TW517251B - Resistor and method of manufacturing resistor - Google Patents

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517251 A7 -----^______ 五、發明說明（1 ) 【發明之技術領域】 本發明係有關於一種電阻器及其製造方法，特別是有 關於一種微細之電阻器及其製造方法。 【發明之背景】 以往之此種電阻器有一種揭示於特開平3-8〇5〇1號公 報中、端面電極為4層構造之電阻器。 如第70圖所示，該電阻器中，電阻層3係橫跨位於基板 1上面之兩端部而設於較基板丨之端面更内侧處之一對上面 電極膜2而設置者，而該基板丨之端面上則設有可與一對上 面電極膜2電性連接之一對；α字型之端面電極4。其次，該 端面電極4於最下層具有以下之4層構造，即，可與上面電 極膜2電性連接之由Ni-Cr薄膜、Ti薄膜或Cr薄膜所構成之 口字型之第1金屬薄膜5 ;與該第丨金屬薄膜5重疊之由低電 阻之Cii薄膜所構成之第2金屬薄膜6 ;與該第2金屬薄膜6重 疊之由Ni鍍敷膜所構成之第i金屬鍍敷膜7;及，與該第1 金屬鑛敷膜7重疊之由Pb-Sn鍍敷膜或Sn鍍敷膜所構成之 第2金屬鍍敷膜^ 然而，上述之習知電阻器中，由於端面電極4之第2金 屬薄膜6係以低電阻之Cu薄膜構成，故若將該電阻器放置 於濕度高之環境中，則由於第1金屬薄膜5與第2金屬薄膜6 在第2金屬薄膜6之Cu薄膜與其下層之第1金屬薄膜5之界 面處不易固溶，故水分等若為該界面所吸附，則第2金屬薄 膜6將易自第1金屬薄膜5剝離。 【發明之揭示】 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297*公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) m: 訂---------線！ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 斗 M7251

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之電阻器包含有一基板；一對上面電極，係形 成於該基板之一主面上者；一電阻體，係設置成與該對上 面電極電性連接者；一保護層，係設置成至少可包覆該電 阻體者；一對端面電極，設於該基板之端緣，係可與該對 上面電極電性連接者。該對上面電極係由第1上面電極層及 與該第1上面電極層重疊之密著層所構成者，而該端面電極 則係藉以下之複層構造而構成者，即：第丨薄膜，係位於基 板之端緣側，且由對基板之密著性良好之心薄膜、Ti薄膜' 含Cr合金薄膜及含Ti合金薄膜之任一種所構成者；第2薄 膜，與該第1薄膜電性連接，係由含Cu之合金薄膜所構成 者；第1鍍敷膜，至少可包覆該第2薄膜，係由鍍鎳層所構 成者；及，第2鍍敷膜，係至少可包覆該第丨鍍敷膜者。 根據上述之電阻器，當以薄膜形成設於基板之端緣且 與一對上面電極電性連接之一對端面電極時，由於一對上 面電極係由第1上面電極層及與該第1上面電極層重疊之密 著層所構成者，故可增大一對端面電極與一對上面電極之 連接面積，並藉此提高上面電極與端面電極之電性連接強 度。又’由於該端面電極係以含Cu之合金薄膜構成與第1 薄膜電性連接之第2薄膜者’故於第1薄膜與第2薄膜之界面 處’用以構成含Cu之合金薄膜之添加金屬與第1薄膜之構 成金屬將構成全率固溶體，藉此，即可提高第1薄膜與第2 薄膜之密著力而提昇強度。 【圖式之簡單說明】 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -5- — — I! — — — — — — — · ^一^ * I I I l· I 着 I t — — — — — — — I* (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 517251 A7 B7 五、發明說明（） 第1圖係本發明第1實施例之電阻器之截面圖。 第2圖係顯示已於製造該電阻器時所用之片狀基板全 周圍之端部形成無用領域部之狀態之平面圖。 第3A〜3C圖係顯示該電阻器之製造程序之截面圖。 第4A〜4C圖係顯示該電阻器之製造程序之平面圖。 第5A、5B圖係顯示該電阻器之製造程序之截面圖。 第6A、6B圖係顯示該電阻器之製造程序之平面圖。 第7A〜7C圖係顯示該電阻器之製造程序之截面圖。 第8A〜8C圖係顯示該電阻器之製造程序之平面圖。 第9A〜9C圖係顯示該電阻器之製造程序之截面圖。 第10A〜10C圖係顯示該電阻器之製造程序之平面圖。 第11A、11B圖係顯示該電阻器之製造程序之截面圖。 第12A、12B圖係顯示該電阻器之製造程序之平面圖。 第13圖係構成該電阻器之第2薄膜之Cu-Ni合金薄膜之 平衡狀態圖。 第14圖係該電阻器之第1薄膜與第2薄膜之SIMS之組 成分析結果之說明圖。 第15A、15B圖係顯示用以說明特性之試驗方法者。 第16圖係顯示已於製造該電阻器時所用之片狀基板一 端部形成無用領域部之狀態之平面圖。 第17圖係顯示已於製造該電阻器時所用之片狀基板兩 端部形成無用領域部之狀態之平面圖。 第18圖係顯示已於製造該電阻器時所用之片狀基板三 端部形成無用領域部之狀態之平面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -6- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Φ: i線· $17251 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（4 ) 第19圖係本發明第2實施例之電阻器之截面圖。 第20圖係顯示已於製造該電阻器時所用之片狀基板全 _ 周圍之端部形成無用領域部之狀態之平面圖。 第21A〜21C圖係顯示該電阻器之製造程序之截面圖。 第22A〜22C圖係顯示該電阻器之製造程序之平面圖。 第23A、23B圖係顯示該電阻器之製造程序之截面圖。 第24A、24B圖係顯示該電阻器之製造程序之平面圖。 第25A〜25C圖係顯示該電阻器之製造程序之截面圖。 第26A〜26C圖係顯示該電阻器之製造程序之平面圖。 第27A〜27C圖係顯示該電阻器之製造程序之截面圖。 第28A〜28C圖係顯示該電阻器之製造程序之平面圖。 第29A、29B圖係顯示該電阻器之製造程序之截面圖。 第30A、30B圖係顯示該電阻器之製造程序之平面圖。 第31圖係本發明第3實施例之電阻器之載面圖。 第32圖係已去除該電阻器之端面電極之平面圖。 第33圖係顯示已於製造該電阻器時所用之片狀基板全 周圍之端部形成無用領域部之狀態之平面圖。 第34A、34B圖係該電阻器之製造程序之截面圖。 第35 A、35B圖係該電阻器之製造程序之平面圖。 第36A、36B圖係該電阻器之製造程序之截面圖。 第37A、37B圖係該電阻器之製造程序之平面圖。 第38A、38B圖係該電阻器之製造程序之截面圖。 第39A、39B圖係該電阻器之製造程序之平面圖。 第4〇 A、40B圖係該電阻器之製造程序之截面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -Ί- — — — — — — — — — — — — 1 · I I I l· I I I a — — — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 517251 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（5) 第41A、41B圖係該電阻器之製造程序之平面圖。 第42A、42B圖係該電阻器之製造程序之截面圖。-第43A、43B圖係該電阻器之製造程序之平面圖。 第44圖係該電阻器之製造程序之截面圖。 第45圖係該電阻器之製造程序之平面圖。 第46A、46B圖係該電阻器之製造程序之截面圖。 第47 A、47B圖係該電阻器之製造程序之平面圖。 第48A、48B圖係該電阻器之製造程序之截面圖。 第49A、49B圖係該電阻器之製造程序之平面圖。 第50圖係顯示已於製造該電阻器時所用之片狀基板一 端部形成無用領域部之狀態之平面圖。 第51圖係顯示已於製造該電阻器時所用之片狀基板兩 端部形成無用領域部之狀態之平面圖。 第52圖係顯示已於製造該電阻器時所用之片狀基板三 端部形成無用領域部之狀態之平面圖。 第53圖係本發明第4實施例之電阻器之截面圖。 第54圖係顯示已於製造該電阻器時所用.之片狀基板全 巧圍之端部形成無用領域部之狀態之平面圖。 第55A、55B圖係該電阻器之製造程序之截面圖。 第56A、56B圖係該電阻器之製造程序之平面圖。 第57A、57B圖係該電阻器之製造程序之截面圖。 第58A、58B圖係該電阻器之製造程序之平面圖。 第59A、59B圖係該電阻器之製造程序之截面圖。 第60A、60B圖係該電阻器之製造程序之平面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -8- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 鬌 I a··· I I I 一《0’ / I t n ϋ am— ϋ I ϋ . 17251 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（） 第61A、61B圖係該電阻器之製造程序之截面圖。 第62 A、62B圖係嘗電阻器之製造程序之平面圖。 ^ 第63 A、63B圖係該電阻器之製造程序之截面圖。 第64A、64B圖係該電阻器之製造程序之平面圖。 • 第65A、65B圖係該電阻器之製造程序之截面圖。 第66A、66B圖係該電阻器之製造程序之平面圖。 第67圖係顯示已於製造該電阻器時所用之片狀基板一 端部形成無用領域部之狀態之平面圖。 第68圖係顯示已於製造該電阻器時所用之片狀基板兩 端部形成無用領域部之狀態之平面圖。 第69圖係顯示已於製造該電阻器時所用之片狀基板三 端部形成無用領域部之狀態之平面圖。 第70圖係習知電阻器之截面圖。 【本發明之實施例】 (第1實施例） 以下，參照附圖以就本發明第1實施例之電阻器及其製 _方法加以說明。 第1圖係本發明第1實施例之電阻器之截面圖。在第i 圖中，11係藉以狹縫狀之第1分割部及與該第1分割部成直 交關係之第2分割部將由業經焙燒之純度96%之氧化銘所 構成之片狀基板分割而個片化之基板。12係形成於基板u 之一主面（上面）上之以銀為主成分之一對第丨上面電極 層。13係形成於基板11上而部分與一對第1上面電極層12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） •9- ------------裝i I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) tT. -線- 517251 A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（7) 重疊（即電性連接）之含氧化釕之電阻體。14係形成於電阻 體13上面之以玻璃為主成分之第1保護層。15係為修正一對 第1上面電極層12間之電阻體13之電阻值而設之修整溝。16 係與一對第1上面電極層12之部分重疊而設置之由含銀之 導電性樹脂所構成之一對密著層，該對密著層16與該對第i 上面電極層12則構成了 一對上面電極17。又，該第1上面電 極層12與密著層16則係構成在基板11之端緣成一平面者。 其次’該密著層16並係構成厚度方向之最大高度大於第1 上面電極層12之厚度方向之最大高度者。18係包覆以玻璃 為主成分之第1保護層14並與密著層16之部分重疊而形成 之以樹脂為主成分之第2保護層。19係設於該基板11之端緣 且與該對上面電極17電性連接之一對端面電極，該對端面 電極19係位於基板11之端緣側，並與基板11之端面、第i 上面電極層12之端面及密著層16之端面重疊，且藉以下之 複層構造而構成者，即，包覆基板11背面之端部而形成略 L字形之第1薄膜2Q、與該第1薄膜20重疊而形成且與第1薄 膜20電性連接之略l字型之第2薄膜21、包覆該第2薄膜21 並包覆露出之密著層16上面而形成之略：π字型之由鍍鎳層 所構成之第1鍍敷膜22、包覆該第1鑛敷膜22而形成之略口 字型之由鍍錫層所構成之第2鍍敷膜23。 在上述構造中，由於一對上面電極17係由第1上面電極 層12及與該第1上面電極層12重疊之密著層16所構成者，故 可增大一對端面電極19與一對上面電極17之連接面積，藉 此’即可提高上面電極17與端面電極19之電性連接強度。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -I--丨丨丨丨丨—丨丨―---丨丨丨訂·丨丨丨_丨丨丨·線--- -* (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -10· 517251 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（） 又，由於構成上面電極17之第1上面電極層12與密著層 16係構成於基板11之端緣成一平面者，故以薄膜形成設於 基板11之端緣且與上面電極17電性連接之端面電極19時， 可在安定之狀態下於基板11之端緣、第1上面電極層12及密 • 著層16之基板端緣側連續形成由薄膜所構成之端面電極 19。 其次，構成上面電極17之第1上面電極層12與密著層16 中，由於僅有第1上面電極層12係構成與電阻體13電性連接 者，故即便形成密著層16，電阻值亦不致改變，藉此，由 於可將歐姆接觸保持良好，故可得到電阻值修正後無電阻. 值變化之高可信度電阻器。 另，構成上面電極17之第1上面電極層12與密著層16 中’由於密著層16之厚度方向之最大高度係構成大於第1 上面電極層12之厚度方向之最大高度者，故以薄膜形成設 於基板11之端緣且與上面電極17電性連接之端面電極19 時’因密著層16之存在而可增大上面電極17與由薄膜所構 成之端面電極19之接觸面積，藉此，即可提高上面電極17 蜱端面電極19之電性連接強度。 進而，由於構成端面電極19之第1薄膜20與第2薄膜21 係構成自基板11之背面至端面呈略L字型者，故藉薄膜技 術形成第1薄膜20與第2薄膜21時，可僅由基板η之一面之 背面側輕易加以形成，藉此，即可提昇生產性。 又，在上述本發明之第1實施例中，尤因構成上面電極 17之第1上面電極層12係以含銀之材料構成者，且密著層16 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -11· . — — — — — — — — 1 ^ · I I I l· I I I ------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 517251 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（） 係以含銀之導電性樹脂構成者，故第1上面電極層12之形成 溫度為850°C左右，且密著層16之形成溫度為200°C左右， 結果，進行電阻值修正後將不再發生電阻值變化。 其次，參照附圖以就具上述構造之本發明第1實施例之 電阻器說明其製造方法。 第2圖係顯示已於本發明第1實施例中製造該電阻器時 所用之片狀基板全周圍之端部形成無用領域部之狀態之平 面圖。第3A〜3C圖、第4A〜4C圖、第5A、5B圖、第6A、6B 圖、第7A〜7C圖、第8A〜8C圖、第9A〜9C圖、第10A〜10C 圖、第11A、11B圖、第12A、12B圖係顯示本發明第1實施 例之電阻器製造方法之程序圖。 首先，如第2、3A、4A圖所示，準備由業經焙燒之純 度96%之氧化鋁所構成之厚度〇.2mm且具絕緣性之片狀基 板31«此時’片狀基板31則如第2圖所示，係於全周圍之端 部具有最終不為產品之無用領域部31a者。其次，該無用領 域部31a則係構成略口字狀者。 然後，如第2、3B、4B圖所示，藉以絹印工法於片狀 拳板31上面形成以銀為主成分之多對第1上面電極層32,並 以嶺峰溫度850 C之培燒圖形（profile)加以培燒，而使第1 上面電極層32形成安定之膜。 其次’如第2、3C、4C圖所示，藉以絹印工法而橫跨 多對第1上面電極層32形成含氧化釕之多個電阻體33,並以 巔峰溫度850 °C之培燒圖形加以培燒，而使電阻體33形成安 定之膜。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -12-

