JP2002110401A - 抵抗器およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 上面電極と端面電極との電気的接続信頼性の
向上および第１の薄膜と第２の薄膜との密着力の向上が
図れて、信頼性を高めることができる抵抗器を提供する
ことを目的とする。 【解決手段】 基板１１の一主面上に形成した上面電極
１７を第１の上面電極層１２と、この第１の上面電極層
１２に重なる密着層１６とにより構成するとともに、前
記基板１１の端縁に設けられ、かつ前記一対の上面電極
１７に電気的に接続される端面電極１９を、基板１１の
端縁側に位置する第１の薄膜２０と、この第１の薄膜２
０と電気的に接続されるＣｕ系の合金薄膜からなる第２
の薄膜２１と、少なくとも前記第２の薄膜２１を覆うニ
ッケルめっきからなる第１のめっき膜２２と、少なくと
も前記第１のめっき膜２２を覆う第２のめっき膜２３の
複層構造により構成したものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は抵抗器およびその製
造方法に関するものであり、特に微細な抵抗器およびそ
の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種の抵抗器としては、特開平
３−８０５０１号公報に開示された「端面電極を４層構
造とした抵抗器」が知られている。

【０００３】この抵抗器は、図３１に示すように、基板
１の上面の両端部に位置して基板１の端面より内側に設
けた一対の上面電極膜２を跨ぐように抵抗層３を設ける
とともに、前記基板１の端面に一対の上面電極膜２と電
気的に接続される一対のコ字型の端面電極４を設けてい
る。そして前記端面電極４は、最下層に上面電極膜２と
電気的に接続されるＮｉＣｒ薄膜、Ｔｉ薄膜またはＣｒ
薄膜からなるコ字型の第１の金属薄膜５と、この第１の
金属薄膜５に重畳する低抵抗のＣｕ薄膜からなる第２の
金属薄膜６と、この第２の金属薄膜６に重畳するＮｉめ
っき膜からなる第１の金属めっき膜７と、さらにこの第
１の金属めっき膜７に重畳するＰｂ−Ｓｎめっき膜また
はＳｎめっき膜からなる第２の金属めっき膜８の４層構
造となっていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の抵抗器においては、端面電極４における第２の
金属薄膜６を低抵抗のＣｕ薄膜で構成しているため、こ
の抵抗器を湿度の高い雰囲気中に放置すると、第２の金
属薄膜６であるＣｕ薄膜とその下層である第１の金属薄
膜５との界面において、第１の金属薄膜５と第２の金属
薄膜６とが固溶しづらいため、水分等がこの界面に吸着
されると、第１の金属薄膜５から第２の金属薄膜６が剥
離しやすくなるという課題を有していた。

【０００５】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、上面電極と端面電極との電気的接続信頼性の向上お
よび第１の薄膜と第２の薄膜との密着力の向上が図れ
て、信頼性を高めることができる抵抗器を提供すること
を目的とするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の抵抗器は、基板と、この基板の一主面上に形
成した一対の上面電極と、この一対の上面電極と電気的
に接続されるように設けた抵抗体と、少なくとも前記抵
抗体を覆うように設けられた保護層と、前記基板の端縁
に設けられ、かつ前記一対の上面電極に電気的に接続さ
れる一対の端面電極とを備え、前記一対の上面電極を、
第１の上面電極層と、この第１の上面電極層に重なる密
着層とにより構成するとともに、前記端面電極を、基板
の端縁側に位置し、かつ基板への付着性が良いＣｒ薄
膜、Ｔｉ薄膜、Ｃｒ系合金薄膜、Ｔｉ系合金薄膜のいず
れかからなる第１の薄膜と、この第１の薄膜と電気的に
接続されるＣｕ系の合金薄膜からなる第２の薄膜と、少
なくとも前記第２の薄膜を覆うニッケルめっきからなる
第１のめっき膜と、少なくとも前記第１のめっき膜を覆
う第２のめっき膜の複層構造により構成したもので、こ
の構成によれば、上面電極と端面電極との電気的接続信
頼性の向上および第１の薄膜と第２の薄膜との密着力の
向上が図れて、信頼性を高めることができる抵抗器が得
られるものである。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、特に、基板の一主面上に形成される一対の上面電極
を、第１の上面電極層と、この第１の上面電極層に重な
る密着層とに構成するとともに、前記基板の端縁に設け
られ、かつ前記一対の上面電極に電気的に接続される一
対の端面電極を、基板の端縁側に位置し、かつ基板への
付着性が良いＣｒ薄膜、Ｔｉ薄膜、Ｃｒ系合金薄膜、Ｔ
ｉ系合金薄膜のいずれかからなる第１の薄膜と、この第
１の薄膜と電気的に接続されるＣｕ系の合金薄膜からな
る第２の薄膜と、少なくとも前記第２の薄膜を覆うニッ
ケルめっきからなる第１のめっき膜と、少なくとも前記
第１のめっき膜を覆う第２のめっき膜の複層構造により
構成したもので、この構成によれば、基板の端縁に設け
られ、かつ一対の上面電極に電気的に接続される一対の
端面電極を薄膜で形成する場合、一対の上面電極を、第
１の上面電極層と、この第１の上面電極層に重なる密着
層とにより構成しているため、一対の端面電極と一対の
上面電極との接続面積を大きくすることができ、これに
より、上面電極と端面電極との電気的接続信頼性を高め
ることができる。また前記端面電極は、第１の薄膜と電
気的に接続される第２の薄膜をＣｕ系の合金薄膜により
構成しているため、第１の薄膜と第２の薄膜との界面に
おいては、Ｃｕ系の合金薄膜を構成する添加金属と第１
の薄膜の構成金属とが全率固溶体を構成することにな
り、これにより、第１の薄膜と第２の薄膜との密着力が
向上して信頼性を高めることができるという作用を有す
るものである。

【０００８】請求項２に記載の発明は、特に、上面電極
を構成する第１の上面電極層と密着層を、基板の端縁に
おいて面一となるように構成したもので、この構成によ
れば、基板の端縁に設けられ、かつ上面電極に電気的に
接続される端面電極を薄膜で形成する場合、第１の上面
電極層および密着層が基板の端縁において面一となって
いるため、基板の端縁と第１の上面電極層および密着層
の基板端縁側に薄膜からなる端面電極を連続して安定し
た状態に形成することができるという作用を有するもの
である。

【０００９】請求項３に記載の発明は、特に、上面電極
を構成する第１の上面電極層と密着層のうち、第１の上
面電極層のみが抵抗体と電気的に接続される構成とした
もので、この構成によれば、密着層を形成しても抵抗値
が変化することはないため、オーミックコンタクトを良
好に保つことができ、これにより、抵抗値修正後の抵抗
値変化がない信頼性の高い抵抗器が得られるという作用
を有するものである。

【００１０】請求項４に記載の発明は、特に、上面電極
を構成する第１の上面電極層と密着層のうち、密着層の
厚み方向における最大の高さを第１の上面電極層の厚み
方向における最大の高さよりも高くなるように構成した
もので、この構成によれば、基板の端縁に設けられ、か
つ上面電極に電気的に接続される端面電極を薄膜で形成
する場合、密着層の存在により、上面電極と薄膜からな
る端面電極の接触面積を大きくすることができ、これに
より、上面電極と端面電極との電気的接続信頼性を高め
ることができるという作用を有するものである。

【００１１】請求項５に記載の発明は、特に、上面電極
を構成する第１の上面電極層を銀系の材料で構成すると
ともに、密着層を導電性樹脂で構成したもので、この構
成によれば、第１の上面電極層の形成温度が８５０℃近
辺で、かつ密着層の形成温度が２００℃近辺となるた
め、抵抗値修正を行った後の抵抗値変化が発生すること
はないという作用を有するものである。

【００１２】請求項６に記載の発明は、特に、端面電極
を構成する第２の薄膜を、ＣｕにＮｉを１．６重量％以
上含有させたＣｕ−Ｎｉ合金薄膜で構成したもので、こ
の構成によれば、第１の薄膜と第２の薄膜との界面にお
いて、Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜のＮｉ成分と第１の薄膜の構
成金属とが全率固溶体を構成するため、第１の薄膜と第
２の薄膜との密着力が向上して信頼性を高めることがで
きるという作用を有するものである。

【００１３】請求項７に記載の発明は、特に、端面電極
を構成する第１の薄膜および第２の薄膜を、基板の端面
から裏面にかけて略Ｌ字型に構成したもので、この構成
によれば、基板の端縁に設けられ、かつ上面電極に電気
的に接続される端面電極のうち、第１の薄膜と第２の薄
膜を薄膜技術により形成する場合、基板の一方の面であ
る裏面側のみから容易に形成できるため、生産性の向上
が図れるという作用を有するものである。

【００１４】請求項８に記載の発明は、特に、保護層
を、抵抗層を覆うガラスを主成分とする第１の保護層
と、この第１の保護層を覆う樹脂を主成分とする第２の
保護層で構成したもので、この構成によれば、ガラスを
主成分とする第１の保護層でレーザートリミング時のク
ラックの発生を防止することができるため、電流雑音を
小さくできるとともに、樹脂を主成分とする第２の保護
層で抵抗層全体が覆われているため、耐湿性に優れた抵
抗特性を確保できるという作用を有するものである。

