JP2002270401A - 抵抗器およびその製造方法 - Google Patents

抵抗器およびその製造方法

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JP2002270401A
JP2002270401A JP2001072205A JP2001072205A JP2002270401A JP 2002270401 A JP2002270401 A JP 2002270401A JP 2001072205 A JP2001072205 A JP 2001072205A JP 2001072205 A JP2001072205 A JP 2001072205A JP 2002270401 A JP2002270401 A JP 2002270401A
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upper electrode
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electrode
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Application number
JP2001072205A
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English (en)
Inventor
Toshiki Matsukawa
俊樹 松川
Akio Fukuoka
章夫 福岡
Masato Hashimoto
正人 橋本
Hiroyuki Saikawa
博之 斉川
Tsutomu Nakanishi
努 中西
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 上面電極と端面電極との電気的接続信頼性の
向上および第1の薄膜と第2の薄膜との間の密着力の向
上が図れて、信頼性を高めることができる抵抗器を提供
することを目的とする。 【解決手段】 基板11の端縁に設けられ、かつ一対の
上面電極18に電気的に接続される一対の端面電極20
を、基板11の裏面側から略L字型に形成した第1の端
面電極21と、基板11の上面側から略L字型に形成し
た第2の端面電極22とにより略コの字型に構成すると
ともに、両者を電気的に接続し、かつ前記第1の端面電
極21と第2の端面電極22は、それぞれCr薄膜、T
i薄膜、Cr系合金薄膜、Ti系合金薄膜のいずれかか
らなる第1の薄膜23,25と、この第1の薄膜23,
25と電気的に接続されるCu系の合金薄膜からなる第
2の薄膜24,26により構成したものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は抵抗器およびその製
造方法に関するものであり、特に微細な抵抗器およびそ
の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種の抵抗器としては、特開平
3−80501号公報に開示された「端面電極を4層構
造とした抵抗器」が知られている。
【0003】この抵抗器は、図30に示すように、基板
1の上面の両端部に位置して基板1の端面より内側に設
けた一対の上面電極膜2を跨ぐように抵抗層3を設ける
とともに、前記基板1の端面に一対の上面電極膜2と電
気的に接続される一対のコ字型の端面電極4を設けてい
る。そして前記端面電極4は、最下層に上面電極膜2と
電気的に接続されるNiCr薄膜、Ti薄膜またはCr
薄膜からなるコ字型の第1の金属薄膜5と、この第1の
金属薄膜5に重畳する低抵抗のCu薄膜からなる第2の
金属薄膜6と、この第2の金属薄膜6に重畳するNiめ
っき膜からなる第1の金属めっき膜7と、さらにこの第
1の金属めっき膜7に重畳するPb−Snめっき膜また
はSnめっき膜からなる第2の金属めっき膜8の4層構
造となっていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の抵抗器においては、端面電極4における第2の
金属薄膜6を低抵抗のCu薄膜で構成しているため、こ
の抵抗器を湿度の高い雰囲気中に放置すると、第2の金
属薄膜6であるCu薄膜とその下層である第1の金属薄
膜5との界面において、第1の金属薄膜5と第2の金属
薄膜6とが固溶しづらいため、水分等がこの界面に吸着
されると、第1の金属薄膜5から第2の金属薄膜6が剥
離しやすくなるという課題を有していた。
【0005】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、上面電極と端面電極との電気的接続信頼性の向上お
よび第1の薄膜と第2の薄膜との間の密着力の向上が図
れて、信頼性を高めることができる抵抗器およびその製
造方法を提供することを目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は以下の構成を有するものである。
【0007】本発明の請求項1に記載の発明は、基板
と、この基板の一主面に形成した一対の上面電極と、こ
の一対の上面電極と電気的に接続されるように設けた抵
抗体と、少なくとも前記抵抗体を覆うように設けられた
保護層と、前記基板の端縁に設けられ、かつ前記一対の
上面電極に電気的に接続される一対の端面電極とを備
え、前記端面電極は、基板の裏面側から略L字型に形成
した第1の端面電極と、基板の上面側から略L字型に形
成した第2の端面電極とにより略コの字型に構成すると
ともに、両者を電気的に接続し、かつ前記第1の端面電
極と第2の端面電極は、それぞれCr薄膜、Ti薄膜、
Cr系合金薄膜、Ti系合金薄膜のいずれかからなる第
1の薄膜と、この第1の薄膜と電気的に接続されるCu
系の合金薄膜からなる第2の薄膜により構成したもの
で、この構成によれば、基板の端縁に設けられ、かつ一
対の上面電極に電気的に接続される一対の端面電極を、
基板の裏面側から略L字型に形成した第1の端面電極
と、基板の上面側から略L字型に形成した第2の端面電
極とにより略コの字型に構成するとともに、両者を電気
的に接続しているため、前記一対の端面電極を薄膜で形
成する場合、一対の端面電極と一対の上面電極との接続
面積を大きくすることができ、これにより、上面電極と
端面電極との電気的接続信頼性を高めることができる。
また前記端面電極は、第1の薄膜と電気的に接続される
第2の薄膜をCu系の合金薄膜により構成しているた
め、第1の薄膜と第2の薄膜との界面においては、Cu
系の合金薄膜を構成する添加金属と第1の薄膜の構成金
属とが全率固溶体を構成することになり、これにより、
第1の薄膜と第2の薄膜との間の密着力が向上して信頼
性を高めることができるという作用を有するものであ
る。
【0008】請求項2に記載の発明は、特に、一対の上
面電極を、第1の上面電極層と、この第1の上面電極層
に重なる密着層とにより構成したもので、この構成によ
れば、基板の端縁に設けられ、かつ一対の上面電極に電
気的に接続される一対の端面電極における第1の端面電
極または第2の端面電極を薄膜で形成する場合、一対の
上面電極を、第1の上面電極層と、この第1の上面電極
層に重なる密着層とにより構成していることにより、一
対の端面電極と一対の上面電極との接続面積を大きくす
ることができ、これにより、上面電極と端面電極との電
気的接続信頼性を高めることができるという作用を有す
るものである。
【0009】請求項3に記載の発明は、特に、一対の上
面電極を、第1の上面電極層と、この第1の上面電極層
に少なくとも一部が重なるように設けられた第2の上面
電極層と、前記第1の上面電極層および第2の上面電極
層に重なる密着層の複層構造により構成したもので、こ
の構成によれば、基板の端縁に設けられ、かつ一対の上
面電極に電気的に接続される一対の端面電極における第
1の端面電極または第2の端面電極を薄膜で形成する場
合、一対の上面電極を、第1の上面電極層と、第2の上
面電極層と、密着層の複層構造により構成していること
により、一対の端面電極と一対の上面電極との接続面積
を大きくすることができ、これにより、上面電極と端面
電極との電気的接続信頼性を高めることができるという
作用を有するものである。
【0010】請求項4に記載の発明は、特に、上面電極
を構成する第1の上面電極層と密着層を、基板の端縁に
おいて面一となるように構成したもので、この構成によ
れば、基板の端縁に設けられ、かつ上面電極に電気的に
接続される端面電極における第1の端面電極または第2
の端面電極を薄膜で形成する場合、第1の上面電極層お
よび密着層が基板の端縁において面一となっているた
め、基板の端縁と第1の上面電極層および密着層の基板
端縁側に薄膜からなる第1の端面電極または第2の端面
電極を連続して安定した状態に形成することができると
いう作用を有するものである。
【0011】請求項5に記載の発明は、特に、上面電極
を構成する第1の上面電極層と密着層のうち、第1の上
面電極層のみが抵抗体と電気的に接続される構成とした
もので、この構成によれば、密着層を形成しても抵抗値
が変化することはないため、オーミックコンタクトを良
好に保つことができ、これにより、抵抗値修正後の抵抗
値変化がない信頼性の高い抵抗器が得られるという作用
を有するものである。
【0012】請求項6に記載の発明は、特に、上面電極
を構成する第1の上面電極層と密着層のうち、密着層の
厚み方向における最大の高さを第1の上面電極層の厚み
方向における最大の高さよりも高くなるように構成した
もので、この構成によれば、基板の端縁に設けられ、か
つ上面電極に電気的に接続される端面電極における第1
の端面電極または第2の端面電極を薄膜で形成する場
合、密着層の存在により、上面電極と薄膜からなる端面
電極の接触面積を大きくすることができ、これにより、
上面電極と端面電極との電気的接続信頼性を高めること
