子和低位側電源之間；和放電裝置（6 1 )，在該 電晶體之控制端子具有用以控制偏壓電壓之偏壓控制裝 置（62)。該放電裝置（61)之偏壓控制裝置（62)具備有偏壓 電壓供給端子，用來對該電晶體（601)之控制端子供給預 定之指定之偏壓電壓（Vref);和具備有電壓保持裝置， 用來對該輸入端子電壓和來自該偏壓電壓供給端子之該 -14- 529240 五、發明說明（13) 偏壓電壓之差電壓進行取樣和閂鎖，將被閂鎖之差電壓 保持在該輸出端子和該電晶體之控制端子之間。或是使 作爲該電壓保持裝置之放電裝置（61)之偏壓控制裝置（62) 具備有電容，在輸出期間之開始期間，在該電晶體（60 1) 之控制端子，供給預定之指定之偏壓電壓，和經由ON 狀態之開關，將該輸入端子電壓和該偏壓電壓分別施加 到一端和另外一端，藉以保持該輸入端子電壓和該偏壓 電壓之差電壓，在上述之期間之後，以開關進行變換， 用來使該輸出端子和該電晶體之控制端子連接到該電容 之一端和另外一端。 亦即，參照第48圖，放電裝置（6 1)具備有：MOS電 晶體（601)，其汲極連接到輸出端子（2)，其源極連接到 低位側電源；第1開關（612)，連接在MOS電晶體（60 1) 之閘極和閘極偏壓電壓輸入端（Vref)之間；電容（602)， 其一端連接到MOS電晶體（601)之閘極；第2開關（61 1) ，連接在輸入端子（1)和電容（602)之另外一端之間；和 第3開關（613)，連接在輸出端子（2)和電容（602)之另外 一端之間。在驅動電路之輸出期間，首先，第1，第2 開關（612，61 1)進行ON，第3開關（61 3)進行OFF，然 後第1，第2開關（6 12，611)進行OFF，第3開關（6 13) 進行ON。代替該電容元件（602)者，亦可以具備有電壓 保持裝置，作爲具有相同作用之電壓保持裝置，用來對 輸入電壓Vin和電壓Vref之差電壓進行取樣和閂鎖，將 閂鎖之差電壓保持在輸出端子（2)和MOS電晶體（601) -15- 529240 k i 五、發明說明（14) 之閘極之間。 同樣的，亦可以具備隨動器型充電裝置以外之構造。 亦即，具備有：差動段，用來差動輸入其輸入端子電壓 和輸出端子電壓；和放電裝置，根據該差動段之輸出， 用來進行該輸出端子之放電作用；和具備有：回授型放 電裝置，進行隨動器作用用來使該輸出端子電壓和該輸 入端子電壓成爲同相；電晶體，連接在該輸出端子和高 位側電源之間；和充電裝置，在該電晶體之控制端子具 有偏壓控制裝置用來控制偏壓電壓；和具備有偏壓電壓 供給端子，在該充電裝置，用來對該電晶體之控制端子 供給預定之指定之偏壓電壓；和具備有電壓保持裝置， 對該輸入端子電壓和來自該偏壓電壓供給端子之該偏壓 電壓之差電壓進行取樣和閂鎖，將被閂鎖之差電壓保持 在該輸出端子和該電晶體之控制端子之間。或是亦可以 構建成在該充電裝置具備有電容，在輸出期間之開始期 間，在該電晶體之控制端子，供給預定之指定之偏壓電 壓，和經由ON狀態之開關，將該輸入端子電壓和該偏 壓電壓分別施加到一端和另一端，藉以保持該輸入端子 電壓和該偏壓電壓之差電壓，在上述之期間之後，以開 關進行變換，用來使該輸出端子和該電晶體之控制端子 連接到該電容之一端和另外一端。 [實施例] 下面將參照圖面用來說明本發明之實施例’藉以對上 述之本發明之實施例進行更詳細之說明。 -1 6 - 529240 五、發明說明（15) 第1圖表示本發明之第1實施例之構造。參照第1圖 ，本發明之第1實施例之電路具備有：回授型充電裝置 1 1，利用輸入電壓Vin和輸出電壓Vout之2個輸入產 生充電作用藉以提高輸出電壓Vout ;和源極隨動器放電 裝置41，利用與回授型充電裝置11獨立之動作，依照 輸入電壓Vin和輸出電壓Vout之電壓差，以電晶體之 源極隨動器動作產生放電作用。 回授型充電裝置11具備有··差動段21，依照輸入電 壓Vin和輸出電壓Vout之2個之電壓差進行動作；和 充電裝置31，依照差動段21之輸出產生充電作用。 本實施例經由成爲未設有相位補償裝置（相位補償電 容）之構造，可以以低消耗電力進行高速驅動。 在依照輸入電壓Vin使輸出電壓Vout輸出所希望之 電壓之驅動電路中，回授型充電裝置1 1依照Vin和Vout 之電壓差進行動作，當輸出電壓Vout低於所希望之電 壓之情況時，利用充電作用使輸出電壓Vout提升至所 希望之電壓。 回授型充電裝置1 1經由不設置相位補償裝置，可以 以低消耗電力進行高速動作，但是在回授型之構造中， 由於電路元件之寄生電容等，在輸出電壓Vout之變化 反應在充電作用之前會有稍微之之回應延遲，會產生過 衝（過充電）。 另外一方面，源極隨動器放電裝置41具有與輸入電 壓Vin和輸出電壓Vout之電壓差對應之放電能力，當 -17- 529240 五、發明說明（16) 輸出電壓Vout高於所希望之電壓之情況時，利用電晶 體之源極隨動器動作，以放電作用使輸出電壓Vout下 降到所希望之電壓。 因爲源極隨動器放電裝置41，在輸入電壓V in和輸出 電壓Vout之電壓差變大時，放電能力變高，隨著電壓 差之變小使放電能力變小；所以由於放電作用之輸出電 壓Vout之變化，隨著接近所希望之電壓而變爲和緩。 因此，源極隨動器放電裝置41使輸出電壓Vout快速變 化成爲所希望之電壓，和具有穩定在所希望之電壓之作 用。 因此，在輸出電壓Vout低於所希望之電壓之情況時 ，輸出電壓Vout利用回授型充電裝置11可以高速的提 升到所希望之電壓，這時即使產生過衝（過充電）時，亦 可以利用源極隨動器放電裝置4 1快速的降低到所希望 之電壓，藉以成爲穩定之輸出。 另外一方面，在輸出電壓Vout高於所希望之電壓之 情況時，回授型充電裝置1 1之充電作用不動作，輸出 電壓Vout利用源極隨動器放電裝置41，以與Vin和 Vout之電壓差對應之源極隨動器放電作用，下降到所希 望之電壓，成爲穩定之輸出。 另外，回授型充電裝置1 1經由不設置相位補償電容 ’因爲只有由於電路元件之寄生電容等而產生稍微之回 應延遲’所以即使在產生有過衝之情況時，亦可以將其 抑制成爲很小之位準。因此，很容易使輸出電壓穩定化。 -18- 529240 五、發明說明（17) 利用此種方式，經由組合回授型充電裝置1 1和源極 隨動器放電裝置41，在充電時，可以高速充電和高速穩 定在所希望之電壓。 下面將說明本發明之第2實施例。第2圖表示本發明 之第2實施例之構造。參照第2圖，本發明之第2實施 例具備有：回授型放電裝置12，利用輸入電壓Vin和輸 出電壓Vout之2個之之輸入用來產生放電作用，可以 使輸出電壓Vout降低；和源極隨動器充電裝置42，利 用與回授型放電裝置12獨立之動作，依照輸入電壓Vin 和輸出電壓Vout之電壓差，以電晶體之源極隨動器動 作產生充電作用。 回授型放電裝置12具備有：差動段22，依照輸入電 壓Vin和輸出電壓Vout之2個之電壓差進行動作；和 放電裝置32，依照差動段22之輸出產生放電作用。在 該第2實施例中，經由不設置相位補償裝置可以以低消 耗電力進行高速驅動。 在依照輸入電壓Vin使輸出電壓Vout輸出所希望之電 壓之驅動電路中，回授型放電裝置12依照Vin和Vout 之電壓差進行動作，當輸出電壓Vout高於所希望之電 壓之情況時，利用放電作用使輸出電壓Vout下降至所 希望之電壓。 回授型放電裝置1 2經由不設置相位補償裝置，可以 以低消耗電力進行高速動作，但是在回授型之構造中， 由於電路元件之寄生電容等，在輸出電壓Vout之變化 -19- 529240 五、發明說明（18) 反應在充電作用之前會有稍微之回應延遲’會產生欠衝 (過放電）。 另外一方面，源極隨動器充電裝置42具有與輸入電 壓V in和輸出電壓Vout之電壓差對應之充電能力，當 輸出電壓Vout低於所希望之電壓之情況時’利用電晶 體之源極隨動器動作，以充電作用使輸出電壓Vout上 升到所希望之電壓。 因爲源極隨動器充電裝置42，在輸入電壓Vin和輸出 電壓Vout之電壓差變大時，充電能力變高，隨著電壓 差之變小使充電能力變小，所以由於充電作用之輸出電 壓Vout之變化，隨著接近所希望之電壓而變爲和緩。 因此，源極隨動器放電裝置41使輸出電壓Vout快速變 化成爲所希望之電壓，和具有穩定在所希望之電壓之作 用。 因此，在輸出電壓Vout高於所希望之電壓之情況時 ，輸出電壓Vout利用回授型放電裝置12可以高速的下 降到所希望之電壓，這時即使產生欠衝（過放電）時，亦 可以利用源極隨動器充電裝置42快速的上升到所希望 之電壓，藉以成爲穩定之輸出。 另外一方面，在輸出電壓Vout低於所希望之電壓之 情況時，回授型放電裝置1 2之放電作用不動作，輸出 電壓Vout利用源極隨動器充電裝置42，以與Vin和 Vout之電壓差對應之源極隨動器充電作用，上升到所希 望之電壓，成爲穩定之輸出。 -20- 529240 五、發明說明（彳9) 另外，回授型放電裝置1 2經由不設置相位補償電容 ，因爲只有由於電路元件之寄生電容等而產生稍微之回 應延遲，所以即使在產生有欠衝之情況時，亦可以將其 抑制成爲很小之位準。因此，很容易使輸出電壓穩定化。 利用此種方式，經由組合回授型放電裝置1 2和源極 隨動器放電裝置42，在放電時，可以高速放電和高速穩 定在所希望之電壓。 第3圖表示第1圖之源極隨動器放電裝置41之構造 之一具體例。在依照輸入電壓Vin使輸出電壓Vout輸 出所希望之電壓之驅動電路中，源極隨動器放電裝置41 之構成具備有：P通道MOS電晶體412，其源極連接到 輸出端子2，其汲極連接到低位電源電壓V S S ;和閘極 偏壓控制裝置51，接受輸入電壓Vin，用來將P通道 MOS電晶體412之閘極控制成爲一定之電壓。 閘極偏壓控制裝置5 1，在驅動所希望之輸出電壓之期 間，控制P通道MOS電晶體4 12之閘極成爲一定之電 壓，當P通道MOS電晶體412源極成爲所希望之電壓 時，閘極•源極間之電壓成爲在臨限値電壓附近。 下面將說明源極隨動器放電裝置41之作用。在輸出 電壓Vout變化成爲所希望之電壓之過程，當輸出電壓 Vout高於所希望之電壓之情況時，隨著輸出電壓Vout 和所希望之電壓差之變大，P通道MOS電晶體412之閘 極•源極間電壓亦變大，放電能力變高。另外一方面， 輸出電壓Vout降低，隨著接近所希望之電壓，閘極· -21 - 529240 « « 五、發明說明（2〇) 源極間之電壓亦變小，放電能力亦變小。 因此，輸出電壓Vout不會振盪，可以穩定的輸出。 另外一方面，當輸出電壓Vout低於所希望之電壓之情 況時，P通道M0S電晶體412之閘極•源極間電壓變成 低於臨限値電壓，P通道M0S電晶體進行OFF，不產生 放電作用。 爲著使輸出電壓Vout快速的穩定在所希望之電壓， 經由使P通道M0S電晶體412之通道幅度W對通道長 度L之比（W/L)變高，可以提高穩定性。 P通道MOS電晶體412不只限於特定之電晶體，亦可 以使用至少具有2個端子之元件，所具有之特性是依照 2個端子之電壓差之增加使元件電流從零增大到很大之 位準（參照第3(b)圖），利用元件電流使具有放電作用之 一端連接到輸出端子，在所希望之電壓輸出時，利用閘 極偏壓控制裝置5 1控制另外一端使其成爲最佳之一定 之電壓。 第4圖表示第1圖之回授型充電裝置11之構造之一 具體例。參照第4圖，以驅動電路驅動輸出電壓V 〇 u t 使其等於輸入電壓Vin，在構成驅動電路之回授型充電 裝置11中，差動段21之構成包含有由N通道M0S電 晶體2 1 3，2 1 4構成之差動輸入對偶，和作爲其有源負 載之具有由P通道M0S電晶體212，211構成之電流鏡 電路之差動段，輸出電壓V〇ut回授到輸入，成爲回授 型之構造。 < -22- 529240 / % 五、發明說明（21) 輸入電壓Vin在低位電源電壓VSS附近，於N通道 MOS電晶體213之OFF之電壓範圍不進行正常之動作。 充電裝置31由P通道MOS電晶體311構成，以閘極 接受差動段之輸出，以汲極連接到輸出端子2，和以源 極連接到上位電源電壓VDD。 構成回授型充電裝置11之差動段21和充電裝置31 在Vout<Vin時，利用電晶體31 1產生充電作用，使輸 出電壓Vont上升到Vin，當Vout>Vin時，電晶體31 1 變成OFF，不產生充電作用。但是，在Vout< Vin當輸 出電壓Vout以高速變化至Vin時，輸出電壓Vout之變 化反映在充電作用只有稍微之回應延遲，產生過衝（過充 電）。 另外一方面，在源極隨動器放電裝置4 1，閘極偏壓控 制裝置5 1之輸出連接到P通道MOS電晶體4 1 2之閘極 ，在P通道MOS電晶體412之源極成爲Vin時，控制 其閘極使閘極•源極間之電壓成爲在臨限値電壓Vth附 近，在Vout>Viii時產生放電作用，利用與Vin和Vout 之電壓差對應之電晶體4 1 2之源極隨動器放電作用，可 以使輸出電壓Vout下降至與輸入電壓Vin相等之電壓。 回授型充電裝置1 1經由不設置相位補償裝置，可以 抑制差動段2 1之電流源2 1 5之電流使其變小，因爲可 以使充電裝置3 1之電晶體3 1 1之閘極電壓快速的變動 ，所以可以以低消耗電力進行高速充電。另外，經由不 設置相位補償電容，因爲只有由於電路元件之寄生電容 -23- 529240 五、發明說明（22 ) 等所產生之稍微之回應延遲，所以即使產生過衝亦可以 抑制成爲很小之位準。因此，即使在產生過衝之情況時 ，利用源極隨動器放電裝置，可以快速的穩定輸出等於 輸入電壓Vin之電壓。 在利用回授型充電裝置Η之充電作用使輸出電壓 Vout以非常高速進行變化之情況時，過衝亦稍微變大， 電晶體4 1 2之閘極•源極間電壓亦變大，源極隨動器放 電裝置4 1之放電作用亦以高速進行。 因此，當從過衝之電壓下降到電壓Vin時，經由閘極 •源極間電容，電晶體4 1 2之閘極電壓亦瞬間的稍微下 降，因此會有輸出電壓Vout瞬間下降到電壓Vin以下 之情況。如此一來，回授型充電裝置1 1再度的進行動 作，產生充電作用，再度的產生過衝，源極隨動器放電 裝置再度進行動作，以此方式重複進行。但是，即使在 此種情況，因爲控制電晶體4 1 2之閘極使源極隨動器放 電裝置41之放電能力隨著接近電壓Vin而變小，所以 輸出電壓Vout經過數次之衰減振動，最後收束在電壓 Vin變爲穩定。 要提高輸出穩定性時，可以使源極隨動器放電裝置4 1 之電晶體412之通道幅度W對通道長度L之比W/L變 高。 另外，在源極隨動器放電裝置4 1中，利用閘極偏壓 裝置51，在輸出電壓Vout成爲電壓Vin之穩定狀態， 當設定成爲只有稍微之電晶體4 1 2之汲極電流流動時， -24- 529240 五、發明說明（23) 亦有相同大小之電流在電晶體311流動’成爲穩疋之狀 態。 第5圖表示驅動電容性負載時之第4圖之驅動電路之 輸出波形。實線是從V i n = V 〇 ut之狀態變化成V i η爲高 電壓側之情況時之輸出電壓Vout之波形，虛線表示Vin 變化成爲低電壓側之情況時之輸出電壓Vout之波形。 第5圖表示Vin變化後之電壓（一定電壓）。 在Vin變化到高電壓側之情況時，利用回授型充電裝 置11，以高放電能力，高速的將輸出電壓Vout提升到 電壓Vin。即使在產生有過衝之情況時，利用源極隨動 器放電裝置41之作用，快速的將輸出電壓Vout驅動成 爲電壓Vin使其成爲穩定。 另外一方面，在Vin變化到低電壓側之情況時，只有 源極隨動器放電裝置41進行動作，當Vin和Vout之電 壓差變大時，輸出電壓Vout以高放電電力，高速的降 低，但是，當接近電壓Vin時，放電能力變低，緩和的 到達電壓Vin，然後成爲穩定。 依照此種方式，第4圖之驅動電路可以以高速進行充 電作用，但是放電作用比充電作用稍慢。 第6圖表示第2圖之源極隨動器充電裝置42之構造 之一具體例。參照第6(a)圖，在依照輸入電壓Vin使輸 出電壓Vout輸出所希望之電壓之驅動電路中，源極隨 動器充電裝置42之構成具備有：N通道MOS電晶體422 ，其源極連接到輸出端子2，其汲極連接到高位電源電 -25- 529240 Μ · ， 五、發明說明（24 ) 壓VDD ;和閘極偏壓控制裝置52，接受輸入電壓Vin， 用來將N通道MOS電晶體422之閘極控制成爲一定之 電壓。 閘極偏壓控制裝置52，在驅動所希望之輸出電壓之期 間，控制N通道MOS電晶體422之閘極成爲一定之電 壓，當N通道MOS電晶體422之源極成爲所希望之電 壓時，閘極•源極間之電壓成爲在臨限値電壓附近。 