TWI443211B - 鍍膜裝置 - Google Patents

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Description

鍍膜裝置
本發明涉及濺鍍技術，特別涉及一種用於承載待鍍工件進行鍍膜之鍍膜裝置。
隨著各種電子產品之飛速發展，消費者對電子產品之要求愈來愈高，例如電子產品外觀色彩、電磁遮罩功能、防氧化腐蝕功能等等。因此，一般要求對電子產品之零部件進行鍍膜處理。例如，在電子產品之外殼表面鍍一層電磁遮罩膜，以避免被外殼包覆之電子元件受到外界之電磁干擾而影響其正常工作。因此，鍍膜品質之好壞直接影響電子產品各種性能之優劣。
一般地，在鍍膜過程中將電漿氣體直接噴射在待鍍工件表面進行鍍膜。電漿氣體中之電漿離子直接轟擊在待鍍工件表面，導致待鍍工件表面溫度升高較快並可能破壞待鍍工件表面之薄膜，影響待鍍工件鍍膜之品質。並且，由於電漿離子之運動路徑不規則，因此可能使得沈積形成在待鍍工件表面之之鍍膜不均勻，造成鍍膜之性能下降。
有鑑於此，提供一種可有效控制電漿氣體之運動路徑，避免電漿離子直接轟擊在待鍍工件表面而造成待鍍工件表面溫度過高之問題，從而提升鍍膜均勻性及鍍膜品質之鍍膜裝置實屬必要。
下面將以具體實施例說明一種鍍膜裝置。
一種鍍膜裝置，包括基座、複數驅動機構、複數間隔導板、以及導氣部。該基座具有相對之承載面與底面。該承載面用於承載待鍍工件。自該承載面向基座內開設有複數凹槽。該複數驅動機構中之每一驅動機構包括馬達與轉軸。該複數轉軸分別設置在該複數凹槽內且可相對該複數凹槽轉動，該複數馬達分別用於驅動該複數轉軸轉動。該複數間隔導板沿凹槽設置並將該承載面分割形成複數間隔區域。其中，每一間隔導板與一轉軸固定，每一間隔導板可在對應之轉軸之帶動下轉動並與該基座之承載面成一夾角。該導氣部設置在該基座之上方並具有複數導氣口，該複數導氣口與該複數間隔區域一一對應。
相較於先前技術，本技術方案之鍍膜裝置利用複數間隔導板將基座之承載面分割形成複數間隔區域，並於基板上方設置具有與該複數間隔區域一一對應之複數導氣口之導氣部，然後利用複數驅動機構驅動複數間隔導板轉動並與基座之承載面成一夾角，從而，該複數間隔導板可與該導氣部共同控制電漿氣體之運動路徑，避免電漿離子直接轟擊在待鍍工件表面而造成待鍍工件表面溫度過高之問題，使得濺鍍過程更加穩定，提高鍍膜均勻性及鍍膜品質。
下面將結合附圖與實施例對本技術方案之鍍膜裝置作進一步詳細說明。
請參閱圖1-2，本技術方案第一實施例提供之鍍膜裝置100，包括基座10、複數驅動機構20、複數間隔導板30、以及導氣部40。該基座10用於承載待鍍工件150。該複數驅動機構20用於分別驅動該複數間隔導板30轉動。該複數間隔導板30用於根據鍍膜要求控制電漿氣體之進入方向以對待鍍工件150進行鍍膜。該導氣部40設置在該基座10之上方，該導氣部40用於引導電漿氣體進入到該複數間隔導板30之間形成之空間內。
該基座10具有相對之承載面101、底面102以及連接於該承載面101與底面102之間之側面103。該承載面101用於承載待鍍工件150。自該承載面101向基座10內開設有複數凹槽12。該複數凹槽12垂直於該基座10之側面103。本實施例中，該基座10為長方體。該複數凹槽12在該基座10上等間距分佈。該複數凹槽12平行於側面103之截面為圓弧。優選地，該圓弧之弧度大於180度。
進一步地，該基座10內還可設置冷卻管道14。該冷卻管道14用於供冷卻液體通過以對待鍍工件150進行冷卻，避免待鍍工件150過熱而影響鍍膜品質。優選地，如圖2所示，該冷卻管道14埋設在相鄰之兩間隔導板30之間之承載面101之下方。
