TW527669B - Consecutive deposition system - Google Patents

Consecutive deposition system Download PDF

Info

Publication number
TW527669B
TW527669B TW090132266A TW90132266A TW527669B TW 527669 B TW527669 B TW 527669B TW 090132266 A TW090132266 A TW 090132266A TW 90132266 A TW90132266 A TW 90132266A TW 527669 B TW527669 B TW 527669B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
carrier
processing
page
scope
Prior art date
Application number
TW090132266A
Other languages
English (en)
Inventor
Akihiro Hosokawa
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Application granted granted Critical
Publication of TW527669B publication Critical patent/TW527669B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67236—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations the substrates being processed being not semiconductor wafers, e.g. leadframes or chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

527669 A7 B7 五、發明說明（） 登J月領域： 本發明係關於半導禮處理領域。更特定地’本發明 係關於一種將基材輸送通過一半導體處理系統的設備及 方法，其中該設備及方法包含一溫度控制機構。再者’ 本發明係關於一種將基材輸送通過一半導體處理系統的 設備及方法用以產生一多晶矽膜層。 曼A背景： 在半導體工業中，通常有兩個主要的方法來將基材 輸送通過一處理系統。一種傳統的方法使用一如第1圖 所示的”叢集工具”結構。一叢集工具平台通常係指一模 組化，多室整合的處理系統而言。此種處理系統典型地 包括中央晶圓搬運真空室20，32，及數個周邊的處理室 24，26，28及36，它們通常被安排成一叢集圍繞在中央 室的周圍。多片將被處理的基材或晶圓22通常被存放在 匣盒10中，且被載/卸至負載鎖定件12，14且在不同的 室中於真空下被處理而不會曝露在大氣環境中。為了進 行處理而作的晶圓22的輸送通常是由一晶圓搬運真空室 2〇内的一位在中央的機械臂16或在一第二來實施晶圓 搬運真空室3 2内的機械臂30來實施，這兩者都被保持 在真空條件下。一微處理氣控制器3 8及相關的軟體被提 供來控制晶圓的處理及移動。在操作時，一叢集工具將 會從一匣盒10處接受一基材並經由中央晶圓搬運室20, 32及周邊處理室24，26，28及36的一預定的程序來處 第4頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· # 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 527669 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -------一-B7 __五、發明説明（） 理該基材用以在一晶圓上產生所想要的物質及圖案，然 後該晶圓被送回到一匣衾1 〇中。 雖然叢集工具結構對於處理相對小的基材而言是較 佳的’但一被俗稱為”直列（inline)”系統的第二種基材處 理方法對於處理較大的基材而言則是較佳的。這些可由 玻璃’陶瓷：板’塑膠板，或圓盤所製成之較大的基材用 常是被使用在平板顯示器的製造上，用來作成主動陣力 式電視’電腦顯示器，液晶顯示器（LCD)面板，及其它顯 示器。支援一普通的平板顯示器的玻璃基材其尺寸約為 68mm乘880mm。對於其它形式的顯示器應用而言，基 材的尺寸可以更大用以支援該顯示器的特定尺寸。 第2圖為一典型的模組直列（m〇dular inline)系統4〇 的示意側視圖。此種處理系統通常都包括處理室42 , 44 一串或直列安排，其被設置在一裝載室46與一卸載室48 之間。一升降機50被設置在該裝載室46的一入口及另 一升降機52則被設置在該卸載室48的一出口。處理室 42 ’ 44可包括沉積室，如化學氣相沉積（CvD)室，物理 氣相沉積（P V D)室，蚀刻室，及/或其它沉積室及處理室。 一載具返回線58被設置於處理室42，44之上且被耦合 主升將機50’ 52。處理室42’ 44典型地被保持在真空 或低壓·力下且被一或多個隔離閥60，62，64，66，及68 所隔開來，如第3圖所示。典型地，多片基材54，56, 70，72被一載具74所支撐，如第4及5圖所示。隔離 閥60，62，64，66，及68被安排來將緊靠在一起的每 第5頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂· # 527669 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（） 一室彼此隔離開來並允許基材54，56被輸送通過該等閥 至一相鄰的站。 如第2圖所示的，載具74被置於與升降機50相鄰， 而基材 54，56，70，72被手動地裝載至位在接受站51 處的載具74上。一通往升降機50的門（未宁出）打開並 允許載具74被置於在一軌道（未示出）上的該升降機内。 在升降機51内的溫度及壓力被保持在周圍環境條件下。 隔離閥60打開並允許載具74被移動於該軌道上進入到 該裝載室46内。裝載室46被密封且被排氣至一真空， 對於CVD處理而言該真空典型地是在約lOmTorr至約 50mT〇rr的範圍内，及對於PVD處理而言該真空典型地 是在約lmTorr至約5mTorr的範圍内。另一隔離閥62被 打開且載具74被移入一處理室42中，基材於該室中可 被加熱至一適於處理的溫度。另一隔離閥64被打開且載 具74沿著該軌道被移入處理室44。如果處理室44為一 濺鍍室的話，則該室可包含多個標靶76，78，當基材沿 著與每一標靶相鄰的軌道移動時，在標靶面向基材的表 面上之物質會被濺射至基材54，56，70，72上。每一賤 鍍標乾之面向該基材的一側被產生在一陽極（典型地為該 標靶）與一陰極（典型地為被接地的室壁）之間的離子化氣 體原子（離子）所轟擊且標靶的原子被釋出且被朝向該基 材導引用以沉積於基材上。每一標靶最好具有一被設置 在运離該基材的標乾背側中之磁鐵（未7F出）用以藉由產 生大致平行於該標乾表面之磁場線來加強賤鍍速率，電 第6頁
(請先閲讀背面之注意事項再場寫本頁) 裝. 訂· # 527669 A7 B7 五、發明説明（） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 子被吸引至該等磁場線周圍的螺旋執到上用以增加與一 用來/賤缠的氣體分子相碰撞的苦能性及讓氣體分子離子 化。基材54，56，70，72然後經過隔離閥66而被移動 至一卸載室48中。隔離閥66甘關閉藉以將處理室44與 卸載至66密封隔離開來。隔離閥打開並允許載具74 從卸載室48中被移出且基材54，56，70，72典型地被 使動地從載具74上被取下。基材亦可被留在該卸載室中 讓基材有時間被冷卻。在基材被卸下之後，載具進入 升降機52同時升降機52將載具74升高至載具回返線 5 8 °在載具回返線5 8上的一執道系統（未示出）將載具送 回到升降機5 0，其將載具降低至位在該處理系統的另一 段處心接受站51的位置用以接受下一批將被處理的基 材。 # 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 雖然該直列系統4 0目前被用來作基材輸送及製造之 用，此種直列系統具有數項缺點。詳言之，載具74會因 為載具從處理環境（在真空下）移動至升降機52的周 圍環境’然後再回到處理環境中而經歷熱循環。熱循環 的結果為’沉積物質很可能會剝落或從載具7 4上釋出並 造成基材上的微粒污染。此外’使用裸露軌道系統該該 系統的處理室及周圍區域中亦會造成污染。再者，使用 升降機及一軌道系統會增加該系統的複雜程产，而這又 會造成不同移動構件的額外維修以防止故障。甚者，載 具74循環於真空環境與周圍大氣壓力之間的結果為，載 具74會吸收在周圍環境中的氣體，而當被吸收於該載具 第7頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2ΐ0χ297公楚) 527669 A7 B7 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明説明（） 74中的氣體從載具74中被釋出至真空環境中時，這將 無可避免地增加室壓力並造成沉積物膜層的污染。除了 載具74的熱循環之外，載具74的平均溫度在多片基材 在高於周圍條件的溫度下於該處理環境中被處理之後亦 會升高。因為在該處理室内的大多數處理對於溫度都相 當敏感，所以載具的此一溫度的升高可能會讓沉積處理 所得到的膜層不一致，因為來自於載具74的熱傳遞會影 響到基材及/或處理特性。在基材溫度上的此一未被提及 的變化會造成在製造周期之初所產出的膜層不同於在製 造周期後段所產出的膜層。典型的直列式系統的另一項 問題在於在相鄰處理室中的處理之間的交又污染，特別 是使用反應沉積處理的處理室。反應處埋通常依賴在適 當比例下的兩個或多個構成物，因此來自於相鄰處理區 的構成物流量會造成反應處理不穩定及/或對於在一咬兩 個處理區上的沉理特性造成負面的影響。 因此，有鑑於現有直列式處理系統的上述缺點，因 此對於一種用來處理基材之改良的直列系統及方法仍存 在著需求。詳言之，對於能夠經由多個直到沉積區來處 理相對較大的及扁平的基材之改良的直列系統存在著需 求。再者，對於能夠處理足以支援大尺寸平板顯示器的 基材之直列試處理系統存在著需求。 發明目的及概述 本發明大體上提供一種用來處理基材的系統，其具 第8頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公爱) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂· # 527669 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ， 處至該被 ， \ 犲基 備 \ 該近 \ 法至基的 設於與靠將 方送一材 的送地在來 的輸的基 材輸性置構 材材内該 基材擇設建 基基境有 理基選被被 理的環具 處將其其置 處上理上 種來子置裝 種 具處其 一用板裝積 一、載該將 .供具的積沉 供材至含 提載制沉一 。提基送包9T 明材控 一少上 Ml 輸更 勤 發基受少至材 Μ 少材法 本一度至該基本至基方 , 少溫及。該中在該該 中至一 ，處於例將將。 例括少通具積施括及驟 施包至聯載沉實包，步 實備，相材層一 法中等 一 設中具基膜另方境上 在該境載一的在該環板 。 中環 一少定 中理撐 度其理 少至選 其處支 五、發明説明（） 有一載具被設置在至少一處理室中及至少一傳送裝置 (shuttU)用來將基材輸送於處理室與一負載所定室之間。 多個處理室，負載所定室，及其它至吖被、°口起來形成 一大致直列的一事模組室，基材係經過這些室而被處理 的。本發明的載具只曝露於處理環境中即該載具並不 進入一非處理的室中。因此，在基材之依序的持續處理 期間，載具的熱循環可被減少甚或消除掉。該載具可沿 著一被隱藏起來的軌道而被逆向地移動於該處理室内。 多個被分隔板隔開來的處理區能夠讓多個不同處理規律 之處理可同時在相同的處理室内發生而不會相互干擾。 再者，本發明的載具的作業溫度是由一或多個溫度受控 制的板子來控制的，該等板子被設計成可幅射熱至該載 具及/或吸收來自於該載具的熱用以保持一預定的載具溫 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇x297公潑) ..... —9裝.........