丨丨訂·丨丨丨丨丨丨丨-*3^丨 (請先M讀背面之注意事項再填寫本頁) M7251 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（1) 接著，如第5A、6A圖所示，藉以絹印工法形成以玻璃 為主成分之複數第1保護層34以^包覆多個電阻體33,並以巔 峰溫度600°C之焙燒圖形加以焙燒，而使以玻璃為主成分之 第1保護層34形成安定之膜。 " 其次，如第5B、6B圖所示，藉雷射微調工法進行修整 以將多對第1上面電極層32間之電阻體33之電阻值修正至 一定之值，而形成多條修整溝35。 然後，如第7A、8A圖所示，藉以絹印工法形成由含銀 之導電性樹脂所構成之多對密著層36並使其與多對第1上 面電極層32之一部分重疊，再以巔峰溫度200°C之硬化圖形 使之硬化，而使密著層36形成安定之膜。 接著，如第7B、8B圖所示，藉以絹印工法形成以樹脂 為主成分之複數第2保護層37,並使之包覆朝圖上之縱向排 列之以玻璃為主成分之複數第1保護層34且與密著層36之 一部分重疊，再以巔峰溫度200°C之硬化圖形使之硬化，而 使第2保護層37形成安定之膜。 其次，如第2、7C、8C圖所示，形成有第2保護層37 芩片狀基板31全周圍之端部處所形成之無用領域部31 a除 外’藉切割工法形成多個用以使多對第1上面電極層32及密 著層36分離而予以分割成多數短冊狀基板31b之狹縫狀之 第1分割部38。此時，多個狹縫狀之第1分割部38係以700 β m之間距形成者，且該狹縫狀之第1分割部38之宽度為 120 #m。又，該多個狹缝狀之第i分割部38係由朝上下方 向貫通片狀基板31之貫通孔所形成者。且，由於該片狀基 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） .13- -------------裝-----r---訂---------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 517251 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _____B7__ _ 11 五、發明說明（） 板31係避開無用領域部3 la而藉切割工法形成多個狹缝狀 之第1分割部38者，故形成狹缝狀之第1分割部38後，亦因 多數短冊狀基板3 lb與無用領域部31a相連，而呈現片狀態。 然後，如第9A、10A圖所示，使用焊濺工法而自片狀 之基板31背面側開始，於基板31之背面全面與多個狹縫狀 之第1分割部38内面之基板31端面、第1上面電極層32之端 面及密著層36之端面形成由對基板31之密著性良好之Cr薄 膜所構成之用以構成端面電極之一部分之第1薄膜39。 接著，如第9B、10B圖所示，使用焊濺工法而自片狀 之基板3 1背面侧開始，與多對第1薄膜39重疊而形成由· Cu-Ni合金薄膜所構成之用以構成端面電極之一部分之多 對第2薄膜40。 其次，如第9C、10C圖所示，藉以點徑約〇.3mm之雷 射之照射使片狀基板31之背面全面上所形成之多對第1薄 膜39與第2薄膜40之無用部分（即片狀基板31之背面之略中 央部分）蒸發約〇.3mm之寬度而加以剝離去除，以形成多對 背面電極41。 然後，如第2、11A、12A圖所示，片狀基板31全周圍 之端部處所形成之無用領域部31a除外，於與狹縫狀之第1 分割部38直交之方向上形成多個第2分割部42,以使片狀基 板31上所形成之多個短冊狀基板31b之多個電阻體33個別 分離而分割成個片狀基板31c。此時，由於多個第2分割部 42係以400/zm之間距形成者，故第2分割部42之寬度為100 // m。又，由於該多個第2分割部42係藉雷射劃片而形成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -14- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -ϋ n n l·- I n n 一&,’ · fl— ϋ I 1 ϋ ϋ ϋ I 線丨. 517251 A7 ---— B7 ___ 五、發明說明（12) — — — — — — — — ^ · II (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 者，故首先藉雷射形成分割溝，並於其後藉一般分割設備 將分割溝之部分分割以分割成個片狀基板31ce即，該分割 方法並非每次形成第2分割部42即個片化，而係可得到以2 階段個片化之作用效果者。且，由於該多個第2分割部42 係避開無用領域部31a而藉雷射劃片形成於多數短冊狀基 板31b上者，故每次分割該多個第2分割部42皆分割成個片 狀基板31c，而該個片狀基板3lc則係自無用領域部3U分離 最後，如第11B、12B圖所示，使用電鍍工法而形成厚 度約2〜6/ζπι且可有效防止焊料之擴散或具高耐熱性之由 鍍鎳層所構成之第1鍍敷膜43,並使之包覆個片狀基板31c 之第1薄膜39之部分及第2薄膜40與露出之密著層36上面。 然後，進而使用電鍍工法而形成厚度約3〜8//m且焊料附著 性良好之由鍍錫層所構成之第2鍍敷膜44，並使之包覆由鍍 鎳層所構成之第1鍍敷膜43。 •線. 藉以上之製造程序，即可製造本發明第1實施例之電阻 器。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另，上述之製造程序中，第2鍍敷膜44雖係以鍍錫層構 成者，但其並不限於此，而亦可為含錫合金之材料所構成 之鍍敷層，諸如焊料等，而當其係以該等材料構成者時， 即可於回流焊接時進行安定之焊接。 又，上述之製造程序中，由於包覆電阻體33等之保護 層係由包覆電阻體33之以玻璃為主成分之第！保護層34，以 及包覆該第1保護層34與修整溝35之以樹脂為主成分之第2 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 517251 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___B7____ 五、發明說明（13 ) 保護層37之2層所構成者，故可以該第1保護層34防止電射 微調時產生裂紋而減少電流雜訊，且由於以樹脂為主成分 之該第2保護層37包覆電阻體33全體，故可確保防潮性良好 之電阻特性。 其次，由於藉上述製造程序而製成之電阻器中，藉切 割工法而形成之狹縫狀之第1分割部38及藉雷射劃片而形 成之第2分割部42之間隔正確（± 〇.〇〇5mm以内），且構成端 面電極之第1薄膜39、第2薄膜40、第1鍍敷膜43及第2鍍敷 膜44之厚度亦正確，故產品電阻器之全長及全寬正確地為 長度0.6mmx寬度0.3mm。又，由於第1上面電極層32及電 阻體33之圖案精確度亦不需個片狀基板之尺寸等級分類， 且無須考慮同一個片狀基板之尺寸等級内之尺寸誤差，故 電阻體33之有效面積亦可比習知品大。即，習知品之電阻 體為長約0.20mmx寬0.19mm者，相對於此，本發明第3實 施例之電阻器之電阻體114則為長約〇 25mmx寬〇 24mm， 面積約為1·6倍以上者。 另’上述製造程序中，由於使用切割工法而形成多個 乘縫狀之第1分割部38,並使用不需個片狀基板之尺寸分類 之片狀基板31，故不需習知之個片狀基板之尺寸分類，藉 此，即可簡化繁雜之程序，並可使用半導體等所用之一般 切割設備而輕易進行切割。 又’上述製造程序中，由於片狀之基板31係於全周圍 之端部形成有最終不為產品之無用領域部3丨a，且多個狹縫 狀之第1分割部38亦形成於片狀之基板3丨上，而使多數短冊 本紙張尺度適用中闕家標準（CNS)A4規袼⑽χ 297·公楚） -16- I------I l· I I I ^------I--線--^wi (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 517251 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 14 五、發明說明（） 狀基板31b呈與該無用領域部31a相連之狀態者，故形成多 個狹縫狀之第1分割部38後，多數短冊狀-基板31b亦與無用 領域部31a相連，因此，片狀之基板31將不致細分為多數短 冊狀基板31b，因此，由於形成多個狹縫狀之第1分割部38 • 後，亦可於具有無用領域部31a之片狀基板31之狀態下進行 後工程，故可簡化工法設計。 又，上述製造程序中，由於藉點徑約0.3mm之雷射之 照射而使片狀基板31之背面全面上所形成之第1薄膜39與 第2薄膜40之無用部分（即片狀基板31背面之略中央部分） 蒸發約0.3mm之寬度而加以剝離去除，以形成多對背面電 極41，故亦可非常精確地進行多對第1薄膜39與第2薄膜4〇 之無用部分之剝離去除，且，由於藉此可提昇產品電阻器 背面之電極尺寸精確度，故可減少於背面側對實裝基板實 裝該電阻器時之實裝不良問題。 其次，就上述製造程序中構成端面電極之部分之第2 薄膜4〇加以詳細說明。 第2薄膜40之材料尤以含Cu之合金薄膜中之Cii-Ni合 金薄膜為佳。

Cu-Ni合金薄膜可構成相對於合金薄膜主元素之Cu& 第1薄膜39,添加材料之Ni可在Cu之全組成比率（範圍）内均 勻融合之「全率固溶體」。因此，Ni將擴散於Cu-Ni合金薄 膜所構成之第2薄膜40與第1薄膜39之界面而形成強固之密 著層’藉此而提高密著性。又，由於存在於第2薄膜40之最 表面之Ni於用以形成第i鍍敷膜43所用之鍍鎳層之鍍浴中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -17- I —111 — — ^ · 11--r I--^------11 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 517251 A7 B7 五、發明說明（15) 具有對第2薄膜40之表面提高其耐蝕性之效果，故亦可提昇 第1鍍敷膜43與第2薄膜40之界面密著性。 在此，本發明第1實施例之「全率固溶體」係指第13 圖所示之構成第2薄膜之Cu-Ni合金薄膜之平衡狀態圖所示 者。在第13圖中，若以橫轴代表Ni金屬之添加量，而以縱 轴代表溫度，則高於實線所示之液相線之溫度為液相狀 態，低於點線所示之固相線之溫度為固相狀態，該等實線 及點線所圍之領域則為固相與液相混合之狀態，即「全率 固溶體」。即，本發明第1實施例之Cu-Ni合金薄膜所構成 之第2薄膜40係於全組成範圍内形成有於基地金屬 之面心 立方晶格之Cu金屬中融入具有相同面心立方晶格之結晶 構造之Ni金屬原子而呈一相之面心立方晶格構造之置換型 固溶體者。 又，第14圖係顯示由Ci:薄膜所構成之第1薄膜39與由 Cu-Ni合金薄膜所構成之第2薄膜40之SIMS之組成分析結 果者。此時之第2薄膜40之Ni添加量則為6.2wt%。第14圖 係於橫軸以焊濺時間代表自Cu-Ni合金薄膜之表面起算之 率厚，且以縱轴代表各層之Cu、Ni、Cr等之原子數者。由 該第14圖即可清楚了解，Cu-Ni合金薄膜層與Cr薄膜層之界 面雖具有分別存在Cu、Ni及Cr之擴散層，但在自Cu-Ni合 金薄膜層之表面至Cr薄膜層之界面間，Cu金屬中均勻存在 有Ni金屬。此則顯示由Cu_Ni合金薄膜所構成之第2薄膜4〇 係Ni金屬完全融入Cu金屬中而形成一相之「全固溶體」。 又，該第14圖中，Ni添加量雖為6.2wt%，但Ni添加量於全 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -18- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I I I--..--I I ^-------! *5^ I · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 517251 A7 B7 五、發明說明（16) 組成範圍内皆可得到與第14圖所示者相同之結果。 其次，就具有上述構造之本發明第1實施例之電阻器中 將Cu_Ni合金薄膜作第2薄膜40用之特性加以說明。 用以說明特性之試驗方法係藉「鍍敷之密著性試驗方 ' 法/Jis H8504C」所規定之方法實施者，試驗用帶則如第 15A、15B所示，使用「玻璃紙黏著帶/JIS Z 1522」中所規 定之寬度18mm之黏著帶45。此時，如第15A、15B圖所示， 黏著帶45之撕下方向則如「《TIS Η 8504」中所記載般係對 氧化鋁基板46垂直之方向或傾斜方向。 即，該試驗方法係使用氧化鋁基板46作為試驗片，並. 於該氧化鋁基板46之側面部分以焊濺工法形成Cr薄膜以作 為第1薄膜39者，其次，再與第1薄膜39同樣以焊濺工法於 該第1薄膜39上構成Cu-Ni合金薄膜以作為第2薄膜40。然 後，使用雷射形成圖案寬度0.3mm之圖案。 接著，於溫度65°C、濕度95%之條件下進行加速試驗， 然後，於使黏著帶45密著於第2薄膜40之表面後，一 口氣撕 下該黏著帶45,並求出第2薄膜40之已剝離圖案數相對於全 圖案數之比例，以進行密著性之評價。 又，第1鍍敷膜43與第2薄膜40之界面密著性之評價用 • 試驗片則使用在形成第2薄膜40後以電鍍形成有鍍鎳層及 •形成有鍍錫層以作為第1鍍敷膜43及第2鍍敷膜44者。 評價則係就Cu-Ni合金薄膜中之Ni添加量為l.6wt〇/。、 6.2wt%、12.6wt%者與Ni添加量為Owt%者而進行者。 表1係顯示加速試驗500小時後之第2薄膜40與第1薄膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項存填寫本 訂· --線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 17517251 A7 五、發明說明（ 39之界面剝離率之評價結果者