【００１５】請求項９に記載の発明は、特に、シート状
の基板に、複数対の第１の上面電極層および複数対の密
着層を分離して複数の短冊状基板に分割するためのスリ
ット状の第１の分割部を複数形成する工程と、前記スリ
ット状の第１の分割部が複数形成された状態のシート状
の基板の裏面側から薄膜技術により複数のスリット状の
第１の分割部の内面における基板の端面と前記第１の上
面電極層の端面および密着層の端面に端面電極を形成す
る工程とを備えたもので、この製造方法によれば、スリ
ット状の第１の分割部が複数形成された状態のシート状
の基板の裏面側から薄膜技術により複数のスリット状の
第１の分割部の内面における基板の端面と第１の上面電
極層の端面および密着層の端面に端面電極を形成するよ
うにしているため、この端面電極は複数の短冊状基板毎
に形成することなく、シート状の基板の状態で一括して
形成することができる。また端面電極を薄膜技術で形成
する場合、シート状の基板の上面に設けた複数対の第１
の上面電極層に重なるように複数対の密着層を設けてい
るため、端面電極は第１の上面電極層の端面だけでな
く、密着層の端面にも形成されることになり、これによ
り、上面電極に対する端面電極の接続面積が大きくなる
ため、上面電極と端面電極との電気的接続信頼性を高め
ることができるという作用を有するものである。

【００１６】請求項１０に記載の発明は、特に、スリッ
ト状の第１の分割部が複数形成された状態のシート状の
基板の裏面側から薄膜技術により複数のスリット状の第
１の分割部の内面における基板の端面と第１の上面電極
層の端面および密着層の端面に端面電極を形成する工程
において、前記シート状の基板の裏面全体にも薄膜技術
により端面電極を形成し、さらにこのシート状の基板の
裏面全体に形成された端面電極は不要部分を除去して複
数対の裏面電極を形成するようにしたもので、この製造
方法によれば、シート状の基板の裏面全体に形成された
端面電極の不要部分をレーザーで除去することにより、
端面電極の不要部分の剥離除去を非常に精度良く行うこ
とができ、これにより、製品となった場合における抵抗
器の裏面の電極寸法精度を向上させることができるた
め、この抵抗器を裏面側で実装基板に実装した場合にお
ける実装不良を低減させることができるという作用を有
するものである。

【００１７】請求項１１に記載の発明は、特に、複数の
スリット状の第１の分割部をダイシングにより形成した
もので、この製造方法によれば、個片状基板の寸法分類
が不要であるため、工程の煩雑さをなくすることができ
るとともに、ダイシングも半導体等で一般的なダイシン
グ設備を用いて容易に行うことができるという作用を有
するものである。

【００１８】請求項１２に記載の発明は、特に、複数の
第２の分割部をダイシングにより形成したもので、この
製造方法によれば、個片状基板の寸法分類が不要である
ため、工程の煩雑さをなくすることができるとともに、
ダイシングも半導体等で一般的なダイシング設備を用い
て容易に行うことができるという作用を有するものであ
る。

【００１９】請求項１３に記載の発明は、特に、複数の
第２の分割部をレーザーにより形成し、その後、この第
２の分割部を分割して個片状基板に分割するようにした
もので、この製造方法によれば、第２の分割部を形成す
る毎に個片化されるのではなく、２段階で個片化される
という作用を有するとともに、個片状基板の分割はチッ
プ抵抗器で一般的な分割設備を用いて行うことができる
という作用を有するものである。

【００２０】請求項１４に記載の発明は、特に、シート
状の基板の端部に不要領域部を形成し、かつ複数のスリ
ット状の第１の分割部は複数の短冊状基板が前記不要領
域部につながった状態となるようにシート状の基板に形
成したもので、この製造方法によれば、複数のスリット
状の第１の分割部を形成した後も複数の短冊状基板は不
要領域部につながっているため、シート状の基板が複数
の短冊状基板に細かく分離されるということはなく、し
たがって、複数のスリット状の第１の分割部を形成した
後も、不要領域部を有するシート状の基板の状態で後工
程を行うことができるため、工法設計が簡略化できると
いう作用を有するものである。

【００２１】請求項１５に記載の発明は、特に、複数の
抵抗体を覆うように複数のガラスを主成分とする第１の
保護層を設ける工程と、複数対の第１の上面電極層に重
なるように複数対の密着層を設ける工程と、前記複数の
ガラスを主成分とする第１の保護層を覆うように複数の
樹脂層からなる第２の保護層を設ける工程と、シート状
の基板に、複数対の第１の上面電極層および複数対の密
着層を分離して複数の短冊状基板に分割するためのスリ
ット状の第１の分割部を複数形成する工程と、前記スリ
ット状の第１の分割部が複数形成された状態のシート状
の基板の裏面側から薄膜技術により複数のスリット状の
第１の分割部の内面における基板の端面と前記第１の上
面電極層の端面および密着層の端面に端面電極を形成す
る工程とを備えたもので、この製造方法によれば、スリ
ット状の第１の分割部が複数形成された状態のシート状
の基板の裏面側から薄膜技術により複数のスリット状の
第１の分割部の内面における基板の端面と第１の上面電
極層の端面および密着層の端面に端面電極を形成するよ
うにしているため、この端面電極は複数の短冊状基板毎
に形成することなく、シート状の基板の状態で一括して
形成することができる。また端面電極を薄膜技術で形成
する場合、シート状の基板の上面に設けた複数対の第１
の上面電極層に重なるように複数対の密着層を設けてい
るため、端面電極は第１の上面電極層の端面だけでな
く、密着層の端面にも形成されることになり、これによ
り、上面電極に対する端面電極の接続面積が大きくなる
ため、上面電極と端面電極との電気的接続信頼性を高め
ることができるという作用を有するものである。

【００２２】請求項１６に記載の発明は、特に、スリッ
ト状の第１の分割部が複数形成された状態のシート状の
基板の裏面側から薄膜技術により複数のスリット状の第
１の分割部の内面における基板の端面と第１の上面電極
層の端面および密着層の端面に端面電極を形成する工程
において、前記シート状の基板の裏面全体にも薄膜技術
により端面電極を形成し、さらにこのシート状の基板の
裏面全体に形成された端面電極は不要部分を除去して複
数対の裏面電極を形成するようにしたもので、この製造
方法によれば、シート状の基板の裏面全体に形成された
端面電極の不要部分をレーザーで除去することにより、
端面電極の不要部分の剥離除去を非常に精度良く行うこ
とができ、これにより、製品となった場合における抵抗
器の裏面の電極寸法精度を向上させることができるた
め、この抵抗器を裏面側で実装基板に実装した場合にお
ける実装不良を低減させることができるという作用を有
するものである。

【００２３】請求項１７に記載の発明は、特に、端面電
極を、基板の端縁側に位置し、かつ基板への付着性が良
いＣｒ薄膜、Ｔｉ薄膜、Ｃｒ系合金薄膜、Ｔｉ系合金薄
膜のいずれかからなる第１の薄膜と、この第１の薄膜と
電気的に接続されるＣｕ系の合金薄膜からなる第２の薄
膜と、少なくとも前記第２の薄膜を覆うニッケルめっき
からなる第１のめっき膜と、少なくとも前記第１のめっ
き膜を覆う第２のめっき膜の複層構造により構成し、か
つ前記第１の薄膜と第２の薄膜は、スリット状の第１の
分割部が複数形成された状態のシート状の基板の裏面側
から薄膜技術により複数のスリット状の第１の分割部の
内面における基板の端面と第１の上面電極層の端面およ
び密着層の端面に形成し、さらに前記第１のめっき膜と
第２のめっき膜は、第２の分割部により分割された個片
状基板における前記第２の薄膜を覆うように設けたもの
で、この製造方法によれば、第１の薄膜と電気的に接続
される第２の薄膜をＣｕ系の合金薄膜により構成してい
るため、第１の薄膜と第２の薄膜との界面においては、
Ｃｕ系の合金薄膜を構成する添加金属と第１の薄膜の構
成金属とが全率固溶体を構成することになり、これによ
り、第１の薄膜と第２の薄膜との密着力が向上して信頼
性を高めることができる。また第１のめっき膜と第２の
めっき膜は、第２の分割部により分割された個片状基板
における第２の薄膜を覆うように設けているため、めっ
き膜の形成もバレルめっき等により確実に形成すること
ができるという作用を有するものである。

【００２４】請求項１８に記載の発明は、特に、複数対
の第１の上面電極層に重なるように複数対の導電性樹脂
からなる密着層を設ける工程を、複数の抵抗体を覆うよ
うに複数のガラスを主成分とする第１の保護層を設ける
工程と、前記複数の抵抗体における複数対の第１の上面
電極層間の抵抗値を修正するためにトリミングを行う工
程とを実施した後に実施するようにしたもので、この製
造方法によれば、ガラスを主成分とする第１の保護層の
形成温度が６００℃以上で、かつ導電性樹脂からなる密
着層の形成温度が２００℃前後となるため、トリミング
を行って抵抗値修正を行った後の抵抗値変化が発生する
ことはないという作用を有するものである。