訂.........# f請先閱^;-!背面之注意事项再塡、寫本頁} 527669 A7 B7 五、發明説明（） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 材支撐板輸送通過在該處理環境内的至少一處理區及將 該基材從該基材支撐板上輸送至該至少一基材載具用以 將該基材從該處理環境中移出等步驟。 在另一實施例中，本發明提供一種製造一多晶矽膜 層的方法，其中該方法包含將基材载入一處理環境中， 將將該基材曝露於該處理環境中的至少一沉積源中，將 該基材曝露於該處理環境中的一回火裝置中，及將該基 材從該處理環境中移出等步驟。該方法更包含經由使用 一或多個溫度受控制的板子來保持及/或控制一基材的溫 度之步驟。 圖式簡鞏說明 本發明之一更為特定的描述可藉由參照在附圖中所 示出之較佳實施例而被獲得，使得本發明之前述特徵， 優點及目的可被詳細地瞭解。 然而，應被暸解的是，附圖中所展示的只是本發明 之典型的實施例，其不應被解讀為本發明之範圍的限制。 第1圖為一典型的叢集工具系統的示意頂視圖。 第2圖為一典型的直列系統的示意頂視圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第3圖為第2圖的直列系統中的室的示意頂視圖。 第4圖為直列系統中之一基材載具的示意側視圖。 第5圖為直列系統中之一基材載具的示意端視圖。 第6圖為本發明之一連續沉積直列式系統的一示意頂視 圖。 第10頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公楚) 527669 A7 B7 五、發明説明（） 第7圖為第6圖之連續沉積直列系統的一示意側視圖。 第8圖為一傳送專置的示意立體圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第9圖為一室的示意剖面圖β 第10圖為另一室的示意剖面圖其顯示一小齒輪。 第11圖為第10圖中的驅動機構的另一實施例。 第12圖為一基材載具的示意立體圖。 第1 3 a圖為一銷板的示意立體圖，該銷板内具有一流體 系統。 第1 3 b圖為一銷板的示意立體圖，該銷板内具有一加熱 器。 第14圖為第6圖的系統的另一實施例的示意剖面圖，該 系統具有一溫度受控制的板子。 第1 5圖為第14圖中之溫度受控制的板子的一示意頂視 圖。 第1 6圖為該溫度受控制的板子的一示意側視圖。 第17圖為一系統的頂視圖，其具有一對負載鎖定室，處 理室，及一機械臂。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1 8圖為一系統的頂視圖，其具有兩列的室，每一列具 有兩個負載鎖定室及一處理室帶有一設在兩列之 間的機械臂。 第1 9-23圖為一舉例性的處理順序的示意圖。 第24圖為製造傳統的多晶矽膜層的方法。 第25為一典型的LCD TFT結構。 第26圖為一製造一多晶矽膜層的方法。 第11頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐） 527669 A7 B7 五、發明説明（） 第2 7圖為一持列式沉積系統的示意頂視圖。 第2 8圖為一直列式沉積系統的側視圖。 圖號齎照說明= 10 匣盒 12，14 負載鎖定室 16 機械臂 20,32 晶圓搬運真空室 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 24,26,28,3 6 處理室 22 晶圓 30 機械臂 40 直列系統 42,44 處理室 46 裝載室 48 卸載室 50 升降機 52 另一升降機 60-6S ! 隔離閥 54,56,70,72 基材 74 載具 76,78 標把 90 沉積系統 92 入口負載鎖定室 94 出口負載鎖定： 96 處理室 98 隔離閥 102 閥 110 機械臂 106 接受站 114 基材 100 隔離闕 108 接受站 1 12 機械臂 118,120 傳送裝置 122 載具 126 導引滾子 128 小嵩輪 123,1 24,1 25 軌道 132 銷板 144 銷 136 軸 140 馬達 148 入口管路 150 出口管路 第12頁 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ·裝· 訂. # 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) 527669 A7 B7 五、發明説明（） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 149 内加熱器 15 1 外加熱器 153 熱電耦 152 入口管路 154 出口管 134 銷板 158- 162 標靶 171- 179 隔板 172- 178 處理區 165 氣體入口 91 控制器 190 第一端 192 第二端 194 第一側 196 第二側 198 支撐指件 200 第一側軌 202 第二側軌 217,218 橫桿件 206,208 有齒台 架 209,210 下表面 204,205 齒 214,216 級階表面 220 支撐墊 230 槽道 233 内室壁 234 開口 214 界内部分 240 驅動機構 242 馬達 244 驅動軸組件 128, 小齒輪 232, 第二側 246 編碼器 248 控制器 249,250 側導引 滾子 252 導引鐵軌 260,262 有齒台 架 264 第一側 266 第二側 267 級階表面 276 孔 278 導引擋止件 282 表面 284 通道 300 板 302 通道 304 流體出口 第13頁 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) # 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) 527669 A7 B7 五、發明説明（） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 306 流體出口 307 台柱 310,3 12,3 14 匣盒 3 16 機械臂 318 軌道 95a，96a 第一處理室系 列 92a 第一入口負載鎖定 .室 94a 第一出口負載鎖定 室 95b,96b 第二處理室系 列 92b 第二入口負載鎖 定 室 94b 第二出口負載鎖定室 114a 第一基材 1 14b 第二基材 320 第一處理區 326 ITO標靶 322 第二處理區 324 第三處理區 328,3 3 0 MoCr 標靶 25 1 基材 252 底層 254 閘極SiOx層 255 閘極層 257 摻雜了 S的區域 256 摻雜了 D的區域 271 第一 Si02標靶 272 第二S i 0 2標乾 273 第三標靶 274 準分子雷射 發明 詳細說明： 本發明大體上提供 一 種連續 式直列處理系統其 具 有 一或 多個相互連接的室 及 一基材 載具其被設置在該 系 統 中用 來支撐及輸送一基 材 通過該 一或多個室。每個 室 的 對準 大體是直線的，但 不 同種類 的架構，如一連續 的 圓 形或 卵形，都是在本發 明 的範圍 之内。在一態樣中 本 發明 包括位在一處理系 統 的相對 端處之裝載及卸載 負 載 鎖定 室。一傳送裝置可 被 設置在 每一負載鎖定室中 用 以 將基 材來回輸送於該處 理 系統内 的基材載具上。而 且 第U頁 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ·裝· 訂· # 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X 297公釐) 527669 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ___________ —五、發明説明（） 反應式處理及非反應式處理可經由在該處理室内的處理 區之間的分隔板的使用而在一單一的處理室内實施。分 隔板能夠讓反應式處理可在沒有傳統的介於分離的處理 之間的隔離闕下實施。 第6及7圖分別顯示一舉例性的直列式連續沉積系 統90的頂視及側視圖。系統90包括在一端處的一入口 負載鎖定室92,在另一端處的出口負載鎖定室94,及至 少一連續的處理室96其佔據了其間的空間。入口負載鎖 定室92藉由隔離閥98的啟動而與處理室96選擇性地隔 離開來。入口負載鎖定室92亦可包括一閥102其朝向一 接受站106開口’該接受站接受來自於一機械臂11〇的 基材。機械臂U0將一基材114送至該入口負載鎖定室 92。相同地，出口負載鎖定室94藉由隔離閥1〇〇的啟動 而與處理室96選擇性地隔離開來。出口負載鎖定室94 亦可包括一閥104其朝向一接受站108開口，該接受站 接受來自於另一機械臂1 12的基材。因此，機械臂 u 2 可從該出口負載鎖定室94接受一或多片基材n 4。或者， 該系統可包括一軌道式的機械臂其可藉由沿著一設置成 與每一室相鄰之執道而同時服務兩個負載鎖定室。該機 械臂通常被稱為大氣機械臂且可從MECS，r〇RTz , JEL， Dai he η，Komatsu等製造商處講得。 至少一傳送裝置1 1 8可被設置在入口負載鎖定室92 内且至少一其它的傳送裝置120可被置於出口負載鎖定 室94内。傳送裝置118，120是可移動進出負載鎖定示 第15頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) f請先閱讀背面之注意事項再塡、寫本頁) 裝· -訂· # 527669 A7
五、發明説明（） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 92，94並藉由使用一或多個可逆轉的馬達及/或齒輪組而 進入到處理室96内。此一運送可讓傳送裝置118，12〇 將一基材輸送進出該處理室96，並從處理室96中撤出 進入它們各自的負載鎖定室内。至少一載具122被持續 地設置於該處理示96内，亦即載具122在整個裝載，沉 積，及卸載處理期間皆保持在處理室内。在沉積處理期 間被用來支撐一基材的該載具丨22典型地係可雙向移 動，即可在入口負載鎖定室92及出口負載鎖定室94中 倒退或可橫貫該處理室96。再者，亦作為一基材接受件 的該載具122具有一基材接受表面用來與一基材接觸並 將其固持於該接受件的一上部，及在該接受件的底部上 的一驅動嚙合件，這兩者都將在下文中詳細說明。 在示於第6及7圖的舉例性實施例中，三條軌道被 設置在系統90中用來提供傳送裝置118，120及載具122 的移動。每一軌道通常都包括多個導引滾子126 A-P(在本 文中被稱為導引4鬼子1 26)及小齒輪1 28a-h(在本文中被稱 為小齒輪128)。軌道123及125支撐傳送裝置118，120 在處理室9 6與它們各自的負載鎖定室之間的移動。一第 三載具軌道124支撐載具122讓其可移動於處理室96 内。多個導引滾子及/或小齒輪的對齊可形成該等軌道， 且可被建構成包括側導引滾子（未示出）。沿著每一軌道 的導引滾子1 2 6及小齒輪1 2 8的數目係隨著室的長度， 傳送裝置及載具的長度，基材的尺寸等因子而改變。傳 送裝置軌道123被設置在該入口負載鎖定室92内且延伸 第16頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -·裝' 訂· # 527669 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（） 至處理室96内，因而可讓傳送裝置118將基材U4送入 處理室96内。傳送裝置軌道123包括導引滾子126及小 齒輪128其被設置在系統9〇的下部並提供傳送裝置U8 移動於室92 , 96之間的一個路徑。相同地，另一傳送裝 置軌道125被設置在該出口負載鎖定室94内且延伸至處 理室96内。傳送裝置軌道125包括導引滾子126及小齒 輪128用以提供傳送裝置移動於室94 ’ 96之間的一個路 徑。载具軌道124延仲於隔離闕98與100之間’藉以在 基材被處理時提供一連續的路徑供載具122移動於室96 内。載具軌道124在寬度上比傳送裝置執道123’ 125來 得窄並包括多個導引滾子126及小齒輪128。