ができるという作用を有するものである。
【0013】請求項7に記載の発明は、特に、上面電極
を構成する第1の上面電極層を銀系の材料で構成すると
ともに、密着層を導電性樹脂で構成したもので、この構
成によれば、第1の上面電極層の形成温度が850℃近
辺で、かつ密着層の形成温度が200℃近辺となるた
め、抵抗値修正を行った後の抵抗値変化が発生すること
はないという作用を有するものである。
【0014】請求項8に記載の発明は、特に、端面電極
を構成する第2の薄膜を、CuにNiを1.6重量%以
上含有させたCu−Ni合金薄膜で構成したもので、こ
の構成によれば、第1の薄膜と第2の薄膜との界面にお
いて、Cu−Ni合金薄膜のNi成分と第1の薄膜の構
成金属とが全率固溶体を構成するため、第1の薄膜と第
2の薄膜との間の密着力が向上して信頼性を高めること
ができるという作用を有するものである。
【0015】請求項9に記載の発明は、特に、保護層
を、抵抗体を覆うガラスを主成分とする第1の保護層
と、この第1の保護層を覆う樹脂を主成分とする第2の
保護層で構成したもので、この構成によれば、ガラスを
主成分とする第1の保護層でレーザートリミング時のク
ラックの発生を防止することができるため、電流雑音を
小さくできるとともに、樹脂を主成分とする第2の保護
層で抵抗体全体が覆われているため、耐湿性に優れた抵
抗特性を確保できるという作用を有するものである。
【0016】請求項10に記載の発明は、特に、第2の
上面電極層を、基板の端縁よりも内側に設けたもので、
この構成によれば、第2の上面電極層を、基板の端縁よ
りも内側に設けているため、多数個取りのシート状の基
板を短冊状あるいは個片に分割する際には、分割部に第
2の上面電極層が存在するということはなくなり、これ
により、第2の上面電極層の剥離やバリ等の発生を防止
することができるという作用を有するものである。
【0017】請求項11に記載の発明は、特に、上面電
極を構成する第1の上面電極層、第2の上面電極層およ
び密着層のうち、第1の上面電極層と密着層を、基板の
端縁において面一となるように構成したもので、この構
成によれば、基板の端縁に設けられ、かつ上面電極に電
気的に接続される端面電極における第1の端面電極また
は第2の端面電極を薄膜で形成する場合、第1の上面電
極層および密着層が基板の端縁において面一となってい
るため、基板の端縁と第1の上面電極層および密着層の
基板端縁側に薄膜からなる第1の端面電極または第2の
端面電極を連続して安定した状態に形成することができ
るという作用を有するものである。
【0018】請求項12に記載の発明は、特に、上面電
極を構成する第1の上面電極層、第2の上面電極層およ
び密着層のうち、第2の上面電極層のみが抵抗体と電気
的に接続される構成としたもので、この構成によれば、
密着層を形成しても抵抗値が変化することはないため、
オーミックコンタクトを良好に保つことができ、これに
より、抵抗値修正後の抵抗値変化がない信頼性の高い抵
抗器が得られるという作用を有するものである。
【0019】請求項13に記載の発明は、特に、上面電
極を構成する第1の上面電極層、第2の上面電極層およ
び密着層のうち、密着層の厚み方向における最大の高さ
を第1の上面電極層の厚み方向における最大の高さより
も高くなるように構成したもので、この構成によれば、
基板の端縁に設けられ、かつ上面電極に電気的に接続さ
れる端面電極における第1の端面電極または第2の端面
電極を薄膜で形成する場合、密着層の存在により、上面
電極と薄膜からなる端面電極の接続面積を大きくするこ
とができ、これにより、上面電極と端面電極との電気的
接続信頼性を高めることができるという作用を有するも
のである。
【0020】請求項14に記載の発明は、特に、上面電
極を構成する第1の上面電極層を導電性樹脂で構成した
もので、この構成によれば、上面電極を構成する第1の
上面電極層を導電性樹脂で構成しているため、多数個取
りのシート状の基板を短冊状あるいは個片に分割する
際、第1の上面電極層が分割加工しやすく、これによ
り、第1の上面電極層の剥離やバリ等の発生を防止する
ことができるという作用を有するものである。
【0021】請求項15に記載の発明は、シート状の基
板の上面に複数対の上面電極を設ける工程と、前記複数
対の上面電極と電気的に接続される複数の抵抗体を設け
る工程と、少なくとも前記複数の抵抗体を覆うように複
数の保護層を設ける工程と、前記複数の抵抗体における
前記複数対の上面電極間の抵抗値を修正するためにトリ
ミングを行う工程と、前記シート状の基板に、前記複数
対の上面電極を分離して複数の短冊状基板に分割するた
めのスリット状の第1の分割部を複数形成する工程と、
前記スリット状の第1の分割部が複数形成された状態の
シート状の基板の裏面側に、薄膜技術を用いてシート状
の基板の裏面から複数のスリット状の第1の分割部の内
面における基板の端面および前記上面電極の端面にかけ
て略L字型の第1の端面電極を形成する工程と、前記ス
リット状の第1の分割部が複数形成された状態のシート
状の基板の上面側に、薄膜技術を用いて前記第1の端面
電極に電気的に接続されるように前記上面電極の上面か
ら第1の端面電極の一部にかけて略L字型の第2の端面
電極を形成する工程と、前記シート状の基板における複
数の短冊状基板に、前記複数の抵抗体が個々に分離され
て個片状基板に分割されるように前記スリット状の第1
の分割部と直交する方向に複数の第2の分割部を形成す
る工程とを備えたもので、この製造方法によれば、スリ
ット状の第1の分割部が複数形成された状態のシート状
の基板の裏面側に、薄膜技術を用いてシート状の基板の
裏面から複数のスリット状の第1の分割部の内面におけ
る基板の端面および前記上面電極の端面にかけて略L字
型の第1の端面電極を形成する工程と、前記スリット状
の第1の分割部が複数形成された状態のシート状の基板
の上面側に、薄膜技術を用いて前記第1の端面電極に電
気的に接続されるように前記上面電極の上面から第1の
端面電極の一部にかけて略L字型の第2の端面電極を形
成する工程を備えているため、上面電極と端面電極との
電気的接続は第1の端面電極の形成と第2の端面電極の
形成により確実なものが得られ、これにより、上面電極
と端面電極との電気的接続信頼性を高めることができる
という作用を有するものである。
【0022】請求項16に記載の発明は、特に、上面電
極を、第1の上面電極層と、この第1の上面電極層に重
なる密着層とにより構成したもので、この製造方法によ
れば、上面電極を、第1の上面電極層と、この第1の上
面電極層に重なる密着層とにより構成しているため、略
L字型の第1の端面電極を薄膜技術を用いて形成する場
合、第1の端面電極は第1の上面電極層の端面だけでな
く、密着層にも形成されることになり、これにより、上
面電極に対する第1の端面電極の接続面積が大きくなる
ため、上面電極と第1の端面電極との電気的接続信頼性
を高めることができるという作用を有するものである。
【0023】請求項17に記載の発明は、特に、上面電
極を、第1の上面電極層と、この第1の上面電極層に少
なくとも一部が重なるように設けられた第2の上面電極
層と、前記第1の上面電極層および第2の上面電極層に
重なる密着層の複層構造により構成したもので、この製
造方法によれば、上面電極を、第1の上面電極層と、こ
の第1の上面電極層に少なくとも一部が重なるように設
けられた第2の上面電極層と、前記第1の上面電極層お
よび第2の上面電極層に重なる密着層の複層構造により
構成しているため、多数個取りのシート状の基板で抵抗
器を製造する場合、一対の上面電極間の抵抗値を調整す
るためのトリミング時の抵抗値測定においては、第1の
上面電極層の存在により、当該の第2の上面電極層の他
に、隣接する抵抗器における第2の上面電極層に検針を
接触させることができるもので、特に小型の抵抗器を製
造する際に有利になるという作用を有するものである。
【0024】請求項18に記載の発明は、特に、第1の
端面電極と第2の端面電極を、それぞれCr薄膜、Ti
薄膜、Cr系合金薄膜、Ti系合金薄膜のいずれかから
なる第1の薄膜と、この第1の薄膜と電気的に接続され
るCu系の合金薄膜からなる第2の薄膜により構成した
もので、この製造方法によれば、Cr薄膜、Ti薄膜、
Cr系合金薄膜、Ti系合金薄膜のいずれかからなる第
1の薄膜と電気的に接続される第2の薄膜をCu系の合
金薄膜により構成しているため、第1の薄膜と第2の薄
膜との界面においては、Cu系の合金薄膜を構成する添
加金属と第1の薄膜の構成金属とが全率固溶体を構成す
ることになり、これにより、第1の薄膜と第2の薄膜と
の密着力が向上して信頼性を高めることができるという
作用を有するものである。
【0025】請求項19に記載の発明は、シート状の基
板の上面に複数対の上面電極を設ける工程と、前記複数
対の上面電極と電気的に接続される複数の抵抗体を設け
る工程と、少なくとも前記複数の抵抗体を覆うように複
数の保護層を設ける工程と、前記複数の抵抗体における
前記複数対の上面電極間の抵抗値を修正するためにトリ
ミングを行う工程と、前記シート状の基板に、前記複数
対の上面電極を分離して複数の短冊状基板に分割するた
めのスリット状の第1の分割部を複数形成する工程と、
前記スリット状の第1の分割部が複数形成された状態の
シート状の基板の上面側に、薄膜技術を用いてシート状
の基板の上面に設けた上面電極の上面から複数のスリッ
ト状の第1の分割部の内面における基板の端面にかけて
略L字型の第1の端面電極を形成する工程と、前記スリ
ット状の第1の分割部が複数形成された状態のシート状
の基板の裏面側に、薄膜技術を用いて前記第1の端面電
極に電気的に接続されるようにシート状の基板の裏面か
ら第1の端面電極の一部にかけて略L字型の第2の端面
電極を形成する工程と、前記シート状の基板における複