該複數驅動機構20中之每一驅動機構20包括馬達22與轉軸24。該複數轉軸24分別設置在該複數凹槽12內且可相對該複數凹槽12轉動。該複數馬達22分別用於驅動該轉軸24轉動。該複數馬達22設置在該基座10之側面103之外側。
該複數間隔導板30將該承載面101分割形成複數間隔區域16。每一間隔導板30平行於轉軸24設置並與一轉軸24固定連接。每一間隔導板30可在對應之轉軸24之帶動下轉動並與該基座10之承載面101成一夾角。該複數間隔導板30用於根據不同之鍍膜要求改變電漿氣體之進入方向，從而避免電漿氣體直接轟擊待鍍工件150造成溫度提升過快以及破壞鍍膜膜層之問題，提高鍍膜膜層之均勻性；並且，還可藉由控制進氣量及進氣速度獲得設定之鍍膜厚度並使得膜層之厚度較為均勻。
具體地，在圖2所示之狀態中，該複數間隔導板30與該承載面101均垂直，待鍍工件150可放置在相鄰之兩個間隔導板30之間進行鍍膜。在圖3所示之狀態中，該複數間隔導板30均向相同之方向傾斜，待鍍工件150可放置在相鄰之兩個間隔導板30之間進行鍍膜。在圖4所示之狀態中，該複數間隔導板30中相鄰之兩個間隔導板30向相反之方向傾斜，待鍍工件150可放置在呈 “八”字形設置之兩個相鄰之間隔導板30之間進行鍍膜，即該兩個相鄰之間隔導板30向靠近待鍍工件150之方向傾斜以減少進氣量。當然，待鍍工件150亦可放置在呈倒“八”字形設置之兩個相鄰之間隔導板30之間進行鍍膜，即該兩個相鄰之間隔導板30向遠離待鍍工件150之方向傾斜以增加進氣量。
該導氣部40設置在基座10之上方並具有複數導氣口42。該複數導氣口42與該複數間隔區域16一一對應。該導氣部40通過該複數導氣口42將電漿氣體引入到對應之間隔區域16以對相應之待鍍工件150進行鍍膜。
請參閱圖5-7，本技術方案第二實施例提供之鍍膜裝置200與第一實施例提供之鍍膜裝置100大致相同，其不同之處在於，該基座210為圓柱體，該承載面201為圓形。該圓形承載面201之中心設置有一個固定部211。該固定部211為圓柱體。該固定部211之中心開設有一個貫穿至該基座210之底面202之通孔205。
該複數凹槽212圍繞該固定部211設置且該複數凹槽212之沿該固定部211徑向延伸。優選地，該複數凹槽212沿該固定部211之圓周方向上等間距分佈。
該複數凹槽212之橫截面為圓弧。優選地，該圓弧之弧度大於180度。此外，當該複數凹槽212延伸至固定部211內部時，該複數凹槽212在固定部211外之橫截面之圓弧之弧度可設置成小於180度，該複數凹槽212在固定部211內之橫截面為圓形。
該複數驅動機構220中之每一驅動機構220包括馬達222與轉軸224。該轉軸224設置在該凹槽212內且可相對該凹槽212轉動。該馬達222用於帶動該轉軸224轉動。該馬達222可設置在該基座210之側面203之外側。
該複數間隔導板230將該承載面201分割形成複數間隔區域216。每一間隔導板230與一轉軸224固定連接。每一間隔導板230可在對應之轉軸224之帶動下轉動並與該基座210之承載面201成一夾角。
該導氣部240為圓柱體。該導氣部240設置在基座210之上方並具有複數導氣口242。該複數導氣口242在導氣部240之圓周方向上等間距分佈。該複數導氣口242與該複數間隔區域216一一對應。該導氣部240還延伸形成有與該固定部211之通孔205配合固定之定位柱244。該定位柱244之長度大於該通孔205之深度。從而，該導氣部240可通過該定位柱244與通孔205之配合固定在基座210之上方。
本實施例中，該定位柱244包括過渡段2441以及配合段2442。該過渡段2441連接在該導氣部240與該配合段2442之間。該過渡段2441之直徑小於該配合段2442之直徑。該配合段2442之直徑等於該通孔205之孔徑，該配合段2442之長度等於該通孔205之深度。
進一步地，該基座210內還可設置冷卻管道214。該冷卻管道214沿基座210之圓周方向埋設且與該複數間隔區域216相對。
請參閱圖8，本技術方案第三實施例提供之鍍膜裝置300與第二實施例提供之鍍膜裝置200大致相同，其不同之處在於，該固定部311之中心開設有一個圓槽304。該圓槽304不貫穿基座310之底面302。該圓槽304包括一個氣缸3041以及一個收縮段3042。該氣缸3041之孔徑大於該收縮段3042之孔徑，且該收縮段3042遠離該基座310。該氣缸3041之底部開設有貫穿該基座310之底面302之小孔306。該小孔306用於供氣體或者液體在氣缸3041與外部供給裝置（圖未示）之間之流通。
該導氣部340延伸形成有一個活塞342。該活塞342包括活塞桿3421以及設置在該活塞桿3421末端之活塞環3422。該活塞桿3421之直徑等於該收縮段3042之孔徑。該活塞環3422之直徑等於該氣缸3041之孔徑。該活塞環3422與該氣缸3041氣密配合。該活塞環3422可防止活塞342向遠離基座310之方向移動時與該固定部311相脫離。該活塞環3422還具有密封作用，可防止氣缸3041內之氣體或液體自收縮段3042向外洩漏。優選地，為提高活塞環3422之密封作用與耐磨性能，可在活塞環3422之外側面包覆一層橡膠環，並在氣缸3041之內壁塗上潤滑油。
該外部供給裝置可為氣缸3041通入或吸出氣體或液體。活塞342在氣體或液體之壓力作用下向遠離或靠近基座310之方向移動，從而推動導氣部340向遠離或靠近基座310之方向移動，改變導氣部340與基座310之承載面301之間之距離以改變電漿氣體到達承載面301之距離以及濃度，使得可根據不同之待鍍工件150之要求控制鍍膜之厚度與均勻性。
此外，本技術方案之鍍膜裝置之基座以及導氣部之形狀並不限於長方體或者圓柱體，其亦可為正方體、三棱柱體、橢圓柱體等等形狀。
相較於先前技術，本技術方案之鍍膜裝置利用複數間隔導板將基座之承載面分割形成複數間隔區域，並於基板上方設置具有與該複數間隔區域一一對應之複數導氣口之導氣部，然後利用複數驅動機構驅動複數間隔導板轉動並與基座之承載面成一夾角，從而，該複數間隔導板可與該導氣部共同控制電漿氣體之運動路徑，避免電漿離子直接轟擊在待鍍工件表面而造成待鍍工件表面溫度過高之問題，使得濺鍍過程更加穩定，提高鍍膜均勻性及鍍膜品質。
綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。先前技術，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
100、200、300‧‧‧鍍膜裝置
10、210、310‧‧‧基座
20、220‧‧‧驅動機構
30、230‧‧‧間隔導板
40、240、340‧‧‧導氣部
101、201‧‧‧承載面
102、202、302‧‧‧底面
103、203‧‧‧側面
12、212‧‧‧凹槽
14、214‧‧‧冷卻管道
16、216‧‧‧間隔區域
22、222‧‧‧馬達
24、224‧‧‧轉軸
42、242‧‧‧導氣口
150‧‧‧待鍍工件
211、311‧‧‧固定部
205‧‧‧通孔
244‧‧‧定位柱
2441‧‧‧過渡段
2442‧‧‧配合段
304‧‧‧圓槽
3041‧‧‧氣缸
3042‧‧‧收縮段
342‧‧‧活塞
3421‧‧‧活塞桿
3422‧‧‧活塞環
圖1係本技術方案第一實施例提供之鍍膜裝置之示意圖。