載具軌道124 之較窄的寬度可讓載具122被設置在傳送裝置1 18，120 底下用來將基材移動於傳送裝置與該載具之間°導引浪 子126及小齒輪128可以適當的間距沿著軌道123，124 ’ 125被間隔開來’使得當載既122及傳送裝置118，及120 沿著它們各自的軌道運動時’載具1 2 2及傳送裝置Π 8 ’ 及1 20的每一軌道都被支撐在至少兩個點上。雖然載具 軌道124被顯示為一具有不同寬度的執道，即介於軌道 •鐵軌之間的間距不同於傳送裝置軌道鐵軌間的間距，但 其它部同的結構及機構亦可被用來將基材輸送於負載鎖 定室92，94及處理室96之間。例如，軌道的替代物可 為懸臂樑式的組件，機械臂及V型傳送裝置及/或與機械 臂1 1 0，1 1 2的載盤相似的載具。 一銷板132被設置在靠近處理室96的裝載端與入口 第17頁 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2l〇x297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ·裝- 、一呑 # 527669 A7 B7 五 、發明説明（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 負載鎖定室92相鄰處。銷板132是由一導熱材質所製成， 如鋁或銅。銷板132被耦合至一軸136及一升降馬達140， 其用來選擇性地移動銷板1 3 2。多個銷1 4 4延伸於與銷 板132的外表面正交的方向上。又，銷板132的溫度可 藉由使用一放出熱量的機械/化學裝置及/或一經由冷媒入 口管路148及出口管路150而在内部流動之吸收熱量/放 出熱量的流體來加以控制，如第1 3 a，1 3 b，1 5及1 6圖 中所示的。第1 3 a圖顯示一舉例性的銷板1 3 2其具有一 形成於其内的流體路徑用來讓一流體流經，其可被用來 將熱從該學板1 3 2移走，假設流體的溫度低於銷板1 3 2 的盈度。第1 3 b圖顯示一舉例性的銷板1 3 2其具有一内 加熱器149’ 一外加熱器151，及一熱電耦153，它們在 需要時可彼此協作用以升高銷板1 3 2的溫度。此溫度上 的升高可被用來升高基材114或載具122的溫度用以在 室96内產生所想要的處理參數。又，如果需要的話，銷 板132的加熱器149及連接入口 148及出口 150的流體 通道可協作用以選擇性地加熱及/或冷卻銷板1 3 2。流體 通道可經由與真空相容的連接器，如商標名稱為 Swagelack及VCR者，而連接至入口 148及出口 150。 再者，將流體通道連接至流體源及排放蜂的入口及出口 管路可直接連接至銷板132。或者，流體供應及排放管 路可通過該銷板1 3 2的軸1 3 6的内部。此外，銷板1 3 2 的加熱及冷卻可被用來升高或降低處理室96内的環境溫 度。又，雖然示於第13a圖中的流體路徑被顯示為與一 第18頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公楚） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- # 527669 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（) 冷卻流體一起使用，但流體路徑可被用來接受溫度高於 銷板132的流體，藉以加熱銷板132及/或阙圍的室構件 及/或基材。此外’雖然第1 3 a及1 3 b圖顯系舉例性的加 熱及冷卻流體路徑結構，但其它不同的加熱器及流體路 &結構及/或裝置亦可在本發明的範圍内被使用。 與銷板1 3 2的結構相似的銷板丨3 *被設置在處理室 96中與銷板132相對的一端且與出口負載鎖定室94相 鄰。銷板134耦合至一軸138及一升降馬達142，且包 括多個延伸於與該銷板134正交的銷146。與銷板132 :¾ 相同地，銷板1 34的溫度可藉由使用一·放出熱量的機械/ 化學裝置及/或一經由冷媒入口管路152及出口管路154 而在内邵流動之吸收熱量/放出熱量的流體來加以控制。 因此，一但基材114被載入處理室96中的載具122上之 後，一或多片溫度受控制的板子1 3 2，1 3 4可被用來將基 材從傳送裝置輸送至載具，同時以可選擇性地調節處理 1：及/或基材的溫度。如第7及2 8圖所示的，此舉例性 實施例的處理室可包括一或多個處理區，其中當基材被 通過其間時，一或多個處理環境可被保持。例如，一或 多個標把156，158，160及162可被設置在處理室96的 基材114及/或載具122之上，如果處理室96為一賤鍍 室的話。相同地，用於CVD或蝕刻處理的蓮蓬頭（未示 出）以及其它種類的處理所需的其它構件在處理環境上需 要時，都可被設置在基材114及/或載具122之上。分隔 板171，173，175，177及179可被設置在靠近每一標乾第19頁 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 裝 、-" # 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) 527669 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（） 156，158’ 160及162及標靶156及162之不相鄰側。 分隔板171，173，175，177及179被建構來實體地將每 一標Ifc彼此分隔開來用以界定一系列的處理區，如處理 室96内的四個處理區172，174，176及178。每一處理 區的長度可以比將被處理的基材的直線尺寸稍短，使得 一次只有該基材的一部分，即全部的寬度及一部分長度， 被曝露在一單一處理區的處理環境中。因此，在此舉例 性的實施例中，基材14的不同位置可在同一時間被曝露 在多個處理區中。對於具有多於一個處理室96的系統而 言，一或多個處理區可被包括在每一處理室中。 處理區172，174，176及178的下部通常是開放至 處理室96的處理環境，使得一正在處理中的基材可在無 需經過隔離閥進入其它的處理室之下從一處理區移動至 另一處理區。每一隔離板延伸至一與將被處理的基材114 非常接近的位置其可為當基材114被輸送通過該處理室 96時與基材1 14相距約1 mm至約5mm的位置。此一間 距可讓基材被輸送於處理區之間，同時可防止來自於一 處理區内的物質進入到另一處理區内而造污染。又，一 或多個處理區可藉由包括一或多個用來將一反應氣體導 入一特定的處理區内的氣體入口 165而變成為可執行反 應性處理的處理區。用於反應性處理的處理區可藉由不 將反應氣體導入處理區内而被用於非反應性的處理上， 如果氣體入口 1 6 5及/或其它與反應處理相關的構件都被 適當地設置而不會干擾到發反應性處理的構件的話。 第20頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公楚) ..... ....·1.........、耵.........# (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 527669 A7 _______ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（） 對於大尺寸基材而言，經由_連_的處理區的基材 處理後的結果為，與入口負載鎖定室92相鄰之隔離閥98 可被部分地打開以提供基材丨丨4移動通過多於一個處理 區172’ 174，176及178時所需的裕度，同時仍佔據靠 近閥98的空間。相同地，與出口負載鎖定室94相鄰的 隔離閥1 00亦可被部分地打開用以提供較大基材移動通 過處理室96的額外縱向裕度。而且，載具丨22的輸送速 度或速專會隨著基材丨丨4是否只是單純地從該處理設備 的一端被縱軸地移動至另一端，是否沿著軌道丨24被載 負來回於一處理區，或是否被處理通過一特殊的處理區 等因子而改變。在處理期間，基材通過一特定的處理區 的移動速率通常是根據處理速率乘上基材上每一點在處 理區内的持續時間的結果而被選定的用以獲得所想要的 沉積厚度或蝕刻。載具122通過一沉積區的速度，當在 沉積期間其可以是在約5公釐/秒至約20公釐/秒的範圍 内’當在輸送期間其可是在1〇〇公董/秒至約2〇〇公愛/秒 的範圍内。因此，基材1 14係以經過特別計算的速度在 移動用以在一特定的沉積區中所想要的膜層厚度沉積在 基材U4上’然而當基材U4不在一沉積區内時，其速 度即可被加快。這可提高效率，當基材在非沉積處理期 間，基材1 1 4可被快速地被輸送。 一控制器9 1可被用來制該系統中的不同功能，如 基材載具的移動，銷板’傳送裝置，在軌道上的小齒輪， 閥，及與系統特徵相關的構件^控制器91可包括可程式 第21頁 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ·裝. 、言 # 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) 527669 A7 B7 五、發明説明（） 化的微處理器，其被設計來執行儲存在記憶體内的系統 控制軟體，該記憶體的形式可以是一硬碟機，且可包括 類比及數位輪入/輸出板，界面板，步進馬達控制板（未示 出）’及其它已知的控制構件。控制器91亦可控制供應 至該系統的構件的電力且可包括一可讓使用者監視並改 變系統操作的面板。光學及/或磁性的感應器（未示出）可 被用來與控制器一起合作移動及決定活動構件及組件的 位置。 第8圖為一舉例性的傳送裝置丨丨8的示.意立體圖， 該傳送裝置可被置於每一入口及/或出口複載鎖定室92， 94内。每一傳送裝置1 1 8沿著一第一側1 94及一第二側 196分別包括一第一端190及一與該第一端190相對的 第二端192。多個支撐指件198a-f(在本文中被稱為198) 從該傳送裝置1 1 8的外周邊朝内地延伸，其橫貫側邊 194，196及端部190，192或夹一角度。每一傳送裝置 都包括一沿著第一側1 9 4的第一側軌2 0 0及一沿著第二 側1 9 6的第二側軌2 0 2。侧軌2 0 0，2 0 2利用橫桿件2 1 7 , 2 1 8而保持彼此平行及相隔開。橫桿件2 1 7，2 1 8與指件 1 9 8相距一距離，該間距大於在該系統中被處理的一基 材的厚度用以讓銷板132，134將基材114舉離支撐指件 198。之後，傳送裝置118，120可從各自的銷板132，134 上撤回，同時銷板1 3 2，1 3 4繼續支撐著基材1 1 4。因此， 基材U4當從除送裝置118被輸送至載具122時，將從 指件198上被舉起並被輸送於一或多個橫桿件217，218 第22頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. # 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 527669 A7 B7 五、發明説明（） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 之下，使得基材114可完全從傳送裝置118上被移走並 被置於載具122上。傳送裝置1 18的側軌200及202可 在下表面209，210上包括有齒的軌道206及208，分別 對傳送裝置118施加運動。有齒的軌道20 6及208分別 包括齒204及205其被設計來與一轉動的小齒輪128相 禮合。在每一軌條上吃朝内的極階表面2 1 4，2 1 6被設計 來與一長形導引滾子126相續合，如第9圖中所示。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 支撐指件198的端部包括一或多個支撐墊220a-f(本 文中被稱為支撐墊220)。其從指件朝上延伸且基材1 14 即被支澄於其上。指件導件222a-f(本文中被稱為指件導 件2 22)從該支撐墊220朝外地被設置且形成一表面，基 材1 1 4可被側向地方置頂抵該表面。支撐指件1 9 8被置 於該傳送裝置118上用以攘銷板132上的銷144與基材 接觸及支撐於指件198之上。當銷144與基材1 14接觸 時，傳送裝置118可從處理室96中被撤出把基材114留 給銷1 44來支撐。因此，支撐指件1 98及橫桿件2 1 7，2 1 8 的下部被置於一比載具122的上基材接受表面高的位 置，如第6圖所示，這讓傳送裝置118可被置於載具122 之上以進行基材輸送。傳送裝置118可被曝露於600。(： 以上的溫度下’因此傳送裝置Π 8可用不銹鋼，陶瓷， Invar@36，或其它適於薄膜沉積處理環境的耐高溫材質 來製成。相同地，支撐墊220最好是由像是不銹鋼，陶 瓷，石英，或其它耐高溫材質來製成。