幅提昇第2薄顏40與第1薄膜39之界面密著性 表2係顯示加速試驗5〇〇小時後之第1鍍敷膜43與第2薄 膜40之界面剝離率之評價結果者。 (表2)

Ni添加量 (wt%) 剝離率（％) 15·0 1.6 0.0 6.2 0.0 12.6 0.0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由表2則可清楚了解，藉於cu薄膜中添加Ni,即可大 幅提昇第1鍍敷膜43與第2薄膜40之界面密著性。 另’上述本發明之第1實施例中，雖已就使用焊濺工法 而形成第1薄膜39與第2薄膜40者加以說明，但並不限於該 焊濺工法，即便藉使用其他工法如真空蒸鍍法、離子電鍍 法、P-CVD等薄膜技術形成第丨薄膜39與第2薄膜4〇，亦可 得到與本發明第1實施例相同之作用效果。 又，上述本發明之第1實施例中，雖已就以Cr薄膜形成 第1薄膜39者加以說明，但並不限於該Cr薄膜，即便以對基 板之密著性良好之其他Cr-Si合金薄膜、Ni-Cr合金薄膜、 Ti薄膜、含Ti合金薄膜等材料形成第1薄膜39,亦可得到與 本發明第1實施例相同之作用效果。 又，上述本發明之第1實施例中，雖已就於片狀基板31 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 517251

五、發明說明（〜） -------------裝----1!|訂· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 之全周圍之端部形成最終不為產品之無用領域部31a而將 之構成略口字狀者加以說明，但該無用領域部31a—並非絕對 .必須形成於片狀基板31全周圍之端部者，舉例言之，即便 如第16圖所示，於片狀基板31之一端部形成有無用領域部 3 Id時，或如第17圖所示，於片狀基板31之兩端部形成有無 用領域部31e時，或如第18圖所示，於片狀基板31之三端部 形成有無用領域部3 If時，亦可得到與上述本發明之第1實 施例相同之作用效果。 又，上述本發明之第1實施例中，雖已就藉雷射劃片形 成多個第2分割部42者加以說明，但亦可與狹縫狀之第1分 割部3 8同樣使用切割工法而形成該第2分割部42。此時，即 可使用半導體等所用之一般切割設備而輕易進行切割。 (第2實施例） 以下，參照附圖以就本發明第2實施例之電阻器及其製 造方法加以說明。

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第19圖係本發明第2實施例之電阻器之截面圖。 在第19圖中，51係藉以狹縫狀之第1分割部及與該第1 分割部成直交關係之第2分割部分割由業經焙燒之純度 96%之氧化鋁所構成之片狀基板而個片化之基板。52係形 成於基板51之一主面（上面）上之以銀為主成分之一對第1 上面電極層52。53係一部分與一對第1上面電極層52重疊， 即形成於基板51之上面而電性連接之含氧化釕之電阻體。 54係形成於電阻體53上面之以玻璃為主成分之第1保護 -21- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 517251 A7 一 B7 五、發明說明（19) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 層。55係為修正一對第1上面電極層52間之電阻體53之電阻 值而設置之修整溝。56係包覆以玻璃為主成分之第1保護層 54並與一對第1上面電極層52之一部分重疊而形成之以樹 脂為主成分之第2保護層。57係與一對第1上面電極層52之 一部分重疊並與第2保護層56之一部分重疊而設置之由含 銀之導電性樹脂所構成之一對密著層，該對密著層57與該 對第1上面電極層52則構成了 一對上面電極58。又，該第1 上面電極層52與密著層57係構成於基板51之端緣成一平面 者。且，該密著層57係構成厚度方向之最大高度大於第1 上面電極層52之厚度方向之最大高度者。59係設於該基板. 51之端緣且與該一對上面電極58電性連接之一對端面電 極，該對端面電極59則係藉以下之複層構造而構成者，即： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 位於基板51之端緣側，且與基板51之端面、第1上面電極層 52之端面及密著層57之端面重疊，並包覆基板51背面之端 部而形成略L字型之第1薄膜60;與該第1薄膜60重疊而形 成，且與該第1薄膦60電性連接之L字型之第2薄膜61 ;包 覆該第2薄膜61並包覆露出之密著層57上面而形成之略3 字型之由鍍鎳層所構成之第1鍍敷膜62;包覆該第1鍍敷膜 62而形成之略〕字型之由鍍錫層所構成之第2鍍敷膜63。 在上述之構造中，由於一對上面電極58係由第1上面電 極層52及與該第1上面電極層52重疊之密著層57所構成 者，故可增大一對端面電極59與一對上面電極58之連接面 積，藉此，即可提高上面電極58與端面電極59之電性連接 強度。 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) "" —- -22- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 517251 Α7 ____Β7_ 2〇 五、發明說明（） 又，由於構成上面電極58之第1上面電極層52與密著層 57係構成於基板51之端緣成一平面者，故以薄膜形成設於 基板51之端緣且與上面電極58電性連接之端面電極59時， 可在安定之狀態下於基板51之端緣、第1上面電極層52及密 著層57之基板端緣側連續形成由薄膜所構成之端面電極 59 〇 又，由於構成上面電極58之第1上面電極層52與密著層 57中，僅有第1上面電極層52係構成與電阻體53電性連接 者，故即便形成密著層57，電阻值亦不致變化，藉此，由 於可將歐姆接觸保持良好，故可得到電阻值修正後無電阻 值變化之高可信度電阻器。 又，由於構成上面電極58之第1上面電極層52與密著層 57中，密著層57之厚度方向之最大高度係構成大於第1上面 電極層52之厚度方向之最大高度者，故以薄膜形成設於基 板51之端緣且與上面電極58電性連接之端面電極59時，因 密著層57之存在而可增大上面電極58與由薄膜所構成之端 面電極59之接觸面積，藉此，即可提高上面電極58與端面 零極59之電性連接強度。 又’由於構成端面電極59之第1薄膜60與第2薄膜61係 構成自基板51之背面至端面呈l字型者，故藉薄膜技術形 成第1薄膜60與第2薄膜61時，可僅由基板51之一面之背面 側輕易加以形成，藉此，即可提高生產性。 其_人’參照附圖以就具有上述構造之本發明第2實施例 之電阻器說明其製造方法。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21G x 297公爱） -23- I I I I---I — ^ i I I L-I — It· —--I I I--^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 517251 A7 B7 _ 21 五、發明說明（） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第20圖係顯示已於本發明第2實施例中製造電阻器時 所用之片狀基板全周圍之端部形成無用領域部之狀態之平 面圖。第21A〜21C圖、第22A〜22C圖、第23A、23B圖、第 24A、24B 圖、第 25A〜25C 圖、第 26A〜26C 圖、第 27A〜27C 圖、第28A〜28C圖、第29A、29B圖及第30A、30B圖係顯示 本發明第2實施例之電阻器製造方法之程序圖。 首先，如第20、21A、22A圖所示，準備由業經焙燒之 純度96%之氧化紹所構成之厚度0·2ιηπι且具有絕緣性之片 狀基板71。此時，如第20圖所示，片狀之基板71係於全周 圍之端部具有最終不為產品之無用領域部71a者。其次，該 無用領域部71a則係構成略口字狀者。 然後，如第20、21B、22B圖所示，藉以絹印工法於片 狀之基板71上面形成以銀為主成分之多對第1上面電極層 72，並以巔峰溫度850°C之焙燒圖形加以焙燒，而使第1上 面電極層72形成安定之膜。 其次’如第20、21C、22C圖所示，藉以絹印工法形成 含氧化釕之多個電阻鱧73並使之橫跨多對上面電極層72 , 每以顏峰溫度850C之培燒圖形加以培燒，而使電阻體73 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 形成安定之膜。 其次’如第23A、24A圖所示，藉以絹印工法形成以玻 璃為主成分之複數第1保護層74以包覆多個電阻體73,並以 顏峰〉jdl度600C之培燒圖形加以培燒，而使以玻璃為主成分 之第1保護層74形成安定之膜。 其次，如第23B、24B圖所示，藉雷射微調工法進行修 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 517251 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7 _ 22 五、發明說明（） 整以將多對第1上面電極層72間之電阻體73之電阻值修正 至一定之值，而形成多條修整溝75。 - 其次，如第25A、26A圖所示，藉以絹印工法形成以樹 脂為主成分之多對第2保護層76,並使之包覆朝圖上之縱向 排列之以玻璃為主成分之複數第1保護層74且與第1上面電 極層72之一部分重疊，再以巔峰溫度200°C之硬化圖形使之 硬化，而使第2保護層76形成安定之膜。 其次，如第25B、26B圖所示，藉以絹印工法形成由含 銀之導電性樹脂所構成之多對密著層77並使其與多對第1 上面電極層72之一部分重疊且與第2保護層76之一部分重. 疊，再以巔峰溫度200°C之硬化圖形使之硬化，而使密著層 77形成安定之膜。 其次，如第20、25C、26C圖所示，形成有第2保護層 76之片狀基板71全周圍之端部處所形成之無用領域部71a 除外，藉切割工法形成多個用以使多對第1上面電極層72 及密著層77分離而予以分割成多數短冊狀基板71b之狹縫 狀之第1分割部78。此時，多個狹縫狀之第1.分割部78係以 700//m之間距形成者，且該狹缝狀之第1分割部78之寬度 為120//m。又，該多個狹縫狀之第1分割部78係由朝上下 方向貫通片狀基板71之貫通孔所形成者。且，由於該片狀 基板71係避開無用領域部71a而藉切割工法形成多個狹縫 狀之第1分割部78者，故形成狹縫狀之第1分割部78後，亦 因多數短冊狀基板71b與無用領域部71a相連，而呈現片狀 態。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297'公釐） -25- I I---— — — — — — — ----— — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 517251 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __B7___ 23五、發明說明（） 其次，如第27A、28A圖所示，使用焊濺工法而自片狀 之基板71背面侧開始，於基板71之背面全面與多個狹縫狀 之第1分割部78内面之基板71端面、第1上面電極層72之端 面及密著層77之端面形成由對基板71之密著性良好之Cr薄 膜所構成之用以構成端面電極之一部分之多對第1薄膜79。 其次，如第27B、28B圖所示，使用焊濺工法而自片狀 之基板71背面側開始，形成由Cu-Ni合金薄膜所構成之用以 構成端面電極之一部分之多對第2薄膜80,並使之與多對第 1薄膜79重疊。 其次，如第27C、28C圖所示，藉以點徑約0.3mm之雷 射之照射使片狀基板71之背面全面上所形成之多對第1薄 膜79與第2薄膜80之無用部分（即基板71之背面之略中央部 分）蒸發約〇.3mm之寬度而加以剝離去除，以形成多對背面 電極81。 其次，如第20、29A、30A圖所示，片狀基板71全周圍 之端部處所形成之無用領域部7 la除外，於與狹縫狀之第1 分割部78直交之方向上形成多個第2分割部82,以使片狀基 板71之多數短冊狀基板7 lb上所形成之多個電阻體73個別 分離而分割成個片狀基板71c。此時，由於多個第2分割部 82係以400 ym之間距形成者，故第2分割部82之寬度為100 M m。又，由於該多個第2分割部82係藉雷射劃片而形成 者’故首先藉雷射形成分割溝，並於其後藉一般分割設備 將分割溝之部分分割以分割成個片狀基板71ce即，該分割 方法並非每次形成第2分割部82即個片化，而係可得到以2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -26- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 鬌： 訂i 線--. 517251 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 94 五、發明說明（） 階段個片化之作用效果者。且，由於該多個第2分割部82 一係避開無用領域部71a而藉雷射劃片形成於短冊狀基板71b 上者，故每次分割該多個第2分割部82皆分割成個片狀基板 71c，而該個片狀基板71c則係自無用領域部71a分離者。 最後，如第29B、30B圖所示，使用電鍍工法而形成厚 度約2〜6 // m且可有效防止焊料之擴散或具高耐熱性之由 鑛鎳層所構成之第1鍍敷膜83,並使之包覆個片狀基板71c 之第2薄膜80與露出之密著層77上面。然後，進而使用電鍍 工法而形成厚度約3〜8私m且焊料附著性良好之由鍍錫層 所構成之第2鍍敷膜84，並使之包覆由鍍鎳層所構成之第i 鍍敷膜83。 藉以上之製造程序，即可製造本發明第2實施例之電阻 器。 · 另，上述之製造程序中，第2鍍敷膜84雖係以鍍錫層構 成者’但其並不限於此，而亦可為含錫合金之材料所構成 之鍍敷層，諸如焊料等，而當其為以該等材料構成者時， 即可於回流焊接時進行安定之焊接。 又’上述製造程序中，由於包覆電阻體73等之保護層 係由包覆電阻體73之以玻璃為主成分之第1保護層74,以及 包覆該第1保護層74與修整溝75之以樹脂為主成分之第2保 護層76之2層所構成者，故可以該第i保護層74防止雷射微 調時產生裂紋而減少電流雜訊，且由於以樹脂為主成分之 該第2保護層76包覆電阻體73全體，故可確保防潮性良好之 電阻特性。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -27· — — — — — —--— II ^-----：--— lti-----I -Ί <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