下面將說明源極隨動器充電裝置42之作用。在輸出 電壓Vout變化成爲所希望之電壓之過程，當輸出電壓 Vout低於所希望之電壓之情況時，隨著輸出電壓Vout 和所希望之電壓差之變大，N通道MOS電晶體422之 閘極•源極間電壓亦變大，充電能力變高。另外一方 面，輸出電壓Vout上升，隨著接近所希望之電壓，閘 極·源極間之電壓亦變小，充電能力亦變小。 因此，輸出電壓Vout不會振盪，可以穩定的輸出。 另外一方面，當輸出電壓Vout高於所希望之電壓之情 況時，N通道M0S電晶體422之閘極•源極間電壓變成 低於臨限値電壓，N通道MOS電晶體422進行OFF，不 產生充電作用。 爲著使輸出電壓Vout快速的穩定在所希望之電壓， 經由使N通道M0S電晶體422之通道幅度W對通道長 度L之比（W/L)變高，可以提高穩定性。 N通道MOS電晶體422不只限於特定之電晶體，亦可 以使用至少具有2個端子之元件，所具有之特性是依照 -26- 529240 五、發明說明（25) 2個端子之電壓差之增加使元件電流從零增大到很大之 位準（參照第6(b))圖，利用元件電流使具有充電作用之 一端連接到輸出端子，在所希望之電壓輸出時，利用閘 極偏壓控制裝置5 1控制另外一端使其成爲最佳之一定 之電壓。 第7圖表示第6圖之回授型放電裝置12之構造之一 具體例。爹照第7圖，以驅動電路驅動輸出電壓V 〇 u t 使其等於輸入電壓Vin，在構成驅動電路之回授型放電 裝置12中，差動段22之構成包含有由P通道MOS電 晶體22 3，224構成之差動輸入對偶，和作爲其有源負 載之具有由N通道MOS電晶體222，221構成之電流鏡 電路之差動段，輸出電壓Vout回授到輸入，成爲回授 型之構造。 輸入電壓Vin在高位電源電壓VDD附近，於P通道 MOS電晶體223之OFF之電壓範圍不進行正常之動作。 放電裝置32由N通道MOS電晶體321構成，以閘極 接受差動段22之輸出，以汲極連接到輸出端子2，和以 源極連接到低位電源電壓VSS。 構成回授型放電裝置12之差動段22和放電裝置32 在V〇ut>Viri時，利用電晶體32 1產生放電作用，使輸 出電壓Vout下降到Vin，當Vout<Vin時，電晶體321 變成OFF，不產生放電作用。但是，在Vout>Vin當輸 出電壓Voiit以高速變化至Vin時，輸出電壓V0ut之變 化反映在放電作用只有稍微之回應延遲，產生欠衝（過放 -27- 529240 > (> 五、發明說明（26) 電）。 另外一方面，在源極隨動器充電裝置4 2，閘極偏壓控 制裝置52之輸出連接到N通道MOS電晶體422之閘極 ，在N通道MOS電晶體422之源極成爲Vin時，控制 其閘極使閘極•源極間之電壓成爲在臨限値電壓Vth附 近，在Vout<Vin時產生充電作用，利用與Vin和Vout 之電壓差對應之電晶體422之源極隨動器充電作用，可 以使輸出電壓Vout上升至與輸入電壓Vin相等之電壓。 回授型放電裝置1 2經由不設置相位補償裝置，可以 抑制差動段22之電流源225之電流使其變小，因爲可 以使放電裝置32之電晶體321之閘極電壓快速的變動 ，所以可以以低消耗電力進行高速放電。另外，經由不 設置相位補償電容，因爲只有由於電路元件之寄生電容 等所產生之稍微之回應延遲，所以即使產生欠衝亦可以 抑制成爲很小之位準。因此，即使在產生欠衝之情況 時，利用源極隨動器充電裝置42，可以快速的穩定和輸 出等於輸入電壓Vin之電壓。 在利用回授型放電裝置12之放電作用使輸出電壓Vout 以非常高速進行變化之情況時，欠衝亦稍微變大，電晶 體422之閘極•源極間電壓亦變大，源極隨動器充電裝 置42之充電作用亦以高速進行。 因此，當從欠衝之電壓上升到電壓Vin時，經由閘極 •源極間電容，電晶體422之閘極電壓亦瞬間的稍微上 升，因此會有輸出電壓v〇ut瞬間上升到電壓Vin以上 -28- 529240 ,, 五、發明說明（27) 之情況。如此一來，回授型放電裝置1 2再度的進行動 作，產生放電作用，再度的產生欠衝，源極隨動器充電 裝置再度進行動作，以此方式重複進行。但是，即使在 此種情況，因爲控制電晶體422之閘極使源極隨動器充 電裝置42之充電能力隨著接近電壓Vin而變小，所以 輸出電壓Vout經過數次之衰減振動，最後收束在電壓 Vin變爲穩定。 要提高輸出穩定性時，可以使源極隨動器充電裝置4 1 之電晶體422之通道幅度W對通道長度L之比W/ L變 高。 另外，在源極隨動器充電裝置42中，利用閘極偏壓 裝置52，在輸出電壓Vout成爲電壓Vin之穩定狀態， 當設定成爲只有稍微之電晶體422之汲極電流流動時， 亦有相同大小之電流在電晶體3 2 1流動，成爲穩定之狀 態。 第8圖表示驅動電容性負載時之第7圖之驅動電路之 輸出波形。實線是從Vin = Vout之狀態變化成Vin爲低 電壓側之情況時之輸出電壓Vout之波形，虛線表示Vin 變化成爲高電壓側之情況時之輸出電壓Voiit之波形。 第8圖表示Vin變化後之電壓（一定電壓）。 在Vin變化到低電壓側之情況時，利用回授型放電裝 置12，以高放電能力，高速的使輸出電壓Vout下降到 電壓Vin。即使在產生有欠衝之情況時，利用源極隨動 器充電裝置42之作用，快速的將輸出電壓Vout驅動成 -29- 529240 五、發明說明（28) 爲電壓Vin使其成爲穩定。 另外一方面，在Vin變化到高電壓側之情況時，只有 源極隨動器充電裝置42進行動作，當Vin和Vout之電 壓差變大時，輸出電壓Vout以高充電能力，高速的上 升，但是，當接近電壓Vin時：，充電能力變低，緩和的 到達電壓Vin，然後成爲穩定。 依照此種方式，第7圖之驅動電路可以以高速進行放 電作用，但是充電作用比放電作用稍慢。 第9圖表示第4圖之閘極偏壓裝置51之構造之一具 體例。參照第9圖，構建成爲具備有電晶體412，同極 性之電晶體4 1 1和2個電流源4 1 3，4 1 4。P通道MOS 電晶體4 1 1其源極連接到輸入端子1和經由定電流源 4 1 3連接到高電位電源VDD，其汲極和閘極共同連接經 由定電流源4 1 4連接到低電位電源V S S。電晶體4 1 1之 大小和定電流源4 1 4之電流被設定成爲當電晶體4 1 2之 源極爲電壓Vin時，電晶體411，412之閘極•源極電 壓均等於臨限値電壓附近之値。 依照此種方式，因爲利用定電流源4 1 4之電流用來設 定電晶體4 1 1之閘極•源極間電壓，所以電晶體4 1 1， 4 12之共同閘極電壓依照輸入電壓Vin被控制成爲一定 ，電晶體4 1 2在源極隨動器放電動作時，使輸出電壓 Vout下降到輸入電壓Vin，使其成爲輸出穩定狀態。另 外，經由將定電流源4 1 3之電流設定成爲與定電流源 4 1 4相等，即使施加輸入電壓Vin之輸入端子1之電流 -30- 529240 » r 五、發明說明（29 ) 供給能力變低時，亦可以很容易將電晶體4 1 1，4 1 2之 共同閘極電極控制成爲一定之電壓。最簡單之方式以相 同大小設計電晶體4 1 1，4 1 2，可以將電流源4 1 3，4 1 4 之電流設定成爲很小。另外，當施加輸入電壓V i η之輸 入端子1之電流供給能力變高時，亦可以不使用電流源 413 ° 源極隨動器放電裝置4 1經由與回授型充電裝置1 1組 合，可以實現筒速驅動之新的效果。另外，因爲將電流 源4 1 3，4 1 4設定成爲很小之電流，所以源極隨動器放 電裝置41具有低消耗電力。因此，回授型充電裝置11 和源極隨動器放電裝置4 1分別爲低消耗電力，組合兩 者之驅動電路亦變成爲低消耗電力。 但是，第9圖所示之電路之動作範圍是除了低位電源 電壓VSS附近外之高電位側至高位電源電壓VDD之電 壓範圍。亦即，差動段21是當輸入電壓Vin在低位電 源電壓VSS附近電晶體213進行OFF之電壓範圍時， 不進行動作，另外，只有當從低位電源電壓VSS至高出 電晶體4 1 2之臨限値部份之電壓時，才可以使輸出電壓 V 〇 u t下降。 第10圖表示第7圖之閘極偏壓裝置52之構造之一具 體例。參照第1〇圖，構建成爲具備有電晶體422，同極 性之電晶體421和2個電流源423，424。N通道M0S 電晶體4 2 1其源極連接到輸入端子1和經由定電流源 423連接到低電位電源VSS，其汲極和閘極共同連接經 -31 · 529240 > t 五、發明說明（3〇) 由定電流源424連接到低電位電源VDD。電晶體421之 大小和定電流源424之電流被設定成爲當電晶體422之 源極爲電壓Vin時，電晶體421，422之閘極•源極電 壓均等於臨限値電壓附近之値。 依照此種方式，因爲利用定電流源424之電流用來設 定電晶體42 1之閘極•源極間電壓，所以電晶體42 1， 422之共同閘極電壓依照輸入電壓Viri被控制成爲一定 ，電晶體422在源極隨動器充電動作時，使輸出電壓 Vout上升到輸入電壓Vin，使其成爲輸出穩定狀態。另 外，經由將定電流源423之電流設定成爲與定電流源 424相等，即使施加輸入電壓Vin之輸入端子1之電流 供給能力變低時，亦可以很容易將電晶體421，422之 共同閘極電極控制成爲一定之電壓。最簡單之方式以相 同大小設計電晶體421，422，可以將電流源423，424 之電流設定成爲很小。另外，當施加輸入電壓Vin之輸 入端子1之電流供給能力變高時，亦可以不使用電流源 423 ° 源極隨動器充電裝置42經由與回授型充電裝置1 2組 合，可以實現高速驅動之新的效果。另外，因爲將電流 源42 3，424設定成爲很小之電流，所以源極隨動器放 電裝置42具有低消耗電力。因此，回授型充電裝置12 和源極隨動器放電裝置42分別爲低消耗電力，組合兩 者之驅動電路亦變成爲低消耗電力。 但是，第1 〇圖所示之電路之動作範圍是除了高位電 -32- 529240 五、發明說明（31) 源電壓VDD附近外之低電位側至低位電源電壓VSS $ 電壓範圍。亦即，差動段22是當輸入電壓V in在高位 電源電壓VDD附近電晶體223進行OFF之電壓範圍時 ，不進行動作，另外，只有當從高位電源電壓VDD g 低了電晶體422之臨限値電壓Vth部份之電壓時，才可 以使輸出電壓Vout上升。 第Π圖表示第4圖之源極隨動器放電裝置41之變更 例。第1 1圖所示之變更部份之構造亦可適用於第7圖 。參照第1 1圖，在該變化例中，在連接點（第4圖所示 之源極隨動器放電裝置41之P通道MOS電晶體412之 源極和輸出端子2及N通道MOS電晶體214之閘極連 接點）和高位電源VDD之間，具備有電流源4 1 5，以使 輸出電壓Vout成爲電壓Vin之穩定狀態，供給與電晶 體4 1 2之汲極電流相同之電流。利用此種構造，可以以 穩定狀態使汲極電流不會流到電晶體3 1 1。 在輸出電壓Vout成爲電壓Vin之穩定狀態，當有汲 極電流流到電晶體3 Π之情況時，需要使差動段2 1之 輸出穩定。在第1 1圖所示之構造中，因爲在穩定狀態 汲極電流不會流到電晶體3 1 1，所以可以使穩定狀態之 差動段21之輸出，成爲使電晶體31變成OFF之任意之 電位。因此，亦可以使用差動段，使差動段輸出之穩定 動作點成爲電晶體311之OFF之電位。 第12圖表示第4圖之充電裝置31之變更例。第12 圖所示之變更部份之構造亦可適用於第7圖。參照第1 2 -33- 529240 五、發明說明（32) 圖，在電晶體3 1 1之閘極與高位電源VDD之間，低位 電源VSS之間，設置相等電流之電流源351 ’ 352 ° 在第4圖所示之構造，當電晶體3 1 1之大小變大之情 況時，因爲電晶體3 1 1之閘極電容變大，回應延遲變大 ，所以要提高輸出電壓Vout之高速穩定性時，需要使 差動段之電流源2 1 5之電流變大。但是，即使使差動段 之電流源2 1 5之電流變大時，亦只有該電流之大約1半 產生電晶體3 1 1之閘極電壓之變化。 與此相對的，在第1 2圖所示之構造中，因爲在電流 源35 1，3 52流動之電流全部產生電晶體311之閘極電 壓之變化，所以當與增大差動段之電流源2 1 5之電流之 情況比較時，利用很小之電流增加就可以使電晶體3 1 1 之閘極電壓快速的變動。 第13圖表示第4圖之差動段21之變更例。第13圖 所示之變更部份之構造亦可適用於第7圖。 參照第13圖，在第4圖中，差動段21之電晶體211 ，2 1 3構成並聯連接。電晶體2 1 1 A和2 1 1 B，電晶體 2 1 3 A和2 1 3 B之各個之汲極間，閘極間，源極間共同連 接。另外，電晶體之大小是電晶體2 1 1 A和2 1 1 B，2 1 2 相等，電晶體2 1 3 A，2 1 3 B，2 1 4相等。 在第4圖中，爲著防止差動段2 1由於處理過程而產 生電晶體特性變動，所以設計成使電晶體2 1 1，2 1 2相 等，電晶體213，214相等。但是，在此種情況，只有 電流源2 1 5之電流之一半流到電晶體2 1 1，2 1 3側，所 -34- 529240 五、發明說明（33) 以在使電晶體3 1 1之電晶體大小變大之情況時，由於閘 極電容所造成之回應延遲，很難使輸出電壓穩定。 對於電晶體2 1 1，2 1 3，當如第1 3圖所示的各設置2 相同大小之電晶體2 1 1 A，2 1 1 B，2 1 3 A，2 1 3 B時，因爲 有電流源215之電流之2/3用來產生電晶體311之閘極 電壓之變化，所以即使不增加電流源2 1 5之電流亦可以 抑制電晶體3 1 1之回應延遲，另外，亦可以防止由於處 理過程所造成之電晶體特性變動。在此種情況，亦可以 構建成使電晶體2 1 1 A和2 1 1 B成爲1個之電晶體電流驅 動能力成爲電晶體2 1 2之2倍，和使電晶體2 1 3 A和 2 1 3 B成爲1個之電晶體，電流驅動能力成爲電晶體2 1 4 之2倍。 第14圖表示組合有可高速充電之驅動電路1〇(第1圖 所示之電路構造）和可高速放電之驅動電路20(第2圖所 示之電路構造）之驅動電路。利用變換開關3，4選擇驅 動電路1 〇和驅動電路20之任何一方，對其驅動可以用 來進行高速之充電或放電。 動作控制信號使未被變換開關3，4選擇之電路停止 動作，藉以抑制電力之消耗。另外，動作控制信號亦可 以使驅動電路1 0和驅動電路2 0雙方停止。 另外，驅動電路1 〇是第9圖所示之在低位電源電壓 VSS附近不進行動作之驅動電路，驅動電路20是第10 圖所示之在高電源電壓VDD附近不進行動作之驅動電 路，在此種情況，依照輸出之電壓，經由變換驅動電路 -35- 529240 五、發明說明（34) 10和20的進行驅動，可以在從低位電源電壓VSS至高 位電源電壓VDD之電源電壓範圍進行動作。 第15圖表示第14圖之電路構造之一具體例。第14 圖之驅動電路1 〇成爲第9圖所示之構造，驅動電路20 成爲第1 0圖所示之構造，和包含有被動作控制信號（圖 中未顯示）〇N，OFF控制之開關521，55 1，5 52，5 5 3和 開關 522 ， 561 ， 562 ， 563 ° 驅動電路10在開關521，551，5 52，5 5 3全部爲ON 時進行動作，在全部爲OFF時電流全部被中斷，停止動 作。驅動電路20在開關5 52，561，5 62，5 63全部爲 ON時進行動作，在全部爲OFF時電流全部被中斷，停 止動作。各個開關包含第14圖之開關3，4之變換功能。 第1 5圖所示之電路之動作範圍是依照驅動電壓在從 低位電源電壓VSS到高位電源電壓VDD之電源電壓範 圍可以進行動作。但是在低位電源電壓VSS附近之充電 作用和高位電源電壓VDD之放電作用則不能進行。例 如，對於任意之中間電壓，在交替驅動高電位側電壓和 低電位側電壓之情況，當驅動高電位側電壓時使驅動電 路1 0進行動作，當驅動低電位側電壓時使驅動電路20 進行動作，藉以能夠在電源電壓範圍進行動作。 第16圖表示第15圖之變更例，在第15圖之輸出端 子2具備有預充電裝置，該預充電裝置被構建成爲將預 充電電壓VCC經由開關599施加到輸出端子2。在使驅 動電路10或驅動電路20進行動作之前，開關599進行 -36- 529240 ♦ Λ 五、發明說明（35 ) ON，用來將輸出端子2預充電至電壓VCC。 ，在使開關599進行OFF完成預充電之後，使電路1〇 或電路20進行動作。另外，該預充電電壓亦可以是多 位準電壓。 第1 6圖所示之電路之動作範圍是經由將預充電電壓 VCC設定在最佳之電壓，對於預充電電壓VCC，當驅動 高電位側電壓時使驅動電路1 0進行動作，當驅動低電 位側電壓時使驅動電路20進行動作，對於任意之驅 動，可以在從低位電源電壓VSS到高位電源電壓VDD 之電源電壓範圍進行動作。 第1 7圖表示第1 5圖之源極隨動器放電裝置4 1，源極 隨動器充電裝置42之變更例。參照第17圖，在該電路 中，使用第11圖之源極隨動器放電裝置41之原理，在 輸出電壓Vout之穩定狀態，使電流不會從分別被包含 在回授型充電裝置11，回授型放電裝置12之充電裝置 和放電裝置流到輸出端子2。在源極隨動器放電裝置4 1 ，於P通道MOS電晶體412之源極和高位電源VDD之 間，設有開關5 5 4和定電流源4 1 5，在源極隨動器充電 裝置42，於N通道MOS電晶體422之源極和低位電源 VSS之間，設有開關564和定電流源425。 第18圖表示第15圖之變更例。參照第18圖，在該 電路中，將源極隨動器放電裝置41和源極隨動器充電 裝置42構建成爲1個之源極隨動器充放電裝置43，具 有源極隨動器放電裝置4 1和源極隨動器充電裝置42雙 -37- 529240 五、發明說明（36) 方之作用，用來減少元件數目。 在源極隨動器充放電裝置43中，直接使用源构隨動 器放電裝置4 1之電晶體4 1 1，4 1 2，電流源4 1 4，開關 5 5 3，和源極隨動器充電裝置42之電晶體421，422，電 流源424，開關563。 另外，附加有電晶體43 1，432。電晶體411，412以 使閘極•源極間電壓相等之方式設定各個之元件大小和 電流源414之電流，同樣的，電晶體421，422以使閘 極•源極間電壓相等之方式設定各個之元件大小和電源 源424之電流，另外，電流源414，424被設定爲具有 相等之電流。 源極隨動器充放電裝置43之電路應用日本國專利案 特開2000-3 3 846 1號公報（特願平1 1 - 1 45 768號）所提案 之技術。源極隨動器充放電裝置43之作用是當回授型 充電裝置1 1進行動作時，開關553進行ON，使電晶體 412進行源極隨動器放電作用，當回授型放電裝置12進 行動作時，開關563成爲ON，電晶體422進行源極隨 動器充電作用。 另外，電晶體431，43 2經由將各個之閘極偏壓電壓 BN，BP控制難最佳之電壓，則即使在輸入電壓Vin於 電源電壓VDD或VSS附近使電晶體411或421成爲 OFF之情況時，亦可以使電流源414，424之電流流經 電晶體431，432。 源極隨動器充放電裝置43只有在電晶體4 1 2從低位 -38- 529240 五、發明說明（37) 電源電壓VSS至高出臨限値電壓部份之電壓時，才使輸 出電壓Vout下降，電晶體42 2只有在從高位電源電壓 VDD至低了臨限値電壓部份之電壓時，才使輸出電壓 Vout上升，所以在使開關5 5 3，5 63變換，用來進行源 極驅動器充電作用和源極隨動器放電作用之情況時，第 1 8圖之動作範圍與第1 5圖者相同。 另外，源極隨動器充放電裝置43在使回授型充電裝 置11或回授型放電裝置12動作時，開關553，563雙 方進行ON，可以使源極隨動器充電作用和源極隨動器 放電作用雙方同時動作。在此種情況，當輸入電壓Vin 高於輸出電壓Vout時，電晶體422產生源極隨動器充 電作用，當輸入電壓Vin低於輸出電壓Vo ut時，電晶 體412產生源極隨動器放電作用。 回授型充電裝置11和回授型放電裝置12即使產生相 同之作用時，因爲回授型充電裝置11或回授型放電裝 置12之作用較強（輸出電流大於源極隨動器充放電裝置 43)，所以大致不會影響輸出電壓之變化。 但是，當輸入電壓V i η在低位電源電壓V S S附近，於 回授型充電裝置11不進行動作之電壓範圍，利用源極 隨動器充放電裝置43之電晶體422可以產生充電作用 ，同樣的，當輸入電壓Vin在高位電源電壓VDD附近 ，於回授型放電裝置1 2不進行動作之電壓範圍，利用 源極隨動器充放電裝置413之電晶體412可以產生放電 作用。因此，這時之第1 8圖之電路之動作範圍，對於 -39- 529240 五、發明說明（38) 任意之驅動可以在從低位電源電壓V S S至高位電源電壓 VDD之電源電壓範圍進行動作。 弟19圖表不第14圖之構造之變化例，在第14圖 中，構建成爲將差動段21，22替換成爲一個之差動段 23，利用差動段23之輸出用來控制充電裝置3 1和放電 裝置32。在充電裝置31和放電裝置41之任何一方進行 動作時，差動段23均進行動作。 動作控制信號，在充電裝置3 1和源極隨動器放電裝 置41進行動作時，至少使放電裝置32停止，當放電裝 置32和源極隨動器充電裝置42進行動作時，至少使充 電裝置3 1停止。 在第14圖之電路中，驅動電路1〇和20因爲互相獨 立的進行動作，所以例如在LSI處理過程，元件特性有 變動之情況時，驅動電路1 0和2 0之各個之輸出會產生 變動。因此，在依照驅動電壓變換驅動電路1 0和20之 驅動電路中，多個驅動電壓之相對之輸出變動亦會變大。 另外一*方面’如弟1 9圖所不之構造^在利用一'個之 差動段23用來控制充電裝置31和放電裝置32之動作 之構造中，例如在LSI處理過程，即使元件特性有變動 之情況時，亦可以抑制充電裝置3 1和放電裝置32之各 個之相對輸出變動。 源極隨動器放電裝置41和源極隨動器充電裝置42, 成爲與差動段23,充電裝置31，放電裝置32獨立的進 行動作，但是當充電裝置3 1和放電裝置32之驅動能 -40- 529240 * * 五、發明說明（39) 力，比源極隨動器放電裝置4 1和源極隨動器充電裝置 42高很多之情況時，輸出電壓VoiU大致依照充電裝置 31或放電裝置32之輸出決定。因此，在第19圖所示之 構造中，可以抑制多個驅動電壓之相對之輸出變動。 第20圖表示第19圖之構造之變化例，在第19圖 中，構建成利用可以進行雙方之作用之源極隨動器充放 電裝置43，用來替換源極隨動器放電裝置41和源極隨 動器充電裝置42之變換。 第2 1圖表示構成一個差動對偶之第1 9圖之構造之一 具體例。參照第2 1圖，在該電路中具備有用以控制充 電裝置3 1之動作之開關5 3 1，和用以控制放電裝置3 2 之動作之開關541，開關531，541控制成使充電裝置 31和放電裝置32之至少一方停止。 差動段23被構建成爲組合有NMOS差動輸入電路（上 側；高位側電源VDD側），和PMOS差動輸入電路（下 側；低位側電源VSS側）。 NMOS差動輸入電路（上側）具備有：N通道MOS電晶 體2 5 5，2 56，其源極共同連接和連接到定電流源2 5 7， 輸入Vin和輸出Vout分別輸入到其閘極，用來形成差 動對偶；P通道MOS電晶體252，253，其源極連接到 電源VDD，在差動對偶之輸出連接有汲極和閘極·，和P 通道MOS電晶體25 1，254，其源極連接到電源VDD， 其閘極分別連接到P通道MOS電晶體252，25 3之閘 極；P通道MOS電晶體254之汲極連接到充電裝置31 -41 - 529240 五、發明說明（4〇) 之P通道MOS電晶體311之閘極。 PMOS差動輸入電路（下側）具備有：P通道MOS電晶 體265，266，其源極共同連接和連接到定電流源267， 輸入Vin和輸出Vout分別輸入到其閘極，用來形成差 動對偶；N通道MOS電晶體262，263，其源極連接到 電源VSS，在差動對偶之輸出連接有汲極和閘極；和P 通道MOS電晶體261，264，其源極連接到電源VSS， 其閘極分別連接到N通道MOS電晶體262，263之閘極 ;N通道MOS電晶體264之汲極連接到放電裝置32之 N通道MOS電晶體321之閘極和P通道MOS電晶體之 2 54之汲極，N通道MOS電晶體261之汲極連接到P通 道MOS電晶體251之汲極。 當Vin>Vout時，N通道MOS電晶體255，256中之 電晶體2 5 5因爲具有較多電流流動之作用，所以使電晶 體25 5，256之汲極電流作爲鏡電流輸出時，電晶體251 ，254之汲極電流亦成爲電晶體251之一方較大。 另外一方面，當Vin<Vout時，使電晶體25 5，256之 汲極電流作爲鏡電流的進行輸出，電晶體251，254之 汲極電流成爲電晶體254之一方較大。差動對偶電晶體 25 1，254之電流之和以電流源257設定。 同樣的，在PMOS差動輸入電路（下側），當Vin〉Vout 時，電晶體265，266中之電晶體.266因爲具有較多電 流流動之作用，所以電晶體261，264之汲極電流成爲 電晶體264之一方較大，當Vin<Vout時，電晶體261 -42- 529240 五、發明說明（41) 之一方變成較大。差動對偶電晶體261，264之電流和 以電流源2 6 7設定。 電晶體251，254之汲極端子分別連接到電晶體261 ’ 264之汲極端子，當電流源257，267被設定成爲具有相 同之電流時，電晶體251，261之共同汲極端子N14，和 電晶體254，264之共同汲極端子N15，在Vin>Vout時 ，N14之端子電壓上升，N15之端子電壓降低。 另外一方面，在Vin<Vout時，N14之端子電壓下 降，N15之端子電壓上升。 在Vin = Vout時，電晶體251，261，和電晶體254， 2 64因爲分別成爲相等之汲極電流，所以N 1 5和N 1 4之 端子電壓可以成爲任意之電壓。 然後，以節點N 1 5作爲差動段23之輸出端子，成爲 與充電裝置31之電晶體311和放電裝置32之電晶體 321閘極共同連接之輸出端子。 利用此種方式，當Vin>Vout時，在開關531爲ON之 狀態，N 1 5之端子電壓下降，用來產生電晶體3 1 1之充 電作用，藉以使輸出電壓Vout上升，當Vin<Vout時， 在開關5 4 1爲ON之狀態，N 1 5之端子電壓上升，用來 產生電晶體321之放電作用，藉以使輸出電壓Vout下 降。 隨著Vout之接近Vin，N15之端子電壓在充電時進行上升 直至電晶體3 1 1之閘極•源極間電壓成爲臨限値電壓附近之 電壓位準，在放電時進行下降直至電晶體32 1之閘極•源 -43- 529240 · * * · 五、發明說明（42) 極間電壓成爲臨限値電壓附近之電壓位準。 在充電時，當輸入電壓Vin變成爲上位電源電壓VDD 附近之情況，差動段23之電晶體256進行OFF，和電 晶體261，262亦變成爲OFF，N14之端子電壓上升。 另外一方面，當Vin>Vout時，N15之端子電壓爲 低電壓，使電晶體3 1 1進行充電動作，用來使輸出電壓 V out上升。然後，隨著輸出電壓V out之上升，節點 N15之電壓亦上升。 但是，當輸出電壓Vout上升到使電晶體266變成爲 OFF之位準時，電晶體263，264亦變成爲OFF，N15之 端子電壓上升到高電位電源電壓VDD附近，用來使電 晶體311成爲OFF。因此，可控制之輸出電壓Voiit之 電壓範圍，上限從高位電源電壓VDD到低了電晶體266 之臨限値電壓之部份之電壓。 在放電時，與輸入電壓Vin變成爲低位電源電壓VSS 附近之情況同樣的，可控制之輸出電壓Vout之電壓範 圍，下限從低位電源電壓VSS到高出電晶體256之臨限 値電壓部份之電壓。 因此，第2 1圖所示之電路之動作範圍是除了電源電 壓VDD，VSS附近之一部份之電壓範圍外，可以在其中 間之電壓範圍進行動作。 第22圖表示第21圖之變更例。參照第22圖，在差 動段23附加有：N通道M0S電晶體281，其汲極連接 到節點N 1 4，其閘極連接到節點N 1 5，和其源極連接到 -44- 529240 五、發明說明（43) P通道MOS電晶體266之汲極；和P通道MOS電晶體 2 82，以其汲極連接到N 1 4，以其閘極連接到節點N 1 5， 和以其源極連接到N通道MO S電晶體2 5 6之汲極；第 22圖之動作範圍是對於任意之驅動，在從低位電源電壓 VSS至高位電源電壓VDD之電源電壓範圍可以進行動作。 在差動段23之正常動作時，與第21圖同樣的，在Vin = V〇ut以外，N14和N15之各個之端子電壓進行相反之 電位變動。 在差動段23設有電晶體281，282之情況，當充電時 ，輸入電壓Vin變成爲上位電源電壓VDD附近，輸出 電壓Vout上升到電晶體266之臨限値電壓位準，N14和 N15之端子電壓一起上升。這時電晶體281以汲極連接 到N 1 4，閘極連接到N 1 5，和源極連接到電晶體263之 汲極，當汲極爲高電位，源極爲低電位和閘極爲高電位 時，電晶體281成爲ON狀態，在N14和電晶體263之 汲極端子之間產生有電流脈波。 利用此種方式，即使PMOS差動對偶電晶體265，266 爲OFF狀態時，電晶體25 1之汲極電流亦流到電晶體 263，使電晶體263，264之電流鏡電路進行動作。 利用此種方式，N15之端子電壓依照NMOS差動對偶 電晶體2 5 5，2 5 6之汲極電流之變動產生電位變動，電 晶體3 1 1可以進行充電動作。 亦即，在充電時，即使當輸入電壓Vin在上位電源電 壓VDD附近進行變化之情況，差動段23利用NMOS差 -45- 529240 m ) 五、發明說明（44 ) 動輸入電路（上側）和由電晶體263，264構成之電流鏡電 路之動作，可以使N 1 5之端子電壓變動，用來將輸出電 壓Vout提升到輸入電壓Vin。 同樣的，在放電時，當輸入電壓Vin在低位電源電壓 VSS附近變化時，輸出電壓Vout降低至電晶體256之 臨限値電壓位準，N 1 4和N 1 5之端子電壓均降低。 這時，電晶體282以其汲極連接到N14，閘極連接到 N15，源極連接到電晶體253之汲極，當汲極成爲低電 位，源極成爲高電位，閘極成爲低電位時，電晶體282 成爲ON狀態，在電晶體25 3之汲極端子和N14之間產 生電流路徑。 利用此種方式，即使NMOS差動對偶電晶體25 5，256 爲OFF狀態，因爲電晶體253之汲極電流流到電晶體261 ，所以電晶體2 5 3，2 5 4之電流鏡電路進行動作。 利用此種方式，N15之端子電壓依照PMOS差動對偶 電晶體265，266之汲極電流產生電位變動，所以電晶 體321可以進行放電動作。 亦即，當放電時，輸入電壓Vin即使在低位電源電壓 VSS附近變化之情況，差動段23亦可以利用PMOS差 動輸入電路（下側）和由電晶體25 3，254構成之電流鏡電 路之動作，使N 1 5之端子電壓變動，用來使輸出電壓 Vout降低至輸入電壓Vin。 即使在N 1 4，N 1 5之端子電壓進行相反之電位變動之 正常動作時，在N 1 4變爲低電位，N 1 5變爲高電位之情 -46- 529240 . 五、發明說明（45) 況，電晶體281變成爲ON狀態，N14和電晶體263之 汲極端子間產生短路，但是假如均爲低電位時短路不會 有問題，利用此種方式，不會影響N 1 5之電位變動，亦 不會影響輸出電壓Vout。 同樣的，在N 1 4變爲高電位，N 1 5變爲低電位之情況 時，電晶體282變成爲ON狀態，N14和電晶體25 3之 汲極端子間產生短路，但是在均爲高電位時短路不會有 問題，利用此種方式，不會影響N 1 5之電位變動，亦不 會影響輸出電壓Vout。 依照以上之方式，經由在差動段23設置電晶體28 1， 2 82，對於電源電壓範圍內之任意之輸入電壓Vin可以 正常的進行動作，可以使第22圖所示之電路在電源電 壓範圍進行動作。 另外，差動段23因爲利用電晶體311，32 1之閘極之 共同之輸出端子N 1 5進行控制，所以構成差動段23之 各個電晶體即使產生特性變動之情況時，因爲充電作用 和放電作用均以同方向產生輸出電壓之偏移，所以多個 驅動電壓之相對之輸出電壓變動可以抑制成爲很小。 第23圖表示第22圖之變更例，該電路構造亦可適用 在第2 1圖之構造。參照第23圖，其中設有開·關5 3 2， 在充電裝置3 1之開始充電作用之前，使電晶體3 1 1暫 時的成爲OFF狀態，和具備開關542，在放電裝置32 開始放電作用之前，使電晶體3 1 2暫時的成爲OFF狀 態。 -47- 529240 i r 五、發明說明（46 ) 開關5 3 2，542在依照開關531，541之ON，OFF之 變換用來進行充電和放電之變換時，使N 1 5之端子電壓 重設，所具有之作用是在充電和放電之變換時，可以防 止輸出電壓Vout之不必要之電壓變動。 差動段23之輸出端子N15，隨著輸出電壓Voiit之接 近電壓Vin，N15之端子電壓在充電時，上升至電晶體 3 1 1之閘極•源極間電壓成爲臨限値電壓附近之電壓位 準，然後成爲穩定，在放電時，下降至電晶體32 1之閘 極•源極間電壓成爲臨限値電壓附近之電壓位準，然後 成爲穩定。 