雖然以上的說明 係關於入口負載鎖定室9 2中的傳送裝置118，但在出口 第23頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2ι〇χ297公釐) 527669 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 發明説明（） 負載鎖定宣94中的傳送裝置1 2 0的設計於結構與傳送裝 置1 1 8是相同的。 第9圖為一室的一部分示意剖面圖，其顯示鐵軌200 及執道123或125的配置。一被包圍起來的槽道230可 被設置在一内室壁23 3中用以讓傳送裝置118的鐵軌200 能夠延伸至内壁的開口 234内。鐵軌200的界内（inboard) 部分214會與導引滾子126接觸，如第6圖所示的在軌 道123及125上。槽道230亦可藉由將處理環境與軌道 123及125分隔開來藉以降低微粒會從鐵軌構件上剝落 及掉落到基材處理區内的可能性而來降低導引滾子1 2 6 所造成的污染。雖然未於本文中詳細說明，但一類似的 結構亦可提供給軌道124上的載具122。 第10圖為另一室的剖面圖’其顯示一小窗輪128與 一傳送裝置1丨8相嚙合。在此圖中外室壁沒有被示出。 一驅動機構240包括一位在該特定的室的内壁233之外， 如入口負載鎖定室92’中的馬達242其被搞合至一延伸 至室92中的驅動軸組件244。馬達242是一可逆轉的馬 達其可將該傳送裝置及/或載具移動於不同的方向上。該 馬達可包括一或多個可逆轉的齒輪箱。一驅動軸組件244 可被耦合至一與相關的室的第一側2 3 2相鄰的第一小齒 輪1 2 8及一與該相關的室的一第二側2 3 2，相鄰的第二小 齒輪128,。該驅動軸組件244亦可被耦合至一第一導％ 滾子126其被設置在第一小齒輪128的界内部分及一第 二導引滾子1 2 6，其被設置在第二小齒輪1 2 8，的界内部 第24頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再場寫本I) 527669 A7 B7 五、發明説明（） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 分。小齒輪128被設計成與有齒的台架206咬合，及小 齒輪128’可被設計成與傳送裝置us的有齒的台架208 及基材載具122的上的有齒台架相咬合，如第9圖所示。 驅動機構240亦可包括一編碼器246其提供輸入至一控 制器248以回應該驅動軸組件244的旋轉。控制器248 可與一或多個驅動機構相連接用以依序地或同時地操作 驅動機構。 第1 1圖為第1 0圖中之驅動機構240的另一實施例， 其中馬達242在沒有驅動軸組件244下驅動小齒輪128。 數個橫向的導引管子249，250被安裝在與軌道123，125 上的導引滾子126相鄰的特定室上，如第6及7圖所示。 一類似的安排亦可提供給執道124上的載具122。橫向 導引滾子2W，250與傳送裝置118(或載具122)上的一 向上延伸的導引鐵執252相嚙合用以確保傳送裝置或載 具移動於沿著它們各自的軌道之一對齊的橫向方向上。 導引滾子126，126’支撐傳送裝置或載具。導引滚子可以 是塗上鐵氟龍（Teflon)的鋁，Vespe卜或其它不會產生許 多微粒且對於阻尼振動而言是很軟的材質。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第12圖為一基材載具122的示意立體圖。載具122 可以是由一導熱材質，如鋁，銅，或由一經過喷砂處理 的及/或陽極化的鋁所製成。一物件之被喷砂過的表面可 增加該表面的發射率。發射率被界定為在相同的溫度下 從一表面發射出的幅射對從一黑體發射出的幅射的比 例。一高發射率的表面可用一表面處理來達成，相對於 第25頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐） 527669 A7 B7 五、發明説明（） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一未經處理的表面而言其能夠增加發射率，例如藉由將 該表面陽極化或加以喷砂處理，或它們的組合。舉例而 言，一未經處理的鋁表面的典型發射率約為0·03且設高 反射率。該表面在經過陽極化後其發射率可提高至約〇·2 至0.4的範圍，若經過喷砂處理及陽極化處理該表面的 話則可高達0,6。噴砂可藉由使用約80psi的氣|將磨料 粒度為36的微粒經由一喷嘴喷出並撞擊該鋁表面直到該 表面的外觀呈現灰色為止。在此技藝中習知之用於喷砂 的其它的壓力，物質，及磨料粒度亦可被使用。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 載具122可包括具有齒268的有齒台架260及在一 地一側264上的.一朝内的級階表面，及一具有齒270的 有齒台架2 6 2及在一第二侧2 6 6上的一朝内的級階表面 267。這些齒/台架的組合可形成上述的驅動嚙合件。台 架2 60及2 62與第8圖所示的傳送裝置118的台架206 及208相類似，且與導引滾子126及小齒輪128的嚙合 方式亦相類似。載具122將基材114支撐在一板狀的表 面上且提供被支撐於其上的基材一散熱器。數個孔276 a-f(統稱為孔276)被形成在載具122上用來接受從銷板132 延伸出的銷144，如第13圖所示。載具122比基材114 稍大且具有設置於其上的導引擋止件278a-f(統稱為導引 擒止件2 7 8)用來側相地維持基材1 1 4。此外，雖然未被 文字地包括在本發明中，但提供載具122 —加熱及/或冷 卻裝置來调節基材1 1 4的汪度亦是被包括在本發明的範 圍之内。又，雖然載具12 2在此舉例性的實施例中被描 第26頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X 297公楚) 527669 A7 B7 五、發明説明（） 述成具有多個孔被形成於其上之一用來支撐基材的板狀 表面，但用來支撐基材之其它習知的結構亦是在本發明 的範圍之内。 為了要在處理之前，期間及/或之後調節載具122的 溫度，一加熱/冷卻機構，如該溫度受控制的銷板1 3 2 , 可被提供在該處理室中與每一負載鎖定室92及94相鄰 處。第1 3 a及1 3 b圖顯示一舉例性的銷板1 3 2其具有加 熱及/或冷卻能力。在操作期間，銷板1 3 2可與該載具i 22 相接觸或與其非常接近用以選擇性地改變載具1 1 8的溫 度及置於其上的基材1 1 4的溫度。改變載具溫度的結果 為，被置於其上的基材1 1 4的溫度亦會改變。銷板1 3 2 具有多個銷144-a-f(統稱為銷板144)其從銷板132的表 面2 82向上延伸出。銷144相對應於在載具122上的孔 276被間隔開使得銷1 44能夠通過該等孔276。假設所需 要的處理條件必需冷卻銷板1 3 2的話，則銷板1 3 2的溫 度可藉由提供一形成在板132中的通道284來達成，一 冷媒（如水或乙二醇）或其它適當的流體可流過該通道。 一入口管148可將冷媒送至該通道284及一出口管150 可提供一導管將冷媒輸送離開該銷板132。通道284可 藉由將通道284的一部分形成為兩個半板而被製成。之 後，每一半板被彼此密封及/或固定在一起形成一單一的 板子並一起形成通道2 84。或者，通道284可藉由從銷 板1 3 2的不同側及端部鑽通以形成流體路徑來形成。然 而，如果鑽孔方式被使用的話，則必需塞住許多外部的 第27頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· # 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 527669 A7 B7 五、發明説明（） 鑽孔，留下一入口與入口管 148相聯通及出口與出口管 150相聯通。而且，表面282最好是一高發射率的表面， 如一由喷砂及/或陽極化所形成的表面，藉以加強熱傳遞 的特性。 當基材114被銷板132所升高用以將基材114輸送 於載具122與傳送裝置1 18之間，銷板132會與載具122 有貫體接觸’因此降低載具122的溫度。或者，銷板132 可藉由讓一被加熱過的流體流經銷板1 3 2，如上所述， 來加熱該載具122。藉由加熱/冷卻載具122，基材114 的溫度亦可被升高或降低至一所想要的溫度以進行最佳 的處理。該溫度可被監視使得用來冷卻或加熱之銷板1 32 與載具1 22之間的實體接觸可被調節用以維持一所想要 的取佳處理溫度。轴136及升降馬達140，如第7圖所 示，可在銷板132將基材114輸送於該傳送裝置118與 載具122之間時用來升高及降低銷板132。銷板134與 銷板1 3 2的結構及製造相類似。 第1 4圖為第6 - 7圖中之連續沉積系統的另一舉例性 實施例。第14圖中的系統包括一板3 00其位在室96的 一般處理區的底下。板3 00其結構與銷板1 3 2相類似， 板3 0 0的溫度可利用流體通道及/或加熱件來選則性地加 以調節，其如參照銷板1 3 2所述者。第1 5圖顯示一形成 在板300中的一舉例性流體通道302，其中通道3〇2以 一非直線的路徑通過板300，藉以増加流體通道 302與 板3 00之間的熱接觸。第16圖顯示一實心板300其具有 第28頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2丨0X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· # 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 527669 B7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（） 多個孔以網格的形式被形成於其内’使得有的孔被選定 來讓流體流入板3 00中及有的孔被選定來讓流體流出板 3 00。其它的孔則應被塞起來或密封起來以保持一密閉的 系統。板3 00 <以是矩形的形狀且可被安裝在許多位置 處，如介於處理室96的側壁之間或被支撐於連接至該室 的底部上的一台柱307上。板300可包括一流體入口 304 及一流體出口 306這兩者可被置於該板的一側或在該板 的底下。又’板可包括杜該板300内之電阻式加熱 件，或與板相鄰近用以升高板300的溫度。因此，板3〇〇 可被建構成藉由幅射地傳遞及/或吸收來自於處理室的不 同表面上的熱而升高或降低處理室96的溫度。板3 00亦 可與被冷卻的銷板1 3 2，1 3 4 —起使用，用以控制室，室 内的構件，及/或被該室處理的基材的溫度。室的高溫表 面，如板3 00的頂部，可利用上面提到過的噴砂或陽極 化處理來用以提高其發射率。發射率的提高有助於板3〇〇 的幅射溫度傳遞至處理室96的其它表面上，包括載具ι22 所支撐的基材114在内。第15及16圖分別為板300的 舉例性頂視及側視圖。板3 00會具有一或多條形成於其 内的通道。與銷板132，134相同地，通道3〇2可被形成 為兩塊板子然後將它們接合起來成為完整的通道。或者， 通道302可藉由鑽穿過板300的側邊，之後將板子側邊 上之部分通道封起來用以將一冷媒導引至一流體入口及 出Π 〇 示於第6 _ 1 3圖的系統的實施例代表一單一系列的 第29頁 令紙扳尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) .............·裝.........訂.........# (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 527669 A7 B7 五、發明説明（） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 室。本發明可應用到以側邊對側側邊式或端部對端部式 設置的多系列室上，其中中央接受站將供應該等多系列 的室。又，本發明包括多個大致直線式的處理室架構， 及包括使用一連續的迴圈的架構，如一圓形或卵形的架 構。第1 7圖為一直線式沉積系統的頂視圖，其具有一入 口負載鎖定室92，處理室95，96，出口負載鎖定室94， 及一機械臂。該系統包括一串成一列的處理95，96其一 端耦合至入口負載鎖定室92及另一端耦合至出口負載鎖 定室94。匣盒310，312及314被設置在一軌道318的 一端，該軌道支撐一在大氣條件下操作的軌道機械臂 3 1 6。每一負載鎖定室被耦合至軌道機械臂 3 1 6。該系統 被安排成參照第6-13圖所述的室。