数の短冊状基板に、前記複数の抵抗体が個々に分離され
て個片状基板に分割されるように前記スリット状の第1
の分割部と直交する方向に複数の第2の分割部を形成す
る工程とを備えたもので、この製造方法によれば、スリ
ット状の第1の分割部が複数形成された状態のシート状
の基板の上面側に、薄膜技術を用いてシート状の基板の
上面に設けた上面電極の上面から複数のスリット状の第
1の分割部の内面における基板の端面にかけて略L字型
の第1の端面電極を形成する工程と、前記スリット状の
第1の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の
裏面側に、薄膜技術を用いて前記第1の端面電極に電気
的に接続されるようにシート状の基板の裏面から第1の
端面電極の一部にかけて略L字型の第2の端面電極を形
成する工程を備えているため、上面電極と端面電極との
電気的接続は第1の端面電極の形成と第2の端面電極の
形成により確実なものが得られ、これにより、上面電極
と端面電極との電気的接続信頼性を高めることができる
という作用を有するものである。
【0026】
【発明の実施の形態】(実施の形態1)以下、本発明の
実施の形態1における抵抗器およびその製造方法につい
て、図面を参照しながら説明する。
【0027】図1は本発明の実施の形態1における抵抗
器の断面図である。
【0028】図1において、11は焼成済みの96%純
度のアルミナからなるシート状の基板をスリット状の第
1の分割部とこの第1の分割部と直交関係にある第2の
分割部で分割することにより個片化された基板である。
12は基板11の一主面(上面)に形成された一対の上
面電極層で、この第1の上面電極層12はAu系の導電
性樹脂からなり、少なくとも抵抗値修正(レーザートリ
ミング)時の検針接触領域を大きくするためのものであ
る。13は前記一対の第1の上面電極層12に少なくと
も一部が重なるように設けられた銀を主成分とする一対
の第2の上面電極層で、この第2の上面電極層13は基
板11の端縁よりも内側に設けている。14は前記一対
の第2の上面電極層13に一部が重なるように、すなわ
ち電気的に接続されるように基板11の上面に形成され
た酸化ルテニウム系の抵抗体である。15は抵抗体14
の上面に形成されたガラスを主成分とする第1の保護層
である。16は前記一対の第2の上面電極層13間の抵
抗体14の抵抗値を修正するために設けられたトリミン
グ溝である。17は前記一対の第1の上面電極層12の
一部および第2の上面電極層13の一部に重なるように
設けられた銀系の導電性樹脂からなる一対の密着層で、
この一対の密着層17と前記一対の第1の上面電極層1
2および第2の上面電極層13とで一対の上面電極18
を構成している。また前記第1の上面電極層12と密着
層17は、基板11の端縁において面一となるように構
成している。そしてまた前記密着層17は、厚み方向に
おける最大の高さを第1の上面電極層12の厚み方向に
おける最大の高さよりも高くなるように構成している。
19は前記ガラスを主成分とする第1の保護層15を覆
うとともに第2の上面電極層13の一部に重なるように
形成された樹脂を主成分とする第2の保護層である。2
0は基板11の端縁に設けられ、かつ前記一対の上面電
極18に電気的に接続される一対の端面電極で、この一
対の端面電極20は第1の端面電極21と第2の端面電
極22とにより略コの字型に構成されているものであ
る。そして前記第1の端面電極21は、基板11の裏面
側から形成されるもので、基板11の端縁側に位置し
て、基板11の裏面の端部を覆うとともに、基板11の
端面、第1の上面電極層12の端面および密着層17の
端面に重なるように略L字型に形成された第1の薄膜2
3と、この第1の薄膜23に重なるように形成され、か
つ第1の薄膜23と電気的に接続される略L字型の第2
の薄膜24により構成されている。また前記第2の端面
電極22は、基板11の上面側から形成されるもので、
略L字型の第1の薄膜25と、この第1の薄膜25に重
なるように形成され、かつ第1の薄膜25と電気的に接
続される略L字型の第2の薄膜26により構成されてい
る。そして前記第1の薄膜25は、密着層17の上面を
覆うとともに、第1の端面電極21における第2の薄膜
24の一部に重なるように略L字型に形成されている。
27は前記第1の端面電極21における第2の薄膜24
の一部および第2の端面電極22における第2の薄膜2
6を覆うとともに、露出している密着層17の端面およ
び第2の上面電極層13の上面を覆うように形成された
ニッケルめっきからなる第1のめっき膜、28は前記第
1のめっき膜27を覆うように形成されたスズめっきか
らなる第2のめっき膜である。
【0029】上記構成においては、一対の上面電極18
を、第1の上面電極層12と、この第1の上面電極層1
2に少なくとも一部が重なるように設けられた第2の上
面電極層13と、前記第1の上面電極層12および第2
の上面電極層13に重なる密着層17の複層構造により
構成しているため、基板11の端縁に設けられ、かつ一
対の上面電極18に電気的に接続される一対の端面電極
20における第1の端面電極21を薄膜で形成する場
合、一対の上面電極18を、第1の上面電極層12と、
第2の上面電極層13と、密着層17の複層構造により
構成していることにより、一対の端面電極20と一対の
上面電極18との接続面積を大きくすることができ、こ
れにより、上面電極18と端面電極20との電気的接続
信頼性を高めることができるものである。
【0030】また上面電極18を構成する第1の上面電
極層12、第2の上面電極層13および密着層17のう
ち、第1の上面電極層12と密着層17を、基板11の
端縁において面一となるように構成しているため、基板
11の端縁に設けられ、かつ一対の上面電極18に電気
的に接続される一対の端面電極20における第1の端面
電極21を薄膜で形成する場合、基板11の端縁と第1
の上面電極層12および密着層17の基板端縁側に薄膜
からなる第1の端面電極21を連続して安定した状態に
形成することができるものである。
【0031】そしてまた上面電極18を構成する第1の
上面電極層12、第2の上面電極層13および密着層1
7のうち、第2の上面電極層13のみが抵抗体14と電
気的に接続される構成としているため、密着層17を形
成しても抵抗値が変化することはなく、これにより、オ
ーミックコンタクトを良好に保つことができるため、抵
抗値修正後の抵抗値変化がない信頼性の高い抵抗器が得
られるものである。
【0032】さらに上面電極18を構成する第1の上面
電極層12、第2の上面電極層13および密着層17の
うち、密着層17の厚み方向における最大の高さを第1
の上面電極層12の厚み方向における最大の高さよりも
高くなるように構成しているため、基板11の端縁に設
けられ、かつ一対の上面電極18に電気的に接続される
一対の端面電極20における第1の端面電極21を薄膜
で形成する場合、密着層17の存在により、上面電極1
8と薄膜からなる端面電極20における第1の端面電極
21の接触面積を大きくすることができ、これにより、
上面電極18と端面電極20における第1の端面電極2
1の電気的接続信頼性を高めることができるものであ
る。
【0033】以上のように構成された本発明の実施の形
態1における抵抗器について、次にその製造方法を図面
を参照しながら説明する。
【0034】図2は本発明の実施の形態1における抵抗
器を製造する場合に用いられるシート状の基板の全周囲
の端部に不要領域部を形成した状態を示す上面図、図3
(a)(b)、図5(a)(b)、図7(a)(b)、
図9(a)(b)、図11(a)(b)、図13、図1
5(a)(b)、図17(a)(b)および図19
(a)(b)は本発明の実施の形態1における抵抗器の
製造工程を示す断面図、図4(a)(b)、図6(a)
(b)、図8(a)(b)、図10(a)(b)、図1
2(a)(b)、図14、図16(a)(b)、図18
(a)(b)および図20(a)(b)は本発明の実施
の形態1における抵抗器の製造工程を示す上面図であ
る。
【0035】まず、図2、図3(a)、図4(a)に示
すように、焼成済みの96%純度のアルミナからなる厚
み0.2mmの絶縁性を有するシート状の基板31を準
備する。この場合、シート状の基板31は、図2に示す
ように、全周囲の端部に最終的には製品とならない不要
領域部31aを有しているものである。そしてこの不要
領域部31aは略ロ字状に構成されているものである。
【0036】次に、図2、図3(b)、図4(b)に示
すように、シート状の基板31の上面にスクリーン印刷
工法によりAu系の導電性樹脂からなる複数対の第1の
上面電極層32を形成し、ピーク温度200℃の硬化プ
ロファイルで硬化することにより、第1の上面電極層3
2を安定な膜とした。
【0037】次に、図2、図5(a)、図6(a)に示
すように、前記第1の上面電極層32に少なくとも一部
が重なるように、シート状の基板31の上面にスクリー
ン印刷工法により銀を主成分とする複数対の第2の上面
電極層33を形成し、ピーク温度850℃の焼成プロフ
ァイルで焼成することにより、第2の上面電極層33を
安定な膜とした。
【0038】次に、図2、図5(b)、図6(b)に示
すように、複数対の第2の上面電極層33を跨ぐよう
に、スクリーン印刷工法により酸化ルテニウム系の複数
の抵抗体34を形成し、ピーク温度850℃の焼成プロ
ファイルで焼成することにより、抵抗体34を安定な膜
とした。
【0039】次に、図7(a)、図8(a)に示すよう
に、複数の抵抗体34の一部を覆うように、スクリーン
印刷工法によりガラスを主成分とする複数の第1の保護
層35を形成し、ピーク温度600℃の焼成プロファイ
ルで焼成することにより、ガラスを主成分とする第1の
保護層35を安定な膜とした。