因此，在沒有開關532，542之情況，當從放電朝向 充電變換時，從充電作用強之狀態開始電晶體3 11之動 作，當從充電朝向放電變換時，從放電作用強之狀態開 始電晶體32 1之動作。利用此種方式在充電和放電之變 換時，可以與輸入電壓Vin無關的，瞬間的產生充電或 放電，使輸出電壓Vout進行變動。 經由設置開關532，542，在從放電朝向充電變換時， 於開關541成爲OFF之短時間，使開關5 3 2成爲ON狀 態，控制成使N 1 5之端子電壓上升至高位電源電壓VDD 。利用此種方式，當開關53 1成爲ON，開始充電動作 時，電晶體3 1 1從OFF狀態開始動作。 另外，當從充電朝向放電變換時，在開關53 1成爲 OFF狀態後之短時間，使開關542成爲ON狀態，控制 成使N15之端子電壓下降至低位電源電壓VSS。利用此 -48- 529240 五、發明說明（47 ) 種方式，當開關541成爲ON，開始放電動作時，電晶 體321從0FF狀態開始動作。 經由上述方式之設置開關532，542，在充電和放電之 變換時，可以防止輸出電壓Vout與輸入電壓Vin無關 的進行變動。 第24圖表示第20圖所示之電路之一具體例。參照第 24圖，該電路是將第23圖之源極隨動器放電裝置41和 源極隨動器充電裝置42，替換成爲源極隨動器充放電裝 置43所形成者。將源極隨動器放電裝置4 1和源極隨動 器充電裝置42替換成爲源極隨動器充放電裝置43之構 造亦可以適用在第21圖，第22圖，第23圖所示之電 路。 第25圖表示第21圖之源極隨動器放電裝置41和源 極隨動器充電裝置42之構造之一具體例。參照第25圖 ，源極隨動器放電裝置41和源極隨動器充電裝置42具 有與第17圖所示之電路構造相同之構造，構建成爲在 Vout = Vin之輸出穩定狀態，大致不會有充電裝置31之 電晶體311或放電裝置32之電晶體321之汲極電流流 動。 第26圖表示第22圖之源極隨動器放電裝置41和源 極隨動器充電裝置42之構造之一具體例。在第26圖中 ，源極隨動器放電裝置4 1和源極隨動器充電裝置42具 有與第1 7圖所示之電路構造相同之構造，其作用如參 照第1 7圖之說明，故其說明在此加以省略。 -49- 529240， I »- ， 五、發明說明（48) 第27圖表示第23圖之源極隨動器放電裝置41和源 極隨動器充電裝置42之構造之一具體例。在第27圖中 ，源極隨動器放電裝置41和源極隨動器充電裝置42具 有與第1 7圖所不之電路構造相同之構造。 第28圖表示第24圖之源極隨動器充放電裝置43之 具體例。源極隨動器充放電裝置43之電路構造與第18 圖所示之電路構造相同，其作用如參照第1 7圖之說明 ，故其說明在此加以省略。 第29圖表示將第1圖至第28圖所示之電路使用作爲 液晶顯示裝置之資料驅動器之緩衝器1 00之情況時之具 體例。參照第29圖，該驅動器具有連接在高位側電流 VDD和低位側電源VSS間之電阻串200，解碼器3 00(選 擇電路），輸出端子群400，和輸出段100。 從電阻串200之各個端子（分接頭）所產生之多個調階 電壓之中，依照各個輸出之影像數位信號，利用解碼器 3 00選擇調階電壓，以緩衝器1〇〇進行放大，用來驅動 連接到輸出端子400之資料線。該緩衝器1 00可使用參 照第1圖至第2 8圖所說明之本實施例之電路。 第30圖是在第29圖中於緩衝器100之元件之特性變 動很大之情況時，在利用緩衝器1 〇 〇以高速驅動至所希 望之電壓附近之後，使緩衝器1〇〇停止動作，開關ιοί 進行ON，從電阻串200直接供給電荷，用來驅動資料 線。 第3 1圖表示在可以變換和驅動高速充電作用和高速 -50- 529240 五、發明說明（49) 放電作用之第14圖至第28圖所示之構造中，使用在液 晶顯示裝置之資料驅動器之緩衝器之情況時之動作控制 方法之具體例。對於任意之電壓均可以高速驅動。 高速充電作用和高速放電作用分別利用充電裝置3 1 和放電裝置32之動作進行，在第14圖至第28圖之各 個構造中，當至少有一方進行動作時，另外一方必需停 止。 第3 1圖表示對於液晶顯示之階調位準，充電裝置3 1 和放電裝置3 2之控制方法之具體例。 第14圖至第28圖之差動段21，22，23，源極隨動器 放電裝置41，源極隨動器充電裝置42，和源極隨動器 充放電裝置43之各個，用來進行與充電裝置31和放電 裝置3 2之控制對應之控制。另外，利用源極隨動器動 作之驅動是特別在驅動大電容負載時，因爲驅動速度降 低，所以爲著要進行高速驅動，必需控制成爲使充電裝 置3 1或放電裝置3 2經常進行動作。 第3 1圖是輸出到資料線之階調位準爲連續之資料選 擇期間，高位位準和低位位準交替輸出之情況時之驅動 方法，亦可適用在液晶顯示裝置之進行點反轉驅動之情 況。 多個階調位準之高位位準和低位位準之判別之進行， 可以對於一定之共同電壓，依照用以指定驅動電壓之極 性之正負之極性反轉信號，用來進行判定。另外，在指 定高位位準之情況時，使充電裝置3 1動作，進行高速 -51- 529240 五、發明說明（5〇) 充電用來驅動階調電壓，在指定低位位準之情況時，使 放電裝置32動作，進行高速放電用來驅動階調電壓。 利用此種方式，在任意之階調電壓之驅動時，可以實現 高速驅動。 另外，源極隨動器放電裝置4 1，源極隨動器充電裝置 42，和源極隨動器充放電裝置43之作用是用來抑制各 個構造中之過衝或欠衝，藉以使輸出電壓高速的成爲穩 定。 另外，如第16圖之構造所示，在具有輸出端子2之 預充電裝置之構造中’即使在進行液晶顯不裝置之共同 反轉驅動之情況時，亦可以使用第3 1圖之控制方法。 在此種情況，利用預充電裝置對多個階調位準之中央 階調位準進行預充電。這時之高位位準和低位位準之判 別之進行可以依照以中央階調作爲境界之値之影像數位 信號之最上位位元信號和極性反轉信號。 然後在1個資料選擇期間，利用第3 1圖之控制方法 ’用來驅動被預充電成爲中央階調位準之資料線，在任 意之階調電壓之驅動中，可以實現高速驅動。 第32圖表示第31圖之變更例。第32圖是在輸出到 資料線之階調位準爲連續之資料選擇期間，於任意輸出 高位位準和低位位準之情況時之驅動方法，可適用在液 晶顯示裝置之進行共同反轉驅動之情況。 在共同反轉驅動時，除了預充電成爲指定之電壓之情 況外，在1個資料選擇期間內，隨著共同電壓之變動， -52- 529240 五、發明說明（51) 資料線電壓亦經由電容接受變動。因此，在1個資料選 擇期間開始時，不能決定是充電或放電。 因此，將1個資料選擇期間分成爲前半to - 11區間和 後半11 - t2區間，在驅動高位位準之階調電壓之情況時 ，在前半t0 — tl區間使放電裝置32動作，在後半tl 一 t2 區間使充電裝置3 1動作。 同樣的，在驅動低位位準之階調電壓之情況時，在前 半t0 — tl區間使充電裝置31動作，在後半tl 一 t2區間 使放電裝置3 2動作。另外，前半t0 - 11區間至少爲共 同電壓至穩定狀態之時間。 另外，高位位準和低位位準之判別可以依照影像數位 信號之多個上位位元信號和極性反轉信號進行。最簡單 是使用以中央階調作爲境界之不同値之最上位位元信號 。利用此種控制方法，即使在依照共同電壓之變動使資 料線電壓變動之情況時，在任意之階調電壓之驅動，可 以實現高速驅動。 另外，在上述之實施例中是以MOS電晶體爲例進行 說明，但是對於利用雙極電晶體之驅動電路（緩衝器電路） 亦可適用，構建成組合有未具相位補償電容之電壓隨動 器構造之回授型充電（放電）裝置和射極隨動器放電（充電） 裝置。 本發明在使用於OP放大器（operational amplifier)作 爲電壓隨動器之情況，不需要振盪防止用之相位補償用 電容可以達成低消耗電力化。放大率1之非反相放大器 -53- 529240 • » 五、發明說明（52) 之電壓隨動器，在OP放大器之非反相輸入端子被輸入 有輸入信號，輸出信號被回授型輸入到反相輸入端子， 藉以輸出與輸入信號同相之電壓。在OP放大器被使用 作爲電壓隨動器之情況時，需要使相位補償用電容之 電容量成爲最大，通量率變低，但是本發明不需要相位 補償電容，可以達成通量率之高速化，另外，可以因應 大振幅之輸入電壓。除了 OP放大器之差動段外，具備 有充電裝置（第3圖之3 1 )，根據輸入信號和輸出信號之 差電壓，用來對輸出端子進行充電，和偏壓控制裝置（第 3圖之5 1 )，根據輸入信號用來控制輸出緩衝器電壓，和 源極隨動器放電裝置（第3圖之41)，具有源極隨動器構 造之電晶體（第3圖之412)，插入在OP放大器之輸出端 子（第3圖之2)之放電路徑，被輸入有從該偏壓控制裝 置（第3圖之51)輸出之偏壓電壓。另外，具備放電裝置 (第6圖之32)，根據輸入信號和該輸出信號之差電壓， 用來使輸出端子進行放電，和偏壓控制裝置（第6圖之 52)，根據輸入信號用來控制輸出偏壓電壓，和源極隨動器充 電裝置（第6圖之42)，具有源極隨動器構造之電晶體（第 6圖之42 2)，插入在輸出端子（第6圖之2)之充電路徑， 被輸入有從該偏壓控制裝置（第6圖之5 2)輸出之偏壓電 壓。如第14圖，第19圖等所示，回授型充電裝置（11) 和回授型放電裝置（12)，或充電裝置（31)和放電裝置 (3 2)，被依照動作控制信號進行ON，OFF之開關控制成 爲當其一方活性化時，另外一方成爲非活性狀態，對於 源極隨動器放電裝置.（4 1)和源極隨動器充電裝置（42)亦 同。另外，亦可以構建成將該等之電路全部內藏在OP放大 器。另外，與此不同的，亦可以構成成爲由OP放大器構成 -54- 529240 ·* * 五、發明說明（53) 差動段，由外加電路構成充電裝置（3 1)和放電裝置（32) ，源極隨動器放電裝置（41)和源極隨動器充電裝置（42)。 如上所述，在本發明中，隨動器型放電裝置（第1圖 之41)具備有差動段（第i圖之21)，當與電壓隨動器構 造之回授型充電裝置（第1圖之11)之組合時，因爲不需 要相位補償電容，所以適於低消耗電力化，高速化，和 電路規模之減小，但是隨動器型放電裝置（第1圖之4 1) 之適用對象並不只限於此種差動構造之回授型放電電路 。例如，當將該隨動器型放電裝置（第1圖之41)連接到 緩衝器電路（亦可以是不成爲差動輸入構造之緩衝器電路 ;用來接受來自輸入端子之輸入信號藉以驅動輸出端子） 之情況時，可以抑制輸出端子之鏈結之發生等，可以使 輸出信號高速的穩定化爲其效果。同樣的，當將隨動型 充電裝置（第2圖之42)連接到該緩衝器電路之輸出端子 之情況時，亦可以使輸出信號高速的穩定化爲其效果。 在緩衝器電路之輸出端子亦可以連接隨動器型放電裝置 (第1圖之41)和隨動器型充電裝置（第2圖之42)。隨動 器型放電裝置和隨動器型充電裝置亦可以直接使用第3 圖，第6圖第所示之電路構造者。 另外，亦可以將電晶體43 1，432分別替換成爲進行 與開關5 63，5 5 3之ON，OFF控制相同之控制之開關。 其次，依照模擬之結果用來具體的表示本發明之效果 。在該模擬中，爲著表示本發明之驅動電路之低電力性 能和高速性能，所以對第46圖所示之顯示面板之資料 -55- 529240 五、發明說明（54) 線等之大電容配線負載（1資料線負載：60kQ，60pF)進 行評估。如第46圖所示，大電容配線負載由以電阻和 電容之積分電路連接成5段縱向連接形態之等效電路構 成，在負載近端連接驅動電路之輸出端Vout，模擬所使 用之驅動電路成爲第1 5圖所示之構造，電源電壓爲高 位側電源電壓VDD= 7V，低位側電源電壓VSS二0V。 第36圖表示相當於最大振幅之驅動電壓。0.2V-6.8V 時之負載近端和負載遠端之輸出電壓波形。這時之輸出 延遲時間以第37圖表示。輸出延遲時間是振幅電壓之3τ (95%變化）所需要之時間。另外，τ是CR電路之時間常 數，在指數函數之脈波回應曲線l-exp(-t/T)中，ΐ=3τ爲 0.95(全振幅之95%)。0.2¥—6.8¥驅動時之負載近端之 輸出延遲時間爲上升= 〇.34/zs，下降= 0.42//s，負載 遠端之輸出延遲時間爲上升=5.83// s，下降=5.88// s 。驅動電路之負載驅動速度可以以負載近端之電壓變化 之速度之判斷。 由第37圖可以證實本發明之實施例之驅動電路之高 速性能，負載近端之電壓變化之速度之上升（充電）和下 降（放電）均爲〇·5 // s以下，成爲極高速。 另外，第3 8圖表示第3 6圖之驅動時之驅動電路之高 位側電源VDD之消耗電流之變化。在第3 8圖中，時間 0 // s〜1 〇 // s之消耗電流表示驅動電路之動作維持所需 要之消耗電流’時間1 〇 β s〜2 0 // s之消耗電流表不靜消 耗電流加上負載電容之充電電流之動消耗電路。在具備 -56- 529240 五、發明說明（55) 有相位補償電容之習知之回授型放電電路中，要實現第 36圖之高速驅動時，需要數十之靜消耗電容。由第 3 8圖可以明白，本發明之實施例之驅動電路之動作維持 所需要之靜消耗電流爲大約2 // A，成爲很小，可以證實 本發明之驅動電路之低電力性能。另外，在負載電容比 第46圖所示者小很多之情況，本發明之驅動電路之動 作維持所需要之靜消耗電流可以抑制成爲更小。 另外，第39圖表示無負載時之輸出波形。如第39圖 所示，即使在無負載時，本發明之驅動電路即使未具有 相位補償電路，由於源極隨動器動作之輸出穩定化作用 ，所以不會振盪。另外，上述之模擬是對大電容負載進 行之結果，但是在負載電容較小之情況時，利用數百nA (奈安培）程度之小靜消耗電流就可以十分高速的進行驅動。 如上所述，本發明之驅動電路，涵蓋從小電容負載到 大電容負載均可以實現低電力高速驅動。另外，對於作 爲本發明之實施例所說明之第1 6圖至第1 8圖所示之驅 動電路之各個，具有與第1 5圖同樣之性能。另外，對 於第2 1圖至第2 8圖所分別表示之驅動電路，當與第1 5 圖比較時，因爲差動電路之構造複雜，電流路徑變多， 所以與第1 5圖所示之構造比較時，靜消耗電流會稍微 的增加，但是經由不設置相位補償電容，可以以很低之 消耗電流實現高速驅動。 其次，在本發明之驅動電路，對於驅動大電容負載時 之特有之現象，參照模擬結果進行說明。負載條件和電 -57- 529240 > « 五、發明說明（56 ) 源電壓條件與上述之模擬相同。 第40圖，第41圖是利用成爲本發明之實施例之第15 圖之驅動電路，對第46圖所示之大電容配線負載輸出 電源電壓範圍之中間附近電壓5V時之負載近端和負載 遠端之輸出電壓波形。第40圖是波形全體圖，第41圖 是擴大圖。在第40圖和第41圖表示上升後之負載近端 之電壓之衰減振動之方式。另外，圖面中被省略者，在 下降後之負載近端之電壓亦同樣的產生衰減振動。此種 現象是大電容配線負載所特有者，在配線電阻很小之情 況或配線電容很小之情況或配線電阻很小之情況均不會 產生。該衰減振動之現象是從負載近端朝向負載這端使 電荷和緩，和利用驅動電路之回授型充電（放電）裝置以 高速動作產生。 參照第10圖，第41圖，在時間10 // s以後，大電容 配線負載被驅動電路之回授型充電裝置高速充電，將負 載近端電壓一口氣充電至所希望之驅動電壓（5 V)，這時 ，因此驅動電路之回授回應具有延遲，所以產生過衝， 但是同時亦產生抑制過衝，下降到所希望之驅動電壓之 作用。這時之負載電容假如變小時，可以快速的穩定在 所希望之電壓，但是在大電容配線負載之情況時，即使 負載近端被充電至所希望之驅動電壓，負載遠端亦不能 快速的跟上。因此，利用從負載近端到負載遠端之電荷 之緩和，負載近端電壓低於所希望之驅動電壓（欠衝）。 利用此種方式，再度的以回授型充電裝置進行高速充 -58- 529240 五、發明說明（57) 電。依照此種方式，以高速重複利用高速充電之過衝， 和利用電荷之緩和之欠衝，而產生振動。然後，當負載 遠端電壓接近負載近端電壓時，因爲利用電荷之緩和之 欠衝變小，所以利用高速充電之過衝亦變小，可以使振 動衰減，藉以穩定在所希望之驅動電壓。 在大電容配線負載驅動時，上述方式之負載近端之衰 減振動，與振盪不同的，因爲快速的收束，所以在實用 上可以視爲沒有問題。 但是，要獲得平滑之輸出波形時，亦可以在驅動電路 之內部設置振動抑制用之電容量很小之電容。第42圖 表示本發明之實施例之變化例。第42圖之構造是在第 1 5所示之驅動電路中，在差動段（2 1 3，2 1 4 )，差動段 (223，224)之輸出與輸出端子2之間，分別設置0.1 PF 之振動抑制電容2 1 6，2 2 6。 