基材藉由機械臂316 而被送入入口鎖定室92，被送入處理室95，96，被處理 及從出口負載鎖定室94被取出。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1 8圖顯示第17圖中之系統的一變化，其中一並 排的室系列被耦合至一軌道機械臂 3 1 6。第一系列的室 包括處理室95a，96a，其一端耦合至一第一入口負載鎖 定室92a及另一端則被耦合至第一出口負載鎖定室94a。 第二系列的室包括處理室 95b，96b，其一端耦合至一第 一入口負載鎖定室92b及另一端則被搞合至第一出口負 載鎖定室9 4b。產出率可藉由讓機械臂316將一第一基 材114a裝載至第一室系列中的第一入口負載鎖定室92a 中且在第一基材114a被處理期間將一第二基材114b裝 載至第二室系列的第二負載鎖定室中來家以提高。相類 第30頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐） 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 527669 A7 ---------- B7 發明説明（） 似地基材可被機械臂所卸載同時基材114b從處 理罜96b被迗入第二出口負載鎖定室94b並等待被機械 臂3 16移出。根據時機及在該等室中的順序，其它的架 構亦可被使用，例如三或四列室在一具有一機械臂的中 央裝載室為交接。 直線沉積系統的操作 參照第6及7圖，在操作時，一基材114被機械臂 1 10經由一在入口負載鎖定室92中的閥102送至入口負 載鎖定室92中。機械臂u〇將基114置於一傳送裝置U8 的支撐指件198上。機械臂11()從入口負載鎖定室92撤 出且閥102關閉。入口負載鎖定室92被一真空源（未示 出）降至一真空，對於CVD處理而言其範圍約lOmTorr 至約 50mTorr，及對於PVD處理而言其約lmTorr至約 5mTorr。在某些負載鎖定室中，基材114亦可被加熱燈， 電阻線圈，放熱/吸熱流體流裝置，及/或其它加熱/冷卻 裝置加熱/冷卻至一預定的處理溫度。通到處理室96的 隔離閥98被打開且傳送裝置118被可與傳送裝置118上 的台架204轉動嚙合的小齒輪128沿著該軌道123移動。 一感應器（未示出）決定傳送裝置118的位置並提供輸入 至一控制器248用以調整傳送裝置的運動。 在該處理室96内，藉由小齒輪128轉動地與載具I22 上的台架260嚙合移動載具而將載具122置於銷板132 之上。傳送裝置118被帶到與載具122及來自於銷板132 的銷對齊的位置。一升降馬達140將軸136升起’亦即 第31頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公楚) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ·裝. 功669 A7 B7 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明說明（） 將銷板1 3 2的銷1 44升到與載具1 22接觸的位置。銷1 44 向上延伸並穿過載具122上的孔276，因此經基材從傳 送裝置118的支撐指件198上舉起。在銷144完全伸展 穿過載具122時，載具122本身與銷板132的支撐表面 相接觸，因此載具1 2 2亦被銷板丨3 2所舉起。在載具及 基材都被銷板1 3 2舉起時，傳送裝置n 8被撤入入口負 載鎖定室92中且隔離閥98關閉起來，藉以將其内方置 了基材114的處理室96封閉起來。升降馬達140將軸136 及銷板132降下，進而降低支撐基材114的銷144。基 材Π4因而與載具122上的支撐表面接觸，且銷144持 續地降低直到銷被降低至低於載具1 2 2。載具1 2 2然後 藉由讓小齒輪128與載具122上的台架260嚙合而沿著 軌道124移動且感應器（未示出）偵測載具的位置並提供 輸入給控制器248。當載具122沿著軌道124移動時， 導引滾子126與載具122接觸並幫助其與載具122對齊。 或者，銷1 44可與銷板1 3 2分開來且獨立於銷板1 3 2自 己升高與降低，如利用另一耦合至該等銷的升降馬達（未 示出）來達成。當銷與銷板分離時，在銷將基材升起及降 下時銷板可與載具接觸得較久。又，當銷板132與載具 122接觸的期間，銷板1 3 2可藉由使用本文中所提到的 加熱及/或冷卻結構來將熱傳遞至載具122或接受來自於 載具122的熱。 載具122然後被送至處理的位置。例如，如果該處 理包括濺射的話，則載具1 22被移到標靶1 5 6，1 5 8，1 60 第32頁 f請先閱讀背面之注意事项再填寫本頁} 裝· 訂· # 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) 527669 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（） 及162之一者的底下。能量被供應至該等標靶用以將標 靶偏壓且一電漿被產生。來自於電漿的離子撞擊標靶並 將標靶的物質釋放出來。某些被釋出的物質移動於一朝 向該基材的路徑上且沉積於基材上。分隔板171，173, 175，177，及179將特定的標靶與相鄰處理區及/或其它 標把隔離開。基材Π 4的前導緣被移至在該處理區系列 172，174，176及 178 中的下一個處理區，如具有由不 同的材質製成的標靶之另一處理區。能量被供應至在下 一個處理區内的標靶，該標靶被濺射，該標靶材質被沉 積於先前被沉積的物質之上。該處理繼續通過處理區 172，174，176及178直到基材已完成在處理室96應執 行的處理為止。如在本文中所述的，處理區並不一定要 於被處理基材大小相同或比基材大，因為本發明允許基 材同時移動通過多個處理區。當基材已通過處理區之後， 載具1 22被移至設置在出口負載鎖定室94附記的銷板1 34 之上的位置且與其對齊。或者，如果另一處理室與處理 室96以串聯的方式連接在一起的話，載具可被移入下一 個處理室或該基材可被送至在下一處理室中的載具上。 銷板134被升高，銷146可延伸穿過載具122，進而將 基材114升高至載具122上方。一在出口負載鎖定室94 内的傳送裝置120沿著軌道125從出口負載鎖定室94移 動穿過介於出口負載鎖定室94與處理室96之間的隔離 閥100。此移動將傳送裝置丨20置於載具122底下用指 件198將基材114升起。一馬達142將銷146降低其將 第33頁 Α請先閲讀背面之注 意事項再填寫本頁) Ι 訂· # 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公爱) 527669 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 發明説明（） 基材降低至傳送裝置120的指件198上。傳送裝置丨20 穿過隔離閥1 00移回到出口負載鎖定室94内且隔離閥1 00 關閉起來用以再次將處理室密封起來。出口負載鎖定室 94可提供在閥104打開之前的基材冷卻用以允許一機械 臂112取出基材114以進行進一步的處理。多片基材可 同時被放置在室中，如基材114在入口負載鎖定室92中 等待送至載具122上，基材114與處理室96中進行處理， 及基材1 1 4等待被移出出口負載鎖定室94。 載具1 22然後被沿著軌道124朝向入口負載鎖定室 92被移回到定位以接受來自於入口負載鎖定室92的另 一片基材。或者，本發明的處理系統可被建構成一連續 的處理室，其中該處理室包括多個被安排成直線的室用 以形成一連續的迴圈。應被注意的是，在此實施例中的 載具122在進入處理操作期間是保持在處理室96内，或 至少是在處理壓力下。因此，載具122不會遭遇到前技 處理操作中的去氣及污染等缺點。或者，如果處理室順 序具有彈性的話，每一負載鎖定室可同時作為裝載及卸 載的負載鎖定室。一將被處理的基材可被置於來自於出 口負載鎖定室94的載具122且被往回移動通過處理室96 朝向入口負載鎖定室92，該基材然後被移動用以載入該 負載鎖定室。此種結構主要產生一雙向處理室，其中端 站是作為裝載及卸載站以供未經處理的基材及已經過處 理的基材之用，藉以提高該處理設備的效率。 如上文中稍微提到過的，載具1 22並不離開該處理 第34·頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210Χ 297公釐) ..... ——·裝： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} ，訂· # 527669 A7 B7 五、發明説明（) 環境，因此不會遭遇到與曝露到周圍環境中知 ①丁不目關連的溫 度波動變化，熱循環，及去氣。因此，如參昭# 多…、罘 2 圖所 作的說明般，載具1 22只有限度地曝露於污迆辑，丄 X 乂境中。 傳送裝置118及120只稍微地位在處理室％ + $ τ ’但王要 是保持在各自的負載鎖定室92，94中，因此不會接受到 物質的沉積或載具1 22所接受到的其它處理結果。因此， 本發明將不同的支撐構件分隔成至少主要地，且大致完 全地保持在處理環境内的構件，及至少主要地保持在一 非處理環境中的構件。本發明亦藉由在沉積週期之間或 在裝載基材至傳送裝置或從傳送裝置卸載時與一溫度受 控制的板子作緊密的接觸，或藉由靠近該板子以影響該 載具溫度來將位於該處理環境中之載具加以控制。詳言 之，載具可被溫度受控制的板子所冷卻用以防止載具的 平均溫度因為基材處理的熱而向上”爬”，或者該載具可 被加熱用以將基材的溫度升高至一所想要的處理溫度。 無論何種情形，本發明之溫度控制特徵可被用來產生一 致的處理環境，用以生產更加均勻的瘼層。 第一處理例一ITO/Mo/Cr/MoCr濺射沉積 本發明的處理系統可用不同的材質及處理制度而被 應用於廣泛的處理中。以第1 9-23圖中的側視圖所顯示 之以下的例子只是舉出在使用反應及非反應處理區上的 一種可能性。目前被沉積在作為平板玻璃面板的玻璃基 材上的物質為銦錫氧化物（ITO)。一或多層絡銷（M〇Cr)層 第35頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ·裝. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 527669 A7 B7 五、發明説明（） 典型地被沉積在該ITO層上。用於平板玻璃基材上的典 型材質的其它例子包括cr，IT〇，Cr〇及A1。 一基材可被放置於在入口負載鎖定室92中的傳送裝 置118上，一產生在該入口負載鎖定室92中的真空約 lmTorr至約50mTorr，且傳送裝置118可將基材Η4送 入處理室96中。基材114可被送至位在銷板132之上的 載具122，傳送裝置118回到入口負載鎖定室92中，且 銷板13 2被降低。如第19圖中所示的，載具122可將基 材114移入一處理位置，該位在在一包含ITO標326 的第一處理區3 20底下。氬氣或其它鈍氣可以34sccm的 速度被導入該處理區，用以穩定該處理及幫助將污染物 從該第一處理區中排出。雙原子氧亦可以至少0.17sccm 的速率被導入該第一處理區。約2000瓦的功率可被施加 至位在該基材114之上或附近之ITO標靶326並纏生一 電漿，且該ITO標靶326被濺射用以在約40秒的時間内 產生一約500埃厚的ITO層於基材上。如在第20圖中所 示的，因為基材1 14的尺寸的關係，載具122必需將一 部分的基材114移動通過第二處理區322及第三處理區 324以完成在第一處理區320中對基材114的處理。 如第21圖所示的，基材114會被移至第二處理區3 22 其可與第一處理區相鄰或位在遠離第一處理區處。因為 基材尺寸及在此舉例性的實施例中第一處理區與第二處 理區之相鄰的關係，載具方向可被倒轉用以將基材114 移至與第二處理區3 22對齊。或者，第二處理區可在基 第36頁 本紙張尺度通用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .•裝. 、v'cr· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 527669 A7 B7 五、發明説明（） 材1 1 4移動通過第一處理區3 2 0時同步被啟動。在此例 子中，第二處理區322包梧—MoCr標靶328。為了要沉 積其它的物質，相對應的標乾材質可被使用，其包括Cr， IT〇，Ta及A1標乾’有或沒有氧化及其它反應氣體存在 皆可。一反應性處理可被用來製造一被濺射的MoCr的 氧化層於基材114上用以提高ITO層與後續層之間的黏 著性。