【0040】次に、図7(b)、図8(b)に示すよう
に、複数対の第2の上面電極層33間の抵抗体34の抵
抗値を一定の値に修正するために、レーザートリミング
工法によりトリミングを行い、複数のトリミング溝36
を形成した。
【0041】次に、図9(a)、図10(a)に示すよ
うに、複数対の第1の上面電極層32の一部および第2
の上面電極層33の一部に重なるように、スクリーン印
刷工法により銀系の導電性樹脂からなる複数対の密着層
37を形成し、ピーク温度200℃の硬化プロファイル
で硬化することにより、密着層37を安定な膜とした。
【0042】次に、図9(b)、図10(b)に示すよ
うに、図面上の縦方向に並ぶガラスを主成分とする複数
の第1の保護層35の全部を覆うとともに、抵抗体34
の一部および第2の上面電極層33の一部を覆うよう
に、スクリーン印刷工法により樹脂を主成分とする複数
の第2の保護層38を形成し、ピーク温度200℃の硬
化プロファイルで硬化することにより、第2の保護層3
8を安定な膜とした。
【0043】次に、図2、図11(a)、図12(a)
に示すように、第2の保護層38を形成したシート状の
基板31の全周囲の端部に形成された不要領域部31a
を除いて、複数対の第1の上面電極層32および密着層
37を分離して複数の短冊状基板31bに分割するため
のスリット状の第1の分割部39をダイシング工法によ
り複数形成する。この場合、複数のスリット状の第1の
分割部39は700μmピッチで形成されており、かつ
このスリット状の第1の分割部39の幅は120μm幅
となっている。また前記複数のスリット状の第1の分割
部39は、シート状の基板31を上下方向に貫通する貫
通孔で形成されているものである。そしてまた前記シー
ト状の基板31は、不要領域部31aを除いてダイシン
グ工法により複数のスリット状の第1の分割部39を形
成しているため、スリット状の第1の分割部39を形成
した後も複数の短冊状基板31bは不要領域部31aに
つながっているため、シート状態を呈しているものであ
る。
【0044】次に、図11(b)、図12(b)に示す
ように、マスク(図示せず)を用いたスパッタ工法によ
り、シート状の基板31の裏面側から、基板31の裏面
の一部と複数のスリット状の第1の分割部39の内面に
おける基板31の端面、第1の上面電極層32の端面お
よび密着層37の端面に、第1の端面電極40の一部を
構成する基板31への付着性が良いCr薄膜からなる複
数対の第1の薄膜41を略L字型に形成する。
【0045】次に、図13、図14に示すように、マス
ク(図示せず)を用いたスパッタ工法により、シート状
の基板31の裏面側から、複数対の第1の薄膜41に重
なるように、第1の端面電極40の一部を構成するCu
−Ni合金薄膜からなる複数対の第2の薄膜42を略L
字型に形成する。この第2の薄膜42と前記第1の薄膜
41により第1の端面電極40を構成している。
【0046】次に、図15(a)、図16(a)に示す
ように、マスク(図示せず)を用いたスパッタ工法によ
り、シート状の基板31の上面側から、密着層37の上
面を覆うとともに、前記第1の端面電極40における第
2の薄膜42の一部に重なるように、第2の端面電極4
3の一部を構成するCr薄膜からなる複数対の第1の薄
膜44を略L字型に形成する。
【0047】次に、図15(b)、図16(b)に示す
ように、マスク(図示せず)を用いたスパッタ工法によ
り、シート状の基板31の上面側から、複数対の第1の
薄膜44に重なるように、第2の端面電極43の一部を
構成するCu−Ni合金薄膜からなる複数対の第2の薄
膜45を略L字型に形成する。この第2の薄膜45と前
記第1の薄膜44により第2の端面電極43を構成して
いる。
【0048】このように略L字型の第1の端面電極40
を基板31の裏面側から形成するとともに、略L字型の
第2の端面電極43を基板31の上面側から形成するこ
とにより、略コの字型の端面電極46が構成されるもの
である。
【0049】次に、図2、図17(a)(b)、図18
(a)(b)に示すように、シート状の基板31の全周
囲の端部に形成された不要領域部31aを除いて、シー
ト状の基板31における複数の短冊状基板31bに、複
数の抵抗体34が個々に分離されて個片状基板31cに
分割されるようにスリット状の第1の分割部39と直交
する方向に複数の第2の分割部47を形成する。この場
合、複数の第2の分割部47は400μmピッチで形成
されるため、第2の分割部47の幅は100μm幅とな
っている。またこの複数の第2の分割部47はレーザー
スクライブにより形成しているもので、まず、図17
(a)、図18(a)に示すようにレーザーにより分割
溝を形成し、その後、図17(b)、図18(b)に示
すように一般的な分割設備により分割溝の部分を分割し
て個片状基板31cに分割するようにしている。すなわ
ち、この分割方法は、第2の分割部47を形成する毎に
個片化されるのではなく、2段階で個片化されるという
作用を有するものである。そしてまたこの複数の第2の
分割部47は不要領域部31aを除いて複数の短冊状基
板31bにレーザースクライブにより形成するようにし
ているため、この複数の第2の分割部47を形成する毎
に個片状基板31cに分割され、そしてこの個片状基板
31cは不要領域部31aから分離されるものである。
【0050】次に、図19(a)、図20(a)に示す
ように、電気めっき工法を用いて、第1の端面電極40
における第2の薄膜42の一部および第2の端面電極4
3における第2の薄膜45を覆うとともに、露出してい
る密着層37の端面および第2の上面電極層33の上面
を覆うように、厚みが約2〜6μmで、かつはんだの拡
散防止または耐熱性に優れるニッケルめっきからなる第
1のめっき膜48を形成する。
【0051】最後に、図19(b)、図20(b)に示
すように、電気めっき工法を用いて、ニッケルめっきか
らなる第1のめっき膜48を覆うように、厚みが約3〜
8μmで、かつはんだ付着性のよいスズめっきからなる
第2のめっき膜49を形成する。
【0052】以上の製造工程により、本発明の実施の形
態1における抵抗器は製造されるものである。
【0053】なお、上記製造工程においては、第2のめ
っき膜49をスズめっきで構成しているが、これに限定
されるものではなく、スズ合金系の材料、例えば、はん
だ等からなるめっきでもよく、これらの材料で構成した
場合は、リフローはんだ付け時に安定したはんだ付けが
できるものである。
【0054】また上記製造工程においては、抵抗体34
等を覆う保護層を、抵抗体34を覆うガラスを主成分と
する第1の保護層35と、この第1の保護層35を覆う
とともにトリミング溝36を覆う樹脂を主成分とする第
2の保護層38の2層で構成しているため、前記第1の
保護層35でレーザートリミング時のクラックの発生を
防止して電流雑音を小さくできるとともに、前記樹脂を
主成分とする第2の保護層38で抵抗体34全体が覆わ
れるため、耐湿性に優れた抵抗特性を確保できるもので
ある。
【0055】そしてまた上記製造工程により製造した抵
抗器は、ダイシング工法により形成されたスリット状の
第1の分割部39およびレーザースクライブにより形成
された第2の分割部47の間隔が正確(±0.005m
m以内)であるとともに、端面電極46を構成する第1
の端面電極40、第2の端面電極43の厚みおよび第1
のめっき膜48、第2のめっき膜49の厚みも正確であ
るため、製品である抵抗器の全長および全幅は、正確に
長さ0.6mm×幅0.3mmとなるものである。また
第1の上面電極層32および抵抗体34のパターン精度
も個片状基板の寸法ランク分類が不要であるとともに同
一の個片状基板の寸法ランク内での寸法バラツキを考慮
する必要がないため、抵抗体34の有効面積も従来品に
比べて大きくとることができるものである。すなわち、
従来品における抵抗体は長さ約0.20mm×幅0.1
9mmであったのに対し、本発明の実施の形態1におけ
る抵抗器の抵抗体34は長さ約0.25mm×幅0.2
4mmとなって面積では約1.6倍以上となるものであ
る。
【0056】さらに上記製造工程においては、複数のス
リット状の第1の分割部39をダイシング工法を用いて
形成するとともに、個片状基板の寸法分類が不要なシー
ト状の基板31を用いているため、従来のような個片状
基板の寸法分類は不要となり、これにより工程の煩雑さ
をなくすることができるとともに、ダイシングも半導体
等で一般的なダイシング設備を用いて容易に行うことが
できるものである。
【0057】さらにまた上記製造工程においては、シー
ト状の基板31は全周囲の端部に最終的には製品となら
ない不要領域部31aを形成し、かつ複数のスリット状
の第1の分割部39は複数の短冊状基板31bが前記不
要領域部31aにつながった状態となるようにシート状
の基板31に形成しているため、複数のスリット状の第
1の分割部39を形成した後も複数の短冊状基板31b
は不要領域部31aにつながっており、そのため、シー
ト状の基板31が複数の短冊状基板31bに細かく分離
されるということはなく、したがって、複数のスリット
状の第1の分割部39を形成した後も、不要領域部31
aを有するシート状の基板31の状態で後工程を行うこ
とができるため、工法設計が簡略化できるものである。
【0058】また上記製造工程においては、上面電極を
構成する第1の上面電極層32、第2の上面電極層33
および密着層37のうち、第1の上面電極層32をAu
系の導電性樹脂で構成しているため、多数個取りのシー
ト状の基板31を短冊状あるいは個片に分割する際、第
1の上面電極層32が分割加工しやすく、これにより、
第1の上面電極層32の剥離やバリ等の発生を防止する
ことができるものである。
【0059】そしてまた上記製造工程においては、スリ
ット状の第1の分割部39が複数形成された状態のシー
ト状の基板31の裏面側に、薄膜技術を用いてシート状
の基板31の裏面から複数のスリット状の第1の分割部
39の内面における基板31の端面、第1の上面電極層
32の端面および密着層37の端面にかけて略L字型の
第1の端面電極40を形成する工程と、前記スリット状
の第1の分割部39が複数形成された状態のシート状の
基板31の上面側に、薄膜技術を用いて前記第1の端面
電極40に電気的に接続されるように略L字型の第2の
端面電極43を形成する工程を備えているため、上面電
極と端面電極との電気的接続は第1の端面電極40の形
成と第2の端面電極43の形成により確実なものが得ら
れ、これにより、上面電極と端面電極との電気的接続信
頼性を高めることができるものである。
【0060】さらに上記製造工程においては、第1の端
面電極40を構成する第1の薄膜41と第2の薄膜42
をマスク(図示せず)を用いたスパッタ工法により形成
しているが、これに限定されるものではなく、上記マス
ク(図示せず)を用いずに、シート状の基板の裏面全体
にもスパッタ工法により薄膜を形成しておき、その後、
裏面全体に形成された薄膜の不要部分、すなわち裏面の
略中央部分をレーザー照射により剥離除去して第1の端
面電極40における裏面部分を形成するようにしてもよ
いものである。
【0061】次に、上記製造工程における第1の端面電
極40の一部を構成する第2の薄膜42および第2の端
面電極43の一部を構成する第2の薄膜45について詳
述する。
【0062】第2の薄膜42,45の材料はCu系の合
金薄膜のうち、特にCu−Ni合金薄膜が好ましい。
【0063】Cu−Ni合金薄膜は、添加材料のNiが
合金薄膜主元素のCuおよび第1の薄膜41,44に対
してCuの全組成比率(範囲)においてNiが均一に溶
け合うという「全率固溶体」を構成する。そのため、C
u−Ni合金薄膜からなる第2の薄膜42,45と第1
の薄膜41,44との界面にはNiが拡散することにな
って強固な密着層を形成することになり、これにより、
密着性の向上が図れる。また、第2の薄膜45の最表面
に存在するNiは、第1のめっき膜48に用いられるニ
ッケルめっきを形成するためのめっき浴で第2の薄膜4
5の表面に対して防食性を高める効果があるため、第1
のめっき膜48と第2の薄膜45の界面における密着性
についても向上が図れる。
【0064】ここで、本発明の実施の形態1における
「全率固溶体」とは、図21に示す第2の薄膜を構成す
るCu−Ni合金薄膜の平衡状態図の通りである。図2
1において、横軸にNi金属の添加量を、縦軸に温度を
とると、実線で示す液相線より高い温度では液相状態で
あり、点線で示す固相線より低い温度では固相状態であ
り、これらの実線および点線で囲まれた領域は固相と液
相とが混じり合った状態、つまり「全率固溶体」であ
る。すなわち、本発明の実施の形態1におけるCu−N
i合金薄膜からなる第2の薄膜42,45は、母体金属
である面心立方格子のCu金属中に、同じ面心立方格子
の結晶構造を有するNi金属原子が溶け込んで一つの相
である面心立方格子構造の置換型固溶体を全組成範囲に
亘って形成するものである。
【0065】また、図22はCr薄膜からなる第1の薄
膜41,44とCu−Ni合金薄膜からなる第2の薄膜
42,45のSIMSによる組成分析結果を示したもの
である。この時の第2の薄膜42,45のNi添加量は
6.2wt%である。図22は横軸にCu−Ni合金薄
膜の表面からの膜厚をスパッタリング時間で示し、かつ
縦軸は各層でのCu,Ni,Cr等の原子数を示したも
のである。この図22から明らかなように、Cu−Ni
合金薄膜層とCr薄膜層との界面にはCu,Niおよび
Crが各々存在する拡散層があるものの、Cu−Ni合
金薄膜層の表面からCr薄膜層との界面までの間におい
ては、Cu金属中にNi金属が均一に存在しているもの
である。これは、Cu−Ni合金薄膜からなる第2の薄
膜42,45が、Cu金属中にNi金属が完全に溶け込
んで一つの相を形成する「全固溶体」であることを示し
ているものである。またこの図22では、Ni添加量を
6.2wt%としたが、Ni添加量は全組成範囲におい
て図22に示したものと同一の結果が得られるものであ
る。
【0066】次に、上記のように構成された本発明の実
施の形態1における抵抗器において、Cu−Ni合金薄
膜を第2の薄膜42,45として用いた特性について説
明する。
【0067】特性を説明する試験方法としては、「めっ
きの密着性試験方法/JIS H8504C」に規定さ
れた方法により実施し、試験用テープには図23(a)
(b)に示すように、「セロハン粘着テープ/JIS
Z 1522」に規定された幅18mmの粘着テープ5
0を使用した。この時、粘着テープ50の引き剥がし方
向は、「JIS H 8504」に記載の図23(a)
(b)に示すように、アルミナ基板51に対して垂直方
向または傾斜する方向とした。
【0068】すなわち、この試験方法は、試験片として
アルミナ基板51を用い、このアルミナ基板51の側面
部分に第1の薄膜41,44としてCu薄膜をスパッタ
工法で形成し、次に、この第1の薄膜41,44の上に
第2の薄膜42,45としてCu−Ni合金薄膜を第1
の薄膜41,44と同様、スパッタ工法で構成する。そ
の後、レーザーを用いてパターン幅0.3mmのパター
ンを形成する。
【0069】その後、温度65℃で湿度95%の条件に
おける加速試験を行い、次に、第2の薄膜42,45の
表面に粘着テープ50を密着させた後、この粘着テープ
50を一気に引き剥がし、全パターン数に対して第2の
薄膜42,45が剥離したパターン数の比率を求め、密
着性の評価を行った。
【0070】また第1のめっき膜48と第2の薄膜45
の界面の密着性の評価用試験片については、第2の薄膜
45を形成した後、第1のめっき膜48としてニッケル
めっきを、さらに第2のめっき膜49としてはんだめっ
きを電解めっきで形成したものを用いた。
【0071】評価は、Cu−Ni合金薄膜中のNi添加
量が「1.6wt%」「6.2wt%」「12.6wt
%」であるものと、Ni添加量が「0wt%」であるも
のについて行った。
【0072】(表1)は、加速試験500時間後の第2
の薄膜42,45と第1の薄膜41,44の界面におけ
る剥離率の評価結果を示したものである。
【0073】
【表1】
【0074】(表1)から明らかなように、Cu薄膜中
にNiを添加することにより、第2の薄膜42,45と
第1の薄膜41,44の界面における密着性が大幅に向
上するものである。
【0075】(表2)は、加速試験500時間後の第1
のめっき膜48と第2の薄膜45の界面における剥離率
の評価結果を示したものである。
【0076】
【表2】
【0077】(表2)から明らかなように、Cu薄膜中
にNiを添加することにより、第1のめっき膜48と第
2の薄膜45の界面における密着性が大幅に向上するも
のである。
【0078】なお、上記本発明の実施の形態1において
は、第1の薄膜41,44と第2の薄膜42,45をス
パッタ工法を用いて形成したものについて説明したが、
このスパッタ工法に限定されるものではなく、その他の
工法である真空蒸着法、イオンプレーティング法、P−
CVD等の薄膜技術により第1の薄膜41,44と第2
の薄膜42,45を形成した場合においても、本発明の
実施の形態1と同様の効果が得られるものである。
【0079】また上記本発明の実施の形態1において
は、第1の薄膜41,44をCr薄膜で形成したものに
ついて説明したが、このCr薄膜に限定されるものでは
なく、基板への付着性が良いその他のCr−Si合金薄
膜、Ni−Cr合金薄膜、Ti薄膜、Ti系合金薄膜等
の材料で第1の薄膜41,44を形成した場合において
も、本発明の実施の形態1と同様の効果が得られるもの
である。
【0080】そしてまた上記本発明の実施の形態1にお
いては、最終的には製品とならない不要領域部31aを
シート状の基板31の全周囲の端部に形成して略ロ字状
に構成したものについて説明したが、この不要領域部3
1aはシート状の基板31の全周囲の端部に必ずしも形
成する必要はなく、例えば、図24に示すようにシート
状の基板31の一端部に不要領域部31dを形成した場
合、図25に示すようにシート状の基板31の両端部に
不要領域部31eを形成した場合、図26に示すように
シート状の基板31の3つの端部に不要領域部31fを
形成した場合においても、上記本発明の実施の形態1と
同様の効果が得られるものである。
【0081】また上記本発明の実施の形態1において
は、複数の第2の分割部47をレーザースクライブによ
り形成したものについて説明したが、この第2の分割部
47は、スリット状の第1の分割部39と同様にダイシ
ング工法を用いて形成するようにしてもよいものであ
る。この場合、ダイシングは半導体等で一般的なダイシ
ング設備を用いて容易に行うことができるものである。
【0082】(実施の形態2)以下、本発明の実施の形
態2における抵抗器について、図面を参照しながら説明
する。
【0083】図27は本発明の実施の形態2における抵
抗器の断面図である。
【0084】図27において、61は焼成済みの96%
純度のアルミナからなるシート状の基板をスリット状の
第1の分割部とこの第1の分割部と直交関係にある第2
の分割部で分割することにより個片化された基板であ
る。62は基板61の一主面(上面)に形成された銀を
主成分とする一対の第1の上面電極層である。63は一
対の第1の上面電極層62に一部が重なるように、すな
わち電気的に接続されるように基板61の上面に形成さ
れた酸化ルテニウム系の抵抗体である。64は抵抗体6
3の上面に形成されたガラスを主成分とする第1の保護
層である。65は一対の第1の上面電極層62間の抵抗
体63の抵抗値を修正するために設けられたトリミング
溝である。66はガラスを主成分とする第1の保護層6
4を覆うとともに、一対の第1の上面電極層62の一部
に重なるように形成された樹脂を主成分とする第2の保
護層である。67は一対の第1の上面電極層62の一部
に重なるように設けられた銀系の導電性樹脂からなる一
対の密着層で、この一対の密着層67と前記一対の第1
の上面電極層62とで一対の上面電極68を構成してい
る。また前記第1の上面電極層62と密着層67は、基
板61の端縁において面一となるように構成している。
そしてまた前記密着層67は、厚み方向における最大の
高さを第1の上面電極層62の厚み方向における最大の
高さよりも高くなるように構成している。
【0085】69は基板61の端縁に設けられ、かつ前
記一対の上面電極68に電気的に接続される一対の端面
電極で、この一対の端面電極69は第1の端面電極70
と第2の端面電極71とにより略コの字型に構成されて
いるものである。そして前記第1の端面電極70は、基
板61の裏面側から形成されるもので、基板61の端縁
側に位置して、基板61の裏面の端部を覆うとともに、
基板61の端面、第1の上面電極層62の端面および密
着層67の端面に重なるように略L字型に形成された第
1の薄膜72と、この第1の薄膜72に重なるように形
成され、かつ第1の薄膜72と電気的に接続される略L
字型の第2の薄膜73により構成されている。また前記
第2の端面電極71は、基板61の上面側から形成され
るもので、略L字型の第1の薄膜74と、この第1の薄
膜74に重なるように形成され、かつ第1の薄膜74と
電気的に接続される略L字型の第2の薄膜75により構
成されている。そして前記第1の薄膜74は、密着層6
7の上面を覆うとともに、第1の端面電極70における
第2の薄膜73の一部に重なるように略L字型に形成さ
れている。76は前記第1の端面電極70における第2
の薄膜73の一部および第2の端面電極71における第
2の薄膜75を覆うとともに、露出している密着層67
の端面および第1の上面電極層62の上面を覆うように
形成されたニッケルめっきからなる第1のめっき膜、7
7は前記第1のめっき膜76を覆うように形成されたス
ズめっきからなる第2のめっき膜である。
【0086】上記構成においては、一対の上面電極68
を、第1の上面電極層62と、この第1の上面電極層6
2に重なる密着層67とにより構成しているため、第1
の端面電極70と第2の端面電極71とにより構成され
る一対の端面電極69と一対の上面電極68との接続面
積を大きくすることができ、これにより、上面電極68
と端面電極69との電気的接続信頼性を高めることがで
きるものである。
【0087】また上面電極68を構成する第1の上面電
極層62と密着層67は基板61の端縁において面一と
なるように構成しているため、基板61の端縁に設けら
れ、かつ上面電極68に電気的に接続される端面電極6
9における第1の端面電極70を薄膜で形成する場合、
基板61の端縁と第1の上面電極層62および密着層6
7の基板端縁側に薄膜からなる第1の端面電極70を連
続して安定した状態に形成することができるものであ
る。
【0088】そしてまた上面電極68を構成する第1の
上面電極層62と密着層67のうち、第1の上面電極層
62のみが抵抗体63と電気的に接続される構成として
いるため、密着層67を形成しても抵抗値が変化するこ
とはなく、これにより、オーミックコンタクトを良好に
保つことができるため、抵抗値修正後の抵抗値変化がな
い信頼性の高い抵抗器が得られるものである。
【0089】さらに上面電極68を構成する第1の上面
電極層62と密着層67のうち、密着層67の厚み方向
における最大の高さを第1の上面電極層62の厚み方向
における最大の高さよりも高くなるように構成している
ため、基板61の端縁に設けられ、かつ上面電極68と
電気的に接続される端面電極69における第1の端面電
極70を薄膜で形成する場合、密着層67の存在によ
り、上面電極68と薄膜からなる端面電極69における
第1の端面電極70の接触面積を大きくすることがで
き、これにより、上面電極68と端面電極69における
第1の端面電極70の電気的接続信頼性を高めることが
できるものである。
【0090】さらにまた上面電極68を構成する第1の
上面電極層62は銀系の材料で構成するとともに、密着
層67は銀系の導電性樹脂で構成しているもので、この
構成によれば、第1の上面電極層62の形成温度が85
0℃近辺で、かつ密着層67の形成温度が200℃近辺
となるため、抵抗値修正を行った後の抵抗値変化が発生
することもなくなるものである。
【0091】なお、上記本発明の実施の形態2における
抵抗器と、本発明の実施の形態1における抵抗器との相
違点は、本発明の実施の形態1における抵抗器が上面電
極18を第1の上面電極層12と、第2の上面電極層1
3および密着層17の三者で構成しているのに対し、本
発明の実施の形態2における抵抗器は、上面電極68を
第1の上面電極層62と密着層67の二者で構成してい
る点で相違するだけで、その他の構成および製造方法は
同じであり、したがって、本発明の実施の形態2におけ
る抵抗器は本発明の実施の形態1における抵抗器と実質
的に同様の作用効果を有するものである。
【0092】(実施の形態3)以下、本発明の実施の形
態3における抵抗器について、図面を参照しながら説明
する。
【0093】図28は本発明の実施の形態3における抵
抗器の断面図である。
【0094】図28において、81は焼成済みの96%
純度のアルミナからなるシート状の基板をスリット状の
第1の分割部とこの第1の分割部と直交関係にある第2
の分割部で分割することにより個片化された基板であ
る。82は基板81の一主面(上面)に形成された一対
の第1の上面電極層で、この第1の上面電極層82はA
u系の導電性樹脂からなり、少なくとも抵抗値修正(レ
ーザートリミング)時の検針接触領域を大きくするため
のものである。83は前記一対の第1の上面電極層82
に少なくとも一部が重なるように設けられた銀を主成分
とする一対の第2の上面電極層で、この第2の上面電極
層83は基板81の端縁よりも内側に設けている。84
は前記一対の第2の上面電極層83に一部が重なるよう
に、すなわち電気的に接続されるように基板81の上面
に形成された酸化ルテニウム系の抵抗体である。85は
抵抗体84の上面に形成されたガラスを主成分とする第
1の保護層である。86は前記一対の第2の上面電極層
83間の抵抗体84の抵抗値を修正するために設けられ
たトリミング溝である。87は前記一対の第1の上面電
極層82の一部および第2の上面電極層83の一部に重
なるように設けられた銀系の導電性樹脂からなる一対の
密着層で、この一対の密着層87と前記一対の第1の上
面電極層82および第2の上面電極層83とで一対の上
面電極88を構成している。また前記第1の上面電極層
82と密着層87は、基板11の端縁において面一とな
るように構成している。そしてまた前記密着層87は、
厚み方向における最大の高さを第1の上面電極層82の
厚み方向における最大の高さよりも高くなるように構成
している。89は前記ガラスを主成分とする第1の保護
層85を覆うとともに第2の上面電極層83の一部に重
なるように形成された樹脂を主成分とする第2の保護層
である。90は基板81の端縁に設けられ、かつ前記一
対の上面電極88に電気的に接続される一対の端面電極
で、この一対の端面電極90は第1の端面電極91と第
2の端面電極92とにより略コの字型に構成されている
ものである。そして前記第1の端面電極91は、薄膜技
術を用いて基板81の上面側から形成されるもので、基
板81の端縁側に位置して、密着層87の上面を覆うと
ともに、密着層87の端面、第1の上面電極層82の端
面および基板81の端面に重なるように略L字型に形成
された第1の薄膜93と、この第1の薄膜93に重なる
ように形成され、かつ第1の薄膜93と電気的に接続さ
れる略L字型の第2の薄膜94により構成されている。
また前記第2の端面電極92は、薄膜技術を用いて第1
の端面電極91を形成した後、基板81の裏面側から形
成されるもので、略L字型の第1の薄膜95と、この第
1の薄膜95に重なるように形成され、かつ第1の薄膜
95と電気的に接続される略L字型の第2の薄膜96に
より構成されている。そして前記第1の薄膜95は、基
板81の裏面の端部を覆うとともに、第1の端面電極9
1における第2の薄膜94の一部に重なるように略L字
型に形成されている。97は前記第2の端面電極92に
おける第2の薄膜96および第1の端面電極91におけ
る第2の薄膜94の一部を覆うとともに、露出している
密着層87の端面および第2の上面電極層83の上面を
覆うように形成されたニッケルめっきからなる第1のめ
っき膜、98は前記第1のめっき膜97を覆うように形
成されたスズめっきからなる第2のめっき膜である。
【0095】なお、上記本発明の実施の形態3における
抵抗器と、本発明の実施の形態1における抵抗器との相
違点は、本発明の実施の形態1における抵抗器が第1の
端面電極40と第2の端面電極43を形成する場合、ま
ず、スリット状の第1の分割部39が複数形成された状
態のシート状の基板31の裏面側に、薄膜技術を用いて
略L字型の第1の端面電極40を形成し、その後、スリ
ット状の第1の分割部39が複数形成された状態のシー
ト状の基板31の上面側に、薄膜技術を用いて前記第1
の端面電極40に電気的に接続されるように略L字型の
第2の端面電極43を形成しているのに対し、本発明の
実施の形態3における抵抗器は、第1の端面電極91と
第2の端面電極92を形成する場合、まず、基板81の
上面側に、薄膜技術を用いて略L字型の第1の端面電極
91を形成し、その後、基板81の裏面側に、薄膜技術
を用いて前記第1の端面電極91に電気的に接続される
ように略L字型の第2の端面電極92を形成するように
した点で相違するだけで、その他の構成および製造方法
は同じであり、したがって、本発明の実施の形態3にお
ける抵抗器は本発明の実施の形態1における抵抗器と実
質的に同様の作用効果を有するものである。
【0096】(実施の形態4)以下、本発明の実施の形
態4における抵抗器について、図面を参照しながら説明
する。
【0097】図29において、101は焼成済みの96
%純度のアルミナからなるシート状の基板をスリット状
の第1の分割部とこの第1の分割部と直交関係にある第
2の分割部で分割することにより個片化された基板であ
る。102は基板101の一主面(上面)に形成された
銀を主成分とする一対の第1の上面電極層である。10
3は一対の第1の上面電極層102に一部が重なるよう
に、すなわち電気的に接続されるように基板101の上
面に形成された酸化ルテニウム系の抵抗体である。10
4は抵抗体103の上面に形成されたガラスを主成分と
する第1の保護層である。105は一対の第1の上面電
極層102間の抵抗体103の抵抗値を修正するために
設けられたトリミング溝である。106はガラスを主成
分とする第1の保護層104を覆うとともに、一対の第
1の上面電極層102の一部に重なるように形成された
樹脂を主成分とする第2の保護層である。107は一対
の第1の上面電極層102の一部に重なるように設けら
れた銀系の導電性樹脂からなる一対の密着層で、この一
対の密着層107と前記一対の第1の上面電極層102
とで一対の上面電極108を構成している。また前記第
1の上面電極層102と密着層107は、基板101の
端縁において面一となるように構成している。そしてま
た前記密着層107は、厚み方向における最大の高さを
第1の上面電極層102の厚み方向における最大の高さ
よりも高くなるように構成している。
【0098】109は基板101の端縁に設けられ、か
つ一対の上面電極108に電気的に接続される一対の端
面電極で、この一対の端面電極109は第1の端面電極
110と第2の端面電極111とにより略コの字型に構
成されているものである。そして前記第1の端面電極1
10は、薄膜技術を用いて基板101の上面側から形成
されるもので、基板101の端縁側に位置して、密着層
107の上面を覆うとともに、密着層107の端面、第
1の上面電極層102の端面および基板101の端面に
重なるように略L字型に形成された第1の薄膜112
と、この第1の薄膜112に重なるように形成され、か
つ第1の薄膜112と電気的に接続される略L字型の第
2の薄膜113により構成されている。また前記第2の
端面電極111は、薄膜技術を用いて第1の端面電極1
10を形成した後、基板101の裏面側から形成される
もので、略L字型の第1の薄膜114と、この第1の薄
膜114に重なるように形成され、かつ第1の薄膜11
4と電気的に接続される略L字型の第2の薄膜115に
より構成されている。そして前記第1の薄膜114は、
基板101の裏面の端部を覆うとともに、第1の端面電
極110における第2の薄膜113の一部に重なるよう
に略L字型に形成されている。116は前記第2の端面
電極111における第2の薄膜115および第1の端面
電極110における第2の薄膜113の一部を覆うとと
もに、露出している密着層107の端面および第1の上
面電極層102の上面を覆うように形成されたニッケル
めっきからなる第1のめっき膜、117は前記第1のめ
っき膜116を覆うように形成されたスズめっきからな
る第2のめっき膜である。
【0099】なお、上記本発明の実施の形態4における
抵抗器と、本発明の実施の形態3における抵抗器との相
違点は、本発明の実施の形態3における抵抗器が上面電
極88を第1の上面電極層82と、第2の上面電極層8
3および密着層87の三者で構成しているのに対し、本
発明の実施の形態4における抵抗器は、上面電極108
を第1の上面電極層102と密着層107の二者で構成
している点で相違するだけで、その他の構成および製造
方法は同じであり、したがって、本発明の実施の形態4
における抵抗器は本発明の実施の形態3における抵抗器
と実質的に同様の作用効果を有するものである。
【0100】そして上記本発明の実施の形態3、4にお
いては、製造工程図は図示していないが、本発明の実施
の形態1で示した抵抗器の製造工程におけるスリット状
の第1の分割部39が複数形成された状態のシート状の
基板31の上面側に、薄膜技術を用いてシート状の基板
31の上面に設けた上面電極88,108の上面から複
数のスリット状の第1の分割部39の内面における基板
31の端面にかけて略L字型の第1の端面電極91,1
10を形成する工程と、前記スリット状の第1の分割部
39が複数形成された状態のシート状の基板31の裏面
側に、薄膜技術を用いて前記第1の端面電極91,11
0に電気的に接続されるようにシート状の基板31の裏
面から第1の端面電極91,110の一部にかけて略L
字型の第2の端面電極92,111を形成する工程を備
えているため、上面電極88,108と端面電極90,
109との電気的接続は第1の端面電極91,110の
形成と第2の端面電極92,111の形成により確実な
ものが得られ、これにより、上面電極88,108と端
面電極90,109との電気的接続信頼性を高めること
ができるという効果を有するものである。
【0101】
【発明の効果】以上のように本発明の抵抗器は、基板の
端縁に設けられ、かつ一対の上面電極に電気的に接続さ
れる一対の端面電極を、基板の裏面側から略L字型に形
成した第1の端面電極と、基板の上面側から略L字型に
形成した第2の端面電極とにより略コの字型に構成する
とともに、両者を電気的に接続しているため、前記一対
の端面電極を薄膜で形成する場合、一対の端面電極と一
対の上面電極との接続面積を大きくすることができ、こ
れにより、上面電極と端面電極との電気的接続信頼性を
高めることができる。また前記端面電極は、第1の薄膜
と電気的に接続される第2の薄膜をCu系の合金薄膜に
より構成しているため、第1の薄膜と第2の薄膜との界
面においては、Cu系の合金薄膜を構成する添加金属と
第1の薄膜の構成金属とが全率固溶体を構成することに
なり、これにより、第1の薄膜と第2の薄膜との間の密
着力が向上して信頼性を高めることができるという効果
を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1における抵抗器の断面図
【図2】同抵抗器を製造する場合に用いられるシート状
の基板の全周囲の端部に不要領域部を形成した状態を示
す上面図
【図3】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図4】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図5】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図6】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図7】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図8】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図9】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図10】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す平面
【図11】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す断面
【図12】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す平面
【図13】同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図14】同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図15】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す断面
【図16】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す平面
【図17】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す断面
【図18】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す平面
【図19】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す断面
【図20】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す平面
【図21】同抵抗器の第2の薄膜を構成するCu−Ni
合金薄膜の平衡状態図
【図22】同抵抗器の第1の薄膜と第2の薄膜のSIM
Sによる組成分析結果の説明図
【図23】(a)(b)特性を説明する試験方法を示す
【図24】同抵抗器を製造する場合に用いられるシート
状の基板の一端部に不要領域部を形成した状態を示す上
面図
【図25】同抵抗器を製造する場合に用いられるシート
状の基板の両端部に不要領域部を形成した状態を示す上
面図
【図26】同抵抗器を製造する場合に用いられるシート
状の基板の3つの端部に不要領域部を形成した状態を示
す上面図
【図27】本発明の実施の形態2における抵抗器の断面
【図28】本発明の実施の形態3における抵抗器の断面
【図29】本発明の実施の形態4における抵抗器の断面
【図30】従来の抵抗器の断面図
【符号の説明】