517251 五、發明說明（25) 上述本發明第2實施例之電阻器之製造程序係在由含 銀之導電性樹脂所構成之多對密著層77之形成順序上與本 •發明第1實施例之電阻器之製造程序不同者，其他則相同， 實際上亦可得到與本發明第1實施例相同之作用效果。 (第3實施例） 以下，參照附圖以就本發明第3實施例之電阻器加以說 明。 第31圖係本發明第3實施例之電阻器之截面圖，第32 圖係已去除該電阻器之端面電極後之平面圖。 如第31及32圖所示，本發明第3實施例之電阻器係於基 板91上具有一對上面電極92，且於該對上面電極92間具有 電阻體93而構成者。 _ 没於由氧化銘等所構成之基板91上面之一對上面電極 92係藉自基板91側依次形成之第1上面電極層94、第2上面 電極層95、密著層96之複層構造而構成者。第1上面電極層 94係自基板91上面之長向全端緣朝中央設置者，其並係由 食Au電極所構成，且至少可使電阻值修正（雷射微調）時之 檢針接觸領域擴大者。第2上面電極層95係由自基板91上面 之長向端緣朝中央側離間之位置而向中央側設置者，其一 部分並與第1上面電極層94重疊而形成，其並係由含Ag電 極等所構成者。而，密著層96係與第1、第2上面電極層94、 95重疊，並於基板91之端緣與第1上面電極層94成一平面而 構成者，其並係由Ag、導電性樹脂等所構成，且為至少使 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^ . ------ I.--tr---------線-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -28- 517251 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 - --—- _ B7___ 五、發明說明（26 ) 後述之端面電極與上面電極92之電性連接良好而設置者。 此時’密著層96之厚度方向之最大高度係構成大於第1上面 電極層94之厚度方向之最大高度者，而此則係為增大端面 電極與上面電極92之接觸面積之故。 電阻體93係橫跨於一對上面電極92間而設置，並由氧 化舒等所構成者《此時，為將歐姆接觸保持良好並得到電 阻值安定之高可信度電阻器，宜構成僅有上面電極92之第2 上面電極層95與電阻體93電性連接。 其次，為將上述電阻體修正至所欲之電阻值，而於電 阻體93之上面設置由玻璃等所構成之第1保護層97,並藉雷 射等而於該第1保護層97及電阻體93設置修整溝98,以修正 電阻值。然後，設置由樹脂或玻璃等所構成之第2保護層 99，並使之至少包覆該電阻體93，而以可包覆重疊而橫跨 於一對上面電極92之第2上面電極層95間之電阻體93與第1 保護層97及修整溝98者為佳。 又’基板91之端緣則具有與上面電極92電性連接而圍 成略〕字型之一對端面電極100。該端面電極100則係藉自 基板91之端緣側依次形成之以下之複層構造而構成者， 即，第1薄膜101、第2薄膜102、第1鍍敷膜103及第2鍍敷膜 104。第1薄膜101係自基板91之背面至端面形成略L字型， 並藉焊濺、真空蒸鍍、離子電鍍、P-CVD等薄膜技術形成 對基板91之密著性良好之Cr、含Cr合金薄膜、Ti、含Ti合 金薄膜或Ni-Cr合金薄膜之任一種而成者。第2薄膜102則係 自基板91之背面至端面形成略L字型，並藉焊濺、真空蒸 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公蔆） I!— — ! — — — · I ill·! til—! — I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -29- 517251 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 97 五、發明說明（） 鍍、離子電鍍、P-CVD等薄膜技術形成含Cu之合金薄膜且 使之與第1薄膜101重疊而電性連接·^成者。 第1鍍敷膜103係由可有效防止焊料之擴散或具高耐熱 性之鍍鎳層所形成以包覆露出之上面電極92及第2薄膜102 者。而，第2鍍敷膜104則係由焊接性良好之鍍錫層所形成 以包覆第1鍍敷膜103者。 其次，參照附圖以就具有上述構造之本發明第3實施例 之電阻器說明其製造方法。 第33圖係顯示已於本發明第3實施例中製造電阻器時 所用之片狀基板全周圍之端部形成無用領域部之狀態之平· 面圖，第 34A、34B 圖、第 36A、36B圖、第 38A、38B圖、 第 40A、40B 圖、第 42A、42B 圖、第 44 圖、第 46A、46B 圖 及第48A、48B圖係顯示本發明第3實施例之電阻器製造程 序之截面圖，第35A、35B圖、第37A、37B囷、第39A、39B 圖、第 41A、41B 圖、第 43A、43B 圖、第 45 圖、第 47A、47B .圖及第49A、49B圖係顯示本發明第3實施例之電阻器製造 程序之平面圖。 首先，如第33、34A、35A圖所示，準備由業經焙燒之 純度96%之氧化鋁所構成之厚度〇.2mm且具絕緣性之片狀 基板111。此時，如第33圖所示，片狀之基板111係於全周 圍之端部具有最終不為產品之無用領域部11 la者。而，該 無用領域部111a係構成略口字狀者。 其次，如第33、34B、35B圖所示，藉以絹印工法於片 狀基板111之上面形成由含Au之樹脂酸鹽所構成之多對第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I ull· — — — --------線·. -I n ϋ ϋ n ϋ 1 I · 517251 A7

五、發明說明（28 )

經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 1上面電極層112，並以巔峰溫度20(rc加以乾燥，而使第i 上面·電極層112形成指觸乾燥膜。 接著，如第33、36A、37A圖所示，藉以絹印工法於片 狀基板111之上面形成以銀為主成分之多對第2上面電極層 113,並使之與該第1上面電極層112至少局部重叠，再以嶺 峰溫度850°C之焙燒圖形加以焙燒，而使第1上面電極層112 及第2上面電極層113形成安定之膜。 然後，如第3 3、3 6B、37B圖所示，藉以絹印工法形成 含氧化釕之多個電阻體114,並使之橫跨多對第2上面電極 層113，再以巔峰溫度850°C之焙燒圖形加以焙燒，而使電， 阻體114形成安定之膜。 其次，如第38A、39A圖所示，藉以絹印工法形成以玻 璃為主成分之複數第1保護層115以包覆多個電阻體ι14，並 以巔峰溫度600°C之焙燒圖形加以焙燒，而使以玻璃為主成 分之第1保護層115形成安定之膜。 接著，如第3 8B、3 9B圖所示，藉雷射微調工法進行修 整以將多對第2上面電極層113間之電阻體114之電阻值修 孚至一定之值，而形成多條修整溝116。 然後，如第40A、41A圖所示，藉以絹印工法形成由含 銀之導電性樹脂所構成之多對密著層117,並使之與多對第 1上面電極層112之一部分及第2上面電極層113之一部分重 疊，再以巔峰溫度200°C之硬化圖形使之硬化，而使密著層 117形成安定之膜。 其次，如第40B、41B圖所示，藉以絹印工法形成以樹 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -31- 517251 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 29 五、發明說明（） 脂為主成分之複數第2保護層118，並使之包覆朝圖上之縱 向排列之以玻璃為主成分之複數第1保護層115、電阻體114 之一部分及第2上面電極層113之一部分，再以巔峰溫度200 °C之硬化圖形使之硬化，而使第2保護層118形成安定之膜。 接著，如第33、42A、43A圖所示，形成有第2保護層 118之片狀基板111全周圍之端部處所形成之無用領域部 11 la除外，藉切割工法形成多個用以使多對第1上面電極層 112及密著層117分離而予以分割成多數短冊狀基板11 lb之 狹縫狀之第1分割部119。此時，多個狹縫狀之第1分割部119 係以700 // m之間距形成者，且該狹縫狀之第1分割部119之 寬度為120/zm。又，該多個狹縫狀之第1分割部119係由朝 上下方向貫通片狀基板111之貫通孔所形成者。且，由於該 片狀基板111係避開無用領域部111a而藉切割工法形成多 個狹缝狀之第1分割部119者，故形成狹縫狀之第1分割部 119後，亦因多數短冊狀基板11 lb與無用領域部11 ia相連， 而呈現片狀態。 然後，如第42B、43B圖所示，藉使用護罩（未予圖示） 冬焊濺工法而自片狀之基板111背面側開始，於基板111背 面之一部分與多個狹缝狀之第1分割部119内面之基板111 端面、第1上面電極層112之端面及密著層117之端面上，以 略L字型形成由對基板111之密著性良好之Cr薄膜所構成 之用以構成端面電極120之一部分之多對第1薄膜121。 其次，如第44、45圖所示，藉使用護罩（未予圖示）之 焊濺工法而自片狀之基板111背面側開始，以略L字型形成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^ ull·— — — ^· —---I I 11^--Awl (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

517251 A7 — —_B7___ 30 五、發明說明（） 由Cu-Ni合金薄膜所構成之用以構成端面電極120之一部分 之多對第2薄膜122，並使之與多對第1薄膜121重疊。 接著，如第33圖、第46A、46B圖、第47A、47B圖所 示，片狀基板111全周圍之端部處所形成之無用領域部11 la 除外，於與狹縫狀之第1分割部119直交之方向上形成多個 第2分割部123,以使片狀基板111上所形成之多數短冊狀基 板11 lb之多個電阻體114個別分離而分割成個片狀基板 111c。此時，由於多個第2分割部123係以400私m之間距形 成者，故第2分割部123之寬度為100 #m。且，由於該多個 第2分割部42係避開無用領域部31a而藉雷射劃片形成於多. 數短冊狀基板31b上者，故每次分割該多個第2分割部42皆 分割成個片狀基板31c，而該個片狀基板31c則係自無用領 域部31a分離者。又，由於該多個第2分割部123係藉雷射劃 片而形成者，故首先如第46A、47A圖所示，藉雷射形成分 割溝，然後，如第46B、47B圖所示，藉一般分割設備將分 割溝之部分分割以分割成個片狀基板111c。即，該分割方 • 法並非每次形成第2分割部123即個片化，而係可得到以2 階段個片化之作用效果者。且，由於該多個第2分割部123 係避開無用領域部11 la而藉雷射劃片形成於多數短冊狀基 板111b上者，故每次形成該多個第2分割部123即分割成個 片狀基板111c，而該個片狀基板lllc則係自無用領域部 111a分離者。 然後，如第48 A、49 A圖所示，使用電鍍工法而形成厚 度約2〜6# m且可有效防止焊料之擴散或具高耐熱性之由 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） -33- — I!· I ----：------I I I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 517251 _ A7 ______ B7 31 五、發明說明（） 鍍鎳層所構成之第1鍍敷膜124，並使之包覆構成端面電極 120之一部分之第2薄膜122、露出之密著屑117端面及第2 .上面電極層113之上面。 最後，如第48B、49B圖所示，使用電鍍工法而形成厚 度約3〜8 # m且焊料附著性良好之由鍍錫層所構成之第2鍍 敷膜125，並使之包覆由鍍鎳層所構成之第i鍍敷膜124。 藉以上之製造程序，即可製造本發明第3實施例之電阻 器。 另，上述之製造程序中，第2鍍敷膜125雖係以鍍錫層 構成者，但其並不限於此，亦可為含錫合金之材料所構成 之鍍敷層，諸如焊料等，而當其係以該等材料構成者時， 即可於回流焊接時進行安定之焊接。 又，上述之製造程序中，由於包覆電阻體114等之保護 層係由包覆電阻體114之以玻璃為主成分之第1保護層 115 ’以及包覆該第1保護層115與修整溝U6之以樹脂為主 成分之第2保護層118之2層所構成者，故可以該第1保護層 115防止雷射微調時產生裂紋而減少電流雜訊，且由於以樹 塒為主成分之該第2保護層118包覆電阻體114全體，故可確 保防潮性良好之電阻特性。. 又’由於藉上述製造程序而製成之電阻器中，藉切割 工法而形成之狹縫狀之第1分割部n9及藉雷射劃片而形成 之第2分割部123之間隔正確（± 〇 005mm以内），且構成端面 電極120之第1薄膜121、第2薄膜122之厚度及第1鍍敷膜 124、第2鍍敷膜125之厚度亦正確，故產品電阻器之全長及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） -34- ^ ^9-----Γ J11 --------線—AWI (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 517251 五、發明說明（32) 全寬正確地為長度〇.6mmx寬〇3rnm。又，由於第1上面電 極層112及電阻體114之圖案精確度亦不需個片狀基板之尺 - 寸等級分類，且無須考慮同一個片狀基板之尺寸等級内之 尺寸誤差’故電阻鱧114之有效面積亦可比習知品大。即， 習知品之電阻體為長約〇 jOmmx寬0.19mm者，相對於此， 本發明第3實施例之電阻器之電阻體U4則為長約〇 25min X寬0.24mm，面積約為1 ·6倍以上者。 W 另’上述製造程序中，由於使用切割工法而形成多個 狹縫狀之第1分割部119,並使用不需個片狀基板之尺寸分 類之片狀基板111，故不需習知之個片狀基板之尺寸分類， 藉此，即可簡化繁雜之程序，並可使用半導體等所用之一 般切割設備而輕易進行切割。 又’上述製造程序中，由於片狀之基板U1係於全周圍 之蜱部形成有最終不為產品之無用領域部1Ua，且多個狹 縫狀之第1分割部119亦形成於片狀之基板1^上，而使多數 短冊狀基板11 lb呈與該無用領域部llla相連之狀態者，故 形成多個狹縫狀之第1分割部119後，多數短冊狀基板lllb 夺與無用領域部11 la相連，因此，片狀之基板j ^將不致細 分為多數短冊狀基板11 lb，因此，由於形成多個狹縫狀之 第1分割部119後，亦可於具有無用領域部llla之片狀基板 111之狀態下進行後工程，故可簡化工法設計。 又’上述製造程序中，構成端面電極12〇之第1薄膜121 與第2薄膜122雖係藉使用護罩（未予圖示）之焊濺工法而形 成者’但不限於此，亦可不使用上述之護罩（未予圖示）， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） -35- ^---------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 517251 A7 _ B7 33 五、發明說明（） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 而亦藉焊濺工法於片狀基板之背面全面上形成薄膜，然 後，藉雷射照射將形成於背面全面上之薄膜之無用部分（即 背面之略中央部分）剝離去除，以形成端面電極12〇之背面 部分。 上述之第2薄膜122雖係藉含Cu之合金薄膜而形成者， 但其中尤以Cu-Ni合金薄膜為佳。該Cu-Ni合金薄膜特別適 合之理由則由於已詳述於上述本發明之第丨實施例中，故在 此加以省略。 另，上述本發明之第3實施例中，雖已就使用焊濺工法 形成第1薄膜121與第2薄膜122者加以說明，但不限於該焊、 濺工法，即便藉其他工法如真空蒸鍍法、離子電鍍法、 P-CVD等薄膜技術形成第1薄膜121與第2薄膜122 ,亦可得 到與本發明第3實施例相同之作用效果。 又，上述本發明之第3實施例中，雖已就以Cr薄膜形成 第1薄膜121者加以說明，但不限於該Cr薄膜，即便以對基 •板之密著性良好之其他Cr-Si合金薄膜、Ni-Cr合金薄膜、 Ti薄膜、含Ti合金薄膜等材料形成第1薄膜121，亦可得到 與本發明第3實施例相同之作用效果。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，上述本發明之第3實施例中，雖已就於片狀基板in 全周圍之端部形成最終不為產品之無用領域部丨丨la並將之 構成略口字狀者加以說明，但該無用領域部i丨la並非絕對 必須形成於片狀基板111全周圍之端部者，舉例言之，即便 如第50圖所示，於片狀基板111之一端部形成有無用領域部 111 d時，或如第51圖所示，於片狀基板111之兩端部形成有 -36- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 517251 # 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（π) 無用領域部llle時，或如第52圖所示，於片狀基板in之三 端部形成有無用領域部111 f時，亦可得到與本發明第3實施 例相同之作用效果。 又，上述本發明之第3實施例中，雖已就藉雷射劃片形 成多個第2分割部123者加以說明，但亦可與狹縫狀之第1 分割部119同樣使用切割工法而形成該第2分割部123 ^此 時，即可使用半導體等所用之一般切割設備而輕易進行切 割。 又，上述本發明第3實施例之電阻器之製造程序中，_ 於實施設置以玻璃為主成分之複數第1保護層115以包覆多 個電阻體114之程序，以及為修正該多個電阻體1丨4之多對 第2上面電極層113間之電阻值而進行修整之程序後，乃實 施設置由導電性樹脂所構成之多對密著層117並使之與多 對第1上面電極層112及第2上面電極層113重疊之程序， 但，由於亦可改變順序，而於實施設置以玻璃為主成分之 複數第1保護層115以包覆多個電阻體114之程序、為修正該 多個電阻體114之多對第2上面電極層113間之電阻值而進 行修整之程序後，至少於實施設置由樹脂層所構成之第2 保護層118以包覆以玻璃為主成分之該複數第1保護層1 i 5 之程序後，再實施設置由導電性樹脂所構成之多對密著層 117並使之與多對第1上面電極層112及第2上面電極層113 重疊之程序，故本製造方法亦具有與本發明第3實施例相同 之作用效果。 即，上述本發明之第3實施例所示之製造方法中，由於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297‘公釐） -37- I I!· I ill·! ----I I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 517251 A7 B7 35 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 &、發明說明（“） 以玻璃為主成分之第1保護層115之形成溫度為6001：以 上，且由導電性樹脂所構成之密著層117之形成溫度為200 °C左右，故進行修整而進行電阻值修正後，將不致發生電 阻值之變化。另，即便改變順序，由於以玻璃為主成分之 第1保護層115之形成溫度為60(TC以上，且由樹脂層所構成 之第2保護屠118與由導電性樹脂所構成之密著層117之形 成溫度為200 °C左右，故進行修整而進行電阻值修正後，將 不致發生電阻值之變化。 如上所述，在本發明之第3實施例中，如第31圖所示， 由於基板91之一主面（上面）上所形成之一對上面電極92係 藉第1上面電極層94、與該第1上面電極層94至少局部重昼 而設置之第2上面電極層95、與該第1上面電極層94及第2 上面電極層95重疊之密著層96之複層構造而構成者，故以 可自一基板取得複數電阻器之片狀基板製造電阻器時，當 進行修整以修正一對上面電極92間之電阻值而進行電阻值 測定時’將因第1上面電極層94之存在而可於該第2上面電 極層95以外，使檢針接觸鄰接之電阻器之第2上面電極層 95 ’而在製造小型電阻器上特別有利。又，於基板91之端 緣形成端面電極100時，若以薄膜技術形成該端面電極 100,則將因與第1上面電極層94及第2上面電極層95重疊之 密著層96之存在，而可增大端面電極1〇〇與上面電極92之連 接面積’藉此，即可得到提高上面電極92與端面電極1〇〇 之電性連接強度之作用效果。 另’由於第2上面電極層95係設於較基板91之上面端緣 請 先 閲 讀 背 Sf 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁

I I 訂 I I ▲ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規袼（210 X 297公釐） -38- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

517251 A7 __B7___ 五、發明說明（36 ) 更内側處者，故將可自一基板取得複數電阻器之片狀基板 分割成個片或短冊狀Ί夺，第2上面電極層95不會存在於分割 部，結果，則可得到避免第2上面電極層95之剝離或毛邊等 發生之作用效果。 又，由於構成上面電極92之第1上面電極層94與密著層 96係構成於基板91之端緣成一平面者，故可得到當以薄膜 技術於基板91之端緣形成端面電極100時，可於安定之狀態 下於基板91之端緣、第1上面電極層94及密著層96之基板端 緣侧連續形成由薄膜所構成之端面電極100之作用效果。 另，由於構成上面電極92之第1上面電極層94、第2上 面電極層95及密著層96中，僅有第2上面電極層95係構成與 電阻體93電性連接者，故即便形成密著層96，電阻值亦不 致改變，藉此，由於可將歐姆接觸保持良好，故可得到電 阻值修正後無電阻值變化之高可信度電阻器。 又’由於構成上面電極92之第1上面電極層94、第2上 面電極層95及密著層96中，密著層96之厚度方向之最大高 度係構成大於第1上面電極層94之厚度方向之最大高度 考，故以薄膜技術於基板91之端緣形成端面電極1〇〇時，因 密著層96之存在而可增大上面電極92與由薄膜所構成之端 面電極1〇〇之接觸面積，藉此，即可得到提高上面電極92 與端面電極100之電性連接強度之作用效果。 又，由於構成上面電極92之第1上面電極層94係由導電 f生樹月曰所構成者，故將可自一基板取得複數電阻器之片狀 基板分割成個片或短冊狀時，可輕易進行第丨上面電極層94 - ----------^ · I---r 111 ---I----^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

517251 A7B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（37 之分割加工，藉此，即可得到避免第1上面電極層94之剝離 或毛邊等發生之作用政果。 又，由於基板91之端緣具有至少與第1上面電極層94 及密著層96電性連接之略〕字型之一對端面電極丨00,故上 面電極92與端面電極1〇〇可於安定狀態下進行電性連接，藉 此’即可得到高強固度之電阻器。 另，由於與第1薄膜101電性連接之第2薄膜102係以含 Cu之合金薄膜構成者，故構成含〇^之合金薄膜之添加金屬 與第1薄膜101之構成金屬將於第1薄膜1〇1與第2薄膜1〇2之 界面處構成全率固溶體，藉此，即可得到提高第1薄膜1〇1 與第2薄膜102之密著力之作用效果。 又，由於構成端面電極100之第2薄膜102係以於Cu中 含有1·6重量百分比以上之Ni之Cu-Ni合金薄膜構成者，故 Cu-Ni合金薄膜之Ni成分與第1薄膜101之構成金屬將構成 全率固溶體，藉此，即可得到提高第1薄膜101與第2薄膜102 之密著力之作用效果。 此外，由於構成端面電極100之第1薄膜101及第2薄膜 102係構成自基板91之背面至端面呈略L字型者，故藉薄膜 技術形成第1薄膜101與第2薄膜102時，可僅由基板91之背 面側朝基板91之上面側輕易加以形成，藉此，即可得到生 產性提昇之作用效果。 (第4實施例） 以下，參照附圖以就本發明第4實施例之電阻器加以說 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 「I II---I I I l·--^ I I----— I* I--- (請先IW讀背面之注意事項再填寫本頁) -40- 517251 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（38) 明。 第53圖係本發明第4實施例之電阻器之截面圖。 如第53圖所示，本發明第4實施例之電阻器包含有基板 131、設於該基板131上面之一對上面電極132、設於該對上 面電極132間之電阻體133、設於該基板131之端緣且圍成略 〕字型之一對端面電極134。 上述電阻體133係於電阻體133之上面設有由玻璃等所 構成之第1保護層135，以將其電阻值修正至所欲之電阻 值，並藉雷射等而於該第1保護層135及電阻體133設有修整 溝136以修正電阻值者。其次，其並具有由樹脂或玻璃等所 構成之第2保護層137以至少包覆該電阻體133,而以包覆重 疊而橫跨於一對上面電極132間之電阻體133、第1保護層 135及修整溝136為佳。 .又，該對端面電極134係以略3字型包圍基板131之端 緣而與上面電極132電性連接者，該端面電極134並係藉自 基板131之端緣側依次形成之第1薄膜138、第2薄膜139、第 1鍍敷膜14〇及第2鍍敷膜141之複層構造而構成者。第1薄膜 138係藉焊濺、真空蒸鍍、離子電鍍、P-CVD等薄膜技術而 自基板131之背面至端面以略L字型形成對基板131之密著 性良好之Cr、含Cr合金薄膜、Ti、含Ti合金薄膜或Ni-Cr 、 合金薄膜之任一種而成者。第2薄膜139則係藉焊濺、真空 蒸鍍、離子電鍍、P-CVD等薄膜技術而自基板131之背面至 端面以略L字型形成與第1薄膜138重疊而電性連接之含Cu 之合金薄膜而成者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I------- -裝 - ---：--II 訂！！線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -41- 517251 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（一） 第1鍍敷膜140係由可有效防止焊料之擴散或具高耐熱 性之鑛鎳層所形成，以包覆露出之上面電極丨32、第1薄膜 138之一部分及第2薄膜139者。另，第2鍍敷膜141則係由焊 料附著性良好之鍍錫層所形成，以包覆第1鍍敷膜14〇者。 其次，參照附圖以就具有上述構造之本發明第4實施例 之電阻器說明其製造方法。 第54圖係顯示已於製造本發明第4實施例之電阻器時 所用之片狀基板全周圍之端部處形成無用領域部之平面 圖，第 55A、55B圖、第 57A、57B圖、第 59A、59B圖、第 61A、61B圖、第63A、63B圖及第65A、65B圖係顯示本發 明第4實施例之電阻器製造程序之截面圖，第56A、56B圖、 第 58A、58B 圖、第 60A、60B 圖、第 62A、62B圖、第 64A、 64B圖及第66A、66B圖係顯示本發明第4實施例之電阻器製 造程序之平面圖。 首先，如第54圖、第55A、56A圖所示，準備由業經焙 .燒之純度96%之氧化銘所構成之厚度〇.2mm且具絕緣性之 片狀基板151。此時，如第54圖所示，片狀之基板151係於 拿周圍之端部具有最終不為產品之無用領域部151a者， 且，該無用領域部151a係構成略口字狀者。 其次，藉以絹印工法於該基板151上面形成以銀為主成 分之多對上面電極層152，並以巔峰溫度850°C之焙燒圖形 加以焙燒，而使上面電極層152形成安定之膜。 接著，如第54圖、第55B、56B圖所示，藉以絹印工法 形成含氧化釕之多個電阻體153並使之橫跨多對上面電極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -42- 11111----II —：— 11 I------1 ^I i^wi ··" (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 517251 A7 _ B7 40 五、發明說明（） 層152，再以巔峰溫度850°C之焙燒圖形加以焙燒，而使電 阻體153形成安定之膜。 一 然後，如第57A、58A圖所示，藉以絹印工法形成以玻 璃為主成分之複數第1保護層154以包覆多對電阻體153之 ’ 一部分，並以巔峰溫度600°C之焙燒圖形加以焙燒，而使以 玻璃為主成分之第1保護層154形成安定之膜。 其次，如第57B、58B圖所示，藉雷射微調工法進行修 整以將多對上面電極層152間之電阻體153之電阻值修正至 一定之值，而形成多條修整溝155。 接著，如第59A、60A圖所示，藉以絹印工法形成以樹 脂為主成分之複數第2保護層156，並使之包覆朝圖上之縱 向排列之以玻璃為主成分之複數第1保護層154全部、電阻 體153之一部分及上面電極層152之一部分，再以巔峰溫度 200°C之硬化圖形使之硬化，而使第2保護層156形成安定之 膜。 然後，如第54圖、第59B、60B圖所示，形成有第2保 _ 護層156之片狀基板151全周圍之端部處所形成之無用領域 部15 la除外，藉切割工法形成多個用以使多對上面電極層 152分離而予以分割成多數短冊狀基板151b之狹縫狀之第1 ‘ 分割部157。此時，多個狹縫狀之第1分割部157係以700// m之間距形成者，且該狹縫狀之第1分割部157之寬度為120 /zm。又，該多個狹縫狀之第1分割部157係由朝上下方向 貫通片狀基板151之貫通孔所形成者。且，由於該片狀基板 151係避開無用領域部151a而藉切割工法形成多個狹縫狀 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 43- — I!--I I - ml· — — — ^« — — 11111 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 517251 A7 B7 41 五、發明說明（） 之第1分割部157者，故形成狹縫狀之第1分割部157後，亦 "0多數短冊狀基板151b與無用領域部151a相連，而呈現片 狀態。 其次，如第61A、62A圖所示，藉使用護罩（未予圖示） 之焊濺工法而自片狀之基板151背面側開始，於基板151背 面之一部分、多個狹縫狀之第1分割部157内面之基板151 端面及上面電極層152之端面上，以略L字狀形成由對基板 151之密著性良好之Cr薄膜所構成之用以構成流量計158之 一部分之多對第1薄膜159。 接著，如第61B、62B圖所示，藉使用護罩（未予圖示）， 之烊濺工法而自片狀之基板151背面側開始，以略L字型形 成由Cu-Ni薄膜所構成之用以構成端面電極158之一部分之 多對第2薄膜160，並使之與多對第1薄膜159重疊。 然後，如第54圖、63A、63B圖、第64A、64B圓所示， 片狀之基板151全周圍之端部處所形成之無用領域部i51a 除外，於與狹縫狀之第1分割部157直交之方向上形成多個 第2分割部161，以使片狀基板151之多數短冊狀基板151b 本所形成之多個電阻體153個別分離而分割成個片狀基板 151c。此時，由於多個第2分割部161係以400# m之間距形 成者，故第2分割部161之寬度為1〇〇 em。又，由於該多個 第2分割部161係藉雷射劃片而形成者，故首先如第63 a、 64A圖所示，藉雷射形成分割溝，然後如第63B、64B圖所 示’藉一般分割設備將分割溝之部分分割以分割成個片狀 基板151c。即，該分割方法並非每次形成第2分割部161即 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） -44- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) MM MM I MM· β I I > ΙΗΜ Μ·· ΗΗ·! I . A7

517251 五、發明說明（42 ) 個片化，而係可得到以2階段個片化之作用效果者。且，由 於該多個第2分割部161係避開無用領域部15 la而藉雷射劃 片形成於多數短冊狀基板15lb上者，故每次形成該多個第2 分割部161即分割成個片狀基板151C，而該個片狀基板151(： 則係自無用領域部151a分離者。 其次’如第65 A、66A圖所示，使用電鍵工法而形成厚 度約2〜6/zm且可有效防止焊料之擴散或具高耐熱性之由 鑛鎳層所構成之第1鍍敷膜162,並使之包覆構成端面電極 158之第1薄膜159、第2薄膜160及露出之上面電極層152上 面〇 最後，如第65B、66B圖所示，使用電鍍工法而形成厚 度約3〜8从m且焊料附著性良好之由鍍錫層所構成之第2鍍 敷膜163，並使之包覆由鍍鎳層所構成之第丨鍍敷膜162。 藉以上之製造程序，即可製造本發明第4實施例之電阻 器。 另’上述之製造程序中，第2鍍敷膜163雖係以鍍錫層 構成者’但其並不限於此，亦可為含锡合金之材料所構成 孓鍍敷層，諸如焊料等，而當其係以該等材料構成者，即 可於回流焊接時進行安定之焊接。 又，上述之製造程序中，由於包覆電阻體153等之保護 層係由包覆電阻體153之以玻璃為主成分之第1保護層 154，以及包覆第1保護層154與修整溝155之以樹脂為主成 分之第2保護層156之2層所構成者，故可以該第1保護層154 防止電射微調時產生裂紋而減少電流雜訊，且由於以樹脂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） I ---丨！---丨-裝·！-;---- 訂·------ -線 (請t閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -45- 517251 A7 ---------- B7 五、發明說明（43 ) 為主成分之該第2保護層156包覆電阻體153全體，故可確保 防潮性良好之電阻特性。 又’由於藉上述製造程序而製成之電阻器中，藉切割 工法而形成之狹缝狀之第1分割部157及藉雷射劃片而形成 之第2分割部161之間隔正確（± 0·005ππη以内），且構成端面 電極158之第1薄膜159、第2薄膜160之厚度及第1鍍敷膜 162、第2鍍敷膜163之厚度亦正確，故產品電阻器之全長及 全寬正確地為長度〇.6mmx寬〇.3mm。又，由於上面電極層 152及電阻體153之圖案精確度亦不需個片狀基板之尺寸等 級分類，且無須考慮同一個片狀基板之尺寸等級内之尺寸 誤差，故電阻體153之有效面積亦可比習知品大。即，習知 品之電阻體為長約〇.2〇mmx寬〇ei9mm者，相對於此，本發 明第4實施例之電阻器之電阻體ι53則為長約〇 25mmx寬 〇.24mm，面積約為1.6倍以上者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另，上述製造程序中，由於使用切割工法而形成多個 狹縫狀之第1分割部157，並使用不需個片狀基板之尺寸分 類之片狀基板151，故不需習知之個片狀基板之尺寸分類， 藉此，即可簡化繁雜之程序，並可使用半導體等所用之一 般切割設備而輕易進行切割9 又’上述製造程序中，由於片狀之基板151係於全周圍 之端部形成有最終不為產品之無用領域部151a，且多個狹 縫狀之第1分割部157亦形成於片狀之基板151上，而使多數 短冊狀基板151b呈與無用領域部151 a相連之狀態者，故形 成多個狹縫狀之第1分割部157後，多數短冊狀基板i51b亦 46- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 517251— A7 --- B7 五、發明說明（Μ) 與無用領域部151 a相連，因此，片狀之基板151將不致細分 為多數短冊狀基板15 lb，因此，由於形成多個狹缝狀之第j 分割部157後，亦可於具有無用領域部151a之片狀基板15j 之狀態下進行後工程，故可簡化工法設計。 又，上述製造程序中，構成端面電極158之第1薄膜159 與第2薄膜160雖係藉使用護罩（未予圓示）之焊濺工法而形 成者，但不限於此，亦可不使用上述之護罩（未予圖示）， 而亦於片狀基板之背面全面上形成薄膜，然後，藉雷射照 射將形成於背面全面上之薄膜之無用部分（即背面之略中 央部分）剝離去除，以形成端面電極158之背面部分。 上述之第2薄膜160雖係藉含Cu之合金薄膜而形成 者，但其中尤以Cu-Ni合金薄膜為佳。該Cu_Ni合金薄膜特 別適合之理由則由於已詳述於上述本發明之第1實施例 中，故在此加以省略 另，上述本發明之第4實施例中，雖已就使用焊濺工法 形成第1薄膜159與第2薄膜160者加以說明，但不限於該焊 減工法’即便糟其他工法如真空蒸鑛法、離子電链法、 P-CVD等薄膜技術形成第1薄膜159與第2薄膜160，亦可得 到與本發明第4實施例相同之作用效果。 又，上述本發明之第4實施例中，雖已就以Cr薄膜形成 第1薄膜159者加以說明，但不限於該Cr薄膜，即便以對基 板之密著性良好之其他Cr-Si合金薄膜、Ni-Cr合金薄膜、 Ti薄膜、含Ti合金薄膜等材料形成第1薄膜丨59，亦可得到 與本發明第4實施例相同之作用效果。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -47· I 1 I 裝-----^----訂—-------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 517251 A7 B7 五、發明說明（45 ) 又’上述本發明之第4實施例中，雖已就於片狀基板151 全周圍之端部形成最終不為產品之無用領域部151 a並將之 構成略口字狀者加以說明，但該無用領域部151&並非絕對 必須形成於片狀基板151全周圍之端部者，舉例言之，即便 如第67圖所示，於片狀基板ι51之一端部形成有無用領域部 15 Id時’或如第68圖所示，於片狀基板151之兩端部形成有 無用領域部151e時，或如第69圖所示，於片狀基板151之三 端部形成有無用領域部151 f時，亦可得到與本發明第4實施 例相同之作用效果。 又，上述本發明之第4實施例中，雖已就藉雷射劃片形. 成多個第2分割部161者加以說明，但亦可與狹縫狀之第1 分割部157同樣使用切割工法而形成該第2分割部161。此 時’即可使用半導體等所用之一般切割設備而輕易進行切 割。 如上所述，在本發明之第4實施例中，如第53圖所示， 本電阻器由於具有基板131、設於該基板131之一主面（上面） 上之電阻體133、至少包覆該電阻體133而設置之第1保護層 135及第2保護層137，且，該基板131之一主面（上面）上設 有一對上面電極132，該對上面電極132間並設有電阻體 133,進而，於該基板131之端緣設有與該上面電極132電性 連接而圍成略〕字型之一對端面電極134,而，該端面電極 134則係藉自基板131之端緣側依次形成之以下之複層構造 而構成者，即：由對基板131之密著性良好之Cr薄膜、Ti 薄膜、含Cr合金薄膜、含Ti合金薄膜或Ni-Cr合金薄膜所構 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------— -*- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·- 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -48- 517251 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（46) 成之第1薄膜138;與該第1薄膜138電性連接之由含Cu之合 金薄膜所構成之第2薄膜139;至少包覆該第2薄膜139之由 鍍鎳層所構成之第1鍍敷膜140;及，至少包覆該第1鍍敷膜 140之第2鍍敷膜141，故構成含Cu之合金薄膜之添加金屬 ^ 與第1薄膜138之構成金屬將於第1薄膜138與第2薄膜139之 界面處構成全率固溶體，藉此，即可得到提高第1薄膜138 與第2薄膜139之密著力之作用效果。 又，由於構成端面電極134之第2薄膜139係以於Cu中 含有1.6重量百分比以上之Ni之Cu-Ni合金薄膜構成者，故 Cu-Ni合金薄膜之Ni成分與第1薄膜138之構成金屬將構成. 全率固溶體，藉此，即可得到提高第1薄膜138與第2薄膜139 間之密著力之作用效果。 此外，由於構成端面電極134之第1薄膜138及第2薄膜 139係構成自基板131之背面至端面呈略L字型者，故藉薄 膜技術形成第1薄膜138與第2薄膜139時，可僅由基板131 之背面側朝基板131之上面側輕易加以形成，藉此，即可得 到生產性提昇之作用效果。 【產業上之利用可能性】 如上所述，本發明之電阻器係藉第1上面電極層及與該 第1上面電極層重疊之密著層而構成基板之一主面上所形 、成之一對上面電極，並藉以下之複層構造而構成設於該基 板之端緣且與該對上面電極電性連接之一對端面電極者， 即：位於基板之端緣側，且由對基板之密著性良好iCr薄 膜、Ti薄膜、含Cr合金薄膜、含Ti合金薄膜之任一種所構 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） — — — — — — — — — — — — — _ I I I l· I I I ^^ *11111—1 ^^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -49·