利用第42圖之驅動電路，當對第46圖所示之大電容 配線負載，輸出電源電壓範圍之中間附近電壓5V之情 況時，以第43圖表示負載近端和負載遠端之輸出電壓 波形。第43圖是全體波形圖，第44圖是第43圖之部 份擴大圖。利用第43圖，第44圖，經由設置0.1 PF程 度之電容，可以除去第40圖，第41圖之衰減振動。另 外，設在驅動電路之振動抑制電容之電容量因爲可以很 小，所以不會影響驅動速度和增加消耗電流，和使用電 晶體電容可以很容易形成。 對於構成本發明之各個實施例之第1 6圖至第1 8圖， -59- 五、發明說明（58) 第21圖至第28圖所示之各個驅動電路，與第15圖同 樣的，經由在差動對偶之輸出和輸出端子間附加振動抑 制電容，在驅動大電容配線負載時，可以獲得平滑之輸 出電壓波形。 第45圖表示對第27圖所示之驅動電路附加振動抑制 電容之構造。在第45圖中，振動抑制電容268被設在 差動電路23之輸出端N 1 5和輸出端子2之間。在第2 1 圖至第2 8圖所不之驅動電路中’差動電路2 3因爲被充 電動作和放電動作共用，所以振動抑制電容可以只設置 1個。 另外，更進一步硏究之結果獲得以下之發現。本發明 提供之構造是要貧現低消耗電力之回授型放大電路或驅 動電路時，不需要相位補償電容就可以實現輸出之穩定 化。因此，在輸出成爲所希望之電壓，具有電流驅動能 力很小之充電裝置和放電裝置之回授型放大電路中，使 充電裝置或放電裝置之一方成爲回授型構造，另外一方 成爲大致不會有回應延遲之非回授構造。其電路之原理 。作用是在使輸出變化成爲所希望之電壓之動作中，在 使充電裝置或放電裝置之一方成爲回授型構造之情況時 ，產生回應延遲，發生過衝或欠衝，但是假如充電裝置 或放電裝置之另外一方爲非回授構造，大致不會有回應 延遲時，可以快速的抑制過衝或欠衝，用來使輸出穩定 化。因此不需要相位補償電容，或可以將相位補償電容 抑制成爲很小，可以抑制相位補償電容之充放電所需要 -60- 529240 , 五、發明說明（59) 之電流，可以削減消耗電力。 對於第1圖至第32圖所示之構造，第36圖至第45 圖表示使用源極隨動器充電裝置或源極隨動器放電裝置 作爲非回授型構造之充電裝置或放電裝置之實施例。 例如在第4圖或第9圖所示之實例中，充電裝置是回 授型構造之電壓隨動器電路1 1，放電裝置是非回授型構 造之源極隨動器放電裝置41。回授型構造之電壓隨動器 電路1 1因爲接受輸出電壓Vout之變化使差動段21進 行動作，和接受差動段2 1之輸出之變化使充電裝置3 1 進行動作，所以在輸出電壓Vout之變化反映在充電作 用之前，必定包含有差動段2 1之動作延遲（回應延遲）， 所以輸出電壓Vout進行過衝。另外，差動段21之構造 複雜到某種程度時，回應延遲變大，亦會使過衝變大。 另外一方面，源極隨動器放電裝置41在電晶體412成 爲源極隨動器構造，閘極被控制在與輸入電壓Vin對應 之電壓，和輸出大於所希望之電壓（Vin)時，電晶體412 之閘極•源極間電壓增加，產生放電作用。在源極隨動 器放電裝置4 1，因爲輸出電壓之變化，亦即電晶體4 1 2 之閘極•源極間電壓之變化瞬時的反映在放電能力’所 以大致不會產生回應延遲。 因此，即使由於電壓隨動器電路Π產生過衝時’可 以利用源極隨動器放電裝置4 1，使過衝之輸出電壓快速 的放電至所希望之電壓和成爲穩定。此種原理亦同樣的 可以適用在使用有源極隨動器充電裝置或源極放電裝置 -61- 529240 五、發明說明（6〇) 之其它實施例之構造。 但是，在本發明中，即使在源極隨動器構造以外之構 造，假如是大致沒有回應延遲之非回授構造時，發現可 以實現不需要相位補償電容之回授型放大電路或驅動電 路。第4 7圖表示其一實例。 第47圖表示本發明之更另一實施例之構造。參照第 47圖，本實施例之電路具備有：回授型充電裝置1 1， 可以利用輸入電壓Vin和輸出電壓Vout之2個輸入用 來產生充電作用，藉以提升輸出電壓Vout ;和放電裝置 6 1，與回授型充電裝置1 1獨立的動作，依照與輸入電 壓V in對應之所希望之電壓和輸出電壓Vout之電壓差 進行動作。第47圖是以放電裝置6 1替換第3圖之源極 隨動器放電裝置4 1所形成之構造，對相同之構造都份 附加相同之參考號碼。 回授型充電裝置11具備有；差動段21，依照輸入電 壓V in和輸出電壓Vout之2個之電壓差進行動作；和 充電裝置3 1，依照差動段2 1之輸出產生充電作用。本 實施例由於成爲未設有相位補償裝置（相位補償電容）之 構造或成爲很小之相位補償電容，所以可以以低消耗之 電力進行高速驅動。 在依照輸入電壓Vin能將所希望之電壓輸出到輸出電 壓Vout之驅動電路中，回授型充電裝置1 1依照Vin和 Vout之電壓差進行動作，當輸出電壓Vout低於所希望 之電壓之情況時，利用其充電作用，將輸出電壓Vout -62- 529240 五、發明說明（61) 提升到所希望之電壓。回授型充電裝置π經由不設置 相位補償裝置，可以以低消耗電力進行高速動作，但是 在回授型之構造中，由於電路元件之寄生電容等，在輸 出電壓Vout之變化反映在充電作用之前只有稍微之回 應延遲，會產生過衝（過充電）。 另外一方面，放電裝置61之構成具備有：N通道 MOS電晶體601，其汲極連接到輸出端子2，源極連接 到低位電源電壓VSS ;和閘極偏壓控制裝置62，以與輸 入電壓Vin對應之所希望之電壓作爲參考電壓，依照輸 出電壓Vout用來控制N通道MOS電晶體601之閘極電 壓。 實質上，閘極偏壓控制裝置62在驅動所希望之輸出 電壓之期間，輸出電壓Vout和N通道MOS電晶體601 之閘極偏壓之電壓差，對於輸出電壓之變化，控制閘極 偏壓成爲不會有延遲，大致保持爲一定。 另外，閘極偏壓在控制裝置62用來控制閘極偏壓， 經由控制輸出電壓和N通道MOS電晶體60 1之閘極偏 壓之電壓差，當輸出電壓成爲所希望之電壓時，N通道 MOS電晶體601之閘極•源極間電壓成爲在臨限値電壓 附近。利用此種方式，放電裝置6 1具有與所希望之電 力和輸出電壓Vout之電壓差對應之放電能力，當1俞出 電壓Vout高於所希望之電壓時，利用電晶體之放電作 用可以使輸出電壓Vout下降到所希望之電壓。 下面將更進一步的說明放電裝置6 1之作用。放電裝 -63- 529240 五、發明說明（62 ) 置61中，因爲輸出電壓Vo ut和N通道MOS電晶體601 之閘極偏壓之電壓差大致保持爲一定，所以當輸出電壓 高於所希望之電壓時，N通道MOS電晶體601之閘極偏 壓被提升，N通道Μ Ο S電晶體6 0 1之閘極•源極間電壓 變大，利用與輸出電壓Vout和所希望之電壓之電壓差 對應之放電能力，用來產生放電作用。 然後，當輸出電壓Vout下降到所希望之電壓時，N 通道Μ Ο S電晶體6 0 1之閘極•源極間電壓變成臨限値 電壓附近，所以放電作用大致成爲停止。 另外，一方面，在輸出電壓Vout低於所希望之電壓 之情況時，N通道MOS電晶體60 1之閘極•源極間電壓 變成爲臨限値電壓以下，所以不產生放電作用。 放電裝置6 1利用閘極偏壓控制裝置6 2進行N通道 MOS電晶體60 1之閘極偏壓控制，對輸出電壓之變化成 爲不會延遲，可以用來使高於所希望之電壓之輸出電壓 V 〇 U t下降至所希望之電壓藉以使其穩定化。 另外，在閘極偏壓控制裝置62之控制時，當輸出電 壓Vout低於所希望之電壓之情況，假如N通道MOS電 晶體6 0 1之閘極•源極間電壓在臨限値電壓以下時，這 時之輸出電壓Vout和閘極偏壓之電壓差即使進行變化 時亦不會有問題。 依照上述之方式，本實施例之驅動電路在輸出電壓 Vout低於所希望之電壓之情況時，可以利用回授型充電 裝置1 1，以高速將輸出電壓Vout提升到所希望之電壓 -64- 529240 五、發明說明（63) 。這時，即使產生稍微之過衝（過充電），亦可以利用放 電裝置6 1，快速的下降到所希望之電壓，使其成爲穩定 之輸出。 另外一方面，當輸出電壓V out高於所希望之電壓之 情況時，利用放電裝置6 1下降到所希望之電壓。使其 成爲穩定之輸出。 另外，回授型充電裝置1 1經由未具有相位補償電容 ，因爲由於電路元件之寄生電容等所產生回應延遲只有 很小，所以即使在產生有過衝之情況時，亦可以抑制 成爲很小之位準。因此，利用回授型充電裝置11和放 電裝置6 1之組合，在充電時可以高充電，和高速的穩 定在所希望之電壓。 在第48圖表示第47圖之一具體例。第48圖之構造 是將第9圖之源極隨動器放電裝置4 1變更成爲放電裝 置6 1，在相同之構造部份使用相同之參考號碼。第48 圖是驅動電路，用來輸出電壓Vout驅動成爲與輸入電 壓Vin相等之電壓。 參照第48圖，在回授型充電裝置1 1中，差動段2 1 是使輸出電壓Vout回到輸入之回授型之構造，其構成 包含有：差動輸入對偶，由N通道MOS電晶體213， 2 1 4構成；和差動段，具有電流鏡電路由作爲其主要負 載之P通道MOS電晶體212，211構成。 構成回授型充電裝置11之差動段21和充電裝置31， 在Vout<Vin時，利用電晶體31 1產生充電作用，用來 -65- 529240 五、發明說明（64) 將輸出電壓VotU提升到Vin，在Vout>Vin時，電晶體 311變成0FF，不產生充電作用。 但是，在Vout<Vin時，在輸出電壓Vout高速變化至 vin之前之情況，輸出電壓Vout之變化至反映在充電作 用只有稍微之回應延遲，產生過衝（過充電）。 另外一方面，放電裝置61之構造是應用將日本國專 利案特開平1 1 -259052號公報之構造變更一之部份者， 具備有·· N通道MOS電晶體601，其汲極連接到輸出端 子2，源極連接到低位電源電壓VSS ;和閘極偏壓控制 裝置62，以輸入電壓Viri作爲參考電壓，依照輸出電 壓Vout用來控制N通道MOS電晶體601之閘極電壓。 閘極偏壓控制裝置62之構成具備有：電容元件602， 以其一端連接到N通道MOS電晶體601之閘極；開關 6 Π，連接到輸入端子1和電容元件602之另外一端之 間；開關6 1 1，連接在輸入端子1和電容元件602之另 外一端之間；開關6 1 3，連接在輸出端子2和電容元件 6 02之另外一端之間；和開關6 1 2，控制成對N通道 M0S電晶體601之閘極進行電壓Vref之供給或中斷。 該電壓Vref被施加作爲閘極偏壓電壓，用來使N通道 M0S電晶體601之閘極•源極間電壓成爲臨限値電壓附 近。 第49圖是時序圖，表示在本實施例之驅動電路中， 將輸出電壓Vout驅動成爲與輸入電壓Vin相等之電壓 之1個輸出期間之開關6 1 1，6 1 2，6 1 3之控制。下面參 -66- 529240 五、發明說明（65) 照第48圖和第49圖用來說明本實施例之閘極偏壓控制 裝置62之作用。 在1個輸出期間之開始時，於期間tO-tl間，使開關 61 1和開關612 —起進行ON。這時在N通道M0S電晶 體6 01被施加有電壓Vref作爲閘極偏壓，用來使N通 道MOS電晶體601之閘極•源極間電壓變成爲在臨限 値電壓附近，藉以將從輸出端子2朝向低位電源電壓 V S S之放電電流抑制成爲很小。 當開關6 1 1和開關6 1 2 —起進行ON時，電容元件 602在其一端被供給有電壓Vref，在其另外一端被供給 有輸入電壓Vin，用來保持Vin和Vref之電壓差。 然後，在期間11，於開關61 1和開關612之OFF之後 ，開關6 1 3進行ON，在期間11 -t2間保持該狀態。這時 ，電容元件602之一端連接到N通道MOS電晶體601 之閘極，另外一端經由ON狀態之開關6 1 3連接到輸出 端子2，其作用是用來保持被保持在電容元件602之兩 端之輸入端子電壓Vin和電壓Vref之電壓差。 因此，當開關613變成爲ON時，在輸出電壓Vout高 於Vin之情況，N通道MOS電晶體601之閘極電壓被提 升，N通道MOS電晶體601之閘極•源極間電壓變大， 利用與輸出電壓V 〇 u t和V i η之電壓差對應之放電能力 ，產生放電作用。 然後，當輸出電壓Vout下降至Vin時，Ν通道MOS 電晶體60 1之閘極•源極間電壓變成爲在臨限値電壓附 -67- 529240 五、發明說明（66 ) 近，大致停止放電作用，使輸出電壓Vout穩定。 另外一方面，當開關6 1 3變成ON時，在輸出電壓 Vout低於Vin之情況，N通道M0S電晶體601之閘 極•源極間電壓變成爲低於臨限値電壓，不產生N通道 Μ Ο S電晶體6 0 1之放電作用。 閘極偏壓控制裝置62可以使輸出電壓之變化經由電 容元件602大致不會延遲的反映在Ν通道MOS電晶體 601之閘極偏壓，所以放電裝置61使高於Vin之輸出電 壓Vout快速的放電至Vin和使其穩定化。 另外，代替電容元件602者，亦可以使用具有相同作 用之電壓保持裝置。亦即，亦可以具有電壓保持裝置， 對輸入電壓Vin和電壓Vref之差電壓進行取樣和閂鎖， 將被閂鎖之差電壓保持在輸出端子和N通道MO S電晶 體601之閘極之間。 上述方式之本實施例之驅動電路，在輸出電壓Vout 低於輸入電壓Vin之情況，可以利用回授型充電裝置i i 將輸出電壓Vout高速的提升至Vin,這時，即使產生稍 微之過衝（過充電），亦可以利用放電裝置6 1使其快速的 下降至Vin，成爲穩定之輸出。另外一方面，在輸出電 壓Vout高於輸入電壓之情況，利用放電裝置61使其下 降至Vin，成爲穩定之輸出。 另外，第48圖所示之驅動電路之動作範圍可以是以 N通道MOS電晶體進行放電動作之從低位電源電壓VSS 到高位電源電壓VDD之電源電壓範圍。 -68- 529240 五、發明說明（67) 另外，在本實施例之驅動電路中，所說明者是組合有 回授型充電裝置Π和放電裝置6 1之驅動電路，但是對 於組合有回授型放電裝置和充電裝置之構造亦可以很@ 易貫現。 在此種情況，與第48圖所示之放電裝置6 1對應的， 同樣構造之充電裝置（不是源極隨動器型），除了極性與 放電裝置6 1之構造對稱外，成爲同樣的構造。亦即， 充電裝置具備有P通道MOS電晶體連接在高位側電源 和輸出端子（2)之間，在P通道MOS電晶體之閘極和被 施加電壓Vref之電壓輸入端子之間，插入有第1開關， 其構成具備有；電容，其一端連接到P通道MOS電晶 體之閘極；第2開關，連接在該電容之另外一端和輸入 端子間；和第3開關，連接在輸出端子和電容之另外一 端之間。與放電裝置61，除了放電，充電不同外，開關 之控制與第49圖所示者相同。 在驅動電路之1個輸出期間之開始時，於期間tO-t 1 間（參照第49圖），第1，第2開關一起進行ON。這時 在P通道MOS電晶體被施加有電壓Vref作爲閘極偏壓 ，P通道MOS電晶體之閘極•源極間電壓變成爲臨限値 電壓附近，可以將從高位側電源電壓VDD朝向輸出端 子2之充電電流抑制成爲很小。 當第1，第2開關均爲ON時，電容元件之一端被供 給有電壓Vref，另外一端被供給有輸入電壓Vin，用來 保持Vin和Vref之電壓差。在第49圖之期間tl，於第 69- 529240 五、發明說明（68 ) 1，第2開關成爲OFF之後，第3開關進行ON，在期間 11 -t2間保持該狀態。這時，電容元件之一端連接到P通 道M0S電晶體之閘極，另外一端經由ON狀態之第3開 關連接到輸出端子，其作用是用來保持被保持在電容元 件之兩端之輸入端子電壓Vin和電壓Vref之電壓差。 因此，當第3開關變成ON時，在輸出電壓Vout低於 Vin之情況，P通道MOS電晶體之閘極偏壓下降，P通 道MOS電晶體之閘極•源極間電壓變大，利用與輸出 電壓Vo lit和Vin之電壓差對應之充電能力產生充電作 用。 另外，當輸出電壓Vout上升至Vin時，P通道MOS 電晶體之閘極•源極間電壓變成爲臨限値電壓附近，充 電作用大致停止，使輸出電壓Vout成爲穩定。 另外一方面，當第3開關成爲ON時，在輸出電壓 Vout高於Vin之情況，P通道MOS電晶體之閘極•源 極間電壓成爲低於臨限値電壓，不產生P通道Μ Ο S電 晶體之充電作用。 在此種情況，充電裝置之閘極偏壓控制裝置因爲可以 經由電容元件，將輸出電壓之變化，大致不延遲的反映 在Ρ通道MOS電晶體之閘極偏壓，所以充電裝置可以 將低於V i η之輸出電壓V 〇 ut快速的充電至V i η和使其 穩定化。 在此種情況，代替電容元件者，亦可以使用具有相同 作用之電壓保持裝置。亦即，亦可以具有電壓保持裝置 -70- 529240 五、發明說明（69) 對輸入電壓Vin和電壓Vref之差電壓進行取樣和閂鎖’ 將被閂鎖之差電壓保持在輸出端子和進行充電作用之P 通道MOS電晶體之閘極之間。 亦可以構建成將第48圖所示之放電裝置61或上述之 充電裝置分別替換成爲上述之本發明之各個實施例之驅 動電路之源極隨動器放電裝置4 1或源極隨動器充電裝 置42，本發明包含該等之所有組合。 [發明之效果] 依照以上所說明之本發明時，經由組合未具有相位補 償電容之電壓隨動器構造之回授型充電（放電)裝置和源極 隨動器放電（充電）裝置，當與具備有相位補償電容之運 算放大器比較時，可以達成高速穩定動作，可以降低消 耗電力。 另外，本發明經由具備有輸出波形之振動抑制用之電 容，在每次之大電容負載之驅動時，可以抑制振動獲得 平滑之輸出波形。 另外，依照本發明時，即使是源極隨動器以外之構造 ，亦可以實現不需要相位補償電容之回授型放大電路或 驅動電路。 [圖式之簡單說明] 第1圖是方塊圖，用來表示本發明之第1實施例之構 造。 第2圖是方塊圖，用來表示本發明之第2實施例之構 造。 -71 - 529240 五、發明說明（7〇) 第3圖表示本發明之第1實施例之源極隨動器放電裝 置4 1之構造。 第4圖表示本發明之第1實施例之回授型充電裝釐n 之構造。 第5圖表示本發明之第1實施例之輸出電壓波形。 第6圖表示本發明之第2實施例之源極隨動器充電裝 置42之構造。 第7圖表示本發明之第2實施例之回授型放電裝置12 之構造。 第8圖表示本發明之第2實施例之輸出電壓波形。 第9圖表示第4圖之本發明之第1實施例之閘極偏壓 控制裝置5 1之構造。 第10圖表示第7圖之本發明之第2實施例之閘極偏 壓控制裝置5 2之構造。 第11圖表示第4圖之源極隨動器放電裝置41之變化 例。 第12圖表示第4圖之充電裝置31之變化例。 第1 3圖表示第4圖之回授型充電裝置1 1之變化例。 第1 4圖表示本發明之第3實施例之構造。 第15圖表示第13圖之具體例。 第1 6圖表示第丨5圖之變化例。 第1 7圖表示第丨5圖之源極隨動器放電裝置4 1，源極 隨動器充電裝置42之變化例。 -72- 529240 五、發明說明（71) 第1 8圖表示第1 5圖之變化例。 第1 9圖表示第1 4圖之變化例。 第20圖表示第19圖之變化例。 第21圖表示第19圖之具體例。 第22圖表示第21圖之變化例。 第23圖表示第22圖之變化例。 第24圖表示第20圖之具體例。 第25圖表示第21圖之源極隨動器放電裝置41和源 極隨動器充電裝置42之具體例。 第26圖表示第22圖之源極隨動器放電裝置41和源 極隨動器充電裝置42之具體例。 第27圖表示第23圖之源極隨動器放電裝置41和源 極隨動器充電裝置42之具體例。 第28圖表示第24圖之源極隨動器充放電裝置43之 具體例。 第29圖表示使用第1圖〜第28圖之驅動電路作爲液 晶顯示裝置之資料驅動器之緩衝器之情況時之具體之構 造。 第30圖是第29圖之變化例。 第3 1圖以表之形式表示使用作爲液晶顯示裝置之資 料驅動器之緩衝器之情況時之控制方法。 第32圖以表之形式表示第3 1圖之變化例。 第33圖表示習知之回授放大電路之構造。 第34圖表示在放電裝置具備有源極隨動器電晶體之 -73- 529240 * .· 五、發明說明（72 ) 比較例之構造。 第35圖表示習知之另一回授放大電路之構造。 第3 6圖表示利用第1 5圖之驅動電路驅動大電容負載 之情況時，與最大振幅相當之驅動電壓爲0.2V-6.8V時 之負載近端和負載遠端之輸出電壓波形。 第37圖表示第36圖之輸出延遲時間。 第38圖表示第36圖之驅動電路之高位側電源VDD 之消耗電流之變化。 第3 9圖表示無負載時之輸出波形。 第40圖表示利用第1 5圖之驅動電路對大電容配線負 載驅動，輸出電源電壓範圍之中間附近電壓5V之情況 時之負載近端和負載遠端之輸出電壓波形。 第4 1圖是第40圖之部份擴大圖。 第42圖表示本發明之實施例之變化例（第1 5圖之變化 例）。 第43圖表示利用第42圖之驅動電路對大電容配線負 載驅動，輸出電源電壓範圍之中間附近電壓5 V之情況 時之負載近端和負載遠端之輸出電壓波形。 第44圖是第43圖之部份擴大圖。 第45圖表示本發明之變化例（第27圖之變化例）。 第46圖表示使用在本發明之實施例之驅動電路之性 能評估之大電容負載之等效電路。 第47圖表示本發明之另一實施例之構造。 第48圖表示第47圖之放電裝置61，回授型充電裝置 -74- 529240 t 五、發明說明（73) 1 1之具體例。 第49圖是時序圖，用來表示第48圖之開關動作之一 實例。 [符號之說明] 1 輸入端子. 2 輸出端子 3，4 開關 11 回授型充電裝置 12 回授型放電裝置 21,22 差動段 23 差動段 3 1 充電裝置 32 放電裝置 4 1 源極隨動器放電裝置 42 源極隨動器充電裝置 43 源極隨動器充放電裝置 5 1,52 閘極偏壓控制裝置 61 放電裝置 62 閘極偏壓控制裝置 1 00,1 02 驅動電路（輸出電路） 10 1 開關 200 電阻陣列 2 1 1,2 1 2,3 1 1,4 1 1,4 1 2,223,224,25 1 ，252,253,254,265,266,282 P 通道 MOS 電晶體 -75- 529240 五、發明說明（w ) 2 13,2 14,22 1，222,25 5,256,26 1，262,263,264,265,266 281，321，421，422,431，432 N 通道 MOS 電晶體 215,225,257,267,351，352,413,414， 4 1 5,423,424,425 定電流源 2 1 6,226,26 8 振動抑制電容 300 解碼器 400 輸出端子群 52 1，522,53 1，532,54 1，542,55 1，552,553, 5 59, 561，562,563,554,563,554 開關 601 N通道MOS電晶體 602 振動抑制電容 61 1,612,613 開關 1001，1 002，1 006，1 009 定電流源 1003,1004 P通道MOS電晶體 1 007,1 008 N通道MOS電晶體 1013,1004 開關 1020 電路1 1030 電路2 1040 預充電電路 -76-

Claims (1)

1. 529240 六、申請專利範圍 1. 一種回授型放大電路，其特徵是具備有： 回授型充電裝置，具有：差動段，用來差動輸入其輸入 端子電壓和輸出端子電壓；和充電裝置，根據該差動段之 輸出用來進行該輸出端子之充電作用；進行使該輸出端子 電壓成爲與該輸入端子電壓同相之電壓隨動器之作用；和 隨動器型放電裝置，依照該輸入端子電壓和該輸出端子 電壓之電壓差，利用主動元件之隨動器動作，用來進行該 輸出端子之放電作用。 2. 如申請專利範圍第1項之回授型放大電路，其中該隨動器 型放電裝置具備有： 偏壓控制裝置，用來接受該輸入端子電壓，藉以控制 輸出偏壓電壓；和 隨動器電晶體，連接在該輸出端子和低位側電源之間 ，被輸入有從該偏壓控制裝置輸出之偏壓電壓，根據該輸 出端子電壓和該偏壓電壓之差電壓，用來控制輸出電流。 3. —種回授型放大電路，其特徵是具備有： 回授型放電裝置，具有：差動段，用來差動輸入其輸入 端子電壓和輸出端子電壓；和放電裝置，根據該差動段之 輸出用來進行該輸出端子之放電作用；進行使該輸出端子 電壓成爲與該輸入端子電壓同相之電壓隨動器之作用；和 隨動器型充電裝置，依照該輸入端子電壓和該輸出端子 電壓之電壓差，利用主動元件之隨動器動作，用來進行該 輸出端子之充電作用。 -77-

   申請專利範圍 4. 如申請專利範圍第3項之回授型放大電路，其中該隨動器 型充電裝置具備有： 偏壓控制裝置，用來接受該輸入端子電壓，藉以控制 輸出偏壓電壓；和 隨動器電晶體，連接在該輸出端子和高位側電源之間 ，被輸入有從該偏壓控制裝置輸出之偏壓電壓，根據該輸 出端子電壓和該偏壓電壓之差電壓，用來控制輸出電流。 5. —種回授型放大電路，其特徵是具備有： 回授型充電裝置，具有：差動對偶，使輸入端子和輸出 端子連接到差動輸入端；負載元件，分別連接到該差動對 偶之輸出對偶；和充電電路，包含有連接到該輸出端子之 充電路徑之電晶體，用來將該差動對偶之一輸出端子和該 負載元件之連接點電壓輸入到控制端子；和 隨動器型放電裝置，具有：隨動器構造之電晶體，連接 在該輸出端子和低位側電源間；和二極體連接之電晶體， 插入在該輸入端子和該低位側電源間，以定電流源驅動， 控制端子連接到隨動器構造之電晶體之控制端子。 6. —種回授型放大電路，其特徵是具備有： 回授型放電裝置，具有：差動對偶，使輸入端子和輸出 端子連接到差動輸入端；負載元件，分別連接到該差動對 偶之輸出對偶；和放電電路，包含有連接到該輸出端子之 放電路徑之電晶體，用來將該差動對偶之一輸出端子和該 負載元件之連接點.電壓輸入到控制端子；和 -78- 529240 Γ 六、申請專利範圍 隨動器型充電裝置，具有：隨動器構造之電晶體，連接 在該輸出端子和高位側電源間·，和二極體連接之電晶體， 插入在該輸入端子和該高位側電源間，以定電流源驅動， 控制端子連接到隨動器構造之電晶體之控制端子。 7. —種回授型放大電路，其特徵是具備有： 回授型充電裝置，具有：差動段，包含有用以差動輸入 其輸入端子電壓和輸出端子電壓之差動對偶，和使輸入端 和輸出端分別連接到該差動對偶之輸出對偶之成爲負載 之電流鏡電路；和充電電路，包含有與該電流鏡電路相同 導電型之電晶體，連接在高位側電源和該輸出端子之間， 用來將該電流鏡電路之輸出端和該差動對偶之輸出之連 接點電壓輸入到控制端子；和 隨動器型放電裝置，具有：隨動器構造之電晶體，連接 在該輸出端子和低位側電源間；和二極體連接之電晶體， 插入在該輸入端子和該低位側電源間，以定電流源驅動， 使控制端子連接到隨動器構造之電晶體之控制端子。 8. —種回授型放大電路，其特徵是具備有： 回授型放電裝置，具有：差動段，包含有用以差動輸入 其輸入端子電壓和輸出端子電壓之差動對偶，和使輸入端 和輸出端分別連接到該差動對偶之輸出對偶之成爲負載 之電流鏡電路；和放電電路，包含有與該電流鏡電路相同 導電型之電晶體，連接在低位側電源和該輸出端子之間， 用來將該電流鏡電路之輸出端和該差動對偶之輸出之連 -79- 529240 六、申請專利範圍 接點電壓輸入到控制端子；和 隨動器型充電裝置，具有：隨動器構造之電晶體，連接 在該輸出端子和高位側電源間；和二極體連接之電晶體， 插入在該輸入端子和該高位側電源之間，以定電流源驅 動，使控制端子連接到隨動器構造之電晶體之控制端子。 9. 如申請專利範圍第7項之回授型放大電路，其中在該隨動 器型放電裝置中，在該二極體連接之電晶體和該輸入端子 之連接點，與高位側電源之間亦具有定電流源。 10. 如申請專利範圍第8項之回授型放大電路，其中在該隨 動器型充電裝置中，在該一極體連接之電晶體和該輸入端 子之連接點，與低位側電源之間亦具有定電流源。 11 ·如申請專利範圍第7項之回授型放大電路，其中在該隨 動器型放電裝置中，在該隨動器構造之電晶體和該輸出端 子之連接點，與高位側電源之間具有定電流源。 12.如申請專利範圍第8項之回授型放大電路，其中在該隨 動器型充電裝置中，在該隨動器構造之電晶體和該輸出端 子之連接點，與低位側電源之間具有定電流源。 13 ·如申請專利範圍第7項之回授型放大電路，其中在該回 授充電裝置之該充電電路之該電晶體之控制端子和高位 側電源之間，以及在該充電電路之該電晶體之控制端子和 低位側電源之間，分別具有定電流源。 14.如申請專利範圍第8項之回授型放大電路，其中在該回 授放電裝置之該放電電路之該電晶體之控制端子和高位 -80- 529240 六、申請專利範圍 側電源之間，以及在該放電電路之該電晶體之控制端子和 低位側電源之間，分別具有定電流源。 15. 如申請專利範圍第7項之回授型放大電路，其中構成該 差動對偶之電晶體對偶中之以該輸出端子電壓作爲輸入 之電晶體之輸出，連接到該電流鏡電路之輸入端，和以該 輸入端子電壓作爲輸入之電晶體之輸出，連接到該電流鏡 電路之輸出端。 16. 如申請專利範圍第7項之回授型放大電路，其中 在該差動段，具備有多個電晶體共同輸入該輸入端子 電壓，該差動段之該電流鏡電路以其輸入端連接到以該輸 出端子電壓作爲輸入之電晶體之輸出，和具有多個輸出 端；和 該差動段之該電流鏡電路之多個輸出端，共同連接到 以該輸入端子電壓作爲共同輸入之電晶體之共同連接之 多個輸出，和連接該充電電路之電晶體之控制端子。 17. 如申請專利範圍第7項之回授型放大電路，其中 在該差動段，構成該差動對偶之電晶體對偶中之以該輸 入端子電壓作爲輸入之電晶體，其電流驅動能力是以該輸 出端子電壓作爲輸入之電晶體之電流驅動能力之指定倍 ，該差動段之該電流鏡電路以其輸入端連接到以該輸出端 子電壓作爲輸入之電晶體之輸出，構成輸出端之電晶體之 電流驅動能力是構成輸入端之電晶體之電流驅動能力之 指定倍； -81 529240 六、申請專利範圍 該差動段之該電流鏡電路之輸出端’和以該輸入端子電 壓作爲輸入之電晶體之連接點，連接到該充電電路之電晶 體之控制端子。 18. 如申請專利範圍第8項之回授型放大電路’其中 在該差動段，具備有多個電晶體共同輸入該輸入端子 電壓，該差動段之該電流鏡電路以其輸入端連接到以該輸 出端子電壓作爲輸入之電晶體之輸出，和具有多個輸出 端；和 該差動段之該電流鏡電路之多個輸出端，共同連接到 以該輸入端子電壓作爲共同輸入之電晶體之共同連接之 多個輸出，和連接該放電電路之電晶體之控制端子。 19. 如申請專利範圍第8項之回授型放大電路，其中 在該差動段，構成該差動對偶之電晶體對偶中之以該輸 入端子電壓作爲輸入之電晶體，其電流驅動能力是以該輸 出端子電壓作爲輸入之電晶體之電流驅動能力之指定倍 ，該差動段之該電流鏡電路以其輸入端連接到以該輸出端 子電壓作爲輸入之電晶體之輸出，構成輸出端之電晶體之 電流驅動能力是構成輸入端之電晶體之電流驅動能力之 指定倍； 該差動段之該電流鏡電路之輸出端，和以該輸入端子電 壓作爲輸入之電晶體之連接點，連接到該放電電路之電晶 體之控制端子。 20. —種回授型放大電路，其特徵是具備有： -82- 529240 六、申請專利範圍 第1回授型放大電路，具有： 回授型充電裝置，進行電壓隨動器之作用，具有： 第1差動段，用來差動輸入其輸入端子電壓和輸出端 子電壓；和 充電裝置，根據該第1差動作之輸出用來進行該輸出 端子之充電作用；和 隨動器型放電裝置，依照該輸入端子電壓和該輸出端 子電壓之電壓差，利用主動元件之隨動器動作，用來進行 該輸出端子之放電作用；和 第2回授型放大電路，具有： 回授型放電裝置，進行電壓隨動器之作用，具有：第2 差動段，用來差動輸入該輸入端子電壓和輸出端子電壓； 和放電裝置，根據該第2差動段之輸出用來進行該輸出端 子之放電作用；和 隨動器型充電裝置，依照該輸入端子電壓和該輸出端 子電壓之電壓差，利用主動元件之隨動器動作，用來進行 該輸出端子之充電作用$ 該輸入端子經由被動作控制信號變換控制之第1變換 開關，連接到第1，第2回授型放大電路之一方；和 該輸出端子經由被該動作控制信號變換控制之第2變 換開關，連接到該第1，第2回授型放大電路。 21.如申請專利範圍第20項之回授型放大電路，其中 該隨動器型放電裝置具備有： -83- 529240 * « 六、申請專利範圍 第1偏壓控制裝置，用來接受該輸入端子電壓，藉以 控制輸出偏壓電壓；和 隨動器電晶體，連接在該輸出端子和低位側電源之間， 被輸入從該第1偏壓控制裝置輸出之偏壓電壓；和 該隨動器型充電裝置具備有： 第2偏壓控制裝置，用來接受該輸入端子電壓，藉以 控制輸出偏壓電壓；和 隨動器電晶體’連接在局位側電源和該輸出端子之間’ 被輸入該第2偏壓控制裝置之偏壓電壓。 22.