氬氣及其它的純氣可以3〇sccm的速度被導入該第 二處理區322。雙原子氧亦可以3 Osccm的速率被導入該 第二處理區322用以提供一反應氣體與該被濺射出的 MoCr物質反應並產生該M〇Cr之氧化的黏著層。約1〇〇〇 瓦的功率被施加至該位在基材114上方的MoCr標靶328 並產生一電漿，及該被濺射出的Mo Cr標靶328會在約4 秒的時間内產生約14埃厚的MoCr層。 如第22圖中所示的，載具122再次移動於導轉方向 上並將基材 144移至一進行另一膜層處理的位置處。在 此例子中，一 2000埃厚的MoCr層將在一非反應性的處 理中被沉積於該Mo CrO層上。包含MoCr標靶328，330 的處理區可供一較高產出率使用。氬氣及其它的鈍氣可 以75sccm的速度被導入每一處理區内《沒有氧被導入第 二或第三處理區322，324内《約13000瓦的功率被施加 至該位在基材114上方的MoCr標靶328，330並產生一 電漿，且MoCr標靶328，3 3 0被濺射約44秒並產生一 約2 000埃的MoCr層。如第23圖所示的，基材從處理 區320，322，324中被移出並被送至出口負載鎖定室94 第37頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) ..... .............、可.........# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 527669 五、發明説明（） 以準備進一步的處理。 多晶矽技術 本發明的製造技術應用非晶形矽技術或多晶矽技術 來製造元件，如液晶顯示器（LCD)。非晶形碎技術通常被 用來製造像是膝上雙或桌上型電腦的顯示螢幕，而多晶 梦技術則通常被用來製造數位照像機螢幕，數位攝影機 螢幕，及行動電話式螢幕。雖然在叢集工具結構中製造 的非晶形矽技術是一般習知的LCD式顯示器的製造技 術，但此技術的缺點為其解析度特性不佳，與一般習知 的陰極射線管（CRT)式的顯示器相同。但，多晶矽技術則 可製造適用於所有種類顯示器的解析度特性。詳言之， 多晶矽技術對於製造法型平板顯示器而言是較佳的。然 而，現有的製造及處理技術並無法使用多晶矽技術來實 施大尺寸平板顯示器的製造，因為現有的處理室結構無 法處理一能夠支援一大尺寸平板式顯示器的基材。然而， 經由使用本發明之新穎的結構及架構，大型基材，特別 是能夠支援一大尺寸平板式顯示器的基材，即可在本發 明的一直列式處理室中來加以製造/處理。 為了要製造一多晶矽基礎的膜層，需要一低氫非晶 形梦膜層。當此低氫非晶形碎膜層被產生之後，該膜層 然後被加熱，如利用強度夠強及/或功率夠大的光源，& 將該膜層融化以形成所想要的結晶結構，其一般被習稱 為回火處理。使用於多晶矽層的此一回火處理中的光源 第38頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) ----- ——·1.........、一叮.........# (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 527669 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（） 為一 XeCl準分子雷射（excimer laser)。現有的多晶碎技 術支援將該XeCl準分子雷射放在主要處理室的外面，因 為在室内使用雷射會歪曲處理室的溫度特性進而減損膜 層特性。然而，將該回火準分子雷射放在處理室的外面 會讓該經過處理的膜層有被污染的可能性，因為該膜層 必需被送到回火準分子雷射處，而這通常意謂著必需將 該膜層曝露在周圍的大氣環境中。 一種傳統的製造多晶矽膜層的處理被示於第24圖 中。傳統的多晶矽技術的處理會利用一化學氣相沉積處 理來沉積第一層Si〇2層。此地一層相當厚，通常為30〇〇 埃。一第二層然後被沉積於該第一 Si〇2層上，其中該第 二層通常是由约300至500埃厚的非晶矽所形成。然而’ 在沉積第二層之前，傳統的技術通常會將其上具有第一 層的基材送至第二沉積室。在完成第二層的沉積之後， 該多層的膜層然後被送至一第三室或工具以進行回火’ 其通常包括了將該膜層曝露在大氣環境中。 第25圖顯示一被用來支援一穸晶顯示器薄膜電晶體 (T F T)結構的傳統多晶碎膜層。示於第2 5圖中之傳統的 膜層包括一基礎基材251其具有一相當厚的底層252被 沉積於其上。該底層252通常對應於第24圖中3000埃 厚的第一 3丨02層。在底層正上方的為一多晶矽層253其 約300-500埃厚。在該多晶矽層的正上方為一閘極siOx 層254，其上為一閘極層255，這在此技藝中為習知者。 此外，一摻雜了 S的區域257其為電晶體的源極，及一 第39頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) ----·裝.........訂.........參 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 527669 A7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 惨雜了 D的區域256其為電 中緊鄰該多晶矽層253及在底層252之上 經由使用本發明的處理系統可製造出 ^具有改艮特性 的多晶硬層。詳言之，經由使用本發明之 ，、 乂回火光源位在 1S處理室内之一直列式處理系統，可製造 卜 < ®改艮的多晶 硬膜層，因為該膜層不需從處理室被輸送 义通過大氣環境 7一回火站。將此一需要通過大氣環境的輪送步驟省掉 是很關鍵的，因為曝露於大氣環境中是多日 7阳矽層的污染 的主要來源。第26圖中之改良的多晶矽膜 ， 賊層可包括一約 3 000埃厚的Si〇2基層，其可用物理氣 u μ "L積來加以沉 積。約300-500埃厚之非晶矽層的該第二 〜嘈研可用物理 氣相沉積法來加以沉積。藉由使用一雷射來對該非曰曰碎 層回火以產生該多晶碎層之示於第26圖中的最終步^是 在實施物理氣相沉積的同一室中實施的。 第27圖顯示被設計來製造示於第26圖中的多晶碎 膜層之本發明的一沉積系統的舉例性結構。在此結構中， 入口負載鎖定室92被用來將至少一片乾淨的基材從周圍 大氣環境中及/或匣盒中經過入口負載鎖定室92及閥9: 送日處理室96中。該輸送大體上是由傳送裝置jig,輩 具122及板132所完成的。因此，被置於載具122上的 基材114的溫度在基材Π4從傳送裝置122輸送至載具 1 18的期間可藉由板子132來對其溫度加以調節。當羞 材移動通過該處理示96時，其即不在靠近該銷板132， 因此其即位在銷板1 3 2能夠控制基材1 1 4的溫度的區髮 第40頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) ................Φ裝.........訂.........# (請先閲讀背面之注意事項再塡、寫本頁) 52^669
五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明說明（） 之外。然而，結構與板132，134相同的板300可被放在 靠近處理室96的處理裝置附近，因此可在處理步驟期間 破用來調整及/或控制基材丨丨4的溫度，如第2 8圖所示。 板3〇〇可被控制用以保持在400至500°C的溫度範圍之 内’使得一矽膜層可在本發明的準分子雷射回火階段被 輕易地轉變為一多晶矽膜層。在將基材114從處理室96 适至出口負載鎖定室94期間靠近基材114的銷板134用 &在基材離開處理室96進入出口負載鎖定室94期間箜 制基材，載具，及/或周圍環境的溫度。 在此舉例性的多晶矽結構中，位在板 3 00正上方的 栽具122在一預定的速度下首先將基材通過第一 Si02標 & 271的底下，3000埃厚的底層的至少一部分在該處被 況積於該基材上。載具122然後將其上沉積了該3000埃 厚的底層的至少一部分的基材144通過第二Si02標靶272 的底下，該頂層其它部分即在該處被沉積。雖然一單一 標靶/沉積裝置可被用來沉積底層，但使用兩個分開來的 標靶/沉積裝置可增加該處理系統的工作壽命，因為標靶 27 1與272之間平均分擔了標靶的耗損，所以標靶更換 的時程即被延長。在沉積底層的其餘部分之第二標靶272 之後為一可為純的矽標靶之第三標靶2 7 3,其可被用來 沉積一非晶矽層於該底層之上。如在第2 6圖中所示的， 此層的厚度係介於300至500埃之間。在非晶矽層的沉 積完成之後，該基材然後通過該處理室96内的準分子雷 射274底下。準分子雷射274將該非晶矽層回火用以形 第頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2丨0X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 527669 五、發明説明（） 成一所想要的多晶矽層。然而，因為回火處理是在處理 室96中進行，所以此處理回升高處理室96的皿度。因 此，銷板132，134及板300可配備加熱及/或冷部裝置 用以選擇性地控制室9 6的溫度以及任何通過至9 6之基 材的溫度。在完成回火處理之後，基材從處理罜96經由 闕100被送入出口負載鎖定室94中。接下來’經過該經 過處理的基材可從出口負載鎖定室94被一機械臂或其七 已知的裝置從該出口負載鎖定室94取出。 雖然CVD處理可被用來產生多晶矽膜層’但CVD 處理通常會得到品質很差的膜層因為在CVD處理中使用 了 Si H4，而在CVD回火處理期間所釋放出來的氫對於所 想要的多晶矽膜層特性並沒有任何的贡獻。因此，本發 明之沉積處理專注在PVD式的處理，因為PVD的回火 處理可使用鈍氣作為周圍氣體，因而可不用將氫氣導入 該多晶矽膜層中。例如，如果一 Si〇2的標靶的話，則一 小於lkW的RF偏壓可被施加於該標靶上用以啟動該PVD 處理。使用8丨02標靶使得該處理室壓力可被保持在約1-5mT的範圍之内且進入處理區的氬氣流率可在約 50-lOOsccm之間及基材溫度約在400-500°C之間，而保持穩 定的沉積所需的一 DC功率約小於5Kw。或者，一純的 矽標起可被用來產生該3丨〇2層，然而，在使用純的矽標 靶時，氧通常會被導入該處理區作為周圍氣體用以產生 該Si〇2膜層的氧部分。與使用3丨02標乾相同的溫度，壓 力’流率及功率設定可同樣適用於純的發標乾上。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公變） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ·裝· 訂· 527669 A7 B7 五、發明説明（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第2 8圖顯示第2 7圖中之舉例从^^ 1 ]性的設備的側視圖。 用來將各別的沉積區彼此實體地分隱 h開來的隔板1 7 1， 173，175，177被示於第28圖中。心w 此外，位在準分子雷 射2 74與卸載鎖定室閥100之間之M w火區隔板179被示 出。磁鐵2 8 1或能夠產生相容的蹲m、 %<裝置被顯示位在 標靶271，272，及273上方。磁鐡）〇1 281是用來產生一磁 場靠近標靶271，272，及273裸露 3表面，其可藉由在 沉積處理期間促進平均的標靶耗損而 靖加濺射率及標靶 壽命。 雖然本發明已依據上述的實施例知α % 4加以說明，但在本 發明的精神及範圍内之某些變化，修改，换L ^ 替代結構，架 構對於熟悉此技藝者而言仍是相當明顯的。钱^ " 砰T之，在 結構，如傳送裝置，載具，基材，機械臂，含 I ’標把及 系統的其它構件在方位上的變化都可在本發明的範圍内 加以變化。此外，本文中的所有移動及位置，如，，之上，，，，， 頂”，”底下，，，”之下，，’底”，”側”，及其它都是與物件， 如標靶，室，載具及傳送裝置，相關的位置都可被改變 以產生不同的結構及實施例。因此，本發明函蓋了將任 何或所有構件旋轉於不同的替代方位上用以達到將基材 輸送通過一處理系統所需要的移動。因此，本發明的範 圍是由以下的申請專利範圍來加以界定。 第43頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) ----- ............·裝丨丨 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂·