【００２５】請求項１９に記載の発明は、特に、複数対
の第１の上面電極層に重なるように複数対の導電性樹脂
からなる密着層を設ける工程を、複数の抵抗体を覆うよ
うに複数のガラスを主成分とする第１の保護層を設ける
工程と、前記複数の抵抗体における複数対の第１の上面
電極層間の抵抗値を修正するためにトリミングを行う工
程と、少なくとも前記複数のガラスを主成分とする第１
の保護層を覆うように複数の樹脂層からなる第２の保護
層を設ける工程とを実施した後に実施するようにしたも
ので、この製造方法によれば、ガラスを主成分とする第
１の保護層の形成温度が６００℃以上で、かつ樹脂層か
らなる第２の保護層と、導電性樹脂からなる密着層の形
成温度が２００℃前後となるため、トリミングを行って
抵抗値修正を行った後の抵抗値変化が発生することはな
いという作用を有するものである。

【００２６】請求項２０に記載の発明は、特に、複数の
スリット状の第１の分割部をダイシングにより形成した
もので、この製造方法によれば、個片状基板の寸法分類
が不要であるため、工程の煩雑さをなくすることができ
るとともに、ダイシングも半導体等で一般的なダイシン
グ設備を用いて容易に行うことができるという作用を有
するものである。

【００２７】請求項２１に記載の発明は、特に、複数の
第２の分割部をダイシングにより形成したもので、この
製造方法によれば、個片状基板の寸法分類が不要である
ため、工程の煩雑さをなくすることができるとともに、
ダイシングも半導体等で一般的なダイシング設備を用い
て容易に行うことができるという作用を有するものであ
る。

【００２８】請求項２２に記載の発明は、特に、複数の
第２の分割部をレーザーにより形成し、その後、この第
２の分割部を分割して個片状基板に分割するようにした
もので、この製造方法によれば、第２の分割部を形成す
る毎に個片化されるのではなく、２段階で個片化される
という作用を有するとともに、個片状基板の分割はチッ
プ抵抗器で一般的な分割設備を用いて行うことができる
という作用を有するものである。

【００２９】請求項２３に記載の発明は、特に、シート
状の基板の端部に不要領域部を形成し、かつ複数のスリ
ット状の第１の分割部は複数の短冊状基板が前記不要領
域部につながった状態となるようにシート状の基板に形
成したもので、この製造方法によれば、複数のスリット
状の第１の分割部を形成した後も複数の短冊状基板は不
要領域部につながっているため、シート状の基板が複数
の短冊状基板に細かく分類されるということはなく、し
たがって、複数のスリット状の第１の分割部を形成した
後も、不要領域部を有するシート状の基板の状態で後工
程を行うことができるため、工法設計が簡略化できると
いう作用を有するものである。

【００３０】（実施の形態１）以下、本発明の実施の形
態１における抵抗器およびその製造方法について、図面
を参照しながら説明する。

【００３１】図１は本発明の実施の形態１における抵抗
器の断面図である。

【００３２】図１において、１１は焼成済みの９６％純
度のアルミナからなるシート状の基板をスリット状の第
１の分割部とこの第１の分割部に直交関係にある第２の
分割部で分割することにより個片化された基板である。
１２は基板１１の一主面上（上面）に形成された銀を主
成分とする一対の第１の上面電極層である。１３は一対
の第１の上面電極層１２に一部が重なるように、すなわ
ち電気的に接続されるように基板１１の上面に形成され
た酸化ルテニウム系の抵抗体である。１４は抵抗体１３
の上面に形成されたガラスを主成分とする第１の保護層
である。１５は一対の第１の上面電極層１２間の抵抗体
１３の抵抗値を修正するために設けられたトリミング溝
である。１６は一対の第１の上面電極層１２の一部に重
なるように設けられた銀系の導電性樹脂からなる一対の
密着層で、この一対の密着層１６と前記一対の第１の上
面電極層１２とで一対の上面電極１７を構成している。
また前記第１の上面電極層１２と密着層１６は、基板１
１の端縁において面一となるように構成している。そし
てまた前記密着層１６は、厚み方向における最大の高さ
を第１の上面電極層１２の厚み方向における最大の高さ
よりも高くなるように構成している。１８はガラスを主
成分とする第１の保護層１４を覆うとともに密着層１６
の一部に重なるように形成された樹脂を主成分とする第
２の保護層である。１９は前記基板１１の端縁に設けら
れ、かつ前記一対の上面電極１７に電気的に接続される
一対の端面電極で、この一対の端面電極１９は、基板１
１の端縁側に位置して、基板１１の端面、第１の上面電
極層１２の端面および密着層１６の端面に重なるととも
に、基板１１の裏面の端部を覆うように略Ｌ字型に形成
された第１の薄膜２０と、この第１の薄膜２０に重なる
ように形成され、かつ第１の薄膜２０と電気的に接続さ
れる略Ｌ字型の第２の薄膜２１と、この第２の薄膜２１
を覆うとともに、露出している密着層１６の上面を覆う
ように形成された略コ字型のニッケルめっきからなる第
１のめっき膜２２と、この第１のめっき膜２２を覆うよ
うに形成された略コ字型のスズめっきからなる第２のめ
っき膜２３の複層構造により構成されている。

【００３３】上記構成においては、一対の上面電極１７
を、第１の上面電極層１２と、この第１の上面電極層１
２に重なる密着層１６とにより構成しているため、一対
の端面電極１９と一対の上面電極１７との接続面積を大
きくすることができ、これにより、上面電極１７と端面
電極１９との電気的接続信頼性を高めることができるも
のである。

【００３４】また上面電極１７を構成する第１の上面電
極層１２と密着層１６は基板１１の端縁において面一と
なるように構成しているため、基板１１の端縁に設けら
れ、かつ上面電極１７に電気的に接続される端面電極１
９を薄膜で形成する場合、基板１１の端縁と第１の上面
電極層１２および密着層１６の基板端縁側に薄膜からな
る端面電極１９を連続して安定した状態に形成すること
ができるものである。

【００３５】そしてまた上面電極１７を構成する第１の
上面電極層１２と密着層１６のうち、第１の上面電極層
１２のみが抵抗体１３と電気的に接続される構成として
いるため、密着層１６を形成しても抵抗値が変化するこ
とはなく、これにより、オーミックコンタクトを良好に
保つことができるため、抵抗値修正後の抵抗値変化がな
い信頼性の高い抵抗器が得られるものである。

【００３６】また上面電極１７を構成する第１の上面電
極層１２と密着層１６のうち、密着層１６の厚み方向に
おける最大の高さを第１の上面電極層１２の厚み方向に
おける最大の高さよりも高くなるように構成しているた
め、基板１１の端縁に設けられ、かつ上面電極１７と電
気的に接続される端面電極１９を薄膜で形成する場合、
密着層１６の存在により、上面電極１７と薄膜からなる
端面電極１９の接触面積を大きくすることができ、これ
により、上面電極１７と端面電極１９の電気的接続信頼
性を高めることができるものである。

【００３７】そしてまた端面電極１９を構成する第１の
薄膜２０と第２の薄膜２１は、基板１１の端面から裏面
にかけて略Ｌ字型に構成しているため、第１の薄膜２０
と第２の薄膜２１を薄膜技術により形成する場合、基板
１１の一方の面である裏面側のみから容易に形成するこ
とができ、これにより、生産性の向上が図れるものであ
る。

【００３８】以上のように構成された本発明の実施の形
態１における抵抗器について、次にその製造方法を図面
を参照しながら説明する。

【００３９】図２は本発明の実施の形態１における抵抗
器を製造する場合に用いられるシート状の基板の全周囲
の端部に不要領域部を形成した状態を示す上面図、図３
（ａ）〜（ｃ）、図４（ａ）〜（ｃ）、図５（ａ）
（ｂ）、図６（ａ）（ｂ）、図７（ａ）〜（ｃ）、図８
（ａ）〜（ｃ）、図９（ａ）〜（ｃ）、図１０（ａ）〜
（ｃ）、図１１（ａ）（ｂ）および図１２（ａ）（ｂ）
は本発明の実施の形態１における抵抗器の製造方法を示
す工程図である。

【００４０】まず、図２、図３（ａ）、図４（ａ）に示
すように、焼成済みの９６％純度のアルミナからなる厚
み０．２ｍｍの絶縁性を有するシート状の基板３１を準
備する。この場合、シート状の基板３１は、図２に示す
ように、全周囲の端部に最終的には製品とならない不要
領域部３１ａを有しているものである。そしてこの不要
領域部３１ａは略ロ字状に構成されているものである。

【００４１】次に、図２、図３（ｂ）、図４（ｂ）に示
すように、シート状の基板３１の上面にスクリーン印刷
工法により銀を主成分とする複数対の第１の上面電極層
３２を形成し、ピーク温度８５０℃の焼成プロファイル
で焼成することにより、第１の上面電極層３２を安定な
膜とした。

【００４２】次に、図２、図３（ｃ）、図４（ｃ）に示
すように、複数対の上面電極層３２を跨ぐように、スク
リーン印刷工法により酸化ルテニウム系の複数の抵抗体
３３を形成し、ピーク温度８５０℃の焼成プロファイル
で焼成することにより、抵抗体３３を安定な膜とした。

【００４３】次に、図５（ａ）、図６（ａ）に示すよう
に、複数の抵抗体３３を覆うように、スクリーン印刷工
法により複数のガラスを主成分とする第１の保護層３４
を形成し、ピーク温度６００℃の焼成プロファイルで焼
成することにより、ガラスを主成分とする第１の保護層
３４を安定な膜とした。