τ 47 五、發明說明（） 成之第1薄膜；與該第1薄膜電性連接之由含Cu之合金薄膜 所構成之第2薄膜；至少包覆該第2薄膜之由鍍鎳層所構成 之第1鍍敷膜；及，至少包覆該第1鍍敷膜之第2鍍敷膜；根 據上述構造，當以薄膜形成設於基板之端緣且與一對上面 電極電性連接之一對端面電極時，由於一對上面電極係藉 第1上面電極層及與該第1上面電極層重昼之密著層而構成 者，故可增大一對端面電極與一對上面電極之連接面積， 藉此，即可提高上面電極與端面電極之電性連接強度。又， 由於該端面電極係藉含Cu之合金薄膜構成與第1薄膜電性 連接之第2薄膜者，故構成含Cu之合金薄膜之添加金屬與 第1金屬之構成金屬將於第1薄膜與第2薄膜之界面處構成 全率固溶體，因此，具有可提高第1薄膜與第2薄膜之密著 力而提昇強度之良好作用效果。 【主要元件符號之說明】 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 卜··基板 12…第1上面電極層 2···上面電極膜 13…電阻體. 3…電阻層 14…第1保護層 4···端面電極 15…修整溝 5···第1金屬薄膜 16…密著層 6···第2金屬薄膜 17…上面電極 7···第1金屬鍍敷膜 18…第2保護層 8···第2金屬鍍敷膜 19…端面電極 11…基板 20…第1薄膜 -50· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 517251 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

五 A7 ^ ^- 發明說明（） 21…第2薄膜 22…第1鍍敷膜 23…第2鍍敷膜 31…基板 31a···無用領域部 31b···短冊狀基板 31c···個片狀基板 52···第1上面電極層 53…電阻體 一 54…第1保護層 55…修整溝 56…第2保護層 57…密著層 58…上面電極 31d， •31e、31f…無用領域部 59···端面電極 32… 33… 34-36… 第1上面電極層 電阻體 第1保護層 密著層 60…第1薄膜 61…第2薄膜 62…第1鍍敷膜 63…第2鍍敷膜 35- 修整溝 71…基板 37- 第2保護層 71a…無用領域部 38- 第1分割部 71b…短冊狀基板 39- 第1薄膜 71c…個片狀基板 40- 第2薄膜 72···第1上面電極層 41- 背面電極 73…電阻體 42- 第2分割部 74…第1保護層 43… 第1鍍敷膜 75…修整溝 44- 第2鍍敷膜 76…第2保護層 45- 黏著帶 77…密著層 46- 氧化鋁基板 78…第1分割部 51… 基板 79…第1薄膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — — — — — — ^ i I I l· ---I — — — — — — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 517251 A7 B7 49 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（） 80···第2薄膜 llld 、llle、lllf…無用領 8卜··背面電極 一 域部 .82…第2分割部 112··· 第1上面電極層 83…第1鍍敷膜 113··· 第2上面電極層 84…第2鍍敷膜 114··· 電阻鱧 91…基板 115- 第1保護層 92…上面電極 116- 修整溝 93…電阻體 117- 密著層 94…第1上面電極層 118〜 第2保護層 95···第2上面電極層 119- 第1分割部 96···密著層 120- 端面電極 97···第1保護層 121… 第1薄膜 98…修整溝 122- 第2薄膜 99…第2保護層 123- 第2分割部 100…端面電極 124- 第1鍍敷膜 101…第1薄膜 125… 第2鍍敷膜 102…第2薄膜 131··· 基板 103…第1鍍敷膜 132··· 上面電極 104…第2鍍敷膜 133- 電阻體 111…基板 134··· 端面電極 111a…無用領域部 135- 第1保護層 111b…短冊狀基板 136- 修整溝 111c…個片狀基板 137··· 第2保護層 138… 第1薄膜 -.I— — — — — — — — — ull· J I I ^ · I--- - - - -線--^wi (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -52- 517251 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ A7 139···第2薄膜 140···第1鑛敷膜 141···第2鍍敷膜 151a…無用領域部 151b…短冊狀基板 151…基板 151c…個片狀基板 151d、151e、151f··· 無用領域部 152···上面電-極層 153···電阻體 154···第1保護層 155…修整溝 156···第2保護層 157···第1分割部 158···流量計 159···第1薄膜 - 160···第2薄膜 161···第2分割部 162···第1鍍敷膜 163···第2鍍敷膜 I I-----^ · I---^--11 --------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 517251 A8 B8 C8

   、申請專利範圍 L 一種電阻器，包含有： 一基板； 一對上面電極，形成於該基板之一主對面上，係具有第 1上面電極層及與該第丨上面電極層重疊之密著層者； 一電阻體，係與該對上面電極電性連接者； 一保護層，係包覆該電阻體者；及 對端面電極，係於該基板之端緣與該對上面電極電性 連接者，包含有： 第1薄膜，係由對該基板之密著性良好之Cr薄膜、 Ti薄膜、含Cr合金薄膜及含Ti合金薄膜之任一 種所構成者； 第2薄膜，與該第丨薄膜電性連接，係由含cu之 合金薄膜所構成者； 第1鍍敷膜，包覆該第2薄膜，係由鍍鎳層所構成 者；及 第2鍍敷膜，係包覆該第丨鍍敷膜者。 2·如申請專利範圍第1項之電阻器，其中該電阻體係將 第1上面電極層與密著層構成於該基板之端緣成一平 面者。 3·如申請專利範圍第1項之電阻器，其中該密著層之厚 度方向上之最大高度係構成大於該第i上面電極層之 厚度方向上之最大高度者。 4·如申請專利範圍第1項之電阻器，其中該第1上面電 極層係以含銀材料構成者，而密著層則係以導電性樹 本紙張人度週用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐「 """'—"" -54- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 517251

   申5月專利範圍 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 脂構成者。 5·如申請專利範圍第1項之電阻器，其中該第2薄膜係 以於Cu中含有1 ·6重量百分比以上之奶之Cu-Ni合金 溥膜構成者。 6·如申請專利範圍第丨項之電阻器，其中該第丨薄膜及 第2薄膜係構成自基板之背面至端面呈略[字型者。 7· 一種電阻器之製造方法，包含有： 一第1上面電極層設置程序，係於片狀之基板上面設置 多對第1上面電極層者； 一電阻體設置程序，係設置與前述多對第i上面電極層 電性連接之多個電阻體者； 一保護層設置程序，係設置複數的保護層以包覆前述多 個電阻體者； .一修整程序，係進行修整以修正前述多個電阻體之前述 多對第1上面電極層間之電阻值者； 一密著層設置程序，係設置多對密著層並使其與前述多 對第1上面電極層重疊者； 一第1分割部形成程序，係於該片狀之基板上形成多個 用以使前述多對第1上面電極層及多對密著層分離而 予以分割成多數短冊狀基板之狹縫狀之第1分割部者； 一端面電極形成程序，係由已呈形成有多個狹縫狀之該 第1分割部之狀態之片狀基板背面側開始，藉薄膜技術 於多個狹縫狀之第1分割部内面之基板端面、該第i 上面電極層之端面及密著層之端面上形成端面電極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — — —— — — —— · 1 I I I I I I ^ ·11111111 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -55- 517251 A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 六、申請專利範圍 者；及 第2分割部形成程序，係於與該狹縫狀之第1分割部 直交之方向上形成多個第2分割部，以使該片狀基板之 多數短冊狀基板上所形成之前述多個電阻體個別分離 而分割成個片狀基板者。 8·如申請專利範圍第7項之電阻器之製造方法，其中該 端面電極形成程序係亦可於該片狀基板之背面全面上 藉薄膜技術形成端面電極，並去除片狀基板之背面全 面上所形成之該端面電極之無用部分而形成多對背面 電極者。 9·如申請專利範圍第7項之電阻器之製造方法，其中前 述多個第1分割部係藉切割而形成者。 10.如申請專利範圍第7項之電阻器之製造方法，其中前 述多個第2分割部係藉切割而形成者。 11·如申請專利範圍第7項之電阻器之製造方法，其係先 藉雷射形成前述多個第2分割部，然後，分割該等第2 分割部以分割成個片狀基板者。 12.如申請專利範圍第7項之電阻器之製造方法，其中該 片狀基板之端部形成有無用領域部，且多個狹縫狀之 第1分割部亦形成於片狀基板上，而使多數短冊狀基 板呈與該無用領域部相連之狀態。 13·如申請專利範圍第7項之電阻器之製造方法，其中該 端面電極形成程序係藉以下之複層構造而形成該端面 電極者，即： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

   -56- 517251 六、申請專利範圍 第1薄膜，係位於基板之端緣側，且由對該基板之密著 性良好之Cr薄膜、Ti薄膜、含Cr合金薄膜及含Ti合 金薄膜之任一種所構成者； 第2薄膜，與該第1薄膜電性連接，係由含Cu之合金 薄膜所構成者； 第1鍍敷膜，包覆該第·2薄膜，係由鍍鎳層所構成者； 及 第2鍍敷膜，係包覆該第丨鍍敷膜者； 而，該第1薄膜與第2薄膜係由已呈形成有多個狹縫狀 之第1分割部之狀態之片狀基板背面側開始，藉薄膜技 術而於多個狹縫狀之第！分割部内面之基板端面、第1 上面電極層之端面及密著層之端面上形成者， 又，該第1鍍敷膜與第2鍍敷膜係至少包覆為第2分割 部所分割之個片狀基板之該第2薄膜而設置者。 U· —種電阻器之製造方法，包含有： -第1上面電極層設置程序，係於片狀之基板上面設置 多對第1上面電極層者； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -電阻體設置程序，係設置與前述多對第i上面電極層 電性連接之多個電阻體者； -第1保護層設置程序’係設置以玻璃為主成分之複數 的第1保護層以包覆前述多個電阻體者； T修整程序’係進行修整以修正前述多個電阻鱧之前述 夕對第1上面電極層間之電阻值者； 1著層設置程序，係設置多對密著層並使其與多

   •57- 517251 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 對第1上面電極層重疊者； 一第2保護層設置程序，係設置由樹脂層所構成之複數 的第2保護層以包覆該等第1保護層者； 一第1分割部形成程序，係於該片狀之基板上形成多個 用以使前述多對第1上面電極層及多對密著層分離而 予以分割成多數短冊狀基板之狹縫狀之第i分割部者； 一端面電極形成程序，係由已呈形成有多個狹缝狀之該 第1分割部之狀態之片狀基板背面側開始，藉薄膜技術 於多個狹缝狀之第1分割部内面之基板端面、該第1 上面電極層之端面及密著層之端面上形成端面電極 者；及 一第2分割部形成程序，係於與該狹縫狀之第1分割部 直交之方向上形成多個第2分割部，以使該片狀基板之 多數短冊狀基板上所形成之前述多個電阻體個別分離 而分割成個片狀基板者。 .15·如申請專利範圍第14項之電阻器之製造方法，其中該 端面電極形成程序係亦可於該片狀基板之背面全面上 藉薄膜技術形成端面電極，並去除該片狀基板之背面 全面上所形成之端面電極之無用部分而形成多對背面 電極者。 16·如申請專利範圍第14項之電阻器之製造方法，其中該 端面電極形成程序係藉以下之複層構造而形成該端面 電極者，即： 第1薄膜，係位於基板之端緣側，且由對該基板之密著 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂. --線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -58- 517251 A8B8C8D8 ·. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 性良好之Cr薄膜、Ti薄膜、含Cr合金薄膜及含Ti合 金薄膜之任一種所構成者； • 第2薄膜’與該第1薄膜電性連接，係由含cu之合金 薄膜所構成者； 第1鑛敷膜，包覆該第2薄膜，係由鍍鎳層所構成者； 及 第2鍍敷膜，係包覆該第1鍍敷膜者； 而’該第1薄膜與第2薄膜係由已呈形成有多個狹縫狀 之第1分割部之狀態之片狀基板背面側開始，藉薄膜技 術而於多個狹鏠狀之第1分割部内面之基板端面、第1 上面電極層之端面及密著層之端面上形成者， 又’該第1鍍敷膜與第2鍍敷膜係至少包覆為第2分割 部所分割之個片狀基板之該第2薄膜而設置者。 17·如申請專利範圍第14項之電阻器之製造方法，其中該 密著層設置程序係於實施可設置複數的第1保護層之 該第1保護層設置程序，及，可邊行修整以修正前述 多個電阻體之多對第1上面電極層間之電阻值之該修 整程序後實施者。 18·如申请專利範圍第14項之電阻器之製造方法，其中該 密著層設置程序係於實施該第1保護層設置程序、可 進行修整以修正前述多個電阻體之多對第1上面電極 層間之電阻值之該修整程序及該第2保護層設置程序 後實施者。 19·如申請專利範圍第“項之電阻器之製造方法，其中 I!-------— II---訂·！ I — 11 — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

   X 297公釐） -59- 517251 A8

   六、申請專利範圍 述夕個第1分割部係藉切割而形成者。 20·如申凊專利範圍第14項之電阻器之製造方法，其中前 述多個第2分割部係藉切割而形成者。 21·^申請專利範圍第14項之電阻器之製造方法，其係先 精雷射形成前述多個第2分割部，然後，於該等第2 分割部分割成個片狀基板者。 22.如申請專利範圍第14項之電阻器之製造方法，其中該 片狀基板之端部形成有無用領域部，且多個狹縫狀之 刀nJcrP亦形成於片狀基板上，而使多數短冊狀基 板呈與該無用領域部相連之狀態。 23· —種電阻器，包含有：一基板；

   (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

   一對上面電極，係形成於該基板之一主面上者，包含有： 第1上面電極層； 第2上面電極層，係至少一部分與該第丨上面電極 層重疊而設置者；及 一密著層，係與該第1上面電極層及第2上面電極 層重疊者； 一電阻體，係與該對上面電極電性連接者；及 一保護層，係包覆該電阻體者。 24·如申请專利範圍第23項之電阻器，其中用以構成該上 面電極之第2上面電極層係設於較基板上面之端緣更 内側處者。 25·如申請專利範圍第23項之電阻器，其中用以構成該上

   本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐

   -60- 517251 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 面電極之第1上面電極層與密著層係構成於基板之端 緣成一平面者。 ^ 26·如申請專利範圍第23項之電阻器，其中該第1上面電 極層、第2上面電極層及密著層中，僅有該第2上面 W 電極層係構成與電阻體電性連接者。 27. 如申請專利範圍第23項之電阻器，其中該密著層之厚 度方向之最大高度係構成大於第1上面電極層之厚度 方向之最大高度者。 28. 如申請專利範圍第23項之電阻器，其中用以構成該上 面電極之第1上面電極層係由含貴金屬樹脂酸鹽所構 成者。 29·如申請專利範圍第23項之電阻器，其係於該基板之端 緣具有至少與第1上面電極及密著層電性連接之略η .字形之一對端面電極者。 30·如申請專利範圍第29項之電阻器，其中該端面電極包 含有： 第1薄膜，係位於基板之端緣側，且由對該基板之密著 性良好之Cr薄膜、Ti薄膜、含Cr合金薄膜及含Ti合 ‘ 金薄膜之任一種所構成者； ' 第2薄膜，與該第1薄膜電性連接，係由含Cu之合金 -薄膜所構成者； 第1鍍敷膜，包覆該第2薄膜，係由鍍鎳層所構成者； 及 第2鍍敷膜，係包覆該第1鍍敷膜者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） n n I n 1 n n n n ϋ 1 -ϋ I > n n n n l n n 一5 口，I a— I n ϋ ϋ I 1 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -61- 517251 ________ 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 31·如申請專利範圍第3〇項之電阻器，其中該第2薄膜係 以於Cii中含有ι·6重量百分比以上之Ni之cu-Ni合金 溥膜構成者。 32·如申請專利範圍第3〇項之電阻器，其中用以構成該端 面電極之第1薄膜及第2薄膜係構成自基板之背面至 端面呈略L字型者。 33· —種電阻器之製造方法，包含有： 一第1上面電極層設置程序，係於片狀之基板上面設置 多對第1上面電極層者； 一第2上面電極層設置程序，係設置與前述多對第1 上面電極層電性連接之多對第2上面電極層者； 一電阻體設置程序，係設置與前述多對第2上面電極層 電性連接之多個電阻體者； --線· 一保護層設置程序，係設置複數的保護層以包覆前述多 個電阻體者； 一修整程序，係進行修整以修正前述多個電阻體之前述 多對第2上面電極層間之電阻值者； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印剩衣 一密著層設置程序，係設置多對密著層並使其與前述多 對第1上面電極層及第2上面電極層重疊者； 一第1分割部形成程序，係於該片狀之基板上形成多個 用以使前述多對第1上面電極層、第2上面電極層及多 對密著層分離而予以分割成多數短冊狀基板之狹縫狀 之第1分割部者；及 一第2分割部形成程序，係於與該狹縫狀之第1分割部 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規袼（210 X 297公爱） -62- 517251

   六、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 直交之方向上形成多個第2分割部，以使該片狀基板之 多數短冊狀基板上所形成之前述多個電阻體個別分離 而分割成個片狀基板者。 34·如申請專利範圍第33項之電阻器之製造方法，其中前 述多個第1分割部係藉切割而形成者。 35·如申請專利範圍第33項之電阻器之製造方法，其中前 述多個第2分割部係藉切割而形成者。 36·如申請專利範圍第33項之電阻器之製造方法，其係先 藉雷射形成前述多個第2分割部，然後，分割該等第2 分割部以分割成個片狀基板者。 37·如申請專利範圍第33項之電阻器之製造方法，其中該 片狀基板之端部形成有無用領域部，且多個狹縫狀之 第1分割部亦形成於片狀基板上，而使多數短冊狀基 板呈與該無用領域部相連之狀態。 38· —種電阻器之製造方法，包含有： 一第1上面電極層設置程序，係於片狀之基板上面設置 多對第1上面電極層者； 一第2上面電極層設置程序，係設置與前述多對第i 上面電極層電性連接之多對第2上面電極層者； 一電阻體設置程序，係設置與前述多對第2上面電極層 電性連接之多個電阻體者； 一第1保護層設置程序，係設置以玻璃為主成分之複數 的第1保護層以包覆前述多個電阻體者； 一修整程序，係進行修整以修正前述多個電阻體之前述 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — — — — — — —— · I 1 I I I I I a — — — — — — — — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -63- 517251

   經濟部智慧財產局員工消費合作社印制取 六、申請專利範圍 多對第2上面電極層間之電阻值者； 一密著層設置程序，係設置多對密著層並使其與前述多 對第1上面電極層及第2上面電極層重疊者； 一第2保護層設置程序，係設置由樹脂層所構成之複數 的第2保護層以包覆該複數的第1保護層者； 一第1分割部形成程序，係於該片狀之基板上形成多個 用以使前述多對第1上面電極層、第2上面電極層及密 著層分離而予以分割成多數短冊狀基板之狹缝狀之第 1分割部者；及 一第2分割部形成程序，係於與該狹縫狀之第1分割部 直交之方向上形成多個第2分割部，以使該片狀基板之 夕數短冊狀基板上所形成之前述多個電阻體個別分離 而分割成個片狀基板者。 39·如申請專利範圍第38項之電阻器之製造方法，其中該 密著層設置程序係於實施可設置複數的第丨保護層之 該第1保護層設置程序，及，可進行修整以修正前述 多個電阻體之多對第2上面電極層間之電阻值之該修 整程序後實施者。 4〇·如申請專利範圍第38項之電阻器之製造方法，其中該 密著層設置程序係於實施該第丨保護層設置程序、可 進行修整以修正前述多個電阻體之多對第2上面電極 層間之電阻值之該修整程序及可設置複數的第2保護 層之該第2保護層設置程序後實施者。 41·如申請專利範圍第38項之電阻器之製造方法，其中前 · W 裝·------訂---------線---# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

   517251 A8B8C8D8 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 述多個第1分割部係藉切割而形成者。 42·如申請專利範圍第38項之電阻器之製造方法，其中前 述多個第2分割部係藉切割而形成者。 43·如申請專利範圍第38項之電阻器之製造方法，其係先 藉雷射形成前述多個第2分割部，然後，於該等第2 分割部分割成個片狀基板者。 44·如申請專利範圍第38項之電阻器之製造方法，其中該 片狀基板之端部形成有無用領域部，且多個狹縫狀之 第1分割部亦形成於片狀基板上，而使多數短冊狀基 板呈與該無用領域部相連之狀態。 45· —種電阻器，包含有： 一基板； 一對上面電極，係形成於該基板之一主面上者； 一電阻體，係與該對上面電極電性連接者； 一保護層，係用以包覆該電阻體者；及 一對端面電極，於該基板之端緣與該對上面電極電性連 接而設置，係呈略rr字型者，包含有： 第1薄膜，係位於基板之端緣側，且由對該基板之 密著性良好之Cr薄膜、Ti薄膜、含Cr合金薄膜 及含Ti合金薄膜之任一種所構成者； 第2薄膜，與該第1薄膜電性連接，係由含cu之 合金薄膜所構成者； 第1鍍敷膜，包覆該第2薄膜，係由鍍鎳層所構成 者，及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規袼（210 X 297公愛） --I I I I I--I I I I --I I I---^- — — — — — 1 — 1^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -65- 517251 經濟部智慧財產局員工消費合作社印5衣 C8 ---__^_____ 、申請專利範圍 第2艘敷膜，係包覆該第1錢敷膜者。 46.如申請專利範圍第45項之電阻器，其中用以構成端面 電極之第2薄膜係以於Cu中含有h6重量百分比以上 之Ni之Cu-Ni合金薄膜構成者。 47·如申請專利範圍第45項之電阻器，其中用以構成端面 電極之第1薄膜及第2薄膜係構成自基板之背面至端 面呈略L字狀者。 48· 一種電阻器之製造方法，包含有·· 一上面電極層設置程序，係於片狀之基板上面設置多對 上面電極層者； 電阻體$又置程序，係設置與前述多對上面電極層電性 連接之多個電阻體者； 一保護層設置程序，係設置複數的保護層以包覆前述多 個電阻體者； 一修整程序，係進行修整以修正前述多個電阻體之前述 多對上面電極層間之電阻值者； 一第1分割部形成程序，係於該片狀之基板上形成多個 用以使前述多對上面電極層分離而予以分割成多數短 冊狀基板之狹縫狀之第1分割部者； 一端面電極形成程序，係由已呈形成有多個該第丨分割 部之狀態之片狀基板背面側開始，藉薄膜技術於前述多 個第1分割部内面之基板側面及該上面電極層之側面 上形成端面電極者；及 一第2分割部形成程序，係於與該第1分割部直交之方 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 丨Γ卜------裝·------訂---------線ί#—— *--¥ Ψ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -66-

   517251 六、申請專利範圍 向上形成多個第2分割部，以使該片狀基板之多數短冊 狀基板上所形成之前述多個電阻體個別分離而分割成 個片狀基板者。 49·如申請專利範圍第48項之電阻器之製造方法，其中前 述多個第1分割部係藉切割而形成者。 50·如申請專利範圍第料項之電阻器之製造方法，其中前 述多個第2分割部係藉切割而形成者。 51·如申請專利範圍第48項之電阻器之製造方法，其係先 藉雷射形成前述多個第2分割部，然後，分割該等第2 分割部以分割成個片狀基板者。 52·如申請專利範圍第48項之電阻器之製造方法，其中該 片狀基板之端部形成有無用領域部，且前述多個第i 分割部亦形成於片狀基板上，而使多數短冊狀基板呈 •與該無用領域部相連之狀態。 53· —種電阻器之製造方法，包含有·· 一上面電極層設置程序，係於片狀之基板上面設置多對 上面電極層者； 一電阻體設置程序，係設置與前述多對上面電極層電性 連接之多個電阻體者； 一第1保護層設置程序，係設置以玻璃為主成分之複數 的第1保護層以包覆前述多個電阻體者； 一修整程序，係進行修整以修正前述多個電阻體之前述 多對上面電極層間之電阻值者； 一第2保護層設置程序，係設置由樹脂層所構成之複數 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I! — — !- _ 111 — I — I t !11! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 •67- 517251 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 的第2保護層以包覆該複數的第〗保護層者； 一第1分割部形成程序，係於該片狀之基板上形成多個 用以使前述多對上面電極層分離而予以分割成多數短 冊狀基板之狹縫狀之第1分割部者； 一端面電極形成程序，係由已呈形成有多個該第丨分割 部之狀態之片狀基板背面側開始，藉薄膜技術於前述多 個第1分割部内面之基板側面及該上面電極層之側面 形成端面電極者；及 一第2分割部形成程序，係於與該第1分割部直交之方 向上形成多個第2分割部，以使該片狀基板之多數短冊 狀基板上所形成之前述多個電阻體個別分離而分割成 個片狀基板者。 54·如申請專利範圍第53項之電阻器之製造方法，其中該 端面電極形成程序係藉以下之複層構造而形成該端面 電極者，即： 第1薄膜，係位於基板之端緣側，且由對該基板之密著 性良好之Cr薄膜、Ti薄膜、含Cr合金薄膜及含Ti合 金薄膜之任一種所構成者； 第2薄膜，與該第1薄膜電性連接，係由含Cll之合金 薄膜所構成者； 第1錄敷膜，包覆該第2薄膜，係由鍍鎳層所構成者； 及 第2鍍敷膜，係包覆該第1鍍敷膜者； 而’該第1薄膜與第2薄膜係由已呈形成有多個狹縫狀 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21C1 x 297公髮） ----：——l·------裝1 S 擎 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -5J· 線_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -68-

   517251 、申請專利範圍 之第1分割部之狀態之片狀基板背面側開始，藉薄膜技 術而於多個狹縫狀之第1分割部内面之基板側面及上 面電極層之側面上形成者， 又，該第1鍍敷膜與第2鍍敷膜係至少包覆為第2分割 部所分割之個片狀基板之該第2薄膜而設置者。 55·如申請專利範圍第53項之電阻器之製造方法，其中前 述多個第1分割部係藉切割而形成者。 56·如申請專利範圍第53項之電阻器之製造方法，其中前 述多個第2分割部係藉切割而形成者。 57·如申請專利範圍第53項之電阻器之製造方法，其係先 藉雷射形成前述多個第2分割部，然後，於該等第2 分割部分割成個片狀基板者。 58·如申請專利範圍第53項之電阻器之製造方法，其中該 片狀基板之端部形成有無用領域部，且多個狹縫狀之 第1分割部亦形成於片狀基板上，而使多數短冊狀基 板呈與該無用領域部相連之狀態。 --II-------丨-裝--------訂·！ ！線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張家標準（⑽A4規格（210 χ 297公餐） -69-