11,61,81,101 基板 12,62,82,102 第1の上面電極層 13,83 第2の上面電極層 14,63,84,103 抵抗体 15,64,85,104 第1の保護層 16,65,86,105 トリミング溝 17,67,87,107 密着層 18,68,88,108 上面電極 19,66,89,106 第2の保護層 20,69,90,109 端面電極 21,70,91,110 第1の端面電極 22,71,92,111 第2の端面電極 23,72,93,112 第1の端面電極における第
1の薄膜 24,73,94,113 第1の端面電極における第
2の薄膜 25,74,95,114 第2の端面電極における第
1の薄膜 26,75,96,115 第2の端面電極における第
2の薄膜 31 シート状の基板 31a,31d〜31f 不要領域部 31b 短冊状基板 31c 個片状基板 32 第1の上面電極層 33 第2の上面電極層 34 抵抗体 35 第1の保護層 36 トリミング溝 37 密着層 38 第2の保護層 39 第1の分割部 40 第1の端面電極 41 第1の端面電極における第1の薄膜 42 第1の端面電極における第2の薄膜 43 第2の端面電極 44 第2の端面電極における第1の薄膜 45 第2の端面電極における第2の薄膜 46 端面電極 47 第2の分割部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 正人 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 斉川 博之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 中西 努 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 5E028 BA03 BB01 CA02 EA01 JC03 JC04 JC06 JC12 5E032 BA03 BB01 CA02 CC14 DA01 TA11 TB02 5E033 BC01 BD01 BF05 BH02

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板と、この基板の一主面に形成した一
    対の上面電極と、この一対の上面電極と電気的に接続さ
    れるように設けた抵抗体と、少なくとも前記抵抗体を覆
    うように設けられた保護層と、前記基板の端縁に設けら
    れ、かつ前記一対の上面電極に電気的に接続される一対
    の端面電極とを備え、前記端面電極は、基板の裏面側か
    ら略L字型に形成した第1の端面電極と、基板の上面側
    から略L字型に形成した第2の端面電極とにより略コの
    字型に構成するとともに、両者を電気的に接続し、かつ
    前記第1の端面電極と第2の端面電極は、それぞれCr
    薄膜、Ti薄膜、Cr系合金薄膜、Ti系合金薄膜のい
    ずれかからなる第1の薄膜と、この第1の薄膜と電気的
    に接続されるCu系の合金薄膜からなる第2の薄膜によ
    り構成した抵抗器。
  2. 【請求項2】 一対の上面電極を、第1の上面電極層
    と、この第1の上面電極層に重なる密着層とにより構成
    した請求項1記載の抵抗器。
  3. 【請求項3】 一対の上面電極を、第1の上面電極層
    と、この第1の上面電極層に少なくとも一部が重なるよ
    うに設けられた第2の上面電極層と、前記第1の上面電
    極層および第2の上面電極層に重なる密着層の複層構造
    により構成した請求項1記載の抵抗器。
  4. 【請求項4】 上面電極を構成する第1の上面電極層と
    密着層を、基板の端縁において面一となるように構成し
    た請求項2記載の抵抗器。
  5. 【請求項5】 上面電極を構成する第1の上面電極層と
    密着層のうち、第1の上面電極層のみが抵抗体と電気的
    に接続される構成とした請求項2記載の抵抗器。
  6. 【請求項6】 上面電極を構成する第1の上面電極層と
    密着層のうち、密着層の厚み方向における最大の高さを
    第1の上面電極層の厚み方向における最大の高さよりも
    高くなるように構成した請求項2記載の抵抗器。
  7. 【請求項7】 上面電極を構成する第1の上面電極層を
    銀系の材料で構成するとともに、密着層を導電性樹脂で
    構成した請求項2記載の抵抗器。
  8. 【請求項8】 端面電極を構成する第2の薄膜を、Cu
    にNiを1.6重量%以上含有させたCu−Ni合金薄
    膜で構成した請求項1記載の抵抗器。
  9. 【請求項9】 保護層を、抵抗体を覆うガラスを主成分
    とする第1の保護層と、この第1の保護層を覆う樹脂を
    主成分とする第2の保護層で構成した請求項1記載の抵
    抗器。
  10. 【請求項10】 第2の上面電極層を、基板の端縁より
    も内側に設けた請求項3記載の抵抗器。
  11. 【請求項11】 上面電極を構成する第1の上面電極
    層、第2の上面電極層および密着層のうち、第1の上面
    電極層と密着層を、基板の端縁において面一となるよう
    に構成した請求項3記載の抵抗器。
  12. 【請求項12】 上面電極を構成する第1の上面電極
    層、第2の上面電極層および密着層のうち、第2の上面
    電極層のみが抵抗体と電気的に接続される構成とした請
    求項3記載の抵抗器。
  13. 【請求項13】 上面電極を構成する第1の上面電極
    層、第2の上面電極層および密着層のうち、密着層の厚
    み方向における最大の高さを第1の上面電極層の厚み方
    向における最大の高さよりも高くなるように構成した請
    求項3記載の抵抗器。
  14. 【請求項14】 上面電極を構成する第1の上面電極層
    を導電性樹脂で構成した請求項3記載の抵抗器。
  15. 【請求項15】 シート状の基板の上面に複数対の上面
    電極を設ける工程と、前記複数対の上面電極と電気的に
    接続される複数の抵抗体を設ける工程と、少なくとも前
    記複数の抵抗体を覆うように複数の保護層を設ける工程
    と、前記複数の抵抗体における前記複数対の上面電極間
    の抵抗値を修正するためにトリミングを行う工程と、前
    記シート状の基板に、前記複数対の上面電極を分離して
    複数の短冊状基板に分割するためのスリット状の第1の
    分割部を複数形成する工程と、前記スリット状の第1の
    分割部が複数形成された状態のシート状の基板の裏面側
    に、薄膜技術を用いてシート状の基板の裏面から複数の
    スリット状の第1の分割部の内面における基板の端面お
    よび前記上面電極の端面にかけて略L字型の第1の端面
    電極を形成する工程と、前記スリット状の第1の分割部
    が複数形成された状態のシート状の基板の上面側に、薄
    膜技術を用いて前記第1の端面電極に電気的に接続され
    るように前記上面電極の上面から第1の端面電極の一部
    にかけて略L字型の第2の端面電極を形成する工程と、
    前記シート状の基板における複数の短冊状基板に、前記
    複数の抵抗体が個々に分離されて個片状基板に分割され
    るように前記スリット状の第1の分割部と直交する方向
    に複数の第2の分割部を形成する工程とを備えた抵抗器
    の製造方法。
  16. 【請求項16】 上面電極を、第1の上面電極層と、こ
    の第1の上面電極層に重なる密着層とにより構成した請
    求項15記載の抵抗器の製造方法。
  17. 【請求項17】 上面電極を、第1の上面電極層と、こ
    の第1の上面電極層に少なくとも一部が重なるように設
    けられた第2の上面電極層と、前記第1の上面電極層お
    よび第2の上面電極層に重なる密着層の複層構造により
    構成した請求項15記載の抵抗器の製造方法。
  18. 【請求項18】 第1の端面電極と第2の端面電極を、
    それぞれCr薄膜、Ti薄膜、Cr系合金薄膜、Ti系
    合金薄膜のいずれかからなる第1の薄膜と、この第1の
    薄膜と電気的に接続されるCu系の合金薄膜からなる第
    2の薄膜により構成した請求項15記載の抵抗器の製造
    方法。
  19. 【請求項19】 シート状の基板の上面に複数対の上面
    電極を設ける工程と、前記複数対の上面電極と電気的に
    接続される複数の抵抗体を設ける工程と、少なくとも前
    記複数の抵抗体を覆うように複数の保護層を設ける工程
    と、前記複数の抵抗体における前記複数対の上面電極間
    の抵抗値を修正するためにトリミングを行う工程と、前
    記シート状の基板に、前記複数対の上面電極を分離して
    複数の短冊状基板に分割するためのスリット状の第1の
    分割部を複数形成する工程と、前記スリット状の第1の
    分割部が複数形成された状態のシート状の基板の上面側
    に、薄膜技術を用いてシート状の基板の上面に設けた上
    面電極の上面から複数のスリット状の第1の分割部の内
    面における基板の端面にかけて略L字型の第1の端面電
    極を形成する工程と、前記スリット状の第1の分割部が
    複数形成された状態のシート状の基板の裏面側に、薄膜
    技術を用いて前記第1の端面電極に電気的に接続される
    ようにシート状の基板の裏面から第1の端面電極の一部
    にかけて略L字型の第2の端面電極を形成する工程と、
    前記シート状の基板における複数の短冊状基板に、前記
    複数の抵抗体が個々に分離されて個片状基板に分割され
    るように前記スリット状の第1の分割部と直交する方向
    に複数の第2の分割部を形成する工程とを備えた抵抗器
    の製造方法。
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