【００４４】次に、図５（ｂ）、図６（ｂ）に示すよう
に、複数対の第１の上面電極層３２間の抵抗体３３の抵
抗値を一定の値に修正するために、レーザートリミング
工法によりトリミングを行い、複数のトリミング溝３５
を形成した。

【００４５】次に、図７（ａ）、図８（ａ）に示すよう
に、複数対の第１の上面電極層３２の一部に重なるよう
に、スクリーン印刷工法により銀系の導電性樹脂からな
る複数対の密着層３６を形成し、ピーク温度２００℃の
硬化プロファイルで硬化することにより、密着層３６を
安定な膜とした。

【００４６】次に、図７（ｂ）、図８（ｂ）に示すよう
に、図面上の縦方向に並ぶ複数のガラスを主成分とする
第１の保護層３４を覆うとともに、密着層３６の一部に
重なるように、スクリーン印刷工法により樹脂を主成分
とする複数の第２の保護層３７を形成し、ピーク温度２
００℃の硬化プロファイルで硬化することにより、第２
の保護層３７を安定な膜とした。

【００４７】次に、図２、図７（ｃ）、図８（ｃ）に示
すように、第２の保護層３７を形成したシート状の基板
３１の全周囲の端部に形成された不要領域部３１ａを除
いて、複数対の第１の上面電極層３２および密着層３６
を分離して複数の短冊状基板３１ｂに分割するためのス
リット状の第１の分割部３８をダイシング工法により複
数形成する。この場合、複数のスリット状の第１の分割
部３８は７００μｍピッチで形成されており、かつこの
スリット状の第１の分割部３８の幅は１２０μｍ幅とな
っている。また前記複数のスリット状の第１の分割部３
８は、シート状の基板３１を上下方向に貫通する貫通孔
で形成されているものである。そしてまた前記シート状
の基板３１は、不要領域部３１ａを除いてダイシング工
法により複数のスリット状の第１の分割部３８を形成し
ているため、スリット状の第１の分割部３８を形成した
後も複数の短冊状基板３１ｂは不要領域部３１ａにつな
がっているため、シート状態を呈しているものである。

【００４８】次に図９（ａ）、図１０（ａ）に示すよう
に、スパッタ工法を用いて、シート状の基板３１の裏面
側から、基板３１の裏面全体と複数のスリット状の第１
の分割部３８の内面における基板３１の端面、第１の上
面電極層３２の端面および密着層３６の端面に、端面電
極の一部を構成する基板３１への付着性が良いＣｒ薄膜
からなる複数対の第１の薄膜３９を形成する。

【００４９】次に図９（ｂ）、図１０（ｂ）に示すよう
に、スパッタ工法を用いて、シート状の基板３１の裏面
側から、複数対の第１の薄膜３９に重なるように、端面
電極の一部を構成するＣｕ−Ｎｉ合金薄膜からなる複数
対の第２の薄膜４０を形成する。

【００５０】次に図９（ｃ）、図１０（ｃ）に示すよう
に、シート状の基板３１の裏面全体に形成された複数対
の第１の薄膜３９と第２の薄膜４０における不要部分、
すなわちシート状の基板３１の裏面における略中央部分
を約０．３ｍｍ径のスポット径を有するレーザーの照射
により約０．３ｍｍ幅で蒸発させて剥離除去することに
より、複数対の裏面電極４１を形成する。

【００５１】次に図２、図１１（ａ）、図１２（ａ）に
示すように、シート状の基板３１の全周囲の端部に形成
された不要領域部３１ａを除いて、シート状の基板３１
における複数の短冊状基板３１ｂに、複数の抵抗体３３
が個々に分離されて個片状基板３１ｃに分割されるよう
にスリット状の第１の分割部３８と直交する方向に複数
の第２の分割部４２を形成する。この場合、複数の第２
の分割部４２は４００μｍピッチで形成されるため、第
２の分割部４２の幅は１００μｍ幅となっている。また
この複数の第２の分割部４２はレーザースクライブによ
り形成しているもので、まず、レーザーにより分割溝を
形成し、その後、一般的な分割設備により分割溝の部分
を分割して個片状基板３１ｃに分割するようにしてい
る。すなわち、この分割方法は、第２の分割部４２を形
成する毎に個片化されるのではなく、２段階で個片化さ
れるという作用を有するものである。そしてまたこの複
数の第２の分割部４２は不要領域部３１ａを除いて複数
の短冊状基板３１ｂにレーザースクライブにより形成す
るようにしているため、この複数の第２の分割部４２を
分割する毎に個片状基板３１ｃに分割され、そしてこの
個片状基板３１ｃは不要領域部３１ａから分離されるも
のである。

【００５２】最後に、図１１（ｂ）、図１２（ｂ）に示
すように、電気めっき工法を用いて、個片状基板３１ｃ
における第２の薄膜４０と露出している密着層３６の上
面を覆うように、厚みが約２〜６μｍで、かつはんだの
拡散防止または耐熱性に優れるニッケルめっきからなる
第１のめっき膜４３を形成する。その後、さらに電気め
っき工法を用いて、ニッケルめっきからなる第１のめっ
き膜４３を覆うように、厚みが約３〜８μｍで、かつは
んだ付着性の良いスズめっきからなる第２のめっき膜４
４を形成する。

【００５３】以上の製造工程により、本発明の実施の形
態１における抵抗器は製造されるものである。

【００５４】なお、上記製造工程においては、第２のめ
っき膜４４をスズめっきで構成しているが、これに限定
されるものではなく、スズ合金系の材料からなるめっき
でもよく、これらの材料で構成した場合は、リフローは
んだ付け時に安定したはんだ付けができるものである。

【００５５】また上記製造工程においては、抵抗体３３
等を覆う保護層を、抵抗体３３を覆うガラスを主成分と
する第１の保護層３４と、この第１の保護層３４を覆う
とともに、トリミング溝３５を覆う樹脂を主成分とする
第２の保護層３７の２層で構成しているため、前記第１
の保護層３４でレーザートリミング時のクラックの発生
を防止して電流雑音を小さくできるとともに、前記樹脂
を主成分とする第２の保護層３７で抵抗体３３全体が覆
われるため、耐湿性に優れた抵抗特性を確保できるもの
である。

【００５６】そしてまた上記製造工程により製造した抵
抗器は、ダイシング工法により形成されたスリット状の
第１の分割部３８およびレーザースクライブにより形成
された第２の分割部４２の間隔が正確（±０．００５ｍ
ｍ以内）であるとともに、端面電極を構成する第１の薄
膜３９、第２の薄膜４０、第１のめっき膜４３、第２の
めっき膜４４の厚みも正確であるため、製品である抵抗
器の全長および全幅は、正確に長さ０．６ｍｍ×幅０．
３ｍｍとなるものである。また第１の上面電極層３２お
よび抵抗体３３のパターン精度も個片状基板の寸法ラン
ク分類が不要であるとともに同一の個片状基板の寸法ラ
ンク内での寸法ばらつきを考慮する必要がないため、抵
抗体３３の有効面積も従来品に比べて大きくとることが
できるものである。すなわち、従来品における抵抗体は
長さ約０．２０ｍｍ×幅０．１９ｍｍであったのに対
し、本発明の実施の形態１における抵抗器の抵抗体３３
は長さ約０．２５ｍｍ×幅０．２４ｍｍとなって面積で
は約１．６倍以上となるものである。

【００５７】さらに上記製造工程においては、複数のス
リット状の第１の分割部３８をダイシング工法を用いて
形成するとともに、個片状基板の寸法分類が不要なシー
ト状の基板３１を用いているため、従来のような個片状
基板の寸法分類は不要となり、これにより工程の煩雑さ
をなくすることができるとともに、ダイシングも半導体
等で一般的なダイシング設備を用いて容易に行うことが
できるものである。

【００５８】さらにまた上記製造工程においては、シー
ト状の基板３１は全周囲の端部に最終的には製品となら
ない不要領域部３１ａを形成し、かつ複数のスリット状
の第１の分割部３８は複数の短冊状基板３１ｂが前記不
要領域部３１ａにつながった状態となるようにシート状
の基板３１に形成しているため、複数のスリット状の第
１の分割部３８を形成した後も複数の短冊状基板３１ｂ
は不要領域部３１ａにつながっており、そのため、シー
ト状の基板３１が複数の短冊状基板３１ｂに細かく分離
されるということはなく、したがって、複数のスリット
状の第１の分割部３８を形成した後も、不要領域部３１
ａを有するシート状の基板３１の状態で後工程を行うこ
とができるため、工法設計が簡略化できるものである。

【００５９】また上記製造工程においては、シート状の
基板３１の裏面全体に形成された複数対の第１の薄膜３
９と第２の薄膜４０における不要部分、すなわちシート
状の基板３１の裏面における略中央部分を約０．３ｍｍ
径のスポット径を有するレーザーの照射により約０．３
ｍｍ幅で蒸発させて剥離除去することにより、複数対の
裏面電極４１を形成するようにしているため、複数対の
第１の薄膜３９と第２の薄膜４０における不要部分の剥
離除去も非常に精度良く行うことができ、これにより、
製品となった場合における抵抗器の裏面の電極寸法精度
を向上させることができるため、この抵抗器を裏面側で
実装基板に実装した場合における実装不良を低減させる
ことができるものである。