—種回授型放大電路，其特徵題具備有： 第1回授型放大電路，具備有： 回授型充電裝置，具有： 第1差動段，包含有：第1差動對偶，用來差動輸入其 輸入端子電壓和輸出端子電壓，被第1定電流源驅動；和 第1電流鏡電路，其輸入端和輸出端分別連接在該第1差 動對偶中之用以輸入該輸出端子電壓之電晶體之輸出端 和用以輸入該輸入端子電壓之電晶體之輸出端；和 充電電路，包含有與該第1電流鏡電路同一導電型之 第1電晶體，連接在高位側電源和該輸出端子之間，用來 將該第1電流鏡電路之輸出端和該第1差動段之輸出之連 接點電壓輸入到控制端子；和 隨動器型放電裝置，具有： 隨動器構造之第2電晶體，連接在該輸出端子和低位 -84- 529240 六、申請專利範圍 側電源間；和 二極體連接之第3電晶體，插入在該輸入端子和該低 位側電源間，被第2定電流源驅動，其控制端子連接到該 隨動器構造之電晶體之控制端子； 第2回授型放大電路，具備有： 回授型放大裝置，具有： 第2差動段，包含有：第2差動對偶，用來差動輸入其 輸入端子電壓和輸出端子電壓，被第3定電流源驅動；和 第2電流鏡電路，其輸入端和輸出端分別連接在該第2差 動對偶中之用以輸入該輸出端子電壓之電晶體之輸出端 和用以輸入該輸入端子電壓之電晶體之輸出端；和 放電電路，包含有與該第2電流鏡電路同一導電型之 第4電晶體，連接在低位側電源和該輸出端子之間，用來 將該第2電流鏡電路之輸出端和該第2差動段之輸出之連 接點電壓輸入到控制端子；和 隨動器型充電裝置，具有； 隨動器構造之第5電晶體’連接在該輸出端子和高位 側電源間；和 二極體連接之第6電晶體’插入在該高位側電源和該 輸入端子間，被第4定電流源驅動’其控制端子連接到 該驅動器構造之第5電晶體之控制端子；和 控制裝置，用來控制該回授型充電裝置和回授型放電 裝置之至少一方成爲非活性’和控制該第1差動段，該隨 -85- 529240 暴叙 j 六、申請專利範圍 動器放電裝置，該第2差動段，和該隨動器充電裝置之活 性化和非活性化。 23. 如申請專利範圍第22項之回授型放大電路，其中具備有： 第1開關，連接在該第1差動對偶和該低位側電源間， 與該第1定電流源成爲串聯形態； 第2開關，連接在該輸出端子和該低位側電源間，與 該第2電晶體成爲串聯形態； 第3開關，連接在該第3電晶體和該低位側電源間，與 該第2定電流源成爲串聯形態； 第4開關，連接在該第2差動對偶和該高位側電源間， 與該第3定電流源成爲串聯形態； 第5開關，連接在該輸出端子和該高位側電源間，與 該第5電晶體成爲串聯形態；和 第6開關，連接在該第6電晶體和該高位側電源間，與 該第4定電流源成爲串聯形態； 該第1至第3開關，和該第4至第6開關依照動作控制 信號分別被控制成爲ON，OFF，該第1開關和該第4開 關之至少一方爲OFF。 24. 如申請專利範圍第23項之回授型放大電路，其中 在該第3電晶體和該輸入端子之連接點，與該高位側 電源間，連接有第5定電流源和第7開關成爲串聯形態； 在該第6電晶體和該輸入端子之連接點，與該低位側 電源之間，連接有第6定電流源和第8開關成爲串聯形態 -86 - 529240 * * 六、申請專利範圍 :和 依照該動作控制信號，該第7開關與該第2，該第3開 關同步的成爲ON，OFF，該第8開關與該笫5，該第6開 關同步的成爲ON，OFF。 25. 如申請專利範圍第22項之回授型放大電路，其中在該輸 出端子和預充電用電源用具備有第9開關。 26. 如申請專利範圍第22項之回授型放大電路，其中 在該隨動器放電裝置具備有第7電流源和第9開關，連 接在該隨動器構造之第2電晶體和該輸出端子之連接 點，與該高位側電源之間，成爲串聯形態；和 在該隨動器型充電裝置具備有第8電流源和第1 0開關 ，連接在該隨動器構造之第5電晶體和該輸出端子之連接 ，與該低位側電源之間，成爲串聯形態。 27. 如申請專利範圍第22項之回授型放大電路，其中 該隨動器型放電裝置具備有第7電晶體，連接在該輸 入端子和該第2定電流源間，與該第3電晶體並聯連接， 被指定之偏壓電壓偏移；和 該隨動器型充電裝置具備有第8電晶體，連接在該輸 入端子和該第4定電流源間，與該第6電晶體並聯連接， 被指定之偏壓電壓偏移。 28. —種回授型放大電路，其特徵是具備有： 差動段，用來差動輸入其輸入端子電壓和輸出端子電 壓； -87- 529240 瘺i 六、申請專利範圍 充電裝置，根據該差動段之輸出用來進行該輸出端子 之充電作用； 隨動器型放電裝置，依照該輸入端子電壓和該輸出端 子電壓之電壓差，利用主動元件之隨動器動作，用來進行 該輸出端子之放電作用； 放電裝置，根據該差動段之輸出用來進行該輸出端子 之放電作用；和 隨動器型充電裝置，依照該輸入端子電壓和該輸出端 子電壓之電壓差，利用主動元件之隨動器動作，用來進行 該輸出端子之充電作用； 依照被輸入之動作控制信號之値，用來控制該充電裝 置和該放電裝置，該隨動器型放電裝置和該隨動器型充電 裝置之動作。 29.—種回授型放大電路，其特徵是具備有： 差動段，用來差動輸入其輸入端子電壓和輸出端子電 壓； 充電裝置，根據該差動段之輸出用來進行該輸出端子 之充電作用； 放電裝置，根據該差動段之輸出用來進行該輸出端子 之放電作用；和 隨動器型充放電裝置，依照該輸入端子電壓和該輸出 端子電壓之電壓差，利用主動元件之隨動器動作，用來進 行該輸出端子之充電作用，和依照該輸入端子電壓和該輸 -88 - 529240 六、申請專利範圍 出端子電壓之電壓差，利用主動元件之隨動器動作，用來 進行該輸出端子之放電作用； 依照被輸入之控制信號之値，用來控制該充電裝置和 該放電裝置，該隨動器型充放電裝置之動作。 30.—種回授型放大電路，其特徵是具備有： 第1差動段，包含有：第1差動對偶，用來差動輸入其 輸入端子電壓和輸出端子電壓，被第1定電流源驅動；和 第1，第2電流鏡電路，分別以其輸入端連接到該第1差 動對偶之輸出對偶； 充電電路，包含有與該第2電流鏡電路相同導電型之 第1電晶體，連接在高位側電源和該輸出端子之間，用來 將該第2電流鏡電路之輸出端，輸入到控制端子； 第2差動段，包含有：第2差動對偶，用來差動輸入該 輸入端子電壓和輸出端子電壓，被第2定電流源驅動；和 第3，第4電流鏡電路，分別以其輸入端連接到該第2差 動對偶之輸出對偶； 放電電路，包含有與該第4電流鏡電路相同導電型之第 2電晶體，連接在低位側電源和該輸出端之間，用來將該 第4電流鏡電路之輸出端’輸入到控制端子； 該第1和第3電流鏡電路之輸出端子間互相連接，該第 2和第4電流鏡電路之輸出端子間互.相連接； 隨動器型放電裝置，依照該輸入端子電壓和該輸出端子 電壓之電壓差，利用第3電晶體之隨動器動作，用來進行 -89- 六、申請專利範圍 該輸出端子之放電作用； 隨動器型充電裝置，依照該輸入端子電壓和該輸出端子 電壓之電壓差，利用第4電晶體之隨動器動作，用來進行 該輸出端子之充電作用；和 控制裝置，用來控制該放電電路和該充電電路之至少一 方使其非活性化，和用來控制該隨動器型放電裝置和該隨 動器充電裝置之活性化和非活性化。 3 1 ·如申請專利範圍第30項之回授型放大電路，其中具備有： 第1開關，連接在該高位側電源和該輸出端子之間， 與該第1電晶體成爲串聯連接；和 第2開關，連接在該低位側電源和該輸出端子之間， 與該第2電晶體成爲串聯連接； 該第1，第2開關依照動作控制信號，至少有一方被控 制爲OFF。 3 2.如申請專利範圍第30項之回授型放大電路，其中具備有： 與該第2電流鏡電路相同導電型之第5電晶體，插入在 該第2電流鏡電路之輸入端和該第1差動對偶之輸出之連 接點，與該第1和第3電流鏡電路之輸出端之連接點之 間，用來將該第2和第4電流鏡電路之輸出端之連接點之 電壓，輸入到控制端子；和 與該第4電流鏡電路相同導電型之第6電晶體，插入在 該第4電流鏡電路之輸入端和該第2差動對偶之輸出之連 .接點，與該第1和第3電流鏡電路之輸出端之連接點之間， 用來將該第2和第4電流鏡電路之輸出端之連接點之電壓 ，輸入到控制端子。 33.如申請專利範圍第30項之回授型放大電路，其中 -90- 529240 六、申請專利範圍 在該充電電路，於該第1電晶體之控制端子和該高位 側電源之間具備有第3開關；和 在該放電電路’於該第2電晶體之控制端子和該低位 側電源之間具備有第4開關。 34·—種回授型放大電路，其特徵是具備有： 第1差動段，包含有：第1差動對偶，用來差動輸入其 輸入端子電壓和輸出端子電壓，被第1定電流源驅動；和 第1，第2電流鏡電路，分別以其輸入端連接到該第1差 動對偶之輸出對偶； 充電電路，包含有與該第2電流鏡電路相同導電型之 第1電晶體，連接在高位側電源和該輸出端子之間，用來 將該第2電流鏡電路之輸出端，輸入到控制端子； 第2差動段，包含有：第2差動對偶，用來差動輸入該 輸入端子電壓和輸出端子電壓，被第2定電流源驅動；和 第3，第4電流鏡電路，分別以其輸入端連接到該第2差 動對偶之輸出對偶； 放電電路，包含有與該第4電流鏡電路相同導電型之第 2電晶體，連接在低位側電源和該輸出端之間，用來將該 第4電流鏡電路之輸出端，輸入到控制端子； 該第1和第3電流鏡電路之輸出端子間互相連接，該第 2和第4電流鏡電路之輸出端子間互相連接； 與該第2電流鏡電路相同導電型之第3電晶體，插入在 該第2電流鏡電路之輸入端和該第1差動對偶之輸出之連 -91 - 529240 六、申請專利範圍 接點，與該第1和第3電流鏡電路之輸出端之連接點之間， 用來將該第2和第4電流鏡電路之輸出端之連接點之電壓 ，輸入到控制端子；和 與該第4電流鏡電路相同導電型之第4電晶體，插入在 該第4電流鏡電路之輸入端和該第2差動對偶之輸出之連 接點，與該第1和第3電流鏡電路之輸出端之連接點之間 ，用來將該第2和第4電流鏡電路之輸出端之連接點之電 壓，輸入到控制端子； 隨動器型充放電裝置，依照該輸入端子電壓和該輸出端 子電壓之電壓差，利用第5電晶體之隨動器動作，用來進 行該輸出端子之放電作用，和依照該輸入端子電壓和該輸 出端子電壓之電壓差，利用第6電晶體之隨動器動作，用 來進行該輸出端子之充電作用；和 控制裝置，用來控制該放電電路和該充電電路之至少一 方使其非活性化，和控制該隨動器型充放電裝置之活性化 和非活性化。 35.如申請專利範圍第34項之回授型放大電路，其中具備有： 第1開關，連接在該高位側電源和該輸出端子之間， 與該第1電晶體成爲串聯形態； 第2開關，連接在該低位側電源和該輸出端子之間， 與該第2電晶體成爲串聯形態； 第3開關，插入在該第1電晶體之控制端子和該高位側 電源間；和 -92- 529240 六、申請專利範圍 第3開關，插入在該第2電晶體之控制端子和該低位側 電源間。 3 6.如申請專利範圍第30項之回授型放大電路，其中 該隨動器型放電裝置具備有二極體連接之第7電晶體， 插入在該輸入端子和該低位側電源間，其控制端子連接到 該隨動器構造之第3電晶體之控制端子； 在該第7電晶體和該低位側電源間，連接有第3定電流 源和第5開關成爲串聯形態； 在該第3電晶體和該低位側電源間，連接有第6開關； 在該第3電晶體和該輸出端子之連接點，與該高位側電 源間，連接有第4定電流源和第7開關成爲串聯形態； 在該第7電晶體和該輸入端子之連接點，與該高位側電 源間，連接有第5定電流源和第8開關成爲串聯形態； 該隨動器型充電裝置具備有二極體連接之第8電晶體 ，插入在該輸入端子和該高位側電源間，其控制端子連接 到該隨動器構造之第4電晶體之控制端子； 在該第8電晶體和高位側電源間，連接有第6定電流源 和第9開關，成爲串聯形態； 在該第4電晶體和該高位側電源間連接有第10開關； 在該第4電晶體和該輸出端子之連接點，與該低位側電 源間，連接有第7定電流源和第11開關成爲串聯形態； 和 在該第8電晶體和該輸入端子之連接點，與該低位側電 -93- 529240 六、申請專利範圍 源間，連接有第8定電流源和第12開關成爲串聯形態。 37. 如申請專利範圍第34項之回授型放大電路，其中 在該充電電路，於該第1電晶體之控制端子和該高位 側電源之間具備有第13開關；和 在該放電電路，於該第2電晶體之控制端子和該低位 側電源之間具備有第14開關。 38. 如申請專利範圍第32項之回授型放大電路，其中 該隨動器型放電裝置具備有二極體連接之第7電晶體， 插入在該輸入端子和該低位側電源間，其控制端子連接到 該隨動器構造之第3電晶體之控制端子； 在該第7電晶體和該低位側電源間，連接有第3定電流 源； 在該輸出端子和該低位側電源間，連接第5開關成爲串 聯形態； 在該輸入端子和該第3定電流源間，具備有第9電晶體 ，與該第7電晶體並聯連接，被指定之偏壓電壓偏移； 該隨動器型充電裝置具備有二極體連接之第8電晶體 ，插入在該輸入端子和該高位側電源間，其控制端子連接 到該隨動器構造之第4電晶體之控制端子； 在該第8電晶體和高位側電源間之間，連接有第4定電 流源； 在該輸出端子和該高位側電源間，連接有第6開關成爲 與該第4電晶體串聯之形態；和 -94- 529240 六、申請專利範圍 在該輸入端子和該第4定電流源間具備有第1〇電晶體 ，與ft蠢8電晶體並聯連接，被指定之偏壓電壓偏移。 r v; 39. — 远授型放大電路，其特徵是在申請專利範圍第1 項之型放大電路中，構建成未包含有由電容元件形成 之相丨員裝置。 40. —種回授型放大電路，其特徵是具備有： 回授型充電裝置，由未具有相位補償電容之電壓隨動 器電路構成，用來將與輸入端子同相之電壓輸出到輸出 端子；和 放電裝置，利用連接到該輸出端子之被一定電壓偏移之 源極隨動器或射極隨動器構造之電晶體，用來使上述之輸 出端子進行進行放電。 41. 一種回授型放大電路，其特徵是具備有： 回授型放電裝置，由未具有相位補償電容之電壓隨動 器電路構成，用來將與輸入端子同相之電壓輸出到輸出 端子；和 充電裝置，利用連接到該輸出端子之被一定電壓偏移之 源極隨動器或射極隨動器構造之電晶體，用來使上述之輸 出端子進行進行充電。 42. —種驅動電路，其特徵是使申請專利範圍第1項之該回 授型放大電路成爲輸出電路，從連接在第1，第2基準電 壓間之電阻串之多個分接頭取出多個電壓，利用選擇電路 從該多個電壓中選擇出電壓作爲該輸出電路之輸入。 -95 - 529240 六、申請專利範圍 43·如申請專利範圍第42項之驅動電路，其中該輸出電路包 含有開關用來使該輸入電壓直接輸出或加以中斷。 44.如申請專利範圍第42項之驅動電路，其中驅動被連接到 該輸出端子之該電容性負載。 45·—種液晶顯示裝置，其特徵是液晶顯示裝置之驅動電路 具備有申請專利範圍第42項之驅動電路。 46. —種運算（OP)放大器，被使用作爲電壓隨動器電路，在 非反相輸入端子被輸入有輸入信號，其輸出信號回授輸入 到反相輸入端子；其特徵是具備有： 充電裝置，根據該輸入信號和該輸出信號之差動輸入 之差動段之輸出，用來對該OP放大器之輸出端進行充電； 偏壓控制裝置，根據該輸入信號用來控制輸出偏壓電 壓；和 放電裝置，具備有源極隨動器或射極隨動器構造之電 晶體，插入在該OP放大器之輸出端子之放電路徑，以從 該偏壓控制裝置輸出之偏壓作爲輸入。 47. —種運算（OP)放大器，被使用作爲電壓隨動器電路，在 非反相輸入端子被輸入有輸入信號，其輸出信號回授輸入 到反相輸入端子；其特徵是具備有： 放電裝置，根據該輸入信號和該輸出信號之差動輸入 之差動段之輸出，用來對該OP放大器之輸出端進行放電； 偏壓控制裝置，根據該輸入信號用來控制輸出偏壓電壓 :和 -96- 529240 々、申請專利範圍 充電裝置，具備有源極隨動器或射極隨動器構造之電晶 體，插入在該op放大器之輸出端子之充電路徑，以從該 偏壓控制裝置輸出之偏壓作爲輸入。 48. —種運算（OP)放大器，被使用作爲電壓隨動器電路，在 非反相輸入端子被輸入有輸入信號’其輸出信號回授輸入 到反相輸入端子；其特徵是具備有： 充電裝置，根據該輸入信號和該輸出信號之差動輸入 之差動段之輸出，用來對該OP放大器之輸出端進行充電； 放電裝置，根據該輸入信號和該輸出信號之差動輸入 之差動段之輸出，用來使該OP放大器之輸出端子進行放 電； 第1偏壓控制裝置，根據該輸入信號用來控制輸出偏 壓電壓； 隨動器型放電裝置，具備有源極隨動器或射極隨動器 構造之電晶體，插入在該OP放大器之輸出端子之放電路 徑，以從該偏壓控制裝置輸出之偏壓電壓作爲輸入； 第2偏壓控制裝置，根據該輸入信號用來控制輸出偏 壓電壓； 隨動器型充電裝置，具備有源極隨動器或射極隨動器 構造之電晶體，插入在該OP放大器之輸出端子之充電路 徑，以從該第2偏壓控制裝置輸出之偏壓電壓作爲輸入； 和 具備有控制裝置，控制成使該充電裝置和該放電裝置 -97- 529240 六、申請專利範圍 之至少一方成爲非活性。 49. 一種緩衝器電路，其特徵是具備有放電裝置，根據輸入 端子電壓和輸出端子電壓之電壓差，用來進行該輸出端子 之放電作用。 50. —種緩衝器電路，其特徵是具備有充電裝置，根據輸入 端子電壓和輸出端子電壓之電壓差，用來進行該輸出端子 之充電作用。 51. —種緩衝器電路，其特徵是具備有：放電裝置，根據輸 入端子電壓和輸出端子電壓之電壓差，用來進行該輸出 端子之放電作用；和充電裝置，根據該輸入端子電壓和該 輸出端子電壓之電壓差，用來進行該輸出端子之充電作用。 52. 如申請專利範圍第49項之緩衝器電路，其中該放電裝置 具備有： 偏壓控制裝置，用來接受該輸入端子電壓藉以控制輸 出偏壓電壓；和 隨動器電晶體，連接在該輸出端子和低位側電源之 間’被輸入有從該偏壓控制裝置輸出之偏壓電壓，根據該 輸出端子電壓和該偏壓電壓之差電壓用來控制輸出電流。 53. 如申請專利範圍第50項之緩衝器電路，其中該充電裝置 具備有： 偏壓控制裝置，用來接受該輸入端子電壓藉以控制輸 出偏壓電壓；和 隨動器電晶體，連接在該輸出端子和高位側電源之 -98- 529240 六、申請專利範圍 間，被輸入有從該偏壓控制裝置輸出之偏壓電壓，根據該 輸出端子電壓和該偏壓電壓之差電壓用來控制輸出電流。 54. 如申請專利範圍第1項之回授型放大電路，其中在該差 動段之輸出和該輸出端子之間，具備有負載驅動時之輸出 波形之振動抑制用之電容。 55. 如申請專利範圍第5項之回授型放大電路，其中在該差 動對偶之輸出和該輸出端子之間，具備有負載驅動時之輸 出波形之振動抑制用之電容。 5 6.如申請專利範圍第20項之回授型放大電路，其中在該第 1差動段之輸出和該輸出端子之間，該第2差動段之輸出 和該輸出端子之間，具備有負載驅動時之輸出波形之振動 抑制用之電容。 57. 如申請專利範圍第22項之回授型放大電路，其中在該第 1差動對偶之用以輸入該輸入端子電壓之電晶體之輸出端 和該輸出端子之間，該第2差動對偶之用以輸入該輸入端 子電壓之電晶體之輸出端和該輸出端子之間，具備有負載 驅動時之輸出波形之振動、|卩用之電容。 娜赛::料 58. 如申請專利範圍第铮來輝遂#：器，其中在該差動段 之輸出和該輸出端子之間，具備有負載驅動時之輸出波形 之振盪抑制用之電容。 5 9. —種回授型放大電路，其特徵是具備有： 回授型充電裝置，進行電壓隨動器之作用’用來使該 輸出端子電壓成爲與該輸入端子電壓同相，具備有：差動 -99- 529240 々、申請專利範圍 段，用來差動輸入其輸入端子電壓和輸出端子電壓；和充 電裝置，根據該差動段之輸出，用來進行該輸出端子之充 電作用； 放電裝置，具有：電晶體，連接在該輸出端子和低位 側電源之間；和偏壓控制裝置，用來控制該電晶體之控制 端子之偏壓電壓；和 電壓保持裝置，在該放電裝置具備有偏壓電壓供給裝 置，用來對該電晶體之控制端子供給預定之指定之偏壓電 壓，對該輸入端子電壓和來自該偏壓電壓供給端子之該偏 壓電壓之差電壓進行取樣和閂鎖，用來將被閂鎖之差電壓 保持在該輸出端子和該電晶體之控制端子之間。 60.—種回授型放大電路，其特徵是具備有： 回授型充電裝置，具有：差動對偶，具有輸入端子和 輸出端子連接到差動輸入端；負載元件，分別連接到該差 動對偶之輸出對偶；和充電電路，包含有連接到該輸出端 子之充電路徑之電晶體，用來將該差動對偶之一之輸出和 該負載元件之連接點電壓輸入到控制端子； 放電裝置，具有：電晶體，連接在該輸出端子之放電路 徑；和偏壓控制裝置，用來對連接到放電路徑之電晶體之 控制端子控制其偏壓電壓；和 電壓保持裝置’在該放電裝置具備有偏壓電壓供給端 子，用來將預定之指定之偏壓電壓供給到連接至該放電路 徑之該電晶體之控制端子，對該輸入端子電壓和來自該偏 -100- 529240 六、申請專利範圍 壓電壓供給端子之該偏壓電壓之差電壓進行取樣和閂 鎖，將被閂鎖之差電壓保持在該輸出端子和連接到該放電 匯流排之該電晶體之控制端子之間。 61. —種回授型放大電路，其特徵是具備有： 回授型充電裝置，具有：差動段，包含有差動對偶用 來差動輸入其輸入端子電壓和輸出端子電壓，和電流鏡電 路，作爲負載，分別將輸入端和輸出端連接到該差動對偶 之輸出對偶；和充電電路，連接在高位側電源間和該輸出 端子之間，包含有與該電流鏡電路相同導電型之第1導電 型之電晶體，用來將該電流鏡電路之輸出和該差動對偶之 輸出之連接點電壓，輸入到控制端子； 放電裝置，具有：第2導電型電晶體，連接在該輸出端 子和低位側電源之間；和偏壓控制裝置，用來控制該第2 導電型之電晶體之控制端子之偏壓電壓；和 電壓保持裝置，在該放電裝置具備有偏壓電壓供給端 子’用來將預定之指定之偏壓電壓供給到該放電裝置之 該電晶體之控制端子，對該輸入端子電壓和來自該偏壓 壓電壓供給端子之絞編壓電壓之差電壓在進行取樣和閂 鎖’將被閂鎖之差電壓保持在該輸出端子和該放電裝置之 該端子電晶體之控制端子之間。 62. —種回授型放大電路，其特徵是； 在申請專利範圍第20項之回授型放大電路中 代替該隨動器型放電裝置者，具備有放電裝置含有連接 -101 - 529240 六、申請專利範圍 在該輸出端子和低位側電源之間之電晶體，和用以控制該 電晶體之控制端子之偏壓電壓之偏壓控制裝置；和 該放電裝置之偏壓控制裝置具備有偏壓電壓供給端子 ，用來將預定之指定之偏壓電壓供給到該放電裝置之該電 晶體之控制端子，和具備有電壓保持裝置，用來對該輸入 端子電壓和來自該偏壓電壓供給端子之該偏壓電壓之差 電壓進行取樣和閂鎖，將被閂鎖之差電壓保持在該輸出端 子和該放電裝置之該電晶體之控制端子之間。 63. —種回授型放大電路，其特徵是具備有： 回授型充電裝置，用來進行電壓隨動器之作用，使該 輸出端子電壓成爲與該輸入端子電壓同相，具有：差動段 用來差動輸入其輸入端子電壓和輸出端子電壓，和充電裝 置根據該差動段之輸出用來進行該輸出端子之充電作用 ;和 放電裝置，具有電晶體連接在該輸出端子和低位側電 源之間；和偏壓控制裝置用來控制該電晶體之控制端子之 偏壓電壓； 在該放電裝置具備有電容，在輸出期間之開始時，對 該電晶體之控制端子供給預定之指定之偏壓電壓，和經由 〇N狀態之開關將該輸入端子電壓和該偏壓電壓分別施加 到一端和另外一端，用來保持該輸入端子電壓和該偏壓電 壓之差電壓，利用開關進行變換成爲在該電容之一端和另 外一端連接有該輸出端子和該電晶體之控制端子。 -102- 529240 六、申請專利範圍 64. —種回授型放大電路，其特徵是具備有： 回授型充電裝置，具有：差動對偶，具有輸入端子和 輸出端子連接到差動輸入端；負載元件，分別連接到該差 動對偶之輸出對偶；和充電電路，包含有連接到該輸出端 子之充電路徑之電晶體，用來將該差動對偶之一之輸出和 該負載元件之連接點電壓輸入到控制端子； 放電裝置，具有：電晶體，連接在該輸出端子和放電路 徑；和偏壓控制裝置，用來對連接到放電路徑之電晶體之 控制端子控制其偏壓電壓；和 在該放電裝置具備有電容，在輸出期間之開.始時，對 該電晶體之控制端子供給預定之指定之偏壓電壓，和經由 ON狀態之開關將該輸入端子電壓和該偏壓電壓分別施加 到一端和另外一端，用來保持該輸入端子電壓和該偏壓電 壓之差電壓，利用開關進行變換成爲在該電容之一端和另 外一端連接有該輸出端子和該電晶體之控制端子。 65. —種回授型放大電路，其特徵是具備有： 回授型充電裝置，具有：差動段，包含有差動對偶用 來差動輸入其輸入端子電壓和輸出端子電壓和電流鏡電 路，作爲負載，分別將輸入端和輸出端連接到該差動對偶 之輸出對偶；和充電電路，連接在高位側電源間和該輸出 端子之間，包含有與該電流鏡電路相同導電型之第1導電 型之電晶體，用來將該電流鏡電路之輸出和該差動對偶之 輸出之連接點電壓’輸入到控制端子S -103- 529240 六、申請專利範圍 放電裝置，具有：第2導電型電晶體，連接在該輸出端 子和低位側電源之間；和偏壓控制裝置，用來控制該第2 導電型之電晶體之控制端子之偏壓電壓；和 在該放電裝置具備有電容，在輸出期間之開始時，對 該電晶體之控制端子供給預定之指定之偏壓電壓，和經由 〇N狀態之開關將該輸入端子電壓和該偏壓電壓分別施加 到一端和另外一端，用來保持該輸入端子電壓和該偏壓電 壓之差電壓，利用開關進行變換成爲在該電容之一端和另 外一端連接有該輸出端子和該電晶體之控制端子。 66. —種回授型放大電路，其特徵是； 在申請專利範圍第20項之回授型放大電路中 代替該隨動器型放電裝置者，具備有：放電裝置，含有 連接在該輸出端子和低位側電源之間之電晶體；和用以控 制該電晶體之控制端子之偏壓電壓之偏壓控制裝置；和 在該放電裝置具備有電容，在輸出期間之開始時，對 該電晶體之控制端子供給預定之指定之偏壓電壓，和經由 ON狀態之開關將該輸入端子電壓和該偏壓電壓分別施加 到一端和另外一端，用來保持該輸入端子電壓和該偏壓電 壓之差電壓，利用開關進行變換成爲在該電容之一端和另 外一端連接有該輸出端子和該電晶體之控制端子。 67. 如申請專利範圍第63項之回授型放大電路，其中 該放電裝置之該電晶體由汲極連接到輸出端子，源極 連接到該低位側電源間之M0S電晶體構成； • 104- 529240 六、申請專利範圍 該偏壓控制裝置具備有： 第1開關，連接在該MOS電晶體之閘極和閘極偏壓電 壓輸入端之間； 電容，其一端連接到該MOS電晶體之閘極； 第2開關，連接在該輸入端子和該電容之另外一端之 間；和 第3開關，連接在該輸出端子和該電容之另外一端之 間； 在該輸出期間之開始時，該第1和第2開關成爲ON和 第3開關成爲OFF，然後該第1和第2開關成爲OFF和 第3開關成爲ON。 68.—種回授型放大電路，其特徵是具備有： 回授型放電裝置，進行電壓隨動器之作用，用來使該 輸出端子電壓成爲與該輸入端子電壓同相，具備有：差動 段，用來差動輸入其輸入端子電壓和輸出端子電壓；和放 電裝置，根據該差動段之輸出，用來進行該輸出端子之放 電作用； 充電裝置，具有：電晶體，連接在該輸出端子和高位 側電源之間；和偏壓控制裝置，用來控制該電晶體之控制 端子之偏壓電壓；和 電壓保持裝置，在該充電裝置具備有偏壓電壓供給裝 置，用來對該電晶體之控制端子供給預定之指定之偏壓電 壓，對該輸入端子電壓和來自該偏壓電壓供給端子之該偏 -105- 529240 六、申請專利範圍 壓電壓之差電壓進行取樣和閂鎖，用來將被閂鎖之差電壓 保持在該輸出端子和該電晶體之控制端子之間。 69. —種回授型放大電路，其特徵是具備有： 回授型放電裝置，具有：差動對偶，具有輸入端子和 輸出端子連接到差動輸入端；負載元件，分別連接到該差 動對偶之輸出對偶；和放電電路，包含有連接到該輸出端 子之放電路徑之電晶體，用來將該差動對偶之輸出和該負 載元件之連接點電壓輸入到控制端子； 充電裝置，具有：電晶體，連接在該輸出端子之充電路 徑；和偏壓控制裝置，用來對連接到該充電路徑之電晶體 之控制端子控制其偏壓電壓；和 電壓保持裝置，在該充電裝置具備有偏壓電壓供給端 子，用來將預定之指定之偏壓電壓供給到連接至該充電路 徑之該電晶體之控制端子，對該輸入端子電壓和來自該偏 壓電壓端子供給之該偏壓電壓之差電壓進行取樣和閂鎖 ，將被閂鎖之差電壓保持在該輸出端子和連接到該放電匯 流排之該電晶體之控制端子之間。 70. —種回授型放大電路’其特徵是具備有： 回授型放電裝置，具有：差動段，包含有差動對偶用 來差動輸入其輸入端子電壓和輸出端子電壓，和電流鏡電 路，作爲負載，分別將輸入端和輸出端連接到該差動對偶 之輸出對偶；和放電電路，連接在低位側電源間和該輸出 端子之間，包含有與該電流鏡電路相同導電型之第1導電 -106- 529240 六、申請專利範圍 型之電晶體，用來將該電流鏡電路之輸出和該差動對偶之 輸出之連接點電壓，輸入到控制端子 充電裝置，具有··電晶體，第2導電型之電晶體，連接 在該輸出端子和高位側電源之間；和偏壓控制裝置，用來 控制該第2導電型之電晶體之控制端子之偏壓電壓；和 電壓保持裝置，在該充電裝置具備有偏壓電壓供給端 子’用來將預定之指定之偏壓電壓供給到該充電裝置之 該電晶體之控制端子，對該輸入端子電壓和來自該偏壓 壓電壓供給端子之絞編壓電壓之差電壓在進行取樣和閂 鎖，將被閂鎖之差電壓保持在該輸出端子和該充電裝置之 該電晶體之控制端子之間。 71. —種回授型放大電路，其特徵是； 在申請專利範圍第20項之回授型放大電路中， 代替該隨動器型放電裝置者，具備有充電裝置含有連接 在該輸出端子和高位側電源之間之電晶體，和用以控制該 電晶體之控制端子之偏壓電壓之偏壓控制裝置；和 該充電裝置之偏壓控制裝置具備有偏壓電壓供給端子 ，用來將預定之指定之偏壓電壓供給到該充電裝置之該電 晶體之控制端子，和具備有電壓保持裝置，用來對該輸入 端子電壓和來自該偏壓電壓供給端子之該偏壓電壓之差 電壓進行取樣和閂鎖，將被閂鎖之差電壓保持在該輸出端 子和該放電裝置之該電晶體之控制端子之間。 72. —種回授型放大電路，其特徵是具備有： -107- 529240 六、申請專利範圍 回授型放電裝置，用來進行電壓隨動器之作用，使該 輸出端子電壓成爲與該輸入端子電壓同相，具有差動段用 來差動輸入其輸入端子電壓和輸出端子電壓，和放電裝置根 據該差動段之輸出用來進行該輸出端子之放電作用；和 充電裝置，具有電晶體連接在該輸出端子和高位側電 源之間；和偏壓控制裝置用來控制該電晶體之控制端子之 偏壓電壓； 在該充電裝置具備有電容，在輸出期間之開始時，對 該電晶體之控制端子供給預定之指定之偏壓電壓，和經由 〇N狀態之開關將該輸入端子電壓和該偏壓電壓分別施加 到一端和另外一端，用來保持該輸入端子電壓和該偏壓電 壓之差電壓，利用開關進行變換成爲在該電容之一端和另 外一端連接有該輸出端子和該電晶體之控制端子。 73·—種回授型放大電路，其特徵是具備有： 回授型放電裝置，具有··差動對偶，具有輸入端子和 輸出端子連接到差動輸入端；負載元件，分別連接到該差 動對偶之輸出對偶；和充電電路，包含有連接到該輸出端 子之充電路徑之電晶體，用來將該差動對偶之輸出和該負 載元件之連接點電壓輸入到控制端子； 充電裝置’具有：電晶體，連接在該輸出端子.之充電路 徑；和偏壓控制裝置，用來對連接到充電路徑之電晶體之 控制端子控制其偏壓電壓；和 在該充電裝置具備有電容，在輸出期間之開始時，對 -108- 529240 ψ 六 申請專利範圍 該電晶體之控制端子供給預定之指定之偏壓電壓，和經由 〇Ν狀態之開關將該輸入端子電壓和該偏壓電壓分別施加 到一端和另外一端，用來保持該輸入端子電壓和該偏壓電 壓之差電壓，利用開關進行變換成爲在該電容之一端和另 外一端連接有該輸出端子和該電晶體之控制端子。 74. —種回授型放大電路，其特徵是具備有： 回授型放電裝置，具有：差動段，包含有差動對偶用 來差動輸入其輸入端子電壓和輸出端子電壓，和電流鏡電 路，作爲負載，分別將輸入端和輸出端連接到該差動對偶 之輸出對偶；和放電電路，連接在低位側電源和該輸出端 子之間，包含有與該電流鏡電路相同導電型之第1導電型 之電晶體，用來將該電流鏡電路之輸出和該差動對偶之輸 出之連接點電壓，輸入到控制端子； 充電裝置，具有：第2導電型之電晶體，連接在該輸出 端子和高位側電源之間；和偏壓控制裝置，用來控制該第 2導電型之電晶體之控制端子之偏壓電壓；和 在該充電裝置具備有電容，在輸出期間之開始時，對 該電晶體之控制端子供給預定之指定之偏壓電壓，和經由 〇N狀態之開關將該輸入端子電壓和該偏壓電壓分別施加 到一端和另外一端，用來保持該輸入端子電壓和該偏壓電 壓之差電壓，利用開關進行變換成爲在該電容之一端和另 外一端連接有該輸出端子和該電晶體之控制端子。 75. —種回授型放大電路，其特徵是； -109- 529240 ^ 六、申請專利範圍 在申請專利範圍第20項之回授型放大電路中 代替該隨動器型充電裝置者’具備有充電裝置含有連接 在該輸出端子和低位側電源之間之電晶體，和用以控制該 電晶體之控制端子之偏壓電壓之偏壓控制裝置；和 在該充電裝置具備有電容，在輸出期間之開始時，對 該電晶體之控制端子供給預定之指定之偏壓電壓，和經由 〇N狀態之開關將該輸入端子電壓和該偏壓電壓分別施加 到一端和另外一端，用來保持該輸入端子電壓和該偏壓電 壓之差電壓，利用開關進行變換成爲在該電容之一端和另 外一端連接有該輸出端子和該電晶體之控制端子。 76.如申請專利範圍第72項之回授型放大電路，其中 該充電裝置之該電晶體由汲極連接到輸出端子，源極 連接到該高位側電源間之MOS電晶體構成； 該偏壓控制裝置具備有： 第1開關，連接在該MOS電晶體之閘極和閘極偏壓電 壓輸入端之間； 電容，其一端連接到該MOS電晶體之閘極； 第2開關，連接在該輸入端子和該電容之另外一端之 間；和 第3開關，連接在該輸出端子和該電容之另外一端之 間； 在該輸出期間之開始時，該第1和第2開關成爲ON和 第3開關成爲OFF，然後該第1和第2開關成爲OFF和 第3開關成爲ON。 -110-