Claims (1)

  1. 9 6 6 27 5 六 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 _E!_______、申請專利範圍 1. 一種處理至少一基材的設備，該設備至少包含·· 至少一基材載具用來將基材輸送於一處理環境中； 至少一溫度受控制的板子’其選擇性地與該"至少一 載具相聯通；及 至少一沉積裝置，其被設置在靠近該至少一基材載 具的一處理路徑處，該至少一沉積裝置被建構來將一 被選定的膜層沉積於該基材上。 2. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該至少一基 材載具更包含： 一大致平面的基材接受件，該基材接受件具有多個 形成於其上的孔且一基材接受表面被形成於其上；及 一驅動嚙合件，其為在該基材接受件的一下表面 上。 3 ·如_請專利範圍第1項所述之設備，其中該至少一基 材載具被建構來將一基材輸送於一該處理環境中的一 第一點與該處理環境中的一第二點之間。 4.如_請專利範圍第1項所述之設備，其中該至少一溫 度受控制的板更包含·· 一板’其具有至少一第一加熱裝置及一冷卻裝置形 成於其上；及 數個長形的銷件，其從該板的一嚙合表面延伸出， 第44頁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 、τ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210Χ297公釐) 527669 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 該等長形的銷件被建構來與多個形成於該至少一基材 載具上的孔相配合地嚙合。 5.如申請專利範圍第4項所述之設備，其中該第一加熱 裝置更包含至少一加熱器與一熱電隸相聯通。 6 ·如中請專利範圍第4項所述之設備，其中該冷卻裝置 更包含一形成在該板内的流體通道，該流體通道據有 一流體輸入及一流體輸出。 7. 如申請專利範圍第4項所述之設備，其中該嚙合表面 更包含一被喷砂的表面及一陽極化的表面。 8. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該設備更包 含一第二加熱裝置設置在該處理環境内用來對該基材 回火。 9. 如申請專利範圍第8項所述之設備，其中該第二加熱 裝置更包含一雷射光源。 1 0 ·如申請專利範圍第9項所述之設備，其中該雷射光源 更包含一準分子雷射。 1 1.如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該至少一溫 第45頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 527669 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 度受控制的板與該至少一基材載具成熱聯通。 12.—種處理至少一基材的方法，該方法至少包含以下的 步驟： 將在至少一基材傳送裝置上的基材輸送至一處理環 境中； 將該基材輸送至該處理環境内的一基材載具上； 用一或多個溫度受控制的板子來控制該基材載具的 溫度， 將其上具有該基材的基材載具輸送通過在該處理環 境内的至少一處理區；及 將該基材從該基材載具上輸送至該至少一基材傳送 裝置用以將該基材從該處理環境中移出。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項所述之方法，其中將該基材 輸送至一基材載具的步驟更包含： 將該至少一基材傳送裝置放置在一可選擇性地移動 的板子上方，有多個長形件從該可選擇性地移動的板 子延伸出； 將該基材載具放置在該可選擇性地移動的板子與該 至少一基材傳送裝置之間，該基材載具其上形成有多 個孔； 將該可選擇性地移動的板子升高使得從該可選擇牲 地移動的板子延伸出的該等長形件與在該基材載具上 第46頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再場寫本頁) 527669 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、 > A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 的多個孔相匹配地嚙合並部分地延伸穿過該等孔而與 基材相接觸並將基材舉離該至少一基材傳送裝置； 將該至少一基材傳送裝置從該處理環境中撤出；及 將該可選擇性地移動的板子降低使得延伸穿過在該 基材載具上的多個孔之長形件從孔中撤出並將基材置 於該基材載具上。 1 4 .如_請專利範圍第丨3項所述之方法，其中控制該基 材載具的溫度的步驟更包含加熱該可選擇性地移動的 板子及冷卻該可選擇性地移動的板子中的至少一者用 以在該可選擇性地移動的板子與該基材載具的接觸期 間將熱傳遞於它們兩者之間。 l· 5 .如申請專利範圍第1 4項所述之方法’其中加熱該可 選擇性地移動的板子更包含將電能通過設在該可選擇 性地移動的板子内的至少一電阻式加熱器元件。 1 6 ·如_請專利範圍第1 4項所述之方法’其中冷卻該可 選擇性地移動的板子包含讓一流體通過設在該可選擇 性地移動的板子内的一流體通道。 1 7 ·如申請專利範圍第1 2項所述之方法’其中將基材輸 送通過至少一處理區的步騾更包含將該基材載具移動 通過一沉積區及一回火區，其中該膜層沉積區及回火 第47頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公愛) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 527669 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍 區兩者都是在該處理環境中。 1 8 .如申請專利範圍第1 2項所述之方法，其中將該基材 輸送至該至少一基材傳送裝置的步驟更包含： 將一可選擇性地移動的板子升高與該基材載具端 合，該可選擇性地移動的板子有有多個長形件延仲出， 該等長形件與在該基材載具上的多個孔相匹配地嚙合 並部分地延伸穿過該等孔而與基材相接觸並將基材舉 離該基材載具； 將該至少一基材傳送裝置放置於該基材底下； 將該可選擇性地移動的板子降低使得延伸穿過在該 基材載具上的多個孔之長形件從孔中撤出並將基材置 於該至少一基材傳送裝置上；及 將其上放置有基材的該至少一基材傳送裝置從該處 理環境中撤出。 1 9 ·如申請專利範圍第1 8項所述之方法，其中將該可選 擇性地移動的板子升高更包含當該可選擇性地移動的 板子與該基材載具接觸時控制該基材載具的溫度。 20·如申請專利範圍第1 9項所述之方法，其中控制溫度 更包含加熱該可選擇性地移動的板子及冷卻該可選擇 性地移動的板子中的至少一者用以在該可選擇性地移 動的板子與該基材載具的接觸期間將熱傳遞於它們兩 第紹頁 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. -訂- 喔 I I I 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) 527669 ABCD
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍 者之間。 21. —種形成一多晶碎膜層於一基材上的方法，該方法至 少包含以下的步驟： 將一基材載入一處理環境中； 將該基材曝露在該處理環境中的至少一沉積源中； 將該基材曝露在該處理環境中的回火裝置中；及 將該基材從該處理環境中移出。 22. 如申請專利範圍第2 1項所述之方法，其中該載入步 驟更包含以下的步驟： 將該基材置於一入口負載鎖定室内的一傳送裝置 上； 產生一真空於該入口負載鎖定室内； 打開介於該入口負載鎖定室與該處理環境之間的一 隔離閥； 將該傳送裝置移入該處理環境中； 將該基材從該傳送裝置送至該處理環境中的一載具 上； 將該傳送裝置撤回該負載鎖定室；及 關閉該隔離閥。 23. 如申請專利範圍第21項所述之方法，其中該方法更 包含調節在該處理環境中的基材的溫度。 第49頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· ABCD 527669 ~、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 4.如申請專利範圍第2 3項所述之方法，其中調節溫度 更包含用以溫度受控制的板子與其上放置了該基材的 一載具接觸，該溫度受控制的板子被設計成可與該載 具作熱能的交換。 2 5 .如申請專利範圍第2 4項所述之方法，其中接觸該載 具更包含讓一流體通過該溫度受控制的板子用以降低 該板子的溫度及將一電流通過設在該溫度受控制的板 子内的至少一電阻式加熱裝置以升高該板子的溫度兩 者中的至少一者。 26.如_請專利範圍第2i項所述之方法，其中將該基材 曝露在至少一沉積源中更包含： 將該基材曝露於一第一沉積源中，該第一沉積源被 設計成可沉積一氧化矽膜層於該基材上； 將該基材曝露於一第二沉積源中，該第二沉積源被 設計成可沉積一氧化矽膜層於該基材上；及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將該基材曝露於一第三沉積源中，該第三沉積源被 設計成可沉積一非晶矽膜層於該基材上。 27·如申請專利範圍第26項所述之方法，其中將該基材 曝露於第一及第二沉積源更包含沉積一累積的氧化矽 膜層於該基材上，其中該累積的氧化矽膜層具有3 00 0 埃的厚度。 第50頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) 527669 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 28.如_請專利範圍第26項所述之方法，其中將該基材 曝露於第三沉積源更包含沉積一非晶矽層於該基材 上，其中該非晶矽層具有至少250埃的厚度。 2 9 ·如申請專利範圍第2 1項所述之方法，其中將該基材 曝露於一回火裝置更包含將基材曝露於一準分子雷射 中該準分子雷射係位在該處理環境中。 3 0 ·如申請專利範圍第2 1項所述之方法，其中將基材從 該處理環境中移出更包含以下的步驟： 產生一真空於一出口負載鎖定室中； 打開一介於該出口負載鎖定室與該處理環境之間的 隔離閥； 將一傳送裝置移入該處理環境中； 將該基材從一載具輸送至該傳送裝置； 將該傳送裝置撤回該處理環境中；及 關閉該隔離閥。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第51頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐)
TW090132266A 2001-01-03 2001-12-25 Consecutive deposition system TW527669B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/753,424 US6460369B2 (en) 1999-11-03 2001-01-03 Consecutive deposition system