【００６０】次に、上記製造工程における端面電極の一
部を構成する第２の薄膜４０について詳述する。

【００６１】第２の薄膜４０の材料はＣｕ系の合金薄膜
のうち、特にＣｕ−Ｎｉ合金薄膜が好ましい。

【００６２】Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜は、添加材料のＮｉが
合金薄膜主元素のＣｕおよび第１の薄膜３９に対してＣ
ｕの全組成比率（範囲）においてＮｉが均一に溶け合う
という「全率固溶体」を構成する。そのため、Ｃｕ−Ｎ
ｉ合金薄膜からなる第２の薄膜４０と第１の薄膜３９と
の界面にはＮｉが拡散することになって強固な密着層を
形成することになり、これにより、密着性の向上が図れ
る。また、第２の薄膜４０の最表面に存在するＮｉは、
第１のめっき膜４３に用いられるニッケルめっきを形成
するためのめっき浴で第２の薄膜４０の表面に対して防
食性を高める効果があるため、第１のめっき膜４３と第
２の薄膜４０の界面における密着性についても向上が図
れる。

【００６３】ここで、本発明の実施の形態１における
「全率固溶体」とは、図１３に示す第２の薄膜を構成す
るＣｕ−Ｎｉ合金薄膜の平衡状態図の通りである。図１
３において、横軸にＮｉ金属の添加量を、縦軸に温度を
とると、実線で示す液相線より高い温度では液相状態で
あり、点線で示す固相線より低い温度では固相状態であ
り、これらの実線および点線で囲まれた領域は固相と液
相とが混じり合った状態、つまり「全率固溶体」であ
る。すなわち、本発明の実施の形態１におけるＣｕ−Ｎ
ｉ合金薄膜からなる第２の薄膜４０は、母体金属である
面心立方格子のＣｕ金属中に、同じ面心立方格子の結晶
構造を有するＮｉ金属原子が溶け込んで一つの相である
面心立方格子構造の置換型固溶体を全組成範囲に亘って
形成するものである。

【００６４】また、図１４はＣｒ薄膜からなる第１の薄
膜３９とＣｕ−Ｎｉ合金薄膜からなる第２の薄膜４０の
ＳＩＭＳによる組成分析結果を示したものである。この
時の第２の薄膜４０のＮｉ添加量は６．２ｗｔ％であ
る。図１４は横軸にＣｕ−Ｎｉ合金薄膜の表面からの膜
厚をスパッタリング時間で示し、かつ縦軸は各層でのＣ
ｕ，Ｎｉ，Ｃｒ等の原子数を示したものである。この図
１４から明らかなように、Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜層とＣｒ
薄膜層との界面にはＣｕ，ＮｉおよびＣｒが各々存在す
る拡散層があるものの、Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜層の表面か
らＣｒ薄膜層との界面までの間においては、Ｃｕ金属中
にＮｉ金属が均一に存在しているものである。これは、
Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜からなる第２の薄膜４０が、Ｃｕ金
属中にＮｉ金属が完全に溶け込んで一つの相を形成する
「全固溶体」であることを示しているものである。また
この図１４では、Ｎｉ添加量を６．２ｗｔ％としたが、
Ｎｉ添加量は全組成範囲において図１４に示したものと
同一の結果が得られるものである。

【００６５】次に、上記のように構成された本発明の実
施の形態１における抵抗器において、Ｃｕ−Ｎｉ合金薄
膜を第２の薄膜４０として用いた特性について説明す
る。

【００６６】特性を説明する試験方法としては、「めっ
きの密着性試験方法／ＪＩＳ Ｈ８５０４Ｃ」に規定さ
れた方法により実施し、試験用テープには図１５（ａ）
（ｂ）に示すように、「セロハン粘着テープ／ＪＩＳ
Ｚ １５２２」に規定された幅１８ｍｍの粘着テープ４
５を使用した。この時、粘着テープ４５の引き剥がし方
向は、「ＪＩＳ Ｈ ８５０４」に記載の図１５（ａ）
（ｂ）に示すように、アルミナ基板４６に対して垂直方
向または傾斜する方向とした。

【００６７】すなわち、この試験方法は、試験片として
アルミナ基板４６を用い、このアルミナ基板４６の側面
部分に第１の薄膜３９としてＣｒ薄膜をスパッタ工法で
形成し、次に、この第１の薄膜３９の上に第２の薄膜４
０としてＣｕ−Ｎｉ合金薄膜を第１の薄膜３９と同様、
スパッタ工法で構成する。その後、レーザーを用いてパ
ターン幅０．３ｍｍのパターンを形成する。

【００６８】その後、温度６５℃で湿度９５％の条件に
おける加速試験を行い、次に、第２の薄膜４０の表面に
粘着テープ４５を密着させた後、この粘着テープ４５を
一気に引き剥がし、全パターン数に対して第２の薄膜４
０が剥離したパターン数の比率を求め、密着性の評価を
行った。

【００６９】また第１のめっき膜４３と第２の薄膜４０
の界面の密着性の評価用試験片については、第２の薄膜
４０を形成した後、第１のめっき膜４３としてニッケル
めっきを、さらに第２のめっき膜４４としてはんだめっ
きを電解めっきで形成したものを用いた。

【００７０】評価は、Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜中のＮｉ添加
量が「１．６ｗｔ％」「６．２ｗｔ％」「１２．６ｗｔ
％」であるものと、Ｎｉ添加量が「０ｗｔ％」であるも
のについて行った。

【００７１】（表１）は、加速試験５００時間後の第２
の薄膜４０と第１の薄膜３９の界面における剥離率の評
価結果を示したものである。

【００７２】

【表１】

【００７３】（表１）から明らかなように、Ｃｕ薄膜中
にＮｉを添加することにより、第２の薄膜４０と第１の
薄膜３９の界面における密着性が大幅に向上するもので
ある。

【００７４】（表２）は、加速試験５００時間後の第１
のめっき膜４３と第２の薄膜４０の界面における剥離率
の評価結果を示したものである。

【００７５】

【表２】

【００７６】（表２）から明らかなように、Ｃｕ薄膜中
にＮｉを添加することにより、第１のめっき膜４３と第
２の薄膜４０の界面における密着性が大幅に向上するも
のである。

【００７７】なお、上記本発明の実施の形態１において
は、第１の薄膜３９と第２の薄膜４０をスパッタ工法を
用いて形成したものについて説明したが、このスパッタ
工法に限定されるものではなく、その他の工法である真
空蒸着法、イオンプレーティング法、Ｐ−ＣＶＤ等の薄
膜技術により第１の薄膜３９と第２の薄膜４０を形成し
た場合においても、本発明の実施の形態１と同様の効果
が得られるものである。

【００７８】また上記本発明の実施の形態１において
は、第１の薄膜３９をＣｒ薄膜で形成したものについて
説明したが、このＣｒ薄膜に限定されるものではなく、
基板への付着性が良いその他のＣｒ−Ｓｉ合金薄膜、Ｎ
ｉ−Ｃｒ合金薄膜、Ｔｉ薄膜、Ｔｉ系合金薄膜等の材料
で第１の薄膜３９を形成した場合においても、本発明の
実施の形態１と同様の効果が得られるものである。

【００７９】そしてまた上記本発明の実施の形態１にお
いては、最終的には製品とならない不要領域部３１ａを
シート状の基板３１の全周囲の端部に形成して略ロ字状
に構成したものについて説明したが、この不要領域部３
１ａはシート状の基板３１の全周囲の端部に必ずしも形
成する必要はなく、例えば、図１６に示すようにシート
状の基板３１の一端部に不要領域部３１ｄを形成した場
合、図１７に示すようにシート状の基板３１の両端部に
不要領域部３１ｅを形成した場合、図１８に示すように
シート状の基板３１の３つの端部に不要領域部３１ｆを
形成した場合においても、上記本発明の実施の形態１と
同様の効果が得られるものである。

【００８０】また上記本発明の実施の形態１において
は、複数の第２の分割部４２をレーザースクライブによ
り形成したものについて説明したが、この第２の分割部
４２は、スリット状の第１の分割部３８と同様にダイシ
ング工法を用いて形成するようにしてもよいものであ
る。この場合、ダイシングは半導体等で一般的なダイシ
ング設備を用いて容易に行うことができるものである。

【００８１】（実施の形態２）以下、本発明の実施の形
態２における抵抗器およびその製造方法について、図面
を参照しながら説明する。

【００８２】図１９は本発明の実施の形態２における抵
抗器の断面図である。

【００８３】図１９において、５１は焼成済みの９６％
純度のアルミナからなるシート状の基板をスリット状の
第１の分割部とこの第１の分割部に直交関係にある第２
の分割部で分割することにより個片化された基板であ
る。５２は基板５１の一主面上（上面）に形成された銀
を主成分とする一対の第１の上面電極層である。５３は
一対の第１の上面電極層５２に一部が重なるように、す
なわち電気的に接続されるように基板５１の上面に形成
された酸化ルテニウム系の抵抗体である。５４は抵抗体
５３の上面に形成されたガラスを主成分とする第１の保
護層である。５５は一対の第１の上面電極層５２間の抵
抗体５３の抵抗値を修正するために設けられたトリミン
グ溝である。５６はガラスを主成分とする第１の保護層
５４を覆うとともに、一対の第１の上面電極層５２の一
部に重なるように形成された樹脂を主成分とする第２の
保護層である。５７は一対の第１の上面電極層５２の一
部に重なるとともに、第２の保護層５６の一部に重なる
ように設けられた銀系の導電性樹脂からなる一対の密着
層で、この一対の密着層５７と前記一対の第１の上面電
極層５２とで一対の上面電極５８を構成している。また
前記第１の上面電極層５２と密着層５７は、基板５１の
端縁において面一となるように構成している。そしてま
た前記密着層５７は、厚み方向における最大の高さを第
１の上面電極層５２の厚み方向における最大の高さより
も高くなるように構成している。５９は前記基板５１の
端縁に設けられ、かつ前記一対の上面電極５８に電気的
に接続される一対の端面電極で、この一対の端面電極５
９は、基板５１の端縁側に位置して、基板５１の端面、
第１の上面電極層５２の端面および密着層５７の端面に
重なるとともに、基板５１の裏面の端部を覆うように略
Ｌ字型に形成された第１の薄膜６０と、この第１の薄膜
６０に重なるように形成され、かつ第１の薄膜６０と電
気的に接続される略Ｌ字型の第２の薄膜６１と、この第
２の薄膜６１を覆うとともに、露出している密着層５７
の上面を覆うように形成された略コ字型のニッケルめっ
きからなる第１のめっき膜６２と、この第１のめっき膜
６２を覆うように形成された略コ字型のスズめっきから
なる第２のめっき膜６３の複層構造により構成されてい
る。

【００８４】上記構成においては、一対の上面電極５８
を、第１の上面電極層５２と、この第１の上面電極層５
２に重なる密着層５７とにより構成しているため、一対
の端面電極５９と一対の上面電極５８との接続面積を大
きくすることができ、これにより、上面電極５８と端面
電極５９との電気的接続信頼性を高めることができるも
のである。

【００８５】また上面電極５８を構成する第１の上面電
極層５２と密着層５７は基板５１の端縁において面一と
なるように構成しているため、基板５１の端縁に設けら
れ、かつ上面電極５８に電気的に接続される端面電極５
９を薄膜で形成する場合、基板５１の端縁と第１の上面
電極層５２および密着層５７の基板端縁側に薄膜からな
る端面電極５９を連続して安定した状態に形成すること
ができるものである。

【００８６】そしてまた上面電極５８を構成する第１の
上面電極層５２と密着層５７のうち、第１の上面電極層
５２のみが抵抗体５３と電気的に接続される構成として
いるため、密着層５７を形成しても抵抗値が変化するこ
とはなく、これにより、オーミックコンタクトを良好に
保つことができるため、抵抗値修正後の抵抗値変化がな
い信頼性の高い抵抗器が得られるものである。

【００８７】また上面電極５８を構成する第１の上面電
極層５２と密着層５７のうち、密着層５７の厚み方向に
おける最大の高さを第１の上面電極層５２の厚み方向に
おける最大の高さよりも高くなるように構成しているた
め、基板５１の端縁に設けられ、かつ上面電極５８と電
気的に接続される端面電極５９を薄膜で形成する場合、
密着層５７の存在により、上面電極５８と薄膜からなる
端面電極５９の接触面積を大きくすることができ、これ
により、上面電極５８と端面電極５９の電気的接続信頼
性を高めることができるものである。

【００８８】そしてまた端面電極５９を構成する第１の
薄膜６０と第２の薄膜６１は、基板５１の端面から裏面
にかけて略Ｌ字型に構成しているため、第１の薄膜６０
と第２の薄膜６１を薄膜技術により形成する場合、基板
５１の一方の面である裏面側のみから容易に形成するこ
とができ、これにより、生産性の向上が図れるものであ
る。

【００８９】以上のように構成された本発明の実施の形
態２における抵抗器について、次にその製造方法を図面
を参照しながら説明する。

【００９０】図２０は本発明の実施の形態２における抵
抗器を製造する場合に用いられるシート状の基板の全周
囲の端部に不要領域部を形成した状態を示す上面図、図
２１（ａ）〜（ｃ）、図２２（ａ）〜（ｃ）、図２３
（ａ）（ｂ）、図２４（ａ）（ｂ）、図２５（ａ）〜
（ｃ）、図２６（ａ）〜（ｃ）、図２７（ａ）〜
（ｃ）、図２８（ａ）〜（ｃ）、図２９（ａ）（ｂ）お
よび図３０（ａ）（ｂ）は本発明の実施の形態２におけ
る抵抗器の製造方法を示す工程図である。

【００９１】まず、図２０、図２１（ａ）、図２２
（ａ）に示すように、焼成済みの９６％純度のアルミナ
からなる厚み０．２ｍｍの絶縁性を有するシート状の基
板７１を準備する。この場合、シート状の基板７１は、
図２０に示すように、全周囲の端部に最終的には製品と
ならない不要領域部７１ａを有しているものである。そ
してこの不要領域部７１ａは略ロ字状に構成されている
ものである。

【００９２】次に、図２０、図２１（ｂ）、図２２
（ｂ）に示すように、シート状の基板７１の上面にスク
リーン印刷工法により銀を主成分とする複数対の第１の
上面電極層７２を形成し、ピーク温度８５０℃の焼成プ
ロファイルで焼成することにより、第１の上面電極層７
２を安定な膜とした。

【００９３】次に、図２０、図２１（ｃ）、図２２
（ｃ）に示すように、複数対の上面電極層７２を跨ぐよ
うに、スクリーン印刷工法により酸化ルテニウム系の複
数の抵抗体７３を形成し、ピーク温度８５０℃の焼成プ
ロファイルで焼成することにより、抵抗体７３を安定な
膜とした。

【００９４】次に、図２３（ａ）、図２４（ａ）に示す
ように、複数の抵抗体７３を覆うように、スクリーン印
刷工法により複数のガラスを主成分とする第１の保護層
７４を形成し、ピーク温度６００℃の焼成プロファイル
で焼成することにより、ガラスを主成分とする第１の保
護層７４を安定な膜とした。

【００９５】次に、図２３（ｂ）、図２４（ｂ）に示す
ように、複数対の第１の上面電極層７２間の抵抗体７３
の抵抗値を一定の値に修正するために、レーザートリミ
ング工法によりトリミングを行い、複数のトリミング溝
７５を形成した。

【００９６】次に、図２５（ａ）、図２６（ａ）に示す
ように、図面上の縦方向に並ぶ複数のガラスを主成分と
する第１の保護層７４を覆うとともに、第１の上面電極
層７２の一部に重なるように、スクリーン印刷工法によ
り樹脂を主成分とする複数の第２の保護層７６を形成
し、ピーク温度２００℃の硬化プロファイルで硬化する
ことにより、第２の保護層７６を安定な膜とした。

【００９７】次に、図２５（ｂ）、図２６（ｂ）に示す
ように、複数対の第１の上面電極層７２の一部に重なる
とともに、第２の保護層７６の一部に重なるように、ス
クリーン印刷工法により銀系の導電性樹脂からなる複数
対の密着層７７を形成し、ピーク温度２００℃の硬化プ
ロファイルで硬化することにより、密着層７７を安定な
膜とした。

【００９８】次に、図２０、図２５（ｃ）、図２６
（ｃ）に示すように、第２の保護層７６を形成したシー
ト状の基板７１の全周囲の端部に形成された不要領域部
７１ａを除いて、複数対の第１の上面電極層７２および
密着層７７を分離して複数の短冊状基板７１ｂに分割す
るためのスリット状の第１の分割部７８をダイシング工
法により複数形成する。この場合、複数のスリット状の
第１の分割部７８は７００μｍピッチで形成されてお
り、かつこのスリット状の第１の分割部７８の幅は１２
０μｍ幅となっている。また前記複数のスリット状の第
１の分割部７８は、シート状の基板７１を上下方向に貫
通する貫通孔で形成されているものである。そしてまた
前記シート状の基板７１は、不要領域部７１ａを除いて
ダイシング工法により複数のスリット状の第１の分割部
７８を形成しているため、スリット状の第１の分割部７
８を形成した後も複数の短冊状基板７１ｂは不要領域部
７１ａにつながっているため、シート状態を呈している
ものである。

【００９９】次に図２７（ａ）、図２８（ａ）に示すよ
うに、スパッタ工法を用いて、シート状の基板７１の裏
面側から、基板７１の裏面全体と複数のスリット状の第
１の分割部７８の内面における基板７１の端面、第１の
上面電極層７２の端面および密着層７７の端面に、端面
電極の一部を構成する基板７１への付着性が良いＣｒ薄
膜からなる複数対の第１の薄膜７９を形成する。

【０１００】次に図２７（ｂ）、図２８（ｂ）に示すよ
うに、スパッタ工法を用いて、シート状の基板７１の裏
面側から、複数対の第１の薄膜７９に重なるように、端
面電極の一部を構成するＣｕ−Ｎｉ合金薄膜からなる複
数対の第２の薄膜８０を形成する。

【０１０１】次に図２７（ｃ）、図２８（ｃ）に示すよ
うに、基板７１の裏面全体に形成された複数対の第１の
薄膜７９と第２の薄膜８０における不要部分、すなわち
基板７１の裏面における略中央部分を約０．３ｍｍ径の
スポット径を有するレーザーの照射により約０．３ｍｍ
幅で蒸発させて剥離除去することにより、複数対の裏面
電極８１を形成する。

【０１０２】次に図２０、図２９（ａ）、図３０（ａ）
に示すように、シート状の基板７１の全周囲の端部に形
成された不要領域部７１ａを除いて、シート状の基板７
１における複数の短冊状基板７１ｂに、複数の抵抗体７
３が個々に分離されて個片状基板７１ｃに分割されるよ
うにスリット状の第１の分割部７８と直交する方向に複
数の第２の分割部８２を形成する。この場合、複数の第
２の分割部８２は４００μｍピッチで形成されるため、
第２の分割部８２の幅は１００μｍ幅となっている。ま
たこの複数の第２の分割部８２はレーザースクライブに
より形成しているもので、まず、レーザーにより分割溝
を形成し、その後、一般的な分割設備により分割溝の部
分を分割して個片状基板７１ｃに分割するようにしてい
る。すなわち、この分割方法は、第２の分割部８２を形
成する毎に個片化されるのではなく、２段階で個片化さ
れるという作用を有するものである。そしてまたこの複
数の第２の分割部８２は不要領域部７１ａを除いて複数
の短冊状基板７１ｂにレーザースクライブにより形成す
るようにしているため、この複数の第２の分割部８２を
分割する毎に個片状基板７１ｃに分割され、そしてこの
個片状基板７１ｃは不要領域部７１ａから分離されるも
のである。

【０１０３】最後に、図２９（ｂ）、図３０（ｂ）に示
すように、電気めっき工法を用いて、個片状基板７１ｃ
における第２の薄膜８０と露出している密着層７７の上
面を覆うように、厚みが約２〜６μｍで、かつはんだの
拡散防止または耐熱性に優れるニッケルめっきからなる
第１のめっき膜８３を形成する。その後、さらに電気め
っき工法を用いて、ニッケルめっきからなる第１のめっ
き膜８３を覆うように、厚みが約３〜８μｍで、かつは
んだ付着性の良いスズめっきからなる第２のめっき膜８
４を形成する。

【０１０４】以上の製造工程により、本発明の実施の形
態２における抵抗器は製造されるものである。

【０１０５】なお、上記製造工程においては、第２のめ
っき膜８４をスズめっきで構成しているが、これに限定
されるものではなく、スズ合金系の材料からなるめっき
でもよく、これらの材料で構成した場合は、リフローは
んだ付け時に安定したはんだ付けができるものである。

【０１０６】また上記製造工程においては、抵抗体７３
等を覆う保護層を、抵抗体７３を覆うガラスを主成分と
する第１の保護層７４と、この第１の保護層７４を覆う
とともに、トリミング溝７５を覆う樹脂を主成分とする
第２の保護層７６の２層で構成しているため、前記第１
の保護層７４でレーザートリミング時のクラックの発生
を防止して電流雑音を小さくできるとともに、前記樹脂
を主成分とする第２の保護層７６で抵抗体７３全体が覆
われるため、耐湿性に優れた抵抗特性を確保できるもの
である。

【０１０７】上記本発明の実施の形態２における抵抗器
の製造工程は、銀系の導電性樹脂からなる複数対の密着
層７７の形成順序を、本発明の実施の形態１における抵
抗器の製造工程とは異ならせたもので、その他は同じで
あり、実質的に本発明の実施の形態１と同様の作用効果
を有するものである。

【０１０８】

【発明の効果】以上のように本発明の抵抗器は、基板の
一主面上に形成される一対の上面電極を、第１の上面電
極層と、この第１の上面電極層に重なる密着層とに構成
するとともに、前記基板の端縁に設けられ、かつ前記一
対の上面電極に電気的に接続される一対の端面電極を、
基板の端縁側に位置し、かつ基板への付着性が良いＣｒ
薄膜、Ｔｉ薄膜、Ｃｒ系合金薄膜、Ｔｉ系合金薄膜のい
ずれかからなる第１の薄膜と、この第１の薄膜と電気的
に接続されるＣｕ系の合金薄膜からなる第２の薄膜と、
少なくとも前記第２の薄膜を覆うニッケルめっきからな
る第１のめっき膜と、少なくとも前記第１のめっき膜を
覆う第２のめっき膜の複層構造により構成したもので、
この構成によれば、基板の端縁に設けられ、かつ一対の
上面電極に電気的に接続される一対の端面電極を薄膜で
形成する場合、一対の上面電極を、第１の上面電極層
と、この第１の上面電極層に重なる密着層とにより構成
しているため、一対の端面電極と一対の上面電極との接
続面積を大きくすることができ、これにより、上面電極
と端面電極との電気的接続信頼性を高めることができ
る。また前記端面電極は、第１の薄膜と電気的に接続さ
れる第２の薄膜をＣｕ系の合金薄膜により構成している
ため、第１の薄膜と第２の薄膜との界面においては、Ｃ
ｕ系の合金薄膜を構成する添加金属と第１の薄膜の構成
金属とが全率固溶体を構成することになり、これによ
り、第１の薄膜と第２の薄膜との密着力が向上して信頼
性を高めることができるという優れた効果を有するもの
である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１における抵抗器の断面図

【図２】同抵抗器を製造する場合に用いられるシート状
の基板の全周囲の端部に不要領域部を形成した状態を示
す上面図

【図３】（ａ）〜（ｃ）同抵抗器の製造工程を示す断面
図

【図４】（ａ）〜（ｃ）同抵抗器の製造工程を示す平面
図

【図５】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す断面図

【図６】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す平面図

【図７】（ａ）〜（ｃ）同抵抗器の製造工程を示す断面
図

【図８】（ａ）〜（ｃ）同抵抗器の製造工程を示す平面
図

【図９】（ａ）〜（ｃ）同抵抗器の製造工程を示す断面
図

【図１０】（ａ）〜（ｃ）同抵抗器の製造工程を示す平
面図

【図１１】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す断面
図

【図１２】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す平面
図

【図１３】同抵抗器の第２の薄膜を構成するＣｕ−Ｎｉ
合金薄膜の平衡状態図

【図１４】同抵抗器の第１の薄膜と第２の薄膜のＳＩＭ
Ｓによる組成分析結果の説明図

【図１５】（ａ）（ｂ）特性を説明する試験方法を示す
図

【図１６】同抵抗器を製造する場合に用いられるシート
状の基板の一端部に不要領域部を形成した状態を示す上
面図

【図１７】同抵抗器を製造する場合に用いられるシート
状の基板の両端部に不要領域部を形成した状態を示す上
面図

【図１８】同抵抗器を製造する場合に用いられるシート
状の基板の３つの端部に不要領域部を形成した状態を示
す上面図

【図１９】本発明の実施の形態２における抵抗器の断面
図

【図２０】同抵抗器を製造する場合に用いられるシート
状の基板の全周囲の端部に不要領域部を形成した状態を
示す上面図

【図２１】（ａ）〜（ｃ）同抵抗器の製造工程を示す断
面図

【図２２】（ａ）〜（ｃ）同抵抗器の製造工程を示す平
面図

【図２３】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す断面
図

【図２４】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す平面
図

【図２５】（ａ）〜（ｃ）同抵抗器の製造工程を示す断
面図

【図２６】（ａ）〜（ｃ）同抵抗器の製造工程を示す平
面図

【図２７】（ａ）〜（ｃ）同抵抗器の製造工程を示す断
面図

【図２８】（ａ）〜（ｃ）同抵抗器の製造工程を示す平
面図

【図２９】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す断面
図

【図３０】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す平面
図

【図３１】従来の抵抗器の断面図

【符号の説明】

１１，５１ 基板 １２，５２ 第１の上面電極層 １３，５３ 抵抗体 １４，５４ 第１の保護層 １５，５５ トリミング溝 １６，５７ 密着層 １７，５８ 上面電極 １８，５６ 第２の保護層 １９，５９ 端面電極 ２０，６０ 第１の薄膜 ２１，６１ 第２の薄膜 ２２，６２ 第１のめっき膜 ２３，６３ 第２のめっき膜 ３１，７１ シート状の基板 ３１ａ，３１ｄ，３１ｅ，３１ｆ，７１ａ 不要領域部 ３１ｂ，７１ｂ 短冊状基板 ３１ｃ，７１ｃ 個片状基板 ３２，７２ 第１の上面電極層 ３３，７３ 抵抗体 ３４，７４ 第１の保護層 ３５，７５ トリミング溝 ３６，７７ 密着層 ３７，７６ 第２の保護層 ３８，７８ スリット状の第１の分割部 ３９，７９ 第１の薄膜 ４０，８０ 第２の薄膜 ４１，８１ 裏面電極 ４２，８２ 第２の分割部 ４３，８３ 第１のめっき膜 ４４，８４ 第２のめっき膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松川 俊樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 斉川 博之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 中西 努 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5E028 BA11 BB01 CA02 DA04 EA01 EB04 JC03 JC06 JC12 5E032 BA11 CC14 CC16 DA01 TB02 5E033 AA02 BB02 BB09 BC01 BE01 BH02

Claims (23)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板と、この基板の一主面上に形成した
   一対の上面電極と、この一対の上面電極と電気的に接続
   されるように設けた抵抗体と、少なくとも前記抵抗体を
   覆うように設けられた保護層と、前記基板の端縁に設け
   られ、かつ前記一対の上面電極に電気的に接続される一
   対の端面電極とを備え、前記一対の上面電極を、第１の
   上面電極層と、この第１の上面電極層に重なる密着層と
   により構成するとともに、前記端面電極を、基板の端縁
   側に位置し、かつ基板への付着性が良いＣｒ薄膜、Ｔｉ
   薄膜、Ｃｒ系合金薄膜、Ｔｉ系合金薄膜のいずれかから
   なる第１の薄膜と、この第１の薄膜と電気的に接続され
   るＣｕ系の合金薄膜からなる第２の薄膜と、少なくとも
   前記第２の薄膜を覆うニッケルめっきからなる第１のめ
   っき膜と、少なくとも前記第１のめっき膜を覆う第２の
   めっき膜の複層構造により構成した抵抗器。
2. 【請求項２】 上面電極を構成する第１の上面電極層と
   密着層を、基板の端縁において面一となるように構成し
   た請求項１記載の抵抗器。
3. 【請求項３】 上面電極を構成する第１の上面電極層と
   密着層のうち、第１の上面電極層のみが抵抗体と電気的
   に接続される構成とした請求項１記載の抵抗器。
4. 【請求項４】 上面電極を構成する第１の上面電極層と
   密着層のうち、密着層の厚み方向における最大の高さを
   第１の上面電極層の厚み方向における最大の高さよりも
   高くなるように構成した請求項１記載の抵抗器。
5. 【請求項５】 上面電極を構成する第１の上面電極層を
   銀系の材料で構成するとともに、密着層を導電性樹脂で
   構成した請求項１記載の抵抗器。
6. 【請求項６】 端面電極を構成する第２の薄膜を、Ｃｕ
   にＮｉを１．６重量％以上含有させたＣｕ−Ｎｉ合金薄
   膜で構成した請求項１記載の抵抗器。
7. 【請求項７】 端面電極を構成する第１の薄膜および第
   ２の薄膜を、基板の端面から裏面にかけて略Ｌ字型に構
   成した請求項１記載の抵抗器。
8. 【請求項８】 保護層を、抵抗層を覆うガラスを主成分
   とする第１の保護層と、この第１の保護層を覆う樹脂を
   主成分とする第２の保護層で構成した請求項１記載の抵
   抗器。
9. 【請求項９】 シート状の基板の上面に複数対の第１の
   上面電極層を設ける工程と、前記複数対の第１の上面電
   極層と電気的に接続される複数の抵抗体を設ける工程
   と、少なくとも前記複数の抵抗体を覆うように複数の保
   護層を設ける工程と、前記複数の抵抗体における前記複
   数対の第１の上面電極層間の抵抗値を修正するためにト
   リミングを行う工程と、前記複数対の第１の上面電極層
   に重なるように複数対の密着層を設ける工程と、前記シ
   ート状の基板に、前記複数対の第１の上面電極層および
   複数対の密着層を分離して複数の短冊状基板に分割する
   ためのスリット状の第１の分割部を複数形成する工程
   と、前記スリット状の第１の分割部が複数形成された状
   態のシート状の基板の裏面側から薄膜技術により複数の
   スリット状の第１の分割部の内面における基板の端面と
   前記第１の上面電極層の端面および密着層の端面に端面
   電極を形成する工程と、前記シート状の基板における複
   数の短冊状基板に、前記複数の抵抗体が個々に分離され
   て個片状基板に分割されるように前記スリット状の第１
   の分割部と直交する方向に複数の第２の分割部を形成す
   る工程とを備えた抵抗器の製造方法。
10. 【請求項１０】 スリット状の第１の分割部が複数形成
    された状態のシート状の基板の裏面側から薄膜技術によ
    り複数のスリット状の第１の分割部の内面における基板
    の端面と第１の上面電極層の端面および密着層の端面に
    端面電極を形成する工程において、前記シート状の基板
    の裏面全体にも薄膜技術により端面電極を形成し、さら
    にこのシート状の基板の裏面全体に形成された端面電極
    は不要部分を除去して複数対の裏面電極を形成するよう
    にした請求項９記載の抵抗器の製造方法。
11. 【請求項１１】 複数のスリット状の第１の分割部をダ
    イシングにより形成した請求項９記載の抵抗器の製造方
    法。
12. 【請求項１２】 複数の第２の分割部をダイシングによ
    り形成した請求項９記載の抵抗器の製造方法。
13. 【請求項１３】 複数の第２の分割部をレーザーにより
    形成し、その後、この第２の分割部を分割して個片状基
    板に分割するようにした請求項９記載の抵抗器の製造方
    法。
14. 【請求項１４】 シート状の基板の端部に不要領域部を
    形成し、かつ複数のスリット状の第１の分割部は複数の
    短冊状基板が前記不要領域部につながった状態となるよ
    うにシート状の基板に形成した請求項９記載の抵抗器の
    製造方法。
15. 【請求項１５】 シート状の基板の上面に複数対の第１
    の上面電極層を設ける工程と、前記複数対の第１の上面
    電極層と電気的に接続される複数の抵抗体を設ける工程
    と、前記複数の抵抗体を覆うように複数のガラスを主成
    分とする第１の保護層を設ける工程と、前記複数の抵抗
    体における前記複数対の第１の上面電極層間の抵抗値を
    修正するためにトリミングを行う工程と、前記複数対の
    第１の上面電極層に重なるように複数対の密着層を設け
    る工程と、少なくとも前記複数のガラスを主成分とする
    第１の保護層を覆うように複数の樹脂層からなる第２の
    保護層を設ける工程と、前記シート状の基板に、前記複
    数対の第１の上面電極層および複数対の密着層を分離し
    て複数の短冊状基板に分割するためのスリット状の第１
    の分割部を複数形成する工程と、前記スリット状の第１
    の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の裏面
    側から薄膜技術により複数のスリット状の第１の分割部
    の内面における基板の端面と前記第１の上面電極層の端
    面および密着層の端面に端面電極を形成する工程と、前
    記シート状の基板における複数の短冊状基板に、前記複
    数の抵抗体が個々に分離されて個片状基板に分割される
    ように前記スリット状の第１の分割部と直交する方向に
    複数の第２の分割部を形成する工程とを備えた抵抗器の
    製造方法。
16. 【請求項１６】 スリット状の第１の分割部が複数形成
    された状態のシート状の基板の裏面側から薄膜技術によ
    り複数のスリット状の第１の分割部の内面における基板
    の端面と第１の上面電極層の端面および密着層の端面に
    端面電極を形成する工程において、前記シート状の基板
    の裏面全体にも薄膜技術により端面電極を形成し、かつ
    このシート状の基板の裏面全体に形成された端面電極は
    不要部分を除去して複数対の裏面電極を形成するように
    した請求項１５記載の抵抗器の製造方法。
17. 【請求項１７】 端面電極を、基板の端縁側に位置し、
    かつ基板への付着性が良いＣｒ薄膜、Ｔｉ薄膜、Ｃｒ系
    合金薄膜、Ｔｉ系合金薄膜のいずれかからなる第１の薄
    膜と、この第１の薄膜と電気的に接続されるＣｕ系の合
    金薄膜からなる第２の薄膜と、少なくとも前記第２の薄
    膜を覆うニッケルめっきからなる第１のめっき膜と、少
    なくとも前記第１のめっき膜を覆う第２のめっき膜の複
    層構造により構成し、かつ前記第１の薄膜と第２の薄膜
    は、スリット状の第１の分割部が複数形成された状態の
    シート状の基板の裏面側から薄膜技術により複数のスリ
    ット状の第１の分割部の内面における基板の端面と第１
    の上面電極層の端面および密着層の端面に形成し、さら
    に前記第１のめっき膜と第２のめっき膜は、第２の分割
    部により分割された個片状基板における前記第２の薄膜
    を覆うように設けた請求項９または１５記載の抵抗器の
    製造方法。
18. 【請求項１８】 複数対の第１の上面電極層に重なるよ
    うに複数対の導電性樹脂からなる密着層を設ける工程
    を、複数の抵抗体を覆うように複数のガラスを主成分と
    する第１の保護層を設ける工程と、前記複数の抵抗体に
    おける複数対の第１の上面電極層間の抵抗値を修正する
    ためにトリミングを行う工程とを実施した後に実施する
    ようにした請求項１５記載の抵抗器の製造方法。
19. 【請求項１９】 複数対の第１の上面電極層に重なるよ
    うに複数対の導電性樹脂からなる密着層を設ける工程
    を、複数の抵抗体を覆うように複数のガラスを主成分と
    する第１の保護層を設ける工程と、前記複数の抵抗体に
    おける複数対の第１の上面電極層間の抵抗値を修正する
    ためにトリミングを行う工程と、少なくとも前記複数の
    ガラスを主成分とする第１の保護層を覆うように複数の
    樹脂層からなる第２の保護層を設ける工程とを実施した
    後に実施するようにした請求項１５記載の抵抗器の製造
    方法。
20. 【請求項２０】 複数のスリット状の第１の分割部をダ
    イシングにより形成した請求項１５記載の抵抗器の製造
    方法。
21. 【請求項２１】 複数の第２の分割部をダイシングによ
    り形成した請求項１５記載の抵抗器の製造方法。
22. 【請求項２２】 複数の第２の分割部をレーザーにより
    形成し、その後、この第２の分割部において個片状基板
    に分割するようにした請求項１５記載の抵抗器の製造方
    法。
23. 【請求項２３】 シート状の基板の端部に不要領域部を
    形成し、かつ複数のスリット状の第１の分割部は複数の
    短冊状基板が前記不要領域部につながった状態となるよ
    うにシート状の基板に形成した請求項１５記載の抵抗器
    の製造方法。