圖2係圖1之鍍膜裝置處於第一狀態時之剖視圖。
圖3係圖1之鍍膜裝置處於第二狀態時之剖視圖。
圖4係圖1之鍍膜裝置處於第三狀態時之剖視圖。
圖5係本技術方案第二實施例提供之鍍膜裝置之示意圖。
圖6係圖5之鍍膜裝置之分解圖。
圖7係圖5之鍍膜裝置之剖視圖。
圖8係本技術方案第三實施例提供之鍍膜裝置之示意圖。
100‧‧‧鍍膜裝置
10‧‧‧基座
20‧‧‧驅動機構
30‧‧‧間隔導板
40‧‧‧導氣部
101‧‧‧承載面
102‧‧‧底面
103‧‧‧側面
12‧‧‧凹槽
22‧‧‧馬達
24‧‧‧轉軸
42‧‧‧導氣口
150‧‧‧待鍍工件

Claims (10)

  1. 一種鍍膜裝置，包括：
    基座，該基座具有相對之承載面與底面，該承載面用於承載待鍍工件，自該承載面向基座內開設有複數凹槽；
    複數驅動機構，其中，每一驅動機構包括馬達與轉軸，該複數轉軸分別設置在該複數凹槽內且可相對該複數凹槽轉動，該複數馬達分別用於驅動該複數轉軸轉動；
    複數沿凹槽設置之間隔導板，該複數間隔導板將該承載面分割形成複數間隔區域，其中，每一間隔導板與一轉軸固定連接，每一間隔導板可在對應之轉軸之帶動下轉動並與該基座之承載面成一夾角；及
    導氣部，該導氣部設置在該基座之上方並具有複數導氣口，該複數導氣口與該複數間隔區域一一對應。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之鍍膜裝置，其中，該基座還具有連接於該承載面與底面之間之側面，該複數凹槽垂直於該側面，該複數凹槽平行於該側面之截面為圓弧。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之鍍膜裝置，其中，該圓弧之弧度大於180度。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之鍍膜裝置，其中，該馬達設置在該基座之側面之外側。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之鍍膜裝置，其中，該基座內還設置有冷卻管道，該冷卻管道埋設在相鄰之兩間隔導板之間之承載面之下方。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之鍍膜裝置，其中，該基座為長方體，該複數凹槽在該基座上等間距分佈。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之鍍膜裝置，其中，該基座為圓柱體，該承載面為圓形，該承載面之中心設置有一個固定部，該固定部為圓柱體，該複數凹槽圍繞該固定部設置且該複數凹槽之沿該固定部徑向延伸。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之鍍膜裝置，其中，該複數凹槽沿該固定部之圓周方向上等間距分佈。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之鍍膜裝置，其中，該固定部之中心開設有一個圓槽，該圓槽包括一個氣缸以及一個收縮段，該氣缸之孔徑大於該收縮段之孔徑，且該收縮段遠離該基座，該導氣部延伸形成有一個活塞，該活塞包括活塞桿以及設置在該活塞桿末端之活塞環，該活塞環與該氣缸氣密配合。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之鍍膜裝置，其中，該活塞桿之直徑等於該收縮段之孔徑，該活塞環之直徑等於該氣缸之孔徑。
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