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW527669B true TW527669B (en) 2003-04-11

Family

ID=25030576

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW090132266A TW527669B (en) 2001-01-03 2001-12-25 Consecutive deposition system

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6460369B2 (zh)
EP (1) EP1348229A2 (zh)
JP (1) JP2004534379A (zh)
KR (1) KR100867839B1 (zh)
CN (1) CN100378900C (zh)
TW (1) TW527669B (zh)
WO (1) WO2002067298A2 (zh)

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6866901B2 (en) 1999-10-25 2005-03-15 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US20100330748A1 (en) 1999-10-25 2010-12-30 Xi Chu Method of encapsulating an environmentally sensitive device
US6413645B1 (en) 2000-04-20 2002-07-02 Battelle Memorial Institute Ultrabarrier substrates
US6591160B2 (en) * 2000-12-04 2003-07-08 Asyst Technologies, Inc. Self teaching robot
US6902635B2 (en) * 2001-12-26 2005-06-07 Nitrex Metal Inc. Multi-cell thermal processing unit
US8808457B2 (en) 2002-04-15 2014-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
US8900366B2 (en) * 2002-04-15 2014-12-02 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
US6943066B2 (en) * 2002-06-05 2005-09-13 Advantech Global, Ltd Active matrix backplane for controlling controlled elements and method of manufacture thereof
US6918965B2 (en) * 2002-08-28 2005-07-19 Micron Technology, Inc. Single substrate annealing of magnetoresistive structure
US7243003B2 (en) 2002-08-31 2007-07-10 Applied Materials, Inc. Substrate carrier handler that unloads substrate carriers directly from a moving conveyor
US7930061B2 (en) 2002-08-31 2011-04-19 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for loading and unloading substrate carriers on moving conveyors using feedback
US7684895B2 (en) 2002-08-31 2010-03-23 Applied Materials, Inc. Wafer loading station that automatically retracts from a moving conveyor in response to an unscheduled event
US7648925B2 (en) 2003-04-11 2010-01-19 Vitex Systems, Inc. Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks
US7510913B2 (en) 2003-04-11 2009-03-31 Vitex Systems, Inc. Method of making an encapsulated plasma sensitive device
US7226512B2 (en) * 2003-06-18 2007-06-05 Ekc Technology, Inc. Load lock system for supercritical fluid cleaning
US7045746B2 (en) 2003-11-12 2006-05-16 Mattson Technology, Inc. Shadow-free shutter arrangement and method
US20050223986A1 (en) * 2004-04-12 2005-10-13 Choi Soo Y Gas diffusion shower head design for large area plasma enhanced chemical vapor deposition
US7354845B2 (en) * 2004-08-24 2008-04-08 Otb Group B.V. In-line process for making thin film electronic devices
US7297397B2 (en) * 2004-07-26 2007-11-20 Npa Coatings, Inc. Method for applying a decorative metal layer
EA007701B1 (ru) * 2005-07-18 2006-12-29 Владимир Яковлевич ШИРИПОВ Вакуумный кластер для нанесения покрытий на подложку (варианты)
US7432201B2 (en) * 2005-07-19 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Hybrid PVD-CVD system
US7767498B2 (en) 2005-08-25 2010-08-03 Vitex Systems, Inc. Encapsulated devices and method of making
WO2008045375A2 (en) * 2006-10-04 2008-04-17 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for loading and unloading substrate carriers on moving conveyors using feedback
WO2008070267A2 (en) * 2006-10-09 2008-06-12 Helios Coatings Inc. Method for applying a decorative layer and protective coating
US8568555B2 (en) * 2007-03-30 2013-10-29 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for reducing substrate temperature variability
US7563725B2 (en) * 2007-04-05 2009-07-21 Solyndra, Inc. Method of depositing materials on a non-planar surface
US7855156B2 (en) * 2007-05-09 2010-12-21 Solyndra, Inc. Method of and apparatus for inline deposition of materials on a non-planar surface
US7496423B2 (en) * 2007-05-11 2009-02-24 Applied Materials, Inc. Method of achieving high productivity fault tolerant photovoltaic factory with batch array transfer robots
US20080279672A1 (en) * 2007-05-11 2008-11-13 Bachrach Robert Z Batch equipment robots and methods of stack to array work-piece transfer for photovoltaic factory
US20080279658A1 (en) * 2007-05-11 2008-11-13 Bachrach Robert Z Batch equipment robots and methods within equipment work-piece transfer for photovoltaic factory
US20080292433A1 (en) * 2007-05-11 2008-11-27 Bachrach Robert Z Batch equipment robots and methods of array to array work-piece transfer for photovoltaic factory
US7695080B2 (en) * 2007-06-05 2010-04-13 King Slide Works Co., Ltd. Securing device for a drawer slide
US20090011573A1 (en) * 2007-07-02 2009-01-08 Solyndra, Inc. Carrier used for deposition of materials on a non-planar surface
US20090022572A1 (en) * 2007-07-19 2009-01-22 Thomas Pass Cluster tool with a linear source
US8443558B2 (en) * 2007-10-15 2013-05-21 Solyndra Llc Support system for solar energy generator panels
CN103093766A (zh) * 2007-12-06 2013-05-08 因特瓦克公司 用于构图介质的商业制造的系统和方法
US20090248080A1 (en) * 2008-03-26 2009-10-01 Warsaw Orthopedic, Inc. Alignment marking for spinal rods
US20100059115A1 (en) * 2008-09-05 2010-03-11 First Solar, Inc. Coated Substrates and Semiconductor Devices Including the Substrates
US20100075488A1 (en) * 2008-09-19 2010-03-25 Applied Materials, Inc. Cvd reactor with multiple processing levels and dual-axis motorized lift mechanism
US9337446B2 (en) 2008-12-22 2016-05-10 Samsung Display Co., Ltd. Encapsulated RGB OLEDs having enhanced optical output
US9184410B2 (en) 2008-12-22 2015-11-10 Samsung Display Co., Ltd. Encapsulated white OLEDs having enhanced optical output
US8590338B2 (en) 2009-12-31 2013-11-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Evaporator with internal restriction
US10550474B1 (en) 2010-02-26 2020-02-04 Quantum Innovations, Inc. Vapor deposition system
US10808319B1 (en) 2010-02-26 2020-10-20 Quantum Innovations, Inc. System and method for vapor deposition of substrates with circular substrate frame that rotates in a planetary motion and curved lens support arms
TWI443211B (zh) 2010-05-05 2014-07-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 鍍膜裝置
CN102234772B (zh) * 2010-05-06 2014-03-26 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 镀膜装置
KR101839453B1 (ko) * 2011-08-02 2018-03-16 엘지디스플레이 주식회사 플렉시블 디스플레이 장치의 제조 장비 및 제조 방법
KR101810046B1 (ko) 2012-01-19 2017-12-19 삼성디스플레이 주식회사 기상 증착 장치 및 기상 증착 방법
MX2014011333A (es) * 2012-03-20 2015-05-12 Quantum Innovations Inc Sistema y metodo de deposicion en fase de vapor.
DE102012110385A1 (de) * 2012-10-30 2014-04-30 Von Ardenne Gmbh Lagerung für eine stoßempfindliche Substratbehandlungsapparatur
KR102233603B1 (ko) 2014-12-11 2021-03-31 에바텍 아크티엔게젤샤프트 기판 탈가스용 챔버
JP6449074B2 (ja) * 2015-03-25 2019-01-09 住友化学株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6800237B2 (ja) 2016-03-08 2020-12-16 エヴァテック・アーゲー 基板を脱ガスするためのチャンバ
US11031252B2 (en) 2016-11-30 2021-06-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Compant, Ltd. Heat shield for chamber door and devices manufactured using same
US10043693B1 (en) 2017-06-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for handling substrates in a processing system having a buffer chamber
CN109735813B (zh) * 2019-01-21 2021-02-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种基板镀膜设备
CN110144551B (zh) * 2019-07-04 2022-05-10 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸镀设备及蒸镀方法
TWI737520B (zh) * 2020-08-14 2021-08-21 友達光電股份有限公司 顯示面板
DE102021123777A1 (de) * 2021-09-14 2023-03-16 Schott Ag Anlage und Verfahren zum mehrschrittigen Verarbeiten flächiger Substrate

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3973665A (en) * 1975-03-07 1976-08-10 Gca Corporation Article delivery and transport apparatus for evacuated processing equipment
US4047624A (en) * 1975-10-21 1977-09-13 Airco, Inc. Workpiece handling system for vacuum processing
US5110249A (en) * 1986-10-23 1992-05-05 Innotec Group, Inc. Transport system for inline vacuum processing
EP0346815A3 (en) * 1988-06-13 1990-12-19 Asahi Glass Company Ltd. Vacuum processing apparatus and transportation system thereof
US5252807A (en) * 1990-07-02 1993-10-12 George Chizinsky Heated plate rapid thermal processor
US5668056A (en) * 1990-12-17 1997-09-16 United Microelectronics Corporation Single semiconductor wafer transfer method and manufacturing system
US5382126A (en) * 1992-03-30 1995-01-17 Leybold Ag Multichamber coating apparatus
JP3983831B2 (ja) * 1995-05-30 2007-09-26 シグマメルテック株式会社 基板ベーキング装置及び基板ベーキング方法
KR100245260B1 (ko) * 1996-02-16 2000-02-15 엔도 마코토 반도체 제조장치의 기판 가열장치
US5881649A (en) * 1996-08-13 1999-03-16 Anelva Corporation Magnetic transfer system, power transmission mechanism of the magnetic transfer system, and rotational driving member used for the system
US6117266A (en) * 1997-12-19 2000-09-12 Interuniversifair Micro-Elektronica Cenirum (Imec Vzw) Furnace for continuous, high throughput diffusion processes from various diffusion sources
US6172322B1 (en) * 1997-11-07 2001-01-09 Applied Technology, Inc. Annealing an amorphous film using microwave energy
JPH11163104A (ja) * 1997-11-27 1999-06-18 Sony Corp 薄板状基板の表面処理装置における薄板状基板の保持装置
JP4021983B2 (ja) * 1998-02-23 2007-12-12 キヤノンアネルバ株式会社 真空レーザアニール装置のステージ装置
US6214706B1 (en) * 1998-08-28 2001-04-10 Mv Systems, Inc. Hot wire chemical vapor deposition method and apparatus using graphite hot rods
US6298685B1 (en) * 1999-11-03 2001-10-09 Applied Materials, Inc. Consecutive deposition system

Also Published As

Publication number Publication date
US20010015074A1 (en) 2001-08-23
KR100867839B1 (ko) 2008-11-10
EP1348229A2 (en) 2003-10-01
US6460369B2 (en) 2002-10-08
JP2004534379A (ja) 2004-11-11
CN1500285A (zh) 2004-05-26
CN100378900C (zh) 2008-04-02
WO2002067298A3 (en) 2003-04-17
WO2002067298A2 (en) 2002-08-29
KR20030068574A (ko) 2003-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW527669B (en) Consecutive deposition system
TW469490B (en) Consecutive deposition system
JP5380525B2 (ja) 真空加熱冷却装置
US8196619B2 (en) Load lock apparatus, processing system and substrate processing method
US6949143B1 (en) Dual substrate loadlock process equipment
JP4499705B2 (ja) フラットパネルディスプレイの製造システム
US6294219B1 (en) Method of annealing large area glass substrates
US20060245852A1 (en) Load lock apparatus, load lock section, substrate processing system and substrate processing method
JP2002203884A (ja) 基板処理装置及び経由チャンバー
JP2001187332A (ja) 薄膜作成装置
JP2002057203A (ja) 基板処理装置
JP4614529B2 (ja) インライン式基板処理装置
TWI827871B (zh) 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法、基板處理程式及記錄媒體
TW201222622A (en) Apparatus for processing a substrate
TW201802999A (zh) 傳送腔室與具有其之處理系統以及對應處理基板之方法
JP6823709B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP2000323551A (ja) 基板処理装置
JP2004107006A (ja) 基板の搬送装置
TWI559431B (zh) 磁性退火裝置（二）
US11725272B2 (en) Method, system and apparatus for cooling a substrate
KR102068618B1 (ko) 고생산성 자동물류 원자층 증착 시스템
JP2000026972A (ja) 半導体製造装置
TW202247710A (zh) 基板處理裝置，半導體裝置的製造方法及程式
JP2001102374A (ja) 膜形成システム
JP2001284334A (ja) 基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees